KR20100132586A - 유기절연막 박리액의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기절연막 박리액의 제조방법에 관한 것으로, 특히 a) 환류장치가 구비된 가압조건의 교반기 내에서 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 또는 이의 염, 글리콜 에테르 및 물을 고온에서 교반하는 단계; b) 상기 a)단계의 교반 후 실온으로 냉각된 교반물에 수용성 아민을 첨가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기절연막 박리액의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유기절연막 박리액에 관한 것이다.
본 발명에 의하여 제조된 유기절연막 박리액은 유기절연막의 하부에 위치하고 있는 금속 배선 및 칼라레지스트는 손상시키지 않으면서 유기절연막, 특히 티에프티 엘시디(TFT-LCD)용 네가티브형 유기절연막 만을 짧은 시간 내에 용이하게 제거할 수 있다.
유기절연막, 박리액, 4급 암모늄 염, 글리콜 에테르, 수용성 아민

Description

유기절연막 박리액의 제조방법{PREPARING METHOD OF LIQUID COMPOSITION FOR STRIPPING AN ORGANIC DIELECTRIC LAYER}
본 발명은 유기절연막, 특히 티에프티 엘시디(TFT-LCD)용 네가티브형 유기절연막을 짧은 시간 내에 용이하게 제거함으로써 유기절연막 제조공정 중에 발생되는 불량 기판을 재사용할 수 있게 하는 박리액 조성물의 제조방법 및 박리액에 관한 것이다.
현재 사용되는 유기절연막은 무기절연막의 대용으로서 그 하부에는 금속 배선 및 칼라레지스트가 일반적으로 존재한다.
유기절연막의 제조공정 중에 발생되는 불량 기판을 재사용하기 위해서는 유기절연막의 하부에 위치하고 있는 금속 배선 및 칼라레지스트는 손상시키지 않으면서 유기절연막 만을 제거할 수 있는 박리액이 필요하다. 나아가, 빠른 시간 내에 제거하여야만 공정시간을 단축할 수 있어 유기절연막을 일반 포토레지스트와 비슷하게 단시간에 박리할 수 있는 박리액이 필요한 상황이다.
포지티브형 유기절연막에 비해 박리되기 어려운 네가티브형 유기절연막을 제거하기 위한 박리액으로서 높은 pH를 갖는 유기계 또는 무기계 박리액이 고안된바 있으며, 예를 들어 이러한 유기계 박리액이 한국 공개특허공보 제2005-0006980호, 일본 공개특허공보 소51-72503호 및 유럽 특허 제0119337호에 개시되어 있다.
그러나, 높은 pH를 갖는 이러한 유기계 박리액을 사용할 경우 높은 pH로 인해 단시간 사용에도 하부의 금속 배선 및 칼라레지스트에 심각한 손상을 초래할 수 있으며, pH를 낮추기 위해 약한 알칼리 화합물을 적용할 경우 금속 배선 및 칼라레지스트에 손상을 주지는 않지만 유기절연막의 제거능이 불충분해진다는 문제점이 있다. 또한 한국 공개특허공보 제2009-0032640호에도 박리조성물이 개시되어 있으나 구리배선의 손상을 전혀 방지할 수 없었다.
이와 같이, 이제까지 알려진 종래의 유기절연막 박리액으로는 안정적으로 대량의 유기절연막을 제거하는 것이 곤란하거나, 하부막질의 손상이 심하여 기판의 재사용이 불가능하거나, 유기절연막의 제거에 오랜 시간이 소요되어 생산성 또는 수율이 떨어진다는 문제점이 있다.
따라서, 유기절연막을 선택적으로 안전하게 대량으로 제거할 수 있는 박리액 조성물이 요구되고 있는 실정이다.
따라서, 본 발명은 유기절연막의 하부에 위치하고 있는 금속 배선 및 칼라레지스트는 손상시키지 않으면서 유기절연막(특히 티에프티 엘시디(TFT-LCD)용 네가티브형 유기절연막) 만을 짧은 시간 내에 용이하게 제거함으로써 유기절연막 제조공정 중에 발생되는 불량 기판의 재사용을 가능하게 하는 유기절연막 박리액의 제조방법 및 박리액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
a) 환류장치가 구비된 가압조건의 교반기 내에서 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 염 3 내지 15 중량부, 글리콜 에테르 10 내지 60 중량부, 물 9 내지 45 중량부를 90-120 ℃의 온도에서 2-72시간 교반하는 단계;
b) 상기 a)단계의 교반 후 실온으로 냉각된 교반물에 수용성 아민 20 내지 40 중량부를 첨가하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기절연막 박리액의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 유기절연막 박리액의 제조방법에 의하여 제조된 유기절연막 박리액을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 유기절연막 박리액에 유기절연막을 함유하는 기판을 침지시켜 기판으로부터 유기절연막을 박리시키는 방법을 제공한다.
본 발명의 유기절연막 박리액 조성물은,
① 유기절연막 만을 선택적으로 짧은 시간 내에 용이하게 제거할 수 있고,
② 후속의 린스 공정에서 이소프로필알콜, 디메틸설폭사이드와 같은 유기용제를 사용할 필요 없이 물로 용이하게 린스할 수 있고,
③ 특히 하부 금속 배선이나 칼라레지스트에 영향을 주지 않으므로 티에프티-엘시디(TFT-LCD) 제조공정 중 어떠한 공정에서나 전(前)공정의 기판을 재사용할 수 있게 한다.
본 발명의 유기절연막 박리액의 제조방법은 a) 환류장치가 구비된 가압조건의 교반기 내에서 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 또는 이의 염 3 내지 15 중량부, 글리콜 에테르 10 내지 60 중량부, 물 9 내지 45 중량부를 90-120 ℃의 온도에서 2-72시간 교반하는 단계; b) 상기 a)단계의 교반 후 실온으로 냉각된 교반물에 수용성 아민 20 내지 40 중량부를 첨가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에서 유기절연막 박리액에 사용되는 성분은 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 또는 이의 염, 글리콜 에테르, 수용성 아민 및 물을 각각 3 내지 15 중량부, 10 내지 60 중량부, 20 내지 40 중량부 및 9 내지 45 중량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하며, 각각의 성분을 바람직하게는 3 내지 10 중량부, 30 내지 60 중량부, 20 내지 40 중량부 및 9 내지 30 중량부, 더욱 바람직하게는 3 내지 6 중량부, 40 내지 60 중량부, 25 내지 35 중량부 및 9 내지 18 중량부의 양으로 포함할 수 있다.
