KR20110056819A - Organic light emitting diode with black microcavity - Google Patents
Organic light emitting diode with black microcavity Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110056819A KR20110056819A KR1020090113293A KR20090113293A KR20110056819A KR 20110056819 A KR20110056819 A KR 20110056819A KR 1020090113293 A KR1020090113293 A KR 1020090113293A KR 20090113293 A KR20090113293 A KR 20090113293A KR 20110056819 A KR20110056819 A KR 20110056819A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- organic light
- light emitting
- emitting diode
- electrode layer
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 17
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 172
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 유기발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 휘도가 증가되고 명실 명암비가 향상된 유기발광다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode, and more particularly, to an organic light emitting diode having increased brightness and improved contrast ratio.
유기발광다이오드는 전계가 가해지면 발광하는 성질을 가진 유기발광물질을 이용한 자발광소자로서 차세대 디스플레이 장치로 연구가 많이 이루어지고 있다. 유기발광다이오드는 양전극과 음전극, 그리고 그 사이에 형성된 유기발광층을 포함한다. 양전극과 음전극 사이에 전압이 인가되면 정공이 양전극으로부터 유기발광층 내로 주입되고, 전자는 음전극으로부터 유기발광층내로 주입된다. 유기발광층 내로 주입된 정공과 전자는 유기발광층에서 결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛이 방출된다.Organic light emitting diodes are self-light emitting devices using organic light emitting materials that emit light when an electric field is applied. The organic light emitting diode includes a positive electrode and a negative electrode, and an organic light emitting layer formed therebetween. When a voltage is applied between the positive electrode and the negative electrode, holes are injected from the positive electrode into the organic light emitting layer, and electrons are injected from the negative electrode into the organic light emitting layer. Holes and electrons injected into the organic light emitting layer combine in the organic light emitting layer to generate excitons, and light is emitted as the excitons transition from the excited state to the ground state.
전면방출형 유기발광다이오드는 양전극로 빛을 반사시킬 수 있는 물질을 사용하고, 음전극으로 빛을 투과시킬 수 있는 물질을 사용하여 유기발광층에서 발생된 광이 유기발광다이오드의 전면으로 효과적으로 방출되도록 한다. 그러나 양전극을 반사특성이 우수한 물질로 구성하는 경우 명실 명암비가 낮아지는 문제가 발생 된다. 즉, 전면으로 유입되는 외부광이 양전극에서 반사되며 명실 명암비를 떨어뜨리게 되는 것이다. 도 1은 종래의 전면방출형 유기발광다이오드에서 명실 명암비가 낮아지는 이유를 설명하기 위한 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래의 전면방출형 유기발광다이오드는 반사특성이 우수한 양전극(101), 광투과도가 높은 음전극(103), 양전극과 음전극 사이에 형성된 유기발광층(102) 및 유리기판(104)을 포함한다. 전면방출형 유기발광다이오드의 전면에서는 외부광이 유입되는데, 유입된 외부광은 반사특성이 우수한 물질로 이루어진 양전극(101)에서 반사되어 다시 전면으로 방출된다. 도 2는 반사특성이 우수한 양전극을 포함하는 유기발광다이오드의 외부광 반사특성을 나타낸 것이다. 도 2를 참조하면, 종래의 전면방출형 유기발광다이오드의 경우 가시광선 영역에서 빛의 반사도가 60~70%에 육박함을 알 수 있다. 이렇게 외부로 반사되는 외부광은 오프(off)되어야 할 화소가 일정 수준의 빛을 반사하게 하여 명실 명암비를 떨어뜨리게 만들고, 결과적으로 디스플레이 장치의 성능을 저하시키게 한다. The front emission type organic light emitting diode uses a material that can reflect light to the positive electrode and a material that can transmit light to the negative electrode so that the light generated in the organic light emitting layer is effectively emitted to the front surface of the organic light emitting diode. However, when the positive electrode is composed of a material having excellent reflection characteristics, the problem of lowering the contrast ratio occurs. In other words, the external light flowing to the front surface is reflected from the positive electrode, and the contrast ratio is reduced. 1 is a view for explaining the reason why the contrast ratio is lower in the conventional front emission type organic light emitting diode. Referring to FIG. 1, a conventional front emission type organic light emitting diode includes a
