KR20100134330A - Light emitting diode package - Google Patents

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KR20100134330A
KR20100134330A KR1020090052900A KR20090052900A KR20100134330A KR 20100134330 A KR20100134330 A KR 20100134330A KR 1020090052900 A KR1020090052900 A KR 1020090052900A KR 20090052900 A KR20090052900 A KR 20090052900A KR 20100134330 A KR20100134330 A KR 20100134330A
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Abstract

PURPOSE: A light emitting diode package is provided to improve the optical efficiency of the package by forming a light emitting diode chip to be adjacent with respect to a reflective surface. CONSTITUTION: A package body(10) includes a first surface(11) and a second surface(12). A reflective surface(13) is expanded toward the surface of the first surface. The reflective surface is slanted with respect to the first surface. The package body includes a lead frame(14) and a molding part(15). The lead frame includes a separated anodic lead and a separated cathodic lead. A light emitting diode chip(20) is mounted in the package body.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}Light Emitting Diode Package {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 특히 출력이 높은 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package having a high output.

발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 빛으로 전환시키는 소자로서, 차세대 광원으로서 다양하게 이용 및 개발되고 있다. 이러한 발광 다이오드는 색상 표현 및 소비 전력의 측면에서 매우 유리하여, 노트북, TV 등의 백라이트 유닛(BLU)에 이용되던 종래의 냉음극형광램프(CCFL)를 대체하는 광원으로서 매우 주목받고 있고, 각종 조명으로도 사용이 많아지고 있는 실정이다.A light emitting diode is a device that converts electricity into light using characteristics of a compound semiconductor, and has been variously used and developed as a next-generation light source. Such a light emitting diode is very advantageous in terms of color expression and power consumption, and thus, has attracted much attention as a light source that replaces a conventional cold cathode fluorescent lamp (CCFL) used in a backlight unit (BLU) such as a notebook computer or a TV. The situation is also increasing in use.

이러한 각종 요구와 관련하여 발광 다이오드는 고출력과 뛰어난 광효율을 동시에 만족시켜야 할 필요성이 대두되고 있다. 아울러 고출력의 발광 다이오드의 필수 조건인 발광 특성까지도 겸비할 필요가 있다.In connection with such various demands, there is a need for a light emitting diode to satisfy high power and excellent light efficiency simultaneously. In addition, it is necessary to combine the light emitting characteristics which are an essential condition of a high output light emitting diode.

본 발명은 상기 필요를 충족시키기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 고출력과 동시에 광효율도 우수한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The present invention is to meet the above needs, and an object of the present invention is to provide a light emitting diode package having high power and excellent light efficiency.

본 발명의 다른 목적은 방열 특성이 우수한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a light emitting diode package having excellent heat dissipation characteristics.

상술한 과제를 달성하기 위해, 본 발명은, 제1면을 갖고, 상기 제1면의 반대측에 제2면을 갖는 패키지 본체; 및 상기 제1면에 실장되는 것으로, 상기 제1면에 대향된 실장면을 갖는 발광 다이오드 칩;을 포함하고, 상기 실장면의 면적을 A1, 상기 제1면의 면적을 A2라 할 때, 상기 A1 및 A2는 식

Figure 112009036010744-PAT00002
을 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a package body having a first surface and having a second surface opposite to the first surface; And a light emitting diode chip mounted on the first surface and having a mounting surface opposite to the first surface, wherein the area of the mounting surface is A1 and the area of the first surface is A2. A1 and A2 are equations
Figure 112009036010744-PAT00002
It provides a light emitting diode package, characterized in that to satisfy.

본 발명은 또한, 제1면을 갖고, 상기 제1면의 반대측에 제2면을 갖는 패키지 본체; 및 상기 제1면에 실장되는 것으로, 상기 제1면에 대향된 실장면을 갖는 발광 다이오드 칩;을 포함하고, 상기 실장면의 면적을 A1, 상기 제1면의 면적을 A2라 할 때, 상기 A1 및 A2는 식

Figure 112009036010744-PAT00003
를 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.The present invention also provides a package body having a first surface and having a second surface opposite to the first surface; And a light emitting diode chip mounted on the first surface and having a mounting surface opposite to the first surface, wherein the area of the mounting surface is A1 and the area of the first surface is A2. A1 and A2 are equations
Figure 112009036010744-PAT00003
It provides a light emitting diode package, characterized in that to satisfy.

