KR20100130830A - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 부피를 줄임으로써 트랜스퍼 모듈 챔버 이송의 편의가 도모되며, 생산라인에 화학 기상 증착 장치의 장착 및 보수 작업시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼 모듈 챔버 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to facilitate the transfer of the transfer module chamber by reducing the volume of the side transfer module chamber, and to reduce the installation and maintenance work time of the chemical vapor deposition apparatus in the production line In addition, the present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus capable of reducing the volume of the space inside the transfer module chamber, thereby shortening the pumping time and efficiently improving the productivity of the substrate.
평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.Flat panel displays are widely used in personal handheld terminals, as well as TVs and computer monitors.
이러한 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.Such flat displays include liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting diodes (OLEDs).
이들 중에서, 특히 LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.Among them, liquid crystal displays (LCDs) inject liquid crystals, which are solid and liquid intermediates, between two thin upper and lower glass substrates, and generate contrast by changing the arrangement of liquid crystal molecules by the electrode voltage difference between the upper and lower glass substrates. It is a device using a kind of optical switch phenomenon to display an image.
LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다.LCDs are now widely used in electronic clocks, electronic calculators, TVs, notebook PCs, electronic products, automobiles, aircraft speed displays and driving systems.
종전만 하더라도 LCD TV는 20인치 내지 30인치 정도의 크기를 가지며, 모니터는 17인치 이하의 크기를 갖는 것이 대부분이었다. 하지만, 근래에 들어서는 40인치 이상의 대형 TV와 20인치 이상의 대형 모니터가 출시되어 판매되고 있으며 이에 대한 선호도가 나날이 높아지고 있는 실정이다.Previously, LCD TVs had a size of about 20 inches to about 30 inches, and most monitors had a size of 17 inches or less. However, in recent years, large TVs of 40 inches or more and large monitors of 20 inches or more have been released and sold, and the preference for them is increasing day by day.
이러한 LCD는 증착(Deposition), 사진식각(Photo Lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 모듈(Module) 공정을 통해 제품으로 출시된다.Such LCD is a TFT process in which deposition, photolithography, etching, chemical vapor deposition, etc. are repeatedly performed, a cell process for bonding upper and lower glass substrates, and an apparatus It is released as a product through a module process that completes the process.
전술한 TFT 공정 중 하나인 화학 기상 증착 공정은 화학 기상 증착 장치에 의해 수행되는데, 구체적으로 화학 기상 증착 장치에 구비된 프로세스 모듈 챔버(PROCESS MODULE CHAMBER)에서 진행된다. 일반적으로 화학 기상 증착 장치는, 트랜스퍼 모듈 챔버(TRANSFER MODULE CHAMBER)와, 트랜스퍼 모듈 챔버의 일측에 결합되는 로드락 챔버(LOADLOCK CHAMBER)와, 트랜스퍼 모듈 챔버의 나머지 타측에 결합되는 프로세스 모듈 챔버를 구비한다. 한편, 최근에는 단시간에 많은 기판을 처리할 수 있도록, 일정한 간격으로 배치되는 복수 개의 프로세스 모듈 챔버를 구비하는 화학 기상 증착 장치가 널리 사용되고 있다.The chemical vapor deposition process, which is one of the above-described TFT processes, is performed by a chemical vapor deposition apparatus. Specifically, the chemical vapor deposition process is performed in a process module chamber provided in the chemical vapor deposition apparatus. Generally, the chemical vapor deposition apparatus includes a transfer module chamber, a load lock chamber coupled to one side of the transfer module chamber, and a process module chamber coupled to the other side of the transfer module chamber. . On the other hand, recently, a chemical vapor deposition apparatus having a plurality of process module chambers arranged at regular intervals so as to process many substrates in a short time has been widely used.
이에 로드락 챔버 내로 작업 대상의 기판이 인입되면, 트랜스퍼 모듈 챔버 내에 마련된 기판 핸들링 로봇이 기판을 트랜스퍼 모듈 챔버로 옮긴 후, 다수의 프로세스 모듈 챔버 중에서 어느 한 프로세스 모듈 챔버로 전달하고, 해당 프로세스 모듈 챔버 내에서 기판에 대한 증착 공정이 이루어지게 되며, 작업이 완료되면 전술한 역순으로 기판이 취출된다.When the substrate of the work object is introduced into the load lock chamber, the substrate handling robot provided in the transfer module chamber transfers the substrate to the transfer module chamber, and then transfers the substrate to any one of the plurality of process module chambers, and the corresponding process module chamber. The deposition process is performed on the substrate within the substrate, and when the operation is completed, the substrate is taken out in the reverse order described above.
