JP2004038209A - Display device and electronic equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the degradation in luminance caused by the deterioration of a light emitting element etc. <P>SOLUTION: A current capacity measurement section for measuring the current capacity of the driving current flowing in a light emitting element is provided and the current capacity of the driving current of the light emitting element is regulated in accordance with the result obtained in the current capacity measurement section. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

 本発明は、発光素子及びこれを駆動する薄膜トランジスタ等の駆動素子を備えて構成される画素回路、及びこのような画素回路を各画素に備えて構成される表示装置、並びにこれらを備えた電子機器の技術分野に関し、特に、発光素子や駆動素子の経時劣化の影響を補正することが可能な駆動回路及び表示装置並びにこれらを備えた電子機器の技術分野に関する。 The present invention relates to a pixel circuit including a light emitting element and a driving element such as a thin film transistor for driving the light emitting element, a display device including such a pixel circuit in each pixel, and an electronic apparatus including the same. In particular, the present invention relates to a driving circuit and a display device capable of correcting the influence of aging degradation of a light emitting element and a driving element, and an electronic apparatus including the same.

 この種の表示装置として、薄膜トランジスタ(以下、TFTと称す)を駆動素子として用いて有機EL 素子等の電流駆動型発光素子を駆動する方式の表示装置は、例えば以下のように構成されている。即ち、走査線駆動回路及び信号線駆動回路から、表示領域内の信号線及び走査線に対し夫々、表示すべき画像に対応するデータ信号及び走査信号が供給される。他方、共通電極駆動回路及び対向電極駆動回路から、表示領域内にマトリクス状に規定された複数の画素の夫々に設けられた駆動用TFTを介して各画素における画素電極と対向電極との間に電圧が印加される。そして、各画素の駆動用TFTにより、走査線から走査信号が供給されるタイミングで、信号線から供給されるデータ信号の電圧に応じて、画素電極及び対向電極間に配置された電流駆動型発光素子を流れる電流を制御するように構成されている。
より具体的には例えば、各画素には、スイッチング用TFTが設けられ、そのゲートに走査線から走査信号が供給されると、そのソース及びドレインを介して信号線からのデータ信号を駆動用TFT のゲートに供給する。駆動用TFTのソース及びドレイン間のコンダクタンスは、このようにゲートに供給されたデータ信号の電圧(即ち、ゲート電圧)に応じて制御(変化)される。この際、ゲート電圧は、当該ゲートに接続された保持容量によりデータ信号が供給された期間よりも長い期間に亘って保持される。そして、このようにコンダクタンスが制御されるソース及びドレインを介して駆動電流を有機EL 素子等に供給することにより、有機EL 素子等を駆動電流に応じて駆動するように構成されている。
As this type of display device, a display device of a type in which a thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT) is used as a driving element to drive a current-driven light-emitting element such as an organic EL element is configured as follows, for example. That is, a data signal and a scanning signal corresponding to an image to be displayed are supplied to the signal line and the scanning line in the display area from the scanning line driving circuit and the signal line driving circuit, respectively. On the other hand, from the common electrode driving circuit and the counter electrode driving circuit, between the pixel electrode and the counter electrode in each pixel via the driving TFT provided in each of the plurality of pixels defined in a matrix in the display area. A voltage is applied. Then, at the timing when the scanning signal is supplied from the scanning line by the driving TFT of each pixel, according to the voltage of the data signal supplied from the signal line, the current driving type light emitting device disposed between the pixel electrode and the counter electrode. It is configured to control a current flowing through the element.
More specifically, for example, each pixel is provided with a switching TFT, and when a scanning signal is supplied to the gate from a scanning line, a data signal from the signal line is supplied to the driving TFT via the source and the drain. Supply to the gate. The conductance between the source and the drain of the driving TFT is controlled (changed) according to the voltage of the data signal supplied to the gate (that is, the gate voltage). At this time, the gate voltage is held by the storage capacitor connected to the gate for a period longer than the period when the data signal is supplied. By supplying a drive current to the organic EL element and the like via the source and the drain whose conductance is controlled as described above, the organic EL element and the like are driven according to the drive current.

 特にこのように駆動用TFT備えた有機EL 素子は、大型・高精細・広視角・低消費電力の表示パネルを実現するための電流制御型発光素子として(以下、TFT−OELDと表記する)として有望視されている。 In particular, such an organic EL element having a driving TFT is a current-controlled light-emitting element (hereinafter, referred to as TFT-OELD) for realizing a display panel having a large size, high definition, a wide viewing angle, and low power consumption. Promising.

 しかしながら、有機EL 素子等の電流駆動型発光素子においては、素子内を駆動電流が流れるために、大なり小なり経時劣化が存在する。例えば、有機EL 素子の場合には、顕著な経時劣化が存在すると報告されている(Jpn.J.Appl.Phys.,,34,L824(1995))。有機EL素子の経時劣化は、2種類に大別される。一つは、有機EL素子に印加される電圧に対して、電流量が低下する劣化である。もう一つは、有機EL素子に印加される電圧或いは有機EL素子を流れる電流に対して発光量が低下する劣化である。また、これらの経時劣化は、有機EL素子毎にバラツキをもって発生する。更に、TFT−OELでは、駆動素子としてのTFTを流れる電流によりTFTの経時劣化が発生することもある。 However, in a current-driven light-emitting element such as an organic EL element, since a drive current flows in the element, the light-emitting element is slightly deteriorated with time. For example, in the case of an organic EL device, it is reported that remarkable deterioration with time is present (Jpn. J. Appl. Phys., 34, L824 (1995)). The deterioration with time of the organic EL element is roughly classified into two types. One is deterioration in which the amount of current decreases with respect to the voltage applied to the organic EL element. The other is deterioration in which the amount of light emission decreases with respect to the voltage applied to the organic EL element or the current flowing through the organic EL element. In addition, these aging degradations vary with the organic EL elements. Further, in a TFT-OEL, a current flowing through the TFT as a driving element may cause deterioration of the TFT over time.

 このため、TFT−OELを用いた表示装置では、このような有機EL素子や駆動用TFTの経時劣化が生じたときに、画質劣化が問題となる。すなわち、電流量が低下する劣化や発光量が低下する劣化は、画面輝度の低下を招き、電流量の低下のバラツキや発光量の低下のバラツキは、画面ムラを生じさせる。特に、これらの劣化は、製造時における有機EL素子の発光特性、駆動用TFTの電圧電流特性やしきい値特性のバラツキ、表示パターンの履歴等に依存するため、表示装置全体の画質劣化につながると同時に、画面ムラの原因となるのである。 た め Therefore, in a display device using a TFT-OEL, when such an organic EL element or a driving TFT deteriorates with time, image quality deteriorates. That is, deterioration in which the amount of current decreases and deterioration in which the amount of light emission decreases leads to a decrease in screen luminance, and variations in the decrease in current amount and the decrease in the amount of light emission cause screen unevenness. In particular, these deteriorations depend on the emission characteristics of the organic EL element during manufacture, the variations in the voltage-current characteristics and threshold characteristics of the driving TFTs, the history of the display patterns, and the like, leading to the deterioration of the image quality of the entire display device. At the same time, it causes screen unevenness.

 ここで、例えば特許文献1には、液晶表示パネルの背面光源(バックライト)としてEL素子を用いて、該EL素子により背後から照らされた液晶表示パネル全体の明るさが低下しないように該EL素子の輝度を検知して、背面光源全体の劣化を補正する技術が開示されている。しかしながら、この技術は、液晶表示パネルに関するものであり、且つEL素子が表示素子として各画素に設けられている訳ではなく、単なる背面光源として用いられており、根本的に本願発明の技術分野とは異なる技術分野に関するものである。そして、各画素に有機EL 素子等の電流駆動型発光素子を備えて構成される表示装置において、上述のような経時劣化を補正する有効な技術は提案されていない。更に、このような電流駆動型発光素子を各画素に備えた表示装置において、電流駆動型発光素子や駆動用TFTにおける経時劣化を補正することにより表示装置の寿命を延ばす或いは表示品質を向上させるという技術的課題自体が当業者間で認識されていないのが現状である。 Here, for example, Patent Document 1 discloses that an EL element is used as a back light source (backlight) of a liquid crystal display panel so that the brightness of the entire liquid crystal display panel illuminated from behind by the EL element does not decrease. There is disclosed a technique of detecting the luminance of an element and correcting deterioration of the entire rear light source. However, this technique relates to a liquid crystal display panel, and an EL element is not provided in each pixel as a display element, but is simply used as a back light source. Are for different technical fields. In a display device including a current-driven light-emitting element such as an organic EL element in each pixel, an effective technique for correcting the above-described deterioration with time has not been proposed. Further, in a display device provided with such a current-driven light-emitting element in each pixel, it is possible to extend the life of the display device or improve display quality by correcting temporal deterioration of the current-driven light-emitting element or the driving TFT. At present, the technical problem itself is not recognized by those skilled in the art.

特開平05−019234号公報JP 05-01234A

 そこで、本発明は、電流駆動型発光素子における電流量や発光量が低下する経時劣化が発生した場合や該経時劣化がバラツキをもって発生した場合に、その経時劣化を適宜補正し、画面輝度の低下や画面ムラを低減することが可能な電流駆動型発光素子を備えた画素回路及び表示装置並びにこれらを備えた電子機器を提供することを技術的課題とする。 Accordingly, the present invention provides a method for correcting the deterioration of the screen brightness by appropriately correcting the deterioration over time when the current amount or the light emission amount of the current-driven light-emitting element deteriorates with time, or when the deterioration with time occurs. It is a technical object to provide a pixel circuit and a display device including a current-driven light-emitting element capable of reducing screen and screen unevenness, and an electronic device including the same.

 本発明における表示装置は、各々が発光素子を備えた複数の画素とを備えた表示装置であって、前記発光素子を流れる駆動電流の電流量を測定する電流量測定部を含み、前記電流量測定部で得られた結果に基づいて前記発光素子の前記駆動電流の電流量を調整すること、を特徴とする。 The display device according to the present invention is a display device including a plurality of pixels each including a light emitting element, including a current amount measuring unit that measures a current amount of a driving current flowing through the light emitting element, The amount of the drive current of the light emitting element is adjusted based on the result obtained by the measurement unit.

 上記の表示装置において、前記駆動電流の電流量の調整を前記発光素子に供給する電源電圧を調整することにより、行ってもよい。 In the above display device, the amount of the drive current may be adjusted by adjusting a power supply voltage supplied to the light emitting element.

 上記の表示装置において、さらに複数の信号線を含み、前記複数の画素の各々は前記発光素子に流れる前記駆動電流を、前記複数の信号線の対応する信号線を介して供給されるデータ信号に応じて制御する駆動素子を含み、前記駆動電流の電流量の調整を、前記データ信号を調整することにより、行ってもよい。 The above display device further includes a plurality of signal lines, and each of the plurality of pixels converts the drive current flowing through the light emitting element to a data signal supplied through a corresponding signal line of the plurality of signal lines. A drive element that is controlled accordingly may be included, and the amount of the drive current may be adjusted by adjusting the data signal.

 上記の表示装置において、前記駆動素子は前記データ信号によりソース及びドレイン間のコンダクタンスが制御されるトランジスタからなることが好ましい。 In the above display device, it is preferable that the driving element is formed of a transistor whose conductance between a source and a drain is controlled by the data signal.

 上記の表示装置において、前記電流量測定部で得られた結果に基づいて行われる前記駆動電流の電流量の調整は、表示期間に先立つ非表示期間に行われること、が好ましい。 In the above display device, it is preferable that the adjustment of the current amount of the drive current performed based on the result obtained by the current amount measurement unit is performed in a non-display period prior to a display period.

 上記の表示装置において、前記電流量測定部で得られた結果に基づいて行われる前記電源電圧の調整は、表示期間に先立つ非表示期間に行われることが好ましい。 In the above display device, it is preferable that the adjustment of the power supply voltage performed based on the result obtained by the current amount measurement unit is performed in a non-display period prior to a display period.

 上記の表示装置において、前記電流量測定部で得られた結果に基づいて行われる前記データ信号を調整は、表示期間に先立つ非表示期間に行われることが好ましい。 In the display device described above, it is preferable that the adjustment of the data signal performed based on the result obtained by the current amount measurement unit is performed in a non-display period prior to a display period.

 また、本発明における表示装置は、各々が発光素子を備えた複数の画素とを備えた表示装置であって、モニタ用発光素子と、前記モニタ用発光素子を流れる駆動電流の電流量を測定する電流量測定部と、を含み、前記電流量測定部で得られた結果に基づいて前記発光素子を流れる駆動電流を調整すること、を特徴とする。 The display device according to the present invention is a display device including a plurality of pixels each including a light emitting element, and measures a monitor light emitting element and a current amount of a driving current flowing through the monitor light emitting element. And a drive current flowing through the light emitting element is adjusted based on a result obtained by the current amount measurement unit.

 また、本発明における表示装置は、複数の信号線と複数の画素とを備えた表示装置であって、前記複数の画素の各々は、前記発光素子と、前記発光素子に流れる駆動電流を、前記複数の信号線の対応する信号線を介して供給されるデータ信号に応じて制御する駆動素子と、を含み、前記発光素子を流れる駆動電流の電流量を測定する電流量測定部を備え、前記電流量測定部で得られた結果に基づいて前記データ信号を調整すること、を特徴とする。 The display device according to the present invention is a display device including a plurality of signal lines and a plurality of pixels, each of the plurality of pixels including the light emitting element and a driving current flowing through the light emitting element. A driving element that controls in accordance with a data signal supplied via a corresponding signal line of the plurality of signal lines, and a current amount measuring unit that measures a current amount of a driving current flowing through the light emitting element, The data signal is adjusted based on a result obtained by the current amount measurement unit.

 上記の表示装置において、前記電流量測定部で得られた結果に基づいて行われる前記駆動電流の電流量の調整は、表示期間に先立つ非表示期間に行われることが好ましい。
上記の表示装置において、前記電流量測定部で得られた結果に基づいて行われる前記データ信号を調整は、表示期間に先立つ非表示期間に行われることが好ましい。
上記の表示装置は電子機器の表示部として好適である。
In the above display device, it is preferable that the adjustment of the amount of the drive current performed based on the result obtained by the current amount measurement unit is performed in a non-display period prior to a display period.
In the display device described above, it is preferable that the adjustment of the data signal performed based on a result obtained by the current amount measurement unit is performed in a non-display period prior to a display period.
The above display device is suitable as a display unit of an electronic device.

  さらに本発明は以下のような特徴を有する。
(1)本発明の第1の表示装置は、画素毎に設けられた電流駆動型の発光素子と、該画素毎に設けられており前記発光素子に流れる駆動電流をデータ信号の電圧に応じて制御する駆動素子と、前記発光素子に前記駆動電流を前記駆動素子を介して流すための電源を電源配線を介して供給する電源部と、前記駆動素子に前記データ信号を信号配線を介して供給する信号配線駆動部と、前記信号配線を介して所定電圧のデータ信号を前記駆動素子に供給したときに前記発光素子を流れる駆動電流の電流量及び前記発光素子から発せられる光の発光量のうち少なくとも一方が所定基準値に近付くように、前記電源部における電源及び前記信号配線駆動部におけるデータ信号のうち少なくとも一方の電圧を調整する電圧調整部とを備えたことを特徴とする。
Further, the present invention has the following features.
(1) A first display device according to the present invention includes a current-driven light-emitting element provided for each pixel, and a drive current that is provided for each pixel and flows through the light-emitting element according to a voltage of a data signal. A driving element for controlling, a power supply unit for supplying power for flowing the driving current to the light emitting element via the driving element via a power wiring, and supplying the data signal to the driving element via a signal wiring A signal wiring driving unit, and a current amount of a driving current flowing through the light emitting element when a data signal of a predetermined voltage is supplied to the driving element via the signal wiring, and a light emission amount of light emitted from the light emitting element. A voltage adjustment unit that adjusts the voltage of at least one of a power supply in the power supply unit and a data signal in the signal line driving unit such that at least one of the power supply units approaches a predetermined reference value. That.

 第1の表示装置によれば、電源部からの電源供給により、発光素子には、駆動電流が駆動素子を介して流れる。他方、駆動素子には、データ信号が信号配線駆動部から信号配線を介して供給される。そして、駆動素子により、発光素子に流れる駆動電流がデータ信号の電圧に応じて制御される。これらの結果、電流駆動型の発光素子は、駆動電流によりデータ信号の電圧に対応して発光する。ここで、例えば非表示期間において信号配線を介して所定電圧のデータ信号が駆動素子に供給されたときに、電圧調整部により、発光素子を流れる駆動電流の電流量又は発光素子から発せられる光の発光量が所定基準値(即ち、基準電流量又は基準発光量)に近付くように、電源部における電源及び信号配線駆動部におけるデータ信号のうち少なくとも一方の電圧が調整される。 According to the first display device, the driving current flows to the light emitting element through the driving element by the power supply from the power supply unit. On the other hand, a data signal is supplied to the drive element from the signal wiring drive unit via the signal wiring. Then, the driving element controls the driving current flowing through the light emitting element according to the voltage of the data signal. As a result, the current-driven light-emitting element emits light corresponding to the voltage of the data signal by the drive current. Here, for example, when a data signal of a predetermined voltage is supplied to the driving element via the signal wiring during the non-display period, the voltage adjusting unit controls the amount of driving current flowing through the light emitting element or the amount of light emitted from the light emitting element. The voltage of at least one of the power supply in the power supply unit and the data signal in the signal wiring drive unit is adjusted such that the light emission amount approaches a predetermined reference value (that is, the reference current amount or the reference light emission amount).

 従って、発光素子や駆動素子の経時劣化により、発光素子や駆動素子の抵抗が増加等して駆動電流が流れ難くなったり、発光素子が発光し難くなったりしても、当該発光素子における駆動電流量或いは発光量は、ほぼ一定とされる。即ち、発光素子や駆動素子の経時劣化による駆動電流量や発光量の低下を、電圧調整部による電圧調整により適宜補正できる。 Therefore, even if the resistance of the light emitting element or the driving element increases due to the deterioration of the light emitting element or the driving element with time, the driving current hardly flows or the light emitting element hardly emits light. The amount or the amount of light emission is substantially constant. That is, a decrease in the amount of drive current or the amount of light emission due to deterioration of the light-emitting element or the drive element over time can be appropriately corrected by voltage adjustment by the voltage adjustment unit.

 更に、電圧調整部による電圧調整を複数の画素について個別に行うようにすれば、複数の画素間で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性や電流発光特性にバラツキがあったとしても、当該複数の画素の発光素子における駆動電流量或いは発光量を、ほぼ一定にできる。即ち、発光素子や駆動素子の特性のバラツキによる駆動電流量や発光量のバラツキを適宜補正できる。 Furthermore, if the voltage adjustment by the voltage adjustment unit is individually performed for a plurality of pixels, even if the voltage-current characteristics and the current emission characteristics of the light-emitting element and the driving element vary among the plurality of pixels, the plurality of pixels may be varied. The amount of drive current or the amount of light emission in the light emitting element of the pixel can be substantially constant. That is, it is possible to appropriately correct variations in the amount of drive current and light emission due to variations in the characteristics of the light emitting element and the drive element.

 以上の結果、第1の表示装置によれば、有機EL素子等の電流駆動型の発光素子を薄膜トランジスタ等の駆動素子により駆動する表示装置において、各素子の経時劣化や特性バラツキによる画面輝度の低下や画面ムラを低減できる。
(2)第1の表示装置の一つの態様では、前記駆動素子は、ゲートに前記データ信号が供給されると共にゲート電圧によりコンダクタンスが制御されるソース及びドレイン間を介して前記駆動電流が流れる薄膜トランジスタからなる。
As a result, according to the first display device, in a display device in which a current-driven type light-emitting element such as an organic EL element is driven by a driving element such as a thin film transistor, a decrease in screen luminance due to aging of each element or variation in characteristics is caused. And screen unevenness can be reduced.
(2) In one aspect of the first display device, the driving element is a thin film transistor in which the driving current flows through a source and a drain whose conductance is controlled by a gate voltage while the data signal is supplied to a gate. Consists of

 この態様によれば、薄膜トランジスタのゲートにデータ信号が供給されると、そのソース及びドレイン間のコンダクタンスは、ゲート電圧により制御(変化)される。従って、このソース及びドレイン間を介して発光素子に流れる駆動電流を、データ信号の電圧に応じて制御することができる。
(3)第1の表示装置の他の態様では、前記電圧調整部は、前記所定電圧のデータ信号を前記駆動素子に供給したときの前記駆動電流の電流量を測定する電流量測定部と、該測定された電流量が予め設定された基準電流量に近付くように前記少なくとも一方の電圧を調整する電圧制御部とを備える。
According to this aspect, when a data signal is supplied to the gate of the thin film transistor, the conductance between the source and the drain is controlled (changed) by the gate voltage. Therefore, the drive current flowing to the light emitting element via between the source and the drain can be controlled according to the voltage of the data signal.
(3) In another aspect of the first display device, the voltage adjustment unit measures a current amount of the drive current when the data signal of the predetermined voltage is supplied to the drive element; A voltage control unit that adjusts the at least one voltage so that the measured current amount approaches a preset reference current amount.

 この態様によれば、所定電圧のデータ信号を駆動素子に供給したときの駆動電流の電流量が、電流量測定部により測定される。そして、該測定された電流量が予め設定された基準電流量に近付くように、データ信号の電圧又は駆動電流の電源電圧が電圧制御部により調整される。 According to this aspect, the current amount of the drive current when the data signal of the predetermined voltage is supplied to the drive element is measured by the current amount measurement unit. Then, the voltage of the data signal or the power supply voltage of the driving current is adjusted by the voltage control unit such that the measured current amount approaches the preset reference current amount.

 従って、発光素子や駆動素子の経時劣化により、発光素子や駆動素子の抵抗が増加等して駆動電流が流れ難くなっても、当該発光素子における駆動電流量は、ほぼ一定とされる。更に、複数の画素間で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性にバラツキがあったとしても、データ信号の電圧調整を画素毎に個別に行うようにすれば、当該複数の画素の発光素子における駆動電流量をほぼ一定にできる。
(4)第1の表示装置の他の態様では、前記電圧調整部は、前記所定電圧のデータ信号を前記駆動素子に供給したときの前記発光量を測定する発光量測定部と、該測定された発光量が予め設定された基準発光量に近付くように前記少なくとも一方の電圧を調整する電圧制御部とを備える。
Therefore, even if the resistance of the light emitting element or the driving element increases due to the deterioration of the light emitting element or the driving element with the passage of time, the driving current hardly flows and the driving current amount in the light emitting element is substantially constant. Furthermore, even if the voltage-current characteristics of the light emitting element and the driving element vary among the plurality of pixels, if the voltage adjustment of the data signal is performed individually for each pixel, the light emitting element of the plurality of pixels The amount of drive current can be made substantially constant.
(4) In another aspect of the first display device, the voltage adjustment unit is configured to measure the light emission amount when the data signal of the predetermined voltage is supplied to the driving element; A voltage control unit that adjusts the at least one voltage so that the light emission amount approaches a preset reference light emission amount.

 この態様によれば、所定電圧のデータ信号を駆動素子に供給したときの発光素子の発光量が、発光量測定部により測定される。そして、該測定された発光量が予め設定された基準発光量に近付くように、データ信号の電圧又は駆動電流の電源電圧が電圧制御部により調整される。 According to this aspect, the light emission amount of the light emitting element when the data signal of the predetermined voltage is supplied to the driving element is measured by the light emission amount measuring unit. Then, the voltage of the data signal or the power supply voltage of the drive current is adjusted by the voltage control unit so that the measured light emission amount approaches a preset reference light emission amount.

 従って、発光素子や駆動素子の経時劣化により、発光素子や駆動素子の抵抗が増加等して発光素子が発光し難くなっても、当該発光素子における発光量は、ほぼ一定とされる。更に、複数の画素間で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性や電流発光特性にバラツキがあったとしても、データ信号の電圧調整を画素毎に個別に行うようにすれば、当該複数の画素の発光素子における駆動電流量をほぼ一定にできる。
(5)第1の表示装置の他の態様では、表示期間に先立つ非表示期間に、前記少なくとも一方の電圧を調整するように前記電圧調整部を制御するコントローラを更に備える。
Therefore, even if the light-emitting element and the driving element deteriorate with time and the resistance of the light-emitting element and the driving element increase and the light-emitting element becomes difficult to emit light, the light emission amount of the light-emitting element is substantially constant. Further, even if the voltage-current characteristics and the current emission characteristics of the light-emitting element and the driving element vary among a plurality of pixels, if the voltage adjustment of the data signal is performed individually for each pixel, the plurality of pixels can be adjusted. And the amount of drive current in the light emitting element can be substantially constant.
(5) In another aspect of the first display device, the display device further includes a controller that controls the voltage adjustment unit to adjust the at least one voltage in a non-display period prior to a display period.

 この態様によれば、コントローラによる制御下で、表示期間に先立つ非表示期間に、データ信号の電圧又は駆動電流の電源電圧が電圧調整部により調整される。 According to this aspect, under the control of the controller, the voltage of the data signal or the power supply voltage of the drive current is adjusted by the voltage adjuster in the non-display period prior to the display period.