상기 제1면의 가장자리를 따라 반사면이 더 구비될 수 있다.A reflective surface may be further provided along the edge of the first surface.

상기 발광 다이오드 칩은 상기 제1면의 중앙에 위치할 수 있다.The light emitting diode chip may be located at the center of the first surface.

상기 패키지 본체는 리드 프레임과 상기 리드 프레임을 고정하는 몰딩부를 포함하고, 상기 리드 프레임의 일부는 상기 제2면에 노출되며, 상기 제2면에 노출 된 상기 리드 프레임의 부분의 면적을 B1, 상기 제2면의 면적을 B2라 할 때, 상기 B1 및 B2가 식

Figure 112009036010744-PAT00004
을 만족하도록 할 수 있다.The package main body includes a lead frame and a molding part fixing the lead frame, a part of the lead frame is exposed to the second surface, and the area of the part of the lead frame exposed to the second surface is B1, the When the area of the second surface is B2, B1 and B2 are represented by the equation
Figure 112009036010744-PAT00004
Can be satisfied.

또, 상기 패키지 본체는 리드 프레임과 상기 리드 프레임을 고정하는 몰딩부를 포함하고, 상기 리드 프레임의 일부는 상기 제2면에 노출되며, 상기 제2면에 노출된 상기 리드 프레임의 부분의 면적을 B1, 상기 제2면의 면적을 B2라 할 때, 상기 B1 및 B2가 (식)

Figure 112009036010744-PAT00005
을 만족하도록 할 수 있다.In addition, the package body includes a lead frame and a molding part for fixing the lead frame, a part of the lead frame is exposed to the second surface, the area of the portion of the lead frame exposed to the second surface B1 When the area of the second surface is B2, B1 and B2 are represented by the following equation.
Figure 112009036010744-PAT00005
Can be satisfied.

본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지는, 고출력을 적용하기 매우 용이하고, 조명 또는 디스플레이 장치에의 적용 시 PCB 설계 마진을 높일 수 있어 조립성 및 생산성이 향상될 수 있다.The light emitting diode package according to the present invention is very easy to apply a high power, can increase the PCB design margin when applied to the lighting or display device can be improved assembly and productivity.

또, 발광 다이오드 칩과 반사면 사이의 거리가 가깝기 때문에 광효율이 높아질 수 있다.In addition, since the distance between the light emitting diode chip and the reflecting surface is close, the light efficiency can be increased.

그리고 패키지 본체의 저면으로 노출된 리드 프레임을 통한 방열 특성이 향상될 수 있다.In addition, heat dissipation through the lead frame exposed to the bottom of the package body may be improved.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설 명한다. 그러나, 본 발명은 여기에서 설명되는 세부내용과는 상이한 형태로도 구현될 수 있으며, 본 명세서의 실시예에 한정되지는 아니함을 밝혀둔다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily practice the present invention. However, it is to be understood that the invention may be embodied in different forms than the details set forth herein and is not limited to the embodiments herein.

도면 전반에 걸쳐 동일한 구조물 또는 구성요소(부품)에는 동일한 참조 번호가 쓰이며, 도면들은 개략적으로 나타낸 것으로서 도면에서의 상대적인 치수 및 비율은 도면의 명확성 및 편의를 위하여 다소 과장되거나 축소되어 도시된 것일 수 있다. Like reference numerals are used throughout the drawings to refer to like structures or components (parts), and the drawings are schematically illustrated, and the relative dimensions and ratios in the drawings may be somewhat exaggerated or reduced for clarity and convenience. .

