KR20110013897A - Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method for processing thereof - Google Patents

Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method for processing thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20110013897A
KR20110013897A KR1020090071595A KR20090071595A KR20110013897A KR 20110013897 A KR20110013897 A KR 20110013897A KR 1020090071595 A KR1020090071595 A KR 1020090071595A KR 20090071595 A KR20090071595 A KR 20090071595A KR 20110013897 A KR20110013897 A KR 20110013897A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
spin head
polishing
edge portion
sensors
Prior art date
Application number
KR1020090071595A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이승호
김춘식
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020090071595A priority Critical patent/KR20110013897A/en
Publication of KR20110013897A publication Critical patent/KR20110013897A/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE: A substrate supporting unit, a substrate polishing apparatus including the same, and a method for processing the same are provided to verify the slip state of the substrate in real time by including a plurality of sensors detecting the edge part of the substrate. CONSTITUTION: A substrate(W) is fixed on the upper side of a spin head(122). A plurality of through holes is arranged on the edge part of the spin head. The spin head includes a plurality of supporting pins supporting the substrate. A rotary shaft rotates the spin head. A plurality of sensors(128) is installed at the lower side of the through holes and detects the edge part(WE) of the substrate through a through hole(126).

Description

기판 지지부재, 이를 구비하는 기판 연마 장치 및 그의 처리 방법{SUBSTRATE SUPPORTING MEMBER, SUBSTRATE POLISHING APPARATUS HAVING THE SAME AND METHOD FOR PROCESSING THEREOF}SUBSTRATE SUPPORTING MEMBER, SUBSTRATE POLISHING APPARATUS HAVING THE SAME AND METHOD FOR PROCESSING THEREOF

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 기판의 슬립 상태를 감지하기 위한 기판 지지부재, 이를 구비하는 기판 연마 장치 및 그의 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate support member for sensing a slip state of a substrate, a substrate polishing apparatus having the same, and a processing method thereof.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 박막의 형성 및 적층을 위해 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다. 기판 상에 요구되는 회로 패턴이 형성될 때까지 이들 공정은 반복되며, 회로 패턴이 형성된 후 기판의 표면에는 많은 굴곡이 생기게 된다. 최근 반도체 소자는 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되며, 기판 표면의 굴곡의 수와 이들 사이의 단차가 증가하고 있다. 기판 표면의 비평탄화는 사진 공정에서 디포커스(defocus) 등의 문제를 발생시키므로 기판의 표면을 평탄화하기 위해 주기적으로 기판 표면을 연마하여야 한다.In general, a semiconductor device manufacturing process must repeatedly perform a plurality of unit processes such as a deposition process, a photo process, and an etching process to form and stack thin films. These processes are repeated until the required circuit pattern is formed on the substrate, and after the circuit pattern is formed, many curvatures are generated on the surface of the substrate. In recent years, as semiconductor devices become highly integrated, their structures are multilayered, and the number of bends on the surface of the substrate and the step between them are increasing. Unplanarization of the substrate surface causes problems such as defocus in the photolithography process, so the substrate surface should be polished periodically to planarize the surface of the substrate.

기판의 표면을 평탄화하기 위해 다양한 표면 평탄화 기술이 있으나 이 중 좁 은 영역뿐만 아니라 넓은 영역의 평탄화에 있어서도 우수한 평탄도를 얻을 수 있는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 장치가 주로 사용된다. 화학적 기계적 연마 장치는 기판의 표면을 기계적 마찰에 의해 연마시킴과 동시에 화학적 연마재에 의해 연마시키는 장치로서, 아주 미세한 연마가 가능하다.Various surface planarization techniques are used to planarize the surface of the substrate, but chemical mechanical polishing (CMP) apparatuses, which can obtain excellent flatness not only for narrow areas but also for wide areas, are mainly used. A chemical mechanical polishing apparatus is an apparatus for polishing a surface of a substrate by mechanical friction and at the same time by a chemical abrasive, and very fine polishing is possible.

일반적인 화학적 기계적 연마 장치는 스핀 헤드에 안착된 기판을 연마 패드와 접촉하고 회전시켜서 기판 표면을 연마한다. 이 때, 화학적 기계적 연마 장치는 연마 패드와 기판이 접촉되는 부위에 슬러리 등의 처리액(연마재)을 공급한다. 그러나 이러한 화학적 기계적 연마 장치는 연마 공정 중에 기판이 스핀 헤드로부터 슬립(slip)되어 기판이 파손되는 등의 공정 사고가 발생되는 문제점이 있다.A typical chemical mechanical polishing apparatus polishes a substrate surface by contacting and rotating a substrate seated on a spin head with a polishing pad. At this time, the chemical mechanical polishing apparatus supplies a processing liquid (abrasive material) such as a slurry to a portion where the polishing pad and the substrate are in contact with each other. However, such a chemical mechanical polishing apparatus has a problem in that a process accident occurs such that the substrate slips from the spin head and the substrate is broken during the polishing process.

본 발명의 목적은 기판 슬립을 감지하기 위한 기판 지지부재를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate support member for sensing a substrate slip.

본 발명의 다른 목적은 기판 슬립을 감지하기 위한 기판 연마 장치 및 그의 처리 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate polishing apparatus and a processing method thereof for detecting a substrate slip.

본 발명의 또 다른 목적은 공정 사고를 방지하기 위한 기판 연마 장치 및 그의 처리 방법을 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a substrate polishing apparatus and a processing method thereof for preventing a process accident.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 기판 지지부재는 기판 슬립을 감지하는 복수 개의 센서가 구비되는데 그 한 특징이 있다. 이와 같은 기판 지지부재는 을 기판의 에지 부분을 감지하여 기판의 슬립 상태를 확인 가능하다.In order to achieve the above objects, the substrate support member of the present invention is provided with a plurality of sensors for sensing the substrate slip. Such a substrate support member can detect the edge portion of the substrate to check the slip state of the substrate.

이 특징에 따른 본 발명의 기판 지지부재는, 상면에 기판을 고정하는 스핀 헤드와; 상기 스핀 헤드의 중앙 하부에 설치되고, 상기 스핀 헤드를 회전시키는 회전축 및; 상기 상면보다 하부에 설치되어, 상기 기판의 에지 부분을 감지하는 복수 개의 센서들을 포함한다.The substrate support member of the present invention according to this aspect, the spin head for fixing the substrate on the upper surface; A rotating shaft disposed below the center of the spin head and configured to rotate the spin head; It is installed below the upper surface, includes a plurality of sensors for detecting the edge portion of the substrate.

한 실시예에 있어서, 상기 스핀 헤드는 상기 상면의 에지 부분에 상부 및 하부가 관통된 복수 개의 관통홀들을 제공한다. 여기서 상기 센서들 각각은 상기 관통홀의 하부에 고정, 설치되어, 상기 관통홀을 통해 상기 기판의 에지 부분을 감지한다.In one embodiment, the spin head provides a plurality of through-holes through which the upper and lower portions pass through the edge portion of the upper surface. Here, each of the sensors is fixed and installed under the through hole, and detects an edge portion of the substrate through the through hole.

다른 실시예에 있어서, 상기 스핀 헤드는 상기 상면의 에지 부분의 상부가 개방된 복수 개의 삽입홈들을 제공한다. 여기서 상기 센서들 각각은 상기 삽입홈 내부에 삽입, 설치된다.In another embodiment, the spin head provides a plurality of insertion grooves in which an upper portion of an edge portion of the upper surface is opened. Here, each of the sensors is inserted into and installed in the insertion groove.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 스핀 헤드는; 상기 관통홀 또는 상기 삽입홈들이 상기 상면의 가장자리에 적어도 한 쌍이 마주보게 제공된다.In another embodiment, the spin head; At least one pair of the through holes or the insertion grooves is provided to face an edge of the upper surface.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 관통홀은 상기 상면의 에지 부분으로부터 상기 스핀 헤드의 중심 방향으로 하향 경사지게 관통된다. 상기 삽입홈은 상기 상면의 에지 부분으로부터 상기 중심 방향으로 하향 경사지게 형성된다.In another embodiment, the through hole penetrates downwardly from the edge portion of the upper surface toward the center of the spin head. The insertion groove is formed to be inclined downward from the edge portion of the upper surface toward the center.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 센서들은 상기 스핀 헤드의 하부 그리고 상기 스핀 헤드의 가장자리 외측에 설치된다.In yet another embodiment, the sensors are installed below the spin head and outside the edge of the spin head.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 기판의 슬립 상태를 감지하는 기판 연마 장치가 제공된다. 이와 같은 본 발명의 기판 연마 장치는 기판을 연마하는 동안에 실시간으로 기판의 슬립 여부를 파악할 수 있다.According to another feature of the invention, a substrate polishing apparatus for sensing a slip state of a substrate is provided. Such a substrate polishing apparatus of the present invention can determine whether the substrate slips in real time while polishing the substrate.

