KR20110057515A - Apparatus for processing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수의 기판 처리부를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus including a plurality of substrate processing units.
일반적으로 반도체 소자 제조 공정은 절연막 및 금속 물질의 증착, 식각, 감광제의 도포, 현상, 애슁(ashing), 세정 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(patterning)의 배열을 만들어 나가는 과정이다. 이러한 공정을 진행하는 장치는 기판의 처리 매수에 따라 배치식 장치(batch type processor)와 매엽식 장치(single type processor)으로 나눌 수 있다. In general, a semiconductor device manufacturing process is a process of depositing an insulating film and a metal material, etching, applying a photoresist, developing, ashing, cleaning, etc., several times, to create a fine patterning array. An apparatus for performing such a process may be divided into a batch type processor and a single type processor according to the number of substrates processed.
배치식 장치는 공정 챔버 내에서 한번에 25매 또는 50매의 기판을 처리하여 동시에 대용량을 처리할 수 있는 이점이 있다. 하지만, 배치식 장치는 기판의 대구경화가 진행될수록 공정 챔버가 커져 장치의 크기 및 약액의 사용량이 많아질 뿐만 아니라, 다수의 기판마다 균일한 조건으로 처리하지 못하는 단점이 있다.Batch-type devices have the advantage of being able to process large volumes at the same time by processing 25 or 50 sheets of substrate at a time in the process chamber. However, the batch type device has a disadvantage in that as the diameter of the substrate increases, the process chamber becomes larger, so that the size of the apparatus and the amount of the chemical liquid are increased, and the substrate cannot be treated under uniform conditions for a plurality of substrates.
최근에는 기판 직경의 대형화로 인해 매엽식 장치가 주목받고 있는데, 매엽식 장치는 공정 챔버 내에서 하나의 기판을 처리하여 기판마다 균일하게 처리할 수 있는 이점이 있다. 다만, 매엽식 장치의 경우 효율성이 떨어지는 단점이 있음은 부 인할 수 있다. 이를 극복하기 위하여 하나의 처리 장치에서 2 이상의 기판 처리부를 구비하고, 기판 처리부별로 동시에 공정을 수행하는 방안이 모색되고 있다.Recently, the sheet type apparatus has attracted attention due to the increase in the diameter of the substrate, and the sheet type apparatus has the advantage of uniformly treating each substrate by processing one substrate in the process chamber. However, in the case of the single-leaf type device can be denied that the efficiency is inferior. In order to overcome this problem, a method of providing two or more substrate processing units in one processing apparatus and performing a process simultaneously for each substrate processing unit has been sought.
기판 처리부별로 동시에 공정을 수행하기 위해서는 기판 처리를 위한 약액, 예컨대 식각액을 각 기판 처리부에 공급하여야 한다. 이를 위하여 공통 약액 공급관을 설치하고, 그로부터 다수개의 관들을 분지한 후, 각 관들을 기판 처리부의 노즐에까지 연결시킬 수 있다. 그러나, 공통 약액 공급관으로부터 기판 처리부에 이르는 거리가 서로 상이한 경우, 각 관 내에서 서로 상이한 길이의 약액의 정체 구간이 발생한다. 뿐만 아니라, 정체 구간의 주변 조건, 예컨대 온도 조건은 서로 상이할 수 있다. 그에 따라, 각 관별로 약액의 온도가 상이해질 수 있다. 약액의 온도는 반응성에 영향을 미치므로, 기판 처리부별로 투입되는 약액의 온도가 서로 상이하면, 기판 처리부별 공정 성능, 예컨대 식각량의 편차가 발생한다. 이는 공정 불량을 야기한다.In order to simultaneously perform the process for each substrate processing unit, a chemical liquid, such as an etching liquid, for substrate processing must be supplied to each substrate processing unit. To this end, a common chemical liquid supply pipe may be installed, and a plurality of pipes may be branched therefrom, and then each pipe may be connected to the nozzle of the substrate processing unit. However, when the distances from the common chemical liquid supply pipe to the substrate processing section are different from each other, stagnation sections of chemical liquids having different lengths in each tube occur. In addition, ambient conditions, such as temperature conditions, of the stagnation sections may be different from one another. Accordingly, the temperature of the chemical liquid may be different for each tube. Since the temperature of the chemical liquid affects the reactivity, when the temperatures of the chemical liquids injected for each substrate processing unit are different from each other, the process performance, for example, the etching amount of each substrate processing unit occurs. This causes process failure.
