KR101506873B1 - Apparatus for cleaning a semiconductor wafer - Google Patents

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Abstract

실시 예는 세정액을 수용하는 제1 세정조, 상기 제1 세정조를 제1 영역과 제2 영역으로 구분하는 칸막이, 상기 제1 세정조의 상기 제2 영역 내에 배치되고, 웨이퍼를 지지하는 지지대, 및 상기 제1 세정조의 상기 제2 영역의 상부에 배치되고, 세정액을 분사하는 세정액 분사부를 포함하며, 상기 칸막이는 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 하부 영역들 간에 세정액을 이동시킨다.An embodiment of the present invention provides a cleaning apparatus comprising a first cleaning tank for containing a cleaning liquid, a partition for partitioning the first cleaning tank into a first region and a second region, a support member disposed in the second region of the first cleaning tank, And a cleaning liquid jetting unit disposed above the second area of the first cleaning tank for jetting a cleaning liquid, the partition moving the cleaning liquid between the first area and the lower areas of the second area.

Description

반도체 웨이퍼 세정 장치{APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR WAFER}[0001] APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR WAFER [0002]

실시 예는 반도체 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a semiconductor wafer cleaning apparatus.

세정 공정을 수행하는 장치는 다수의 반도체 웨이퍼를 동시에 세정하는 배치식 세정 장치(Batch Type Cleaning)와 낱장 단위로 반도체 웨이퍼를 세정하는 매엽식 세정 장치(Single Wafer Cleaning)로 구분될 수 있다.The apparatus for performing the cleaning process can be classified into a batch type cleaning apparatus for simultaneously cleaning a plurality of semiconductor wafers and a single wafer cleaning apparatus for cleaning a semiconductor wafer in a sheet unit.

배치식 습식 세정 공정에서는 세정 효율을 향상시키기 위해 세정액에 초음파 진동을 가하는 초음파 세정 장치가 사용될 수 있다. 초음파 세정 장치는 세정액에 초음파를 발생시킬 수 있고, 발생된 초음파에 의한 공동 현상(Cavitation)에 의하여 웨이퍼의 오염 또는 이물질이 제거될 수 있다.In the batch type wet cleaning process, an ultrasonic cleaning apparatus for applying ultrasonic vibration to the cleaning liquid may be used to improve the cleaning efficiency. The ultrasonic cleaning apparatus can generate ultrasonic waves in the cleaning liquid, and the contamination or foreign matter of the wafer can be removed by cavitation caused by the generated ultrasonic waves.

일반적으로 배치식의 습식 세정 장치는 세정조(bath) 내에 세정액을 순환하여 반도체 웨이퍼에 대한 세정을 수행할 수 있다. 따라서 세정조 내에서 세정액이 원활하게 순환되지 않을 경우, 반도체 웨이퍼로부터 오염 물질을 제거하는 효율이 감소할 수 있다.Batch type wet scrubbers in general can circulate a scrubbing liquid in a bath to perform cleaning on a semiconductor wafer. Therefore, when the cleaning liquid is not circulated smoothly in the cleaning tank, the efficiency of removing the contaminants from the semiconductor wafer may decrease.

실시 예는 웨이퍼로부터 오염 물질 또는 파티클의 제거 효율을 향상시키고, 웨이퍼 손상을 감소시킬 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.Embodiments provide a wafer cleaning apparatus capable of improving the removal efficiency of contaminants or particles from a wafer and reducing wafer damage.

실시 예에 따른 웨이퍼 세정 장치는 세정액을 수용하는 제1 세정조; 상기 제1 세정조를 제1 영역과 제2 영역으로 구분하는 칸막이; 상기 제1 세정조의 상기 제2 영역 내에 배치되고, 웨이퍼를 지지하는 지지대; 및 상기 제1 세정조의 상기 제2 영역의 상부에 배치되고, 세정액을 분사하는 세정액 분사부를 포함하며, 상기 칸막이는 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 하부 영역들 간에 세정액을 이동시킨다.A wafer cleaning apparatus according to an embodiment includes: a first cleaning tank for containing a cleaning liquid; A partition dividing the first cleaning tank into a first area and a second area; A support table disposed in the second area of the first cleaning tank and supporting the wafer; And a cleaning liquid spraying unit disposed above the second area of the first cleaning tank and spraying a cleaning liquid, wherein the partition moves the cleaning liquid between the first area and the lower areas of the second area.

상기 세정액 분사부는 상기 지지대에 의해 지지되는 웨이퍼보다 높게 위치할 수 있다. 상기 칸막이의 하단은 상기 제1 세정조의 바닥으로부터 이격할 수 있다.The cleaning liquid injecting portion may be located higher than the wafer supported by the support. The lower end of the partition may be spaced apart from the bottom of the first cleaning bath.

상기 칸막이의 하단은 상기 제1 세정조의 바닥과 접하고 서로 이격하는 복수의 부분들을 포함하고, 상기 복수의 부분들 사이에는 세정액이 이동하는 통로가 형성될 수 있다.The lower end of the partition may include a plurality of portions that are in contact with the bottom of the first cleaning bath and are spaced apart from each other, and a passage through which the cleaning liquid moves may be formed between the plurality of portions.

상기 칸막이의 하단은 상기 제1 세정조의 바닥과 접하고, 상기 칸막이는 상기 칸막이의 하단으로부터 일정 거리 이내의 하부 영역에 세정액이 이동하는 복수의 관통 홀들을 가질 수 있다.The lower end of the partition may be in contact with the bottom of the first cleaning bath, and the partition may have a plurality of through holes through which the cleaning liquid moves in a lower region within a certain distance from the lower end of the partition.

상기 제1 세정조의 내벽은 복수의 측면들을 포함하고, 상기 칸막이는 상기 복수의 측면들 중 서로 마주보는 2개의 측면들과 접할 수 있다.The inner wall of the first cleaning tank may include a plurality of side surfaces, and the partition may be in contact with two opposite side surfaces of the plurality of side surfaces.

상기 칸막이는 복수 개이고, 복수의 칸막이들 각각은 상기 복수의 측면들 중 어느 하나에 대응하고, 상기 복수의 측면들로부터 이격할 수 있다.The partition may be a plurality, and each of the plurality of partitions may correspond to any one of the plurality of side surfaces, and may be spaced from the plurality of side surfaces.