본 발명에 사용되는 글리콜 에테르의 대표적인 예로는 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 트리프로필렌글리콜 모노부틸에테르 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
본 발명에 사용되는 수용성 아민의 대표적인 예로는 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 프로판올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N-에틸프로판올아민, N,N-디에틸프로판올아민 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기절연막 박리액 조성물은 상술한 필수성분 이외에도 통상적으로 유기절연막의 박리에 유용한 첨가제들을 필요에 따라 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에서 유기절연막 박리액의 제조방법은 환류장치가 구비된 가압조건의 교반기 내에서 상기 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 염, 글리콜 에테르 및 물을 90-120 ℃의 온도에서 2-72시간 교반하는 단계하는 단계를 포함한다. 상기 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 또는 이의 염 및 물은 혼합시 수용액의 형태로도 혼합될 수 있다.
바람직하게는 상기 교반시 교반기 내는 1.5-5 기압을 유지하는 것이 좋으며, 상기 교반온도는 105-115 ℃, 교반시간은 6-36 시간 동안 이루어지는 것이 좋다.
또한 본 발명은 상기 교반을 종료한 후 교반물을 실온으로 냉각 후 교반물에 수용성 아민을 첨가 혼합하는 단계를 통하여 유기절연막 박리액이 제조된다. 필요한 경우 상기 수용성 아민의 첨가시 또는 첨가 후에 박리액에 통상적으로 포함되는 첨가제들을 더욱 첨가하여 유기절연막 박리액을 제조할 수 있다.
상기 본 발명에 따른 유기절연막 박리액의 제조방법에 따라 제조된 유리절연막 박리액에 유기절연막을 함유하는 기판을 침지시킴으로써 기판으로부터 유기절연막을 박리시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 유기절연막 박리액 조성물은 기판으로부터 유기절연막(특히 티에프티 엘시디(TFT-LCD)용 네가티브형 유기절연막) 만을 선택적으로 박리시킬 수 있으며, 다음과 같은 장점을 갖는다:
① 유기절연막 만을 선택적으로 짧은 시간 내에 용이하게 제거할 수 있고,
② 후속의 린스 공정에서 이소프로필알콜, 디메틸설폭사이드와 같은 유기용제를 사용할 필요 없이 물로 용이하게 린스할 수 있고,
③ 특히 하부 금속 배선이나 칼라레지스트에 영향을 주지 않으므로 티에프티-엘시디(TFT-LCD) 제조공정 중 어떠한 공정에서나 전(前)공정의 기판을 재사용할 수 있게 한다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 및 2
환류장치가 구비된 교반기에 하기 표 1 기재의 성분 중 TMAH, MDG 및 물을 넣고, 교반기 내 압력을 1.5-5 기압으로 유지시키면서 110 ℃에서 24시간 교반하였다. 이후 교반물을 실온으로 냉각 후 MEA를 혼합하여 유기절연막 박리액 조성물을 제조하였다. 하기 표 1의 단위는 중량부이다.
[표 1]
TMAH MDG 초순수 MEA
실시예 1 3 58 9 30
실시예 2 5 50 15 30
실시예 3 10 30 30 30
실시예 4 15 10 45 30
비교예 1 1 66 3 30
비교예 2 25 - 75 -
* TMAH: 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드
* MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르
* MEA: 에탄올아민
시험예 : 유기절연막 박리 시험
상기 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 및 2에서 제조한 조성물의 유기절연막 박리 성능을 평가하기 위해, 먼저 하기 공정에 따라 유기절연막 시편을 제조하였다.
<유기절연막 시편 제조>
유기절연막이 도포된 시편을 만들기 위해, 하부에 Mo/Al/Mo 다중막이 증착되어 있고 패턴이 형성된 유리 기판 위에 유기절연막 조성물(동진쎄미켐 사제, 상품 명 SOJN-091)을 스핀코팅하여 최종 막 두께가 4.0 ㎛가 되도록 도포하였다. 이어서, 핫 플레이트에서 상기 유기절연막에 대해 90 ℃에서 120 초간 소프트 베이크(soft-bake)를 실시하였다. 이어, 얻어진 유기절연막을 노광하고 2.38% TMAH 현상액으로 상온에서 70초 동안 현상한 후 전면 노광을 거친 다음 130℃ 에서 3분간 하드 베이크(hard-bake)하여 네가티브형 유기절연막 시편을 제조하였다.
<유기절연막 제거 시험>
유기절연막 시편을 70 ℃에서 상기 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 및 2에서 제조한 각각의 조성물에 침지하여 기판에서 유기절연막이 완전히 박리되는 시간을 측정하였다. 이때, 상기 시편을 조성물로부터 꺼내어 초순수로 수세하고 질소 가스로 건조한 후 패턴 내에 유기절연막이 잔류하는지 여부를 현미경으로 확대 검사하여 유기절연막이 기판 내 잔류하는지 여부를 관찰하였다.
또한, 하부막질의 손상 여부를 관찰하기 위해, 유기절연막 시편을 상기 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 및 2에서 제조한 각각의 조성물에 10분간 침지한 후 꺼내어 주사전자현미경(SEM)으로 금속 배선의 부식 정도를 관찰하였다.
얻어진 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[표 2]
유기절연막 박리시간 금속배선 부식정도
실시예 1 10분 이내 ◎
실시예 2 10분 이내 ◎
실시예 3 10분 이내 ◎
실시예 4 10분 이내 ○
비교예 1 10분 이상 ◎
비교예 2 10분 이내 X
<X: 배선 제거, △: Al 의 심각한 손상, ○: 표면 Pitting 발생, ◎: 손상 없음>
상기 표 2로부터, 실시예 1 내지 4에서 제조된 본 발명의 유기절연막 박리액 조성물은, 비교예 1 및 2에서 제조된 조성물에 비해, 신속하게 네가티브형 유기절연막을 박리하면서도 하부막질(금속 배선)을 손상시키지 않음을 알 수 있다.

