KR20110057756A - A positive photosenstive polyimide resin composition - Google Patents

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KR20110057756A
KR20110057756A KR1020090114297A KR20090114297A KR20110057756A KR 20110057756 A KR20110057756 A KR 20110057756A KR 1020090114297 A KR1020090114297 A KR 1020090114297A KR 20090114297 A KR20090114297 A KR 20090114297A KR 20110057756 A KR20110057756 A KR 20110057756A
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송인각
진영준
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A positive photosensitive polyimide resin composition is provided to ensure excellent photosensitivity, development, residual film rate, and resolution, and to satisfy adhesion to a film, heat resistance, insulating property, and flexibility. CONSTITUTION: A positive photosensitive polyimide resin composition comprises (a) a photoresist including quinone diazide sulfonate of a multivalent phenol compound represented by chemical formula 1, (b) an alkali-developable polyimide resin including a structure unit represented by chemical formula 2 and a structure unit represented by chemical formula 3, and (c) a solvent.

Description

포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물{A POSITIVE PHOTOSENSTIVE POLYIMIDE RESIN COMPOSITION}Positive photosensitive polyimide resin composition {A POSITIVE PHOTOSENSTIVE POLYIMIDE RESIN COMPOSITION}

본 발명은 다가 페놀 알코올의 퀴논 디아지드 술포네이트 화합물을 감광제로서 포함하는 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive polyimide resin composition comprising a quinone diazide sulfonate compound of a polyhydric phenol alcohol as a photosensitive agent.

최근에 각종 전자 부품의 소형화, 경량화, 고밀도화가 크게 요구되고 있다. 이런 추세에 맞추어 패턴을 형성하는 제반 기술과 그 재료에 관한 요구도 더 고도화되었다. 즉, 현재는 종래보다 유연성을 유지하면서, 납땜 내열성, 무전해 금도금 내성, 기판 밀착성, 내약품성 등에서 우수한 성능을 갖고, 패턴 형성이 가능한 내열 절연 재료가 요구되고 있다. 이러한 요구에 발맞추어, 장치를 개량함은 물론 내열 절연 재료로 이용되는 폴리이미드 수지를 고감도화시키는 것이 가장 중요하다. 폴리이미드 수지를 고감도화시켜 노출시간을 단축할 수 있다면, 처리량의 증가 및 결과로 수율의 증가를 얻을 수 있다.Recently, miniaturization, weight reduction, and high density of various electronic components have been greatly demanded. In line with these trends, the demands placed on the patterning technology and its materials have become more sophisticated. That is, at present, there is a need for a heat-resistant insulating material that has excellent performance in soldering heat resistance, electroless gold plating resistance, substrate adhesion, chemical resistance, and the like while maintaining flexibility compared to the prior art. In response to these demands, it is most important to improve the apparatus as well as to increase the sensitivity of the polyimide resin used as the heat resistant insulating material. If the exposure time can be shortened by making the polyimide resin highly sensitive, an increase in throughput and a resultant increase in yield can be obtained.

하지만, 현재 이용되는 포지티브 감광성 폴리이미드 수지는 네가티브 감광성 폴리이미드 수지보다 감도가 낮으므로 감도의 향상이 요구된다. 고감도화에 도달하는 가장 간단한 방법은 포지티브 감광성 폴리이미드에 사용된 폴리이미드의 분 자량을 감소시키는 것이다. 이 방법은 알칼리성 현상액 속에서 감광성 폴리이미드 수지의 용해속도를 증가시켜 외관상으로 감광성 폴리이미드 수지의 감도를 상승시킬 수 있다. 그러나 폴리이미드 수지가 분자량이 감소되면, 폴리이미드 수지를 이용하여 제조된 조성물로 패턴을 형성할 때, 현상 후의 패턴의 열에 대한 저항성인 내열성이 낮아지고, 막의 손실이 증가되고(두께로 환산한 막의 잔류율 저하), 패턴 형상이 악화되고, 노출부분과 비노출 부분이 현상액 속에서 용해되는 속도의 차이가 작기 때문에 α값이 저하되는 매우 심각한 단점을 야기한다. 또한, 폴리이미드 패턴이 연화되어 흐르거나 또는 변형이 일어날 때, 에칭 후의 에칭 치수가 잘못될 수 있고, 에칭된 기판의 치수가 들쑥 날쑥하여 감광성 폴리이미드 수지는 반도체 후막으로서 요구되는 역할을 수행할 수 없어, 수율이 급격하게 떨어지게 된다.However, since the positive photosensitive polyimide resin currently used has lower sensitivity than the negative photosensitive polyimide resin, improvement of the sensitivity is required. The simplest way to reach high sensitivity is to reduce the molecular weight of the polyimide used in the positive photosensitive polyimide. This method can increase the dissolution rate of the photosensitive polyimide resin in the alkaline developer, thereby apparently increasing the sensitivity of the photosensitive polyimide resin. However, when the molecular weight of the polyimide resin is reduced, when the pattern is formed with the composition prepared using the polyimide resin, the heat resistance, which is resistant to heat of the pattern after development, becomes low, and the loss of the film is increased (the thickness of the film Residual rate decrease), the pattern shape is deteriorated, and the difference in the rate at which the exposed portion and the non-exposed portion dissolve in the developer is small, which causes a very serious disadvantage of decreasing the α value. In addition, when the polyimide pattern is softened and flows or deformations occur, the etching dimensions after etching may be wrong, and the dimensions of the etched substrate may be jagged so that the photosensitive polyimide resin may play a required role as a semiconductor thick film. There is no yield, and the yield drops drastically.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 특허가 나오고 있는데, 예를 들면 대한민국 등록특허 제10-0405301호에서는 폴리이미드 전구체, 광산발생제 및 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 개시하고 있다. 상기 특허에서는 전구체인 폴리아믹산 상태의 수지를 사용하므로 패턴 형성 후 열이미드화 과정을 거치면 분자 구조의 변화 및 일부 이탈기의 제거로부터 야기되는 부피 수축 문제가 있다.Patents have been issued to solve these problems, for example, Korean Patent No. 10-0405301 discloses a photosensitive resin composition comprising a polyimide precursor, a photoacid generator and a solvent. Since the patent uses a polyamic acid resin as a precursor, there is a problem of volume shrinkage caused by a change in molecular structure and removal of some leaving groups when thermal imidization is performed after pattern formation.

따라서, 새로운 폴리이미드 감광성 수지 조성물의 개발이 요구되고 있다.Therefore, development of a new polyimide photosensitive resin composition is calculated | required.

본 발명의 목적은 감광성, 현상성, 잔막률, 해상도 등이 우수한 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a positive photosensitive polyimide resin composition having excellent photosensitivity, developability, residual film ratio, resolution, and the like.

또한, 본 발명의 목적은 최종 형성된 필름의 밀착성, 내열성, 절연성, 유연성 등에서도 충분히 만족할 수 있는 성능을 가진, 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a positive photosensitive polyimide resin composition having a performance that can be sufficiently satisfied even in the adhesion, heat resistance, insulation, flexibility, and the like of a finally formed film.

본 발명은 하기 (a) 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 설포네이트 화합물을 포함하는 감광제; 하기 (b) 화학식 2로 표시되는 구조단위와 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 폴리이미드 수지; 및 (c) 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물을 제공한다:The present invention provides a photosensitive agent comprising (a) a quinone diazide sulfonate compound of a polyhydric phenol compound represented by the following formula (1); (B) an alkali-soluble polyimide resin comprising a structural unit represented by Formula 2 and a structural unit represented by Formula 3; And (c) a solvent, wherein the positive type photosensitive polyimide resin composition is provided.

