KR20110057042A - 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 기판 상에 금속으로 형성된 광 차단층, 광 차단층 상에 형성된 제 1 절연층, 광 차단층 상부의 제 1 절연층 상에 반도체층으로 형성된 광 감지소자, 광 감지소자를 포함하는 제 1 절연층 상에 형성된 제 2 절연층 그리고 제 2 절연층 상에 광 차단층과 중첩되도록 형성된 전극 패턴을 포함한다. 광 차단층에 의해 광 감지소자의 오동작이 방지되며, 광 차단층, 절연층 및 도전 패턴으로 이루어지는 캐패시터에 의해 광 차단층의 전위가 일정하게 유지됨으로써 광 감지소자의 출력 전류 특성이 안정적으로 유지된다.
백 라이트, 광 차단층, 광 감지소자, 캐패시터, 출력 전류

Description

액정 표시 장치 {Liquid crystal display}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부광의 세기(조도)에 따라 백 라이트의 밝기(휘도)가 조절되는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정(liquid crystal)의 전기-광학적 특성을 이용하는 액정 표시 장치는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 구분된다. 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 이용하는 능동 매트릭스 방식은 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하기 때문에 수동 매트릭스 방식에 비해 많이 사용되고 있다.
능동 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(TFT-LCD)는 두 개의 기판 사이에 액정이 주입된 표시 패널, 표시 패널의 배면에 위치되며 광원으로 이용되는 백 라이트(back light) 및 표시 패널을 구동시키기 위한 구동부(Drive IC)를 포함한다. 백 라이트로부터 제공되는 광이 표시 패널로 입사되고, 구동부로부터 제공되는 신호에 따라 배향된 액정에 의해 광이 변조되어 외부로 출사됨으로써 문자나 화상이 표시된다.
따라서 액정 표시 장치는 소비전력이 높은 백 라이트를 사용하기 때문에 휴 대용 전자기기를 구현하기 위해서는 전지의 용량 및 크기가 증가되어야 하는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해소하기 위해 외부광의 세기(조도)에 따라 백 라이트의 밝기(휘도)를 제어하여 소비전력을 감소시키는 방법이 제안되었다.
한국특허공개 10-2008-0106637호(2008. 12. 09. 공개)에는 주변 영역에 센서부를 형성하고, 센서부가 감지한 외부광의 세기에 따라 백 라이트의 광 공급을 제어하는 액정 표시 장치가 개시되어 있다.
그러나 상기 액정 표시 장치는 외부광의 입사량에 따라 광 전류를 발생하는 센서부가 도핑된 다결정 실리콘층으로 형성되기 때문에 백 라이트로부터 제공되는 광에 의해 외부광의 감지 효율이 저하되거나 오동작이 발생되는 문제점이 있다.
한국특허공개 10-2008-0035360호(2008. 04. 23. 공개)에는 광 차단 패턴에 의해 백 라이트로부터 제공되는 광이 차단됨으로써 광 감지소자의 오동작이 방지되는 액정 표시 장치가 개시되어 있다.
그러나 상기 액정 표시 장치는 광 차단 패턴이 독립적으로 형성되어 전기적으로 플로팅(floating)되기 때문에 광 감지소자를 구성하는 반도체막(실리콘막)에 임의의 바이어스(bias)를 제공하는 요인으로 작용하게 된다. 따라서 공핍 상태를 유지하는 반도체막에 임의의 바이어스가 제공될 경우 광 감지소자의 출력 전류가 변화되거나 오동작이 발생될 수 있다.
본 발명의 목적은 광 차단층에 의한 광 감지소자의 특성 저하가 방지될 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 광 차단층의 전위가 일정하게 유지될 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 제조 공정에 사용되는 마스크가 추가되지 않으며, 광 차단층의 전위가 일정하게 유지될 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 금속으로 형성된 광 차단층; 상기 광 차단층 상에 형성된 제 1 절연층; 상기 광 차단층 상부의 상기 제 1 절연층 상에 반도체층으로 형성된 광 감지소자; 상기 광 감지소자를 포함하는 상기 제 1 절연층 상에 형성된 제 2 절연층; 및 상기 제 2 절연층 상에 상기 광 차단층과 중첩되도록 형성된 전극 패턴을 포함한다.
상기 액정 표시 장치는 제 1 절연층 상에 서로 교차되도록 형성된 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인 사이에 연결된 박막 트랜지스터; 및 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 더 포함한다.