상기 칸막이의 상단의 높이는 상기 제1 세정조의 상단의 높이보다 높을 수 있다.The height of the top of the partition may be higher than the height of the top of the first cleaning bath.

상기 세정액 분사부는 복수의 분사 노즐들을 포함하며, 복수의 분사 노즐의 출구에는 세정액을 분사하는 복수의 홀들을 포함할 수 있다. 상기 복수의 홀들 각각의 직경은 입구로부터 출구로 갈수록 증가하며, 상기 입구는 세정액이 유입되는 부분이고, 상기 출구는 상기 입구로 유입된 세정액이 분사되는 부분일 수 있다.The cleaning liquid jetting unit may include a plurality of jetting nozzles, and the outlet of the plurality of jetting nozzles may include a plurality of holes for jetting a cleaning liquid. The diameter of each of the plurality of holes increases from the inlet to the outlet, and the inlet may be a portion into which the cleaning liquid is introduced, and the outlet may be a portion into which the cleaning liquid introduced into the inlet is sprayed.

상기 웨이퍼 세정 장치는 상기 제1 영역으로부터 넘치는 세정액을 수용하도록 상기 제1 세정조의 외측 둘레에 배치되는 제2 세정조; 및 상기 제2 세정조에 수용된 세정액을 상기 세정액 분사부로 공급하는 순환부를 더 포함할 수 있다.The wafer cleaning apparatus further comprises a second cleaning tank disposed around the outer periphery of the first cleaning tank to receive the cleaning liquid overflowing from the first region; And a circulation unit for supplying the cleaning liquid contained in the second cleaning tank to the cleaning liquid spraying unit.

실시 예는 웨이퍼로부터 오염 물질 또는 파티클의 제거 효율을 향상시키고, 웨이퍼 손상을 감소시킬 수 있다.Embodiments can improve the removal efficiency of contaminants or particles from the wafer and reduce wafer damage.

도 1은 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 세정 장치를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 세정 반도체 웨이퍼 세정 장치의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 칸막이의 제1 실시 예를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 칸막이의 제2 실시 예를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 칸막이의 제3 실시 예를 나타낸다.
도 6은 도 1에 도시된 칸막이의 제4 실시 예를 나타낸다.
도 7은 도 1에 도시된 칸막이의 제5 실시 예를 나타낸다.
도 8은 도 1에 도시된 칸막이의 제6 실시 예를 나타낸다.
도 9는 도 1에 도시된 제1 노즐의 출구의 확대도를 나타낸다.
도 10은 도 9에 도시된 홀들의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 11은 일반적인 배치식 반도체 웨이퍼 세정기의 단면도를 나타낸다.
도 12는 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 세정기의 세정액 순환을 나타낸다.1 shows a semiconductor wafer cleaning apparatus according to an embodiment.
Fig. 2 shows a sectional view in the AB direction of the cleaning semiconductor wafer cleaning apparatus shown in Fig.
Fig. 3 shows a first embodiment of the partition shown in Fig.
Fig. 4 shows a second embodiment of the partition shown in Fig.
Fig. 5 shows a third embodiment of the partition shown in Fig.
Fig. 6 shows a fourth embodiment of the partition shown in Fig.
Fig. 7 shows a fifth embodiment of the partition shown in Fig.
Fig. 8 shows a sixth embodiment of the partition shown in Fig.
Fig. 9 shows an enlarged view of the outlet of the first nozzle shown in Fig.
10 shows a cross-sectional view in the CD direction of the holes shown in Fig.
11 shows a cross-sectional view of a conventional batch type semiconductor wafer cleaner.
12 shows the circulation of rinse solution of the semiconductor wafer cleaner according to the embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 세정 장치를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a semiconductor wafer cleaning apparatus according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 세정 장치(100)를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 세정 반도체 웨이퍼 세정 장치(100)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.Fig. 1 shows a semiconductor wafer cleaning apparatus 100 according to an embodiment, and Fig. 2 shows a sectional view in the AB direction of the cleaning semiconductor wafer cleaning apparatus 100 shown in Fig.

도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 세정 장치(100)는 세정조(10), 칸막이(partition, 20), 웨이퍼 지지대(30), 세정액 분사부(40), 초음파 발생부(50), 및 순환부(60)를 포함한다.1, a semiconductor wafer cleaning apparatus 100 includes a cleaning tank 10, a partition 20, a wafer support 30, a cleaning liquid spraying unit 40, an ultrasonic wave generating unit 50, (60).

세정조(10)는 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용한다. 세정조(10)는 제1 세정조(12) 및 제2 세정조(14)를 포함할 수 있다.The cleaning tank 10 accommodates a cleaning liquid for cleaning the wafer. The cleaning tank 10 may include a first cleaning tank 12 and a second cleaning tank 14.

제1 세정조(12)는 세정액을 수용할 수 있도록 상부가 개방된 형상(예컨대, 직육면체)의 용기일 수 있다. 세정액은 불산(HF), SC1(standard cleaning 1), SC2, 기능수 또는 초순수(DeIonized water) 등일 수 있다.The first washing tank 12 may be a container (for example, a rectangular parallelepiped) whose top is opened to receive the washing liquid. The cleaning liquid may be hydrofluoric acid (HF), standard cleaning 1 (SC1), SC2, functional water, deionized water, or the like.

제1 세정조(12)는 후술하는 칸막이(20)에 의하여 적어도 2개의 영역들로 구분될 수 있으며, 칸막이(20) 하단에 형성되는 통로를 통하여 2개의 영역들 사이로 세정액이 순환할 수 있다. 칸막이(20)에 도 3 내지 도 8에서 상술한다.The first washing tank 12 can be divided into at least two areas by a partition 20 to be described later and the washing liquid can circulate between the two areas through the passage formed at the lower end of the partition 20. [ The partition 20 will be described in detail in Figs. 3 to 8. Fig.

제2 세정조(14)는 제1 세정조(12)에서 오버플로우(overflow)되는 세정액을 수용할 수 있도록, 제2 세정조(12)의 외측 둘레를 따라 배치될 수 있다.The second cleaning tank 14 may be disposed along the outer periphery of the second cleaning tank 12 so as to receive the cleaning liquid that overflows in the first cleaning tank 12. [

웨이퍼 지지대(30)은 제1 세정조(12) 내에 위치하며, 웨이퍼를 지지한다.The wafer support table 30 is located in the first cleaning tank 12 and supports the wafer.

