KR20110059487A - 고효율 스캔용 센서를 이용한 광 검출 장치 및 방법 - Google Patents
고효율 스캔용 센서를 이용한 광 검출 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110059487A KR20110059487A KR1020090116237A KR20090116237A KR20110059487A KR 20110059487 A KR20110059487 A KR 20110059487A KR 1020090116237 A KR1020090116237 A KR 1020090116237A KR 20090116237 A KR20090116237 A KR 20090116237A KR 20110059487 A KR20110059487 A KR 20110059487A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pcb
- edge
- photoelectric conversion
- sensor chips
- light
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 claims description 3
- OKBJVIVEFXPEOU-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichloro-4-(2,3,6-trichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=C(Cl)C(Cl)=CC=C1C1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl OKBJVIVEFXPEOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- WDLTVNWWEZJMPF-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,5-tetrachloro-4-(2,3-dichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C(=C(Cl)C(Cl)=CC=2Cl)Cl)=C1Cl WDLTVNWWEZJMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 4
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 206010006187 Breast cancer Diseases 0.000 description 1
- 208000026310 Breast neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003902 lesion Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/50—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment specially adapted for specific body parts; specially adapted for specific clinical applications
- A61B6/502—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment specially adapted for specific body parts; specially adapted for specific clinical applications for diagnosis of breast, i.e. mammography
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/36—Devices specially adapted for detecting X-ray radiation
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B2562/00—Details of sensors; Constructional details of sensor housings or probes; Accessories for sensors
- A61B2562/02—Details of sensors specially adapted for in-vivo measurements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
- G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
- G01N2223/3301—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts beam is modified for scan, e.g. moving collimator
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Surgery (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Dentistry (AREA)
- Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
본 발명은 서로 마주보는 두 개의 대향 PCB의 안쪽에 교대로 장착한 에지온 센서칩들을 이용하여, 인체 조직 등 대상체를 투과하여 상기 두 개의 PCB 사이의 좁은 틈으로 입사되는 X-선을 포함한 방사선을 감지하여 산업용 보안 검색 및 대상체의 해부학적 영상을 획득하기 위한 광 검출 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른 광 검출 장치는, 입사되는 광을 집속하여 통과시키기 위한 복수의 홀들을 구비하는 콜리메이터, 및 상기 콜리메이터로부터의 광이 대상체를 투과한 투과광을 감지하여 전기적 신호를 생성하는 이미지 센서 기판을 포함하고, 상기 이미지 센서 기판은, 일정 거리 이격되어 대향된 제1 PCB 및 제2 PCB 각각의 안쪽에 스트립(strip) 형태의 복수의 광전변환소자들이 구비된 복수의 에지온 센서칩들을 장착하고, 상기 제1 PCB 및 상기 제2 PCB 사이에서 상기 복수의 광전변환소자들의 단면부로 입사되는 상기 투과광을 감지한다.
광전변환소자, 에지온 센서 칩, 방사선 광검출장치, 대향 PCB
Description
본 발명은 광 검출 장치 및 방법에 관한 것으로서, 서로 마주보는 두 개의 대향 PCB의 안쪽에 교대로 장착한 에지온 방식의 센서칩들을 이용하여, 인체 조직 등 대상체를 투과하여 상기 두개의 PCB 사이의 좁은 틈으로 입사되는 X-선을 감지하여 대상체의 암 진단 등을 위한 영상을 획득하기 위한 방사선을 포함한 광 검출 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 환자의 암이나 기타 환부의 상태를 진단하기 위하여 X-선을 환부에 조사하고 해당 영상을 획득하는 기술을 이용한다. X-선 촬영 기술에는 일반적인 필름에 정지 영상을 획득하는 GR(General Radiography) 방식과 이미지 판에 조사되는 X-선을 소정 리더기로 읽어 영상을 디지털화하는 CR(Computed Radiography) 방식 등이 널리 사용되고 있다. 이외에도, 최근에는 이미지 센서를 이용해 직접 X-선을 감지하여 영상을 디지털화하는 DR(Digital Radiography) 방식도 등장하였다.
