KR20110001176A - Manufacturing method for organic light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 스크라이빙 공정 시 기판이 파손되는 것을 방지하여, 제품의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device, and more particularly, to a method of manufacturing an organic light emitting display device, which prevents a substrate from being broken during a scribing process, thereby improving product reliability and productivity. .
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.Recently, the importance of flat panel displays (FPDs) has increased with the development of multimedia. In response to this, a variety of liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), field emission displays (FEDs), organic light emitting devices (Organic Light Emitting Devices), etc. Flat panel displays have been put into practical use.
특히, 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기 존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.In particular, the organic light emitting device has a high response time with a response speed of 1 ms or less, low power consumption, and self-luminous light. In addition, there is no problem in viewing angle, which is advantageous as a moving image display medium regardless of the size of the device. In addition, low-temperature manufacturing is possible, and the manufacturing process is simple based on the existing semiconductor process technology has attracted attention as a next-generation flat panel display device in the future.
일반적으로, 유기전계발광소자는 제 1 기판 상에 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 복수의 발광 다이오드를 형성한 후, 제 2 기판과 기판을 접착제로 밀봉하여 제조한 후, 이를 스크라이빙하여 최종 제품을 생산한다. 그러나, 상기 스크라이빙 공정 시, 유기전계발광소자의 제 2 기판이 파손되는 문제점이 있다.In general, an organic light emitting display device is formed by forming a plurality of light emitting diodes including a first electrode, an organic layer, and a second electrode on a first substrate, sealing the second substrate and the substrate with an adhesive, and then manufacturing the same. Scribing produces the final product. However, in the scribing process, there is a problem in that the second substrate of the organic light emitting display device is damaged.
본 발명은 유기전계발광소자의 스크라이빙 공정 시 기판이 파손되는 것을 방지하여 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.The present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting device that can improve the reliability and productivity by preventing the substrate from being damaged during the scribing process of the organic light emitting device.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 제 1 기판 상에 복수의 유기발광 다이오드를 형성하는 단계, 상기 제 1 기판을 제 2 기판과 합착하는 단계, 상기 제 2 기판의 더미부에 보호제를 도포하는 단계 및 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 식각하여 두께를 저감시키는 단계를 포함할 수 있다.According to one or more exemplary embodiments, a method of manufacturing an organic light emitting display device includes: forming a plurality of organic light emitting diodes on a first substrate, bonding the first substrate to a second substrate, and a pile of the second substrate. It may include applying a protective agent to the portion and reducing the thickness by etching the first substrate and the second substrate.
상기 제 2 기판의 더미부는 상기 제 1 기판의 최외곽보다 밖으로 더 돌출된 부분일 수 있다.The dummy portion of the second substrate may be a portion protruding outward from the outermost portion of the first substrate.
상기 보호제는 아크릴계 수지일 수 있다.The protective agent may be an acrylic resin.
상기 아크릴계 수지는 우레탄아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메타크릴레이트, 부틸아크릴레이트 및 시아노아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.The acrylic resin may be any one selected from the group consisting of urethane acrylate, methyl methacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, methacrylate, butyl acrylate and cyano acrylate.
상기 보호제는 0.1 내지 3mm의 두께로 도포할 수 있다.The protective agent may be applied in a thickness of 0.1 to 3mm.
상기 제 2 기판의 더미부에 보호제를 도포하는 단계 이후에, 상기 보호제를 자연경화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.After applying the protective agent to the dummy portion of the second substrate, the protective agent may further comprise the step of natural curing.
상기 자연경화는 1초 내지 1분 동안 수행할 수 있다.The natural hardening may be performed for 1 second to 1 minute.
상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 식각하는 단계는, 합착된 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 불산(HF) 용액에 침지시켜 식각할 수 있다.The etching of the first substrate and the second substrate may be performed by etching the bonded first substrate and the second substrate in a hydrofluoric acid (HF) solution.
