JP7282933B2 - Ｘ線検出器におけるチャネルのトレーストリガを軽減するためのシステムおよび方法 - Google Patents

Ｘ線検出器におけるチャネルのトレーストリガを軽減するためのシステムおよび方法 Download PDF

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Description

本明細書に開示された主題は、Ｘ線検出器に関し、より詳細には、Ｘ線検出器内の相互接続ワイヤトレースから生じる不要な信号を緩和することに関する。
非侵襲的撮像技術は、被写体（患者、製造品、手荷物、包装、または乗客）の内部構造または特徴の画像が物理的接触なしに取得されることを可能にする。
例えば、Ｘ線ベースの撮像技術では、Ｘ線が人間の患者などの対象の被写体を貫通し、放射線の一部分が検出器に衝突し、そこで強度データが収集される。デジタルＸ線システムでは、検出器は、検出器表面の個別のピクセル領域に衝突する放射線の量または強度を表す信号を生成する。次いで、信号は処理されて、評価のために表示され得る画像を生成することができる。
コンピュータ断層撮影（ＣＴ）として知られる１つのそのようなＸ線ベースの技法では、スキャナは、Ｘ線源からの扇形または円錐形のＸ線ビームを、患者などの撮像されている物体の周りの多数の視野角位置に投影することができる。Ｘ線ビームは、物体を横切るときに減衰し、検出器に達する入射Ｘ線の強度または数を表す信号を生成する１組の検出器要素によって検出される。信号は処理されて、Ｘ線経路に沿った物体の線形減衰係数の線積分を表すデータが生成される。これらの信号は、通常、「投影データ」、または単に「投影」と呼ばれる。フィルタ逆投影などの復元技法を使用することにより、患者または撮像される物体の対象領域の断面スライスまたは３次元ボリュームを表す画像が生成されてよい。次いで、医療状況では、復元された画像またはレンダリングされたボリュームから対象の病状または他の構造が特定または識別されてよい。
改善されたＸ線検出器設計、ならびに改善された画質および／または低減された放射線量が一般に必要とされている。
米国特許出願公開第２０１９０３８３９５５号明細書
本明細書に開示されたある特定の実施形態の概要が以下に記載される。これらの態様は、単にこれらのある特定の実施形態の簡単な概要を読者に提供するために提示されており、これらの態様は、本開示の範囲を限定するものではないことを理解されたい。実際、本開示は、以下に記載されていない可能性がある様々な態様を包含することができる。
一実施形態では、Ｘ線検出器が提供される。Ｘ線検出器は、複数の検出器サブモジュールを含む。各検出器サブモジュールは、半導体層および複数の検出器要素を含む。複数の検出器要素のうちの第１の検出器要素は、第１のドープインプラント上に配置された第１の電極を含み、複数の検出器要素のうちの第２の検出器要素は、第２のドープインプラント上に配置された第２の電極を含む。第１および第２の検出器要素は、それらの間に間隙がある互いに隣接する半導体層に配置されている。各検出器サブモジュールはまた、複数の検出器要素のうちの１つまたは複数の検出器要素から読出し回路まで延在する配線トレースを含む。配線トレースは、第１の電極と第２の電極との間の間隙内に経路設定される。第１のドープインプラントは、配線トレースの一部分の下に延在し、Ｘ線の吸収に起因して下に発生する電気的活動から配線トレースを遮蔽するように構成される。
別の実施形態では、Ｘ線検出器が提供される。Ｘ線検出器は、複数の検出器サブモジュールを含む。各検出器サブモジュールは、半導体層、および半導体層に配置された複数の検出器要素を含む。各検出器サブモジュールはまた、複数の検出器要素から読出し回路まで延在する配線トレースを含む。各検出器要素は、それぞれの配線トレースに結合される。配線トレースは、複数の検出器要素の隣接する検出器要素間の間隙内に経路設定される。Ｘ線検出器はまた、Ｘ線が検出器要素のうちの１つ、および複数の検出器要素のうちのそれぞれの検出器要素に結合された配線トレースのうちの１つもしくは複数と同時にヒットするときに、複数の検出器要素のうちのどの検出器要素がＸ線ヒットの位置に関連付けられるかを判定するために、同時検出を実行するように構成された処理回路を含む。
さらなる実施形態では、Ｘ線検出器用の下にある半導体層への配線トレースの電気的結合を低減するための方法が提供される。方法は、Ｘ線検出器を利用して物体を撮像する前に、Ｘ線の第１の露光にＸ線検出器を曝すことを含む。各検出器サブモジュールは、半導体層および複数の検出器要素を含む。複数の検出器要素のうちの第１の検出器要素は第１の電極を含み、複数の検出器要素のうちの第２の検出器要素は第２の電極を含む。第１および第２の電極は、それらの間に間隙がある互いに隣接する半導体層に配置されている。各検出器サブモジュールはまた、複数の検出器要素のうちの１つまたは複数の検出器要素から読出し回路まで延在する配線トレースを含む。配線トレースは、第１の電極と第２の電極との間の間隙内に経路設定される。Ｘ線の第１の露光は、配線トレースの下にある半導体層の表面近くに蓄積電荷を生成する。方法はまた、配線トレースと配線トレースの下にある半導体層の一部分との間の電気的結合がＸ線の第１の露光に起因して低減される間に、物体を撮像するときのＸ線の第２の露光中にＸ線検出器を利用することを含み、電気的結合は、配線トレースの下にあるＸ線の第２の露光によって誘起された同じ極性の電荷をはじく蓄積電荷に起因して低減される。
本主題のこれらおよび他の特徴、態様、および利点は、添付の図面を参照して以下の発明を実施するための形態を読むとよりよく理解され、添付の図面では、図面全体にわたって同様の文字は同様の部分を表す。
本開示の態様による、ＣＴシステムのブロック図表現である。 本開示の態様による、並んで配置され、次々に積み重ねられたモジュール式Ｘ線検出器サブモジュールの一例を示す概略図である。 本開示の態様による、Ｘ線検出器サブモジュールの一部分を通る断面図である。 本開示の態様による、（配線トレースの下に単一のｐ型インプラント拡張部を有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分を示す概略図である。 本開示の態様による、（配線トレースの下に複数のｐ型インプラント拡張部を有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分を示す概略図である。 本開示の態様による、（配線トレースの下に波状ｐ型インプラント拡張部を有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分を示す概略図である。 本開示の態様による、（例えば、電極間により厚い電気絶縁層を有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分を通る断面図である。 本開示の態様による、（例えば、ｘ方向の電極上に経路設定された配線トレースを有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分を通る断面図である。 