KR20100130830A - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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KR20100130830A
KR20100130830A KR1020090049538A KR20090049538A KR20100130830A KR 20100130830 A KR20100130830 A KR 20100130830A KR 1020090049538 A KR1020090049538 A KR 1020090049538A KR 20090049538 A KR20090049538 A KR 20090049538A KR 20100130830 A KR20100130830 A KR 20100130830A
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Abstract

PURPOSE: A chemical vapor deposition apparatus is provided to efficiently improve the productivity of a substrate by reducing a pumping time. CONSTITUTION: A load lock chamber(100) loads and unloads a substrate. A process module chamber(310-350) includes a top transfer module chamber and a bottom transfer module chamber and deposits the substrate. A transfer module chamber(200) includes a substrate handling robot(500) which handles the substrate. The transfer module chamber connects the load lock chamber to the process module chamber.

Description

화학 기상 증착 장치{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}Chemical Vapor Deposition Apparatus {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 부피를 줄임으로써 트랜스퍼 모듈 챔버 이송의 편의가 도모되며, 생산라인에 화학 기상 증착 장치의 장착 및 보수 작업시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼 모듈 챔버 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to facilitate the transfer of the transfer module chamber by reducing the volume of the side transfer module chamber, and to reduce the installation and maintenance work time of the chemical vapor deposition apparatus in the production line In addition, the present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus capable of reducing the volume of the space inside the transfer module chamber, thereby shortening the pumping time and efficiently improving the productivity of the substrate.

평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.Flat panel displays are widely used in personal handheld terminals, as well as TVs and computer monitors.

이러한 평면디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.Such flat displays include liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting diodes (OLEDs).

이들 중에서, 특히 LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.Among them, liquid crystal displays (LCDs) inject liquid crystals, which are solid and liquid intermediates, between two thin upper and lower glass substrates, and generate contrast by changing the arrangement of liquid crystal molecules by the electrode voltage difference between the upper and lower glass substrates. It is a device using a kind of optical switch phenomenon to display an image.

LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다.LCDs are now widely used in electronic clocks, electronic calculators, TVs, notebook PCs, electronic products, automobiles, aircraft speed displays and driving systems.

종전만 하더라도 LCD TV는 20인치 내지 30인치 정도의 크기를 가지며, 모니터는 17인치 이하의 크기를 갖는 것이 대부분이었다. 하지만, 근래에 들어서는 40인치 이상의 대형 TV와 20인치 이상의 대형 모니터가 출시되어 판매되고 있으며 이에 대한 선호도가 나날이 높아지고 있는 실정이다.Previously, LCD TVs had a size of about 20 inches to about 30 inches, and most monitors had a size of 17 inches or less. However, in recent years, large TVs of 40 inches or more and large monitors of 20 inches or more have been released and sold, and the preference for them is increasing day by day.

이러한 LCD는 증착(Deposition), 사진식각(Photo Lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 모듈(Module) 공정을 통해 제품으로 출시된다.Such LCD is a TFT process in which deposition, photolithography, etching, chemical vapor deposition, etc. are repeatedly performed, a cell process for bonding upper and lower glass substrates, and an apparatus It is released as a product through a module process that completes the process.

전술한 TFT 공정 중 하나인 화학 기상 증착 공정은 화학 기상 증착 장치에 의해 수행되는데, 구체적으로 화학 기상 증착 장치에 구비된 프로세스 모듈 챔버(PROCESS MODULE CHAMBER)에서 진행된다. 일반적으로 화학 기상 증착 장치는, 트랜스퍼 모듈 챔버(TRANSFER MODULE CHAMBER)와, 트랜스퍼 모듈 챔버의 일측에 결합되는 로드락 챔버(LOADLOCK CHAMBER)와, 트랜스퍼 모듈 챔버의 나머지 타측에 결합되는 프로세스 모듈 챔버를 구비한다. 한편, 최근에는 단시간에 많은 기판을 처리할 수 있도록, 일정한 간격으로 배치되는 복수 개의 프로세스 모듈 챔버를 구비하는 화학 기상 증착 장치가 널리 사용되고 있다.The chemical vapor deposition process, which is one of the above-described TFT processes, is performed by a chemical vapor deposition apparatus. Specifically, the chemical vapor deposition process is performed in a process module chamber provided in the chemical vapor deposition apparatus. Generally, the chemical vapor deposition apparatus includes a transfer module chamber, a load lock chamber coupled to one side of the transfer module chamber, and a process module chamber coupled to the other side of the transfer module chamber. . On the other hand, recently, a chemical vapor deposition apparatus having a plurality of process module chambers arranged at regular intervals so as to process many substrates in a short time has been widely used.

이에 로드락 챔버 내로 작업 대상의 기판이 인입되면, 트랜스퍼 모듈 챔버 내에 마련된 기판 핸들링 로봇이 기판을 트랜스퍼 모듈 챔버로 옮긴 후, 다수의 프로세스 모듈 챔버 중에서 어느 한 프로세스 모듈 챔버로 전달하고, 해당 프로세스 모듈 챔버 내에서 기판에 대한 증착 공정이 이루어지게 되며, 작업이 완료되면 전술한 역순으로 기판이 취출된다.When the substrate of the work object is introduced into the load lock chamber, the substrate handling robot provided in the transfer module chamber transfers the substrate to the transfer module chamber, and then transfers the substrate to any one of the plurality of process module chambers, and the corresponding process module chamber. The deposition process is performed on the substrate within the substrate, and when the operation is completed, the substrate is taken out in the reverse order described above.

트랜스퍼 모듈 챔버의 내부에는 로드락 챔버의 기판을 프로세스 모듈 챔버로 이송하거나 증착 공정이 완료된 기판을 프로세스 모듈 챔버로부터 로드락 챔버로 이송하는 기판 핸들링 로봇이 마련되어 있으며, 기판 핸들링 로봇은 트랜스퍼 모듈 챔버의 내부가 진공 해제되어 대기압 상태로 된 경우, 그 높이와 위치를 맞추면서 트랜스퍼 모듈 챔버 내부의 바닥벽에 조립된다.Inside the transfer module chamber, there is a substrate handling robot that transfers the substrate of the load lock chamber to the process module chamber or transfers the completed substrate from the process module chamber to the load lock chamber. When the vacuum is released and brought to atmospheric pressure, it is assembled to the bottom wall inside the transfer module chamber while matching its height and position.