상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 식각하는 단계는 1분 내지 30분 동안 수행할 수 있다.The etching of the first substrate and the second substrate may be performed for 1 to 30 minutes.
상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 식각하여 두께를 저감시키는 단계 이후에, 합착된 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 복수의 유기전계발광소자를 포함하는 스틱 단위로 스크라이빙 하는 단계, 상기 스틱 단위의 복수의 유기전계발광소자의 점등 검사를 수행하는 단계 및 상기 스틱 단위의 복수의 유기전계발광소자를 각각의 개별 유기전계발광소자로 스크라이빙하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the etching of the first substrate and the second substrate to reduce the thickness, scribing the bonded first substrate and the second substrate by a stick unit including a plurality of organic light emitting diodes; The method may further include performing lighting inspection of the plurality of organic light emitting diodes in units of sticks, and scribing the plurality of organic light emitting diodes in units of sticks to respective individual organic light emitting diodes.
본 발명의 유기전계발광소자는 스크라이빙 공정 시 기판이 파손되는 것을 방지하여, 제품의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The organic electroluminescent device of the present invention has an advantage of preventing damage to the substrate during the scribing process, thereby improving the reliability and productivity of the product.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 나타낸 공정별 흐름도이고, 도 2a 내지 도 2e는 도 1의 흐름도에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 나타낸 공정별 도면이다. 하기에서는 도 1의 흐름도와 도 2a 내지 도 2e의 각 공정별 도면을 같이 참조하여 설명하기로 한다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 2A to 2E are diagrams illustrating a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the flowchart of FIG. 1. . Hereinafter, the flowchart of FIG. 1 and the drawings of respective processes of FIGS. 2A to 2E will be described together.
도 2a를 참조하면, 제 1 기판(110) 상에 유기발광 다이오드(120)를 형성한다.(S10)Referring to FIG. 2A, an organic
보다 자세하게는, 유리, 플라스틱 또는 도전성 물질로 이루어진 투명한 기판(110) 상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나를 스퍼터링법(Sputtering), 증발법(Evaporation), 기상증착법(Vapor Phase Deposition) 또는 전자빔증착법(Electron Beam Deposition)으로 증착하여 제 1 전극(121)을 형성한다.In more detail, any one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or zinc oxide (ZnO) is sputtered or evaporated on a
이 때, 제 1 전극(121)은 애노드일 수 있으며, 투명한 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제 1 전극(121)이 투명한 전극인 경우에 제 1 전극(121)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나로 형성할 수 있다. 또한, 제 1 전극(121)이 반사 전극일 경우에 제 1 전극(121)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 상기 반사층을 포함할 수 있다.In this case, the
본 실시 예에서는 패시브 매트릭스 유기전계발광소자를 예로 설명하여, 박막 트랜지스터를 개시하지 않았지만, 이에 한정되지 않으며, 액티브 매트릭스 유기전계발광소자에도 적용할 수 있다. 즉, 제 1 기판(110)에 반도체층, 게이트 전극, 소 오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.In the present exemplary embodiment, the passive matrix organic light emitting diode is described as an example, but the thin film transistor is not disclosed, but the present invention is not limited thereto. That is, the
이어, 상기 제 1 전극(121) 상에 적색, 녹색 또는 청색을 발광하는 물질을 증착하여 적어도 발광층을 포함하는 유기막층(122)을 형성한다. 또한, 발광층의 상부 또는 하부에 정공주입층, 정공수송층, 전자주송층 또는 전자주입층을 더 형성할 수도 있다.Subsequently, a material emitting red, green, or blue light is deposited on the
이 때, 정공주입층은 제 1 전극(121)으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있고, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. In this case, the hole injection layer may play a role of smoothly injecting holes from the
또한, 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하고, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.In addition, the hole transport layer serves to facilitate the transport of holes, NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine) It may be formed as above, but is not limited thereto.
