KR20110029922A - Organic electroluminescent display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 게이트 배선 사이의 신호지연 편차를 균일하게 하는 편차조절부하를 포함하는 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device including a deviation control load for uniformizing signal delay variations between gate lines.
새로운 평판디스플레이 중 하나인 유기전계발광 표시장치(Organic Electroluminescent Display Device: OELD Device)는 자체 발광형이기 때문에 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용온도범위도 넓으며 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다. 이러한 유기전계발광 표시장치를 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Device: OLED Device)라고 부르기도 한다. One of the new flat panel displays, the organic electroluminescent display device (OLED device) is a self-luminous type, so it has better viewing angle and contrast ratio than liquid crystal display device and does not require backlight. Light weight and thinness are possible, and it is advantageous in terms of power consumption. In addition, since it is possible to drive DC low voltage, fast response speed, and all solid, it is strong against external shock, wide use temperature range, and especially in terms of manufacturing cost. Such an organic light emitting display device is also referred to as an organic light emitting diode device (OLED device).
상기 유기전계발광 표시장치는 액정표시장치나 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel Device: PDP Device)와 달리 공정이 매우 단순하기 때문에 증착 및 봉지(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있다. The organic light emitting display device is a deposition and encapsulation equipment because the process is very simple, unlike a liquid crystal display device or a plasma display panel device (PDP device).
특히, 액티브 매트릭스 방식(active matrix type)에서는 화소에 인가되는 전류를 제어하는 전압이 스토리지 캐패시터(storage capacitor)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전압을 유지해 줌으로써, 게이트 배선 수에 관계없이 한 화면이 표시되는 동안 발광상태를 유지하도록 구동된다. In particular, in an active matrix type, a voltage controlling a current applied to a pixel is charged in a storage capacitor, and the gate is maintained by maintaining the voltage until the next frame signal is applied. It is driven to maintain the light emission state while one screen is displayed regardless of the number of wirings.
따라서, 액티브 매트릭스 방식에서는, 낮은 전류를 인가해 주더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가진다. Therefore, in the active matrix system, since the same luminance is displayed even when a low current is applied, low power consumption, high definition, and large size can be obtained.
이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure and operation characteristics of the active matrix organic light emitting display device will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치를 도시한 개략도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a conventional active matrix type organic light emitting display device.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치(10)는, 영상을 표시하는 유기전계발광 패널(20)과 유기전계발광 패널(20)에 다수의 신호 및 전원을 공급하는 구동부(30)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the conventional active matrix type organic light
유기전계발광 패널(20)에는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 제1 내지 제m게이트 배선(GL1 내지 GLm), 제1 내지 제n데이터 배선(DL1 내지 DLn) 및 제1 내지 제n파워배선(PL1 내지 PLn)이 형성되고, 각 화소영역(P)에는 제1트랜지스터(T1), 제2트랜지스터(T2), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광 다이오드(Del)이 형성된다. The organic
제1트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 소스전극은 각각 게이트 배선(GL1 내지 GLm) 및 데이터 배선(DL1 내지 DLn)에 연결되고, 제1트랜지스터(T1)의 드레인전극은 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극에 연결된다.The gate electrode and the source electrode of the first transistor T1 are connected to the gate lines GL1 to GLm and the data lines DL1 to DLn, respectively, and the drain electrode of the first transistor T1 is connected to the second transistor T2. It is connected to the gate electrode.
제2트랜지스터(T2)의 소스전극은 파워배선(PL1 내지 PLn)에 연결되고, 스토리지 커패시터(Cst)는 제2트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 파워배선(PL1 내지 PLn) 사이에 연결된다. The source electrode of the second transistor T2 is connected to the power wirings PL1 to PLn, and the storage capacitor Cst is connected between the gate electrode of the second transistor T2 and the power wirings PL1 to PLn.
그리고, 발광 다이오드(Del)는 제2트랜지스터(T2)의 드레인전극에 연결된다. The light emitting diode Del is connected to the drain electrode of the second transistor T2.
제1트랜지스터(T1)는 게이트 배선(GL1 내지 GLm)을 통하여 공급되는 게이트신호에 따라 데이터 배선(DL1 내지 DLn)을 통하여 공급되는 데이터신호를 제2트랜지스터(T2)에 공급하는 스위칭소자 역할을 하고, 제2트랜지스터(T2)는 그 게이트전극으로 인가되는 데이터신호에 따라 파워배선(PL1 내지 PLn)을 통하여 공급되는 전원전압을 발광 다이오드(Del)에 공급하는 구동소자 역할을 한다. The first transistor T1 serves as a switching element for supplying a data signal supplied through the data lines DL1 to DLn to the second transistor T2 according to the gate signal supplied through the gate lines GL1 to GLm. The second transistor T2 serves as a driving device for supplying a power supply voltage supplied through the power wirings PL1 to PLn to the light emitting diode Del in accordance with a data signal applied to the gate electrode.
따라서, 데이터신호에 의존하는 상이한 전원전압이 발광 다이오드(Del)에 공급됨으로써 다양한 계조(gray) 표시가 가능해진다. Accordingly, different gray scales are possible by supplying different power supply voltages depending on the data signal to the light emitting diode Del.
또한, 유기전계발광 패널(20)에는 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm) 각각의 일단에 연결되어 구동부(30)에서 공급되는 게이트 신호를 전달하는 게이트링크배선(22)이 형성된다. In addition, the organic
구동부(30)는 게이트신호 및 데이터신호를 생성하여 전원전압과 함께 유기전계발광 패널(20)에 공급하는데, 다수의 전기적 소자가 장착된 인쇄회로기 판(printed circuit board: PCB)의 형태로 구성될 수 있다. The
특히, 구동부(30)는 게이트신호를 생성하는 게이트신호 생성부(32)를 집적회로(integrated circuit: IC)의 형태로 포함할 수 있다. In particular, the
즉, 구동부(30)의 게이트신호 생성부(32)는 유기전계발광 패널(20)의 게이트링크배선(22)에 연결되어 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)에 게이트신호를 공급한다. That is, the
여기서, 유기전계발광 패널(20)의 게이트링크배선(22)은 도전성 물질로 형성되기는 하지만, 도전성 물질은 실제로는 비저항이 0이 아니므로, 게이트링크배선(22)에는 길이에 비례하는 저항이 존재한다. Here, although the
또한, 유기전계발광 패널(20)의 화소영역(P)에는 게이트배선(GL1 내지 GLm)과 데이터배선(DL1 내지 DLn)의 교차부, 게이트배선(GL1 내지 GLm)과 파워배선(PL1 내지 PLn)의 교차부, 제1박막트랜지스터의 게이트전극과 소스전극의 중첩부 등의 다수의 기생용량(parasitic capacitor)이 존재한다. Further, in the pixel area P of the organic
따라서, 유기전계발광 패널(20)의 게이트링크배선(22)으로 전달되는 게이트신호는, 게이트링크배선(22)의 저항 및 게이트링크배선(22)에 연결된 화소영역(P)의 기생용량에 의하여 지연(delay)되는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.Accordingly, the gate signal transmitted to the
도 2는 종래의 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치의 개략적인 등가회로도이다. 도 2에서 각 게이트배선의 길이에 따른 저항은 편의상 표시하지 않았다. 2 is a schematic equivalent circuit diagram of a conventional active matrix type organic light emitting display device. In FIG. 2, the resistances according to the lengths of the gate lines are not shown for convenience.