도 1은 종래기술에 따른 화학 기상 증착 장치의 트랜스퍼 모듈 챔버의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a transfer module chamber of a chemical vapor deposition apparatus according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 화학 기상 증착 장치의 트랜스퍼 모듈 챔버(800)는, 사각 박스형의 메인챔버(810)와, 메인챔버(810)의 양측부에 각각 결합되는 한 쌍의 측면챔버(821, 822)를 포함한다. 참고로 본 화학 기상 증착 장치는 가로 및 세로의 길이가 대략 2미터 이상인 기판을 대상으로 하는 소위 8세대 화학 기상 증착 장치이다.Referring to FIG. 1, the transfer module chamber 800 of the conventional chemical vapor deposition apparatus includes a rectangular box-shaped main chamber 810 and a pair of side chambers respectively coupled to both sides of the main chamber 810. (821, 822). For reference, the chemical vapor deposition apparatus is a so-called 8th generation chemical vapor deposition apparatus for a substrate having a length and width of approximately 2 meters or more.

메인챔버는(810), 전술한 기판 핸들링 로봇(미도시)이 관통하기 위한 개구(811a)가 형성되는 바닥벽(811)과, 바닥벽(811)의 양단부에서 절곡되어 일체로 형성되는 로드락 챔버 결합벽(812) 및 프로세스 모듈 챔버 결합벽(813)을 포함한다. 로드락 챔버 결합벽(812)에는 전술한 로드락 챔버(미도시)가 결합되며, 프로세 스 모듈 챔버 결합벽(813)에는 5개의 프로세스 모듈 챔버(미도시) 중 하나의 프로세스 모듈 챔버(미도시)가 결합된다. 또한, 로드락 챔버 결합벽(812) 및 프로세스 모듈 챔버 결합벽(813)에는 각각 기판의 인출입 통로가 되는 개구(812a, 813a)가 형성된다.The main chamber 810, a bottom wall 811 in which an opening 811a for penetrating the above-described substrate handling robot (not shown) is formed, and a load lock bent and integrally formed at both ends of the bottom wall 811. A chamber joining wall 812 and a process module chamber joining wall 813. The load lock chamber coupling wall 812 is coupled to the load lock chamber (not shown), and the process module chamber coupling wall 813 is connected to one of the five process module chambers (not shown). C) are combined. In addition, openings 812a and 813a serving as draw-out passages of the substrate are formed in the load lock chamber joining wall 812 and the process module chamber joining wall 813, respectively.

한 쌍의 측면챔버(821, 822)는 메인챔버(810)의 양측부에 각각 결합되는 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이 대략 삼각형 단면을 갖도록 제작된다. 측면챔버(821, 822)의 외면에는 각각 전술한 복수 개의 프로세스 모듈 챔버(미도시) 중 나머지 4개의 프로세스 모듈 챔버(미도시)가 결합되며, 측면챔버(821, 822)에는 각각 메인챔버(810)의 프로세스 모듈 챔버 결합벽(813)과 마찬가지로 기판의 인출입 통로가 되는 개구(821a, 821b, 822a, 822b)가 형성된다.The pair of side chambers 821 and 822 are coupled to both sides of the main chamber 810, respectively, and are manufactured to have a substantially triangular cross section as shown in FIG. 1. Outer surfaces of the side chambers 821 and 822 are respectively coupled to the remaining four process module chambers (not shown) of the plurality of process module chambers (not shown), and the main chambers 810 to the side chambers 821 and 822, respectively. Similarly to the process module chamber joining wall 813, the openings 821a, 821b, 822a, and 822b serving as drawout passages of the substrate are formed.

이러한 트랜스퍼 모듈 챔버(800)는 생산라인에 화학 기상 증착 장치의 장착 및 보수 작업시간을 고려하여 프레임(미도시)에 장착된 상태에서 도로를 통해 운반하는 것이 일반적이다.The transfer module chamber 800 is generally transported through a road in a state of being mounted on a frame (not shown) in consideration of the installation and maintenance work time of the chemical vapor deposition apparatus in the production line.

하지만, 증착 대상인 기판의 크기가 증가함에 따라 트랜스퍼 모듈 챔버(800)의 크기도 증가하게 되는데, 트랜스퍼 모듈 챔버(800)의 크기가 증가하는 경우 도로 운반의 폭, 높이 및 무게 제한에 따라 프레임(미도시)에 트랜스퍼 모듈 챔버(200)를 조립한 상태로는 일반도로를 통해 이송하지 못하게 되는 문제점이 있다.However, as the size of the substrate to be deposited increases, the size of the transfer module chamber 800 also increases. When the size of the transfer module chamber 800 increases, the frame according to the width, height, and weight limitation of road transport (not shown) In the state of assembling the transfer module chamber 200, there is a problem that can not be transported through the general road.

또한, 트랜스퍼 모듈 챔버(800)의 크기가 증가하는 경우 트랜스퍼 모듈 챔버(800)의 내부를 대기 상태에서 진공상태로 만드는데 소요되는 시간, 즉 펌핑 시간이 증가하게 되어 기판을 생산하기 위한 공정시간이 증가하게 되는 문제점이 있 다.In addition, when the size of the transfer module chamber 800 is increased, the time required to make the interior of the transfer module chamber 800 from the atmospheric state to the vacuum state, that is, the pumping time is increased, thereby increasing the process time for producing the substrate. There is a problem.