트랜스퍼 모듈 챔버의 내부에는 로드락 챔버의 기판을 프로세스 모듈 챔버로 이송하거나 증착 공정이 완료된 기판을 프로세스 모듈 챔버로부터 로드락 챔버로 이송하는 기판 핸들링 로봇이 마련되어 있으며, 기판 핸들링 로봇은 트랜스퍼 모듈 챔버의 내부가 진공 해제되어 대기압 상태로 된 경우, 그 높이와 위치를 맞추면서 트랜스퍼 모듈 챔버 내부의 바닥벽에 조립된다.Inside the transfer module chamber, there is a substrate handling robot that transfers the substrate of the load lock chamber to the process module chamber or transfers the completed substrate from the process module chamber to the load lock chamber. When the vacuum is released and brought to atmospheric pressure, it is assembled to the bottom wall inside the transfer module chamber while matching its height and position.
도 1은 종래기술에 따른 화학 기상 증착 장치의 트랜스퍼 모듈 챔버의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a transfer module chamber of a chemical vapor deposition apparatus according to the prior art.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 화학 기상 증착 장치의 트랜스퍼 모듈 챔버(800)는, 사각 박스형의 메인챔버(810)와, 메인챔버(810)의 양측부에 각각 결합되는 한 쌍의 측면챔버(821, 822)를 포함한다. 참고로 본 화학 기상 증착 장치는 가로 및 세로의 길이가 대략 2미터 이상인 기판을 대상으로 하는 소위 8세대 화학 기상 증착 장치이다.Referring to FIG. 1, the
메인챔버는(810), 전술한 기판 핸들링 로봇(미도시)이 관통하기 위한 개구(811a)가 형성되는 바닥벽(811)과, 바닥벽(811)의 양단부에서 절곡되어 일체로 형성되는 로드락 챔버 결합벽(812) 및 프로세스 모듈 챔버 결합벽(813)을 포함한다. 로드락 챔버 결합벽(812)에는 전술한 로드락 챔버(미도시)가 결합되며, 프로세 스 모듈 챔버 결합벽(813)에는 5개의 프로세스 모듈 챔버(미도시) 중 하나의 프로세스 모듈 챔버(미도시)가 결합된다. 또한, 로드락 챔버 결합벽(812) 및 프로세스 모듈 챔버 결합벽(813)에는 각각 기판의 인출입 통로가 되는 개구(812a, 813a)가 형성된다.The
한 쌍의 측면챔버(821, 822)는 메인챔버(810)의 양측부에 각각 결합되는 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이 대략 삼각형 단면을 갖도록 제작된다. 측면챔버(821, 822)의 외면에는 각각 전술한 복수 개의 프로세스 모듈 챔버(미도시) 중 나머지 4개의 프로세스 모듈 챔버(미도시)가 결합되며, 측면챔버(821, 822)에는 각각 메인챔버(810)의 프로세스 모듈 챔버 결합벽(813)과 마찬가지로 기판의 인출입 통로가 되는 개구(821a, 821b, 822a, 822b)가 형성된다.The pair of
이러한 트랜스퍼 모듈 챔버(800)는 생산라인에 화학 기상 증착 장치의 장착 및 보수 작업시간을 고려하여 프레임(미도시)에 장착된 상태에서 도로를 통해 운반하는 것이 일반적이다.The
하지만, 증착 대상인 기판의 크기가 증가함에 따라 트랜스퍼 모듈 챔버(800)의 크기도 증가하게 되는데, 트랜스퍼 모듈 챔버(800)의 크기가 증가하는 경우 도로 운반의 폭, 높이 및 무게 제한에 따라 프레임(미도시)에 트랜스퍼 모듈 챔버(200)를 조립한 상태로는 일반도로를 통해 이송하지 못하게 되는 문제점이 있다.However, as the size of the substrate to be deposited increases, the size of the
또한, 트랜스퍼 모듈 챔버(800)의 크기가 증가하는 경우 트랜스퍼 모듈 챔버(800)의 내부를 대기 상태에서 진공상태로 만드는데 소요되는 시간, 즉 펌핑 시간이 증가하게 되어 기판을 생산하기 위한 공정시간이 증가하게 되는 문제점이 있 다.In addition, when the size of the
따라서, 증착 대상인 기판의 크기가 가로 및 세로로 대략 3미터 이상인 소위 11세대에 적용되는 화학 기상 증착 장치와 같이 트랜스퍼 모듈 챔버(800)의 크기가 증가하는 경우라도 이송의 편의를 도모할 수 있으면서도, 트랜스퍼 모듈 챔버(800) 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있는 트랜스퍼 모듈 챔버(800)에 대한 연구개발이 요구되는 실정이다.Therefore, even if the size of the
본 발명의 목적은, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 부피를 줄임으로써 트랜스퍼 모듈 챔버 이송의 편의가 도모되며, 생산라인에 화학 기상 증착 장치의 장착 및 보수 작업 시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼 모듈 챔버 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to facilitate the transfer of the transfer module chamber by reducing the volume of the side transfer module chamber, to reduce the installation and maintenance time of the chemical vapor deposition apparatus in the production line, as well as the space inside the transfer module chamber It is to provide a chemical vapor deposition apparatus that can reduce the volume of the pumping time to improve the productivity of the substrate efficiently.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 기판을 핸들링하는 기판 핸들링 로봇이 내부에 마련되는 트랜스퍼 모듈 챔버; 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 일측에 연결되어 기판이 출입되는 적어도 하나의 로드락 챔버; 및 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 타측에 연결되어 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 다수의 프로세스 모듈 챔버를 포함하며, 상기 트랜스퍼 모듈 챔버는, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버; 상기 상부 트 랜스퍼 모듈 챔버의 하측에 결합되는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버; 및 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 및 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버 중 적어도 어느 하나의 양측부에 각각 결합되는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치에 의하여 달성된다.The object is, according to the present invention, a transfer module chamber provided with a substrate handling robot for handling the substrate therein; At least one load lock chamber connected to one side of the transfer module chamber to allow a substrate to enter and exit the substrate; And a plurality of process module chambers connected to the other side of the transfer module chamber to perform a substantial deposition process on the substrate, wherein the transfer module chamber comprises: an upper transfer module chamber; A lower transfer module chamber coupled to the lower side of the upper transfer module chamber; And a pair of side transfer module chambers coupled to both sides of at least one of the upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber, respectively.
