KR20110041874A - Plasma reactor for abatement of hazardous material and driving method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A plasma reactor and a driving method thereof are provided to improve the process efficiency of contaminant by increasing the temperature and density of plasma. CONSTITUTION: Two ground electrodes(21) are positioned at an interval. A dielectric(22) is fixed between the ground electrodes and connects the ground electrodes. A driving electrode(23) is formed on the exterior of the dielectric and is located with some space. A driving electrode is connected to the AC power unit and is applied with the driving voltage. The ground electrodes and the dielectric are formed in a ring shape and are connected to one-direction to form a pipe.

Description

오염 물질 제거용 플라즈마 반응기 및 이의 구동 방법 {PLASMA REACTOR FOR ABATEMENT OF HAZARDOUS MATERIAL AND DRIVING METHOD THEREOF}Plasma reactor for removing contaminants and driving method thereof {PLASMA REACTOR FOR ABATEMENT OF HAZARDOUS MATERIAL AND DRIVING METHOD THEREOF}

본 발명은 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 또는 반도체 제조 공정 중 저압 공정 챔버에서 발생하는 오염 물질을 제거하기 위한 플라즈마 반응기 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma reactor for removing contaminants, and more particularly, to a plasma reactor and a driving method thereof for removing contaminants generated in a low pressure process chamber during a display or semiconductor manufacturing process.

액정 표시패널, 유기발광 표시패널과 같은 디스플레이 제조 공정 및 반도체 제조 공정 중 애싱(ashing), 식각, 증착, 세정, 및 질화처리 등의 공정이 저압 공정 챔버에서 진행된다. 이러한 저압 공정에 사용되는 가스로는 ① 휘발성 유기화합물(트리클로로에틸렌, 1,1,1-트리클로로에탄, 메탄올, 아세트알데히드 등), ② 산(acid) 계열(HNO3, H2SO4, HCl, F2, HF, Cl2, BCl3, NOx 등), ③ 악취 유발 물질(NH3, H2S 등), ④ 자연발화 기체(SiH4, Si2H6, PH3, AsH3 등), ⑤ 지구 온난화 유발 물질(퍼플루오르 화합물) 등이 있다.In a display manufacturing process such as a liquid crystal display panel and an organic light emitting display panel and a semiconductor manufacturing process, processes such as ashing, etching, deposition, cleaning, and nitriding are performed in a low pressure process chamber. Gases used in this low pressure process include (1) volatile organic compounds (trichloroethylene, 1,1,1-trichloroethane, methanol, acetaldehyde, etc.), and (2) acid series (HNO 3 , H 2 SO 4 , HCl). , F 2 , HF, Cl 2 , BCl 3 , NOx, etc.) ③ Odor-causing substances (NH 3 , H 2 S, etc.), ④ Auto-ignition gases (SiH 4 , Si 2 H 6 , PH 3 , AsH 3, etc.) And ⑤ global warming agents (perfluoro compounds).

저압 분위기에서 진행되는 애싱, 식각, 증착, 세정, 및 질화처리 공정을 거치면 미세입자, HF, 플루오르화물, 염화물, SiO2, GeO2, 금속, NOx, NH3, 하이드로 카본, 및 퍼플루오르 화합물 등의 오염 물질이 생성된다.Through ashing, etching, deposition, cleaning, and nitriding processes performed in a low pressure atmosphere, fine particles, HF, fluoride, chloride, SiO 2 , GeO 2 , metal, NOx, NH 3 , hydrocarbon, and perfluorine compounds Pollutants are produced.

이 중 HF, 플루오르화물, 및 염화물은 진공 펌프 또는 이음관(저압 공정 챔버와 진공 펌프를 연결하는 관)의 부식을 유발하며, 공기 중으로 배출되기 전에 반드시 처리되어야 하는 유해 물질이다. 미세입자, SiO2, GeO2, 및 금속 등은 이음관을 통과하면서 냉각 과정을 거친 후 분말 형태로 바뀌는데, 이러한 분말은 진공 펌프의 수명을 단축시키는 주요인이다. 그리고 퍼플루오르 화합물은 환경 규제에 의해 대기 중 배출이 통제되고 있는 추세이다.Among them, HF, fluoride, and chloride cause corrosion of the vacuum pump or the joint pipe (the pipe connecting the low pressure process chamber and the vacuum pump) and are hazardous substances that must be disposed of before being released into the air. Microparticles, SiO 2 , GeO 2 , and metals are transformed into powder form after cooling through the joint pipe, which is a major factor in shortening the life of the vacuum pump. Perfluorine compounds are also being controlled by environmental regulations.

따라서 진공 펌프의 전방(즉 이음관) 또는 진공 펌프의 후방에 플라즈마 반응기를 설치하여 저압 공정 챔버에서 발생하는 오염 물질을 제거하고 있다. 진공 펌프의 후방에 위치하는 플라즈마 반응기는 상압에서 운전되므로 설치 및 운전이 비교적 용이하다. 반대로, 진공 펌프의 전방에 위치하는 플라즈마 반응기는 오염 물질을 효율적으로 분해시키며, 진공 펌프의 수명을 높이는데 기여할 수 있다.Therefore, a plasma reactor is installed in front of the vacuum pump (ie, the joint pipe) or behind the vacuum pump to remove contaminants generated in the low pressure process chamber. Plasma reactor located behind the vacuum pump is operated at normal pressure, so installation and operation are relatively easy. In contrast, the plasma reactor located in front of the vacuum pump effectively decomposes contaminants and may contribute to increasing the life of the vacuum pump.

진공 펌프의 전방에 설치되어 저압 플라즈마를 생성하는 플라즈마 반응기는 주로 유도 결합 플라즈마 방식(inductive coupled plasma)의 전극 구조와 무선주파수(RF) 구동 방식을 사용한다. 유도 결합 플라즈마 방식은 코일 모양의 전극 양 단부에 전압을 인가하여 플라즈마를 생성한다. 그런데 이러한 플라즈마 반응기는 장치 자체가 고가이고, 특히 무선주파수(RF) 전원 공급기의 가격이 매우 높으며, 플라즈마 유지를 위한 전력 소모가 크기 때문에 설치 비용과 유지 비용이 높은 문제가 있다.The plasma reactor, which is installed in front of the vacuum pump and generates low pressure plasma, mainly uses an electrode structure of inductive coupled plasma and an RF driving method. Inductively coupled plasma generates a plasma by applying a voltage to both ends of the coil-shaped electrode. However, such a plasma reactor has a problem that the device itself is expensive, in particular, the price of a radio frequency (RF) power supply is very high, and the power consumption for maintaining the plasma is high, so the installation cost and maintenance cost are high.