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 평면도이다. 그리고 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ의 단면도이고, 도 4는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 저면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode package according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the light emitting diode package of FIG. 1. 3 is a cross-sectional view of III-III of FIG. 2, and FIG. 4 is a bottom view of the LED package of FIG. 1.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 패키지 본체(10)와, 패키지 본체(10)에 안착된 발광 다이오드 칩(20)을 포함한다.A light emitting diode package according to an exemplary embodiment of the present invention includes a package body 10 and a light emitting diode chip 20 mounted on the package body 10.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 패키지 본체(10)는 제1면(11)과 제2면(12)을 포함한다. 제1면(11)과 제2면(12)은 도 3에서 볼 수 있듯이 패키지 본체(10)의 서로 대향된 면이며, 제1면(11)이 발광 다이오드 칩(20)이 안착되는 면이고, 제2면(12)은 제1면(11)의 반대측에 배치된 면이다.The package body 10 of the LED package according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first surface 11 and a second surface 12. As shown in FIG. 3, the first surface 11 and the second surface 12 are opposite surfaces of the package body 10, and the first surface 11 is a surface on which the LED chip 20 is seated. , The second surface 12 is a surface disposed on the side opposite to the first surface 11.

상기 제1면(11)의 가장자리를 따라서는 제1면(11)의 표면에 경사지도록 연장된 반사면(13)이 구비되어 있다.A reflective surface 13 extending along the edge of the first surface 11 to be inclined to the surface of the first surface 11 is provided.

이러한 패키지 본체(10)는 리드 프레임(14)과 몰딩부(15)를 포함한다.The package body 10 includes a lead frame 14 and a molding part 15.

상기 리드 프레임(14)은 전기전도성 소재인 금속재로 구비되고, 서로 분리된 양극 리드와 음극 리드를 포함한다. The lead frame 14 is made of a metal material, which is an electrically conductive material, and includes a positive electrode lead and a negative electrode lead separated from each other.

그리고 몰딩부(15)는 이 리드 프레임(14)을 고정하도록 구비된다. 몰딩부(15)는 경질 수지재로 구비되며, 상기 반사면(13)을 형성한다. 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 반사면(13)은 몰딩부(15)에 의해 형성되는 것이나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 리드 프레임(14)의 절곡에 의해 반사면(13)이 형성될 수도 있다.The molding part 15 is provided to fix the lead frame 14. The molding part 15 is provided with a hard resin material and forms the reflective surface 13. According to the exemplary embodiment of the present invention illustrated in the drawings, the reflective surface 13 is formed by the molding part 15, but the present invention is not necessarily limited thereto, and is bent by bending the lead frame 14. The slope 13 may be formed.

한편, 상기 제1면(11)으로 노출된 리드 프레임(14)에는 발광 다이오드 칩(20)의 실장면(21)이 접합된다(도 3 참조). 이 발광 다이오드 칩(20)은 와이어(21)에 의해 리드 프레임(14)과 전기적으로 연결된다.Meanwhile, the mounting surface 21 of the LED chip 20 is bonded to the lead frame 14 exposed to the first surface 11 (see FIG. 3). The light emitting diode chip 20 is electrically connected to the lead frame 14 by a wire 21.

이러한 본 발명에 있어서 상기 발광 다이오드 칩(20)의 실장면(21)의 면적을 A1이라 하고, 발광 다이오드 칩(20)이 안착되는 제1면(11)의 면적을 A2라 할 때, A1, A2는 하기 식(1)을 만족하도록 한다.In the present invention, when the area of the mounting surface 21 of the LED chip 20 is A1 and the area of the first surface 11 on which the LED chip 20 is seated is A2, A1, A2 is made to satisfy following formula (1).

Figure 112009036010744-PAT00006
(1)
Figure 112009036010744-PAT00006
(One)