Claims (9)

  1. a) 환류장치가 구비된 가압조건의 교반기 내에서 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH) 또는 이의 염 3 내지 15 중량부, 글리콜 에테르 10 내지 60 중량부, 물 9 내지 45 중량부를 90-120 ℃의 온도에서 2-72시간 교반하는 단계;
    b) 상기 a)단계의 교반 후 실온으로 냉각된 교반물에 수용성 아민 20 내지 40 중량부를 첨가하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기절연막 박리액의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 a) 단계의 교반시 교반기 내는 1.5-5 기압을 유지하는 것을 특징으로 하는 유기절연막 박리액의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 a)단계의 교반시 교반온도는 105-115 ℃의 온도에서 6-36시간인 것을 특징으로 하는 유기절연막 박리액의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 글리콜 에테르가 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필 렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 트리프로필렌글리콜 모노부틸에테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기절연막 박리액의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 수용성 아민이 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 프로판올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N-에틸프로판올아민, N,N-디에틸프로판올아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기절연막 박리액의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 TMAH 또는 이의 염, 글리콜 에테르, 수용성 아민 및 물을 각각 3 내지 10 중량부, 30 내지 60 중량부, 20 내지 40 중량부 및 9 내지 30 중량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기절연막 박리액의 제조방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 유기절연막 박리액의 제조방법에 의하여 제조된 유기절연막 박리액.
  8. 제7항 기재의 유기절연막 박리액에 유기절연막을 함유하는 기판을 침지시켜 기판으로부터 유기절연막을 박리시키는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 유기절연막이 티에프티 엘시디(TFT-LCD)용 네가티브형 유기절연막인 것을 특징으로 하는 기판으로부터 유기절연막을 박리시키는 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005089746A (ja) * 2002-05-23 2005-04-07 Air Products & Chemicals Inc 微細構造体の洗浄剤組成物
JP2006108446A (ja) * 2004-10-06 2006-04-20 Kao Corp 剥離剤組成物
KR20070003772A (ko) * 2003-10-22 2007-01-05 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 석영 코팅된 폴리실리콘 및 기타 물질을 세정하기 위한비스-콜린 및 트리스-콜린의 사용법
KR20090032640A (ko) * 2007-09-28 2009-04-01 삼성전자주식회사 박리 조성물 및 박리 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005089746A (ja) * 2002-05-23 2005-04-07 Air Products & Chemicals Inc 微細構造体の洗浄剤組成物
KR20070003772A (ko) * 2003-10-22 2007-01-05 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 석영 코팅된 폴리실리콘 및 기타 물질을 세정하기 위한비스-콜린 및 트리스-콜린의 사용법
JP2006108446A (ja) * 2004-10-06 2006-04-20 Kao Corp 剥離剤組成物
KR20090032640A (ko) * 2007-09-28 2009-04-01 삼성전자주식회사 박리 조성물 및 박리 방법

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