전면방출형 유기발광다이오드에서 명실 명암비를 증가시키기 위한 노력 중 하나는 원형편광기를 이용하는 것이다. 도 3은 원형편광기를 이용한 전면방출형 유기발광다이오드를 설명하기 위한 도면이다. 도 3의 (a)를 참조하면, 유기발광다이오드는 양전극(101), 음전극(103), 유기발광층(102) 및 유리기판(104)을 포함하고, 유리기판(104)의 전면에 원형편광층(105)이 형성되어 있다. 유기발광다이오드의 전면에서 유입되는 외부광은 원형편광층(105)을 통과하며 흡수되므로 외부로 반사되지 않는다. 도 3의 (b)와 (c)를 참조하면, 원형편광층(105)은 보호층(105a, 105c), 선형편광층(105b), 접착층(105d, 105f) 및 1/4 파장층(105e)을 포함한다. 외부광은 선형편광층을 통과하는 과정에서 일정한 방향의 편광만 통과하게 되고 나머지 방향의 편광은 통과하지 못한다. 선형편광층을 통과한 편광은 1/4 파장층을 통과하여 미러에서 반사되는데, 그 과정에서 편광의 방향이 90°로 변화하게 되어 선형편광층을 통과할 수 없게 된다. 이와 같이, 원형편광층은 외부광이 유기발광다이오드에서 반사될 수 없도록 하여 유기발광다이오드의 명실 명암비를 증가시키게 된다. 그러나 이러한 원형편광층을 사용한 유기발광다이오드는 선형편광층의 투과율이 40~45%이므로 유기발광층에서 발생된 빛의 50% 이상이 선형편광층에 흡수되어 휘도가 저하되는 문제점을 가지고, 선형편광층의 두께도 0.2㎜ 정도로 두꺼워서 디스플레이 소자의 전체적인 두께를 증가시키며, 추가적인 공정이 요구되므로 인테그레이트 소자를 제작하기 어려운 문제점을 가지고 있다.One of the efforts to increase the contrast ratio in front emission organic light emitting diodes is the use of circular polarizers. 3 is a view for explaining a front emission type organic light emitting diode using a circular polarizer. Referring to FIG. 3A, the organic light emitting diode includes a
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유기발광다이오드의 휘도를 증가시키는 동시에 명실 명암비를 향상시킬 수 있는 전면방출형 유기발광다이오드를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a front emission type organic light emitting diode capable of increasing the brightness of the organic light emitting diode and improving the contrast ratio.
본 발명은 상기 과제를 달성하기 위하여, 반사전극층, 상기 반사전극층 하부면에 형성된 유기발광층, 상기 유기발광층 하부면에 형성된 투명전극층, 및 상기 투명전극층 하부면에 형성된 블랙 마이크로캐비티를 포함하고, 상기 블랙 마이크로 캐비티는 상기 투명전극층의 하부면에 제1금속층, 유전층 및 제2금속층이 차례로 적층되어 이루어진 유기발광다이오드를 제공한다.The present invention includes a reflective electrode layer, an organic light emitting layer formed on the lower surface of the reflective electrode layer, a transparent electrode layer formed on the lower surface of the organic light emitting layer, and a black microcavity formed on the lower surface of the transparent electrode layer, the black The micro cavity provides an organic light emitting diode in which a first metal layer, a dielectric layer, and a second metal layer are sequentially stacked on a lower surface of the transparent electrode layer.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1금속층의 반사도는 제2금속층의 반사도보다 높은 것이 바람직하다.According to one embodiment of the invention, the reflectivity of the first metal layer is preferably higher than the reflectivity of the second metal layer.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 제1금속층의 흡광도는 제2금속층의 흡광도보다 낮은 것이 바람직하다.According to another embodiment of the present invention, the absorbance of the first metal layer is preferably lower than the absorbance of the second metal layer.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 제1금속층은 알루미늄 또는 은으로 이루어지고, 상기 제2금속층은 크롬, 몰리부덴 또는 티타늄으로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the first metal layer may be made of aluminum or silver, and the second metal layer may be made of chromium, molybdenum or titanium.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 블랙 마이크로캐비티의 제1전극층, 유전층 및 제2전극층의 두께는 상기 제1전극층, 유전층 및 제2전극층 각각에서 반사된 광이 상쇄간섭이 일어나도록 설정될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the thicknesses of the first electrode layer, the dielectric layer, and the second electrode layer of the black microcavity may be set such that the light reflected from each of the first electrode layer, the dielectric layer, and the second electrode layer is caused to cancel each other. Can be.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 투명전극층의 두께는 유기발광층에서 발생된 빛이 반사전극층과 제1금속층 사이에서 공진할 수 있도록 설정될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the thickness of the transparent electrode layer may be set so that light generated in the organic light emitting layer may resonate between the reflective electrode layer and the first metal layer.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 반사전극층은 알루미늄 또는 은으로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the reflective electrode layer may be made of aluminum or silver.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 투명전극층은 인듐 틴 옥사이드로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the transparent electrode layer may be made of indium tin oxide.
