KR20110018809A - Metal-coated polyimide film and process for producing the same - Google Patents

Metal-coated polyimide film and process for producing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20110018809A
KR20110018809A KR1020090123674A KR20090123674A KR20110018809A KR 20110018809 A KR20110018809 A KR 20110018809A KR 1020090123674 A KR1020090123674 A KR 1020090123674A KR 20090123674 A KR20090123674 A KR 20090123674A KR 20110018809 A KR20110018809 A KR 20110018809A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polyimide film
layer
metal
copper
base metal
Prior art date
Application number
KR1020090123674A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
히로퓨미 소네
슈이치 오가사와라
Original Assignee
스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 filed Critical 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Publication of KR20110018809A publication Critical patent/KR20110018809A/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/54Electroplating of non-metallic surfaces
    • C25D5/56Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

PURPOSE: A metal-coating polyimide film, which has dimensional stability, and a manufacturing method of the same are provided to reduce the number of pin-holes of the metal - coating polyimide film. CONSTITUTION: A base metal layer is formed on the surface of a polyimide film by using a reel-to-reel method. The base metal layer is composed of a nickel-chrome alloy layer and a copper layer. A copper plating layer is formed on the base metal layer by using a continuous metal coating device. The thickness of the copper coating is 0.5-3.0μm. The thickness of the polyimide film is 10-50μm. The polyimide film has even surface.

Description

금속-피복 폴리이미드 필름과 그것의 제조 방법 {Metal-coated Polyimide Film and Process for Producing the Same}Metal-Coated Polyimide Film and Process for Producing the Same {Metal-coated Polyimide Film and Process for Producing the Same}

본 발명은 금속-피복 폴리이미드 필름과 그것의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 전자회로의 파인 피치화에 대응할 수 있는, 핀홀 개수가 매우 적고, 고내절성이며, 치수 안정성이 우수한 금속-피복 폴리이미드 필름과 그것의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a metal-coated polyimide film and a method for manufacturing the same, and more particularly, a metal having very few pinholes, high corrosion resistance, and excellent dimensional stability, which can cope with fine pitching of electronic circuits. It relates to a coated polyimide film and a production method thereof.

  금속-피복 폴리이미드 필름은 액정화면에 화상을 표시하기 위한 구동용 IC 칩의 실장용 기판으로 범용되고 있다. 최근에는, 액정화면 표시용 구동용 IC 칩을 실장하는 수법으로서 COF(Chip on Film)가 주목받고 있다.Metal-coated polyimide films are widely used as substrates for mounting IC chips for driving for displaying images on liquid crystal displays. In recent years, COF (Chip-on-Film) attracts attention as a method of mounting a driving IC chip for liquid crystal display.

  COF는 종래의 실장법의 주류인 TCP(Tape Carrier Package)에 비해, 배선의 파인 피치화가 가능함과 동시에, 실장하는 구동용 IC 칩의 소형화가 가능하다는 것과, 실장 비용을 저감시키는 것이 용이하다는 특징이 있다.Compared to TCP (Tape® Carrier Package), which is the mainstream of the conventional mounting method, the COF enables the fine pitch of the wiring, the miniaturization of the driving IC chip to be mounted, and the ease of reducing the mounting cost. have.

  COF의 일반적인 제조 방법으로는, 고내열성과 고절연성 수지인 폴리이미드 필름 표면에 금속 피막을 형성한 금속-피복 폴리이미드 필름을 기판으로 사용하고, 그 기판상의 금속 피막을 포토리쏘그래피 기법에 의해 파인 패터닝 하여 배선을 형 성한 후, 배선의 소망하는 부위를, 예를 들어, 주석 도금 하고, 그런 다음, 소망하는 부위를 솔더 레지스트로 피복하는 방법이 사용되고 있다.As a general manufacturing method of COF, the metal-coated polyimide film which formed the metal film on the surface of the polyimide film which is high heat resistance and high insulation resin is used as a board | substrate, and the metal film on the board | substrate is dug out by the photolithographic technique. After patterning to form the wiring, a method of tin plating a desired portion of the wiring, for example, and then coating the desired portion with a solder resist is used.

  파인 피치 실장이 행해지는 COF용 금속-피복 폴리이미드 필름으로는, 접착제층을 사용하지 않고, 폴리이미드 필름 표면상에 직접 금속 피막을 형성한 것이 주류가 되고 있다. 이러한 금속-피복 폴리이미드 필름은, 예를 들어, 폴리이미드 필름의 표면을 플라스마 처리한 후, 니켈-크롬 합금을 스퍼터링법에 의해 두께 70 ~ 500 Å이 되도록 부착시켜 스퍼터 층을 형성한 뒤, 그 위에 동을 도금법에 의해 부착시키고, 그런 다음, 두꺼운 전해동 도금을 실시하는 것으로 얻을 수 있고 있다(특허문헌 1: 제2쪽 참조).As the metal-coated polyimide film for COF where fine pitch mounting is performed, the mainstream is to form a metal film directly on the polyimide film surface without using an adhesive layer. The metal-coated polyimide film is, for example, after plasma treatment of the surface of the polyimide film, the nickel-chromium alloy is adhered to a thickness of 70 to 500 mm by the sputtering method to form a sputter layer, and then the It is obtained by making copper adhere by the plating method on it, and then performing thick electrolytic copper plating (refer patent document 1: 2nd page).

상기 스퍼터링법에 의해 스퍼터층을 형성하는 경우에는, 예를 들어, 릴-투-릴(Reel-to-Reel) 방식으로 연속적으로 폴리이미드 필름을 이송하여 진공중에서 스퍼터링을 수행한다. 예를 들어, 내부에서 권취, 권출기에 의해 구동되어 장축의 필름을 권취, 권취할 수 있는 제 1 및 제 2 롤-취착축(取着軸)을 구비한 진공조와, 상기 진공조에 취착된 필름상에 성막하는 스퍼터 유닛을 구비하여, 일측 롤-취착축으로 세팅된 롤로부터 필름을 권출하여, 상기 진공조의 스퍼터 유닛과 대면하는 영역을 통해 이송하며, 타측 롤-취착축으로 롤에 권취하여, 필름을 이송하면서 그 위에 연속적으로 성막하는 연속 스퍼터 장치를 이용한다(특허문헌 2: 특개2006-336029호 공보 제2쪽 참조).When forming a sputtering layer by the said sputtering method, a sputtering is performed in vacuum by conveying a polyimide film continuously by the reel-to-reel method, for example. For example, the vacuum chamber provided with the 1st and 2nd roll-attachment shaft which can be driven by a winding-up and unwinding machine and can wind up and wind up a film of a long axis, and the film form adhered to the said vacuum tank. A sputtering unit to form a film on the film, and unwinds the film from the roll set on one side of the roll-attachment shaft, transfers it through an area facing the sputter unit of the vacuum chamber, and winds up the roll on the other side of the roll-attachment shaft. The continuous sputtering apparatus which continuously forms a film on it while conveying this is used (refer patent document 2: Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-336029, page 2).

최근의 액정 표시 화면의 고정밀화, 액정 구동용 IC 칩의 소형화 등의 급속한 진전에 따라, 상기 금속-피복 폴리이미드 필름을 이용하여 만들어지는 COF에 대 해서도 배선의 고밀도화, 즉, 파인 피치화가 강력하게 요구되고 있다. 그렇지만, 상기와 같은 종래의 방법으로 얻을 수 있는 금속-피복 폴리이미드 필름을 이용하여 파인 피치의 COF를 제조하려고 하면, 금속-피복 폴리이미드 필름의 금속층에 존재하는 핀홀에 의해 누락된 부분을 가지는 배선이 많아져서, 제품 수율을 높게 할 수 없고, 얻어진 배선의 내절성이 낮으며, 미세 회로부에서 배선이 박리되어 버리는 일이 있으므로, 파인 피치의 COF용으로는 만족할 수 없는 상태에 있었다.Due to the recent rapid progress in high-definition liquid crystal display screens and miniaturization of liquid crystal drive IC chips, high-density wiring, i.e., fine pitching, has become strong even for COF produced using the metal-coated polyimide film. Is required. However, when attempting to produce fine pitch COF using the metal-coated polyimide film obtained by the conventional method as described above, the wiring having a portion missing by the pinhole present in the metal layer of the metal-coated polyimide film This increased the yield of the product, the resulting wiring was low in corrosion resistance, and the wiring could be peeled off in the fine circuit section. Thus, it was in a state unsatisfactory for fine pitch COF.

핀홀의 발생 원인에 관해서는, 스퍼터층의 재질 그 자체에서 해결하는 것(특허문헌 3 참조), 전기동도금 피막과의 밀착성 개선을 위하여 스퍼터층에 행해진 활성화 처리에 의해 해결하는 것(특허문헌 4 참조) 등이 있지만, 이러한 각종의 방안들을 채택한 결과, 어느 정도의 핀홀은 감소시킬 수 있게 되었지만, 파인 피치의 COF 제조용으로는 아직도 충분한 것이 되지 않았다.The cause of the pinhole is solved by the material of the sputter layer itself (see Patent Document 3), or by the activation treatment performed on the sputter layer to improve the adhesion with the electroplated coating film (see Patent Document 4). However, as a result of adopting these various methods, some pinholes can be reduced, but they are still not sufficient for the production of fine pitch COF.

핀홀의 발생 원인을, 복수의 피막을 필름에 제공할 때에, 필름이 성막 장치간을 대기에 노출된 상태로 이동할 때 부착된 이물질로서 파악하여, 2개의 표면처리 수단이 회전축에 고정된 복수의 표면처리 수단을 구비함으로써, 필름 처리 위치에 대향하는 표면처리 수단을 변경하는 것에 의해, 동시에 복수의 표면처리를 실시할 수 있는 복합 진공 표면처리 장치가 제안되어 있다(특허문헌 5: 제1쪽 참조). 이 장치를 이용하면, 처리 도중의 필름이 대기중에 노출되는 경우가 없어서, 형성되는 박막에서 핀홀의 발생이나 밀착성의 저하 등의 결함을 없앨 수 있다고 설명하고 있다. 그러나, 상기 장치를 이용하여 표면처리한 폴리이미드 필름에 습식 도금법에 의해 동층을 8 ㎛ 두께로 형성한 동-피복 폴리이미드 필름이 실시예에 개시되 어 있지만, 핀홀 및 밀착력의 개선에 대한 구체적인 기재가 없고, 효과에 대해서는 불분명하다.When the plurality of films are provided to the film, the cause of the pinhole is regarded as a foreign matter attached when the film moves between the film deposition apparatuses in a state exposed to the air, and the plurality of surfaces on which two surface treatment means are fixed to the rotating shaft. By providing a processing means, a composite vacuum surface treatment apparatus capable of simultaneously performing a plurality of surface treatments by changing the surface treatment means facing the film treatment position has been proposed (see Patent Document 5: First page). . It is explained that the use of this apparatus prevents the film during the process from being exposed to the air, thereby eliminating defects such as the generation of pinholes and the deterioration of adhesiveness in the formed thin film. However, although the copper-coated polyimide film in which the copper layer was formed to have a thickness of 8 μm by the wet plating method on the surface-treated polyimide film using the above apparatus is disclosed in the examples, a detailed description of the improvement of pinhole and adhesion And the effect is unclear.

