KR20100131760A - 대면적 가스분사장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 대면적 공정챔버에서의 샤워헤드의 열변형을 용이하게 완충할 수 있고, 챔버 내의 중심부와 가장자리부에서의 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있는 가스분사장치에 관한 것으로서, 기판이 장착되는 히터블럭의 상부에 설치되며 복수의 가스분사홀을 가지는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드의 상부에 일정 거리 이격되어 설치되며 가스공급원으로부터 공급된 반응가스가 유입되는 제 1 가스관통홀을 가지는 가스박스와, 상기 가스박스에 삽입되고 상기 샤워헤드에 고정 연결되어 상기 샤워헤드를 지지하는 샤워헤드지지부를 포함하여 구성되며, 상기 샤워헤드지지부는, 가스공급원으로부터 공급된 반응가스가 유입되는 제 2 가스관통홀을 가지며 상기 가스박스에 삽입되는 상부블럭과, 상기 상부블럭에 체결되고 상기 샤워헤드에 고정연결되며 상기 샤워헤드의 상기 가스분사홀에 연통하는 복수의 제 3 가스관통홀을 가지는 하부블럭으로 구성되어, 대형화된 기판처리장치에 있어서도 열변형에 의한 샤워헤드의 중앙부의 처짐을 방지할 수 있고, 샤워헤드와 가스박스의 두께를 얇게 구성할 수 있고, 반응가스들의 가스유입경로를 다르게 구성하고 가스박스에 복수의 가사관통홀을 구비함으로써 반응가스를 균일하게 확산시킬 수 있고 챔버 내의 중심부와 가장자리부에서의 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있다.

Description

대면적 가스분사장치{GAS INJECTION APPARATUS FOR LARGE PROCESSING CHAMBER}

본 발명은 가스분사장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 대면적 공정챔버에서의 샤워헤드의 열변형을 용이하게 완충할 수 있고, 챔버 내의 중심부와 가장자리부에서의 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있는 가스분사장치에 관한 것이다.

일반적으로 기판처리장치는 기판(웨이퍼)의 표면에 반응가스를 반응시켜서 원자 또는 분자 단위로 기판표면에 박막을 형성시키고 있다.

이러한 박막의 형성은, 공정챔버의 내부로 반응가스가 유입되고, 반응가스가 기판 상면에 균일하게 분포될 수 있도록 다수의 관통홀이 형성된 샤워헤드를 통하여 반응가스를 분사하여 기판상에 물질막을 증착시킴으로써 이루어진다. 최근에는 이러한 반응가스의 이온 또는 라디컬의 생성에 의해 용이하게 반응하도록 하기 위하여 챔버 외부의 고전압의 에너지를 이용하여 반응가스를 플라즈마 상태로 여기시킨 상태에서 반응가스들의 화학반응을 유도하는 플라즈마 강화 화학기상증착방식이 널리 이용되고 있다.

도 1은 종래기술에 의한 기판처리장치를 나타낸 것이다. 종래의 기판처리장치는 챔버(100)와, 상기 챔버의 상부에 마련되며 중앙에 가스관통홀이 형성된 가스박스(200)와, 상기 가스박스의 하부에 마련되어 상기 가스박스를 통해 유입된 반응가스를 분사시키는 샤워헤드(300)와, 상기 챔버(100)내의 하부에 마련되어 기판(W)을 안착시키는 히터블럭(400)과, 배기수단으로 구성되며, 상기 챔버(100)의 일측벽 또는 양측벽에는 기판출입구(110)가 형성되어, 상기 기판출입구(110)를 통하여 기판(W)이 이송수단에 의해 반입 및 반출된다.

상기 기판처리장치에 있어서, 반응가스는 외부의 가스공급원으로부터 공급되어 상기 가스박스에 마련된 가스관통홀을 통하여 유입되고, 상기 가스박스에 마련된 가스확산판(201)을 통하여 상기 샤워헤드 상부로 확산된 후, 상기 샤워헤드에 형성된 다수의 분사노즐을 통해 기판(W)의 상면으로 균일하게 분사되도록 구성되어 있다.