에지온(edge-on) 방식의 센서는 X선이 센서의 단면부를 통해 입사하는 방식의 센서를 말하며, 일반적으로 센서의 표면에 수직으로 입사하는 방식에 비해 높은 광흡수율을 갖는 것을 특징으로 한다. 본 센서를 이용한DR 방식에 있어서 이미지 센서 칩의 크기가 한정되어 있으므로 대면적 검출기를 구현하기 위해서는 하나 또는 두 개의 PCB(Printed Circuit Board)에 여러 개의 센서칩을 장착한 후 스캐닝하는 방식을 통하여 영상을 얻는 방법을 사용하여야 한다. 이때 이미지 센서 칩을 일렬로 배열할 때 에지온 센서칩의 가장자리에 존재하는 가드링들로 인해 칩의 끝에서 감지되지 않는 부분이 존재하므로 이를 해결하려는 기술들이 필요하며 이미지 센서 칩이 배열되는 방법에 따라 검출기의 두께가 두꺼워져 장치 사이즈를 크게 하므로 이를 개선할 필요가 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은, 서로 마주보는 두 개의 대향 PCB의 안쪽에 교대로 장착한 에지온 센서칩들을 이용하여, 인체 조직 등 대상체를 투과하여 상기 두개의 PCB 사이의 좁은 틈으로 입사되는 X-선을 감지하도록 함으로써, 에지온 센서칩들이 장착되는 PCB의 사이즈를 줄일 수 있고, 이에 따라 대상체의 암 진단 등을 위한 영상 획득이 편리한 광 검출 장치 및 방법에 관한 것이다.
먼저, 본 발명의 특징을 요약하면, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 광 검출 장치는, 입사되는 광을 집속하여 통과시키기 위한 복수의 홀들을 구비하는 콜리메이터; 및 상기 콜리메이터로부터의 광이 대상체를 투과한 투 과광을 감지하여 전기적 신호를 생성하는 이미지 센서 기판을 포함하고, 상기 이미지 센서 기판은, 일정 거리 이격되어 대향된 제1 PCB 및 제2 PCB 각각의 안쪽에 스트립 형태의 복수의 광전변환소자들이 구비된 복수의 에지온 방식의 센서칩들을 장착하고, 상기 제1 PCB 및 상기 제2 PCB 사이에서 상기 복수의 광전변환소자들의 단면부로 입사되는 상기 투과광을 감지할 수 있다.
상기 입사되는 광은 X-선을 포함한 방사선인 것을 특징으로 한다.
상기 제1 PCB에 장착된 제1 복수의 에지온 센서칩들이 일정 거리 이격되어 배치되고, 상기 제2 PCB에 장착된 제2 복수의 에지온 센서칩들은 각각의 양끝 광전변환소자들의 위치가 상기 제1 복수의 에지온 센서칩들 각각의 양끝 광전변환소자들과 수직으로 중첩 또는 이격되어 배치된다. 이때, 각 칩 상의 최외곽의 스트립 형태의 광전변환소자 한 개가 서로 수직으로 중첩되거나 상기 광전변환소자들이 형성된 피치만큼 이격되어 배치될 수 있다.
상기 콜리메이터의 상기 복수의 홀들은 상기 제1 복수의 에지온 센서칩들의 위치에 대응되는 각각의 위치와 상기 제2 복수의 에지온 센서칩들의 위치에 대응되는 각각의 위치에 형성된다.
상기 제1 복수의 에지온 센서칩들 및 상기 제2 복수의 에지온 센서칩들은 칩 에 형성된 광전변환소자전극의 스트립 방향과 상기 투과광의 입사 방향이 일치하도록 서로 다른 각도로 배치된다.
상기 대상체는 여성의 유방 또는 다른 인체 부위나 조직일 수 있다.
그리고, 본 발명의 다른 일면에 따른 광 검출 방법은, 복수의 홀들을 구비하 는 콜리메이터를 이용하여 입사되는 광을 집속하여 통과시키는 단계; 및 상기 콜리메이터로부터의 광이 대상체를 투과한 투과광을 감지하여 전기적 신호를 생성하는 단계를 포함하고, 상기 전기적 신호를 생성하는 단계는, 일정 거리 이격되어 대향된 각각의 안쪽에 스트립 형태의 복수의 광전변환소자들이 구비된 복수의 에지온 센서칩들을 장착한 제1 PCB 및 제2 PCB로 구성된 이미지 센서 기판을 이용하여, 상기 제1 PCB 및 상기 제2 PCB 사이에서 상기 복수의 광전변환소자들의 단면부로 입사되는 상기 투과광에 대하여 감지하여 생성한다.