따라서, 증착 대상인 기판의 크기가 가로 및 세로로 대략 3미터 이상인 소위 11세대에 적용되는 화학 기상 증착 장치와 같이 트랜스퍼 모듈 챔버(800)의 크기가 증가하는 경우라도 이송의 편의를 도모할 수 있으면서도, 트랜스퍼 모듈 챔버(800) 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있는 트랜스퍼 모듈 챔버(800)에 대한 연구개발이 요구되는 실정이다.Therefore, even if the size of the transfer module chamber 800 is increased, such as a chemical vapor deposition apparatus applied to the so-called 11th generation, in which the size of the substrate to be deposited is approximately 3 m or more in width and length, the transfer convenience can be achieved. By reducing the volume of the interior space of the transfer module chamber 800, a research and development of the transfer module chamber 800 that can shorten the pumping time and efficiently improve the productivity of the substrate is required.

본 발명의 목적은, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 부피를 줄임으로써 트랜스퍼 모듈 챔버 이송의 편의가 도모되며, 생산라인에 화학 기상 증착 장치의 장착 및 보수 작업 시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼 모듈 챔버 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to facilitate the transfer of the transfer module chamber by reducing the volume of the side transfer module chamber, to reduce the installation and maintenance time of the chemical vapor deposition apparatus in the production line, as well as the space inside the transfer module chamber It is to provide a chemical vapor deposition apparatus that can reduce the volume of the pumping time to improve the productivity of the substrate efficiently.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 기판을 핸들링하는 기판 핸들링 로봇이 내부에 마련되는 트랜스퍼 모듈 챔버; 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 일측에 연결되어 기판이 출입되는 적어도 하나의 로드락 챔버; 및 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 타측에 연결되어 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 다수의 프로세스 모듈 챔버를 포함하며, 상기 트랜스퍼 모듈 챔버는, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버; 상기 상부 트 랜스퍼 모듈 챔버의 하측에 결합되는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버; 및 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 및 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버 중 적어도 어느 하나의 양측부에 각각 결합되는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치에 의하여 달성된다.The object is, according to the present invention, a transfer module chamber provided with a substrate handling robot for handling the substrate therein; At least one load lock chamber connected to one side of the transfer module chamber to allow a substrate to enter and exit the substrate; And a plurality of process module chambers connected to the other side of the transfer module chamber to perform a substantial deposition process on the substrate, wherein the transfer module chamber comprises: an upper transfer module chamber; A lower transfer module chamber coupled to the lower side of the upper transfer module chamber; And a pair of side transfer module chambers coupled to both sides of at least one of the upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber, respectively.

상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버는, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 하측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 상부 플랜지부를 포함하며, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버는, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 하부 플랜지부를 포함하고, 상기 상부 플랜지부 및 상기 하부 플랜지부는 체결부재에 의하여 상호 결합될 수 있다.The upper transfer module chamber may include an upper flange portion protruding inwardly from a lower inner wall of the upper transfer module chamber, and the lower transfer module chamber may include a lower portion protruding inwardly from an upper inner wall of the lower transfer module chamber. Including a flange portion, the upper flange portion and the lower flange portion may be coupled to each other by a fastening member.

상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버는 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 좌우측에 각각 결합되며, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버와 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 사이에는 각각 실링부재가 개재될 수 있다.The pair of side transfer module chambers may be coupled to left and right sides of the lower transfer module chamber, respectively, and sealing members may be interposed between the lower transfer module chamber and the pair of side transfer module chambers.

상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버가 결합되는 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 양측 외벽에는 각각 실링홈이 형성되며, 상기 실링부재는 상기 실링홈에 삽입될 수 있다.Sealing grooves may be formed on both outer walls of the lower transfer module chamber to which the pair of side transfer module chambers are coupled, and the sealing member may be inserted into the sealing groove.

상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버와 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 사이에는 실링부재가 개재될 수 있다.A sealing member may be interposed between the upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber.

상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 하측 둘레 또는 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측 둘레를 따라서는 실링홈이 형성되며, 상기 실링부재는 상기 실링홈에 삽입될 수 있다.A sealing groove may be formed along a lower circumference of the upper transfer module chamber or an upper circumference of the lower transfer module chamber, and the sealing member may be inserted into the sealing groove.

상기 화학 기상 증착 장치는, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측을 덮도록 마련되는 덮개를 더 포함하며, 상기 덮개와 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 사이에는 실링부재가 개재될 수 있다.The chemical vapor deposition apparatus may further include a cover provided to cover an upper side of the upper transfer module chamber, and a sealing member may be interposed between the cover and the upper transfer module chamber.

상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측 둘레 또는 상기 덮개의 하측 둘레를 따라서는 실링홈이 형성되며, 상기 실링부재는 상기 실링홈에 삽입될 수 있다.A sealing groove may be formed along an upper circumference of the upper transfer module chamber or a lower circumference of the cover, and the sealing member may be inserted into the sealing groove.

상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 좌우측에는 각각 개구가 형성되며, 상기 개구는, 사각 형상 단면으로 형성되는 제1 개구; 및 상기 제1 개구의 하단 중앙부에서 상기 제1 개구의 폭보다 작은 폭을 가지고 하방으로 연장되는 제2 개구를 포함할 수 있다.Openings are formed at left and right sides of the lower transfer module chamber, respectively, the openings comprising: a first opening having a rectangular cross section; And a second opening extending downward from the lower center portion of the first opening and having a width smaller than that of the first opening.

상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 및 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버에는 각각, 증착 대상이 되는 기판이 인입되거나 증착이 완료된 기판이 취출되기 위한 적어도 하나의 슬롯 포트가 형성될 수 있다.At least one slot port may be formed in each of the upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber so that a substrate to be deposited is introduced or a substrate on which deposition is completed is taken out.

상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상기 적어도 하나의 슬롯 포트는 하나의 슬롯 포트이고, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상기 적어도 하나의 슬롯 포트는 두 개의 슬롯 포트이며, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상기 두 개의 슬롯 포트 중 상측에 위치한 슬롯 포트는 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버에 각각 형성된 슬롯 포트와 실질적으로 동일한 높이에 형성될 수 있다.The at least one slot port of the upper transfer module chamber is one slot port, the at least one slot port of the lower transfer module chamber is two slot ports, and among the two slot ports of the lower transfer module chamber The upper slot ports may be formed at substantially the same height as the slot ports respectively formed in the pair of side transfer module chambers.