상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버는, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 하측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 상부 플랜지부를 포함하며, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버는, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 하부 플랜지부를 포함하고, 상기 상부 플랜지부 및 상기 하부 플랜지부는 체결부재에 의하여 상호 결합될 수 있다.The upper transfer module chamber may include an upper flange portion protruding inwardly from a lower inner wall of the upper transfer module chamber, and the lower transfer module chamber may include a lower portion protruding inwardly from an upper inner wall of the lower transfer module chamber. Including a flange portion, the upper flange portion and the lower flange portion may be coupled to each other by a fastening member.
상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버는 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 좌우측에 각각 결합되며, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버와 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 사이에는 각각 실링부재가 개재될 수 있다.The pair of side transfer module chambers may be coupled to left and right sides of the lower transfer module chamber, respectively, and sealing members may be interposed between the lower transfer module chamber and the pair of side transfer module chambers.
상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버가 결합되는 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 양측 외벽에는 각각 실링홈이 형성되며, 상기 실링부재는 상기 실링홈에 삽입될 수 있다.Sealing grooves may be formed on both outer walls of the lower transfer module chamber to which the pair of side transfer module chambers are coupled, and the sealing member may be inserted into the sealing groove.
상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버와 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 사이에는 실링부재가 개재될 수 있다.A sealing member may be interposed between the upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber.
상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 하측 둘레 또는 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측 둘레를 따라서는 실링홈이 형성되며, 상기 실링부재는 상기 실링홈에 삽입될 수 있다.A sealing groove may be formed along a lower circumference of the upper transfer module chamber or an upper circumference of the lower transfer module chamber, and the sealing member may be inserted into the sealing groove.
상기 화학 기상 증착 장치는, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측을 덮도록 마련되는 덮개를 더 포함하며, 상기 덮개와 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 사이에는 실링부재가 개재될 수 있다.The chemical vapor deposition apparatus may further include a cover provided to cover an upper side of the upper transfer module chamber, and a sealing member may be interposed between the cover and the upper transfer module chamber.
상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측 둘레 또는 상기 덮개의 하측 둘레를 따라서는 실링홈이 형성되며, 상기 실링부재는 상기 실링홈에 삽입될 수 있다.A sealing groove may be formed along an upper circumference of the upper transfer module chamber or a lower circumference of the cover, and the sealing member may be inserted into the sealing groove.
상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 좌우측에는 각각 개구가 형성되며, 상기 개구는, 사각 형상 단면으로 형성되는 제1 개구; 및 상기 제1 개구의 하단 중앙부에서 상기 제1 개구의 폭보다 작은 폭을 가지고 하방으로 연장되는 제2 개구를 포함할 수 있다.Openings are formed at left and right sides of the lower transfer module chamber, respectively, the openings comprising: a first opening having a rectangular cross section; And a second opening extending downward from the lower center portion of the first opening and having a width smaller than that of the first opening.
상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 및 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버에는 각각, 증착 대상이 되는 기판이 인입되거나 증착이 완료된 기판이 취출되기 위한 적어도 하나의 슬롯 포트가 형성될 수 있다.At least one slot port may be formed in each of the upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber so that a substrate to be deposited is introduced or a substrate on which deposition is completed is taken out.