本開示の態様による、（例えば、ｙ方向の電極上に経路設定された配線トレースを有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分を通る断面図である。 本開示の態様による、（例えば、ｙ方向の電極上に経路設定された配線トレースを有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分の概略図である。 本開示の態様による、（例えば、電極上に経路設定された配線トレースを有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分の概略図である。 本開示の態様による、（例えば、エッジ電極向けの位置変更を有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分の概略図である。 本開示の態様による、（例えば、エッジ電極向けのサイズ変更を有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分の概略図である。 本開示の態様による、（例えば、エッジ電極向けの形状変更を有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分の概略図である。 本開示の態様による、（例えば、配線トレース用の金属シールドを有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分を通る断面図である。 本開示の態様による、Ｘ線検出器用の下にある半導体層への配線トレースの電気的結合を低減するための方法の流れ図である。 本開示の態様による、（例えば、トレース拡張部を有する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分を示す概略図である。 本開示の態様による、（例えば、同時検出を利用する）Ｘ線検出器サブモジュールの一部分を示す概略図である。
１つまたは複数の具体的な実施形態が以下に記載される。これらの実施形態の簡潔な説明を提供することを目指して、実際の実装形態のすべての特徴が本明細書に記載されるとは限らない。任意のエンジニアリングまたは設計プロジェクトなどの任意の実際の実装形態の開発では、実装形態ごとに異なる可能性があるシステム関連およびビジネス関連の制約の順守などの開発者の具体的な目標を達成するために、多数の実装形態に特有の判断を行わなければならないことを諒解されたい。その上、そのような開発努力は、複雑で時間がかかるかもしれないが、それにもかかわらず、本開示の利益を有する当業者にとって、設計、製作、および製造の日常的な仕事であろうことを諒解されたい。
本主題の様々な実施形態の要素を紹介するとき、冠詞「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、「その（ｔｈｅ）」、および「前記（ｓａｉｄ）」は、要素のうちの１つまたは複数が存在することを意味するものである。「備える」、「含む」、および「有する」という用語は、包含的であるように意図され、列挙された要素以外のさらなる要素が存在してよいことを意味する。さらに、以下の説明におけるあらゆる数値例は非限定的なものであり、したがって追加の数値、範囲、および割合は開示された実施形態の範囲内にある。
以下の説明は、一般に医療撮像との関連で提供されるが、本技法は、そのような医療の状況に限定されないことを諒解されたい。実際、そのような医療の文脈における例および説明の提供は、実際の実装形態および用途の事例を提供することによって説明を容易にすることに過ぎない。しかしながら、本手法はまた、製造された部品または商品の非破壊検査（すなわち、品質管理もしくは品質審査の用途）、および／または包装、箱、荷物などの非侵襲的検査など（すなわち、セキュリティもしくはスクリーニングの用途）などの他の状況で利用されてよい。一般に、本手法は、光子計数検出器が利用される任意の撮像またはスクリーニングの状況で望ましい可能性がある。
エネルギー分解光子計数検出器は、従来のエネルギー積分検出器では利用できないスペクトル情報を提供することができる。あるタイプのエネルギー弁別光子計数検出技術は、直接変換センサ材料としてケイ素ストリップを用いる。直接変換材料としてケイ素を使用すると、ＣＺＴまたはＣｄＴｅなどの他の直接変換材料で取得され得るよりも高い計数率能力を提供することができる。ある特定の実施形態では、検出器は、吸収深度が任意の長さに選択されることを可能にすることによって吸収効率を高めるためにエッジオンに配置されてもよく、検出器は、非常に高い電圧になることなく依然として完全に空乏化することができる。しかしながら、検出器サブモジュールまたはセンサ上の検出器要素（詳細には、検出器サブモジュールまたはセンサの縁部に沿った検出器要素）の配置は、検出器要素（例えば、ピクセル）から離れた経路に沿って配線トレースが経路設定される結果になる可能性がある。経路設定の下の検出器サブモジュールまたはセンサ内で吸収されたＸ線は、トレース上に信号を誘起し（以下、トレーストリガと呼ばれる）、非局所的なクロストーク効果（すなわち、誤った検出器要素に起因する信号）をもたらす可能性がある。
本手法は、チャネル（例えば、読出しチャネル）のトレーストリガを軽減し、したがってクロストーク効果を軽減または排除することによってこれらの効果に対処する。これらの技法は、コンピュータ断層撮影検出器または他の適切なタイプの放射線写真用Ｘ線検出器などのケイ素ベースの光子計数検出器の性能を改善する。
前述の説明を念頭に置いて、図１は、本明細書で説明されるトレーストリガ軽減手法の態様による、画像データを取得および処理するための撮像システム１０の一実施形態を示す。以下の実施形態は、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）撮像システムに関して説明されるが、実施形態は、他の撮像システム（例えば、Ｘ線、ＰＥＴ、ＣＴ／ＰＥＴ、ＳＰＥＣＴ、核ＣＴなど）でも利用されてよい。図示された実施形態では、システム１０は、Ｘ線投影データを取得し、投影データを断層画像に復元し、表示および分析のために画像データを処理するように設計されたコンピュータ断層撮影（ＣＴ）システムである。ＣＴ撮像システム１０は、撮像セッション中に１つもしくは複数の位置および／または１つもしくは複数のエネルギースペクトルでのＸ線生成を可能にする１つまたは複数のＸ線管または固体放射構造などの、１つまたは複数のＸ線源１２を含む。