상기 트랜스퍼 모듈 챔버는 평면 투영 시 6각형 구조를 가지며, 상기 적어도 하나의 로드락 챔버와 상기 다수의 프로세스 모듈 챔버는 6각형 구조의 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 각 변에 인접하게 배치되어 상기 트랜스퍼 모듈 챔버와 연결될 수 있다.The transfer module chamber has a hexagonal structure in planar projection, and the at least one load lock chamber and the plurality of process module chambers are disposed adjacent to each side of the transfer module chamber of the hexagonal structure, Can be connected.

상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버는 각각, 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 강도를 보강하는 보강부를 포함할 수 있다.The pair of side transfer module chambers may each include a reinforcement to reinforce the strength of the pair of side transfer module chambers.

본 발명에 의하면, 트랜스퍼 모듈 챔버를 상부 트랜스퍼 모듈 챔버와, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버와, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버로 나누어 구성함으로써 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 부피를 줄일 수 있고, 이에 따라 트랜스퍼 모듈 챔버 이송의 편의가 도모되며, 생산라인에 화학 기상 증착 장치의 장착 및 보수 작업 시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼 모듈 챔버 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있게 된다.According to the present invention, it is possible to reduce the volume of the side transfer module chamber by dividing the transfer module chamber into an upper transfer module chamber, a lower transfer module chamber, and a pair of side transfer module chambers. For convenience, it is possible to reduce the time required to install and repair the chemical vapor deposition apparatus on the production line, as well as to reduce the volume of the space inside the transfer module chamber, thereby reducing the pumping time and efficiently improving the productivity of the substrate. It becomes possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, in describing the present invention, descriptions of already known functions or configurations will be omitted to clarify the gist of the present invention.

참고로, 이하에서 설명할 기판이란, LCD(Liquid Crystal Display) 기판, PDP(Plasma Display Panel) 기판 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 기판 등을 포함하는 평면디스플레이(Flat Panel Display, FPD)를 가리키나, 설명의 편의를 위해 이들을 구분하지 않고 기판이라 하기로 한다.For reference, the substrate to be described below refers to a flat panel display (FPD) including a liquid crystal display (LCD) substrate, a plasma display panel (PDP) substrate, an organic light emitting diodes (OLED) substrate, and the like. For the convenience of description, these will be referred to as substrates without being divided.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 개략적인 평면도 이며, 도 3은 도 2의 트랜스퍼 모듈 챔버의 분해 사시도이고, 도 4는 도 3의 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 및 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 결합 사시도이며, 도 5는 도 3의 트랜스퍼 모듈 챔버의 결합사시도이다.2 is a schematic plan view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an exploded perspective view of the transfer module chamber of FIG. 2, and FIG. 4 is an upper transfer module chamber and a lower transfer module chamber of FIG. 3. 5 is a combined perspective view of the transfer module chamber of FIG. 3.

이들 도면을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는, 기판의 로딩 및 언로딩을 수행하는 로드락 챔버(100)와, 기판에 대한 증착 공정을 수행하는 5개의 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)와, 로드락 챔버(100) 및 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)를 상호 연결하는 트랜스퍼 모듈 챔버(200)를 구비한다.Referring to these drawings, the chemical vapor deposition apparatus 10 according to an embodiment of the present invention, the load lock chamber 100 to perform the loading and unloading of the substrate, and the five deposition processes for the substrate A process module chamber 310, 320, 330, 340, 350, and a transfer module chamber 200 interconnecting the load lock chamber 100 and the process module chambers 310, 320, 330, 340, 350. .

여기서, 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)는 고온 저압의 환경에서 기판에 대한 증착 공정을 수행한다. 도시하고 있지는 않지만, 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)는 서셉터(미도시) 상에 놓여진 기판의 표면에 전극으로부터 방출된 소정의 반응성 가스 이온이 소정의 두께만큼 증착되는 장소로서, 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 장소이다.Here, the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350 perform a deposition process on the substrate in an environment of high temperature and low pressure. Although not shown, the process module chambers 310, 320, 330, 340, 350 are places where predetermined reactive gas ions emitted from an electrode are deposited to a predetermined thickness on the surface of a substrate placed on a susceptor (not shown). As such, this is where the actual deposition process for the substrate proceeds.

본 실시예의 경우, 1개의 로드락 챔버(100)를 기준으로 총 5개의 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)가 마련되어 있기 때문에 그 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 하지만, 본 발명의 권리범위가 이에 제한되는 것은 아니므로 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)는 5개보다 많아도 혹은 적어도 무방하다.In the present exemplary embodiment, since five process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350 are provided based on one load lock chamber 100, the productivity may be improved. However, since the scope of the present invention is not limited thereto, there may be more or at least five process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350.

이러한 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)를 통한 기판의 증착 공정 진행을 위해, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)에 마련된 기판 핸들링 로봇(500)이 작 업 대상의 기판을 해당 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 이송시키게 되는데, 이때 대기압 상태에 있는 기판을 직접 고온 저압의 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 진입시키는 과정에 어려움이 있기 때문에, 기판을 해당 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 이송하기 전에 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)와 동일한 환경을 조성해줄 필요가 있다. 이를 위해 로드락 챔버(100)가 마련된다.In order to proceed with the deposition process of the substrate through the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350, the substrate handling robot 500 provided in the transfer module chamber 200 transfers the substrate to be processed. (310, 320, 330, 340, 350) is transferred to the process, because it is difficult to enter the substrate in the atmospheric state directly into the process module chamber (310, 320, 330, 340, 350) of high temperature and low pressure Before the substrate is transferred to the corresponding process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350, it is necessary to create the same environment as the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350. To this end, the load lock chamber 100 is provided.