또한, 상기 액정 표시 장치는 상기 제 1 기판과 대향하도록 배치된 제 2 기판; 상기 제 2 기판 상에 형성된 공통 전극; 및 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 주입된 액정층을 더 포함한다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 절연층 상에 형성되며 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 상기 제 2 절연층; 상기 채널 영역의 상기 제 2 절연층 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 제 2 절연층 상에 형성되며, 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 반도체층이 노출되도록 콘택홀이 형성된 제 3 절연층; 및 상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 상기 콘택홀을 통해 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 반도체층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
본 발명의 액정 표시 장치는 외부광의 세기에 따라 백 라이트의 밝기가 조절됨으로써 소비전력이 감소될 수 있다. 외부광의 세기를 감지하는 광 감지소자의 하부에는 광 차단층이 형성되어 백 라이트로부터 제공되는 광이 차단되며, 광 차단층, 절연층 및 도전 패턴으로 이루어지는 캐패시터에 의해 광 차단층의 전위가 일정하게 유지된다. 상기 캐패시터의 정전용량을 극대화시키면 광 차단층에 인가되는 임의의 바이어스가 광 감지소자의 동작에 미치는 영향이 최소화될 수 있다. 따라서 광 차단층에 의해 광 감지소자의 오동작이 방지되며, 광 차단층의 전위가 일정하게 유지됨으로써 광 감지소자의 출력 전류 특성이 안정적으로 유지된다. 또한, 광 감지소자는 공정 조건이나 환경에 따라 외부광의 세기에 따른 출력 전류 특성이 표시 패널마다 다를 수 있으나, 본 발명에 따르면 광 차단층의 전위를 표시 패널마다 조절할 수 있기 때문에 외부광의 세기에 따른 광 감지소자의 출력 전류 특성이 일정 하게 될 수 있다.
광 차단층의 전위를 일정하게 유지하기 위해 광 차단층에 일정 전압을 인가할 수 있으나, 이 경우 광 차단층에 배선을 연결하기 위한 콘택홀 및 배선 제조 공정 단계 및 이를 위한 마스크가 추가되어야 한다. 그러나 본 발명은 박막 트랜지스터 제조 공정을 이용하여 광 차단층, 절연층 및 도전 패턴으로 이루어지는 상기 캐패시터를 형성함으로써 공정 단계 및 마스크가 추가되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 사시도로서, 화상을 표시하는 표시 패널(100)을 중심으로 설명한다.
표시 패널(100)은 서로 대향하도록 배치된 두 개의 기판(110 및 210)과, 두 개의 기판(110 및 210) 사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다. 백 라이트(도시안됨)로부터 제공되는 광이 액정층(300)으로 입사되고, 화소 전극(128) 및 공통 전극(230)에 인가된 전압에 의해 배향되는 액정에 의해 광이 변조된 후 기판(210)을 통해 외부로 출사됨으로써 문자나 화상이 표시된다.
기판(110)에는 매트릭스 형태로 배열된 다수의 게이트 라인(130) 및 데이터 라인(140)이 형성되고, 다수의 게이트 라인(130) 및 데이터 라인(140)에 의해 화소 영역(P)이 정의된다. 게이트 라인(130) 및 데이터 라인(140)이 교차되는 부분의 기판(110)에는 각 화소로 공급되는 신호를 제어하는 박막 트랜지스터(T), 박막 트랜지스터(T)와 연결된 화소 전극(128) 및 신호를 유지시키기 위한 캐패시터(도시안됨)가 형성된다. 또한, 기판(110)에는 외부광의 세기를 감지하기 위한 광 감지소자(도시안됨)가 형성된다.
기판(210)에는 컬러 필터(220) 및 공통 전극(230)이 형성된다. 그리고 기판(110 및 210)의 배면에는 편광판(150 및 240)이 각각 형성되며, 편광판(150)의 하부에는 광원으로서 백 라이트(도시안됨)가 배치된다.
또한, 표시 패널(100)에는 화소를 구동시키기 위한 구동부(LCD Drive IC; 도시안됨)가 실장된다. 구동부는 외부로부터 제공되는 전기적 신호를 주사 신호 및 데이터 신호로 변환하여 게이트 라인(130) 및 데이터 라인(140)으로 공급한다.
도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 설명하기 위한 단면도로서, 화소 영역(P) 및 소자 형성 영역(S)을 개략적으로 도시한다.