또한, 발광층은 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. 발광층이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1- phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 형성할 수 있으며, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 형성할 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 형성할 수 있고, 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.In addition, the emission layer may be formed of a material emitting red, green, and blue, and may be formed using a phosphorescent or fluorescent material. When the light emitting layer is red, CBP (carbazole biphenyl) or mCP (including host material containing 1,3-bis (carbazol-9-yl), PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) formed of a phosphor containing a dopant including any one or more selected from the group consisting of Alternatively, the present invention may be formed of a fluorescent material including PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or perylene, but is not limited thereto. When the light emitting layer is green, it includes a host material including CBP or mCP. , Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium) may be formed of a phosphor including a dopant material, and alternatively, a fluorescent material including Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum) But may not be limited thereto. If the blue, it includes a host material including CBP or mCP, and can be formed of a phosphorescence material including a dopant material including (4,6-F 2 ppy) 2 Irpic, alternatively, spiro-DPVBi, It may be formed of a fluorescent material including any one selected from the group consisting of spiro-6P, distilbenzene (DSB), distriarylene (DSA), PFO-based polymer and PPV-based polymer, but is not limited thereto.
또한, 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하고, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. In addition, the electron transport layer serves to facilitate the transport of electrons, and may be formed of any one or more selected from the group consisting of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, and SAlq. However, the present invention is not limited thereto.
또한, 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하고, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq로 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.In addition, the electron injection layer serves to facilitate the injection of electrons, but may be formed of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq, but is not limited thereto.
전술한, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층은 증발법, 스핀코팅법 또는 공증착법으로 형성할 수 있다.As described above, the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer and the electron injection layer may be formed by an evaporation method, a spin coating method or a co-deposition method.
이어, 상기 유기막층(122) 상에 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금을 증착하여 제 2 전극(123)을 형성한다. 이때, 제 2 전극(123)은 유기전계발광소자가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광소자가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다.Subsequently, the
전술한 바와 같이, 제 1 전극(121), 유기막층(122) 및 제 2 전극(123)을 포함하는 유기발광 다이오드(120)를 형성할 수 있으며, 도면에는 도시되지 않았지만, 유기발광 다이오드를 구동하는 구동부도 형성될 수 있다.As described above, the organic
다음, 제 1 기판(110)과 제 2 기판을 합착한다.(S20) Next, the
보다 자세하게는, 투명한 유리 기판으로 이루어진 제 2 기판(130) 상에 실런트 또는 프릿(frit)과 같은 접착제(140)를 도포한 후, 복수의 유기발광 다이오드(120)가 형성된 제 1 기판(110)과 제 2 기판(130)을 얼라인하여 합착한다.More specifically, after applying an adhesive 140 such as a sealant or a frit on a
다음, 합착된 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(130)의 접착제(140)를 경화한다.(S30) Next, the adhesive 140 of the bonded
이 때, 도포된 접착제(140)가 실런트일 경우에는 UV를 조사하여 경화하고, 접착제(140)가 프릿일 경우에는 레이저 경화할 수 있다.In this case, when the coated
다음, 도 2b 및 도 2b의 평면도인 도 2c를 참조하면, 제 2 기판(130)의 더미부(135)에 보호제(150)를 도포한다.(S40)Next, referring to FIG. 2C, which is a plan view of FIGS. 2B and 2B, a
보다 자세하게는, 제 1 기판(110)과 제 2 기판(130)에는 발광영역(170)을 포함하는 복수의 패널들이 위치한다.In more detail, a plurality of panels including the
여기서, 제 2 기판(130)은 공정 마진 상 유기발광 다이오드(120)가 형성된 제 1 기판(110)보다 크기가 클 수 있다. 따라서, 제 1 기판(110)과 제 2 기판(130)을 합착하면, 제 1 기판(110)의 밖으로 돌출된 제 2 기판(130)의 더미부(135)가 존재하게 된다. 이러한 제 2 기판(130)의 더미부(135)에 보호제(150)를 도포한다. Here, the
보호제(150)는 추후 기판을 식각하는 단계에서 식각액인 불산(HF)에 강한 물성을 띠는 물질로 아크릴계 수지를 사용할 수 있다. 아크릴계 수지의 예로는, 우레탄아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메타크릴레이트, 부틸아크릴레이트 및 시아노아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용할 수 있으며, 시아노아크릴레이트를 사용할 수 있다.The protecting
특히, 시아노아크릴레이트는 하기 반응식 1과 같이, 공기 중의 수분과 반응하여 시아노아크릴레이트가 중합 반응하여 중합체 체인(chain)을 형성하여 빠르게 경화된다. 따라서, 제 2 기판(130)의 더미부(135)에 도포된 보호제(150)는 1초 내지 1분 동안 자연경화될 수 있다.In particular, the cyanoacrylate reacts with moisture in the air, as shown in Scheme 1 below, and the cyanoacrylate is polymerized to form a polymer chain, thereby rapidly curing. Therefore, the
(상기 반응식 1에서 ○는 비공유전자쌍을 나타낸다.)(○ in Scheme 1 represents an unshared electron pair.)