또한, 금속층이 아닌 반도체층을 퇴적한 띠형상 부재에 관한 것이기는 하지만, 표면에 발생하는 요철의 발생 원인을, 띠형상 부재를 이송할 때에, 띠형상 부재와 이송용 스티어링 롤러 사이에 혼입된 이물질로 파악하여, 띠형상 부재상에 반도체 박막을 순차적으로 적층한 후 이것을 권취하는 공정에서, 띠형상 부재와 스티어링 롤러의 물리적 접촉이 생기지 않도록, 양자간에 아이 종이를 끼우는 것에 의해 요철의 발생을 방지하는 방법이 제안되고 있다(특허문헌 6: 제3, 6쪽 참조). 이 방법에 따르면 결함이 적은 반도체 박막을 대량으로 높은 수율로 만들 수 있다고 설명하고 있다.In addition, although the present invention relates to a strip-shaped member in which a semiconductor layer is deposited, not a metal layer, the cause of the unevenness occurring on the surface is foreign matter mixed between the strip-shaped member and the transport steering roller when the strip-shaped member is transferred. In the process of sequentially stacking the semiconductor thin film on the strip-shaped member and winding it up, the occurrence of unevenness is prevented by sandwiching the eye paper between the strip-shaped member and the steering roller so that no physical contact occurs between the strip-shaped member and the steering roller. The method is proposed (refer patent document 6: 3, page 6). According to this method, semiconductor films with few defects can be produced in high yield in large quantities.

그러나, 이와 같이 아이 종이에 의해 띠형상 부재와 스티어링 롤러의 접촉을 배제하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법으로 적용하려고 하면, 아이 종이를 끼우기 위한 기구가 필요하여 장치가 복잡하게 될 뿐만 아니라, 아이 종이 그 자체로부터 이물질이 발생하여 동층에 결함을 일으키게 할 가능성이 있다. 더욱이, 아이 종이로서 특수한 것을 이용했을 경우에는 상승하게 되는 문제도 있다.However, when attempting to apply with the manufacturing method of the metal-coated polyimide film which excludes the contact of a strip | belt-shaped member and a steering roller by eye paper in this way, a mechanism for inserting eye paper is needed and the apparatus becomes complicated, There is a possibility that foreign matter may be generated from the eye paper itself, causing defects in the copper layer. In addition, there is a problem that when a special one is used as a child paper, it rises.

따라서, 금속-피복 폴리이미드 필름의 핀홀 수를 감소시킬 수 있는 방법은 아직도 개발되어 있지 못하다.Therefore, a method that can reduce the pinhole number of the metal-coated polyimide film is still not developed.

종래의 COF는 5 ~ 12 ㎛의 두께의 동층을 가지는 금속-피복 폴리이미드 필름을 사용하여 섭트랙티브(Subtractive) 법에 의해 배선을 형성하여 얻을 수 있었다. 그러나, 최근 요구되는 선폭 25 ㎛ 이하의 파인 피치의 COF를 제조하려면, 1.0 ~ 3.0 ㎛의 두께의 동층을 가지는 금속-피복 폴리이미드 필름을 사용하여 세미-애디티브(Semi-additive) 법에 의해 배선을 형성하는 것이 일반적이다.Conventional COF was obtained by forming a wiring by a subtractive method using a metal-coated polyimide film having a copper layer having a thickness of 5 to 12 μm. However, in order to manufacture fine pitch COFs having a required line width of 25 μm or less, wiring by a semi-additive method using a metal-coated polyimide film having a copper layer having a thickness of 1.0 to 3.0 μm is required. It is common to form

이와 같이 동층의 두께가 종래의 것보다 얇은 금속-피복 폴리이미드 필에 있어서, 앞서 설명한 핀홀의 감소와 고내절성이 강력하게 요구되는 것에 더하여, 제품 수율을 높게 하기 위하여 에칭시 및 가열시의 치수 변화율의 변동이 적은 것, 즉, 치수 안정성의 우수한 것도 요구되고 있다.Thus, in the metal-coated polyimide fill having a smaller thickness of the copper layer than the conventional one, in addition to the strong reduction in pinholes and high corrosion resistance described above, the dimensions at the time of etching and heating to increase the product yield It is also desired that there is little variation in the rate of change, that is, excellent in dimensional stability.

이상과 같이, 전자회로의 파인 피치화 요구에 대응할 수 있도록 핀홀 개수가 매우 적고, 고내절성이며, 치수 안정성이 우수한 금속-피복 폴리이미드 필름과 그것의 제조 방법이 요구되고 있다.As described above, there is a demand for a metal-coated polyimide film having a very small number of pinholes, high corrosion resistance, and excellent dimensional stability so as to meet the demand for fine pitching of an electronic circuit, and a manufacturing method thereof.

[특허문헌][Patent Documents]

- 특허문헌 1: 특개 2002-252257호 공보 (제2쪽 참조)-Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-252257 (see page 2)

- 특허문헌 2: 특개 2006-336029호 공보 (제2쪽 참조)-Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-336029 (see page 2)

- 특허문헌 3: 특개 2006-73766호 공보-Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-73766

- 특허문헌 4: 특개 2006-324474호 공보-Patent Document 4: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-324474

- 특허문헌 5: 특개 2007-063639호 공보 (제1쪽 참조)-Patent Document 5: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-063639 (see page 1)

- 특허문헌 6: 특개평 09-082652호 공보 (제3, 6쪽 참조)-Patent Document 6: Japanese Patent Application Laid-Open No. 09-082652 (see pages 3 and 6).

본 발명의 목적은, 상기 종래 기술의 문제점을 감안하여, 전자회로의 파인 피치화에 대응할 수 있도록 핀홀이 매우 적고, 내절성이 높으며, 치수 안정성이 우 수한 금속-피복 폴리이미드 필름과 그것의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION In view of the problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a metal-coated polyimide film having very low pinholes, high corrosion resistance, and excellent dimensional stability in order to cope with fine pitching of electronic circuits, and to manufacture thereof. To provide a way.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 여러 가지의 검토를 실시한 결과, 동도금층의 핀홀이 기반 금속층의 핀홀에서 유래하는 것을 발견하고, 릴-투-릴 방식에 의해, 기반 금속층을 건식 도금법으로 형성하는 경우, 특정의 조건으로 설정하면, 기반 금속층 표면의 핀홀 수가 매우 감소하여, 그 결과, 이러한 기반 금속층 위에 동도금층을 형성하면 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하고 본 발명에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors discovered that the pinhole of the copper plating layer originated from the pinhole of the base metal layer, and formed the base metal layer by the dry-plating method by the reel-to-reel method as a result of having examined variously in order to solve the said subject. In this case, when the specific conditions are set, the number of pinholes on the surface of the base metal layer is greatly reduced. As a result, it has been found that the above problem can be solved by forming a copper plating layer on the base metal layer.

즉, 본 발명의 제 1 발명에 따르면,That is, according to the first invention of the present invention,

릴-투-릴 방식에 의해 폴리이미드 필름 표면에 니켈-크롬 합금층과 동층으로 이루어진 기반 금속층을 건식 도금법에 의해 형성하는 공정(a)과, 그런 다음 연속 도금 장치를 사용하여 기반 금속층 위에 동도금층을 형성하는 공정(b)을 포함하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법으로서,(A) forming a base metal layer composed of a nickel-chromium alloy layer and a copper layer on the surface of the polyimide film by a reel-to-reel method by dry plating; and then using a continuous plating apparatus, a copper plating layer on the base metal layer. A method for producing a metal-coated polyimide film comprising the step (b) of forming a film,

공정(a)에서, 기반 금속층이 형성된 폴리이미드 필름이 롤에 권취될 때까지, 이송 장치와 접촉하는 부분을 폴리이미드 필름면 만으로 하는 것에 의해, 기반 금속층의 표면을 라이트 테이블로 관찰했을 때, 직경이 10 ㎛ 이상의 핀홀의 수가 160 mm각의 면적에 대해 20개 이하로 하고, 공정(b)에서, 두께 0.5 ~ 3.0 ㎛의 동도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법이 제공된다.In step (a), when the surface of the base metal layer is observed by the light table by making only the polyimide film surface the portion in contact with the conveying device until the polyimide film on which the base metal layer is formed is wound on a roll, the diameter The number of the pinholes 10 micrometers or more shall be 20 or less with respect to an area of 160 mm angle, and in the process (b), the copper plating layer of thickness 0.5-3.0 micrometers is formed, The manufacturing method of the metal-coated polyimide film characterized by the above-mentioned. This is provided.

본 발명의 제 2 발명에 따르면, 상기 제 1 발명에 있어서, 폴리이미드 필름 은 두께가 10 ~ 50 ㎛이고 표면이 평활한 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법이 제공된다.According to the second invention of the present invention, in the first invention, the polyimide film has a thickness of 10 to 50 µm and the surface is smooth, the method for producing a metal-coated polyimide film is provided.

본 발명의 제 3 발명에 따르면, 상기 제 1 발명에 있어서, 공정(a)에서, 기반 금속층은 니켈-크롬 합금층 및 동층의 순서로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법이 제공된다.According to the third invention of the present invention, in the first invention, in the step (a), the base metal layer is formed of a nickel-chromium alloy layer and a copper layer, in order to prepare a metal-coated polyimide film. A method is provided.

본 발명의 제 4 발명에 따르면, 상기 제 3 발명에 있어서, 상기 니켈-크롬 합금층의 두께가 5 ~ 50 nm인 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법이 제공된다.According to the 4th invention of this invention, in the said 3rd invention, the thickness of the said nickel-chromium alloy layer is 5-50 nm, The manufacturing method of the metal-coated polyimide film is provided.

본 발명의 제 5 발명에 따르면, 상기 제 3 또는 4 발명에 있어서, 상기 니켈-크롬 합금층은 크롬을 5 ~ 30 질량%로 함유하는 니켈-크롬 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법이 제공된다.According to a fifth aspect of the present invention, in the third or fourth aspect of the present invention, the nickel-chromium alloy layer is formed of a nickel-chromium alloy containing 5 to 30 mass% of chromium. A method for producing a polyimide film is provided.

본 발명의 제 6 발명에 따르면, 상기 제 3 발명에 있어서, 전기동층은 두께가 50 ~ 500 nm인 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법이 제공된다.According to the sixth invention of the present invention, in the third invention, the copper layer is provided with a method for producing a metal-coated polyimide film, characterized in that the thickness is 50 ~ 500 nm.