웨이퍼 지지대(30)은 복수 개의 지지대들(31,32,33)을 포함할 수 있으며, 복수 개의 지지대들(31,32,33)은 제2 세정조(12) 내에서 나란하게 배치될 수 있다. 도 1에는 지지대들의 수는 2개이나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.The wafer support 30 may include a plurality of supports 31,32 and 33 and the plurality of supports 31,32 and 33 may be disposed side by side in the second cleaning bath 12 . Although the number of supports is two in Fig. 1, the embodiment is not limited thereto.

지지대들(31,32,33)은 일 방향으로 길게 형성된 봉(rod) 형상일 수 있으며, 제1 세정조(12)의 하면으로부터 이격 거리가 서로 다르도록 배치될 수 있다.The support bases 31, 32, and 33 may be rod-shaped elongated in one direction and may be disposed such that the separation distances from the lower surface of the first cleaning bath 12 are different from each other.

지지대들(31,32,33)에는 웨이퍼(W)가 삽입되어 고정될 수 있는 복수의 슬롯(slots)들이 마련될 수 있다. 지지대들(31,32,33)은 웨이퍼(W)의 전면에 골고루 초음파를 전달하기 위하여 웨이퍼(W)를 일정 방향으로 회전시킬 수 있다.The supports (31, 32, 33) may be provided with a plurality of slots into which the wafer W can be inserted and fixed. The supports 31, 32, and 33 can rotate the wafer W in a predetermined direction to uniformly transmit ultrasonic waves to the entire surface of the wafer W.

세정액 분사부(40)는 제1 세정조(40) 내에 배치될 수 있으며, 제1 세정조(40) 내에 세정액을 분사할 수 있다. 예컨대, 세정액 분사부(40)은 칸막이(22, 24)의 안쪽에 배치될 수 있으며, 제1 세정조(40)의 내벽 상부에 위치할 수 있다.The cleaning liquid spraying section 40 can be disposed in the first cleaning tank 40 and can spray the cleaning liquid into the first cleaning tank 40. For example, the cleaning liquid spraying section 40 may be disposed on the inner side of the partition 22 or 24 and on the inner wall of the first cleaning tank 40.

예컨대, 세정액 분사부(40)는 지지대들(31,32,33)에 의하여 지지되는 웨이퍼(W)보다 높게 위치할 수 있다.For example, the cleaning liquid spraying section 40 may be positioned higher than the wafer W supported by the supports 31, 32,

세정액 분사부(40)은 제1 세정조(12)에 수용된 세정액의 액체면(101) 아래에 위치할 수 있다. 이때 세정액 분사부(40)은 일정한 압력으로 제1 세정조(12)에 수용된 세정액 내부로 세정액을 분사할 수 있다.The cleaning liquid spraying section 40 may be positioned below the liquid surface 101 of the cleaning liquid accommodated in the first cleaning tank 12. [ At this time, the cleaning liquid spraying unit 40 can spray the cleaning liquid into the cleaning liquid contained in the first cleaning tank 12 under a constant pressure.

초음파 발생부(50)는 제1 세정조(12) 아래에 위치할 수 있으며, 제1 세정조(12) 내부로 초음파(52)를 발진시킬 수 있다. 이렇게 발생된 초음파(52)는 제1 세정조(12) 내부에 수용된 세정액을 통하여 제1 세정조(12)의 하단으로부터 상단으로 전파되며, 웨이퍼(W) 표면으로부터 오염 물질 또는 파티클(particle)을 제거할 수 있다.The ultrasonic wave generating unit 50 may be positioned under the first washing tub 12 and may oscillate the ultrasonic waves 52 into the first washing tub 12. The generated ultrasonic waves 52 propagate from the lower end of the first cleaning tank 12 to the upper end through the cleaning liquid accommodated in the first cleaning tank 12 and remove contaminants or particles from the surface of the wafer W Can be removed.

다른 실시 예에서는 초음파 발생부(50) 대신에 제1 세정조(12)가 초음파를 발생하도록 구현할 수 있다. 예컨대, 제1 세정조(12)는 발진자 역할을 할 수 있는 석영(quartz)으로 이루어질 수 있고, 교류 전원을 공급하여 초음파를 직접 발생할 수 있다.In another embodiment, instead of the ultrasonic generator 50, the first cleaning bath 12 may be configured to generate ultrasonic waves. For example, the first cleaning bath 12 may be made of quartz, which can act as an oscillator, and can generate ultrasonic waves directly by supplying AC power.

순환부(60)는 제2 세정조(14)로부터 세정액 분사부(40)로 세정액을 순환시킨다. 즉 순환부(60)는 제2 세정조(14)에 수용된 세정액을 흡입하여 세정액 분사부(40)로 공급할 수 있다.The circulation unit (60) circulates the cleaning liquid from the second cleaning tank (14) to the cleaning liquid spraying unit (40). That is, the circulation unit 60 can suck the cleaning liquid contained in the second cleaning tank 14 and supply the cleaning liquid to the cleaning liquid spraying unit 40.

순환부(60)는 제1 내지 제3 배관들(92, 94, 96), 펌프(pump, 70), 및 필터(filter, 80)를 포함할 수 있다.The circulation portion 60 may include first to third pipings 92, 94 and 96, a pump 70 and a filter 80.

제1 배관(92)은 제2 세정조(14)와 펌프(70)를 연결할 수 있으며, 제2 세정조(14)에 수용된 세정액을 펌프(70)에 공급할 수 있다.The first pipe 92 can connect the second cleaning tank 14 and the pump 70 and can supply the cleaning liquid contained in the second cleaning tank 14 to the pump 70.