본 발명의 유기발광다이오드는 유기발광층에서 발광된 광이 반사전극층과 제1금속층 사이에서 공진하여 전면으로 방출되는 광의 세기가 증가하므로 휘도가 증가된다. 또한 전면으로 공급되는 외부광이 블랙 마이크로캐비티에 의하여 상쇄간섭을 일으키며 소멸되므로 명실 명암비가 증가한다. 이와 같이 본 발명에 적용되는 블랙 마이크로 캐비티는 유기발광층에서 발광된 광을 공진시키는 마이크로캐비티 기능과 외부광을 흡수하는 블랙 필름 기능을 동시에 구현하므로, 휘도의 증가와 명실 명암비 향상의 효과를 동시에 달성할 수 있도록 한다.In the organic light emitting diode of the present invention, since the light emitted from the organic light emitting layer resonates between the reflective electrode layer and the first metal layer, the intensity of light emitted to the front surface of the organic light emitting diode increases, thereby increasing the luminance. In addition, since the external light supplied to the front is canceled by the black micro-cavity to cancel the interference, the contrast ratio increases. As described above, the black microcavity applied to the present invention simultaneously implements the microcavity function of resonating the light emitted from the organic light emitting layer and the black film function of absorbing external light, thereby simultaneously achieving the effect of increasing the brightness and improving the contrast ratio. To help.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.
본 발명의 유기발광다이오드는 반사전극층, 상기 반사전극층 하부면에 형성된 유기발광층, 상기 유기발광층 하부면에 형성된 투명전극층 및 상기 투명전극층 하부면에 형성된 블랙 마이크로캐비티를 포함하고, 상기 블랙 마이크로캐비티는 상기 투명전극층의 하부면에 제1금속층, 유전층 및 제2금속층이 차례로 적층되어 있는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting diode of the present invention includes a reflective electrode layer, an organic light emitting layer formed on the lower surface of the reflective electrode layer, a transparent electrode layer formed on the lower surface of the organic light emitting layer, and a black microcavity formed on the lower surface of the transparent electrode layer, wherein the black microcavity is The first metal layer, the dielectric layer, and the second metal layer are sequentially stacked on the lower surface of the transparent electrode layer.
본 발명의 유기발광다이오드는 상기의 구조적 특징에 의하여 휘도를 증가시킬 수 있는 마이크로캐비티(microcavity)와 명실 명암비(ambient contrast)를 향상시킬 수 있는 블랙 필름(black film) 기능을 동시에 구현할 수 있다.The organic light emitting diode of the present invention can implement a black film function that can improve the microcavity and the contrast contrast which can increase the luminance by the above structural features.
마이크로캐비티는 두 개의 반사층 사이에 광을 가두고 반복되는 반사 작용을 일으켜 특정 파장대의 광 세기를 강화시키고, 다른 파장대의 광 세기를 감소시킨다. 전면방출형 유기발광다이오드(organic light emitting diode, OLED)에 마이크 로캐비티를 적용하면 휘도가 발광효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 유기발광다이오드의 유기발광층에서 방출된 광은 유리기판을 통하여 디스플레이 외부로 방향성 없이 방출되는데, 유기발광층의 양면에 반사도가 높은 두 가지 물질층을 형성하여 마이크로캐비티 구조를 만들면 광의 공진이 일어나며 한쪽 방향(디스플레이 장치의 전면반향)으로 강화된 광을 방출할 수 있다. 따라서 결과적으로 유기발광다이오드의 휘도와 발광효율을 증가시킬 수 있다.The microcavity traps light between the two reflective layers and causes repeated reflections to enhance the light intensity of a certain wavelength band and reduce the light intensity of another wavelength band. When the microcavity is applied to a front emission organic light emitting diode (OLED), luminance can improve luminous efficiency. That is, the light emitted from the organic light emitting layer of the organic light emitting diode is emitted to the outside of the display through the glass substrate without directivity. When two layers of highly reflective materials are formed on the both sides of the organic light emitting layer to form a microcavity structure, light resonance occurs and one side Intensified in the direction (front-facing of the display device). As a result, the luminance and luminous efficiency of the organic light emitting diode can be increased.
블랙 필름은 유기발광다이오드의 전면부에 형성되어 외부광이 유기발광다이오드에서 반사되어 명실 명암비가 저하되는 것을 방지할 수 있게 한다. 일반적으로 디스플레이 장치의 명실 명암비를 결정하는 인자는 휘도 반사율(luminance reflectance)이다. 명실 명암비는 하기의 수학식 1로 표현된다.The black film is formed on the front surface of the organic light emitting diode to prevent external light from being reflected by the organic light emitting diode to lower the brightness and contrast ratio. In general, a factor that determines the contrast ratio of a display device is luminance reflectance. The clear contrast ratio is expressed by the following equation (1).