  본 발명의 제 7 발명에 따르면, 상기 제 1 발명에 있어서, 공정(b)에서, 동도금층은 황산구리 도금 욕을 이용하는 전기동도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법이 제공된다.According to a seventh aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, in the step (b), the copper plating layer is formed by an electroplating method using a copper sulfate plating bath. Is provided.

  본 발명의 제 8 발명에 따르면, 상기 제 7 발명에 있어서, 형성된 동도금층의 내부 응력이 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 5 ~ 30 MPa의 인장 응력이 되도록, 음극 전류 밀도를 조정하는 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미 드 필름의 제조 방법이 제공된다.According to the eighth invention of the present invention, in the seventh invention, the cathode current density is adjusted so that the internal stress of the formed copper plating layer becomes a tensile stress of 5 to 30 MPa in a state before the polyimide film is dried. A method for producing a metal-coated polyimide film is provided.

  본 발명의 제 9 발명에 따르면, 상기 제 1 ~ 8 발명 중 어느 발명의 제조 방법으로 얻어지는 금속-피복 폴리이미드 필름으로서,According to the 9th invention of this invention, As a metal-coated polyimide film obtained by the manufacturing method of any one of said 1-8 invention,

  동도금층의 표면을 라이트 테이블로 관찰했을 때, 직경이 10 ㎛ 이상의 핀홀의 수가 160 mm각의 면적에 대해 10개 이하이며, MIT 내절성 평가의 절곡 회수가 2000회 이상인 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름이 제공된다.When the surface of the copper plating layer was observed with a light table, the number of pinholes having a diameter of 10 µm or more was 10 or less for an area of 160 mm angle, and the metal-coating was characterized in that the bending count of the MIT corrosion resistance evaluation was 2000 or more. A polyimide film is provided.

본 발명의 제 10 발명은, 상기 제 9 발명에 있어서, 에칭 치수 변화율(Method B) 및 가열 치수 변화율(Method C)이 이송 방향과 그것의 직각 방향에 대해 0.03% 이하인 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름이 제공된다.The tenth invention of the present invention is the metal-coated according to the ninth invention, wherein the etching dimensional change rate (Method # B) and the heating dimensional change rate (Method # C) are 0.03% or less with respect to the transfer direction and the perpendicular direction thereof. A polyimide film is provided.

  본 발명의 금속-피복 폴리이미드 필름은 핀홀 수가 매우 적고, 고내절성인 것과 동시에 치수 안정성이 뛰어나 전자회로의 파인 피치화에 대응하는 기판으로 매우 적합하다. 또한, 상기 제조 방법은 릴-투-릴 방식으로 폴리이미드 필름을 이송하면서, 폴리이미드 필름 표면에 니켈-크롬 합금층을 형성한 후, 기반 금속층이 형성된 폴리이미드 필름이 롤에 권취될 때까지, 이송 장치와 접하는 면을 폴리이미드 필름면 만으로 하는 것에 의해, 간단하면서도 공업적 규모의 생산에 적절하므로, 그 공업적 가치는 매우 높다.The metal-coated polyimide film of the present invention has a very small number of pinholes, high corrosion resistance and excellent dimensional stability, and is very suitable as a substrate for fine pitching of electronic circuits. In addition, the manufacturing method transfers the polyimide film in a reel-to-reel manner, forms a nickel-chromium alloy layer on the surface of the polyimide film, and then, until the polyimide film on which the base metal layer is formed is wound on a roll, By making only the surface which contact | connects a conveying apparatus a polyimide film surface, since it is simple and suitable for industrial scale production, the industrial value is very high.

  이하에서 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

1. One. 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법Method for producing metal-coated polyimide film

  본 발명의 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법에 대해 설명한다.The manufacturing method of the metal-coated polyimide film of this invention is demonstrated.

  본 발명의 제조 방법은, 릴-투-릴 방식에 의해, 건식 도금법으로 니켈-크롬 합금층과 그 위에 형성된 동층으로 이루어진 기반 금속층이 형성된 폴리이미드 필름을 얻는 공정(a)과, 그런 다음, 연속 도금 장치를 사용하여 기반 금속층에 동도금층을 형성하는 공정(b)을 포함하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법에 있어서,The production method of the present invention comprises a step (a) of obtaining a polyimide film having a base metal layer composed of a nickel-chromium alloy layer and a copper layer formed thereon by a dry plating method by a reel-to-reel method, and then A method for producing a metal-coated polyimide film comprising the step (b) of forming a copper plating layer on a base metal layer using a plating apparatus,

  공정(a)에서는, 니켈-크롬 합금층이 형성된 후에는, 기반 금속층이 형성된 폴리이미드 필름이 롤에 권취 때까지의 이송을, 이송 장치와 접촉하는 부분이 폴리이미드 필름면 만으로 하며,In the step (a), after the nickel-chromium alloy layer is formed, the transfer until the polyimide film on which the base metal layer is formed is rolled up on a roll is a portion in contact with the transfer device as the polyimide film surface only.

  공정(b)에서는, 두께 0.5 ~ 3.0 ㎛의 동도금층을 형성하는 한편, 형성된 동도금층의 내부 응력이 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 5 ~ 30 MPa의 인장 응력이 되도록 한다.In the step (b), a copper plating layer having a thickness of 0.5 to 3.0 µm is formed, while the internal stress of the formed copper plating layer is a tensile stress of 5 to 30 MPa in a state before the polyimide film is dried.

  공정(a)에서, 니켈-크롬 합금층을 형성한 후의 폴리이미드 필름을 이송할 때에 폴리이미드 필름면 만이 이송 장치에 접하도록 하는 것과, 공정(b)에서, 두께 0.5 ~ 3.0 ㎛의 동도금층을 형성하는 것, 및 형성된 동도금층의 내부 응력이 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 5 ~ 30 MPa의 인장 응력이 되도록 하는 것에 본 발명의 기술적 의의가 있다.In step (a), only the polyimide film surface is in contact with the transfer device when transferring the polyimide film after the nickel-chromium alloy layer is formed, and in step (b), a copper plating layer having a thickness of 0.5 to 3.0 µm is The technical significance of the present invention is that the forming and the internal stress of the formed copper plating layer become a tensile stress of 5 to 30 MPa in a state before the polyimide film is dried.

  즉, 공정(a)에서, 니켈-크롬 합금층을 형성한 후의 폴리이미드 필름을 이송할 때에, 폴리이미드 필름면 만이 이송 장치에 접하도록 하는 것은, 직경 10 ㎛ 이상의 핀홀은, 니켈-크롬 합금층이 형성된 후, 기반 금속층이 형성된 폴리이미드 필 름이 롤에 권취되는 공정에서, 니켈-크롬 합금층이나 동층과 이송 설비의 이송 롤러나 프리 롤러 등이 접촉하여, 이들 사이에 개재하는 쓰레기 등의 이물질이 니켈-크롬 합금층이나 동층에 눌리는 것에 의해 발생하기 때문이다.That is, in the step (a), when transferring the polyimide film after forming the nickel-chromium alloy layer, only the polyimide film surface is in contact with the conveying device. After the formation, the polyimide film on which the base metal layer is formed is wound on the roll, and the foreign material such as a waste material between the nickel-chromium alloy layer and the copper layer and the conveying roller or free roller of the conveying equipment are in contact with each other. This is because it is caused by being pressed by the nickel-chromium alloy layer or the copper layer.

  이렇게 하여 기반 금속층을 형성하면, 기반 금속층에 발생하는 직경 10 ㎛ 이상의 핀홀은 160 mm각의 면적에 대해 20개 이하로 할 수 있다. 이 점이 중요하다. 즉, 후술하는 바와 같이, 전기동도금법에 의해 기반 금속층에 동도금층을 형성하는 경우, 동도금층의 두께의 증가와 함께 핀홀이 매설되어 라이트 테이블에 의해 검출할 수 있는 핀홀의 수가 감소하지만, 공정(b)에서 형성하는 동층의 두께가 3.0 ㎛ 이하인 경우, 이러한 효과가 작고, 기반 금속층에 발생한 직경 10 ㎛ 이상의 핀홀은 그대로 금속-피복 폴리이미드 필름 표면에서 보여지는 핀홀로 남기 쉽기 때문이다.When the base metal layer is formed in this way, the number of pinholes having a diameter of 10 μm or more generated in the base metal layer can be 20 or less for an area of 160 mm angle. This is important. That is, as will be described later, when the copper plating layer is formed on the base metal layer by the electroplating method, the thickness of the copper plating layer is increased, and the number of pinholes that can be detected by the light table is reduced, but the process (b) This is because, when the thickness of the copper layer formed in the above) is 3.0 µm or less, such an effect is small, and pinholes having a diameter of 10 µm or more generated in the base metal layer are likely to remain as pinholes as seen on the surface of the metal-coated polyimide film.

  더욱이, 본 발명자들의 검토 결과에 따르면, 니켈-크롬 합금층이나 동층을 증착법이나 스퍼터링법으로 형성하는 경우, 통상의 조건이면, 직경 10 ㎛ 이상의 핀홀은 거의 발생하지 않는다.Furthermore, according to the results of the present inventors' investigation, in the case where the nickel-chromium alloy layer or the copper layer is formed by vapor deposition or sputtering, pinholes having a diameter of 10 µm or more are hardly generated under normal conditions.

  공정(b)에서, 두께 0.5 ~ 3.0 ㎛의 동도금층을 형성하는 것은, 파인 피치화에 대응하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 요건이며, 또한 고내절성이 얻어지기 때문이다. 동도금층의 두께가 3.0 ㎛를 넘으면, MIT 내절성 평가의 절곡 회수가 2000회 미만이 되어, 고내절성을 얻을 수 없다. 반면에, 동도금층이 0.5 ㎛ 미만이면, 금속-피복 폴리이미드 필름을 이용하여 형성된 배선에 충분한 도전성을 얻을 수 없다.In the step (b), forming a copper plating layer having a thickness of 0.5 to 3.0 µm is a requirement of the metal-coated polyimide film corresponding to fine pitching, and high corrosion resistance is obtained. When the thickness of the copper plating layer exceeds 3.0 µm, the number of bendings of the MIT fracture resistance evaluation is less than 2000, and high fracture resistance cannot be obtained. On the other hand, if the copper plating layer is less than 0.5 mu m, sufficient conductivity cannot be obtained for the wiring formed by using the metal-coated polyimide film.