기판(110)은 화소 영역(P) 및 소자 형성 영역(S)을 포함한다. 소자 형성 영역(S)의 기판(110)에는 박막 트랜지스터(T), 캐패시터(도시안됨) 및 광 감지소자(D)가 형성된다.
먼저, 광 감지소자(D) 하부의 기판(110) 상에는 광 차단층(112)이 형성되고, 광 차단층(112)을 포함하는 기판(110) 상에는 제 1 절연층(114)이 형성된다. 광 차단층(112)은 백 라이트로부터 기판(110)을 통해 광 감지소자(D)로 제공되는 광을 차단하기 위한 것으로, 광이 투과되지 않도록 금속으로 형성된다.
제 1 절연층(114) 상에는 박막 트랜지스터(T) 및 광 감지소자(D)가 형성된다.
박막 트랜지스터(T)는 제 1 절연층(114) 상에 형성되며 채널 영역(116a), 소스 영역(116b) 및 드레인 영역(116c)을 포함하는 반도체층(116-1), 반도체층(116-1) 상에 형성된 제 2 절연층(118), 채널 영역(116a)의 제 2 절연층(118) 상에 형성된 게이트 전극(120a), 게이트 전극(120a)을 포함하는 제 2 절연층(118) 상에 형성되며 소스 영역(116b) 및 드레인 영역(116c)의 반도체층(116-1)이 노출되도록 콘택홀이 형성된 제 3 절연층(122) 그리고 제 3 절연층(122) 상에 형성되며 콘택홀을 통해 소스 영역(116b) 및 드레인 영역(116c)의 반도체층(116-1)과 연결된 소스 전극(124a) 및 드레인 전극(124b)을 포함한다. 반도체층(116-1)은 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘으로 형성된다.
광 감지소자(D)는 반도체층(116-2)으로 이루어지며, PN 접합 또는 PIN 접합 구조로 형성된다. 예를 들어, PIN 접합 구조는 서로 이격되어 배치된 P+형 고농도 불순물 영역(116e) 및 N+형 고농도 불순물 영역(116f), P+형 불순물 영역(116e)과 N+형 불순물 영역(116f) 사이에 배치된 진성 반도체 영역(116d) 그리고 N+형 불순물 영역(116f)에 인접된 N-형 저농도 불순물 영역(116g)을 포함한다. P+형 불순물 영역(116e) 및 N+형 불순물 영역(116f)은 제 2 및 제 3 절연층(118 및 122)에 형성된 콘택홀을 통해 전극(124c 및 124d)에 연결된다. 반도체층(116-2)은 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘으로 형성된다.
광 감지소자(D)는 광 신호를 전기 신호로 변환하는 반도체 소자로서, 역바이 어스 상태 즉, P+형 불순물 영역(116e)에는 음(-)의 전압이 인가되고, N+형 불순물 영역(116f)에는 접지 전압 또는 양(+)의 전압이 인가된 상태에서 광이 입사되면 전자와 정공이 진성 반도체 영역(116d)에 형성되는 공핍 영역(depletion region)을 따라 이동함으로써 전류가 흐르게 된다. 이에 의해 광의 세기에 비례하는 전류를 출력하게 된다. 따라서 광 감지소자(D)로부터 출력되는 전류에 따라 백 라이트의 밝기(휘도)가 조절되도록 함으로써 소비전력이 감소될 수 있다.
또한, 제 2 절연층(118) 상에는 광 차단층(112)과 중첩되도록 전극 패턴(120b)이 형성된다. 따라서 광 차단층(112), 제 1 절연층(114), 제 2 절연층(118) 및 전극 패턴(120b)의 적층 구조에 의해 캐패시터가 형성된다. 전극 패턴(120b)은 게이트 전극(120a)과 동일 물질로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(T) 및 광 감지소자(D)를 포함하는 소자 형성 영역(S) 및 화소 영역(P)의 기판(110) 상에는 평탄화층(126)이 형성되고, 평탄화층(126)에는 소스 전극(124a) 또는 드레인 전극(124b)이 노출되도록 비아홀이 형성된다. 그리고 화소 영역(P)을 포함하는 평탄화층(126) 상에는 비아홀을 통해 소스 전극(124a) 또는 드레인 전극(124b)과 연결되도록 화소 전극(128)이 형성된다.