본 발명은 진공 펌프의 전방에 설치되어 저압 플라즈마를 생성하는 플라즈마 반응기에 있어서, 설치 비용과 유지 비용을 줄이면서도 오염 물질의 처리 효율을 높이고 장시간 안정적인 운전이 가능한 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기 및 이의 구동 방법을 제공하고자 한다.The present invention is a plasma reactor installed in front of a vacuum pump to generate a low-pressure plasma, while reducing the installation cost and maintenance costs, while increasing the treatment efficiency of contaminants and stable operation for a long time and a method for driving the contaminant removal To provide.

본 발명의 일 실시예에 따른 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기는, 저압 공정 챔버와 진공 펌프 사이에 위치하고, 저압 플라즈마를 발생하여 저압 공정 챔버에서 발생된 오염 물질을 처리하며, ⅰ) 서로간 거리를 두고 위치하는 적어도 2개의 접지 전극, ⅱ) 접지 전극들 사이에 고정되어 접지 전극들을 연결하는 유전체, 및 ⅲ) 유전체의 외면에 형성되며, 접지 전극들과 거리를 두고 위치하고, 교류 전원부와 연결되어 구동 전압을 인가받는 적어도 하나의 구동 전극을 포함한다.Plasma reactor for removing contaminants in accordance with an embodiment of the present invention, located between the low pressure process chamber and the vacuum pump, generates a low pressure plasma to treat the pollutants generated in the low pressure process chamber, iii) at a distance from each other At least two ground electrodes positioned, ii) a dielectric fixed between the ground electrodes to connect the ground electrodes, and iii) formed on an outer surface of the dielectric, located at a distance from the ground electrodes, and connected to an AC power supply to drive voltage. It includes at least one driving electrode is applied.

접지 전극들과 유전체는 고리 모양으로 형성되고, 한 방향으로 이어져 관을 형성할 수 있다. 접지 전극들 중 어느 하나는 저압 공정 챔버와 연결되고, 다른 하나는 진공 펌프와 연결되어 접지 전극들이 이음관으로 기능할 수 있다.The ground electrodes and the dielectric may be formed in an annular shape and may continue in one direction to form a tube. One of the ground electrodes is connected to the low pressure process chamber, and the other is connected to the vacuum pump so that the ground electrodes can function as a joint tube.

유전체는 세라믹 또는 쿼츠로 제조될 수 있다. 구동 전극은 유전체의 폭보다 작은 폭을 가지며, 접지 전극들과 간격을 유지할 수 있다.The dielectric can be made of ceramic or quartz. The drive electrode has a width smaller than the width of the dielectric and can be spaced apart from the ground electrodes.

오염 물질 제거용 플라즈마 반응기는, 유전체의 외면에서 구동 전극과 거리를 두고 위치하는 적어도 하나의 보조 접지 전극을 더욱 포함할 수 있다.The plasma reactor for removing contaminants may further include at least one auxiliary ground electrode positioned at a distance from the driving electrode on the outer surface of the dielectric.

유전체의 길이 방향을 따라 보조 접지 전극, 구동 전극, 및 보조 접지 전극의 순서로 배치되거나, 구동 전극, 보조 접지 전극, 및 구동 전극의 순서로 배치되거나, 복수의 구동 전극과 복수의 보조 접지 전극이 하나씩 교대로 배치될 수 있다.Disposed in the order of the auxiliary ground electrode, the driving electrode, and the auxiliary ground electrode in the longitudinal direction of the dielectric, or in the order of the driving electrode, the auxiliary ground electrode, and the driving electrode, or the plurality of driving electrodes and the plurality of auxiliary ground electrodes One by one can be placed alternately.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구동 방법은, 서로간 거리를 두고 위치하는 적어도 2개의 접지 전극과, 접지 전극들 사이에 고정되어 접지 전극들을 연결하는 유전체, 및 유전체의 외면에서 접지 전극들과 거리를 두고 위치하는 적어도 하나의 구동 전극을 포함하는 플라즈마 반응기에 있어서, 구동 전극에 1kHz 내지 999kHz의 주파수를 가지는 구동 전압을 인가하여 저압 플라즈마를 발생시킨다.According to an embodiment of the present invention, a method of driving a plasma reactor includes at least two ground electrodes positioned at a distance from each other, a dielectric fixed between the ground electrodes to connect the ground electrodes, and a ground electrode at an outer surface of the dielectric. In the plasma reactor including at least one driving electrode positioned at a distance from the field, a low voltage plasma is generated by applying a driving voltage having a frequency of 1 kHz to 999 kHz to the driving electrode.

구동 전압은 증가부와 유지부 및 소멸부를 가지며, 하나의 주기에서 양의 전압 값과 음의 전압 값이 주기적으로 바뀔 수 있다.The driving voltage has an increasing part, a holding part and a dissipating part, and the positive voltage value and the negative voltage value may be periodically changed in one cycle.

구동 전극의 투입 전력을 조절하여 플라즈마의 온도와 밀도를 변화시킬 수 있으며, 투입 전력의 증가는 구동 전압의 상승, 구동 주파수의 상승, 및 구동 전압의 기울기 상승 중 어느 하나의 방법으로 구현할 수 있다.The input power of the driving electrode may be adjusted to change the temperature and the density of the plasma, and the increase of the input power may be implemented by any one method of increasing the driving voltage, increasing the driving frequency, and increasing the slope of the driving voltage.