그리고, 보호제(150)는 제 2 기판(130)의 더미부(135)에 0.1 내지 3mm의 두께(t)로 도포될 수 있다. 여기서, 보호제(150)의 두께가 0.1mm 이상이면, 추후 식각 공정에서 제 2 기판(130)의 더미부(135)가 식각액에 의해 식각되는 것을 방지할 수 있고, 보호제(150)의 두께가 3mm 이하이면, 보호제(150)를 경화시키는데 시간이 오래 걸리는 것을 방지할 수 있다.In addition, the protecting
다음, 합착된 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(130)을 식각한다.(S50)Next, the bonded first and
즉, 불산(HF) 식각액에 제 1 기판(110)과 제 2 기판(130)을 침지시켜 식각한다. 이때, 제 1 기판(110)과 제 2 기판(130)은 식각액에 의해 그 표면이 식각되어 두께가 저감되게 된다.That is, the
이러한 식각 공정은 1분 내지 30분 동안 수행될 수 있으며, 바람직하게는 10분 내지 20분 동안 수행될 수 있다.This etching process may be performed for 1 to 30 minutes, preferably 10 to 20 minutes.
다음, 도 2d를 참조하면, 합착된 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(130)을 스틱(stick) 단위로 스크라이빙한다.(S60)Next, referring to FIG. 2D, the bonded
이때, 상기 스크라이빙 공정은 스크라이빙 휠 또는 레이저 커팅법을 이용하여 스크라이빙 할 수 있다. 그리고, 스틱 단위로 스크라이빙 될 때, 상측 및 하측에 있는 제 2 기판(130)의 더미부(135) 및 더미부(135)에 도포된 보호제(150)가 스크라이빙되어 제거될 수 있다.In this case, the scribing process may be scribed using a scribing wheel or a laser cutting method. In addition, when scribing in units of sticks, the
또한, 상기 스크라이빙 공정에서 구동부(160)가 노출되도록 제 2 기판(130)이 제 1 기판(110)보다 작게 스크라이빙 된다.In addition, the
다음, 상기 노출된 각 패널들의 구동부(160)에 프로브 검사 장치를 통해 신호를 인가하여 점등 검사를 수행한다.(S70) Next, a signal is applied to the
이러한 점등 검사를 통해, 각 스틱 단위의 패널들에 양불 여부를 검사하여 불량으로 판정되면 폐기 또는 리페어 공정으로 반송하고, 양호 판정되면 추후 공정으로 반송된다.Through such lighting inspection, the panel of each stick unit is inspected for good or poor and returned to the disposal or repair process if it is determined to be defective, and to a later process if it is determined to be good.
