KR20100131117A - 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법 - Google Patents

유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법 Download PDF

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KR20100131117A
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Abstract

본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법은, 투명 기판 상에 차광막을 형성하는 단계와; 상기 차광막 상에 전자빔 레지스트를 도포하는 단계와; 소정의 가속전압을 갖는 전자빔을 상기 전자빔 레지스트 상의 특정 패턴을 따라 벡터 스캔(vector scan) 방식의 노광을 수행하는 단계와; 상기 노광된 전자빔 레지스트를 현상하여 상기 특정 패턴의 전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 전자빔 레지스터 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 차광막을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 특정 패턴은 유기전계 발광 표시장치의 각 화소에 구비되는 트랜지스터, 커패시터를 구성하는 소자에 대응되는 형태로 구현됨을 특징으로 한다.

Description

유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법{fabrication method of photo mask for Organic Light Emitting Display}
본 발명은 유기전계 발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 CD(Critical Dimension) 산포의 영향에 의해 발생되는 가로줄 형태 얼룩의 표시 품위 저하를 방지하기 위한 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.
최근에, 음극선관(CRT: Cathode Ray Tube)의 무게와 크기의 문제점을 해결하여 소형 경량화의 장점을 가지고 있는 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)가 주목받고 있다. 이러한 평판표시장치는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 유기전계 발광 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode), 전계방출 표시장치(FED: Field Emitter Display) 및 플라즈마 표시장치(PDP: Plasma Display Panel) 등이 있다.
그리고, 이와 같은 평판표시장치 중에서도 유기전계 발광 표시장치는 다른 평판표시장치보다 사용온도 범위가 넓고, 충격이나 진동에 강하며, 시야각이 넓고, 응답속도가 빨라 깨끗한 동화상을 제공할 수 있다는 등의 장점을 가지고 있어서 향후 차세대 평판표시장치로 주목 받고 있다.
상기 유기 전계발광 표시장치는 유기물 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합(recombination)하여 여기자(exciton)를 형성하고 형성된 여기자로부터 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한 표시장치로서, 자체 발광소자를 이용하여 구성되므로 액정표시장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않고, 유기 전계발광 표시장치를 구성하는 유기 발광 소자의 휘도는 유기 발광 소자에 흐르는 전류량에 의하여 제어된다는 특징을 가지고 있다.
보다 구체적으로 설명하면 액정표시장치는 전압 구동 방식으로 주사신호가 인가되는 기간에 원하는 데이터 전압이 인가되면 되지만, 유기전계 발광 표시장치는 이전 프레임에서 다음 프레임으로 바뀌기 전까지 이전 프레임에 의한 화면이 디스플레이되도록 각 화소의 유기 발광소자에 흐르는 전류를 일정하게 유지시켜야 한다.
즉, 유기전계 발광 표시장치는 유기 발광소자에 흐르는 전류량에 의해 휘도가 제어되기 때문에 각각의 화소를 형성함에 있어 보다 정밀한 증착 공정 수행이 요구된다.
상기 유기전계 발광 표시장치의 각 화소는 트랜지스터, 커패시터 등의 다양한 구성요소가 포함되어 구성되는데, 이는 섀도우 마스크(Shadow Mask) 또는 파인 메탈 마스크(FMM: Fine Metal Mask)를 이용한 증착 공정을 통해 형성된다.
이 경우 상기 포토마스크를 통한 증착 공정 수행 시 발생되는 CD(Critical Dimension) 산포의 영향으로 각 화소별 커패시터의 용량이 조금씩 차이가 생길 수 있다.
일 예로 각 화소영역 별로 주사선 상에 형성된 커패시터의 경우 상기 커패시터의 전극 형성 시 발생되는 CD 산포에 따라 가로줄 형태 얼룩이 발생되는 문제가 발견되고 있다.
이와 같은 유기전계 발광 표시장치의 특성 상 유기전계 발광 표시장치를 제조하는 공정에 사용되는 포토마스크의 CD 산포 영향을 줄이기 위해서는 포토마스크의 공차(tolerance)를 낮게 즉, 포토마스크를 보다 정밀하게 제작하는 방법이 요구된다.