이 특징에 따른 기판 연마 장치는, 상면에 기판을 고정하는 스핀 헤드와, 상기 스핀 헤드의 중앙 하부에 설치되고, 상기 스핀 헤드를 회전시키는 회전축을 포함하는 기판 지지부재와; 상기 기판 보다 작은 크기의 연마 패드를 구비하고, 상기 스핀 헤드의 상부에 위치하여 상기 기판과 접촉하고, 상기 기판의 에지 부분과 중앙 영역 사이를 스윙 이동 및 회전하면서 상기 기판의 표면을 국부적으로 연마하는 연마 헤드 및; 상기 상면보다 하부에 설치되어, 상기 연마 헤드가 상기 기판을 연마 시, 상기 기판이 상기 스핀 헤드로부터 슬립되는지를 감지하기 위해 상기 기판 의 에지 부분을 감지하는 복수 개의 센서들을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate polishing apparatus comprising: a substrate support member including a spin head for fixing a substrate on an upper surface thereof, and a rotation shaft disposed below the center of the spin head, the rotation shaft rotating the spin head; A polishing pad having a smaller size than the substrate, positioned on top of the spin head to contact the substrate, and locally polishing the surface of the substrate while swinging and rotating between an edge portion and a central region of the substrate; A polishing head; It is provided below the upper surface, and includes a plurality of sensors for detecting the edge portion of the substrate to detect whether the substrate slips from the spin head when the polishing head is polishing the substrate.

한 실시예에 있어서, 상기 스핀 헤드는; 내부에 제공되는 복수 개의 진공홀들을 통해 상기 기판을 진공 흡입하여 상기 상면에 고정시킨다.In one embodiment, the spin head; The substrate is vacuum sucked through a plurality of vacuum holes provided therein and fixed to the upper surface.

다른 실시예에 있어서, 상기 스핀 헤드는 상기 상면의 에지 부분으로부터 상기 스핀 헤드의 중심 방향으로 하향 경사지게 관통되는 복수 개의 관통홀들을 제공한다. 여기서 상기 센서들 각각은 상기 관통홀의 하부에 고정, 설치되어, 상기 관통홀을 통해 상기 기판의 에지 부분을 감지한다.In another embodiment, the spin head provides a plurality of through holes penetrating downward from the edge portion of the upper surface toward the center of the spin head. Here, each of the sensors is fixed and installed under the through hole, and detects an edge portion of the substrate through the through hole.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 스핀 헤드는 상기 상면의 에지 부분의 상부가 개방되고, 상기 상면의 에지 부분으로부터 상기 스핀 헤드의 중심 방향으로 하향 경사지게 형성된 복수 개의 삽입홈들을 제공한다. 여기서 상기 센서들 각각은 상기 삽입홈 내부에 삽입, 설치된다.In another embodiment, the spin head may be provided with a plurality of insertion grooves in which an upper portion of an edge portion of the upper surface is opened and is inclined downward in a direction of the center of the spin head from an edge portion of the upper surface. Here, each of the sensors is inserted into and installed in the insertion groove.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 센서들은 상기 스핀 헤드의 하부에 설치되어, 상기 스핀 헤드의 외측 하단부로부터 상기 스핀 헤드의 상기 상면 방향으로 상기 기판의 에지 부분을 감지한다.In another embodiment, the sensors are installed under the spin head to sense the edge portion of the substrate in the direction of the upper surface of the spin head from the outer lower end of the spin head.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 연마 공정 시, 스핀 헤드에 고정된 기판의 에지 부분을 감지하는 복수 개의 센서들을 제공하는 기판 연마 장치의 처리 방법이 제공된다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a processing method of a substrate polishing apparatus that provides a plurality of sensors for sensing an edge portion of a substrate fixed to a spin head during a polishing process.

이 방법에 따르면, 상기 스핀 헤드의 안착된 상기 기판을 진공 흡입하여 고정한다. 상기 기판 연마 장치의 연마 헤드를 상기 기판 상으로 이동시켜서 상기 기판과 접촉한다. 상기 기판을 회전시켜서 상기 기판을 연마한다. 그리고 상기 기판 을 연마하는 동안에 상기 센서들에 의해 상기 스핀 헤드로부터 상기 기판이 슬립되는지의 여부를 감지한다. 여기서 상기 기판의 슬립 여부는 상기 센서들 중 적어도 하나로부터 상기 기판의 에지 부분이 감지되지 않으면, 상기 기판이 슬립된 것으로 감지한다.According to this method, the seated substrate of the spin head is sucked and fixed by vacuum. The polishing head of the substrate polishing apparatus is moved on and in contact with the substrate. The substrate is polished by rotating the substrate. And while the substrate is polished, the sensors detect whether the substrate slips from the spin head. Here, whether or not the substrate is slipped is detected as if the edge portion of the substrate is not detected from at least one of the sensors.

상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 지지부재 및 이를 구비하는 기판 연마 장치는 진공 흡입에 의해 스핀 헤드 상면에 고정된 기판의 에지 부분을 감지하는 복수 개의 센서들을 구비함으로써, 공정 진행 중에 실시간으로 기판의 슬립 여부를 판별할 수 있다.As described above, the substrate support member of the present invention and the substrate polishing apparatus having the same include a plurality of sensors for detecting an edge portion of the substrate fixed to the upper surface of the spin head by vacuum suction, thereby realizing the substrate in real time during the process. The slip can be determined.

또 본 발명의 기판 연마 장치는 실시간으로 기판의 슬립 상태를 감지하여 스핀 헤드 및 연마 헤드의 회전을 제어함으로써, 기판 손상 등의 공정 사고를 예방할 수 있다.In addition, the substrate polishing apparatus of the present invention can detect the slip state of the substrate in real time and control the rotation of the spin head and the polishing head, thereby preventing process accidents such as substrate damage.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shapes and the like of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.

이하 첨부된 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 8.

도 1은 본 발명에 따른 기판 연마 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.1 is a view showing a schematic configuration of a substrate polishing apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 연마 장치(100)는 매엽식으로 기판(예를 들어, 기판)을 처리하는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 장치로, 로딩/언로딩부(10), 인덱스 로봇(Index Robot)(20), 버퍼부(30), 메인 이송 로봇(Main Transfer Robot)(50), 다수의 기판 연마부(110) 및 제어부(102)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate polishing apparatus 100 is a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus for treating a substrate (for example, a substrate) by a single sheet, and has a loading / unloading unit 10 and an index. The robot includes an index robot 20, a buffer unit 30, a main transfer robot 50, a plurality of substrate polishing units 110, and a controller 102.

로딩/언로딩부(10)는 다수의 로드 포트(11a ~ 11d)를 포함한다. 이 실시예에 서 로딩/언로딩부(10)는 네 개의 로드 포트(11a ~ 11d)를 구비하나, 로드 포트(11a ~ 11d)의 개수는 기판 연마 장치(100)의 공정 효율 및 풋프린트(footprint)에 따라 증가하거나 감소될 수 있다.The loading / unloading unit 10 includes a plurality of load ports 11a to 11d. In this embodiment, the loading / unloading unit 10 has four load ports 11a to 11d, but the number of load ports 11a to 11d is the process efficiency and footprint of the substrate polishing apparatus 100. It may increase or decrease depending on the footprint.

로드 포트(11a ~ 11d)들 각각에는 기판들이 수납되는 캐리어 예를 들어, 풉(Front Open Unified Pod : FOUP)(12a ~ 12d)이 안착된다. 각 풉(12a ~ 12d)은 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납한다. 풉(12a ~ 12d)에는 각 기판 연마부(110)에서 처리 완료된 기판들 또는 각 기판 연마부(110)에 투입할 기판들을 수납한다.Each of the load ports 11a to 11d is mounted with a carrier for receiving substrates, for example, a front open unified pod (FOUP) 12a to 12d. Each fulcrum 12a-12d accommodates the boards in a state where the substrates are arranged horizontally with respect to the ground. In the pools 12a to 12d, the substrates processed in the substrate polishing units 110 or the substrates to be injected into the substrate polishing units 110 are stored.

