KR20110035101A - An apparatus for etching a glass wafer having the function of removing residual etching solution - Google Patents
An apparatus for etching a glass wafer having the function of removing residual etching solution Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110035101A KR20110035101A KR1020090092663A KR20090092663A KR20110035101A KR 20110035101 A KR20110035101 A KR 20110035101A KR 1020090092663 A KR1020090092663 A KR 1020090092663A KR 20090092663 A KR20090092663 A KR 20090092663A KR 20110035101 A KR20110035101 A KR 20110035101A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- etching
- etchant
- etching liquid
- glass substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기체를 이용하여 에칭액 노즐 및 공급부 내에 잔류된 에칭액을 제거하여 잔류된 에칭액의 사전 낙하로 인한 유리기판 표면의 가공 불량을 방지할 수 있는 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
TFT-LCD 합착패널을 비롯하여 디스플레이패널용 유리기판은 패널의 경량화 및 박형화를 위해 기계적 연마법 또는 화학적 에칭법을 통해 얇은 두께를 갖도록 가공된다. 최근에는 점점 디스플레이패널의 슬림화에 대한 요구가 높아지면서, 기계적 연마법보다 생산성이 우수하고 박형화가 용이한 화학적 에칭법의 사용이 늘어가고 있다.Glass substrates for display panels, including TFT-LCD bonding panels, are processed to have a thin thickness through mechanical polishing or chemical etching to reduce the weight and thickness of the panel. In recent years, as the demand for slimming of display panels increases, the use of chemical etching which is more productive and thinner than mechanical polishing is increasing.
유리기판의 에칭방법으로는 디핑법(Deeping Method)과 스프레이법(Spray Method)이 있다. 이 중에서 디핑법은 에칭액이 담긴 에칭조에 유리를 침잠시켜 유리의 표면을 식각하는 것으로, 에칭조의 하부에 기포를 발생시켜 에칭액의 유동성을 향상시키는 방법이 사용되기도 했다. 이 디핑법은 다수의 유리기판을 동시에 가공하기가 용이하여 생산성이 매우 높은 장점이 있으나, 가공중 유리기판 표면에 형성되는 반응물이 제거되지 않고 잔류되어 가공된 유리기판의 표면 품질이 좋지 못한 단점이 있다.Etching methods of glass substrates include a deeping method and a spray method. Among them, the dipping method is to immerse the glass in the etching bath containing the etching solution to etch the surface of the glass, and a method of improving the fluidity of the etching solution by generating bubbles in the lower portion of the etching bath has been used. This dipping method is easy to process a plurality of glass substrates at the same time has the advantage of very high productivity, but the disadvantage that the surface quality of the processed glass substrate is not good because the reactants formed on the glass substrate surface is not removed during processing have.
스프레이법은 유리기판의 양면에 에칭액을 분사하여 식각을 행하는 것으로, 통상 소정의 가공 경로를 따라 좌측과 우측에 대향 설치된 다수의 노즐 사이에 유리기판을 세워진 상태로 배치하여 에칭액을 분사한다. 이 스프레이법은 유리기판의 표면에 높은 운동에너지를 갖는 에칭액이 고르게 뿌려지는 동시에 표면을 따라 에칭액이 흐르게 되므로, 반응 생성물의 제거와 새 에칭액의 공급이 신속하게 이루어지고, 표면 전체에 걸쳐 식각량도 균일하게 되어 우수한 표면 품질을 얻을 수 있는 장점이 있다. 그러나, 상기한 종래의 스프레이법은 노즐 사이의 에칭 공간에 유리기판을 한 장씩 배치하여 가공하는 방식이기 때문에, 생산성이 현저하게 떨어지는 단점이 있다.In the spray method, etching is performed by spraying etching liquid on both surfaces of the glass substrate, and the etching liquid is sprayed by arranging the glass substrate in an upright position between a plurality of nozzles provided on the left and right sides along a predetermined processing path. In this spray method, the etching liquid having a high kinetic energy is evenly sprayed on the surface of the glass substrate, and the etching liquid flows along the surface, so that the reaction product is removed and the new etching liquid is supplied quickly. The uniformity has the advantage of obtaining excellent surface quality. However, the conventional spray method has a disadvantage in that productivity is remarkably lowered because it is a method of processing by arranging glass substrates one by one in an etching space between nozzles.