  또한, 공정(b)에서, 형성된 동도금층의 내부 응력이 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 5 ~ 30 MPa의 인장 응력으로 하는 것은, 건조로 인한 폴리이미드 필름의 수축에 의해 동도금층의 내부 응력을 완화하여, 에칭 치수 변화율 및 가열 치수 변화율을 이송 방향과 직각 방향에 대하여 0.03% 이하로 하여 치수 안정성을 확보한다.In the step (b), the internal stress of the formed copper plating layer is set to a tensile stress of 5 to 30 MPa in a state before the polyimide film is dried, and the internal stress of the copper plating layer due to shrinkage of the polyimide film due to drying. By reducing the etch rate change rate and the heating dimensional change rate to 0.03% or less with respect to the direction perpendicular to the feed direction, dimensional stability is ensured.

  이하, 공정 별로 설명한다.Hereinafter, it demonstrates per process.

1) One) 공정(a)Process (a)

  공정(a)은, 릴-투-릴 방식으로 연속적으로 폴리이미드 필름을 이송하며, 폴리이미드 필름의 표면에 증착법 또는 스퍼터링법으로 기반 금속층을 형성하여 롤에 권취하는 공정이다. 본 발명에서는 우선 폴리이미드 필름 표면에 니켈-크롬 합금층을 형성한다. 그리고, 니켈-크롬 합금층 위에 동층을 형성한다.Process (a) is a process of conveying a polyimide film continuously in a reel-to-reel method, forming a base metal layer by the vapor deposition method or sputtering method on the surface of a polyimide film, and winding up to a roll. In the present invention, a nickel-chromium alloy layer is first formed on the polyimide film surface. And a copper layer is formed on a nickel-chromium alloy layer.

  본 발명에 사용하는 폴리이미드 필름은, 파인 피치화에 대응 가능한 것으로 하기 위하여, 두께 10 ~ 50 ㎛, 바람직하지는 두께 25 ~ 38 ㎛로 하는 것이 바람직하다. 이러한 두께의 필름은, 일반적으로 공업 생산되어 사용되고 있다. 또한, 권취시에 폴리이미드 필름과 기반 금속층이 접촉하는 것을 고려하면, 핀홀 발생 방지의 측점에서 폴리이미드 필름의 표면은 평활한 것이 바람직하다.In order to make it possible to respond to fine pitch, the polyimide film used for this invention is 10-50 micrometers in thickness, It is preferable to set it as 25-38 micrometers in thickness preferably. Films of such thickness are generally industrially produced and used. In addition, in consideration of the contact between the polyimide film and the base metal layer during winding, it is preferable that the surface of the polyimide film is smooth at the point of preventing pinhole generation.

  상기 건식 도금법으로는 증착법이나 스퍼터링법 등을 이용하지만, 증착 조건이나 스퍼터링 조건에 관해서는 이미 제안되어 보고된 각종의 문헌들을 참고할 수 있다.Although the vapor deposition method, sputtering method, etc. are used as said dry plating method, the various literatures which have been proposed and reported about deposition conditions and sputtering conditions can be referred to.

  기반층을 구성하는 니켈-크롬 합금층의 두께는 5 ~ 50 nm로 하는 것이 바람직하다. 5 ~ 50 nm로 하는 것에 의해, 상기 내마이그레이션(anti-migration) 특성의 향상 효과를 얻을 수 있다. 5 nm 미만으로 하면 내마이그레이션 특성이 충분하지 못한 경우가 있으며, 50 nm를 넘으면 에칭성이 저하되어, COF 등의 배선판을 만들 때, 기반 금속층을 충분히 제거하지 못하여, 배선간의 절연성을 확보하지 못하는 경우가 있다.It is preferable that the thickness of the nickel-chromium alloy layer which comprises a base layer shall be 5-50 nm. By setting it as 5-50 nm, the improvement effect of the said anti-migration characteristic can be acquired. If the thickness is less than 5 nm, the migration resistance may not be sufficient. If the thickness is more than 50 nm, the etching property may be deteriorated. There is.

  니켈-크롬층으로는 크롬을 5 ~ 30 질량%로 함유하는 니켈 합금을 사용하는 것이 바람직하다. 크롬 함유량이 5 질량% 미만에서는 내마이그레이션 특성이 충분하지 못한 경우가 있으며, 크롬 함유량이 30 질량%를 넘으면 에칭성이 저하되어, COF 등의 배선판을 만들 때, 기반 금속층을 충분히 제거하지 못하여, 배선간의 절연성을 확보하지 못하는 경우가 있다.As a nickel-chromium layer, it is preferable to use the nickel alloy containing 5-30 mass% of chromium. If the chromium content is less than 5% by mass, the migration resistance may not be sufficient. If the chromium content is more than 30% by mass, the etching property is lowered. When forming a wiring board such as COF, the base metal layer may not be sufficiently removed. There is a case where the insulation of the liver cannot be secured.

니켈-크롬층 위에 형성하는 동층의 두께는 50 ~ 500 nm로 하는 것이 바람직하다. 50 nm 미만에서는, 공정(b)에서 동도금층을 전기동도금법으로 형성하기에 충분한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있으며, 500 nm를 넘으면 스퍼터에 의한 형성 시간이 길어져, 생산성이 저하되기 때문이다.The thickness of the copper layer formed on the nickel-chromium layer is preferably 50 to 500 nm. This is because if the thickness is less than 50 nm, sufficient conductivity may not be obtained in the step (b) to form the copper plating layer by the electrocopper plating method. If the thickness exceeds 500 nm, the formation time by the sputter becomes long, and the productivity is lowered.

  동층은, 동 이외에, 내식성 개선 등의 목적에 따라 동-니켈 합금이나 동-니켈-크롬 합금 등의 동 합금을 사용하여 형성할 수도 있지만, 도전성을 확보하기 위해서는 순동으로 하는 것이 바람직하다.In addition to copper, the copper layer may be formed using a copper alloy such as a copper-nickel alloy or a copper-nickel-chromium alloy in accordance with the purpose of improving corrosion resistance and the like. However, the copper layer is preferably pure copper in order to secure conductivity.

  공정(a)의 가장 중요한 점으로는, 앞서 설명한 것처럼, 릴-투-릴 방식으로 이송되는 폴리이미드 필름 표면에 니켈-크롬 합금층을 형성한 후, 기반 금속층이 형성된 폴리이미드 필름을 롤에 권취할 때까지, 니켈-크롬 합금층 표면이나 동층 표면이 이송 장치에 접촉하지 않게 폴리이미드 필름면 만을 이송 장치에 지지하여 이송하는 것이다.Most importantly in the process (a), as described above, after forming a nickel-chromium alloy layer on the surface of the polyimide film to be transferred in a reel-to-reel manner, the polyimide film having the base metal layer formed thereon is wound on a roll. Until it does so, only a polyimide film surface is supported by a conveying apparatus so that a nickel-chromium alloy layer surface or copper layer surface may not contact a conveying apparatus, and it conveys.

  이렇게 하는 것에 의해, 기반 금속층에 발생하는 직경 10 ㎛ 이상의 핀홀 수를 160 mm각의 면적에 대해 20개 이하로 할 수 있다.By doing in this way, the number of pinholes 10 micrometers or more in diameter which generate | occur | produce in a base metal layer can be made into 20 or less with respect to an area of 160 mm angle.

  기반 금속층을 구성하는 동층은 그 아래의 니켈-크롬층과 비교하여 경도가 낮아, 이송 장치와 접촉해 핀홀이 발생할 가능성이 높아진다. 상기 동층의 형성 후에 대해 동층과 이송 장치가 접촉하지 않게 하여 이송하는 것이 특히 중요해진다.The copper layer constituting the base metal layer has a lower hardness than the nickel-chromium layer below it, which increases the possibility of pinholes coming into contact with the transfer device. After the formation of the copper layer, it is particularly important to transport the copper layer and the transfer device so that they do not come into contact with each other.

  기반 금속층이 형성된 폴리이미드 필름은 롤에 권취된다. 이 때, 기반 금속층의 표면과 폴리이미드 필름면이 접촉하게 되지만, 폴리이미드 필름은 유연하기 때문에 양자가 접촉하여도 특히 문제가 되지 않고, 직경 10 ㎛ 이상의 핀홀은 발생하기 어렵다. 다만, 권취압이 높은(폴리이미드 필름에 걸리는 장력이 높다) 경우에는, 폴리이미드의 유연성에도 불구하고, 폴리이미드 필름 표면의 미세한 볼록부에 의해 핀홀이 발생하는 경우도 있다. 따라서, 사용하는 폴리이미드 필름의 표면은 평활한 것이 바람직하다.The polyimide film on which the base metal layer is formed is wound on a roll. At this time, the surface of the base metal layer and the surface of the polyimide film are in contact with each other. However, the polyimide film is flexible, so that even when the two are in contact with each other, there is no problem. However, in the case where the winding pressure is high (the tension applied to the polyimide film is high), in spite of the flexibility of the polyimide, pinholes may occur due to the fine convex portions on the surface of the polyimide film. Therefore, it is preferable that the surface of the polyimide film to be used is smooth.

  기반 금속층과 이송 설비를 접촉시키지 않고 릴-투-릴 방식에 의해 이송하려면, 상기 니켈-크롬 합금층 형성 후에는, 이면인 폴리이미드 필름면 만을 이송 롤이나 프리 롤로 지지하여 이송하면 좋다. 기반 금속층이 존재하지 않는 폴리이미드 필름의 이면측에서 이송 설비 등에 접촉이 생겨도 문제는 되지 않기 때문이다.In order to transfer by the reel-to-reel method without contacting a base metal layer and a conveying installation, after forming the said nickel-chromium alloy layer, only the polyimide film surface which is a back surface may be supported by a conveyance roll or a free roll, and it may convey. This is because contact with a transfer facility or the like on the back side of the polyimide film in which the base metal layer does not exist is not a problem.

  다른 방법으로서, 권출 축 및 권취 축의 위치 조정만으로 폴리이미드 필름을 직선 모양으로 이송하는 방법이 고려될 수 있다. 그러나, 이러한 방법에서는, 우선, 직선적인 이송 라인을 유지하기 위하여 폴리이미드 필름에 강한 장력을 가하지 않으면 안되므로, 필름이 변형될 가능성이 있어 바람직하지 않다.As another method, a method of conveying the polyimide film in a straight line shape by only adjusting the position of the take-up axis and the take-up axis can be considered. However, in such a method, first, since a strong tension must be applied to the polyimide film in order to maintain a straight transfer line, the film may be deformed, which is not preferable.

  또한, 폴리이미드 필름을 권출하는 축의 굵기와 폴리이미드 필름을 권취하는 축의 굵기는 시간에 따라 변화하기 때문에, 증착 장치나 스퍼터링 장치내에서 타겟과 폴리이미드 필름과의 간격을 일정에 유지하기 위한 복잡한 기구가 필요하므로, 더욱이 바람직하지 않다.Moreover, since the thickness of the axis which winds up a polyimide film and the thickness of the axis which winds up a polyimide film change with time, it is complicated to maintain the space | interval between a target and a polyimide film in a vapor deposition apparatus or a sputtering apparatus at a constant. Since a mechanism is required, it is furthermore undesirable.