본 발명은 포토마스크를 제조함에 있어서, 상기 포토마스크를 전자빔을 이용한 벡터 스캔 방식으로 제작함으로써 마스크의 CD 산포를 최소화하여 유기전계 발광 표시장치의 가로줄 형태 얼룩과 같은 표시 품위 저하를 방지하는 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법은, 투명 기판 상에 차광막을 형성하는 단계와; 상기 차광막 상에 전자빔 레지스트를 도포하는 단계와; 소정의 가속전압을 갖는 전자빔을 상기 전자빔 레지스트 상의 특정 패턴을 따라 벡터 스캔(vector scan) 방식의 노광을 수행하는 단계와; 상기 노광된 전자빔 레지스트를 현상하여 상기 특정 패턴의 전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 전자빔 레지스터 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 차광막을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 특정 패턴은 유기전계 발광 표시장치의 각 화소에 구비되는 트랜지스터, 커패시터를 구성하는 소자에 대응되는 형태로 구현됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 유기전계 발광 표시장치의 각 화소는 6개의 트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하여 구성되며, 상기 특정 패턴은 유기전계 발광 표시장치의 각 화소에 구비되는 부스팅 커패시터의 상부 또는 하부 전극의 패턴에 대응되는 형태로 구현됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 전자빔의 가속전압은 50keV 이상임을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크를 전자빔을 이용한 벡터 스캔 방식으로 제작함으로써 마스크의 CD 산포를 최소화하여 유기전계 발광 표시장치의 가로줄 형태 얼룩과 같은 표시 품위 저하를 방지하는 장점이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하도록 한다.
단, 본 발명의 실시예에 대한 설명에 앞서 유기전계 발광 표시장치의 화소에 대한 회로도 및 상기 화소에 구비되는 커패시터의 단면도를 통해 유기전계 발광 표시장치를 제조함에 있어 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크에 대한 CD 산포 최소화의 필요성에 대해 설명한다.
도 1은 유기전계 발광 표시장치의 각 화소에 대한 회로도이다.
단, 도 1에 도시된 화소 회로는 하나의 실시예로서 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치용 마스크에 의해 형성되는 화소 회로가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 화소(140)들 각각은 유기 발광 다이오드(OLED)와, 데이터선(D), 주사선(Sn) 및 발광 제어선(En)에 접속되어 유기 발광 다이오드(OLED)를 제어하기 위한 화소회로(142)를 구비한다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극은 화소회로(142)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 제 2전원(ELVSS)은 제 1전원(ELVDD)보다 낮은 전압으로 설정된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로(142)로부터 공급되는 전류량에 대응되어 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 빛을 생성한다.
화소회로(142)는 제 1전원(ELVDD)과 초기화전원(Vint) 사이에 접속되는 스토리지 커패시터(Cst) 및 제 6트랜지스터(M6)와, 제 1전원(ELVDD)과 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 접속되는 제 4트랜지스터(M4), 제 1트랜지스터(M1), 제 5트랜지스터(M5)와, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극과 제 2전극 사이에 접속되는 제 3트랜지스터(M3)와, 데이터선(D)과 제 1트랜지스터(M1)의 제 1전극 사이에 접속되는 제 2트랜지스터(M2)와, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극과 제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극 사이에 접속되는 부스팅 커패시터(Cb)를 구비한다.
여기서, 제 1전극은 드레인전극 및 소오스전극 중 어느 하나로 설정되고, 제 2전극은 제 1전극과 다른 전극으로 설정된다. 예를 들어, 제 1전극이 소오스전극으로 설정되었다면 제 2전극은 드레인전극으로 설정된다. 그리고, 도 1에서 제 1 내지 제 6트랜지스터(M1 내지 M6)들이 P타입 MOSFET로 도시되었지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다만, 제 1 내지 제 6트랜지스터(M1 내지 M6)들이 N타입 MOSFET로 형성되면 당업자에게 널리 알려진 바와 같이 구동파형의 극성이 반전된다.
제 1트랜지스터(M1)의 제 1전극은 제 4트랜지스터(M4)를 경유하여 제 1전 원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제 5트랜지스터(M5)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극은 제 1노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(M1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 전압, 즉, 제 1노드(N1)에 인가되는 전압에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급한다.
제 3트랜지스터(M3)의 제 1전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극에 접속되고, 제 2전극은 제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3)의 게이트전극은 제 n주사선(Sn)에 접속된다. 이와 같은 제 3트랜지스터(M3)는 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 접속시킨다. 즉, 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온될 때 제 1트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 접속된다.