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)에 연결되는 게이트링크배선(22)은, 인접한 게이트배선 사이의 길이에 비례하는 게이트링크저항(Rgl)을 등가저항으로 가지고, 각 화소영역(P)에 존재하는 기생용량(Cp)은 게이트링크배선(22)에 병렬로 연결된 것으로 해석할 수 있다. (여기서, Rgl은 저항 및 저항값을 동시에 나타내고, Cp는 커패시터 및 커패시턴스를 동시에 나타내는 것으로 한다.)As shown in FIG. 2, the
따라서, 게이트링크배선(22)으로 전달되는 게이트신호는 저항과 커패시터의 곱으로 표현되는 시정수(time constant)에 의존하여 지연되는데, 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)까지 게이트링크배선(22)의 길이 및 그에 따른 저항이 상이하므로, 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)에 공급되는 게이트신호는 각각 상이하게 지연된다. Accordingly, the gate signal transmitted to the
예를 들어, 제1게이트배선(GL1)에 공급되는 게이트신호는 게이트링크저항(Rgl)과 기생용량의 n배의 곱(Rgl*nCp)에 의존하여 지연되고, 제m게이트배선(GLm)에 공급되는 게이트신호는 게이링크저항(Rgl)의 m배와 기생용량의 n배의 곱(mRgl*nCp)에 의존하여 지연된다. For example, the gate signal supplied to the first gate line GL1 is delayed depending on the n times product Rgl * nCp of the gate link resistance Rgl and the parasitic capacitance, and is delayed to the mth gate line GLm. The supplied gate signal is delayed depending on the product of m times the gay link resistance Rgl and n times the parasitic capacitance (mRgl * nCp).
즉, 게이트신호가 최초로 공급되는 제1게이트배선(GL1)으로부터 게이트신호가 최후로 공급되는 제m게이트배선(GLm)으로 갈수록 게이트신호의 지연은 증가한다. That is, the delay of the gate signal increases from the first gate line GL1 to which the gate signal is first supplied to the mth gate line GLm to which the gate signal is last supplied.
이러한 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)에 있어서 게이트신호의 지연 편차는 유기전계발광 표시장치(10)의 영상 표시에 있어서 빛샘 불량을 야기하는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.Delay variation of the gate signal in the first to mth gate lines GL1 to GLm causes light leakage defects in the image display of the organic light
도 3a 및 도 3b는 각각 종래의 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치의 제1 및 제m게이트배선에서의 게이트신호 및 데이터전압을 도시한 도면으로, 도 1 및 도 2를 함께 참조하여 설명한다. 3A and 3B are diagrams illustrating gate signals and data voltages of first and m-th gate lines of a conventional active matrix type organic light emitting display device, respectively, with reference to FIGS. 1 and 2.
도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 게이트신호는 게이트로우전압(Vgl) 및 게이트하이전압(Vgh)을 각각 최저 및 최고 전압으로 하는 펄스(pulse)가 1 프레임시간(Tf)을 주기로 반복되는 구형파(rectangular wave)의 형태이다.As shown in Figs. 3A and 3B, the gate signal is a pulse in which the gate low voltage Vgl and the gate high voltage Vgh are the lowest and highest voltages, respectively, repeated every one frame time Tf. It is in the form of a rectangular wave.
도 3a에 도시한 바와 같이, 제1게이트배선(GL1)에 공급되는 제1게이트신호(GS1)의 펄스는 제1상승시간(Trising1)동안 게이트로우전압(Vgl)에서 게이트하이전압(Vgh)으로 증가하고 제1펄스지속시간(Tpd1)동안 게이트하이전압(Vgh)을 유지한 후 다시 게이트로우전압(Vgl)으로 감소한다. As shown in FIG. 3A, the pulse of the first gate signal GS1 supplied to the first gate line GL1 is changed from the gate low voltage Vgl to the gate high voltage Vgh during the first rising time Trising1. It increases and maintains the gate high voltage Vgh for the first pulse duration Tpd1 and then decreases to the gate low voltage Vgl.
이때, 제1상승시간(Trising1)은, 저항이나 용량이 존재하지 않는 이상적인 상태에서는 0초(sec)이지만, 현실에서는 하나의 게이트링크저항(Rgl) 및 n개의 기생용량(Cp)에 의한 시정수(Rgl*nCp)에 의존하여 발생하는 시간이다. At this time, the first rise time Trising1 is 0 seconds in an ideal state in which no resistance or capacity exists, but in reality, a time constant by one gate link resistor Rgl and n parasitic capacitances Cp is used. This is a time that depends on (Rgl * nCp).
제1게이트신호(GS1)가 게이트하이전압(Vgh)이 되면, 제1게이트배선(GL1)에 연결된 제1트랜지스터(T1)가 턴-온(turn-on)되고, 데이터배선(DL1 내지 DLn)을 통하여 공급되는 데이터신호는 제1트랜지스터(T1)를 통과하여 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극에 제1데이터전압(Vdata1)으로 충전된다.When the first gate signal GS1 becomes the gate high voltage Vgh, the first transistor T1 connected to the first gate line GL1 is turned on and the data lines DL1 to DLn. The data signal supplied through the first transistor T1 passes through the first transistor T1 and is charged to the gate electrode of the second transistor T2 with the first data voltage Vdata1.
이때, 제1트랜지스터(T1)에 연결된 스토리지 커패시터(Cst)도 제1데이터전 압(Vdata1)으로 충전된다. In this case, the storage capacitor Cst connected to the first transistor T1 is also charged with the first data voltage Vdata1.
그리고, 제1게이트신호(GS1)가 게이트로우전압(Vgl)이 되면, 제1트랜지스터(T1)가 턴-오프(turn-off)되므로, 데이터신호가 제1트랜지스터(T1)를 통과하지 못하여 더 이상 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극을 충전하지 못하지만, 그 대신 스토리지 커패시터(Cst)에 충전되어 있던 전하가 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극을 충전하므로, 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극은 다음 프레임까지인 제1데이터시간(Tdata1)동안 제1데이터전압(Vdata1)을 유지한다.When the first gate signal GS1 becomes the gate low voltage Vgl, since the first transistor T1 is turned off, the data signal does not pass through the first transistor T1. As described above, the gate electrode of the second transistor T2 cannot be charged, but instead, the charge that is charged in the storage capacitor Cst charges the gate electrode of the second transistor T2, and thus the gate electrode of the second transistor T2. Maintains the first data voltage Vdata1 for the first data time Tdata1 until the next frame.
여기서, 제1상승시간(Trising1)은 게이트링크저항(Rgl) 및 기생용량(Cp)과 마찬가지로 유기전계발광 표시장치(10)의 크기, 화소수와 배선의 재질, 선폭 및 두께 등에 따라 달라질 수 있는데, 예를 들어, 제1상승시간(Trising1)은 약 20 nsec 일 수 있다. Here, the first rise time Trising1 may vary depending on the size of the organic light
한편, 도 3b에 도시한 바와 같이, 제m게이트배선(GLm)에 공급되는 제m게이트신호(GSm)의 펄스는 제m상승시간(Trisingm)동안 게이트로우전압(Vgl)에서 게이트하이전압(Vgh)으로 증가하고 제m펄스지속시간(Tpdm)동안 게이트하이전압(Vgh)을 유지한 후 다시 게이트로우전압(Vgl)으로 감소한다. Meanwhile, as shown in FIG. 3B, the pulse of the m-th gate signal GSm supplied to the m-th gate line GLm is controlled from the gate-low voltage Vgl to the gate-high voltage Vgh during the m-th rising time Trism. The gate high voltage Vgh is maintained for the mth pulse duration Tpdm, and then decreases to the gate low voltage Vgl.
