KR20110018246A - Fringe field switching mode liquid crystal display and manufacturing method thereof - Google Patents

Fringe field switching mode liquid crystal display and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20110018246A
KR20110018246A KR1020090095936A KR20090095936A KR20110018246A KR 20110018246 A KR20110018246 A KR 20110018246A KR 1020090095936 A KR1020090095936 A KR 1020090095936A KR 20090095936 A KR20090095936 A KR 20090095936A KR 20110018246 A KR20110018246 A KR 20110018246A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate line
liquid crystal
electrode
switching element
conductive reflective
Prior art date
Application number
KR1020090095936A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101219821B1 (en
Inventor
임무식
서동해
최대림
박종균
최수영
Original Assignee
하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to TW099100413A priority Critical patent/TWI497158B/en
Priority to CN201010002810.2A priority patent/CN101995705B/en
Priority to US12/692,173 priority patent/US8289489B2/en
Priority to JP2010014861A priority patent/JP5616072B2/en
Publication of KR20110018246A publication Critical patent/KR20110018246A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101219821B1 publication Critical patent/KR101219821B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133784Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

PURPOSE: A fringe field switching mode liquid crystal display and a manufacturing method thereof are provided to have a new lamination structure and a design. CONSTITUTION: A transparent common electrode(170) is formed on an entire upper portion including data lines and gate lines in order to adjust the light transmittance amount through the application of voltage to a liquid crystal layer. A conductive reflection structure(180) has a structure connected to the transparent common electrode, and is formed on the upper portion of the gate line including some of switching elements and the data line. A transparent pixel electrode(200) is formed within each pixel region by having a gap between at least second inter-insulation layers on the upper portion of the conductive reflection structure and the transparent common electrode.

Description

FFS 모드 액정표시장치 및 그 제조방법{FRINGE FIELD SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}FFS mode liquid crystal display and its manufacturing method {FRINGE FIELD SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 개구율을 향상시키고 내부 반사율을 증가시켜 야외 시인성을 향상시킨 FFS 모드 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an FFS mode liquid crystal display device and a method of manufacturing the same having improved aperture ratio and increased internal reflectance to improve outdoor visibility.

일반적으로, 에프에프에스 모드(Fringe Field Switching Mode; FFS 모드) 액정표시장치는 아이피에스 모드(In-Plane Switching Mode; IPS 모드) 액정표시장치의 낮은 개구율 및 투과율을 개선시키기 위하여 제안된 것이다.In general, the FFS mode liquid crystal display is proposed to improve the low aperture ratio and transmittance of the In-Plane Switching Mode (IPS mode) liquid crystal display.

FFS 모드 액정표시장치는 공통전극(상대전극)과 화소전극을 투명한 전도체로 형성하여, IPS 모드 액정표시장치에 비해 개구율 및 투과율을 높이면서, 공통전극과 화소전극 사이의 간격을 상/하부 유리기판들 간의 간격보다 좁게 형성하는 것에 의하여 공통전극과 화소전극 사이에서 프린지 필드가 형성되도록 함으로써, 전극들 상부에 존재하는 액정 분자들까지도 모두 동작되도록 하여 보다 향상된 투과율을 얻는다.In the FFS mode liquid crystal display, the common electrode (relative electrode) and the pixel electrode are formed of a transparent conductor, and the gap between the common electrode and the pixel electrode is increased by the upper and lower glass substrates while increasing the aperture ratio and the transmittance compared with the IPS mode liquid crystal display. By forming a fringe field between the common electrode and the pixel electrode by forming a narrower than the gap between them, even the liquid crystal molecules existing on the electrodes are operated to obtain a more improved transmittance.

FFS 모드 액정표시장치에 대한 종래 기술은 예를 들어, 본 출원인에 의하여 출원되고 등록된 한국특허번호 제341123호, 제855782호, 제849599호 등에 개시되어 있다.The prior art of the FFS mode liquid crystal display is disclosed in, for example, Korean Patent Nos. 341123, 855782, 849599, and the like, filed and registered by the present applicant.

상기 특허들 중 몇가지를 살펴보면, 먼저, 한국특허 제855782호는 투명 공통전극과 투명 공통전극의 상부에 절연층을 사이에 두고 이격 배치되는 투명 화소전극을 구비하고, 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향은 게이트 라인의 방향을 기준으로 5ㅀ 이내로 하며, 데이터 라인과 투명 화소전극 사이에 투명 공통전극의 일단부가 배치되고 데이터 라인 기준으로 투명 공통전극과 투명 화소 전극간의 간격을 조절하여 데이터 라인 근처의 개구율 및 광 투과율을 향상시킬 수 있는 발명을 개시하고 있다.Looking at some of the patents, first, Korean Patent No. 855782 has a transparent pixel electrode spaced apart from each other with an insulating layer interposed therebetween, and a rubbing direction for arranging the liquid crystal layer. Is within 5 ㅀ of the direction of the gate line, and one end of the transparent common electrode is disposed between the data line and the transparent pixel electrode, and the aperture ratio near the data line is adjusted by adjusting the distance between the transparent common electrode and the transparent pixel electrode based on the data line. And an invention capable of improving light transmittance.

또한, 한국특허 제849,599호는 데이터 라인 근처에서의 데이터 라인, 투명 공통전극, 및 투명 화소전극 각각의 전극폭, 전극 배치 관계 등을 조절함으로써 데이터 라인 근처에서의 액정구동과 화소 영역 중심에서의 액정구동이 각기 다른 액정구동 모드로 구동되도록 하고 이를 통해 데이터 라인 상부에 형성된 차광막을 제거하는 한편, 빛샘 현상을 방지할 수도 있도록 한 FFS 모드 액정표시장치 발명을 개시하고 있다.In addition, Korean Patent No. 849,599 discloses liquid crystal driving near the data line and liquid crystal at the center of the pixel region by adjusting the electrode width, electrode arrangement relationship, etc. of each of the data line, the transparent common electrode, and the transparent pixel electrode near the data line. Disclosed is an FFS mode liquid crystal display device in which driving is driven in different liquid crystal driving modes, thereby eliminating light blocking films formed on the data lines, and preventing light leakage.

그러나, 전술한 한국 특허 제855,782호와 한국 특허 제849,599호는 야외 시인성을 높이고, 개구율을 높이며 저전력이 가능하게 하는 등의 많은 부분에서 효과적인 발명이지만 여전히 개선해야 할 문제점이 있다.However, the above-mentioned Korean Patent No. 855,782 and Korean Patent No. 849,599 are effective inventions in many parts, such as increasing outdoor visibility, increasing aperture ratio, and enabling low power, but still have problems to be improved.

먼저, 차광막 축소 및 제거에 의해 상하판 합착 마진이 감소되어 혼색이 발 생할수 있어 불량율을 증가시키는 요인이 되는 문제점이 있으며, 특히 특허 제849,599호는 데이터 라인 근처에서 데이터 라인의 단차에 의해 러빙 방향의 반대편 단차에서는 러빙이 완벽하게 이루어 지지 않게 되어 투명전극의 방향과 러빙 방향의 데이터 라인의 반대편 부분에서 빛샘 현상이 발생할 수 있는 문제점이 있게 된다.First, there is a problem in that the upper and lower plate bonding margin is reduced due to the reduction and removal of the light shielding film, which may cause color mixing, and thus, a problem of increasing the defective rate is caused. In the step on the opposite side, rubbing is not made completely, and there is a problem that light leakage may occur at the opposite side of the data line in the direction of the transparent electrode and the rubbing direction.