이러한 종래 스프레이법의 생산성 문제를 해결하기 위하여 본 발명 출원인은 등록특허 제10-0860294호의 "유리기판 에칭 장치와 상기 에칭 장치에 의하여 제조된 유리박판"을 통해 상부 스프레이 방식의 에칭장치를 제시한 바 있다. In order to solve the productivity problem of the conventional spray method, the present applicant has proposed an upper spray type etching apparatus through the "glass substrate etching apparatus and the glass thin plate manufactured by the etching apparatus" of Patent No. 10-0860294. have.
상기 에칭장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 다수의 유리기판(1)을 카세트(10)에 의해 세워진 상태로 배치하고, 유리기판(1)의 상부에 설치된 다수의 노 즐(20)을 통해 에칭액을 하향 분사하여 액적 형태로 뿌려진 에칭액이 유리표면에서 응집되어 라미나(Laminar) 흐름을 만들고, 유리기판(1)을 따라 흐르면서 표면을 식각하도록 한 것이다.As shown in FIG. 1, the etching apparatus arranges a plurality of
이러한 상부 스프레이 방식 에칭장치는 분사된 에칭액의 충돌 및 유동을 통해 식각이 이루어지므로, 식각된 유리기판(1)의 표면 품질이 우수할 뿐 아니라, 다수의 유리기판(1)을 동시에 가공할 수 있으므로, 생산성도 높은 장점이 있다. Since the upper spray etching apparatus is etched through the collision and flow of the sprayed etching solution, not only the surface quality of the
전술한 종래의 에칭장치는 에칭액 저장조와 관로를 통해 연결된 노즐헤드(30)가 유리기판(1)의 상부에 위치되고, 이 노즐헤드(30)에 다수의 노즐(20)이 장착된 구조를 갖는데, 한 세트의 유리기판(1) 에칭이 완료되어 에칭액 공급이 중지되었을 때, 상기 노즐(20) 및 노즐헤드(30)에는 분사되지 못한 에칭액이 잔류하게 된다. 잔류된 에칭액은 노즐헤드(30)의 내부에 정체된 상태로 수용되기도 하고, 일부는 상기 노즐(20)을 통해 외부로 유출된다. The conventional etching apparatus described above has a structure in which a
그런데, 유출된 에칭액은 노즐(20)에 응결된 상태로 매달려 있기도 하지만, 일정량 이상이 응결될 경우 자중에 의해 노즐(20)과 떨어져 하부의 에칭공간으로 낙하되며, 이와 같이 사전에 낙하된 에칭액은 도 2에 도시된 바와 같이 에칭공간에 위치된 유리기판의 표면에 떨어져 흐르면서 해당 부위에 원치 않는 식각이 이루어지는 문제가 발생한다. 통상 에칭액의 식각률(Etching Rate)은 분당 2 내지 10㎛ 정도의 깊이가 되므로, 에칭액 분사가 이루어지기 전까지 경과되는 시간이 10초 정도만 되어도 0.3 내지 2㎛ 정도의 깊이로 잘못된 식각부가 형성되어 가공 불량을 유발하게 된다. By the way, although the leaked etching solution is suspended in the condensed state in the
본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 에칭액 분사 중지 시에 노즐 및 공급부에 잔류된 에칭액을 기체의 압송 및 방출을 통해 제거하여 잔류된 에칭액의 낙하에 의한 유리기판의 식각 불량을 방지할 수 있도록 한 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치를 제공하는 것에 목적이 있다. The present invention is to solve the problems described above, by removing the etching liquid remaining in the nozzle and the supply portion when the injection of the etching liquid is stopped through the pressure and discharge of the gas to prevent the etching defect of the glass substrate due to the falling of the residual etching liquid It is an object of the present invention to provide a glass substrate etching apparatus having a residual etching liquid removal function.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 유리기판이 거치되는 기판고정구; 상기 기판고정구에 의해 에칭공간에 배치된 유리기판의 상부에 위치하도록 설치되고, 상기 유리기판을 향해 에칭액을 배출하는 다수의 노즐이 구비된 에칭액분사기; 상기 에칭액분사기에 에칭액을 공급하는 에칭액공급부; 상기 에칭액분사기에 기체를 공급하여 잔류된 에칭액과 함께 상기 노즐을 통해 외부로 분출시키는 기체공급부; 및 상기 에칭액분사기와 에칭액공급부 및 기체공급부 간에 연결된 공급관에 설치되어 상기 에칭액분사기에 에칭액 또는 기체가 선택적으로 공급되게 하는 적어도 하나의 밸브를 포함하는 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치를 제공한다.The present invention for achieving the above object, the glass substrate is fixed to the substrate fixture; An etching liquid spraying machine installed to be positioned above the glass substrate disposed in the etching space by the substrate fixing tool and having a plurality of nozzles for discharging the etching liquid toward the glass substrate; An etchant supply unit supplying an etchant to the etchant ejector; A gas supply unit supplying a gas to the etching liquid injector and ejecting the gas together with the remaining etching liquid to the outside through the nozzle; And at least one valve installed at a supply pipe connected between the etchant sprayer, the etchant supply unit, and the gas supply unit to selectively supply the etchant or gas to the etchant ejector. .