 従って、表示期間の一部を測定のために占有しなくて済むと同時に、電圧調整部により適宜電圧調整をしながら、調整動作により表示期間における画像表示に悪影響を及ぼすことはない。また、発光素子や駆動素子における経時劣化の進行速度に鑑みれば、例えば、電源投入時などの非表示期間毎に電源調整部による調整を行えば十分である場合が多い。
(6)本発明の第2の表示装置は上述の技術的課題を解決するために、表示領域において画素毎に設けられた電流駆動型の表示用発光素子と、該画素毎に設けられており前記表示用発光素子に流れる駆動電流をデータ信号の電圧に応じて制御する駆動素子と、前記表示用発光素子に前記駆動電流を前記駆動素子を介して流すための電源を電源配線を介して供給する電源部と、前記駆動素子に前記データ信号を信号配線を介して供給する信号配線駆動部と、モニタ用領域に設けられており前記表示用発光素子と同様に電流駆動される電流駆動型のモニタ用発光素子と、該モニタ用発光素子における電流量及び発光量のうち少なくとも一方が所定基準値に近付くように、前記電源部における電源及び前記信号配線駆動部におけるデータ信号のうち少なくとも一方の電圧を調整する電圧調整部とを備えたことを特徴とする。
Therefore, a part of the display period does not need to be occupied for measurement, and the adjustment operation does not adversely affect the image display during the display period while the voltage adjustment unit appropriately adjusts the voltage. Also, in view of the speed of progress of the deterioration over time in the light emitting element and the driving element, it is often sufficient to perform the adjustment by the power adjustment unit every non-display period such as when the power is turned on, for example.
(6) In order to solve the above-mentioned technical problem, the second display device of the present invention is provided with a current-driven display light-emitting element provided for each pixel in a display area and for each pixel. A drive element for controlling a drive current flowing through the display light emitting element in accordance with a voltage of a data signal; and a power supply for supplying the drive current to the display light emitting element via the drive element via a power supply wiring. A power supply unit, a signal line drive unit that supplies the data signal to the drive element via a signal line, and a current drive type that is provided in a monitor area and is driven in the same manner as the display light emitting element. A light emitting element for monitoring, and a power supply in the power supply section and a data signal in the signal wiring driving section such that at least one of a current amount and a light emitting amount in the monitor light emitting element approaches a predetermined reference value. Characterized by comprising a voltage adjusting unit for adjusting the one voltage even without.

 第2の表示装置によれば、電源部からの電源供給により、表示用発光素子には、駆動電流が駆動素子を介して流れる。他方、駆動素子には、データ信号が信号配線駆動部から信号配線を介して供給される。そして、駆動素子により、表示用発光素子に流れる駆動電流がデータ信号の電圧に応じて制御される。これらの結果、電流駆動型の表示用発光素子は、駆動電流によりデータ信号の電圧に対応して発光する。ここで、例えば非表示期間において信号配線を介して所定電圧のデータ信号が駆動素子に供給されたときに、電圧調整部により、表示用発光素子と同様に電流駆動される電流駆動型のモニタ用発光素子における電流量又は発光量が所定基準値(即ち、基準電流量又は基準発光量)に近付くように、電源部における電源及び信号配線駆動部におけるデータ信号のうち少なくとも一方の電圧が調整される。ここで特に、モニタ用領域に設けられたモニタ用発光素子は、表示領域に設けられた表示用発光素子と同様に電流駆動されるため、モニタ用発光素子における経時劣化は、表示用発光素子における経時劣化と類似或いは同様の傾向を持つと考察される。 According to the second display device, the drive current flows to the display light emitting element through the drive element by the power supply from the power supply unit. On the other hand, a data signal is supplied to the drive element from the signal wiring drive unit via the signal wiring. Then, the driving element controls the driving current flowing through the display light emitting element according to the voltage of the data signal. As a result, the current-driven display light-emitting element emits light corresponding to the voltage of the data signal by the drive current. Here, for example, when a data signal of a predetermined voltage is supplied to the drive element via the signal wiring in the non-display period, the current adjustment type current monitor is driven by the voltage adjustment unit in the same manner as the display light-emitting element. The voltage of at least one of the power supply in the power supply unit and the data signal in the signal wiring drive unit is adjusted such that the current amount or the light emission amount in the light emitting element approaches a predetermined reference value (that is, the reference current amount or the reference light emission amount). . Here, in particular, the monitor light emitting element provided in the monitor area is driven by current similarly to the display light emitting element provided in the display area. It is considered to have a similar or similar tendency to aging.

 従って、表示用発光素子や駆動素子の経時劣化により、表示用発光素子や駆動素子の抵抗が増加等して駆動電流が流れ難くなったり、表示用発光素子が発光し難くなったりしても、当該表示用発光素子における駆動電流量或いは発光量は、ほぼ一定とされる。即ち、表示用発光素子や駆動素子の経時劣化による駆動電流量や発光量の低下を、モニタ用発光素子における電流量や発光量に基づく電圧調整部の電圧調整により適宜補正できる。 Therefore, due to the aging of the display light-emitting element and the driving element, the resistance of the display light-emitting element and the driving element increase and the driving current becomes difficult to flow, or even if the display light-emitting element hardly emits light, The driving current amount or the light emission amount in the display light emitting element is substantially constant. That is, it is possible to appropriately correct a decrease in the driving current amount or the light emission amount due to the deterioration of the display light emitting element or the driving element with the passage of time by adjusting the voltage of the voltage adjusting unit based on the current amount or the light emission amount in the monitor light emitting element.

 更に、電圧調整部による電圧調整を複数の画素について個別に行うようにすれば、複数の画素間で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性や電流発光特性にバラツキがあったとしても、当該複数の画素の発光素子における駆動電流量或いは発光量を、ほぼ一定にできる。即ち、発光素子や駆動素子の特性のバラツキによる駆動電流量や発光量のバラツキを適宜補正できる。 Furthermore, if the voltage adjustment by the voltage adjustment unit is individually performed for a plurality of pixels, even if the voltage-current characteristics and the current emission characteristics of the light-emitting element and the driving element vary among the plurality of pixels, the plurality of pixels may be varied. The amount of drive current or the amount of light emission in the light emitting element of the pixel can be substantially constant. That is, it is possible to appropriately correct variations in the amount of drive current and light emission due to variations in the characteristics of the light emitting element and the drive element.

 以上の結果、第2の表示装置によれば、有機EL素子等の電流駆動型の発光素子を薄膜トランジスタ等の駆動素子により駆動する表示装置において、各素子の経時劣化や特性バラツキによる画面輝度の低下や画面ムラを低減できる。
(7)第2の表示装置の一つの態様では、前記駆動素子は、ゲートに前記データ信号が供給されると共にゲート電圧によりコンダクタンスが制御されるソース及びドレイン間を介して前記駆動電流が流れる薄膜トランジスタからなる。
As a result, according to the second display device, in a display device in which a current-driven type light-emitting element such as an organic EL element is driven by a driving element such as a thin film transistor, a decrease in screen luminance due to aging of each element or variation in characteristics is caused. And screen unevenness can be reduced.
(7) In one aspect of the second display device, the driving element is a thin film transistor in which the data is supplied to a gate and the driving current flows through a source and a drain whose conductance is controlled by a gate voltage. Consists of

 この態様によれば、薄膜トランジスタのゲートにデータ信号が供給されると、そのソース及びドレイン間のコンダクタンスは、ゲート電圧により制御(変化)される。従って、このソース及びドレイン間を介して表示用発光素子に流れる駆動電流を、データ信号の電圧に応じて制御することができる。
(8)第2の表示装置の他の態様では、前記電圧調整部は、前記モニタ用発光素子における電流量を測定する電流量測定部と、該測定された電流量が予め設定された基準電流量に近付くように前記少なくとも一方の電圧を調整する電圧制御部とを備える。
According to this aspect, when a data signal is supplied to the gate of the thin film transistor, the conductance between the source and the drain is controlled (changed) by the gate voltage. Therefore, the drive current flowing to the display light emitting element through the space between the source and the drain can be controlled according to the voltage of the data signal.
(8) In another aspect of the second display device, the voltage adjustment unit may include a current amount measurement unit that measures an amount of current in the monitor light-emitting element, and a reference current in which the measured amount of current is set in advance. A voltage controller for adjusting the at least one voltage to approach the amount.

 この態様によれば、モニタ用発光素子における電流量が、電流量測定部により測定される。そして、該測定された電流量が予め設定された基準電流量に近付くように、データ信号の電圧又は駆動電流の電源電圧が電圧制御部により調整される。 According to this aspect, the amount of current in the monitor light emitting element is measured by the current amount measuring unit. Then, the voltage of the data signal or the power supply voltage of the driving current is adjusted by the voltage control unit such that the measured current amount approaches the preset reference current amount.

 従って、発光素子や駆動素子の経時劣化により、発光素子や駆動素子の抵抗が増加等して駆動電流が流れ難くなっても、当該発光素子における駆動電流量は、ほぼ一定とされる。更に、複数の画素間で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性にバラツキがあったとしても、電圧調整を画素毎に個別に行うようにすれば、当該複数の画素の発光素子における駆動電流量をほぼ一定にできる。
(9)第2の表示装置の他の態様では、前記電圧調整部は、前記モニタ用発光素子における発光量を測定する発光量測定部と、該測定された発光量が予め設定された基準発光量に近付くように前記少なくとも一方の電圧を調整する電圧制御部とを備える。
Therefore, even if the resistance of the light emitting element or the driving element increases due to the deterioration of the light emitting element or the driving element with the passage of time, the driving current hardly flows and the driving current amount in the light emitting element is substantially constant. Furthermore, even if the voltage-current characteristics of the light emitting element and the driving element vary among a plurality of pixels, if the voltage adjustment is performed individually for each pixel, the driving current amount in the light emitting element of the plurality of pixels can be adjusted. Can be made almost constant.
(9) In another aspect of the second display device, the voltage adjustment unit may include a light emission amount measurement unit that measures a light emission amount of the monitor light emitting element, and a reference light emission in which the measured light emission amount is set in advance. A voltage controller for adjusting the at least one voltage to approach the amount.

 この態様によれば、モニタ用発光素子における発光量が、発光量測定部により測定される。そして、該測定された発光量が予め設定された基準発光量に近付くように、データ信号の電圧又は駆動電流の電源電圧が電圧制御部により調整される。 According to this aspect, the light emission amount of the monitor light emitting element is measured by the light emission amount measurement unit. Then, the voltage of the data signal or the power supply voltage of the drive current is adjusted by the voltage control unit so that the measured light emission amount approaches a preset reference light emission amount.

 従って、発光素子や駆動素子の経時劣化により、発光素子や駆動素子の抵抗が増加等して発光素子が発光し難くなっても、当該発光素子における発光量は、ほぼ一定とされる。更に、複数の画素間で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性や電流発光特性にバラツキがあったとしても、データ信号の電圧調整を画素毎に個別に行うようにすれば、当該複数の画素の発光素子における駆動電流量をほぼ一定にできる。
(10)第2の表示装置の他の態様では、表示期間に先立つ非表示期間に前記少なくとも一方の電圧を調整するように前記電圧調整部を制御するコントローラを更に備える。
Therefore, even if the light-emitting element and the driving element deteriorate with time and the resistance of the light-emitting element and the driving element increase and the light-emitting element becomes difficult to emit light, the light emission amount of the light-emitting element is substantially constant. Further, even if the voltage-current characteristics and the current emission characteristics of the light-emitting element and the driving element vary among a plurality of pixels, if the voltage adjustment of the data signal is performed individually for each pixel, the plurality of pixels can be adjusted. And the amount of drive current in the light emitting element can be made substantially constant.
(10) In another aspect of the second display device, the display device further includes a controller that controls the voltage adjustment unit to adjust the at least one voltage in a non-display period prior to a display period.

 この態様によれば、コントローラによる制御下で、表示期間に先立つ非表示期間に、データ信号の電圧又は駆動電流の電源電圧が電圧調整部により調整される。従って、電圧調整部により適宜電圧調整をしながらも、調整動作により表示期間における画像表示に悪影響を及ぼすことはない。
(11)第2の表示装置の他の態様では、前記表示用発光素子と前記モニタ用発光素子とが、同一の基板上に形成されている。
According to this aspect, under the control of the controller, the voltage of the data signal or the power supply voltage of the drive current is adjusted by the voltage adjustment unit in the non-display period prior to the display period. Therefore, even though the voltage is appropriately adjusted by the voltage adjusting unit, the adjustment operation does not adversely affect the image display in the display period.
(11) In another aspect of the second display device, the display light emitting element and the monitor light emitting element are formed on the same substrate.

 この態様によれば、表示用発光素子とモニタ用発光素子とを類似或いは同様の環境で動作させることにより、両者における経時劣化の傾向を類似した或いは同様のものにできる。従って、モニタ用発光素子における電流量や発光量に基づいて表示用発光素子についての電圧調整を精度良く行うことができる。
(12)第2の表示装置の他の態様では、前記表示用発光素子と前記モニタ用発光素子とが、同一の製造工程により形成されている。
According to this aspect, the display light-emitting element and the monitor light-emitting element are operated in similar or similar environments, so that the tendency of deterioration with time in both of them can be made similar or similar. Therefore, it is possible to accurately adjust the voltage of the display light emitting element based on the amount of current and the amount of light emitted from the monitor light emitting element.
(12) In another aspect of the second display device, the display light emitting element and the monitor light emitting element are formed by the same manufacturing process.

 この態様によれば、モニタ用発光素子を製造するために、別途製造工程を必要としないので製造上有利である。しかも、比較的容易に表示用発光素子の特性とモニタ用発光素子の特性とを類似或いは同様のものとすることができる。従って、両者における経時劣化の傾向を類似した或いは同様のものにできる。
(13)第2の表示装置の他の態様では、前記電源部は、表示期間に前記表示用発光素子及び前記モニタ用発光素子の両方に前記駆動電流を流すための電源を供給する。
According to this aspect, a separate manufacturing process is not required for manufacturing the monitor light emitting element, which is advantageous in manufacturing. In addition, the characteristics of the display light-emitting element and the characteristics of the monitor light-emitting element can be made similar or similar relatively easily. Accordingly, the tendency of the deterioration with time in both can be made similar or similar.
(13) In another aspect of the second display device, the power supply unit supplies power for supplying the driving current to both the display light emitting element and the monitor light emitting element during a display period.

 この態様によれば、表示期間には、表示用発光素子及びモニタ用発光素子の両方に駆動電流が流されるので、両者における経時劣化の傾向を類似した或いは同様のものにできる。
(14)本発明の画素回路は上述の技術的課題を解決するために、少なくともデータ信号が供給される信号配線並びに駆動電流を流すための電源が供給される第1及び第2給電線が設けられた表示装置の表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素の各々に設けられる画素回路であって、前記第1 及び第2 給電線間に接続された電流駆動型の発光素子と、前記第1 及び第2 給電線間に前記発光素子と直列に接続されたソース及びドレインを介して前記発光素子を流れる前記駆動電流を、ゲートに供給される前記データ信号の電圧に応じて制御する第1薄膜トランジスタ(カレント制御用の薄膜トランジスタ)と、前記駆動電流の電流量の減少及び前記発光素子の発光量の減少のうち少なくとも一方に応じて前記駆動電流を増加させる駆動電流補償素子とを備えたことを特徴とする。
According to this aspect, in the display period, since the drive current is supplied to both the display light emitting element and the monitor light emitting element, the tendency of the deterioration over time in both can be made similar or similar.
(14) In order to solve the above-described technical problem, the pixel circuit of the present invention includes at least a signal wiring to which a data signal is supplied and first and second power supply lines to which power for supplying a drive current is supplied. A pixel circuit provided in each of a plurality of pixels in a matrix forming a display area of the display device, wherein the current driving type light emitting element connected between the first and second power supply lines; A first controlling a drive current flowing through the light emitting element via a source and a drain connected in series with the light emitting element between the first and second power supply lines in accordance with a voltage of the data signal supplied to a gate; A thin film transistor (a thin film transistor for current control), and a drive for increasing the drive current in accordance with at least one of a decrease in the amount of the drive current and a decrease in the amount of light emitted from the light emitting element. A current compensation element.

 本発明の画素回路によれば、第1及び第2給電線からの電源供給により、発光素子には、駆動電流が第1薄膜トランジスタのソース及びドレインを介して流れる。他方、第1薄膜トランジスタのゲートには、データ信号が信号配線を介して供給される。そして、第1薄膜トランジスタのソース及びドレイン間のコンダクタンスがゲート電圧により制御(変化)され、発光素子に流れる駆動電流がデータ信号の電圧に応じて制御されることになる。これらの結果、電流駆動型の発光素子は、駆動電流によりデータ信号の電圧に対応して発光する。そして、このように流れる駆動電流は、駆動電流補償素子により、駆動電流の電流量又は発光素子の発光量の減少に応じて増加させられる。 According to the pixel circuit of the present invention, the driving current flows to the light emitting element through the source and the drain of the first thin film transistor due to the power supply from the first and second power supply lines. On the other hand, a data signal is supplied to a gate of the first thin film transistor via a signal wiring. Then, the conductance between the source and the drain of the first thin film transistor is controlled (changed) by the gate voltage, and the drive current flowing through the light emitting element is controlled according to the voltage of the data signal. As a result, the current-driven light-emitting element emits light corresponding to the voltage of the data signal by the drive current. The drive current flowing in this manner is increased by the drive current compensating element in accordance with a decrease in the amount of the drive current or the amount of light emitted from the light emitting element.

 従って、発光素子や第1薄膜トランジスタの経時劣化により、発光素子や第1薄膜トランジスタの抵抗が増加等して駆動電流が流れ難くなったり、発光素子が発光し難くなったりしても、当該発光素子における駆動電流量或いは発光量は、ほぼ一定とされる。即ち、発光素子や第1 薄膜トランジスタの経時劣化による駆動電流量や発光量の低下を、駆動電流補償素子による抵抗減少等による駆動電流を増加させる作用により自動的に補正できる。 Therefore, even if the driving current becomes difficult to flow due to the deterioration of the light emitting element or the first thin film transistor with the passage of time due to the resistance of the light emitting element or the first thin film transistor or the light emitting element hardly emits light, the light emitting element The amount of drive current or the amount of light emission is substantially constant. That is, it is possible to automatically correct the decrease in the amount of drive current or the amount of light emission due to the deterioration of the light emitting element or the first thin film transistor with the passage of time by the action of the drive current compensator to increase the drive current due to the decrease in resistance or the like.

 更に、このような補正は複数の画素について個別に行われるので、複数の画素間で、発光素子や第1 薄膜トランジスタの電圧電流特性や電流発光特性にバラツキがあったとしても、当該複数の画素の発光素子における駆動電流量或いは発光量を、ほぼ一定にできる。即ち、発光素子や第1 薄膜トランジスタの特性のバラツキによる駆動電流量や発光量のバラツキを自動的に補正できる。 Further, since such correction is individually performed for a plurality of pixels, even if the voltage-current characteristics and the current emission characteristics of the light emitting element and the first thin film transistor vary among the plurality of pixels, the correction of the plurality of pixels is performed. The driving current amount or the light emission amount in the light emitting element can be made substantially constant. That is, it is possible to automatically correct variations in the amount of drive current and the amount of light emission due to variations in the characteristics of the light emitting element and the first thin film transistor.

 以上の結果、本発明の画素回路によれば、有機EL素子等の電流駆動型の発光素子を第1薄膜トランジスタにより駆動する画素回路において、各素子の経時劣化や特性バラツキによる画面輝度の低下や画面ムラを低減できる。
(15)画素回路の一つの態様では、前記信号配線は、前記データ信号が供給される信号線及び走査信号が供給される走査線を含み、前記走査信号がゲートに供給されると共にソース及びドレインを介して前記データ信号が前記第1薄膜トランジスタのゲートに供給されるように接続された第2薄膜トランジスタ(スイッチング用の薄膜トランジスタ)を更に備える。
As a result, according to the pixel circuit of the present invention, in a pixel circuit in which a current-driven type light-emitting element such as an organic EL element is driven by the first thin film transistor, a decrease in screen luminance or a decrease in screen luminance due to aging of each element or variation in characteristics. Unevenness can be reduced.
(15) In one aspect of the pixel circuit, the signal line includes a signal line to which the data signal is supplied and a scanning line to which a scanning signal is supplied, and the scanning signal is supplied to a gate and a source and a drain are provided. And a second thin film transistor (a thin film transistor for switching) connected so that the data signal is supplied to a gate of the first thin film transistor via the first thin film transistor.

 この態様によれば、走査線を介して走査信号が第2 薄膜トランジスタのゲートに供給されると、当該第2 薄膜トランジスタのソース及びドレイン間は導通状態とされる。これと並行して、信号線を介してデータ信号が第2 薄膜トランジスタのソース又はドレインに供給されると、該第2 薄膜トランジスタのソース及びドレインを介して、データ信号が第1 薄膜トランジスタのゲートに供給される。
(16)画素回路の他の態様では、前記駆動電流補償素子は、前記発光素子の両端の電圧と前記駆動電流の電流量との関係に依存して、前記第1給電線と前記第2給電線との間の抵抗を調整する。
According to this aspect, when the scanning signal is supplied to the gate of the second thin film transistor via the scanning line, the source and drain of the second thin film transistor are brought into conduction. In parallel with this, when a data signal is supplied to the source or the drain of the second thin film transistor via the signal line, the data signal is supplied to the gate of the first thin film transistor via the source and drain of the second thin film transistor. You.
(16) In another aspect of the pixel circuit, the drive current compensating element may be configured such that the first power supply line and the second power supply line depend on a relationship between a voltage across the light emitting element and a current amount of the drive current. Adjust the resistance between the wires.

 この態様によれば、発光素子の両端の電圧と駆動電流の電流量との関係に依存して、第1給電線と第2給電線との間の抵抗が駆動電流補償素子により調整されることにより、駆動電流の電流量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(17)この電圧と電流量との関係に依存して調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第2給電線との間に前記発光素子と直列に接続されたnチャネル型の第1の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
According to this aspect, the resistance between the first power supply line and the second power supply line is adjusted by the drive current compensation element depending on the relationship between the voltage at both ends of the light emitting element and the amount of drive current. Accordingly, the drive current is increased in accordance with the decrease in the amount of the drive current.
(17) In the aspect in which the adjustment is performed depending on the relationship between the voltage and the current amount, the potential of the first power supply line is set to be higher than that of the second power supply line, and the drive current compensating element is An n-channel type in which a gate is connected to the electrode on the first power supply line side of the light emitting element, and a source and a drain are connected in series with the light emitting element between the light emitting element and the second power supply line. It may be configured to include one correction thin film transistor.

 この場合、第1給電線と第2給電線との間の抵抗が、nチャネル型の第1の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、駆動電流の電流量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(18)或いは、この電圧と電流量との関係に依存して調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第2給電線との間に前記発光素子と直列に接続されたpチャネル型の第1の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first power supply line and the second power supply line is adjusted by the n-channel first correction thin film transistor, and the drive current is increased in accordance with a decrease in the amount of the drive current. Can be
(18) Alternatively, in the aspect in which the adjustment is performed depending on the relationship between the voltage and the current amount, the potential of the first power supply line is set to be lower than that of the second power supply line, and the drive current compensation is performed. The element is a p-channel type in which a gate is connected to the electrode on the first power supply line side of the light emitting element, and a source and a drain are connected in series with the light emitting element between the light emitting element and the second power supply line. May be configured to include the first correction thin film transistor.

 この場合、第1給電線と第2給電線との間の抵抗が、pチャネル型の第1の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、駆動電流の電流量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(19)或いは、この電圧と電流量との関係に依存して調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第2給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第1給電線との間に前記発光素子と直列に接続されたpチャネル型の第2の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first power supply line and the second power supply line is adjusted by the p-channel type first correction thin film transistor, and the drive current increases in accordance with a decrease in the amount of the drive current. Can be
(19) Alternatively, in the aspect in which the adjustment is performed depending on the relationship between the voltage and the current amount, the potential of the first power supply line is set to be higher than the potential of the second power supply line, and the drive current compensation is performed. The element is a p-channel type in which a gate is connected to the electrode on the second power supply line side of the light emitting element, and a source and a drain are connected in series with the light emitting element between the light emitting element and the first power supply line. May be configured to include the second correction thin film transistor.

 この場合、第1給電線と第2給電線との間の抵抗が、pチャネル型の第2の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、駆動電流の電流量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(20)或いは、この電圧と電流量との関係に依存して調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第2給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第1給電線との間に前記発光素子と直列に接続されたnチャネル型の第2の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first power supply line and the second power supply line is adjusted by the p-channel type second correction thin film transistor, and the drive current increases in accordance with a decrease in the amount of the drive current. Can be
(20) Alternatively, in the aspect in which the adjustment is performed depending on the relationship between the voltage and the current amount, the potential of the first power supply line is set to be lower than the potential of the second power supply line, and the drive current compensation is performed. The element is an n-channel type in which a gate is connected to the electrode on the second power supply line side of the light emitting element, and a source and a drain are connected in series with the light emitting element between the light emitting element and the first power supply line. May be configured to include the second correction thin film transistor.