본 발명에 따른 광 검출 장치에 따르면, 서로 마주보는 두 개의 대향 PCB의 안쪽에 교대로 장착한 에지온 센서칩들을 이용하여, 상기 두개의 PCB 사이의 좁은 틈으로 입사되는 X-선을 감지하도록 함으로써, 에지온 센서칩들이 장착되는 PCB의 사이즈를 줄일 수 있고, 이에 따라 대상체의 암 진단 등을 위한 영상을 편리하게 획득할 수 있다. 또한, 에지온 센서칩들이 장착되는 PCB의 슬림화가 가능하고, 이에 따라 대면적화에도 기여할 수 있다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 광 검출 장치(100)를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 광 검출 장치(100)는, 광원(110), 콜리메이터(collimator)(120), 및 이미지 센서 기판(130)을 포함하고, 이미지 센서 기판(130)은 제1 PCB(131) 및 제2 PCB(132)를 포함한다.
광원(110)은 X-선 발생장치를 이용하여 X-선을 발생시키고 발생된 X-선을 소정 포커싱 수단을 이용해 초점을 조절하여 방출할 수 있다. 여기서, 광원(110)은 X-선을 발생하는 것으로 예를 들어 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며 다른 목적으로 광 검출 장치를 이용하는 경우에는 필요에 따라 또 다른 방사선, 자외선, 레이저 등을 발생시킬 수도 있음을 밝혀 둔다.
콜리메이터(120)는 복수의 홀들(hole)을 구비하며, 광원(110)으로부터 입사되는 X-선이 복수의 홀들(hole)에서 집속되어 통과되도록 한다.
이미지 센서 기판(130)은 제1 PCB(131) 및 제2 PCB(132)을 이용해, 콜리메이터(120)를 통과하는 X-선이 대상체를 투과한 투과광을 감지하여 전기적 신호를 생성할 수 있다. 이미지 센서 기판(130)은 대상체의 좌에서 우로 또는 우에서 좌로 모든 부위에 대한 투과광을 감지하도록 일정 이송 장치에 의하여 이동하면서 투과광 감지를 스캐닝할 수 있다. 이때, 광원(110)의 포커싱 수단이나 콜리메이터(120)도 모터 등을 이용한 이동 제어 장치를 통하여 이미지 센서 기판(130)을 향하도록 그 움직임이 제어될 수 있다. 여기서, 대상체는 여성의 유방 등의 인체 부위 및 조직일 수 있으며, 광 검출 장치(100)는 유방암이나 기타 인체 부위나 조직의 진단을 위한 환부의 영상 진단 및 치료 장치로 활용될 수 있다.
도 2는 도 1의 콜리메이터(120)와 센서 어레이 기판(130)의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
센서 어레이 기판(130)의 제1 PCB(131) 및 제2 PCB(132)는 일정 거리 이격되어 대향되도록 배치된다. 제1 PCB(131) 및 제2 PCB(132) 각각의 안쪽에는 스트립(strip) 형태의 복수의 광전변환소자들이 구비된 복수의 에지온 센서칩들(210/220)이 장착되어 있으며, 제1 PCB(131) 및 제2 PCB(132)는 에지온 센서칩들(210/220)의 두께 보다 수 마이크로미터 내지 수 밀리미터 큰 폭으로 이격되어 배치될 수 있다. 콜리메이터(120)를 통과하는 X-선이 대상체를 투과한 투과광이 제1 PCB(131) 및 제2 PCB(132) 사이의 틈으로 입사되면, 제1 PCB(131) 및 제2 PCB(132)의 에지온 센서칩들(210/220)은 각 광전변환소자의 단면부로 입사되는 상기 투과광을 감지하여 전기적 신호를 생성할 수 있다.
제1 PCB(131)에 장착된 제1 복수의 에지온 센서칩들(210)은 일정 거리 이격(예를 들어, 피치 50마이크로미터 등)되어 배치되며, 제2 PCB(132)에 장착된 제2 복수의 에지온 센서칩들(220)은 각각의 양끝 광전변환소자들의 위치가 도 3과 같이 제1 복수의 에지온 센서칩들(210) 각각의 양끝 광전변환소자들과 수직으로 중첩 또는 이격(예를 들어, 피치 50마이크로미터 등)되어 배치될 수 있다. 좀 더 자세히 설명하면, 도 3과 같이, 제2 PCB(132)의 에지온 센서칩(220)의 좌측 끝에 형성된 광전변환소자는 제1 PCB(131)의 에지온 센서칩(210)의 우측 끝에 형성된 스트립 형태의 광전변환소자 한 개와 수직으로 중첩되도록 배치될 수 있고(도 3a참조), 각 칩 상의 최외곽의 스트립 형태의 광전변환소자가 피치(예를 들어, 50마이크로미터 등)에 해당하는 거리만큼 이격되어 배치 될 수도 있다(도 3b참조).