상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상기 적어도 하나의 슬롯 포트는 하나의 슬롯 포트이고, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상기 적어도 하나의 슬롯 포트는 두 개의 슬롯 포트이며, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상기 두 개의 슬롯 포트 중 상측에 위치한 슬롯 포트는 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버에 각각 형성된 슬롯 포트와 실질적으로 동일한 높이에 형성될 수 있다.The at least one slot port of the upper transfer module chamber is one slot port, the at least one slot port of the lower transfer module chamber is two slot ports, and among the two slot ports of the lower transfer module chamber The upper slot ports may be formed at substantially the same height as the slot ports respectively formed in the pair of side transfer module chambers.
상기 트랜스퍼 모듈 챔버는 평면 투영 시 6각형 구조를 가지며, 상기 적어도 하나의 로드락 챔버와 상기 다수의 프로세스 모듈 챔버는 6각형 구조의 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 각 변에 인접하게 배치되어 상기 트랜스퍼 모듈 챔버와 연결될 수 있다.The transfer module chamber has a hexagonal structure in planar projection, and the at least one load lock chamber and the plurality of process module chambers are disposed adjacent to each side of the transfer module chamber of the hexagonal structure, Can be connected.
상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버는 각각, 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 강도를 보강하는 보강부를 포함할 수 있다.The pair of side transfer module chambers may each include a reinforcement to reinforce the strength of the pair of side transfer module chambers.
본 발명에 의하면, 트랜스퍼 모듈 챔버를 상부 트랜스퍼 모듈 챔버와, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버와, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버로 나누어 구성함으로써 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 부피를 줄일 수 있고, 이에 따라 트랜스퍼 모듈 챔버 이송의 편의가 도모되며, 생산라인에 화학 기상 증착 장치의 장착 및 보수 작업 시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼 모듈 챔버 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있게 된다.According to the present invention, it is possible to reduce the volume of the side transfer module chamber by dividing the transfer module chamber into an upper transfer module chamber, a lower transfer module chamber, and a pair of side transfer module chambers. For convenience, it is possible to reduce the time required to install and repair the chemical vapor deposition apparatus on the production line, as well as to reduce the volume of the space inside the transfer module chamber, thereby reducing the pumping time and efficiently improving the productivity of the substrate. It becomes possible.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, in describing the present invention, descriptions of already known functions or configurations will be omitted to clarify the gist of the present invention.
참고로, 이하에서 설명할 기판이란, LCD(Liquid Crystal Display) 기판, PDP(Plasma Display Panel) 기판 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 기판 등을 포함하는 평면디스플레이(Flat Panel Display, FPD)를 가리키나, 설명의 편의를 위해 이들을 구분하지 않고 기판이라 하기로 한다.For reference, the substrate to be described below refers to a flat panel display (FPD) including a liquid crystal display (LCD) substrate, a plasma display panel (PDP) substrate, an organic light emitting diodes (OLED) substrate, and the like. For the convenience of description, these will be referred to as substrates without being divided.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 개략적인 평면도 이며, 도 3은 도 2의 트랜스퍼 모듈 챔버의 분해 사시도이고, 도 4는 도 3의 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 및 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 결합 사시도이며, 도 5는 도 3의 트랜스퍼 모듈 챔버의 결합사시도이다.2 is a schematic plan view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an exploded perspective view of the transfer module chamber of FIG. 2, and FIG. 4 is an upper transfer module chamber and a lower transfer module chamber of FIG. 3. 5 is a combined perspective view of the transfer module chamber of FIG. 3.
이들 도면을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는, 기판의 로딩 및 언로딩을 수행하는 로드락 챔버(100)와, 기판에 대한 증착 공정을 수행하는 5개의 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)와, 로드락 챔버(100) 및 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)를 상호 연결하는 트랜스퍼 모듈 챔버(200)를 구비한다.Referring to these drawings, the chemical
여기서, 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)는 고온 저압의 환경에서 기판에 대한 증착 공정을 수행한다. 도시하고 있지는 않지만, 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)는 서셉터(미도시) 상에 놓여진 기판의 표면에 전극으로부터 방출된 소정의 반응성 가스 이온이 소정의 두께만큼 증착되는 장소로서, 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 장소이다.Here, the
본 실시예의 경우, 1개의 로드락 챔버(100)를 기준으로 총 5개의 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)가 마련되어 있기 때문에 그 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 하지만, 본 발명의 권리범위가 이에 제한되는 것은 아니므로 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)는 5개보다 많아도 혹은 적어도 무방하다.In the present exemplary embodiment, since five