<화학식 1><Formula 1>

Figure 112009072326272-PAT00001
Figure 112009072326272-PAT00001

<화학식 2><Formula 2>

Figure 112009072326272-PAT00002
Figure 112009072326272-PAT00002

<화학식 3><Formula 3>

Figure 112009072326272-PAT00003
Figure 112009072326272-PAT00003

상기 화학식 1 내지 화학식 3에서, In Chemical Formulas 1 to 3,

R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자, C1 내지 C4의 알킬기, C1 내지 C4의 알케닐기, C1 내지 C4의 시클로 알킬기 또는 아릴기이고, 단 R1 및 R2의 최소 하나는 수소원자가 아니고,R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen atom, C 1 to a cycloalkyl group or an aryl group of the alkenyl group of the alkyl group of C 4, C 1 to C 4, C 1 to C 4, and the minimum of only R 1 and R 2 One is not a hydrogen atom,

W1 및 W2는 각각 독립적으로 테트라카르복실산의 유도체를 구성하는 4가 유기기이고, W 1 and W 2 are each independently a tetravalent organic group constituting a derivative of tetracarboxylic acid,

X는 디아민을 구성하고 알칼리 수용액에 대해 용해성이 없는 2가 유기기이고, X is a divalent organic group constituting diamine and not soluble in aqueous alkali solution,

Y는 디아민을 구성하고 알칼리 수용액에 대해 용해성이 있는 3가 유기기이 고, Y is a trivalent organic group constituting diamine and soluble in aqueous alkali solution,

R은 수소 또는 C1 내지 C3의 알킬기이고, R is hydrogen or an alkyl group of C 1 to C 3 ,

l 및 m은 중합체 사슬 내 각 반복 단위의 몰분율이고,l and m are the mole fractions of each repeating unit in the polymer chain,

l은 0.1 내지 0.9이고, m은 0.1 내지 0.9이며 l/m은 0.1 내지 1이다.l is 0.1 to 0.9, m is 0.1 to 0.9 and l / m is 0.1 to 1.

본 발명의 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물은 감광성, 해상성, 절연성, 열충격성 및 밀착성이 우수하다. 또한, 본 발명의 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물은 현상시의 충분한 잔막성을 구현할 수 있다. 또한, 본 발명의 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물은 300℃ 이상의 고온 열처리 과정이 필요하지 않아, 고온에서의 공정성에 대한 문제점 또한 해결할 수 있다. 특히 기존의 폴리아믹산을 이용한 감광성 폴리이미드 개발에서 문제가 되었던, 고온의 이미드화 반응시 발생하는 필름 수축현상을 현저히 개선할 수 있다.The positive photosensitive polyimide resin composition of this invention is excellent in photosensitivity, resolution, insulation, thermal shock, and adhesiveness. Moreover, the positive photosensitive polyimide resin composition of this invention can implement sufficient residual film property at the time of image development. In addition, the positive photosensitive polyimide resin composition of the present invention does not require a high temperature heat treatment process of 300 ° C. or higher, and can also solve the problem of processability at high temperature. In particular, it is possible to remarkably improve the film shrinkage occurring during the high temperature imidization reaction, which has been a problem in the development of photosensitive polyimide using the existing polyamic acid.

따라서 본 발명의 포지형 감광성 폴리이미드 수지 조성물은 고감도 및 고해상도를 갖기 때문에 전기, 전자 디바이스, 특히 반도체 장치나 디스플레이 장치 등의 표면보호막, 층간절연막, 페시베이션막, 전극보호층, 포지티브형 포토레지스트 및 보호막 형성용으로 광범위하게 사용될 수 있다. Therefore, since the positive photosensitive polyimide resin composition of the present invention has high sensitivity and high resolution, surface protective films, interlayer insulating films, passivation films, electrode protective layers, positive photoresists, and the like for electrical and electronic devices, especially semiconductor devices and display devices, It can be widely used for forming a protective film.

이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물은 (a) 다가 페놀 화 합물의 퀴논 디아지드 설포네이트 화합물을 포함하는 감광제; (b) 알칼리 가용성 폴리이미드 수지; 및 (c) 용매를 포함한다.The positive photosensitive polyimide resin composition of the present invention comprises: (a) a photosensitizer comprising a quinone diazide sulfonate compound of a polyhydric phenol compound; (b) alkali soluble polyimide resins; And (c) a solvent.

본 발명의 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물에 포함되는 (a) 감광제는 하기 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 설포네이트 화합물을 포함한다.(A) Photosensitive agent contained in the positive photosensitive polyimide resin composition of this invention contains the quinone diazide sulfonate compound of the polyhydric phenol compound represented by following General formula (1).

<화학식 1><Formula 1>

Figure 112009072326272-PAT00004
Figure 112009072326272-PAT00004

상기 화학식 1에서, In Chemical Formula 1,

R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자, C1 내지 C4의 알킬기, C1 내지 C4의 알케닐기, C1 내지 C4의 시클로 알킬기 또는 아릴기이고, R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen atom, C 1 to C 4 alkyl group, C 1 to C 4 cycloalkyl group, or an aryl group of the alkenyl group, C 1 to C 4 of the a,

단 R1 및 R2의 최소 하나는 수소원자가 아니다.Provided that at least one of R 1 and R 2 is not a hydrogen atom.

여기서, R1, R2, R5는 각각 독립적으로 C1 내지 C4의 알킬기인 것이 바람직하고, R3 및 R4는 수소 원자 또는 C1 내지 C4의 알킬기인 것이 바람직하다. 상기 알킬기는 메틸기 또는 에틸기인 것이 보다 바람직하다. Wherein, R 1, R 2, R 5 is preferably each independently an alkyl group of C 1 to C 4 alkyl group it is preferable, and, R 3 and R 4 is a hydrogen atom or a C 1 to C 4. As for the said alkyl group, it is more preferable that it is a methyl group or an ethyl group.

상기 (a) 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 설포네 이트 화합물을 포함하는 감광제는 본 발명의 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물의 내열성 및 필름 두께 유지율을 저하시키지 않고 감도를 향상시킨다.The photosensitive agent containing the quinone diazide sulfonate compound of the polyhydric phenol compound represented by the said (a) Formula (1) improves sensitivity, without reducing heat resistance and film thickness retention of the positive photosensitive polyimide resin composition of this invention.

상기 (a) 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 설포네이트 화합물을 포함하는 감광제는 후술할 상기 (b) 화학식 2로 표시되는 구조단위와 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 폴리이미드 수지와 (c) 용매의 합 100 중량부에 대하여, 1 내지 75 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 패턴이 형성되기 어려우며, 알칼리 가용성 폴리이미드 수지가 대부분 용해되어 버리는 문제가 발생할 수 있다. 상술한 범위를 초과하면, 패턴 사이에 스컴 등이 존재하거나, 큐어링 후 패턴이 무너지는 문제가 발생할 수 있다. The photosensitive agent containing the quinone diazide sulfonate compound of the polyhydric phenol compound represented by the formula (1) is alkali-soluble comprising a structural unit represented by the formula (2) and the structural unit represented by the formula (3) to be described later It is preferable to contain 1-75 weight part with respect to 100 weight part of sum total of a polyimide resin and (c) solvent. If included in the above-described range, it is difficult to form a pattern, the problem that most of the alkali-soluble polyimide resin is dissolved may occur. If the above-mentioned range is exceeded, a scum or the like may exist between the patterns, or the pattern may collapse after curing.

상기 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물은 하기 화학식 4 내지 화합물 6으로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것이 바람직하다.It is preferable that the polyhydric phenol compound represented by the said Formula (1) is 1 type chosen from the group which consists of a compound represented by following formula (4)-(6).