ある特定の実装形態では、ソース１２は、対象の被写体２４（例えば、患者）または物体が位置決めされた領域に入る１つまたは複数のＸ線ビーム２０のサイズおよび形状を画定するために使用されるコリメータ２２に近接して位置決めされてよい。被写体２４は、Ｘ線の少なくとも一部分を減衰させる。結果として生じる減衰Ｘ線２６は、複数の検出器要素（例えば、ピクセル）によって形成された検出器アレイ２８に衝突する。本明細書で説明されたように、検出器２８は、測定された位置で、スキャンまたは撮像セッションに対応する時間間隔にわたって検出器に衝突する光子の数およびエネルギーに関する情報をその出力が伝達するエネルギー弁別光子計数検出器を含む光子計数検出器であってよい。ある特定のそのような実施形態では、エネルギー弁別光子計数検出器は、ケイ素ストリップに基づく検出器などの直接変換タイプ（すなわち、シンチレータ手段を用いないタイプ）の検出器であってよい。ある特定の実施形態では、検出器アレイ２８は、複数の検出器サブモジュールまたは（各々が複数の検出器要素を有する）センサによって形成されてよい。ある特定の実施形態では、検出器アレイ２８および検出器サブモジュールは、エッジオン検出器、およびＸ線からのエッジ照明用に構成されたエッジオン検出器サブモジュール（すなわち、Ｘ線は検出器サブモジュールの縁部を通って入る）であってよい。具体的には、検出器アレイ２８は、すべての目的のためにその全体が本明細書に組み込まれる、２０１９年２月１９日に出願され、「Ｘ－ｒａｙ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ Ｓｙｓｔｅｍ Ｄｅｓｉｇｎ」と題する、米国特許出願公開第２０１９／０３８３９５５号に開示された検出器と同様に構造化されてよい。
各検出器要素は、ビームが検出器２８にヒットするときに検出器要素の位置で入射Ｘ線光子の強度（例えば、入射光子のエネルギーおよび数）を表す電気信号を生成する。電気信号は、１つまたは複数のスキャンデータセットを生成するために取得され処理される。
システムコントローラ３０は、検査および／または較正プロトコルを実行し、取得されたデータを処理するように撮像システム１０の動作を命令する。Ｘ線源１２に関して、システムコントローラ３０は、Ｘ線検査シーケンスの場合では電力、焦点位置、制御信号などを供給する。検出器２８はシステムコントローラ３０に結合され、システムコントローラ３０は、検出器２８によって生成された信号の取得を命令する。加えて、システムコントローラ３０は、モータコントローラ３６を介して、撮像システム１０の構成部品および／または被写体２４を移動させるために使用される直線測位サブシステム３２および／または回転サブシステム３４の動作を制御することができる。システムコントローラ３０は、信号処理回路および関連するメモリ回路を含んでよい。そのような実施形態では、メモリ回路は、Ｘ線源１２を含む撮像システム１０を動作させ、本明細書で説明されたステップおよびプロセスに従って検出器２８によって取得されたデータを処理するために、システムコントローラ３０によって実行されるプログラム、ルーチン、および／または符号化アルゴリズムを記憶することができる。一実施形態では、システムコントローラ３０は、汎用または特定用途向けのコンピュータシステムなどのプロセッサベースのシステムの全部または一部として実装されてよい。
ソース１２は、システムコントローラ３０内に含まれるＸ線コントローラ３８によって制御されてよい。Ｘ線コントローラ３８は、電力およびタイミング信号をソース１２に提供するように構成されてよい。加えて、いくつかの実施形態では、Ｘ線コントローラ３８は、システム１０内の異なる場所にある管またはエミッタが互いに同期して、もしくは互いに独立して動作するように、ソース１２を選択的に起動するように構成されてよい。
システムコントローラ３０は、データ取得システム（ＤＡＳ）４０を含んでよい。ＤＡＳ４０は、検出器２８からのサンプリングされたアナログ信号などの、検出器２８の読出し電子回路によって収集されたデータを受信する。次いで、ＤＡＳ４０は、コンピュータ４２などのプロセッサベースのシステムによる後続の処理のためにデータをデジタル信号に変換することができる。他の実施形態では、検出器２８は、データ取得システム４０への送信の前に、サンプリングされたアナログ信号をデジタル信号に変換することができる。コンピュータは、処理回路４４（例えば、画像処理回路）を含んでよい。コンピュータ４２は、コンピュータ４２によって処理されたデータ、コンピュータ４２によって処理される予定のデータ、またはコンピュータ４２のプロセッサ（例えば、処理回路４４）によって実行される予定の命令を記憶することができる１つまたは複数の持続性メモリデバイス４６を含むか、またはそれらと通信することができる。例えば、コンピュータ４２の処理回路４４は、メモリ４６に記憶された命令の１つまたは複数のセットを実行することができ、メモリ４６は、コンピュータ４２のメモリ、プロセッサのメモリ、ファームウェア、または同様のインスタンス化であってよい。
コンピュータ４２はまた、オペレータワークステーション４８を介してオペレータによって提供される命令およびスキャンパラメータに応答などして、システムコントローラ３０によって可能にされる機能（すなわち、スキャン動作およびデータ取得）を制御するように適合されてよい。システム１０はまた、オペレータが関連するシステムデータ、撮像パラメータ、生の撮像データ、復元データなどを見ることを可能にする、オペレータワークステーション４８に結合されたディスプレイ５０を含んでよい。さらに、システム１０は、オペレータワークステーション４８に結合され、任意の所望の測定結果を印刷するように構成されたプリンタ５２を含んでよい。ディスプレイ５０およびプリンタ５２はまた、直接またはオペレータワークステーション４８を介してコンピュータ４２に接続されてよい。さらに、オペレータワークステーション４８は、ピクチャ保管通信システム（ＰＡＣＳ）５４を含むか、またはそれに結合されてよい。ＰＡＣＳ５４は、リモートシステム５６、放射線科情報システム（ＲＩＳ）、病院情報システム（ＨＩＳ）、または内部もしくは外部のネットワークに結合されてよく、その結果、様々な場所の他の人が画像データにアクセスすることができる。
図２は、並んで配置され、次々に積み重ねられたモジュール式Ｘ線検出器サブモジュール５８（例えば、検出器センサ）の一例を示す概略図である。検出器サブモジュール５８は、エッジオン検出器サブモジュールであってよい。描写されたように、Ｘ線は検出器サブモジュール５８の縁部５９を通って入る。ガードリングは、検出器サブモジュール５８を電気的破壊から保護し、検出器領域を過度の漏洩電流から絶縁するために、検出器サブモジュール５８の縁部５９に沿って延在することができる。ある特定の実施形態では、検出器サブモジュール５８は平面モジュールであってよい。Ｘ線検出器サブモジュール５８は、並んで一緒に組み立てられてＸ線検出器全体を構築することができるより大きい検出器モジュールを形成するために、次々に積み重ねられてよい。検出器サブモジュール５８は、一般に、例えばわずかに湾曲した全体構成において、ｚ方向に実質的に垂直な方向に並んで配置されてよい。ある特定の実施形態では、検出器サブモジュール５８は、ｚ方向に次々に積み重ねられてよい。