이때, 제m상승시간(Trisingm)은, m개의 게이트링크저항(Rgl) 및 n개의 기생용량(Cp)에 의한 시정수(mRgl*nCp)에 의존하여 발생하는 시간으로 제1상승시간(Trising1)보다 길며(Trisingm > Trising1), 이에 따라 게이트신호의 하나의 펄스의 나머지 시간인 제m펄스지속시간(Tpdm)은 제1펄스지속시간(Tpd1)보다 짧은 시간이 된다(Tpdm < Tpd1). At this time, the mth rise time Trisingm is a time generated depending on the time constant mRgl * nCp by m gate link resistors Rgl and n parasitic capacitances Cp, and the first rise time Trising1. It is longer (Trisingm> Trising1), and thus, the mth pulse duration Tpdm, which is the remaining time of one pulse of the gate signal, is shorter than the first pulse duration Tpd1 (Tpdm <Tpd1).
제m게이트신호(GSm)가 게이트하이전압(Vgh)이 되면, 제m게이트배선(GLm)에 연결된 제1트랜지스터(T1)가 턴-온(turn-on)되고, 데이터배선(DL1 내지 DLn)을 통하여 공급되는 데이터신호는 제1트랜지스터(T1)를 통과하여 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극 및 스토리지 커패시터(Cst)에 제m데이터전압(Vdatam)으로 충전된다.When the m th gate signal GSm becomes the gate high voltage Vgh, the first transistor T1 connected to the m th gate line GLm is turned on and the data lines DL1 to DLn. The data signal supplied through the first transistor T1 is charged to the gate electrode and the storage capacitor Cst of the second transistor T2 with the mth data voltage Vdatam.
그리고, 제m게이트신호(GSm)가 게이트로우전압(Vgl)이 되면, 제1트랜지스터(T1)가 턴-오프(turn-off)되므로, 데이터신호가 제1트랜지스터(T1)를 통과하지 못하여 더 이상 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극을 충전하지 못하지만, 그 대신 스토리지 커패시터(Cst)에 충전되어 있던 전하가 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극을 충전하므로, 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극은 다음 프레임까지인 제m데이터시간(Tdatam)동안 제m데이터전압(Vdatam)을 유지한다.When the m th gate signal GSm becomes the gate low voltage Vgl, since the first transistor T1 is turned off, the data signal cannot pass through the first transistor T1. As described above, the gate electrode of the second transistor T2 cannot be charged, but instead, the charge that is charged in the storage capacitor Cst charges the gate electrode of the second transistor T2, and thus the gate electrode of the second transistor T2. Maintains the mth data voltage Vdatam for the mth data time Tdatam until the next frame.
즉, 게이트신호가 최초로 전달되는 부분의 제1게이트배선(GS1)에 연결된 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극에는 제1데이터시간(Tdata1)동안 제1데이터전압(Vdata1)이 인가되어 발광다이오드(Del)를 구동하고, 게이트신호가 최후로 전달되는 부분인 제m게이트배선(GSm)에 연결된 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극에는 제m데이터시간(Tdatam)동안 제m데이터전압(Vdatam)이 인가되어 발광다이오드(Del)를 구동한다.That is, the first data voltage Vdata1 is applied to the gate electrode of the second transistor T2 connected to the first gate wiring GS1 of the portion where the gate signal is first transmitted, so that the light emitting diode ( The m-th data voltage Vdatam is applied to the gate electrode of the second transistor T2 connected to the m-th gate wiring GSm, which drives Del, and is connected to the last gate signal. It is applied to drive the light emitting diode Del.
그런데, 제1 및 제m게이트배선(GS1 및 GSm)에서의 게이트신호의 상승시간의 차이에 의하여 제1데이터시간(Tdata1)이 제m데이터시간(Tdatam)보다 길게 되므로(Tdata1 < Tdatam), 제1게이트배선(GS1)에 연결된 발광다이오드(Del)가 제m게이 트배선(GSm)에 연결된 발광다이오드(Del)보다 오랫동안 발광 구동된다. However, since the first data time Tdata1 is longer than the m-th data time Tdatam due to the difference in the rise times of the gate signals in the first and m-th gate wirings GS1 and GSm (Tdata1 <Tdatam), The light emitting diode Del connected to the one gate wiring GS1 is driven to emit light longer than the light emitting diode Del connected to the m-th gate wiring GSm.
그 결과, 제1게이트배선(GS1)에 연결된 화소영역(P)의 휘도가 제m게이트배선(GSm)에 연결된 화소영역(P)의 휘도보다 커지게 되고, 이러한 휘도 차이는 빛샘 불량을 초래한다. As a result, the luminance of the pixel region P connected to the first gate wiring GS1 may be greater than the luminance of the pixel region P connected to the m-th gate wiring GSm, and the luminance difference may cause light leakage defects. .
이와 같이, 종래의 유기전계발광 표시장치(10)에서는, 인접한 게이트배선 사이의 게이트링크배선(22)이 갖는 게이트링크저항(Rgl)과 각 화소영역(P)에 존재하는 기생용량(Cp)에 의하여 게이트신호의 지연이 발생하고, 유기전계발광 패널(20)에서 게이트신호가 처음으로 전달되는 부분과 게이트신호가 최후로 전달되는 부분에서 이러한 게이트신호의 지연이 편차를 갖게 되는데, 예를 들어 게이트신호가 처음으로 전달되는 제1게이트배선(GL1)에서 게이트신호가 최후로 전달되는 제m게이트배선(GLm)으로 갈수록 게이트신호의 지연이 증가한다. As described above, in the organic light emitting
그리고, 도면으로 도시하지는 않았지만, 게이트배선도 등가저항을 가지며 게이트신호가 최초로 입력되는 부분과 최후로 입력되는 부분의 게이트배선의 길이차이에 의한 등가저항의 차이가 존재하므로, 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm) 중 어느 하나의 게이트배선에 있어서는, 게이트신호가 최초로 입력되는 부분인 게이트링크배선(22)과 연결되는 일단으로부터 타단으로 갈수록 게이트신호의 지연이 증가한다. Although not shown in the drawings, since the gate wiring also has an equivalent resistance and there is a difference in the equivalent resistance due to the difference in the length of the gate wiring between the portion where the gate signal is first input and the portion which is finally input, the first to mth gate wiring In the gate wiring of any one of (GL1 to GLm), the delay of the gate signal increases from one end to the other end connected to the
이러한 게이트신호 지연의 편차는 유기전계발광 표시장치(10)가 영상을 표시할 때 불량으로 나타나는데, 특히, 낮은 계조의 영상을 표시할 경우 게이트신호 지 연이 작은 부분이 주변보다 높은 휘도를 갖는 빛샘 현상으로 나타난다. The deviation of the gate signal delay appears as a defect when the organic light emitting
예를 들어, 유기전계발광 표시장치(10)가 256계조의 7, 15, 23, 31, 39 등의 낮은 계조를 표시할 경우 게이트신호가 최초로 전달되는 유기전계발광 패널(20)의 상부 일단인 A부분(도 2)이 주변보다 높은 휘도를 나타낼 수 있다.For example, when the organic light emitting