수학식 1
CR = (Lon + RdLambient)/(Loff + RdLambient)CR = (L on + RdL ambient ) / (L off + RdL ambient )
CR:명실 명암비CR: Real contrast ratio
( Lon: full white 상태의 휘도(L on : brightness of full white
Loff: black 상태의 휘도L off : Luminance in black state
Rd: 휘도 반사율Rd: luminance reflectance
Lambient: 외부광의 휘도 )L ambient : Luminance of external light)
상기의 수학식 1에 따라, 명실명암비를 향상시키기 위해서는 유기발광다이오드의 휘도 반사율을 감소시켜야 한다. 전면방출형 유기발광다이오드는 유기발광층에서 발생된 광을 전면으로 반사시키도록 반사특성이 우수한 물질층을 유기발광층의 후면에 형성하는데, 블랙필름을 이용하면 유기발광다이오드의 내부로 유입된 외부광이 반사되어 다시 전면으로 방출되는 것을 방지할 수 있으므로 명실 명암비가 증가된다.According to
도 4는 본 발명의 유기발광다이오드의 단면을 도시한 것이다. 도 4를 참조하면, 유기발광다이오드는 반사전극층(401), 유기발광층(402), 투명전극층(403), 제1금속층(404), 유전층(405), 제2금속층(406) 및 기판(407)을 포함한다. 반사전극층(401)과 투명전극층(403) 사이에 전계가 인가되면 유기발광층(402)에서 광이 발생되고, 발생된 광의 일부는 반사전극층(401)에서 반사되지 않고 전면으로 방출되고, 일부는 반사전극층(401)에서 반사되어 전면으로 방출된다. 또한 외부광은 기판(407)을 통하여 내부로 유입되어 반사전극층(401), 제1금속층(404) 및 제2금속층(406)에서 반사된다.4 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode of the present invention. Referring to FIG. 4, the organic light emitting diode includes a
도 5는 본 발명의 유기발광다이오드에서 일어나는 마이크로캐비티에 의한 광의 공진과 블랙 필름에 의한 외부광의 소멸간섭을 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 (a)를 참조하면, 유기발광층(402)에서 발생된 광은 반사전극층(401)과 제1금속층(404)에 의하여 공진된다. 유기발광층(402)에서 발생된 광은 전면으로 방출되기 전에 반사전극층(401)과 제1금속층(404)에서 반사되며 특정 파장대의 광 세기가 강화되어 전면으로 방출된다. 이때, 유기발광층(402)에서 방출된 광이 결과적으로 유 기발광다이오드의 전면부로 방출되게 하기 위하여 제1금속층은 광이 투과할 수 있도록 상대적으로 얇은 두께로 형성되어야 하고, 반사전극층은 광이 투과할 수 없도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성되어야 한다. 반사전극층은 반사특성이 우수한 알루미늄이나 은과 같은 금속물질로 이루어질 수 있다. 본 발명에서는, 투명전극층(403)의 두께를 조절하여 광 세기가 강화되는 광의 파장대를 조절할 수 있다. 즉, 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)와 같이 일정한 굴절율을 가지는 투명전극층 형성물질의 두께를 조절하면, 공진되는 광의 파장대를 원하는대로 조절할 수 있는 것이다. 또한 이러한 투명전극층의 두께를 조절하여 유기발광다이오드의 색순도를 조절할 수도 있다. 도 5의 (b)를 참조하면, 본 발명의 블랙 마이크로캐비티는 제1금속층(404), 유전층(405) 및 제2금속층(406)으로 이루어질 수 있는데, 유리와 같이 투명한 물질로 이루어진 기판을 통과한 외부광은 제1금속층(404) 및 제2금속층(406)에서 반사된다. 제1전극층, 유전층 및 제2전극층의 두께는 제1금속층(404) 및 제2금속층(406)에서 반사된 외부광이 소멸간섭되어 상쇄되도록 조절할 수 있다. 앞에서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 유기발광다이오드의 내부로 유입된 외부광의 대부분은 제1금속층(404) 및 제2금속층(406)에서 반사되며 소멸간섭으로 상쇄되고, 반사전극층(401)까지 공급된 일부 외부광도 다시 제1금속층에 의하여 흡수되어 소멸된다. 따라서, 외부광은 유기발광다이오드에서 거의 반사되지 못하므로 명실 명암비가 향상되는 결과를 가져온다.5 is a view for explaining the resonance of light caused by the microcavity and the extinction interference of external light by the black film in the organic light emitting diode of the present invention. Referring to FIG. 5A, light generated in the organic
본 발명의 유기발광다이오드에 적용되는 블랙 마이크로캐비티가 마이크로캐비티와 블랙 필름의 기능을 동시에 수행하기 위해서는 블랙 마이크로캐비티를 구성 하는 각 층의 물성이 제어되는 것이 바람직하다. 먼저, 마이크로캐비티 기능이 확보되기 위하여 제1금속층은 제2금속층에 비하여 반사도가 높은 것이 유리하다. 이는 유기발광층에서 발생된 광이 반사전극층과 제1금속층 사이에서 반사되며 공진되게 하기 위함이다. 다음으로, 블랙 필름의 기능을 위한 제1금속층과 제2금속층의 물성을 살펴보면, 제1금속층의 흡광도가 제2금속층의 흡광도보다 상대적으로 낮은 것이 유리하다. 이는 유기발광다이오드의 내부에서 반사된 외부광을 제2금속층에서 효과적으로 흡수하기 위함이고, 유기발광층에서 발생된 광이 제1금속층을 효과적으로 투과하여야 하는 것과도 관련된다. 상기와 같은 특성을 고려하여 제1금속층으로는 알루미늄 또는 은과 같은 높은 반사도 및 낮은 흡광도를 가지는 금속물질이 사용되는 것이 바람직하고, 제2금속층으로는 크롬, 몰리부덴 또는 티타늄과 같은 낮은 반사도 및 높은 흡광도를 가지는 금속물질이 사용되는 것이 바람직하다. 