제 2트랜지스터(M2)의 제 1전극은 데이터선(D)에 접속되고, 제 2전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 1전극에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극은 제 n주사선(Sn)에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2)는 제 n주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(D)으로 공급되는 데이터신호를 제 1트랜지스터(M1)의 제 1전극으로 공급한다.
제 4트랜지스터(M4)의 제 1전극은 제 1전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 1전극에 접속된다. 그리고, 제 4트랜지스터(M4)의 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(M4)는 발광 제어신호가 공급되지 않을 때(즉, 로우의 발광 제어신호가 공급될 때) 턴-온되어 제 1전원(ELVDD)과 제 1트랜지스터(M1)를 전기적으로 접속시킨다.
제 5트랜지스터(M5)의 제 1전극은 제 1트랜지스터(M1)에 접속되고, 제 2전극은 유기 발광 다이오드(OLED)에 접속된다. 그리고, 제 5트랜지스터(M5)의 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속된다. 이와 같은 제 5트랜지스터(M5)는 발광 제어신호가 공급되지 않을 때(즉, 로우의 발광 제어신호가 공급될 때) 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1)와 유기 발광 다이오드(OLED)를 전기적으로 접속시킨다.
제 6트랜지스터(M6)의 제 1전극은 스토리지 커패시터(Cst) 및 제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극(즉, 제 1노드(N1))에 접속되고, 제 2전극은 초기화전원(Vint)에 접속된다. 그리고, 제 6트랜지스터(M6)의 게이트전극은 제 n-1주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제 6트랜지스터(M6)는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 1노드(N1)를 초기화한다. 이를 위해, 초기화전원(Vint)의 전압값은 데이터신호의 전압값보다 낮게 설정된다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 1전원(ELVDD)과 제 1노드(N1) 사이에 접속되며, 이는 각 화소별로 입력되는 데이터신호에 대응하는 전압을 저장한다.
또한, 부스팅 커패시터(Cb)는 상기 제 1노드(N1)와 제 n주사선(Sn)의 사이에 접속되며, 이는 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 저장되는 데이터 신호가 원하는 전압보다 낮은 전압이 충전되어 저계조 표현이 정확하지 못함을 극복하기 위해 구비되는 것으로, 주사신호의 공급이 중단될 때 제 1노드(N1)의 전압을 상승시키는 역할을 수행함으로써 이러한 문제를 극복할 수 있게 된다.
도 2는 도 1에 도시된 각 화소에 형성되는 커패시터들을 나타내는 단면도이 다. 단, 도 2에서는 설명의 편의를 위해 커패시터 만을 도시하였으나 실제 각 화소에는 다수의 트랜지스터들이 추가로 형성된다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 화소들 각각에는 기판(210) 상에 형성되어 커패시터들(Cb, Cst)을 이루는 반도체층(212), 제 1전극층(216a), 제 2전극층(216b) 및 제 3전극층(220)이 구비된다. 즉, 커패시터들(Cb, Cst) 중 적어도 하나는 충분한 용량이 확보될 수 있도록 듀얼 커패시터 형태로 형성될 수 있다.
또한, 화소들 각각에는 반도체층(212), 제 1전극층(216a), 제 2전극층(216b) 및 제 3전극층(220)이 절연될 수 있도록 제 1절연막(214), 제 2절연막(218)이 더 구비된다.
먼저, 기판(210) 상에 반도체층(212)이 형성된다. 상기 반도체층(212)은 트랜지스터들의 채널을 이루는 반도체층과 동일 재료로 구현되는 것으로, 상기 트랜지스터 채널과 동시에 형성되며, 이는 커패시터의 하부 전극 역할을 수행하게 된다. 상기 반도체층(212)은 다결정-실리콘(Poly-Si)으로 형성됨이 바람직하다.
기판(212) 상에 반도체층(212)이 형성된 후 반도체층(212) 상에 제 1절연막(214)이 형성된다. 제 1절연막(212)은 이후에 형성되는 제 1전극층(216a), 제 2전극층(216b)과 반도체층(212)을 전기적으로 절연한다.