펌프(70)는 제1 배관(92)을 통하여 제2 세정조(14)에 수용된 세정액을 일정한 압력으로 흡입하고, 흡입된 세정액을 제2 배관(94)으로 방출한다. 제2 배관(94)은 펌프(70)와 필터(80)를 연결할 수 있으며, 펌프(70)에 의하여 방출되는 세정액을 필터(80)에 공급할 수 있다.The pump 70 sucks the cleaning liquid contained in the second cleaning tank 14 through the first pipeline 92 at a predetermined pressure and discharges the sucked cleaning liquid to the second piping 94. The second pipe 94 can connect the pump 70 and the filter 80 and supply the rinse solution discharged by the pump 70 to the filter 80. [

필터(80)는 제2 배관(94)을 통하여 공급되는 세정액을 여과하고, 여과된 세정액을 제3 배관(96)을 통하여 세정액 분사부(40)로 공급한다.The filter 80 filters the cleaning liquid supplied through the second piping 94 and supplies the filtered cleaning liquid to the cleaning liquid spraying unit 40 through the third piping 96.

세정액 분사부(40)는 웨이퍼 지지대(30)의 일 측의 상부에 배치되는 제1 노즐(22), 및 웨이퍼 지지대(30)의 다른 일 측의 상부에 배치되는 제2 노즐(24)을 포함할 수 있다.The cleaning liquid spraying section 40 includes a first nozzle 22 disposed on one side of the wafer support table 30 and a second nozzle 24 disposed on the other side of the other side of the wafer support table 30 can do.

제1 노즐(22)은 제1 칸막이(42)로부터 이격하여 위치할 수 있고, 제2 노즐(24)은 제2 칸막이(44)로부터 이격하여 위치할 수 있다. 또는 제1 노즐(22)은 제1 칸막이(42)의 상부 내벽에 고정될 수도 있고, 제2 노즐(24)은 제2 칸막이(44)의 상부 내벽에 고정될 수도 있다.The first nozzle 22 may be located away from the first partition 42 and the second nozzle 24 may be located away from the second partition 44. Or the first nozzle 22 may be fixed to the upper inner wall of the first partition 42 and the second nozzle 24 may be fixed to the upper inner wall of the second partition 44. [

도 9는 도 1에 도시된 제1 노즐(22)의 출구의 확대도를 나타내고, 도 10은 도 9에 도시된 홀들의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.Fig. 9 shows an enlarged view of the outlet of the first nozzle 22 shown in Fig. 1, and Fig. 10 shows a cross-sectional view in the CD direction of the holes shown in Fig.

도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 노즐(22)은 세정액을 분사하는 복수의 홀들(h)을 포함할 수 있다. 홀들(h) 각각의 직경은 입구(612)로부터 출구(614)로 갈수록 증가할 수 있다. 여기서 입구(612)는 세정액이 유입되는 부분이고, 출구(614)는 입구(612)로 유입된 세정액이 분사되는 부분일 수 있다.Referring to Figs. 9 and 10, the first nozzle 22 may include a plurality of holes h for spraying a cleaning liquid. The diameter of each of the holes h may increase from the inlet 612 to the outlet 614. Herein, the inlet 612 is a portion into which the cleaning liquid is introduced, and the outlet 614 may be a portion into which the cleaning liquid introduced into the inlet 612 is ejected.

입구(612)의 직경(d1)은 출구(614)의 직경(d2)보다 작을 수 있으며, 입구(612)에서 출구(614)로 갈수록 홀(h)의 직경은 증가할 수 있다.The diameter d1 of the inlet 612 may be less than the diameter d2 of the outlet 614 and the diameter of the hole h may increase as it goes from the inlet 612 to the outlet 614. [

예컨대, 제1 노즐(22) 및 제2 노즐(24) 각각의 출구에는 복수의 미세 홀들(h)이 형성되는 판(710)이 마련될 수 있다.For example, at the exit of each of the first nozzle 22 and the second nozzle 24, a plate 710 having a plurality of fine holes h may be provided.

홀들(h)의 직경이 세정액이 분사되는 방향(601)으로 갈수록 증가하기 때문에, 입구(612)에서의 세정액의 유압에 비하여, 출구(614)에서의 세정액의 유압이 낮아질 수 있다.The hydraulic pressure of the cleaning liquid at the outlet 614 may be lower than the hydraulic pressure of the cleaning liquid at the inlet 612 because the diameter of the holes h increases toward the direction 601 in which the cleaning liquid is injected.

일반적으로 노즐로부터 분사되는 세정액의 압력이 높으면, 웨이퍼가 받는 압력이 커져서 웨이퍼가 손상을 받을 수 있다. 그러나 실시 예는 노즐들(22,24)로부터 분사되는 세정액으로부터 웨이퍼가 받는 압력을 감소시켜 웨이퍼의 손상을 감소시킬 수 있다.Generally, if the pressure of the cleaning liquid injected from the nozzle is high, the pressure received by the wafer becomes large, and the wafer may be damaged. However, the embodiment can reduce the pressure of the wafer from the cleaning liquid injected from the nozzles 22 and 24, thereby reducing the damage of the wafer.

또한 실시 예는 복수의 미세 홀들(h)을 통하여 세정액을 분사하기 때문에, 세정액을 넓게 분사할 수 있다. 그리고, 세정액의 분사 범위가 넓어짐에 따라 세정액이 웨이퍼에 미치는 압력을 넓게 분산시킬 수 있어 국부적인 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다.Further, in the embodiment, since the cleaning liquid is sprayed through the plurality of fine holes (h), the cleaning liquid can be sprayed widely. Further, as the spraying range of the cleaning liquid is widened, the pressure of the cleaning liquid on the wafer can be widely dispersed, and damage to the local wafer can be prevented.

도 3은 도 1에 도시된 칸막이의 제1 실시 예(20)를 나타낸다.Fig. 3 shows a first embodiment 20 of the partition shown in Fig.

도 3을 참조하면, 칸막이(20)는 제1 세정조(12)를 제1 영역(S1), 및 제2 영역(S2)으로 구분할 수 있다. 제1 영역(S1)은 칸막이(20)의 일 측에 위치하고, 제1 세정조(12)의 내벽과 칸막이(20) 사이의 영역일 수 있다. 제2 영역(S2)은 웨이퍼 지지대(30)가 위치하는 영역으로, 칸막이(20)를 기준으로 제1 영역(S1)의 나머지 다른 측에 위치하는 영역일 수 있다.Referring to FIG. 3, the partition 20 can divide the first washing tub 12 into a first area S1 and a second area S2. The first area S1 may be located on one side of the partition 20 and may be a region between the inner wall of the first cleaning tank 12 and the partition 20. [ The second area S2 may be an area where the wafer support table 30 is located and an area located on the other side of the first area S1 with respect to the partition 20. [

예컨대, 제1 세정조(12)의 내벽은 복수의 측면들(301,302,303,304)을 포함할 수 있다.For example, the inner wall of the first cleaning tank 12 may include a plurality of side surfaces 301, 302, 303, and 304.