본 발명의 다른 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구동 방법은, 서로간 거리를 두고 위치하는 적어도 2개의 접지 전극과, 접지 전극들 사이에 고정되어 접지 전극들을 연결하는 유전체와, 유전체의 외면에서 서로간 거리를 두고 위치하는 적어도 하나의 구동 전극 및 적어도 하나의 보조 접지 전극들을 포함하는 플라즈마 반응기에 있어서, 구동 전극에 1kHz 내지 999kHz의 주파수를 가지는 구동 전압을 인가하여 저압 플라즈마를 발생시킨다.According to another aspect of the present invention, a method of driving a plasma reactor includes at least two ground electrodes positioned at a distance from each other, a dielectric fixed between the ground electrodes to connect the ground electrodes, and an outer surface of the dielectric. In the plasma reactor including at least one driving electrode and at least one auxiliary ground electrode positioned at a distance from each other, a low voltage plasma is generated by applying a driving voltage having a frequency of 1 kHz to 999 kHz to the driving electrode.

본 실시예에 의한 플라즈마 반응기는 유전 베리어 방전(dielectric barrier discharge) 방식으로 플라즈마를 발생시키고, 고리 모양의 전극 구조를 가지며, 수 kHz 내지 수백 kHz의 교류(AC) 주파수 구동 특성을 가진다. 따라서 플라즈마 반응기의 설치 비용과 유지 비용을 줄이면서도 플라즈마의 길이와 균일도를 높여 오염 물질을 보다 효과적으로 처리할 수 있고, 방전의 안정성을 높여 장시간 안정적으로 운전할 수 있다.The plasma reactor according to the present embodiment generates plasma by a dielectric barrier discharge method, has an annular electrode structure, and has alternating current (AC) frequency driving characteristics of several kHz to several hundred kHz. Therefore, while reducing the installation cost and maintenance cost of the plasma reactor, it is possible to treat the pollutants more effectively by increasing the length and uniformity of the plasma, it is possible to operate stably for a long time by increasing the stability of the discharge.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기를 포함하는 저압 공정 시스템의 구성도이다. 도 1의 저압 공정 시스템은 디스플레이 및 반도체 제조 공정에 적용된다.1 is a block diagram of a low pressure process system including a plasma reactor according to an embodiment of the present invention. The low pressure process system of FIG. 1 is applied to display and semiconductor manufacturing processes.

도 1을 참고하면, 저압 공정 시스템(100)은 저압 공정 챔버(10), 이음관(11)을 통해 저압 공정 챔버(10)와 연결되는 진공 펌프(12), 이음관(11)에 설치되는 플라즈마 반응기(20)를 포함한다. 플라즈마 반응기(20)는 진공 펌프(12)의 전방에 설치되는 방식으로서, 그 내부가 저압 공정 챔버(10)와 동일한 저압 상태를 유지한 다. 플라즈마 반응기(20)의 전방에는 반응 기체 주입부(13)가 위치하고, 플라즈마 반응기(20)의 후방에는 스크러버(14) 및 필터(15)가 제공된다.Referring to FIG. 1, the low pressure process system 100 is installed in a low pressure process chamber 10, a vacuum pump 12 connected to a low pressure process chamber 10 through a fitting pipe 11, and a fitting pipe 11. And a plasma reactor 20. The plasma reactor 20 is installed in front of the vacuum pump 12, and maintains the same low pressure state as that of the low pressure process chamber 10. The reaction gas injection unit 13 is positioned in front of the plasma reactor 20, and a scrubber 14 and a filter 15 are provided behind the plasma reactor 20.

저압 공정 챔버(10)에서 애싱, 식각, 증착, 세정, 및 질화처리 등의 공정이 행해지며, 이 공정을 거치면 유해 기체, 분말 물질, 퍼플루오르 화합물 등의 각종 오염 물질들이 생성된다. 플라즈마 반응기(20)는 그 내부에 저압 플라즈마를 발생시켜 플라즈마의 높은 온도로 유해 기체와 퍼플루오르 화합물을 분해시킨다. 분해된 성분들은 반응 기체들과 결합하여 무해한 원소로 변화한다. 플라즈마는 전자 또는 여기 원자와 같은 반응 물질들을 풍부하게 함유하고 있으므로 분해된 기체와 반응 기체간의 화학반응을 촉진시킨다.In the low pressure process chamber 10, processes such as ashing, etching, deposition, cleaning, and nitriding are performed, and through this process, various contaminants such as harmful gases, powder materials, and perfluorine compounds are generated. The plasma reactor 20 generates a low pressure plasma therein to decompose harmful gases and perfluorine compounds at the high temperature of the plasma. The decomposed components combine with the reactant gases and change into harmless elements. Plasma contains abundant reactants such as electrons or excitation atoms and thus promotes chemical reactions between decomposed and reactive gases.

스크러버(14)는 산(acid) 계열의 기체를 중화시켜 진공 펌프(12)의 성능을 높인다. 분말 물질은 플라즈마의 높은 열에 의해 기화되어 진공 펌프(12) 내부에 축적되지 않고 공기 중으로 배출됨으로써 진공 펌프(12)의 수명을 높인다. 이때, 일부의 분말 물질이 기화되지 않고 남을 수 있는데, 필터(15)가 기화되지 않은 분말 물질을 걸러 진공 펌프(12)로의 유입을 차단하므로 진공 펌프(12)의 수명을 더 높이는데 기여한다.The scrubber 14 neutralizes acid-based gas to increase the performance of the vacuum pump 12. The powdered material is vaporized by the high heat of the plasma and is not accumulated in the vacuum pump 12 but is discharged into the air, thereby increasing the life of the vacuum pump 12. At this time, some of the powder material may remain without vaporization, and the filter 15 filters the unvaporized powder material and blocks the inflow into the vacuum pump 12, thereby contributing to further increasing the life of the vacuum pump 12.