2) 2) 공정(b)Process (b)

  공정(b)은, 상기 공정(a)으로 형성된 기반 금속층 상에, 전기동도금법 또는 무전해동도금법, 또는 이들을 조합한 방법으로 동도금층을 형성하는 공정이다.Process (b) is a process of forming a copper plating layer on the base metal layer formed by said process (a) by the electrocopper plating method, the electroless copper plating method, or a combination thereof.

  형성되는 동도금층은, 앞서 설명한 것처럼, 세미-애디티브법으로 파인 피치화에 대응한 COF 등의 배선판을 만드는 경우를 고려하여, 두께를 0.5 ~ 3.0 ㎛로 한다. 이러한 두께는 고내굴성과 도전성의 측면에서 상기 범위로 제한됨은 앞서 설명한 바와 같다.The copper plating layer formed is made into 0.5-3.0 micrometers in thickness, considering the case where wiring boards, such as COF corresponding to fine pitch formation, are formed by the semi-additive process as mentioned above. Such thickness is limited to the above range in terms of high flex resistance and conductivity, as described above.

  그런데, 동층의 두께가 3.0 ㎛ 이하일 때에는 다음의 사항에 유의하여야 한다.However, when the thickness of the copper layer is 3.0 μm or less, the following matters should be noted.

  즉, 동층을 전기동도금법에 의해 형성하는 경우, 기반 금속에서 동이 석출되어 동층이 형성되지만, 기반 금속이 존재하지 않는 부분, 즉, 핀홀부에서는 주위에 서 석출된 동으로부터, 핀홀 내부 방향으로 도금 금속이 석출되어 핀홀을 가리는 현상이 일어난다. 이 때문에, 얻어진 동층의 두께가 두꺼울 정도로 기반 금속의 핀홀은 외관으로부터 소실되게 된다.That is, when the copper layer is formed by the electroplating method, copper is deposited in the base metal to form the copper layer, but the portion where the base metal does not exist, i.e., in the pinhole part, the plated metal in the direction of the pinhole from the copper deposited around. This precipitates and covers the pinholes. For this reason, the pinhole of the base metal is lost from the appearance so that the thickness of the obtained copper layer is thick.

  그러나, 동층의 두께가 3.0 ㎛ 이하의 경우에는, 기반 금속층 표면의 미세한 핀홀은 석출된 동에 의해 덮여 외관으로부터 소실되지만, 직경이 10 ㎛ 이상의 핀홀은 석출된 동에 의해 완전하게 덮여 표면으로부터 소실되는 경우가 적고, 금속-피복 폴리이미드 필름 표면에 핀홀로서 남아 버리는 경우가 많다. 따라서, 공정(b)에서 핀홀의 수를 큰 폭으로 감소시킬 수 없다.However, when the thickness of the copper layer is 3.0 μm or less, the fine pinholes on the surface of the base metal layer are covered by the deposited copper and disappear from the appearance, while the pinholes having a diameter of 10 μm or more are completely covered by the deposited copper and are lost from the surface. In many cases, it remains as a pinhole on the metal-coated polyimide film surface in many cases. Therefore, the number of pinholes cannot be greatly reduced in the step (b).

  이 때문에, 공정(b)에서는, 공정(a)에 의해 얻어진 직경 10 ㎛ 이상의 핀홀 수가 160 mm각의 면적에 대해 20개 이하의 기반 금속층을 가지는 폴리이미드 필름을 이용하여 이러한 기반 금속층 위에 동도금층을 형성한다. 이렇게 함으로써 라이트 테이블 관찰에 의해 검출할 수 있는 직경 10 ㎛ 이상의 핀홀의 개수를 160 mm각의 면적에 대해 10개 이내로 할 수 있다.For this reason, in step (b), a copper plating layer is formed on this base metal layer by using a polyimide film having a base metal layer of 20 or less for an area of 160 mm angle with a pinhole number of 10 µm or more obtained in step (a). Form. In this way, the number of pinholes 10 micrometers or more in diameter which can be detected by light table observation can be made into 10 or less with respect to an area of 160 mm angle.

  따라서, 공정(a)에 있어서, 직경 10 ㎛ 이상의 핀홀 수가 160 mm각의 면적에 대해 20개 이하의 기반 금속층을 가지는 폴리이미드 필름을 얻는 것은 공정(b)의 대전제이며 매우 중요하다.Therefore, in step (a), obtaining a polyimide film having a base metal layer of 20 or less for an area of 160 mm angle with a pinhole number of 10 µm or more in diameter is a charging agent of step (b) and is very important.

  더욱이, 만일, 동도금 조건을 엄선하여 기반 금속층의 핀홀을 표면상에서 소실시켰다고 하더라도, 실상은 핀홀 내에 동이 석출되어 핀홀을 소실시키고 있는 것이 아니라, 핀홀 위를 가리도록 하여 핀홀을 표면으로부터 단지 안보이게 하고 있는 것이다. 이 때문에, 그러한 금속-피복 폴리이미드 필름에서는 동층과 기반 금 속층, 또는 기반 금속층과 폴리이미드 필름 사이의 밀착력이 충분하지 못하게 될 뿐만 아니라, 기반 금속층의 핀홀이 굴곡시의 박리의 기점이 되어 박리되기 쉽기 때문에, 고내굴성의 금속-피복 폴리이미드 필름으로 되지 못한다.Moreover, even if the pinholes of the base metal layer are lost on the surface by carefully selecting copper plating conditions, the reality is that copper does not precipitate out of the pinholes and thus loses the pinholes, so that the pinholes are simply hidden from the surface. . For this reason, in such a metal-coated polyimide film, not only the adhesion between the copper layer and the base metal layer, or the base metal layer and the polyimide film is insufficient, but also the pinholes of the base metal layer are peeled off as a starting point of peeling during bending. Because of its ease, it does not result in a highly refractory metal-coated polyimide film.

  본 발명에서는, 동도금층의 형성 방법으로서 전기도금법 또는 무전해도금법, 또는 이들을 조합한 방법으로부터 선택하지만, 생산성 및 비용을 고려하면, 전기도금법에 따라 형성하는 것이 바람직하고, 황산구리 도금 욕을 사용한 전기도금법이 더욱 바람직하다.In the present invention, the copper plating layer is formed by an electroplating method, an electroless plating method, or a combination thereof. However, in view of productivity and cost, the copper plating layer is preferably formed by an electroplating method, and an electroplating method using a copper sulfate plating bath. This is more preferable.

  이 경우, 사용하는 황산구리 도금 욕은 특별히 한정되는 것은 아니고, 일반적으로 사용되는 황산구리 도금 욕이어도 좋다. 또한, 도금 조건도 특별한 것은 아니고 통상적으로 사용되는 조건이어도 좋다.In this case, the copper sulfate plating bath used is not specifically limited, The copper sulfate plating bath generally used may be used. In addition, plating conditions are not special and the conditions normally used may be sufficient.

  본 발명의 방법에서는, 형성된 동도금층에 있어서, 그 내부 응력이 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 5 ~ 30 MPa의 인장 응력이 되도록 제어하는 것이 바람직하다. 이러한 제어는, 동도금층을 전기동도금법에 의해 형성하는 경우, 사용하는 황산구리 도금 욕의 조성, 또는 음극 전류 밀도, 전기분해액 공급량 등의 도금 조건을 선정하는 것으로 가능하다.In the method of this invention, in the formed copper plating layer, it is preferable to control so that the internal stress may be a tensile stress of 5-30 MPa in the state before a polyimide film is dried. Such control can be made by selecting the plating conditions such as the composition of the copper sulfate plating bath to be used, the cathode current density, the electrolytic solution supply amount, and the like when the copper plating layer is formed by the electrocopper plating method.

  가장 간편한 방법으로는 음극 전류 밀도의 억제가 있다. 통상적인 황산구리 도금 욕을 사용하는 것을 전제로 하면, 평균 음극 전류 밀도를 2.0 A/dm2 이하로 하는 것이 바람직하고, 1.0 A/dm2 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. 평균 음극 전류 밀도가 2.0 A/dm2를 넘으면, 동의 석출이 불균일하게 되어 동도금층의 내부 응력 의 제어가 곤란해지기 때문이다.The simplest method is to suppress the cathode current density. Assuming that an ordinary copper sulfate plating bath is used, the average cathode current density is preferably 2.0 A / dm 2 or less, and more preferably 1.0 A / dm 2 or less. This is because if the average cathode current density exceeds 2.0 A / dm 2 , the precipitation of copper becomes uneven, making it difficult to control the internal stress of the copper plating layer.

  폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 5 ~ 30 MPa의 인장 응력을 가지는 동도금층은, 폴리이미드 필름이 건조되는 것에 의해 수축되어 동도금층의 내부 응력은 완화되며, 그 결과, 에칭 치수 변화율 및 가열 치수 변화율이 이송 방향과 그것의 직각 방향에 대해 0.03% 이하로 치수 안정성이 우수한 금속-피복 폴리이미드 필름이 된다.The copper plating layer having a tensile stress of 5 to 30 MPa in the state before the polyimide film is dried is contracted by the drying of the polyimide film, and the internal stress of the copper plating layer is alleviated. As a result, the rate of change in etching dimensions and heating dimensions The rate of change is 0.03% or less with respect to the conveying direction and its perpendicular direction, resulting in a metal-coated polyimide film excellent in dimensional stability.

2. 2. 금속-피복 폴리이미드 필름Metal-coated Polyimide Film

  본 발명의 금속-피복 폴리이미드 필름은 폴리이미드 필름 표면에 직접 기반 금속층이 형성되며 기반 금속층 위에 동도금층이 형성된 금속-피복 폴리이미드 필름이다. 동도금층의 두께는 0.5 ~ 3.0 ㎛이고, 그러한 동도금층의 표면을 라이트 테이블로 관찰했을 때, 직경이 10 ㎛ 이상의 핀홀의 개수가 160 mm각의 면적에 대해 10개 이하의 것이며, MIT 내절성 평가의 절곡 회수가 2000회 이상의 것이고, 더불어, 에칭 치수 변화율(Method B) 및 가열 치수 변화율(Method C)이 이송 방향과 그것의 직각 방향에 대해 절대치로서 0. 03% 이하의 것이다.The metal-coated polyimide film of the present invention is a metal-coated polyimide film in which a base metal layer is directly formed on a polyimide film surface and a copper plating layer is formed on the base metal layer. The thickness of copper plating layer is 0.5-3.0 micrometers, and when the surface of such copper plating layer is observed with the light table, the number of the pinholes 10 micrometers or more in diameter is 10 or less for the area of 160 mm, and MIT corrosion resistance evaluation The number of times of bending is 2000 or more, and the etch change rate (Method # B) and the heating change rate (Method # C) are not more than 0.03% as absolute values with respect to the direction of transfer and its right angle.