<화학식 4><Formula 4>

Figure 112009072326272-PAT00005
Figure 112009072326272-PAT00005

<화학식 5><Formula 5>

Figure 112009072326272-PAT00006
Figure 112009072326272-PAT00006

<화학식 6><Formula 6>

Figure 112009072326272-PAT00007
Figure 112009072326272-PAT00007

상기 화학식 1, 화학식 4, 화학식 5 및 화학식 6으로 표시되는 다가 페놀 화합물은 염산, 황산, 인산, p-톨루엔술폰산, -SO3H 기를 지닌 이온교환수지 등과 같은 산촉매 존재 하에서 피로갈롤을 케톤 화합물과 축합 반응시켜 합성할 수 있다. 상기 케톤 화합물의 예로는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 메틸 시클로헥실 케톤, 아세토페논 등이 있다.The polyhydric phenol compounds represented by Formula 1, Formula 4, Formula 5, and Formula 6 include pyrogalol and ketone compounds in the presence of an acid catalyst such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, p-toluenesulfonic acid, and an ion exchange resin having a -SO 3 H group. It can be synthesized by condensation reaction. Examples of the ketone compound include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl cyclohexyl ketone, acetophenone and the like.

또한, 상기 (a) 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 설포네이트 화합물을 포함하는 감광제는 하기 화학식 7로 표시되는 다가 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술포네이트를 더 포함할 수 있다.In addition, the photosensitive agent containing the quinone diazide sulfonate compound of the polyhydric phenol compound represented by the formula (1) may further include a quinone diazide sulfonate of the polyhydric phenol compound represented by the following formula (7).

<화학식 7><Formula 7>

Figure 112009072326272-PAT00008
Figure 112009072326272-PAT00008

상기 화학식 7에서, In Chemical Formula 7,

R6 내지 R10은 각각 독립적으로 수소원자, C1 내지 C4의 알킬기, C1 내지 C4의 알케닐기, C1 내지 C4의 시클로알킬기 또는 아릴기이고, 단, R6 및 R7 중 최소 하나는 수소원자가 아니다.Of R 6 to R 10 is a single, R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom, C 1 to C 4 alkyl group, C 1 to a cycloalkyl group of C 4 alkenyl group, C 1 to C 4 or an aryl group, At least one is not a hydrogen atom.

여기서, R6, R7 또는 R10은 C1 내지 C4의 알킬기인 것이 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기인 것이 보다 바람직하다. R8 또는 R9는 수소원자 또는 C1 내지 C4의 알킬기인 것이 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기인 것이 보다 바람직하다.Wherein, R 6, R 7 or R 10 is more preferably it is preferred, and a methyl group or an ethyl group is an alkyl group of C 1 to C 4. R 8 or R 9 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.

상기 화학식 7로 표시되는 다가 페놀 화합물은 염산, 황산, 인산, p - 톨루엔술폰산, -SO3H기를 지닌 이온교환수지와 같은 산 촉매존재 하에서 케톤 화합물과 레소르시놀을 축합 반응시켜 페놀 화합물을 합성할 수 있다. 상기 케톤 화합물의 예로는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 시클로헥실 케톤, 아세토페논 등이 있다.The polyhydric phenol compound represented by Formula 7 is condensation reaction of a ketone compound and resorcinol in the presence of an acid catalyst such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, p-toluenesulfonic acid, and an ion exchange resin having a -SO 3 H group. Can be synthesized. Examples of the ketone compound include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl cyclohexyl ketone, acetophenone and the like.

상기 페놀 화합물의 술포네이션은 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 페놀 화합물과 나프토 퀴논 디아지드 술포닐 할라이드 또는 벤조 퀴논 디아 지드 술포닐 할라이드를 탄산나트륨과 같은 약 알칼리 존재 하에서 축합 반응시켜 에스테르를 제조할 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물의 에스테르화(술포네이션화) 비율은 최소 60%이고 다른 페놀 화합물인 상기 화학식 7로 표시되는 다가 페놀 화합물의 에스테르화 비율도 최소 60%인 것이 바람직하다. The sulfonation of the phenolic compound can be produced by a known method. For example, esters can be prepared by condensing phenolic compounds with naphthoquinone diazide sulfonyl halides or benzoquinone diazide sulfonyl halides in the presence of a weak alkali such as sodium carbonate. The esterification (sulfonation) ratio of the polyhydric phenol compound represented by Formula 1 is at least 60%, and the esterification ratio of the polyhydric phenol compound represented by Formula 7, which is another phenol compound, is also at least 60%.

상기 화학식 7로 표시되는 다가 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술포네이트과 상기 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술포네이트의 중량비는 1:3 내지 4:1인 것이 바람직하고, 1:2 내지 3:1인 것이 보다 바람직하다. The weight ratio of the quinone diazide sulfonate of the polyhydric phenol compound represented by the formula (7) and the quinone diazide sulfonate of the polyhydric phenol compound represented by the formula (1) is preferably 1: 3 to 4: 1, and 1: 2 to 3 It is more preferable that it is: 1.

본 발명의 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물에 포함되는 (b) 알칼리 가용성 폴리이미드 수지는 화학식 2로 표시되는 구조단위와 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함한다.(B) Alkali-soluble polyimide resin contained in the positive photosensitive polyimide resin composition of this invention contains the structural unit represented by General formula (2), and the structural unit represented by General formula (3).

<화학식 2><Formula 2>

Figure 112009072326272-PAT00009
Figure 112009072326272-PAT00009

<화학식 3><Formula 3>

Figure 112009072326272-PAT00010
Figure 112009072326272-PAT00010

상기 화학식 2 및 화학식 3에서, In Chemical Formulas 2 and 3,

W1 및 W2는 각각 독립적으로 테트라카르복실산의 유도체를 구성하는 4가 유기기이고, W 1 and W 2 are each independently a tetravalent organic group constituting a derivative of tetracarboxylic acid,

X는 디아민을 구성하고 알칼리 수용액에 대해 용해성이 없는 2가 유기기이고, X is a divalent organic group constituting diamine and not soluble in aqueous alkali solution,

Y는 디아민을 구성하고 알칼리 수용액에 대해 용해성이 있는 3가 유기기이고, Y is a trivalent organic group constituting diamine and soluble in aqueous alkali solution,

R은 수소 또는 C1 내지 C3의 알킬기이고, R is hydrogen or an alkyl group of C 1 to C 3 ,

l 및 m은 중합체 사슬 내 각 반복 단위의 몰분율이고,l and m are the mole fractions of each repeating unit in the polymer chain,

l은 0.1 내지 0.9이고, m은 0.1 내지 0.9이며 l/m은 0.1 내지 1이다.l is 0.1 to 0.9, m is 0.1 to 0.9 and l / m is 0.1 to 1.