描写されたように、各検出器サブモジュール５８は、複数の検出器要素６０（例えば、ピクセル）を含む。検出器要素６０は、長さの延長がＸ線システムの焦点に向けられた細長い電極（例えば、金属電極）であってよい。検出器トポロジーに応じて、検出器要素６０はピクセルに対応することができる。ある特定の実施形態では、検出器サブモジュール５８は、いくつかの検出器ストリップ６２を有する深度セグメント化検出器サブモジュールであってよく、各ストリップ６２はいくつかの深度セグメント６５を有する。描写されたように、各ストリップ６２は、検出線に沿って（焦点に対して）異なる深度に関連付けられた第１のセグメント６４、第２のセグメント６６、および第３のセグメント６８を有する。描写されたように、各セグメント６４、６６、６８の少なくとも一部分は、同一直線上に配置されている。セグメント６５の数は変化してよい（例えば、１～３以上）。そのような深度セグメント化検出器サブモジュール５８の場合、各深度セグメント６５は、（各深度セグメントがそれ自体の個々の電荷収集電極に関連付けられている場合）個々の検出器要素と見なされてよい。ある特定の実施形態では、回路は、単一のストリップ６２の深度セグメント６５を論理的に単一の検出器要素として扱うことができる。
検出器サブモジュール５８の形状は変化してよい。ある特定の実施形態では、検出器サブモジュール５８は、平行四辺形の形状、台形の形状、三角形の形状、または別の形状を有してよい。ある特定の実施形態では、検出器サブモジュール５８の１つまたは複数の縁部５９は傾斜していてよい。検出器要素６０の形状は変化してよい。ある特定の実施形態では、検出器サブモジュール５８の傾斜した側縁部６９に沿って配置された検出器要素６０は、先細エッジセグメント（例えば、台形もしくは三角形のセグメントおよび／または丸みを帯びた角を有する切頭台形もしくは三角形のセグメント）を含んでよい。ある特定の実施形態では、検出器サブモジュール５８の傾斜した側縁部に最も近いストリップ６２のセグメント６５は、隣接するストリップ６２の領域内に延在するように方向付けされてよい。ある特定の実施形態では、セグメント６５も傾斜していてよい。
図３は、Ｘ線検出器サブモジュール７０の一部分を通る断面図である。Ｘ線検出器サブモジュール７０は半導体層７２を含む。半導体層７２はケイ素から作られる。ある特定の実施形態では、半導体層７２は、ガリウムヒ素、テルル化カドミウム亜鉛、または別の半導体材料から作られてよい。検出器要素またはセグメント７４、７６（例えば、金属電極）は、半導体層７２上に配置される。電極はアルミニウムから作られてよい。詳細には、電極７４、７６は、半導体層７２上に配置されたドープインプラント７８、８０（例えば、半導体層のケイ素がｎ型であるかｐ型であるかに応じてｐ型またはｎ型のケイ素インプラント）上に配置される。検出器要素７４、７６は、互いに隣接して配置されたセグメントの異なるストリップ用のそれぞれのセグメントであってよい。検出器要素７４、７６およびドープインプラント７８、８０は、それらの間に間隙８２が形成されるように離間して半導体層７２上に配置される。Ｘ線検出器サブモジュール７０は、隣接する電極７４、７６の間に延在する電気絶縁層８４を含む。電気絶縁層８４は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド、スピンオンガラス、または別の絶縁材料であってよい。１つまたは複数の配線トレース８６（例えば、金属トレース）は、電極７４、７６の間の間隙８２内に経路設定される。描写されたように、配線トレース８６は電気絶縁層８４上に配置される。描写されたように、配線トレース８６は間隙８２を横切って等間隔に配置される。ある特定の実施形態では、配線トレース８６は、電極７４、７６の縁部に可能な限り近く経路設定されてよい。配線トレース８６は、電極７４、７６または異なる電極に結合されてよい。配線トレース８６は、間隙８２（および場合によっては他の間隙）に沿って読出し回路まで経路設定される。描写されたように、Ｘ線検出器サブモジュール７０のこれらの構成部品の上にパッシベーション層８８が配置される。パッシベーション層８８は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、または別の絶縁体から作られてよい。
描写されたように、ドープインプラント７８は、主要またはベース部分９０、および（破線で示された）垂直の周囲９４を超えて延在する拡張部９２を含む。拡張部９２は、配線トレース８６および電気絶縁層８４の両方の下で、ドープインプラント７８からドープインプラント８０への方向に延在する。ある特定の実施形態では、垂直の周囲９４はまた、ドープインプラント７８の異なる位置におけるドープインプラント７８の外周囲を表す。ドープインプラント７８の拡張部９２は、バルクケイ素ボリューム（半導体層７２）内の電荷または（例えば、Ｘ線の吸収に起因する）電気的活動に対する配線トレース８６用のシールドとして機能する。ドープインプラント７８の拡張部９２は、半導体層７２と配線トレース８６との間の結合（例えば、電気的結合）を低減または最小化する。配線トレース８６の下にあるドープインプラント７８の拡張部９２が図４にも描写されている。配線トレース８６の一部分のみが図４に示されている。ドープインプラント７８は、インプラント７８の長手方向の長さ全体に沿って、またはドープインプラント７８の長手方向の長さの一部分のみに沿って、配線トレース８６の下に延在することができる。
ある特定の実施形態では、図５に描写されたように、両方のドープインプラント７８、８０は、配線トレース８６の下にある間隙８２内に延在する拡張部９２を含んでよい。図５に描写されたように、配線トレース８６は、ドープインプラント７８、８０の主要部分９０の縁部、したがって（間隙８２にわたって均等に離間されているのとは対照的に）電極の可能な限り近くに配置される。配線トレース８６の一部分のみが図５に示されている。
ある特定の実施形態では、図６に描写されたように、配線トレース８６の下に延在するドープインプラント７８の拡張部９２は波状の形状を有する。詳細には、拡張部は、ドープインプラント７８からドープインプラント８０に向かって間隙８２を横切って延在する複数の離間した突起９６を含む。拡張部９２の波状の形状は、拡張部９２が配線トレース８６の下にあることに起因して配線トレース８６に付加される静電容量を最小化する。配線トレース８６の一部分のみが図５に示されている。
配線トレースとその下にある半導体層（例えば、バルクケイ素）との間の結合（例えば、電気的結合）を低減するために、代替の技法が利用されてよい。図７は、Ｘ線検出器サブモジュール９８の一部分を通る断面図である。Ｘ線検出器サブモジュール９８は、ドープインプラント７８が配線トレース８６の下に延在しないことを除き、図３のＸ線検出器サブモジュール７０と同様である。代わりに、電気絶縁層８４がより厚い。（例えば、図３に示された）電気絶縁層８４は、通常、約２００ナノメートル（ｎｍ）の厚さである。図７の電気絶縁層８４の厚さ１００は、図３の電気絶縁層８４よりも約２～３倍厚い場合がある。したがって、図７の電気絶縁層８４の厚さ１００は、約４００～６００ｎｍの範囲であり得る。図７の電気絶縁層８４は、単一の層、または破線１０２で示されたように複数の層を含んでよい。電気絶縁層８４の厚さが増大すると、半導体層７２と配線トレース８６との間の結合（例えば、電気的結合）が低減または最小化される。
配線トレースとその下にある半導体層との間の結合を低減するためのさらなる技法は、ピクセル間の間隙内に位置する電気絶縁層に利用される材料を変更することを含んでよい。詳細には、二酸化ケイ素よりもさらに電気的結合を最小化する電気絶縁層用の材料が選択されてよい。例えば、電気絶縁層用の材料としてポリイミドが利用されてよい。