이러한 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)를 통한 기판의 증착 공정 진행을 위해, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)에 마련된 기판 핸들링 로봇(500)이 작 업 대상의 기판을 해당 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 이송시키게 되는데, 이때 대기압 상태에 있는 기판을 직접 고온 저압의 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 진입시키는 과정에 어려움이 있기 때문에, 기판을 해당 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 이송하기 전에 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)와 동일한 환경을 조성해줄 필요가 있다. 이를 위해 로드락 챔버(100)가 마련된다.In order to proceed with the deposition process of the substrate through the
로드락 챔버(100)는 이송 로봇(미도시)에 의해 외부로부터 화학 기상 증착 공정의 대상이 되는 기판이 인입되면, 내부의 환경을 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)와 실질적으로 동일한 온도와 압력으로 조성하는 역할을 한다.When the
이처럼 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)와 실질적으로 동일한 환경이 조성된 로드락 챔버(100) 내의 기판은, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)에 마련되는 기판 핸들링 로봇(500)에 의해 인출되어 해당 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 이송된 후 해당 증착 공정이 수행된다. 반대로 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350) 내에서 증착 공정이 완료된 기판은 기판 핸들링 로봇(500)에 의해 인출되어 외부와 실질적으로 동일한 온도와 압력을 유지하는 로드락 챔버(100)로 이송된 후 최종적으로 이송 로봇(미도시)에 의해 외부로 인출된다.As such, the substrate in the
이와 같이, 로드락 챔버(100)는 외부로부터 기판이 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 인입되기 전 또는 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로부터 기판이 외부로 인출되기 전에 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)의 환경 또는 외부의 환경과 실질적으로 동일한 상태로 기판을 수용하는 역할 을 한다.In this way, the
트랜스퍼 모듈 챔버(200)는 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)와 로드락 챔버(100)를 연결하는 챔버이며, 본 실시예에서 트랜스퍼 모듈 챔버(200)는 평면 투영 시 육각 구조를 갖는 거대한 구조물이다. 즉, 그 내부에서 가로/세로의 폭이 최대 3미터 내외에 이르는 소위, 11세대라 불리는 기판이 기판 핸들링 로봇(500)에 의해 이송되어야 하기 때문에 트랜스퍼 모듈 챔버(200)는 거대한 구조물로 마련된다.The
트랜스퍼 모듈 챔버(200)는 프레임(미도시)에 얹혀진 상태로 마련되며, 물론 이와 같이 트랜스퍼 모듈 챔버(200)가 프레임(미도시)에 얹혀지는 구조는, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 외에도 로드락 챔버(100) 및 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)에 공히 적용된다.The
한편, 도 3에 자세히 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 트랜스퍼 모듈 챔버(200)는, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 하측에 결합되는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)와, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측면에 결합되는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)와, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)를 덮는 덮개(220)를 포함한다.Meanwhile, as shown in detail in FIG. 3, the
상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)는 사각 박스형 형상을 갖는 구성으로, 기판의 인출입을 위해 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 일측벽을 관통하여 형성되는 슬롯 포트(212)와, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 하측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 상부 플랜지부(211)를 포함한다.The upper
슬롯 포트(212)는 로드락 챔버(100)에 마련되는 슬롯 포트(미도시)와 상호 연통되어, 증착 대상이 되는 기판이 로드락 챔버(100)로부터 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210) 측으로 인입되거나, 증착이 완료된 기판이 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)로부터 로드락 챔버(100) 측으로 인출되는 부분이다.The
상부 플랜지부(211)는, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 하측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 것으로 추후 설명하는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 하부 플랜지부(231)와 상호 결합되어, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 사이의 상대적인 슬라이딩(Sliding)을 방지하기 위한 것이다. 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 플랜지부(211)는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 제1 내벽(213)의 하측과 제2 내벽(214)의 하측으로부터 내측 방향으로 각각 돌출되도록 마련된다.The
한편, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 하측에 결합되는 구성으로, 기판의 인출입을 위해 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 일측벽을 관통하여 형성되는 슬롯 포트(232, 233)와, 좌우측 벽을 각각 관통하여 형성되는 개구(237, 238)와, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 상측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 하부 플랜지부(231)를 포함한다.On the other hand, the lower
슬롯 포트(232, 233)는 로드락 챔버(100)에 마련되는 슬롯 포트(미도시)와 상호 연통되어, 증착 대상이 되는 기판이 로드락 챔버(100)로부터 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 측으로 인입되거나, 증착이 완료된 기판이 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)로부터 로드락 챔버(100) 측으로 인출되는 부분이다.The
상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 달리, 본 실시예의 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)는 두 개의 슬롯 포트(232, 233)를 포함하며, 이 중 상측에 위치한 슬롯 포트(232)는 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 각각 형성되는 슬롯 포트(241, 251)와 실질적으로 동일한 높이에 형성된다.Unlike the upper
이처럼, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 두 개의 슬롯 포트(232, 233) 중 상측에 위치한 슬롯 포트(232)를, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 각각 형성되는 슬롯 포트(241, 251)와 실질적으로 동일한 높이에 형성시킴으로써, 기판의 인출입에 소요되는 시간을 단축할 수 있게 된다.As such, the