그리고, 도면으로 도시하지는 않았지만, 게이트신호가 구동부(30)의 양단으로부터 공급되고, 유기전계발광 패널(20)의 양단에 각각 형성된 제1 및 제2게이트링크배선을 통하여 각 게이트배선(GL1 내지 GLm)의 양단으로 게이트신호가 전달될 경우, 이러한 빛샘 현상은 구동부(30)로부터 입력된 게이트신호가 최초로 전달되는 유기전계발광 패널(20)의 상부 양단에서 발생할 수 있다. Although not shown in the drawings, gate signals are supplied from both ends of the driving
이러한 빛샘 현상은 유기전계발광 표시장치가 표시하는 영상의 시감저하를 야기하고, 블랙영상의 휘도를 증가시킴으로써 대조비(contrast ratio)를 악화시키며, 그 결과 유기전계발광 표시장치의 화질이 저하된다. The light leakage phenomenon causes deterioration of the image displayed by the organic light emitting display, and deteriorates the contrast ratio by increasing the brightness of the black image. As a result, the image quality of the organic light emitting display is degraded.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유기전계발광 표시장치에 있어서, 게이트링크배선의 전단에 편차조절부하를 형성함으로써, 게이트신호 지연편차를 완화하여 빛샘 현상을 제거하고 유기전계발광 표시장치의 시감, 대조비 및 화질을 개선하는 것을 목적으로 한다. The present invention is to solve the above problems, in the organic light emitting display device, by forming a deviation control load in front of the gate link wiring, the gate signal delay deviation is alleviated to remove the light leakage phenomenon and the organic light emitting display It aims to improve the visibility, contrast ratio and picture quality of the device.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판과; 상기 기판 상부에 서로 교차하여 형성되어 화소영역을 정의하는 제1 내지 제m게이트 배선, 제1 내지 제n데이터 배선 및 제1 내지 제n파워배선과; 상기 화소영역에 형성되는 제1트랜지스터, 제2트랜지스터, 스토리지 커패시터 및 발광 다이오드와; 상기 제1 내지 제m게이트배선 각각의 일단에 연결되는 제1게이트링크배선과; 상기 제1게이트링크배선으로 게이트신호를 공급하는 게이트신호 생성부와; 상기 게이트신호 생성부와 상기 제1게이트링크배선 사이에 연결되고, 상기 제1 내지 제m게이트배선에서의 상기 게이트신호의 지연 편차를 조절하는 제1편차조절부하를 포함하는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, a substrate; First to mth gate wirings, first to nth data wirings, and first to nth power wirings formed on the substrate to cross each other to define a pixel area; A first transistor, a second transistor, a storage capacitor, and a light emitting diode formed in the pixel region; A first gate link wire connected to one end of each of the first to m-th gate wires; A gate signal generator supplying a gate signal to the first gate link wiring; An organic light emitting display device connected between the gate signal generation unit and the first gate link line and including a first deviation control load configured to adjust a delay variation of the gate signal in the first to mth gate lines; to provide.
상기 제1게이트링크배선의 상기 제1 내지 제m게이트배선 중 인접한 둘 사이에 대응하는 부분은 게이트링크저항을 가지고, 상기 화소영역은 기생용량을 포함하고, 상기 제1편차조절부하, 상기 게이트링크저항 및 상기 기생용량에 의한 상기 게이트신호의 상승시간은 상기 게이트링크저항 및 상기 기생용량에 의한 상기 게이트신호의 상승시간의 20배 내지 60배의 범위의 값일 수 있다. A portion of the first gate link line corresponding to an adjacent two of the first to m-th gate lines has a gate link resistance, the pixel area includes a parasitic capacitance, the first deviation regulating load, and the gate link. The rising time of the gate signal due to the resistance and the parasitic capacitance may be a value ranging from 20 times to 60 times the rise time of the gate signal due to the gate link resistance and the parasitic capacitance.
그리고, 상기 제1편차조절부하는 저항, 커패시터 및 상승시간 조절회로 중 하나를 포함할 수 있다. The first deviation regulating load may include one of a resistor, a capacitor, and a rise time regulating circuit.
여기서, 상기 제1편차조절부하가 조절저항인 경우, 상기 조절저항은 상기 게이트링크저항의 100배 내지 300배의 범위의 값일 수 있다. Here, when the first deviation control load is a control resistor, the control resistor may be a value in the range of 100 times to 300 times the gate link resistance.
상기 유기전계발광 표시장치는 상기 제1 내지 제m게이트배선 각각의 타단에 연결되는 제2게이트링크배선을 더 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 제1편차조절부하는 상기 게이트생성부와 상기 제2게이트링크배선 사이에 연결될 수 있다. The organic light emitting display device may further include a second gate link wiring connected to the other end of each of the first to m-th gate wirings, and in this case, the first deviation adjusting unit may include the gate generator and the second gate wiring. It may be connected between the gate link wiring.
또한, 유기전계발광 표시장치는 상기 제1 내지 제m게이트배선 각각의 타단에 연결되는 제2게이트링크배선과, 상기 게이트생성부와 상기 제2게이트링크배선 사이에 연결되는 제2편차조절부하를 더 포함할 수 있다. The organic light emitting display device may further include a second gate link line connected to the other end of each of the first to mth gate lines, and a second deviation control load connected between the gate generator and the second gate link line. It may further include.
그리고, 상기 게이트신호 생성부와 상기 제1편차조절부하는, 상기 기판에 연결되는 인쇄회로기판에 형성될 수 있으며, 상기 제1트랜지스터는 상기 제1 내지 제n게이트배선 중 하나와 상기 제1 내지 제n데이터 배선 중 하나에 연결되고, 상기 제2트랜지스터 및 상기 스토리지 커패시터는 상기 제1트랜지스터와 상기 제1 내지 제n파워배선 중 하나 사이에 연결되고, 상기 발광 다이오드는 상기 제2트랜지스터에 연결될 수 있다.The gate signal generator and the first deviation controller may be formed on a printed circuit board connected to the substrate, wherein the first transistor is one of the first to nth gate wirings and the first to nth gate wirings. The second transistor and the storage capacitor may be connected between the first transistor and one of the first to nth power wires, and the light emitting diode may be connected to the second transistor. have.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치에서는, 게이트링크배선의 전단에 편차조절부하를 형성함으로써 게이트신호 지연편차를 완화하여 빛샘 현상을 방지하고 패널 내의 휘도 균일도를 개선할 수 있다. As described above, in the organic light emitting display device according to the present invention, by forming a deviation control load at the front end of the gate link wiring, the gate signal delay deviation can be alleviated to prevent light leakage and improve the luminance uniformity in the panel. .