上述したように、検出器サブモジュールまたはセンサ上の検出器要素（特に、検出器サブモジュールまたはセンサの縁部に沿った検出器要素）の配置により、検出器要素（例えば、ピクセル）に隣接しない経路に沿って配線トレースが経路設定されることになり得る。経路設定の下の検出器サブモジュールまたはセンサに吸収されたＸ線は、トレース上に信号を誘起し、非局所的なクロストーク効果（すなわち、誤った検出器要素に起因する信号）をもたらす可能性がある。ある特定の実施形態では、配線トレースの経路設定変更を容易にするために、追加の層が利用されてよい。図８は、Ｘ線検出器サブモジュール１０４の一部分を通る断面図である。この実施形態では、電極７４、７６は、（ｘ方向に）互いに隣接しているが、Ｘ線検出器サブモジュール１０４の上部から下部に向かって走る異なるストリップ（例えば、セグメント化されたストリップ）の一部分である（言い換えれば、電極７４、７６は、水平方向に隣接しているか、または整列している）。Ｘ線検出器サブモジュール１０４は、ドープインプラント７８が間隙８２内に延在しないことを除き、図３のＸ線検出器サブモジュール７０と同様である。代わりに、配線トレース８６は電極７４、７６の上に経路設定される。（例えば、窒化ケイ素または別の材料から作られた）電気絶縁層８８は、検出器電極７４、７６の上に配置され、配線トレース８６は絶縁層８８の上に配置される。配線トレース８６の経路設定変更により、これらの非局所的なクロストーク効果が最小化される。
図９は、Ｘ線検出器サブモジュール１５６の一部分を通る断面図である。この実施形態では、電極７４、７６は、Ｘ線検出器サブモジュール１５６の上部から下部まで走る同じストリップ（例えば、セグメント化されたストリップ）の一部として、（ｙ方向に）互いに隣接している（言い換えれば、電極７４、７６は、垂直方向に隣接しているか、または整列している）。Ｘ線検出器サブモジュール１５６は、図８のＸ線検出器サブモジュール１０４と同様である。配線トレース８６は、絶縁層８８を介してバイア１５８を通って電極７８に結合される（例えば、電気的に結合される）。配線トレース８６は、絶縁層８８、１０６の間で（ｙ方向に）隣接する電極８０の上に延在する。様々な電極上のその経路に沿って、配線トレース８６は、絶縁層８８、１０６の両方を介してバイア１６２を通ってボンドパッド１６０（例えば、金属ボンドパッド）に結合されてよい。図１０は、検出器サブモジュール１６８の一部分のためのストリップ１６６の垂直方向に隣接する検出器要素またはセグメント１６４（例えば、電極）の上に経路設定された配線トレース８６の図を提供する。
図１１は、（例えば、電極上に経路設定された配線トレース８６を有する）Ｘ線検出器サブモジュール１０８の一部分の概略図である。描写されたように、検出器サブモジュール１０８は、検出器サブモジュール１０８の別の縁部または側面１１２に対して鈍角を形成する傾斜した縁部または側面１１０を有する。ある特定の実施形態では、検出器サブモジュールは、別の縁部または側面１１２に対して鋭角を形成する傾斜した縁部または側面１１０を有する。検出器サブモジュール１０８は、セグメントまたは電極（例えば、検出器要素）の第１のストリップ１１４、およびセグメントまたは電極の第２のストリップ１１６を含む。セグメントの第１のストリップ１１４は、（破線１２２で示された）第１の検出線を形成する電極１１８、１２０を含み、セグメントの第２のストリップは、（破線１２８で示された）第２の検出線を形成する電極１２４、１２６を含む。電極１１８、１２０は傾斜している。電極１２０、１２６は、検出器サブモジュール１０８の縁部１１０に沿ってガードリング１３０に隣接して配置される。検出器要素の間隙間に配線トレース８６を経路設定する必要を回避するために、配線トレース８６は、（図８～図１０に描写されたように）電極１１８、１２０、１２４、１２６の上を、（検出器サブモジュール１０８の上部１３１から離れて）検出器サブモジュール１０８の縁部１１０、１１２に向かい、それに沿って、より直接的に経路設定される。傾斜した縁部１１０に隣接する検出器要素の上に配線トレース８６を経路設定すると、検出器要素の形状またはサイズが変更されないので、それらの検出効率が維持される。
ある特定の実施形態では、配線トレースは、縁部に沿って配置された検出器要素とガードリングとの間の間隙内で検出器サブモジュールの縁部に沿って経路設定されてよい。図１２に描写されたように、検出器サブモジュール１３２の場合、傾斜した縁部１１０に沿って配置された１つまたは複数の電極１２０は、（破線の輪郭で示された位置１３６と比較して）縁部１１０からさらに離れた位置１３４を有して、配線トレース８６がそれに沿って経路設定されるための電極１２０とガードリング１３０との間の間隙１３８を形成することができる。ある特定の実施形態では、図１３に描写されたように、検出器サブモジュール１４０の場合、電極１２０のサイズは、配線トレース８６がそれに沿って経路設定されるための間隙１３８を生成するために、（破線の輪郭で示された）第１のサイズ１４２から第２のサイズ１４４に変更されてよい。他の実施形態では、図１４に描写されたように、検出器サブモジュール１４６の場合、電極１２０の形状は、配線トレース８６がそれに沿って経路設定されるための間隙１３８を生成するために、（破線の輪郭で示された）第１の形状１４８から第２の形状１５０に変更されてよい。
図１５は、配線トレースを遮蔽する代替の方法を提供する。図１５は、Ｘ線検出器サブモジュール１５２の一部分を通る断面図である。Ｘ線検出器サブモジュール１５２は、ドープインプラント７８が間隙８２内に延在しないことを除き、図３のＸ線検出器サブモジュール７０と同様である。代わりに、検出器要素７８と８０との間の間隙８２内の絶縁層８４と絶縁層８８との間に、（例えば、アルミニウムまたは別の金属から作られた）金属遮蔽層１５４が配置されてよい。次いで、配線トレース８６は、間隙８２内の金属遮蔽層１５４の上に（絶縁層８８を下にして）経路設定されてよい。絶縁層８８、１０６および金属遮蔽層１５４は、配線トレース８６の経路設定用の専用層を提供する。
上述したように、配線トレースとその下にある半導体層（バルクケイ素）との間の電気的結合は、検出器サブモジュールの復元を介して低減されてよい。配線トレースと半導体層との間の電気的結合を低減するために他の技法が利用されてよい。図１６は、Ｘ線検出器（例えば、上述されたエッジオン検出器）用の下にある半導体層への配線トレースの電気的結合を低減するための方法１７０の流れ図である。方法１７０は、Ｘ線検出器を利用して物体または被写体を撮像する前に、Ｘ線の第１の露光にＸ線検出器を曝すこと（ブロック１７２）を含む。言い換えれば、被写体または物体は第１の露光中にＸ線に曝されていない。この第１の露光は、トレースの下の半導体層（例えば、ケイ素）表面の近くでゆっくりと移動する電荷（例えば正の電荷）の蓄積を生成することにより、配線トレースと配線トレースの下にある半導体層（例えば、バルクケイ素）との間の電気的結合を低減または最小化する。次いで、同じ極性のＸ線誘起電荷（例えば、正の電荷）は、蓄積された正の電荷によってわずかに反発され、トレースから離れるように操作され、トレースへの電荷の結合を減少させる。方法１７０はまた、配線トレースと配線トレースの下にある半導体層の一部分との間の電気的結合がＸ線の第１の露光に起因して低減されたままである間に、物体または被写体を撮像するときにＸ線の第２の露光中にＸ線検出器を利用すること（ブロック１７４）を含む。第２の露光は、第１の露光に起因して電気的結合が依然として低減または最小化される時間期間内に発生する。
