KR20110049553A - Transparent conductive subtrate for touch panel and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A transparent conductive material for a touch panel and manufacturing method thereof are provided to supply very good outer tube by not visually showing a boundary of a pattern unit and a non pattern unit. CONSTITUTION: A transparent conductive substrate is comprised by successively laminating a transparent substrate layer(10), a middle reflection undercoating layer(20), a low reflection undercoating layer(30), and a transparent conductive layer(40). Difference of an average reflection rate of a visible light between the pattern unit which removed the transparent conductive layer and a non pattern which did not removed the transparent conductive layer is under 0.1%.

Description

터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법{TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBTRATE FOR TOUCH PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Transparent conductive base material for touch panel and manufacturing method therefor {TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBTRATE FOR TOUCH PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 투명 도전성 기재의 패턴부와 비패턴부의 반사율 차이를 최소화하여 시각적인 외관 성능을 크게 향상시킨 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent conductive substrate for a touch panel and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a touch panel transparent conductive substrate that greatly improves visual appearance performance by minimizing the difference in reflectance between the pattern portion and the non-pattern portion of the transparent conductive substrate. And to a method for producing the same.

디지털 기술을 이용하는 컴퓨터가 발달함에 따라 그에 따른 보조 장치들도 함께 개발되고 있다. 이 중 키보드와 마우스는 외부 데이터를 컴퓨터로 입력하는 데 사용되는 장치로서, 키보드는 키들을 타이핑하여 데이터를 입력하는 것이고 마우스는 화면상에서 커서 또는 다른 물체를 이동시킬 때 사용하는 입력 장치이다. 그런데, 보다 효과적이고 간편한 방법은 사용자가 컴퓨터에 연결된 모니터의 스크린을 터치함에 따라 데이터를 컴퓨터로 입력하여 명령을 내리는 것이다. As computers using digital technology are developed, auxiliary devices are also being developed. Among them, a keyboard and a mouse are used to input external data into a computer. The keyboard is used to input data by typing keys, and a mouse is an input device used to move a cursor or other object on the screen. However, a more effective and convenient way is to input data to a computer as a user touches the screen of a monitor connected to the computer to issue a command.

예컨대, 컴퓨터를 이용하여 그래픽을 처리할 때, 키보드나 마우스를 사용하여 작업하는 것에 비해 사용자가 직접 펜을 사용하여 종이에 그래픽을 그리는 것이 훨씬 용이하기 때문에 사람들이 컴퓨터를 이용하여 그래픽을 처리하는데 있어서 많 은 불편을 겪고 있다. 그러나 터치 펜을 사용하여 터치 패널의 화면에서 직접 그래픽을 처리하게 되면 마치 종이에 직접 그림을 그리는 것과 같은 원리이기 때문에 그래픽 작업을 매우 쉽고 정교하게 처리할 수 있다. 이에 따라, 최근에는 터치 패널이 구비된 휴대용 장치들이 많이 보급되고 있는 실정이다.For example, when using a computer to process graphics, it is much easier for a user to process graphics using a computer because it is much easier for a user to draw graphics on paper using a pen directly than to work with a keyboard or mouse. There is a lot of inconvenience. However, if you use the touch pen to process graphics directly on the screen of the touch panel, you can handle graphics work very easily and precisely because it is like drawing a picture directly on paper. Accordingly, in recent years, a lot of portable devices with a touch panel have been widely used.

이러한 터치 패널을 구현하는 방식에는 위치 검출의 방법에 따라 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 적외선 방식 등이 있다.The touch panel may include a resistive film type, a capacitive type, an ultrasonic type, an infrared type, and the like according to a position detection method.

저항막 방식은 투명 전극층(ITO막)이 코팅되어 있는 두 장의 기판을 도트 스페이서(Dot Spacer)를 사이에 두고 투명 전극층이 서로 마주보게 합착시키는 구조로 이루어진다. 손가락이나 펜 등에 의해 상부 기판을 접촉하였을 때 위치 검출을 위한 신호가 인가되며, 하부 기판의 투명 전극층과 접촉되었을 때 전기적 신호를 검출하여 위치를 결정한다. 이 방식은 응답속도와 경제성이 높은 반면에 내구성이 저하되고 파손의 위험이 큰 단점이 있다.In the resistive film method, the two substrates on which the transparent electrode layer (ITO film) is coated are bonded to each other so that the transparent electrode layers face each other with a dot spacer interposed therebetween. When the upper substrate is contacted by a finger or a pen, a signal for position detection is applied. When the upper substrate is in contact with the transparent electrode layer of the lower substrate, an electrical signal is detected to determine a position. While this method has high response speed and economical efficiency, it has a disadvantage of low durability and high risk of breakage.

정전용량 방식은 터치 화면 센서를 구성하는 기재 필름의 일면에 전도성 금속 물질을 코팅 처리하여 투명 전극을 형성하고 일정량의 전류를 유리표면에 흐르게 한다. 사용자가 화면을 터치하였을 때 인체 내 정전용량을 이용하여 전류의 양이 변경된 부분을 인식하고 크기를 계산하여 위치를 결정한다. 내구성과 투과율이 우수한 반면에 인체의 정전용량을 이용하므로 펜이나 장갑 등을 낀 손에 의해서는 동작이 어렵다는 단점이 있다.In the capacitive method, a conductive metal material is coated on one surface of the base film constituting the touch screen sensor to form a transparent electrode, and a certain amount of current flows on the glass surface. When the user touches the screen, it recognizes the part where the amount of current is changed by using the capacitance in the human body and calculates the size to determine the position. While excellent durability and transmittance, there is a disadvantage that the operation is difficult by a hand wearing a pen or glove because it uses the capacitance of the human body.

초음파 방식은 압전 효과를 응용한 압전소자를 사용하여 터치 패널 접촉시에 발생되는 표면파를 X와 Y 방향으로 교대로 발생시켜 각각의 입력점까지 거리를 계 산하여 위치를 결정한다. 해상도와 광 투과율이 높지만 센서의 오염과 액체에 취약하다는 단점이 있다.The ultrasonic method uses a piezoelectric element to which the piezoelectric effect is applied to generate surface waves generated at the touch panel contact in the X and Y directions to calculate the distance to each input point to determine the position. Although the resolution and light transmittance are high, it has the disadvantage of being vulnerable to contamination of the sensor and liquid.

적외선 방식은 발광소자와 수광소자를 패널 주위에 다수 배치하여 매트릭스 구조로 만든다. 사용자에 의해 광선을 차단하게 되면 그 차단된 부분에 대한 X,Y 좌표를 얻어 입력좌표를 판단하게 된다. 광 투과율이 높고 외부충격이나 긁힘에 대한 강한 내구성을 갖는 반면, 부피가 크고 부정확한 터치에 대한 식별성이 낮고 응답속도 또한 느린 단점이 있다.In the infrared method, a plurality of light emitting devices and light receiving devices are arranged around a panel to form a matrix structure. When the ray is blocked by the user, the input coordinate is determined by obtaining X and Y coordinates of the blocked portion. While high light transmittance and strong durability against external impact or scratches, there is a disadvantage that the bulky, inaccurate touch for inaccurate touch and low response speed.

이 중에서 최근에 가장 많이 사용되고 있는 것이 저항막 방식과 정전용량 방식이다. 이들 방식에는 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)과 같은 투명 도전성 박막이 코팅된 유리 또는 고분자 필름 기재가 재료로 사용된다. 이 때, ITO 박막과 기판 사이에서 가시광선의 반사율이 높기 때문에 디스플레이 소자로서의 인식성이 저하된다. 따라서, ITO 박막과 기판 사이에서의 가시광선의 투과율을 높이기 위하여 AR(Anti-Reflection) 코팅 기능을 부가한다. 공지된 AR 코팅은 유리 또는 고분자 필름으로 된 투명 기재 위에 고굴절을 가진 무기물층과 저굴절을 갖는 무기물 층을 번갈아 코팅하는 방법이다. 저굴절 언더코팅층은 굴절율 1.45 전후의 SiOx, MgF2 등이 많이 사용되고, 고굴절 언더코팅층은 굴절율 2.3 전후의 TiO2, Nb2O5 등의 물질이 많이 사용된다. Among these, the most commonly used are the resistive film type and the capacitive type. In these methods, a glass or polymer film substrate coated with a transparent conductive thin film such as indium tin oxide (ITO) is used as the material. At this time, since the reflectance of visible light is high between an ITO thin film and a board | substrate, recognition as a display element falls. Therefore, an anti-reflection (AR) coating function is added to increase the transmittance of visible light between the ITO thin film and the substrate. Known AR coatings are a method of alternately coating a high refractive index inorganic layer and a low refractive index inorganic layer on a transparent substrate made of glass or a polymer film. Low refractive index undercoat layer is used a lot of SiO x , MgF 2 and the like around 1.45 refractive index, high refractive index undercoat layer is used a lot of materials such as TiO 2 , Nb 2 O 5 and around the refractive index 2.3.

따라서, 투명 기재층, AR 코팅을 위한 무기물 언더코팅층, 투명 도전체층 등에 의해 발현되는 기재의 물성이 터치 패널의 최종 품질에 큰 영향을 미치게 되는 데, 현재까지 개발된 투명 도전성 기재가 가지는 한 가지 문제점은 투명 도전체층의 패턴부가 시각적으로 드러나 외관이 손상된다는 것이다. Therefore, the physical properties of the substrate expressed by the transparent substrate layer, the inorganic undercoat layer for the AR coating, the transparent conductor layer, and the like have a great influence on the final quality of the touch panel. Is that the pattern part of the transparent conductor layer is visually revealed and the appearance is damaged.