또한, 상기 샤워헤드는 상기 기판상에 박막을 증착하기 위하여 챔버내에서 상기 히터블럭에 의한 가열 및 플라즈마 상태의 형성을 위한 외부 고전압 에너지원의 공급 등에 의해 고온의 환경하에 놓이기 때문에, 상기 샤워헤드의 가장자리에는 완충부재(202)를 상기 샤워헤드에 장착하여 샤워헤드의 열변형을 흡수하도록 구성하고 있다.

그러나, 최근 생산력의 증대를 위하여 기판의 크기가 대형화됨에 따라 기판처리장치도 대형화되고 있는 추세이고, 이러한 대형화된 기판처리장치에 적용하기 에는 상기 종래의 기판처리장치는 여러 가지 문제점을 가지고 있다.

기판처리장치가 대형화됨에 따라, 상기 샤워헤드의 크기도 커지게 되고 이에 따라 상기 샤워헤드의 두께도 또한 커지게 되고 이에 따라 제조비용이 증가하게 되며, 상기 히터블럭에 의한 가열 및 플라즈마 상태의 형성을 위한 외부 고전압 에너지원의 공급 등에 의해 고온의 환경하에 놓인 샤워헤드의 중앙부가 열변형에 의해 처지기 쉽다고 하는 문제점이 있다. 또한, 샤워헤드의 열변형이 커짐에 따라 종래의 기판처리장치에 있어서의 박판의 완충부재만으로는 박판의 완충부재의 변형량에 한계가 있기 때문에 샤워헤드의 열변형을 충분히 흡수하기 어렵다고 하는 문제점이 있었다.

또한, 상기 종래의 기판처리장치에 있어서는, 상기 가스박스의 중앙부에 마련된 가스확산판을 통해 반응가스를 확산시키기 때문에, 대형화된 샤워헤드의 중앙부와 가장자리부에 있어서 반응가스들이 균일하게 확산되지 못함에 따라 균일한 플라즈마를 발생시키기 어렵고 이에 따라 기판상에 균일한 박막을 증착시키기 어렵다고 하는 문제점이 있었다.

본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 본 발명의 목적은 대형화된 기판처리장치에 있어서도 열변형에 의한 샤워헤드의 중앙부의 처짐을 방지할 수 있고, 샤워헤드의 열변형을 용이하게 완충할 수 있는 가스분사장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 대형화된 기판처리장치에서도 샤워헤드와 가스박스의 두께를 얇게 구성할 수 있는 가스분사장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 대형화된 기판처리장치에 있어서도 챔버 내의 중심부와 가장자리부에서의 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있는 가스분사장치를 제공하는 것이다.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 가스분사장치는, 반응공간을 형성하는 반응챔버 내에 설치되는 대면적 가스분사장치에 있어서, 기판이 장착되는 히터블럭의 상부에 설치되며 복수의 가스분사홀을 가지는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드의 상부에 일정 거리 이격되어 설치되며 가스공급원으로부터 공급된 반응가스가 유입되는 제 1 가스관통홀을 가지는 가스박스와, 상기 가스박스와 상기 샤워헤드 사이에 체결되어 상기 샤워헤드를 지지하는 샤워헤드지지부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 샤워헤드지지부는 상기 샤워헤드의 중심부에서 연결되는 것이 특징으로 한다.

또한, 상기 샤워헤드지지부는, 가스공급원으로부터 공급된 반응가스가 유입되는 제 2 가스관통홀을 가지며 상기 가스박스에 삽입되는 상부블럭과, 상기 상부블럭에 체결되고 상기 샤워헤드에 고정연결되며 상기 샤워헤드의 상기 가스분사홀에 연통하는 복수의 제 3 가스관통홀을 가지는 하부블럭으로 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 샤워헤드지지부는, 가스공급원으로부터 공급된 반응가스가 유입되는 제 2 가스관통홀을 가지며 상기 가스박스에 삽입되는 상부블럭과, 상기 상부블럭에 체결되며 상기 샤워헤드에 삽입 체결되며, 상기 가스분사홀에 연통하는 복수의 제 4 가스관통홀을 가지는 하부블럭으로 구성되는 것을 특징으로 한다.