상기한 본 발명의 에칭장치에서, 상기 에칭액분사기는 공급된 에칭액을 유리기판 표면을 향해 액적 상태로 소정 범위에 고압 분사하도록 구성될 수 있다.In the etching apparatus of the present invention described above, the etching liquid injector may be configured to spray the supplied etching liquid in a predetermined range in the form of droplets toward the glass substrate surface.
또한, 상기 에칭액분사기는 공급된 에칭액을 유리기판의 상단부에 부어 하부로 흘러내리도록 저압 토출하는 구조로 이루어질 수도 있다. In addition, the etching liquid injector may be made of a low pressure discharge so as to pour the supplied etching liquid to the upper end of the glass substrate to flow down.
상기 에칭액분사기는 상기 에칭액공급부 및 기체공급부와 공급관을 통해 연결된 분배관 및 상기 분배관의 측면부를 따라 소정 간격으로 횡방향 연결된 다수의 노즐헤드를 포함하고, 상기 노즐헤드에 소정 간격으로 상기 노즐이 구비된 구조로 이루어질 수 있다. The etchant spraying apparatus includes a distribution pipe connected through the etching solution supply unit and the gas supply unit and a supply pipe, and a plurality of nozzle heads transversely connected at predetermined intervals along a side surface of the distribution pipe, and the nozzles are provided at the nozzle head at predetermined intervals. It can be made of a structure.
상기 에칭액공급부는 에칭액이 수용되는 에칭액저장조와, 상기 에칭액저장조와 상기 분배관 사이에 연결 설치된 에칭액공급관과, 상기 에칭액공급관에 설치되어 에칭액분사기로 에칭액을 압송하는 에칭액펌프를 포함하여 구성될 수 있다. The etchant supply unit may include an etchant storage tank for accommodating the etchant, an etchant supply pipe connected between the etchant storage tank and the distribution pipe, and an etchant pump installed in the etchant supply pipe to pump the etchant into the etchant sprayer.
상기 기체공급부는 내부에 기체가 저장되는 기체탱크와, 상기 기체탱크와 연결되어 기체를 가압 공급하는 기체펌프와, 상기 기체탱크와 상기 분배관 사이에 연결 설치된 기체공급관을 포함하여 구성될 수 있다. The gas supply unit may include a gas tank in which gas is stored therein, a gas pump connected to the gas tank to pressurize and supply gas, and a gas supply pipe connected between the gas tank and the distribution pipe.
그리고, 본 발명이 에칭장치는 상기 에칭액분사기의 하부에 설치되고, 상기 에칭액분사기를 향해 기체를 분사하여 외부에 잔류된 에칭액을 제거하는 기체분사기를 더 포함하여 구성된 것이 바람직하다. In addition, the etching apparatus of the present invention is preferably configured to further include a gas injector which is provided below the etching liquid spraying machine, and sprays gas toward the etching liquid spraying machine to remove the etching liquid remaining outside.
이러한 경우, 상기 기체분사기는 상기 기체공급부와 연결된 급기분배관과, 상기 급기분배관에 측면부를 따라 소정 간격으로 횡방향 연결된 다수의 분사헤드와, 상기 분사헤드에 설치된 다수의 기체노즐을 포함하여 구성될 수 있다. In this case, the gas injector includes an air supply pipe connected to the gas supply unit, a plurality of injection heads transversely connected to the air supply pipe at predetermined intervals along side surfaces thereof, and a plurality of gas nozzles installed in the injection head. Can be.