본 실시예에 의한 플라즈마 반응기(20)는 유전 베리어 방전(dielectric barrier discharge) 방식으로 플라즈마를 발생시키고, 고리 모양의 전극 구조를 가지며, 수 kHz 내지 수백 kHz의 교류(AC) 주파수 구동 특성을 가진다. 전술한 특성들은 모두 플라즈마 반응기(20)의 설치 비용과 유지 비용을 줄이면서도 오염 물질 처리 효율을 높이고, 장시간 안정적인 운전을 가능하게 한다. 도 2 내지 도 8을 참 고하여 플라즈마 반응기(20)의 세부 구조와 작용에 대해 설명한다.The plasma reactor 20 according to the present embodiment generates plasma by a dielectric barrier discharge method, has an annular electrode structure, and has alternating current (AC) frequency driving characteristics of several kHz to several hundred kHz. All of the above-described characteristics, while reducing the installation cost and maintenance cost of the plasma reactor 20, improves the pollutant treatment efficiency, and enables a long time stable operation. The detailed structure and operation of the plasma reactor 20 will be described with reference to FIGS. 2 to 8.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시한 플라즈마 반응기의 단면도이다.2 is a perspective view of a plasma reactor according to a first embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view of the plasma reactor shown in FIG.

도 2와 도 3을 참고하면, 제1 실시예의 플라즈마 반응기(201)는 서로간 거리를 두고 위치하는 적어도 2개의 접지 전극(21)과, 접지 전극들(21) 사이에 고정되는 유전체(22)와, 유전체(22) 외면에 형성되며 AC 전원부(24)와 연결되는 구동 전극(23)을 포함한다.2 and 3, the plasma reactor 201 of the first embodiment includes at least two ground electrodes 21 positioned at a distance from each other, and a dielectric 22 fixed between the ground electrodes 21. And a driving electrode 23 formed on an outer surface of the dielectric 22 and connected to the AC power supply 24.

접지 전극들(21)은 고리 모양으로 형성되며, 금속(예: 스테인리스 강)으로 제조된다. 접지 전극들(21) 중 어느 하나는 저압 공정 챔버(10)와 연결된 이음관일 수 있고, 접지 전극들(21) 중 다른 하나는 진공 펌프(12)와 연결된 이음관일 수 있다. 이 경우, 별도의 접지 전극 제작 없이 기존 이음관을 분리시키고 분리된 이음관을 접지시키는 방법으로 접지 전극들(21)을 용이하게 제조할 수 있다.The ground electrodes 21 are formed in a ring shape and are made of metal (eg, stainless steel). One of the ground electrodes 21 may be a joint pipe connected to the low pressure process chamber 10, and the other of the ground electrodes 21 may be a joint pipe connected to the vacuum pump 12. In this case, the ground electrodes 21 may be easily manufactured by separating the existing joint pipe and grounding the separated joint pipe without making a separate ground electrode.

유전체(22) 또한 접지 전극들(21)과 동일한 직경 및 단면 형상을 가지는 고리 모양으로 형성된다. 유전체(22)는 접지 전극들(21) 사이에 고정되어 접지 전극들(21)을 연결시킨다. 이로써 한 방향으로 이어진 접지 전극들(21)과 유전체(22)가 관을 형성하여 저압 공정 챔버(10)와 진공 펌프(12)를 연결시킨다. 유전체(22)는 세라믹 또는 쿼츠(quartz)로 제조된다.The dielectric 22 is also formed in an annular shape having the same diameter and cross-sectional shape as the ground electrodes 21. The dielectric 22 is fixed between the ground electrodes 21 to connect the ground electrodes 21. As a result, the ground electrodes 21 and the dielectric 22 connected in one direction form a tube to connect the low pressure process chamber 10 and the vacuum pump 12. Dielectric 22 is made of ceramic or quartz.

구동 전극(23)은 유전체(22)보다 작은 폭으로 형성되어 접지 전극들(21)과 소정의 간격을 유지한다. 특히 구동 전극(23)은 유전체(22)의 외면 중앙에 위치하여 2개의 접지 전극(21)과 동일한 간격(g, 도 2 참조)을 유지할 수 있다. 구동 전 극(23) 또한 유전체(22)를 둘러싸는 고리 모양으로 형성되며, 교류 전원부(24)와 연결되어 이로부터 플라즈마 방전에 필요한 구동 전압을 제공받는다.The driving electrode 23 is formed to have a smaller width than the dielectric 22 to maintain a predetermined distance from the ground electrodes 21. In particular, the driving electrode 23 may be positioned at the center of the outer surface of the dielectric 22 to maintain the same distance (g, FIG. 2) as the two ground electrodes 21. The driving electrode 23 is also formed in a ring shape surrounding the dielectric 22 and is connected to the AC power supply 24 to receive a driving voltage necessary for plasma discharge.

도 4a와 도 4b는 도 2에 도시한 플라즈마 반응기 중 구동 전극에 인가되는 구동 전압의 파형 예를 나타낸 도면이다.4A and 4B are diagrams showing waveform examples of driving voltages applied to driving electrodes in the plasma reactor shown in FIG. 2.

도 4a와 도 4b를 참고하면, 구동 전극에 인가되는 구동 전압(Vs)은 1kHz 내지 999kHz의 주파수를 가지는 교류 전압 또는 바이폴라 펄스 전압이며, 운전 전압은 양의 값(1/2Vs)과 음의 값(-1/2Vs)이 주기적으로 바뀌는 형태를 가진다. 구동 파형은 사각 파형, 삼각 파형, 및 사인 파형 등 다양한 형태로 이루어지는데 공통적으로 증가부, 유지부 및 소멸부를 가진다. 도 4a와 도 4b에서는 각각 사각 파형과 사인 파형의 예를 나타내었다.4A and 4B, the driving voltage Vs applied to the driving electrode is an AC voltage or a bipolar pulse voltage having a frequency of 1 kHz to 999 kHz, and the operating voltage is a positive value (1/2 Vs) and a negative value. (-1 / 2Vs) is changed periodically. The drive waveform has various forms such as square waveform, triangular waveform, and sine waveform, and commonly has an increasing portion, a holding portion, and a dissipating portion. 4A and 4B show examples of square and sine waveforms, respectively.