Ｘ線の計数を保証するために、トレース拡張部は検出器サブモジュール上のある特定の空間に追加されてよい。図１７は、（例えば、トレース拡張部を有する）Ｘ線検出器サブモジュール１７６の一部分を示す概略図である。上述したように、各深度セグメントは、（各深度セグメントがそれ自体の個々の電荷収集電極に関連付けられている場合）個々の検出器要素と見なされてよい。ある特定の実施形態では、回路は、単一のストリップの深度セグメントを論理的に単一の検出器要素として扱うことができる。描写されたように、検出器サブモジュール１７６（例えば、エッジオン検出器サブモジュール）は、いくつかの検出器ストリップ１７８（例えば、検出器ストリップ１８０、１８２、１８４）を有する深度セグメント化検出器サブモジュールを含み、各ストリップ１７８はいくつかの深度セグメント１８６を有する。描写されたように、各ストリップ１７８は、検出線に沿って（焦点に対して）異なる深度に関連付けられた第１のセグメント１８８、第２のセグメント１９０、および第３のセグメント１９２を有する。描写されたように、少なくとも各セグメント１８８、１９０、１９２の部分は、同一直線上に配置される。セグメント１８６の数は変化してよい（例えば、１～３以上）。各セグメント１８６は、（例えば、読出しチャネルに関連付けられた）読出し回路に向かって経路設定されたそれぞれの配線トレース１９４を有する。描写されたように、配線トレース１９４はセグメント１８６の下部１９５から延在する。セグメント１８８（例えば、上部セグメント）間の空間または間隙１９６内でヒットするＸ線がカウントされることを保証する（すなわち、これらの間隙１９６内の感度を高める）ために、それぞれのトレース拡張部１９８（例えば、金属トレース拡張部）は、各セグメント１８８に結合されたそれぞれの配線トレース１９４に結合される。トレース拡張部１９８は、間隙１９６内でセグメント１８６の下部１９５からセグメント１８６の上部２００に向かう方向に延在する。
図１８は、Ｘ線の正確な計数およびＸ線ヒット位置の決定を保証するために同時検出を利用するＸ線検出器サブモジュール２０２の一部分を示す概略図である。描写されたように、検出器サブモジュール２０２（例えば、エッジオン検出器サブモジュール）は、いくつかの検出器ストリップ２０４（例えば、検出器ストリップ２０６、２０８）を有する深度セグメント化検出器サブモジュールを含み、各ストリップ２０４はいくつかの深度セグメント２１０を有する。上述したように、各深度セグメントは、（各深度セグメントがそれ自体の個々の電荷収集電極に関連付けられている場合）個々の検出器要素と見なされてよい。ある特定の実施形態では、回路は、単一のストリップの深度セグメントを論理的に単一の検出器要素として扱うことができる。描写されたように、各ストリップ２０４は、検出線に沿って（焦点に対して）異なる深度に関連付けられた第１のセグメント２１２、第２のセグメント２１４、および第３のセグメント２１６を有する。描写されたように、少なくとも各セグメント２１２、２１４、２１６の部分は、同一直線上に配置される。セグメント２１０の数は変化してよい（例えば、１～３以上）。各セグメント２１０は、（読出しチャネルに関連付けられた）読出し回路に向かって経路設定されたそれぞれの配線トレース２１８を有する。
Ｘ線検出器またはＸ線システムの一部としての処理回路は、同時計数検出を利用して、同じストリップ２０４内のどのセグメント２１０（または複数のセグメント）がＸ線ヒットによってトリガされたかを判定する。図１８に描写されたように、Ｘ線ヒット２２０によって引き起こされた（円内のＸによって描写された）電子の雲は、Ｘ線ヒット２２０を表す。２つの別個のＸ線ヒット２２０が示されている（Ｘ線ヒット２２２、２２４）。（Ｘ線ヒット２２０による）トレーストリガが関連付けられたピクセル上の電荷共有トリガと一致する（すなわち、Ｘ線ヒット２２０がセグメント２１０およびそのそれぞれの配線トレース２１８の両方に同時にヒットしトリガする）と想定して、Ｘ線ヒットがどこで発生したか、およびそれらがどのピクセルに関連付けられるべきかを判定するために、同時検出が処理回路によって利用される。加えて、処理回路は、セグメント２１０のストリップ２０４に沿ったＸ線ヒット２２０の深度を特定することができる。さらに、処理回路は、二重計数（すなわち、そのそれぞれの配線トレース２１８がセグメント２１０から離れた位置でヒットすることに起因して、セグメント２１０にＸ線ヒット２２０を誤って寄与させる）を回避するために、単一のセグメント２１０をＸ線ヒット２２０と関連付けることができる。詳細には、処理回路による同時検出は、同時ヒットチャネルの特定の組合せが特定の電極（例えば、セグメントまたは検出器要素）に隣接して発生したヒットと一致するという論理的推論である。
（例えば、セグメント２１２から離れた位置にあるセグメント２１２用の配線トレース２１８をトリガすることに起因して）例えば、Ｘ線ヒット２２２がセグメント２１２と２１４の両方を同時にトリガした場合、処理回路は、イベント（Ｘ線ヒット２２２）がセグメント２１４に属すると判断する。Ｘ線ヒット２２４がセグメント２１２、２１４、２１６をトリガした（セグメント２１２および２１４がセグメント２１２、２１４の両方から離れた位置にあるセグメント２１２、２１４用のそれぞれの配線トレース２１８のトリガに起因してトリガされた）場合、処理回路は、イベント（Ｘ線ヒット２２４）がセグメント２１６に属すると判断する。言い換えれば、処理回路は、（（Ｘ線ヒット２２０による）トレーストリガが関連付けられたピクセル上の電荷共有トリガと一致すると仮定すると）同時検出中に、Ｘ線ヒット２２０によってトリガされたストリップ２０４内のそれらのセグメント２１０の最もトリガされたトレースに隣接するセグメント２１０にＸ線ヒット２２０を割り当てるように構成される。ある特定の実施形態では、処理回路は、Ｘ線ヒット２２０によってトリガされたセグメント２１０および配線トレース２１８に関連付けられた読出しチャネルごとのパルス高さの線形結合（例えば、合計）に基づいて、Ｘ線ヒット２２０のエネルギー（すなわち、ピークの全振幅）を推定するように構成される。例えば、Ｘ線ヒット２２２のためのエネルギーを推定することは、セグメント２１４およびセグメント２１０用の配線トレース２１８の両方に関連付けられた読出しチャネルについてのパルス高の線形結合であってよい。Ｘ線ヒット２２０は、同時に複数のセグメント２１０にヒットできることに留意されたい。
上記で開示されたチャネルにおけるトレーストリガを軽減するための１つまたは複数の実施形態は組み合わされてよいことに留意されたい。