또한, 상기 분사헤드는 상기 에칭액분사기의 노즐헤드와 평행한 방향으로 배치되고, 이웃한 노즐헤드 사이의 공간 하측에 위치하도록 설치되며, 상기 기체노즐 은 상기 노즐을 향해 일측으로 기울어진 방향으로 설치된 것이 더욱 바람직하다. In addition, the injection head is disposed in a direction parallel to the nozzle head of the etching liquid injector, is installed to be located below the space between the adjacent nozzle head, the gas nozzle is installed in a direction inclined to one side toward the nozzle More preferred.
상기한 바와 같은 본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above has the following advantages.
(1) 유리기판의 에칭 전 또는 후에 에칭액분사기의 내부로 고압의 기체를 공급하여 에칭액분사기의 내부와 노즐 주변에 잔류된 에칭액을 완전히 배출 및 제거함으로써, 에칭공간에 투입되는 유리기판에 잔류 에칭액이 낙하되어 발생하는 표면 불량을 방지하여 제품 생산성과 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. (1) By supplying a high-pressure gas into the etching liquid spraying machine before or after the etching of the glass substrate, the etching liquid remaining inside the etching liquid spraying machine and around the nozzles is completely discharged and removed, whereby the residual etching liquid is injected into the glass substrate to be put into the etching space. By preventing the surface defects that occur due to the drop has the effect of improving the product productivity and quality.
(2) 기체분사기를 통해 에칭액분사기에 고압의 기체를 분사하여 에칭액분사기의 외부에 잔류된 에칭액을 제거함으로써, 잔류 에칭액의 낙하로 인한 유리기판의 표면 불량을 더욱 효과적으로 방지하여 제품 생산성과 품질을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다. (2) By spraying a high-pressure gas to the etchant sprayer through a gas injector to remove the etchant remaining on the outside of the etchant sprayer, it is possible to more effectively prevent surface defects of the glass substrate due to the dropping of the remaining etchant to further improve product productivity and quality. There is an effect that can be improved.
상술한 본 발명의 목적, 특징 및 장점은 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.The objects, features and advantages of the present invention described above will become more apparent from the following detailed description. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치의 제1실시예를 도시한 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 에칭장치에서 잔류 에칭액 제거 상태를 도시한 단면도이다.3 is a perspective view showing a first embodiment of a glass substrate etching apparatus having a residual etching solution removal function according to the present invention, Figure 4 is a view showing a residual etching solution removal state in the etching apparatus of the present invention shown in FIG. It is a cross section.
도시된 바와 같이 본 발명의 유리기판 에칭장치는, 적어도 하나, 바람직하게는 다수의 유리기판(1)이 거치되는 기판고정구(110)와, 이 기판고정구(110)에 의해 배치된 유리기판(1)의 상부에 소정 간격 이격되어 설치된 에칭액분사기(120)와, 이 에칭액분사기(120)에 에칭액을 공급하는 에칭액공급부(140)와, 상기 에칭액분사기(120)에 기체를 공급하는 기체공급부(130)를 포함하여 구성된다.As illustrated, the glass substrate etching apparatus of the present invention includes at least one