다시 도 2와 도 3을 참고하면, 전술한 구조의 플라즈마 반응기에서 구동 전극에 구동 전압을 인가하면 구동 전극과 접지 전극의 전압 차에 의해 플라즈마 반응기 내부에 플라즈마 방전이 유도된다. 방전은 운전 전압이 내부 기체의 항복 전압(breakdown voltage)보다 높을 때 발생하며, 방전 전류는 시간에 따라 계속 증가하다가 유전체 위에 벽전하가 쌓이는 양이 많아짐에 따라 감소한다.Referring again to FIGS. 2 and 3, when a driving voltage is applied to the driving electrode in the plasma reactor having the above-described structure, plasma discharge is induced inside the plasma reactor by the voltage difference between the driving electrode and the ground electrode. The discharge occurs when the operating voltage is higher than the breakdown voltage of the internal gas, and the discharge current continues to increase with time and decreases as the amount of wall charges on the dielectric increases.

즉, 제1 실시예의 플라즈마 반응기는 접지 전극과 구동 전극 사이에 유전체가 존재하는 구조이므로, 방전 개시 이후 방전 전류가 높아짐에 따라 플라즈마 내의 공간 전하들이 유전체 위에 쌓여 벽전하가 생성된다. 벽전하는 외부에서 걸리는 전압을 억제하는 기능을 하며, 이러한 유전체의 벽전압(wall voltage)에 의해 시간이 지남에 따라 방전이 약해진다. 플라즈마 방전은 인가 전압이 유지되는 동안 생 성과 유지 및 소멸 과정을 반복한다.That is, since the plasma reactor of the first embodiment has a structure in which a dielectric exists between the ground electrode and the driving electrode, space charges in the plasma are accumulated on the dielectric to generate wall charges as the discharge current increases after the start of discharge. The wall charge functions to suppress the voltage applied from the outside, and the discharge weakens with time by the wall voltage of the dielectric. Plasma discharge repeats the generation, maintenance and disappearance while the applied voltage is maintained.

따라서 제1 실시예의 플라즈마 반응기에서는 방전이 아크(arc)로 전이되지 않고 글로우(glow) 영역에 머물면서 저압 공정 챔버에서 발생된 오염 물질을 제거한다. 방전이 아크로 전이되면 방전은 좁은 지역에 집중하게 되며, 이는 전극의 손상을 유발한다. 그러나 제1 실시예의 플라즈마 반응기는 유전체의 벽전하를 이용하여 방전이 아크로 전이되는 것을 방지하므로 구동 전극 및 접지 전극의 수명을 연장시킬 수 있다.Therefore, in the plasma reactor of the first embodiment, the discharge is not transferred to the arc but stays in the glow region to remove contaminants generated in the low pressure process chamber. When the discharge transitions to an arc, the discharge concentrates in a narrow area, which causes damage to the electrode. However, the plasma reactor of the first embodiment prevents the discharge from transferring to the arc by using the wall charge of the dielectric, thereby extending the life of the driving electrode and the ground electrode.

또한, 기존의 이음관을 접지 전극으로 활용함으로써 저압 공정 시스템에 플라즈마 반응기를 용이하게 설치할 수 있다. 그리고 구동 전극이 장치 외부, 즉 유전체의 외면에 위치하므로, 진공 펌프의 작동을 중단시키지 않고도 구동 전극의 모양이나 접지 전극과의 간격 등을 자유롭게 조절할 수 있고, 구동 전극의 교체도 쉽게 할 수 있다.In addition, it is possible to easily install a plasma reactor in a low pressure process system by utilizing an existing joint tube as a ground electrode. In addition, since the driving electrode is located outside the apparatus, that is, the outer surface of the dielectric, the shape of the driving electrode, the distance from the ground electrode, and the like can be freely adjusted without interrupting the operation of the vacuum pump, and the driving electrode can be easily replaced.

또한, 접지 전극과 구동 전극이 고리 모양으로 형성되므로 플라즈마의 균일도(uniformity)가 높아지고, 구동 전극을 충분한 폭으로 형성함으로써 오염 가스의 플라즈마 내 잔류 시간을 증가시킬 수 있다. 이러한 플라즈마의 높은 균일도와 잔류 시간 증가는 오염 물질의 처리 효율 향상으로 이어진다. 이때, 처리 효율은 "분해율/소비 전력"으로 정의되며, 동일한 소비 전력 조건에서 보다 많은 양의 오염 물질을 처리할 수 있다.In addition, since the ground electrode and the driving electrode are formed in a ring shape, the uniformity of the plasma is increased, and the residence time of the polluting gas in the plasma can be increased by forming the driving electrode to a sufficient width. The high uniformity and increased residence time of these plasmas leads to improved treatment efficiency of contaminants. At this time, the processing efficiency is defined as "decomposition rate / power consumption", and can treat a larger amount of pollutants under the same power consumption conditions.

플라즈마를 이용한 오염 가스 제거 과정에서, 오염 가스의 종류 및 양에 따라 이들을 완전 분해하기 위한 플라즈마 조건이 달라질 수 있다. 오염 가스 분해에 가장 큰 영향을 주는 특성으로는 플라즈마의 온도와 밀도를 들 수 있다.During the contaminant gas removal process using plasma, plasma conditions for completely decomposing these may vary depending on the type and amount of the contaminated gas. The most influential properties for polluting gas decomposition include the temperature and density of the plasma.

제1 실시예의 플라즈마 반응기에서는 오염 가스의 분해가 어려울 물질일수록 또는 오염 가스의 양이 많을수록 구동 전압 또는 구동 주파수를 높이거나 구동 전압의 기울기를 크게 하는 방법으로 투입 전력을 가변시켜 플라즈마의 온도와 밀도를 높인다. 따라서 다양한 작동 환경에서도 오염 가스를 완전 분해하여 제거 성능을 향상시킬 수 있다.In the plasma reactor of the first embodiment, the more difficult the decomposition of contaminated gas or the larger the amount of the contaminated gas, the more the input voltage is changed by increasing the driving voltage or driving frequency or increasing the slope of the driving voltage to change the temperature and density of the plasma. Increase Therefore, even in various operating environments, contaminant gases can be completely decomposed to improve the removal performance.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.5 is a perspective view of a plasma reactor according to a second embodiment of the present invention.