따라서, 상술한 문제점을 해결하기 위하여 여전히 새로운 FFS 모드 액정표시장치에 대한 요구가 있는 실정이다.Therefore, there is still a need for a new FFS mode liquid crystal display device to solve the above problems.

상술한 문제점을 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명의 목적은 새로운 적층 구조, 디자인을 가지는 FFS 모드 액정표시장치를 제공하는 것이다.As a means for solving the above problems, it is an object of the present invention to provide an FFS mode liquid crystal display device having a novel laminated structure, design.

본 발명의 다른 목적은 데이터 차광막을 가능한 줄이거나 차광막을 전혀 사용하지 않도록 함으로써 개구율을 향상하고 저전력이 가능하도록 하는 FFS 모드 액정표시장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an FFS mode liquid crystal display device which improves the aperture ratio and enables low power by reducing the data light shielding film as much as possible or not using the light shielding film at all.

본 발명의 다른 목적은 게이트 라인, 데이터 라인 등 투과영역 이외의 영역을 가능한 많이 반사영역으로 활용할 수 있도록 도전성 반사영역을 형성함으로써 야외 시인성을 향상시키는 것이다.Another object of the present invention is to improve the outdoor visibility by forming a conductive reflective region so that the regions other than the transmissive region such as gate lines and data lines can be utilized as reflective regions as much as possible.

본 발명의 다른 목적은 빛샘 현상, 혼색 현상 등을 최소화할 수 있도록 하여 화면 품위를 향상시킬 수 있는 FFS 모드 액정표시장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an FFS mode liquid crystal display device which can improve screen quality by minimizing light leakage, mixing, and the like.

상술한 문제점을 해결하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제1 측면은 하부 기판, 상부 기판, 및 상기 기판들 사이에 삽입된 액정층을 포함하고 상기 하부 기판에는 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되고 상기 라인들의 교차부에는 스위칭 소자가 배치되어 있는 FFS 모드 액정표시장치에 있어서, 상기 액정층에 전압을 인가하여 광 투과량을 조절하기 위하여, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인들을 포함한 영역 전체의 상부에 적어도 제1 층간 절연층을 사이에 두고 형성되는 투명 공통전극; 상기 투명 공통전극과 접속되는 구조로 상기 데이터 라인과 상기 스위칭 소자를 포함한 상기 게이트 라인 상부에 형성된 도전성 반사구조물; 및 상기 투명 공통전극과 상기 도전성 반사구조물의 상부에 적어도 제2 층간절연층을 사이에 두고 상기 각 화소 영역내에 형성되며 그 내부에 다수개의 슬릿을 구비한 슬릿 타입으로 형성된 투명 화소전극을 갖는 FFS 모드 액정표시장치를 제공한다.As a technical means for solving the above-described problems, the first aspect of the present invention includes a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer interposed between the substrates, the gate line formed in the direction crossing each other on the lower substrate In a FFS mode liquid crystal display in which each pixel region is defined by a data line and a switching element is disposed at an intersection of the lines, the gate line is configured to adjust a light transmission amount by applying a voltage to the liquid crystal layer. And a transparent common electrode formed over at least a first interlayer insulating layer over the entire area including the data lines. A conductive reflective structure formed over the gate line including the data line and the switching element in a structure connected to the transparent common electrode; And a transparent pixel electrode formed in each pixel region having at least a second interlayer insulating layer therebetween on the transparent common electrode and the conductive reflective structure and formed of a slit type having a plurality of slits therein. A liquid crystal display device is provided.

바람직하게는, 투명 화소전극의 에지 부분은 상기 도전성 반사구조물과 적어도 일부분이 서로 오버랩된다.Preferably, an edge portion of the transparent pixel electrode overlaps at least a portion of the conductive reflective structure.

바람직하게는, 투명 화소전극의 다수개의 슬릿은 상기 게이트 라인과 일정 각도를 이루고, 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향은 게이트 라인의 방향과 실질적으로 평행하게 유지한다.Preferably, the plurality of slits of the transparent pixel electrode form an angle with the gate line, and the rubbing direction for arranging the liquid crystal layer is kept substantially parallel to the direction of the gate line.

바람직하게는, 도전성 반사구조물은 투명 화소전극과 스위칭 소자의 드레인 전극의 접속을 위하여 드레인 전극의 일부 영역을 제외하고 형성될 수 있다.Preferably, the conductive reflective structure may be formed except for a portion of the drain electrode for connecting the transparent pixel electrode and the drain electrode of the switching element.

또한, 바람직하게는, 도전성 반사구조물은 상기 스위칭 소자의 드레인 전극의 일부 영역과 채널 영역을 제외하고 형성될 수 있다.Further, preferably, the conductive reflective structure may be formed except for some regions and channel regions of the drain electrode of the switching element.

본 발명의 제2 측면은 하부 기판, 상부 기판, 및 상기 기판들 사이에 삽입되는 액정층을 포함하고 상기 하부 기판에는 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되고 상기 라인들의 교차부에는 스위칭 소자가 배치되어 있는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상 기 하부 기판 상에 게이트 라인을 형성하는 단계; 상기 게이트 라인을 포함한 기판 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상부의 정해진 영역에 활성층 및 데이터 라인을 형성하는 단계; 상기 데이터 라인을 포함한 결과물 상부에 적어도 제1 절연층을 사이에 두고 전체적으로 투명 공통전극을 형성하는 단계; 상기 투명 공통전극과 접속되며 상기 데이터 라인과 상기 게이트 라인 및 상기 스위칭 소자의 일부 영역에 도전성 반사구조물을 형성하는 단계; 상기 도전성 반사구조물을 포함한 결과물 상부에 적어도 제2 절연층을 사이에 두고 상기 각 화소 영역 내에 형성되며 그 내부에 다수개의 슬릿을 구비한 슬릿 타입으로 된 투명 화소전극을 형성하는 단계를 갖는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.A second aspect of the present invention includes a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer interposed between the substrates, and each pixel region is defined by a gate line and data lines formed in a direction crossing each other on the lower substrate. A method of manufacturing a FFS mode liquid crystal display device having a switching element disposed at an intersection of the lines, the method comprising: forming a gate line on the lower substrate; Forming a gate insulating film on the substrate including the gate line; Forming an active layer and a data line in a predetermined region over the gate insulating film; Forming a transparent common electrode as a whole with at least a first insulating layer interposed therebetween on the resultant including the data line; Forming a conductive reflecting structure connected to the transparent common electrode and in a portion of the data line, the gate line, and the switching element; Forming a slit type transparent pixel electrode formed in each pixel region with at least a second insulating layer interposed therebetween on a resultant including the conductive reflective structure and having a plurality of slits therein; A method of manufacturing a display device is provided.

본 발명에 의하면, 투명공통전극, 투명화소전극, 도전성 반사구조물을 데이터 라인, 게이트 라인, 드레인 전극 과의 배치 구조를 최적화함으로써 개구율과 반사도를 최적화할 수 있는 구조를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a structure capable of optimizing the aperture ratio and reflectivity by optimizing the arrangement of the transparent common electrode, the transparent pixel electrode, and the conductive reflective structure with the data line, the gate line, and the drain electrode.

또한, 본 발명에 의하면, 상부 기판의 차광막을 가능한 줄이거나 심지어 차광막을 전혀 사용하지 않도록 함으로써 개구율을 향상하고 저전력이 가능할 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, by reducing the light shielding film of the upper substrate as much as possible or even not using the light shielding film at all, the aperture ratio can be improved and low power can be achieved.