로딩/언로딩부(11)와 버퍼부(30) 사이에는 제 1 이송 통로(40)가 형성되고, 제 1 이송 통로(40)에는 제 1 이송 레일(42)이 설치된다. 인덱스 로봇(20)은 제 1 이송 레일(42)을 따라 이동하면서 로딩/언로딩부(10)와 버퍼부(30) 간에 기판들을 이송한다.A first transfer passage 40 is formed between the loading / unloading portion 11 and the buffer portion 30, and a first transfer rail 42 is installed in the first transfer passage 40. The index robot 20 transfers the substrates between the loading / unloading unit 10 and the buffer unit 30 while moving along the first transfer rail 42.

버퍼부(30)는 제 1 이송 통로(40)의 일측에 설치된다. 버퍼부(30)는 인덱스 로봇(20)에 의해 이송된 기판들을 수납하고, 기판 연마부(110)들에서 처리된 기판들을 수납한다.The buffer unit 30 is installed at one side of the first transfer passage 40. The buffer unit 30 accommodates the substrates transferred by the index robot 20 and accommodates the substrates processed by the substrate polishing units 110.

메인 이송 로봇(50)은 제 2 이송 통로(60)에 설치된다. 제 2 이송 통로(60)에는 제 2 이송 레일(62)이 구비되고, 제 2 이송 레일(62)에는 메인 이송 로봇(50)이 설치된다. 메인 이송 로봇(50)은 제 2 이송 레일(62)을 따라 이동하면서, 버퍼부(30)와 기판 연마부(110)들 간에 기판을 이송한다.The main transfer robot 50 is installed in the second transfer passage 60. A second transfer rail 62 is provided in the second transfer passage 60, and a main transfer robot 50 is installed in the second transfer rail 62. The main transfer robot 50 moves along the second transfer rail 62 to transfer the substrate between the buffer unit 30 and the substrate polishing unit 110.

제 2 이송 통로(60)의 양측에는 복수 개의 기판 연마부(110)들이 배치되고, 각 기판 연마부(110)는 기판을 연마 및 세정 공정 처리한다. 기판 연마부(110)들은 적어도 두 개 이상의 기판 연마부(110)가 제 2 이송 통로(60)를 사이에 두고 서로 마주하게 배치된다. 또한 기판 연마부(110)들은 다층으로 배치될 수 있다. 이 실시예에서 기판 연마부(110)들은 평면상에서 볼 때 제 2 이송 통로(60) 양측에 각각 두 개씩, 제 2 이송 통로(60)를 따라 병렬 배치된다. 또 기판 연마부(110)들은 한 층에 두 개씩 두 개의 층으로 적층된다. 물론, 기판 연마부(110)들의 개수와 배치 구조는 기판 연마 장치(100)의 공정 효율 및 풋프린트에 따라 다양하게 변형 가능하다.A plurality of substrate polishing units 110 are disposed at both sides of the second transfer passage 60, and each of the substrate polishing units 110 processes a substrate for polishing and cleaning. The substrate polishing units 110 are disposed such that at least two substrate polishing units 110 face each other with the second transfer passage 60 interposed therebetween. In addition, the substrate polishing units 110 may be arranged in multiple layers. In this embodiment, the substrate polishing units 110 are arranged in parallel along the second transfer passage 60, two on each side of the second transfer passage 60 in plan view. In addition, the substrate polishing units 110 are stacked in two layers, two in one layer. Of course, the number and arrangement of the substrate polishing units 110 may be variously modified according to the process efficiency and the footprint of the substrate polishing apparatus 100.

본 발명의 기판 연마 장치(100)는 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 공정 및 연마 공정 후 기판(W)의 표면을 세정하는 세정 공정을 하나의 기판 연마부(110) 내에서 순차적으로 처리한다. 따라서 기판 연마 장치(100)는 기판 연마부(110)들이 다수의 층 및 다수의 열로 배치되므로, 동시에 다수의 기판을 연마 및 세정할 수 있다.The substrate polishing apparatus 100 of the present invention sequentially processes a polishing process for polishing the upper surface of the substrate W and a cleaning process for cleaning the surface of the substrate W after the polishing process in one substrate polishing unit 110. do. Accordingly, the substrate polishing apparatus 100 may polish and clean a plurality of substrates simultaneously because the substrate polishing units 110 are arranged in a plurality of layers and a plurality of rows.

한편, 각 기판 연마부(110)는 기판 연마 장치(100)의 제반 동작을 제어하는 제어부(102)와 전기적으로 연결되고, 제어부(102)의 제어에 따라 기판을 연마 및 세정한다. 즉, 제어부(102)는 기판 연마부(110)에 의한 기판의 연마량이 국부적으로 조절되도록 기판 연마부(110)를 제어하여 연마 균일도를 향상시킨다.On the other hand, each substrate polishing unit 110 is electrically connected to the control unit 102 that controls the overall operation of the substrate polishing apparatus 100, and polish and clean the substrate under the control of the control unit 102. That is, the controller 102 controls the substrate polishing unit 110 so that the polishing amount of the substrate by the substrate polishing unit 110 is locally controlled to improve polishing uniformity.

구체적으로 도 2 내지 도 7을 참조하여 기판 연마부(110) 및 기판 지지부재(120)의 구성을 상세히 설명한다.Specifically, the configuration of the substrate polishing unit 110 and the substrate support member 120 will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 7.

도 2는 도 1에 도시된 기판 연마부의 구성을 도시한 사시도이고, 도 3 내지 도 5b는 도 2에 도시된 기판 지지부재의 구성을 도시한 도면들이고, 도 6은 도 2에 도시된 기판 연마부의 연마 공정을 처리하는 상태를 나타내는 부분 단면 사시도이다.2 is a perspective view showing the configuration of the substrate polishing unit shown in FIG. 1, FIGS. 3 to 5B are views showing the configuration of the substrate supporting member shown in FIG. 2, and FIG. 6 is a substrate polishing shown in FIG. A partial cross-sectional perspective view showing a state of processing a negative polishing step.

도 2를 참조하면, 기판 연마부(110)는 용기 유닛(bowl unit)(112), 기판 지지부재(120), 연마 유닛(130), 제 1 및 제 2 처리액 공급 유닛(140, 150), 브러쉬 유닛(160), 에어로졸 유닛(170) 및 패드 컨디셔닝 유닛(180) 등을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate polishing unit 110 may include a container unit 112, a substrate support member 120, a polishing unit 130, and first and second processing liquid supply units 140 and 150. , A brush unit 160, an aerosol unit 170, a pad conditioning unit 180, and the like.

기판 지지부재(120)는 용기 유닛(112) 내부에 수용된다. 기판 지지부재(120)는 메인 이송 로봇(50)으로부터 이송된 기판(W)이 안착된다. 기판 지지부재(120)는 기판(W)의 연마 공정과 세정 공정이 이루어지는 동안 기판(W)을 지지 및 고정시킨다. 기판 지지부재(120)는 기판(W)이 안착되는 스핀 헤드(122)와, 스핀 헤드(122)와 결합되어 스핀 헤드(122)를 회전시키는 회전축(124) 및, 스핀 헤드(122)에 고정된 기판(W)의 에지(edge) 부분을 감지하기 위한 복수 개의 센서(도 5a의 128, 도 5b의 128b 또는 도 7의 128b)들을 포함한다. 센서(128, 128a, 128b)들은 예컨대, 근접 센서, 광센서 등으로 구비된다. 센서들(128, 128a 또는 128b)은 스핀 헤드(122)의 내부 또는 외측에 고정 설치된다.The substrate support member 120 is accommodated in the container unit 112. The substrate supporting member 120 is mounted with the substrate W transferred from the main transfer robot 50. The substrate support member 120 supports and fixes the substrate W during the polishing process and the cleaning process of the substrate W. The substrate support member 120 is fixed to the spin head 122 on which the substrate W is seated, the rotation shaft 124 coupled to the spin head 122 to rotate the spin head 122, and the spin head 122. And a plurality of sensors (128 in FIG. 5A, 128B in FIG. 5B, or 128B in FIG. 7) for detecting an edge portion of the substrate W. FIG. The sensors 128, 128a, and 128b are provided, for example, as proximity sensors, light sensors, or the like. The sensors 128, 128a or 128b are fixedly installed inside or outside the spin head 122.