제1금속층과 제2금속층 사이에 게재되는 유전층은 유기발광다이오드로 유입되는 외부광의 상(phase)을 변화시켜 소멸간섭을 유도하는 기능을 하게 되는데, 블랙 마이크로캐비티의 제1전극층, 유전층 및 제2전극층의 물질과 두께는 제1전극층, 유전층 및 제2전극층 각각에서 반사된 광이 상쇄간섭이 일어나도록 설정되어야 한다.In order for the black microcavity applied to the organic light emitting diode of the present invention to simultaneously perform the functions of the microcavity and the black film, it is preferable that the physical properties of each layer constituting the black microcavity are controlled. First, in order to secure the microcavity function, it is advantageous that the first metal layer has a higher reflectance than the second metal layer. This is to cause the light generated in the organic light emitting layer to be reflected and resonate between the reflective electrode layer and the first metal layer. Next, looking at the physical properties of the first metal layer and the second metal layer for the function of the black film, it is advantageous that the absorbance of the first metal layer is relatively lower than the absorbance of the second metal layer. This is to effectively absorb the external light reflected from the inside of the organic light emitting diode in the second metal layer, and also relates to the light generated in the organic light emitting layer must effectively transmit the first metal layer. In consideration of the above characteristics, a metal material having high reflectivity and low absorbance, such as aluminum or silver, is preferably used as the first metal layer, and low reflectivity and high such as chromium, molybdenum or titanium are used as the second metal layer. Preferably, a metal material having absorbance is used. The dielectric layer disposed between the first metal layer and the second metal layer changes the phase of external light flowing into the organic light emitting diode to induce extinction interference. The first electrode layer, the dielectric layer, and the second layer of the black microcavity The material and thickness of the electrode layer should be set so that the light reflected from each of the first electrode layer, the dielectric layer, and the second electrode layer causes a destructive interference.
이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to preferred examples. However, these examples are intended to illustrate the present invention in more detail, it will be apparent to those skilled in the art that the scope of the present invention is not limited thereby.
실시예 1-1Example 1-1
유리기판 위에 두께 12nm의 크롬(Cr)층, 두께 40nm의 산화실리콘(SiO2)층, 두께 160nm의 은(Ag)층, 두께 115nm의 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)층, 두께 140nm의 유기발광층 및 반사도 90% 이상의 알루미늄층이 형성된 유기발광다이오드에 대한 조건을 설정하고 파장 대 휘도 및 외광반사도에 대한 시뮬레이션을 실행하였다.A 12 nm thick chromium (Cr) layer, a 40 nm thick silicon oxide (SiO 2 ) layer, a 160 nm thick silver (Ag) layer, a 115 nm thick indium tin oxide layer, and an 140 nm thick organic light emitting layer And conditions for the organic light emitting diode on which an aluminum layer having a reflectance of 90% or more was formed, and simulations of wavelength versus luminance and external light reflectivity were performed.
실시예 1-2Example 1-2
은(Ag)층의 두께를 18nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.The simulation was performed under the same conditions as in Example 1-1 except that the thickness of the silver (Ag) layer was set to 18 nm.
실시예 1-3Example 1-3
은(Ag)층의 두께를 20nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.The simulation was performed under the same conditions as in Example 1-1 except that the thickness of the silver (Ag) layer was set to 20 nm.
실시예 1-4Example 1-4
은(Ag)층의 두께를 22nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.The simulation was performed under the same conditions as in Example 1-1 except that the thickness of the silver (Ag) layer was set to 22 nm.