 この場合、第1給電線と第2給電線との間の抵抗が、nチャネル型の第2の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、駆動電流の電流量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(21)画素回路の他の態様では、前記第1薄膜トランジスタのゲートに接続されており、前記第1薄膜トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量を更に備える。
In this case, the resistance between the first power supply line and the second power supply line is adjusted by the n-channel type second correction thin film transistor, and the drive current increases in accordance with the decrease in the amount of the drive current. Can be
(21) In another aspect of the pixel circuit, the pixel circuit further includes a storage capacitor connected to a gate of the first thin film transistor and holding a gate voltage of the first thin film transistor.

 この態様によれば、データ信号が供給された後の第1薄膜トランジスタのゲート電圧は、保持容量により保持される。従って、データ信号を与える期間よりも長い期間に亘って、第1薄膜トランジスタのソース及びドレインを介して駆動電流を流すことが可能となる。
(22)この保持容量を備えた態様では、前記駆動電流補償素子は、前記発光素子の両端の電圧と前記駆動電流の電流量との関係に依存して、前記第1及び第2給電線の一方と前記保持容量との間の抵抗を調整するように構成してもよい。
According to this aspect, the gate voltage of the first thin film transistor after the data signal is supplied is held by the holding capacitor. Therefore, it is possible to allow a drive current to flow through the source and the drain of the first thin film transistor for a period longer than a period for providing a data signal.
(22) In the aspect having the storage capacitor, the drive current compensating element depends on the relationship between the voltage between both ends of the light emitting element and the amount of the drive current. You may comprise so that the resistance between one and the said storage capacitor may be adjusted.

 この態様によれば、発光素子の両端の電圧と駆動電流の電流量との関係に依存して、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が駆動電流補償素子により調整されることにより、駆動電流の電流量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(23)このように給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第1給電線との間に接続された、前記第1薄膜トランジスタと同じn又はpチャネル型の第3の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
According to this aspect, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the drive current compensating element depending on the relationship between the voltage across the light emitting element and the amount of drive current. Thus, the drive current is increased according to the decrease in the amount of the drive current.
(23) In the aspect in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted as described above, the potential of the first power supply line is set to be higher than the potential of the second power supply line, and the drive current compensation is performed. The same n or the same as the first thin film transistor, wherein a gate is connected to the electrode on the first power supply line side of the light emitting element, and a source and a drain are connected between the storage capacitor and the first power supply line. A third correction thin film transistor of a p-channel type may be included.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第1薄膜トランジスタと同じn又はpチャネル型の第3の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、第1給電線から第2給電線に向かって流れる駆動電流の電流量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(24)或いは、このように給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2 給電線よりも低電位に設定されており、前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第1給電線との間に接続された、前記第1薄膜トランジスタと同じn又はpチャネル型の第3の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the same n- or p-channel third correction thin film transistor as the first thin film transistor, and the second power supply line is connected to the second power supply line. The drive current is increased in accordance with a decrease in the amount of the drive current flowing toward the electric wire.
(24) Alternatively, in such an embodiment in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted, the potential of the first power supply line is set to a lower potential than the second power supply line, and The current compensation element is the same as the first thin film transistor, wherein a gate is connected to the electrode on the first power supply line side of the light emitting element, and a source and a drain are connected between the storage capacitor and the first power supply line. It may be configured to include an n or p channel type third correction thin film transistor.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第1薄膜トランジスタと同じn又はpチャネル型の第3の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、第2給電線から第1給電線に向かって流れる駆動電流の電流量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(25)或いは、このように給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第2給電線との間に接続された、前記第1薄膜トランジスタと反対のn又はpチャネル型の第4の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the same n- or p-channel type third correction thin film transistor as the first thin film transistor, and the first power supply line is connected to the first power supply line. The drive current is increased in accordance with a decrease in the amount of the drive current flowing toward the electric wire.
(25) Alternatively, in such an embodiment in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted, the potential of the first power supply line is set to be higher than the potential of the second power supply line, and The current compensating element has a gate connected to the electrode on the first power supply line side of the light emitting element, and a source and a drain opposite to the first thin film transistor connected between the storage capacitor and the second power supply line. May be configured to include the n- or p-channel type fourth correction thin film transistor.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第1薄膜トランジスタと反対のn 又はp チャネル型の第4の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、第1給電線から第2給電線に向かって流れる駆動電流の電流量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(26)或いは、このように給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第2給電線との間に接続された、前記第1薄膜トランジスタと反対のn又はpチャネル型の第4の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the n- or p-channel type fourth correction thin film transistor opposite to the first thin film transistor, and the resistance from the first power supply line to the second The drive current is increased in accordance with a decrease in the amount of the drive current flowing toward the power supply line.
(26) Alternatively, in the aspect in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted as described above, the potential of the first power supply line is set to be lower than the potential of the second power supply line. The current compensating element has a gate connected to the electrode on the first power supply line side of the light emitting element, and a source and a drain opposite to the first thin film transistor connected between the storage capacitor and the second power supply line. May be configured to include the n- or p-channel type fourth correction thin film transistor.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第1薄膜トランジスタと反対のn又はpチャネル型の第4の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、第2給電線から第1 給電線に向かって流れる駆動電流の電流量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(27)画素回路の他の態様では、前記駆動電流補償素子は、前記発光素子の両端の電圧と前記発光量との関係に依存して、前記第1給電線と前記第2給電線との間の抵抗を調整する。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by an n- or p-channel type fourth correction thin-film transistor opposite to the first thin-film transistor, and the resistance from the second power supply line to the first is reduced. The drive current is increased in accordance with a decrease in the amount of the drive current flowing toward the power supply line.
(27) In another aspect of the pixel circuit, the drive current compensating element may be connected to the first power supply line and the second power supply line depending on a relationship between a voltage between both ends of the light emitting element and the light emission amount. Adjust the resistance between them.

 この態様によれば、発光素子の両端の電圧と発光量との関係に依存して、第1給電線と第2給電線との間の抵抗が駆動電流補償素子により調整されることにより、発光素子の発光量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(28)更に、上述の保持容量を備えた態様では、前記駆動電流補償素子は、前記発光素子の両端の電圧と前記発光量との関係に依存して、前記第1及び第2給電線の一方と前記保持容量との間の抵抗を調整するように構成してもよい。
According to this aspect, the resistance between the first power supply line and the second power supply line is adjusted by the drive current compensating element depending on the relationship between the voltage at both ends of the light emitting element and the light emission amount, so that light emission is achieved. The drive current is increased in accordance with a decrease in the light emission amount of the element.
(28) Further, in the aspect including the above-described storage capacitor, the drive current compensating element may be connected to the first and second power supply lines depending on a relationship between a voltage between both ends of the light emitting element and the light emission amount. You may comprise so that the resistance between one and the said storage capacitor may be adjusted.

 この態様によれば、発光素子の両端の電圧と発光量との関係に依存して、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が駆動電流補償素子により調整されることにより、発光量の減少に応じて当該駆動電流が増加させられる。
(29)このように電圧と発光量との関係に依存して給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、前記第1薄膜トランジスタは、pチャネル型であり、前記駆動電流補償素子は、前記保持容量と前記第1 給電線との間に接続された第1の補正用薄膜フォトダイオードを含むように構成してもよい。
According to this aspect, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the drive current compensating element depending on the relationship between the voltage at both ends of the light emitting element and the light emission amount. The drive current is increased in accordance with the decrease in the light emission amount.
(29) In the aspect in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted depending on the relationship between the voltage and the light emission amount, the potential of the first power supply line is higher than the potential of the second power supply line. The first thin film transistor is set to a potential, the first thin film transistor is a p-channel type, and the drive current compensation element is a first correction thin film photodiode connected between the storage capacitor and the first power supply line. May be included.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第1の補正用薄膜フォトダイオードにより調整されて、pチャネル型の第1薄膜トランジスタに対し第1給電線から第2給電線に向かって流れる駆動電流が発光量の減少に応じて増加させられる。
(30)或いは、このように電圧と発光量との関係に依存して給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、前記第1薄膜トランジスタは、pチャネル型であり、前記駆動電流補償素子は、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第1給電線との間に接続された第5の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the first correction thin film photodiode, and the second power supply line is supplied from the first power supply line to the p-channel first thin film transistor. The drive current flowing toward the electric wire is increased in accordance with the decrease in the light emission amount.
(30) Alternatively, in the aspect in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted depending on the relationship between the voltage and the light emission amount, the potential of the first power supply line is higher than that of the second power supply line. Is also set to a high potential, the first thin film transistor is a p-channel type, and the drive current compensating element is a fifth transistor having a source and a drain connected between the storage capacitor and the first power supply line. May be included.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第5の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、pチャネル型の第1薄膜トランジスタに対し第1給電線から第2給電線に向かって流れる駆動電流が発光量の減少に応じて増加させられる。
(31)或いは、このように電圧と発光量との関係に依存して給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、前記第1薄膜トランジスタは、nチャネル型であり、前記駆動電流補償素子は、前記保持容量と前記第1給電線との間に接続された第1の補正用薄膜フォトダイオードを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the fifth correction thin film transistor, and the p-channel first thin film transistor is connected from the first power supply line to the second power supply line. The driving current flowing toward the light source is increased in accordance with the decrease in the light emission amount.
(31) Alternatively, in the aspect in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted depending on the relationship between the voltage and the light emission amount, the potential of the first power supply line is higher than that of the second power supply line. Is also set to a low potential, the first thin film transistor is an n-channel type, and the drive current compensation element is a first correction thin film connected between the storage capacitor and the first power supply line. It may be configured to include a photodiode.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第1の補正用薄膜フォトダイオードにより調整されて、nチャネル型の第1薄膜トランジスタに対し第2給電線から第1給電線に向かって流れる駆動電流が発光量の減少に応じて増加させられる。
(32)或いは、このように電圧と発光量との関係に依存して給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、前記第1薄膜トランジスタは、nチャネル型であり、前記駆動電流補償素子は、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第1給電線との間に接続された第5の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the first correction thin film photodiode, and the first power supply line is supplied to the n-channel type first thin film transistor from the second power supply line. The drive current flowing toward the electric wire is increased in accordance with the decrease in the light emission amount.
(32) Alternatively, in the aspect in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted depending on the relationship between the voltage and the light emission amount, the potential of the first power supply line is higher than that of the second power supply line. Is also set to a low potential, the first thin-film transistor is an n-channel type, and the drive current compensating element is a fifth transistor having a source and a drain connected between the storage capacitor and the first power supply line. May be included.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第5の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、nチャネル型の第1薄膜トランジスタに対し第2給電線から第1給電線に向かって流れる駆動電流が発光量の減少に応じて増加させられる。
(33)或いは、このように電圧と発光量との関係に依存して給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、前記第1薄膜トランジスタが、nチャネル型であり、前記駆動電流補償素子は、前記保持容量と前記第2給電線との間に接続された第2の補正用薄膜フォトダイオードを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the fifth correction thin film transistor, and the n-channel first thin film transistor is connected from the second power supply line to the first power supply line. The driving current flowing toward the light source is increased in accordance with the decrease in the light emission amount.
(33) Alternatively, in the aspect in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted depending on the relationship between the voltage and the light emission amount, the potential of the first power supply line is higher than that of the second power supply line. Is also set to a high potential, the first thin film transistor is an n-channel type, and the drive current compensation element is a second correction thin film connected between the storage capacitor and the second power supply line. It may be configured to include a photodiode.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第2の補正用薄膜フォトダイオードにより調整されて、nチャネル型の第1薄膜トランジスタに対し第1給電線から第2給電線に向かって流れる駆動電流が発光量の減少に応じて増加させられる。
(34)或いは、このように電圧と発光量との関係に依存して給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、前記第1 薄膜トランジスタが、nチャネル型であり、前記駆動電流補償素子は、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第2給電線との間に接続された第6の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the second correction thin film photodiode, and the second power supply line is supplied to the n-channel first thin film transistor from the first power supply line. The drive current flowing toward the electric wire is increased in accordance with the decrease in the light emission amount.
(34) Alternatively, in the aspect in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted depending on the relationship between the voltage and the light emission amount, the potential of the first power supply line is higher than that of the second power supply line. Is also set to a high potential, the first thin film transistor is an n-channel type, and the drive current compensating element is a sixth drive source and drain connected between the storage capacitor and the second power supply line. May be included.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第6の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、nチャネル型の第1薄膜トランジスタに対し第1給電線から第2給電線に向かって流れる駆動電流が発光量の減少に応じて増加させられる。
(35)或いは、このように電圧と発光量との関係に依存して給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、前記第1薄膜トランジスタが、pチャネル型であり、前記駆動電流補償素子は、前記保持容量と前記第2給電線との間に接続された第2の補正用薄膜フォトダイオードを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the sixth correction thin film transistor, and the n-channel first thin film transistor is connected from the first power supply line to the second power supply line. The driving current flowing toward the light source is increased in accordance with the decrease in the light emission amount.
(35) Alternatively, in the aspect in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted depending on the relationship between the voltage and the light emission amount, the potential of the first power supply line is higher than that of the second power supply line. Is also set to a low potential, the first thin film transistor is a p-channel type, and the drive current compensation element is a second correction thin film connected between the storage capacitor and the second power supply line. It may be configured to include a photodiode.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第2の補正用薄膜フォトダイオードにより調整されて、pチャネル型の第1薄膜トランジスタに対し第2給電線から第1給電線に向かって流れる駆動電流が発光量の減少に応じて増加させられる。
(36)或いは、このように電圧と発光量との関係に依存して給電線と保持容量との間の抵抗を調整する態様では、前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、前記第1薄膜トランジスタが、pチャネル型であり、前記駆動電流補償素子は、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第2給電線との間に接続された第6の補正用薄膜トランジスタを含むように構成してもよい。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the second correction thin film photodiode, and the first power supply line is supplied from the second power supply line to the p-channel first thin film transistor. The drive current flowing toward the electric wire is increased in accordance with the decrease in the light emission amount.
(36) Alternatively, in the aspect in which the resistance between the power supply line and the storage capacitor is adjusted depending on the relationship between the voltage and the light emission amount, the potential of the first power supply line is higher than that of the second power supply line. Is also set to a low potential, the first thin film transistor is a p-channel type, and the drive current compensating element is a sixth transistor having a source and a drain connected between the storage capacitor and the second power supply line. May be included.

 この場合、第1又は第2給電線と保持容量との間の抵抗が、第6の補正用薄膜トランジスタにより調整されて、pチャネル型の第1薄膜トランジスタに対し第2給電線から第1給電線に向かって流れる駆動電流が発光量の減少に応じて増加させられる。
(37)画素回路の他の態様では、前記駆動電流補償素子は、前記第1薄膜トランジスタと同一の製造工程により形成される薄膜トランジスタを含む。
In this case, the resistance between the first or second power supply line and the storage capacitor is adjusted by the sixth correction thin film transistor, and the p-channel first thin film transistor is connected from the second power supply line to the first power supply line. The driving current flowing toward the light source is increased in accordance with the decrease in the light emission amount.
(37) In another aspect of the pixel circuit, the drive current compensation element includes a thin film transistor formed by the same manufacturing process as the first thin film transistor.

 この態様によれば、駆動電流補償素子を製造するために、別途製造工程を必要としないので製造上有利である。
(38)本発明の第3の表示装置は上述の技術的課題を解決するために、画素毎に設けられた電流駆動型の発光素子と、該画素毎に設けられており前記発光素子に流れる駆動電流をデータ信号の電圧に応じて制御する駆動素子と、前記発光素子に前記駆動電流を前記駆動素子を介して流すための電源を電源配線を介して供給する電源部と、画像信号源から入力される画像信号に対応する電圧を持つデータ信号を信号線を介して前記駆動素子に供給する信号線駆動回路と、前記信号線を介して所定電圧のデータ信号を前記駆動素子に供給したときに前記発光素子を流れる駆動電流の電流量及び前記発光素子から発せられる光の発光量のうち少なくとも一方を測定する測定部と、前記画像信号源と前記信号線駆動回路との間に介在しており前記測定された電流量及び発光量の少なくとも一方が所定基準値に近付くように前記画像信号を補正した後に前記信号線駆動回路に入力する補正回路とを備えたことを特徴とする。
According to this aspect, a separate manufacturing process is not required to manufacture the drive current compensating element, which is advantageous in manufacturing.
(38) In order to solve the above-mentioned technical problem, the third display device of the present invention includes a current-driven light-emitting element provided for each pixel and a current-driven light-emitting element provided for each pixel and flowing to the light-emitting element. A driving element that controls a driving current according to a voltage of a data signal, a power supply unit that supplies a power for flowing the driving current to the light emitting element through the driving element via a power supply wiring, and an image signal source. A signal line drive circuit for supplying a data signal having a voltage corresponding to an input image signal to the drive element via a signal line, and a data signal of a predetermined voltage supplied to the drive element via the signal line A measurement unit that measures at least one of a current amount of a driving current flowing through the light emitting element and a light emission amount of light emitted from the light emitting element, and a measuring unit that is interposed between the image signal source and the signal line driving circuit. Measurement At least one of the current amount and the amount of light emission is is characterized in that a correcting circuit to be input to the signal line driving circuit after correcting the image signal so as to approach a predetermined reference value.

 第3の表示装置によれば、電源部からの電源供給により、発光素子には、駆動電流が駆動素子を介して流れる。他方、駆動素子には、画像信号源から入力され画像信号に対応する電圧を持つデータ信号が、信号線駆動回路から信号線を介して供給される。そして、駆動素子により、発光素子に流れる駆動電流がデータ信号の電圧に応じて制御される。これらの結果、電流駆動型の発光素子は、駆動電流によりデータ信号の電圧に対応して発光する。ここで、例えば非表示期間において信号線を介して所定電圧のデータ信号が駆動素子に供給されたときに、測定部により、発光素子を流れる駆動電流の電流量又は発光素子の発光量が測定される。このように測定された電流量又は発光量が所定基準値(即ち、基準電流量又は基準発光量)に近付くように、画像信号が補正回路により補正される。そして、補正された画像信号が信号線駆動回路に入力される。従って、駆動素子には、補正された画像信号に対応する電圧を持つデータ信号が、信号線駆動回路から信号線を介して供給される。 According to the third display device, the drive current flows through the light emitting element through the drive element by the power supply from the power supply unit. On the other hand, a data signal input from an image signal source and having a voltage corresponding to the image signal is supplied to the drive element from a signal line drive circuit via a signal line. Then, the driving element controls the driving current flowing through the light emitting element according to the voltage of the data signal. As a result, the current-driven light-emitting element emits light corresponding to the voltage of the data signal by the drive current. Here, for example, when a data signal of a predetermined voltage is supplied to the driving element via the signal line in the non-display period, the measuring unit measures the amount of driving current flowing through the light emitting element or the amount of light emission of the light emitting element. You. The image signal is corrected by the correction circuit so that the current amount or the light emission amount thus measured approaches a predetermined reference value (that is, the reference current amount or the reference light emission amount). Then, the corrected image signal is input to the signal line driving circuit. Therefore, a data signal having a voltage corresponding to the corrected image signal is supplied to the driving element from the signal line driving circuit via the signal line.

 従って、発光素子や駆動素子の経時劣化により、発光素子や駆動素子の抵抗が増加等して駆動電流が流れ難くなったり、発光素子が発光し難くなったりしても、当該発光素子における駆動電流量或いは発光量は、ほぼ一定とされる。 Therefore, even if the resistance of the light emitting element or the driving element increases due to the deterioration of the light emitting element or the driving element with time, the driving current hardly flows or the light emitting element hardly emits light. The amount or the amount of light emission is substantially constant.

 更に、補正回路による補正を複数の画素について個別に行うようにすれば、複数の画素間で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性や電流発光特性にバラツキがあったとしても、当該複数の画素の発光素子における駆動電流量或いは発光量を、ほぼ一定にできる。 Furthermore, if the correction by the correction circuit is individually performed for a plurality of pixels, even if the voltage-current characteristics and the current emission characteristics of the light-emitting element and the driving element vary among the plurality of pixels, the plurality of pixels The amount of drive current or the amount of light emission in the light emitting element can be made substantially constant.

 以上の結果、第3の表示装置によれば、有機EL素子等の電流駆動型の発光素子を薄膜トランジスタ等の駆動素子により駆動する表示装置において、各素子の経時劣化や特性バラツキによる画面輝度の低下や画面ムラを低減できる。
(39)第3の表示装置の一つの態様では、前記駆動素子は、ゲートに前記データ信号が供給されると共にゲート電圧によりコンダクタンスが制御されるソース及びドレイン間を介して前記駆動電流が流れる薄膜トランジスタからなる。
As a result, according to the third display device, in a display device in which a current-driven type light-emitting element such as an organic EL element is driven by a driving element such as a thin film transistor, a decrease in screen luminance due to deterioration with time or variation in characteristics of each element. And screen unevenness can be reduced.
(39) In one aspect of the third display device, the driving element is a thin film transistor in which the driving current flows through a source and a drain whose conductance is controlled by a gate voltage while the data signal is supplied to a gate. Consists of

 この態様によれば、薄膜トランジスタのゲートにデータ信号が供給されると、そのソース及びドレイン間のコンダクタンスは、ゲート電圧により制御(変化)される。従って、このソース及びドレイン間を介して発光素子に流れる駆動電流を、データ信号の電圧に応じて制御することができる。
(40)第3の表示装置の他の態様では、前記測定された電流量及び発光量の少なくとも一方を記憶するメモリ装置を更に備えており、前記補正回路は、該記憶された電流量及び発光量の少なくとも一方に基づいて前記画像信号を補正する。
According to this aspect, when a data signal is supplied to the gate of the thin film transistor, the conductance between the source and the drain is controlled (changed) by the gate voltage. Therefore, the drive current flowing to the light emitting element via between the source and the drain can be controlled according to the voltage of the data signal.
(40) In another aspect of the third display device, the display device further includes a memory device for storing at least one of the measured current amount and the light emission amount, and the correction circuit includes the stored current amount and the light emission amount. The image signal is corrected based on at least one of the quantities.

 この態様によれば、測定された電流量又は発光量は、メモリ装置に記憶される。そして、画像信号は、該記憶された電流量又は発光量に基づいて補正回路により補正される。従って、表示期間とは時間的に相前後する非表示期間における測定により、表示期間における補正を行うことが可能となる。更に、複数の画素に対する補正を同一の測定部や補正回路を用いて行うことが可能となる。
(41)第3の表示装置の他の態様では、前記電源配線は、画素列に対応して設けられており、前記測定部は、前記駆動電流の電流量を測定し、前記電源配線を表示期間に前記電源部の側に接続すると共に非表示期間に前記測定部の側に接続する切換スイッチと、順次パルスを前記電源配線の各々に対応して順次出力するシフトレジスタと、前記非表示期間に前記順次パルスに応じて前記電源配線の各々と前記測定部との間の導通を順次制御する伝送スイッチとを含む共通線駆動回路を更に備える。
According to this aspect, the measured current amount or light emission amount is stored in the memory device. Then, the image signal is corrected by the correction circuit based on the stored current amount or light emission amount. Therefore, it is possible to perform correction in the display period by performing measurement in the non-display period that is temporally before and after the display period. Further, it is possible to perform correction for a plurality of pixels using the same measurement unit and correction circuit.
(41) In another aspect of the third display device, the power supply line is provided corresponding to a pixel column, and the measuring unit measures the amount of the drive current and displays the power supply line. A changeover switch connected to the power supply unit side during a period and connected to the measurement unit side during a non-display period, a shift register for sequentially outputting pulses sequentially to each of the power supply lines, and the non-display period. A common line driving circuit including a transmission switch for sequentially controlling conduction between each of the power supply wirings and the measurement unit in accordance with the sequential pulse.

 この態様によれば、共通線駆動回路内において、表示期間には、電源配線は切換スイッチにより電源部の側に接続される。従って、電源部からの電源供給を受けて発光素子は発光して通常の表示動作を行う。他方、非表示期間には、電源配線は切換スイッチにより測定部の側に接続される。この際、シフトレジスタからは、電源配線の各々に対応して順次パルスが順次出力され、伝送スイッチにより順次パルスに応じて電源配線の各々と測定部との間の導通が順次とられる。そして、測定部により、駆動電流の電流量が測定される。従って、画素列に対応して設けられた電源配線を測定対象として順次選択することにより、画素列毎の電流量測定が可能となり、更に、走査信号を用いて行毎に発光素子を駆動する構成を採れば、画素毎の電流量測定が可能となる。この結果、画素列毎或いは画素毎の補正が可能となる。
(42)第3の表示装置の他の態様では、前記測定部は、前記発光量を測定し、画素列に対応して設けられており前記発光量を示す電気信号を前記測定部に伝送する検光線と、順次パルスを前記検光線の各々に対応して順次出力するシフトレジスタと、非表示期間に前記順次パルスに応じて前記検光線の各々と前記測定部との間の導通を順次制御する伝送スイッチとを含む検光線駆動回路とを更に備える。
According to this aspect, in the common line driving circuit, during the display period, the power supply wiring is connected to the power supply unit by the changeover switch. Accordingly, the light-emitting element receives light from the power supply unit and emits light to perform a normal display operation. On the other hand, during the non-display period, the power supply wiring is connected to the measurement unit side by the changeover switch. At this time, a pulse is sequentially output from the shift register corresponding to each of the power supply lines, and conduction between each of the power supply lines and the measuring unit is sequentially established by the transmission switch in accordance with the pulse. Then, the measuring unit measures the amount of the driving current. Therefore, by sequentially selecting the power supply wiring provided corresponding to the pixel column as a measurement target, the amount of current can be measured for each pixel column, and further, the light emitting element is driven for each row using a scanning signal. Is adopted, it becomes possible to measure the amount of current for each pixel. As a result, correction can be performed for each pixel column or each pixel.
(42) In another aspect of the third display device, the measuring unit measures the light emission amount and transmits an electric signal indicating the light emission amount, which is provided corresponding to a pixel column, to the measurement unit. An inspection light beam, a shift register for sequentially outputting a sequential pulse in response to each of the inspection light beams, and sequentially controlling conduction between each of the inspection light beams and the measurement unit according to the sequential pulses in a non-display period. And a light detection drive circuit including a transmission switch.