상기 유리기판(1)은 다양한 각도로 배치될 수 있으나, 상부에서 분사되는 에칭액이 이웃한 두 유리기판(1)에 균등하게 뿌려지고, 뿌려진 에칭액이 각 유리기판(1)의 양면에서 균일한 속도로 흘러내릴 수 있도록 수직방향으로 세워져 배치되는 것이 바람직하다. The
상기 기판고정구(110)는 유리기판(1)을 에칭공간에 소정 간격으로 배치되도록 고정하는 것으로, 도시되지 않은 통상의 이송장치에 의해 에칭공간 내외측으로 이동될 수 있다. The
상기 기판고정구(110)는 다양한 구조로 이루어질 수 있으나, 본 실시예에서는 내부의 공간에 유리기판(1)이 배치되는 사각 틀 형태의 카세트로 이루어진 것을 예시하였다. 이러한 경우, 상기 기판고정구(110)는 내부에 소정 간격으로 유리기판(1)의 측단부가 삽입 고정되는 다수의 홈이 형성된 구조로 이루어질 수도 있고, 내측면이 유리기판(1)의 측단면에 가압 밀착되어 고정력을 제공하는 구조로 이루어질 수도 있다. 어떠한 경우이든, 상기 기판고정구(110)는 유리기판(1)을 지지하되, 접촉면적은 최소화할 수 있는 구조로 이루어진 것이 바람직하다. The
상기 에칭액분사기(120)는 하측에 배열된 유리기판(1)의 상부로 에칭액(2)을 분사하여 식각이 이루어지도록 하는 것으로, 상기 에칭액공급부(140) 및 기체공급부(130)와 연통되는 분배관(121)과, 이 분배관(121)의 측면부를 따라 소정 간격으로 횡방향 연결된 다수의 노즐헤드(122)와, 상기 각 노즐헤드(122)의 하부에 연결 설치된 다수의 노즐(123)로 이루어진다.The etching
도시된 실시예에서는 상기 분배관(121)과 노즐헤드(122)가 사다리 형태로 연결된 구조로 이루어진 에칭액분사기(120)를 예시하였으나, 본 발명에서 상기 에칭액분사기(120)의 구조는 이것으로 한정되는 것은 아니며, 상기 유리기판(1)의 상부에 소정 형태의 배열을 이루어 설치된 다수의 노즐(123)을 구비하고, 각 노즐(123)에 에칭액공급부(140)로부터 공급된 에칭액 또는 상기 기체공급부(130)로부터 공급된 기체를 전달하는 관로를 구비한 다양한 구조로 이루어질 수 있다.In the illustrated embodiment illustrated an etching
상기 노즐(123)은 하향 형성된 분사공(124)이 구비되고, 상세히 도시하지는 않았으나, 상기 분사공(124)은 내부의 에칭액 또는 기체를 외부로 분출하되, 특히 에칭액을 액적 상태로, 또한 소정 각도 범위로 분산되도록 분출하는 형태로 형성된다.The
상기 에칭액공급부(140)는 상기 에칭액분사기(120)의 일측, 예시된 구조의 경우 상기 분배관(121)에 연결되어 상기 노즐(123)을 통해 분사될 수 있도록 에칭액을 공급하는 것으로, 에칭액(2)이 수용되는 에칭액저장조(141)와, 이 에칭액저장조(141)와 상기 분배관(121) 사이에 연결 설치된 에칭액공급관(144)과, 이 에칭액공급관(144)에 설치되어 에칭액분사기(120)로 에칭액을 압송하는 에칭액펌프(142)와, 상기 에칭액공급관(144)의 에칭액펌프(142) 전단에 설치되어 에칭액의 공급 및 차단이 이루어지도록 개폐 동작되는 에칭액밸브(143)로 이루어진다.The
상기 기체공급부(130)는 상기 에칭액분사기(120)의 일측, 예를 들어 상기 분배관(121)에 연결되어 상기 노즐(123)을 통해 분사되도록 기체를 공급하고, 이를 통해 에칭액분사기(120) 내부에 잔류된 에칭액이 기체와 함께 배출되도록 하는 것으로, 내부에 기체가 저장되는 기체탱크(131)와, 이 기체탱크(131)와 연결되어 기체를 가압 공급하는 기체펌프(132)와, 상기 기체탱크(131)와 상기 분배관(121) 사이에 연결 설치된 기체공급관(134)과, 이 기체공급관(134)에 설치되어 기체의 공급 및 차단이 이루어지도록 개폐 동작되는 기체밸브(133)로 이루어진다. The
한편, 도시된 실시예에서는 기체공급부(130)가 기체탱크(131)에 압축 저장된 기체를 기체밸브(133)의 개폐에 따라 공급 또는 차단하도록 구성된 것을 예시하였으나, 이것으로 한정되는 것은 아니며, 상기 기체공급부(130)는 잔류 에칭액의 배출이 가능한 압력으로 기체를 공급하는 다양한 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 기체로 공기를 이용할 경우, 별도의 기체탱크(131) 없이 외부 공기를 바로 가압하여 에칭액분사기(120)로 공급하는 펌프를 구비한 구조로 이루어질 수도 있다. Meanwhile, in the illustrated embodiment, the
또한, 도시된 실시예에서는 상기 에칭액공급부(140)에 각각 에칭액밸브(143)와 기체밸브(133)가 별개로 설치된 구조를 예시하였으나, 경우에 따라 하나의 방향전환밸브를 이용하여 에칭액 또는 기체가 선택적으로 에칭액분사기(120)에 공급되는 구조로 이루어질 수도 있다. In the illustrated embodiment, the
상기와 같이 구성된 본 발명의 에칭액 공급장치의 작동을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the etching solution supply apparatus of the present invention configured as described above are as follows.