또 기판 지지부재(120)는 회전축(124)을 회전시키는 구동부(미도시됨)를 포함한다. 회전축(124)은 스핀 헤드(122)의 하단 중앙에 결합된다. 회전축(124)은 대체로 원기둥 형상을 가지며, 연마 공정 및 세정 공정이 진행되는 동안, 스핀 헤드(122)를 회전시킨다. 이러한 기판 지지부재(120)는 기판(W)이 안착되면, 진공 흡입하여 기판(W)을 스핀 헤드(122)의 상면에 고정시킨다. 기판 지지부재(120)의 구성에 대한 설명은 후술하는 도 3 내지 도 5b에서 상세히 하겠다.In addition, the substrate support member 120 includes a driver (not shown) for rotating the rotation shaft 124. The rotating shaft 124 is coupled to the bottom center of the spin head 122. The rotating shaft 124 has a generally cylindrical shape, and rotates the spin head 122 during the polishing process and the cleaning process. When the substrate W is seated, the substrate support member 120 fixes the substrate W to the upper surface of the spin head 122 by vacuum suction. The configuration of the substrate support member 120 will be described in detail later with reference to FIGS. 3 to 5B.

용기 유닛(112)은 기판 지지부재(120)를 둘러싸고, 기판(W)의 연마 공정 및 세정 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공한다. 용기 유닛(112)은 상부가 개방되며, 개방된 상부를 통해 스핀 헤드(120)가 노출된다. 예를 들어, 용기 유닛(112)은 연마 및 세정 공정을 각각 처리하기 위한 제 1 및 제 2 처리 용기(bowl)(도 6의 112a, 112b)를 포함한다. 용기 유닛(112)은 제 1 및 제 2 처리 용기(112a, 112b)에 대응하여 연마 및 세정 공정에서 사용된 처리액을 각각 회수하는 제 1 및 제 2 회수통(미도시됨) 및, 연마 및 세정 공정시, 각 공정에 따라 스핀 헤드(120)와 용기 유닛(112) 간의 수직 위치가 조절되도록 제 1 및 제 2 처리 용기(112a, 112b)를 상하로 이동시키는 승강 부재(미도시됨) 등을 포함한다.The container unit 112 surrounds the substrate support member 120 and provides a process space in which a polishing process and a cleaning process of the substrate W are performed. The container unit 112 is open at the top and the spin head 120 is exposed through the open top. For example, the container unit 112 includes first and second processing bowls 112a and 112b in FIG. 6 for processing the polishing and cleaning processes, respectively. The container unit 112 includes a first and a second recovery container (not shown) for recovering the processing liquid used in the polishing and cleaning process corresponding to the first and second processing containers 112a and 112b, respectively, and In the cleaning process, a lifting member (not shown) for moving the first and second processing containers 112a and 112b up and down so that the vertical position between the spin head 120 and the container unit 112 is adjusted according to each process. It includes.

한편, 용기 유닛(112)의 외측에는 연마 유닛(130), 제 1 및 제 2 처리액 공급 유닛(140, 150), 브러쉬 유닛(160), 에어로졸 유닛(170) 및, 패드 컨디셔닝 유닛(180)이 설치된다.On the other hand, the outer side of the container unit 112, the polishing unit 130, the first and second processing liquid supply unit (140, 150), the brush unit 160, the aerosol unit 170 and the pad conditioning unit 180 This is installed.

연마 유닛(130)은 기판 지지부재(120)에 고정된 기판(W)의 표면을 화학적 기계적으로 연마하여 기판(W)의 표면을 평탄화한다. 구체적으로 연마 유닛(130)은 도 6에 도시된 바와 같이, 연마 헤드(131), 유체 공급부(133), 회전부(swing part)(132) 및 구동부(134)를 포함한다.The polishing unit 130 chemically and mechanically polishes the surface of the substrate W fixed to the substrate support member 120 to planarize the surface of the substrate W. FIG. Specifically, as illustrated in FIG. 6, the polishing unit 130 includes a polishing head 131, a fluid supply part 133, a swing part 132, and a driving part 134.

연마 헤드(131)는 기판(W)과 접촉하여 표면을 연마하는 연마 패드가 구비되고, 연마 공정 시 스핀 헤드(122)에 고정된 기판(W)의 상부에 배치된다. 연마 헤드(131)는 연마 패드가 기판(W)의 표면을 가압하면서 회전하여 기판(W)의 표면을 연마한다. 연마 헤드(131)는 회전부(132)의 스윙(swing) 동작에 의해 기판(W)의 상부에서 수평 왕복 이동하고, 구동부(134)에 의해 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전한다. 즉, 연마 공정 시, 연마 헤드(131)는 기판(W)과 동일한 방향으로 회전할 수도 있고, 서로 다른 방향으로 회전할 수도 있다.The polishing head 131 is provided with a polishing pad that contacts the substrate W to polish the surface, and is disposed above the substrate W fixed to the spin head 122 during the polishing process. The polishing head 131 rotates while the polishing pad presses the surface of the substrate W to polish the surface of the substrate W. FIG. The polishing head 131 is horizontally reciprocated in the upper portion of the substrate W by the swinging operation of the rotating part 132, and is rotated clockwise or counterclockwise by the driving part 134. That is, during the polishing process, the polishing head 131 may rotate in the same direction as the substrate W or may rotate in different directions.

연마 헤드(131)는 연마 공정 시, 연마 패드의 하면을 기판(W)의 상면에 접촉시킨 상태에서 회전하여 기판(W)을 연마한다. 연마 패드는 플레이트 형상을 갖고, 대체로 원형의 링 형상을 갖는다. 연마 패드는 기판(W) 보다 작은 크기의 지름을 갖고, 연마 공정 시 구동부(134)에 의해 스윙하면서 기판(W)을 연마한다. 이러한 연마 패드는 기판(W)보다 작은 크기를 가지므로 기판(W)을 국부적으로 연마할 수 있어, 특정 영역에서의 과연마를 방지할 수 있다.During the polishing process, the polishing head 131 is rotated while the lower surface of the polishing pad is in contact with the upper surface of the substrate W to polish the substrate W. FIG. The polishing pad has a plate shape and has a generally circular ring shape. The polishing pad has a diameter smaller than that of the substrate W, and polishes the substrate W while swinging by the driving unit 134 during the polishing process. Since the polishing pad has a size smaller than that of the substrate W, the polishing pad can be locally polished to prevent overpolishing in a specific region.

또 연마 헤드(131)는 기판(W)을 연마하는 처리액(CL)을 분사하면서 기판(W)에 접촉된 상태로 회전하여 기판(W)을 연마한다. 이 때, 연마 헤드(131)는 스핀 헤드(122)에 고정된 기판(W)의 에지와 중심 영역 사이를 스윙 이동된다. 연마 헤 드(131)의 상부에는 유체 공급부(133)가 구비된다. 유체 공급부(133)는 연마 헤드(131)에 처리액(CL)을 제공하고, 구동부(134)로부터의 회전력을 회전부(132)를 통해 전달받아 연마 헤드(131)와 함께 회전한다. 예를 들어, 유체 공급부(133)는 기판(W)을 연마하기 위한 슬러리(slurry) 등의 처리액(CL)을 연마 헤드(131)로 공급한다. 유체 공급부(133)의 상부에는 회전부(132)가 설치된다.The polishing head 131 is rotated in contact with the substrate W while polishing the processing liquid CL for polishing the substrate W to polish the substrate W. As shown in FIG. At this time, the polishing head 131 is swing-moved between the edge and the center region of the substrate W fixed to the spin head 122. The fluid supply part 133 is provided on the top of the polishing head 131. The fluid supply unit 133 provides the processing liquid CL to the polishing head 131, and receives the rotational force from the driving unit 134 through the rotating unit 132 to rotate together with the polishing head 131. For example, the fluid supply part 133 supplies the processing liquid CL, such as a slurry for grinding the substrate W, to the polishing head 131. The rotating part 132 is installed above the fluid supply part 133.

회전부(132)는 막대 형상의 케이스 내부에 설치되어 구동부(134)로부터 제공되는 회전력을 유체 공급부(133) 및 연마 헤드(131)로 전달한다. 회전부(132)는 일측이 유체 공급부(133)에 결합되며, 타측이 구동부(134)에 결합된다.The rotating part 132 is installed in the rod-shaped case and transmits the rotational force provided from the driving part 134 to the fluid supply part 133 and the polishing head 131. Rotating portion 132 is one side is coupled to the fluid supply unit 133, the other side is coupled to the drive unit 134.

그리고 구동부(134)는 회전부(132)에 결합되고, 회전부(132)에 회전력을 제공한다. 구동부(134)는 회전부(132), 유체 공급부(133) 및 연마 헤드(131)를 회전시키는 적어도 하나의 구동 모터(미도시됨)를 포함한다. 예를 들어, 구동 모터는 유체 공급부(133) 및 연마 헤드(131)를 자전 회전시키고, 회전부(132)를 스윙 회전시키고, 그리고 연마 헤드(131)의 수직 위치를 조절하는 복수 개의 구동 모터들을 포함할 수 있다. 따라서 구동부(134)는 회전부(132)에 회전력을 제공하고, 회전부(132)는 그 회전력을 유체 공급부(133) 및 연마 헤드(131)에 제공한다. 구동부(134)는 시계 방향과 반시계 방향의 회전력을 교대로 반복적으로 제공한다. 이에 따라, 회전부(132)는 구동부(134)에 결합된 부분을 중심축으로 하여 구동부(134)에 의해 스윙한다. 따라서 연마 공정 시, 연마 헤드(131)는 회전부(132)의 스윙 동작에 의해 기판(W)의 상부에서 원호 형태로 수평 왕복 이동할 수 있다.In addition, the driving unit 134 is coupled to the rotating unit 132 and provides a rotating force to the rotating unit 132. The drive unit 134 includes a rotating unit 132, a fluid supply unit 133, and at least one drive motor (not shown) for rotating the polishing head 131. For example, the drive motor includes a plurality of drive motors for rotating the fluid supply 133 and the polishing head 131, swinging the rotation part 132, and adjusting the vertical position of the polishing head 131. can do. Therefore, the driving unit 134 provides a rotational force to the rotating unit 132, the rotating unit 132 provides the rotational force to the fluid supply unit 133 and the polishing head 131. The driving unit 134 repeatedly provides rotational force in a clockwise direction and a counterclockwise direction alternately. Accordingly, the rotating unit 132 swings by the driving unit 134 with the portion coupled to the driving unit 134 as a central axis. Therefore, during the polishing process, the polishing head 131 may horizontally reciprocate in an arc shape on the upper portion of the substrate W by the swinging operation of the rotating part 132.

또 구동부(134)는 시계 방향 및 반시계 방향의 회전력에 따라 상부에 배치되 는 회전부(132)가 상하 이동하고, 이에 따라, 유체 공급부(133) 및 연마 헤드(131)가 상하 이동한다.In addition, the driving unit 134 moves up and down the rotating part 132 disposed in the upper direction according to the clockwise and counterclockwise rotational force, and thus the fluid supply part 133 and the polishing head 131 move up and down.

다시 도 2를 참조하면, 제 1 및 제 2 처리액 공급 유닛(140, 150)은 기판(W)의 연마 공정 및 세정 공정에 필요한 처리액을 기판 지지부재(120)에 고정된 기판(W)에 분사한다.Referring to FIG. 2 again, the first and second processing liquid supply units 140 and 150 may include a substrate W having a processing liquid necessary for the polishing and cleaning processes of the substrate W fixed to the substrate supporting member 120. Spray on.

제 1 처리액 공급 유닛(140)은 용기 유닛(112)을 사이에 두고 연마 유닛(130)과 마주하게 설치되며, 용기 유닛(112)의 외측벽에 고정 설치된다. 연마 공정 또는 세정 공정 시, 제 1 처리액 공급 유닛(140)은 스핀 헤드(122)에 고정된 기판(W)에 처리액을 분사하여 기판(W)을 세정한다. 제 1 처리액 공급 유닛(140)은 용기 유닛(112)의 측벽 상단에 고정된 다수의 분사 노즐들을 구비하여, 기판(W)으로 처리액을 분사한다. 분사 노즐들에서 분사되는 처리액은 기판(W)의 세정 또는 건조를 위한 처리액일 수도 있고, 건조를 위한 건조 가스일 수도 있다.The first processing liquid supply unit 140 is installed to face the polishing unit 130 with the container unit 112 interposed therebetween, and is fixedly installed on an outer wall of the container unit 112. In the polishing process or the cleaning process, the first processing liquid supply unit 140 cleans the substrate W by spraying the processing liquid on the substrate W fixed to the spin head 122. The first processing liquid supply unit 140 includes a plurality of spray nozzles fixed on the upper sidewall of the container unit 112 to spray the processing liquid onto the substrate W. The processing liquid sprayed from the spray nozzles may be a processing liquid for cleaning or drying the substrate W, or may be a drying gas for drying.

제 2 처리액 공급 유닛(150)은 용기 유닛(112) 및 제 1 처리액 공급 유닛(140)을 사이에 두고 연마 유닛(130)과 마주하게 설치된다. 제 2 처리액 공급 유닛(150)은 처리액을 분사하는 약액 노즐을 구비하고, 세정 공정 시 스핀 헤드(122)에 고정된 기판(W)에 처리액을 분사하여 기판(W)을 세정한다. 제 2 처리액 공급 유닛(150)은 스윙이 가능하며, 세정 공정시 스윙 동작을 통해 약액 노즐을 스핀 헤드(122)의 상부에 배치시킨 상태에서 처리액을 분사한다.The second processing liquid supply unit 150 is installed to face the polishing unit 130 with the container unit 112 and the first processing liquid supply unit 140 interposed therebetween. The second processing liquid supply unit 150 includes a chemical liquid nozzle for spraying the processing liquid, and in the cleaning process, the processing liquid is sprayed onto the substrate W fixed to the spin head 122 to clean the substrate W. The second processing liquid supply unit 150 is swingable, and injects the processing liquid in a state in which the chemical liquid nozzle is disposed on the upper portion of the spin head 122 through a swing operation during the cleaning process.

브러쉬 유닛(160)은 연마 공정 후 기판(W) 표면의 이물질을 물리적으로 제거한다. 브러쉬 유닛(160)은 기판(W)에 표면에 접촉되어 기판(W) 표면의 이물질을 물 리적으로 닦아 내는 브러쉬 패드를 구비하고, 스윙이 가능하다. 세정 공정시, 브러쉬 유닛(160)은 스윙 동작을 통해 브러쉬 패드를 스핀 헤드(122)의 상부에 배치시킨 상태에서 브러쉬 패드를 회전시켜 스핀 헤드(122)에 고정된 기판(W)을 세정한다. 브러쉬 유닛(160)의 일측에는 에어로졸 유닛(170)이 배치된다.The brush unit 160 physically removes foreign substances on the surface of the substrate W after the polishing process. The brush unit 160 includes a brush pad that contacts the surface of the substrate W to physically wipe off the foreign matter on the surface of the substrate W, and may swing. In the cleaning process, the brush unit 160 rotates the brush pad in a state in which the brush pad is disposed on the upper portion of the spin head 122 through a swing operation to clean the substrate W fixed to the spin head 122. An aerosol unit 170 is disposed at one side of the brush unit 160.

에어로졸 유닛(170)은 스핀 헤드(122)에 고정된 기판(W)에 처리액을 미세 입자 형태로 고압 분무하여 기판(W) 표면의 이물질을 제거한다. 예를 들어, 에어로졸 유닛(170)은 초음파를 이용하여 처리액을 미세 입자 형태로 분무한다. 그러므로 브러쉬 유닛(160)은 비교적 큰 입자의 이물질을 제거하는 데 사용되며, 에어로졸 유닛(170)은 브러쉬 유닛(160)에 비해 비교적으로 작은 입자의 이물질을 제거하는 데 사용된다.The aerosol unit 170 removes foreign substances on the surface of the substrate W by spraying the processing liquid in the form of fine particles on the substrate W fixed to the spin head 122. For example, the aerosol unit 170 sprays the treatment liquid into fine particles using ultrasonic waves. Therefore, the brush unit 160 is used to remove foreign matter of relatively large particles, and the aerosol unit 170 is used to remove foreign matter of relatively small particles compared to the brush unit 160.

그리고 패드 컨디셔닝 유닛(180)은 연마 유닛(130)이 홈 포트(home port)에서 대기 중일 때, 연마 유닛(130)을 세정 및 재생시킨다.The pad conditioning unit 180 cleans and regenerates the polishing unit 130 when the polishing unit 130 is waiting at the home port.

상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 연마 장치(100)는 각 기판 연마부(110)에서 기판(W)의 연마 공정 및 세정 공정이 모두 이루어지므로, 연마 공정 후 세정 공정용 챔버로 기판을 이송할 필요가 없고, 별도의 세정 공정용 챔버를 구비할 필요가 없다. 이에 따라, 기판 연마 시스템(100)은 기판(W)의 이송 시간 및 공정 시간을 단축시키고, 생산성을 향상시키며, 풋 프린트를 감소시킬 수 있다.As described above, in the substrate polishing apparatus 100 of the present invention, since both the polishing process and the cleaning process of the substrate W are performed in each substrate polishing unit 110, the substrate polishing apparatus 100 may transfer the substrate to the cleaning process chamber after the polishing process. There is no need and a separate cleaning process chamber does not need to be provided. Accordingly, the substrate polishing system 100 can shorten the transfer time and the process time of the substrate W, improve productivity, and reduce the footprint.

이하 본 발명의 기판 지지부재에 대한 구성 및 작용을 도 3 내지 도 8을 이용하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the substrate support member of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 8.

구체적으로 도 3 및 도 4를 참조하면, 스핀 헤드(122)는 상면에 기판(W)을 고정한다. 이 때, 스핀 헤드(122)는 내부에 제공되는 복수 개의 진공홀(121)들로 진공압을 가하여, 기판(W)을 진공 흡입한다. 또 스핀 헤드(122)는 기판(W)을 상면에 로딩 및 언로딩하기 위하여 기판(W)을 지지하는 복수 개의 지지핀(123)들을 구비한다. 스핀 헤드(122)는 상면이 기판(W) 보다 작은 직경을 갖는다. 그러므로 기판(W)이 스핀 헤드(122)의 상면에 로딩 및 고정되면, 기판(W)의 에지 부분(WE)은 상면의 가장자리를 따라 외측으로 균등하게 돌출된다.3 and 4, the spin head 122 fixes the substrate W to an upper surface thereof. At this time, the spin head 122 applies a vacuum pressure to the plurality of vacuum holes 121 provided therein, and sucks the substrate W under vacuum. In addition, the spin head 122 includes a plurality of support pins 123 that support the substrate W in order to load and unload the substrate W on the top surface. The spin head 122 has a diameter whose upper surface is smaller than that of the substrate (W). Therefore, when the substrate W is loaded and fixed on the upper surface of the spin head 122, the edge portion WE of the substrate W is evenly projected outward along the edge of the upper surface.

스핀 헤드(122)는 상면에 고정된 기판(W)의 에지 부분(WE)을 감지하기 위하여, 스핀 헤드(122)의 상면으로부터 외측으로 돌출된 기판(W)의 에지 부분(WE)에 대향하는 위치 즉, 스핀 헤드(122)의 상면 에지 부분에 복수 개의 센서(도 5a의 128 또는 도 5b의 128a)들이 설치된다. 이를 위해 스핀 헤드(122)에는 기판(W)의 에지 부분(WE)에 대향하여 상면 방향으로 관통된 복수 개의 관통홀(128)들을 구비하거나, 내부에 센서(128a)가 삽입, 설치되는 복수 개의 삽입홈(128a)들을 구비한다. 이러한 관통홀(128) 또는 삽입홈(128a) 들은 스핀 헤드(122)의 상면 에지 부분에 적어도 한 쌍이 마주보게 제공된다. 예를 들어, 관통홀(128) 또는 삽입홈(128a)은 스핀 헤드(122)의 가장자리에 두 쌍 즉, 2 개씩 상호 마주보게 제공된다. 이 때, 관통홀(128) 또는 삽입홈(128a)들 각각은 스핀 헤드(122)의 상면의 중심으로부터 90 °, 180 °, 270 ° 및 360 °각각의 위치에서 배치되어, 상호 인접한 것들과 수직하게 배치된다.The spin head 122 opposes the edge portion WE of the substrate W protruding outward from the top surface of the spin head 122 to sense the edge portion WE of the substrate W fixed to the top surface. A plurality of sensors (128 in FIG. 5A or 128a in FIG. 5B) is installed at the position, that is, the upper edge portion of the spin head 122. To this end, the spin head 122 includes a plurality of through holes 128 penetrating in an upward direction facing the edge portion WE of the substrate W, or a plurality of sensors 128a inserted and installed therein. Inserting grooves 128a are provided. These through holes 128 or insertion grooves 128a are provided to face at least one pair of upper edge portions of the spin head 122. For example, the through holes 128 or the insertion grooves 128a are provided at the edges of the spin head 122 so as to face each other, two pairs. At this time, each of the through holes 128 or the insertion grooves 128a is disposed at positions of 90 °, 180 °, 270 °, and 360 ° from the center of the upper surface of the spin head 122, so that they are perpendicular to each other. Is placed.

즉, 일 실시예에 따른 스핀 헤드(122)는 기판(W)이 슬립되는 것을 감지하기 위하여, 도 5a 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상면 에지 부분에 복수 개의 관통 홀(126)들이 제공된다. 관통홀(126)들 각각은 기판(W)의 에지 부분(WE)에 대향하여 스핀 헤드(122)의 상면 에지 부분의 일부가 개방된다. 관통홀(126)은 스핀 헤드(122)의 측벽 내부를 따라 스핀 헤드(122)의 개방된 상면의 에지 부분으로부터 스핀 헤드(122)의 중앙 방향으로 하향 경사지게 관통된다. 관통홀(126)의 하부에는 센서(128)가 고정, 설치된다.That is, the spin head 122 according to the exemplary embodiment may include a plurality of through holes 126 in the upper edge portion, as illustrated in FIGS. 5A and 6, to detect that the substrate W is slipped. . Each of the through holes 126 opens a portion of the upper edge portion of the spin head 122 opposite to the edge portion WE of the substrate W. As shown in FIG. The through hole 126 penetrates downwardly toward the center of the spin head 122 from an edge portion of the open upper surface of the spin head 122 along the inside of the side wall of the spin head 122. The sensor 128 is fixed and installed under the through hole 126.

센서(128)는 예를 들어, 근접 센서, 광센서 등으로 구비된다. 센서(128)는 관통홀(126)을 통하여 개방된 상부 방향으로 기판(W)의 에지 부분(WE)을 감지한다. 이를 위해 센서(128)는 스핀 헤드(122)의 하부에 고정 설치되어 스핀 헤드(122)의 회전시, 함께 회전된다. 센서(128)는 관통홀(126)을 통해 기판(W)의 에지 부분(WE)을 감지한다.The sensor 128 is provided with a proximity sensor, an optical sensor, or the like, for example. The sensor 128 detects the edge portion WE of the substrate W in the upward direction opened through the through hole 126. To this end, the sensor 128 is fixed to the lower portion of the spin head 122 is rotated together when the spin head 122 is rotated. The sensor 128 detects the edge portion WE of the substrate W through the through hole 126.

그러므로 제어부(102)는 센서(128)들 중 적어도 하나로부터 기판(W)의 에지 부분(WE)이 감지되지 않으면, 기판(W)이 스핀 헤드(122)의 상면으로부터 슬립(slip)되었음을 판별한다.Therefore, if the edge portion WE of the substrate W is not detected from at least one of the sensors 128, the controller 102 determines that the substrate W has slipped from the top surface of the spin head 122. .

다른 실시예로서, 스핀 헤드(122a)는 도 5b에 도시된 바와 같이, 상면 에지 부분에 복수 개의 삽입홈(126a)들이 제공된다. 삽입홈(126a)들 각각은 기판(W)의 에지 부분(WE)에 대향하여 스핀 헤드(122a)의 상면 에지 부분의 일부가 개방된다. 삽입홈(126a)은 스핀 헤드(122a)의 측벽 내부를 따라 스핀 헤드(122a)의 개방된 상면으로부터 스핀 헤드(122a)의 중심 방향으로 하향 경사지게 형성된다. 삽입홈(126a)에는 센서(128a)가 삽입, 설치된다.In another embodiment, the spin head 122a is provided with a plurality of insertion grooves 126a in the upper edge portion, as shown in FIG. 5B. Each of the insertion grooves 126a opens a part of the upper edge portion of the spin head 122a opposite to the edge portion WE of the substrate W. As shown in FIG. The insertion groove 126a is formed to be inclined downward from the open upper surface of the spin head 122a along the inside of the sidewall of the spin head 122a toward the center of the spin head 122a. The sensor 128a is inserted and installed in the insertion groove 126a.

센서(128a)는 예를 들어, 근접 센서, 광센서 등으로 구비된다. 센서(128a)는 삽입홈(126a)을 통하여 개방된 상부 방향으로 기판(W)의 에지 부분(WE)을 감지한다. 이를 위해 센서(128a)는 스핀 헤드(122a)의 하부에 고정 설치되어 스핀 헤드(122a)의 회전시, 함께 회전된다. 센서(128a)는 삽입홈(126a)의 개방된 상부를 통해 기판(W)의 에지 부분(WE)을 감지한다.The sensor 128a is provided with, for example, a proximity sensor and an optical sensor. The sensor 128a detects the edge portion WE of the substrate W in an open direction through the insertion groove 126a. To this end, the sensor 128a is fixedly installed at the lower portion of the spin head 122a and rotates together when the spin head 122a is rotated. The sensor 128a detects the edge portion WE of the substrate W through the open upper portion of the insertion groove 126a.