이 경우 발광 다이오드 칩(20)의 면적이 이 발광 다이오드 칩(20)이 안착되는 면의 면적에 비해 절반 이상으로 충분히 큰 면적을 갖기 때문에 고출력을 구현할 수 있고, 발광 다이오드 칩(20)과 반사면(13)의 사이 거리가 가깝기 때문에 반사면(13)에서의 광반사 효율이 높아져 광취출효율이 증대될 수 있다. 또한 패키지 본체(10)의 측면에서 봤을 때에도 발광 다이오드 칩(20)의 크기에 비해 패키지 본체(10)의 크기가 기존 발광 다이오드 패키지 대비 상대적으로 작아지기 때문에 조명 장치 또는 디스플레이 장치의 구현 시 PCB 장착에 설계 여유도가 높아져 생산성 이 향상된다. 발광 다이오드 칩(20)의 실장면(21)의 면적(A1)이 제1면(11)의 면적(A2)의 50%보다 작게 되면 고출력 구현을 위해서는 패키지 본체(10)를 크게 형성해야 하는 데, 이 경우 조명 장치나 디스플레이 장치의 구현 시 PCB 장착에 설계 마진이 낮아져 생산성이 떨어지며, 얇은 면광원을 구현하는 데에도 한계가 있다. In this case, since the area of the light emitting diode chip 20 has a sufficiently large area that is more than half of the area of the surface on which the light emitting diode chip 20 is seated, high power can be realized, and the light emitting diode chip 20 and the reflecting surface can be realized. Since the distance between (13) is close, the light reflection efficiency in the reflecting surface 13 becomes high, and light extraction efficiency can be improved. Also, when viewed from the side of the package body 10, the size of the package body 10 is relatively smaller than the size of the LED package 20 compared to the size of the light emitting diode chip 20, so when mounting the PCB when implementing the lighting device or display device Increased design margins increase productivity. When the area A1 of the mounting surface 21 of the light emitting diode chip 20 is smaller than 50% of the area A2 of the first surface 11, the package body 10 should be large for high output. In this case, when the lighting device or the display device is implemented, the design margin is lowered on the PCB mounting, thereby reducing productivity, and there is a limitation in implementing a thin surface light source.

한편 상기 발광 다이오드 칩(20)의 실장면(21)의 면적(A1)과, 상기 제1면(11)의 면적(A2)은 하기 식(2)를 만족하도록 할 수 있다.Meanwhile, the area A1 of the mounting surface 21 of the LED chip 20 and the area A2 of the first surface 11 may satisfy the following equation (2).

Figure 112009036010744-PAT00007
(2)
Figure 112009036010744-PAT00007
(2)

발광 다이오드 칩(20)의 실장면(21)의 면적(A1)이 제1면(11)의 면적(A2)의 90%를 넘게 지나치게 커지게 되면 이 발광 다이오드 칩(20)을 실장할 리드 프레임(14)의 설계 마진 확보가 어렵게 되어 현실적으로 적용이 어려운 한계가 있다. When the area A1 of the mounting surface 21 of the light emitting diode chip 20 becomes too large to exceed 90% of the area A2 of the first surface 11, a lead frame to mount the light emitting diode chip 20 is mounted. It is difficult to secure the design margin of (14), which is difficult to apply in reality.

이러한 본 발명에 있어, 상기 발광 다이오드 칩(20)은 상기 제1면(11)의 대략 중앙부에 위치하도록 하는 것이 광취출효율을 더 높여줄 수 있는 방법이 된다.In the present invention, the light emitting diode chip 20 is located in the substantially center portion of the first surface 11 is a method that can further increase the light extraction efficiency.

한편, 도 4에서 볼 때, 상기 패키지 본체(10)의 저면인 제2면(12)으로는 리드 프레임(14)의 일부와 몰딩부(15)의 일부가 각각 노출된다. 이 때, 제2면(12)으로 노출된 리드 프레임(14) 부분의 전체 면적을 B1이라 하고, 상기 제2면(12)의 면적을 B2라 할 때, 상기 B1 및 B2는 하기 식(3)을 만족하도록 하는 것이 바람직하다.Meanwhile, as shown in FIG. 4, a part of the lead frame 14 and a part of the molding part 15 are exposed to the second surface 12, which is the bottom surface of the package body 10, respectively. At this time, when the entire area of the lead frame 14 exposed to the second surface 12 is B1, and the area of the second surface 12 is B2, B1 and B2 are represented by the following equation (3). It is desirable to satisfy).