 この態様によれば、非表示期間には、シフトレジスタからは、検光線の各々に対応して順次パルスが順次出力され、伝送スイッチにより順次パルスに応じて検光線の各々と測定部との間の導通が順次とられる。そして、測定部により、発光量が測定される。従って、画素列に対応して設けられた検光線を測定対象として順次選択することにより、画素列毎の発光量測定が可能となり、更に、走査信号を用いて行毎に発光素子を駆動する構成を採れば、画素毎の発光量測定が可能となる。この結果、画素列毎或いは画素毎の補正が可能となる。
(43)第3の表示装置の他の態様では、前記測定部は、半導体素子の光励起電流によって前記発光量を測定する。
According to this aspect, in the non-display period, the shift register sequentially outputs pulses sequentially corresponding to each of the inspection light beams, and the transmission switch sequentially switches between each of the inspection light beams and the measurement unit according to the pulse. Are sequentially conducted. Then, the light emission amount is measured by the measurement unit. Therefore, by sequentially selecting the inspection light beam provided corresponding to the pixel column as a measurement object, it becomes possible to measure the light emission amount for each pixel column, and further, to drive the light emitting elements for each row using a scanning signal. Is adopted, it becomes possible to measure the light emission amount for each pixel. As a result, correction can be performed for each pixel column or each pixel.
(43) In another aspect of the third display device, the measurement unit measures the light emission amount by a photoexcitation current of a semiconductor element.

 この態様によれば、半導体素子の光励起電流によって、発光素子の発光量が測定部により測定され、この測定された発光量に基づいて補正が行われる。従って、比較的単純な素子を用いて高精度の測定を行うことが可能となる。
(44)このように半導体素子の光励起電流によって測定する態様では、前記半導体素子がPINダイオードであってもよい。
According to this aspect, the light emission amount of the light emitting element is measured by the measurement unit by the photoexcitation current of the semiconductor element, and correction is performed based on the measured light emission amount. Therefore, highly accurate measurement can be performed using a relatively simple element.
(44) In the aspect in which the measurement is performed using the photoexcitation current of the semiconductor element, the semiconductor element may be a PIN diode.

 この場合、PINダイオードのPIN接合部における光励起電流によって、発光素子の発光量が測定可能となる。
(45)或いは、このように半導体素子の光励起電流によって測定する態様では、前記半導体素子が電界効果型トランジスタであってもよい。
In this case, the light emission amount of the light emitting element can be measured by the photoexcitation current at the PIN junction of the PIN diode.
(45) Alternatively, in the aspect in which the measurement is performed by the photoexcitation current of the semiconductor element, the semiconductor element may be a field-effect transistor.

 この場合、電界効果トランジスタのチャネル部における光励起電流によって、発光素子の発光量が測定可能となる。
(46) 或いは、このように半導体素子の光励起電流によって測定する態様では、前記駆動素子は薄膜トランジスタからなり、該薄膜トランジスタと前記半導体素子とが、同一の工程で形成されるように構成してもよい。
In this case, the light emission amount of the light emitting element can be measured by the photoexcitation current in the channel portion of the field effect transistor.
(46) Alternatively, in the aspect in which measurement is performed using the photoexcitation current of the semiconductor element, the driving element may be formed of a thin film transistor, and the thin film transistor and the semiconductor element may be formed in the same process. .

 この態様によれば、駆動素子と半導体素子とを同一の工程で形成できるので、製造上有利である。
(47)第3の表示装置の他の態様では、前記駆動素子は、600℃以下の低温プロセスで形成された、多結晶シリコン薄膜トランジスタからなる。
According to this aspect, the driving element and the semiconductor element can be formed in the same step, which is advantageous in manufacturing.
(47) In another aspect of the third display device, the driving element is formed of a polycrystalline silicon thin film transistor formed by a low-temperature process at 600 ° C. or lower.

 この態様によれば、比較的低価格の大型ガラス基板等の上に、高駆動能力を持つ駆動素子を、低コストで作成することが可能となる。
(48)第3の表示装置の他の態様では、前記発光素子は、インクジェットプロセスで形成された、有機エレクトロルミネッセンス素子からなる。
According to this aspect, it is possible to produce a driving element having high driving capability on a relatively low-cost large-sized glass substrate or the like at low cost.
(48) In another aspect of the third display device, the light emitting element is an organic electroluminescence element formed by an inkjet process.

 この態様によれば、発光効率が高く長寿命の発光素子を作成することができ、基板上でのパターニングを容易に行うことができる。更に、プロセス中の廃棄材料が少なく、プロセス用の装置も比較的低価格であるため、当該表示装置における低コスト化を実現できる。
(49)第3の表示装置の他の態様では、前記測定部は、前記駆動電流及び前記発光量の少なくとも一方の測定を画素毎に行い、前記補正回路は、該画素毎に前記画像信号を補正する。
According to this aspect, a light-emitting element having high luminous efficiency and long life can be manufactured, and patterning on a substrate can be easily performed. Further, since the amount of waste material during the process is small and the cost of the process equipment is relatively low, the cost of the display device can be reduced.
(49) In another aspect of the third display device, the measurement unit measures at least one of the drive current and the light emission amount for each pixel, and the correction circuit converts the image signal for each pixel. to correct.

 この態様によれば、駆動電流又は発光量の測定が測定部により画素毎に行われ、前記画像信号は補正回路により画素毎に補正される。従って、複数の画素間で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性や電流発光特性に、製造バラツキや表示履歴による劣化の程度の差に起因したバラツキ等のバラツキがあったとしても、当該複数の画素の発光素子における駆動電流量或いは発光量を、ほぼ一定にできる。この結果、各素子の特性バラツキによる画面ムラを詳細に低減できる。
(50)第3の表示装置の他の態様では、前記測定部は、前記駆動電流及び前記発光量の少なくとも一方の測定を複数の画素からなる所定単位毎に行い、前記補正回路は、該所定単位毎に前記画像信号を補正する。
According to this aspect, the measurement of the drive current or the light emission amount is performed for each pixel by the measurement unit, and the image signal is corrected for each pixel by the correction circuit. Therefore, even if there are variations in the voltage-current characteristics and the current emission characteristics of the light-emitting element and the drive element among the plurality of pixels due to differences in the degree of deterioration due to manufacturing variations and display histories, the plurality of pixels have variations. The amount of drive current or the amount of light emission in the light emitting element of the pixel can be made substantially constant. As a result, the screen unevenness due to the characteristic variation of each element can be reduced in detail.
(50) In another aspect of the third display device, the measurement unit measures at least one of the drive current and the light emission amount for each predetermined unit including a plurality of pixels, and the correction circuit performs the measurement on the predetermined unit. The image signal is corrected for each unit.

 この態様によれば、駆動電流又は発光量の測定が測定部により、複数の画素からなる所定単位毎に行われ、前記画像信号は補正回路により、この所定単位毎に補正される。この所定単位としては、例えば相隣接するn 個(n =2 、4 、8 、16 、32 、64 、…)の画素からなるが、その数は、要求される輝度の均一性や測定部や補正回路の処理能力に応じて決めればよい。従って、複数の所定単位間で、発光素子や駆動素子の電圧電流特性や電流発光特性に、製造バラツキや表示履歴による劣化の程度の差に起因したバラツキ等のバラツキがあったとしても、当該複数の所定単位の発光素子における駆動電流量或いは発光量を、ほぼ一定にできる。この結果、各素子の特性バラツキによる画面ムラを効率良く低減できる。そして、このような測定及び補正は、画素毎に測定及び補正を行う場合と比較して、比較的短時間で且つ容易に行うことが可能である。
(51)第3の表示装置の他の態様では、前記補正回路は、前記画像信号の信号レベルを既定の信号レベルから他の既定の信号レベルへと変換することにより前記画像信号を補正する。
According to this aspect, the measurement of the drive current or the light emission amount is performed by the measuring unit for each predetermined unit including a plurality of pixels, and the image signal is corrected by the correction circuit for each predetermined unit. The predetermined unit is composed of, for example, n (n = 2, 4, 8, 16, 32, 64,...) Pixels adjacent to each other. What is necessary is just to determine according to the processing capacity of a correction circuit. Therefore, even if there are variations in the voltage-current characteristics and current emission characteristics of the light-emitting element and the drive element among a plurality of predetermined units due to differences in the degree of deterioration due to manufacturing variation or display history, the variation is not considered. The amount of drive current or the amount of light emission in the predetermined unit of light emitting elements can be made substantially constant. As a result, it is possible to efficiently reduce the screen unevenness due to the characteristic variation of each element. Such measurement and correction can be performed in a relatively short time and easily as compared with the case where measurement and correction are performed for each pixel.
(51) In another aspect of the third display device, the correction circuit corrects the image signal by converting a signal level of the image signal from a predetermined signal level to another predetermined signal level.

 この態様によれば、前記補正回路による補正の際に、画像信号の信号レベルは既定の信号レベルから他の既定の信号レベルへと変換されるので、規定の信号レベルとは異なる信号レベルを設けておく必要が無い。これにより、例えば、信号線駆動回路の構成を簡素化できたり、信号線駆動回路で必要な電源の種類を減らしたり出来る。この結果、表示装置として、回路の簡素化、動作の高速化及び消費電流の低減を実現できる。
(52)本発明の第4の表示装置は上述の技術的課題を解決するために、上述した本発明の各種態様における画素回路を画素毎に備えたことを特徴とする。
According to this aspect, at the time of correction by the correction circuit, the signal level of the image signal is converted from a predetermined signal level to another predetermined signal level, so that a signal level different from the specified signal level is provided. There is no need to keep it. Accordingly, for example, the configuration of the signal line driver circuit can be simplified, and the types of power supplies required in the signal line driver circuit can be reduced. As a result, as a display device, simplification of a circuit, high-speed operation, and reduction in current consumption can be realized.
(52) A fourth display device according to the present invention is characterized in that the pixel circuits according to the various aspects of the present invention described above are provided for each pixel in order to solve the above technical problem.

 第4の表示装置によれば、画素毎に本発明の画素回路を備えているので、発光素子や駆動素子における経時劣化や特性バラツキによる画面輝度の低下や画面ムラが低減された高品位の画像表示が可能となる。
(53)本発明の電子機器は上述の技術的課題を解決するために、上述した本発明の各種態様における第1 、第2 及び第3 表示装置のいずれか一つを備えたことを特徴とする。
According to the fourth display device, since the pixel circuit of the present invention is provided for each pixel, a high-quality image with reduced screen luminance and screen unevenness due to aging deterioration and characteristic variation in light emitting elements and driving elements is reduced. Display becomes possible.
(53) In order to solve the above technical problems, an electronic apparatus according to the present invention includes any one of the first, second, and third display devices according to the various aspects of the present invention. I do.

 本発明の電子機器によれば、本発明の表示装置を備えているので、発光素子や駆動素子における経時劣化や特性バラツキによる画面輝度の低下や画面ムラが低減された高品位の画像表示が可能な各種の電子機器を実現できる。 According to the electronic device of the present invention, since the display device of the present invention is provided, high-quality image display with reduced screen luminance and reduced screen unevenness due to aging deterioration and characteristic variation in light emitting elements and driving elements can be performed. Various electronic devices can be realized.

 以下、本発明を実施するための最良の形態について実施例毎に図面に基づいて説明する。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described for each embodiment with reference to the drawings.

 先ず以下に説明する各実施例のTFT−OELD(即ち、駆動用の薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジスタにより電流駆動される有機EL 素子)を備えた表示装置において共通する基本的な構成について図1 及び図2 を参照して説明する。ここに、図1 は、表示装置の基本的な全体構成を示すブロック図であり、特に4つの相隣接する画素に夫々設けられた画素回路の基本的な回路構成を示す回路図を含む。また、図2 は、この表示装置の一画素の平面図である。 First, FIGS. 1 and 2 show a basic configuration common to a display device including a TFT-OELD (that is, a driving thin film transistor and an organic EL element driven by the thin film transistor) of each embodiment described below. It will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a basic overall configuration of the display device, and particularly includes a circuit diagram showing a basic circuit configuration of a pixel circuit provided in each of four adjacent pixels. FIG. 2 is a plan view of one pixel of the display device.

 図1に示すように、表示装置100は、TFTアレイ基板1上に、X方向に夫々延びておりY方向に配列された複数の走査線131と、Y方向に夫々延びておりX方向に配列された複数の信号線132及び複数の共通線(共通給電線)133と、走査線131に走査信号を供給する走査線駆動回路11と、信号線132にデータ信号を供給する信号線駆動回路12と、共通線133に所定電位の正電源(又は負電源)を供給する共通線駆動回路13とを備えて構成されている。そして、TFTアレイ基板1の中央には、表示領域15が設けられており、表示領域15内には、複数の画素10がマトリクス状に規定されている。 As shown in FIG. 1, the display device 100 includes a plurality of scanning lines 131 extending in the X direction and arranged in the Y direction on the TFT array substrate 1, and a plurality of scanning lines 131 extending in the Y direction and arranged in the X direction. The plurality of signal lines 132 and the plurality of common lines (common power supply lines) 133, the scanning line driving circuit 11 for supplying a scanning signal to the scanning line 131, and the signal line driving circuit 12 for supplying a data signal to the signal line 132 And a common line driving circuit 13 that supplies a positive power supply (or a negative power supply) of a predetermined potential to the common line 133. A display area 15 is provided at the center of the TFT array substrate 1, and a plurality of pixels 10 are defined in a matrix in the display area 15.

 図1及び図2に示すように、各画素10には、第2薄膜トランジスタの一例としてのスイッチングTFT221 、スイッチングTFT221に制御されて各画素への電流を制御する第1 薄膜トランジスタの一例としてのTFT(以下、カレントTFT と称す)223 、有機EL素子224及び保持容量222からなる画素回路が設けられている。更にカレントTFT223のドレインには、ITO(Indium Tin Oxide)膜等からなる画素電極141が接続されており(図2参照)、画素電極141に対して有機EL素子224を介してAl(アルミニウム)膜等からなる対向電極が対向配置されている。この対向電極は、例えば接地されているか或いは所定電位の負電源(又は正電源)に接続されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, each pixel 10 includes a switching TFT 221 as an example of a second thin film transistor, and a TFT (hereinafter, referred to as an example) of a first thin film transistor controlled by the switching TFT 221 to control current to each pixel. 223, a pixel circuit including an organic EL element 224 and a storage capacitor 222. Further, a pixel electrode 141 made of an ITO (Indium Tin Oxide) film or the like is connected to the drain of the current TFT 223 (see FIG. 2), and an Al (aluminum) film is connected to the pixel electrode 141 via the organic EL element 224. And the like are disposed facing each other. The counter electrode is, for example, grounded or connected to a negative power supply (or positive power supply) having a predetermined potential.

 以上のように構成されているため、一画素における発光動作は、以下のように行われる。即ち、走査線駆動回路11から走査線131への走査信号の出力があり且つ信号線駆動回路12から信号線132にデータ信号が供給された際に、これらの走査線131及び信号線132に対応する画素10におけるスイッチングTFT221がオンとなり、信号線132に供給されるデータ信号の電圧(Vsig)がカレントTFT223のゲートに印加される。これにより、ゲート電圧に応じた駆動電流(Id)が共通線駆動回路13から共通線133を介してカレントTFT223のドレイン・ソース間に流れ、更に画素電極141 (図2 参照)を介して有機EL素子224から対向電極へと流れて、有機EL素子224が発光する。そして、スイッチングTFT221がオンの間に保持容量222に充電された電荷が、スイッチングTFT221がオフとなった後に放電されて、この有機EL素子224を流れる電流はスイッチングTFT221 がオフとなった後にも所定期間に亘り流れ続ける。 た め With the above configuration, the light emission operation in one pixel is performed as follows. That is, when a scanning signal is output from the scanning line driving circuit 11 to the scanning line 131 and a data signal is supplied to the signal line 132 from the signal line driving circuit 12, the scanning line driving circuit 11 corresponds to the scanning line 131 and the signal line 132. The switching TFT 221 in the corresponding pixel 10 is turned on, and the voltage (Vsig) of the data signal supplied to the signal line 132 is applied to the gate of the current TFT 223. As a result, a drive current (Id) corresponding to the gate voltage flows from the common line drive circuit 13 to the drain and source of the current TFT 223 via the common line 133, and further to the organic EL via the pixel electrode 141 (see FIG. 2). The organic EL element 224 emits light by flowing from the element 224 to the counter electrode. Then, the charge charged in the storage capacitor 222 while the switching TFT 221 is on is discharged after the switching TFT 221 is turned off, and the current flowing through the organic EL element 224 remains at a predetermined level even after the switching TFT 221 is turned off. Continue to flow over the period.

 尚、以下の各実施例では、表示装置の各画素において電流駆動される電流駆動型発光素子は有機EL素子とされているが、この有機EL素子に代えて、その他の例えば、無機のエレクトロルミネッセンス(以下、無機EL素子と称す)、LED(ライト・エミッティング・ダイオード=発光ダイオード)、LEP(ライト・エミッティング・ポリマー)等の公知の電流駆動型発光素子を用いて当該表示装置を構成してもよい。また、各電流駆動型発光素子の駆動電流を制御する駆動素子はカレントTFTとされているが、このカレントTFTに代えて、その他の例えばFET(電界効果トランジスタ)、バイポーラトランジスタ等の駆動素子を用いて当該表示装置を構成してもよい。電流駆動型発光素子や電流駆動用の駆動素子であれば、駆動電流が流れるにつれて経時劣化が多少なりとも生じるため、以下に説明する各実施例の効果が発揮される。但し、経時劣化が特に顕著である有機EL素子224及びカレントTFT223を用いて表示装置を構成した場合に、以下に説明する各実施例の効果が有効に発揮される。 In each of the embodiments described below, the current-driven light-emitting element that is current-driven in each pixel of the display device is an organic EL element. However, in place of this organic EL element, other elements such as inorganic electroluminescent elements are used. The display device is configured using known current-driven light-emitting elements such as an inorganic EL element (hereinafter, referred to as an inorganic EL element), an LED (light-emitting diode = light-emitting diode), and an LEP (light-emitting polymer). May be. The drive element for controlling the drive current of each current drive type light emitting element is a current TFT. Instead of this current TFT, another drive element such as an FET (field effect transistor) or a bipolar transistor is used. May constitute the display device. In the case of a current-driven type light-emitting element or a current-driven drive element, the effect of each of the embodiments described below is exerted because deterioration with the passage of time occurs as the drive current flows. However, when a display device is configured using the organic EL element 224 and the current TFT 223 whose deterioration with time is particularly remarkable, the effects of the respective embodiments described below are effectively exhibited.

 以上説明した基本構成において、下記の実施例1〜実施例13に示した有機EL 素子224やカレントTFT223における経時劣化や特性のばらつきを適宜補正する回路や素子を付加することにより、表示領域15における画面輝度の低下や複数の画素10間における画面むらの発生を防止することが可能となる。以下、各実施例について説明する。 In the basic configuration described above, a circuit or an element for appropriately correcting the deterioration over time or variation in characteristics of the organic EL element 224 and the current TFT 223 shown in the following Examples 1 to 13 is added, so that the display area 15 can be obtained. It is possible to prevent a decrease in screen luminance and the occurrence of screen unevenness between the plurality of pixels 10. Hereinafter, each embodiment will be described.

 図3は、本発明の実施例1に係るTFT−OELDを備えた表示装置のブロック図である。本実施例では、共通電極駆動回路13は、共通線133(図1及び図2参照)に所定電位(例えば正電位)の電源信号を供給する回路である。対向電極駆動回路14 は、画素電極141(図2参照)に有機EL素子224を挟んで対向配置された対向電極に対し、所定電位(例えば、接地電位)の電源信号を供給する回路である。 FIG. 3 is a block diagram of a display device including the TFT-OELD according to the first embodiment of the present invention. In the present embodiment, the common electrode driving circuit 13 is a circuit that supplies a power signal of a predetermined potential (for example, a positive potential) to the common line 133 (see FIGS. 1 and 2). The counter electrode drive circuit 14 is a circuit that supplies a power signal of a predetermined potential (for example, a ground potential) to a counter electrode that is disposed to face the pixel electrode 141 (see FIG. 2) with the organic EL element 224 interposed therebetween.

 本実施例では特に、有機EL素子224やカレントTFT223の経時劣化による駆動電流の低下(従って、有機EL 素子224の発光量の低下)を補正するために、電流量測定器16、比較回路21a、電圧制御回路22a及びコントローラ23が設けられている。尚、これらの共通電極駆動回路13、対向電極駆動回路14、電流量測定器16、比較回路21a、電圧制御回路22a及びコントローラ23のうち少なくとも一つは、図1に示したTFTアレイ基板1上に設けられてもよいし、或いは、外部ICとして構成され、TFTアレイ基板1に対して外付けされてもよい。 In this embodiment, in particular, in order to correct a decrease in drive current due to the aging of the organic EL element 224 and the current TFT 223 (accordingly, a decrease in the amount of light emitted from the organic EL element 224), the current amount measuring device 16, the comparison circuit 21a, A voltage control circuit 22a and a controller 23 are provided. At least one of the common electrode driving circuit 13, the counter electrode driving circuit 14, the current measuring device 16, the comparison circuit 21a, the voltage control circuit 22a and the controller 23 is provided on the TFT array substrate 1 shown in FIG. Or may be configured as an external IC and externally attached to the TFT array substrate 1.

 電流量測定器16は、共通電極駆動回路13から、表示領域15内の表示用の有機EL素子224(図1参照)へ流れる駆動電流を測定する。 The current amount measuring device 16 measures a driving current flowing from the common electrode driving circuit 13 to the display organic EL element 224 (see FIG. 1) in the display area 15.

 比較回路21aは、電流量測定器16により測定された測定電流量IDと、予め設定された基準電流量I ref とを比較し、電圧制御回路22aは、その比較結果に基づき両電流量の差が小さくなるように共通電極駆動回路13の出力電圧(V com)を調整する。即ち、共通電極駆動回路13からの出力電圧(V com)に対して、測定電流量IDが基準電流量I ref に近付くようにフィードバックが掛けられる。この結果、仮にこのようなフィードバックを掛けなかった場合に有機EL素子224やカレントTFT223の経時劣化による有機EL素子224を流れる駆動電流の減少分は、共通電極駆動回路13の出力電圧(V com)の増加による駆動電流の増加分により補正される。 The comparison circuit 21a compares the measured current amount ID measured by the current amount measuring device 16 with a preset reference current amount I ref, and the voltage control circuit 22a determines a difference between the two current amounts based on the comparison result. The output voltage (V com) of the common electrode drive circuit 13 is adjusted so as to reduce. That is, feedback is applied to the output voltage (V com) from the common electrode drive circuit 13 so that the measured current amount ID approaches the reference current amount I ref. As a result, if such feedback is not applied, the decrease in the drive current flowing through the organic EL element 224 due to the deterioration with time of the organic EL element 224 and the current TFT 223 is the output voltage (V com) of the common electrode drive circuit 13. Is corrected by the increase in the drive current due to the increase in the drive current.

 このような本実施例による補正作用を図4を参照して説明する。 補正 The correction operation according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

 先ず、本実施例の如き補正を行わない場合について図4の上段を参照して説明する。この場合、画像信号の階調レベルD1に対応して画素表示する際に電圧V1のデータ信号を信号線に供給すると、駆動電流Id1が流れるように表示装置における共通電極電位、対向電極電位、データ信号の電源電位等が初期設定されていたとする。その後、有機EL素子やカレントTFTが経時劣化すると、同じ電圧V1のデータ信号を供給しても、有機EL素子を流れる駆動電流Idは、減少してしまう(ここで、減少後の電流をI d1 ’とする)。従って、このままの諸電圧の設定状態で、画像表示を行うと、駆動電流Id に応じて発光する有機EL素子の明るさ(輝度)は低下してしまうのである。 First, the case where the correction is not performed as in the present embodiment will be described with reference to the upper part of FIG. In this case, when a data signal of the voltage V1 is supplied to the signal line when displaying a pixel corresponding to the gradation level D1 of the image signal, the common electrode potential, the counter electrode potential, and the data in the display device are set so that the drive current Id1 flows. It is assumed that the power supply potential and the like of the signal have been initialized. Thereafter, when the organic EL element or the current TFT deteriorates with time, the driving current Id flowing through the organic EL element decreases even if a data signal of the same voltage V1 is supplied (here, the current after the decrease is represented by Id1). '). Therefore, when an image is displayed with the various voltages set as they are, the brightness (luminance) of the organic EL element that emits light in accordance with the drive current Id is reduced.