즉, 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)에 형성되는 슬롯 포트(미도시)는 각각 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 형성되는 슬롯 포트(241, 251)와 동일한 높이에 형성되는데, 이 경우 증착 대상이 되는 기판은 로드락 챔버(100)로부터 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210) 또는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 측으로 인입되며, 다시 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240 또는 250)을 거쳐 어느 하나의 프로세스 모듈 챔버(310 또는 320 또는 330 또는 340 또는 350) 측으로 인입된다. 마찬가지로, 증착이 완료된 기판은 프로세스 모듈 챔버(310 또는 320 또는 330 또는 340 또는 350)로부터 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240 또는 250) 측으로 인출된 후, 다시 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210) 또는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)를 거쳐 로드락 챔버(100) 측으로 인출된다.That is, the slot ports (not shown) formed in the
이때, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)로 인입된 기판을 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 전달하거나, 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350) 로부터 인출된 기판을 트랜스퍼 모듈 챔버(200)로 전달하는 역할은 전술한 바와 같이 기판 핸들링 로봇(500)이 담당하는데, 본 실시예와 같이 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 두 개의 슬롯 포트(232, 233) 중 상측에 위치한 슬롯 포트(232)를 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 각각 형성되는 슬롯 포트(241, 251)와 실질적으로 동일한 높이에 형성시킴으로써, 기판 핸들링 로봇(500)의 상승 및 하강에 걸리는 시간을 줄일 수 있도록 하는 것이다.In this case, the substrate introduced into the
즉, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 일측에 마련되는 3개의 슬롯 포트(212, 232, 233) 중 중앙에 형성된 슬롯 포트(232)의 높이와, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 슬롯 포트(241, 251)와 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)의 슬롯 포트(미도시)의 높이를 실질적으로 동일하도록 함으로써, 기판 핸들링 로봇(500)은 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 중앙으로부터 상하측 방향으로 최단거리를 따라 이동하면서 기판을 이송하게 된다.That is, the height of the
다만, 본 발명의 다른 실시예에 따라 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)에는 두 개 이상의 슬롯 포트가 형성될 수도 있으며(미도시), 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)에도 3개 이상의 슬롯 포트가 형성될 수도 있다(미도시). 또한, 필요에 따라 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 슬롯 포트(233)와 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 슬롯 포트(241, 251)의 높이를 실질적으로 동일하게 하지 않아도 무방하며, 본 발명의 권리범위는 슬롯 포트(212, 232, 233, 241, 251)의 형성 위치에 의하여 제한되지 않는다.However, according to another embodiment of the present invention, two or more slot ports may be formed in the upper transfer module chamber 210 (not shown), and three or more slot ports may be formed in the lower
한편, 개구(237, 238)는, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 좌우측에 각각 마 련되는 제1 내벽(234) 및 제2 내벽(235)을 관통하여 형성되는 것으로, 제1 개구(237a, 238a)와, 제1 개구(237a, 238a)의 하단 중앙부에서 제1 개구(237a, 238a)의 폭보다 작은 폭을 가지고 하방으로 연장되는 제2 개구(237b, 238b)를 포함한다.On the other hand, the
이에 대응하여 후술하는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에는 동일한 형상의 개구(257, 미도시)가 형성된다.Correspondingly, openings 257 (not shown) having the same shape are formed in the pair of side
하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 개구(237, 238)와, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 개구(257, 미도시)를 전술한 바와 같이 형성하는 이유는 기판 핸들링 로봇(500)의 충분한 회전반경을 확보하면서도, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내부를 진공상태로 만들기 위한 펌핑시간을 단축하기 위함이다.The reason for forming the
후술하겠지만, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는, 각 변을 따라 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)가 결합되는 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)와, 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)의 하측에 일체로 마련되는 곡선면부(244, 254)를 포함한다.As will be described later, the pair of side
프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)는, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 및 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)의 결합의 편의를 도모하기 위해 각각 삼각 단면 형상을 갖는 직선면으로 마련되며, 곡선면부(244, 254)는 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내에서 기판 핸들링 로봇(500)이 회전하기 위한 회전공간을 마련하기 위해 소정의 곡률을 갖는 곡선면으로 마련된다.The process module
하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 하측에 마련되는 타원형 부분은 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 곡선면부(244, 254)의 곡선형 내벽과 상호 연 결되어 전체적으로 원 단면 형상을 갖게 되며, 제2 개구(237b, 238b)와, 제2 개구(237b, 238b)와 동일한 형상으로 마련되는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 개구(257, 미도시)의 일부분에 의하여, 기판 핸들링 로봇(500)은 충분한 회전반경을 가진 상태에서 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내측 공간에서 회전할 수 있게 된다.The elliptical portion provided below the lower
또한, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 제1 개구(237a, 238a)와, 제1 개구(237a, 238a)와 동일한 형상으로 마련되는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 개구(257, 미도시)의 일부분에 의하여, 기판은 충분한 여유공간을 가진 상태에서 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)로부터 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 측으로 인입되거나, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)로부터 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 측으로 취출될 수 있게 된다.In addition, the