또한, 본 발명은 게이트 라인, 데이터 라인 등 투과영역 이외의 영역을 가능한 많이 반사영역으로 활용할 수 있도록 도전성 반사구조물로 반사 영역을 형성함으로써 야외 시인성을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can improve outdoor visibility by forming a reflective region with a conductive reflective structure so that the regions other than the transmissive region such as gate lines and data lines can be utilized as reflective regions as much as possible.

또한, 본 발명에 의하면, 빛샘 현상, 혼색 현상 등을 최소화할 수 있도록 하여 화면 품위를 향상시킬 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, it is possible to minimize the light leakage phenomenon, mixed color phenomenon, etc. to improve the screen quality.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the technical idea of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 하부 기판, 상부 기판, 및 하부 기판과 상부 기판 사이에 삽입된 액정층을 포함하고, 하부 기판에는 액정층에 전압을 인가하기 위하여 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되어 있다.The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer interposed between the lower substrate and the upper substrate, and the lower substrate is formed in a direction crossing each other to apply a voltage to the liquid crystal layer. Each pixel region is defined by gate lines and data lines.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 하부 기판에 형성된 화소 영역의 일부 평면도이다. 도 2a 내지 도 2c는 각각 도 1의 선 A-A', 선 B-B', 및 C-C'을 절취한 단면도이다.1 is a partial plan view of a pixel area formed on a lower substrate of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. 2A to 2C are cross-sectional views taken along line A-A ', line B-B', and C-C 'of FIG. 1, respectively.

도 1, 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 본 실시예의 FFS 모드 액정표시장치는 하부 기판(100) 상에 게이트 라인(120)과 데이터 라인(150)이 교차하도록 배열되고, 게이트 라인(120)과 데이터 라인(150)의 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 배치된다.1 and 2A to 2C, the FFS mode liquid crystal display according to the present exemplary embodiment is arranged such that the gate line 120 and the data line 150 intersect on the lower substrate 100 and the gate line 120 crosses the gate line 120. A thin film transistor, which is a switching element, is disposed at an intersection of the data line 150 and the data line 150.

게이트 라인(120)과 데이터 라인(150)에 의해 규정된 각 단위 화소 영역 내 에는 액정층에 전압을 인가하여 광 투과량을 조절하기 위하여 투명 공통전극(170)과 데이터 라인(150)을 향하는 방향의 다수개의 슬릿을 구비한 슬릿 타입으로 된 투명 화소전극(200)이 층간절연층(190)을 사이에 두고 이격되어 배치된다. 투명 공통전극(170)은 특별히 한정되지 않은 형상이 가능하지만 바람직하게는 플레이트 형상을 가진다.In the unit pixel region defined by the gate line 120 and the data line 150, a direction toward the transparent common electrode 170 and the data line 150 is applied to control the light transmission amount by applying a voltage to the liquid crystal layer. The slit type transparent pixel electrode 200 having a plurality of slits is spaced apart from each other with the interlayer insulating layer 190 interposed therebetween. The transparent common electrode 170 may have a shape that is not particularly limited, but preferably has a plate shape.

또한, 투명 공통전극(170) 상부에는 반사율과 개구율을 향상시키기 위하여 상기 투명 공통전극(170)과 접속되는 형태로 도전성 반사구조물(180)이 배치된다.In addition, the conductive reflective structure 180 is disposed on the transparent common electrode 170 to be connected to the transparent common electrode 170 to improve reflectance and aperture ratio.

하부 기판(100) 상부에는 소정 거리 이격되어 상부 기판(미도시)이 형성되어 있고, 상부 기판(미도시)에는 컬러필터 및 오버코트를 구비하여 하부 기판(100)과 다수개의 액정분자를 포함하는 액정층(미도시)을 사이에 두고 서로 합착된다.An upper substrate (not shown) is formed on the lower substrate 100 to be spaced apart by a predetermined distance, and the upper substrate (not shown) includes a color filter and an overcoat, and includes a lower substrate 100 and a plurality of liquid crystal molecules. They are bonded to each other with a layer (not shown) in between.

본 실시예에는 투명 공통전극(170)과 투명 화소전극(200) 및 도전성 반사구조물(180)의 배치 구조에 주된 특징 중 하나가 있는 것으로, 투명 공통전극(170)과 투명 화소전극(200)의 형상과 더불어 게이트 라인(120), 데이터 라인(150), 각 층간 절연층(160, 190)과 적층되는 구조와 배치 구조를 적절하게 최적화함으로써 본 발명의 목적을 극대화하여 실현한다.In this embodiment, one of the main features of the arrangement structure of the transparent common electrode 170, the transparent pixel electrode 200, and the conductive reflective structure 180 is included. In addition to the shape of the gate line 120, the data line 150, and the structure and arrangement of the stacked structure and the interlayer insulating layer (160, 190) is properly optimized by maximizing the object of the present invention.

특히, 투명 공통전극(170)은 각 단위 화소 영역에 고립된 형상으로 형성되지 않고 스위칭 소자(또는 드레인 전극(150a)) 일부 영역(도 3d 참조)을 제외하고 데이터 라인(150), 게이트 라인(120)의 상부를 포함한 전체 영역에 형성되는 구조를 갖는다. 즉, 스위칭 소자(또는 드레인 전극(150a)) 일부 영역(도 3d 참조)에 투명 공통전극(170)의 미형성영역이 존재하게 되는데 이는 이후 스위칭 소자의 드레인 전극(150a)과 투명 화소전극(200)이 접속되는 부분이므로 투명 공통전극(170)의 형성이 제외되는 것이 바람직하다.In particular, the transparent common electrode 170 is not formed in an isolated shape in each unit pixel region, except for a portion of the switching element (or the drain electrode 150a) (see FIG. 3D), the data line 150 and the gate line ( It has a structure formed in the entire region including the top of the 120. That is, an unformed region of the transparent common electrode 170 is present in a portion of the switching element (or drain electrode 150a) (see FIG. 3D), which is then the drain electrode 150a and the transparent pixel electrode 200 of the switching element. ) Is a portion to which the transparent common electrode 170 is excluded.

이런 구조에 의하면, 투명 공통전극(170)을 통해 외부로부터 전압이 인가되어 각 단위 화소영역으로 전달되는 경우 저항이 줄어들게 되어 대화면 액정표시 장치에 유리할 수 있다. 투명 공통전극(170)의 구조를 기판 전체를 통해 연결되는 구조를 가질 수 있도록 본 실시예에서는 투명 공통전극(170), 투명 화소전극(200), 게이트 라인(120), 데이터 라인(150), 각 층간 절연층(160, 190)의 배치 구조, 적층 위치를 조절한다.According to this structure, when a voltage is applied from the outside through the transparent common electrode 170 and transferred to each unit pixel region, the resistance is reduced, which may be advantageous for the large screen liquid crystal display. In this embodiment, the transparent common electrode 170, the transparent pixel electrode 200, the gate line 120, the data line 150, and the like may have a structure in which the structure of the transparent common electrode 170 is connected to the entire substrate. The arrangement structure and stacking position of each interlayer insulating layer 160, 190 are adjusted.