터치 패널용 투명 도전성 기재는 터치된 위치의 식별성을 높이기 위하여 투명 도전체층을 패턴화하는 경우가 있다. 투명 도전체층을 패턴화한다는 것은 투명 도전체층의 일부를 규칙적으로 제거함으로써, 투명 도전체층이 제거된 부분과 제거되지 않은 부분이 일정한 모양으로 반복되는 연속 패턴을 형성하는 것이다. 그리고, 터치를 인식할 때 터치된 지점이 속하는 한 개의 패턴 구역 전체를 인식함으로써 식별성을 향상시킬 수 있다. The transparent conductive base material for touch panels may pattern a transparent conductor layer in order to raise the discrimination of the touched position. Patterning the transparent conductor layer is a regular removal of a portion of the transparent conductor layer, thereby forming a continuous pattern in which portions in which the transparent conductor layer is removed and portions not removed are repeated in a constant shape. In addition, when recognizing a touch, identification may be improved by recognizing the entirety of one pattern region to which the touched point belongs.

그러나, 투명 도전체층을 패턴화함에 있어서 패턴부와 비패턴부의 평균 반사율의 차이가 증가하게 되면 패턴의 형태가 시각적으로 드러나게 되어 디스플레이 소자로서의 외관이 악화된다. 특히, 정전용량 방식의 터치 패널에 있어서는 투명 도전체층이 입사 표면층으로 사용되기 때문에 투명 도전체층을 패턴화하였을 경우에 그 외관이 양호할 것이 요구된다. 따라서, 터치 패널용 투명 도전성 기재의 패턴화에 따른 외관 저하의 문제점을 해결하기 위한 다양한 연구 개발이 이루어지고 있다. However, in patterning the transparent conductor layer, when the difference between the average reflectances of the pattern portion and the non-pattern portion increases, the shape of the pattern is visually revealed and the appearance as a display element is deteriorated. In particular, in the capacitive touch panel, since the transparent conductor layer is used as the incident surface layer, it is required to have a good appearance when the transparent conductor layer is patterned. Accordingly, various research and development have been made to solve the problem of deterioration in appearance due to the patterning of the transparent conductive substrate for a touch panel.

본 발명은 앞서 설명한 투명 도전성 기재의 패턴화에 따른 외관 손상의 문제점을 해결하기 위하여 개발된 것으로서, 투명 기재층 위에 코팅되는 무기물 언더코팅층들의 굴절율과 두께를 최적화하여 가시광선의 모든 파장 대역에서 패턴부와 비패턴부의 반사율의 차이를 최소화함으로써, 패턴부가 시각적으로 드러나 터치 패널의 외관이 손상되는 것을 방지해 주는 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법을 제공하는데 주된 목적이 있다. The present invention was developed to solve the problem of appearance damage caused by the patterning of the transparent conductive substrate described above, by optimizing the refractive index and thickness of the inorganic undercoat layer coated on the transparent substrate layer and the pattern portion in all wavelength bands of visible light By minimizing the difference in reflectance of the non-pattern portion, a main purpose is to provide a transparent conductive substrate for a touch panel and a method of manufacturing the same, which prevent the appearance of the pattern portion and damage of the appearance of the touch panel.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 터치 패널용 투명 도전성 기재는, 투명 기재층, 상기 투명 기재층의 일면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 형성된 중굴절 언더코팅층, 상기 중굴절 언더코팅층 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 형성된 저굴절 언더코팅층 및 상기 저굴절 언더코팅층 위에 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm가 되도록 형성된 투명 도전체층을 포함하고; 상기 투명 도전체층이 제거된 패턴부와 투명 도전체층이 제거되지 않은 비패턴부에 대해 가시광선의 평균 반사율의 차이가 0.1% 미만이고, 가시광선 중 450㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 2.0% 미만이며, 가시광선 중 650㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 1.0% 미만으로 구성된다.The transparent conductive substrate for a touch panel of the present invention for achieving the above object is a transparent substrate layer, a medium refractive index undercoat layer formed so that the refractive index is 1.75 ~ 2.1 and the thickness is 10 ~ 22nm on one surface of the transparent substrate layer, A low refractive index undercoat having a refractive index of 1.4 to 1.5 and a thickness of 70 to 80 nm on the medium refractive undercoat layer, and a transparent conductor layer formed to have a refractive index of 1.9 to 2.1 and a thickness of 10 to 30 nm on the low refractive index undercoat layer. and; The difference in average reflectance of visible light is less than 0.1% and the difference in reflectance at 450 nm wavelength of visible light is less than 2.0% for the pattern portion from which the transparent conductor layer is removed and the non-pattern portion from which the transparent conductor layer is not removed. The difference in reflectance at 650 nm wavelength in visible light is made less than 1.0%.

한편, 본 발명에 따른 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법은, 유리로 된 투명 기재층의 일면에 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 굴절율이 1.75 ~ 2.1 이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층, 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층을 차례로 코팅하는 단계; 상기 투명 도전체층이 제거된 패턴부와 상기 투명 도전체층이 제거되지 않은 비패턴부를 형성하는 단계; 및 250 ~ 350℃의 온도로 어닐링 열처리를 하여 상기 투명 도전체층을 결정화하는 단계를 포함한다. On the other hand, in the method for manufacturing a transparent conductive substrate for a touch panel according to the present invention, a medium refractive undercoat layer having a refractive index of 1.75 to 2.1 and a thickness of 10 to 22 nm by sputtering or vacuum deposition on one surface of a transparent substrate layer made of glass Coating a low refractive index undercoat layer having a refractive index of 1.4 to 1.5 and a thickness of 70 to 80 nm, and a transparent conductor layer having a refractive index of 1.9 to 2.1 and a thickness of 10 to 30 nm; Forming a pattern portion from which the transparent conductor layer has been removed and a non-pattern portion from which the transparent conductor layer has not been removed; And annealing annealing at a temperature of 250 to 350 ° C. to crystallize the transparent conductor layer.

본 발명에 따른 또 다른 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법은, PET 필름으로 된 투명 기재층의 일면에 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층, 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층을 차례로 코팅하는 단계; 상기 투명 도전체층이 제거된 패턴부와 상기 투명 도전체층이 제거되지 않은 비패턴부를 형성하는 단계; 및 100 ~ 150℃의 온도로 어닐링 열처리를 하여 상기 투명 도전체층을 결정화하는 단계를 포함한다. In another method of manufacturing a transparent conductive substrate for a touch panel according to the present invention, one surface of a transparent substrate layer made of PET film has a refractive index of 1.75 to 2.1 and a refractive index of 10 to 22 nm by sputtering or vacuum deposition. Coating a coating layer, a low refractive index undercoat having a refractive index of 1.4 to 1.5 and a thickness of 70 to 80 nm, and a transparent conductor layer having a refractive index of 1.9 to 2.1 and a thickness of 10 to 30 nm; Forming a pattern portion from which the transparent conductor layer has been removed and a non-pattern portion from which the transparent conductor layer has not been removed; And annealing annealing at a temperature of 100 to 150 ° C. to crystallize the transparent conductor layer.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법에 따르면, 터치 패널용 투명 도전성 기재를 육안으로 관찰할 때 투명 도전체층이 제거된 패턴부와 투명 도전체층이 제거되지 않은 비패턴부의 경계가 시각적으로 드러나지 않는 매우 양호한 외관을 제공해 준다.According to the transparent conductive substrate for a touch panel and the manufacturing method thereof according to the present invention configured as described above, when the transparent conductive substrate for a touch panel is visually observed, the ratio between the pattern portion from which the transparent conductor layer is removed and the transparent conductor layer are not removed. It provides a very good appearance in which the boundary of the pattern portion is not visually revealed.

더욱이, 본 발명에 따르면 모든 가시광선의 파장 대역, 다시 말해 청색 대역과 적색 대역 모두에 있어서 균일하게 반사율의 차이를 감소시켜 줌으로써 디스플 레이 소자로서의 색감을 향상시켜 줄 뿐만 아니라, 반사방지 효과까지 더해져서 투과도가 높아지므로 터치 패널의 품질을 향상시켜 준다. Furthermore, according to the present invention, by reducing the difference in reflectance uniformly in all visible light wavelength bands, that is, in both the blue band and the red band, not only the color as a display element is improved but also the antireflection effect is added. Higher transmittance improves the quality of the touch panel.

또한, 본 발명은 고강도의 화학강화유리를 사용하므로 내충격성이 요구되는 디스플레이부에 사용할 수 있다.In addition, the present invention uses a high-strength chemically strengthened glass can be used in a display unit requiring impact resistance.

앞서 설명한 바와 같이, 저항막 방식이나 정전용량 방식의 터치 패널에 사용되는 투명 도전성 기재는 터치의 식별성을 향상시키기 위하여 최상층인 투명 도전체층을 부분적으로 제거하여 규칙적인 패턴을 가지도록 구성된다. 이 때, 시각적으로 패턴 형상이 인식되면 외관이 불량한 것으로 간주된다. 패턴 형상이 시각적으로 인식되는 이유는 투명 도전체층이 제거된 패턴부와 투명 도전체층이 제거되지 않은 비패턴부 간에 가시광선 반사율(굴절율)의 차이가 드러나기 때문이다. As described above, the transparent conductive substrate used for the resistive touch panel or the capacitive touch panel is configured to have a regular pattern by partially removing the uppermost transparent conductor layer in order to improve the identification of the touch. At this time, when the pattern shape is visually recognized, the appearance is considered to be poor. The pattern shape is visually recognized because a difference in visible light reflectance (refractive index) is revealed between the pattern portion from which the transparent conductor layer is removed and the non-pattern portion from which the transparent conductor layer is not removed.