먼저 유리기판(1)의 에칭이 이루어지는 과정을 설명한다. 가공될 유리기판(1)이 상기 에칭액분사기(120) 하부의 에칭공간에 위치되면, 상기 에칭액펌프(142)가 작동되고 에칭액밸브(143)가 개방되어 에칭액저장조(141)의 에칭액이 에칭액공급관(144)을 통해 에칭액분사기(120)로 공급된다. 공급된 에칭액은 분배관(121)을 통해 각 노즐헤드(122)로 이송되고, 노즐헤드(122)의 각 노즐(123)을 통해 하측으로 분사된다. First, the process of etching the
이와 같이 분사된 에칭액의 일부는 유리기판(1)의 표면에 충돌된 후 반사되어 낙하되고, 다른 일부는 유리기판(1)의 표면을 타고 하부로 유동하게 된다. 이에 따라 유리기판(1)의 표면이 에칭액에 의해 식각된다. 이때, 유리기판(1)을 따라 균일한 에칭액 유동이 형성되어 새 에칭액의 공급이 원활하게 이루어지고, 에칭액의 분사압력에 의해 반응 생성물의 제거도 원활하게 이루어지므로, 높은 표면 품질을 갖는 유리기판(1) 가공물을 얻을 수 있다. 또한, 디핑법과 동일하게 다수의 유리기판(1)을 동시에 가공하므로, 높은 생산성 구현도 가능하다. A part of the etching solution sprayed in this way is reflected and dropped after colliding with the surface of the
상기와 같이 유리기판(1)의 에칭이 이루어진 후 에칭액 공급이 차단된 후에도 상기 에칭액분사기의 내부에는 분사되지 않은 에칭액이 잔류하게 되며, 이를 제거하기 위해 상기 기체공급부(130)의 작동이 이루어진다.After the etching of the
즉, 에칭공간에 유리기판(1)이 투입되기 전에 상기 기체밸브(133)가 개방되어 기체탱크(131)에 저장된 고압의 기체가 기체공급관(134)을 통해 에칭액분사기(120) 내부로 공급된다. 공급된 기체는 분배관(121)을 통해 각 노즐헤드(122)로 이송되고, 노즐헤드(122)의 각 노즐(123)을 통해 외부로 분사된다. 이때, 고압의 기체에 의해 상기 분배관(121) 및 노즐헤드(122)의 내부와 노즐(123)의 내외부에 잔류된 에칭액(2)이 강제적으로 배출 및 탈리된다.That is, before the
상기와 같이 에칭액분사기(120)에 잔류되었던 에칭액이 기체에 의해 제거되므로, 이후 가공될 유리기판(1)이 에칭공간에 다시 투입될 때, 잔류 에칭액의 낙하로 인한 유리기판(1) 표면의 가공 불량이 방지될 수 있다. Since the etching liquid remaining in the
도 5는 본 발명에 따른 유리기판 에칭장치의 제2실시예를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a second embodiment of a glass substrate etching apparatus according to the present invention.
도시된 제2실시예는 에칭액분사기(120)의 외부에 맺혀 잔류되는 에칭액을 보다 효과적으로 제거할 수 있도록 구성된 것으로, 전술한 제1실시예와 동일하게 기판고정구(110)의 상부에 에칭액분사기(120)가 설치되고, 이 에칭액분사기(120)에 각각 에칭액 및 기체를 선택적으로 공급하는 에칭액공급부(140) 및 기체공급부(130)가 구비된 구조로 이루어지되, 상기 에칭액분사기(120)의 하부에 기체분사기(150)가 추가로 설치된 것이다. The illustrated second embodiment is configured to more effectively remove the etching liquid remaining on the outside of the
상기 기체분사기(150)는 에칭액분사기(120)의 노즐(123) 주변을 향해 기체를 분사하여 외부에 잔류된 에칭액(2)을 제거하는 것으로, 상기 노즐(123)의 배열 형태에 따라 다양한 구조로 이루어질 수 있으나, 본 실시예에서는 상기 에칭액분사기(120)의 구조와 대응되도록 대략 사다리꼴 형태의 관로 구조로 이루어진 것을 예시하였다. The
즉, 상기 기체분사기(150)는 상기 기체공급부(130)의 기체탱크(131)와 분사 급기관(135)을 통해 연결된 급기분배관(151)에 측면부를 따라 소정 간격으로 다수의 분사헤드(152)가 횡방향 연결되고, 각 분사헤드(152)에 다수의 기체노즐(153)이 설치된 구조를 갖는다. 상기 분사급기관(135)에는 도시된 바와 같이 별도의 급기밸브(136)가 설치될 수도 있고, 경우에 따라서는 하나의 방향전환밸브를 통해 상기 에칭액공급관(144), 기체공급관(134), 분사급기관(135)이 선택적으로 개폐되도록 구성될 수도 있다. That is, the