한편, 하부 플랜지부(231)는, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 상측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 것으로 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 상부 플랜지부(211)와 상호 결합된다. Meanwhile, the
일반적으로 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내부는 진공상태로 유지되며 외부는 대기압상태로 유지되므로, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내부와 외부의 기압 차로 인해 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 상호 간에는 일정한 힘이 작용하게 된다. 이러한 힘은 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)에 대하여 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)를 상대적으로 이동시키는 원인이 될 수 있으며, 이에 따라 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내측의 기밀(氣密)을 유지하기 어려운 문제가 발생 할 수 있다.In general, since the inside of the
이러한 문제점을 고려하여, 본 실시예의 화학 기상 증착 장치(10)는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 하측 내벽에 마련되는 상부 플랜지부(211)와, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 상측 내벽에 마련되는 하부 플랜지부(231) 상호 간을 체결부재(400)를 통하여 체결하도록 함으로써, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)에 대한 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 상대적인 이동(Sliding)을 방지할 수 있도록 한다.In consideration of these problems, the chemical
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 플랜지부(231)는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 제1 내벽(234)의 상측과 제2 내벽(235)의 상측으로부터 내측 방향으로 각각 돌출되도록 마련된다.3 and 4, the
상부 플랜지부(211)와 하부 플랜지부(231)는 체결부재(400)에 의하여 상호 결합되며, 여기서 체결부재(400)는 볼트(410) 및 너트(420)를 말한다. 체결부재(400)는 상부 플랜지부(211)와 하부 플랜지부(231)의 길이 방향을 따라 상호 일정한 간격만큼 이격되어 다수 개로 결합된다. 다만, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)를 견고히 결합할 수 있는 한, 체결부재(400)는 다양하게 변경될 수 있으며, 본 발명의 권리범위는 체결부재(400)의 유형에 의하여 제한되지 않는다.The
본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 상호 간을 체결부재(400)에 의하여 견고히 체결하도록 함으로써, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부와 외부의 압력의 차이에 의하여 발생할 수 있는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)에 대한 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 상대적인 이동을 방지하도록 하여 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부의 진공압을 효율적으로 유지시킬 수 있도록 한다.In the chemical
또한, 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)가 결합되는 트랜스퍼 모듈 챔버(200)를 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)로 나누어 구성하고, 후술하는 바와 같이 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)를 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측에 각각 결합시킴으로써, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 부피를 줄일 수 있게 되고, 이에 따라 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 크기가 증가하는 경우라도 트랜스퍼 모듈 챔버(200)를 용이하게 운반할 수 있게 된다.In addition, the chemical
그 결과, 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 이송의 편의가 도모되며, 생산라인에 화학 기상 증착 장치(10)의 장착 및 보수 작업시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있게 된다.As a result, the chemical
한편, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)가 결합되는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측 외벽에는 표면으로부터 함몰되는 실링홈(230a)이 형성된다. 실링홈(230a)에는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)와 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 사이에 개재되어 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부의 기밀을 유지하는 실링부재(510)가 삽입되며, 이에 대한 보다 자세한 사항은 후술하기로 한다.Meanwhile, sealing
한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)와 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350) 상호 간의 기판의 인출입을 위하여 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측에 각각 결합되는 구성이다.The pair of side
본 실시예의 경우, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는 각각 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측에 결합되며, 이에 따라 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 전체적인 부피를 줄일 수 있게 된다.In the present embodiment, the pair of side
다만, 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는 일체형이 아닌 두 개 또는 그 이상으로 분리되어 구성될 수도 있으며(미도시), 본 발명의 권리범위는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 구성방법에 의하여 제한되지 않는다.However, according to another embodiment of the present invention, the pair of side
도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는 각 변을 따라 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)가 결합되는 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)와, 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)의 하측에 일체로 마련되는 곡선면부(244, 254)를 포함한다.As shown in FIGS. 3 and 5, the side
프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)는 각각 삼각 단면 형상을 갖도록 제작되어, 각 변을 따라 총 4개의 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340)가 결합되며, 곡선면부(244, 254)는 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내에서 기판 핸들링 로봇(500)이 회전하기 위한 회전공간을 마련하는 부분이다.The process module
프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)의 각 변에는 각각 슬롯 포트(241, 251)가 형성되며, 전술한 바와 마찬가지로 슬롯 포트(241, 251)는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 두 개의 슬롯 포트(232, 233) 중 상측에 형성되는 슬롯 포트(232)와 실질적으로 동일한 높이에 형성된다.