  본 발명에 있어서, 동도금층의 표면을 라이트 테이블로 관찰한 결과, 10 ㎛ 이상의 핀홀을 160 mm각의 면적에 대해 10개 이내로 하고 있는 것은, 10개를 넘는 금속-피복 폴리이미드 필름을 사용하여 파인 피치의 COF 등의 배선판을 만들 경우, 배선에 단선이 발생할 가능성이 증가하여, 파인 피치의 COF 등의 배선판의 수율을 저하시키기 때문이다. 또한, COF 등의 신뢰성을 확보할 수 없게 되기 때문이다.In the present invention, as a result of observing the surface of the copper plating layer with a light table, it is fine to use 10 or more metal-coated polyimide films having more than 10 pinholes within an area of 160 mm angle. This is because, when a wiring board such as pitch COF is made, the possibility of disconnection in the wiring increases, which lowers the yield of the wiring board such as fine pitch COF. Moreover, it is because reliability, such as COF, cannot be ensured.

  동도금층의 두께를 0.5 ~ 3.0 ㎛로 하는 것은 파인 피치화에 대응한 금속-피복 폴리이미드 필름의 요건을 만족시키기 때문이며, 고내절성을 얻을 수 있기 때문이다. 동도금층의 두께가 3.0 ㎛를 넘으면, MIT 내절성 평가의 절곡 회수가 2000회 미만이 되는 경우가 있어서, 반드시 고내절성을 안정적으로 얻을 수 없기 때문이다. 한편, 동도금층이 0.5 ㎛ 미만이 되면, 금속-피복 폴리이미드 필름을 사용하여 형성된 회로로 충분한 도전성을 얻을 수 없기 때문이다.The reason why the thickness of the copper plating layer is 0.5 to 3.0 µm is because it satisfies the requirements of the metal-coated polyimide film corresponding to fine pitching, and high corrosion resistance can be obtained. This is because when the thickness of the copper plated layer exceeds 3.0 µm, the number of bendings of the MIT corrosion resistance evaluation may be less than 2000 times, and high corrosion resistance cannot always be stably obtained. On the other hand, when the copper plating layer is less than 0.5 µm, it is because sufficient conductivity cannot be obtained with a circuit formed using a metal-coated polyimide film.

  MIT 내절성 평가의 절곡 회수를 2000회 이상으로 하는 것은, 파인 피치의 COF 등의 배선판에 가공되어 전자 부품의 굴곡 부위에 사용될 때, 사용시에 굴곡 연신이 반복되어도, 배선이 쉽게 단선되지 않는 조건을 만족시키기 때문이다.The number of bending times of the MIT corrosion resistance evaluation is set to 2000 or more times when the wire is processed on a fine pitch COF or the like and used for the bending portion of the electronic component, even if the bending is repeated during use, the wiring is not easily disconnected. Because it satisfies.

  에칭 치수 변화율(Method B) 및 가열 치수 변화율(Method C)를 이송 방향과 그것의 직각 방향에 대해 0.03% 이하로 하는 것은, 이 범위를 벗어나면, 파인 피치 대응, 예를 들어, 배선폭 20 ~ 25 ㎛의 배선 패턴을 가지는 COF 등의 배선판을 만들어 여기에 IC 칩을 실장할 때, IC 칩 표면의 전극 패드와 배선의 리드의 접합 불량이 많아지는 경우가 있기 때문이다. 이러한 경향은 프립 칩 본딩(Flip chip bonding)법에 의해 IC 칩을 실장할 때 현저하다.The etching dimensional change rate (Method # B) and the heating dimensional change rate (Method # C) of 0.03% or less with respect to the transfer direction and the perpendicular direction thereof are outside of this range and correspond to the fine pitch, for example, the wiring width of 20 to This is because, when a wiring board such as a COF having a wiring pattern of 25 µm is formed and the IC chip is mounted thereon, the bonding failure between the electrode pad on the surface of the IC chip and the lead of the wiring may increase. This tendency is remarkable when the IC chip is mounted by the flip chip bonding method.

  본 발명에 사용하는 폴리이미드 필름은, 최종적으로 얻는 금속-피복 폴리이미드 필름을 파인 피치화에 대응 가능한 것으로 하기 위하여, 표면이 평활하고 두께 10 ~ 50 ㎛로 하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하지는 두께 25 ~ 38 ㎛의 것으로 한다.In order for the polyimide film used for this invention to be able to respond to the fine pitch of the metal-coated polyimide film finally obtained, it is preferable that the surface is smooth and thickness is 10-50 micrometers, More preferably, thickness 25 It is assumed that it is ˜38 μm.

  상기 기반 금속층은, 니켈-크롬 합금층과 동층의 2층 구조로 하여, 니켈-크 롬 합금층은 두께 5 ~ 50 nm로 하고, 크롬을 5 ~ 30 질량%로 함유하는 니켈-크롬 합금으로 형성하는 것이 바람직하다. 5 nm 미만에서는, 내마이그레이션 특성을 충분히 얻을 수 없으며, 50 nm를 넘으면 에칭성이 저하되어, COF 등의 배선판을 만들 때, 기반 금속층을 충분히 제거하지 못하여 배선간의 절연성을 확보할 수 없는 경우가 있기 때문이다. 또한, 동층의 두께는 50 ~ 500 nm로 하는 것이 바람직하다. 50 nm 미만에서는 동도금층을 형성할 때 전기동도금법을 사용하면 충분한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있으며, 500 nm를 넘으면 스퍼터에 의한 형성 시간이 길어져 생산성이 저하되기 때문이다.The base metal layer has a two-layer structure of a nickel-chromium alloy layer and the same layer, and the nickel-chromium alloy layer is formed of a nickel-chromium alloy having a thickness of 5 to 50 nm and containing 5 to 30 mass% of chromium. It is desirable to. If it is less than 5 nm, the migration resistance cannot be sufficiently obtained, and if it exceeds 50 nm, the etching property is degraded, and when forming a wiring board such as COF, the base metal layer may not be sufficiently removed to secure insulation between the wirings. Because. In addition, the thickness of the copper layer is preferably 50 to 500 nm. When the copper plating layer is less than 50 nm, sufficient electroconductivity may not be obtained when the electroplating method is used. When it exceeds 500 nm, the formation time by the sputter becomes longer and productivity is lowered.

[실시예][Example]

  이하에서는, 본 발명의 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이러한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 및 비교예에서 얻어진 금속-피복 폴리이미드 필름에 대한 여러 가지 물성은, 아래와 같은 측정, 평가방법에 따라 측정, 평가하였고, 사용한 폴리이미드 필름으로는 아래와 같은 것을 이용하였다.Hereinafter, although an Example and a comparative example of this invention demonstrate this invention further in detail, this invention is not limited by these Examples. In addition, various physical properties of the metal-coated polyimide film obtained in Examples and Comparative Examples were measured and evaluated according to the following measurement and evaluation methods, and the following were used as the used polyimide film.

1. One. 측정, 평가 방법Measurement, evaluation method

(1) 핀홀의 크기: 투과광식의 라이트 테이블을 이용하여 육안으로 보아서 계측하였다.(1) Pinhole size: Measured visually using a transmitted light table.

  본 발명에 있어서 핀홀의 크기란, 핀홀의 주위로부터 임의의 2점을 측정한 최대 거리를 말하며, 10 ㎛ 이상의 핀홀이란 이러한 최대 거리가 10 ㎛ 이상의 것을 말한다.In this invention, the magnitude | size of a pinhole means the maximum distance which measured arbitrary two points from the circumference | surroundings of a pinhole, and a pinhole of 10 micrometers or more means that this maximum distance is 10 micrometers or more.

(2) MIT 내절성 평가: JPCA BM01-11.6, 및 JIS C5016-8.7에 준하는 방법으로 실시하여, R=0.38, 하중 1000 g, 선폭 0.5 mm로서 MIT 내절성 시험 방법에서 절곡에 이를 때까지의 회수를 구하였다.(2) MIT corrosion resistance evaluation: The number of times until the bending was reached in the MIT corrosion resistance test method with R = 0.38, load 1000 g, and line width 0.5 mm, carried out by the method according to JPCA BM01-11.6 and JIS C5016-8.7. Was obtained.

(3) 에칭 치수 변화율(Method B) 및 가열 치수 변화율(Method C): IPC-TM-650, 2, 2, 4에서 정하는 방법에 따라 측정하였다. 수치는 절대치로 평가하였다.(3) Etching dimensional change rate (Method # B) and heating dimensional change rate (Method # C): Measured according to the method defined in IPC-TM-650, 2, 2 and 4. The figures were evaluated in absolute terms.

2. 2. 폴리이미드 필름Polyimide film

  사용한 폴리이미드 필름은 두께 35 ㎛의 폴리이미드 필름((주)우부 흥산 제품, UPILEX35SGA)이다.The used polyimide film is a 35-micrometer-thick polyimide film (the UHB Co., Ltd. product, UPILEX35SGA).

(실시예 1)(Example 1)

  이하, 공정별로 설명한다.The process will be described below.

1. One. 기반 금속층의 형성(공정(a))Formation of the base metal layer (step (a))

  폴리이미드 필름을 권출기와 권취기에 의해 연속적으로 이송하면서, 통상적인 직류 스퍼터링법에 의해 두께 23 nm의 니켈-크롬 합금층을 형성하였다. 니켈-크롬층의 크롬 농도는 20 질량%였다.While continuously conveying the polyimide film by the unwinder and the winder, a nickel-chromium alloy layer having a thickness of 23 nm was formed by a conventional direct current sputtering method. The chromium concentration of the nickel-chromium layer was 20 mass%.

  그런 다음, 그 위에 두께 100 nm의 동층을 형성하여 기반 금속층을 얻었다.Then, a copper layer having a thickness of 100 nm was formed thereon to obtain a base metal layer.

  기반 금속층의 형성에 사용한 장치는 진공조 내에 권출기와 권취기 및 스퍼 터 장치를 설치한 장치이며, 니켈-크롬층 형성 후에는 폴리이미드 필름면 쪽만이 이송 롤에 의해 지지되면서 권취롤에 감기도록 하였다.The apparatus used for the formation of the base metal layer was a device in which a winding machine, a winding machine, and a sputtering device were installed in a vacuum chamber, and after the nickel-chromium layer was formed, only the polyimide film surface was supported by the transfer roll and wound around the winding roll. .

  기반 금속층이 형성된 폴리이미드 필름을 투과광식의 라이트 테이블로 관찰하여 그 결과를 표 1에 나타내었다.The polyimide film on which the base metal layer was formed was observed with a transmitted light table, and the results are shown in Table 1.