상기한 기체분사기(150)는 에칭액분사기(120)의 에칭액 분사에 방해가 되지 않도록 설치되어야 하므로, 각 분사헤드(152)는 상기 에칭액분사기(120)의 노즐헤드(122)와 평행하되, 각 노즐헤드(122)의 직하부가 아닌 이웃한 노즐헤드(122) 사이의 공간 하측에 위치하도록 설치된다. 이에 따라, 상기 기체노즐(153)은 상향하되, 상기 노즐(123)을 향해 일측으로 기울어진 방향으로 설치된다. Since the
상기한 제2실시예의 에칭장치는 전술한 제1실시예에서와 같이 상기 에칭액분사기(120)에 기체를 공급하여 내부에 잔류된 에칭액을 제거한 후, 경우에 따라서는 그 이전이나 동시에, 상기 급기밸브(136)가 개방되어 기체탱크(131)의 기체가 상기 기체분사기(150)에 공급된다. In the etching apparatus of the second embodiment, the gas supply valve is supplied to the
이에 따라, 공급된 기체가 상기 분사헤드(152)를 통해 상부로 분사되어 상기 노즐(123)의 외부와 주변에 잔류된 에칭액을 날려 제거하게 된다. 따라서, 잔류된 에칭액의 사전 낙하로 인한 유리기판(1)의 가공 불량이 보다 효과적으로 방지되는 장점이 있다. Accordingly, the supplied gas is sprayed upward through the
한편, 전술한 실시예에서는 유리기판(1)의 상부에서 에칭액을 고압으로 분사 하는 상부 스프레이 타입 에칭장치에 본 발명이 적용된 것을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니며, 유리기판(1)의 상부에서 에칭액을 저압으로 토출하여 유리기판(1)을 따라 에칭액이 흐르도록 하는 상부 토출식 에칭장치를 포함하여 유리기판(1)의 상부에서 에칭액을 공급하는 방식의 에칭장치에 동일하게 적용될 수 있다. Meanwhile, in the above-described embodiment, the present invention is exemplarily described in the upper spray type etching apparatus for spraying the etching liquid at a high pressure on the upper portion of the
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.
도 1은 종래의 상부 스프레이 타입 유리기판 에칭장치를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing a conventional upper spray type glass substrate etching apparatus.
도 2는 도 1에 도시된 종래의 에칭장치에서 잔류 에칭액에 의한 불량 발생을 도시한 상태도이다. FIG. 2 is a state diagram showing the occurrence of defects due to the residual etching solution in the conventional etching apparatus shown in FIG.
도 3은 본 발명에 따른 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치의 제1실시예를 도시한 사시도이다.3 is a perspective view showing a first embodiment of a glass substrate etching apparatus having a residual etching solution removal function according to the present invention.
도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 에칭장치에서 잔류 에칭액 제거 상태를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a state of removing the residual etching solution in the etching apparatus of the present invention shown in FIG.