상기 테트라카르복실산의 유도체는 특별히 한정하지 않으나, 테트라카르복실산, 이의 무수물 및 이들의 디카르복실산 디산 할로겐화물인 것이 바람직하다. 상기 테트라카르복실산 유도체는 1,2,4,5-벤젠테트라카르복실산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 4,4'-(헥사플루오로이소 프로필리덴)디프탈산, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르, 2,2'-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰, 시클로부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산, 2,3,5-트리카르복시시클로펜틸아세트산, 비시클로(2,2,2)옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산, 테트라히드로푸란-2,3,4,5-테트라카르복실산, 부탄테트라카르복실산, 이의 이무수물 및 이의 디카르복실산 디산 할로겐화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 테트라카르복실산 유도체 중에서 3,3'4,4'-비페닐테트라카르복실산, 3,3'4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 등의 테트라카르복실산 및 이들의 이무수물 및 이들의 디카르복실산 디산 할로겐화물이 용해성 관점에 보다 바람직하다.Although the derivative of the said tetracarboxylic acid is not specifically limited, It is preferable that they are tetracarboxylic acid, its anhydride, and these dicarboxylic acid diacid halides. The tetracarboxylic acid derivative may be 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3', 4,4'-benzophenone Tetracarboxylic acid, 4,4 '-(hexafluoroisopropylidene) diphthalic acid, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether, 2,2'-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoro Lopropane, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone, cyclobutane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1 Naphthalenesuccinic acid, 2,3,5-tricarboxycyclopentylacetic acid, bicyclo (2,2,2) octo-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic acid, tetrahydrofuran-2, It is more preferable that it is 1 type, or 2 or more types chosen from the group which consists of 3,4,5- tetracarboxylic acid, butanetetracarboxylic acid, its dianhydride, and dicarboxylic acid diacid halide thereof. 3,3'4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3'4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,2-bis (3,4-di) in the tetracarboxylic acid derivative Tetracarboxylic acids such as carboxyphenyl) hexafluoropropane and bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone and their dianhydrides and their dicarboxylic acid diacid halides are more preferable from the viewpoint of solubility.

상기 X는 디아민을 구성하고 알칼리 수용액에 대해 용해성이 없는 2가 유기기라면 특별히 한정하지 않으나, 페놀성 수산기, 티오페놀기 및 술폰산기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기를 갖는 디아민으로부터 얻어지는 2가 유기기; 또는 하기 화학식 8으로 표시되는 실록산 함유 디아민으로부터 얻어지는 2가 유기기인 것이 바람직하다.X is not particularly limited as long as it is a divalent organic group constituting diamine and not soluble in aqueous alkali solution, but is obtained from diamine having one or two or more groups selected from the group consisting of phenolic hydroxyl group, thiophenol group and sulfonic acid group. Divalent organic group; Or it is preferable that it is a divalent organic group obtained from the siloxane containing diamine represented by following formula (8).

<화학식 8><Formula 8>

Figure 112009072326272-PAT00011
Figure 112009072326272-PAT00011

상기 화학식 8에서, In Chemical Formula 8,

R11 및 R16은 각각 독립적으로 C1-C5의 알킬기, 벤젠고리를 포함하는 화합물, 사이클로 유기화합물이고, R12 내지 R15는 각각 독립적으로 C1 내지 C3의 알킬기이고, n은 1 내지 10의 정수이다. 여기서, 상기 벤젠고리를 포함하는 화합물은 벤젠기인 것이 바람직하고, 상기 사이클로 유기화합물은 사이클로헥산기인 것이 바람직하다.R 11 and R 16 are each independently a C 1 -C 5 alkyl group, a compound containing a benzene ring, a cyclo organic compound, R 12 to R 15 are each independently a C 1 to C 3 alkyl group, n is 1 To an integer of 10. Herein, the compound containing the benzene ring is preferably a benzene group, and the cyclo organic compound is preferably a cyclohexane group.

상기 페놀성 수산기를 갖는 디아민은 1,3-디아미노-4-히드록시벤젠, 1,3-디아미노-4-카르복시벤젠, 1,3-디아미노-5-히드록시벤젠, 1,3-디아미노-4,6-디히드록시벤젠, 1,4-디아미노-2-히드록시벤젠, 1,4-디아미노-2,5-디히드록시벤젠, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)에테르, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)에테르, 비스(4-아미노-3,5-디히드록시페닐)에테르, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)메탄, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)메탄, 비스(4-아미노-3,5-디히드록시페닐)메탄, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3,5-디히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히록시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3,5-디히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시-5,5'-디메틸비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시-5,5'-디메톡시비페닐, 1,4-비스(3-아미노-4-히드록시페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노-4-히드록시페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노-3-히드록시페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노-3-히드록시페녹시)벤젠, 비스[4-(3-아미노-4-히드록시페녹시)페닐]술 폰, 비스[4-(3-아미노-4-히드록시페녹시)페닐]프로판 및 2,2-비스[4-(3-아미노-4-히드록시페녹시)페닐]헥사플루오로프로판으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.The diamine having the phenolic hydroxyl group is 1,3-diamino-4-hydroxybenzene, 1,3-diamino-4-carboxybenzene, 1,3-diamino-5-hydroxybenzene, 1,3- Diamino-4,6-dihydroxybenzene, 1,4-diamino-2-hydroxybenzene, 1,4-diamino-2,5-dihydroxybenzene, bis (3-amino-4-hydrate Hydroxyphenyl) ether, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) ether, bis (4-amino-3,5-dihydroxyphenyl) ether, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) methane, Bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) methane, bis (4-amino-3,5-dihydroxyphenyl) methane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino -3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3,5-dihydroxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2 -Bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3,5-dihydroxyphenyl) hexafluoropropane, 4,4'-diamino- 3,3'-Dihi Doxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxy-5,5'-dimethylbiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxy-5,5 '-Dimethoxybiphenyl, 1,4-bis (3-amino-4-hydroxyphenoxy) benzene, 1,3-bis (3-amino-4-hydroxyphenoxy) benzene, 1,4-bis (4-amino-3-hydroxyphenoxy) benzene, 1,3-bis (4-amino-3-hydroxyphenoxy) benzene, bis [4- (3-amino-4-hydroxyphenoxy) phenyl ] Sulfone, bis [4- (3-amino-4-hydroxyphenoxy) phenyl] propane and 2,2-bis [4- (3-amino-4-hydroxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane It is preferably one or two or more selected from the group consisting of.

상기 티오페놀기를 갖는 디아민은 1,3-디아미노-4-메르캅토벤젠, 1,3-디아미노-5-메르캅토벤젠, 1,4-디아미노-2-메르캅토벤젠 및 비스(4-아미노-3-메르캅토페닐)에테르 2,2-비스(3-아미노-4-메르캅토페닐)헥사플루오로프로판으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.Diamines having the thiophenol group include 1,3-diamino-4-mercaptobenzene, 1,3-diamino-5-mercaptobenzene, 1,4-diamino-2-mercaptobenzene and bis (4- It is preferable that it is 1 type, or 2 or more types chosen from the group which consists of amino-3- mercaptophenyl) ether 2, 2-bis (3-amino-4- mercaptophenyl) hexafluoro propane.

상기 술폰산기를 갖는 디아민은 1,3-디아미노벤젠-4-술폰산, 1,3-디아미노벤젠-5-술폰산, 1,4-디아미노벤젠-2-술폰산, 비스(4-아미노벤젠-3-술폰산)에테르, 4,4'-디아미노비페닐-3,3'-디술폰산 및 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸비페닐-6,6'-디술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.The diamine having a sulfonic acid group is 1,3-diaminobenzene-4-sulfonic acid, 1,3-diaminobenzene-5-sulfonic acid, 1,4-diaminobenzene-2-sulfonic acid, bis (4-aminobenzene-3 Group consisting of 4,4'-diaminobiphenyl-3,3'-disulfonic acid and 4,4'-diamino-3,3'-dimethylbiphenyl-6,6'-disulfonic acid It is preferable that it is 1 type, or 2 or more types chosen from.