開示された主題の技術的効果は、チャネル（例えば、読出しチャネル）のトレーストリガを軽減し、したがってクロストーク効果を軽減または排除するためのシステムおよび方法を提供することを含む。ある特定の実施形態では、配線トレースとその下にある半導体ボリューム（例えば、バルクケイ素）との間の電気的結合が低減されてよい。ある特定の実施形態では、配線トレースは経路設定変更されてよい。さらなる実施形態では、配線トレースを経路設定変更するために専用層が設けられてよい。さらに別の実施形態では、Ｘ線ヒットを適切なピクセルに正確に帰属させるために同時検出が利用されてよい。全体として、これらの実施形態は誤ったトリガイベントを低減することができる。これらの技法は、コンピュータ断層撮影検出器または他の適切なタイプの放射線写真用Ｘ線検出器などのケイ素ベースの光子計数検出器の性能を改善する。
本明細書に提示され特許請求される技法は、本技術分野を明らかに改善する実用的な性質の有形物および具体例を参照して適用され、そのため、抽象的、無形的、または純粋に理論的ではない。さらに、本明細書の最後に添付された任意の請求項が「［機能］を［実行］するための手段・・・」または「［機能］を［実行］するためのステップ・・・」として示された１つまたは複数の要素を含む場合、そのような要素は米国特許法１１２条（ｆ）の下で解釈されるべきことが意図される。しかしながら、任意の他の方式で示された要素を含む任意の請求項の場合、そのような要素は米国特許法１１２条（ｆ）の下で解釈されるべきでないことが意図される。
本明細書は、例を使用して、最良の形態を含む本主題を開示し、また、いかなる当業者も、任意のデバイスまたはシステムを製作および使用し、任意の組み込まれた方法を実行することを含む主題を実践することが可能になるようにする。主題の特許性のある範囲は、特許請求の範囲によって定義され、当業者が思い付く他の例を含んでよい。そのような他の例は、特許請求の範囲の文言と異ならない構造要素を有する場合、または特許請求の範囲の文言と実質的な差がない等価な構造要素を含む場合、特許請求の範囲内にあるものとする。
１０ ＣＴ撮像システム
１２ Ｘ線源、ソース
２０ Ｘ線ビーム
２２ コリメータ
２４ 被写体
２６ 減衰Ｘ線
２８ 検出器、検出器アレイ
３０ システムコントローラ
３２ 直線測位サブシステム
３４ 回転サブシステム
３６ モータコントローラ
３８ Ｘ線コントローラ
４０ データ取得システム
４２ コンピュータ
４４ 処理回路
４６ 持続性メモリデバイス、メモリ
４８ オペレータワークステーション
５０ ディスプレイ
５２ プリンタ
５４ ピクチャ保管通信システム（ＰＡＣＳ）
５６ リモートシステム
５８ モジュール式Ｘ線検出器サブモジュール、深度セグメント化検出器サブモジュール
５９ 縁部
６０ 検出器要素
６２ 検出器ストリップ
６４ 第１のセグメント
６５ 深度セグメント
６６ 第２のセグメント
６８ 第３のセグメント
６９ 側縁部
７０ Ｘ線検出器サブモジュール
７２ 半導体層
７４ 検出器要素、電極、セグメント
７６ 検出器要素、電極、セグメント
７８ ドープインプラント、検出器要素、電極
８０ ドープインプラント、電極
８２ 間隙
８４ 電気絶縁層
８６ 配線トレース
８８ パッシベーション層、電気絶縁層
９０ ベース部分、主要部分
９２ 拡張部
９４ 垂直の周囲
９６ 突起
９８ Ｘ線検出器サブモジュール
１００ 厚さ
１０２ 破線
１０４ Ｘ線検出器サブモジュール
１０６ 絶縁層
１０８ Ｘ線検出器サブモジュール
１１０ 縁部、側面
１１２ 縁部、側面
１１４ 第１のストリップ
１１６ 第２のストリップ
１１８ 電極
１２０ 電極
１２２ 破線
１２４ 電極
１２６ 電極
１２８ 破線
１３０ ガードリング
１３１ 上部
１３２ 検出器サブモジュール
１３４ 位置
１３６ 位置
１３８ 間隙
１４０ 検出器サブモジュール
１４２ 第１のサイズ
１４４ 第２のサイズ
１４６ 検出器サブモジュール
１４８ 第１の形状
１５０ 第２の形状
１５２ Ｘ線検出器サブモジュール
１５４ 金属遮蔽層
１５６ Ｘ線検出器サブモジュール
１５８ バイア
１６０ ボンドパッド
１６２ バイア
１６４ 検出器要素、セグメント
１６６ ストリップ
１６８ 検出器サブモジュール
１７０ 方法
１７６ Ｘ線検出器サブモジュール
１７８ 検出器ストリップ
１８０ 検出器ストリップ
１８２ 検出器ストリップ
１８４ 検出器ストリップ
１８６ 深度セグメント
１８８ 第１のセグメント
１９０ 第２のセグメント
１９２ 第３のセグメント
１９４ 配線トレース
１９５ 下部
１９６ 間隙
１９８ トレース拡張部
２００ 上部
２０２ Ｘ線検出器サブモジュール
２０４ 検出器ストリップ
２０６ 検出器ストリップ
２０８ 検出器ストリップ
２１０ 深度セグメント
２１２ 第１のセグメント
２１４ 第２のセグメント
２１６ 第３のセグメント
２１８ 配線トレース
２２０ Ｘ線ヒット
２２２ Ｘ線ヒット
２２４ Ｘ線ヒット

Claims (20)

  1. 複数の検出器サブモジュール（７０）
    を備える、Ｘ線検出器（２８）であって、各検出器サブモジュール（７０）が、
    半導体層（７２）と、
    複数の検出器要素（７４、７６）であって、前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちの第１の検出器要素（７４）が、第１のドープインプラント（７８）上に配置された第１の電極を備え、前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちの第２の検出器要素（７６）が、第２のドープインプラント（８０）上に配置された第２の電極を備え、前記第１および第２の検出器要素（７４、７６）が、それらの間の間隙（８２）で互いに隣接する前記半導体層（７２）上に配置される、複数の検出器要素（７４、７６）と、
    前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちの１つまたは複数の検出器要素から読出し回路まで延在する配線トレース（８６）であって、前記配線トレース（８６）が前記第１の電極と前記第２の電極との間の前記間隙（８２）内に経路設定される、配線トレース（８６）と
    を備え、
    前記第１のドープインプラント（７８）が、前記配線トレース（８６）の一部分の下に延在し、Ｘ線の吸収に起因してその下に発生する電気的活動から、前記間隙において前記配線トレース（８６）を遮蔽するように構成される、
    Ｘ線検出器（２８）。
  2. 前記Ｘ線検出器（２８）が光子計数Ｘ線検出器を含む、請求項１に記載のＸ線検出器（２８）。
  3. 各検出器サブモジュール（７０）がエッジオン検出器サブモジュールを含む、請求項１に記載のＸ線検出器（２８）。
  4. 前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちの検出器要素のサブセットが、前記検出器サブモジュール（７０）のそれぞれの縁部（５９）の側縁部（６９）に配置される、請求項１に記載のＸ線検出器（２８）。
  5. 各検出器サブモジュール（７０）が、前記半導体層（７２）上に配置され、かつ前記第１の電極と前記第２の電極との間に延在する電気絶縁層（８４）を備え、前記配線トレース（８６）が前記電気絶縁層（８４）上に配置される、請求項１に記載のＸ線検出器（２８）。