도 2와 같이 제1 복수의 에지온 센서칩들(210) 및 제2 복수의 에지온 센서칩들(220)은, 각 칩에 형성된 광전변환소자전극의 스트립 방향과 콜리메이터(120)를 통과하는 X-선이 상기 대상체를 투과한 투과광의 입사 방향이 일치하도록 서로 다른 각도로 배치된다. 이는 에지온 센서칩들(210/220)에 형성된 광전변환소자들이 X-선 투과광을 수직으로 입사받아 미소 선량을 극복하고 최대한 많은 투과광을 흡수할 수 있도록 하기 위한 것으로서, 예를 들어, 제1 PCB(131) 또는 제2 PCB(132)의 좌에서 우까지의 길이 내에서 10도 각도 정도의 범위에서 제1 복수의 에지온 센서칩들(210) 및 제2 복수의 에지온 센서칩들(220)을 조금씩 다른 각도로 배치할 수 있다. 예를 들어, 도 3와 같이 모두 7개의 에지온 센서칩들을 배치하는 경우에, 제1 PCB(131)의 첫번째 에지온 센서칩과 제2 PCB(132)의 첫번째 에지온 센서칩 간에 1.5도 정도 기울어지게 배치할 수 있고, 마찬가지로 제2 PCB(132)의 첫번째 에지온 센서칩과 제1 PCB(131)의 두번째 에지온 센서칩 간에 다시 1.5도 정도 기울어지게 배치하며, 같은 방법으로 다른 에지온 센서칩들을 배치할 수 있다.
또한, 콜리메이터(120)에 형성된 복수의 홀들은 제1 복수의 에지온 센서칩들(210)의 위치에 대응되는 각각의 위치와 제2 복수의 에지온 센서칩들(220)의 위치에 대응되는 각각의 위치에 형성되어, X-선이 퍼짐없이 대상체를 향하여 에지온 센서칩들의 해당 위치로 집속되도록 할 수 있다.
이에 따라 제1 PCB(131) 및 제2 PCB(132)의 에지온 센서칩들(210/220)은 각 광전변환소자의 단면부로 입사되는 대상체를 투과한 X-선 투과광을 안정적으로 감지하여 전기적 신호를 생성할 수 있으며, 도 5와 같이, 스캔 영상이 획득되도록 할 수 있다.
도 3에서 살펴본 바와 같이, 에지온 센서칩들(210/220)에 형성되는 스트립 형태의 광전변환소자들은 A-B 사이의 단면이 도 4와 같은 구조를 이루고 있다. 도 4는 PIN 구조(고저항 N형 기판에 P형 반도체 및 N형 반도체의 적층 구조)의 광전변환소자의 예를 나타내는 구조로서, 예를 들어, 고저항 N형 반도체 기판에 스트립 형태의 P형 층(P형 불순물을 도핑한 층)을 일정 거리 간격으로 형성하고 그 위에 금속 전극이 형성되는 구조일 수 있다. 고저항 N형 반도체 기판의 하면은 N+ 층(N형 불순물을 도핑한 층)을 형성하고 그 아래에 금속 전극이 형성될 수 있다. 이에 따라, P형층의 전극과 기판 하면의 전극에 역방향 전위를 인가하여 공핍층을 두텁게 형성시킨 후 단면부를 통해 X-선을 입사받으면 공핍층에서의 전자-정공 쌍의 생성으로P형층의 전극과 기판 하면의 전극을 통해 전기적 신호를 검출할 수 있다. 여기서, 광전변환소자로서 PIN 구조(고저항 N형 기판에 P형 반도체 및 N형 반도체의 적층 구조)를 예로들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 PN 구조, 쇼트키(Schottky) 구조, 또는 어발란치(avalanche) 구조 등의 광전변환소자가 이용될 수도 있다.