로드락 챔버(100)는 이송 로봇(미도시)에 의해 외부로부터 화학 기상 증착 공정의 대상이 되는 기판이 인입되면, 내부의 환경을 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)와 실질적으로 동일한 온도와 압력으로 조성하는 역할을 한다.When the load lock chamber 100 receives a substrate to be subjected to a chemical vapor deposition process from the outside by a transfer robot (not shown), the internal environment is substantially connected to the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350. It acts as a composition to the same temperature and pressure.

이처럼 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)와 실질적으로 동일한 환경이 조성된 로드락 챔버(100) 내의 기판은, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)에 마련되는 기판 핸들링 로봇(500)에 의해 인출되어 해당 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 이송된 후 해당 증착 공정이 수행된다. 반대로 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350) 내에서 증착 공정이 완료된 기판은 기판 핸들링 로봇(500)에 의해 인출되어 외부와 실질적으로 동일한 온도와 압력을 유지하는 로드락 챔버(100)로 이송된 후 최종적으로 이송 로봇(미도시)에 의해 외부로 인출된다.As such, the substrate in the load lock chamber 100 having substantially the same environment as the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350 is formed by the substrate handling robot 500 provided in the transfer module chamber 200. After being withdrawn and transferred to the corresponding process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350, a corresponding deposition process is performed. On the contrary, the substrate in which the deposition process is completed in the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350 is drawn out by the substrate handling robot 500 to maintain the same temperature and pressure as the outside. After being transported to the robot, the robot is finally taken out by a transport robot (not shown).

이와 같이, 로드락 챔버(100)는 외부로부터 기판이 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 인입되기 전 또는 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로부터 기판이 외부로 인출되기 전에 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)의 환경 또는 외부의 환경과 실질적으로 동일한 상태로 기판을 수용하는 역할 을 한다.In this way, the load lock chamber 100 may be formed by the substrate from the outside before the substrate is introduced into the process module chambers 310, 320, 330, 340, 350 or from the process module chambers 310, 320, 330, 340, 350. It serves to receive the substrate in a state substantially the same as the environment of the process module chambers 310, 320, 330, 340, 350 or an external environment before being drawn out.

트랜스퍼 모듈 챔버(200)는 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)와 로드락 챔버(100)를 연결하는 챔버이며, 본 실시예에서 트랜스퍼 모듈 챔버(200)는 평면 투영 시 육각 구조를 갖는 거대한 구조물이다. 즉, 그 내부에서 가로/세로의 폭이 최대 3미터 내외에 이르는 소위, 11세대라 불리는 기판이 기판 핸들링 로봇(500)에 의해 이송되어야 하기 때문에 트랜스퍼 모듈 챔버(200)는 거대한 구조물로 마련된다.The transfer module chamber 200 is a chamber connecting the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350 to the load lock chamber 100. In this embodiment, the transfer module chamber 200 has a hexagonal structure in planar projection. Having a huge structure. That is, the transfer module chamber 200 is provided as a huge structure because a so-called 11th generation substrate having a width / length of about 3 meters in and out of it must be transferred by the substrate handling robot 500.

트랜스퍼 모듈 챔버(200)는 프레임(미도시)에 얹혀진 상태로 마련되며, 물론 이와 같이 트랜스퍼 모듈 챔버(200)가 프레임(미도시)에 얹혀지는 구조는, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 외에도 로드락 챔버(100) 및 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)에 공히 적용된다.The transfer module chamber 200 is provided in a state where it is mounted on a frame (not shown). Of course, the structure in which the transfer module chamber 200 is mounted on a frame (not shown) may include a load lock chamber in addition to the transfer module chamber 200. 100 and process module chambers 310, 320, 330, 340, 350.

한편, 도 3에 자세히 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 트랜스퍼 모듈 챔버(200)는, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 하측에 결합되는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)와, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측면에 결합되는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)와, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)를 덮는 덮개(220)를 포함한다.Meanwhile, as shown in detail in FIG. 3, the transfer module chamber 200 according to the present embodiment may include an upper transfer module chamber 210 and a lower transfer module chamber coupled to a lower side of the upper transfer module chamber 210. 230, a pair of side transfer module chambers 240 and 250 coupled to both sides of the lower transfer module chamber 230, and a cover 220 covering the upper transfer module chamber 210.

상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)는 사각 박스형 형상을 갖는 구성으로, 기판의 인출입을 위해 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 일측벽을 관통하여 형성되는 슬롯 포트(212)와, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 하측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 상부 플랜지부(211)를 포함한다.The upper transfer module chamber 210 has a rectangular box shape, and includes a slot port 212 formed through one side wall of the upper transfer module chamber 210 and a top transfer module chamber 210 to draw in and out of a substrate. It includes an upper flange portion 211 protruding in the inward direction from the lower inner wall of the.

슬롯 포트(212)는 로드락 챔버(100)에 마련되는 슬롯 포트(미도시)와 상호 연통되어, 증착 대상이 되는 기판이 로드락 챔버(100)로부터 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210) 측으로 인입되거나, 증착이 완료된 기판이 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)로부터 로드락 챔버(100) 측으로 인출되는 부분이다.The slot port 212 is in communication with a slot port (not shown) provided in the load lock chamber 100, the substrate to be deposited is drawn from the load lock chamber 100 toward the upper transfer module chamber 210, The substrate on which the deposition is completed is a part which is drawn out from the upper transfer module chamber 210 to the load lock chamber 100 side.

상부 플랜지부(211)는, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 하측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 것으로 추후 설명하는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 하부 플랜지부(231)와 상호 결합되어, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 사이의 상대적인 슬라이딩(Sliding)을 방지하기 위한 것이다. 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 플랜지부(211)는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 제1 내벽(213)의 하측과 제2 내벽(214)의 하측으로부터 내측 방향으로 각각 돌출되도록 마련된다.The upper flange portion 211 is mutually coupled to the lower flange portion 231 of the lower transfer module chamber 230, which will be described later as protruding inward from the lower inner wall of the upper transfer module chamber 210, and thus the upper transfer module. This is to prevent relative sliding between the chamber 210 and the lower transfer module chamber 230. As shown in FIGS. 3 and 4, the upper flange portion 211 protrudes inward from the lower side of the first inner wall 213 and the lower side of the second inner wall 214 of the upper transfer module chamber 210, respectively. Prepared.