 次に、本実施例の如き補正を行う場合について図4の下段を参照して説明する。この場合には、有機EL素子224やカレントTFT223が経時劣化しても、同じ階調レベルD1に対しては初期状態と同じ駆動電流I d1 が得られるように、共通電極駆動回路13からの出力電圧(V com)が増加される。即ち、共通電極駆動回路13からの出力電圧(V com)を増加させることにより、階調レベルD1の画像信号に対しては、電圧V1よりもΔV1だけ高い電圧V1 ’のデータ信号が供給された時と同様の駆動電流I d1が流れる。 Next, the case of performing the correction as in the present embodiment will be described with reference to the lower part of FIG. In this case, even if the organic EL element 224 or the current TFT 223 deteriorates with time, the output from the common electrode driving circuit 13 is obtained so that the same driving current I d1 as in the initial state is obtained for the same gradation level D1. The voltage (V com) is increased. That is, by increasing the output voltage (V com) from the common electrode drive circuit 13, a data signal having a voltage V1 ′ higher than the voltage V1 by ΔV1 is supplied to the image signal of the gradation level D1. A drive current Id1 similar to that at the time flows.

 このように、有機EL 素子224を流れる駆動電流Idは、共通電極駆動回路13の出力電圧(V com)を上げることにより、画像信号に対する電流特性が初期状態と同じになるように補正されるのである。従って、このような経時劣化に対する補正処理(即ち、共通電極駆動回路13の出力電圧(V com)の調整処理)後に画像表示を行うと、有機EL素子224やカレントTFT223において顕著な経時劣化が発生していた場合にも、有機EL素子224の明るさ(輝度)の低下を低減することが出来る。 As described above, the drive current Id flowing through the organic EL element 224 is corrected by increasing the output voltage (V com) of the common electrode drive circuit 13 so that the current characteristic with respect to the image signal becomes the same as the initial state. is there. Therefore, when an image is displayed after the correction processing for such aging degradation (that is, the adjustment processing of the output voltage (Vcom) of the common electrode driving circuit 13), remarkable aging degradation occurs in the organic EL element 224 and the current TFT 223. Also in this case, it is possible to reduce a decrease in brightness (luminance) of the organic EL element 224.

 以上のような補正処理は、表示動作と並行してリアルタイムで行うことも可能である。但し、経時劣化の進行速度に鑑みれば、表示装置100の表示動作の間中常時行う必要性は低く、適当な期間をおいて行えば十分である。そこで本実施例では、コントローラ23により、例えば表示期間に先立って表示装置100の主電源投入時や一定の期間毎に通常の表示動作とは独立して、このような経時劣化に対する補正処理を行い、一の補正処理から次の補正処理までの間は共通電極駆動回路13の出力電圧値(V com)を最後に補正(調整)された値に固定するように構成されている。この構成によれば、補正処理により表示画像の画質に悪影響を与えない利点や、表示装置100における動作速度やリフレッシュレートを低下させない利点が得られる。 補正 The above-described correction processing can be performed in real time in parallel with the display operation. However, in view of the progression speed of the deterioration with time, it is not necessary to perform the operation all the time during the display operation of the display device 100, and it is sufficient to perform the operation after an appropriate period. Therefore, in the present embodiment, the controller 23 performs a correction process for such a deterioration with time, for example, when the main power supply of the display device 100 is turned on or before a display period and independently of a normal display operation. During the period from one correction process to the next correction process, the output voltage value (V com) of the common electrode drive circuit 13 is fixed to the last corrected (adjusted) value. According to this configuration, there is obtained an advantage that the image quality of the display image is not adversely affected by the correction process, and an advantage that the operation speed and the refresh rate of the display device 100 are not reduced.

 更に本実施例では、コントローラ23により、例えば、全ての有機EL素子224を最大限に発光させるデータ信号を供給するなど、所定パターンの画像表示を表示領域15において行いつつ、このような電圧制御回路22a等による補正処理を行うように構成されている。この構成により、精度よく電流量を測定することができ、正確に経時劣化による影響を補正することが可能となる。 Further, in the present embodiment, the controller 23 performs such a voltage control circuit while displaying an image of a predetermined pattern in the display area 15 such as supplying a data signal for causing all the organic EL elements 224 to emit light to the maximum. It is configured to perform a correction process by the reference numeral 22a or the like. With this configuration, the amount of current can be measured with high accuracy, and the effect of the deterioration with time can be accurately corrected.

 以上の結果、本実施例によれば、有機EL素子224を流れる駆動電流Idの電流量が低下する経時劣化が発生したときに、その経時劣化による電流低下分を精度良く補正し、画面輝度の低下を生じさせないようにすることが可能となる。 As a result, according to the present embodiment, when time-dependent deterioration occurs in which the amount of the drive current Id flowing through the organic EL element 224 decreases, the amount of current decrease due to the time-dependent deterioration is accurately corrected, and the screen brightness is reduced. It is possible to prevent the reduction from occurring.

 尚、本実施例では、測定した有機EL 素子224を流れる測定電流量IDに対応して、共通線133に印加される電圧、即ち画素電極141に印加される電圧を調整するように構成されている。しかしながら、本実施例の変形例として、このように測定された測定電流量IDに対応して、走査線131、信号線132(走査線131及び信号線132を総称して“バス配線”と称す)、又は、対向電極(画素電極141及び対向電極を総称して“電極”と称す)に印加される電圧を調整するように構成してもよい。 In this embodiment, the voltage applied to the common line 133, that is, the voltage applied to the pixel electrode 141 is adjusted in accordance with the measured current amount ID flowing through the organic EL element 224. I have. However, as a modified example of the present embodiment, the scanning line 131 and the signal line 132 (the scanning line 131 and the signal line 132 are collectively referred to as “bus wiring”) corresponding to the measured current amount ID measured in this manner. ) Or the voltage applied to the counter electrode (the pixel electrode 141 and the counter electrode are collectively referred to as “electrode”) may be adjusted.

 即ち、例えば、図5に示したように、図3に示した電圧制御回路22aに代えて、比較回路21aにおいて比較される測定電流量IDと基準電流量I ref とが一致するように対向電極駆動回路14の電圧を調整する電圧制御回路22bを設けても、上述の実施例1と同様の効果が得られる。但し、この場合には、対向電極を接地したのでは機能しないことは言うまでもない。 That is, for example, as shown in FIG. 5, instead of the voltage control circuit 22a shown in FIG. 3, the counter electrode is set so that the measured current amount ID and the reference current amount I ref compared in the comparison circuit 21a match. Even when the voltage control circuit 22b for adjusting the voltage of the drive circuit 14 is provided, the same effect as in the first embodiment can be obtained. However, in this case, it goes without saying that it does not function if the counter electrode is grounded.

 或いは、図6に示したように、図3に示した電圧制御回路22aに代えて、比較回路21aにおいて比較される測定電流量IDと基準電流量I ref とが一致するように信号線駆動回路12の電圧を調整する電圧制御回路22cを設けても、上述の実施例1と同様の効果が得られる。 Alternatively, as shown in FIG. 6, in place of the voltage control circuit 22a shown in FIG. 3, the signal line drive circuit may be such that the measured current amount ID compared with the comparison circuit 21a and the reference current amount I ref match. Even when the voltage control circuit 22c for adjusting the voltage of the twelfth is provided, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

 更に、以上の実施例1及びその変形例において、補正処理(電圧制御回路22a等による電圧調整処理)を行う際に表示領域15に表示する所定パターンとしては、例えば、前述のように全ての有機EL素子224を最大限に発光させるデータ信号を供給する一種類のパターンを用いてもよく、或いは、コントローラ23による制御下で、複数のパターンについての測定電流量IDを予め各パターンに対して設定された基準電流量I ref と夫々比較して、例えば、複数のパターンについての両者の差の合計が最も小さくなるように電圧制御回路22a等による電圧調整を行うように構成してもよい。 Further, in the above-described first embodiment and its modifications, the predetermined pattern displayed on the display area 15 when performing the correction processing (the voltage adjustment processing by the voltage control circuit 22a or the like) may be, for example, all the organic One type of pattern that supplies a data signal that causes the EL element 224 to emit light to the maximum may be used, or the measured current amount ID for a plurality of patterns is set in advance for each pattern under the control of the controller 23. For example, the voltage may be adjusted by the voltage control circuit 22a or the like such that the sum of the differences between the plurality of patterns becomes the smallest as compared with the reference current amount I ref thus obtained.

 特に、図6に示した信号線駆動回路12の出力電圧(即ち、データ信号の電圧V sig )を調整する変形例の場合には、コントローラ23による制御下で、このように複数のパターンについて測定電流量ID を夫々対応する基準電流量I refに一致させるようにデータ信号の電圧V sig を調整することにより、図7に示すように、データ信号の各電圧(Vn)を、駆動電流Id の各値I d1 、I d2 、…、I dn 、…について別々に、各電圧(Vn’)にまで夫々高めることも可能となる。即ち、データ信号V sig に対する駆動電流Idの電圧電流特性曲線がC1からC2のように経時劣化により複雑に変化した場合(例えば、経時劣化による変化が低電流側で高電流側より激しい場合或いはその逆の場合等)に、このように各駆動電流Idの値に応じて補正量を定めれば、入力される画像信号の各階調レベルに対し、有機EL素子224における駆動電流Idや発光量を精度良く維持することが可能となる。 In particular, in the case of the modification example in which the output voltage of the signal line driving circuit 12 (that is, the voltage V sig of the data signal) shown in FIG. 6 is adjusted, the measurement is performed for a plurality of patterns under the control of the controller 23. By adjusting the voltage V sig of the data signal so that the current amount ID matches the corresponding reference current amount I ref, each voltage (Vn) of the data signal is adjusted as shown in FIG. Each of the values I d1, I d2,..., I dn,... Can be individually increased to each voltage (Vn ′). That is, when the voltage-current characteristic curve of the drive current Id with respect to the data signal V sig changes in a complicated manner due to aging as shown by C1 to C2 (for example, when the change due to aging is more intense on the low current side than on the high current side, or If the correction amount is determined in accordance with the value of each drive current Id in this way, the drive current Id and the light emission amount of the organic EL element 224 are determined for each gradation level of the input image signal. It is possible to maintain with high accuracy.

 以上詳細に説明したように本実施例及びその変形例によれば、実際に有機EL素子224を流れる駆動電流(測定電流量ID)と予め設定された基準電流(基準電流量I ref )との差に対応して、バス配線または電極に印加される電圧を調整するので、有機EL素子224やカレントTFT223における経時劣化を補正することが可能となる。 As described in detail above, according to the present embodiment and its modification, the drive current (measured current amount ID) actually flowing through the organic EL element 224 and the preset reference current (reference current amount I ref) are used. Since the voltage applied to the bus wiring or the electrode is adjusted in accordance with the difference, it is possible to correct the deterioration with time in the organic EL element 224 and the current TFT 223.

 図8は、本発明の実施例2に係るTFT−OELDを備えた表示装置のブロック図である。図8において、図3に示した実施例1と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、その説明は省略する。本実施例では、表示領域15に隣接して設けられた電流モニタ領域17内のモニタ用有機EL素子17aに対し共通電極及び対向電極間の電圧が印加されており、表示期間には、表示用の有機EL素子224(図1参照)とほぼ同じ条件で、モニタ用有機EL素子17aは電流駆動される。そして、経時劣化に対する補正処理を行う際には、電流量測定器16は、モニタ用有機EL素子17aを流れる電流I dm を測定する。この電流量測定器16による電流I dm の測定値である測定電流量ID を基準電流量I ref に一致させるように、比較回路21a、電圧制御回路22a及びコントローラ23により、共通電極駆動回路13の出力電圧(V com)を調整するように構成されている。その他の構成については、実施例1の場合と同様である。 FIG. 8 is a block diagram of a display device including the TFT-OELD according to the second embodiment of the present invention. 8, the same components as those of the first embodiment shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. In the present embodiment, the voltage between the common electrode and the counter electrode is applied to the monitoring organic EL element 17a in the current monitoring area 17 provided adjacent to the display area 15, and during the display period, Under substantially the same conditions as the organic EL element 224 (see FIG. 1), the monitor organic EL element 17a is driven by current. Then, when performing the correction process for the deterioration over time, the current amount measuring device 16 measures the current I dm flowing through the monitoring organic EL element 17a. The comparison circuit 21a, the voltage control circuit 22a, and the controller 23 control the common electrode drive circuit 13 so that the measured current amount ID, which is a measured value of the current I dm by the current amount measuring device 16, matches the reference current amount I ref. It is configured to adjust the output voltage (V com). Other configurations are the same as those in the first embodiment.

 以上のように構成されているため実施例2によれば、有機EL素子224やカレントTFT223 (図1 及び図2 参照)の電流量が低下する経時劣化が発生したときに、その経時劣化による電流低下を補正し、表示領域15 における画面輝度の低下を低減することが可能となる。 With the above-described configuration, according to the second embodiment, when the current amount of the organic EL element 224 and the current TFT 223 (see FIGS. 1 and 2) deteriorates with time, the current due to the time-dependent deterioration occurs. By compensating the decrease, it is possible to reduce the decrease in the screen brightness in the display area 15.

 尚、本実施例では特に、表示用の有機EL素子224とモニタ用EL素子17aとは、同一のTFTアレイ基板1上に同一の製造工程により形成されている。従って、モニタ用有機EL素子17aを形成するための工程を別途設ける必要が無い。しかも、電流駆動される表示用の有機EL素子224とモニタ用有機EL素子17aとにおける経時劣化傾向を相類似させることができ、モニタ用有機EL素子17aを流れる電流I dm に基づいて表示用の有機EL素子224における経時劣化に対する補正をかなり適切に行うことが可能となる。 In the present embodiment, particularly, the display organic EL element 224 and the monitor EL element 17a are formed on the same TFT array substrate 1 by the same manufacturing process. Therefore, it is not necessary to separately provide a step for forming the monitor organic EL element 17a. In addition, it is possible to make the current-driven display organic EL element 224 and the monitor organic EL element 17a similar in terms of aging over time, and the display organic EL element 224 is based on the current I dm flowing through the monitor organic EL element 17a. It is possible to fairly appropriately correct the deterioration over time in the organic EL element 224.

 また実施例2においても、実施例1の場合と同様に、経時劣化に対する補正処理は、例えば表示期間に先立って表示装置100の主電源投入時や一定の期間毎に行ってもよいし、リアルタイムで行ってもよい。更に、変形例として、このように測定された測定電流量IDに対応して、走査線駆動回路11、信号線駆動回路12又は対向電極駆動回路14における出力電圧を調整するように構成してもよい。特に、信号線駆動回路12の出力電圧を調整する変形例の場合には、コントローラ23による制御下で、明るさの相異なる複数の表示を電流モニタ領域17で行うようにモニタ用有機EL素子17aを駆動すれば、各明るさに対して得られる測定電流量ID を夫々対応する基準電流量I ref に一致させるようにデータ信号の電圧V sig を調整することにより、経時劣化による電流電圧特性に複雑な変化が生じた場合等にも対処可能である。 Also, in the second embodiment, similarly to the first embodiment, the correction processing for the aging deterioration may be performed, for example, at the time of turning on the main power supply of the display device 100 or at regular intervals before the display period. May be performed. Further, as a modification, the output voltage of the scanning line driving circuit 11, the signal line driving circuit 12, or the counter electrode driving circuit 14 may be adjusted in accordance with the measured current amount ID measured in this manner. Good. In particular, in the case of a modification in which the output voltage of the signal line drive circuit 12 is adjusted, the monitor organic EL element 17a is controlled by the controller 23 so that a plurality of displays having different brightnesses are performed in the current monitor area 17. Is driven, the voltage V sig of the data signal is adjusted so that the measured current amount ID obtained for each brightness coincides with the corresponding reference current amount I ref. It is possible to cope with a case where a complicated change occurs.

 図9は、本発明の実施例3に係るTFT−OELDを備えた表示装置のブロック図である。図9において、図3に示した実施例1と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、その説明は省略する。 FIG. 9 is a block diagram of a display device including the TFT-OELD according to the third embodiment of the present invention. 9, the same components as those in the first embodiment shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

 本実施例では、実施例1における電流量測定器16に代えて、表示領域15内の表示用の有機EL素子224(図1参照)の発光量を測定する発光量測定器18が備えられている。経時劣化に対する補正を行う際には、走査線駆動回路11からの所定電圧の走査信号、信号線駆動回路12からの所定電圧のデータ信号、並びに共通電極駆動回路13及び対向電極駆動回路14からの所定電圧の電源信号が印加される。発光量測定器18は、これに応じて発光する有機EL素子224から発せられる光を検出する。比較回路21bは、その測定発光量LDと予め設定された基準発光量L ref とを比較する。そして、この比較される発光量LDと基準発光量L ref とを一致させるように、比較回路21b、電圧制御回路22a及びコントローラ23により、共通電極駆動回路13の出力電圧を調整するように構成されている。その他の構成については、実施例1の場合と同様である。 In the present embodiment, instead of the current amount measuring device 16 in the first embodiment, a light emitting amount measuring device 18 for measuring the light emitting amount of the display organic EL element 224 (see FIG. 1) in the display area 15 is provided. I have. When correcting for the deterioration over time, a scanning signal of a predetermined voltage from the scanning line driving circuit 11, a data signal of a predetermined voltage from the signal line driving circuit 12, and a signal from the common electrode driving circuit 13 and the counter electrode driving circuit 14 are output. A power signal of a predetermined voltage is applied. The light emission amount measuring device 18 detects light emitted from the organic EL element 224 that emits light in response thereto. The comparison circuit 21b compares the measured light emission amount LD with a preset reference light emission amount L ref. The output voltage of the common electrode drive circuit 13 is adjusted by the comparison circuit 21b, the voltage control circuit 22a, and the controller 23 so that the light emission amount LD to be compared and the reference light emission amount Lref are made to match. ing. Other configurations are the same as those in the first embodiment.

 以上のように構成された実施例3によれば、カレントTFT223(図1及び図2参照)におけるゲート電圧に対するドレイン電流(駆動電流)量が低下する経時劣化、有機EL素子224における電圧に対する電流量が低下する経時劣化、有機EL素子224における駆動電流に対する発光量が低下する経時劣化などが発生し、最終的に有機EL素子224における発光量が低下したときに、その経時劣化による発光量低下分を有機EL素子224に印加される電圧を増加することにより補正し、表示領域15における画面輝度の低下を防ぐことが可能となる。 According to the third embodiment configured as described above, the deterioration with time in which the amount of drain current (drive current) with respect to the gate voltage in the current TFT 223 (see FIGS. 1 and 2) decreases, and the amount of current with respect to the voltage in the organic EL element 224 When the light emission amount of the organic EL element 224 finally decreases, the light emission amount decreases due to the deterioration with time. Is corrected by increasing the voltage applied to the organic EL element 224, and it is possible to prevent a decrease in screen luminance in the display area 15.

 また実施例3においても、実施例1の場合と同様に、経時劣化に対する補正は、例えば表示期間に先立って表示装置100の主電源投入時や一定の期間毎に行ってもよいし、リアルタイムで行ってもよい。更に、変形例として、このように測定された測定発光量LDに対応して、走査線駆動回路11、信号線駆動回路12又は対向電極駆動回路14における出力電圧を調整するように構成してもよいし、経時劣化に対する補正を行う際の所定パターンは一種類でも複数種類でもよい。特に、信号線駆動回路12の出力電圧を調整する変形例の場合には、コントローラ23による制御下で、複数の所定パターンについて測定発光量LDを夫々対応する基準発光量L ref に一致させるようにデータ信号の電圧V sig を調整することにより、経時劣化による電流電圧特性の複雑な変化にも対処可能となる。 Also in the third embodiment, similarly to the first embodiment, the correction for the aging deterioration may be performed, for example, at the time of turning on the main power supply of the display device 100 before the display period, at regular intervals, or in real time. May go. Further, as a modification, the output voltage of the scanning line drive circuit 11, the signal line drive circuit 12, or the counter electrode drive circuit 14 may be adjusted in accordance with the measured light emission amount LD measured in this manner. Alternatively, one or a plurality of predetermined patterns may be used when correcting for the deterioration over time. In particular, in the case of a modified example in which the output voltage of the signal line drive circuit 12 is adjusted, under the control of the controller 23, the measured light emission amount LD is made to match the corresponding reference light emission amount L ref for a plurality of predetermined patterns. By adjusting the voltage V sig of the data signal, it is possible to cope with a complicated change in the current-voltage characteristic due to aging.

 図10は、本発明の実施例4に係るTFT−OELDを備えた表示装置のブロック図である。図10において、図3及び図9に夫々示した第1及び実施例3と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、その説明は省略する。 FIG. 10 is a block diagram of a display device including the TFT-OELD according to the fourth embodiment of the present invention. 10, the same components as those in the first and third embodiments shown in FIGS. 3 and 9, respectively, are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

 本実施例では、表示領域15に隣接して設けられた発光モニタ領域19内のモニタ用有機EL素子19aに対し共通電極及び対向電極間の電圧が印加されており、表示期間には、表示用の有機EL素子224(図1参照)とほぼ同じ条件で、モニタ用有機EL素子19aは電流駆動される。そして、経時劣化に対する補正を行う際には、発光量測定器18は、モニタ用有機EL素子19aの発光を測定する。この発光量測定器18による発光の測定値である測定発光量LDを基準発光量L ref に一致させるように、比較回路21b、電圧制御回路22a及びコントローラ23により、共通電極駆動回路13の出力電圧を調整するように構成されている。その他の構成については、第1及び実施例3の場合と同様である。 In this embodiment, the voltage between the common electrode and the counter electrode is applied to the monitor organic EL element 19a in the light emission monitor area 19 provided adjacent to the display area 15, and during the display period, the voltage is applied to the display. Under substantially the same conditions as the organic EL element 224 (see FIG. 1), the monitor organic EL element 19a is driven by current. Then, when correcting for the deterioration over time, the light emission amount measuring device 18 measures the light emission of the monitoring organic EL element 19a. The output voltage of the common electrode drive circuit 13 is determined by the comparison circuit 21b, the voltage control circuit 22a, and the controller 23 so that the measured light emission amount LD, which is the measured value of the light emission by the light emission amount measuring device 18, matches the reference light emission amount Lref. Is configured to be adjusted. Other configurations are the same as those in the first and third embodiments.

 以上のように構成された実施例4によれば、実施例3の場合と同様に、カレントTFT223(図1及び図2参照)や有機EL素子224における電圧に対する電流量が低下する経時劣化、有機EL素子224における駆動電流に対する発光量が低下する経時劣化などが発生し、最終的に有機EL素子224における発光量が低下したときに、その発光量低下分を補正し、表示領域15における画面輝度の低下を防ぐことが可能となる。 According to the fourth embodiment configured as described above, similarly to the third embodiment, the deterioration with time, in which the amount of current with respect to the voltage in the current TFT 223 (see FIGS. 1 and 2) and the organic EL element 224 is reduced. When the light emission amount with respect to the drive current in the EL element 224 decreases with time, and the light emission amount in the organic EL element 224 finally decreases, the decrease in the light emission amount is corrected, and the screen brightness in the display area 15 is corrected. Can be prevented from decreasing.

 また実施例4においても、実施例1の場合と同様に、経時劣化に対する補正は、例えば表示期間に先立って表示装置100の主電源投入時や一定の期間毎に行ってもよいし、リアルタイムで行ってもよい。更に、変形例として、このように測定された測定発光量LDに対応して、走査線駆動回路11、信号線駆動回路12又は対向電極駆動回路14における出力電圧を調整するように構成してもよいし、経時劣化に対する補正を行う際の所定パターンは一種類でも複数種類でもよい。特に、信号線駆動回路12の出力電圧を調整する変形例の場合には、コントローラ23による制御下で、複数の所定パターンについて測定発光量LDを夫々対応する基準発光量L ref に一致させるようにデータ信号の電圧V sig を調整することにより、経時劣化による電流電圧特性の複雑な変化にも対処可能となる。尚、本実施例では特に、表示用の有機EL素子224とモニタ用有機EL素子19aとは、同一のTFTアレイ基板1上に同一の製造工程により形成されている。従って、モニタ用EL素子19aを形成するための工程を別途設ける必要が無い。しかも、電流駆動される表示用の有機EL素子224とモニタ用有機EL素子19aとにおける経時劣化傾向は相類似したものにすることができ、モニタ用EL素子19aから発せられる光に基づいて表示用の有機EL素子224における経時劣化に対する補正を正確に行うことが可能となる。 Also in the fourth embodiment, similarly to the first embodiment, the correction for the deterioration over time may be performed, for example, when the main power of the display device 100 is turned on before the display period, at regular intervals, or in real time. May go. Further, as a modification, the output voltage of the scanning line drive circuit 11, the signal line drive circuit 12, or the counter electrode drive circuit 14 may be adjusted in accordance with the measured light emission amount LD measured in this manner. Alternatively, one or a plurality of predetermined patterns may be used when correcting for the deterioration over time. In particular, in the case of a modified example in which the output voltage of the signal line drive circuit 12 is adjusted, under the control of the controller 23, the measured light emission amount LD is made to match the corresponding reference light emission amount L ref for a plurality of predetermined patterns. By adjusting the voltage V sig of the data signal, it is possible to cope with a complicated change in the current-voltage characteristic due to aging. In this embodiment, in particular, the display organic EL element 224 and the monitor organic EL element 19a are formed on the same TFT array substrate 1 by the same manufacturing process. Therefore, it is not necessary to separately provide a step for forming the monitor EL element 19a. In addition, the current-driven display organic EL element 224 and the monitor organic EL element 19a can have similar aging characteristics, and the display organic EL element 224 is based on the light emitted from the monitor EL element 19a. It is possible to accurately correct the deterioration with time in the organic EL element 224.