한편, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는 각각 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 강도를 보강하기 위한 보강부(260)를 포함한다.Meanwhile, the pair of side
보강부(260)는, 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)의 상면과, 곡선면부(244, 254)의 외주면으로부터 돌출되도록 다수 개가 마련된다. 또한, 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)와 곡선면부(244, 254)에 각각 마련된 보강부(260)는 상호 실질적으로 동축적으로 마련됨으로써 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 가해지는 진공압에 대하여 효율적으로 저항할 수 있는 강성을 갖도록 한다.The
한편, 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)를 덮는 덮개(220)를 더 포함한다.Meanwhile, the chemical
덮개(220)는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 상측을 완전히 밀폐시킴으로써 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내부의 진공상태를 유지하기 위한 것이다. 도시되지는 않았지만, 덮개(220)에는 크레인의 인양 고리를 결합하기 위한 크레인 인양고리 연결부(미도시)가 마련될 수 있으며, 이에 따라 덮개(220)를 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)로부터 간편히 들어올리거나 내릴 수 있도록 한다.The
한편, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)와 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 사이에 각각 개재되는 실링부재(510)를 더 포함한다.3 to 5, the sealing
실링부재(510)는 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)가 결합되는 하부 트랜 스퍼 모듈 챔버(230)의 양측 외벽에 형성되는 실링홈(230a)에 각각 삽입되어, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 전체 내부 공간의 기밀을 유지하는 부재이다.The sealing
본 실시예의 경우 실링부재(510)는 일반적인 오링(O-ring)이 사용되며, 여기서 오링은 'O'형으로 되어 판의 밀봉이나 운동부의 밀봉을 하는 기계요소를 말한다. 특히, 본 실시예의 실링부재(510)는 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내부 압력과 온도를 고려하여 비톤(VITON) 또는 실리콘 등의 재질로 제작된다.In the present embodiment, the sealing
실링부재(510)는, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측 외벽에 형성되는 실링홈(230a)에 각각 삽입된 후 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 의하여 눌려지면서 전체적으로 펴지게 되어 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부의 기밀을 유지하게 된다.The sealing
다만, 본 발명의 다른 실시예에 따라 실링홈(230a)은 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 측에 형성될 수도 있으며(미도시), 비톤 또는 실리콘 이외의 재질로 마련될 수도 있다.However, according to another embodiment of the present invention, the sealing
마찬가지의 방법으로 본 실시예의 트랜스퍼 모듈 챔버(200)는 덮개(220)와 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210) 사이, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 사이에 개재되는 실링부재(미도시)를 포함하며, 실링부재(미도시)의 삽입방법 및 기능에 관한 사항은 전술한 바와 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.In the same manner, the
본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는 덮개(220)와 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210) 사이, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔 버(230) 사이 및 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)와 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 사이에 각각 실링부재(510)를 개재시킴으로써, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부의 진공압을 효율적으로 유지시킬 수 있게 된다.The chemical
또한, 본 발명의 화학 기상 증착 장치(10)는, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)를 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)와, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)로 나누어 구성함으로써, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 이송의 편의가 도모되며, 생산라인에 화학 기상 증착 장치(10)의 장착 및 보수 작업시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있게 된다.In addition, in the chemical
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.While specific embodiments of the invention have been described and illustrated above, it is to be understood that the invention is not limited to the described embodiments, and that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention. It is self-evident to those who have. Therefore, such modifications or variations are not to be understood individually from the technical spirit or point of view of the present invention, the modified embodiments will belong to the claims of the present invention.
도 1은 종래기술에 따른 화학 기상 증착 장치의 트랜스퍼 모듈 챔버의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a transfer module chamber of a chemical vapor deposition apparatus according to the prior art.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 개략적인 평면도이다.2 is a schematic plan view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 트랜스퍼 모듈 챔버의 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view of the transfer module chamber of FIG. 2.
도 4는 도 3의 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 및 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 결합 사시도이다.4 is a perspective view illustrating a coupling of the upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber of FIG. 3.
도 5는 도 3의 트랜스퍼 모듈 챔버의 결합사시도이다.FIG. 5 is a perspective view of the transfer module chamber of FIG. 3.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10 : 화학 기상 증착 장치 100 : 로드락 챔버10: chemical vapor deposition apparatus 100: load lock chamber
200 : 트랜스퍼 모듈 챔버 210 : 상부 트랜스퍼 모듈 챔버200: transfer module chamber 210: upper transfer module chamber
220 : 덮개 230 : 하부 트랜스퍼 모듈 챔버220: cover 230: lower transfer module chamber
240, 250 : 측부 트랜스퍼 모듈 챔버 211 : 상부 플랜지부240, 250: side transfer module chamber 211: upper flange
231 : 하부 플랜지부 400 : 체결부재231: lower flange 400: fastening member
310, 320, 330, 340, 350 : 프로세스 모듈 챔버Process module chamber: 310, 320, 330, 340, 350
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