또한, 페놀성 수산기, 티올페놀기, 술폰산기로 이루어진 군에서 선택되는 2종 이상을 포함하는 디아민으로는 비스(4-아미노-3-카르복시-5-히드록시페닐)에테르, 비스(4-아미노-3-카르복시-5-히드록시페닐)메탄, 비스(4-아미노-3-카르복시-5-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(4-아미노-3-카르복시-5-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-카르복시-5-히드록시페닐)헥사플루오로프로판 등이나, 4,4-메틸렌-비스(2,6-에틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-이소프로필-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디이소프로필아닐린), 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디시클로헥실메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테 르, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 4,4`-옥시다이아닐린 및 5,5`-옥시디이소벤조푸란-1,3-다이온으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 기타 디아민으로는 4,4-디아미노디페닐 에테르가 바람직하다.Moreover, as diamine containing 2 or more types chosen from the group which consists of a phenolic hydroxyl group, a thiol phenol group, and a sulfonic acid group, bis (4-amino-3- carboxy-5-hydroxyphenyl) ether, bis (4-amino- 3-carboxy-5-hydroxyphenyl) methane, bis (4-amino-3-carboxy-5-hydroxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (4-amino-3-carboxy-5-hydroxyphenyl) Propane, 2,2-bis (4-amino-3-carboxy-5-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and the like, 4,4-methylene-bis (2,6-ethylaniline), 4,4'- Methylene-bis (2-isopropyl-6-methylaniline), 4,4'-methylene-bis (2,6-diisopropylaniline), bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2 , 2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 4,4'-diamino-3, 3'-dimethyldicyclohexylmethane, 4,4'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) bene , 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2 , 2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 4,4′-oxydianiline and 5,5′-oxydiisobenzofuran-1,3-dione It is preferable that it is 1 type, or 2 or more types chosen from. As other diamine, 4,4-diaminodiphenyl ether is preferable.

상기 화학식 8으로 표시되는 실록산 함유 디아민은 본 발명의 포지티브 감광성 폴리이미드 수지 조성물로 형성된 절연막과 기판의 접착력을 향상시킬 수 있다.The siloxane-containing diamine represented by the formula (8) can improve the adhesion between the insulating film and the substrate formed of the positive photosensitive polyimide resin composition of the present invention.

상기 Y는 디아민을 구성하고 알칼리 수용액에 대해 용해성이 있는 3가 유기기이면 특별히 한정하지 않는다.Y is not specifically limited as long as it is a trivalent organic group which comprises diamine and is soluble in aqueous alkali solution.

상기 (b) 알칼리 가용성 폴리이미드 수지는 테트라카르복실산 이무수물과 디아민의 반응에서 폴리이미드 전구체를 합성하고 탈수 폐환하는 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 이 때, 테트라카르복실산 이무수물과 디아민의 반응온도는 -20℃ 내지 150℃인 것이 바람직하고, -5℃ 내지 100℃인 것이 더 바람직하다. 상기 제조방법에서 사용 가능한 용매로는 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세토아미드, N,N-디메틸메톡시아세토아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리논, 카프로락탐, N-메틸카프로락탐, 디메틸설폭시드, 디메틸설폰, 설포란, 테트라메틸 요소, 헥사메틸포스포르아미드, 페놀, 크레졸, 크실레놀, 클로로페놀, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 글라임, 디글라임, 트리글라임 등을 들 수 있다. 이 중 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸아세토아미드 등의 극성 용매를 사용하는 것이 바람직하다. The alkali-soluble polyimide resin (b) may be prepared using a method of synthesizing and dehydrating a polyimide precursor in a reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine. At this time, it is preferable that it is -20 degreeC-150 degreeC, and, as for the reaction temperature of tetracarboxylic dianhydride and diamine, it is more preferable that it is -5 degreeC-100 degreeC. Solvents that can be used in the preparation method include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetoamide, N, N-dimethylmethoxyacetoamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl 2-imidazolinone, caprolactam, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, sulfolane, tetramethyl urea, hexamethylphosphoramide, phenol, cresol, xylenol, chlorophenol, ethylene glycol , Diethylene glycol, triethylene glycol, glyme, diglyme, triglyme and the like. Among them, it is preferable to use polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and dimethylacetoamide.

여기서, 폴리이미드 전구체를 폴리이미드로 전환하기 위하여 폴리이미드 전구체를 용액 상태로 150℃ 내지 250℃에서 가열할 수 있고, 촉매 이미드화할 수 있다. 상기 촉매 이미드화의 경우, 폴리이미드 전구체 용액에 무수아세트산과 트리에틸아민, 피리딘, 이소퀴놀린, 이미다졸 등의 3차 아민을 첨가하고, 0℃ 내지 350℃의 임의 온도에서 화학적 이미드화를 실시할 수 있다.Here, in order to convert a polyimide precursor into a polyimide, a polyimide precursor can be heated at 150 degreeC-250 degreeC in a solution state, and can be catalyst imidized. In the case of the catalyst imidization, tertiary amines such as acetic anhydride and triethylamine, pyridine, isoquinoline, imidazole and the like are added to the polyimide precursor solution, and chemical imidization is performed at an arbitrary temperature of 0 ° C to 350 ° C. Can be.

또한, 상기 탈수 폐환으로 생성된 물을 제거하기 위하여, 톨루엔 또는 자일렌 등을 첨가하여 공비 탈수할 수 있다.In addition, to remove the water generated by the dehydration ring closure, toluene or xylene may be added to azeotropic dehydration.

본 발명의 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물에 포함되는 (c) 용매는 상기 (b) 화학식 2로 표시되는 구조단위와 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 폴리이미드 수지 100 중량부에 대하여, 100 내지 500 중량부로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 용해도에 문제가 발생하여 파티클이 생기는 문제가 발생할 수 있다. 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 원하는 코팅 두께를 형성하기 힘들고 노광시 막 수축의 문제가 발생할 염려가 있다.The solvent (c) contained in the positive photosensitive polyimide resin composition of the present invention is based on 100 parts by weight of an alkali-soluble polyimide resin including (b) the structural unit represented by the formula (2) and the structural unit represented by the formula (3). , 100 to 500 parts by weight. If it is included below the above-described range, a problem may occur in the solubility and particles may occur. When included in excess of the above-described range, it is difficult to form a desired coating thickness and there is a concern that a problem of film shrinkage occurs during exposure.

상기 (c) 용매는 본 발명의 기술분야에서 사용되는 것이면 특별히 한정하지 않으나, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸메톡시아세토아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리논, 카프로락탐, N-메틸카프로락탐, 디메틸설폭시드, 디메틸설폰, 설포란, 테트라메틸 요소, 헥사메틸포스포 르아미드, 페놀, 크레졸, 크실레놀, 클로로페놀, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 글라임, 디글라임, 트리글라임, γ-부티로락톤 및 프로필렌 카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 그 중 N,N-디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, γ-부티로락톤 및 프로필렌 카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 2종 이상을 혼합하여 사용하는 것이 보다 바람직하다. The solvent (c) is not particularly limited as long as it is used in the technical field of the present invention, but is N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetoamide, N-methyl- 2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolinone, caprolactam, N-methylcaprolactam, dimethylsulfoxide, dimethylsulfone, sulfolane, tetramethyl urea, hexamethylphosphoramide, phenol , One or two selected from the group consisting of cresol, xylenol, chlorophenol, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, glyme, diglyme, triglyme, γ-butyrolactone and propylene carbonate It is preferable that it is above. It is more preferable to mix and use 2 or more types selected from the group which consists of N, N- dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, N, N- dimethylacetamide, (gamma) -butyrolactone, and a propylene carbonate. Do.

