KR20110001794A - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

태양전지 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성된 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 형성되고 평탄한 표면조도를 가지는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 균일한 두께로 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함하는 것으로, 상기 광 흡수층이 낮은 표면 조도를 가지므로 상기 버퍼층과의 밀착력을 확보할 수 있다.
태양전지, CIGS

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리기판, 금속 이면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
이러한 태양전지의 각층에서 평탄도 및 이에 따른 밀착력을 향상시키기 위한 연구가 진행 중이다.
실시예는 CIGS층의 표면 조도(surface roughness)를 개선할 수 있는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성된 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 형성되고 평탄한 표면 조도(surface roughness)를 가지는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 균일한 두께로 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 제1 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 제1 광 흡수층에 대한 표면처리 공정을 진행하여 표면의 거칠기를 제거하고, 평탄한 표면 조도(surface roughness)는 가지는 제2 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 제2 광 흡수층 상에 균일한 두께의 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지는, CIGS 광 흡수층의 표면조도(surface roughness)가 평탄할 수 있다.
즉, CIGS 광 흡수층의 모폴로지(Morphology)를 개선할 수 있다.
이에 따라, 상기 광 흡수층 상에 형성되는 버퍼층의 스텝 커버리지가 개선되 고, 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
특히, 상기 버퍼층이 균일한 두께로 형성됨으로써, 상기 광 흡수층과 윈도우층이 직접 컨택되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층이 균일한 두께를 가짐으로써 상기 버퍼층의 두께가 감소되고, 태양전지의 소형화에 근접할 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1을 참조하여, 기판(100) 상에 후면전극층(200)이 형성된다.
상기 기판(100)은 유리(glass)가 사용될 수 있으며, 세라믹 기판, 금속기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.
예를 들어, 유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime glass) 또는 고변형점 소다유리(high strained point soda glass)를 사용할 수 있다. 금속 기판으로는 스테인레스 스틸 또는 티타늄을 포함하는 기판을 사용할 수 있다 폴리머 기판으로는 폴리이미드(polyimide)를 사용할 수 있다.
상기 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible) 할 수 있다.
상기 후면전극층(201)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 후면전극층(201)은 몰리브덴(Mo)을 타겟으로 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.
상기 후면전극층(201)인 몰리브덴(Mo) 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야하고, 열팽창 계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록 기판(100)에의 점착성이 뛰어나야 한다.
한편, 상기 후면전극층(201)을 형성하는 물질은 이에 한정되지 않고, 나트륨(Na) 이온이 도핑된 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수도 있다.
도면에 도시되지는 않았지만, 상기 후면전극층(201)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 상기 후면전극층(201)이 복수개의 층으로 형성될 때, 상기 후면전극층(201)을 이루는 층들은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
도 2를 참조하여, 상기 후면전극층(201)에 제1 관통홀(250)이 형성되고, 다수개의 후면전극(200)이 패터닝 된다.
상기 제1 관통홀(250)은 상기 기판(100)의 상면을 선택적으로 노출시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 관통홀(250)은 기계적 장치 또는 레이저 장치에 의하여 패터닝 될 수 있다.
상기 제1 관통홀(250)에 의하여 상기 후면전극(200)은 스트라이프(stripe) 형태 또는 매트릭스(matrix) 형태로 배치될 수 있으며, 각각의 셀에 대응할 수 있다.
한편, 상기 후면전극(200)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하여, 상기 후면전극(200) 및 제1 관통홀(250) 상에 제1 광 흡수층(301)이 형성된다.
상기 제1 광 흡수층(301)은 Ⅰb-Ⅲb-Ⅵb계 화합물을 포함한다.
더 자세하게, 상기 제1 광 흡수층(301)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다.
이와는 다르게, 상기 제1 광 흡수층(301)은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 광 흡수층(301)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극층(201) 상에 CIG계 금속 프리커서(precursor)막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 제1 광 흡수층(301)이 형성된다.
또한, 상기 제1 광 흡수층(301)은 구리,인듐,갈륨,셀레나이드(Cu, In, Ga, Se)를 동시증착법(co-evaporation)에 의해 형성할 수도 있다.
도 4a는 상기 제1 광 흡수층의 단면도를 나타내는 것이고, 도 4b는 상기 제1 광 흡수층의 표면을 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 광 흡수층(301)은 결정성을 가지고 있으므로 불균일한 표면(350)을 가질 수 있다.
이러한 상기 제1 광 흡수층(301)의 표면조도는 가장 높은 산(Rp)과 골(Rv)로 구분될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 광 흡수층(301)의 표면조도는 0.1~0.3㎛일 수 있다.
이러한 표면조도가 높을 수록 최저점과 최고점의 높이차(H)가 커지며, 이는 표면의 요철이 심하다는 것을 의미한다.
상기 제1 광 흡수층(301)에 표면 거칠기가 발생되면 이후 형성되는 막들의 증착시 스텝 커버리지(step coverage)가 저하되고, 이는 태양전지의 효율을 저하시킬 수 있다.
즉, 상기 제1 광 흡수층(301) 상에 형성되는 버퍼층의 증착이 균일하게 이루어지지 않게 되므로, 이후 상기 제1 광 흡수층(301)과 전면전극층이 직접 컨택되어 효율이 저하될 수 있다.
따라서 상기 제1 광 흡수층(301)의 표면 거칠기에 대한 개선이 요구된다.
도 5를 참조하여, 상기 제1 광 흡수층(301)에 대한 평탄화 공정을 진행하고, 제2 광 흡수층(302)이 형성된다.
즉, 상기 제1 광 흡수층(301)의 거친 상부 표면(350)을 제거하고, 균일한 표면(310)을 가지는 제2 광 흡수층(302)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 광 흡수층(302)의 표면조도는 0~0.05㎛일 수 있다.
즉, 상기 제1 광 흡수층(301)에 대한 표면가공을 통하여 평탄한 표면(310)을 가지는 제2 광 흡수층(302)을 가질 수 있다.
상기 제2 광 흡수층의 평탄화 공정은 화학기계적연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing) 방법, 건식 식각 방법 및 습식 식각 방법 중 어느 하나의 방법을 사용하여 진행될 수 있다.