도 3은 광 감지소자(D)와, 광 차단층(112), 제 1 절연층(114), 제 2 절연층(118) 및 전극 패턴(120b)에 의해 형성된 캐패시터의 동작을 설명하기 위한 등가 회로도이다.
광 감지소자(D)의 P+형 불순물 영역(116e) 및 N+형 불순물 영역(116f)에는 동작전압(-Vpn) 및 접지전압(OV)이 각각 인가되고, 전극 패턴(120b)에는 예를 들 어, 접지전압(OV)이 인가된다. 도면에서 캐패시터(Cp)는 광 차단층(112)과 P+형 불순물 영역(116e) 사이의 정전용량이고, 캐패시터(Cn)는 광 차단층(112)과 N+형 불순물 영역(116f) 사이의 정전용량이고, 캐패시터(Cpara)는 액정 표시 장치의 동작에 사용되는 소정의 동작전압(Vx)과 광 차단층(112) 사이의 정전용량을 도시한다. 또한, 캐패시터(Cfix)는 광 차단층(112), 절연층(114, 118) 및 전극 패턴(120b)의 적층 구조에 의한 정전용량을 도시한다.
광 차단층(112)에 인가될 수 있는 전압(Vshield)은 하기의 수학식 1과 같다.
Vshield = Cpara / (Cfix + Cpara) · Vx
상기 수학식 1을 통해 알 수 있듯이, 캐패시터(Cfix)의 정전용량이 캐패시터(Cpara)의 정전용량보다 크면 캐패시터(Cpara)의 정전용량에 의해 광 차단층(112)에 인가되는 바이어스가 광 감지소자(D)의 동작에 미치는 영향은 최소화될 수 있다. 즉, 상대적으로 크기가 작은 캐패시터(Cpara)의 정전용량은 무시될 수 있는 반면, 캐패시터(Cfix)의 정전용량에 의해 광 차단층(112) 및 접지 사이의 전위는 안정적으로 일정하게 유지됨으로써 광 감지소자(D)의 출력 전류 특성이 일정해질 수 있다.
본 발명의 효과를 극대화시키기 위해서는 캐패시터(Cfix)의 정정용량을 극대화시켜야 하며, 이를 위해 한정된 면적에서 최대의 정전용량을 구현하기 위해 도 4와 같이 전극 패턴(120b)이 광 감지소자(D)를 둘러싸도록 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 캐패시터(Cfix)의 유전체를 구성하는 제 1 절연층(114) 및 제 2 절연 층(118)의 두께를 최소화시키거나, 제 1 절연층(114) 또는 제 2 절연층(118)을 선택적으로 이용할 수 있다.
도 5a는 광 감지소자(D)의 P+형 불순물 영역(116e) 및 N+형 불순물 영역(116f)에 0 내지 -8V의 동작전압(-Vpn)이 인가되고, 캐패시터(Cpara)의 정전용량에 의해 광 차단층(112)에 소정 전압(Vx = +2V ~ -2V)의 바이어스가 인가되는 경우를 도시한 등가 회로도이다. 이 경우 도 5b에 도시된 바와 같이 광 차단층(112)에 인가되는 바이어스에 의해 광 감지소자(D)의 전류 특성이 변화된다. 이와 같은 전류 특성의 변화는 외부광의 세기(조도)에 따른 광 감지소자(D)의 출력 전류(Ipn) 특성이 불안정해지는 것을 의미한다.
도 6a는 광 감지소자(D)의 P+형 불순물 영역(116e) 및 N+형 불순물 영역(116f)에 0 내지 -8V의 동작전압(-Vpn)이 인가되고, 캐패시터(Cfix)의 정전용량에 의해 광 차단층(112)의 전위가 일정하게 유지되는 경우를 도시한 등가 회로도이다. 이 경우 캐패시터(Cpara)의 정전용량에 의해 광 차단층(112)에 소정 전압의 바이어스가 인가되더라도 도 6b에 도시된 바와 같이 광 감지소자(D)의 출력 전류 특성이 안정적으로 유지된다. 안정적인 전류 특성은 광 감지소자(D)의 출력 전류(Ipn)가 외부광의 세기에 따라 선형적으로 일정하게 변화되는 것을 의미한다.