또한, 본 발명의 조성물은, 본 발명의 효과에 악영향을 주지 않는 한, 상기 성분 이외에 계면활성제, 가소제, 증감제, 염료, 다른 수지 성분, 열반응 금지제 등의 각종 방지제, 밀착성 개량제 등의 첨가제를 1종 이상 적절히 첨가하여 사용할 수 있다. In addition, the composition of the present invention, additives such as various inhibitors such as surfactants, plasticizers, sensitizers, dyes, other resin components, thermal reaction inhibitors, adhesive improving agents, etc., in addition to the above components, as long as they do not adversely affect the effects of the present invention. It can be used by appropriately adding one or more kinds.

상기 첨가제는 상기 (b) 화학식 2로 표시되는 구조단위와 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 폴리이미드 수지와 (c) 용매의 합 100 중량부에 대하여, 0.1 중량부 내지 20 중량부로 포함되는 것이 바람직하다.The additive is 0.1 parts by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the alkali-soluble polyimide resin (c) containing the structural unit represented by the formula (2) and the structural unit represented by the formula (3). It is preferred to be included.

한편, 본 발명의 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물을 이용하여 다음과 같은 공정으로 패턴화된 막을 형성할 수 있다.On the other hand, using the positive photosensitive polyimide resin composition of this invention, a patterned film can be formed in the following process.

상기 공정은 (ⅰ) 기판 상에, 본 발명의 포지형 감광성 폴리이미드 수지 조성물을 포함하는 층을 형성하는 단계; (ⅱ) 상기 (ⅰ)에서 형성된 층을 소정의 패턴이 형성된 포토마스크를 통해 파장 200 내지 700 nm의 광으로 노광하는 단계; 및 (ⅲ) 노광된 층을 알칼리 수용액으로 용해하여 패턴화된 막을 얻는 단계를 포함한다.The process comprises the steps of: (i) forming a layer comprising the forged photosensitive polyimide resin composition of the present invention on a substrate; (Ii) exposing the layer formed in (iii) to light having a wavelength of 200 to 700 nm through a photomask in which a predetermined pattern is formed; And (iii) dissolving the exposed layer with aqueous alkali solution to obtain a patterned film.

이하에서, 합성예, 실시예 및 시험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 하기의 실시예 및 시험예에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through synthesis examples, examples, and test examples. However, the scope of the present invention is not limited by the following examples and test examples.

합성예 1: 감광제의 합성Synthesis Example 1 Synthesis of Photosensitive Agent

메탄올(280g)에 피로갈롤(257.3g) 및 36 % 염산 (92.3g)을 가하고 교반하면서 혼합물을 47℃로 가열하여 균질 용액을 형성하였다. 용액에 아세톤(34.8g)을 30분에 걸쳐 적가한 뒤 8시간 동안 교반하였다. 반응의 종결 뒤, 반응 혼합물에 물(4ℓ) 및 에틸아세테이트(1.1ℓ)를 가하고 분리하였다. 유기층에 물(3ℓ), 에틸아세테이트(200㎖) 및 톨루엔(150㎖)을 가하고 혼합물을 물로 세척하였다. 그런 뒤, 그 혼합물을 물(각각 3ℓ)로 3회 세척하였다. 유기층을 농축시켜 오일성 수득물(103g)을 수득하였다. 오일성 물질에 에틸아세테이트(13g) 및 톨루엔(170g)을 가하고 수득물을 재결정하였다. 그 후, 결정성 수득물을 70℃에서 건조시켜 건조된 수득물(화학식 4, 22.6g)을 얻는다.Pyrogallol (257.3 g) and 36% hydrochloric acid (92.3 g) were added to methanol (280 g) and the mixture was heated to 47 ° C. with stirring to form a homogeneous solution. Acetone (34.8 g) was added dropwise to the solution over 30 minutes, followed by stirring for 8 hours. After completion of the reaction, water (4 L) and ethyl acetate (1.1 L) were added to the reaction mixture and separated. Water (3 L), ethyl acetate (200 mL) and toluene (150 mL) were added to the organic layer, and the mixture was washed with water. The mixture was then washed three times with water (3 L each). The organic layer was concentrated to give an oily yield (103 g). Ethyl acetate (13 g) and toluene (170 g) were added to the oily material, and the obtained product was recrystallized. Thereafter, the crystalline product is dried at 70 DEG C to obtain a dried product (Formula 4, 22.6 g).

<화학식 4><Formula 4>

Figure 112009072326272-PAT00012
Figure 112009072326272-PAT00012

이어서, 300㎖ 3목 플라스크에 나프토퀴논-(1,2)-디아지드-(2)-5-술포닐 클로라이드 (24.18g), 상기 화학식 4로 표시되는 화합물(6.64g), 및 디옥산 (150g)을 붓고 교반하여 이 화합물을 완전히 용해시켰다. 여기서, 나프토퀴논-(1,2)-디아지드-(2)-5-술포닐클로라이드와 상기 화학식 4로 표시되는 화합물의 몰비는 1:4.5이고 에스테르화비는 90%이었다. 또한, 이후 몰비는 퀴논 디아지드 화합물에 대한 페놀 화합물의 몰비이다. Subsequently, naphthoquinone- (1,2) -diazide- (2) -5-sulfonyl chloride (24.18 g), the compound represented by the formula (4) (6.64 g), and dioxane were placed in a 300 ml three-neck flask. (150 g) was poured and stirred to dissolve this compound completely. Here, the molar ratio of naphthoquinone- (1,2) -diazide- (2) -5-sulfonylchloride and the compound represented by the formula (4) was 1: 4.5 and the esterification ratio was 90%. Also, the molar ratio is then the molar ratio of phenolic compound to quinone diazide compound.

이어서, 플라스크를 물 욕조에 침지하여 반응 온도를 20 내지 25℃로 조절하고, 트리에틸아민(10.0g)을 교반하면서 30분에 걸쳐 적가하였다. 이후, 20시간 동안 20 내지 25℃에서 반응 혼합물을 더 교반하였다. 반응이 완결된 뒤, 반응 혼합물을 이온 교환수에 붓고 여과한 뒤 건조시켜 감광성 물질을 수득한다.The flask was then immersed in a water bath to adjust the reaction temperature to 20-25 ° C. and triethylamine (10.0 g) was added dropwise over 30 minutes with stirring. Thereafter, the reaction mixture was further stirred at 20-25 ° C. for 20 hours. After the reaction is completed, the reaction mixture is poured into ion-exchanged water, filtered and dried to obtain a photosensitive material.