예를 들어, 상기 CMP 공정은 연마 패드(Polishing pad)와 슬러리(Slurry)를 사용하여 상기 제1 광 흡수층(301)의 표면을 연마할 수 있다.
즉, 회전하는 연마패드 상에 회전운동과 수평 요동운동을 동시에 행하는 캐리어 헤드(carrier head) 하면에 부착된 기판을 접촉시키면 헤드의 자체하중 및 인가되는 가압력에 의해 상기 제1 광 흡수층(301)에 대한 기계적인 연마가 이루어질 수 있다.
또한, 이와 동시에 연마패드 상에 연마액인 슬러리가 공급되고, 슬러리가 상기 제1 광 흡수층과 연마패드 사이의 틈, 즉 연마패드의 기공 내로 유입되어 화학 반응을 일으킴으로써 상기 제1 광 흡수층(301)의 표면을 화학적으로 연마시킬 수 있다.
이에 따라, 평탄한 표면(310)을 가지는 제2 광 흡수층(302)을 형성할 수 있다.
상기 건식식각 공정은 플라즈마 처리(Plasma cleaning) 또는 스퍼터 처리(Sputter cleaning) 일 수 있다.
예를 들어, 플라즈마 처리는 진공 챔버 내부에 아르곤 가스를 사용하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이러한 플라즈마 소스에서 발생된 이온이 상기 제1 광 흡수층(301)의 거친 표면(350)과 충돌하여 제거하고, 상기 제2 광 흡수층(302)을 형성할 수 있다.
상기 스퍼터 처리는 아르론과 같은 이온들 이용하고 낮은 에너지 스퍼터링에 의하여 상기 제1 광 흡수층(301)의 거친 표면(350)을 제거하고, 상기 제2 광 흡수층(302)를 형성할 수 있다.
상기 습식식각 공정은 브롬(Br) 및 메탄올을 포함하는 케미컬을 사용하여, 상기 제1 광 흡수층(301)의 거친 표면 선택적으로 제거하고, 상기 제2 광 흡수층(302)을 형성할 수 있다.
상기의 평탄화 공정을 이용하여 표면조도가 균일한 제2 광 흡수층(302)을 형성할 수 있다.
상기 제2 광 흡수층(302) 상부 표면(310) 모폴러지(Morphology)가 개선됨으로써, 후공정인 버퍼층이 균일하게 증착될 수 있다.
상기 제2 광 흡수층(302)은 외부의 광을 입사받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 제2 광 흡수층(302)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.
도 6을 참조하여, 상기 제2 광 흡수층(302) 상에 버퍼층(401)이 형성된다.
상기 버퍼층(401)은 상기 제2 광 흡수층(301) 상에 적어도 하나 이상의 층으 로 형성될 수 있으며, CBD 공정에 의하여 과립 방식으로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(401)은 n형 반도체 층이고, 상기 제2 광 흡수층(302)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 제2 광 흡수층(302) 및 버퍼층(401)은 pn접합을 형성한다.
예를 들어, 상기 버퍼층(401)은 황화 카드뮴(CdS)이 적층되고, 50±10nm의 두께로 형성될 수 있다.
상기 제2 광 흡수층(302)의 표면조도가 작게 형성되어 있으므로, 상기 버퍼층(401)도 평탄한 표면을 가지도록 형성될 수 있다.
즉, 상기 제2 광 흡수층(302)의 표면을 따라 형성되는 상기 버퍼층(401)의 스텝 커버리지가 개선되고, 작은 두께로 형성될 수 있다.
상기 제2 광 흡수층(302)이 평탄한 표면(310)을 가지므로, 상기 버퍼층(401)이 작은 두께로 형성되어도, 상기 제2 광 흡수층(302)과 전면전극의 직접 컨택을 차단할 수 있다.
이에 따라, 상기 버퍼층(401)과 제2 광 흡수층(302)의 면저항이 감소되고, 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 버퍼층(401) 상에 고저항 버퍼층(501)이 형성될 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(501)은 투명전극층으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 고저항 버퍼층(501)은 ITO, ZnO 및 i-ZnO 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(501)은 산화 아연(ZnO)를 타겟으로 한 스퍼터링 공정을 진행하여, 산화 아연층으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 고저항 버퍼층(501)은 50±10nm의 두께로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(401) 및 고저항 버퍼층(501)은 상기 제2 광 흡수층(301)과 이후 형성된 전면전극의 사이에 배치된다.
즉, 상기 제2 광 흡수층(301)과 전면전극은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드 갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(401) 및 고저항 버퍼층을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.
본 실시예에서는 두 개의 버퍼층(401)을 상기 광 흡수층(301) 상에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 버퍼층(401)은 한개의 층으로만 형성될 수 있다.
도 7을 참조하여, 상기 고저항 버퍼층(501), 버퍼층(401) 및 제2 광 흡수층(302)을 관통하는 제2 관통홀(550)이 형성된다. 상기 제2 관통홀(550)은 상기 후면전극(200)을 선택적으로 노출시킬 수 있다.
상기 제2 관통홀(550)에 의하여 상기 제2 광 흡수층(302), 버퍼층(401) 및 고저항 버퍼층(501)이 단위셀 별로 패터닝되고, 광 흡수 패턴(300), 버퍼패턴(400) 및 고저항 버퍼패턴(500)이 형성된다.
상기 제2 관통홀(550)은 팁(Tip)과 같은 기계적 장치 또는 레이저 장치에 의하여 형성될 수 있다.
상기 제2 관통홀(550)은 상기 제1 관통홀(250)에 인접하여 형성될 수 있다.
도 8을 참조하여, 상기 고저항 버퍼층(501) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면전극층(601)이 형성된다.
상기 전면전극층(601)이 형성될 때, 상기 투명한 도전물질이 상기 제2 관통홀(550)에도 삽입되어 접속배선(700)을 형성할 수 있다.
상기 전면전극층(700)은 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미늄(Al) 또는 알루미나(Al2O3)로 도핑된 산화 아연으로 형성된다.
상기 전면전극층(601)은 상기 광 흡수 패턴(300)과 pn접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 산화 아연(ZnO)으로 형성된다.
따라서, 상기 산화 아연에 알루미늄 또는 알루미나를 도핑함으로써 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.
상기 전면전극층(601)인 산화 아연 박막은 RF 스퍼터링방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 그리고 유기금속화학증착법 등으로 형성될 수 있다.
또한, 전기광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium Thin Oxide) 박막을 산화 아연 박막 상에 층착한 2중 구조를 형성할 수도 있다.
도 7을 참조하여, 전면전극층(501), 고저항 버퍼 패턴(400), 버퍼 패턴(300) 및 광 흡수 패턴(200)을 관통하는 분리패턴(650)이 형성된다.
상기 분리패턴(650)은 상기 후면전극(200)을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 상기 분리패턴(650)은 제2 상기 관통홀(550)과 인접하도록 형성될 수 있다.
상기 분리패턴(650)은 레이저(laser)를 조사(irradiate)하거나, 팁(Tip)과 같은 물리적인(mechanical) 방법으로 형성할 수 있다.
따라서, 상기 분리패턴(650)에 의하여 전면전극(600)이 단위셀 별로 분리될 수 있다.
상기 분리패턴(650)에 의해 상기 광 흡수 패턴(200), 버퍼패턴들(300,400) 및 전면전극(600)은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
상기 분리패턴(650)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
이때, 상기 접속배선(700)에 의해 각각의 셀은 서로 연결될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지의 제조공정을 나타내는 단면도이다.