상기 상부블럭은 하부면으로부터 상부측으로 오목하게 절개되어 형성된 가스확산부를 구비하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 샤워헤드지지부와 상기 가스박스는 서로 전기적으로 절연되어 있고, 상기 샤워헤드는 상기 반응챔버 및 상기 가스박스와 전기적으로 절연되어 있는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 샤워헤드는 상기 반응챔버의 하부챔버에 얹혀 놓여지며 상기 샤워헤드의 외주면은 상기 반응챔버의 상부챔버와 일정거리 이격되어 있는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 반응챔버의 상부챔버와 하부챔버 사이에 설치되는 완충하우징을 더욱 구비하며, 상기 완충하우징은, 상기 하부챔버의 외주면보다 외측으로 돌출되어 형성되도록 구성되고, 상기 반응챔버의 내측으로 돌출되어 형성되며, 상기 가스박스가 얹혀 놓여지는 수평연장부를 더욱 구비하는 것을 특징으로 한다.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 가스분사장치에 의하면, 대형화된 기판처리장치에 있어서도 상술한 샤워헤드지지부의 구성에 의해 열변형에 의한 샤워헤드의 중앙부의 처짐을 방지할 수 있고, 대형화된 기판처리장치에서도 샤워헤드와 가스박스의 두께를 얇게 구성할 수 있다.

또한, 외부의 가스공급원으로부터 공급되는 서로 다른 반응가스들의 가스유입경로를 다르게 구성하고 가스박스에 복수의 가사관통홀을 구비함으로써 반응가스를 균일하게 확산시킬 수 있고 이에 따라 대형화된 기판처리장치에 있어서도 챔버 내의 중심부와 가장자리부에서의 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있다.

또한, 상기 가스박스와 상기 샤워헤드지지부를 절연시키고, 샤워헤드지지부와 샤워헤드에만 전원이 인가되도록 구성함으로써 플라즈마의 생성에 소요되는 전력의 손실을 방지할 수 있는 이점이 있다.

또한, 샤워헤드를 하부챔버에 얹어놓고 상기 완충하우징을 형성함으로써, 별도의 완충부재를 설치하지 않고도 상기 샤워헤드의 전기적 특성 및 열변형을 고려하여 적절하게 조정하여 대형화된 샤워헤드의 열변형을 흡수할 수 있고, 상기 완충하우징의 수평연장부에 가스박스를 설치함으로써 가스박스에 의해 샤워헤드에 가 해지는 하중부담을 줄일 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 기판처리장치에 대하여 실시예로써 상세하게 설명한다.

도 2는 본 발명에 의한 가스분사장치를 나타내는 도면, 도 3은 본 발명의 샤워헤드지지부를 나타내는 도면, 도 5는 본 발명의 샤워헤드를 나타내는 도면이다.

도 2, 3 및 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 의한 가스분사장치(1)는 반응챔버(2) 내에 설치된다.

상기 반응챔버(2)는 상부가 개구된 하부챔버(2a)와, 상부챔버(2b)로 구성되며, 상기 하부챔버(2a)와 상기 상부챔버(2b)는 반응챔버내의 반응가스가 누출되지 않도록 O-링 등에 의해 밀실하게 연결되어 있다.

상기 반응챔버(2) 내에는 상기 가스분사장치(1)와, 상기 반응챔버(2)내의 하부에 마련되어 기판(W)을 안착시키는 히터블럭(3)과, 배기수단(도시하지 않음)으로 구성되며, 상기 반응챔버(2)의 일측벽 또는 양측벽에는 기판출입구(도시하지 않음)가 형성되어, 상기 기판출입구를 통하여 기판(W)이 이송수단에 의해 반입 및 반출된다.

상기 가스분사장치(1)는 샤워헤드(10)와, 가스박스(20)와, 샤워헤드지지부 (30)로 구성된다.

상기 샤워헤드(10)는 기판(W)이 장착되는 상기 히터블럭(3)의 상부에 설치된다. 상기 샤워헤드(10)에는 복수의 가스분사홀(11)이 마련되며, 상기 가스분사홀(11)을 통하여 확산된 반응가스가 상기 기판(W) 상면을 향하여 분사된다.