 以下に説明する実施例5から実施例10は、上述の実施例1から実施例4の場合とは異なり、各画素の単位で発生する有機EL素子224やカレントTFT223における経時劣化による駆動電流量低下或いは有機EL素子224の発光量低下を、各画素の単位で補正する画素回路に関するものである。 The fifth to tenth embodiments described below are different from the first to fourth embodiments described above in that the amount of drive current decreases due to the deterioration over time in the organic EL element 224 and the current TFT 223 generated for each pixel. Alternatively, the present invention relates to a pixel circuit that corrects a decrease in the amount of light emitted from the organic EL element 224 in units of pixels.

 尚、以下の実施例5から実施例10では、複数の画素回路を画素毎に備えてなる表示装置の構成は、図1に示したものと同様であるので、その説明は省略する。
図11は、本発明の実施例5に係るTFT−OELDを含んで構成された画素回路の等価回路図である。尚、図11において、図1の各画素10内における回路図部分に示した構成要素と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
In Embodiments 5 to 10 below, the configuration of a display device including a plurality of pixel circuits for each pixel is the same as that shown in FIG. 1, and a description thereof will be omitted.
FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit including a TFT-OELD according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 11, the same components as those shown in the circuit diagram in each pixel 10 in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

 図11において、本実施例の画素回路では、有機EL素子224の両端の電圧と、これを流れる駆動電流Idの電流量との関係に依存して、第1給電線213と第2給電線間215の抵抗を変化させる。ここに、第1給電線213とは、共通線駆動回路からの所定電位の電源信号が供給される、画素電極に接続された各画素内における共通線部分である。他方、第2給電線間215とは、対向電極駆動回路からの所定電位の電源信号が供給される、対向電極に接続された各画素内における給電線部分である。 In FIG. 11, in the pixel circuit according to the present embodiment, the voltage between the first power supply line 213 and the second power supply line depends on the relationship between the voltage across the organic EL element 224 and the amount of the drive current Id flowing therethrough. 215 is changed. Here, the first power supply line 213 is a common line portion in each pixel connected to the pixel electrode to which a power supply signal of a predetermined potential is supplied from the common line driving circuit. On the other hand, the portion between the second power supply lines 215 is a power supply line portion in each pixel connected to the counter electrode to which a power signal of a predetermined potential is supplied from the counter electrode drive circuit.

 より具体的には、第1給電線(共通電極)213の電位が第2給電線(対向電極)215よりも高電位である(即ち、共通電極に正電源が供給されると共に対向電極に負電源が供給される)場合には、図11に示した通りに、nチャネル型の第1の補正用TFT231は、そのゲート電極が有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続され、ソース電極及びドレイン電極が有機EL素子224と第2給電線215間に有機EL素子224と直列に接続されるように付加される。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第1の補正用TFT231のゲート電圧が上昇し、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。従って実施例5によれば、経時劣化により有機EL素子224の抵抗が増加しても、第1の補正用TFT231のソース及びドレイン間の抵抗減少により、その有機EL素子224における抵抗増加による駆動電流Idの電流量低下を補正し、画面輝度の低下を低減することが可能となる。また、このような補正は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間でバラツキをもって発生したときに、或いは初期状態において複数の画素間で電流電圧特性にバラツキが存在するときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。 More specifically, the potential of the first power supply line (common electrode) 213 is higher than that of the second power supply line (counter electrode) 215 (that is, a positive power is supplied to the common electrode and a negative voltage is applied to the counter electrode). When power is supplied), as shown in FIG. 11, the n-channel first correction TFT 231 has its gate electrode connected to the electrode on the first power supply line side of the organic EL element 224, A source electrode and a drain electrode are added between the organic EL element 224 and the second power supply line 215 so as to be connected in series with the organic EL element 224. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the first correction TFT 231 increases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases. Therefore, according to the fifth embodiment, even if the resistance of the organic EL element 224 increases due to the deterioration over time, the drive current due to the increase in the resistance of the organic EL element 224 due to the decrease in the resistance between the source and the drain of the first correction TFT 231. It is possible to correct a decrease in the current amount of Id and reduce a decrease in screen luminance. Further, since such correction is performed on a pixel-by-pixel basis, when time-dependent deterioration occurs among a plurality of pixels or when current-voltage characteristics vary among a plurality of pixels in an initial state, the screen is not displayed. Non-uniformity can be prevented.

 なお、実施例5の変形例として、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも低電位である(即ち、共通電極に負電源が供給されると共に対向電極に正電源が供給される)場合には、第1の補正用TFT231をpチャネル型として、そのゲート電極を有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を有機EL素子224と第2給電線215間に有機EL素子224と直列に接続するように構成すればよい。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第1の補正用TFT231のゲート電圧が下降し、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少して、自動的に補正が行われる。本実施例では好ましくは、スイッチングTFT221、カレントTFT223及び第1の補正用TFT231は、同一のTFTアレイ基板上に同一の製造工程により形成されている。この構成によれば、製造工程を増加させることなく、経時劣化による駆動電流Idの低下を画素毎に補正することが可能となる。 As a modification of the fifth embodiment, the potential of the first power supply line 213 is lower than that of the second power supply line 215 (that is, the negative power is supplied to the common electrode and the positive power is supplied to the counter electrode). In this case, the first correction TFT 231 is of a p-channel type, its gate electrode is connected to the electrode on the first power supply line side of the organic EL element 224, and its source and drain electrodes are connected to the organic EL element 224. What is necessary is just to comprise so that it may be connected in series with the organic EL element 224 between 2 feeder lines 215. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the first correction TFT 231 decreases, the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases, and the correction is automatically performed. In this embodiment, preferably, the switching TFT 221, the current TFT 223, and the first correction TFT 231 are formed on the same TFT array substrate by the same manufacturing process. According to this configuration, it is possible to correct a decrease in the drive current Id due to deterioration with time for each pixel without increasing the number of manufacturing steps.

 図12は、本発明の実施例6に係るTFT−OELDを含んで構成された画素回路の等価回路図である。尚、図12において、図1及び図11に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。 FIG. 12 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit including a TFT-OELD according to Embodiment 6 of the present invention. In FIG. 12, the same components as those shown in FIGS. 1 and 11 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

 図12において、本実施例の画素回路では、有機EL素子224の両端の電圧と、これを流れる駆動電流Idの電流量との関係に依存して、第1給電線213と第2給電線間215の抵抗を変化させる。 In FIG. 12, in the pixel circuit of the present embodiment, the voltage between the first power supply line 213 and the second power supply line depends on the relationship between the voltage across the organic EL element 224 and the amount of the drive current Id flowing therethrough. 215 is changed.

 より具体的には、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも高電位である場合には、図12に示した通りに、pチャネル型の第2の補正用TFT232は、そのゲート電極が有機EL素子221の第2給電線側の電極に接続され、ソース電極およびドレイン電極が有機EL素子224と第1給電線間に有機EL素子224と直列に接続されるように付加される。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第2の補正用TFT232のゲート電圧が下降し、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。 More specifically, when the potential of the first power supply line 213 is higher than the potential of the second power supply line 215, as shown in FIG. The gate electrode is connected to the electrode on the second power supply line side of the organic EL element 221, and the source electrode and the drain electrode are added between the organic EL element 224 and the first power supply line so as to be connected in series with the organic EL element 224. You. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the second correction TFT 232 decreases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases.

 従って実施例6によれば、経時劣化により有機EL素子224の抵抗が増加しても、第2の補正用TFT232のソース及びドレイン間の抵抗減少により、その有機EL素子224における抵抗増加による駆動電流Idの電流量低下を補正し、画面輝度の低下を低減することが可能となる。また、このような補正は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間でバラツキをもって発生したときに、或いは初期状態において複数の画素間で電流電圧特性にバラツキが存在するときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。 Therefore, according to the sixth embodiment, even if the resistance of the organic EL element 224 increases due to deterioration with time, the drive current due to the increase in the resistance of the organic EL element 224 due to the decrease in the resistance between the source and the drain of the second correction TFT 232. It is possible to correct a decrease in the current amount of Id and reduce a decrease in screen luminance. Further, since such correction is performed on a pixel-by-pixel basis, when time-dependent deterioration occurs among a plurality of pixels or when current-voltage characteristics vary among a plurality of pixels in an initial state, the screen is not displayed. Non-uniformity can be prevented.

 なお、実施例6の変形例として、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも低電位である場合には、第2の補正用TFT232をnチャネル型TFTとして、そのゲート電極を有機EL素子224の第2給電線側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を有機EL素子224と第1給電線間に有機EL素子224と直列に接続するように構成すればよい。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第2の補正用TFT232のゲート電圧が上昇し、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少して、自動的に補正が行われる。 As a modification of the sixth embodiment, when the potential of the first power supply line 213 is lower than that of the second power supply line 215, the second correction TFT 232 is an n-channel TFT, and its gate electrode is The organic EL element 224 may be connected to the electrode on the second power supply line side, and the source electrode and the drain electrode may be connected in series with the organic EL element 224 between the organic EL element 224 and the first power supply line. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the second correction TFT 232 increases, the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases, and the correction is automatically performed.

 本実施例では好ましくは、スイッチングTFT221、カレントTFT223及び第2の補正用TFT232は、同一のTFTアレイ基板上に同一の製造工程により形成されている。この構成によれば、製造工程を増加させることなく、経時劣化による駆動電流Idの低下を画素毎に補正することが可能となる。 In the present embodiment, preferably, the switching TFT 221, the current TFT 223, and the second correction TFT 232 are formed on the same TFT array substrate by the same manufacturing process. According to this configuration, it is possible to correct a decrease in the drive current Id due to deterioration with time for each pixel without increasing the number of manufacturing steps.

 図13 は、本発明の実施例7に係るTFT−OELDを含んで構成された画素回路の等価回路図である。尚、図13において、図1及び図11に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。 FIG. 13 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit including a TFT-OELD according to Embodiment 7 of the present invention. In FIG. 13, the same components as those shown in FIGS. 1 and 11 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

 図13において、本実施例の画素回路では、有機EL素子224の両端の電圧と、これを流れる駆動電流Idの電流量との関係に依存して、保持容量222と第1給電線213間の抵抗を変化させる。
より具体的には、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも高電位である場合には、図13に示した通りに、カレントTFT223と同じnチャネル型の第3の補正用TFT233は、そのゲート電極が有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続され、ソース電極およびドレイン電極を保持容量222と第1給電線213間に接続されるように付加されている。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第3の補正用TFT233のゲート電圧が上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。このため、カレントTFT223のゲート電圧が上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。
13, in the pixel circuit according to the present embodiment, the voltage between the storage capacitor 222 and the first power supply line 213 depends on the relationship between the voltage between both ends of the organic EL element 224 and the amount of the drive current Id flowing therethrough. Change the resistance.
More specifically, when the potential of the first power supply line 213 is higher than the potential of the second power supply line 215, as shown in FIG. The TFT 233 is added such that its gate electrode is connected to the electrode on the first power supply line side of the organic EL element 224, and its source electrode and drain electrode are connected between the storage capacitor 222 and the first power supply line 213. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the third correction TFT 233 increases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases. For this reason, the gate voltage of the current TFT 223 increases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases.

 従って実施例7によれば、経時劣化により有機EL素子224の抵抗が増加しても、第3の補正用TFT233のソース及びドレイン間の抵抗減少により、その有機EL素子224における抵抗増加による駆動電流Idの電流量低下を補正し、画面輝度の低下を低減することが可能となる。また、このような補正は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間でバラツキをもって発生したときに、或いは初期状態において複数の画素間で電流電圧特性にバラツキが存在するときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。 Therefore, according to the seventh embodiment, even if the resistance of the organic EL element 224 increases due to the deterioration with time, the driving current due to the increase in the resistance of the organic EL element 224 due to the decrease in the resistance between the source and the drain of the third correction TFT 233. It is possible to correct a decrease in the current amount of Id and reduce a decrease in screen luminance. Further, since such correction is performed on a pixel-by-pixel basis, when time-dependent deterioration occurs among a plurality of pixels or when current-voltage characteristics vary among a plurality of pixels in an initial state, the screen is not displayed. Non-uniformity can be prevented.

 なお、実施例7の一変形例として、第1給電線213の電位が第2給電線よりも高電位である場合に、カレントTFT223をpチャネル型とし、第3の補正用TFT233をpチャネル型とすると共にそのゲート電極を有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を保持容量222と第1給電線213間に接続するように構成してもよい。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第3の補正用TFT233のゲート電圧が上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が増加する。このため、レントTFT223のゲート電圧が下降し、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少して、自動的に補正が行われる。 As a modification of the seventh embodiment, when the potential of the first power supply line 213 is higher than that of the second power supply line, the current TFT 223 is set to a p-channel type, and the third correction TFT 233 is set to a p-channel type. Alternatively, the gate electrode may be connected to the electrode on the first power supply line side of the organic EL element 224, and the source electrode and the drain electrode may be connected between the storage capacitor 222 and the first power supply line 213. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the third correction TFT 233 increases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode increases. For this reason, the gate voltage of the rent TFT 223 decreases, the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases, and the correction is automatically performed.

 また、実施例7の他の変形例として、第1給電線213の電位が第2給電線215 よりも低電位である場合には、カレントTFT223をnチャネル型とし、第3の補正用TFT233をnチャネル型とすると共にそのゲート電極を有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を保持容量222と第1給電線213間に接続するように構成してもよい。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第3の補正用TFT233のゲート電圧が下降して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が増加する。このため、カレントTFT223のゲート電圧が上昇し、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少して、自動的に補正が行われる。 Further, as another modified example of the seventh embodiment, when the potential of the first power supply line 213 is lower than the potential of the second power supply line 215, the current TFT 223 is an n-channel type, and the third correction TFT 233 is It is configured to be an n-channel type, with its gate electrode connected to the electrode on the first power supply line side of the organic EL element 224, and its source and drain electrodes connected between the storage capacitor 222 and the first power supply line 213. Is also good. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the third correction TFT 233 decreases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode increases. For this reason, the gate voltage of the current TFT 223 increases, the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases, and the correction is automatically performed.

 更にまた、実施例7の他の変形例として、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも低電位で場合に、カレントTFT223をpチャネル型とし、第3の補正用TFT233をpチャネル型とすると共にそのゲート電極を有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を保持容量222と第1給電線213間に接続するように構成してもよい。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第3の補正用TFT233のゲート電圧が下降して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。このため、カレントTFT223のゲート電圧が下降して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少し、自動的に補正が行われる。 Further, as another modified example of the seventh embodiment, when the potential of the first power supply line 213 is lower than that of the second power supply line 215, the current TFT 223 is set to the p-channel type, and the third correction TFT 233 is set to p-type. It may be configured to be a channel type, connect the gate electrode to the electrode on the first power supply line side of the organic EL element 224, and connect the source electrode and the drain electrode between the storage capacitor 222 and the first power supply line 213. Good. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the third correction TFT 233 decreases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases. Therefore, the gate voltage of the current TFT 223 decreases, the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases, and the correction is automatically performed.

 本実施例では好ましくは、スイッチングTFT221、カレントTFT223及び第3の補正用TFT233は、同一のTFT アレイ基板上に同一の製造工程により形成されている。この構成によれば、製造工程を増加させることなく、経時劣化による駆動電流Idの低下を画素毎に補正することが可能となる。 In the present embodiment, preferably, the switching TFT 221, the current TFT 223, and the third correction TFT 233 are formed on the same TFT array substrate by the same manufacturing process. According to this configuration, it is possible to correct a decrease in the drive current Id due to deterioration with time for each pixel without increasing the number of manufacturing steps.

 図14は、本発明の実施例8に係るTFT−OELDを含んで構成された画素回路の等価回路図である。尚、図14において、図1及び図11に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。 FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit including the TFT-OELD according to the eighth embodiment of the present invention. In FIG. 14, the same components as those shown in FIGS. 1 and 11 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

 図14 において、本実施例の画素回路では、有機EL素子224の両端の電圧と、これを流れる駆動電流Idの電流量との関係に依存して、保持容量222と第2給電線215間の抵抗を変化させる。 14, in the pixel circuit of this embodiment, the voltage between the storage capacitor 222 and the second power supply line 215 depends on the relationship between the voltage between both ends of the organic EL element 224 and the amount of the driving current Id flowing therethrough. Change the resistance.

 より具体的には、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも高電位である場合には、図14に示した通りに、nチャネル型のTFT223に対して、pチャネル型の第4 の補正用TFT234は、そのゲート電極が有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続され、ソース電極およびドレイン電極が保持容量222と第2給電線215間に接続されるように付加されている。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第4の補正用TFT234のゲート電圧が上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が増加する。このため、カレントTFT223のゲート電圧が上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。 More specifically, when the potential of the first power supply line 213 is higher than that of the second power supply line 215, as shown in FIG. The fourth correction TFT 234 has a gate electrode connected to the electrode on the first power supply line side of the organic EL element 224, and a source electrode and a drain electrode connected between the storage capacitor 222 and the second power supply line 215. Has been added. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the fourth correction TFT 234 increases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode increases. For this reason, the gate voltage of the current TFT 223 increases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases.

 従って実施例8によれば、経時劣化により有機EL素子224の抵抗が増加しても、第4の補正用TFT234のソース及びドレイン間の抵抗増加により、その有機EL素子224における抵抗増加による駆動電流Idの電流量低下を補正し、画面輝度の低下を低減することが可能となる。また、このような補正は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間でバラツキをもって発生したときに、或いは初期状態において複数の画素間で電流電圧特性にバラツキが存在するときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。 Therefore, according to the eighth embodiment, even when the resistance of the organic EL element 224 increases due to the deterioration with time, the drive current due to the increase in the resistance of the organic EL element 224 due to the increase in the resistance between the source and the drain of the fourth correction TFT 234. It is possible to correct a decrease in the current amount of Id and reduce a decrease in screen luminance. Further, since such correction is performed on a pixel-by-pixel basis, when time-dependent deterioration occurs among a plurality of pixels or when current-voltage characteristics vary among a plurality of pixels in an initial state, the screen is not displayed. Non-uniformity can be prevented.

 なお、実施例8の一変形例として、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも高電位である場合に、カレントTFT223をpチャネル型とし、第4の補正用TFT をn チャネル型とすると共にそのゲート電極を有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を保持容量222と第2給電線215間に接続するように構成してもよい。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第4の補正用TFT234のゲート電圧が上昇して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。このため、カレントTFT223のゲート電圧が下降して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少し、自動的に補正が行われる。 As a modification of the eighth embodiment, when the potential of the first power supply line 213 is higher than that of the second power supply line 215, the current TFT 223 is a p-channel type, and the fourth correction TFT is an n-channel type. The gate electrode may be connected to an electrode on the first power supply line side of the organic EL element 224, and the source electrode and the drain electrode may be connected between the storage capacitor 222 and the second power supply line 215. . According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the fourth correction TFT 234 increases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases. Therefore, the gate voltage of the current TFT 223 decreases, the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases, and the correction is automatically performed.

 また、実施例8の他の変形例として、第1給電線213の電位が第2給電線215 よりも低電位である場合には、nチャネル型のカレントTFT223に対して第4の補正用TFTをpチャネル型とし、そのゲート電極を有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を保持容量222と第2給電線215間に接続するように構成してもよい。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第4の補正用TFT234のゲート電圧が下降して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。このため、カレントTFT223のゲート電圧が上昇して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少し、自動的に補正が行われる。 Further, as another modified example of the eighth embodiment, when the potential of the first power supply line 213 is lower than that of the second power supply line 215, the fourth correction TFT is replaced with the n-channel type current TFT 223. Is a p-channel type, its gate electrode is connected to the electrode on the first power supply line side of the organic EL element 224, and its source and drain electrodes are connected between the storage capacitor 222 and the second power supply line 215. Is also good. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the fourth correction TFT 234 decreases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases. Therefore, the gate voltage of the current TFT 223 increases, the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases, and the correction is automatically performed.

 更にまた、実施例8の他の変形例として、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも低電位である場合に、カレントTFT223をpチャネル型とし、第4の補正用TFT234をnチャネル型とすると共にそのゲート電極を有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続し、ソース電極およびドレイン電極を保持容量222と第2給電線215間に接続するように構成してもよい。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第4の補正用TFT234のゲート電圧が下降して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が増加する。このため、カレントTFT223のゲート電圧が下降して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少し、自動的に補正が行われる。 Further, as another modified example of the eighth embodiment, when the potential of the first power supply line 213 is lower than the potential of the second power supply line 215, the current TFT 223 is of a p-channel type, and the fourth correction TFT 234 is It is configured to be an n-channel type, with its gate electrode connected to the electrode on the first power supply line side of the organic EL element 224, and its source and drain electrodes connected between the storage capacitor 222 and the second power supply line 215. Is also good. According to this configuration, when the resistance of the organic EL element 224 increases, the gate voltage of the fourth correction TFT 234 decreases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode increases. Therefore, the gate voltage of the current TFT 223 decreases, the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases, and the correction is automatically performed.

 本実施例では好ましくは、スイッチングTFT221、カレントTFT223及び第4の補正用TFT234は、同一のTFTアレイ基板上に同一の製造工程により形成されている。この構成によれば、製造工程を増加させることなく、経時劣化による駆動電流Idの低下を画素毎に補正することが可能となる。 In the present embodiment, preferably, the switching TFT 221, the current TFT 223, and the fourth correction TFT 234 are formed on the same TFT array substrate by the same manufacturing process. According to this configuration, it is possible to correct a decrease in the drive current Id due to deterioration with time for each pixel without increasing the number of manufacturing steps.

 図15は、本発明の実施例9に係るTFT−OELDを含んで構成された画素回路の等価回路図である。尚、図15において、図1及び図11に示した構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。 FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit including a TFT-OELD according to Embodiment 9 of the present invention. In FIG. 15, the same components as those shown in FIGS. 1 and 11 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

 図15において、本実施例の画素回路に備えられた第1の補正用薄膜フォトダイオード241には、光を照射すると、低抵抗になる性質がある。 In FIG. 15, the first correction thin-film photodiode 241 provided in the pixel circuit of this embodiment has a property of being reduced in resistance when irradiated with light.

 本実施例では、有機EL素子224の両端の電圧と発光量との関係に依存して、保持容量222と第1給電線213間の抵抗を変化させる。 In this embodiment, the resistance between the storage capacitor 222 and the first power supply line 213 is changed depending on the relationship between the voltage at both ends of the organic EL element 224 and the amount of light emission.

 より具体的には、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも高電位である場合には、図15に示した通りに、pチャネル型のカレントTFT223に対し、第1の補正用薄膜フォトダイオード241は、保持容量222と第1給電線213間に接続されている。この構成によれば、有機EL 素子224 の発光が減少すると、第1の補正用薄膜フォトダイオード241の抵抗が増加する。このため、カレントTFT223は、そのゲート電圧が降下して、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。 More specifically, when the potential of the first feed line 213 is higher than the potential of the second feed line 215, the first correction is performed on the p-channel current TFT 223 as shown in FIG. The thin film photodiode 241 is connected between the storage capacitor 222 and the first power supply line 213. According to this configuration, when the light emission of the organic EL element 224 decreases, the resistance of the first correction thin-film photodiode 241 increases. Therefore, the gate voltage of the current TFT 223 decreases, and the resistance between the source electrode and the drain electrode decreases.

 従って実施例9によれば、経時劣化により有機EL素子224の発光量が低下しても、第1の補正用薄膜フォトダイオード241の抵抗増加により、その有機EL素子224における発光量低下を補正することが可能となる。また、このような補正は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間でバラツキをもって発生したときに、或いは初期状態において複数の有機EL 素子間で発光特性にバラツキが存在するときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。 Therefore, according to the ninth embodiment, even if the light emission amount of the organic EL element 224 decreases due to the deterioration over time, the decrease in the light emission amount of the organic EL element 224 is corrected by the increase in the resistance of the first thin-film photodiode 241 for correction. It becomes possible. Further, since such correction is performed on a pixel-by-pixel basis, when time-dependent deterioration occurs with variation among a plurality of pixels, or when there is variation in light emission characteristics among a plurality of organic EL elements in an initial state, It is possible to prevent screen unevenness.

 なお、実施例9の一変形例として、第5の補正用TFT(図示せず)を、そのソース電極およびドレイン電極を保持容量222と第1給電線213間に接続するように設けてもよい。 As a modification of the ninth embodiment, a fifth correction TFT (not shown) may be provided so that its source electrode and drain electrode are connected between the storage capacitor 222 and the first power supply line 213. .