도 5를 참고하면, 제2 실시예의 플라즈마 반응기(202)는, 유전체(22) 외면에 형성되며 구동 전극(23)과 거리를 두고 위치하는 보조 접지 전극(25)을 더 포함하는 것을 제외하고 전술한 제1 실시예의 플라즈마 반응기와 동일한 구성으로 이루어진다. 제1 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 인용 부호를 사용한다.Referring to FIG. 5, the plasma reactor 202 of the second embodiment includes the auxiliary ground electrode 25 formed on the outer surface of the dielectric 22 and positioned at a distance from the driving electrode 23. One configuration is the same as that of the plasma reactor of the first embodiment. The same reference numerals are used for the same members as in the first embodiment.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.6 is a perspective view of a plasma reactor according to a third embodiment of the present invention.

도 6을 참고하면, 제3 실시예의 플라즈마 반응기(203)는 하나의 구동 전극(23)이 2개의 보조 접지 전극들(25) 사이에서 이들과 거리를 두고 위치하는 것을 제외하고 전술한 제2 실시예의 플라즈마 반응기와 동일한 구성으로 이루어진다. 제2 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 인용 부호를 사용한다.Referring to FIG. 6, the plasma reactor 203 of the third embodiment includes the second embodiment described above except that one driving electrode 23 is positioned at a distance between them between two auxiliary ground electrodes 25. It has the same configuration as the example plasma reactor. The same reference numerals are used for the same members as in the second embodiment.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.7 is a perspective view of a plasma reactor according to a fourth embodiment of the present invention.

도 7을 참고하면, 제4 실시예의 플라즈마 반응기(204)는 하나의 보조 접지 전극(25)이 2개의 구동 전극들(23) 사이에서 이들과 거리를 두고 위치하는 것을 제외하고 전술한 제2 실시예의 플라즈마 반응기와 동일한 구성으로 이루어진다. 제2 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 인용 부호를 사용한다.Referring to FIG. 7, the plasma reactor 204 of the fourth embodiment includes the second embodiment described above except that one auxiliary ground electrode 25 is positioned at a distance between them between two driving electrodes 23. It has the same configuration as the example plasma reactor. The same reference numerals are used for the same members as in the second embodiment.

도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.8 is a perspective view of a plasma reactor according to a fifth embodiment of the present invention.

도 8을 참고하면, 제5 실시예의 플라즈마 반응기(205)는 2개 이상의 구동 전극들(23)과 2개 이상의 보조 접지 전극들(25)이 서로간 거리를 두고 하나씩 교대로 위치하는 것을 제외하고 전술한 제2 실시예의 플라즈마 반응기와 동일한 구성으로 이루어진다. 제2 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 인용 부호를 사용한다.Referring to FIG. 8, in the plasma reactor 205 of the fifth embodiment, two or more driving electrodes 23 and two or more auxiliary ground electrodes 25 are alternately positioned one by one at a distance from each other. It has the same configuration as the plasma reactor of the above-described second embodiment. The same reference numerals are used for the same members as in the second embodiment.

전술한 제2 실시예 내지 제5 실시예에서, 유전체(22)의 외면에는 적어도 하나의 구동 전극(23)과 적어도 하나의 보조 접지 전극(25)이 서로간 거리를 두고 위치한다. 보조 접지 전극(25) 또한 구동 전극(23)과 동일한 고리 모양으로 형성된다. 이 구조에서는 플라즈마의 길이를 크게 하여 오염 가스의 플라즈마 내 잔류 시간을 늘릴 수 있으며, 벽전하의 양을 균일하게 하여 방전의 안정성을 높일 수 있다.In the above-described second to fifth embodiments, at least one driving electrode 23 and at least one auxiliary ground electrode 25 are positioned on the outer surface of the dielectric 22 at a distance from each other. The auxiliary ground electrode 25 is also formed in the same ring shape as the driving electrode 23. In this structure, the length of the plasma can be increased to increase the residence time of the contaminated gas in the plasma, and the stability of the discharge can be enhanced by making the amount of wall charge uniform.

즉, 유전체(22) 외면에 하나의 구동 전극(23)만 배치되는 구조에서는 구동 전극(23)의 면적이 과도할 때 벽전하가 쌓이는 시간이 지체되어 구동 전극(23)의 극성이 바뀌기 전까지 충분한 벽전하가 쌓이지 않을 수 있다. 벽전하의 불충분한 쌓임은 구동 전압의 상승을 유발할 뿐만 아니라 벽전하 양의 비균일성에 의해 방전의 불안정을 유발할 수 있다.That is, in the structure in which only one driving electrode 23 is disposed on the outer surface of the dielectric 22, when the area of the driving electrode 23 is excessive, the time for the wall charges to accumulate is delayed until the polarity of the driving electrode 23 changes. Wall charges may not accumulate. Insufficient accumulation of wall charges not only causes an increase in driving voltage, but also causes instability of discharge due to nonuniformity of wall charge amount.

그러나 구동 전극(23)의 폭을 축소시키고, 구동 전극들(23) 사이에 보조 접지 전극들(25)을 배치한 전술한 구조에서는 벽전하의 양을 균일화하여 방전의 불안정성을 제거하고, 오염 물질의 처리 효율을 높일 수 있다. 또한, 제1 실시예 내지 제5 실시예의 플라즈마 반응기(201~205)는 무선주파수를 사용하지 않고 교류 구동 방식을 적용함에 따라, 초기 설치비가 저렴한 장점과 더불어 임피던스 정합(impedance matching)에서 비교적 자유롭기 때문에 무선주파수 방식 대비 방전의 안정성이 매우 뛰어난 장점을 가진다.However, in the above-described structure in which the width of the driving electrode 23 is reduced, and the auxiliary ground electrodes 25 are disposed between the driving electrodes 23, the amount of wall charge is equalized to remove instability of the discharge, and contaminants Can increase the processing efficiency. In addition, since the plasma reactors 201 to 205 of the first to fifth embodiments adopt the AC drive method without using the radio frequency, the initial installation cost is relatively low and the impedance matching is relatively free from impedance matching. Compared to the radio frequency method, the discharge stability is very excellent.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Of course.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기를 포함하는 저압 공정 시스템의 구성도이다.1 is a block diagram of a low pressure process system including a plasma reactor according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.2 is a perspective view of a plasma reactor according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시한 플라즈마 반응기의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the plasma reactor shown in FIG.