상기 샤워헤드(10)는 상기 하부챔버(2a)에 얹혀 놓여지는 방식으로 상기 반응챔버(2) 내에 설치된다. 또한, 상기 반응챔버(2)의 상기 상부챔버(2b)와 상기 하부챔버(2a) 사이에는 완충하우징(40)을 설치할 수 있다. 상기 완충하우징(40)의 외측면은 상기 상부챔버(2b)의 외주면과 동일한 면을 형성하고, 상기 하부챔버(2a)의 외주면보다는 외측으로 돌출되어 형성되도록 구성되며, 완충하우징 받침대(40b)에 의해 지지되어, 상기 하부챔버(2a)에 얹혀 놓여진 상기 샤워헤드(10)의 가장자리와 상기 완충하우징(40)의 내측면과의 사이에 일정 간격의 이격거리 L이 형성될 수 있도록 구성되어 있다.

또한, 상기 완충하우징(40)은 상기 반응챔버(2)의 내측으로 돌출되어 형성된 수평연장부(40a)를 구비하여, 상기 수평연장부(40a)의 상부에 후술하는 가스박스(20)의 가장자리가 얹혀 놓여진다.

또한, 상기 완충하우징(40)과 상기 하부챔버(2a)와의 사이 및 상기 수평연장부(40a)와 상기 가스박스(20) 사이에는 밀봉부재(41, 42)를 설치하여 반응가스가 누설되는 것을 방지한다.

상술한 바와 같이, 상기 샤워헤드(10)를 상기 하부챔버(2a)에 얹어 놓고, 상기 완충하우징(40)과 상기 샤워헤드(10) 사이에 이격거리를 형성하여 둠으로써, 별도의 완충부재를 설치하지 않고도 이격거리 L의 값만 상기 샤워헤드의 전기적 특성 및 열변형을 고려하여 적절하게 조정하여 대형화된 샤워헤드의 열변형을 흡수할 수 있다.

또한, 상기 완충하우징(40)의 상기 수평연장부(40a)에 상기 가스박스(20)를 설치함으로써 상기 가스박스(20)에 의해 상기 샤워헤드(10)에 가해지는 하중부담을 줄일 수 있다.

상기 샤워헤드(10)의 가장자리의 상하부에는 제 1 절연체(12a, 12b)가 마련된다. 상기 제 1 절연체(12a, 12b)는 상기 반응챔버(2)와 상기 샤워헤드(10)를 전기적으로 절연된 상태가 되도록 한다.

상기 샤워헤드(10)의 상부에는 상기 샤워헤드(10)와 일정거리 이격되어 가스박스(20)가 설치된다. 상기 가스박스(20)에는 복수의 제 1 가스관통홀(21)이 마련되어, 상기 제 1 가스관통홀(21)을 통하여 외부의 가스공급원(S)으로부터 반응가스가 유입된다.

또한, 상기 가스박스(20)의 상부에는 가스박스리드(23)를 마련하고, 상기 가스박스리드(23)에는 관통홀을 설치하여 외부의 가스공급원(S)으로부터 유입된 반응가스가 일차적으로 상기 가스박스리드(23)내에서 확산되도록 구성하여 반응가스가 보다 원활하게 확산될 수 있도록 구성할 수 있다. 또한, 상기 가스박스리드(23)와 상기 가스박스(20) 사이에는 밀봉부재(22)를 설치하여 반응가스가 외부로 누설되는 것을 방지한다.

상기 가스박스(20)와 상기 샤워헤드(10)는 후술하는 하부블럭에 의해 이격되어, 상기 제 1 가스관통홀(21)을 통과한 반응가스가 확산될 수 있는 제 1 가스확산공간(20a)이 형성된다.

상기 가스박스(20) 및 상기 샤워헤드(10)의 중앙부에는 상기 가스박스(20)에 삽입되고 상기 샤워헤드(10)에 고정 연결되어 상기 샤워헤드(10)를 지지하는 샤워헤드지지부(30)가 설치된다.

상기 샤워헤드지지부(30)는, 상기 가스박스(20)에 삽입되는 상부블럭(31)과, 상기 상부블럭(31)에 체결되고 상기 샤워헤드(10)에 고정연결되는 하부블럭(34)으로 구성된다. 상기 상부블럭(31)과 상기 하부블럭(34)을 분리하여 구성함으로써, 후술하는 가스확산공간 및 가스관통홀의 형성이 용이하므로 제조비용을 절감할 수 있다.