본 실시예에서는 기판(100) 상부에 게이트 라인(120), 게이트 절연층(130), 활성층(140), 및 데이터 라인(150)을 형성하고, 그 상부에 층간 절연층(160)을 사이에 두고 기판 전체에 형성된 투명 공통전극(170), 투명 공통전극(170)과 접속되어 형성된 도전성 반사구조물(180), 그 상부에 층간 절연층(190), 및 투명 화소전극(200)을 적층하는 구조를 갖는다.In the present exemplary embodiment, the gate line 120, the gate insulating layer 130, the active layer 140, and the data line 150 are formed on the substrate 100, and the interlayer insulating layer 160 is interposed therebetween. A transparent common electrode 170 formed on the entire substrate, a conductive reflective structure 180 formed by being connected to the transparent common electrode 170, an interlayer insulating layer 190, and a transparent pixel electrode 200 formed thereon. Has

이러한 구조는 전체 액정표시장치의 개구율을 획기적으로 넓게 할 수 있게 되는 효과가 있다.Such a structure has an effect that can significantly widen the aperture ratio of the entire liquid crystal display device.

한편, 투명 화소전극(200)의 다수개의 슬릿은 게이트 라인(120)과 일정 각도θ을 이루는 경우 데이터 라인 주변부의 빛샘 현상을 피할 수 있었다. 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향을 게이트 라인의 방향과 실질적으로 평행하게 유지한 경우 상기 일정 각도 θ은 1 내지 15 도를 유지하는 것이 바람직하다.On the other hand, the plurality of slits of the transparent pixel electrode 200 may avoid light leakage around the data line when the plurality of slits form a predetermined angle θ with the gate line 120. When the rubbing direction for arranging the liquid crystal layer is kept substantially parallel to the direction of the gate line, the predetermined angle θ is preferably maintained at 1 to 15 degrees.

특히, 상기 각도 θ은 액정 구동시 최대투과율과 V-T 곡선의 기울기를 고려 하여 조절 가능할 수 있으며, 바람직하게는 약 7도를 유지한다.In particular, the angle θ may be adjustable in consideration of the maximum transmittance and the inclination of the V-T curve when driving the liquid crystal, and preferably maintains about 7 degrees.

한편, 투명 공통전극(170)과 접속되는 구조로 형성된 도전성 반사 구조물(180)은 반사율이 상대적으로 우수한 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(MoW), 실버(Ag), 실버합금, 텅스텐(W), 및 적어도 이들 하나를 구비하는 합금을 이용하여 형성할 수 있고, 투명 공통전극(170)의 상부에 직접 접촉하는 방식으로 형성되어 투명 공통전극(170)의 저항을 감소시키는 역할과, 빛샘과 혼색을 방지하는 역할을 수행하는 동시에 반사구조물의 역할도 수행하게 된다.On the other hand, the conductive reflective structure 180 formed of a structure connected to the transparent common electrode 170 has a relatively high reflectance of aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), molybdenum alloy (MoW), silver ( Ag), a silver alloy, tungsten (W), and an alloy including at least one of these, and may be formed in a manner of directly contacting the upper portion of the transparent common electrode 170. It serves to reduce the resistance and prevent light leakage and mixing, and at the same time serves as a reflective structure.

본 실시예에서는 도전성 반사구조물(180) 자체의 형상 뿐 아니라, 도전성 반사구조물(180)과 다른 구조물(투명 공통전극(170), 투명 화소전극(200), 데이터 라인(150), 게이트 라인(120), 드레인 전극(150a) 등)과의 배치 구조를 최적화함으로써 개구율과 반사도를 최적화할 수 있는 수단을 제공한다.In the present embodiment, not only the shape of the conductive reflective structure 180 itself, but also a structure different from the conductive reflective structure 180 (transparent common electrode 170, transparent pixel electrode 200, data line 150, gate line 120). ), And means for optimizing the aperture ratio and the reflectivity by optimizing the arrangement with the drain electrode 150a and the like.

액정표시장치의 상부에서 기판을 바라보는 경우 도전성 반사구조물(180)은 데이터 라인(150), 게이트 라인(120) 등의 상부에 입사되는 광의 내부 반사를 증가시키기 위하여 형성되는 것으로 내부 반사를 향상시키고 개구율을 증가시켜 실외 가독성을 향상시킬 수 있는 역할을 수행한다. 한편, 게이트 라인(120) 및 데이터 라인(150)과 대응되는 상부 기판에는 차광영역이 형성되지 않는 것이 바람직하다. 즉, 상부 기판의 차광영역은 전혀 형성되지 않을 수도 있고 스위칭 소자에 대응되는 일부 영역에만 형성될 수 있다.When the substrate is viewed from the top of the liquid crystal display, the conductive reflective structure 180 is formed to increase the internal reflection of the light incident on the data line 150, the gate line 120, and the like. Increasing the aperture ratio plays a role to improve outdoor readability. Meanwhile, it is preferable that a light blocking area is not formed in the upper substrate corresponding to the gate line 120 and the data line 150. That is, the light blocking region of the upper substrate may not be formed at all or may be formed only in a partial region corresponding to the switching element.

바람직하게는, 도전성 반사구조물(180)은 각 단위 화소영역이 서로 연결되는 구조를 갖는다. 즉, 도전성 반사구조물(180)은 기판 전체를 통해 연결되는 구조를 가지는 것으로, 게이트 라인(120)과 데이터 라인(150) 상부 및 일부 영역을 제외한(스위칭 소자의 일부 영역에만 도전성 반사구조물의 미형성 영역이 존재하는 형태임) 스위칭 소자영역의 상부에 투명 공통전극(170)과 접속되게 형성된다. 도전성 반사구조물(180)이 형성되는 영역은 외부 반사량, 저항 감소 등과 직접적인 관계가 있는 것으로 특히 본 실시예에 따른 적층 구조에서는 다른 구조물(투명 공통전극(170), 투명 화소전극(200), 데이터 라인(150), 게이트 라인(120), 드레인 전극(150a) 등)과의 배치 관계에 따라 개구율, 반사량, 저항 등이 변화되어 적절한 범위를 찾는 것이 필요하다.Preferably, the conductive reflective structure 180 has a structure in which each unit pixel region is connected to each other. That is, the conductive reflective structure 180 has a structure that is connected through the entire substrate, except for the upper portion and the partial region of the gate line 120 and the data line 150 (not forming only the conductive reflective structure in a portion of the switching element). The region exists.) The upper portion of the switching element region is connected to the transparent common electrode 170. The region in which the conductive reflective structure 180 is formed is directly related to the external reflection amount, the resistance reduction, and the like. In particular, in the stacked structure according to the present embodiment, other structures (transparent common electrode 170, transparent pixel electrode 200, and data lines) are formed. (150), the gate line 120, the drain electrode 150a, etc.), the aperture ratio, the amount of reflection, the resistance, etc. are changed, and it is necessary to find an appropriate range.