도 3과 같이, 에지온 센서칩들(210/220)에 형성되는 스트립 형태의 광전변환소자들은 멀티 가드링(multi-guard ring) 안쪽에 형성되며, P형 층으로 형성되는 복수의 링 형태인 멀티 가드링은 기판 하면의 전극과의 사이에 역바이어스가 인가 되어, 광전변환소자들의 항복 전압을 증가시키고 채널 스톱 역할을 하여 광전변환소자들이 전계 집중에 의한 파괴로부터 보호될 수 있도록 한다.
이에 따라 제1 PCB(131) 및 제2 PCB(132)의 에지온 센서칩들(210/220)은 각 광전변환소자의 단면부로 입사되는 대상체를 투과한 X-선 투과광을 안정적으로 감지하여 전기적 신호를 생성할 수 있으며, 이와 같은 전기적 신호는 소정 디지털 신호로 변환된 후 디지털 회로의 처리를 거쳐 LCD와 같은 디스플레이 수단에 표시될 수 있는 영상 신호로 변환될 수 있다. 스캔 영상은 도 5와 같이 스캔 방향의 처음과 끝부분에 PCB들(131/132) 사이의 거리만큼, 즉, 에지온 센서칩들이 비어있는 공간만큼 영상이 확보되지 않으나 이는 디지털 회로의 처리를 통해 제거됨으로써 나머지 영상만이 디스플레이 수단을 통해 디스플레이 되도록 하면 되므로 문제가 되지 않는다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 광 검출 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 콜리메이터와 센서 어레이 기판의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일실시예에 따른 에지온 센서 칩에 형성되는 광전변환소자들을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 광전변환소자의 광전 변환 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 광 검출 장치를 이용하여 획득된 영상의 분포를 설명하기 위한 도면이다.
Claims (8)
- 입사되는 광을 집속하여 통과시키기 위한 복수의 홀들을 구비하는 콜리메이터; 및상기 콜리메이터로부터의 광이 대상체를 투과한 투과광을 감지하여 전기적 신호를 생성하는 이미지 센서 기판을 포함하고,상기 이미지 센서 기판은, 일정 거리 이격되어 대향된 제1 PCB 및 제2 PCB 각각의 안쪽에 스트립 형태의 복수의 광전변환소자들이 구비된 복수의 에지온 센서칩들을 장착하고, 상기 제1 PCB 및 상기 제2 PCB 사이에서 상기 복수의 광전변환소자들의 단면부로 입사되는 상기 투과광을 감지하는 것을 특징으로 하는 광 검출 장치.
- 제1항에 있어서,상기 입사되는 광은 X-선을 포함한 방사선인 것을 특징으로 하는 광 검출 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 PCB에 장착된 제1 복수의 에지온 센서칩들이 일정 거리 이격되어 배치되고,상기 제2 PCB에 장착된 제2 복수의 에지온 센서칩들은 각각의 양끝 광전변환 소자들의 위치가 상기 제1 복수의 에지온 센서칩들 각각의 양끝 광전변환소자들과 수직으로 중첩 또는 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 광 검출 장치.
- 제3항에 있어서,각 칩 상의 최외곽의 스트립 형태의 광전변환소자 한 개가 서로 수직으로 중첩되거나 상기 광전변환소자들이 형성된 피치만큼 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 광 검출 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 콜리메이터의 상기 복수의 홀들은 상기 제1 복수의 에지온 센서칩들의 위치에 대응되는 각각의 위치와 상기 제2 복수의 에지온 센서칩들의 위치에 대응되는 각각의 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 광 검출 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 복수의 에지온 센서칩들 및 상기 제2 복수의 에지온 센서칩들은 각 칩에 형성된 광전변환소자전극의 스트립 방향과 상기 투과광의 입사 방향이 일치하도록 서로 다른 각도로 배치된 것을 특징으로 하는 광 검출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 대상체는 여성의 유방 또는 다른 인체 부위나 조직인 것을 특징으로 하는 광 검출 장치.
- 복수의 홀들을 구비하는 콜리메이터를 이용하여 입사되는 광을 집속하여 통과시키는 단계; 및상기 콜리메이터로부터의 광이 대상체를 투과한 투과광을 감지하여 전기적 신호를 생성하는 단계를 포함하고,상기 전기적 신호를 생성하는 단계는,일정 거리 이격되어 대향된 각각의 안쪽에 스트립 형태의 복수의 광전변환소자들이 구비된 복수의 에지온 센서칩들을 장착한 제1 PCB 및 제2 PCB로 구성된 이미지 센서 기판을 이용하여, 상기 제1 PCB 및 상기 제2 PCB 사이에서 상기 복수의 광전변환소자들의 단면부로 입사되는 상기 투과광에 대하여 감지하여 생성하는 것을 특징으로 하는 광 검출 방법..