또한, 상술한 바와 같이, 외부의 복수의 가스공급원으로부터 공급되는 유입라인을 복수의 라인으로 각각 형성함으로써, 챔버 내에서의 공정 조건을 변화시키기 용이하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 중심부와 주변부의 증착되는 막두께의 조절시 어느 하나만을 조절하여 그 부분의 조건을 변화시킬 수 있도록 구성되어 챔버 내의 공정 조건에 따라서 유입되는 가스의 양과 압력을 다양하게 조절할 수 있다.

상기 상부블럭(31)과 상기 가스박스(20)의 사이에는 제 2 절연체(32)가 마 련된다. 이로써, 분사된 반응가스를 플라즈마 상태로 여기시키기 위하여 필요한 에너지를 공급하는 RF전원은 상기 상부블럭(31)과 상기 하부블럭(34)과 상기 샤워헤드(10)에만 연결된다.

상기 가스박스(20)와 상기 샤워헤드지지부(30)를 절연시키고, 상기 샤워헤드지지부(30)와 상기 샤워헤드(10)에만 전원이 인가되도록 구성함으로써, 종래기술에서와 같이 가스박스에 전원이 인가되지 않아도 되므로 플라즈마의 생성에 소요되는 전력의 손실을 방지할 수 있다.

한편, 상기 상부블럭(31)에는 제 2 가스관통홀(31a)이 마련되어, 상기 제 2 가스관통홀(31a)을 통하여 외부의 가스공급원(S)으로부터 반응가스가 유입된다. 이와 같이, 가스공급원(S)으로부터 공급되는 반응가스들을 분리하여 공급함으로써 반응가스들이 미리 반응하여 샤워헤드에 적층되거나 오염물질로 남아 배출되는 등의 문제점을 방지할 수 있다.

또한, 상기 상부블럭(31)의 하부에는 상기 상부블럭(31)의 하부면으로부터 상부측으로 오목하게 절개되어 형성된 가스확산부(33)가 마련된다. 상기 가스확산부(33)에 의해 상기 제 2 가스관통홀(31a)을 통하여 유입된 반응가스가 확산되는 제 2 가스확산공간(33a)이 형성된다.

상기 상부블럭(31)의 하부에는 하부블럭(34)이 볼트 등의 고정수단(35a)에 의해 체결된다. 또한, 상기 하부블럭(34)은 볼트 등의 고정수단(35b)에 의해 상기 샤워헤드(10)에 체결되어, 상기 샤워헤드지지부(30)는 상기 샤워헤드(10)의 중앙부를 지지할 수 있도록 구성된다.

상기 제 2 가스확산공간(33a)에 대응하는 상기 하부블럭(34)의 영역에는 복수의 제 3 가스관통홀(34a)이 마련된다. 상기 제 3 가스관통홀(34a)은 상기 샤워헤드(10)의 상기 가스분사홀(11)과 서로 연통하도록 구성되어, 상기 제 2 가스확산공간(33a)에서 확산된 반응가스가 상기 제 3 가스관통홀(34a) 및 상기 가스분사홀(11)을 통하여 기판의 상면을 향하여 분사된다.

상술한 바와 같이, 상기 상부블럭(31) 및 상기 하부블럭(34)에 의해 상기 샤워헤드(10)의 중앙부를 지지할 수 있으므로, 대형화된 샤워헤드에 있어서도 열변형에 의한 샤워헤드의 중앙부의 처짐을 방지할 수 있고, 열변형 및 하중에 의한 샤워헤드의 처짐이 방지될 수 있기 때문에 샤워헤드와 가스박스의 두께를 얇게 구성할 수 있다.

본 실시예에 있어서는 상기 하부블럭(34)은 상기 샤워헤드(10)에 볼트 등의 고정수단에 의해 체결되는 것을 예로 하였으나 반드시 이에 한정되지 않고 하부블럭을 상기 샤워헤드(10) 내에 압입하는 방식으로 설치할 수도 있다.

도 5는 본 발명의 샤워헤드지지부의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 있어서 상기 샤워헤드지지부(30)의 상기 상부블럭(31)의 구성은 동일하다.