또한, 유기전계발광 표시장치의 블랙영상의 휘도를 감소시킴으로써, 유기전계발광 표시장치의 시감 및 화질을 개선할 수 있다. In addition, by reducing the luminance of the black image of the organic light emitting display, the visibility and the image quality of the organic light emitting display may be improved.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치를 도시한 개략도이다. 4 is a schematic diagram illustrating an active matrix organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치(110)는, 영상을 표시하는 유기전계발광 패널(120)과 유기전계발광 패널(120)에 다수의 신호 및 전원을 공급하는 구동부(130)를 포함한다. As shown in FIG. 4, the active matrix type organic light emitting
유기전계발광 패널(120)에는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 제1 내지 제m게이트 배선(GL1 내지 GLm), 제1 내지 제n데이터 배선(DL1 내지 DLn) 및 제1 내지 제n파워배선(PL1 내지 PLn)이 형성되고, 각 화소영역(P)에는 제1트랜지스터(T1), 제2트랜지스터(T2), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광 다이오드(Del)이 형성된다. The organic
도시하지는 않았지만, 유기전계발광 패널(120)은, 증착, 사진식각(photolithography) 등을 통하여 게이트배선, 데이터배선, 트랜지스터, 스토리지 커패시터 및 발광 다이오드를 제1기판에 형성하고, 제1기판의 소자를 덮도록 제2기판을 합착하여 형성할 수도 있고, 증착, 사진식각(photolithography) 등을 통하여, 게이트배선, 데이터배선, 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 제1기판에 형성하고, 발광 다이오드는 제2기판에 형성한 후 각 기판의 소자가 마주보도록 제1 및 제2기판을 합착하여 형성할 수도 있다. Although not illustrated, the organic
제1트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 소스전극은 각각 게이트 배선(GL1 내지 GLm) 및 데이터 배선(DL1 내지 DLn)에 연결되고, 제1트랜지스터(T1)의 드레인전극 은 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극에 연결된다.The gate electrode and the source electrode of the first transistor T1 are connected to the gate lines GL1 to GLm and the data lines DL1 to DLn, respectively, and the drain electrode of the first transistor T1 is connected to the second transistor T2. It is connected to the gate electrode.
제2트랜지스터(T2)의 소스전극은 파워배선(PL1 내지 PLn)에 연결되고, 스토리지 커패시터(Cst)는 제2트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 파워배선(PL1 내지 PLn) 사이에 연결된다. The source electrode of the second transistor T2 is connected to the power wirings PL1 to PLn, and the storage capacitor Cst is connected between the gate electrode of the second transistor T2 and the power wirings PL1 to PLn.
그리고, 발광 다이오드(Del)는 제2트랜지스터(T2)의 드레인전극에 연결된다. The light emitting diode Del is connected to the drain electrode of the second transistor T2.
제1트랜지스터(T1)는 게이트 배선(GL1 내지 GLm)을 통하여 공급되는 게이트신호에 따라 데이터 배선(DL1 내지 DLn)을 통하여 공급되는 데이터신호를 제2트랜지스터(T2)에 공급하는 스위칭소자 역할을 하고, 제2트랜지스터(T2)는 그 게이트전극으로 인가되는 데이터신호에 따라 파워배선(PL1 내지 PLn)을 통하여 공급되는 전원전압을 발광 다이오드(Del)에 공급하는 구동소자 역할을 한다. The first transistor T1 serves as a switching element for supplying a data signal supplied through the data lines DL1 to DLn to the second transistor T2 according to the gate signal supplied through the gate lines GL1 to GLm. The second transistor T2 serves as a driving device for supplying a power supply voltage supplied through the power wirings PL1 to PLn to the light emitting diode Del in accordance with a data signal applied to the gate electrode.
따라서, 데이터신호에 의존하는 상이한 전원전압이 발광 다이오드(Del)에 공급됨으로써 다양한 계조(gray) 표시가 가능해진다. Accordingly, different gray scales are possible by supplying different power supply voltages depending on the data signal to the light emitting diode Del.
도 4에서는 하나의 화소영역(P)에 2개의 트랜지스터(T1, T2)가 형성되는 것으로 도시하였지만, 다른 실시예에서는 하나의 화소영역에 3개 이상의 트랜지스터가 형성될 수도 있다. In FIG. 4, two transistors T1 and T2 are formed in one pixel region P, but in another embodiment, three or more transistors may be formed in one pixel region.
또한, 유기전계발광 패널(120)에는 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm) 각각의 일단에 연결되어 구동부(130)에서 공급되는 게이트 신호를 전달하는 게이트링크배선(122)이 형성된다. In addition, the organic
도 4에서는 유기전계발광 패널(120)의 일단에 하나의 게이트링크배선(122)이 형성이 형성되는 것으로 도시하였지만, 다른 실시예에서는 유기전계발광 패널(120)의 양단에 각각 하나의 게이트링크배선이 형성될 수도 있으며, 이 경우 게이트링크배선은 각각 게이트배선(GL1 내지 GLm)의 양단에 연결되어 게이트신호를 공급한다. In FIG. 4, one
구동부(130)는 게이트신호 및 데이터신호를 생성하여 전원전압과 함께 유기전계발광 패널(120)에 공급하는데, 다수의 전기적 소자가 장착된 인쇄회로기판(printed circuit board: PCB)의 형태로 구성될 수 있다. The
특히, 구동부(130)는 게이트신호를 생성하는 게이트신호 생성부(132)와, 게이트신호 생성부(132)와 유기전계발광 패널(120)의 게이트링크배선(122) 사이에 연결되는 편차조절부하(deviation-adjusting load: 134)를 포함하는데, 편차조절부하(134)는 게이트링크배선의 등가저항에 기인한 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)에서의 게이트신호의 지연 편차를 조절하는 역할을 한다.In particular, the driving
게이트신호 생성부(132)는 집적회로(integrated circuit: IC)의 형태로 형성할 수 있으며, 편차조절부하(134)는 저항(resistor), 커패시터(capacitor), 상승시간 조절회로(rising time control circuit) 중 하나일 수 있다. The
따라서, 구동부(130)의 게이트신호 생성부(132)는 편차조절부하(134)를 통하여 유기전계발광 패널(120)의 게이트링크배선(122)에 연결되고, 구동부(130)의 게이트신호 생성부(132)에서 생성된 게이트신호는 편차조절부하(134) 및 게이트링크배선(22)을 통하여 유기전계발광 패널(120)의 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)에 공급된다. Accordingly, the
여기서, 게이트링크배선(122)에는 길이에 비례하는 저항이 존재하고, 유기전계발광 패널(120)의 화소영역(P)에는 게이트배선(GL1 내지 GLm)과 데이터배선(DL1 내지 DLn)의 교차부, 게이트배선(GL1 내지 GLm)과 파워배선(PL1 내지 PLn)의 교차부, 제1박막트랜지스터(T1)의 게이트전극과 소스전극의 중첩부 등의 기생용량(parasitic capacitor)이 존재하므로, 유기전계발광 패널(120)의 게이트링크배선(122)으로 전달되는 게이트신호는, 게이트링크배선(122)의 저항 및 게이트링크배선(122)에 연결된 화소영역(P)의 기생용량에 의하여 지연(delay)되며, 특히 게이트배선(GL1 내지 GLm)의 위치, 즉 게이트링크배선(122)의 길이에 따라 게이트신호의 지연은 편차를 가지지만, 구동부(130)의 편차조절부하(134)에 의하여 그 편차가 완화된다. Here, a resistance proportional to the length is present in the