 また、実施例9の他の変形例として、第1給電線213の電位が第2給電線215 よりも低電位である場合には、カレントTFT223をnチャネル型とし、第1の補正用薄膜フォトダイオード241を、保持容量222と第1給電線213間に接続するように構成すればよい。この場合更に、第5の補正用TFT(図示せず)を、そのソース電極およびドレイン電極を保持容量と第1給電線間に接続するように設けてもよい。この構成によれば、有機EL素子224の発光量が減少すると、第1の補正用薄膜フォトダイオード241の抵抗が増加し、更にカレントTFT223のゲート電圧が上昇してそのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少し、自動的に補正が行われる。 Further, as another modified example of the ninth embodiment, when the potential of the first power supply line 213 is lower than the potential of the second power supply line 215, the current TFT 223 is of an n-channel type, and The diode 241 may be configured to be connected between the storage capacitor 222 and the first power supply line 213. In this case, a fifth correction TFT (not shown) may be further provided so that its source electrode and drain electrode are connected between the storage capacitor and the first power supply line. According to this configuration, when the light emission amount of the organic EL element 224 decreases, the resistance of the first correction thin-film photodiode 241 increases, and further, the gate voltage of the current TFT 223 increases, and the voltage between the source electrode and the drain electrode thereof increases. The resistance is reduced and the correction is made automatically.

 本実施例では好ましくは、スイッチングTFT221、カレントTFT223及び第1の補正用薄膜フォトダイオード241は、同一のTFTアレイ基板上に同一の製造工程により形成されている。この構成によれば、製造工程を増加させることなく、経時劣化による駆動電流Idの低下を画素毎に補正することが可能となる。 In the present embodiment, preferably, the switching TFT 221, the current TFT 223, and the first correction thin-film photodiode 241 are formed on the same TFT array substrate by the same manufacturing process. According to this configuration, it is possible to correct a decrease in the drive current Id due to deterioration with time for each pixel without increasing the number of manufacturing steps.

 図16は、本発明の実施例10に係るTFT−OELDを含んで構成された画素回路の等価回路図である。尚、図16において、図1及び図11に示した構成要素と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。 FIG. 16 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit including a TFT-OELD according to Embodiment 10 of the present invention. In FIG. 16, the same components as those shown in FIGS. 1 and 11 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

 図16において、本実施例の画素回路に備えられた第2の補正用薄膜フォトダイオード242には、光を照射すると、低抵抗になる性質がある。 In FIG. 16, the second correction thin-film photodiode 242 provided in the pixel circuit of this embodiment has a property of being reduced in resistance when irradiated with light.

 本実施例では、有機EL 素子224 の両端の電圧と発光量との関係に依存して、保持容量222と第2給電線215間の抵抗を変化させる。
より具体的には、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも高電位である場合には、図16に示した通りに、nチャネル型のカレントTFT223に対し、第2の補正用薄膜フォトダイオード242が、保持容量222と第2給電線215間に接続されている。この構成によれば、有機EL素子224の発光量が減少すると、第2の補正用薄膜フォトダイオード242の抵抗が増加する。このため、カレントTFT223は、そのゲート電圧が上昇され、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。
In this embodiment, the resistance between the storage capacitor 222 and the second power supply line 215 is changed depending on the relationship between the voltage at both ends of the organic EL element 224 and the amount of light emission.
More specifically, when the potential of the first power supply line 213 is higher than that of the second power supply line 215, the second correction is performed on the n-channel type current TFT 223 as shown in FIG. The thin-film photodiode 242 is connected between the storage capacitor 222 and the second power supply line 215. According to this configuration, when the light emission amount of the organic EL element 224 decreases, the resistance of the second correction thin-film photodiode 242 increases. Therefore, the gate voltage of the current TFT 223 is increased, and the resistance between the source electrode and the drain electrode is reduced.

 従って実施例10によれば、経時劣化により有機EL素子224の発光量が低下しても、第2の補正用薄膜フォトダイオード242の抵抗増加により、その有機EL素子224における発光量低下を補正することが可能となる。また、このような補正は画素単位で行われるので、経時劣化が複数の画素間でバラツキをもって発生したときに、或いは初期状態において複数の有機EL素子間で発光特性にバラツキが存在するときに、画面ムラを生じさせないことが可能となる。 Therefore, according to the tenth embodiment, even if the light emission amount of the organic EL element 224 decreases due to the deterioration over time, the decrease in the light emission amount of the organic EL element 224 is corrected by the increase in the resistance of the second correction thin film photodiode 242. It becomes possible. Further, since such correction is performed on a pixel-by-pixel basis, when time-dependent deterioration occurs with variation among a plurality of pixels, or when variation in light emission characteristics between a plurality of organic EL elements exists in an initial state, It is possible to prevent screen unevenness.

 なお、実施例10の一変形例として、第6の補正用TFT(図示せず)を、そのソース電極およびドレイン電極が保持容量と第2給電線215間に接続されるように設けてもよい。 As a modification of the tenth embodiment, a sixth correction TFT (not shown) may be provided so that its source electrode and drain electrode are connected between the storage capacitor and the second power supply line 215. .

 また、実施例10の他の変形例として、第1給電線213の電位が第2給電線215 よりも低電位である場合には、カレントTFT223をpチャネル型とし、第2の補正用薄膜フォトダイオード242 を、保持容量222と第2給電線215間に接続するように構成すればよい。この場合更に、第6の補正用TFT(図示せず)を、そのソース電極およびドレイン電極が保持容量222と第2給電線215間に接続されように設けてもよい。この構成によれば、有機EL 素子224の発光量が減少すると、第2の補正用薄膜フォトダイオード242の抵抗が増加し、更にカレントTFT223のゲート電圧が下降してそのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少し、自動的に補正が行われる。 Further, as another modified example of the tenth embodiment, when the potential of the first power supply line 213 is lower than the potential of the second power supply line 215, the current TFT 223 is of a p-channel type, and The diode 242 may be configured to be connected between the storage capacitor 222 and the second power supply line 215. In this case, a sixth correction TFT (not shown) may be further provided such that its source electrode and drain electrode are connected between the storage capacitor 222 and the second power supply line 215. According to this configuration, when the amount of light emitted from the organic EL element 224 decreases, the resistance of the second correction thin-film photodiode 242 increases, and further, the gate voltage of the current TFT 223 decreases to reduce the voltage between the source electrode and the drain electrode. The resistance is reduced and the correction is made automatically.

 本実施例では好ましくは、スイッチングTFT221、カレントTFT223及び第2の補正用薄膜フォトダイオード242は、同一のTFTアレイ基板上に同一の製造工程により形成されている。この構成によれば、製造工程を増加させることなく、経時劣化による駆動電流Idの低下を画素毎に補正することが可能となる。 In the present embodiment, preferably, the switching TFT 221, the current TFT 223, and the second thin-film photodiode 242 for correction are formed on the same TFT array substrate by the same manufacturing process. According to this configuration, it is possible to correct a decrease in the drive current Id due to deterioration with time for each pixel without increasing the number of manufacturing steps.

 次に、本発明の実施例11を図17及び図18を参照して説明する。 Next, an eleventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

 図17は、実施例11に係るTFT−OELDを備える表示装置のブロック図であり、図18は、この表示装置に備えられた共通線駆動回路13’のブロック図である。尚、図17において、表示領域115内には一画素のみについての画素回路を図記しているが、実際には各画素毎に同様の画素回路が設けられている。 FIG. 17 is a block diagram of a display device including the TFT-OELD according to the eleventh embodiment, and FIG. 18 is a block diagram of a common line driving circuit 13 'provided in the display device. In FIG. 17, a pixel circuit for only one pixel is shown in the display area 115, but a similar pixel circuit is provided for each pixel in practice.

 図17において、本実施例の表示装置200aは、走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12の他に、複数の共通線133夫々に対して別々に電源信号を供給可能に構成された共通線駆動回路13’と、共通線駆動回路13’に電源を供給する共通線電源205と、電流測定回路16’により測定された表示領域15内の複数の画素10夫々についての測定電流量IDmn (m :信号線の番号(1〜M )、n :信号線の番号(1 〜N ))を格納するフレームメモリ207と、画像信号源208と信号線駆動回路12との間に介在する劣化補正回路209とを更に備えて構成されている。劣化補正回路209 は、複数の画素10夫々における経時劣化による駆動電流Id の電流量低下を補正すべく、画像信号源208から入力される画像信号の階調(輝度)レベルをフレームメモリ207に格納された各測定電流量IDn に応じて画素10毎に補正した後に、信号線駆動回路12に出力するように構成されている。尚、共通線駆動回路13 ’、共通線電源205、電流測定回路16 ’、フレームメモリ207及び劣化補正回路209の少なくとも一つは、中央に表示領域115が設けられたTFT アレイ基板土に形成されてもよいし(図1参照)、或いは、外部IC として構成され、TFTアレイ基板に対して外付けされてもよい。 In FIG. 17, a display device 200a according to the present embodiment includes a common line configured to be capable of separately supplying a power signal to each of a plurality of common lines 133 in addition to the scanning line driving circuit 11 and the signal line driving circuit 12. The drive circuit 13 ′, the common line power supply 205 for supplying power to the common line drive circuit 13 ′, and the measured current amount IDmn (m) for each of the plurality of pixels 10 in the display area 15 measured by the current measurement circuit 16 ′. : A signal line number (1 to M), n: a frame memory 207 for storing signal line numbers (1 to N)), and a deterioration correction circuit interposed between the image signal source 208 and the signal line drive circuit 12. 209 are further provided. The deterioration correction circuit 209 stores the gradation (luminance) level of the image signal input from the image signal source 208 in the frame memory 207 in order to correct a decrease in the amount of the driving current Id due to the deterioration over time in each of the plurality of pixels 10. After the correction for each pixel 10 according to the measured current amount IDn thus obtained, the correction value is output to the signal line drive circuit 12. At least one of the common line driving circuit 13 ′, the common line power supply 205, the current measuring circuit 16 ′, the frame memory 207, and the deterioration correction circuit 209 is formed on a TFT array substrate having a display area 115 in the center. (See FIG. 1), or may be configured as an external IC and externally attached to the TFT array substrate.

 図17において、共通線駆動回路13 ’は、切替スイッチ301、シフトレジスタ302 及び伝送スイッチ303を備えて構成されている。切換スイッチ301は、通常の表示動作の際に、配線310を介して複数の共通線133に対し一括して所定電位の電源信号が供給される(即ち、全ての共通線133の電位は等しくされる)ように、コントローラによる制御下で、共通線電源205に接続された電源配線310の側に切り換えられる。他方、切換スイッチ301は、後述の如き経時劣化に対する補正(各共通線133に供給する電源信号の電圧の調整)を行う際に、配線320を介して複数の共通線133に対し測定用電源信号が順次供給されるように、伝送スイッチ303を介して電流量測定回路16 ’に接続された配線320 の側に切り換えらるように構成されてい
る。尚、測定用電源信号は、電流測定回路16 ’が内蔵する電源から配線320を介して供給してもよいし、共通線電源205の電源を利用して配線320を介して供給してもよい。
In FIG. 17, the common line driving circuit 13 'includes a changeover switch 301, a shift register 302, and a transmission switch 303. In the changeover switch 301, a power supply signal of a predetermined potential is collectively supplied to the plurality of common lines 133 via the wiring 310 during a normal display operation (that is, the potentials of all the common lines 133 are equalized). 2), the switch is made to the side of the power supply line 310 connected to the common line power supply 205 under the control of the controller. On the other hand, the changeover switch 301 supplies the measurement power supply signal to the plurality of common lines 133 via the wiring 320 when performing the correction for the aging deterioration (adjustment of the voltage of the power supply signal supplied to each common line 133) as described later. Are sequentially switched to the side of the wiring 320 connected to the current amount measuring circuit 16 ′ via the transmission switch 303 so as to be sequentially supplied. The power supply signal for measurement may be supplied from a power supply incorporated in the current measurement circuit 16 ′ via the wiring 320, or may be supplied via the wiring 320 using the power supply of the common line power supply 205. .

 伝送スイッチ303は、経時劣化に対する補正を行う際に、シフトレジスタ302から順次出力される転送信号に応じて測定用電源信号を切換スイッチ301に伝送し、切換スイッチ301はこれを共通線133を介して各画素回路に供給する。この際、シフトレジスタ302は、図示しないコントローラによる制御下で、転送信号を複数の共通線133夫々に対応して順次出力するように構成されている。 The transmission switch 303 transmits a power supply signal for measurement to the changeover switch 301 in accordance with a transfer signal sequentially output from the shift register 302 when correcting the deterioration with time, and the changeover switch 301 transmits this signal via the common line 133. To each pixel circuit. At this time, the shift register 302 is configured to sequentially output transfer signals corresponding to each of the plurality of common lines 133 under the control of a controller (not shown).

 次に以上のように構成された本実施例の動作について説明する。 Next, the operation of the present embodiment configured as described above will be described.

 先ず、経時劣化に対する補正を行う際には、シフトレジスタ302から順次出力される転送信号に応じて伝送可能とされる各伝送スイッチ303を介して、複数の共通線133に対して順次測定用電源信号が供給される。そして、この測定用電源信号の電流量が夫々の共通線133について測定される。ここで、各画素10には、走査線駆動回路11から走査信号が順次供給されるので、電源信号が一本の共通線133から供給される画素列のうち、走査信号が供給された画素毎にカレントTFT223を介して有機EL素子224に駆動電流として測定用電源信号が流れる。即ち、走査線駆動回路11 から走査信号を順次供給しつつ、シフトレジスタ302による転送信号のタイミングで共通線133に測定用電源信号を順次供給することにより、各画素10毎の駆動電流Idが電流量測定回路16 ’で点順次で測定される。そして、その測定電流量IDmnは、フレームメモリ207に記憶される。 First, when correcting for the deterioration with time, a power supply for measurement is sequentially supplied to a plurality of common lines 133 via transmission switches 303 which can be transmitted according to transfer signals sequentially output from the shift register 302. A signal is provided. Then, the current amount of the measurement power supply signal is measured for each common line 133. Here, since the scanning signal is sequentially supplied to each pixel 10 from the scanning line driving circuit 11, the power supply signal is supplied to each pixel 10 from the pixel row supplied from one common line 133 for each pixel to which the scanning signal is supplied. Then, a power supply signal for measurement flows as a drive current to the organic EL element 224 via the current TFT 223. In other words, by sequentially supplying the measurement power supply signal to the common line 133 at the timing of the transfer signal by the shift register 302 while sequentially supplying the scan signal from the scan line drive circuit 11, the drive current Id for each pixel 10 is reduced. The quantity is measured by the quantity measuring circuit 16 'in a dot-sequential manner. Then, the measured current amount IDmn is stored in the frame memory 207.

 次に、通常の表示動作を行う際には、画像信号源208からの画像信号は、劣化補正回路209に送られる。劣化補正回路209は、フレームメモリ207に記憶された各画素10の電流量IDmnに基づき定まる経時劣化の程度(即ち、基準電流量に対する測定駆動電流量の低下の度合い)に従って、その経時劣化による電流低下分を補正するように、各画素10毎に画像信号の階調レベルを補正して信号線駆動回路12に出力する。この結果、各画素10における有機EL素子224の発光量の変化は、劣化補正回路209による階調レベル変化により補正される。尚、通常の表示動作を行う際には、共通線駆動回路203の切替えスイッチ301は、共通線電源205側に切り替えられ、共通線103には所定の電位が供給される。 Next, when a normal display operation is performed, the image signal from the image signal source 208 is sent to the deterioration correction circuit 209. The deterioration correction circuit 209 determines the current due to the time-dependent deterioration according to the degree of the time-dependent deterioration determined based on the current amount IDmn of each pixel 10 stored in the frame memory 207 (ie, the degree of decrease in the measured driving current amount with respect to the reference current amount). The gradation level of the image signal is corrected for each pixel 10 so as to correct the reduction, and is output to the signal line driving circuit 12. As a result, the change in the light emission amount of the organic EL element 224 in each pixel 10 is corrected by the change in the gradation level by the deterioration correction circuit 209. When performing a normal display operation, the changeover switch 301 of the common line driving circuit 203 is switched to the common line power supply 205 side, and a predetermined potential is supplied to the common line 103.

 なお、本実施例では、全ての画素10に対して別々に電流量の測定を行い、その測定値IDmnをフレームメモリ207に記憶するようにしたが、いくつかの抜き取った画素10に対して、或いは、まとまった画素ブロックに対して電流量の測定を行い、その測定値を記憶してもよい。また、本実施例では、全ての画素10に対して各々異なる補正量を施したが、適当な処理の後に、まとまった画素ブロックやパネル全体に対して補正を行うようにしてもよい。 In this embodiment, the current amount is separately measured for all the pixels 10 and the measured value IDmn is stored in the frame memory 207. However, for some of the extracted pixels 10, Alternatively, the current amount may be measured for a group of pixel blocks, and the measured value may be stored. Further, in the present embodiment, different correction amounts are applied to all the pixels 10, but correction may be performed on a group of pixel blocks or the entire panel after appropriate processing.

 なお、本実施例では、各駆動回路内の各TFT及び画素回路内の各TFTは、例えば、600℃以下の低温プロセスで形成された多結晶シリコンTFTであり、各有機EL 素子224 は、例えば、インクジェットプロセスで形成される。 In this embodiment, each TFT in each drive circuit and each TFT in the pixel circuit are, for example, polycrystalline silicon TFTs formed by a low-temperature process of 600 ° C. or less, and each organic EL element 224 is, for example, , Formed by an inkjet process.

 次に、本発明の実施例12を図19及び図20を参照して説明する。 Next, a twelfth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

 図19は、実施例12に係るTFT−OELDを備える表示装置のブロック図であり、図20は、この表示装置の各画素に備えられる画素回路の断面図である。尚、図19 において、表示領域115内には一画素のみについての回路を図記しているが、実際には各画素毎に同様の回路が設けられている。また、図19において、図17に示した実施例11と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。 FIG. 19 is a block diagram of a display device including the TFT-OELD according to Example 12, and FIG. 20 is a cross-sectional view of a pixel circuit provided in each pixel of the display device. Although a circuit for only one pixel is shown in the display area 115 in FIG. 19, a similar circuit is provided for each pixel in practice. In FIG. 19, the same components as those of the eleventh embodiment shown in FIG. 17 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

 図19 において、本実施例の表示装置200bは、走査線駆動回路11、信号線駆動回路12、共通線133に一括して所定電位の電源信号を供給する共通線電源205、電流測定回路16 ”、フレームメモリ207及び劣化補正回路209を備えて構成されている。表示装置200bは特に、共通線133に一端が接続された発光量測定用の半導体素子の一例としてのPIN ダイオード110を各画素回路内に備えており、各PINダイオード110の他端には測定用電流をPINダイオード110に流すための検光線104 が信号線132及び共通線133と平行に設けられている。そして、表示装置200bは更に、各検光線104を介して各画素におけるPINダイオード110を駆動する検光線駆動回路204を備えており、電流測定回路16”は、検光線駆動回路204により駆動されるPINダイオード110に流れる測定用電流を各画素10毎に測定するように構成されている。尚、検光線駆動回路204、共通線電源205、電流測定回路16”、フレームメモリ207及び劣化補正回路209の少なくとも一つは、中央に表示領域115が設けられたTFTアレイ基板上に形成されてもよいし(図1参照)、或いは、外部ICとして構成され、TFTアレイ基板に対して外付けされてもよい。また、PINダイオード110に代わる発光量測定用の半導体素子の他の例としては、チャネル部に光が入射することにより光励起電流が流れる電界効果トランジスタが挙げられる。 In FIG. 19, the display device 200b of the present embodiment includes a common line power supply 205 for supplying a power supply signal of a predetermined potential to the scanning line driving circuit 11, the signal line driving circuit 12, and the common line 133 at a time, and a current measuring circuit 16 ″. , A frame memory 207, and a deterioration correction circuit 209. In particular, the display device 200b includes a PIN diode 110 as an example of a semiconductor device for measuring a light emission amount, one end of which is connected to a common line 133, and a pixel circuit. At the other end of each PIN diode 110, a test light beam 104 for flowing a measuring current to the PIN diode 110 is provided in parallel with the signal line 132 and the common line 133. The display device 200b Further includes a beam detection driving circuit 204 that drives the PIN diode 110 in each pixel via each beam 104. The current measuring circuit 16 ″ is configured to measure a measuring current flowing through the PIN diode 110 driven by the light beam driving circuit 204 for each pixel 10. Note that at least one of the light beam driving circuit 204, the common line power supply 205, the current measuring circuit 16 ″, the frame memory 207, and the deterioration correction circuit 209 is formed on a TFT array substrate provided with a display area 115 at the center. 1 (see FIG. 1), or may be configured as an external IC and externally attached to the TFT array substrate, and another example of the semiconductor device for measuring the amount of emitted light instead of the PIN diode 110 is as follows. And a field effect transistor in which a photoexcitation current flows when light enters a channel portion.

 図20に示すように、本実施例では、各画素10において、PINダイオード110 は、スイッチングTFT221及びカレントTFT223の形成に用いる半導体膜と同じ膜を用いてTFTアレイ基板1上に形成されており、不純物ドープにより形成されたPIN接合を有する。そして、層間絶縁膜251〜253を介して有機EL素子224からPIN接合に光が入射すると光励起電流が流れるように、このPIN接合に対し逆バイアス電圧が検光線104を介して検光線駆動回路204から供給されるように構成されている。また、各TFTのゲートや走査線131は、Ta等の金属膜や低抵抗ポリシリコン膜から構成されており、信号線132、共通線133及び検光線104は、Al等の低抵抗金属膜から構成されている。そして、カレントTFT223を介して駆動電流が、ITO等からなる画素電極141からEL素子224を経て、対向電極105(上電極)へと流れるように構成されている。対向電極105をITO等の透明材料から構成すれば、表示装置200aの図20 における上側の面を表示面とすることができる。他方、対向電極105をAl等の光反射性或いは遮光性の金属材料等から構成すれば、表示装置200aの図20における下側の面を表示面とすることができる。ここでは、対向電極105をAlを主成分として構成するものとする。 As shown in FIG. 20, in this embodiment, in each pixel 10, the PIN diode 110 is formed on the TFT array substrate 1 using the same film as the semiconductor film used for forming the switching TFT 221 and the current TFT 223. It has a PIN junction formed by impurity doping. Then, a reverse bias voltage is applied to the PIN junction via the inspection light beam 104 so that a photo-excitation current flows when light enters the PIN junction from the organic EL element 224 via the interlayer insulating films 251 to 253. It is constituted so that it may be supplied from. The gate and the scanning line 131 of each TFT are formed of a metal film such as Ta or a low-resistance polysilicon film, and the signal line 132, the common line 133, and the analysis light 104 are formed of a low-resistance metal film such as Al. It is configured. Then, a driving current is configured to flow from the pixel electrode 141 made of ITO or the like to the counter electrode 105 (upper electrode) via the EL element 224 via the current TFT 223. If the counter electrode 105 is made of a transparent material such as ITO, the upper surface of the display device 200a in FIG. 20 can be used as the display surface. On the other hand, if the counter electrode 105 is made of a light-reflective or light-blocking metal material such as Al or the like, the lower surface in FIG. 20 of the display device 200a can be used as a display surface. Here, it is assumed that the counter electrode 105 is mainly composed of Al.

 次に以上のように構成された本実施例の動作について説明する。 Next, the operation of the present embodiment configured as described above will be described.

 先ず、経時劣化に対する補正処理を行う際には、走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12から所定パターンを表示するための走査信号及びデータ信号を供給することにより、有機EL素子224を発光させる。すると、対向電極105はAl を主とする材料であるため、光は反射されて、画素電極141を通して、下方に放射される。このとき、光路の一部に検光線104により逆バイアスを掛けられたPINダイオード110が配置されているため、PINダイオード110では、光励起電流が発生し、検光線104を通じて検光線駆動回路204に達する。検光線駆動回路204は、実施例11における共通線駆動回路203と同様に複数の伝送スイッチを備えており、PINダイオード110への逆バイアス電源を検光線204からPINダイオード110へ順次供給し、測定用電流を電流測定回路16”に順次供給する。そして、実施例11の場合と同様に、電流測定回路16”では、このような測定用電流を各画素10について点順次で測定する。尚、各画素10に設けられた有機EL素子224の発光量は、この測定用電流の測定電流量IDmn’の増加に応じて、ほぼ増加するものである。そして、測定電流量IDmn ’(測定発光量)に対応するフレームメモリ207による記憶、劣化補正回路209による補正も、実施例11と同様に行われる。 First, at the time of performing the correction processing for the deterioration over time, the scanning line driving circuit 11 and the signal line driving circuit 12 supply a scanning signal and a data signal for displaying a predetermined pattern, thereby causing the organic EL element 224 to emit light. . Then, since the counter electrode 105 is a material mainly composed of Al 2, light is reflected and emitted downward through the pixel electrode 141. At this time, since the PIN diode 110 that is reverse-biased by the light beam 104 is disposed in a part of the optical path, an optical excitation current is generated in the PIN diode 110 and reaches the light beam driving circuit 204 through the light beam 104. . Like the common line driving circuit 203 in the eleventh embodiment, the light detection driving circuit 204 includes a plurality of transmission switches, sequentially supplies reverse bias power to the PIN diode 110 from the light detection light 204 to the PIN diode 110, and performs measurement. The measurement current is sequentially supplied to the current measurement circuit 16 ″. Then, as in the eleventh embodiment, the current measurement circuit 16 ″ measures such a measurement current for each pixel 10 in a dot-sequential manner. Note that the light emission amount of the organic EL element 224 provided in each pixel 10 substantially increases in accordance with the increase in the measurement current amount IDmn 'of the measurement current. The storage by the frame memory 207 corresponding to the measured current amount IDmn ′ (measured light emission amount) and the correction by the deterioration correction circuit 209 are also performed in the same manner as in the eleventh embodiment.