한편, 도전성 반사구조물(180)의 이러한 배치 관계는 본 실시예의 구체적인 적층 구조인 경우 바람직하게 적용가능한 바, 상세하게는, 투명 공통전극을 화소 전체 영역으로 형성하고(스위칭 소자 일부 영역에 미형성 영역 구비), 이 투명공통전극에 접속되는 형태로 도전성 반사구조물이 형성되고, 이들 상부에 절연막을 사이에 두고 각 단위 화소 마다 다수의 슬릿을 구비하는 투명화소 전극을 형성한 구조이다. 바람직하게는, 도전성 반사구조물(180)은 스위칭 소자의 드레인 전극(150a)의 일부 영역을 제외하면서 데이터 라인(150)과 게이트 라인(120)의 상부에 격자형 구조로 형성되거나(도 4 참조), 스위칭 소자의 드레인 전극(150a)과 채널 영역의 일부 영역을 제외하면서 데이터 라인(150)과 게이트 라인(120)의 상부에 격자형 구조로 형성된다(도 1 참조). 이러한 구조의 또 다른 예는 도 6 및 도 7에 개시된다.On the other hand, such an arrangement relationship of the conductive reflective structure 180 is preferably applicable to the specific stacked structure of the present embodiment. Specifically, the transparent common electrode is formed in the entire pixel region (not formed region in the switching element partial region). And a conductive reflective structure formed in such a manner as to be connected to the transparent common electrode, and a transparent pixel electrode having a plurality of slits for each unit pixel with an insulating film interposed therebetween. Preferably, the conductive reflective structure 180 is formed in a lattice structure on the data line 150 and the gate line 120 except for a portion of the drain electrode 150a of the switching element (see FIG. 4). In addition, the drain electrode 150a of the switching element and a portion of the channel region are excluded, and are formed in a lattice structure on the data line 150 and the gate line 120 (see FIG. 1). Another example of such a structure is disclosed in FIGS. 6 and 7.

도전성 반사구조물(180)과 데이터 라인(150), 게이트 라인(120) 및 드레인 전극(150a)과의 관계를 좀더 상세히 살펴보면, 도전성 반사구조물(180)은 데이터 라인(150)과 게이트 라인(120)을 내부에 포함하는 형태로 형성하고 투명 화소전극(200)과 일부 오버랩되는 구조(D4, D5)를 가지는 것이 바람직하다.(도 2b, 도 2c 참조) D4, D5은 이웃하는 두 화소전극(200) 사이에 발생하는 횡전계로 인한 빛샘을 방지하기 위한 것으로 공정 능력을 고려하여 0.1 내지 5.0 마이크로미터로 형성하는 것이 바람직하고 더욱 바람직하게는 0.5 내지 2 마이크로미터로 형성한다.Looking at the relationship between the conductive reflective structure 180 and the data line 150, the gate line 120 and the drain electrode 150a in more detail, the conductive reflective structure 180 is the data line 150 and the gate line 120 It is preferable to have a structure (D4, D5) formed in the form including the inside and partially overlap with the transparent pixel electrode (see Fig. 2b, 2c). D4, D5 is adjacent to the two pixel electrode 200. In order to prevent light leakage due to the transverse electric field generated between), it is preferable to form in a range of 0.1 to 5.0 micrometers, more preferably 0.5 to 2 micrometers in consideration of process capability.

한편, 도전성 반사구조물(180)을 데이터 라인(150) 및 게이트 라인(120)을 내부에 포함하는 형태로(덮는 구조) 형성하는 것은 반사율과 투과율의 적절한 조정과 러빙 방향에 따라 데이터 라인(150)과 게이트 라인(120)의 단차 때문에 상기 라인 주변부에서 발생할 수 있는 빛샘 및 혼색 방지 등의 역할을 수행하기 위한 것이다.On the other hand, forming the conductive reflecting structure 180 in a form (covering structure) including the data line 150 and the gate line 120 therein is appropriate to adjust the reflectance and transmittance and the data line 150 in accordance with the rubbing direction Due to the step difference between the gate line 120 and to prevent light leakage and color mixing that may occur in the periphery of the line.

한편, 도전성 반사구조물(180)은 드레인 전극(150a)의 에지 영역의 적어도 일부를 오버랩하는 것이 바람직하다. 도 1의 삽입그림에서 D1, D2, D3는 도전성 반사 구조물(180)이 드레인 전극(150a)의 에지 영역과 오버랩된 거리들을 도시하고 있다. D1, D2, D3는 공정 능력을 고려하여 0.5 내지 5.0 마이크로미터를 유지하는 것이 바람직하다. D1, D2, D3를 도 1과 같이 오버랩시키는 것은 공정시 단차 등에 의해 발생할 수 있는 빛샘 현상을 방지 하기 위한 것으로 이와 같은 오버랩은 반드시 필요한 것은 아니고 다른 변형예도 가능하다. 그 변형예는 도 6 및 도 7와 관련 설명에 개시되어 있다.On the other hand, the conductive reflective structure 180 preferably overlaps at least a portion of the edge region of the drain electrode 150a. In the inset of FIG. 1, D1, D2, and D3 show the distances at which the conductive reflective structure 180 overlaps the edge region of the drain electrode 150a. D1, D2, and D3 are preferably maintained at 0.5 to 5.0 micrometers in consideration of process capability. The overlapping of D1, D2, and D3 as shown in FIG. 1 is to prevent light leakage that may occur due to a step in the process, such an overlap is not necessary, and other modifications are possible. Modifications thereof are disclosed in the descriptions of FIGS. 6 and 7.

본 발명자들은 게이트 라인(120)과 평행한 방향으로 수행되는 러빙시 게이트 라인(120) 부분(스위칭 소자의 드레인 영역과 오버랩되는 영역(R) 포함) 에서 러빙 공정 불안에 의해 빛샘이 발생하는 경우를 확인하였고 이러한 문제점은 도전성 반사구조물(180)과 게이트 라인(120)의 에지 영역 일부 오버랩시킴으로써 해결할 수 있었다.The inventors have found that light leakage occurs due to an unstable rubbing process in a portion of the gate line 120 (including the region R overlapping with the drain region of the switching element) during rubbing performed in a direction parallel to the gate line 120. This problem was solved by partially overlapping the edge region of the conductive reflective structure 180 and the gate line 120.

이하, 도 1, 도 2a 내지 도 2c, 도 3a 내지 도 3g를 참조하여 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2A to 2C, and 3A to 3G.

먼저, 하부 기판(100) 상에 도전성이 우수한 불투명 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트 라인(120)을 형성한다(도 3a).First, the gate line 120 is formed by depositing and patterning an opaque metal having excellent conductivity on the lower substrate 100 (FIG. 3A).

게이트 라인(120)을 덮도록 게이트 절연막(130)을 증착한 후, 게이트 절연막(130) 상에 a-Si층과, n+ a-Si층을 연속 증착한 후 패터닝을 통해 활성층(140)을 형성한다(도 3b).After the gate insulating layer 130 is deposited to cover the gate line 120, the a-Si layer and the n + a-Si layer are sequentially deposited on the gate insulating layer 130, and then the active layer 140 is formed through patterning. (FIG. 3B).

또한, 활성층(140) 상에 금속층을 증착한 후 패터닝을 통해 데이터 라인(150)과 소스(150), 드레인(150a) 전극을 형성하고, 그 위에 제1 층간절연층(160)을 증착한다(도 3c).In addition, after depositing a metal layer on the active layer 140 to form a data line 150, source 150, drain 150a electrode by patterning, and depositing a first interlayer insulating layer 160 thereon ( 3c).

다음으로, 투명 도전층을 증착하고 이를 패터닝하여 투명 공통 전극(170)을 형성한다. 이 경우 투명 공통전극(170)은 각 단위 화소 영역에 고립된 형상으로 형성되지 않고 기판 전체를 통해 볼 때 전체가 연결되는 구조를 갖는 것은 전술한 바와 같다(도 3d).Next, a transparent conductive layer is deposited and patterned to form a transparent common electrode 170. In this case, the transparent common electrode 170 is not formed in an isolated shape in each unit pixel region, but has a structure in which the whole is connected when viewed through the entire substrate (FIG. 3D).