한편, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 하측에 결합되는 구성으로, 기판의 인출입을 위해 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 일측벽을 관통하여 형성되는 슬롯 포트(232, 233)와, 좌우측 벽을 각각 관통하여 형성되는 개구(237, 238)와, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 상측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 하부 플랜지부(231)를 포함한다.On the other hand, the lower transfer module chamber 230 is coupled to the lower side of the upper transfer module chamber 210, the slot port 232 is formed through the one side wall of the lower transfer module chamber 230 for the withdrawal of the substrate 233, openings 237 and 238 formed through the left and right walls, respectively, and a lower flange portion 231 protruding inwardly from an upper inner wall of the lower transfer module chamber 230.

슬롯 포트(232, 233)는 로드락 챔버(100)에 마련되는 슬롯 포트(미도시)와 상호 연통되어, 증착 대상이 되는 기판이 로드락 챔버(100)로부터 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 측으로 인입되거나, 증착이 완료된 기판이 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)로부터 로드락 챔버(100) 측으로 인출되는 부분이다.The slot ports 232 and 233 communicate with slot ports (not shown) provided in the load lock chamber 100 so that the substrate to be deposited is drawn from the load lock chamber 100 toward the lower transfer module chamber 230. Alternatively, the substrate on which deposition is completed is a portion from which the lower transfer module chamber 230 is drawn out to the load lock chamber 100 side.

상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 달리, 본 실시예의 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)는 두 개의 슬롯 포트(232, 233)를 포함하며, 이 중 상측에 위치한 슬롯 포트(232)는 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 각각 형성되는 슬롯 포트(241, 251)와 실질적으로 동일한 높이에 형성된다.Unlike the upper transfer module chamber 210, the lower transfer module chamber 230 of the present embodiment includes two slot ports 232 and 233, of which the upper slot port 232 is a side transfer module chamber ( It is formed at substantially the same height as the slot port (241, 251) formed in the 240, 250, respectively.

이처럼, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 두 개의 슬롯 포트(232, 233) 중 상측에 위치한 슬롯 포트(232)를, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 각각 형성되는 슬롯 포트(241, 251)와 실질적으로 동일한 높이에 형성시킴으로써, 기판의 인출입에 소요되는 시간을 단축할 수 있게 된다.As such, the slot ports 232 located on the upper side of the two slot ports 232 and 233 of the lower transfer module chamber 230 are formed in the side transfer module chambers 240 and 250, respectively. By forming the substrate at substantially the same height as the above, it is possible to shorten the time required for drawing out the substrate.

즉, 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)에 형성되는 슬롯 포트(미도시)는 각각 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 형성되는 슬롯 포트(241, 251)와 동일한 높이에 형성되는데, 이 경우 증착 대상이 되는 기판은 로드락 챔버(100)로부터 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210) 또는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 측으로 인입되며, 다시 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240 또는 250)을 거쳐 어느 하나의 프로세스 모듈 챔버(310 또는 320 또는 330 또는 340 또는 350) 측으로 인입된다. 마찬가지로, 증착이 완료된 기판은 프로세스 모듈 챔버(310 또는 320 또는 330 또는 340 또는 350)로부터 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240 또는 250) 측으로 인출된 후, 다시 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210) 또는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)를 거쳐 로드락 챔버(100) 측으로 인출된다.That is, the slot ports (not shown) formed in the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350 may be flush with the slot ports 241 and 251 formed in the side transfer module chambers 240 and 250, respectively. In this case, the substrate to be deposited is introduced from the load lock chamber 100 to the upper transfer module chamber 210 or the lower transfer module chamber 230, and then passes through the side transfer module chamber 240 or 250. It is drawn into one process module chamber 310 or 320 or 330 or 340 or 350. Similarly, the substrate on which deposition is completed is withdrawn from the process module chamber 310 or 320 or 330 or 340 or 350 to the side transfer module chamber 240 or 250 and then back to the upper transfer module chamber 210 or the lower transfer module chamber ( It is withdrawn to the load lock chamber 100 side via 230.

이때, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)로 인입된 기판을 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)로 전달하거나, 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350) 로부터 인출된 기판을 트랜스퍼 모듈 챔버(200)로 전달하는 역할은 전술한 바와 같이 기판 핸들링 로봇(500)이 담당하는데, 본 실시예와 같이 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 두 개의 슬롯 포트(232, 233) 중 상측에 위치한 슬롯 포트(232)를 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 각각 형성되는 슬롯 포트(241, 251)와 실질적으로 동일한 높이에 형성시킴으로써, 기판 핸들링 로봇(500)의 상승 및 하강에 걸리는 시간을 줄일 수 있도록 하는 것이다.In this case, the substrate introduced into the transfer module chamber 200 may be transferred to the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350, or the substrate drawn out from the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350 may be transferred. As described above, the substrate handling robot 500 is responsible for the transfer to the transfer module chamber 200, and as shown in the present embodiment, the upper portion of the two slot ports 232 and 233 of the lower transfer module chamber 230 is disposed above. By forming the slot ports 232 positioned at substantially the same height as the slot ports 241 and 251 formed in the side transfer module chambers 240 and 250, respectively, the time required for raising and lowering the substrate handling robot 500 is increased. To reduce it.

즉, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 일측에 마련되는 3개의 슬롯 포트(212, 232, 233) 중 중앙에 형성된 슬롯 포트(232)의 높이와, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 슬롯 포트(241, 251)와 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)의 슬롯 포트(미도시)의 높이를 실질적으로 동일하도록 함으로써, 기판 핸들링 로봇(500)은 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 중앙으로부터 상하측 방향으로 최단거리를 따라 이동하면서 기판을 이송하게 된다.That is, the height of the slot port 232 formed in the center of the three slot ports (212, 232, 233) provided on one side of the transfer module chamber 200, and the slot port of the side transfer module chamber (240, 250) By making the heights of the slot ports (not shown) of the 241 and 251 and the process module chambers 310, 320, 330, 340, and 350 substantially the same, the substrate handling robot 500 is centered in the transfer module chamber 200. The substrate is transferred while moving along the shortest distance in the vertical direction.