다음, 도 2e를 참조하면, 스틱 단위의 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(130)을 각각 개별 패널로 스크라이빙한다.(S80) Next, referring to FIG. 2E, each of the first and
이때, 스크라이빙 공정은 전술한 스크라이빙 휠 또는 레이저 커팅법을 이용할 수 있으며, 제 2 기판(130)의 더미부(135) 및 더미부(135)에 도포된 보호제(150)가 스크라이빙되어 제거될 수 있다.At this time, the scribing process may use the above-described scribing wheel or laser cutting method, the
마지막으로, 상기 개별 스크라이빙된 패널(180)들은 포장 등의 후공정을 통해 출하될 수 있다.(S90)Finally, the individual scribed
상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 제 2 기판의 더미부에 보호제를 도포함으로써, 기판 식각 공정에서 더미부가 식각되어 제 2 기판의 더미부가 후속 공정(2번의 스크라이빙 공정)들에서 패널들이 파손되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.As described above, in the method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, by applying a protective agent to the dummy portion of the second substrate, the dummy portion is etched in the substrate etching process so that the dummy portion of the second substrate is a subsequent process (2). There is an advantage to prevent the panels from breaking in one scribing process).
따라서, 종래 제 2 기판의 더미부를 1차 스크라이빙하고, 스틱 단위로 2차 스크라이빙하고, 개별 패널로 3차 스크라이빙하던 3번의 스크라이빙 공정을 2번으로 줄일 수 있어, 제품의 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Therefore, the scribing process of the second substrate, which is conventionally scribed first, secondly scribed on a stick basis, and thirdly scribed by individual panels, can be reduced to two times. There is an advantage to improve the productivity.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 개시한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in order to help understanding of the present invention. However, the following examples are merely to illustrate the present invention is not limited to the following examples.
실험 : 보호제의 종류에 따른 패널의 파손 여부 측정Experiment: Measurement of panel damage according to the type of protective agent
<실시예><Examples>
1.26mm의 두께를 가지며, 사이즈가 365×460mm을 갖는 하부 기판 상에 제 1 전극으로 ITO를 130nm의 두께로 형성하였고, 제 1 전극 상에 호스트로 DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl)에 도펀트로 페릴렌(Perylene)을 2wt%의 농도를 혼합하여 청색 발광층을 25nm의 두께로 형성하고, 이어, 제 2 전극으로 Al막을 두께 150nm로 형성하여 발광 다이오드를 제조하였다. On the lower substrate having a thickness of 1.26 mm and having a size of 365 × 460 mm, ITO was formed to have a thickness of 130 nm as a first electrode, and DPVBi (4,4′-bis (2,2) as a host on the first electrode. Perylene was mixed with 2 wt% of '-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl) to form a blue light emitting layer having a thickness of 25 nm, and then the Al film was 150 nm thick with a second electrode. To form a light emitting diode.
다음, 1.26mm의 두께를 가지며 사이즈가 370×470mm인 상부 기판에 실런트를 도포한 후 하부 기판과 합착하여 UV 경화시켰다. 그리고, 상부 기판의 더미부에 보호제로 시아노아크릴레이트를 주성분으로 하는 Loctite 순간접착제를 390㎛의 두께로 도포 후 30초 동안 자연경화시켰다. 그 후, 기판들을 불산 식각액에 20분 동안 침지하여 식각하였다.Next, the sealant was applied to the upper substrate having a thickness of 1.26 mm and the size of 370 × 470 mm, and then bonded to the lower substrate to be UV cured. Then, after applying Loctite instant adhesive having a cyanoacrylate as a main component to a dummy portion of the upper substrate to a thickness of 390㎛, it was naturally cured for 30 seconds. Thereafter, the substrates were etched by immersing in a hydrofluoric acid etchant for 20 minutes.
<비교예1>Comparative Example 1
보호제로 UV 경화제인 3bond UV 경화제를 사용하여 UV 경화한 것을 제외하고 전술한 실시예와 동일한 조건하에 제조하였다.It was prepared under the same conditions as in the above-described embodiment except that UV curing was performed using a 3bond UV curing agent which is a UV curing agent as a protective agent.