즉, 가시광선의 투과율을 높이기 위하여 AR 코팅을 시행한 경우 비패턴부인 [투명 도전체층 + 저굴절 언더코팅층 + 고굴절 언더코팅층 + 투명 기재층] 부분과 패턴부인 [저굴절 언더코팅층 + 고굴절 언더코팅층 + 투명 기재층] 부분의 굴절율의 차이로 인해 시각적으로 패턴 형상이 인식되는 것이다. 따라서, AR 코팅을 한 투명 도전성 기재는 상기 투명 도전체층, 저굴절 언더코팅층, 고굴절 언더코팅층의 굴절율 및 두께를 조절하여 패턴 형상이 인식되지 않도록 하는 것이 중요하다. 더욱이, AR 코팅은 가시광선의 모든 파장 대역, 다시 말해 450㎚ 파장 부근의 청색 반사율과 650㎚ 파장 부근의 적색 반사율 모두를 균일하게 조절하여야만 디스플레이 소자의 색 재현과 색감을 높이는데 기여할 수 있다.That is, when AR coating is applied to increase the transmittance of visible light, the [transparent conductor layer + low refractive index under coating layer + high refractive index under coating layer + transparent substrate layer] portion and the pattern portion [low refractive index under coating layer + high refractive index under coating layer + transparent part] Substrate layer] The pattern shape is visually recognized due to the difference in refractive index of the portion. Therefore, it is important for the transparent conductive substrate coated with AR to adjust the refractive index and the thickness of the transparent conductor layer, the low refractive index undercoat and the high refractive index undercoat so that the pattern shape is not recognized. Furthermore, AR coatings can contribute to enhancing color reproduction and color of the display device only by uniformly adjusting all wavelength bands of visible light, that is, blue reflectance near 450 nm wavelength and red reflectance near 650 nm wavelength.

Nb2O5 박막은 가시광선의 모든 파장 대역에서 반사율을 감소시킬 수 있어 AR 코팅의 고굴절 언더코팅층 재료로 많이 사용되고 있다. 그러나, 이 Nb2O5 박막은 자체 굴절율(약 2.3)이 높은 관계로 인접하는 저굴절 언더코팅층 및 투명 도전체층 간에 굴절율의 조절이 어려웠고, 이러한 물성은 패턴부와 비패턴부 간의 반사율 차이를 크게 만드는 원인이 되었다. Nb 2 O 5 thin films can reduce the reflectance in all wavelength bands of visible light and are widely used as a high refractive index undercoat material for AR coatings. However, since the Nb 2 O 5 thin film had a high self refractive index (about 2.3), it was difficult to control the refractive index between the adjacent low refractive undercoat layer and the transparent conductor layer, and this physical property greatly increased the difference in reflectance between the pattern portion and the non-pattern portion. It caused the making.

본 발명은 중굴절 언더코팅층을 도입하여 상기한 종래의 투명 도전성 기재의 문제점을 해결한 것인 바, 이하에서 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 구체적인 구성을 상세히 설명한다.The present invention solves the problems of the conventional transparent conductive substrate by introducing a medium refractive undercoat layer, and will be described in detail with reference to the accompanying drawings in detail.

도 1은 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 가장 기본적인 적층 구조를 나타낸다.1 shows the most basic laminated structure of the transparent conductive base material which concerns on this invention.

본 발명에 따른 투명 도전성 기재는 투명 기재층(10), 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30) 및 투명 도전체층(40)으로 구성된다.The transparent conductive substrate according to the present invention includes a transparent base layer 10, a medium refractive undercoat layer 20, a low refractive index undercoat layer 30, and a transparent conductor layer 40.

상기 투명 기재층(10)은 베이스 기판의 기능을 하는 것으로, 유리, 화학강화유리 또는 PET(Polyethylenen Terephthalate) 필름으로 구성된다. 유리는 ATM 기기, 컴퓨터 모니터, 휴대폰 등과 같은 리지드 디스플레이부(Rigid display unit)를 구성하는데 사용되며, PET 필름은 플렉시블 디스플레이부(Flexible display unit) 등을 구성하는데 사용된다. PET 필름은 현재 터치 패널에 가장 많이 사용되고 있는 고분자 필름이므로, 이와 균등한 물성을 가진 다른 고분자 필름을 사용하는 것도 가능하다 할 것이다.The transparent substrate layer 10 functions as a base substrate, and is composed of glass, chemically strengthened glass, or polyethylene terephthalate (PET) film. Glass is used to construct rigid display units such as ATM devices, computer monitors, mobile phones, etc., and PET films are used to construct flexible display units and the like. Since the PET film is the polymer film which is most used for the touch panel at present, it will be possible to use other polymer film having the same physical properties.

유리는 통상 1mm 이하의 두께를 사용하며, 투과율이 높은 소다 석회(soda-lime) 또는 무알칼리 계통인 알루미노실리케이트(Aluminoslicate) 재질을 사용한다. 유리를 사용하면 플라스틱 소재가 가지는 투과도, 장기 내구성, 터치감 등의 문제점을 해결해 주는 물성을 가지지만, 충격에 약한 단점이 있다. 터치 패널은 각종 기기의 디스플레이부에 부착되는데, 특히 크기가 작고 얇은 휴대폰 등에 부착될 때에는 외부 충격에 대한 내구성이 보장될 수 있는 강도를 가져야 한다. 소다 석회 유리는 일반적으로 무알칼리 계통의 유리보다 강도가 낮지만 성분 중에서 나트륨(Na)을 칼륨(K)으로 치환하는 화학 처리를 통해서 강도를 높일 수 있다. 이를 화학강화유리라고 하며, 터치 패널용 베이스 기판으로 많이 사용된다. Glass typically has a thickness of 1 mm or less, and uses a high soda-lime or alkali-free aluminoslicate material. When glass is used, the plastic material has physical properties that solve problems such as transmittance, long-term durability, and touch, but it is weak in impact. The touch panel is attached to the display unit of various devices, especially when it is attached to a small sized, thin cell phone, etc., it should have a strength that can ensure durability against external impact. Soda-lime glass is generally lower in strength than alkali-free glass, but can be increased through a chemical treatment of replacing sodium (Na) with potassium (K) in its components. This is called chemically strengthened glass, and is widely used as a base substrate for touch panels.

상기 중굴절 언더코팅층(20)은 투명 기재층(10)의 일면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 코팅 형성된다. 이러한 중굴절 언더코팅층(20)으로는 유리의 굴절율(약 1.5)보다 높은 물질 중에서 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO, 굴절율 약 1.5) 또는 이트륨 산화물(Y2O3, 굴절율 약 1.79)이 사용되는 것이 바람직하다. 이 중굴절 언더코팅층(20)은 본 발명에 따라 종래의 Nb2O5 등으로 된 고굴절 언더코팅층을 대체하여 사용된 것으로 저굴절 언더코팅층(30), 투명 도전체층(40)과 함께 패턴부의 형상이 시각적으로 드러나지 않게 해줄 뿐만 아니라, 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 균일한 반사율 차이를 가지도록 해주는 것으로 가장 특징적인 기술구성으로 이룬다. The medium refractive undercoat layer 20 is coated on one surface of the transparent substrate layer 10 to have a refractive index of 1.75 to 2.1 and a thickness of 10 to 22 nm. The medium refractive index undercoat layer 20 includes indium tin oxide (ITO, refractive index of about 1.5) or yttrium oxide (Y 2 O 3 having a SnO 2 content of 3 to 15% by weight in a material having a refractive index higher than about 1.5. , Refractive index of about 1.79) is preferably used. The medium refractive undercoat layer 20 is used in place of the high refractive undercoat layer of the conventional Nb 2 O 5 or the like according to the present invention, the shape of the pattern portion together with the low refractive index undercoat 30, transparent conductor layer 40 Not only does this make it invisible, but it also makes it possible to have a uniform reflectance difference in all wavelength bands of visible light.

상기 저굴절 언더코팅층(3)은 중굴절 언더코팅층(20) 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 코팅 형성된다. 이러한 저굴절 언더코팅층(30)으로는 규소 산화물(SiOx, SiO2) 또는 마그네슘 플루오라이드(MgF2)이 사용되는 것이 바람직하다. 이 저굴절 언더코팅층(3)은 AR 코팅을 위한 2가지 무기물층 중의 하나로서 투명 기재층(10)과 투명 도전체층(40) 사이에서의 가시광선의 반사율을 감소시켜 디스플레이 소자로서의 인식성을 향상시켜준다.The low refractive index undercoat 3 is coated on the medium refractive index undercoat 20 so that the refractive index is 1.4 to 1.5 and the thickness is 70 to 80 nm. As the low refractive undercoat layer 30, silicon oxide (SiO x , SiO 2 ) or magnesium fluoride (MgF 2 ) is preferably used. The low refractive index undercoat 3 is one of two inorganic layers for AR coating, which reduces the reflectance of visible light between the transparent base layer 10 and the transparent conductor layer 40 to improve the recognition as a display element. give.

상기 투명 도전체층(40)은 저굴절 언더코팅층(30) 위에 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm가 되도록 코팅 형성된다. 이러한 투명 도전체층(10)으로는 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO)이 사용되는 것이 바람직하다. 투명 도전체층(40)은 표면저항이 500 Ω/㎠ 이하인 것을 사용하며, 막 두께에 따른 표면 저항이나 광학 특성의 변화를 줄이기 위해서는 막 두께를 10 ~ 20nm 내로 하는 것이 더욱 바람직하다. The transparent conductor layer 40 is coated on the low refractive index undercoat 30 so that the refractive index is 1.9 to 2.1 and the thickness is 10 to 30 nm. As the transparent conductor layer 10, indium tin oxide (ITO) having a content of SnO 2 of 3 to 15 wt% is preferably used. The transparent conductor layer 40 is one having a surface resistance of 500 mW / cm 2 or less, and in order to reduce the change in surface resistance and optical properties according to the film thickness, the film thickness is more preferably within 10 to 20 nm.