Figure 112009036010744-PAT00008
(3)
Figure 112009036010744-PAT00008
(3)

이 경우 제2면(12)에 노출된 금속제 리드 프레임(14)의 면적이 패키지 본체(10)의 저면인 제2면(12)의 면적에 비해 절반 이상으로 충분히 큰 면적을 갖기 때문에, 이 리드 프레임(14)을 통한 외부로의 열전달이 원활해져, 고출력을 구현하는 경우라 하더라도 충분한 방열 특성을 확보할 수 있다. 제2면(12)에 노출된 리드 프레임(14)의 면적(B1)이 제2면(12)의 면적(B2)의 50%보다 작게 되면 패키지 본체(10)의 방열성이 떨어지기 때문에 발광 다이오드 패키지와 이를 이용한 장치의 기능 및 내구성을 저하시킬 수 있게 된다.In this case, since the area of the metal lead frame 14 exposed to the second surface 12 has an area sufficiently larger than half of the area of the second surface 12 which is the bottom surface of the package body 10, the lead Heat transfer to the outside through the frame 14 is facilitated, even in the case of realizing a high output can ensure sufficient heat dissipation characteristics. When the area B1 of the lead frame 14 exposed to the second surface 12 is smaller than 50% of the area B2 of the second surface 12, the heat dissipation of the package main body 10 is inferior. It is possible to reduce the functionality and durability of the package and the device using the same.

상기 제2면(12)에 노출된 리드 프레임(14)의 면적(B1)과, 상기 제2면(12)의 면적(B2)은 하기 식(4)를 만족하도록 할 수 있다.An area B1 of the lead frame 14 exposed to the second surface 12 and an area B2 of the second surface 12 may satisfy the following equation (4).

Figure 112009036010744-PAT00009
(4)
Figure 112009036010744-PAT00009
(4)

상기 제2면(12)에 노출된 리드 프레임(14)의 면적(B1)이 제2면(12)의 면적(B2)의 90%를 넘게 지나치게 커지게 되면 몰딩부(15)의 리드 프레임(14) 고정력이 떨어지게 되는 문제가 발생될 수 있다.When the area B1 of the lead frame 14 exposed to the second surface 12 becomes too large to exceed 90% of the area B2 of the second surface 12, the lead frame of the molding part 15 14) There may be a problem that the fixing force is lowered.

한편, 도 3에서 볼 수 있듯이, 상기 발광 다이오드 칩(20)을 덮도록 광 투과 매질(30)이 도포된다. 상기 광 투과 매질(30)은 에폭시 또는 실리콘 수지와 같은 광투과성 매질을 사용한다. 그리고 이 광 투과 매질(30)에는 형광체가 분산 혼합될 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 광 투과 매질(30) 내부에 별도의 매질이 존재하고 이 별도 매질에 형광체가 혼합될 수도 있다. 상기 형광체는 상기 발광 다이오드 칩(20)의 피크 파장에 의해 여기되어 발광하는 것으로, 실리케이트(Silicate)계 형광체일 수 있다. On the other hand, as shown in Figure 3, the light transmission medium 30 is applied to cover the light emitting diode chip 20. The light transmitting medium 30 uses a light transmitting medium such as epoxy or silicone resin. In addition, phosphors may be dispersed and mixed in the light transmitting medium 30. However, the present invention is not limited thereto, and a separate medium may be present in the light transmitting medium 30, and phosphors may be mixed in the separate medium. The phosphor is excited by the peak wavelength of the light emitting diode chip 20 and emits light. The phosphor may be a silicate-based phosphor.

상기 광 투과 매질(30)은 도 3에 도시된 바와 같이 표면이 편평한 형태로 구성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 도 5에서 볼 수 있듯이, 렌즈의 형태로 구현될 수도 있다.The light transmitting medium 30 may have a flat surface as shown in FIG. 3, but is not limited thereto. As shown in FIG. 5, the light transmitting medium 30 may be implemented in the form of a lens.

도 5에 따른 광 투과 매질(30)은 대략 볼록 렌즈를 구성한다. 이 광 투과 매질(30)은 빛을 측면방향으로 더욱 확산시켜 원하는 광 프로파일을 얻을 수 있도록 한다. The light transmitting medium 30 according to FIG. 5 constitutes a substantially convex lens. The light transmitting medium 30 further diffuses the light in the lateral direction so as to obtain a desired light profile.