한편, 광 감지소자(D)는 공정 조건이나 환경에 따라 외부광의 세기에 따른 출력 전류 특성이 표시 패널마다 다를 수 있다. 그러나 본 발명에 따르면 전극 패턴(120b)에 인가되는 전압을 조절하면 광 차단층(112)의 전위를 표시 패널마다 조절할 수 있기 때문에 외부광의 세기에 따른 광 감지소자(D)의 출력 전류 특성이 일 정하게 될 수 있다.
또한, 광 차단층(112)의 전위를 일정하게 유지하기 위해 광 차단층(112)에 직접적으로 일정 전압을 인가할 수 있다. 이 경우 광 차단층(112)에 배선을 연결하기 위한 콘택홀 및 배선 제조 공정 단계 및 이를 위한 마스크가 추가되어야 한다. 그러나 본 발명은 박막 트랜지스터(T) 제조 공정을 이용하여 광 차단층(112), 절연층(114, 118) 및 도전 패턴(120b)으로 이루어지는 캐패시터(Cfix)를 형성함으로써 별도의 공정 단계 및 마스크가 추가되지 않는다.
상기 실시예에서는 광 감지소자(D)를 다이오드로 구성한 경우를 설명하였으나, 박막 트랜지스터(T) 제조 공정을 이용하여 포토 트랜지스터로 구성할 수도 있다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 설명하기 위한 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 동작을 설명하기 위한 등가 회로도.
도 4는 광 감지소자 및 캐패시터를 도시한 평면도.
도 5a는 종래 액정 표시 장치에 구비된 광 감지소자의 등가 회로도.
도 5b는 종래 액정 표시 장치에 구비된 광 감지소자의 출력 전류 특성을 도시한 그래프.
도 6a는 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 구비된 광 감지소자의 등가 회로도.
도 6b는 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 구비된 광 감지소자의 출력 전류 특성을 도시한 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 액정 표시 장치 110, 210: 기판
112: 광 차단층 114: 제 1 절연층
116-1, 116-2: 반도체층 116a: 채널 영역
116b: 소스 영역 116c: 드레인 영역
116d: 진성 반도체 영역 116e: P+형 불순물 영역
116f: N+형 불순물 영역 116g: N-형 불순물 영역
118: 제 2 절연층 120a: 게이트 전극
120b: 전극 패턴 122: 제 3 절연층
124a: 소스 전극 124b: 드레인 전극
124c, 124d: 전극 126: 평탄화층
128: 화소 전극 130: 게이트 라인
140: 데이터 라인 150, 240: 편광판
220: 컬러 필터 230: 공통 전극
300: 액정층

Claims (11)

  1. 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 상에 금속으로 형성된 광 차단층;
    상기 광 차단층 상에 형성된 제 1 절연층;
    상기 광 차단층 상부의 상기 제 1 절연층 상에 반도체층으로 형성된 광 감지소자;
    상기 광 감지소자를 포함하는 상기 제 1 절연층 상에 형성된 제 2 절연층; 및
    상기 제 2 절연층 상에 상기 광 차단층과 중첩되도록 형성된 전극 패턴을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 광 감지소자는 상기 반도체층에 서로 이격되어 형성된 제 1 불순물 영역 및 제 2 불순물 영역을 포함하는 액정 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 광 감지소자는 상기 제 2 불순물 영역과 인접되어 형성된 제 3 불순물 영역을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 전극 패턴이 상기 광 감지소자를 둘러싸도록 형성된 액정 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연층 상에 서로 교차되도록 형성된 게이트 라인 및 데이터 라인;
    상기 게이트 라인 및 데이터 라인 사이에 연결된 박막 트랜지스터; 및
    상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 절연층 상에 형성되며 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층;
    상기 반도체층 상에 형성된 상기 제 2 절연층;
    상기 채널 영역의 상기 제 2 절연층 상에 형성된 게이트 전극;
    상기 게이트 전극을 포함하는 상기 제 2 절연층 상에 형성되며, 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 반도체층이 노출되도록 콘택홀이 형성된 제 3 절연층; 및
    상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 상기 콘택홀을 통해 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 반도체층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 반도체층이 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘으로 형성된 액정 표시 장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 전극 패턴이 상기 게이트 전극과 동일 물질로 형성 된 액정 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 대향하도록 배치된 제 2 기판;
    상기 제 2 기판 상에 형성된 공통 전극; 및
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 주입된 액정층을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 전극 패턴에 접지 전압이 인가되는 액정 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층이 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘으로 형성된 액정 표시 장치.
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