2. 2. 동도금층의 형성(공정(b))Forming Copper Plating Layer (Step (b))

  통상적인 황산구리 도금 욕을 사용하여 기반 금속층 위에 두께 1.3 ㎛의 동도금층을 전기동도금 하여 형성하였다. 사용한 황산구리 도금 욕은 동 농도 23 g/l로, 욕 온도를 27℃으로 하였다. 또한, 도금조는 연속 도금조로 하여, 권출기와 권취기에 의해 연속적으로 각 조를 이송하는 것으로 전기동도금을 수행하였다. 이송 속도는 115 m/h로 하였고, 도금조의 평균 음극 전류 밀도를 ≤1.0 A/dm2로 조정하였으며, 도금 피막의 내부 응력을 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 셀 방식의 있어서의 피막 형성을 적층하는 것으로 5 ~ 30 MPa의 범위에 해당하는 인장 응력이 되도록 하였다. 사전의 시험편에 의한 측정에서는, 도금 피막의 내부 응력은 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 15 MPa의 인장 응력이 되어 있었다.It was formed by electroplating a copper plating layer having a thickness of 1.3 mu m on the base metal layer using a conventional copper sulfate plating bath. The copper sulfate plating bath used was 23 g / l in copper concentration, and bath temperature was 27 degreeC. Further, the plating bath was a continuous plating bath, and electroplating was performed by continuously transferring each bath by a winding machine and a winding machine. The feed rate was 115 m / h, the average cathode current density of the plating bath was adjusted to ≤ 1.0 A / dm 2 , and the internal stress of the plating film was adjusted in the cell manner before the polyimide film was dried. By laminating, it was made to become the tensile stress corresponding to the range of 5-30 MPa. In the measurement by the prior test piece, the internal stress of the plating film became the tensile stress of 15 MPa in the state before a polyimide film dries.

  얻어진 금속-피복 폴리이미드 필름에 있어서, 10 ㎛ 이상 핀홀의 개수를 투과광식의 라이트 테이블로 관찰하여 구하고, MIT 내절성의 평가, 치수 안정성에 대해서도 평가하여, 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.In the obtained metal-coated polyimide film, the number of 10 micrometers or more of pinholes was observed and calculated | required by the transmitted-light type light table, and evaluation of MIT corrosion resistance and dimensional stability was also shown, and the result obtained is shown in Table 1.

(실시예 2)(Example 2)

  폴리이미드 필름으로서 두께 35 ㎛의 폴리이미드 필름((주) 가네카 제품, Apical-35FP)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 금속-피복 폴리이미드 필름을 얻었고, 실시예 1과 동일한 방식으로 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.A metal-coated polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyimide film having a thickness of 35 μm (manufactured by Kaneka Co., Ltd., Apical-35FP) was used as the polyimide film. Evaluated. The obtained results are shown in Table 1.

  도금 피막의 내부 응력은 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 셀 방식에 있어서의 피막 형성을 적층하는 것으로 5 ~ 30 MPa의 범위에 해당하는 인장 응력이 되도록 하였다.The internal stress of the plated film was such that the film formation in the cell system was laminated in a state before the polyimide film was dried, so that the tensile stress was in the range of 5 to 30 MPa.

(실시예 3)(Example 3)

  동도금층의 두께를 0.5 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 금속-피복 폴리이미드 필름을 얻었고, 실시예 1과 동일한 방식으로 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.A metal-coated polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the copper plating layer was 0.5 μm, and evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.

  도금 피막의 내부 응력은 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 셀 방식에 있어서의 피막 형성을 적층하는 것으로 5 ~ 30 MPa의 범위에 해당하는 인장 응력이 되도록 하였다.The internal stress of the plated film was such that the film formation in the cell system was laminated in a state before the polyimide film was dried, so that the tensile stress was in the range of 5 to 30 MPa.

사전의 시험편에 의한 측정에서는, 도금 피막의 내부 응력은 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 8 MPa의 인장 응력이 되어 있었다.In the measurement by the prior test piece, the internal stress of the plating film became the tensile stress of 8 MPa in the state before a polyimide film dries.

 

(실시예 4)(Example 4)

  동도금층의 두께를 3.0 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 금속-피복 폴리이미드 필름을 얻었고, 실시예 1과 동일한 방식으로 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.A metal-coated polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the copper plating layer was 3.0 μm, and the evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.

  사전의 시험편에 의한 측정에서는, 도금 피막의 내부 응력은 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 25 MPa의 인장 응력이 되어 있었다.In the measurement by the prior test piece, the internal stress of the plating film became 25 MPa tensile stress in the state before a polyimide film was dried.

(실시예 5)(Example 5)

  도금조의 평균 음극 전류 밀도를 ≤2.0 A/dm2로 조정하여 도금 피막의 내부 응력을 30 MPa의 인장 응력으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 금속-피복 폴리이미드 필름을 얻었고, 실시예 1과 동일한 방식으로 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.A metal-coated polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the average cathode current density of the plating bath was adjusted to ≤ 2.0 A / dm 2 so that the internal stress of the plating film was a tensile stress of 30 MPa. And evaluated in the same manner. The obtained results are shown in Table 1.

(실시예 6)(Example 6)

  실시예 1 ~ 5에서 얻어진 동피복 폴리이미드 필름을 사용하여 배선 간격 25 ㎛의 COF를 세미-애디티브법으로 만들어 배선 가공수율을 구했는 바, 실시예 1의 것을 사용하였을 경우에는 85%, 실시예 2의 것을 사용하였을 경우에는 83%, 실시예 3의 것을 사용하였을 경우에는 80%, 실시예 4의 것을 사용하였을 경우에는 83%, 실시예 5의 것을 사용하였을 경우에는 80% 등으로서, 파인 피치 대응용으로서 만족스 러운 것이었다.Using the copper clad polyimide film obtained in Examples 1 to 5, COF having a wiring spacing of 25 µm was semi-additive method, and the wiring processing yield was calculated. When the thing of Example 1 was used, it was 85%, Example Fine pitch is 83% when using 2, 80% when using Example 3, 83% when using Example 4, 80% when using Example 5, etc. It was satisfactory for correspondence.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

  스퍼터 장치의 권취부에 있어서, 동층 형성 후에 기반 금속층 표면에 롤을 접촉시켜 폴리이미드 필름을 지지하는 기구를 구비한 장치를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방식으로 금속-피복 폴리이미드 필름을 얻었고, 실시예 1과 동일한 방식으로 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.In the winding portion of the sputtering apparatus, a metal-coated polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a device having a mechanism for supporting the polyimide film by contacting the roll with the surface of the base metal layer after copper layer formation was obtained. , It was evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

  스퍼터 장치의 권취부에 있어서, 동층 형성 후에 기반 금속층 표면에 롤을 접촉시켜 폴리이미드 필름을 지지하는 기구를 구비한 장치를 이용한 것과, 동도금 공정에 있어서 도금조의 평균 음극 전류 밀도를 3 ~ 5 A/dm2로 조정하여 두께 8.5 ㎛의 동도금층을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-피복 폴리이미드 필름을 얻었고 실시예 1과 동일한 방식으로 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.In the winding portion of the sputtering apparatus, a device having a mechanism for supporting a polyimide film by contacting the roll with the surface of the base metal layer after copper layer formation is used, and the average cathode current density of the plating bath is 3 to 5 A / in the copper plating process. A metal-coated polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the copper plating layer having a thickness of 8.5 μm was adjusted to dm 2 and evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

비교예 1에서 얻어진 동피복 폴리이미드 필름을 사용하여 실시예 6과 동일한 방법으로 배선 가공수율을 구했는 바 61%였다.It was 61% when the wiring work yield was calculated | required by the method similar to Example 6 using the copper clad polyimide film obtained by the comparative example 1.

[표 1]TABLE 1

Figure 112009076877389-PAT00001
Figure 112009076877389-PAT00001

  표 1에 있어서, TD-B는 폴리이미드 필름의 이송 방향과 직각 방향에 있어서의 에칭 치수 변화율(Method B)이며, TD-C는 폴리이미드 필름의 이송 방향과 직각 방향에 있어서의 가열 치수 변화율(Method C)이다.In Table 1, TD-B is the etching dimension change rate (Method # B) in the direction orthogonal to the conveyance direction of a polyimide film, and TD-C is the heating dimension change rate in the orthogonal direction and the conveyance direction of a polyimide film ( Method C).

  표 1 및 상기 결과로부터, 본 발명에 따라 제조된 실시예 1 ~ 5의 동피복 폴리이미드 필름 표면에는 핀홀이 적고, 고내절성을 가지고 있어 에칭시 및 가열시의 치수 변동폭이 적고 치수 안정성이 우수한 것을 알 수 있다.From Table 1 and the above results, the surface of the copper-clad polyimide film of Examples 1 to 5 manufactured in accordance with the present invention has few pinholes, high corrosion resistance, small dimensional fluctuations during etching and heating, and excellent dimensional stability. It can be seen that.

  한편, 기반 금속층의 형성 후에 동층의 표면이 비접촉 상태로 유지되지 않았던 비교예 1에서는 내절성 및 치수 안정성은 양호하지만, 10 ㎛ 이상의 핀홀이 많이 존재하여 파인 피치 대응용의 동피복 폴리이미드 필름은 얻을 수 없었다. 또한, 기반 금속층의 형성 후에 동층의 표면이 비접촉 상태로 유지되지 않고 동도금층 두께를 8. 5 ㎛로 한 비교예 2는, 동도금층의 두께를 두껍게 하였기 때문에, 라이트 테이블로 검출할 수 있는 직경 10 ㎛ 이상의 핀홀 수는 개선되었지만, 내절성 및 치수 안정성이 양호한 값이 되지 않았다.On the other hand, in Comparative Example 1 in which the surface of the copper layer was not kept in a non-contact state after the formation of the base metal layer, the corrosion resistance and the dimensional stability were good, but a large number of pinholes of 10 μm or more existed to obtain a copper-coated polyimide film for fine pitch. Could not. In addition, since the surface of the copper layer was not kept in a non-contact state after the formation of the base metal layer, and Comparative Example 2 having a copper plating layer thickness of 8. 5 占 퐉 thickened the copper plating layer, the diameter 10 that can be detected by the light table was 10. Although the pinhole number of micrometers or more improved, the corrosion resistance and dimensional stability did not become a favorable value.

  본 발명의 금속-피복 폴리이미드 필름은 10 ㎛ 이상의 핀홀 개수가 160 mm각의 면적에 대해 10개 이하와 핀홀 결함이 매우 적고, MIT 내절성 및 치수 안정성이 우수한 금속-피복 폴리이미드 필름이다. 따라서, 파인 피치의 COF나 PWB, FPC, TAB 등의 배선판 및 세미-애디티브 기판에도 매우 적합하게 이용할 수가 있다.The metal-coated polyimide film of the present invention is a metal-coated polyimide film having a pinhole defect of 10 or less for an area of 160 mm or more and a very small number of pinhole defects of 10 μm or more and excellent in MIT corrosion resistance and dimensional stability. Therefore, it can be used suitably also for wiring boards, such as fine pitch COF, PWB, FPC, and TAB, and a semi-additive board | substrate.