다만, 본 발명의 다른 실시예에 따라 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)에는 두 개 이상의 슬롯 포트가 형성될 수도 있으며(미도시), 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)에도 3개 이상의 슬롯 포트가 형성될 수도 있다(미도시). 또한, 필요에 따라 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 슬롯 포트(233)와 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 슬롯 포트(241, 251)의 높이를 실질적으로 동일하게 하지 않아도 무방하며, 본 발명의 권리범위는 슬롯 포트(212, 232, 233, 241, 251)의 형성 위치에 의하여 제한되지 않는다.However, according to another embodiment of the present invention, two or more slot ports may be formed in the upper transfer module chamber 210 (not shown), and three or more slot ports may be formed in the lower transfer module chamber 230. (Not shown). In addition, if necessary, the heights of the slot ports 233 of the lower transfer module chamber 230 and the slot ports 241 and 251 of the side transfer module chambers 240 and 250 may not be substantially the same. The scope of the right is not limited by the formation position of the slot port (212, 232, 233, 241, 251).

한편, 개구(237, 238)는, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 좌우측에 각각 마 련되는 제1 내벽(234) 및 제2 내벽(235)을 관통하여 형성되는 것으로, 제1 개구(237a, 238a)와, 제1 개구(237a, 238a)의 하단 중앙부에서 제1 개구(237a, 238a)의 폭보다 작은 폭을 가지고 하방으로 연장되는 제2 개구(237b, 238b)를 포함한다.On the other hand, the openings 237 and 238 are formed through the first inner wall 234 and the second inner wall 235 respectively formed on the left and right sides of the lower transfer module chamber 230, and the first openings 237a, 238a and second openings 237b and 238b extending downwards with a width smaller than the width of the first openings 237a and 238a at the lower center portions of the first openings 237a and 238a.

이에 대응하여 후술하는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에는 동일한 형상의 개구(257, 미도시)가 형성된다.Correspondingly, openings 257 (not shown) having the same shape are formed in the pair of side transfer module chambers 240 and 250 described below.

하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 개구(237, 238)와, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 개구(257, 미도시)를 전술한 바와 같이 형성하는 이유는 기판 핸들링 로봇(500)의 충분한 회전반경을 확보하면서도, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내부를 진공상태로 만들기 위한 펌핑시간을 단축하기 위함이다.The reason for forming the openings 237 and 238 of the lower transfer module chamber 230 and the openings 257 (not shown) of the pair of side transfer module chambers 240 and 250 as described above is because the substrate handling robot 500 In order to shorten the pumping time for making the inside of the transfer module chamber 200 into a vacuum while securing a sufficient radius of rotation.

후술하겠지만, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는, 각 변을 따라 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)가 결합되는 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)와, 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)의 하측에 일체로 마련되는 곡선면부(244, 254)를 포함한다.As will be described later, the pair of side transfer module chambers 240 and 250 may include a process module chamber coupling part 242 and 252 to which the process module chambers 310, 320, 330, 340 and 350 are coupled along each side; And curved surface portions 244 and 254 provided integrally under the process module chamber coupling portions 242 and 252.

프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)는, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 및 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)의 결합의 편의를 도모하기 위해 각각 삼각 단면 형상을 갖는 직선면으로 마련되며, 곡선면부(244, 254)는 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내에서 기판 핸들링 로봇(500)이 회전하기 위한 회전공간을 마련하기 위해 소정의 곡률을 갖는 곡선면으로 마련된다.The process module chamber coupling portions 242, 252 each have a triangular cross-sectional shape for the convenience of coupling the side transfer module chambers 240, 250 and the process module chambers 310, 320, 330, 340, 350. It is provided as a straight surface, the curved surface portion 244, 254 is provided in a curved surface having a predetermined curvature to provide a rotation space for the substrate handling robot 500 to rotate in the transfer module chamber 200.

하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 하측에 마련되는 타원형 부분은 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 곡선면부(244, 254)의 곡선형 내벽과 상호 연 결되어 전체적으로 원 단면 형상을 갖게 되며, 제2 개구(237b, 238b)와, 제2 개구(237b, 238b)와 동일한 형상으로 마련되는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 개구(257, 미도시)의 일부분에 의하여, 기판 핸들링 로봇(500)은 충분한 회전반경을 가진 상태에서 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내측 공간에서 회전할 수 있게 된다.The elliptical portion provided below the lower transfer module chamber 230 is interconnected with the curved inner walls of the curved surface portions 244 and 254 of the pair of side transfer module chambers 240 and 250 to have an overall circular cross-sectional shape. And a portion of the openings 257 (not shown) of the pair of side transfer module chambers 240 and 250 provided in the same shape as the second openings 237b and 238b and the second openings 237b and 238b. The substrate handling robot 500 may rotate in the inner space of the transfer module chamber 200 while having a sufficient radius of rotation.

또한, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 제1 개구(237a, 238a)와, 제1 개구(237a, 238a)와 동일한 형상으로 마련되는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 개구(257, 미도시)의 일부분에 의하여, 기판은 충분한 여유공간을 가진 상태에서 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)로부터 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 측으로 인입되거나, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)로부터 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 측으로 취출될 수 있게 된다.In addition, the openings 257 of the first openings 237a and 238a of the lower transfer module chamber 230 and the pair of side transfer module chambers 240 and 250 provided in the same shape as the first openings 237a and 238a. The substrate may be drawn from the lower transfer module chamber 230 to the pair of side transfer module chambers 240 and 250 in a state in which the substrate has sufficient clearance, or a pair of side transfer module chambers (not shown). 240 and 250 may be taken out to the lower transfer module chamber 230 side.