본 발명은 이러한 점들에 근거해 착안된 것으로서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 각 기판 처리부별로 공정 편차가 최소화된 기판 처리 장치를 제공하고자 하는 것이다. The present invention has been conceived based on these points, and the problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus with a minimum process variation for each substrate processing unit.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 복수층으로 배열되어 있는 복수의 기판 처리부, 및 상기 복수의 기판 처리부에 약액을 공급하는 약액 공급 배관으로서, 메인 약액 공급관, 순환 분지관, 및 메인 약액 회수관을 포함하되, 상기 순환 분지관은 공간적으로 상호 연결된 복수의 분지관을 포함하며, 적어도 하나의 분지관은 상기 메인 약액 회수관에, 적어도 하나의 분지관은 상기 메인 약액 회수관에 연결되어 있는 약액 공급 배관을 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention for solving the above problems is a plurality of substrate processing units arranged in a plurality of layers, and a chemical liquid supply pipe for supplying chemical liquids to the plurality of substrate processing units, the main chemical liquid supply pipe, circulation A branching pipe, and a main chemical liquid collecting pipe, wherein the circulation branching pipe includes a plurality of branching pipes spatially interconnected, at least one branching pipe to the main chemical liquid collecting pipe, and at least one branching pipe to the main It includes a chemical liquid supply pipe connected to the chemical liquid collection tube.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다. According to embodiments of the present invention has at least the following effects.
즉, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 각 기판 처리부별로 실질적으로 동일한 반응성을 가진 약액이 공급될 수 있으므로, 기판 처리부별 공정 편차가 최소화될 수 있다.That is, according to the substrate processing apparatus according to some embodiments of the present disclosure, since the chemical liquid having substantially the same reactivity may be supplied to each substrate processing unit, the process variation of each substrate processing unit may be minimized.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다. The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. References to elements or layers "on" other elements or layers include all instances where another layer or other element is directly over or in the middle of another element. On the other hand, when a device is referred to as "directly on", it means that it does not intervene with another device or layer in between. Like reference numerals refer to like elements throughout. "And / or" includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의"아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다. The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when flipping a device shown in the figure, a device described as "below" or "beneath" of another device may be placed "above" of another device. Thus, the exemplary term "below" can encompass both an orientation of above and below. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.