  또한, 본 발명의 방법은 간편하고, 대량생산에 적절하기 때문에 산업상의 가치가 높다.In addition, the method of the present invention has high industrial value because it is simple and suitable for mass production.

Claims (10)

  릴-투-릴 방식에 의해, 폴리이미드 필름 표면에 니켈-크롬 합금층과 동층으로 이루어진 기반 금속층을 건식 도금법에 의해 형성하는 공정(a)과, 그런 다음, 연속 도금 장치를 사용하여 기반 금속층 위에 동도금층을 형성하는 공정(b)을 포함하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법으로서,(A) forming a base metal layer consisting of a nickel-chromium alloy layer and a copper layer on the surface of the polyimide film by a dry plating method by a reel-to-reel method, and then using the continuous plating apparatus on the base metal layer A method for producing a metal-coated polyimide film comprising the step (b) of forming a copper plating layer,   공정(a)에서, 기반 금속층이 형성된 폴리이미드 필름이 롤에 권취될 때까지, 이송 장치와 접촉하는 부분을 폴리이미드 필름면 만으로 하는 것에 의해, 기반 금속층의 표면을 라이트 테이블로 관찰했을 때, 직경이 10 ㎛ 이상의 핀홀의 수가 160 mm각의 면적에 대해 20개 이하로 하고, 또한, 공정(b)에서, 두께 0.5 ~ 3.0 ㎛의 동도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법.In step (a), when the surface of the base metal layer is observed by the light table by making only the polyimide film surface the portion in contact with the conveying device until the polyimide film on which the base metal layer is formed is wound on a roll, the diameter The number of the pinholes of 10 micrometers or more is made 20 or less with respect to an area of 160 mm angle, and in the process (b), the copper plating layer of 0.5-3.0 micrometers thickness is formed, The metal-coated polyimide film of Manufacturing method.   제 1 항에 있어서, 폴리이미드 필름은 두께가 10 ~ 50 ㎛이고 표면이 평활한 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법.The method for producing a metal-coated polyimide film according to claim 1, wherein the polyimide film has a thickness of 10 to 50 µm and a smooth surface.   제 1 항에 있어서, 공정(a)에서, 기반 금속층은 니켈-크롬 합금층 및 동층의 순서로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법.The method for producing a metal-coated polyimide film according to claim 1, wherein in step (a), the base metal layer is formed in the order of the nickel-chromium alloy layer and the copper layer.   제 3 항에 있어서, 상기 니켈-크롬 합금층의 두께는 5 ~ 50 nm인 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법.4. The method of claim 3, wherein the nickel-chromium alloy layer has a thickness of 5 to 50 nm.   제 3 항에 있어서, 상기 니켈-크롬 합금층은 크롬을 5 ~ 30 질량%로 함유하는 니켈-크롬 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법.The method for producing a metal-coated polyimide film according to claim 3, wherein the nickel-chromium alloy layer is formed of a nickel-chromium alloy containing 5 to 30 mass% of chromium.   제 3 항에 있어서, 상기 동층은 두께가 50 ~ 500 nm인 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법.The method of claim 3, wherein the copper layer has a thickness of 50 to 500 nm.   제 1 항에 있어서, 상기 공정(b)에서, 동도금층은 황산구리 도금 욕을 사용한 전기동도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법.The method for producing a metal-coated polyimide film according to claim 1, wherein in the step (b), the copper plating layer is formed by an electrocopper plating method using a copper sulfate plating bath.   제 7 항에 있어서, 형성된 동도금층의 내부 응력이 폴리이미드 필름이 건조되기 전의 상태에서 5 ~ 30 MPa의 인장 응력이 되도록, 음극 전류 밀도를 조정하는 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름의 제조 방법.8. The production of the metal-coated polyimide film according to claim 7, wherein the cathode current density is adjusted so that the internal stress of the formed copper plating layer becomes a tensile stress of 5 to 30 MPa in a state before the polyimide film is dried. Way.   제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 하나에 따른 제조 방법으로 얻어진 금속-피복 폴리이미드 필름으로서,As a metal-coated polyimide film obtained by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 8,   동도금층의 표면을 라이트 테이블로 관찰했을 때, 직경이 10 ㎛ 이상의 핀홀의 수가 160 mm각의 면적에 대해 10개 이하이며, MIT 내절성 평가의 절곡 회수가 2000회 이상인 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름.When the surface of the copper plating layer was observed with a light table, the number of pinholes having a diameter of 10 µm or more was 10 or less for an area of 160 mm angle, and the metal-coating was characterized in that the bending count of the MIT corrosion resistance evaluation was 2000 or more. Polyimide film.   제 9 항에 있어서, 에칭 치수 변화율(Method B) 및 가열 치수 변화율(Method C)가 이송 방향과 그것의 직각 방향에 대해 0.03% 이하인 것을 특징으로 하는 금속-피복 폴리이미드 필름.10. The metal-coated polyimide film of claim 9, wherein the etching dimensional change rate (Method # B) and the heating dimensional change rate (Method # C) are 0.03% or less with respect to the transfer direction and a right angle direction thereof.
KR1020090123674A 2009-08-18 2009-12-14 Metal-coated polyimide film and process for producing the same KR20110018809A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2009-188847 2009-08-18
JP2009188847A JP5267379B2 (en) 2009-08-18 2009-08-18 Metal-coated polyimide film and method for producing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110018809A true KR20110018809A (en) 2011-02-24

Family

ID=43765499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090123674A KR20110018809A (en) 2009-08-18 2009-12-14 Metal-coated polyimide film and process for producing the same

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5267379B2 (en)
KR (1) KR20110018809A (en)
CN (1) CN101996891B (en)
TW (1) TWI448582B (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6035678B2 (en) * 2013-02-19 2016-11-30 住友金属鉱山株式会社 Method for manufacturing flexible wiring board and flexible wiring board
TWI585245B (en) * 2015-04-09 2017-06-01 柏彌蘭金屬化研究股份有限公司 Method for producing single sided thin metal clad laminate
JP6617607B2 (en) * 2016-02-29 2019-12-11 住友金属鉱山株式会社 Film-forming method and method for manufacturing laminate substrate using the same
JP6926442B2 (en) * 2016-10-28 2021-08-25 住友金属鉱山株式会社 Manufacturing method of double-sided plated laminate
JP6880723B2 (en) * 2016-12-27 2021-06-02 住友金属鉱山株式会社 Double-sided metal laminate, double-sided metal laminate manufacturing method, and pattern image transfer method
JP7032127B2 (en) 2017-12-25 2022-03-08 住友電気工業株式会社 Method for manufacturing printed wiring board base material, printed wiring board and printed wiring board base material
KR102364447B1 (en) * 2020-07-20 2022-02-17 도레이첨단소재 주식회사 Flexible copper clad laminate film, and electronic device including the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003334889A (en) * 2002-05-21 2003-11-25 Toyo Metallizing Co Ltd Metal layer laminated film
JP2006013152A (en) * 2004-06-25 2006-01-12 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Two-layer flexible board and manufacturing method thereof
JP5109657B2 (en) * 2005-04-07 2012-12-26 宇部興産株式会社 Method for producing polyimide film and polyimide film
JP2007245646A (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Kakogawa Plastic Kk Two-layered film, its manufacturing method and manufacturing method of printed circuit board
JP2007313738A (en) * 2006-05-25 2007-12-06 Du Pont Toray Co Ltd Metal clad plate
JP4923903B2 (en) * 2006-09-20 2012-04-25 住友金属鉱山株式会社 Copper-coated polyimide substrate with high heat-resistant adhesion
JP4899816B2 (en) * 2006-11-16 2012-03-21 住友金属鉱山株式会社 Copper-coated polyimide substrate and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011037214A (en) 2011-02-24
TWI448582B (en) 2014-08-11
JP5267379B2 (en) 2013-08-21
CN101996891A (en) 2011-03-30
TW201107532A (en) 2011-03-01
CN101996891B (en) 2014-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8624125B2 (en) Metal foil laminated polyimide resin substrate
KR20110018809A (en) Metal-coated polyimide film and process for producing the same
TWI566647B (en) Surface treatment of copper foil and the use of its laminate, printed wiring board, electronic equipment, and printing wiring board manufacturing methods
JP5362921B1 (en) Surface-treated copper foil and laminate using the same
TWI435804B (en) Copper foil and its manufacturing method, and extremely thin copper layer
US8470450B2 (en) Method of producing two-layered copper-clad laminate, and two-layered copper-clad laminate
JP2014141738A (en) Surface-treated copper foil and laminate sheet with use of the same
JP2014148691A (en) Surface-treated copper foil and laminate plate using the same, copper foil, printed wiring board, electronic apparatus, and method for manufacturing printed wiring board
KR20090009692A (en) Method for preparation of metal-coated polyimide substrate
JP5362923B1 (en) Surface-treated copper foil and laminate using the same
JP5362922B1 (en) Surface-treated copper foil and laminate using the same
TW201404491A (en) Rolled copper foil, method for producing same, and laminate plate
JP5432357B1 (en) Surface-treated copper foil and laminated board, copper-clad laminated board, printed wiring board and electronic device using the same
JP5440410B2 (en) Method and apparatus for producing metallized resin film
JP2014111824A (en) Surface-treated copper foil and laminate made therefrom
JP6353193B2 (en) Copper foil with carrier, method for producing a copper-clad laminate using the copper foil with carrier, method for producing a printed wiring board using the copper foil with carrier, and method for producing a printed wiring board
JP6134569B2 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP2014065974A (en) Surface-treated copper foil, and laminate, copper-clad laminate, printed-wiring board, and electronic apparatus using the same
JP4447594B2 (en) Two-layer flexible printed wiring board and method for producing the two-layer flexible printed wiring board
JP5751530B2 (en) Method for electrolytic plating long conductive substrate and method for producing copper clad laminate
JP6438208B2 (en) Copper foil with carrier, copper-clad laminate using the same, printed wiring board, electronic device, and method for manufacturing printed wiring board
JP5293664B2 (en) Method and apparatus for electroplating long conductive substrate, metallized polyimide film and method for producing the same
JP2014201778A (en) Copper foil with carrier
JP6081883B2 (en) Copper foil, laminated board using the same, method for manufacturing electronic device, and method for manufacturing printed wiring board
JP2008091596A (en) Copper-coated polyimide substrate with smooth surface, and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2016101005114; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20160830

Effective date: 20180423