칸막이(20)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 측면들(301,302,303,304) 중 서로 마주보는 2개의 측면들(예컨대, 302, 304)과 접할 수 있다.The partition 20 may be plural and may contact two opposing sides (e.g., 302, 304) of the plurality of sides 301, 302, 303, 304.

칸막이(20)는 제1 칸막이(22) 및 제2 칸막이(24)를 포함할 수 있다.The partition 20 may include a first partition 22 and a second partition 24.

제1 칸막이(22)는 일단이 제2 측면(302)의 일 영역에 접하고 나머지 다른 일단은 제4 측면(304)의 일 영역에 접하고, 제1 세정조(12)의 제1 측면(301)으로부터 일정 거리 이격하여 위치할 수 있다. 제1 칸막이(22)는 제1 측면(301)과 평행할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first partition 22 has one end abutting one region of the second side face 302 and the other end abutting one region of the fourth side face 304 and the first side face 301 of the first cleaning bath 12, As shown in FIG. The first partition 22 may be parallel to the first side 301, but is not limited thereto.

제2 칸막이(24)는 일단이 제2 측면(302)의 다른 일 영역에 접하고 나머지 다른 일단은 제4 측면(304)의 다른 일 영역에 접하고, 제1 세정조(12)의 제3 측면(303)으로부터 일정 거리 이격하여 위치할 수 있다. 제2 칸막이(24)는 제3 측면(303)과 평행할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second partition 24 has one end abutting against one other area of the second side 302 and the other end abutting against another area of the fourth side 304 and the third side of the first washing tub 12 303, respectively. The second partition 24 may be parallel to the third side 303, but is not limited thereto.

이때 제1 세정조(12)의 내벽과 제1 칸막이(22) 및 제2 칸막이(24) 사이의 영역은 제1 영역(S1)일 수 있고, 제1 칸막이(22)와 제2 칸막이(24) 사이의 영역은 제2 영역(S2)일 수 있다.At this time, the area between the inner wall of the first cleaning tank 12 and the first partition 22 and the second partition 24 may be the first area S1, and the first partition 22 and the second partition 24 May be the second area S2.

예컨대, 제1 칸막이(22) 및 제2 칸막이(24) 각각의 하단은 제1 세정조(12)의 바닥(310)으로부터 이격할 수 있다. 따라서 제1 칸막이(22) 및 제2 칸막이(24) 각각의 하단과 제1 세정조(12)의 바닥(310) 사이에는 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2) 사이에 세정액이 통과할 수 있는 통로(path, 410)가 형성될 수 있다.For example, the lower end of each of the first partition 22 and the second partition 24 may be spaced apart from the bottom 310 of the first washing tub 12. A cleaning liquid passes between the lower end of each of the first partition 22 and the second partition 24 and the bottom 310 of the first cleaning tub 12 between the first region S1 and the second region S2 A path 410 can be formed.

통로(410)는 제1 세정조(12) 내에 위치하는 웨이퍼(W)의 에지에 대향하여 개방될 수 있다. 예컨대, 통로(410)는 웨이퍼의 전면 및 후면에 발생하는 파티클을 제거하기 위하여 웨이퍼(W)의 전면 및 후면과 수평한 방향으로 개방될 수 있다.The passage 410 can be opened against the edge of the wafer W positioned in the first cleaning tank 12. [ For example, the passages 410 may be opened in a horizontal direction with respect to the front and rear surfaces of the wafer W to remove particles generated on the front and rear surfaces of the wafer.

제1 및 제2 칸막이들(22,24)은 통로(410)를 제외하고는 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2) 간의 세정액의 이동을 차단할 수 있다. 따라서 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)의 상부 영역들 사이에는 제1 및 제2 칸막이들(22,24)에 의하여 세정액의 이동이 차단될 수 있고, 세정액은 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)의 하부 영역들 사이에는 통로(410)를 통하여 세정액이 이동할 수 있다.The first and second partitions 22 and 24 can block the movement of the cleaning liquid between the first area S1 and the second area S2 except for the passage 410. [ Accordingly, the movement of the cleaning liquid can be blocked by the first and second partitions 22 and 24 between the upper areas of the first area S1 and the second area S2, ) And the lower region of the second region S2, the cleaning liquid can be moved through the passage 410.

제2 측면(302)으로부터 제4 측면(304)에 이르기까지 전 영역에 걸쳐서 통로(410)가 형성되는 것을 도시한다.And the passages 410 are formed over the entire area from the second side 302 to the fourth side 304.

칸막이(20)의 상단(331)의 높이는 제1 세정조(12)의 상단(332)의 높이보다 높을 수 있다. 이는 제2 영역(S2)에 위치하는 세정액이 제1 영역(S1)으로 넘치는 것을 차단함으로써, 제1 세정조(12) 내에서 세정액이 위에서 아래로 원활하게 흐르도록 하기 위함이다.The height of the upper end 331 of the partition 20 may be higher than the height of the upper end 332 of the first washing tub 12. This is to prevent the washing liquid located in the second area S2 from overflowing into the first area S1 so that the washing liquid flows smoothly from top to bottom in the first washing tub 12.

도 4는 도 1에 도시된 칸막이의 제2 실시 예(20-1)를 나타낸다. 도 3과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나, 생략한다.Fig. 4 shows a second embodiment 20-1 of the partition shown in Fig. The same reference numerals as those in FIG. 3 denote the same components, and the description of the same components will be simplified or omitted.