이상에서의 같이, 투명 기재층(10) 위에 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30) 및 투명 도전체층(30)을 코팅 형성하는 방법은 공지된 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 시행될 수 있다.As described above, the method of coating and forming the medium refractive undercoat layer 20, the low refractive index undercoat layer 30 and the transparent conductor layer 30 on the transparent base layer 10 is carried out by a known sputtering method or vacuum deposition method. Can be.

코팅이 완료된 투명 도전체층(40)은 에칭 공정을 통해 일정한 패턴을 형성한다. 먼저 투명 도전체층(40) 위에 드라이필름포토레지스트를 라미네이션한 다음 일정한 패턴이 연속적으로 교차된 패턴필름을 올려 놓는다. 그 후 자외선을 조사하여 드라이필름포토레지스트 영역을 현상하고 산성 또는 알칼리성 에칭 용액을 이용하여 자외선이 조사된 드라이필름포토레지스트 영역만을 박리시킴으로써 이를 패턴화 한다. 그 결과, 도 1에 도시된 바와 같이 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)가 형성된다.The coated transparent conductor layer 40 forms a predetermined pattern through an etching process. First, the dry film photoresist is laminated on the transparent conductor layer 40, and then a pattern film in which a predetermined pattern is continuously crossed is placed. Thereafter, ultraviolet rays are irradiated to develop the dry film photoresist region and patterned by peeling only the dry film photoresist region irradiated with ultraviolet rays using an acidic or alkaline etching solution. As a result, as shown in FIG. 1, the pattern portion a from which the transparent conductor layer 40 is removed and the non-pattern portion b from which the transparent conductor layer 40 is not removed are formed.

패턴 형성이 완료된 후에는 일정 온도에서의 어닐링 열처리를 통해 투명 도전체층(40)을 결정화시킴으로써, 투과도와 내구성을 더욱 향상시켜 준다. 상기 결정화 단계는 투명 기재층(10)으로 유리를 사용하는 경우에는 250 ~ 350℃에서 행하고, PET 필름과 같은 고분자 필름을 사용하는 경우에는 내열성이 약하므로 100 ~ 150℃에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 패턴화 공정과 어닐링 열처리 공정은 조업 조건에 따라 순서가 바뀔 수도 있으나, 투명 도전체층(40)을 결정화하면 에칭이 어려워지는 경우가 있으므로 어닐링 열처리를 패턴화 공정 이후에 실시하는 것이 바람직하다.After the pattern formation is completed, the transparent conductor layer 40 is crystallized by annealing heat treatment at a predetermined temperature, thereby further improving the transmittance and durability. The crystallization step is performed at 250 to 350 ° C. when glass is used as the transparent base layer 10, and is preferably at 100 to 150 ° C. because the heat resistance is weak when a polymer film such as PET film is used. In addition, although the order of the patterning process and the annealing heat treatment process may be changed according to operating conditions, etching may be difficult when the transparent conductor layer 40 is crystallized, so it is preferable to perform the annealing heat treatment after the patterning process. .

상술한 공정을 통해 제조된 투명 도전성 기재는 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)에 대해 가시광선의 평균 반사율의 차이가 0.1% 미만이고, 가시광선 중 450㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 2.0% 미만이며, 가시광선 중 650㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 1.0% 미만을 나타낸다. In the transparent conductive substrate manufactured by the above-described process, the difference in the average reflectance of visible light with respect to the pattern portion (a) from which the transparent conductor layer 40 is removed and the non-pattern portion (b) from which the transparent conductor layer 40 is not removed Is less than 0.1%, the difference in reflectance at 450 nm wavelength in visible light is less than 2.0%, and the difference in reflectance at 650 nm wavelength in visible light is less than 1.0%.

이와 같이, 본 발명자는 여러 번의 실험을 통해 베이스 기판인 투명 기재층(10) 위에 코팅되는 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30) 및 투명 도전체층(40)의 굴절율 및 두께를 상기한 바와 같이 최적화하여 패턴부(a)와 비패턴부(b)의 가시광선 반사율의 차이를 최소화한 것이다. 실험 결과, 투명 도전체 층(40)과 중굴절 언더코팅층(20)의 굴절율이 유사하거나 동일한 경우가 우수한 광학적 성능을 나타낸다는 것을 알 수 있었다. 투명 도전체층(40)과 중굴절 언더코팅층(20)의 굴절율 차이는 0.3 이하인 것이 바람직하고, 저굴절 언더코팅층(30)의 굴절율은 적어도 0.3 많게는 0.5 정도 차이 나는 것이 바람직하다. 당연히 투명 도전체층(40)과 중굴절 언더코팅층(20)의 굴절율은 저굴절 언더코팅층(30)보다 높아야 한다. As described above, the inventors have determined the refractive index and thickness of the medium refractive undercoat layer 20, the low refractive index undercoat layer 30, and the transparent conductor layer 40 coated on the transparent substrate layer 10 as a base substrate through several experiments. As described above, the difference between the visible light reflectance between the pattern portion a and the non-pattern portion b is minimized. As a result of the experiment, it was found that the case where the refractive indexes of the transparent conductor layer 40 and the medium refractive undercoat layer 20 are similar or the same shows excellent optical performance. It is preferable that the refractive index difference between the transparent conductor layer 40 and the medium refractive undercoat layer 20 is 0.3 or less, and the refractive index of the low refractive index undercoat layer 30 differs by at least 0.3 to about 0.5. Naturally, the refractive indices of the transparent conductor layer 40 and the medium refractive undercoat layer 20 should be higher than the low refractive index undercoat layer 30.

일 예로, 투명 도전체층(40)의 두께가 50nm 미만일 때, 투명 도전체층(40)과의 굴절율의 차이가 0.5 이상이 되는 저굴절 언더코팅층(30)의 두께는 50 ~ 200nm 이하로 하고, 투명 도전체층(40)과의 굴절율과의 차이가 0.3 미만인 중굴절 코팅층(20)의 두께는 50nm 미만으로 한 다음 투명 도전체층(40)을 패턴화하면 패턴부(a)와 비패턴부(b)의 평균 가시광선 반사율 차이가 0.1% 미만을 나타내어 패턴 형상을 인식하기 어려워진다.As an example, when the thickness of the transparent conductor layer 40 is less than 50 nm, the thickness of the low refractive index undercoat layer 30, in which the difference in refractive index with the transparent conductor layer 40 becomes 0.5 or more, is set to 50 to 200 nm or less, and transparent If the thickness of the medium refractive coating layer 20 having a difference from the refractive index with the conductor layer 40 is less than 0.3 is less than 50 nm, then the transparent conductor layer 40 is patterned to form the pattern portion a and the non-pattern portion b. An average visible light reflectance difference of less than 0.1% indicates that it is difficult to recognize the pattern shape.

이와 같이, 패턴부(a)와 비패턴부(b)의 가시광선 평균 반사율의 차이를 0.1% 미만이 되면 시각적으로 패턴의 형상을 완전히 구별할 수 없게 된다. 이에 따라, 종래에 가시광선의 평균 반사율의 차이를 2.0% 미만으로 관리함으로써 발생하였던 민감한 소비자들에 의해 패턴 형상이 드러난다는 불만을 해결할 수 있다. As such, when the difference between the average visible reflectances of the pattern portion a and the non-pattern portion b is less than 0.1%, the shape of the pattern cannot be visually distinguished. Accordingly, it is possible to solve the complaint that the pattern shape is revealed by sensitive consumers, which has conventionally been caused by managing the difference in the average reflectance of visible light to less than 2.0%.

한편, 패턴부(a)와 비패턴부(b)의 평균적인 반사율 차이도 중요하지만, 디스플레이 소자의 색감을 높이기 위해서는 가시광선의 파장별 반사율 차이도 중요하다. 본 발명에 따르면, 가시광선 중 450㎚ 파장에서의 청색 반사율의 차이가 2.0% 미만이며, 650㎚ 파장에서의 적색 반사율의 차이가 1.0% 미만이 되도록 하는 것이 바람직하다. 청색 파장 대역의 반사율의 차이가 높아지면 청색에 대한 색감이 높아져 고유 색상이 발현되지 아니하고, 적색 파장 대역의 반사율의 차이가 높아지면 적색에 대한 민감도가 높아져 눈의 피로도가 커진다. On the other hand, the average difference in reflectance between the pattern portion (a) and the non-pattern portion (b) is also important, but in order to increase the color of the display element, the difference in reflectance for each wavelength of visible light is also important. According to the present invention, it is preferable that the difference in blue reflectance at 450 nm wavelength in visible light is less than 2.0%, and the difference in red reflectance at 650 nm wavelength is less than 1.0%. When the difference in the reflectance of the blue wavelength band is increased, the color of the blue color is increased, so that the intrinsic color is not expressed. When the difference in the reflectance of the red wavelength band is increased, the sensitivity to red is increased to increase eye fatigue.

종래와 같이 Nb2O5 박막을 AR 코팅의 고굴절 언더코팅층 재료로 사용하는 때에는 가시광선 중 650㎚ 파장에서의 적색 반사율의 차이가 증가하여 터치 패널의 품질을 저하시키는 주요 원인이 되었는 바, 이에 대한 상세한 설명은 도 7 내지 도 10을 참조로 후술하기로 한다.As the conventional Nb 2 O 5 thin film is used as a high refractive index undercoat material for AR coating, the difference in red reflectance at 650 nm wavelength of visible light increases, which is a major cause of deterioration of touch panel quality. Detailed description will be described later with reference to FIGS. 7 to 10.

도 1 내지 도 6을 참조로 본 발명에 따른 여러 가지 형태의 적층 구조를 간단히 설명한다. 1 to 6, various stacked structures according to the present invention will be briefly described.