실시예 1-5Examples 1-5
은(Ag)층의 두께를 24nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.The simulation was performed under the same conditions as in Example 1-1 except that the thickness of the silver (Ag) layer was set to 24 nm.
실시예 1-6Example 1-6
은(Ag)층의 두께를 26nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.The simulation was performed under the same conditions as in Example 1-1 except that the thickness of the silver (Ag) layer was set to 26 nm.
실시예 1-7Example 1-7
크롬(Cr)층의 두께를 10nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-3과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.The simulation was performed under the same conditions as in Example 1-3 except that the thickness of the chromium (Cr) layer was set to 10 nm.
실시예 1-8Example 1-8
크롬(Cr)층의 두께를 11nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-3과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.The simulation was performed under the same conditions as in Example 1-3 except that the thickness of the chromium (Cr) layer was set to 11 nm.
실시예 1-9Example 1-9
크롬(Cr)층의 두께를 13nm로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1-3과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.The simulation was performed under the same conditions as in Example 1-3 except that the thickness of the chromium (Cr) layer was set to 13 nm.
비교예1-1Comparative Example 1-1
두께 12nm의 크롬(Cr)층, 두께 40nm의 산화실리콘(SiO2)층, 두께 160nm의 은(Ag)층 및 두께 115nm의 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)층 대신에 원형편광층을 적용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.Except for applying the circularly polarized layer instead of the chromium (Cr) layer having a thickness of 12 nm, the silicon oxide (SiO 2 ) layer having a thickness of 40 nm, the silver (Ag) layer having a thickness of 160 nm, and the indium tin oxide layer having a thickness of 115 nm. Then, the simulation was performed under the same conditions as in Example 1-1.
비교예1-2Comparative Example 1-2
두께 12nm의 크롬(Cr)층, 두께 40nm의 산화실리콘(SiO2)층, 두께 160nm의 은(Ag)층 및 두께 115nm의 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide)층을 적용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 조건에서 시뮬레이션을 실행하였다.Except that 12 nm chromium (Cr) layer, 40 nm thick silicon oxide (SiO 2 ) layer, 160 nm thick silver (Ag) layer, and 115 nm thick indium tin oxide layer were not applied. The simulation was performed under the same conditions as in Example 1-1.
평가예 1Evaluation example 1
실시예 1-1 내지 실시예 1-4 및 비교예 1-1에 대한 파장 대 휘도곡선은 도 6의 (a)와 같았다. 도 6의 (a)를 참조하면, 실시예 1-1 내지 실시예 1-4의 유기발광다이오드는 비교예 1-1의 유기발광다이오드에 비하여 휘도가 현저히 상승하였다. 도 6의 (a) 그래프 내부에 표시된 괄호 안의 수치는 상대적인 휘도비 또는 발광효율비를 나타낸다. 실시예 1-1 내지 실시예 1-4에서는 은층의 두께가 얇을수록 휘도 또는 발광효율이 높았다. 이러한 결과는, 비교예 1-1의 경우는 유기발광층에서 발생된 광의 많은 부분이 원형편광층에서 흡수되기 때문이다.The wavelength-to-luminance curves for Examples 1-1 to 1-4 and Comparative Example 1-1 were as shown in FIG. Referring to FIG. 6A, luminance of the organic light emitting diodes of Examples 1-1 to 1-4 was significantly increased as compared with the organic light emitting diode of Comparative Example 1-1. The numerical values in parentheses shown in the graph of FIG. 6A indicate relative luminance ratios or luminous efficiency ratios. In Examples 1-1 to 1-4, the thinner the thickness of the silver layer, the higher the luminance or the luminous efficiency. This result is because, in Comparative Example 1-1, much of the light generated in the organic light emitting layer is absorbed in the circularly polarized layer.
평가예 2Evaluation example 2
실시예 1-2 내지 실시예 1-6 및 비교예 1-2에 대한 파장 대 외광반사도는 도 6의 (b)와 같았다. 도 6의 (b)를 참조하면, 실시예 1-2 내지 실시예 1-6의 유기발광다이오드는 비교예의 유기발광다이오드에 비하여 외광반사도가 현저히 낮았으며, 은층의 두께가 두꺼울수록 외광반사도가 더 낮았다. Wavelength to external light reflectivity for Examples 1-2 to Examples 1-6 and Comparative Examples 1-2 were the same as in FIG. Referring to (b) of FIG. 6, the organic light emitting diodes of Examples 1-2 to 1-6 had significantly lower external light reflectance than the organic light emitting diode of Comparative Example, and the thicker the silver layer, the more external light reflectivity. Low.