도 4를 참조하면, 칸막이(20-1)는 제1 실시 예(20-1)의 하단이 변형된 예일 수 있다. 칸막이(20-1)의 하단은 제1 세정조(12)의 바닥(310)과 접하고, 서로 이격하는 복수의 부분들(P1 내지 Pk, k>1인 자연수)을 포함할 수 있으며, 복수의 부분들(P1 내지 Pk, k>1인 자연수) 사이에는 통로(T1 내지 Tm, m≥1인 자연수)가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the partition 20-1 may be an example in which the lower end of the first embodiment 20-1 is modified. The lower end of the partition 20-1 may include a plurality of portions P1 to Pk, k> 1, which are in contact with the bottom 310 of the first washing tub 12 and are spaced apart from each other. (T1 to Tm, a natural number of m > = 1) may be formed between portions (P1 to Pk, k> 1 natural number).

제1 실시 예의 칸막이(20)는 하단부 아래에 하나의 통로(410)를 갖는 구조이기 때문에, 세정액의 유동이 어느 한쪽으로 치우칠 수 있어 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2) 사이의 유량의 흐름이 불균일할 수 있으며, 이로 인하여 제1 세정조(12) 내의 웨이퍼들이 위치에 따라 세정의 정도가 다를 수 있다.Since the partition 20 of the first embodiment has a structure with one passage 410 below the lower end portion, the flow of the cleaning liquid can be offset in either direction, and the flow rate between the first region S1 and the second region S2 So that the degree of cleaning of the wafers in the first cleaning bath 12 may vary depending on the position.

이에 비하여 제2 실시 예의 칸막이(20)는 복수의 통로들(T1 내지 Tm, m≥1인 자연수)을 갖는 구조이기 때문에 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2) 사이의 유량이 균일하게 흐를 수 있어, 제1 세정조 내에 위치하는 웨이퍼들을 균일하게 세정할 수 있다.On the other hand, since the partition 20 of the second embodiment has a structure having a plurality of passages (T1 to Tm, m is a natural number of 1), the flow rate between the first region S1 and the second region S2 is uniform So that the wafers positioned in the first washing tank can be uniformly cleaned.

도 5는 도 1에 도시된 칸막이의 제3 실시 예(20-2)를 나타낸다. 도 3과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나, 생략한다.Fig. 5 shows a third embodiment 20-2 of the partition shown in Fig. The same reference numerals as those in FIG. 3 denote the same components, and the description of the same components will be simplified or omitted.

도 5를 참조하면, 칸막이(20-2)의 하단은 제1 세정조(12)의 바닥(310)과 접하고, 칸막이(20-2)는 하단으로부터 일정 거리 이내의 하부 영역(Q)에 복수의 관통 홀들(holes, 440)을 가질 수 있다. 복수의 관통 홀들(440)을 통하여 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2) 간에 세정액의 유동할 수 있다.5, the lower end of the partition 20-2 is in contact with the bottom 310 of the first washing tub 12, and the partition 20-2 is divided into a plurality of (Holes) 440 of the first and second electrodes. The cleaning liquid can flow between the first area S1 and the second area S2 through the plurality of through holes 440. [

복수의 관통 홀들(440)은 하부 영역(Q) 전체에 골고루 분포되기 때문에 제1 영역(S1)과 제2 영역(S1) 간에 흐르는 세정액의 유량은 지역적으로 균일할 수 있다.Since the plurality of through holes 440 are uniformly distributed throughout the lower region Q, the flow rate of the cleaning liquid flowing between the first region S1 and the second region S1 can be locally uniform.

도 6은 도 1에 도시된 칸막이의 제4 실시 예(20-3)를 나타낸다. Fig. 6 shows a fourth embodiment 20-3 of the partition shown in Fig.

도 6을 참조하면, 칸막이(20-3)는 제1 세정조(12) 내벽으로부터 이격하여 위치할 수 있으며, 제1 세정조(12)를 제1 영역(S1) 및 제2 영역(S2)으로 구분할 수 있다.6, the partition 20-3 may be spaced apart from the inner wall of the first washing tub 12, and the first washing tub 12 may be divided into a first area S1 and a second area S2, .

예컨대, 칸막이(20-3)는 복수 개일 수 있고, 복수의 칸막이들(22,23,24,25) 각각은 복수의 측면들(301,302,303,304) 중 어느 하나에 대응할 수 있다. 복수의 칸막이들(22,23,24,25)은 제1 세정조(12) 내벽을 구성하는 복수의 측면들(301,302,303,304)로부터 이격할 수 있다. 복수의 칸막이들(22,23,24,25)은 서로 연결될 수 있다.For example, the partition 20-3 may be a plurality of, and each of the plurality of partitions 22, 23, 24, and 25 may correspond to any one of the plurality of sides 301, 302, 303, The plurality of partitions 22, 23, 24, and 25 may be spaced from the plurality of side surfaces 301, 302, 303, and 304 constituting the inner wall of the first cleaning tank 12. The plurality of partitions 22, 23, 24, and 25 may be connected to each other.

칸막이(20-3)의 하단은 제1 세정조(12)의 바닥(310)과 이격할 수 있으며, 칸막이(20-3)의 하단과 바닥(310) 사이에는 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2) 간에 세정액이 유동할 수 있는 통로(420)가 형성될 수 있다.The lower end of the partition 20-3 may be spaced apart from the bottom 310 of the first washing tub 12 and between the lower end of the partition 20-3 and the bottom 310, A passage 420 through which the cleaning liquid can flow may be formed between the two regions S2.

도 7은 도 1에 도시된 칸막이의 제5 실시 예(20-4)를 나타낸다.Fig. 7 shows a fifth embodiment (20-4) of the partition shown in Fig.

도 7을 참조하면, 제5 실시 예(20-4)는 제4 실시 예의 변형 예일 수 있다.Referring to Fig. 7, the fifth embodiment 20-4 may be a modification of the fourth embodiment.

칸막이(20-4)의 하단은 제1 세정조(12)의 바닥(310)과 접하고, 서로 이격하는 복수의 부분들(P1 내지 Pk, k>1인 자연수)을 포함할 수 있으며, 복수의 부분들(P1 내지 Pk, k>1인 자연수) 사이에는 통로(T1 내지 Tm, m≥1인 자연수)가 형성될 수 있다.The lower end of the partition 20-4 may include a plurality of portions P1 to Pk, k> 1, which are in contact with the bottom 310 of the first washing tub 12 and are spaced apart from each other, (T1 to Tm, a natural number of m > = 1) may be formed between portions (P1 to Pk, k> 1 natural number).