  6. 前記第１のドープインプラント（７８）が前記電気絶縁層（８４）の下に延在する、請求項５に記載のＸ線検出器（２８）。
  7. 前記配線トレース（８６）の前記部分の下に延在する前記第１のドープインプラント（７８）の前記部分が、前記第１のドープインプラント（７８）から前記第２のドープインプラント（８０）に向かって延在する一連の離間した突起（９６）を備える、請求項１に記載のＸ線検出器（２８）。
  8. 前記第２のドープインプラント（８０）が前記配線トレース（８６）の前記部分の下に延在し、前記Ｘ線の吸収に起因して下に発生する電気的活動から前記配線トレース（８６）を遮蔽するように構成される、請求項１に記載のＸ線検出器（２８）。
  9. 複数の検出器サブモジュール（７０）
    を備える、Ｘ線検出器（２８）であって、各検出器サブモジュール（７０）が、
    半導体層（７２）と、
    前記半導体層（７２）上に配置された複数の検出器要素（７４、７６）と、
    前記複数の検出器要素（７４、７６）から読出し回路まで延在する配線トレース（８６）であって、各検出器要素（７４、７６）がそれぞれの配線トレース（８６）に結合され、前記配線トレース（８６）が、前記複数の検出器要素（７４、７６）の隣接する検出器要素間の間隙（８２）内に経路設定される、配線トレース（８６）と、
    前記Ｘ線が前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちの前記検出器要素の１つ、および前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちのそれぞれの検出器要素に結合された前記配線トレース（８６）のうちの１つまたは複数と同時にヒットするときに、
    前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちのどの検出器要素が、Ｘ線ヒット（２２０、２２２、２２４）の位置に関連付けられているかを判定するために、同時検出を実行するように構成された処理回路（４４）と
    を備える、
    Ｘ線検出器（２８）。
  10. 前記処理回路（４４）が、同時にヒットした配線トレース（８６）の特定の組合せが、前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちの特定の検出器要素に隣接して発生した前記Ｘ線ヒット（２２０、２２２、２２４）と一致すると推論することにより、前記Ｘ線ヒット（２２０、２２２、２２４）の前記位置を特定するように構成される、請求項９に記載のＸ線検出器（２８）。
  11. 各検出器要素（７４、７６）が複数のセグメント（６４、６６、６８）を備え、前記処理回路（４４）が、それぞれの検出器要素（７４、７６）の単一のセグメントを前記Ｘ線ヒット（２２０、２２２、２２４）と関連付けるように構成される、請求項９に記載のＸ線検出器（２８）。
  12. 各検出器要素の前記複数のセグメント（６４、６６、６８）が、異なる深度で前記複数のセグメント（６４、６６、６８）の各セグメントと同一線上に配置される、請求項１０に記載のＸ線検出器（２８）。
  13. 前記複数の検出器要素（７４、７６）が、それらの間のそれぞれの間隙（８２）で互いに隣接して配置された第１の検出器要素（７４）および第２の検出器要素（７６）を含み、前記間隙（８２）がいかなる配線トレース（８６）も含まず、前記第１の検出器要素（７４）に結合された前記それぞれの配線トレース（８６）が、前記それぞれの間隙（８２）内に延在するトレース拡張部（９２）に結合される、請求項９に記載のＸ線検出器（２８）。
  14. 前記トレース拡張部（９２）が、前記それぞれの間隙（８２）内の検出感度を増大させるように構成される、請求項１３に記載のＸ線検出器（２８）。
  15. 前記処理回路（４４）が、前記Ｘ線ヒット（２２０、２２２、２２４）によってトリガされた検出器要素（７４、７６）に関連付けられた読出しチャネルごとのパルス高さの線形結合に基づいて、前記Ｘ線ヒット（２２０、２２２、２２４）のエネルギーを推定するように構成される、請求項９に記載のＸ線検出器（２８）。
  16. 各検出器サブモジュール（７０）がエッジオン検出器サブモジュールを含む、請求項９に記載のＸ線検出器（２８）。
  17. 前記同時検出を実行する前記処理回路（４４）が、前記Ｘ線ヒット（２２０、２２２、２２４）の前記位置に関連付けられた前記検出器要素（７４、７６）と、前記Ｘ線ヒット（２２０、２２２、２２４）に応答した別の検出器要素（７４、７６）の前記それぞれの配線トレース（８６）との間のクロストークを低減するように構成される、請求項９に記載のＸ線検出器（２８）。
  18. Ｘ線検出器（２８）用の下にある半導体層（７２）への配線トレース（８６）の電気的結合を低減するための方法（１７０）であって、
    前記Ｘ線検出器（２８）を利用して物体を撮像する前に、Ｘ線の第１の露光に前記Ｘ線検出器（２８）を曝すステップ（１７２）であって、前記Ｘ線検出器（２８）が、
    複数の検出器サブモジュール（７０）を備え、各検出器サブモジュール（７０）が、
    半導体層（７２）と、
    複数の検出器要素（７４、７６）であって、前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちの第１の検出器要素（７４）が第１の電極を備え、前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちの第２の検出器要素（７６）が第２の電極を備え、前記第１および第２の電極が、それらの間の間隙（８２）で互いに隣接する前記半導体層（７２）上に配置される、複数の検出器要素（７４、７６）と、
    前記複数の検出器要素（７４、７６）のうちの１つまたは複数の検出器要素（７４、７６）から読出し回路まで延在する配線トレース（８６）であって、前記配線トレース（８６）が前記第１の電極と前記第２の電極との間の前記間隙（８２）内に経路設定され、Ｘ線の前記第１の露光が、前記配線トレース（８６）の下にある前記半導体層（７２）の表面近くに蓄積電荷を生成する、配線トレース（８６）と
    を備える、
    ステップ（１７２）と、
    前記配線トレース（８６）と前記配線トレース（８６）の下にある前記半導体層（７２）の一部分との間の電気的結合がＸ線の前記第１の露光に起因して低減される間に、前記物体を撮像するときにＸ線の第２の露光中に前記Ｘ線検出器（２８）を利用するステップ（１７４）であって、前記電気的結合が、前記配線トレース（８６）の下にあるＸ線の前記第２の露光によって誘起された同じ極性の電荷をはじく前記蓄積電荷に起因して低減される、ステップ（１７４）と
    を含む、方法（１７０）。
  19. 前記Ｘ線検出器（２８）が光子計数Ｘ線検出器を含む、請求項１８に記載の方法（１７０）。
  20. 各検出器サブモジュール（７０）がエッジオン検出器サブモジュールを含む、請求項１８に記載の方法（１７０）。
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