<비교예2>Comparative Example 2
보호제로 에폭시를 주성분으로 하는 Aixa 순간접착제를 사용한 것을 제외하고 전술한 실시예와 동일한 조건하에 제조하였다.A protective agent was prepared under the same conditions as in the above-described example except that Aixa instant adhesive mainly containing epoxy was used.
상기 실시예와 비교예1, 2에 따라 제조된 유기전계발광소자의 패널들을 스틱 단위로 스크라이빙 한 후, 패널의 파손 여부를 관찰하여 하기 표 1에 나타내었다. After scribing the panels of the organic light emitting diodes manufactured according to Examples and Comparative Examples 1 and 2 in units of sticks, the panels were observed for breakage and are shown in Table 1 below.
표 1을 참조하면, 본 발명의 실시예와 비교예1, 2에 따른 기판들의 식각 후 더미부의 남은 두께를 살펴보면, 실시예는 거의 두께가 변화가 없는 반면, 비교예1 및 2는 두께가 절반 이하로 감소된 것을 알 수 있다.Referring to Table 1, when looking at the remaining thickness of the dummy portion after etching the substrates according to the embodiment of the present invention and Comparative Examples 1 and 2, the embodiment has almost no change in thickness, while Comparative Examples 1 and 2 are half the thickness It can be seen that the decrease below.
따라서, 기판의 식각액에 강한 보호제 즉, 아크릴계 수지를 사용한 실시예의 경우, 추후 스크라이빙 공정 시 더미부의 두께가 두꺼워 패널이 파손되지 않은 것을 알 수 있다. 반면, 기판의 식각액에 약한 보호제를 사용한 비교예들의 경우, 보호제가 기판의 더미부를 보호하지 못하고 기판이 식각되어 두께가 얇아짐으로써, 추후 스크라이빙 공정에서 패널이 파손되는 것을 알 수 있다.Therefore, in the case of the embodiment using a strong protective agent, that is, an acrylic resin to the etching solution of the substrate, it can be seen that the panel is not damaged because the thickness of the dummy part is thick during the scribing process. On the other hand, in case of comparative examples using a weak protective agent in the etchant of the substrate, the protective layer does not protect the dummy portion of the substrate and the substrate is etched thin, it can be seen that the panel is damaged in the scribing process later.
상기와 같은 실험을 통해, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 기판의 더미부에 용이하게 도포할 수 있는 보호제를 사용함으로써, 제 조 공정 상 발생할 수 있는 패널의 파손을 방지할 수 있는 이점이 있다.Through the above experiments, the method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention by using a protective agent that can be easily applied to the dummy portion of the substrate, thereby preventing damage to the panel that may occur in the manufacturing process There is an advantage that can be prevented.
또한, 종래 3번의 스크라이빙 공정을 2번으로 줄일 수 있어, 제품의 생산성을 향상시킬 수 있는 있는 이점이 있다. In addition, the conventional three scribing process can be reduced to two, there is an advantage that can improve the productivity of the product.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 나타낸 흐름도.1 is a flow chart showing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 나타낸 공정별 도면.2a to 2e is a process-specific diagram showing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090058582A KR101642985B1 (en) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | Manufacturing Method For Organic Light Emitting Device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090058582A KR101642985B1 (en) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | Manufacturing Method For Organic Light Emitting Device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110001176A true KR20110001176A (en) | 2011-01-06 |
KR101642985B1 KR101642985B1 (en) | 2016-07-27 |
Family
ID=43609774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090058582A KR101642985B1 (en) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | Manufacturing Method For Organic Light Emitting Device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101642985B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190004191A (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-11 | 주식회사 토비스 | a jig for curved display panel |
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-
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- 2009-06-29 KR KR1020090058582A patent/KR101642985B1/en active IP Right Grant
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