도 8은 도 1에 도시된 칸막이의 제6 실시 예(20-5)를 나타낸다. Fig. 8 shows a sixth embodiment (20-5) of the partition shown in Fig.

도 8을 참조하면, 제6 실시 예(20-5)는 제4 실시 예의 또 다른 변형 예일 수 있다.Referring to Fig. 8, the sixth embodiment (20-5) may be another modification of the fourth embodiment.

칸막이(20-5)의 하단은 제1 세정조(12)의 바닥(310)과 접하고, 칸막이(20-5)는 하단으로부터 일정 거리 이내의 하부 영역(Q)에 복수의 관통 홀들(holes, 440)을 가질 수 있다.The lower end of the partition 20-5 is in contact with the bottom 310 of the first washing tub 12 and the partition 20-5 has a plurality of through holes in the lower region Q within a certain distance from the lower end. 440).

도 11은 일반적인 배치식(batch type) 반도체 웨이퍼 세정기의 단면도를 나타낸다.Figure 11 shows a cross-sectional view of a typical batch type semiconductor wafer cleaner.

도 11을 참조하면, 세정조(5) 내에서 분사 노즐(3)이 웨이퍼 지지대(30)의 아래 쪽에 배치되기 때문에, 세정조(5) 내에서 세정액은 하단에서 상단으로 흐른다. 그런데, 웨이퍼 지지대(30)에 의하여 하단에서 상단으로의 세정액의 흐름은 방해를 받을 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 오염 물질 또는 파티클(particle)을 제거하는 효율이 저하될 수 있다.11, since the injection nozzle 3 is disposed below the wafer support table 30 in the cleaning tank 5, the cleaning liquid flows in the cleaning tank 5 from the lower end to the upper end. However, since the flow of the cleaning liquid from the lower end to the upper end by the wafer support table 30 may be disturbed, the efficiency of removing contaminants or particles from the wafer W may be reduced.

도 12는 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 세정기의 세정액 순환을 나타낸다.12 shows the circulation of rinse solution of the semiconductor wafer cleaner according to the embodiment.

도 12를 참조하면, 실시 예에 따른 세정액 분사부(40)는 웨이퍼 지지대(30)에 의하여 지지되는 웨이퍼(W)보다 높게 위치하고, 세정액 분사부(40)는 제1 세정조(12)의 제2 영역(S2)의 상단에서 하단 방향으로 세정액을 분사할 수 있다. 이로 인하여 제1 세정조(12) 내에서의 세정액은 제2 영역(S2)의 상단에서 하단으로 흐를 수 있다.12, the cleaning liquid spraying part 40 according to the embodiment is located higher than the wafer W supported by the wafer support table 30, and the cleaning liquid spraying part 40 is positioned above the wafer W supported by the wafer cleaning table 30, It is possible to spray the cleaning liquid from the upper end to the lower end of the second area S2. Therefore, the cleaning liquid in the first cleaning tank 12 can flow from the upper end to the lower end of the second area S2.

또한 칸막이(20)에 의하여 제1 세정조(12)의 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2) 사이의 상부 영역들 사이에는 세정액의 유동이 차단되고, 도 3 내지 도 8에 도시된 통로(410, T1 내지 Tm, m≥1인 자연수), 또는 관통 홀들(440)을 통하여만 세정액이 이동할 수 있다.The partition 20 also blocks the flow of the cleaning liquid between the upper areas between the first area S1 and the second area S2 of the first cleaning tank 12, The cleaning liquid can be moved only through the passages 410, T1 to Tm, a natural number of m? 1, or the through holes 440.

칸막이(20)의 상단(331)의 높이가 제1 세정조(12)의 상단(332)의 높이보다 높기 때문에, 제2 영역(S2)에서 제1 영역(S1)으로 세정액이 넘치는 것을 차단할 수 있다.The height of the upper end 331 of the partition 20 is higher than the height of the upper end 332 of the first cleaning tank 12 so that the cleaning liquid can be prevented from overflowing from the second region S2 to the first region S1 have.

제1 영역(S1)의 상부에 위치하는 세정액은 제2 세정조(14)로 넘칠 수 있다.The cleaning liquid located at the upper portion of the first area S1 may overflow the second cleaning bath 14. [

펌프(70)에 의하여 제2 세정조(14)의 세정액은 흡입되고, 흡입된 세정액은 필터(80)를 거쳐 세정액 분사부(40)로 공급될 수 있다.The cleaning liquid of the second cleaning tank 14 is sucked by the pump 70 and the sucked cleaning liquid can be supplied to the cleaning liquid spraying unit 40 via the filter 80. [

결국 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 세정기(100)에서 세정액의 순환은 아래의 5단계를 포함할 수 있다.Consequently, circulation of the cleaning liquid in the semiconductor wafer cleaner 100 according to the embodiment may include the following five steps.

제1 단계는 세정액 분사부(40)에 의한 세정액 분사에 의하여, 제1 세정조(12)의 제2 영역(S2)의 상단에서 하단으로 세정액이 흐르는 것이다(801).The first step is a step 801 in which the cleaning liquid flows from the upper end to the lower end of the second area S2 of the first cleaning tank 12 by the spraying of the cleaning liquid by the cleaning liquid spraying unit 40. [

제2 단계는 제1 세정조(12)의 제2 영역(S2)의 하단에서 제1 세정조(12)의 제1 영역(S1)의 하단으로 세정액이 흐르는 것이다(802).In the second step, the cleaning liquid flows from the lower end of the second area S2 of the first cleaning tank 12 to the lower end of the first area S1 of the first cleaning tank 12 (802).

제3 단계는 제1 세정조(12)의 제1 영역(S1)의 하단에서 제1 영역(S1)의 상단으로 흐르는 것이다(803).The third step is to flow 803 from the lower end of the first area S1 of the first cleaning tank 12 to the upper end of the first area S1.

제4 단계는 제1 세정조(12)의 제1 영역(S1)의 상단에서 제2 세정조(14)로 넘쳐 흐르는 것이다(804).The fourth step is to overflow from the upper end of the first area S1 of the first washing tub 12 to the second washing tub 14 (804).

제5 단계는 펌프(70), 및 필터(80)를 통과하여 제2 세정조(14)에서 세정액 분사부(40)로 흐르는 것이다(805).The fifth step is to flow from the second cleaning tank 14 to the cleaning liquid spraying unit 40 through the pump 70 and the filter 80 (805).