상술한 바와 같이, 도 1은 본 발명에 따른 기본 구조로서, 투명 기재층(10)의 일면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층(20), 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층(30) 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층(40)이 차례로 적층된 단면 구조로서, 상기 중굴절 언더코팅층(20)으로 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO)을 사용한 예를 나타낸다. 도 2는 도 1과 동일한 단면 구조에서 중굴절 언더코팅층(20)으로 이트륨 산화물(Y2O3)을 사용한 예를 나타낸다. As described above, Figure 1 is a basic structure according to the present invention, the refractive index is 1.75 ~ 2.1 on one surface of the transparent substrate layer 10, the medium refractive undercoat layer 20 having a thickness of 10 ~ 22nm, the refractive index is 1.4 ~ A low refractive index undercoat layer 30 having a thickness of 1.5 to 70 nm and a transparent conductor layer 40 having a refractive index of 1.9 to 2.1 and a thickness of 10 to 30 nm are sequentially stacked, and the medium refractive undercoat layer 20 ) Shows an example using indium tin oxide (ITO) having a SnO 2 content of 3 to 15% by weight. FIG. 2 shows an example in which yttrium oxide (Y 2 O 3 ) is used as the medium refractive undercoat layer 20 in the same cross-sectional structure as in FIG. 1.

도 3은 도 1의 기본 구조에서 투명 기재층(10)의 반대면에 도 1과 동일하게 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30) 및 투명 도전체층(40)이 차례로 적 층된 양면 구조의 예를 나타낸다. 도 4는 도 2의 기본 구조에서 투명 기재층(10)의 반대면에 도 1과 동일하게 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30) 및 투명 도전체층(40)이 차례로 코팅된 양면 구조의 예를 나타낸다. FIG. 3 is a stack of a medium refractive undercoat 20, a low refractive undercoat 30, and a transparent conductor layer 40 sequentially stacked on the opposite side of the transparent substrate layer 10 in the basic structure of FIG. 1. An example of a double-sided structure is shown. 4 is coated on the opposite surface of the transparent substrate layer 10 in the basic structure of FIG. 2 in the same manner as in FIG. 1, the medium refractive undercoat 20, the low refractive index undercoat 30, and the transparent conductor layer 40 are sequentially coated. An example of a double-sided structure is shown.

도 5는 도 1의 기본 구조에서 투명 기재층(10)의 반대면에 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30)이 차례로 코팅된 적층 구조의 예를 나타낸다. 도 6은 도 2의 기본 구조에서 투명 기재층(10)의 반대면에 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30)이 차례로 코팅된 적층 구조의 예를 나타낸다. FIG. 5 illustrates an example of a laminated structure in which a medium refractive undercoat layer 20 and a low refractive index undercoat layer 30 are sequentially coated on opposite surfaces of the transparent substrate layer 10 in the basic structure of FIG. 1. FIG. 6 illustrates an example of a laminated structure in which a medium refractive undercoat layer 20 and a low refractive index undercoat layer 30 are sequentially coated on opposite surfaces of the transparent substrate layer 10 in the basic structure of FIG. 2.

이하에서 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 기술적 효과를 알아보기 위해 다음과 같은 실험을 실시하였다.In order to find out the technical effect of the transparent conductive substrate according to the present invention was carried out the following experiment.

[[ 실시예Example 1] One]

1. 투명 기재층 형성 단계1. Transparent substrate layer forming step

화학강화유리 기판은 칼륨(K) 용융염에 담가서 표면의 나트륨(Na) 성분이 이온 교환 반응으로 치환된 0.7 mm 두께의 소다 석회 유리이며, 기판의 크기는 370 mm x 470 mm x 0.7 mm 이다.The chemically tempered glass substrate is a 0.7 mm thick soda lime glass in which potassium (K) molten salt is soaked and the surface sodium (Na) component is replaced by an ion exchange reaction. The substrate size is 370 mm x 470 mm x 0.7 mm.

2. 중굴절 언더코팅층 형성 단계2. Medium refractive undercoat layer forming step

산화인듐 90 중량%, 산화주석 10 중량%의 타겟 재료를 사용하여 아르곤 99%, 산소 1%를 도입하여 공정압력 3mTorr에서, 마그네트론 스퍼터링 방법으로 두께 15nm의 ITO 막(굴절율 2.05)을 형성하여 중굴절 언더코팅층을 갖는 박막을 제조하 였다.Using a target material of 90% by weight of indium oxide and 10% by weight of tin oxide, 99% of argon and 1% of oxygen were introduced to form a 15 nm thick ITO film (refractive index 2.05) by magnetron sputtering at a process pressure of 3 mTorr. A thin film with an undercoat layer was prepared.

3. 저굴절 언더코팅층 형성 단계3. Low refractive undercoat layer forming step

보론(B)이 도핑된 비저항값이 0.01 Ω/cm 이하인 실리콘(Si) 타겟 재료를 사용하여 아르곤 60%, 산소 40%를 도입하여 공정압력 3mTorr에서, 반응성 스퍼터링법에 의해서 막두께 80nm의 SiO2막(굴절율 1.46)을 제조하였다.By using a silicon (Si) target material doped with boron (B) of 0.01 Ω / cm or less, 60% of argon and 40% of oxygen were introduced, and at a process pressure of 3 mTorr, SiO 2 having a thickness of 80 nm by reactive sputtering method A membrane (refractive index of 1.46) was prepared.

4. 투명 도전체층 형성 단계4. Transparent conductor layer forming step

중굴절 언더코팅율을 형성하는 것과 동일한 방법으로 산화인듐 90 중량%, 산화주석 10 중량%의 타겟 재료를 사용하여 아르곤 99%, 산소 1%를 도입하여 공정압력 3mTorr에서, 두께 15nm의 ITO막(굴절율 2.05)을 형성하여 투명 도전성 유리를 제조하였다. In the same manner as for forming the medium refractive undercoat, an ITO film having a thickness of 15 nm was introduced at a process pressure of 3 mTorr by introducing 99% of argon and 1% of oxygen using a target material of 90% by weight of indium oxide and 10% by weight of tin oxide. Refractive index 2.05) was formed to manufacture a transparent conductive glass.

5. 투명 도전체층의 패턴화 단계5. Patterning Step of Transparent Conductor Layer

투명 도전성 유리 위에 일명 드라이필름을 라미네이팅한 후, 패턴 마스크필름을 이용하여 노광하고, 염산 18.3%, 질산 4.5%의 에칭액을 이용하여 40℃에서 에칭을 한 후에 수산화나트륨으로 드라이필름을 제거하였다.패턴은 일정한 간격(50㎛)의 선폭을 갖는 스트라이프 모양이다.After laminating a so-called dry film on the transparent conductive glass, it was exposed using a pattern mask film, and after etching at 40 ° C. using an etching solution of 18.3% hydrochloric acid and 4.5% nitric acid, the dry film was removed with sodium hydroxide. Is a stripe shape with a line width of a constant interval (50 mu m).

6. 투명 도전체층의 결정화 단계6. Crystallization Step of Transparent Conductor Layer

상온에서 ITO(중굴절율층), SiO2(저굴절율층), ITO(투명 도전체층)을 연속적으로 코팅한 후, ITO 막의 내구성 향상 및 결정화를 위하여 진공오븐(Vacuum oven)에서 300℃, 60분간 어닐링 열처리를 실시하여 ITO 막을 결정화시켰다.After continuous coating of ITO (medium refractive index layer), SiO 2 (low refractive index layer), and ITO (transparent conductor layer) at room temperature, 300 ℃, 60 minutes in a vacuum oven in order to improve the durability and crystallization of the ITO film Annealing heat treatment was performed to crystallize the ITO film.

[[ 실시예Example 2] 2]

실시예 1과 비교하여, 중굴절 언더코팅층의 재료로서 ITO 대신에 Y2O3 타겟 재료를 사용하였다. 즉, 아르곤 99%, 산소 1% 미만을 도입하여 공정압력 5mTorr에서, 마그네트론 스퍼터링 방법으로 두께 25 nm의 Y2O3 막(굴절율 1.79)을 형성하여, 중굴절 언더코팅층을 갖는 투명 도전성 유리를 제조하였다. 투명 기재인 유리의 양면에 각층을 동일한 구조로 형성하고, 한쪽 면에 있는 ITO 막(투명 도전체층)을 동일하게 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다.In comparison with Example 1, Y 2 O 3 target material was used instead of ITO as the material of the medium refractive undercoat layer. That is, a 99% argon and less than 1% oxygen were introduced to form a Y 2 O 3 film (refractive index of 1.79) having a thickness of 25 nm by a magnetron sputtering method at a process pressure of 5 mTorr to produce a transparent conductive glass having a medium refractive undercoat layer. It was. Each layer was formed in the same structure on both surfaces of the glass which is a transparent base material, and the transparent conductive glass which patterned the ITO film | membrane (transparent conductor layer) in one side similarly was manufactured.

[[ 실시예Example 3] 3]

투명 기재층으로 고분자 필름인 PET 필름을 사용하였다 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하다. 고분자 필름을 사용하였으므로 결정화를 위한 어닐링 열처리를 150 ℃에서 실시하였다.Except that the PET film which is a polymer film was used as the transparent substrate layer is the same as in Example 1. Since the polymer film was used, annealing heat treatment for crystallization was performed at 150 ° C.

[[ 비교예Comparative example 1] One]

중굴절 언더코팅층을 형성하지 않고, 저굴절 언더코팅층인 SiO2층의 막두께는 30nm로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 ITO 막(투명 도전체층)을 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다. A transparent in which the ITO film (transparent conductor layer) was patterned by the same method as in Example 1 except that the film thickness of the SiO 2 layer, which is the low refractive undercoat layer, was formed at 30 nm without forming the medium refractive undercoat layer. Conductive glass was produced.