Claims (6)

  1. 기판 상에 형성된 후면전극층;
    상기 후면전극층 상에 형성되고 평탄한 표면 조도(surface roughness)를 가지는 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 균일한 두께로 형성된 버퍼층; 및
    상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함하는 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광 흡수층의 표면 조도는 0.01~0.05㎛ 것을 포함하는 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 버퍼층은 50~100nm의 두께를 가지는 태양전지.
  4. 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
    상기 후면전극층 상에 제1 광 흡수층을 형성하는 단계;
    상기 제1 광 흡수층에 대한 표면처리 공정을 진행하여 표면의 거칠기를 제거하고, 평탄한 표면 조도(surface roughness)는 가지는 제2 광 흡수층을 형성하는 단계;
    상기 제2 광 흡수층 상에 균일한 두께의 버퍼층을 형성하는 단계; 및
    상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 광 흡수층에 대한 표면처리 공정은 CMP 공정, 건식식각 공정 및 습식식각 공정 중 어느 하나를 사용하는 태양전지의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 광 흡수층의 표면조도는 제1 거칠기를 가지고, 상기 제2 광 흡수층의 표면조도는 제1 거칠기보다 낮은 제2 거칠기를 가지는 태양전지의 제조방법.
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CN108735861A (zh) * 2018-06-04 2018-11-02 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种太阳能电池片及其制备方法、制备设备和太阳能电池

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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