이러한 세정액의 순환 구조에서는 웨이퍼 지지대(30)에 의하여 세정액의 흐름이 방해되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 실시 예는 웨이퍼(W)로부터 오염 물질 또는 파티클을 원활하게 제거할 수 있다.Since the circulation structure of the cleaning liquid can prevent the flow of the cleaning liquid from being disturbed by the wafer support table 30, the embodiment can smoothly remove contaminants or particles from the wafer W. [

또한 실시 예는 제2 단계 내지 제4단계에 의하여 웨이퍼(W)로부터 제거된 파티클이 제1 세정조(12)의 하부 영역에 잔류하는 것을 방지할 수 있고, 제5 단계에 의하여 파티클은 필터(80)에 의하여 제거할 수 있다.In addition, the embodiment can prevent the particles removed from the wafer W from remaining in the lower region of the first cleaning tank 12 by the second to fourth steps, and the particles are prevented from remaining in the filter 80).

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

10: 세정조 20: 칸막이
30: 웨이퍼 지지대 40: 세정액 분사부
50: 초음파 발생부 60: 순환부
70: 펌프 80: 필터
92,94,96: 배관.10: Washing tank 20: Partition
30: Wafer support table 40: Cleaning liquid dispensing part
50: Ultrasonic wave generator 60:
70: Pump 80: Filter
92,94,96: Piping.

Claims (11)

세정액을 수용하는 제1 세정조;
상기 제1 세정조를 제1 영역과 제2 영역으로 구분하는 칸막이;
상기 제1 영역으로부터 넘치는 세정액을 수용하도록 상기 제1 세정조의 외측 둘레에 배치되는 제2 세정조;
상기 제1 세정조의 상기 제2 영역 내에 배치되고, 웨이퍼를 지지하는 지지대;
상기 제1 세정조의 상기 제2 영역의 상부에 배치되고, 세정액을 분사하는 세정액 분사부;
상기 제2 세정조에 수용되는 세정액을 흡입하고, 흡입된 세정액을 방출하는 펌프; 및
상기 펌프로부터 방출되는 세정액을 여과하고, 여과된 세정액을 상기 세정액 분사부로 공급하는 필터를 포함하며,
상기 칸막이는,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 하부 영역들 간에 세정액을 이동시키며, 상기 칸막이의 상단의 높이는 상기 제1 세정조의 상단의 높이보다 높은 반도체 웨이퍼 세정 장치.A first cleaning tank for containing a cleaning liquid;
A partition dividing the first cleaning tank into a first area and a second area;
A second cleaning tank disposed around the outer periphery of the first cleaning tank to receive a cleaning liquid overflowing from the first area;
A support table disposed in the second area of the first cleaning tank and supporting the wafer;
A cleaning liquid spraying part disposed above the second area of the first cleaning tank and spraying a cleaning liquid;
A pump for sucking the cleaning liquid accommodated in the second cleaning tank and discharging the sucked cleaning liquid; And
And a filter for filtering the washing liquid discharged from the pump and supplying the filtered washing liquid to the washing liquid spraying unit,
The partition,
Wherein the height of the upper end of the partition is higher than the height of the upper end of the first cleaning bath. 제1항에 있어서,
상기 세정액 분사부는 상기 지지대에 의해 지지되는 웨이퍼보다 높게 위치하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
Wherein the cleaning liquid jetting portion is located higher than a wafer supported by the support. 제1항에 있어서,
상기 칸막이의 하단은 상기 제1 세정조의 바닥으로부터 이격하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
And the lower end of the partition is spaced apart from the bottom of the first cleaning bath. 제1항에 있어서,
상기 칸막이의 하단은 상기 제1 세정조의 바닥과 접하고 서로 이격하는 복수의 부분들을 포함하고, 상기 복수의 부분들 사이에는 세정액이 이동하는 통로가 형성되는 반도체 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
Wherein a lower end of the partition includes a plurality of portions that are in contact with the bottom of the first cleaning bath and are spaced apart from each other, and a passage through which the cleaning liquid moves is formed between the plurality of portions. 제1항에 있어서,
상기 칸막이의 하단은 상기 제1 세정조의 바닥과 접하고, 상기 칸막이는 상기 칸막이의 하단으로부터 일정 거리 이내의 하부 영역에 세정액이 이동하는 복수의 관통 홀들을 가지는 반도체 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
Wherein the lower end of the partition is in contact with the bottom of the first cleaning bath and the partition has a plurality of through holes through which the cleaning liquid moves in a lower region within a certain distance from the lower end of the partition. 제1항에 있어서,
상기 제1 세정조의 내벽은 복수의 측면들을 포함하고,
상기 칸막이는 상기 복수의 측면들 중 서로 마주보는 2개의 측면들과 접하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
Wherein the inner wall of the first cleaning bath comprises a plurality of side surfaces,
Wherein said partition is in contact with two opposing sides of said plurality of sides. 제1항에 있어서,
상기 칸막이는 복수 개이고,
복수의 칸막이들 각각은 상기 복수의 측면들 중 어느 하나에 대응하고, 상기 복수의 측면들로부터 이격하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of said partition members are provided,
Wherein each of the plurality of partitions corresponds to any one of the plurality of side surfaces and is spaced from the plurality of side surfaces. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 세정액 분사부는,
복수의 분사 노즐들을 포함하며, 복수의 분사 노즐의 출구에는 세정액을 분사하는 복수의 홀들을 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.The cleaning apparatus according to claim 1,
Wherein the plurality of injection nozzles includes a plurality of holes for spraying a cleaning liquid to an outlet of the plurality of injection nozzles. 제9항에 있어서,
상기 복수의 홀들 각각의 직경은 입구로부터 출구로 갈수록 증가하며,
상기 입구는 세정액이 유입되는 부분이고, 상기 출구는 상기 입구로 유입된 세정액이 분사되는 부분인 반도체 웨이퍼 세정 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the diameter of each of the plurality of holes increases from the inlet to the outlet,
Wherein the inlet is a portion into which the cleaning liquid flows, and the outlet is a portion into which the cleaning liquid introduced into the inlet is injected. 삭제delete
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