도 4a와 도 4b는 도 2에 도시한 플라즈마 반응기 중 구동 전극에 인가되는 구동 전압의 파형 예를 나타낸 도면이다.4A and 4B are diagrams showing waveform examples of driving voltages applied to driving electrodes in the plasma reactor shown in FIG. 2.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.5 is a perspective view of a plasma reactor according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.6 is a perspective view of a plasma reactor according to a third embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.7 is a perspective view of a plasma reactor according to a fourth embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.8 is a perspective view of a plasma reactor according to a fifth embodiment of the present invention.

Claims (15)

저압 공정 챔버와 진공 펌프 사이에 위치하며, 저압 플라즈마를 발생하여 상기 저압 공정 챔버에서 발생된 오염 물질을 처리하는 플라즈마 반응기에 있어서,A plasma reactor is disposed between a low pressure process chamber and a vacuum pump, and generates a low pressure plasma to treat contaminants generated in the low pressure process chamber. 서로간 거리를 두고 위치하는 적어도 2개의 접지 전극;At least two ground electrodes positioned at a distance from each other; 상기 접지 전극들 사이에 고정되어 상기 접지 전극들을 연결하는 유전체; 및A dielectric fixed between the ground electrodes to connect the ground electrodes; And 상기 유전체의 외면에 형성되며, 상기 접지 전극들과 거리를 두고 위치하고, 교류 전원부와 연결되어 구동 전압을 인가받는 적어도 하나의 구동 전극At least one driving electrode formed on an outer surface of the dielectric and positioned at a distance from the ground electrodes and connected to an AC power supply to receive a driving voltage 을 포함하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기.Plasma reactor for removing contaminants comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접지 전극들과 상기 유전체는 고리 모양으로 형성되고, 한 방향으로 이어져 관을 형성하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기.And the ground electrodes and the dielectric are formed in an annular shape and continue in one direction to form a tube. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 접지 전극들 중 어느 하나는 상기 저압 공정 챔버와 연결되고, 다른 하나는 상기 진공 펌프와 연결되어 상기 접지 전극들이 이음관으로 기능하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기.Any one of the ground electrodes is connected to the low pressure process chamber, and the other is connected to the vacuum pump so that the ground electrodes function as a joint pipe. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유전체는 세라믹 또는 쿼츠로 제조되는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기.The dielectric is a plasma reactor for removing contaminants made of ceramic or quartz. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 구동 전극은 상기 유전체의 폭보다 작은 폭을 가지며, 상기 접지 전극들과 간격을 유지하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기.The driving electrode has a width smaller than the width of the dielectric, the plasma reactor for removing the contaminants spaced apart from the ground electrodes. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 유전체의 외면에서 상기 구동 전극과 거리를 두고 위치하는 적어도 하나의 보조 접지 전극을 더욱 포함하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기.And at least one auxiliary ground electrode positioned at a distance from the driving electrode on an outer surface of the dielectric. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 유전체의 길이 방향을 따라 상기 보조 접지 전극, 상기 구동 전극, 및 상기 보조 접지 전극의 순서로 배치되는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기.Plasma reactor for removing contaminants in the order of the auxiliary ground electrode, the driving electrode, and the auxiliary ground electrode along the longitudinal direction of the dielectric. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 유전체의 길이 방향을 따라 상기 구동 전극, 상기 보조 접지 전극, 및 상기 구동 전극의 순서로 배치되는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기.Plasma reactor for removing contaminants in the order of the driving electrode, the auxiliary ground electrode, and the driving electrode along the longitudinal direction of the dielectric. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 유전체의 길이 방향을 따라 복수의 구동 전극과 복수의 보조 접지 전극이 하나씩 교대로 배치되는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기.And a plurality of driving electrodes and a plurality of auxiliary ground electrodes are alternately disposed one by one along the longitudinal direction of the dielectric. 서로간 거리를 두고 위치하는 적어도 2개의 접지 전극과, 상기 접지 전극들 사이에 고정되어 상기 접지 전극들을 연결하는 유전체, 및 상기 유전체의 외면에서 상기 접지 전극들과 거리를 두고 위치하는 적어도 하나의 구동 전극을 포함하는 플라즈마 반응기에 있어서,At least two ground electrodes positioned at a distance from each other, a dielectric fixed between the ground electrodes to connect the ground electrodes, and at least one drive disposed at a distance from the ground electrodes on an outer surface of the dielectric In a plasma reactor comprising an electrode, 상기 구동 전극에 1kHz 내지 999kHz의 주파수를 가지는 구동 전압을 인가하여 저압 플라즈마를 발생하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기의 구동 방법.And a driving voltage having a frequency of 1 kHz to 999 kHz to the driving electrode to generate a low pressure plasma. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 구동 전압은 증가부와 유지부 및 소멸부를 가지며, 하나의 주기에서 양의 전압 값과 음의 전압 값이 주기적으로 바뀌는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기의 구동 방법.The driving voltage includes an increasing part, a holding part, and a dissipating part, wherein the positive voltage value and the negative voltage value are periodically changed in one cycle. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 구동 전극의 투입 전력을 조절하여 플라즈마의 온도와 밀도를 변화시키며, 상기 투입 전력의 증가는 구동 전압 상승, 구동 주파수 상승, 및 구동 전압의 기울기 상승 중 어느 하나의 방법으로 구현하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기의 구동 방법.By adjusting the input power of the driving electrode to change the temperature and density of the plasma, the increase in the input power is for removing contaminants implemented by any one method of increasing the driving voltage, increasing the driving frequency, and increasing the slope of the driving voltage. Method of driving a plasma reactor. 서로간 거리를 두고 위치하는 적어도 2개의 접지 전극과, 상기 접지 전극들 사이에 고정되어 상기 접지 전극들을 연결하는 유전체와, 상기 유전체의 외면에서 서로간 거리를 두고 위치하는 적어도 하나의 구동 전극 및 적어도 하나의 보조 접지 전극들을 포함하는 플라즈마 반응기에 있어서,At least two ground electrodes positioned at a distance from each other, a dielectric fixed between the ground electrodes to connect the ground electrodes, at least one driving electrode positioned at a distance from each other on an outer surface of the dielectric, and at least In a plasma reactor comprising one auxiliary ground electrode, 상기 구동 전극에 1kHz 내지 999kHz의 주파수를 가지는 구동 전압을 인가하여 저압 플라즈마를 발생하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기의 구동 방법.And a driving voltage having a frequency of 1 kHz to 999 kHz to the driving electrode to generate a low pressure plasma. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 구동 전압은 증가부와 유지부 및 소멸부를 가지며, 하나의 주기에서 양의 전압 값과 음의 전압 값이 주기적으로 바뀌는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기의 구동 방법.The driving voltage includes an increasing part, a holding part, and a dissipating part, wherein the positive voltage value and the negative voltage value are periodically changed in one cycle. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 구동 전극에 인가되는 투입 전력을 조절하여 플라즈마의 온도와 밀도를 변화시키며, 상기 투입 전력의 증가는 구동 전압 상승, 구동 주파수 상승, 및 구동 전압의 기울기 상승 중 어느 하나의 방법으로 구현하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기의 구동 방법.The input power applied to the driving electrode is adjusted to change the temperature and density of the plasma, and the increase in the input power is a contaminant material implemented by any one of a method of increasing the driving voltage, increasing the driving frequency, and increasing the slope of the driving voltage. Method of driving a plasma reactor for removal.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101251464B1 (en) * 2011-08-26 2013-04-04 한국기계연구원 Plasma reactor with counter discharge type for abatement of pollutions
KR101278682B1 (en) * 2011-10-10 2013-06-26 한국기계연구원 Plasma reactor with non-uniform diameter for abatement of pollutions
KR20160091674A (en) 2015-01-26 2016-08-03 금오공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for removing contaminants using tripolyphospates and under water plazma dischareg
KR20160093218A (en) 2015-01-29 2016-08-08 금오공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for removing contaminants using hydrogen peroxide and under water plazma dischare
KR20160119417A (en) 2015-04-03 2016-10-13 금오공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for removing contaminants using carbon dioxide and under water plazma discharge
KR20230023929A (en) * 2021-08-11 2023-02-20 주식회사 피에스에스 Plasma device for treating exhaust gas