본 명세서에서, "기판"은 웨이퍼 등의 반도체 기판 뿐만 아니라, 액정 표시 장치 등의 디스플레이 장치용 기판 등을 포함한다.As used herein, the term "substrate" includes not only a semiconductor substrate such as a wafer but also a substrate for a display apparatus such as a liquid crystal display device.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급 배관의 사시도이다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 is a perspective view of a chemical supply pipe according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 복수의 기판 처리부(100) 및 약액 공급 배관(200)을 포함한다. 1 to 3, the
복수의 기판 처리부(100)는 복수층으로 배열된다. 각 층은 복수의 기판 처리부(100)가 배열되어 있다. 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 각 층의 기판 처리부(100) 배열은 서로 동일할 수 있다. 각 층의 기판 처리부(100) 배열은 2행 이상일 수 있다. 도 1에서는 2행인 경우가 예시되어 있다. 각 행은 각각 3개의 기판 처리부(100)가 배치되어 있다. 따라서, 1, 2층을 합하면 총 12개의 기판 처리부(100)가 배치되어 있다. 도 1에서 각 행 사이에는 이송 로봇(120)이 위치한다.The plurality of
각 기판 처리부(100)는 반응 챔버(110)를 포함할 수 있다. 반응 챔버(110)는 예컨대, 습식 식각 장치용 챔버, 또는 세정 장치용 챔버일 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니며, 후술하는 약액 공급 배관(200)에 의해 약액의 공급을 필요로 하는 다양한 기판 처리 장치용 반응 챔버(110)들이 위치할 수 있다. Each
한편, 복수의 기판 처리부(100)는 실질적으로 동일한 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 즉, 복수의 기판 처리부(100)는 서로 다양한 공정을 직렬적으로 수행하는 것보다는 동일한 공정을 병렬적으로 수행하는 것이 순환 분지관(220)을 포함하는 약액 공급 배관(200)을 이용하는 본 실시예에 더 적합하다. 본 실시예에서는 복수의 기판 처리부(100)가 동일 공정을 수행하므로, 제품의 대량 생산이 가능하게 된다. Meanwhile, it is preferable that the plurality of
위와 같은 경우에는 각 기판 처리부(100)의 처리 조건이 서로 동일한 것이 바람직하다. 각 기판 처리부(100)별 처리 조건이 다를 경우, 대량 생산되는 제품간 특성이 균일하지 못하고, 식각량 편차 등에 따른 불량이 발생할 확률이 높아지기 때문이다. 약액 공급 배관(200)은 각 기판 처리부(100)가 상호 동일한 처리 조건을 갖추는 데에 기여한다.In the above case, it is preferable that the processing conditions of each
더욱 상세히 설명하면, 약액 공급 배관(200)은 메인 약액 공급관(210), 순환 분지관(220), 및 메인 약액 회수관(230)을 포함한다.In more detail, the chemical
메인 약액 공급관(210)은 약액 저장부(미도시)로부터 약액을 공급받아 이를 순환 분지관(220)에 전달한다. 이를 위해 메인 약액 공급관(210)은 펌프나 에어 컴프레셔 등에 의해 압력을 공급받을 수 있다. The main chemical
약액을 공급받은 순환 분지관(220)은 그 내에서 약액을 순환시키고, 전부 또는 일부를 각 기판 처리부(100)로 전달한다. 순환 분지관(220)을 거치고도 기판 처리부(100)로 유입되지 않은 남은 약액들은 메인 약액 회수관(230)으로 회수된다. 즉, 약액 공급 배관(200)에서 전반적인 약액의 흐름은 메인 약액 공급관(210), 순환 분지관(220) 및 메인 약액 회수관(230) 순이 된다. 회수된 약액은 다시 약액 저장부나 메인 약액 공급관(210)으로 재공급될 수 있다.The
순환 분지관(220)은 약액을 순환시키기 위하여 복수의 분지관(222)을 포함한다. 각 분지관(222)들은 상호 공간적으로 연결되어 있다. 따라서, 일 분지관(222)에서의 약액의 흐름과 다른 분지관(222)에서의 약액의 흐름은 실질적으로 동일한 물리적 환경에 놓이게 된다. 예를 들면, 하나의 분지관(222)에서의 약액의 유속, 압력 등과 다른 분지관(222)에서의 약액의 유속, 압력 등은 실질적으로 동일하다. The
뿐만 아니라, 약액은 순환 분지관(220)을 전반적으로 순환하되, 충분한 유속을 갖춘다면 각 분지관(222)들의 위치가 달라, 해당 분지관(222) 별 다른 온도 조건에 놓인다고 하더라도, 각각의 분지관(222)을 흐르는 약액의 온도 차이는 없거나 미미하다. In addition, the chemical liquid is circulated throughout the
몇몇 약액들은 온도나 압력 등의 조건에 따라 반응성의 차이를 보이는데, 순환 분지관(220)의 각 분지관(222) 내에서는 온도, 압력 등이 거의 일정하므로 이들을 흐르는 약액의 반응성도 일정할 것임을 이해할 수 있다. 따라서, 기판 처리부(100)별 공정 성능(예컨대, 식각량)의 편차가 최소화될 수 있다. Some chemicals show a difference in reactivity according to conditions such as temperature or pressure, and since the temperature and pressure are almost constant in each