이후, 스토리지 커패시터(Cst) 형성영역에 제 2전극층(216b)이 형성됨과 동시에 부스팅 커패시터(Cb) 형성영역에 제 1전극층(216a)이 형성된다. 이 경우, 스토리지 커패시터(Cst)의 용량이 부스팅 커패시터(Cb)의 용량보다 크게 설정되기 때문에 제 2전극층(216b)의 길이가 제 1전극층(216a)의 길이보다 길게 설정된다. 한 편, 제 1전극층(216a) 및 제 2전극층(216b)은 트랜지스터들의 게이트전극 및 주사선과 동일 물질로 동시에 형성된다.
특히 상기 제 1전극층(216a)은 도 1에 도시된 바와 같이 주사선과 연결되어 구현된다. 즉, 행 방향로 배열된 주사선에 대하여 상기 주사선에 연결된 각 화소별로 상기 제 1전극층(216a)은 상기 주사선에서 일부 돌출된 형상으로 구현된다.
제 1전극층(216a) 및 제 2전극층(216b)이 형성된 후 제 1전극층(216a) 및 제 2전극층(216b)을 덮도록 제 2절연막(218)이 형성된다. 제 2절연막(218)은 제 1전극층(216a) 및 제 2전극층(216b)과 이후에 형성되는 제 3전극층(220)을 전기적으로 절연한다.
제 2절연막(218)이 형성된 후 제 1전극층(216a) 및 제 2전극층(216b)의 사이에서 반도체층(212)이 노출되도록 콘택홀이 형성된다. 그리고, 콘택홀을 통해 반도체층(212)과 접속되도록 제 3전극층(220)이 형성된다.
여기서, 제 3전극층(220)은 듀얼 커패시터를 구현하기 위해 형성되는 것으로, 스토리지 커패시터(Cst)의 용량이 부스팅 커패시터(Cb)의 용량보다 크게 설정되기 때문에 도시된 바와 같이 상기 제 3전극층(220)은 제 2전극층(216b)과 중첩되는 위치에 형성된다.
이와 같이 제 3전극층(220)이 형성되면 스토리지 커패시터(Cst) 및 부스팅 커패시터(Cb)의 형성이 완료된다.
즉, 부스팅 커패시터(Cb)는 반도체층(212)과 제 1전극층(216a)이 중첩되는 영역을 통해 형성되며, 스토리지 커패시터(Cst)는 반도체층(212)과 제 2전극 층(216b)이 중첨되는 영역 및 제 2전극층(216b)과 제 3전극층(220)이 중첩되는 영역을 통해 형성된다.
도 1 및 도 2를 통해 설명한 화소의 경우 상기 부스팅 커패시터(Cb)의 상부전극(216a)은 주사선에 연결된 형태로 구현된다. 따라서, 상기 부스팅 커패시터(Cb)의 상부 또는 하부 전극 형성 공정 시 CD 산포에 따라 각 주사선 별로 가로줄 형태 얼룩이 발생되는 문제가 발생될 수 있다.
즉, 상기 부스팅 커패시터의 용량을 결정하는 상부 전극 및 하부 전극의 중첩 면적이 상기 CD 산포에 따라 차이가 발생될 수 있으며, 이 경우 부스팅 커패시터의 용량이 상이하게 되어 가로줄 형태 얼룩이 표시될 수 있는 것이다.
유기전계 발광 표시장치는 도 1에 도시된 바와 같이 화소 회로의 구성이 상당히 복잡하여 기판 상에 형성되는 패턴들의 폭 및 그들간의 간격이 상당히 미세하다. 또한, 유기전계 발광 표시장치는 각 화소에 구비된 유기 발광소자에 흐르는 전류량에 의해 휘도가 제어되기 때문에 각각의 화소를 형성함에 있어 보다 정밀한 증착 공정 수행이 요구된다.
본 발명의 실시예는 이러한 문제를 극복하기 위하여 상기 부스팅 커패시터의 전극 등을 형성하는데 사용되는 포토마스크의 CD 산포를 최소화하기 위한 마스크의 제조 방법을 제공한다.
즉, 본 발명의 실시예는 전자빔을 이용한 벡터 스캔 방식으로 포토마스크를 제작하여 이를 통해 보다 정밀하게 유기전계 발광 표시장치의 증착 공정을 수행함으로써, 유기전계 발광 표시장치의 표시 품질 저하 문제를 극복할 수 있게 된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3을 참조하면, 먼저 포토마스크의 기판으로 투명기판을 준비한다. 상기 투명기판에는 주로 유리나 석영기판이 사용된다(S 300).