[[ 비교예Comparative example 2] 2]

중굴절 언더코팅층에 고굴절율 재료인 Nb2O5 막(굴절율 2.3)을 막두께 18nm로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 ITO 막(투명 도전체층)을 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다. A patterned ITO film (transparent conductor layer) was formed in the same manner as in Example 1 except that a high refractive index material Nb 2 O 5 film (refractive index 2.3) was formed at a thickness of 18 nm in the medium refractive undercoat layer. Conductive glass was produced.

[[ 비교예Comparative example 3] 3]

중굴절 언더코팅층에 고굴절율 재료인 Nb2O5 막(굴절율 2.3)을 막두께 18nm로 형성한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 실시하여 ITO 막(투명 도전체층)을 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다.A patterned ITO film (transparent conductor layer) was formed in the same manner as in Example 2 except that a high refractive index material Nb 2 O 5 film (refractive index 2.3) was formed at a thickness of 18 nm in the medium refractive undercoat layer. Conductive glass was produced.

[[ 비교예Comparative example 4] 4]

중굴절 언더코팅층에 고굴절율 재료인 Nb2O5 막(굴절율 2.3)을 막두께 18nm로 형성한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 실시하여 ITO 막(투명 도전체층)을 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다.Except that a high refractive index material Nb 2 O 5 film (refractive index 2.3) was formed at a film thickness of 18 nm in the medium refractive undercoat layer, the transparent method was performed in the same manner as in Example 3 to pattern the ITO film (transparent conductor layer). Conductive glass was produced.

[비교예 5][Comparative Example 5]

투명 기재층에 화학강화 처리를 하지 않은 일반 소다 석회 유리를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 ITO 막(투명 도전체층)을 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다. A transparent conductive glass in which an ITO film (transparent conductor layer) was patterned was prepared in the same manner as in Example 1, except that general soda lime glass without chemically strengthening treatment was used for the transparent substrate layer.

상술한 방법으로 제조된 각각의 실시예 및 비교예의 투명 도전성 기재의 구성 및 두께를 정리해 보면 다음 [표 1]과 같다.The configuration and thickness of the transparent conductive substrates of the Examples and Comparative Examples prepared by the above-described method are summarized in the following [Table 1].


구성 두께(nm)Composition thickness (nm)
비패턴부Non-pattern 패턴부Pattern part 실시예1Example 1 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)/화학강화유리ITO (15nm) / SiO 2 (80nm) / ITO (15nm) / Chemical Tempered Glass SiO2(80nm)/ITO(15nm)/화학강화유리SiO 2 (80nm) / ITO (15nm) / Chemical Tempered Glass 실시예2Example 2 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/Y2O3(25nm)/화학강화유리/Y2O3(25nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)ITO (15nm) / SiO 2 (80nm) / Y 2 O 3 (25nm) / Chemical Tempered Glass / Y 2 O 3 (25nm) / SiO 2 (80nm) / ITO (15nm) SiO2(80nm)/Y2O3(25nm)/화학강화유리/Y2O3(25nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)SiO 2 (80nm) / Y 2 O 3 (25nm) / chemical tempered glass / Y 2 O 3 (25nm) / SiO 2 (80nm) / ITO (15nm) 실시예3Example 3 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)/PETITO (15nm) / SiO 2 (80nm) / ITO (15nm) / PET SiO2(80nm)/ITO(15nm)/PETSiO 2 (80nm) / ITO (15nm) / PET 비교예1Comparative Example 1 ITO(15nm)/SiO2(30nm)/화학강화유리ITO (15nm) / SiO 2 (30nm) / Chemical Tempered Glass SiO2(30nm)/화학강화유리SiO 2 (30nm) / Chemical Tempered Glass 비교예2Comparative Example 2 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/화학강화유리ITO (15nm) / SiO 2 (80nm) / Nb 2 O 5 (18nm) / Chemical Tempered Glass SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/화학강화유리SiO 2 (80nm) / Nb 2 O 5 (18nm) / Chemical Tempered Glass 비교예3Comparative Example 3 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/화학강화유리/Nb2O5(18nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)ITO (15nm) / SiO 2 (80nm) / Nb 2 O 5 (18nm) / Chemical Tempered Glass / Nb 2 O 5 (18nm) / SiO 2 (80nm) / ITO (15nm) SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/화학강화유리/Nb2O5(18nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)SiO 2 (80nm) / Nb 2 O 5 (18nm) / chemical tempered glass / Nb 2 O 5 (18nm) / SiO 2 (80nm) / ITO (15nm) 비교예4Comparative Example 4 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/PETITO (15nm) / SiO 2 (80nm) / Nb 2 O 5 (18nm) / PET SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/PETSiO 2 (80nm) / Nb 2 O 5 (18nm) / PET 비교예5Comparative Example 5 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)/일반유리ITO (15nm) / SiO 2 (80nm) / ITO (15nm) / General Glass SiO2(80nm)/ITO(15nm)/일반유리SiO 2 (80nm) / ITO (15nm) / General Glass

각각의 실시예와 비교예로 제조된 투명 도전성 기재에 대하여 아래와 같은 방법으로 평가를 실시한 후, 그 결과를 [표 2] 내지 [표 5]로 나타내었다. After evaluating the transparent conductive substrates prepared in each of Examples and Comparative Examples by the following method, the results are shown in [Table 2] to [Table 5].

<450 ~ 650<450-650 nmnm 의 평균투과율, 평균반사율>Average transmission and average reflection

일본 ㈜미놀타 사의 분광 광도계 CM-3600D를 사용하여 가시광선의 450 ~ 650nm 파장 대역에 걸쳐 평균투과율, 평균반사율을 측정하였고, 450, 550, 650nm 파장 대역에서의 반사율을 별도로 측정하였다. 비패턴부와 패턴부 각각에 대하여 측정하여, 비패턴부의 광학물성, 패턴부의 광학물성, 비패턴부와 패턴부의 광학물성 차이를 각각 [표 2] 내지 [표 4]에 나타내었다.Using a spectrophotometer CM-3600D manufactured by Minolta Co., Ltd., the average transmittance and average reflectance were measured over the 450-650 nm wavelength band of visible light, and the reflectances at the 450, 550, and 650 nm wavelength bands were measured separately. Measured with respect to each of the non-pattern portion and the pattern portion, the optical properties of the non-pattern portion, the optical properties of the pattern portion, and the difference in the optical properties of the non-pattern portion and the pattern portion are shown in Tables 2 to 4, respectively.

<외관 평가><Appearance Evaluation>

외관평가는 평평한 검은 판 상에서 투명 도전체층이 위로 가도록 하고 육안에 의해 비패턴부와 패턴부를 식별할 수 있는지 여부를 하기와 같은 기준으로 평가하였고, 그 결과를 [표 4]에 나타내었다.Appearance evaluation was evaluated by the following criteria to determine whether the non-pattern portion and the pattern portion can be identified by visually transparent conductor layer on a flat black plate, and the results are shown in [Table 4].

◎ : 비패턴부와 패턴부의 식별이 곤란하다.(Double-circle): It is difficult to distinguish a non-pattern part and a pattern part.

○ : 비패턴부와 패턴부를 약간 식별할 수 있다. (Circle): A non-pattern part and a pattern part can be distinguished slightly.

× : 비패턴부와 패턴부를 명확하게 식별할 수 있다.X: A non-pattern part and a pattern part can be distinguished clearly.

비패턴부의 광학물성Optical Properties of Unpatterned Parts 450~650nm
평균투과율(%)
450 ~ 650nm
Average transmittance (%)
450~650nm
평균반사율(%)
450 ~ 650nm
Average reflectance (%)
450nm에서의
반사율(%)
At 450nm
reflectivity(%)
550nm에서의
반사율(%)
At 550nm
reflectivity(%)
650nm에서의
반사율(%)
At 650nm
reflectivity(%)
실시예1Example 1 91.4891.48 7.747.74 8.578.57 7.547.54 7.847.84 실시예2Example 2 92.4292.42 5.845.84 6.326.32 5.285.28 5.485.48 실시예3Example 3 90.3590.35 8.158.15 9.259.25 7.907.90 8.228.22 비교예1Comparative Example 1 89.4889.48 9.949.94 11.7411.74 9.779.77 8.778.77 비교예2Comparative Example 2 92.5892.58 6.296.29 5.395.39 6.156.15 8.098.09 비교예3Comparative Example 3 93.8793.87 5.545.54 3.953.95 4.384.38 6.046.04 비교예4Comparative Example 4 91.5091.50 6.706.70 6.076.07 6.516.51 8.478.47

패턴부의 광학물성Optical property of pattern part 450~650nm
평균투과율(%)
450 ~ 650nm
Average transmittance (%)
450~650nm
평균반사율(%)
450 ~ 650nm
Average reflectance (%)
450nm에서의
반사율(%)
At 450nm
reflectivity(%)
550nm에서의
반사율(%)
At 550nm
reflectivity(%)
650nm에서의
반사율(%)
At 650nm
reflectivity(%)
실시예1Example 1 91.5991.59 7.767.76 6.736.73 7.957.95 8.078.07 실시예2Example 2 92.9492.94 5.665.66 4.404.40 4.754.75 5.145.14 실시예3Example 3 90.5190.51 8.178.17 7.417.41 8.318.31 8.458.45 비교예1Comparative Example 1 91.6391.63 7.927.92 8.038.03 7.917.91 7.857.85 비교예2Comparative Example 2 90.4190.41 8.878.87 6.676.67 9.179.17 10.110.1 비교예3Comparative Example 3 90.4590.45 8.668.66 9.189.18 9.699.69 9.969.96 비교예4Comparative Example 4 89.3389.33 9.279.27 7.357.35 9.539.53 10.4810.48