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치의 개략적인 등가회로도이다. 도 5에서는 편의상 구동부(130)의 편차조절부하(134)가 저항인 경우로 설명하였고, 각 게이트배선의 길이에 따른 등가저항은 표시하지 않았다. 5 is a schematic equivalent circuit diagram of an active matrix type organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 5, the
도 5에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)에 연결되는 게이트링크배선(122)은, 인접한 게이트배선 사이의 길이에 비례하는 게이트링크저항(Rgl)을 등가저항으로 가지고, 각 화소영역(P)에 존재하는 기생용량(Cp)은 게이트링크배선(22)에 병렬로 연결된 것으로 해석할 수 있다. (여기서, Rgl은 저항 및 저항값을 동시에 나타내고, Cp는 커패시터 및 커패시턴스를 동시에 나타내는 것으로 한다.)As shown in FIG. 5, the
게이트링크저항(Rgl)과 기생용량(Cp)은 유기전계발광 표시장치(110)의 크기, 화소수와 배선의 재질, 선폭 및 두께 등에 따라 달라질 수 있는데, 예를 들어, 게이트링크저항(Rgl) 및 기생용량(Cp)이 각각 약 1W 및 약 0.2pF 일 수 있다. The gate link resistance Rgl and the parasitic capacitance Cp may vary depending on the size of the organic light emitting
그리고, 구동부(130)의 편차조절부하(134)는 조절저항(Rc)을 가지는데, 조절저항(Rc)은 전체 휘도의 지난친 변화없이 빛샘 불량을 방지할 수 있는 범위에서 게이트링크저항(Rgl), 기생용량(Cp) 및 게이트신호의 펄스의 상승시간을 고려하여 정해질 수 있는데, 게이트링크저항(Rgl)의 약 100배 내지 약 300배 범위의 값일 수 있으며(100Rgl < Rc < 300Rgl), 예를 들어, 약 100W 내지 약 300W 범위의 값일 수 있다. In addition, the
따라서, 게이트링크배선(122)으로 전달되는 게이트신호는 저항과 커패시터의 곱으로 표현되는 시정수(time constant)에 의존하여 지연되는데, 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)까지 게이트링크배선(122)의 길이 및 그에 따른 저항이 상이하므로, 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)에 공급되는 게이트신호는 각각 상이하게 지연된다. Accordingly, the gate signal transmitted to the
예를 들어, 제1게이트배선(GL1)에 공급되는 게이트신호는 조절저항(Rc) 및 게이트링크저항(Rgl)의 합과 기생용량의 n배의 곱((Rc+Rgl)*nCp)에 의존하여 지연되고, 제m게이트배선(GLm)에 공급되는 게이트신호는 조절저항(Rc) 및 게이링크저항(Rgl)의 m배의 합과 기생용량의 n배의 곱((Rc+mRgl)*nCp)에 의존하여 지연된다. For example, the gate signal supplied to the first gate wiring GL1 depends on the sum of the regulating resistor Rc and the gate link resistor Rgl and the product of n times the parasitic capacitance (Rc + Rgl * nCp). Delayed, and the gate signal supplied to the m-th gate wiring GLm is a sum of m times the control resistor Rc and the gay link resistance Rgl and n times the parasitic capacitance ((Rc + mRgl) * nCp Depending on the delay.
즉, "제m게이트배선(GLm)에 공급되는 게이트신호는 조절저항(Rc) 및 게이링크저항(Rgl)의 m배의 합과 기생용량의 n배의 곱"이 "조절저항(Rc) 및 게이트링크저 항(Rgl)의 합과 기생용량의 n배의 곱"보다 크므로((Rc+mRgl)*nCp > (Rc+Rgl)*nCp), 게이트신호가 최초로 공급되는 제1게이트배선(GL1)으로부터 게이트신호가 최후로 공급되는 제m게이트배선(GLm)으로 갈수록 게이트신호의 지연은 증가하며, 그 결과 게이트신호 지연의 편차가 발생한다. That is, "the gate signal supplied to the m-th gate wiring GLm is the sum of m times the control resistor Rc and the gay link resistance Rgl and n times the parasitic capacitance. Since the sum of the gate link resistance (Rgl) and n times the parasitic capacitance is greater than ((Rc + mRgl) * nCp> (Rc + Rgl) * nCp), the first gate wiring to which the gate signal is first supplied ( The delay of the gate signal increases from GL1 to the m-th gate wiring GLm to which the gate signal is last supplied, resulting in a deviation of the gate signal delay.
그러나, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(110)에서는, 조절저항(Rc)의 값이 게이트링크저항(Rgl)의 값보다 매우 크므로(Rc >> Rgl), 이러한 게이트링크배선(122)의 길이 차이에 따른 등가저항 차이(Rgl vs mRgl)는 게이트신호 지연을 유발하는 전체 등가저항에 있어서 큰 차이로 나타나지 않게 되며((Rc+Rgl) ~ (Rc+mRgl)), 그 결과 게이트링크배선(122)을 통한 게이트신호의 지연편차 역시 완화되고 최소화된다. However, in the organic light emitting
이러한 제1 내지 제m게이트배선(GL1 내지 GLm)에 있어서 게이트신호의 지연편차의 완화를 도면을 참조하여 설명한다.The relaxation of the delay deviation of the gate signal in the first to mth gate lines GL1 to GLm will be described with reference to the drawings.
도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치의 제1 및 제m게이트배선에서의 게이트신호 및 데이터전압을 도시한 도면으로, 도 4 및 도 5를 함께 참조하여 설명한다. 6A and 6B are diagrams illustrating gate signals and data voltages of first and m-th gate wirings of an active matrix type organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, respectively. It demonstrates with reference.
도 6a 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 게이트신호는 게이트로우전압(Vgl) 및 게이트하이전압(Vgh)을 각각 최저 및 최고 전압으로 하는 펄스(pulse)가 1 프레임시간(Tf)을 주기로 반복되는 구형파(rectangular wave)의 형태이다.As shown in Figs. 6A and 6B, the gate signal is a pulse of which the gate low voltage (Vgl) and the gate high voltage (Vgh) are the minimum and maximum voltages, respectively, repeated every one frame time (Tf). It is in the form of a rectangular wave.
도 6a에 도시한 바와 같이, 제1게이트배선(GL1)에 공급되는 제1게이트신 호(GS1)의 펄스는 제1상승시간(Trising1)동안 게이트로우전압(Vgl)에서 게이트하이전압(Vgh)으로 증가하고 제1펄스지속시간(Tpd1)동안 게이트하이전압(Vgh)을 유지한 후 다시 게이트로우전압(Vgl)으로 감소한다. As shown in FIG. 6A, the pulse of the first gate signal GS1 supplied to the first gate wiring GL1 is controlled from the gate low voltage Vgl to the gate high voltage Vgh during the first rising time Trising1. The gate high voltage Vgh is maintained for the first pulse duration Tpd1 and then decreases to the gate low voltage Vgl.
이때, 제1상승시간(Trising1)은, 저항이나 용량이 존재하지 않는 이상적인 상태에서는 0초(sec)이지만, 현실에서는 조절저항(Rc) 및 하나의 게이트링크저항(Rgl)의 합과 n개의 기생용량(Cp)에 의한 시정수((Rc+Rgl)*nCp)에 의존하여 발생하는 시간이다. At this time, the first rise time Trising1 is 0 sec in an ideal state in which there is no resistance or capacity, but in reality, the sum of the regulating resistor Rc and one gate link resistor Rgl and n parasitics It is a time that occurs depending on the time constant ((Rc + Rgl) * nCp) by the capacity Cp.