도 5에 따른 실시예의 광 투과 매질(30)은 대략 반구 형태를 취하고 있다. 광 투과 매질(30)의 중앙 부근에는 함몰된 인입부(31)가 형성되어 있고, 이 인입부(31)의 주위로 인입부(31)를 둘러싸도록 곡률부(33)가 형성되어 있다. 상기 인입부(31)는 대략 발광 다이오드 칩(20)의 직상부에 위치한다. The light transmitting medium 30 of the embodiment according to FIG. 5 is in the shape of a hemisphere. The recessed inlet part 31 is formed in the vicinity of the center of the light transmission medium 30, and the curvature part 33 is formed so that the inlet part 31 may be enclosed around this inlet part 31. As shown in FIG. The lead portion 31 is located substantially above the light emitting diode chip 20.

따라서 상기 패키지 본체(10)의 표면, 더욱 상세히는 상기 제1면(11)의 연장선으로부터 상기 인입부(31)까지의 수직 거리(T1)가 상기 제1면(11)의 연장선으로부터 상기 곡률부(33)까지의 최대 수직 거리(T2)보다 짧다.Therefore, the vertical distance T1 of the surface of the package body 10, more specifically, from the extension line of the first surface 11 to the lead portion 31, is the curvature portion from the extension line of the first surface 11. It is shorter than the maximum vertical distance T2 to (33).

상기와 같이 광 투과 매질(30)의 형태에 의하면 출사되는 광의 출사각을 120도보다 넓게 되도록 해 BLU 구성 시 면발광이 가능하도록 할 수 있고, 발광 다이오드 패키지 표면과 광학 시트 사이의 광학거리를 더욱 작게 할 수 있다.According to the shape of the light transmission medium 30 as described above, the emission angle of the emitted light can be wider than 120 degrees to enable surface emission in the BLU configuration, and the optical distance between the surface of the light emitting diode package and the optical sheet is further increased. It can be made small.

상기 광 투과 매질(30)은 인입부(31)가 편평한 면 형상으로 형성된 편평부(32)를 더 포함하도록 구비된 것이다.The light transmitting medium 30 is provided such that the inlet portion 31 further includes a flat portion 32 formed in a flat surface shape.

상기 편평부(32)는 상기 제1면(11)의 연장선과 평행한 면을 포함하며 도면에 도시하지는 않았지만 곡률부(33)와의 경계가 곡면을 갖도록 형성될 수 있다.The flat portion 32 may include a surface parallel to the extension line of the first surface 11 and may be formed to have a curved surface with the curvature portion 33 although not shown in the drawing.

이렇게 편평부(32)를 갖는 광 투과 매질(30)을 사용할 경우, 도 5에 따른 실시예보다 광 출사각을 더욱 넓게 조절할 수 있으며, 산개된 각도에서 피크 광속을 얻을 수 있어, BLU 구성 시 양질의 면발광이 가능하도록 할 수 있고, 발광 다이오드 패키지 표면과 광학 시트 사이의 광학거리를 더욱 작게 할 수 있다.When the light transmitting medium 30 having the flat portion 32 is used as described above, the light emission angle can be adjusted more broadly than the embodiment according to FIG. 5, and the peak light flux can be obtained at the scattered angle. Surface light emission can be achieved, and the optical distance between the surface of the light emitting diode package and the optical sheet can be further reduced.

도 5에 도시하지는 않았지만, 상기 곡률부(33)의 특정 부분에는 표면에 요철면을 형성하여 원하는 광 프로파일이 되도록 조절할 수 있음은 물론이다.Although not shown in FIG. 5, a specific portion of the curvature portion 33 may be formed to have a concave-convex surface on the surface to adjust the desired light profile.