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090116237A KR101092206B1 (ko) | 2009-11-27 | 2009-11-27 | 고효율 스캔용 센서를 이용한 광 검출 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090116237A KR101092206B1 (ko) | 2009-11-27 | 2009-11-27 | 고효율 스캔용 센서를 이용한 광 검출 장치 및 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110059487A true KR20110059487A (ko) | 2011-06-02 |
| KR101092206B1 KR101092206B1 (ko) | 2011-12-12 |
Family
ID=44394632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090116237A KR101092206B1 (ko) | 2009-11-27 | 2009-11-27 | 고효율 스캔용 센서를 이용한 광 검출 장치 및 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101092206B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101375275B1 (ko) * | 2012-11-26 | 2014-03-17 | 한국전기연구원 | Ｘ―선의 위상 대조 영상을 위한 연성 그레이팅 시트의 제작 방법 |
| KR20170026125A (ko) * | 2015-08-27 | 2017-03-08 | 광주과학기술원 | 지정맥 인식 장치 및 지정맥 인식 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101961097B1 (ko) | 2012-09-06 | 2019-03-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 패키지 검사 장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002107852A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルおよび放射線画像情報読取方法 |
| JP4144748B2 (ja) | 2003-09-24 | 2008-09-03 | 学校法人慶應義塾 | 単一上昇気泡の３次元形状及び上昇速度の測定法及び測定装置 |
-
2009
- 2009-11-27 KR KR1020090116237A patent/KR101092206B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101375275B1 (ko) * | 2012-11-26 | 2014-03-17 | 한국전기연구원 | Ｘ―선의 위상 대조 영상을 위한 연성 그레이팅 시트의 제작 방법 |
| KR20170026125A (ko) * | 2015-08-27 | 2017-03-08 | 광주과학기술원 | 지정맥 인식 장치 및 지정맥 인식 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101092206B1 (ko) | 2011-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7916831B2 (en) | X-ray detector and X-ray CT apparatus | |
| CN102216806B (zh) | 光谱成像检测器 | |
| EP2707753B1 (en) | Ionizing radiation detection. | |
| US9076563B2 (en) | Anti-scatter collimators for detector systems of multi-slice X-ray computed tomography systems | |
| EP1314976A2 (en) | Method and apparatus to produce three-dimensional X-ray images | |
| CN102395877A (zh) | 用于进行相衬测量的检测装置和x射线断层摄影仪以及进行相衬测量的方法 | |
| JP2010056396A (ja) | Ｘ線検出素子 | |
| CN106456087B (zh) | 用于集成的患者台数字x射线剂量计的方法和系统 | |
| JP2006280576A (ja) | 放射線撮影装置 | |
| JP2010101805A (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
| EP1590688A1 (en) | X-ray detector | |
| KR101092206B1 (ko) | 고효율 스캔용 센서를 이용한 광 검출 장치 및 방법 | |
| JP2012143553A (ja) | 放射線画像撮影装置および放射線画像検出器 | |
| EP2854178B1 (en) | X-ray detector and x-ray imaging apparatus including the same | |
| WO2012057047A1 (ja) | 放射線撮影システム | |
| JP2011206490A (ja) | 放射線撮影システム及び放射線撮影方法 | |
| JP2013054030A (ja) | 陽極照射型放射線検出器 | |
| JP7341721B2 (ja) | 放射線検出器、及びｘ線ｃｔ装置 | |
| JP6523451B2 (ja) | 放射線検出器とそれを備えたｘ線ｃｔ装置 | |
| WO2012056992A1 (ja) | 放射線画像検出装置、放射線撮影装置、放射線撮影システム | |
| EP3887864B1 (en) | Hybrid x-ray and optical detector | |
| JP2014030439A (ja) | 放射線画像検出装置、放射線撮影装置、及び放射線撮影システム | |
| WO2009058092A1 (en) | X-ray detector | |
| JP6673034B2 (ja) | Ｘ線撮影装置およびｘ線検出器 | |
| JP7282933B2 (ja) | Ｘ線検出器におけるチャネルのトレーストリガを軽減するためのシステムおよび方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141204 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161206 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |