KR20110002569A - Substrate for organic electroluminescent device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A substrate for an organic electro-luminescence element is provided to improve the productivity by verifying the quality a driving and a switching thin film transistor before an organic light emitting layer is formed. CONSTITUTION: A gate line(113) and a data line(128) cross each other. A power line(130) passes through a pixel region(P). A common line(115) is parallelly spaced apart from the gate line. A switching thin film transistor(STr) is in connection with the gate line and the data line. A driving thin-film transistor(DTr) is in connection with a switching thin film transistor and the power line. A storage electrode is formed by being overlapped with the power line.

Description

유기전계 발광소자용 기판{Substrate for organic electroluminescent device}Substrate for organic electroluminescent device

본 발명은 유기전계 발광소자(Organic Electroluminescent Device)에 관한 것이며, 특히 각 화소영역의 정확한 불량 검사가 가능한 유기전계 발광소자용 기판 에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly to a substrate for an organic electroluminescent device capable of accurate defect inspection of each pixel region.

평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류의 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.The organic light emitting diode, which is one of the flat panel displays (FPDs), has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, the self-luminous self-illuminating type provides high contrast ratio, enables ultra-thin display, easy response time with several microsecond response time, no restriction on viewing angle, and stable at low temperatures. Since it is driven at a low voltage of 5V to 15V of DC, it is easy to manufacture and design a driving circuit.

이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 액티브 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하므로, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것만큼의 순간 휘도를 내야만 한다. The organic light emitting diode having such characteristics is largely divided into a passive matrix type and an active matrix type. In the passive matrix method, since the scan lines and the signal lines cross each other to form a device in a matrix form, each pixel Since the scan lines are sequentially driven over time in order to drive, the instantaneous luminance must be equal to the average luminance multiplied by the number of lines in order to represent the required average luminance.

그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 화소(pixel)를 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 화소(pixel)별로 위치하고, 이 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극은 화소 단위로 온(on)/오프(off)되고, 상기 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극은 전면에 형성되어 공통전극이 된다. However, in the active matrix method, a thin film transistor, which is a switching element that turns a pixel on or off, is positioned for each pixel, and the first electrode connected to the thin film transistor is a pixel. The second electrode, which is turned on / off in units and faces the first electrode, is formed on the entire surface to become a common electrode.

그리고, 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 픽셀에 인가된 전압이 스토리지 커패시터에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다. 따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 타입의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다. In the active matrix method, the voltage applied to the pixel is charged in the storage capacitor, and the power is applied until the next frame signal is applied, thereby continuously driving for one screen regardless of the number of scan lines. do. Therefore, since low luminance, high definition, and large size can be obtained even when a low current is applied, an active matrix type organic light emitting diode is mainly used in recent years.

이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure and operation characteristics of the active matrix organic light emitting diode will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도이다. 1 is a circuit diagram of one pixel area of a general active matrix type organic light emitting display device.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자(1)의 하나의 화소영역(P)에는 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스 터(DTr), 스토리지 캐패시터(StgC), 그리고 유기전계발광 다이오드(E)가 구비되고 있다. As shown in the drawing, one pixel region P of the active matrix organic light emitting diode 1 has a switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, and a storage capacitor StgC. And an organic light emitting diode (E).

즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장하여 상기 게이트 배선(GL)과 더불어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. That is, the gate line GL is formed in the first direction, extends in the second direction crossing the first direction, defines the pixel region P together with the gate line GL, and defines the data line DL. And a power supply wiring PL spaced apart from the data line DL to apply a power supply voltage.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 이들 두 배선(DL, GL)과 연결되며 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. In addition, the data line DL and the gate line GL intersect each other and are connected to the two lines DL and GL, and a switching thin film transistor STr is formed, and the switching thin film transistor STr is electrically connected to the data wiring DL. A driving thin film transistor DTr connected to each other is formed.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 그라운드와 연결되고 있다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. In this case, the driving thin film transistor DTr is electrically connected to the organic light emitting diode E. That is, the first electrode, which is one terminal of the organic light emitting diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode, which is the other terminal, is connected to the ground. In addition, a storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 상기 구동 박막트랜지스 터(DTr)를 통해 유기전계 발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계 발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on, and the signal of the data line DL is transferred to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr to drive the driving signal. Since the thin film transistor DTr is turned on, light is output through the organic light emitting diode E. At this time, when the driving thin film transistor DTr is in an on state, the level of the current flowing through the driving thin film transistor DTr from the power line PL is determined through the driving thin film transistor DTr. As a result, the organic light emitting diode E may implement gray scale, and the storage capacitor StgC may have the driving thin film transistor DTr when the switching thin film transistor STr is turned off. By maintaining a constant gate voltage of (), even if the switching thin film transistor (STr) is off (off) state to maintain a constant level of the current flowing through the organic light emitting diode (E) until the next frame (frame) It becomes possible.

한편, 전술한 구성을 갖는 유기전계 발광소자는 제조비용을 저감시키기 위해서 유기전계 발광소자의 각 구성요소를 제조하기 위해 사용되는 물질 중 상대적으로 고가인 유기 발광 물질을 이용하여 각 화소영역(P) 내에 유기 발광층(미도시)을 형성하기 전에 상기 각 화소영역(P) 내에 구비된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)가 올바르게 작동하고 있는지 불량검사를 실시하는 것이 바람직하다. On the other hand, the organic light emitting device having the above-described configuration, each pixel region (P) by using a relatively expensive organic light emitting material of the material used to manufacture each component of the organic light emitting device in order to reduce the manufacturing cost Before forming the organic light emitting layer (not shown) in the inside, it is preferable to perform a defect inspection whether the switching and driving thin film transistors STr and DTr provided in each pixel region P are operating properly.

유기전계 발광소자는 각 화소영역(P)에 구비된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)에 불량이 발생하면 유기 발광층(미도시)에 전압이 인가되지 않음으로 발광하지 않는다. 따라서 이 경우 유기전계 발광소자는 최종적으로 불량 판정을 받게되어 폐기 처리되므로, 재료 낭비와 이미 불량이 발생한 유기전계 발광용 기판(미도시)에 대해 단위공정을 진행하게 되므로 단위 시간당 양품 생산량의 저하가 발생하게 된다. 이러한 이유로 유기 발광층(미도시) 형성전에 각 화소영역(P) 내에 형성된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)의 불량 검사를 실시하는 것이 필요하다.The organic light emitting diode does not emit light when no voltage is applied to the organic light emitting layer (not shown) when a failure occurs in the switching and driving thin film transistors STr and DTr provided in each pixel region P. Therefore, in this case, since the organic EL device is finally rejected and disposed of, the unit process is performed on an organic electroluminescent substrate (not shown) in which material waste and defects have already occurred. Will occur. For this reason, it is necessary to perform defect inspection of the switching and driving thin film transistors STr and DTr formed in each pixel region P before forming the organic light emitting layer (not shown).

하지만, 상기 유기 발광층(미도시)을 형성하기 이전의 유기전계 발광소자용 기판(미도시)은 각 화소영역(P) 내의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)의 불량 유무 검사가 구조적 특징에 의해 어려운 상태이다.However, prior to the formation of the organic light emitting layer (not shown), the organic light emitting device substrate (not shown) may be inspected for defects in the switching and driving thin film transistors STr and DTr in each pixel region P. By a difficult state.

도 2는 종래의 유기전계 발광소자에 있어 유기 발광층을 형성하기 전의 유기전계 발광소자용 기판의 회로도이며, 도 3은 종래의 유기전계 발광소자용 기판의 하나의 화소영역에 대한 평면도이다. FIG. 2 is a circuit diagram of a substrate for an organic light emitting device before forming an organic light emitting layer in a conventional organic light emitting device, and FIG. 3 is a plan view of one pixel area of a substrate for a conventional organic light emitting device.

화소영역(P)내의 신호는 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 온(on) 상태로 하는 게이트 전압이 게이트 배선(13)을 통해 인가되면 데이터 배선(28)으로 인가된 신호전압이 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 통해 이와 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(20)에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태를 이루게 되며, 최종적으로 상기 제 1 전극(60)에 신호전압이 인가되게 된다. When the gate voltage for turning on the switching thin film transistor STr is applied through the gate wiring 13, the signal voltage applied to the data wiring 28 is applied to the signal in the pixel region P. The driving thin film transistor DTr is transferred to the gate electrode 20 of the driving thin film transistor DTr connected to the gate thin film transistor DTr to turn on, and finally, the signal voltage is applied to the first electrode 60. Will be applied.

한편, 하나의 화소영역(P)에 대한 평면구성을 살펴보면, 서로 교차하여 게이트 및 데이터 배선(13, 28)이 구성되고 있으며, 상기 각 화소영역(P)을 관통하며 상기 데이터 배선(28)과 나란하게 전원배선(30)이 구비되고 있다. 또한 각 화소영역 내에는 상기 게이트 배선(13) 및 데이터 배선(28)과 동시에 연결되며 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 구비되고 있다. 이때, 상기 게이트 배선(13)은 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 게이트 전극(17)과 연결되고 있으며, 상기 데이터 배선(28)은 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 소스 전극(32)과 연결되고 있다. 또한, 각 화소영역(P)에는 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 구비되고 있다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 드레인 전극(34)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(20)은 제 1 콘택홀(50)을 통해 서로 접촉하고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(20)은 제 2 콘택홀(52)을 통해 스토리지 전극(63)과 접촉하고 있으며, 이때 상기 스토리지 전극(63)은 상기 전원배선(30)과 중첩함으로써 스토리지 커패시터(StgC)를 이루고 있다. 또한 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 전극(36)과 상기 전원배선(30)은 서로 연결되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(38)은 제 1 전극(60)과 제 3 콘택홀(54)을 통해 연결되고 있다. On the other hand, the planar structure of one pixel region P is described, and gates and data lines 13 and 28 are formed to cross each other, and pass through the pixel regions P and pass through the data lines 28. Side by side power supply wiring 30 is provided. Each pixel region is connected to the gate line 13 and the data line 28 at the same time and has a switching thin film transistor STr. In this case, the gate line 13 is connected to the gate electrode 17 of the switching thin film transistor STr, and the data line 28 is connected to the source electrode 32 of the switching thin film transistor STr. . In addition, each pixel area P is connected to the switching thin film transistor STr and includes a driving thin film transistor DTr. The drain electrode 34 of the switching thin film transistor STr and the gate electrode 20 of the driving thin film transistor DTr are in contact with each other through the first contact hole 50, and the driving thin film transistor DTr of the switching thin film transistor STr The gate electrode 20 is in contact with the storage electrode 63 through the second contact hole 52. In this case, the storage electrode 63 forms a storage capacitor StgC by overlapping the power wiring 30. . In addition, the source electrode 36 and the power supply wiring 30 of the driving thin film transistor DTr are connected to each other, and the drain electrode 38 of the driving thin film transistor DTr is connected to the first electrode 60 and the third electrode. It is connected through the contact hole 54.

하지만 전술한 구성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자용 기판(10)은 현 상태에서는 유기발광 다이오드를 이루는 구성요소 중 유기 발광층과 제 2 전극이 형성되지 않았으므로 상기 제 1 전극(60)은 각 화소영역(P)에서 플로팅된 상태가 된다. 따라서 스위칭 또는 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)가 정상 구동을 하여 상기 제 1 전극(60)에 신호전압이 인가된다 하여도 각 화소영역(P) 내에서 전압차 발생하였음을 알 수 있도록 하는 그라운드와 연결된 제 2 전극이 구성되지 않음으로써 상기 제 1 전극(60)에 정상 신호전압이 인가되었는지 알 수가 없다. However, since the organic light emitting diode substrate and the second electrode of the organic light emitting diode substrate 10 having the above-described configuration are not formed in the present state of the components constituting the organic light emitting diode, each of the first electrodes 60 is a pixel. The state is floated in the area P. FIG. Therefore, even when the switching or driving thin film transistors STr and DTr drive normally and a signal voltage is applied to the first electrode 60, the ground and the voltage difference can be seen to be generated within each pixel region P. Since the second electrode is not configured, it is not known whether a normal signal voltage is applied to the first electrode 60.

따라서, 종래의 유기전계 발광소자용 기판(10)에 있어서는 상기 유기 발광층과 그라운드와 연결된 제 2 전극을 형성하여 최종적으로 유기전계 발광 다이오드를 구성하기 전에는 각 화소영역(P) 내의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)의 불량 유무를 사전에 검출할 수 없는 실정이다. Therefore, in the conventional substrate 10 for the organic light emitting diode, the switching and driving thin film transistors in each pixel region P are formed before forming the organic light emitting diode and forming the second electrode connected to the organic light emitting layer and the ground. The presence or absence of a defect of (STr, DTr) cannot be detected in advance.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 각 화소영역에 유기 발광층을 형성하기 전에 각 화소영역에 구비된 구동 및 스위칭 박막트랜지스터의 불량 유무 판별이 가능한 유기전계 발광소자용 기판을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and to provide a substrate for an organic light emitting device capable of determining whether the driving and switching thin film transistors provided in each pixel region is defective before forming the organic light emitting layer in each pixel region. For that purpose.

나아가, 유기 발광층 형성 전에 박막트랜지스터의 불량 유무 판별이 가능하도록 하여 불량이 발생한 유기전계 발광소자용 기판에 대해서는 유기 발광층을 형성 공정을 진행하지 않도록 함으로써 재료 낭비를 막고, 단위 시간당 양품 제조능률을 향상시키는 것을 그 목적으로 한다. Furthermore, it is possible to determine whether the thin film transistor is defective before the organic light emitting layer is formed, and thus the organic light emitting layer substrate is not processed for the defective organic light emitting device substrate, thereby preventing material waste and improving the manufacturing efficiency of the unit per unit time. For that purpose.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기전계 발광소자용 기판은, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터와, 스토리지 커패시터와, 유기 발광층을 포함하는 유기전계 발광 다이오드와, 상기 유기전계 발광소자의 인캡슐레이션을 위한 보호커버가 구비된 유기전계 발광소자를 제조하기 위한 유기전계 발광 소자용 기판에 있어서, 서로 교차하여 화소영역을 정의(定義)하며 형성된 게이트 및 데이터 배선과; 상기 화소영역을 관통하며 상기 데이터 배선과 나란하게 이격하며 형성된 전원배선과; 상기 화소영역을 관통하며 상기 게이트 배선과 나란하게 이격하며 형성된 공통배선과; 상기 공통배선 일끝단을 연결하며 형성된 공통연결배선과; 외부로부터 그라운드 전압을 인가할 수 있도록 상기 공통연결배선 일끝단에 형성된 공통연결배선 패드전극과; 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 스위칭 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 박막트랜지스터와 상기 전원배선과 연결되며 형성된 구동 박막트랜지스터와; 상기 전원배선과 중첩하여 형성됨으로써 상기 전원배선과 더불어 스토리지 커패시터를 이루는 스토리지 전극과; 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며, 상기 공통배선과 중첩하여 커패시터를 형성하는 제 1 전극을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate for an organic light emitting device, the organic light emitting diode including a switching and driving thin film transistor, a storage capacitor, and an organic light emitting layer, and encapsulation of the organic light emitting device. An organic light emitting device substrate for manufacturing an organic light emitting device having a protective cover, comprising: a gate and a data line formed to define a pixel area crossing each other; A power supply line penetrating the pixel area and spaced apart from the data line; A common wiring formed through the pixel region and spaced apart from the gate wiring; A common connection wiring formed by connecting one end of the common wiring; A common connection wiring pad electrode formed at one end of the common connection wiring so as to apply a ground voltage from the outside; A switching thin film transistor connected to the gate and the data line; A driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor and the power wiring; A storage electrode formed to overlap the power wiring to form a storage capacitor together with the power wiring; And a first electrode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor and overlapping the common wiring to form a capacitor.

상기 공통배선과 상기 게이트 배선은 동일한 층에 동일한 금속물질로 이루어지며, 상기 전원배선과 상기 데이터 배선은 동일한 층에 동일한 금속물질로 이루어진 것이 특징이다. The common wiring and the gate wiring are made of the same metal material in the same layer, and the power wiring and the data wiring are made of the same metal material in the same layer.

또한, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극은 제 1 콘택홀을 통해 서로 접촉하며, 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극과 상기 스토리지 전극은 제 2 콘택홀을 통해 서로 접촉하며, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 제 1 전극은 제 3 콘택홀을 통해 서로 접촉하는 것이 특징이다. In addition, the drain electrode of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor contact each other through a first contact hole, and the gate electrode and the storage electrode of the driving thin film transistor contact each other through a second contact hole, The drain electrode and the first electrode of the driving thin film transistor are in contact with each other through a third contact hole.

또한, 상기 전원배선과 상기 구동 박막트랜지스터의 소스 전극은 서로 전기적으로 연결된 것이 특징이다. In addition, the power wiring and the source electrode of the driving thin film transistor are electrically connected to each other.

또한, 상기 각 화소영역에는 상기 구동 박막트랜지스터가 서로 연결되며 다수개 형성되는 것이 특징이다. In addition, the driving thin film transistors are connected to each other in each of the pixel areas, characterized in that formed in plurality.

본 발명에 따른 유기전계 발광소자용 기판은 기준전압을 인가할 수 있는 공통배선이 구비됨으로써 유기 발광층 형성 전에 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(DTr)의 온 상태에 의해 신호전압이 정상적으로 제 1 전극에 인가될 시 인가된 신호전압과 상기 기준전압과의 전압차이를 측정할 수 있으므로 각 화소영역 내에 구비된 구동 및 스위칭 박막트랜지스터의 불량 유무를 판별할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 유기 발광층 형성 전에 구동 및 스위칭 박막트랜지스터의 불량 여부 판별이 가능하므로 불량이 발생한 기판에 대해서는 유기 발광층 및 제 2 전극 형성 공정을 진행시키지 않음으로써 재료비를 저감하고, 단위 시간당 양품 제조 능률을 향상시키는 효과가 있다. The substrate for an organic light emitting diode according to the present invention is provided with a common wiring for applying a reference voltage, so that the signal voltage is normally applied to the first electrode by the on state of the switching and driving thin film transistor DTr before the organic light emitting layer is formed. Since the voltage difference between the signal voltage applied at the time and the reference voltage can be measured, it is possible to determine whether the driving and switching thin film transistors provided in each pixel area are defective. Therefore, it is possible to determine whether the driving and switching thin film transistors are defective before the formation of the organic light emitting layer. Therefore, the material cost is reduced and the manufacturing efficiency per unit time is improved by not proceeding the organic light emitting layer and the second electrode forming process for the defective substrate. It works.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광층을 형성하기 전의 유기전계 발광소자용 기판의 회로도이며, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광층을 형성하기 전의 유기전계 발광소자용 기판의 하나의 화소영역에 대한 평면도이다. 4 is a circuit diagram of an organic light emitting device substrate before forming an organic light emitting layer according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a substrate for an organic light emitting device before forming an organic light emitting layer according to an embodiment of the present invention Is a plan view of one pixel region.

도시한 바와 같이 본 발명에 따른 유기전계 발광소자용 기판(110)의 하나의 화소영역(P)에는 그 경계에 서로 교차하며 게이트 및 데이터 배선(113, 128)이 구성되고 있으며, 이들 두 배선(113, 128)과 연결되며 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되고 있다. As shown, in one pixel area P of the organic light emitting diode substrate 110 according to the present invention, gates and data wires 113 and 128 intersect at their boundaries, and the two wirings ( And a switching thin film transistor STr is formed.

또한, 상기 화소영역(P)을 관통하며 상기 데이터 배선(128)과 나란하게 상기 데이터 배선(128)이 형성된 동일한 층에 상기 데이터 배선(128)을 이루는 동일한 금속물질로 이루어진 전원배선(130)이 구비되고 있으며, 본 발명의 가장 특징적인 구성으로 상기 게이트 배선(113)과 나란하게 이격하여 화소영역(P)을 관통하며 상기 게이트 배선(113)이 형성된 동일한 층에 상기 게이트 배선(113)을 이루는 동일한 금속물질로 이루어진 공통배선(115)이 형성되고 있다. 또한, 상기 화소영역(P)에는 상기 전원배선(130)과 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 구비되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 연결되며 제 1 전극(160)이 형성되고 있다. 이때, 상기 전원배선(130)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(20)과 연결된 스토리지 전극(163)은 스토리지 커패시터(StgC)를 구성하고 있으며, 또한 상기 공통배선(115)과 상기 제 1 전극(160)은 서로 중첩하며 형성됨으로써 제 1 커패시터(C1)를 이루고 있는 것이 특징이다. In addition, a power supply line 130 made of the same metal material forming the data line 128 is formed on the same layer in which the data line 128 is formed in parallel with the data line 128. The gate wiring 113 is formed on the same layer in which the gate wiring 113 is formed to pass through the pixel region P while being parallel to the gate wiring 113. The common wiring 115 made of the same metal material is formed. In addition, the pixel region P is connected to the power line 130 and the switching thin film transistor STr and includes a driving thin film transistor DTr, and the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr. And a first electrode 160 is formed. In this case, the storage electrode 163 connected to the power line 130 and the gate electrode 20 of the driving thin film transistor DTr constitutes a storage capacitor StgC, and also the common line 115 and the first electrode. The first electrode 160 overlaps each other to form the first capacitor C1.

한편, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자용 기판(110)에 있어서 상기 각 화소영역(P)을 관통하며 상기 제 1 전극(160)과 중첩하여 제 1 커패시터(C1)를 이루는 공통배선(115)은 그 끝단이 상기 다수의 화소영역(P)으로 구성된 표시영역 외측의 비표시영역에 구비된 공통연결배선(170)과 연결되고 있으며, 상기 공통연결배선(170)의 일끝단에는 그라운드 전압 인가를 위한 공통패드전극(175)이 형성되고 있는 것이 특징이다. Meanwhile, in the organic light emitting diode substrate 110 according to the present invention, the common wiring 115 penetrates the pixel areas P and overlaps the first electrode 160 to form the first capacitor C1. Is connected to a common connection line 170 provided at a non-display area outside the display area including the plurality of pixel areas P, and one end of the common connection line 170 is applied with a ground voltage. The common pad electrode 175 is formed.

본 발명에 따른 유기전계 발광 소자용 기판(110)에 있어 하나의 화소영역(P) 내부의 평면구조를 조금 더 상세히 설명한다.In the organic light emitting diode substrate 110 according to the present invention, a planar structure inside one pixel area P will be described in more detail.

상기 게이트 배선(113)에서 분기하여 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 게이트 전극(117)이 형성되고 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 게이트 전극(117) 상에 서로 이격하며 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 소스 및 드레인 전극(132, 134)이 구비되고 있다. 이때 도면에 나타나지 않았지만 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr) 소스 및 드레인 전극(132, 134) 사이의 이격영역에는 반도체층(미도시)이 구비되어 채널영역을 이루고 있다. 또한, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 드레인 전극(134)과 제 1 콘택홀(150)을 통해 접촉하며 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(120)이 구비되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(120) 상에 서로 이격하며 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 및 드레인 전극(136, 138)이 형성되고 있다. 이때 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 소스 및 드레인 전극(136, 138) 사이의 이격영역에는 반도체층(미도시)이 구비되어 채널영역을 이루고 있다.The gate electrode 117 of the switching thin film transistor STr is formed by branching from the gate line 113, and the gate thin film transistor STr is spaced apart from each other on the gate electrode 117 of the switching thin film transistor STr. Source and drain electrodes 132 and 134 are provided. At this time, although not shown in the figure, a semiconductor layer (not shown) is provided in the separation region between the switching thin film transistor STr source and drain electrodes 132 and 134 to form a channel region. In addition, the drain electrode 134 of the switching thin film transistor STr is contacted through the first contact hole 150, and the gate electrode 120 of the driving thin film transistor DTr is provided. Source and drain electrodes 136 and 138 of the driving thin film transistor DTr are formed on the gate electrode 120 of the DTr. In this case, a semiconductor layer (not shown) is provided in the separation region between the driving thin film transistor DTr source and drain electrodes 136 and 138 to form a channel region.

또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 전극(136)은 상기 전원배선(130)과 연결되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(120)은 제 2 콘택홀(152)을 통해 상기 전원배선(130)과 중첩하며 형성된 스토리지 전극(163)과 연결되고 있다. 이때 서로 중첩하는 상기 전원배선(130)과 스토리지 전극(163)은 스토리지 커패시터(StgC)를 이루고 있다. In addition, the source electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is connected to the power line 130, and the gate electrode 120 of the driving thin film transistor DTr is connected to the second contact hole 152. The storage electrode 163 overlaps the power wiring 130 and is formed. In this case, the power line 130 and the storage electrode 163 overlapping each other form a storage capacitor StgC.

또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(138)은 제 3 콘택홀(154)을 통해 제 1 전극과 연결되고 있다. 또한, 각 화소영역(P)에 있어서는 전단 게이트 배선(113)과 이격하며 나란하게 공통배선(115)이 형성되고 있으며, 상기 제 1 전극(160)의 끝단이 상기 공통배선(115)과 중첩하도록 형성됨으로써 제 1 커패시터(C1)를 이루고 있다. In addition, the drain electrode 138 of the driving thin film transistor DTr is connected to the first electrode through the third contact hole 154. In addition, in each pixel area P, the common wiring 115 is formed to be spaced apart from the front gate wiring 113 and parallel to each other, and an end of the first electrode 160 overlaps the common wiring 115. As a result, the first capacitor C1 is formed.

한편, 도 5에 제시된 본 발명의 일실시예에 따른 유기전계 발광소자용 기판(110)의 하나의 화소영역(P)에 대한 평면 구성은 단순히 일례를 보인 것이며, 그 평면구성은 다양하게 변형 될 수 있음은 자명하다. 즉, 도 4에 제시된 하나의 화소영역(P)에 대한 회로도를 만족하도록 구성되는 범위에서 다양하게 변형될 수 있다. 나아가 본 발명의 일 실시예에 있어서는 각 화소영역(P) 내에 하나의 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 하나의 구동 박막트랜지스터(DTr)가 구비됨을 보이고 있지만, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 경우 유기전계 발광소자의 표시품질 향상 및 유기 발광층의 열화를 방지하기 위해 하나 이상 다수개 구비될 수도 있다. 이러한 구성은 유기전계 발광소자를 제조하는 당업자에게는 자명한 사실이며, 이러한 다수의 구동 박막트랜지스터가 구비된 유기전계 발광소자용 기판에 대해서는 제 1 전극과 중첩되도록 공통배선을 형성함으로써 불량 측정이 가능함은 자명하다 할 것이다. Meanwhile, the planar configuration of one pixel region P of the substrate 110 for an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 5 is merely an example, and the planar configuration may be variously modified. It can be obvious. That is, various modifications may be made in the range configured to satisfy the circuit diagram of one pixel region P shown in FIG. 4. Furthermore, in the exemplary embodiment of the present invention, one switching thin film transistor STr and one driving thin film transistor DTr are provided in each pixel region P. However, in the case of the driving thin film transistor DTr, an organic field is used. One or more may be provided to improve display quality of the light emitting device and to prevent degradation of the organic light emitting layer. Such a configuration is obvious to those skilled in the art of manufacturing an organic light emitting diode, and for a substrate for an organic light emitting diode equipped with a plurality of driving thin film transistors, defect measurement can be performed by forming a common wiring so as to overlap the first electrode. It will be self explanatory.

한편, 전술한 구성을 갖는 본 발명의 일실시예에 따른 유기전계 발광소자용 기판(110)은 상기 공통연결배선(170)을 통해 그 끝단이 연결된 모든 공통배선(115)에 대해 상기 공통연결배선(170) 끝단에 구성된 공통패드전극(175)을 통해 특정 전압을 인가함으로써 각 화소영역(P) 내에서 공통배선(115)에 특정 전압이 인가되도록 할 수 있다. 이때, 각 화소영역(P) 내에 공통배선(115)을 통해 인가된 전압을 그라운드 전압으로 이용할 수 있는 것이 특징이다. 따라서, 상기 공통배선(115)에 그라운드 전압을 인가한 상태에서 상기 게이트 배선(113)을 통해 상기 스위칭 박막 트랜지스터(STr)의 문턱전압보다 큰 전압을 인가하여 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 온(on) 상태로 한 후, 데이터 배선(128)을 통해 신호전압을 인가함으로써 최종적으로 상기 제 1 전극(160)에 신호전압이 인가되도록 하면, 상기 공통배선(115)에 인가된 그라운드 전압을 기준으로 하여 상기 제 1 전극(160)에 인가된 신호전압과의 전압차를 측정할 수 있게 된다. On the other hand, the organic light emitting device substrate 110 according to an embodiment of the present invention having the above-described configuration is the common connection wiring for all the common wiring 115, the ends of which are connected through the common connection wiring 170 A specific voltage may be applied to the common line 115 in each pixel region P by applying a specific voltage through the common pad electrode 175 formed at the end of the 170. In this case, the voltage applied through the common wiring 115 in each pixel area P may be used as the ground voltage. Therefore, the ground thin film transistor STr is turned on by applying a voltage greater than the threshold voltage of the switching thin film transistor STr through the gate line 113 while the ground voltage is applied to the common wiring 115. ) And then applying a signal voltage through the data line 128 to finally apply the signal voltage to the first electrode 160, based on the ground voltage applied to the common line 115. The voltage difference with the signal voltage applied to the first electrode 160 can be measured.

따라서, 전술한 구성을 갖는 유기전계 발광 소자용 기판(110)은 유기 발광층과 제 2 전극 형성 전에 각 화소영역(P) 내에 구성된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)의 불량 여부를 판단을 위한 검사를 실시할 수 있다. Accordingly, the organic light emitting diode substrate 110 having the above-described configuration may be used to determine whether the switching and driving thin film transistors STr and DTr configured in each pixel region P are formed before forming the organic light emitting layer and the second electrode. Inspection can be done.

이때, 이러한 불량 검사를 통해 불량이 발생한 화소영역(P)이 발견될 경우, 상기 불량 화소영역(P) 내의 스위칭 또는 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)에 대해 리페어(repair) 실시가 가능한 경우, 리페어를 실시하여 상기 스위칭 또는 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)가 정상 구동하도록 함으로써 불량 화소영역이 없는 유기전계 발광소자용 기판(110)을 이룬 상태에서 유기 발광층 및 제 2 전극을 형성함으로써 유기전계 발광소자의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.In this case, when the defective pixel region P is found through the defect inspection, when the switching or driving thin film transistors STr and DTr in the defective pixel region P can be repaired, the repair is performed. The organic light emitting diode is formed by forming the organic light emitting layer and the second electrode in a state where the switching or driving thin film transistors STr and DTr are normally driven to form the organic light emitting diode substrate 110 having no defective pixel region. It is possible to improve the production yield.

나아가 불량 화소영역 내의 스위칭 또는 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)가 리페어가 불가능할 경우, 불량 판정을 내려 폐기 처분함으로써 유기 발광층 및 제 2 전극 형성을 위한 단위 공정을 진행하지 않도록 하여 재료비를 절감시키며 동시에 단위 공정 진행에 있어 단위 시간당 양품 제조 능률을 향상시킬 수 있다. In addition, when the switching or driving thin film transistors STr and DTr in the defective pixel region cannot be repaired, a defective decision is made and discarded so that the unit process for forming the organic light emitting layer and the second electrode is not carried out, thereby reducing the material cost and at the same time. It is possible to improve the production efficiency of good products per unit time in the process.

한편, 전술한 구성을 갖는 유기전계 발광소자용 기판(110)은 각 화소영역(P)의 불량 검사를 실시한 후, 상기 공통연결배선(170) 끝단의 공통패드전극(175) 부 분 또는 상기 공통연결배선(170)을 도면에 나타낸 절단선(SBL)을 따라 절단하여 제거함으로써 최종 제품화된 상태에서는 상기 각 공통배선(115)은 그 끝단이 연결되지 않고 상기 게이트 배선(113)과 같이 라인별로 분리된 형태를 이루게 되며, 이 경우 상기 공통배선(115)에는 어떠한 전압도 인가되지 않는 상태가 되므로 유기전계 발광소자로서의 동작에는 아무런 영향을 끼치지 않으므로 문제되지 않는다.On the other hand, the organic light emitting device substrate 110 having the above-described configuration performs the defect inspection of each pixel region P, and then, the common pad electrode 175 at the end of the common connection wiring 170 or the common In the final product state by cutting and removing the connection line 170 along the cutting line SBL shown in the drawing, the common wires 115 are separated by line like the gate line 113 without the ends thereof connected. In this case, since no voltage is applied to the common wiring 115, it does not affect the operation as the organic light emitting device.

이후 전술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자용 기판(110)의 각 화소영역(P) 내의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)의 불량 검사 방법에 대해 간단히 설명한다. Hereinafter, the defect inspection method of the switching and driving thin film transistors STr and DTr in each pixel region P of the organic light emitting diode substrate 110 according to the present invention having the above-described configuration will be briefly described.

전술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자용 기판(110)의 경우 발광수단(미도시)과 스테이지(미도시)와 모듈레이터(미도시)와 광학계(미도시)를 구비한 MPS(Mass Product system) 장치(미도시)를 통해서 각 화소영역(P) 내의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)의 불량 유무 검사를 실시할 수도 있고, 또는 오토 프르부와 같이 모든 게이트 및 데이터 배선(113, 128) 일끝단과 접촉하여 순차적으로 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 온(on) 상태로 만든 상태에서 상기 공통패드전극(175)을 통해 그라운드 전압을 인가한 후, 순차적으로 각 데이터 배선(128)에 신호전압을 인가하여 각 화소영역(P) 내의 제 1 전극(160)에 신호전압이 인가되도록 하고, 상기 공통배선(115)에 인가된 그라운드 전압대비 상기 각 화소영역(P) 내의 제 1 전극(160)이 이루는 전압차를 측정하는 어레이 테스트 장치(미도시)를 통해 각 화소영역(P) 내의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)의 불량 유무 검사를 실시할 수도 있다. In the case of the organic light emitting device substrate 110 according to the present invention, the light emitting unit (not shown), the stage (not shown), the modulator (not shown), and the optical system (not shown) are provided. Product system) A device (not shown) may check whether the switching and driving thin film transistors STr and DTr in each pixel region P are defective, or all the gate and data wirings 113 as in the automatic prep part 113. 128) After applying the ground voltage through the common pad electrode 175 in a state in which the switching thin film transistor STr is sequentially turned on in contact with one end, each data line 128 is sequentially The signal voltage is applied to the first electrode 160 in each pixel region P so that the signal voltage is applied to the first electrode 160 in the pixel region P, and the first electrode in each pixel region P is compared with the ground voltage applied to the common wiring 115. To measure the voltage difference Through the test array (not shown) may be performed whether or not the defect inspection of the switching and driving thin film transistor (STr, DTr) within the pixel regions (P).

우선, MPS 장치(미도시)를 이용한 유기전계 발광소자용 기판(110)의 불량검사에 대해 조금 더 상세히 설명한다. 상기 유기전계 발광소자용 기판(110)을 스테이지(미도시) 상에 위치시킨 후, 발광수단(미도시)을 온(on) 상태로 하여 상기 유기전계 발광소자용 기판(110)의 배면을 통해 빛이 상부로 입사되도록 한다. 이후, 상기 유기전계 발광소자용 기판(110) 상에 구비된 공통패드전극(175)을 통해 그라운드 전압을 각 공통배선(115)에 인가한 상태에서 상기 각 게이트 배선(113)에 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 온(on) 상태로 할 수 있는 문턱전압보다 큰 전압을 인가하여 모든 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 온(on) 상태로 만들고, 각 데이터 배선(128)을 통해 신호전압을 인가함으로서 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 구동 박막트랜지스터(DTr)를 통해 최종적으로 제 1 전극(160)에 상기 신호전압이 인가되도록 한다. First, the defect inspection of the substrate 110 for an organic light emitting device using an MPS device (not shown) will be described in more detail. After placing the organic light emitting diode substrate 110 on a stage (not shown), the light emitting means (not shown) is turned on (on) through the rear surface of the organic light emitting diode substrate 110. Allow light to enter the top. Thereafter, the switching thin film transistors are disposed on the gate lines 113 in a state where a ground voltage is applied to each common line 115 through the common pad electrode 175 provided on the organic light emitting diode substrate 110. By applying a voltage greater than the threshold voltage that can turn STr on, all the switching thin film transistors STr are turned on, and a signal voltage is applied through each data line 128. The signal voltage is finally applied to the first electrode 160 through the switching thin film transistor STr and the driving thin film transistor DTr.

이후 상기 제 1 전극(160)에 신호전압이 인가된 상태에서 제 1 및 제 2 기판(미도시)과 이들 두 기판(미도시) 사이에 개재된 액정층(미도시)과 상기 제 2 기판(미도시)과 상기 액정층(미도시) 사이로 전면에 공통전극(미도시)이 구비된 모듈레이터(미도시)를 상기 제 1 기판(미도시)과 상기 유기전계 발광소자용 기판(110)이 마주하도록 위치시킨 후, 상기 공통전극(미도시)에 전압을 인가한 상태에서 상기 모듈레이터(미도시)의 표면을 상기 광학계(미도시)가 스캔하도록 함으로써 각 화소영역(P) 내의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)의 불량 유무를 검사할 수 있다. 정상 구동을 하는 화소영역(P)은 상기 모듈레이터(미도시)의 공통전극(미 도시)과 유기전계 발광소자용 기판(110)의 제 1 전극(160) 사이에 발생된 전계에 의해 액정층(미도시) 내의 액정분자들이 반응하여 상기 발광수단(미도시)으로부터 발광된 빛을 투과시켜 상기 광학계(미도시)로 입사 하도록 함으로써 상기 광학계(미도시)가 빛을 감지하여 이에 대응하는 화소영역(P)이 정상 구동함을 알 수 있으며, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(STr, DTr)에 불량이 발생한 화소영역은 상기 제 1 전극에 신호전압이 인가되지 않음으로 전계 형성이 이루어지지 않음으로써 액정분자들이 반응하지 않는다. 따라서 상기 발광수단(미도시)으로부터 나온 빛은 상기 모듈레이터(미도시)에 의해 차단됨으로써 광학계(미도시)가 빛을 감지하지 못함으로써 불량이 발생하였음을 알 수 있다. 이러한 MPS 장치(미도시)를 이용한 화소영역(P)의 불량 검사 시 본 발명에 따른 유기전계 발광소자용 기판(110)의 경우 공통배선을 통해 그라운드 전압이 인가됨으로써 즉 각 화소영역(P) 내에 기준이 되는 전압이 인가됨으로서 각 화소영역(P)이 이웃한 화소영역(P)에 인가되는 신호전압에 영향을 받지 않게 된다. 따라서 각 화소영역(P)별로 제 1 전극(160)이 이웃한 화소영역(P)에 인가되는 신호전압에 의해 영향을 받지 않고 정확한 신호전압이 인가될 수 있음으로 각 화소영역(P)의 불량유무를 MPS 장치를 통해 정확히 판별할 수 있는 것이 특징이다. Thereafter, the first and second substrates (not shown) and the liquid crystal layer (not shown) interposed between the two substrates (not shown) and the second substrate (with the signal voltage applied to the first electrode 160). The first substrate (not shown) and the substrate 110 for the organic light emitting device face each other with a modulator (not shown) having a common electrode (not shown) disposed between the liquid crystal layer and the liquid crystal layer (not shown). And the optical system (not shown) scans the surface of the modulator (not shown) while a voltage is applied to the common electrode (not shown), thereby switching and driving thin film transistors in each pixel region P. (STr, DTr) can be inspected for defects. The pixel region P, which is normally driven, is formed of a liquid crystal layer by an electric field generated between a common electrode (not shown) of the modulator (not shown) and the first electrode 160 of the substrate 110 for an organic light emitting diode. The liquid crystal molecules in the reaction react with each other to transmit the light emitted from the light emitting means (not shown) and enter the optical system (not shown) so that the optical system (not shown) detects light and corresponds to the pixel region (not shown). It can be seen that P) is normally driven. In the pixel region in which defects occur in the switching and driving thin film transistors STr and DTr, the liquid crystal molecules are not formed because the signal voltage is not applied to the first electrode. Does not react Therefore, the light emitted from the light emitting means (not shown) is blocked by the modulator (not shown), so that the optical system (not shown) may not recognize the light, indicating that a defect has occurred. In the defective inspection of the pixel region P using the MPS device (not shown), in the case of the organic light emitting diode substrate 110 according to the present invention, a ground voltage is applied through a common wiring, that is, within each pixel region P. As a reference voltage is applied, each pixel region P is not affected by the signal voltage applied to the adjacent pixel region P. FIG. Therefore, since the first signal 160 is applied to each pixel area P without being affected by the signal voltage applied to the adjacent pixel area P, the correct signal voltage can be applied. It is characteristic that the presence or absence can be accurately determined through the MPS device.

한편, 어레이 테스트 장치(미도시)를 통한 유기전계 발광소자용 기판(110)의 불량검사는 공통배선(115)에 대해 그라운드 전압을 인가한 상태에서 제 1 게이트 배선에 문턱전압보다 큰 전압이 인가되면 상기 제 1 게이트 배선과 연결된 화소영역(P) 내의 모든 스위칭 박막트랜지스터(STr)는 온(on) 상태가 되고, 이때 각 데이 터 배선(128)을 통해 동일한 크기의 신호전압을 제 1 데이터 배선부터 제 n 데이터 배선을 통해 순차적으로 인가하면 연속된 특정 크기를 갖는 연속된 파형 형태로 출력된다. 이후 전술한 과정을 제 2 내지 제 n 게이트 배선에 대해 실시함으로써 검사를 완료할 수 있다. 일례로 제 10 게이트 배선과 제 30 데이터 배선과 연결된 화소영역(P)에 불량이 발생된 경우, 제 10 게이트 배선에 문턱전압 이상의 전압을 인가한 상태에서 제 1 내지 제 n 데이터 배선에 순차적으로 신호전압을 인가하게 되면, 다른 모든 화소영역(P)에 대한 신호전압 파형은 동일한 크기를 가지며 출력되지만 상기 제 30 데이터 배선과 연결된 화소영역(P)에 대한 신호전압 파형은 정상 구동하는 화소영역(P)의 파형과 상이한 파형을 가지며 출력되던가 아니면 공통배선(115)을 통해 인가된 그라운드 전압이 출력되게 됨으로서 불량이 발생되었음을 알 수 있다. 이러한 어레이 테스터 장치(미도시)를 이용한 화소영역(P)의 불량 검사는 공통배선(115)을 통해 각 화소영역(P)에 그라운드 전압이 인가되었기에 측정이 가능한 것이며, 그라운드 전압이 인가되지 않을 경우 유기전계 발광소자용 기판(110)내에 기준이 되는 전압이 없으므로 신호 전압 파형 특정에 의한 검사는 불가능하다. On the other hand, in the defect inspection of the substrate 110 for an organic light emitting device through an array test apparatus (not shown), a voltage greater than a threshold voltage is applied to the first gate wiring while the ground voltage is applied to the common wiring 115. In this case, all of the switching thin film transistors STr in the pixel region P connected to the first gate line are turned on. In this case, signal voltages having the same magnitude are applied to the first data line through each data line 128. When sequentially applied through the n-th data line is output in the form of a continuous waveform having a specific continuous size. Thereafter, the above-described process may be performed on the second to n-th gate lines to complete the inspection. For example, when a defect occurs in the pixel region P connected to the tenth gate line and the thirtieth data line, the signal is sequentially applied to the first to nth data lines while a voltage equal to or greater than a threshold voltage is applied to the tenth gate line. When the voltage is applied, the signal voltage waveforms for all the other pixel regions P have the same magnitude and output, but the signal voltage waveforms for the pixel region P connected to the thirtieth data line are normally driven. It can be seen that a defect has occurred by outputting a waveform different from the waveform of) or by applying the ground voltage applied through the common wiring 115. The defect inspection of the pixel region P using the array tester device (not shown) is possible because the ground voltage is applied to each pixel region P through the common wiring 115, and when the ground voltage is not applied. Since there is no reference voltage in the organic light emitting element substrate 110, inspection by signal voltage waveform specification is impossible.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 한 화소에 대한 회로도.1 is a circuit diagram of one pixel of a typical active matrix organic electroluminescent device.

도 2는 종래의 유기전계 발광소자에 있어 유기 발광층을 형성하기 전의 유기전계 발광소자용 기판의 회로도.2 is a circuit diagram of a substrate for an organic light emitting device before forming an organic light emitting layer in a conventional organic light emitting device.

도 3은 종래의 유기전계 발광소자용 기판의 하나의 화소영역에 대한 평면도.3 is a plan view of one pixel area of a substrate for a conventional organic light emitting device.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광층을 형성하기 전의 유기전계 발광소자용 기판의 회로도.4 is a circuit diagram of a substrate for an organic light emitting device before forming an organic light emitting layer according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광층을 형성하기 전의 유기전계 발광소자용 기판의 하나의 화소영역에 대한 평면도.FIG. 5 is a plan view of one pixel area of a substrate for an organic light emitting diode before forming an organic light emitting layer according to an embodiment of the present invention; FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of the drawings>

110 : 유기전계 발광소자용 기판 113 : 게이트 배선110 substrate for organic light emitting device 113 gate wiring

115 : 공통배선 128 : 데이터 배선115: common wiring 128: data wiring

130 : 전원배선 170 : 공통연결배선130: power supply wiring 170: common connection wiring

175 : 공통연결배선 패드전극 C1 : 제 1 커패시터175: common connection pad electrode C1: first capacitor

DTr : 구동 박막트랜지스터 P : 화소영역 DTr: driving thin film transistor P: pixel area

SBL : 절단선 StgC : 스토리지 커패시터SBL: Cutting Line StgC: Storage Capacitor

STr : 스위칭 박막트랜지스터 STr: Switching Thin Film Transistor

Claims (6)

스위칭 및 구동 박막트랜지스터와, 스토리지 커패시터와, 유기 발광층을 포함하는 유기전계 발광 다이오드와, 상기 유기전계 발광소자의 인캡슐레이션을 위한 보호커버가 구비된 유기전계 발광소자를 제조하기 위한 유기전계 발광 소자용 기판에 있어서,An organic light emitting device for manufacturing an organic light emitting device comprising a switching and driving thin film transistor, a storage capacitor, an organic light emitting diode including an organic light emitting layer, and a protective cover for encapsulation of the organic light emitting device. In the substrate for 서로 교차하여 화소영역을 정의(定義)하며 형성된 게이트 및 데이터 배선과;A gate and data line formed to define a pixel region crossing each other; 상기 화소영역을 관통하며 상기 데이터 배선과 나란하게 이격하며 형성된 전원배선과;A power supply line penetrating the pixel area and spaced apart from the data line; 상기 화소영역을 관통하며 상기 게이트 배선과 나란하게 이격하며 형성된 공통배선과;A common wiring formed through the pixel region and spaced apart from the gate wiring; 상기 공통배선 일끝단을 연결하며 형성된 공통연결배선과;A common connection wiring formed by connecting one end of the common wiring; 외부로부터 그라운드 전압을 인가할 수 있도록 상기 공통연결배선 일끝단에 형성된 공통연결배선 패드전극과;A common connection wiring pad electrode formed at one end of the common connection wiring so as to apply a ground voltage from the outside; 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 스위칭 박막트랜지스터와;A switching thin film transistor connected to the gate and the data line; 상기 스위칭 박막트랜지스터와 상기 전원배선과 연결되며 형성된 구동 박막트랜지스터와;A driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor and the power wiring; 상기 전원배선과 중첩하여 형성됨으로써 상기 전원배선과 더불어 스토리지 커패시터를 이루는 스토리지 전극과;A storage electrode formed to overlap the power wiring to form a storage capacitor together with the power wiring; 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며, 상기 공통배선과 중첩 하여 커패시터를 형성하는 제 1 전극A first electrode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor and overlapping the common wiring to form a capacitor 을 포함하는 유기전계 발광 소자용 기판.An organic electroluminescent device substrate comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공통배선과 상기 게이트 배선은 동일한 층에 동일한 금속물질로 이루어진 것이 특징인 유기전계 발광 소자용 기판.The common wiring and the gate wiring are organic light emitting device substrate, characterized in that made of the same metal material on the same layer. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 전원배선과 상기 데이터 배선은 동일한 층에 동일한 금속물질로 이루어진 것이 특징인 유기전계 발광 소자용 기판.And the power wiring and the data wiring are made of the same metal material on the same layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극은 제 1 콘택홀을 통해 서로 접촉하며, The drain electrode of the switching thin film transistor and the gate electrode of the driving thin film transistor contact each other through a first contact hole, 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극과 상기 스토리지 전극은 제 2 콘택홀을 통해 서로 접촉하며,The gate electrode and the storage electrode of the driving thin film transistor contact each other through a second contact hole, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 제 1 전극은 제 3 콘택홀을 통해 서로 접촉하는 것이 특징인 유기전계 발광 소자용 기판.And a drain electrode and the first electrode of the driving thin film transistor are in contact with each other through a third contact hole. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전원배선과 상기 구동 박막트랜지스터의 소스 전극은 서로 전기적으로 연결된 것이 특징인 유기전계 발광 소자용 기판.And the source electrode of the power line and the driving thin film transistor are electrically connected to each other. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 각 화소영역에는 상기 구동 박막트랜지스터가 서로 연결되며 다수개 형성되는 것이 특징인 유기전계 발광 소자용 기판.And a plurality of driving thin film transistors connected to each other in the pixel region.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3760411B2 (en) * 2003-05-21 2006-03-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション Active matrix panel inspection apparatus, inspection method, and active matrix OLED panel manufacturing method
JP2006029893A (en) * 2004-07-14 2006-02-02 Agilent Technol Inc Manufacturing system for display panel, manufacturing method used therefor, and inspection device therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130110987A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device and fabricating method of the same
US8730422B2 (en) 2012-05-23 2014-05-20 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display

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