이상 설명한 실시예들에서는 하나의 발광 다이오드 칩을 사용한 경우만 나타내었으나, 복수 개의 발광 다이오드 칩이 장착될 수도 있다. In the above-described embodiments, only one LED chip is used, but a plurality of LED chips may be mounted.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것으로서 특허청구범위에 의해서만 한정되며, 본 발명은 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한도에서 다양한 형태로 치환, 변경, 수정되어 실시될 수 있음이 당업자에게는 자명할 것이다.In the above description of the preferred embodiment of the present invention, the present invention is not limited thereto and is limited only by the claims, and the present invention is in various forms without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims. It will be apparent to those skilled in the art that substitutions, changes, and modifications can be made.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이고, 1 is a perspective view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention,

도 2는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 평면도이고, FIG. 2 is a plan view of the LED package of FIG. 1;

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ의 단면도이고, 3 is a cross-sectional view of III-III of FIG.

도 4는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 저면도이고,4 is a bottom view of the LED package of FIG. 1,

도 5는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another exemplary embodiment of the present invention.

Claims (6)

제1면을 갖고, 상기 제1면의 반대측에 제2면을 갖는 패키지 본체; 및A package body having a first surface and having a second surface opposite the first surface; And 상기 제1면에 실장되는 것으로, 상기 제1면에 대향된 실장면을 갖는 발광 다이오드 칩;을 포함하고,A light emitting diode chip mounted on the first surface and having a mounting surface opposite to the first surface; 상기 실장면의 면적을 A1, 상기 제1면의 면적을 A2라 할 때, 상기 A1 및 A2는 하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.When the area of the mounting surface is A1 and the area of the first surface is A2, A1 and A2 satisfy Equation 1 below.
Figure 112009036010744-PAT00010
Figure 112009036010744-PAT00010
 제1면을 갖고, 상기 제1면의 반대측에 제2면을 갖는 패키지 본체; 및A package body having a first surface and having a second surface opposite the first surface; And 상기 제1면에 실장되는 것으로, 상기 제1면에 대향된 실장면을 갖는 발광 다이오드 칩;을 포함하고,A light emitting diode chip mounted on the first surface and having a mounting surface opposite to the first surface; 상기 실장면의 면적을 A1, 상기 제1면의 면적을 A2라 할 때, 상기 A1 및 A2는 하기 수학식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.When the area of the mounting surface is A1 and the area of the first surface is A2, A1 and A2 satisfy Equation 2 below.
Figure 112009036010744-PAT00011
Figure 112009036010744-PAT00011
 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1면의 가장자리를 따라 반사면이 더 구비된 발광 다이오드 패키지.The LED package further comprises a reflective surface along the edge of the first surface. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 제1면의 중앙에 위치하는 발광 다이오드 패키지.The LED chip is located in the center of the first surface of the LED package. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 패키지 본체는 리드 프레임과 상기 리드 프레임을 고정하는 몰딩부를 포함하고, 상기 리드 프레임의 일부는 상기 제2면에 노출되며, 상기 제2면에 노출된 상기 리드 프레임의 부분의 면적을 B1, 상기 제2면의 면적을 B2라 할 때, 상기 B1 및 B2는 하기 수학식 3을 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The package main body includes a lead frame and a molding part for fixing the lead frame, a part of the lead frame is exposed on the second surface, and the area of the part of the lead frame exposed on the second surface is B1, the When the area of the second surface is B2, B1 and B2 satisfy the following Equation (3).
Figure 112009036010744-PAT00012
Figure 112009036010744-PAT00012
 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 패키지 본체는 리드 프레임과 상기 리드 프레임을 고정하는 몰딩부를 포함하고, 상기 리드 프레임의 일부는 상기 제2면에 노출되며, 상기 제2면에 노출된 상기 리드 프레임의 부분의 면적을 B1, 상기 제2면의 면적을 B2라 할 때, 상기 B1 및 B2는 하기 수학식 4를 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The package main body includes a lead frame and a molding part for fixing the lead frame, a part of the lead frame is exposed on the second surface, and the area of the part of the lead frame exposed on the second surface is B1, the When the area of the second surface is B2, B1 and B2 satisfy the following Equation (4).
Figure 112009036010744-PAT00013
Figure 112009036010744-PAT00013
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