평가예 3Evaluation Example 3
실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9 및 비교예 1-1에 대한 파장 대 휘도곡선은 도 7의 (a)와 같았다. 도 7의 (a)를 참조하면, 실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9의 유기발광다이오드는 비교예 1-1의 유기발광다이오드에 비하여 휘도가 현저히 상승하였다. 도 7의 (a) 그래프 내부에 표시된 괄호 안의 수치는 상대적인 휘도비 또는 발광효율비를 나타낸다. 실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9에서는 크롬층의 두께가 얇을수록 휘도 또는 발광효율이 높았다. 이러한 결과는, 비교예 1-1의 경우는 유기발광층에서 발생된 광의 많은 부분이 원형편광층에서 흡수되기 때문이다.The wavelength-to-luminance curves for Examples 1-3, Examples 1-7 to Examples 1-9, and Comparative Example 1-1 were as shown in FIG. Referring to (a) of FIG. 7, the organic light emitting diodes of Examples 1-3 and Examples 1-7 to 1-9 had a significantly higher luminance than the organic light emitting diodes of Comparative Example 1-1. The numerical values in parentheses shown in the graph of FIG. 7A indicate relative luminance ratios or luminous efficiency ratios. In Examples 1-3 and Examples 1-7 to 1-9, the thinner the chromium layer, the higher the luminance or the luminous efficiency. This result is because, in Comparative Example 1-1, much of the light generated in the organic light emitting layer is absorbed in the circularly polarized layer.
평가예 4Evaluation example 4
실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9 및 비교예 1-2에 대한 파장 대 외광반사도는 도 7의 (b)와 같았다. 도 7의 (b)를 참조하면, 실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9의 유기발광다이오드는 비교예 1-2의 유기발광다이오드에 비하여 외광반사도가 현저히 낮았으며, 크롬층의 두께가 두꺼울수록 외광반사도가 더 낮았다. Wavelength versus external light reflectivity for Examples 1-3, Examples 1-7 to Examples 1-9, and Comparative Examples 1-2 were as shown in FIG. Referring to FIG. 7B, the organic light emitting diodes of Examples 1-3 and Examples 1-7 to 1-9 had a significantly lower external light reflectivity than the organic light emitting diodes of Comparative Examples 1-2. The thicker the chromium layer, the lower the external light reflectivity.
상기와 같은 시뮬레이션 결과를 검토하면, 본 발명의 유기발광다이오드는 원형편광층을 적용한 경우보다 휘도 및 발광효율이 현저히 높고, 원형편광층을 적용하지 않은 경우에 비하여 외광반사도가 현저히 낮음을 알 수 있다. 은층이나 크롬층의 두께가 얇을수록 휘도가 증가하고, 두꺼울수록 외광반사도가 낮아지는 경향을 보이고 있으므로, 휘도 또는 명실 명암비가 적절한 수준이 되는 조건에서 은층이나 크롬층의 두께를 설정하는 것이 바람직할 것이다.Examining the simulation results as described above, the organic light emitting diode of the present invention can be seen that the luminance and luminous efficiency is significantly higher than when the circular polarization layer is applied, and the external light reflectivity is significantly lower than when the circular polarization layer is not applied. . As the thickness of the silver or chromium layer is thinner, the luminance increases and the thickness of the chromium layer tends to decrease the external light reflectivity. .
도 1은 종래의 전면방출형 유기발광다이오드에서 명실 명암비가 낮아지는 이유를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining the reason why the contrast ratio is lower in the conventional front emission type organic light emitting diode.
도 2는 반사특성이 우수한 양전극을 포함하는 유기발광다이오드의 외부광 반사특성을 나타낸 것이다. 2 illustrates external light reflection characteristics of an organic light emitting diode including a positive electrode having excellent reflection characteristics.
도 3은 원형편광기를 이용한 전면방출형 유기발광다이오드를 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining a front emission type organic light emitting diode using a circular polarizer.
도 4는 본 발명의 유기발광다이오드의 단면을 도시한 것이다. 4 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode of the present invention.
도 5는 본 발명의 유기발광다이오드에서 일어나는 마이크로캐비티에 의한 광의 공진과 블랙 필름에 의한 외부광의 소멸간섭을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a view for explaining the resonance of light caused by the microcavity and the extinction interference of external light by the black film in the organic light emitting diode of the present invention.
도 6은 실시예 1-1 내지 실시예 1-4 및 비교예 1-1에 대한 파장 대 휘도곡선과, 실시예 1-2 내지 실시예 1-6 및 비교예 1-2에 대한 파장 대 외광반사도 곡선을 나타낸 것이다.6 shows wavelength versus luminance curves for Examples 1-1 to 1-4 and Comparative Example 1-1, and wavelengths versus external light for Examples 1-2 to Example 1-6 and Comparative Examples 1-2. The reflectance curve is shown.