그 후, 반사율이 상대적으로 우수한 금속을 증착한 후 패터닝을 통해 도전성 반사구조물(180)을 형성한다. 도전성 반사구조물(180)은 각 단위 화소영역이 서로 연결되는 구조를 가지며 금속의 저항에 따라 100ㅕ 내지 7000ㅕ의 두께를 증착하고 이를 패터닝하여 형성할 수 있다(도 3e).Thereafter, a metal having a relatively high reflectance is deposited, and then the conductive reflective structure 180 is formed through patterning. The conductive reflective structure 180 has a structure in which each unit pixel region is connected to each other, and may be formed by depositing and patterning a thickness of 100 μs to 7000 μs depending on the resistance of the metal (FIG. 3E).

다음으로, 투명 공통전극(170)과 도전성 반사구조물(180) 상부에 제2 층간절연층(190)을 형성하고, 드레인 전극(150a)의 일부분이 노출되도록 콘택홀(CN)을 형성한 후 층간절연층(190) 상에 투명 도전층을 증착한다(도 3f).Next, a second interlayer insulating layer 190 is formed on the transparent common electrode 170 and the conductive reflective structure 180, and a contact hole CN is formed to expose a portion of the drain electrode 150a. A transparent conductive layer is deposited on the insulating layer 190 (FIG. 3F).

그 후, 투명 도전층을 패터닝하여 슬릿 형태의 투명 화소전극(200)을 형성한다(도 3g). 이때, 콘택홀(CN)에 삽입 증착되는 투명 도전층에 의해 드레인 전극(150a)과 투명 화소 전극(200)이 연결된다.Thereafter, the transparent conductive layer is patterned to form a slit transparent pixel electrode 200 (FIG. 3G). In this case, the drain electrode 150a and the transparent pixel electrode 200 are connected to each other by a transparent conductive layer deposited in the contact hole CN.

한편, 상부 기판에는 차광영역(미도시)이 형성되는데, 본 실시예에 의하면 스위칭 소자와 대응되는 상부기판에만 차광영역이 구비되거나 전혀 형성하지 않는 것도 가능하다. 종래 기술에 의하면 게이트 라인(120)과 데이터 라인(150)의 상부에도 차광영역이 형성되는데 비해 본 실시예에서는 데이터 라인(150) 및/또는 게이트 라인(120)과 대응하는 상부 기판(200)에도 차광영역이 형성되지 않는다. 차광영역의 형성지역이 줄어들면 상대적으로 개구율이 증가하는 것은 자명하다.On the other hand, a light shielding area (not shown) is formed in the upper substrate. According to the present embodiment, the light shielding region may be provided only in the upper substrate corresponding to the switching element or may not be formed at all. According to the related art, a light blocking region is formed on the gate line 120 and the data line 150, but in the present exemplary embodiment, the light blocking region is also formed on the upper substrate 200 corresponding to the data line 150 and / or the gate line 120. No light shielding area is formed. It is obvious that the opening ratio is relatively increased when the area of shading region is reduced.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 하부 기판에 형성된 화소 영역의 일부 평면도이다. 도 5a는 도 4의 선 A-A'을 절취한 단면도이고, 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 제조과정 중 도전성 반사구조물 형성 공정 평면도이다.4 is a partial plan view of a pixel area formed on a lower substrate of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention. 5A is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 4, and FIG. 5B is a plan view of a process of forming a conductive reflective structure during a manufacturing process of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

설명의 편의를 위해서 도 1의 실시예와의 차이점을 위주로 설명하면, 주된 차이점은 도전성 반사구조물(180)의 영역에 있다.For convenience of explanation, the difference from the embodiment of FIG. 1 will be mainly described. The main difference is in the region of the conductive reflective structure 180.

도 4, 도 5a, 및 도 5b를 참조하면, 도전성 반사구조물(180)은 스위칭 소자의 드레인 전극(150a) 영역을 제외하고 채널(140) 영역을 포함하고, 데이터 라인(150)과 게이트 라인(120)의 상부에 격자형 구조로 형성한다.4, 5A, and 5B, the conductive reflective structure 180 includes a region of the channel 140 except for the region of the drain electrode 150a of the switching element, and includes a data line 150 and a gate line ( 120 is formed in a lattice structure on the top.

본 실시예에 의하면, 채널(140) 영역의 상부에도 도전성 반사구조물(180)을 형성함으로써 반사영역을 더욱 확대할 수 있음은 물론이고 상부 기판에 형성되는 차광막을 전혀 형성하지 않는 것도 가능하게 된다. 즉, 도 1의 실시예의 경우 보다 차광막으로 형성해야 할 부분이 더욱 협소하게 됨은 물론이고 도 4의 경우는 차광막을 전혀 형성하지 않는 경우 더욱 이점이 있다.According to the present exemplary embodiment, the conductive reflective structure 180 may be formed on the upper portion of the channel 140 to further enlarge the reflective region and to not form the light blocking film formed on the upper substrate. That is, in the case of the embodiment of FIG. 1, the portion to be formed as the light shielding film becomes narrower, and of course, in the case of FIG. 4, the light shielding film is not formed at all.

도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 액정표시장치의 하부 기판에 형성된 화소 영역의 일부 평면도이다.6 and 7 are partial plan views of a pixel area formed on a lower substrate of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

설명의 편의를 위해서 도 1 및 도 4의 실시예와의 차이점을 위주로 설명하면, 주된 차이점은 도전성 반사구조물(180)의 영역에 있다.For convenience of explanation, the difference from the embodiment of FIGS. 1 and 4 will be mainly described. The main difference is in the region of the conductive reflective structure 180.

도 6과 도 1과의 주된 차이점은, 도 1의 기본적인 구조에서 도 6의 도전성 반사구조물(180)이 드레인 전극(150a) 에지의 일부 영역에만 형성되는 구조로 되어 있는 점이다.The main difference between FIG. 6 and FIG. 1 is that in the basic structure of FIG. 1, the conductive reflective structure 180 of FIG. 6 is formed only in a part of the edge of the drain electrode 150a.

또한 도 7과 도 4와의 주된 차이점도, 도 4의 기본적인 구조에서 도 7의 도전성 반사구조물(180)이 전극(150a) 에지의 일부 영역에만 형성되는 구조로 되어 있는 점이다.In addition, the main difference between FIG. 7 and FIG. 4 is that the conductive reflective structure 180 of FIG. 7 is formed only in a part of the edge of the electrode 150a in the basic structure of FIG. 4.