각 분지관(222)들은 각 기판 처리부(100)에 근접하게 배치된다. 바람직한 일 실시예에서, 분지관(222)들과 각 기판 처리부(100)의 상대적인 위치는 특정 기판 처리부(100)로부터 가장 가까운 분지관(222)까지의 거리가 실질적으로 동일하다는 조건을 만족시킨다. 이것은 실제 각 기판 처리부(100)에 제공되는 약액의 반응성이나 기타 조건을 실질적으로 동일하게 만든다는 관점에서 유익하다.Each
위 조건을 만족시키는 예가 도 1 및 도 2에 도시되어 있다. 도 2에서, 순환 분지관(220)은 1층 기판 처리부(100)의 아래쪽 및 2층 기판 처리부(100)의 아래쪽을 모두 지나간다. 또, 도 1에서, 순환 분지관(220)은 1행의 기판 처리부(100) 및 2행의 기판 처리부(100)를 인접하여 지나가도록 배치되어 있다. 이러한 순환 분지관(220) 구조를 입체적으로 도시한 것이 도 3이다. 도 3을 참조하면, 약액 공급 배관(200)의 순환 분지관(220)은 실질적으로 직육면체 형상으로 이루어짐을 알 수 있 다. Examples of satisfying the above conditions are shown in FIGS. 1 and 2. In FIG. 2, the
각 기판 처리부(100)(또는 반응 챔버(110))에는 노즐(250)이 배치된다. 노즐(250)은 약액을 기판 처리부(100)에 분사한다. 각 노즐(250)은 연결관(240)을 통해 인접하는 순환 분지관(220)과 연결되어 있다. 각 연결관(240)의 길이는 실질적으로 동일한 것이, 각 기판 처리부(100)에 분사되는 약액의 조건을 일정하게 유지하는 데에 유리하다. 각 연결관(240)에는 공급량 조절 밸브(260)가 설치되어, 해당 기판 처리부(100)에 공급되는 약액의 양을 조절한다.A
각 연결관(240)의 길이는 짧을수록 좋다. 연결관(240) 내에 존재하는 약액은 공정이 정지하는 동안 장시간 체류하면서 순환 분지관(220) 내의 약액들과 다른 조건에 노출될 수 있다. 이러한 약액들이 기판 처리부(100)로 공급되면, 처리 불량을 야기할 수 있다. 따라서, 각 연결관(240)의 길이는 짧은 것이 바람직하다. 나아가, 연결관(240)의 길이가 짧으면, 약액이 순환 분지관(220) 내에서의 공통 조건을 유지한 채 각 기판 처리부(100)에 공급될 수 있다. 설비의 종류에 따라 다르겠지만, 100㎝ 이하, 바람직하게는 50㎝ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎝ 이하일 수 있다.The shorter the length of each
한편, 약액 공급 배관(200)의 직경들은 제어하고자 하는 약액의 흐름 방향에 따라 조절될 수 있다. 우선, 메인 약액 공급관(210)의 직경은 순환 분지관(220)의 각 분지관(222)들보다 클 수 있다. 그리고, 순환 분지관(220)의 각 분지관(222)들의 직경은 약액의 흐름 상 이웃하는 분지관(222)들에 약액을 분배하는지 또는 약액이 합류하는지에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 약액을 분배하는 분지관(222)의 직경이 분배하지 않는 분지관(222)보다 클 수 있다. 메인 약액 회수관(230)은 분지 관(222)들보다는 큰 직경을 가질 수 있다. 그러나, 각 관들의 직경은 이상에서 예시한 것에 한정되는 것은 아니며, 다른 다양한 방법으로 설계될 수 있음은 물론이다. Meanwhile, the diameters of the chemical
한편, 이상의 실시예에서는 순환 분지관(220)이 실질적으로 직육면체 형상으로 이루어진 경우를 예시하였지만, 그 형상에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 1층과 2층 사이에 사각형 형상의 순환 분지관(220)이 배치되어 있되, 각 순환 분지관(220)으로부터 1층 및 2층의 각 기판 처리부(100) 사이의 거리가 실질적으로 동일하게 유지되고, 그에 따라 각 연결관(240)의 거리를 동일하게 유지할 수 있다면, 각 기판 처리부(100)에 공급되는 약액의 반응성 등을 동일하게 제어하는 것이 가능하다. On the other hand, in the above embodiment, the case where the
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. I can understand that. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급 배관의 사시도이다.3 is a perspective view of a chemical supply pipe according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>
10: 기판 처리 장치10: substrate processing apparatus
100: 기판 처리부100: substrate processing unit
200: 약액 공급 배관200: chemical supply piping
210: 메인 약액 공급관210: main chemical supply pipe
220: 순환 분지관220: circulation branch pipe
230: 메인 약액 회수관230: main chemical liquid collection tube
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