비패턴부와 패턴부의 광학물성 차이Difference in Optical Properties of Unpatterned and Patterned Parts 450~650nm
△평균투과율
(%)
450 ~ 650nm
△ Average transmittance
(%)
450~650nm
△평균반사율
(%)
450 ~ 650nm
△ Average reflectance
(%)
450nm에서의
△반사율(%)
At 450nm
△ Reflectance (%)
550nm에서의
△반사율(%)
At 550nm
△ Reflectance (%)
650nm에서의
△반사율(%)
At 650nm
△ Reflectance (%)
외관평가Appearance Evaluation
실시예1Example 1 0.160.16 0.020.02 1.841.84 0.410.41 0.230.23 실시예2Example 2 0.520.52 0.080.08 1.921.92 0.530.53 0.340.34 실시예3Example 3 0.160.16 0.020.02 1.841.84 0.410.41 0.230.23 비교예1Comparative Example 1 2.162.16 2.022.02 3.713.71 1.861.86 0.920.92 ×× 비교예2Comparative Example 2 2.172.17 2.582.58 1.281.28 3.023.02 2.012.01 ×× 비교예3Comparative Example 3 3.423.42 3.123.12 2.512.51 5.325.32 3.923.92 ×× 비교예4Comparative Example 4 2.172.17 2.582.58 1.281.28 3.023.02 2.012.01 ××

위 [표 4]에서 보듯이 본 발명에 따른 실시예 1 내지 3의 경우에는 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율 차이가 0.02, 0.08, 0.02를 가지므로, 모두 0.1% 미만을 나타낸다. 또한, 가시광선 중 450nm인 청색 파장 대역에서의 반사율 차이는 1.84, 1.92, 1.84를 가지므로, 모두 2% 미만을 나타내었다. 또한, 가시광선 중 650nm인 적색 파장 대역에서의 반사율 차이는 0.23, 0.34, 0.23을 가지므로, 모두 1% 미만을 나타내었다. 그 결과, 비패턴부와 패턴부가 식별되지 않아 양호한 외관평가 결과를 얻었다.As shown in Table 4, in Examples 1 to 3 according to the present invention, since the average reflectance difference is 0.02, 0.08, and 0.02 in all wavelength bands of visible light, all are less than 0.1%. In addition, since the reflectance difference in the blue wavelength band of 450 nm of visible light has 1.84, 1.92, 1.84, all were less than 2%. In addition, since the reflectance difference in the red wavelength band which is 650 nm of visible light has 0.23, 0.34, 0.23, all were less than 1%. As a result, the non-pattern portion and the pattern portion were not identified, and a good appearance evaluation result was obtained.

이에 반해, 비교예 1은 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율의 차이가 2.02%로 높을 뿐만 아니라, 450nm인 청색 파장 대역에서의 반사율 차이가 3.71%로 매우 높게 나타났다. 비교예 2는 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율의 차이가 2.58%로 높을 뿐만 아니라, 650nm인 적색 파장 대역에서의 반사율 차이가 2.01%로 매우 높게 나타났다. 비교예 3은 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율의 차이가 3.12%로 높을 뿐만 아니라, 450nm인 청색 파장 대역에 서의 반사율 차이가 2.51%, 650nm인 적색 파장 대역에서의 반사율 차이가 3.92%로 양쪽 모두 매우 높게 나타났다. 비교예 4는 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율의 차이가 2.58%로 높을 뿐만 아니라, 650nm인 적색 파장 대역에서의 반사율 차이가 2.01%로 매우 높게 나타났다. 이와 같이, 모든 비교예 경우 본 발명에 따른 반사율 차이 조건을 적어도 하나 이상 만족하지 못하므로 외관평가 결과 비패턴부와 패턴부가 식별되는 것으로 나타났다.On the contrary, in Comparative Example 1, not only the difference in average reflectance was high at 2.02% in all wavelength bands of visible light, but also very high at 3.71% in blue wavelength band of 450 nm. In Comparative Example 2, not only the difference in average reflectance was 2.58% in all wavelength bands of visible light but also the reflectance difference in the red wavelength band of 650 nm was very high at 2.01%. In Comparative Example 3, the difference in average reflectance was 3.12% in all wavelength bands of visible light, and the reflectance difference was 2.51% in the blue wavelength band of 450 nm and 3.92% in the red wavelength band of 650 nm. Both were very high. In Comparative Example 4, not only the difference in average reflectance was high at 2.58% in all wavelength bands of visible light, but also very high at 2.01% in red wavelength band of 650 nm. As such, all the comparative examples did not satisfy at least one or more reflectance difference conditions according to the present invention.

<굽힘 강도><Bending Strength>

굽힘 강도는 3점 굽힘 측정 시험기에서 실시예1 및 비교예 5의 투명 도전성 유리가 파괴되는 하중을 측정하여 비교하였고, 그 결과를 다음 [표 5]에 나타내었다. 실험 조건은 시험기의 지간 거리는 75mm, 시편 폭 50mm , 지지 모루의 지름 5mm, 변형 속도는 10 mm/min이었다. The bending strength was compared by measuring the load at which the transparent conductive glasses of Example 1 and Comparative Example 5 were destroyed in a three-point bending measuring tester, and the results are shown in the following [Table 5]. The test conditions were 75mm between the tester, 50mm width of the specimen, 5mm diameter of the supporting anvil, and 10mm / min strain rate.

실시예 1Example 1 비교예 5Comparative Example 5 파괴 하중Breaking load 11.8kgf ± 3.0%11.8kgf ± 3.0% 4.5kgf ± 3.5%4.5kgf ± 3.5%

위 [표 5]에서 보듯이 화학강화유리를 사용하는 경우에 일반 소다 석회 유리를 사용하는 경우보다 파괴 하중이 2배 이상 높게 나타나므로, 높은 내충격성이 요구되는 휴대폰 등의 터치 패널용 투명 도전성 유리로서 사용하기에 적합하다.As shown in [Table 5], when the chemically strengthened glass is used, the breaking load is more than twice as high as that of the general soda lime glass, so that the transparent conductive glass for touch panels such as mobile phones requiring high impact resistance is required. Suitable for use as

마지막으로, 도 7 내지 도 10은 위 [표 4]에 기재된 실시예 1, 실시예 3, 비교예 2, 비교예 4에 있어서 가시광선의 각 파장 대역별로 비패턴부와 패턴부의 반사율 값을 도시한 그래프를 나타낸다. Finally, FIGS. 7 to 10 show reflectance values of the non-pattern portion and the pattern portion for each wavelength band of visible light in Examples 1, 3, Comparative Example 2, and Comparative Example 4 described in Table 4 above. Show the graph.

도 7 및 도 8에서 보듯이 본 발명에 따른 투명 도전성 기재에 따르면, 화학강화유리로 된 것(실시예1)과 PET 필름으로 된 것(실시예3) 모두 450nm의 청색 파장 대역(반사율 차이 1.84%)을 제외한 모든 파장 대역에서 비패턴부와 패턴부가 거의 동일한 반사율을 나타낸다. 그 결과, 비팬턴부와 패턴부의 평균 반사율 차이가 0.1% 미만을 나타내어 양호한 외관 성능을 가진다. According to the transparent conductive substrate according to the present invention, as shown in Figures 7 and 8, the one made of chemically strengthened glass (Example 1) and the one made of PET film (Example 3) in the blue wavelength band of 450nm (reflectance difference 1.84 In all wavelength bands except%), the non-pattern portion and the pattern portion exhibit almost the same reflectance. As a result, the difference in average reflectance between the non-pantone portion and the pattern portion is less than 0.1%, which has good appearance performance.

도 9 및 도 10에서 보듯이 본 발명이 아닌 투명 도전성 기재에 따르면, 비록 화학강화유리로 된 것(비교예2)과 PET 필름으로 된 것(비교예4) 모두 450nm의 청색 파장 대역에서의 반사율 차이는 1.28%로서 상기 실시예 1 및 3의 경우보다 낮게 나타났으나, 그 외의 나머지 파장 대역에서 비패턴부와 패턴부의 반사율 차이가 커져서 평균 반사율의 차이가 2.58%로서 매우 높게 나타났다.According to the transparent conductive substrate, not the present invention, as shown in Figs. 9 and 10, even though it is made of chemically strengthened glass (Comparative Example 2) and PET film (Comparative Example 4) reflectance in the blue wavelength band of 450nm The difference was 1.28%, which was lower than that of Examples 1 and 3, but the difference between the non-pattern portion and the pattern portion was increased in the remaining wavelength bands, and the difference in average reflectance was very high as 2.58%.

본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서, 본 발명이 다양하게 개량 및 변화될 수 있음은 당업계에 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명할 것이다.While the invention has been shown and described with respect to particular embodiments, it will be appreciated that various changes and modifications can be made in the art without departing from the spirit of the invention provided by the following claims. It will be self-evident for those of ordinary knowledge.