합성예 2: 폴리이미드 수지의 합성Synthesis Example 2: Synthesis of Polyimide Resin

상기 화학식 2로 표시되는 구조단위와 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 폴리이미드 수지를 합성하기 위해, 우선 100 ㎖의 둥근 플라스크에 질소를 충진하면서 1,3-디아미노-4-카르복시벤젠 0.5 m㏖과 5,5`-옥시 디 이소벤조푸란-1,3-다이온 0.5 m㏖을 넣고 N-메틸-2-피롤리돈(이하 NMP)를 가하여 녹였다. 디아민이 완전히 녹은 후 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물을 1 m㏖ 첨가하여, 24 시간 동안 얼음수조 안에서 반응시켜 폴리아믹산을 합성하였다. 이 때, 용매의 사용량은 반응이 진행되는 정도이면 특히 제한되지 않지만, 고형분 농도가 통상 20 중량%를 초과하지 않는 정도의 양을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 반응은 상온에서 20 시간, 바람직하게는 24 시간에 걸쳐 수행되었다. 다음, 이 폴리아믹산 용액에 6 m㏖의 피리딘과 6 m㏖의 아세틱 이무수물을 가하고, 물 중탕으로 60 ℃를 유지하면서 6 시간 이상, 바람직하게는 12 시간 이상 반응시켜 화학적 이미드화를 진행하였다. 이 용액을 상온으로 식힌 후 물과 메탄올을 이용하여 수회 재침전하고 생성된 침전물을 여과 후 메탄올로 세척한 다음 24시간 이상 진공 건조하여 하기와 같은 옅은 황색의 폴리이미드 수지를 얻었다. In order to synthesize an alkali-soluble polyimide resin comprising the structural unit represented by the formula (2) and the structural unit represented by the formula (3), 1,3-diamino-4-carboxy was first filled with nitrogen in a 100 ml round flask. 0.5 mmol of benzene and 0.5 mmol of 5,5′-oxydiisobenzofuran-1,3-dione were added thereto, and N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) was added thereto and dissolved. After the diamine was completely dissolved, 1 mmol of 4,4 '-(hexafluoroisopropylidene) diphthalic dianhydride was added and reacted in an ice bath for 24 hours to synthesize polyamic acid. At this time, the amount of the solvent is not particularly limited as long as the reaction proceeds, but it is preferable to use an amount such that the solid content concentration does not usually exceed 20% by weight. The reaction was carried out at room temperature over 20 hours, preferably 24 hours. Next, 6 mmol of pyridine and 6 mmol of acetic dianhydride were added to the polyamic acid solution, and the reaction was carried out for at least 6 hours, preferably at least 12 hours while maintaining 60 DEG C in a water bath to proceed with chemical imidization. . The solution was cooled to room temperature, reprecipitated several times with water and methanol, and the resulting precipitate was filtered, washed with methanol, and dried under vacuum for 24 hours to obtain a pale yellow polyimide resin as follows.

상기 폴리이미드 수지는 화학식 2로 표시되는 구조단위와 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하고, W1, W2

Figure 112009072326272-PAT00013
이고, X는
Figure 112009072326272-PAT00014
, Y는
Figure 112009072326272-PAT00015
이고, R은 H이고 l은 0.5, m은 0.5 l/m은 1이었다.The polyimide resin includes a structural unit represented by Chemical Formula 2 and a structural unit represented by Chemical Formula 3, wherein W 1 and W 2 are
Figure 112009072326272-PAT00013
And X is
Figure 112009072326272-PAT00014
, Y is
Figure 112009072326272-PAT00015
R is H, l was 0.5, and m was 0.5 l / m.

이것의 IR 스펙트럼 분석을 행한 결과, 폴리아믹산으로부터 유래하는 흡수는 관측되지 않고, 1780 cm-1 및 1720 cm-1에서 이미드기에 기초한 흡수가 관측되었 으며, 1H-NMR 스펙트럼 분석에 있어서 카르복시기로부터 유래하는 11 내지 12 ppm의 피크가 관측되었다. 또한, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)분석 결과, 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량(Mn)은 89,500이었다.As a result of IR spectral analysis, no absorption derived from polyamic acid was observed, but absorption based on imide groups was observed at 1780 cm −1 and 1720 cm −1 , and derived from carboxy group in 1 H-NMR spectrum analysis. Peaks of 11 to 12 ppm were observed. In addition, the number average molecular weight (Mn) of polystyrene conversion was 89,500 as a result of the gel permeation chromatography (GPC) analysis.

실시예 1 내지 실시예 3, 비교예1 내지 비교예3: 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물의 제조Examples 1 to 3, comparative examples 1 to 3: preparation of positive photosensitive polyimide resin composition

표 1에 기재된 구성성분과 함량으로 조성물을 제조하였다. 상기 조성물에 도포성 향상을 위하여 실리콘 계열의 계면활성제(제조사: 신에츠사, 상품명: SH-8400)를 25ppm 첨가하였다. 상기 계면활성제가 첨가된 조성물을 공극 크기가 0.1㎛인 테트라플루오로에틸렌 여과기를 통해 여과시켜 포토레지스트를 제조하였다. 여기서, 감광제는 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 한 중량부를 기재하였고, 용매는 알칼리 가용성 수지와 용매로 이루어진 용액 100 중량부를 기준으로 한 중량부를 기재하였다.Compositions were prepared with the ingredients and contents shown in Table 1. 25 ppm of a silicone-based surfactant (manufactured by Shin-Etsu Co., Ltd., trade name: SH-8400) was added to the composition to improve applicability. The composition to which the surfactant was added was filtered through a tetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 μm to prepare a photoresist. Here, the photosensitizer described parts by weight based on 100 parts by weight of alkali-soluble resin, and the solvent described parts by weight based on 100 parts by weight of a solution consisting of alkali-soluble resin and a solvent.

시험예1: 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물의 특성 평가Test Example 1: Evaluation of Characteristics of Positive Photosensitive Polyimide Resin Composition

실시예1 내지 실시예3, 비교예1 내지 비교예3의 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물을 도포하였고, 스피너를 이용하여 90℃, 120초 동안 프리베이크를 실시하였다. 스토리에이션이 발생하지 않는 상황에서 노광(Nikon사의 NSR-2205i11D 사용)하였다. 현상은 DNS사의 현상기를 이용하여 포스트 익스포져 베이크를 120℃, 180초 실시한 후, 2.38%의 수산화테트라메틸암모늄 수용액으로 90초 동안 현상하였다. 제조된 레지스트의 패턴은 막두께 5㎛에서 5 내지 10㎛의 선폭을 관찰하여 표 1에 나타내었다.The positive photosensitive polyimide resin compositions of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 were applied and prebaked at 90 ° C. for 120 seconds using a spinner. Exposure was performed (using Nikon's NSR-2205i11D) in the absence of storytelling. The development was carried out at 120 ° C. for 180 seconds using a DNS developer, and then developed for 90 seconds with a 2.38% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution. The pattern of the prepared resist is shown in Table 1 by observing the line width of 5 to 10㎛ at a film thickness of 5㎛.

감광제
(중량부)
Photosensitizer
(Parts by weight)
알칼리 가용성 수지
(중량부)
Alkali soluble resin
(Parts by weight)
용매(중량부)Solvent (part by weight) 실효감도
(msec)
Effectiveness
(msec)
해상도
(㎛)
resolution
(Μm)
실시예1Example 1 합성예1Synthesis Example 1 2020 합성예2Synthesis Example 2 100100 DMF/GBL/PC: 90/5/5DMF / GBL / PC: 90/5/5 200200 740740 77 실시예2Example 2 합성예1Synthesis Example 1 4040 합성예2Synthesis Example 2 100100 DMF/GBL/PC: 90/5/5DMF / GBL / PC: 90/5/5 200200 630630 66 실시예3Example 3 합성예1Synthesis Example 1 6060 합성예2Synthesis Example 2 100100 DMF/GBL/PC: 90/5/5DMF / GBL / PC: 90/5/5 200200 510510 66 비교예1Comparative Example 1 합성예1Synthesis Example 1 1One 합성예2Synthesis Example 2 100100 DMF/GBL/PC: 90/5/5DMF / GBL / PC: 90/5/5 200200 -- -- 비교예2Comparative Example 2 합성예1Synthesis Example 1 8080 합성예2Synthesis Example 2 100100 DMF/GBL/PC: 90/5/5DMF / GBL / PC: 90/5/5 200200 -- -- 비교예3Comparative Example 3 a-1a-1 2020 합성예2Synthesis Example 2 100100 DMF/GBL/PC: 90/5/5DMF / GBL / PC: 90/5/5 200200 11801180 1010

a-1: T307-2 (상품명, 제조사: Sumitomo사)a-1: T307-2 (trade name, manufacturer: Sumitomo)

DMF: N,N-디메틸포름아미드DMF: N, N-dimethylformamide

GBL: γ-부티로락톤GBL: γ-butyrolactone

PC: 프로필렌 카보네이트PC: Propylene Carbonate

실효감도(ms) = 해상도가 발현되는 노광 감도Effectiveness (ms) = exposure sensitivity at which resolution is expressed

해상도(㎛) = 5 내지 10㎛사이의 목표치에서의 해상도Resolution (μm) = resolution at target value between 5 and 10 μm

표 1을 참조하면, 실시예1 내지 실시예3의 조성물을 이용한 포토레지스트 패턴은 실효감도와 해상도가 우수한 반면에, 비교예1은 패턴이 생성되지 않았으며, 비교예 2의 경우 큐어링 후 패턴이 무너져 패턴 형성에 실패하였다. 또한 비교예 3은 실효감도와 해상도에서 실시예보다 좋지 않은 결과를 나타내었다.Referring to Table 1, the photoresist patterns using the compositions of Examples 1 to 3 had excellent effectiveness and resolution, whereas Comparative Example 1 did not produce a pattern, and in Comparative Example 2, the pattern after curing This collapse caused the pattern formation to fail. Comparative Example 3 also showed worse results than Example in terms of effectiveness and resolution.