이들 센서(128a)들 또한 제어부(102)와 전기적으로 연결되어 기판(W)의 슬립 여부를 판별한다. 즉, 제어부(102)는 센서(128a)들 중 적어도 하나로부터 기판(W)의 에지 부분(WE)이 감지되지 않으면, 기판(W)이 슬립되었음을 판별하여, 스핀 헤드(122a) 및 연마 헤드(131)의 회전을 중지시키고 외부로 알람을 발생하는 등의 인터락을 제어한다.These sensors 128a are also electrically connected to the controller 102 to determine whether the substrate W is slipped. That is, if the edge portion WE of the substrate W is not detected from at least one of the sensors 128a, the controller 102 determines that the substrate W has slipped, and thus the spin head 122a and the polishing head ( The interlock is controlled such as stopping the rotation of 131 and generating an alarm to the outside.

또 변형예로서, 도 7을 참조하면, 기판 연마 장치(100)는 스핀 헤드(122b)의 하부 외측에 복수 개의 센서(128b)들이 고정, 설치된다. 이 때, 센서(128b)들은 스핀 헤드(122b)의 외측에 별도의 고정 장치(미도시됨)를 이용하여 고정된다.In another modification, referring to FIG. 7, the substrate polishing apparatus 100 is provided with a plurality of sensors 128b fixed to the lower outer side of the spin head 122b. At this time, the sensors 128b are fixed to the outside of the spin head 122b by using a separate fixing device (not shown).

센서(128b)들은 스핀 헤드(122b)의 외측 하단부로부터 스핀 헤드(122)의 상면 방향으로 기판(W)의 에지 부분(WE)을 감지한다. 이들 센서(128b)들 또한 제어부(102)와 전기적으로 연결되어 기판(W)의 슬립 여부를 판별한다. 이 때, 센서(128b)들은 스핀 헤드(122b)와 함께 회전되지 않는다. 따라서 센서(128b)들은 기판(W)의 에지 부분(WE)이 감지되거나 미감지 상태에 따라 상이한 신호를 제어부(102)로 제공한다.The sensors 128b detect the edge portion WE of the substrate W from the outer lower end of the spin head 122b in the direction of the top surface of the spin head 122. These sensors 128b are also electrically connected to the controller 102 to determine whether the substrate W is slipped. At this time, the sensors 128b do not rotate together with the spin head 122b. Accordingly, the sensors 128b may provide different signals to the controller 102 depending on whether the edge portion WE of the substrate W is detected or not detected.

계속해서, 도 8은 본 발명에 따른 기판 연마 장치의 처리 수순을 도시한 플로우챠트이다.8 is a flowchart showing the processing procedure of the substrate polishing apparatus according to the present invention.

도 8을 참조하면, 단계 S200에서 기판(W)이 스핀 헤드(122)에 로딩되면, 단계 S210에서 기판(W)을 스핀 헤드(122)의 상면에 진공 척킹한다. 즉, 스핀 헤드(122)에 제공되는 복수 개의 진공홀(121)들로 진공압을 가하고, 이를 통해 기판(W)을 스핀 헤드(122)의 상면에 고정시킨다. 단계 S220에서 스핀 헤드(122)에 고정된 기판(W)의 상부로 연마 헤드(131)를 이동시키고, 스핀 헤드(122) 및 연마 헤드(131)를 회전시켜서 기판(W) 표면을 연마한다.Referring to FIG. 8, when the substrate W is loaded onto the spin head 122 in step S200, the substrate W is vacuum chucked on the top surface of the spin head 122 in step S210. That is, a vacuum pressure is applied to the plurality of vacuum holes 121 provided in the spin head 122, thereby fixing the substrate W to the upper surface of the spin head 122. In operation S220, the polishing head 131 is moved to an upper portion of the substrate W fixed to the spin head 122, and the surface of the substrate W is polished by rotating the spin head 122 and the polishing head 131.

단계 S230에서 복수 개의 센서(128, 128a 또는 128b)들을 이용하여 기판(W)의 에지 부분(WE)을 실시간으로 감지한다. 단계 S240에서 연마 공정 중에 기판(W)이 슬립되었는 지를 판별한다. 즉, 복수 개의 센서(128, 128a 또는 128b)들 중 적어도 하나로부터 기판(W)의 에지 부분(WE)이 감지되는지 그렇지 않은지를 판별한다. 이어서 센서(128, 128a 또는 128b)들 중 적어도 하나로부터 기판(W)의 에지 부분(WE)이 감지되지 않으면, 이 수순은 단계 S250으로 진행하여, 스핀 헤드(122)의 회전을 중지시키고 기판 연마 장치(100)를 인터락 제어한다. 이 때, 스핀 헤드(122)와 함께 연마 헤드(131) 또한 회전을 중지시킴은 자명하다 하겠다.In operation S230, the edge portion WE of the substrate W is sensed in real time using the plurality of sensors 128, 128a, or 128b. In step S240, it is determined whether the substrate W has slipped during the polishing process. That is, it is determined whether the edge portion WE of the substrate W is detected from at least one of the plurality of sensors 128, 128a, or 128b. If the edge portion WE of the substrate W is not detected from at least one of the sensors 128, 128a or 128b then this procedure proceeds to step S250 to stop the rotation of the spin head 122 and to polish the substrate. Interlock control of the device 100. At this time, it is obvious that the polishing head 131 also stops rotation along with the spin head 122.

이상에서, 본 발명에 따른 기판 지지부재 및 이를 구비하는 기판 연마 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, although the configuration and operation of the substrate support member and the substrate polishing apparatus having the same according to the present invention have been shown in accordance with the detailed description and the drawings, these are merely described by way of example and do not depart from the spirit of the present invention. Various changes and modifications are possible within the scope.

도 1은 본 발명에 따른 기판 연마 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면;1 shows a schematic configuration of a substrate polishing apparatus according to the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 기판 연마부의 구성을 도시한 사시도;FIG. 2 is a perspective view showing the structure of the substrate polishing part shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지부재의 구성을 도시한 사시도;3 is a perspective view showing the configuration of a substrate support member according to an embodiment of the present invention shown in FIG.

도 4는 도 3에 도시된 기판 지지부재의 평면도;4 is a plan view of the substrate support member shown in FIG. 3;

도 5a는 도 3에 도시된 기판 지지부재의 일 실시예를 나타내는 단면도;FIG. 5A is a sectional view showing one embodiment of the substrate support member shown in FIG. 3; FIG.

도 5b는 도 3에 도시된 기판 지지부재의 다른 실시예를 나타내는 단면도;FIG. 5B is a sectional view showing another embodiment of the substrate support member shown in FIG. 3; FIG.

도 6은 도 2에 도시된 기판 연마 장치의 일부 사시 단면도;FIG. 6 is a partial perspective cross-sectional view of the substrate polishing apparatus shown in FIG. 2; FIG.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지부재의 구성을 도시한 도면; 그리고7 is a view showing the configuration of a substrate support member according to another embodiment of the present invention; And

도 8은 본 발명에 따른 기판 연마 장치의 기판 슬립 감지를 위한 처리 수순을 도시한 플로우챠트이다.8 is a flowchart showing a processing procedure for sensing a substrate slip of the substrate polishing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 기판 연마 장치100: substrate polishing apparatus

110 : 기판 연마부110: substrate polishing unit

120 : 기판 지지부재120: substrate support member

122 : 스핀 헤드122: spin head

128 : 센서128: sensor

Claims (12)