도 1은 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제1 적층 구조를 나타낸 도면1 is a view showing a first laminated structure of a transparent conductive substrate according to the present invention

도 2는 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제2 적층 구조를 나타낸 도면2 is a view showing a second laminated structure of a transparent conductive substrate according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제3 적층 구조를 나타낸 도면3 is a view showing a third laminated structure of the transparent conductive substrate according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제4 적층 구조를 나타낸 도면4 is a view showing a fourth laminated structure of the transparent conductive substrate according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제5 적층 구조를 나타낸 도면5 is a view showing a fifth laminated structure of the transparent conductive substrate according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제6 적층 구조를 나타낸 도면6 is a view showing a sixth laminated structure of the transparent conductive substrate according to the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 실시예 1의 파장별 반사율 차이를 나타낸 그래프7 is a graph showing the difference in reflectance for each wavelength of Example 1 according to the present invention

도 8은 본 발명에 따른 실시예 3의 파장별 반사율 차이를 나타낸 그래프8 is a graph showing the difference in reflectance for each wavelength of Example 3 according to the present invention

도 9는 종래 비교예 2의 파장별 반사율 차이를 나타낸 그래프9 is a graph showing the difference in reflectance for each wavelength of the conventional Comparative Example 2

도 10은 종래 비교예 4의 파장별 반사율 차이를 나타낸 그래프10 is a graph showing the difference in reflectance for each wavelength of the conventional Comparative Example 4

※도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※[Description of Reference Numerals]

1: 투명 기재층 2: ITO 층(중굴절 코팅층)1: transparent substrate layer 2: ITO layer (medium refractive coating layer)

2': Y2O3층(중굴절 코팅층) 3: 저굴절 코팅층2 ': Y2O3 layer (medium refractive coating layer) 3: low refractive coating layer

4: 투명 도전체층 a: 패턴부4: transparent conductor layer a: pattern portion

b: 비패턴부b: non-pattern

Claims (15)

투명 기재층(10), 상기 투명 기재층(10)의 일면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 형성된 중굴절 언더코팅층(20), 상기 중굴절 언더코팅층(20) 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 형성된 저굴절 언더코팅층(30) 및 상기 저굴절 언더코팅층(30) 위에 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm가 되도록 형성된 투명 도전체층(40)을 포함하고;The transparent base layer 10, the refractive index on the surface of the transparent substrate layer 10 is 1.75 ~ 2.1 and the refractive index on the medium refractive undercoat layer 20 formed so that the thickness is 10 ~ 22nm, the refractive index on the medium refractive undercoat layer 20 Of the low refractive index undercoat 30 and the low refractive index undercoat 30 and the refractive index of 1.9 to 2.1 and the thickness of 10 to 30 nm. ); 상기 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)에 대해 가시광선의 평균 반사율의 차이가 0.1% 미만이고, 가시광선 중 450㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 2.0% 미만이며, 가시광선 중 650㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 1.0% 미만인 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재. The difference in the average reflectance of visible light is less than 0.1% for the pattern portion (a) from which the transparent conductor layer 40 has been removed and the non-pattern portion (b) from which the transparent conductor layer 40 has not been removed. A difference in reflectance at a nm wavelength is less than 2.0%, and a difference in reflectance at a wavelength of 650 nm in visible light is less than 1.0%. A transparent conductive substrate for a touch panel. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 투명 기재층(10)의 반대면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 형성된 중굴절 언더코팅층(20), 상기 중굴절 언더코팅층(20) 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 형성된 저굴절 언더코팅층(30) 및 상기 저굴절 언더코팅층(30) 위에 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm가 되도록 형성된 투명 도전체층(40)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.On the opposite side of the transparent substrate layer 10 has a refractive index of 1.75 ~ 2.1 and a thickness of 10 ~ 22nm on the medium refractive undercoat layer 20, the refractive index is 1.4 ~ 1.5 on the medium refractive undercoat layer 20 Further comprises a low refractive index undercoat 30 formed to be 70 to 80 nm and a transparent conductor layer 40 formed to have a refractive index of 1.9 to 2.1 and a thickness of 10 to 30 nm on the low refractive index undercoat 30. The transparent conductive base material for touch panels characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 투명 기재층(10)의 반대면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 형성된 중굴절 언더코팅층(20), 상기 중굴절 언더코팅층(20) 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 형성된 저굴절 언더코팅층(30)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.On the opposite side of the transparent substrate layer 10 has a refractive index of 1.75 ~ 2.1 and a thickness of 10 ~ 22nm on the medium refractive undercoat layer 20, the refractive index is 1.4 ~ 1.5 on the medium refractive undercoat layer 20 The low refractive index undercoat layer 30 formed so that it is 70-80 nm, The transparent conductive base material for touch panels characterized by the above-mentioned. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 투명 기재층(10)은 유리, 화학강화유리, PET 필름 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.The transparent base layer 10 is a transparent conductive substrate for a touch panel, characterized in that made of any one of glass, chemically strengthened glass, PET film. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 중굴절 언더코팅층(20)은 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO) 또는 이트륨 산화물(Y2O3)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재. The medium refractive undercoat layer 20 is a transparent conductive substrate for a touch panel, characterized in that the content of SnO 2 3 to 15% by weight of indium tin oxide (ITO) or yttrium oxide (Y 2 O 3 ). 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 저굴절 언더코팅층(30)은 규소 산화물(SiOx) 또는 마그네슘 플루오라이드(MgF2)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.The low refractive index undercoat layer 30 is a transparent conductive substrate for a touch panel, characterized in that made of silicon oxide (SiO x ) or magnesium fluoride (MgF 2 ). 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 투명 도전체층(40)은 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재. The transparent conductor layer 40 is a transparent conductive substrate for a touch panel, characterized in that the content of SnO 2 is made of indium tin oxide (ITO) of 3 to 15% by weight. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항으로 된 투명 도전성 기재로 제조되어 정전용량 방식으로 사용되는 터치 패널.A touch panel made of a transparent conductive substrate according to any one of claims 1 to 3 and used in a capacitive manner. 유리로 된 투명 기재층(10)의 일면에 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층(20), 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층(30) 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층(40)을 차례로 코팅하는 단계;The medium refractive undercoat layer 20 having a refractive index of 1.75 to 2.1 and a thickness of 10 to 22 nm by a sputtering method or a vacuum deposition method on one surface of the transparent substrate layer 10 made of glass, having a refractive index of 1.4 to 1.5 and a thickness of 70 to Coating a low refractive index undercoat layer 30 having a thickness of 80 nm and a transparent conductor layer 40 having a refractive index of 1.9 to 2.1 and a thickness of 10 to 30 nm; 상기 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 상기 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)를 형성하는 단계; 및 Forming a pattern portion (a) from which the transparent conductor layer (40) has been removed and a non-pattern portion (b) from which the transparent conductor layer (40) has not been removed; And 250 ~ 350℃의 온도로 어닐링 열처리를 하여 상기 투명 도전체층(40)을 결정화하는 단계를 포함하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법. Method of manufacturing a transparent conductive substrate for a touch panel comprising the step of crystallizing the transparent conductor layer 40 by annealing heat treatment at a temperature of 250 ~ 350 ℃. PET 필름으로 된 투명 기재층(10)의 일면에 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층(20), 굴절율 이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층(30) 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층(40)을 차례로 코팅하는 단계;The medium refractive index undercoat layer 20 having a refractive index of 1.75 to 2.1 and a thickness of 10 to 22 nm by a sputtering method or a vacuum deposition method on one surface of the transparent substrate layer 10 made of PET film, having a refractive index of 1.4 to 1.5 and a thickness of 70 Coating a low refractive index undercoat layer 30 having a thickness of ˜80 nm and a transparent conductor layer 40 having a refractive index of 1.9 to 2.1 and a thickness of 10 to 30 nm; 상기 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 상기 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)를 형성하는 단계; 및 Forming a pattern portion (a) from which the transparent conductor layer (40) has been removed and a non-pattern portion (b) from which the transparent conductor layer (40) has not been removed; And 100 ~ 150℃의 온도로 어닐링 열처리를 하여 상기 투명 도전체층(40)을 결정화하는 단계를 포함하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법. Method of manufacturing a transparent conductive substrate for a touch panel comprising the step of annealing heat treatment at a temperature of 100 ~ 150 ℃ crystallizing the transparent conductor layer (40). 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 상기 코팅 단계는 상기 투명 기재층(10)의 반대면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층(20), 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층(30) 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층(40)을 차례로 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법.In the coating step, the medium refractive index undercoat layer 20 having a refractive index of 1.75 to 2.1 and a thickness of 10 to 22 nm on the opposite surface of the transparent substrate layer 10, a low refractive index of 1.4 to 1.5 and a thickness of 70 to 80 nm. A method of manufacturing a transparent conductive substrate for a touch panel, further comprising the step of coating the refractive undercoat layer 30 and the transparent conductor layer 40 having a refractive index of 1.9 to 2.1 and a thickness of 10 to 30 nm. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 상기 코팅 단계는 상기 투명 기재층(10)의 반대면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층(20), 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층(30)을 차례로 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법.In the coating step, the medium refractive index undercoat layer 20 having a refractive index of 1.75 to 2.1 and a thickness of 10 to 22 nm on the opposite surface of the transparent substrate layer 10, a low refractive index of 1.4 to 1.5 and a thickness of 70 to 80 nm. Method for producing a transparent conductive substrate for a touch panel, characterized in that it further comprises the step of coating the refractive undercoat layer 30 in sequence. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 상기 중굴절 언더코팅층(20)은 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO) 또는 이트륨 산화물(Y2O3)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법. The medium refractive undercoat layer 20 is a method of manufacturing a transparent conductive substrate for a touch panel, characterized in that the content of SnO 2 is made of indium tin oxide (ITO) or yttrium oxide (Y 2 O 3 ) of 3 to 15% by weight. . 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 상기 저굴절 언더코팅층(30)은 규소 산화물(SiOx) 또는 마그네슘 플루오라이드(MgF2)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법.The low refractive index undercoat layer 30 is a method of manufacturing a transparent conductive substrate for a touch panel, characterized in that consisting of silicon oxide (SiO x ) or magnesium fluoride (MgF 2 ). 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 상기 투명 도전체층(40)은 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법. The transparent conductor layer 40 is a method of manufacturing a transparent conductive substrate for a touch panel, characterized in that the content of SnO 2 is made of indium tin oxide (ITO) of 3 to 15% by weight.
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