도 6 및 도 7의 경우는 도 1 및 도 4의 경우보다 개구율을 향상시키기 위해 효과적인 구조이다. 도전성 반사구조물(180)의 영역이 줄어들수록 개구율은 향상될 것이기 때문이다. 다만 이 경우의 경우도 스위칭 소자에서 게이트 라인과 인접한 드레인 영역은 도전성 반사 구조물(180)에 의해 오버랩할 수 있고 이러한 구조에 의해 빛샘 차단이 효과적일 수 있다. 이는 전술한 바와 같다.6 and 7 is an effective structure to improve the aperture ratio than the case of FIGS. 1 and 4. This is because the aperture ratio will be improved as the area of the conductive reflective structure 180 is reduced. However, even in this case, the drain region adjacent to the gate line in the switching device may overlap by the conductive reflective structure 180, and light leakage blocking may be effective by such a structure. This is as described above.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 하부 기판에 형성된 일부 화소 영역의 평면도이다.1 is a plan view of some pixel regions formed on a lower substrate of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2c는 각각 도 1의 선 A-A', 선 B-B', 및 C-C'을 절취한 단면도들이다.2A to 2C are cross-sectional views cut along the lines A-A ', B-B', and C-C 'of FIG. 1, respectively.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 제조과정을 설명하기 위한 도면들이다.3A to 3G are views for explaining a manufacturing process of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 하부 기판에 형성된 일부 화소 영역의 평면도이다.4 is a plan view of some pixel areas formed on a lower substrate of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5a는 도 4의 선 A-A'을 절취한 단면도이고, 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 제조과정 중 도전성 반사구조물 형성 공정 평면도이다.5A is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 4, and FIG. 5B is a plan view of a process of forming a conductive reflective structure during a manufacturing process of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 액정표시장치의 하부 기판에 형성된 화소 영역의 일부 평면도이다.6 and 7 are partial plan views of a pixel area formed on a lower substrate of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

Claims (16)

하부 기판, 상부 기판, 및 상기 기판들 사이에 삽입된 액정층을 포함하고 상기 하부 기판에는 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되고 상기 라인들의 교차부에는 드레인 전극, 소스 전극 및 채널 영역을 포함하는 스위칭 소자가 배치되어 있는 FFS 모드 액정표시장치에 있어서,Each pixel region is defined by a gate line and data lines including a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer interposed between the substrates, and the lower substrate has a gate line and data lines formed in an intersecting direction. In the FFS mode liquid crystal display device in which a switching element including a drain electrode, a source electrode and a channel region is disposed, 상기 액정층에 전압을 인가하여 광 투과량을 조절하기 위하여, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인들을 포함한 영역 전체의 상부에 적어도 제1 층간 절연층을 사이에 두고 형성되는 투명 공통전극;A transparent common electrode formed with an at least a first interlayer insulating layer interposed between the gate line and the data line to control light transmission by applying a voltage to the liquid crystal layer; 상기 투명 공통전극과 접속되는 구조로 상기 데이터 라인과 상기 스위칭 소자의 일부를 포함한 상기 게이트 라인 상부에 형성된 도전성 반사구조물; 및A conductive reflective structure formed over the gate line including a portion of the data line and the switching element in a structure connected to the transparent common electrode; And 상기 투명 공통전극과 상기 도전성 반사구조물의 상부에 적어도 제2 층간절연층을 사이에 두고 상기 각 화소 영역내에 형성되며 그 내부에 다수개의 슬릿을 구비하며 상기 스위칭 소자의 드레인 전극과 접속하게 형성된 투명 화소전극을 갖는 FFS 모드 액정표시장치.A transparent pixel formed in each pixel area with at least a second interlayer insulating layer interposed between the transparent common electrode and the conductive reflective structure and having a plurality of slits therein and connected to the drain electrode of the switching element; An FFS mode liquid crystal display device having an electrode. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 도전성 반사구조물은 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인을 덮는 구 조로 형성되는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.And the conductive reflective structure is formed to cover the gate line and the data line. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 도전성 반사구조물은 상기 스위칭 소자의 드레인 전극의 일부 영역을 제외한 상기 스위칭 소자를 포함하고 상기 데이터 라인과 상기 게이트 라인의 상부에 격자형 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.And the conductive reflective structure includes the switching element except for a portion of the drain electrode of the switching element, and is formed in a lattice structure on the data line and the gate line. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 도전성 반사구조물은 상기 스위칭 소자의 드레인 전극 영역과 채널 영역의 일부를 제외한 상기 스위칭 소자를 덮으면서 상기 데이터 라인과 상기 게이트 라인의 상부에 격자형 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.The conductive reflective structure is formed in a lattice structure on top of the data line and the gate line covering the switching element except a portion of the drain electrode region and the channel region of the switching element. . 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 도전성 반사구조물은 상기 드레인 전극의 에지 영역의 적어도 일부와 오버랩하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.And the conductive reflective structure overlaps at least a portion of an edge region of the drain electrode. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 도전성 반사구조물은 상기 게이트 라인에 인접한 상기 투명 화소전극의 적어도 일부와 오버랩하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.And the conductive reflective structure overlaps at least a portion of the transparent pixel electrode adjacent to the gate line. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 도전성 반사구조물은 상기 데이터 라인에 인접한 상기 투명 화소전극의 적어도 일부를 오버랩하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.And the conductive reflecting structure overlaps at least a portion of the transparent pixel electrode adjacent to the data line. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 투명 화소 전극의 상기 다수개의 슬릿은 상기 게이트 라인과 일정 각도를 이루고, 상기 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향은 상기 게이트 라인의 방향과 평행한 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.And the plurality of slits of the transparent pixel electrode form an angle with the gate line, and a rubbing direction for arranging the liquid crystal layer is parallel to the direction of the gate line. 하부 기판, 상부 기판, 및 상기 기판들 사이에 삽입되는 액정층을 포함하고 상기 하부 기판에는 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되고 상기 라인들의 교차부에는 드레인 전극, 소스 전극 및 채널 영역을 포함하는 스위칭 소자가 배치되어 있는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법에 있어서,Each pixel region is defined by a gate line and a data line including a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer interposed between the substrates, and formed in a direction crossing each other on the lower substrate. In the manufacturing method of the FFS mode liquid crystal display device in which a switching element including a drain electrode, a source electrode and a channel region is disposed, 상기 하부 기판 상에 게이트 라인과 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate line and a gate electrode on the lower substrate; 상기 게이트 라인과 게이트 전극을 포함한 기판 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on the substrate including the gate line and the gate electrode; 상기 게이트 절연막 상부에 드레인 전극, 소스전극 및 채널영역을 포함하는 스위칭 소자와 데이터 라인을 형성하는 단계;Forming a switching element and a data line including a drain electrode, a source electrode, and a channel region on the gate insulating layer; 상기 스위칭 소자와 데이터 라인을 포함한 결과물 상부에 적어도 제1 절연층을 사이에 두고 상기 스위칭 소자의 일부를 제외하고 전체적으로 투명 공통전극을 형성하는 단계;Forming a transparent common electrode as a whole except at least a portion of the switching device with at least a first insulating layer interposed between the switching device and the resultant including the data line; 상기 투명 공통전극과 접속되며 상기 데이터 라인과 상기 게이트 라인 및 상기 스위칭 소자의 일부 영역의 상부에 도전성 반사구조물을 형성하는 단계;Forming a conductive reflective structure on the data line, the gate line, and a portion of the switching element, the conductive common structure being connected to the transparent common electrode; 상기 도전성 반사구조물을 포함한 결과물 상부에 적어도 제2 절연층을 사이에 두고 상기 각 화소 영역 내에 형성되며 그 내부에 다수개의 슬릿을 포함하고 상기 드레인 전극과 접속된 투명 화소전극을 형성하는 단계를 갖는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법.And forming a transparent pixel electrode formed in each pixel area with at least a second insulating layer interposed therebetween on the resultant including the conductive reflective structure and including a plurality of slits therein and connected to the drain electrode. Method of manufacturing a mode liquid crystal display device. 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 도전성 반사구조물은 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인을 덮는 구 조로 형성되는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법.And the conductive reflecting structure is formed in a structure covering the gate line and the data line. 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 도전성 반사구조물은 상기 스위칭 소자의 드레인 전극의 일부 영역을 제외한 상기 스위칭 소자를 포함하고 상기 데이터 라인과 상기 게이트 라인의 상부에 격자형 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법.The conductive reflective structure includes the switching element excluding a portion of the drain electrode of the switching element and is formed in a lattice structure on the data line and the gate line, the manufacturing method of the FFS mode liquid crystal display device. . 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 도전성 반사구조물은 상기 스위칭 소자의 드레인 전극과 채널 영역의 일부를 제외한 상기 스위칭 소자를 포함하고 상기 데이터 라인과 상기 게이트 라인의 상부에 격자형 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법.The conductive reflective structure includes the switching element excluding a drain electrode and a portion of the channel region of the switching element, and is formed in a lattice structure on the data line and the gate line. Manufacturing method. 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 도전성 반사구조물은 상기 드레인 전극의 에지 영역의 적어도 일부와 오버랩하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법.And the conductive reflective structure overlaps at least a portion of an edge region of the drain electrode. 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 도전성 반사구조물은 상기 게이트 라인에 인접한 상기 투명 화소전극의 적어도 일부와 오버랩하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법.And the conductive reflective structure overlaps at least a portion of the transparent pixel electrode adjacent to the gate line. 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 도전성 반사구조물은 상기 데이터 라인에 인접한 상기 투명 화소전극의 적어도 일부와 오버랩하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법.And the conductive reflective structure overlaps at least a portion of the transparent pixel electrode adjacent to the data line. 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 투명 화소 전극의 상기 다수개의 슬릿은 상기 게이트 라인과 일정 각도를 이루고, 상기 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향은 상기 게이트 라인의 방향을 기준으로 일정 각도를 유지하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법.The plurality of slits of the transparent pixel electrode form an angle with the gate line, and a rubbing direction for arranging the liquid crystal layer is maintained at an angle with respect to the direction of the gate line. Method of manufacturing the device.
KR1020090095936A 2009-08-17 2009-10-09 Fringe field switching mode liquid crystal display and manufacturing method thereof KR101219821B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099100413A TWI497158B (en) 2009-08-17 2010-01-08 Fringe-field-switching-mode liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN201010002810.2A CN101995705B (en) 2009-08-17 2010-01-12 Fringe field switching mode liquid crystal display and manufacture method thereof
US12/692,173 US8289489B2 (en) 2009-08-17 2010-01-22 Fringe-field-switching-mode liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP2010014861A JP5616072B2 (en) 2009-08-17 2010-01-26 FFS mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090075664 2009-08-17
KR20090075664 2009-08-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110018246A true KR20110018246A (en) 2011-02-23
KR101219821B1 KR101219821B1 (en) 2013-01-08