기판 지지부재에 있어서:In the substrate support member: 상면에 기판을 고정하는 스핀 헤드와;A spin head fixing the substrate to the upper surface; 상기 스핀 헤드의 중앙 하부에 설치되고, 상기 스핀 헤드를 회전시키는 회전축 및;A rotating shaft disposed below the center of the spin head and configured to rotate the spin head; 상기 상면보다 하부에 설치되어, 상기 기판의 에지 부분을 감지하는 복수 개의 센서들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지부재.The substrate supporting member is installed below the upper surface, comprising a plurality of sensors for detecting the edge portion of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스핀 헤드는 상기 상면의 에지 부분에 상부 및 하부가 관통된 복수 개의 관통홀들을 제공하되;The spin head provides a plurality of through holes through which an upper portion and a lower portion pass through an edge portion of the upper surface; 상기 센서들 각각은 상기 관통홀의 하부에 고정, 설치되어, 상기 관통홀을 통해 상기 기판의 에지 부분을 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 지지부재.Each of the sensors is fixed and installed at a lower portion of the through hole to detect an edge portion of the substrate through the through hole. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스핀 헤드는 상기 상면의 에지 부분의 상부가 개방된 복수 개의 삽입홈들을 제공하되;The spin head provides a plurality of insertion grooves in which an upper portion of an edge portion of the upper surface is opened; 상기 센서들 각각은 상기 삽입홈 내부에 삽입, 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지부재.Each of the sensors is inserted into the insertion groove, the substrate supporting member, characterized in that installed. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 2 or 3, 상기 스핀 헤드는;The spin head; 상기 관통홀 또는 상기 삽입홈들이 상기 상면의 가장자리에 적어도 한 쌍이 마주보게 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 지지부재.At least one pair of the through-holes or the insertion grooves is provided to face an edge of the upper surface. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 관통홀은 상기 상면의 에지 부분으로부터 상기 스핀 헤드의 중심 방향으로 하향 경사지게 관통되고;The through hole penetrates downwardly from an edge portion of the upper surface toward the center of the spin head; 상기 삽입홈은 상기 상면의 에지 부분으로부터 상기 중심 방향으로 하향 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지부재.The insertion groove is a substrate supporting member, characterized in that formed inclined downward from the edge portion of the upper surface toward the center. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센서들은 상기 스핀 헤드의 하부 그리고 상기 스핀 헤드의 에지 부분의 외측에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지부재.And the sensors are provided below the spin head and outside the edge portion of the spin head. 기판 연마 장치에 있어서:In substrate polishing apparatus: 상면에 기판을 고정하는 스핀 헤드와, 상기 스핀 헤드의 중앙 하부에 설치되고, 상기 스핀 헤드를 회전시키는 회전축을 포함하는 기판 지지부재와;A substrate support member including a spin head for fixing a substrate on an upper surface thereof, and a rotation shaft disposed below the center of the spin head and rotating the spin head; 상기 기판 보다 작은 크기의 연마 패드를 구비하고, 상기 스핀 헤드의 상부 에 위치하여 상기 기판과 접촉하고, 상기 기판의 에지 부분과 중앙 영역 사이를 스윙 이동 및 회전하면서 상기 기판의 표면을 국부적으로 연마하는 연마 헤드 및;A polishing pad having a smaller size than the substrate, positioned over the spin head to contact the substrate, and locally polishing the surface of the substrate while swinging and rotating between an edge portion and a central region of the substrate; A polishing head; 상기 상면보다 하부에 설치되어, 상기 연마 헤드가 상기 기판을 연마 시, 상기 기판이 상기 스핀 헤드로부터 슬립되는지를 감지하기 위해 상기 기판의 에지 부분을 감지하는 복수 개의 센서들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.A substrate disposed below the upper surface, the substrate comprising a plurality of sensors for sensing an edge portion of the substrate to detect whether the substrate slips from the spin head when the polishing head polishes the substrate Polishing device. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 스핀 헤드는;The spin head; 내부에 제공되는 복수 개의 진공홀들을 통해 상기 기판을 진공 흡입하여 상기 상면에 고정시키는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.And a substrate is vacuum sucked through the plurality of vacuum holes provided therein to fix the substrate to the upper surface. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,9. The method according to claim 7 or 8, 상기 스핀 헤드는 상기 상면의 에지 부분으로부터 상기 스핀 헤드의 중심 방향으로 하향 경사지게 관통되는 복수 개의 관통홀들을 제공하되;The spin head provides a plurality of through holes penetrating downward from an edge portion of the upper surface toward the center of the spin head; 상기 센서들 각각은 상기 관통홀의 하부에 고정, 설치되어, 상기 관통홀을 통해 상기 기판의 에지 부분을 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.Each of the sensors is fixed and installed under the through hole to detect an edge portion of the substrate through the through hole. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,9. The method according to claim 7 or 8, 상기 스핀 헤드는 상기 상면의 에지 부분의 상부가 개방되고, 상기 상면의 에지 부분으로부터 상기 스핀 헤드의 중심 방향으로 하향 경사지게 형성된 복수 개 의 삽입홈들을 제공하되;The spin head has a plurality of insertion grooves formed at an upper portion of an edge portion of the upper surface, and downwardly inclined downward from an edge portion of the upper surface toward a center of the spin head; 상기 센서들 각각은 상기 삽입홈 내부에 삽입, 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.Each of the sensors is inserted into the insertion groove, the substrate polishing apparatus, characterized in that installed. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,9. The method according to claim 7 or 8, 상기 센서들은 상기 스핀 헤드의 하부에 설치되어, 상기 스핀 헤드의 외측 하단부로부터 상기 스핀 헤드의 상기 상면 방향으로 상기 기판의 에지 부분을 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.And the sensors are provided below the spin head to sense an edge portion of the substrate from the outer lower end of the spin head toward the upper surface of the spin head. 기판 연마 장치의 처리 방법에 있어서:In the processing method of the substrate polishing apparatus: 상기 기판 연마 장치의 스핀 헤드의 안착된 기판을 진공 흡입하여 고정하고, 상기 기판의 에지 부분을 감지하는 복수 개의 센서들을 제공하고, 연마 헤드를 상기 기판 상으로 이동시켜서 상기 기판과 접촉하고, 상기 기판을 회전시켜서 상기 기판을 연마하고, 그리고 상기 기판을 연마하는 동안에 상기 센서들에 의해 상기 스핀 헤드로부터 상기 기판이 슬립되는지의 여부를 감지하되;Vacuum suction and fix the seated substrate of the spin head of the substrate polishing apparatus, provide a plurality of sensors for sensing an edge portion of the substrate, move the polishing head onto the substrate to contact the substrate, and the substrate Rotate the to polish the substrate, and detect whether the substrate slips from the spin head by the sensors while polishing the substrate; 상기 기판의 슬립 여부는 상기 센서들 중 적어도 하나로부터 상기 기판의 에지 부분이 감지되지 않으면, 상기 기판이 슬립된 것으로 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치의 처리 방법.And whether the substrate is slipped or not, when the edge portion of the substrate is not detected from at least one of the sensors.
KR1020090071595A 2009-08-04 2009-08-04 Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method for processing thereof KR20110013897A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090071595A KR20110013897A (en) 2009-08-04 2009-08-04 Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method for processing thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090071595A KR20110013897A (en) 2009-08-04 2009-08-04 Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method for processing thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110013897A true KR20110013897A (en) 2011-02-10

Family

ID=43773315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090071595A KR20110013897A (en) 2009-08-04 2009-08-04 Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method for processing thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110013897A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210021698A (en) * 2019-08-19 2021-03-02 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210021698A (en) * 2019-08-19 2021-03-02 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100472959B1 (en) Semiconductor wafer planarization equipment having improving wafer unloading structure
KR101042316B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR20090041154A (en) Apparatus and method for cleaning a substrate
US20130199726A1 (en) Apparatus and a method for treating a substrate
KR101134653B1 (en) Substrate supporting unit and single type substrate polishing apparatus using the same
KR101041871B1 (en) Substrate polishing apparatus and method for detecting slip of substrate thereof
KR101098980B1 (en) Substrate polishing apparatus and method for detecting slip of substrate thereof
KR20110013897A (en) Substrate supporting member, substrate polishing apparatus having the same and method for processing thereof
TWI611848B (en) Substrate cleaning device and substrate cleaning method
US20220203411A1 (en) Substrate cleaning device and method of cleaning substrate
KR100470230B1 (en) Chemical Mechanical Polishing Apparatus
KR101066596B1 (en) Substrate polishing apparatus
KR100634450B1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus and platen used in the apparatus
KR101042321B1 (en) Substrate polishing apparatus and method of polishing substrate using the same
KR101081902B1 (en) Apparatus for treating substrate
WO2022187093A1 (en) Drying system with integrated substrate alignment stage
JPH10289889A (en) Substrate treatment apparatus
KR20110013896A (en) Substrate polishing apparatus and method for treating thereof
KR101100276B1 (en) Substrate polishing apparatus and method for changing polish pad thereof
KR20070092530A (en) Apparatus of treating a substrate in a single wafer type
KR100470229B1 (en) Loading Device of Chemical Mechanical Polishing Apparatus
JP2000061832A (en) Load cassette tilting mechanism for polishing device
KR101042320B1 (en) Apparatus and method of treating substrate
KR20040079622A (en) Apparatus for cleansing a wafer and method of the same
KR100512179B1 (en) chemical and mechanical polishing apparatus for manufacturing a semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application