제1게이트신호(GS1)가 게이트하이전압(Vgh)이 되면, 제1게이트배선(GL1)에 연결된 제1트랜지스터(T1)가 턴-온(turn-on)되고, 데이터배선(DL1 내지 DLn)을 통하여 공급되는 데이터신호는 제1트랜지스터(T1)를 통과하여 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극에 제1데이터전압(Vdata1)으로 충전된다.When the first gate signal GS1 becomes the gate high voltage Vgh, the first transistor T1 connected to the first gate line GL1 is turned on and the data lines DL1 to DLn. The data signal supplied through the first transistor T1 passes through the first transistor T1 and is charged to the gate electrode of the second transistor T2 with the first data voltage Vdata1.
이때, 제1트랜지스터(T1)에 연결된 스토리지 커패시터(Cst)도 제1데이터전압(Vdata1)으로 충전된다. In this case, the storage capacitor Cst connected to the first transistor T1 is also charged with the first data voltage Vdata1.
그리고, 제1게이트신호(GS1)가 게이트로우전압(Vgl)이 되면, 제1트랜지스터(T1)가 턴-오프(turn-off)되므로, 데이터신호가 제1트랜지스터(T1)를 통과하지 못하여 더 이상 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극을 충전하지 못하지만, 그 대신 스토리지 커패시터(Cst)에 충전되어 있던 전하가 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극을 충전하므로, 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극은 다음 프레임까지인 제1데이터시간(Tdata1)동안 제1데이터전압(Vdata1)을 유지한다.When the first gate signal GS1 becomes the gate low voltage Vgl, since the first transistor T1 is turned off, the data signal does not pass through the first transistor T1. As described above, the gate electrode of the second transistor T2 cannot be charged, but instead, the charge that is charged in the storage capacitor Cst charges the gate electrode of the second transistor T2, and thus the gate electrode of the second transistor T2. Maintains the first data voltage Vdata1 for the first data time Tdata1 until the next frame.
여기서, 제1상승시간(Trising1)은, 게이트링크저항(Rgl) 및 기생용량(Cp)과 마찬가지로, 유기전계발광 표시장치(110)의 크기, 화소수와 배선의 재질, 선폭 및 두께 등에 따라 달라질 수 있으며, 특히, 구동부(130)의 편차조절부하(134)의 조절저항(Rc)의 값에 따라 달라질 수 있다. Here, the first rise time Trising1 may vary according to the size of the organic light emitting
즉, 제1상승시간(Trising1)은 편차조절부하(134)가 존재하지 않을 경우(게이트링크저항(Rgl)과 n개의 기생용량(Cp)에만 의존하는 경우)의 제1상승시간(도 3a의 Trising1)의 약 20배 내지 약 60배 범위의 값일 수 있으며, 약 400 nsec 일 수 있다. That is, the first rise time Trising1 is the first rise time of the case where the
한편, 도 6b에 도시한 바와 같이, 제m게이트배선(GLm)에 공급되는 제m게이트신호(GSm)의 펄스는, 제m상승시간(Trisingm)동안 게이트로우전압(Vgl)에서 게이트하이전압(Vgh)으로 증가하고 제m펄스지속시간(Tpdm)동안 게이트하이전압(Vgh)을 유지한 후 다시 게이트로우전압(Vgl)으로 감소한다. On the other hand, as shown in FIG. 6B, the pulse of the m-th gate signal GSm supplied to the m-th gate line GLm is controlled from the gate-low voltage Vgl to the gate-high voltage during the m-th rising time Trism. Vgh) and maintains the gate high voltage Vgh for the mth pulse duration Tpdm, and then decreases to the gate low voltage Vgl.
이때, 제m상승시간(Trisingm)은, 조절저항(Rc) 및 m개의 게이트링크저항(Rgl)의 합과 n개의 기생용량(Cp)에 의한 시정수((Rc+mRgl)*nCp)에 의존하여 발생하는 시간으로, 엄밀하게 말하자면 제1상승시간(Trising1)보다 길다. At this time, the m-th rise time Trisingm depends on the sum of the regulating resistor Rc and the m gate link resistors Rgl and the time constant ((Rc + mRgl) * nCp) by n parasitic capacitances Cp. Time, which is strictly longer than the first rise time (Trising1).
그러나, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(110)에서는, 조절저항(Rc)의 값이 게이트링크저항(Rgl)의 값보다 매우 크므로(Rc >> Rgl), 제m상승시간(Trisingm)을 결정하는 시정수((Rc+mRgl)*nCp)와 제1상승시간(Trising1)을 결정하는 시정수((Rc+Rgl)*nCp)가 조절저항(Rc)과 n개의 기생용량(Cp)의 곱(Rc*nCp)과 거의 동일하게 되어 두 시정수의 차이는 최소화되고(((Rc+mRgl)*nCp ~ Rc+Rgl)*nCp ~ Rc+mRgl)*nCp), 그 결과 제1상승시간(Trising1)과 제m상승시 간(Trisingm)의 차이, 즉 게이트신호의 지연편차는 완화되고 최소화된다(Trisingm ~ Trising1). However, in the organic light emitting
그리고, 게이트신호의 하나의 펄스의 나머지 시간인 제m펄스지속시간(Tpdm) 역시 제1펄스지속시간(Tpd1)과 거의 동일한 값이 된다(Tpdm ~ Tpd1). The mth pulse duration Tpdm, which is the remaining time of one pulse of the gate signal, is also substantially the same value as the first pulse duration Tpd1 (Tpdm to Tpd1).
제m게이트신호(GSm)가 게이트하이전압(Vgh)이 되면, 제m게이트배선(GLm)에 연결된 제1트랜지스터(T1)가 턴-온(turn-on)되고, 데이터배선(DL1 내지 DLn)을 통하여 공급되는 데이터신호는 제1트랜지스터(T1)를 통과하여 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극 및 스토리지 커패시터(Cst)에 제m데이터전압(Vdatam)으로 충전된다.When the m th gate signal GSm becomes the gate high voltage Vgh, the first transistor T1 connected to the m th gate line GLm is turned on and the data lines DL1 to DLn. The data signal supplied through the first transistor T1 is charged to the gate electrode and the storage capacitor Cst of the second transistor T2 with the mth data voltage Vdatam.
그리고, 제m게이트신호(GSm)가 게이트로우전압(Vgl)이 되면, 제1트랜지스터(T1)가 턴-오프(turn-off)되므로, 데이터신호가 제1트랜지스터(T1)를 통과하지 못하여 더 이상 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극을 충전하지 못하지만, 그 대신 스토리지 커패시터(Cst)에 충전되어 있던 전하가 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극을 충전하므로, 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극은 다음 프레임까지인 제m데이터시간(Tdatam)동안 제m데이터전압(Vdatam)을 유지한다.When the m th gate signal GSm becomes the gate low voltage Vgl, since the first transistor T1 is turned off, the data signal cannot pass through the first transistor T1. As described above, the gate electrode of the second transistor T2 cannot be charged, but instead, the charge that is charged in the storage capacitor Cst charges the gate electrode of the second transistor T2, and thus the gate electrode of the second transistor T2. Maintains the mth data voltage Vdatam for the mth data time Tdatam until the next frame.