상기 투명기판 상에 차광막을 형성한다. 차광막의 재질로는 주로 크롬이 사용된다. 필요에 따라 위상반전마스크를 제조하기 위해서는 상기 차광막 위 또는 아래, 또는 상기 차광막을 대신하여 MoSiON 등의 물질로 이루어진 위상반전막을 형성할 수 있다(S 310).
상기 차광막 및/또는 위상반전막은 스퍼터링이나 화학기상증착에 의해 증착될 수 있다.
이어서, 상기 차광막 상에 전자빔 레지스트를 도포한다(S 320).
상기 전자빔 레지스트는 네거티브(negative)형이거나 포지티브(positive) 형일 수 있는데, 포지티브형은 후속의 현상공정에서 노광된 부분이 현상되어 제거되며, 네거티브형은 노광된 부분이 잔류하여 패턴을 형성하게 된다.
본 발명의 실시예의 경우 상기 패턴은 유기전계 발광 표시장치의 각 화소에 구비되는 트랜지스터, 커패시터를 구성하는 소자에 대응되는 형태로 구현됨을 특징으로 한다.
일 예로 앞서 도 1 및 도 2를 통해 설명한 바와 같이 각 화소에 구비되는 부스팅 커패시터의 상부 및/또는 하부 전극의 패턴에 대응되도록 상기 전자빔 레지스트의 패턴이 형성된다.
다음으로, 상기 전자빔 레지스트가 도포된 포토마스크를 노광한다(S 330).
본 발명의 실시예의 경우 상기 노광 공정을 수행함에 있어 높은 가속전압의 전자빔으로 후속의 식각공정에서 형성될 소정의 물질층(예컨대 차광막) 패턴을 따라 노광(이하 패턴 노광)함을 특징으로 한다. 이 때, 상기 전자빔의 가속전압은 50keV 이상임이 바람직하다.
이와 같이 높은 가속전압의 전자빔은 전자빔이 조사되는 영역 주위로 산란되는 범위(scattering range)가 좁아 높은 해상도의 패턴을 얻을 수 있게 된다.
즉, 본 발명의 실시예의 경우 벡터 스캔(vector scan) 방식으로 노광을 수행함을 특징으로 하며, 이를 통해 보다 정밀한 포토마스크 패턴 형성이 가능하므로 포토마스크의 CD 산포를 최소화할 수 있게 된다.
다음으로, 상기 노광된 전자빔 레지스트를 현상액으로 현상하여 전자빔 레지스트 패턴을 형성한다(S 340).
이어서, 상기 전자빔 레지스트 패턴을 식각마스크로 전자빔 레지스트 하부의 차광막 및/또는 위상반전막을 식각하여 포토마스크를 제조할 수 있다(S 350).
여기서, 현상공정 및 식각공정은 전자빔 레지스트, 차광막 및/또는 위상반전막의 재질에 따라 달라지나, 이 분야의 통상의 숙련자에게는 널리 알려진 기술이므로 별도로 설명하지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치의 각 화소에 대한 회로도.
도 2는 도 1에 도시된 각 화소에 형성되는 커패시터들을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조 방법을 나타내는 순서도.

Claims (4)

  1. 투명 기판 상에 차광막을 형성하는 단계와;
    상기 차광막 상에 전자빔 레지스트를 도포하는 단계와;
    소정의 가속전압을 갖는 전자빔을 상기 전자빔 레지스트 상의 특정 패턴을 따라 벡터 스캔(vector scan) 방식의 노광을 수행하는 단계와;
    상기 노광된 전자빔 레지스트를 현상하여 상기 특정 패턴의 전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 전자빔 레지스터 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 차광막을 식각하는 단계를 포함하며,
    상기 특정 패턴은 유기전계 발광 표시장치의 각 화소에 구비되는 트랜지스터, 커패시터를 구성하는 소자에 대응되는 형태로 구현됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 유기전계 발광 표시장치의 각 화소는 6개의 트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 특정 패턴은 유기전계 발광 표시장치의 각 화소에 구비되는 부스팅 커패시터의 상부 또는 하부 전극의 패턴에 대응되는 형태로 구현됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 전자빔의 가속전압은 50keV 이상임을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치용 포토마스크 제조방법.
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