본 실시예에 있어서, 상기 샤워헤드지지부(30)의 하부블럭(34')은 상기 샤 워헤드(10)에 삽입되도록 구성된다. 상기 하부블럭(34')에는 상기 샤워헤드(10)의 상기 가스분사홀(11)에 연통하는 복수의 제 4 가스관통홀(34a')이 형성되어 있다. 또한, 상기 하부블럭(34')의 하부에는 플랜지부(36)를 형성하여, 상기 하부블럭(34')과 상기 샤워헤드(10)가 보다 밀실하게 체결되도록 구성한다.

상술한 바와 같이 구성함으로써, 상기 샤워헤드(10)가 상기 하부블럭(34')에 의해 보다 안정되게 지지될 수 있도록 구성할 수 있다.

본 실시예는 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타낸 것에 불과하며, 본 발명의 명세서에 포함된 기술적 사상의 범위내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 기술적 사상에 포함되는 것은 자명하다.

도 1은 종래기술에 의한 기판처리장치를 나타내는 도면이다.

도 2는 본 발명에 의한 가스분사장치를 나타내는 도면이다.

도 3은 본 발명의 샤워헤드지지부를 나타내는 도면이다.

도 4는 본 발명의 샤워헤드지지부의 다른 예를 나타내는 도면이다.

도 5는 본 발명의 샤워헤드를 나타내는 도면이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 가스분사장치

2 : 반응챔버

3 : 히터블럭

10 : 샤워헤드

20 : 가스박스

30 : 샤워헤드지지부

31 : 상부블럭

34 : 하부블럭

40 : 완충하우징

Claims (8)

1. 반응공간을 형성하는 반응챔버 내에 설치되는 대면적 가스분사장치에 있어서,

   기판이 장착되는 히터블럭의 상부에 설치되며 복수의 가스분사홀을 가지는 샤워헤드와,

   상기 샤워헤드의 상부에 일정 거리 이격되어 설치되며 가스공급원으로부터 공급된 반응가스가 유입되는 제 1 가스관통홀을 가지는 가스박스와,

   상기 가스박스와 상기 샤워헤드 사이에 체결되어 상기 샤워헤드를 지지하는 샤워헤드지지부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 대면적 가스분사장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 샤워헤드지지부는 상기 샤워헤드의 중심부에서 연결되는 것이 특징으로 하는 대면적 가스분사장치
3. 제 1 항에 있어서, 상기 샤워헤드지지부는,

   가스공급원으로부터 공급된 반응가스가 유입되는 제 2 가스관통홀을 가지며 상기 가스박스에 삽입되는 상부블럭과,

   상기 상부블럭에 체결되고 상기 샤워헤드에 고정연결되며 상기 샤워헤드의 상기 가스분사홀에 연통하는 복수의 제 3 가스관통홀을 가지는 하부블럭으로 구성되는 것을 특징으로 하는 대면적 가스분사장치.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 샤워헤드지지부는,

   가스공급원으로부터 공급된 반응가스가 유입되는 제 2 가스관통홀을 가지며 상기 가스박스에 삽입되는 상부블럭과,

   상기 상부블럭에 체결되며 상기 샤워헤드에 삽입 체결되며, 상기 가스분사홀에 연통하는 복수의 제 4 가스관통홀을 가지는 하부블럭으로 구성되는 것을 특징으로 하는 대면적 가스분사장치.
5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,

   상기 상부블럭은 하부면으로부터 상부측으로 오목하게 절개되어 형성된 가스확산부를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 샤워헤드지지부와 상기 가스박스는 서로 전기적으로 절연되어 있고, 상기 샤워헤드는 상기 반응챔버 및 상기 가스박스와 전기적으로 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적 가스분사장치.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 샤워헤드는 상기 반응챔버의 하부챔버에 얹혀 놓여지며,

   상기 샤워헤드의 외주면은 상기 반응챔버의 상부챔버와 일정거리 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적 가스분사장치.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 반응챔버의 상부챔버와 하부챔버 사이에 설치되는 완충하우징을 더욱 구비하며,

   상기 완충하우징은, 상기 하부챔버의 외주면보다 외측으로 돌출되어 형성되도록 구성되고, 상기 반응챔버의 내측으로 돌출되어 형성되며, 상기 가스박스가 얹혀 놓여지는 수평연장부를 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 대면적 가스분사장치.

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