Claims (6)

하기 (a) 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물의 퀴논디아지드 술포네이트를 포함하는 감광제;(A) a photosensitizer comprising a quinonediazide sulfonate of a polyhydric phenol compound represented by formula (1); 하기 (b) 화학식 2로 표시되는 구조단위와 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 폴리이미드 수지; 및 (B) an alkali-soluble polyimide resin comprising a structural unit represented by Formula 2 and a structural unit represented by Formula 3; And (c) 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물:(c) a positive photosensitive polyimide resin composition comprising a solvent: <화학식 1><Formula 1>
Figure 112009072326272-PAT00016
Figure 112009072326272-PAT00016
<화학식 2><Formula 2>
Figure 112009072326272-PAT00017
Figure 112009072326272-PAT00017
<화학식 3><Formula 3>
Figure 112009072326272-PAT00018
Figure 112009072326272-PAT00018
상기 화학식 1 내지 화학식 3에서, In Chemical Formulas 1 to 3, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자, C1 내지 C4의 알킬기, C1 내지 C4알케닐기, C1 내지 C4시클로 알킬기 또는 아릴기이고, 단 R1 및 R2의 최소 하나는 수소원자가 아니고,R 1 to R 5 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group of C 1 to C 4, C 1 to C 4 alkenyl groups, C 1 to C 4, and a cycloalkyl group or an aryl group, at least one stage R 1 and R 2 are Not hydrogen atoms, W1 및 W2는 각각 독립적으로 테트라카르복실산의 유도체를 구성하는 4가 유기기이고, W 1 and W 2 are each independently a tetravalent organic group constituting a derivative of tetracarboxylic acid, X는 디아민을 구성하고 알칼리 수용액에 대해 용해성이 없는 2가 유기기이고, X is a divalent organic group constituting diamine and not soluble in aqueous alkali solution, Y는 디아민을 구성하고 알칼리 수용액에 대해 용해성이 있는 3가 유기기이고, Y is a trivalent organic group constituting diamine and soluble in aqueous alkali solution, R은 수소 또는 C1 내지 C3의 알킬기이고, R is hydrogen or an alkyl group of C 1 to C 3 , l 및 m은 중합체 사슬 내 각 반복 단위의 몰분율이고,l and m are the mole fractions of each repeating unit in the polymer chain, l은 0.1 내지 0.9이고, m은 0.1 내지 0.9이며 l/m은 0.1 내지 1이다.l is 0.1 to 0.9, m is 0.1 to 0.9 and l / m is 0.1 to 1.
청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 (b) 화학식 2로 표시되는 구조단위와 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 폴리이미드 수지와 (c) 용매의 합 100 중량부에 대하여,To 100 parts by weight of the total of the alkali-soluble polyimide resin comprising the structural unit represented by the formula (2) and the structural unit represented by the formula (3) and (c) the solvent, 상기 (a) 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물의 퀴논디아지드 술포네이트를 포함하는 감광제1 내지 75 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물.Positive type photosensitive polyimide resin composition comprising (a) 1 to 75 parts by weight of a photosensitive agent containing a quinonediazide sulfonate of the polyhydric phenol compound represented by the formula (1). 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 (b) 화학식 2로 표시되는 구조단위와 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 폴리이미드 수지 100 중량부에 대하여,(B) To 100 parts by weight of an alkali-soluble polyimide resin comprising a structural unit represented by the formula (2) and a structural unit represented by the formula (3), 상기 (c)용매 100 내지 500 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물.Positive type photosensitive polyimide resin composition containing 100 to 500 weight part of said (c) solvents. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 화학식 1로 표시되는 다가 페놀 화합물은 하기 화학식 4 내지 화합물 6으로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물:A positive photosensitive polyimide resin composition according to claim 1, wherein the polyhydric phenol compound represented by Formula 1 is one selected from the group consisting of compounds represented by Formulas 4 to 6. <화학식 4><Formula 4>
Figure 112009072326272-PAT00019
Figure 112009072326272-PAT00019
<화학식 5><Formula 5>
Figure 112009072326272-PAT00020
Figure 112009072326272-PAT00020
<화학식 6><Formula 6>
Figure 112009072326272-PAT00021
Figure 112009072326272-PAT00021
청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 테트라카르복실산의 유도체는 1,2,4,5-벤젠테트라카르복실산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 비스 (3,4-디카르복시페닐)술폰, 3,3'4,4'-비페닐테트라카르복실산, 3,3'4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 비 스(3,4-디카르복시페닐)술폰, 시클로부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산, 2,3,5-트리카르복시시클로펜틸아세트산, 비시클로(2,2,2)옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산, 테트라히드로푸란-2,3,4,5-테트라카르복실산, 부탄테트라카르복실산, 이의 이무수물 및 이의 디카르복실산 디산 할로겐화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물.The derivatives of the tetracarboxylic acid are 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3', 4,4'-benzo Phenonetetracarboxylic acid, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone, 3 , 3'4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3'4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, Bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone, cyclobutane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalene Succinic acid, 2,3,5-tricarboxycyclopentylacetic acid, bicyclo (2,2,2) octo-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic acid, tetrahydrofuran-2,3, One, two or more selected from the group consisting of 4,5-tetracarboxylic acid, butanetetracarboxylic acid, dianhydrides thereof, and dicarboxylic acid diacid halides thereof The positive photosensitive polyimide resin composition according to claim. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 X는 페놀성 수산기, 티오페놀기 및 술폰산기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기를 갖는 디아민으로부터 얻어지는 2가 유기기; 또는 하기 화학식 8로 표시되는 실록산 함유 디아민으로부터 얻어지는 2가 유기기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물:X is a divalent organic group obtained from diamine having one or two or more groups selected from the group consisting of a phenolic hydroxyl group, a thiophenol group and a sulfonic acid group; Or a divalent organic group obtained from a siloxane-containing diamine represented by the following formula (8): <화학식 8><Formula 8>
Figure 112009072326272-PAT00022
Figure 112009072326272-PAT00022
상기 화학식 8에서, In Chemical Formula 8, R11 및 R16은 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기, 벤젠고리를 포함하는 화합물, 사이클로 유기화합물이고, R 11 and R 16 are each independently a C 1 to C 5 alkyl group, a compound containing a benzene ring, a cyclo organic compound, R12 내지 R15은 각각 독립적으로 C1 내지 C3의 알킬기이고,R 12 to R 15 are each independently an alkyl group of C 1 to C 3 , n은 반복단위로서 1 내지 10의 정수이다.n is an integer of 1 to 10 as a repeating unit.
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