도 7은 실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9 및 비교예 1-1에 대한 파장 대 휘도곡선과, 실시예 1-3 및 실시예 1-7 내지 실시예 1-9 및 비교예 1-2에 대한 파장 대 외광반사도 곡선을 나타낸 것이다.7 shows wavelength versus luminance curves for Examples 1-3 and Examples 1-7 to 1-9 and Comparative Example 1-1, and Examples 1-3 and Examples 1-7 to 1- Wavelength versus external light reflectivity curves for 9 and Comparative Examples 1-2 are shown.
Claims (8)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090113293A KR101114253B1 (en) | 2009-11-23 | 2009-11-23 | Organic light emitting diode with black microcavity |
PCT/KR2010/005040 WO2011062351A1 (en) | 2009-11-23 | 2010-07-30 | Organic light-emitting diode comprising a black micro-cavity |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090113293A KR101114253B1 (en) | 2009-11-23 | 2009-11-23 | Organic light emitting diode with black microcavity |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110056819A true KR20110056819A (en) | 2011-05-31 |
KR101114253B1 KR101114253B1 (en) | 2012-03-05 |
Family
ID=44059798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090113293A KR101114253B1 (en) | 2009-11-23 | 2009-11-23 | Organic light emitting diode with black microcavity |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101114253B1 (en) |
WO (1) | WO2011062351A1 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101271413B1 (en) * | 2011-12-09 | 2013-06-05 | 한국과학기술원 | High contrast organic light emitting device and display apparatus comprising the same |
KR20130143308A (en) * | 2012-06-21 | 2013-12-31 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Black matrix coated substrate and oled display device comprising the same |
US10379395B2 (en) | 2016-04-26 | 2019-08-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Color conversion panel and display device including the same |
WO2022050454A1 (en) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 엘지전자 주식회사 | Display apparatus |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150051479A (en) | 2013-11-04 | 2015-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus and a method for preparing the same |
CN107195797B (en) | 2017-06-28 | 2019-11-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of display base plate and display device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100601381B1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flat panel display apparatus and fabricating method of the same |
JP4515274B2 (en) * | 2005-01-31 | 2010-07-28 | 大日本印刷株式会社 | Inorganic light emitting display |
JP4817789B2 (en) * | 2005-10-07 | 2011-11-16 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | Organic EL display device |
KR101434361B1 (en) * | 2007-10-16 | 2014-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | White organic light emitting device and color display apparatus employing the same |
-
2009
- 2009-11-23 KR KR1020090113293A patent/KR101114253B1/en active IP Right Grant
-
2010
- 2010-07-30 WO PCT/KR2010/005040 patent/WO2011062351A1/en active Application Filing
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101271413B1 (en) * | 2011-12-09 | 2013-06-05 | 한국과학기술원 | High contrast organic light emitting device and display apparatus comprising the same |
KR20130143308A (en) * | 2012-06-21 | 2013-12-31 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Black matrix coated substrate and oled display device comprising the same |
US10379395B2 (en) | 2016-04-26 | 2019-08-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Color conversion panel and display device including the same |
WO2022050454A1 (en) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 엘지전자 주식회사 | Display apparatus |
US11984469B2 (en) | 2020-09-04 | 2024-05-14 | Lg Electronics Inc. | Display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101114253B1 (en) | 2012-03-05 |
WO2011062351A1 (en) | 2011-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4730469B2 (en) | Display device | |
KR101114253B1 (en) | Organic light emitting diode with black microcavity | |
KR102090276B1 (en) | Organic light emitting diode display and optical film | |
KR100855659B1 (en) | Display unit | |
US9680132B1 (en) | Display device and optical film | |
JP4655959B2 (en) | Display element | |
US20140131679A1 (en) | Organic light emitting devices | |
US20110068361A1 (en) | High performance light-emitting devices | |
JP4454354B2 (en) | Luminescent display device | |
US8227976B2 (en) | Display apparatus | |
KR20120041949A (en) | Display device and method of manufacturing a display device | |
JP4548404B2 (en) | Display device | |
US10763316B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
JP2010287562A (en) | Display device | |
WO2007004106A1 (en) | Light-emitting device | |
CN110890476B (en) | Display panel and display device | |
KR20150076000A (en) | Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same | |
WO2014049876A1 (en) | Organic el element | |
KR102458598B1 (en) | Organic Light Emitting Diode Display Device | |
WO2017075880A1 (en) | Oled display and display module thereof | |
KR20150137204A (en) | Organic Electro-Luminescence Device | |
TWI747382B (en) | Light emitting device | |
EP4053929B1 (en) | Light-emitting device with improved light emission efficiency and display apparatus including the same | |
JP2010129452A (en) | Organic light-emitting element, and display device using it | |
KR102450191B1 (en) | Organic light emitting diodes display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150122 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160201 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161228 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171227 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200102 Year of fee payment: 9 |