여기서, 제m상승시간(Trisingm)이 제1상승시간(Trising1)과 거의 동일한 값을 가지므로(Trisingm ~ Trising1), 1 프레임시간(Tf)의 나머지 시간인 제m데이터시간(Tdatam) 역시 제1데이터시간(Tdata1)과 거의 동일한 값을 가지게 된다.Here, since the m-th rising time Trisingm has almost the same value as the first rising time Trising1 (Trisingm to Trising1), the m-data time Tdatam, which is the remaining time of one frame time Tf, is also the first. It will have almost the same value as the data time Tdata1.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(110)에서는, 게이트신호가 최초로 전달되는 부분의 제1게이트배선(GS1)에 연결된 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극에는 제1데이터시간(Tdata1)동안 제1데이터전압(Vdata1)이 인가되어 발 광다이오드(Del)가 구동되고, 게이트신호가 최후로 전달되는 부분인 제m게이트배선(GSm)에 연결된 제2트랜지스터(T2)의 게이트전극에는 제m데이터시간(Tdatam)동안 제m데이터전압(Vdatam)이 인가되어 발광다이오드(Del)가 구동되는데, 제1데이터시간(Tdata1)과 제m데이터시간(Tdatam)이 실질적으로 동일한 값을 가지므로(Tdata1 ~ Tdatam), 제1게이트배선(GS1)에 연결된 발광다이오드(Del)와 제m게이트배선(GSm)에 연결된 발광다이오드(Del)가 실질적으로 동일한 시간 동안 발광 구동된다. That is, in the organic light emitting
그 결과, 계조를 표시함에 있어서, 게이트신호가 최초로 전달되는 제1게이트배선(GS1)에 연결된 화소영역(P)의 휘도와 게이트신호가 최후로 전달되는 제m게이트배선(GSm)에 연결된 화소영역(P)의 휘도가 실질적으로 동일하게 되고, 빛샘 불량을 방지할 수 있다. As a result, in displaying gray scales, the pixel area P connected to the first gate line GS1 to which the gate signal is first transmitted and the pixel area connected to the m-th gate line GSm to which the gate signal is lastly transmitted are displayed. The luminance of (P) becomes substantially the same, and light leakage defects can be prevented.
이러한 본 발명의 빛샘 불량 방지에 대하여 측정결과를 참조하여 설명한다.Such light leakage failure prevention of the present invention will be described with reference to the measurement results.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 상부 일단에 대한 휘도 측정 그래프이다. 7 is a graph illustrating luminance measurement of one upper end of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 7에서는, 유기전계발광 표시장치의 유기전계발광 패널에서 게이트신호가 최초로 전달되는 부분인 상부 일단의 휘도를 계조 및 조절저항(Rc)에 따라 측정하였다.In FIG. 7, the luminance of the upper end of the organic electroluminescent panel of the organic light emitting display device, which is a portion where the gate signal is first transmitted, is measured according to the gray scale and the adjusting resistor Rc.
도 7에 도시한 바와 같이, 조절저항(Rc)을 0W(즉, 편차조절부하를 포함하지 않는 종래의 유기전계발광장치의 경우)로부터 200 W으로 증가시킬수록 모든 저계조(7, 15, 23, 31, 39)에서 상부 일단의 휘도가 감소하는 것을 알 수 있으며, 이것 은 유기전계발광 패널(120)의 상부 일단에서의 빛샘 불량 방지를 나타낸다. As shown in Fig. 7, as the control resistor Rc is increased from 0 W (i.e., in the case of the conventional organic electroluminescent device not including the deviation control load) to 200 W, all the low gradations (7, 15, 23) , 31 and 39, the luminance of the upper end is reduced, which indicates the prevention of light leakage failure at the upper end of the organic
조절저항(Rc)이 300 W인 경우에는 게이트신호의 과도한 지연으로 인하여 유기전계발광 패널(120) 전체의 휘도가 원하는 계조보다 더 증가하고 그 결과 상부 일단의 휘도가 조절저항(Rc)이 200 W인 경우보다 오히려 증가하지만, 빛샘 현상은 나타나지 않는다. When the control resistor Rc is 300 W, the luminance of the entire organic
따라서, 편차조절부하(134)는 빛샘 현상을 방지하면서 유기전계발광 패널(120) 전체 휘도의 변동을 최소화하는 범위에서 정할 수 있다. Therefore, the
앞서 말한 바와 같이, 예를 들어, 편차조절부하(134)를 형성한 경우(조절저항(Rc), 게이트링크저항(Rgl) 및 n개의 기생용량(Cp)에 의존하는 경우)의 제1상승시간(Trising1)이 편차조절부하(134)가 존재하지 않을 경우(게이트링크저항(Rgl)과 n개의 기생용량(Cp)에만 의존하는 경우)의 제1상승시간(도 3a의 Trising1)의 약 20배 내지 약 60배 범위의 값이 되도록 편차조절부하(134)의 값(저항일 경우 저항값, 커패시터인 경우 커패시턴스, 상승시간 조절회로인 경우 회로 매개변수)을 정할 수 있다. As described above, for example, the first rise time of the case where the
구체적으로, 편차조절부하(134)를 조절저항(Rc)으로 구성했을 경우, 조절저항(Rc)는 인접 게이트배선(GL1 내지 GLm) 사이의 게이트링크배선(122)의 등가저항인 게이트링크저항(Rgl)의 약 100배에서 약 300배 범위의 값일 수 있다. Specifically, in the case where the
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(110)에서는, 구동부(130)에 게이트링크배선(122)에 연결된 편차조절부하(134)를 형성함으로써, 게 이트링크배선(122)의 게이트링크저항(Rgl) 및 각 화소영역(P)의 기생용량(Cp)에 의한 게이트신호의 지연편차를 완화 및 최소화할 수 있다. As described above, in the organic light emitting
그리고, 도시하지는 않았지만, 게이트신호가 구동부(130)의 양단으로부터 공급되고, 유기전계발광 패널(120)의 양단에 각각 형성된 제1 및 제2게이트링크배선을 통하여 각 게이트배선(GL1 내지 GLm)의 양단으로 게이트신호가 입력되는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 경우에도, 구동부(130)의 편차조절부하(134)를 제1 및 제2게이트링크배선에 모두 연결하거나, 구동부(130)에 제1 및 제2게이트링크배선에 각각 연결되는 제1 및 제2편차조절부하를 형성함으로써, 유기전계발광 패널 상부 양단의 빛샘 불량을 방지할 수 있다. Although not shown, gate signals are supplied from both ends of the
또한, 도 4 내지 도 6에서는 유기전계발광 표시장치를 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 액정표시장치에 본 발명을 적용할 수도 있다. In addition, although the organic light emitting display device is taken as an example in FIGS. 4 to 6, the present invention may be applied to a liquid crystal display device in another embodiment.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치를 도시한 개략도.1 is a schematic view showing a conventional active matrix type organic light emitting display device.
도 2는 종래의 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치의 개략적인 등가회로도.2 is a schematic equivalent circuit diagram of a conventional active matrix type organic light emitting display device.
도 3a 및 도 3b는 각각 종래의 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치의 제1 및 제m게이트배선에서의 게이트신호 및 데이터전압을 도시한 도면.3A and 3B show gate signals and data voltages on first and m-th gate lines of a conventional active matrix type organic light emitting display device, respectively.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치를 도시한 개략도.4 is a schematic diagram illustrating an active matrix organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치의 개략적인 등가회로도.5 is a schematic equivalent circuit diagram of an active matrix organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 방식 유기전계발광 표시장치의 제1 및 제m게이트배선에서의 게이트신호 및 데이터전압을 도시한 도면.6A and 6B illustrate gate signals and data voltages in first and m-th gate wirings of an active matrix type organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, respectively.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 상부 일단에 대한 휘도 측정 그래프.7 is a graph of luminance measurement of one upper end of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
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