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101299709B1 (en) * 2012-03-26 2013-08-26 한국기계연구원 Plasma reactor for abatement of pollutions
KR101909429B1 (en) * 2012-02-06 2018-10-18 (주)트리플코어스코리아 Apparatus and method for treating gas powder for semicouductor process system
KR101909430B1 (en) * 2012-02-06 2018-10-18 (주)트리플코어스코리아 Apparatus and method for treating gas powder for semicouductor process system
KR101299710B1 (en) * 2012-03-26 2013-08-26 한국기계연구원 Plasma reactor for abatement of pollutions
KR101352164B1 (en) * 2012-10-17 2014-01-27 (주)클린팩터스 Method and vacuum system for removing metallic by-products
KR101501262B1 (en) * 2013-02-18 2015-03-12 한국기계연구원 Plasma-catalytic reactor for removing hazadous gases
KR101563193B1 (en) * 2014-04-16 2015-10-26 (주)클린팩터스 Facility for purifying exhaust gas which is generated in processing plasma reactor
KR101642129B1 (en) * 2014-04-29 2016-07-22 한국기계연구원 Plasma reactor for eco_frindly processing
KR101607637B1 (en) * 2014-07-03 2016-03-30 한국기계연구원 Plasma reactor for eco-friendly processing
US9211500B2 (en) 2014-04-29 2015-12-15 Korea Institute Of Machinery & Materials Plasma reactor for abating hazardous material
TWI647004B (en) 2014-04-30 2019-01-11 南韓商韓國機械研究院 Plasma reactor for abatement of hazardous material
KR101557880B1 (en) * 2014-07-07 2015-10-13 (주)클린팩터스 Low pressure plasma reactor for exhaust gas treatment
KR101732048B1 (en) 2015-07-07 2017-05-02 (주)클린팩터스 Facility for purifying exhaust gas which is generated in processing plasma reactor
KR102040823B1 (en) 2018-06-21 2019-11-05 (주)엘오티씨이에스 Electrode structure of plasma reactor and plasma reactor for treating harmful gas having the same
WO2020091325A1 (en) * 2018-10-29 2020-05-07 (주)이큐글로벌 Plasma reactor capable of preventing clogging by using ground and performing plurality of plasma reaction processes
KR102052282B1 (en) * 2018-10-29 2020-01-08 (주)이큐글로벌 Plasma reactor applicable plural plasma process
KR102052281B1 (en) * 2018-10-29 2019-12-04 (주)이큐글로벌 Plasma reactor where gas is injected
KR102145690B1 (en) * 2019-07-04 2020-08-19 (주)이큐글로벌 Plasma reactor applicable plural plasma process
KR102438551B1 (en) 2020-05-07 2022-09-01 (주)엘오티씨이에스 Gas supplying apparatus and exhaust gas plasma processing equipment with the same
KR102538959B1 (en) 2021-04-14 2023-06-01 주식회사 퓨어플라텍 Plasma reactor for treating exhaust gas

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04334543A (en) * 1991-05-07 1992-11-20 Masuhiro Kokoma Method and apparatus for atmospheric in-pipe pressure glow plasma reaction
JP2004223365A (en) * 2003-01-21 2004-08-12 Rohm Co Ltd Gas treatment equipment

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101251464B1 (en) * 2011-08-26 2013-04-04 한국기계연구원 Plasma reactor with counter discharge type for abatement of pollutions
KR101278682B1 (en) * 2011-10-10 2013-06-26 한국기계연구원 Plasma reactor with non-uniform diameter for abatement of pollutions
KR20160091674A (en) 2015-01-26 2016-08-03 금오공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for removing contaminants using tripolyphospates and under water plazma dischareg
KR20160093218A (en) 2015-01-29 2016-08-08 금오공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for removing contaminants using hydrogen peroxide and under water plazma dischare
KR20160119417A (en) 2015-04-03 2016-10-13 금오공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for removing contaminants using carbon dioxide and under water plazma discharge
KR20230023929A (en) * 2021-08-11 2023-02-20 주식회사 피에스에스 Plasma device for treating exhaust gas

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