Family

ID=43776033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090095936A KR101219821B1 (en) 2009-08-17 2009-10-09 Fringe field switching mode liquid crystal display and manufacturing method thereof

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101219821B1 (en)
CN (1) CN101995705B (en)
TW (1) TWI497158B (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8686427B2 (en) 2012-04-10 2014-04-01 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR101420150B1 (en) * 2012-06-28 2014-07-16 하이디스 테크놀로지 주식회사 Lcd and the manufacturing method thereof
US9385142B2 (en) 2012-12-13 2016-07-05 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR20160127856A (en) * 2015-04-27 2016-11-07 전북대학교산학협력단 Fringe - Field Switching Liquid Crystal Displays and method of preparing the same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102645800B (en) * 2011-04-07 2014-08-27 京东方科技集团股份有限公司 Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof
TWI446077B (en) 2011-08-17 2014-07-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure of fringe field switching mode lcd
CN102253557B (en) * 2011-08-24 2014-04-02 华映视讯(吴江)有限公司 Pixel structure of fringe field switching type liquid crystal display
US9239501B2 (en) 2012-07-26 2016-01-19 Innocom Technology(Shenzhen) Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5767186B2 (en) * 2012-09-28 2015-08-19 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and electronic device
TWI548921B (en) * 2015-02-12 2016-09-11 群創光電股份有限公司 Display panel
TWI597830B (en) * 2016-05-13 2017-09-01 群創光電股份有限公司 Display device
CN111919163B (en) * 2019-02-22 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate and display device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3597305B2 (en) * 1996-03-05 2004-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
TW387997B (en) * 1997-12-29 2000-04-21 Hyundai Electronics Ind Liquid crystal display and fabrication method
TW575775B (en) * 2001-01-29 2004-02-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
KR100787815B1 (en) * 2002-02-27 2007-12-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Transflective liquid crystal display device and Method of fabricating the same
JP2003295207A (en) * 2002-03-29 2003-10-15 Nec Lcd Technologies Ltd Active matrix type liquid crystal display device of transverse electric field system
US6933528B2 (en) * 2002-04-04 2005-08-23 Nec Lcd Technologies, Ltd. In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
CN101008750A (en) * 2006-01-26 2007-08-01 爱普生映像元器件有限公司 Liquid crystal apparatus and electronic device
JP2007226175A (en) * 2006-01-26 2007-09-06 Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal device and electronic equipment
KR100855782B1 (en) * 2007-01-29 2008-09-01 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Fringe Field Switching mode Liquid Crystal Display and Manufacturing Method Thereof
KR100849599B1 (en) * 2007-02-05 2008-07-31 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Fringe field switching mode liquid crystal display device
KR100862926B1 (en) * 2007-07-18 2008-10-13 하이디스 테크놀로지 주식회사 Fringe field switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8686427B2 (en) 2012-04-10 2014-04-01 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR101420150B1 (en) * 2012-06-28 2014-07-16 하이디스 테크놀로지 주식회사 Lcd and the manufacturing method thereof
US9385142B2 (en) 2012-12-13 2016-07-05 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR20160127856A (en) * 2015-04-27 2016-11-07 전북대학교산학협력단 Fringe - Field Switching Liquid Crystal Displays and method of preparing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN101995705B (en) 2015-08-19
TW201107830A (en) 2011-03-01
KR101219821B1 (en) 2013-01-08
CN101995705A (en) 2011-03-30
TWI497158B (en) 2015-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101219821B1 (en) Fringe field switching mode liquid crystal display and manufacturing method thereof
JP5616072B2 (en) FFS mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR102404944B1 (en) Display substrate and liquid crystal display comprising the same
JP5604481B2 (en) Horizontal electric field type liquid crystal display device
US8134674B2 (en) Fringe field switching mode liquid crystal display device
KR101182471B1 (en) Fringe field switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2004212952A (en) Reflection transmission liquid crystal display device and its manufacturing method
JP4386102B2 (en) Horizontal electric field LCD panel
US7847905B2 (en) FFS mode LCD and method of manufacturing the same
KR20080014317A (en) Display device and manufacturing method thereof
JP6676416B2 (en) Liquid crystal display
KR102423435B1 (en) liquid crystal display
JP4634730B2 (en) Array substrate and reflection-transmission type liquid crystal display device having the same
KR20110054727A (en) Array substrate for liquid crystal display device and liquid crystal display device including the same
US20160187747A1 (en) Liquid crystal display device
KR20090047346A (en) Fringe field switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US8767150B2 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR20210013421A (en) Liquid crystral display device
US20160320673A1 (en) Liquid crystal display including protruding auxiliary wires corresponding to spacer
CN1924676B (en) Display panel and method of manufacturing the same
KR102401965B1 (en) Reflective display device and method of manufacturing the same
KR101949924B1 (en) In-Plane switching mode liquid crystal display device
KR20110109047A (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR20070063967A (en) An array substrate for in-plane switching mode lcd and method of fabricating of the same
KR20080100642A (en) Liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151228

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161226

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181224

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191226

Year of fee payment: 8