도 5는 본 발명에 따른 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치의 제2실시예를 도시한 구성도이다.5 is a block diagram showing a second embodiment of the glass substrate etching apparatus with a residual etching solution removal function according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art
1 : 유리기판 2 : 에칭액1: glass substrate 2: etching solution
110 : 기판고정구 120 : 에칭액분사기110
121 : 분배관 122 : 노즐헤드121: distribution pipe 122: nozzle head
123 : 노즐 130 : 기체공급부123: nozzle 130: gas supply unit
131 : 기체탱크 132 : 기체펌프131: gas tank 132: gas pump
133 : 기체밸브 134 : 기체공급관133: gas valve 134: gas supply pipe
135 : 분사급기관 136 : 급기밸브135: injection air supply pipe 136: air supply valve
140 : 에칭액공급부 141 : 에칭액저장조140: etching solution supply unit 141: etching solution storage tank
142 : 에칭액펌프 143 : 에칭액밸브142: etching liquid pump 143: etching liquid valve
144 : 에칭액공급관 150 : 기체분사기144: etching solution supply pipe 150: gas injector
151 : 급기분배관 152 : 분사헤드151: supply air distribution pipe 152: injection head
153 : 기체노즐153: gas nozzle
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090092663A KR101108974B1 (en) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | An apparatus for etching a glass wafer having the function of removing residual etching solution |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090092663A KR101108974B1 (en) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | An apparatus for etching a glass wafer having the function of removing residual etching solution |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110035101A true KR20110035101A (en) | 2011-04-06 |
KR101108974B1 KR101108974B1 (en) | 2012-01-31 |
Family
ID=44043486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090092663A KR101108974B1 (en) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | An apparatus for etching a glass wafer having the function of removing residual etching solution |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101108974B1 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103241956A (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-14 | Mm技术股份有限公司 | Apparatus for etching substrate |
KR101491069B1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-02-10 | 주식회사 위스코하이텍 | Apparatus for etching substrate |
CN104888996A (en) * | 2015-06-29 | 2015-09-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Spraying module and wet-etching device provided with same |
CN108285276A (en) * | 2015-11-27 | 2018-07-17 | 吴小再 | Glass post-processing frosting processing unit (plant) and its working method |
KR20220012022A (en) * | 2020-07-22 | 2022-02-03 | 이영수 | Manufacturing system to improve clogging of nozzles and piping of etching machine for manufacturing ultra thin glass |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223459A (en) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate-processing device, device for preventing liquid from dripping down, and etching processing method |
KR100860294B1 (en) * | 2008-01-09 | 2008-09-25 | 주식회사 이코니 | An apparatus for etching a glass wafer, and a glass sheet manufactured by the same |
-
2009
- 2009-09-29 KR KR1020090092663A patent/KR101108974B1/en active IP Right Grant
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103241956A (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-14 | Mm技术股份有限公司 | Apparatus for etching substrate |
KR101491069B1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-02-10 | 주식회사 위스코하이텍 | Apparatus for etching substrate |
CN104888996A (en) * | 2015-06-29 | 2015-09-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Spraying module and wet-etching device provided with same |
CN108285276A (en) * | 2015-11-27 | 2018-07-17 | 吴小再 | Glass post-processing frosting processing unit (plant) and its working method |
KR20220012022A (en) * | 2020-07-22 | 2022-02-03 | 이영수 | Manufacturing system to improve clogging of nozzles and piping of etching machine for manufacturing ultra thin glass |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101108974B1 (en) | 2012-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101108974B1 (en) | An apparatus for etching a glass wafer having the function of removing residual etching solution | |
JP5421979B2 (en) | Glass substrate etching apparatus and glass substrate manufactured by the etching apparatus | |
KR101580712B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2012051801A5 (en) | ||
KR101275760B1 (en) | High-pressure liquid atomisation nozzle for a machine for cleaning optical lenses or other substrates | |
TWI556877B (en) | Substrate processing apparatus and standby method for ejection head | |
JP4514140B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4109175B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
JP2007222754A (en) | Spin washing device | |
CN101214484B (en) | Substrate cleaning apparatus | |
WO2016051559A1 (en) | Film forming device | |
KR101037171B1 (en) | An apparatus for etching a glass wafer having the function of removing residual etching solution | |
KR20080109514A (en) | Apparatus for etching the substrate | |
KR101151296B1 (en) | Apparatus for etching substrate | |
KR101368193B1 (en) | Etching apparatus for glass substrate | |
KR101240959B1 (en) | Apparatus including nozzle for spraying etching solution and apparatus for etching glass substrate | |
KR20160008720A (en) | Substrate treating apparatus and method | |
KR20140134378A (en) | Apparatus for jetting fluid and apparatus for cleaning a substrate having the same | |
KR20120026244A (en) | Apparatus for etching | |
KR101241941B1 (en) | Dipping type Eching Apparatus having Spray Means | |
KR101224904B1 (en) | Cleaner for mask | |
KR101195374B1 (en) | top-down spray type substrate etching device | |
JP6426298B2 (en) | Film deposition system | |
KR101292648B1 (en) | apparatus for etching substrates | |
KR101506873B1 (en) | Apparatus for cleaning a semiconductor wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160517 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180111 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200106 Year of fee payment: 9 |