 より具体的には、図21に示すように、実施例11における劣化補正方法は行われる。 More specifically, as shown in FIG. 21, the deterioration correction method in the eleventh embodiment is performed.

 即ち、先ず初期状態では、図21(a)に示すように、劣化補正回路209が補正を行わないので、画像信号208の階調レベルD1、D2、…、D6から信号変換曲線404にしたがって、信号線駆動回路12は、信号レベルV1、V2、…、V6のデータ信号を出力する。このデータ信号が、信号線駆動回路12から、信号線132、スイッチングTFT221及び保持容量222により、カレントTFT223のゲート電極に印加される。この結果、カレントTFT223のゲート電極に印加される電位と、有機EL素子224の発光量との関係を示した発光特性曲線405に対応して、有機EL素子224により発光レベルL1、L2、…、V6の発光が得られる。なお、ここでは、信号レベルVbがあるしきい値電圧を越えてから、有機EL素子224が発光し始めることも考慮している。 That is, first, in the initial state, as shown in FIG. 21A, the deterioration correction circuit 209 does not perform correction, so that the gradation level D1, D2,. The signal line driving circuit 12 outputs data signals of signal levels V1, V2,..., V6. This data signal is applied from the signal line drive circuit 12 to the gate electrode of the current TFT 223 by the signal line 132, the switching TFT 221, and the storage capacitor 222. As a result, the light emission levels L1, L2,... By the organic EL element 224 correspond to the light emission characteristic curve 405 indicating the relationship between the potential applied to the gate electrode of the current TFT 223 and the light emission amount of the organic EL element 224. V6 light emission is obtained. Here, it is considered that the organic EL element 224 starts emitting light after the signal level Vb exceeds a certain threshold voltage.

 次に、有機EL素子224やカレントTFT223が劣化し、発光量が変化した状態では、図21(b)に示すように、発光特性曲線405は変化する。前述した補正処理における検光線駆動回路204、電流測定回路16”等を用いた発光量の測定により、この発光特性曲線405が得られる。劣化補正回路209には、この発光特性曲線405に基づいて、適切な信号変換曲線404が設定される。その後、通常の表示期間においては、この信号変換曲線404を用いて、劣化補正回路209により、階調レベルD1、D2…、D6に対して信号レベルV1、V2…V6の画像信号が信号線駆動回路12から出力れるように各階調レベルに対する調整が施される。このため、各画素10においては、劣化後の発光特性曲線405に従って、劣化前と同じ発光量が劣化後も得られることに
なる。なお、本実施例では、有機EL素子224の発光に対するしきい値電圧の劣化も考慮されている。
Next, in a state where the organic EL element 224 and the current TFT 223 are deteriorated and the light emission amount is changed, the light emission characteristic curve 405 changes as shown in FIG. The light emission characteristic curve 405 is obtained by measuring the light emission amount using the light beam driving circuit 204, the current measurement circuit 16 ″, and the like in the above-described correction processing. The deterioration correction circuit 209 is based on the light emission characteristic curve 405. , And an appropriate signal conversion curve 404. Thereafter, during a normal display period, the signal level of the gradation levels D1, D2,. Adjustment for each gradation level is performed so that the image signals of V1, V2,..., V6 are output from the signal line driving circuit 12. Therefore, in each pixel 10, according to the emission characteristic curve 405 after deterioration, The same light emission amount can be obtained after the deterioration, and in this embodiment, the deterioration of the threshold voltage for the light emission of the organic EL element 224 is also considered.

 以上のように12実施例によれば、各画素10における有機EL素子224の発光量をPINダイオード110を用いて測定するので、駆動電流量を測定する実施例11の場合よりも、劣化による発光量低下をより正確に補正することが可能となる。 As described above, according to the twelfth embodiment, since the light emission amount of the organic EL element 224 in each pixel 10 is measured by using the PIN diode 110, the light emission due to deterioration is smaller than in the case of the eleventh embodiment in which the drive current amount is measured. It is possible to correct the decrease in the amount more accurately.

 なお、本実施例では、全ての画素10に対して発光量の測定を行い、その測定値をフレームメモリ207に記憶したが、いくつかの抜き取った画素10に対して、あるいは、まとまった画素ブロックに対して発光量の測定を行い、その測定値を記憶してもよい。また、ここでは、全ての画素10に対して各々異なる補正量を施したが、適当な処理の後に、まとまった画素ブロックやパネル全体に対して補正してもよい。 In the present embodiment, the light emission amount is measured for all the pixels 10 and the measured value is stored in the frame memory 207. However, for some of the extracted pixels 10, May be measured, and the measured value may be stored. Further, here, different correction amounts are applied to all the pixels 10, however, correction may be performed on a group of pixel blocks or the entire panel after appropriate processing.

 また、本実施例では、光励起電流を発生させるモニタ用受光素子として、PINダイオード110を用いたが、電界効果型トランジスタ等の半導体素子を用いてもよい。このとき、電界効果型トランジスタのゲート電極に印加される電位としては、有効に光励起電流を発生させる電位が選択される。更に、有機EL素子224からの発光がチャネルに到達するために、トップゲート型、正スタガ型、逆スタガ型、チャネルエッチ型またはチャネルストッパ型などから、適した構成が用いられ、ゲート電極もITOで形成される可能性がある。更にまた、本実施例では好ましくは、各駆動回路や各画素回路内に形成されるTFTと、光励起電流を発生させる半導体素子としてのPINダイオードとが、同一の工程で形成される。このようにすれば、PINダイオードを形成するための工程を別途設けなくて済むので有利である。 Also, in the present embodiment, the PIN diode 110 is used as the monitoring light receiving element for generating the photoexcitation current, but a semiconductor element such as a field effect transistor may be used. At this time, as the potential applied to the gate electrode of the field effect transistor, a potential that effectively generates a photoexcitation current is selected. Further, in order for the light emitted from the organic EL element 224 to reach the channel, a suitable structure such as a top gate type, a forward stagger type, an inverted stagger type, a channel etch type or a channel stopper type is used, and the gate electrode is also formed of ITO. May be formed. Furthermore, in this embodiment, preferably, a TFT formed in each drive circuit or each pixel circuit and a PIN diode as a semiconductor element for generating a photoexcitation current are formed in the same step. This is advantageous because a separate step for forming the PIN diode is not required.

 図22に、本発明の実施例13のTFT−OELDを備えた表示装置における劣化補正方法を示す。実施例13の表示装置のハードウエア構成は、実施例11或いは実施例12の場合と同様であるのでその説明は省略する。 FIG. 22 shows a method of correcting deterioration in a display device including the TFT-OELD according to Embodiment 13 of the present invention. The hardware configuration of the display device according to the thirteenth embodiment is the same as that of the eleventh or twelfth embodiment, and a description thereof will be omitted.

 実施例13では、図21を用いて説明された、劣化補正回路209における発光量測定により得られた発光特性曲線405に基づく信号変換曲線404の設定方法が実施例12の場合と異なる。実施例13では、データ信号の電圧値の調整が、或る既定の信号レベルから他の既定の信号レベルへと変換することにより行われる。即ち、有機EL素子224が劣化し発光量が低下した場合に対応する図21(b)において、補正された後のデータ信号の信号レベルV1、V2、…、V6を、信号線駆動回路12の電源等の制約により予め定められている離散化された電位の中から選ぶことにより、発光特性曲線405に対する信号変換曲線404を設定する。これにより、発光量の線形性は損なわれるが、階調反転は起こっていないので、肉眼では良好な階調性が得られる。 In the thirteenth embodiment, the method of setting the signal conversion curve 404 based on the emission characteristic curve 405 obtained by the emission amount measurement in the deterioration correction circuit 209 described with reference to FIG. In the thirteenth embodiment, the adjustment of the voltage value of the data signal is performed by converting one predetermined signal level to another predetermined signal level. That is, in FIG. 21B corresponding to the case where the organic EL element 224 has deteriorated and the light emission amount has decreased, the signal levels V1, V2,... A signal conversion curve 404 for the light emission characteristic curve 405 is set by selecting from among discrete potentials determined in advance due to restrictions of a power supply or the like. As a result, although the linearity of the light emission amount is impaired, since the gradation inversion does not occur, a good gradation can be obtained with the naked eye.

 以上のように実施例13によれば、信号線駆動回路12において、限られた種類の電位の電源を用いて、経時劣化による発光量低下に対する補正を行うことが可能となる。 As described above, according to the thirteenth embodiment, the signal line drive circuit 12 can perform correction for a decrease in the amount of light emission due to deterioration with time, using a power supply having a limited type of potential.

 尚、以上の実施例1から実施例13では、スイッチングTFTを備えて画素回路を構成したが、例えば、駆動用TFT のゲートに走査信号を走査線から直接供給すると共にデータ信号を駆動用TFT のソースに信号線から直接供給することにより、データ信号を駆動用TFTのソース及びドレインを介して有機EL素子に供給して、有機EL素子を駆動するように構成してもよい。即ち、この場合にも、各画素に設けられた有機EL素子や駆動用TFTにおける経時劣化による駆動電流や発光量の低下を本発明により補正することが可能となる。また、各画素回路に設けられたスイッチングTFTは、そのゲートに印がする走査信号の電圧極性を合わせさえすれば、nチャネル型TFT から構成してもよいし、pチャネル型TFTから構成してもよい。 In the first to thirteenth embodiments, the pixel circuit is provided with the switching TFT. For example, the scanning signal is directly supplied from the scanning line to the gate of the driving TFT and the data signal is supplied to the driving TFT. The data signal may be supplied to the organic EL element via the source and drain of the driving TFT by directly supplying the signal from the signal line to the source to drive the organic EL element. That is, also in this case, it is possible to correct a decrease in the drive current and the light emission amount due to the deterioration over time in the organic EL element and the drive TFT provided in each pixel by the present invention. The switching TFT provided in each pixel circuit may be formed of an n-channel TFT or a p-channel TFT as long as the voltage polarity of the scanning signal marked on the gate is matched. Is also good.

 (電子機器)
 次に、以上各実施例において詳細に説明した表示装置を備えた電子機器の実施例について図23 から図26 を参照して説明する。
(Electronics)
Next, an embodiment of an electronic apparatus provided with the display device described in detail in each of the embodiments will be described with reference to FIGS.

 先ず図23に、このように表示装置を備えた電子機器の概略構成を示す。 First, FIG. 23 shows a schematic configuration of an electronic apparatus including the display device as described above.

 図23において、電子機器は、表示情報出力源1000、表示情報処理回路1002 、駆動回路1004、表示パネル1006、クロック発生回路1008並びに電源回路1010 を備えて構成されている。 In FIG. 23, the electronic device includes a display information output source 1000, a display information processing circuit 1002, a drive circuit 1004, a display panel 1006, a clock generation circuit 1008, and a power supply circuit 1010.

 前述した各実施例における表示装置は、本実施例における表示パネル1006及び駆動回路1004 に相当する。従って、表示パネル1006 を構成するTFTアレイ基板の上に、駆動回路1004 を搭載してもよく、更に表示情報処理回路1002等を搭載してもよい。或いは、表示パネル1006 を搭載するTFTアレイ基板に対し駆動回路1004 を外付けして構成してもよい。 The display device in each embodiment described above corresponds to the display panel 1006 and the driving circuit 1004 in this embodiment. Therefore, the driver circuit 1004 may be mounted on the TFT array substrate included in the display panel 1006, and the display information processing circuit 1002 and the like may be mounted. Alternatively, the driving circuit 1004 may be provided externally to the TFT array substrate on which the display panel 1006 is mounted.

 表示情報出力源1000は、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、光ディスク装置などのメモリ、テレビ信号を同調して出力する同調回路等を含み、クロック発生回路1008 からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路1002 に出力する。表示情報処理回路1002は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路1004に出力する。駆動回路1004は、表示パネル200を駆動する。電源回路1010は、上述の各回路に所定電源を供給する。 The display information output source 1000 includes a read only memory (ROM), a random access memory (RAM), a memory such as an optical disk device, a tuning circuit for tuning and outputting a television signal, and the like. Based on this, display information such as an image signal in a predetermined format is output to the display information processing circuit 1002. The display information processing circuit 1002 includes various well-known processing circuits such as an amplification / polarity inversion circuit, a phase expansion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit. Digital signals are sequentially generated from the information and output to the drive circuit 1004 together with the clock signal CLK. The drive circuit 1004 drives the display panel 200. The power supply circuit 1010 supplies a predetermined power to each of the above-described circuits.

 次に図24から図25に、このように構成された電子機器の具体例を夫々示す。 FIGS. 24 to 25 show specific examples of the electronic device configured as described above.

 図24において、電子機器の他の例たるマルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピュータ(PC )1200は、上述した表示パネル200がトップカバーケース1206内に備えられており、更にCPU、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード1202が組み込まれた本体1204を備えている。 In FIG. 24, a laptop personal computer (PC) 1200 for multimedia, which is another example of electronic equipment, includes the above-described display panel 200 in a top cover case 1206, and further includes a CPU, a memory, and a modem. And a main body 1204 in which a keyboard 1202 is incorporated.

 また図25に示すように、駆動回路1004や表示情報処理回路1002を搭載しない表示パネル1304の場合には、駆動回路1004や表示情報処理回路1002を含むIC1324がポリイミドテープ1322上に実装されたTCP(Tape Carrier Package )1320に、TFTアレイ基板1の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して物理的且つ電気的に接続して、表示パネルとして、生産、販売、使用等することも可能である。 As shown in FIG. 25, in the case of a display panel 1304 in which the drive circuit 1004 and the display information processing circuit 1002 are not mounted, a TCP in which the IC 1324 including the drive circuit 1004 and the display information processing circuit 1002 is mounted on a polyimide tape 1322 (Tape Carrier Package) 1320 can be physically and electrically connected to the TFT array substrate 1 via an anisotropic conductive film provided on the periphery of the TFT array substrate 1 to produce, sell, use, etc. as a display panel. It is possible.

 以上図24から図25を参照して説明した電子機器の他にも、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワークステーション(EWS )、携帯電話、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などが図23に示した電子機器の例として挙げられる。 In addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 24 to 25, a television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, an electronic organizer, a calculator, a word processor, an engineering workstation (EWS) ), A mobile phone, a videophone, a POS terminal, a device having a touch panel, and the like are examples of the electronic apparatus shown in FIG.

 以上説明したように、本実施例によれば、有機EL素子等の電流駆動型発光素子やカレントTFT 等の駆動素子における経時劣化による悪影響が表示上に及ぶことなく、高品質の画像表示を長期に亘って行える各種の電子機器を実現できる。 As described above, according to the present embodiment, high-quality image display can be performed for a long time without adversely affecting display over time in current-driven light-emitting elements such as organic EL elements and driving elements such as current TFTs. Various electronic devices can be realized.

 本発明に係る表示装置は、有機EL素子、無機EL素子、ライトエミッティングポリマー、LED等の各種の電流駆動型発光素子とこれを駆動するTFT等の駆動素子とを備えた表示装置として利用可能であり、更に、本発明に係る画素回路は、各種のアクティブマトリクス駆動方式の表示装置に利用可能である。また、本発明に係る電子機器は、このような画素回路や表示装置を用いて構成され、高品質の画像表示を長期に亘って行える電子機器等として利用可能である。 The display device according to the present invention can be used as a display device including various current-driven light-emitting elements such as an organic EL element, an inorganic EL element, a light-emitting polymer, and an LED, and a driving element such as a TFT that drives the light-emitting element. In addition, the pixel circuit according to the present invention can be used for various active matrix drive type display devices. Further, an electronic device according to the present invention is configured using such a pixel circuit or a display device, and can be used as an electronic device capable of displaying high-quality images for a long time.

本発明の各実施例に共通する表示装置の基本的な全体構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a basic overall configuration of a display device common to each embodiment of the present invention. 図1の表示装置の一画素における平面図である。FIG. 2 is a plan view of one pixel of the display device of FIG. 1. 本発明の実施例1の表示装置のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a display device according to a first embodiment of the present invention. 実施例1における画像信号の階調レベル(D)、データ信号電圧(Vsig)及び駆動電流(Id)の関係並びに経時劣化の補正方法を示す特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram illustrating a relationship between a gradation level (D) of an image signal, a data signal voltage (Vsig), and a driving current (Id) and a method of correcting deterioration with time in Embodiment 1. 実施例1の一変形例のブロック図である。FIG. 9 is a block diagram of a modification of the first embodiment. 実施例1の他の変形例のブロック図である。FIG. 13 is a block diagram of another modification of the first embodiment. 図6の変形例におけるデータ信号(V sig )及び駆動電流(Id )の関係並びに経時劣化の補正方法を示す特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram illustrating a relationship between a data signal (V sig) and a driving current (Id) and a method of correcting temporal deterioration in a modification of FIG. 本発明の実施例2の表示装置のブロック図である。It is a block diagram of a display of Example 2 of the present invention. 本発明の実施例3の表示装置のブロック図である。It is a block diagram of a display of Example 3 of the present invention. 本発明の実施例4の表示装置のブロック図である。It is a block diagram of a display of Example 4 of the present invention. 本発明の実施例5の表示装置の一画素における等価回路図である。FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a display device according to a fifth embodiment of the present invention. 本発明の実施例6の表示装置の一画素における等価回路図である。FIG. 13 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a display device according to a sixth embodiment of the present invention. 本発明の実施例7の表示装置の一画素における等価回路図である。FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a display device according to Example 7 of the present invention. 本発明の実施例8の表示装置の一画素における等価回路図である。FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a display device according to an eighth embodiment of the present invention. 本発明の実施例9の表示装置の一画素における等価回路図である。FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a display device according to a ninth embodiment of the present invention. 本発明の実施例10の表示装置の一画素における等価回路図である。FIG. 21 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a display device according to a tenth embodiment of the present invention. 本発明の実施例11の表示装置の全体構成を一画素の回路図を含めて示すブロック図である。FIG. 21 is a block diagram showing an entire configuration of a display device according to Example 11 of the present invention, including a circuit diagram of one pixel. 実施例11の表示装置が備える共通線駆動回路の回路図である。FIG. 34 is a circuit diagram of a common line driving circuit included in the display device according to the eleventh embodiment. 本発明の実施例12の表示装置の全体構成を一画素の回路図を含めて示すブロック図である。FIG. 21 is a block diagram illustrating an entire configuration of a display device according to Example 12 of the present invention, including a circuit diagram of one pixel. 実施例12の表示装置が備えるTFT−OELD部分の断面図である。FIG. 39 is a cross-sectional view of a TFT-OELD part included in the display device of Example 12. 実施例12の表示装置における経時劣化の補正方法を示す特性図である。FIG. 22 is a characteristic diagram illustrating a method for correcting temporal deterioration in the display device of Example 12. 本発明の実施例13の表示装置における経時劣化の補正方法を示す特性図である。FIG. 18 is a characteristic diagram illustrating a method for correcting temporal deterioration in a display device according to Example 13 of the present invention. 本発明による電子機器の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of an electronic device according to an embodiment of the present invention. 電子機器の一例としてのパーソナルコンピュータを示す正面図である。FIG. 18 is a front view illustrating a personal computer as an example of an electronic apparatus. 電子機器の他の例としてのTCPを用いた液晶装置を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view illustrating a liquid crystal device using TCP as another example of the electronic apparatus.

Claims (12)

各々が発光素子を備えた複数の画素とを備えた表示装置であって、
 前記発光素子を流れる駆動電流の電流量を測定する電流量測定部を含み、
 前記電流量測定部で得られた結果に基づいて前記発光素子の前記駆動電流の電流量を調整すること、
 を特徴とする表示装置。
A display device including a plurality of pixels each including a light-emitting element,
Including a current amount measurement unit that measures the amount of drive current flowing through the light emitting element,
Adjusting the current amount of the drive current of the light emitting element based on the result obtained by the current amount measurement unit,
A display device characterized by the above-mentioned.
請求項1に記載の表示装置において、
 前記駆動電流の電流量の調整を前記発光素子に供給する電源電圧を調整することにより行うこと、
 を特徴とする表示装置。
The display device according to claim 1,
Adjusting the current amount of the drive current by adjusting a power supply voltage supplied to the light emitting element;
A display device characterized by the above-mentioned.
請求項1に記載の表示装置において、
 さらに複数の信号線を含み、
 前記複数の画素の各々は前記発光素子に流れる前記駆動電流を、前記複数の信号線の対応する信号線を介して供給されるデータ信号に応じて制御する駆動素子を含み、
 前記駆動電流の電流量の調整を、前記データ信号を調整することにより行うこと、
 を特徴とする表示装置。
The display device according to claim 1,
In addition, including multiple signal lines,
Each of the plurality of pixels includes a driving element that controls the driving current flowing through the light emitting element according to a data signal supplied via a corresponding signal line of the plurality of signal lines,
Adjusting the current amount of the drive current by adjusting the data signal,
A display device characterized by the above-mentioned.
請求項3に記載の表示装置において、
 前記駆動素子は前記データ信号によりソース及びドレイン間のコンダクタンスが制御されるトランジスタからなること、
 を特徴とする表示装置。
The display device according to claim 3,
The driving element is a transistor whose conductance between source and drain is controlled by the data signal,
A display device characterized by the above-mentioned.
請求項1乃至4のいずれかに記載の表示装置において、
 前記電流量測定部で得られた結果に基づいて行われる前記駆動電流の電流量の調整は、表示期間に先立つ非表示期間に行われること、
 を特徴とする表示装置。
The display device according to claim 1, wherein
The adjustment of the current amount of the drive current performed based on the result obtained by the current amount measurement unit is performed in a non-display period prior to a display period,
A display device characterized by the above-mentioned.
請求項2に記載の表示装置において、
 前記電流量測定部で得られた結果に基づいて行われる前記電源電圧の調整は、表示期間に先立つ非表示期間に行われること、
 を特徴とする表示装置。
The display device according to claim 2,
The adjustment of the power supply voltage performed based on the result obtained by the current amount measurement unit is performed in a non-display period prior to a display period,
A display device characterized by the above-mentioned.
請求項3に記載の表示装置において、
 前記電流量測定部で得られた結果に基づいて行われる前記データ信号を調整は、表示期間に先立つ非表示期間に行われること、
 を特徴とする表示装置。
The display device according to claim 3,
The adjustment of the data signal performed based on the result obtained by the current amount measurement unit is performed in a non-display period prior to a display period,
A display device characterized by the above-mentioned.
各々が発光素子を備えた複数の画素とを備えた表示装置であって、
 モニタ用発光素子と、
 前記モニタ用発光素子を流れる駆動電流の電流量を測定する電流量測定部と、を含み、
 前記電流量測定部で得られた結果に基づいて前記発光素子を流れる駆動電流を調整すること、
 を特徴とする表示装置。
A display device including a plurality of pixels each including a light-emitting element,
A light emitting element for monitoring;
A current amount measuring unit that measures the amount of drive current flowing through the monitor light emitting element,
Adjusting the drive current flowing through the light emitting element based on the result obtained by the current amount measurement unit,
A display device characterized by the above-mentioned.
複数の信号線と複数の画素とを備えた表示装置であって、
 前記複数の画素の各々は、
 前記発光素子と、
 前記発光素子に流れる駆動電流を、前記複数の信号線の対応する信号線を介して供給されるデータ信号に応じて制御する駆動素子と、を含み、
 前記発光素子を流れる駆動電流の電流量を測定する電流量測定部を備え、
 前記電流量測定部で得られた結果に基づいて前記データ信号を調整すること、
 を特徴とする表示装置。
A display device including a plurality of signal lines and a plurality of pixels,
Each of the plurality of pixels includes:
The light emitting element;
A drive element that controls a drive current flowing through the light-emitting element in accordance with a data signal supplied via a corresponding signal line of the plurality of signal lines,
A current amount measurement unit that measures the amount of drive current flowing through the light emitting element,
Adjusting the data signal based on the result obtained by the current amount measurement unit,
A display device characterized by the above-mentioned.
請求項8に記載の表示装置において、
 前記電流量測定部で得られた結果に基づいて行われる前記駆動電流の電流量の調整は、表示期間に先立つ非表示期間に行われること、
 を特徴とする表示装置。
The display device according to claim 8,
The adjustment of the current amount of the drive current performed based on the result obtained by the current amount measurement unit is performed in a non-display period prior to a display period,
A display device characterized by the above-mentioned.
請求項9に記載の表示装置において、
 前記電流量測定部で得られた結果に基づいて行われる前記データ信号を調整は、表示期間に先立つ非表示期間に行われること、
 を特徴とする表示装置。
The display device according to claim 9,
The adjustment of the data signal performed based on the result obtained by the current amount measurement unit is performed in a non-display period prior to a display period,
A display device characterized by the above-mentioned.
請求項1乃至11のいずれかに記載の表示装置を備えた電子機器。













An electronic apparatus comprising the display device according to claim 1.













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