한편, 하부 플랜지부(231)는, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 상측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 것으로 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 상부 플랜지부(211)와 상호 결합된다. Meanwhile, the lower flange part 231 is protruded inward from the upper inner wall of the lower transfer module chamber 230 and is mutually coupled to the upper flange part 211 of the upper transfer module chamber 210.

일반적으로 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내부는 진공상태로 유지되며 외부는 대기압상태로 유지되므로, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내부와 외부의 기압 차로 인해 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 상호 간에는 일정한 힘이 작용하게 된다. 이러한 힘은 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)에 대하여 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)를 상대적으로 이동시키는 원인이 될 수 있으며, 이에 따라 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내측의 기밀(氣密)을 유지하기 어려운 문제가 발생 할 수 있다.In general, since the inside of the transfer module chamber 200 is maintained in a vacuum state and the outside is kept at atmospheric pressure, an upper pressure difference between the upper transfer module chamber 210 and the lower transfer module chamber due to an air pressure difference between the inside and the outside of the transfer module chamber 200. (230) A constant force acts on each other. This force may cause the lower transfer module chamber 230 to move relatively with respect to the upper transfer module chamber 210, and thus, it is difficult to maintain airtightness inside the transfer module chamber 200. May occur.

이러한 문제점을 고려하여, 본 실시예의 화학 기상 증착 장치(10)는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 하측 내벽에 마련되는 상부 플랜지부(211)와, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 상측 내벽에 마련되는 하부 플랜지부(231) 상호 간을 체결부재(400)를 통하여 체결하도록 함으로써, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)에 대한 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 상대적인 이동(Sliding)을 방지할 수 있도록 한다.In consideration of these problems, the chemical vapor deposition apparatus 10 of the present embodiment is provided on the upper flange portion 211 provided on the lower inner wall of the upper transfer module chamber 210 and the upper inner wall of the lower transfer module chamber 230. The lower flanges 231 are fastened to each other through the fastening member 400 to prevent relative sliding of the lower transfer module chamber 230 with respect to the upper transfer module chamber 210.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 플랜지부(231)는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 제1 내벽(234)의 상측과 제2 내벽(235)의 상측으로부터 내측 방향으로 각각 돌출되도록 마련된다.3 and 4, the lower flange portion 231 protrudes in an inward direction from an upper side of the first inner wall 234 and an upper side of the second inner wall 235 of the lower transfer module chamber 230, respectively. Prepared.

상부 플랜지부(211)와 하부 플랜지부(231)는 체결부재(400)에 의하여 상호 결합되며, 여기서 체결부재(400)는 볼트(410) 및 너트(420)를 말한다. 체결부재(400)는 상부 플랜지부(211)와 하부 플랜지부(231)의 길이 방향을 따라 상호 일정한 간격만큼 이격되어 다수 개로 결합된다. 다만, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)를 견고히 결합할 수 있는 한, 체결부재(400)는 다양하게 변경될 수 있으며, 본 발명의 권리범위는 체결부재(400)의 유형에 의하여 제한되지 않는다.The upper flange portion 211 and the lower flange portion 231 are mutually coupled by the fastening member 400, where the fastening member 400 refers to the bolt 410 and the nut 420. The fastening members 400 are spaced apart by a predetermined distance from each other along the length direction of the upper flange portion 211 and the lower flange portion 231 are coupled in plurality. However, as long as the upper transfer module chamber 210 and the lower transfer module chamber 230 can be firmly coupled, the fastening member 400 may be variously changed, and the scope of the present invention is defined by the fastening member 400. It is not limited by type.

본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 상호 간을 체결부재(400)에 의하여 견고히 체결하도록 함으로써, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부와 외부의 압력의 차이에 의하여 발생할 수 있는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)에 대한 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 상대적인 이동을 방지하도록 하여 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부의 진공압을 효율적으로 유지시킬 수 있도록 한다.In the chemical vapor deposition apparatus 10 according to the present embodiment, the upper transfer module chamber 210 and the lower transfer module chamber 230 are firmly fastened to each other by the fastening member 400, thereby transferring the transfer module chamber 200. It is possible to effectively maintain the vacuum pressure inside the transfer module chamber 200 by preventing relative movement of the lower transfer module chamber 230 with respect to the upper transfer module chamber 210 which may be caused by the difference in pressure between the inside and the outside. To help.

또한, 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)가 결합되는 트랜스퍼 모듈 챔버(200)를 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)로 나누어 구성하고, 후술하는 바와 같이 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)를 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측에 각각 결합시킴으로써, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 부피를 줄일 수 있게 되고, 이에 따라 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 크기가 증가하는 경우라도 트랜스퍼 모듈 챔버(200)를 용이하게 운반할 수 있게 된다.In addition, the chemical vapor deposition apparatus 10 according to the present embodiment, the transfer module chamber 200 to which the pair of side transfer module chambers 240 and 250 are coupled, the upper transfer module chamber 210 and the lower transfer module chamber. It is configured by dividing the 230, and by coupling the side transfer module chamber (240, 250) to both sides of the lower transfer module chamber 230, as will be described later, it is possible to reduce the volume of the side transfer module chamber (240, 250) Accordingly, even when the size of the transfer module chamber 200 increases, the transfer module chamber 200 may be easily transported.

그 결과, 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 이송의 편의가 도모되며, 생산라인에 화학 기상 증착 장치(10)의 장착 및 보수 작업시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있게 된다.As a result, the chemical vapor deposition apparatus 10 according to the present embodiment can facilitate the transfer of the transfer module chamber 200, and reduce the installation and maintenance work time of the chemical vapor deposition apparatus 10 in the production line. In addition, by reducing the volume of the space inside the transfer module chamber 200 it is possible to shorten the pumping time to efficiently improve the productivity of the substrate.

한편, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)가 결합되는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측 외벽에는 표면으로부터 함몰되는 실링홈(230a)이 형성된다. 실링홈(230a)에는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)와 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 사이에 개재되어 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부의 기밀을 유지하는 실링부재(510)가 삽입되며, 이에 대한 보다 자세한 사항은 후술하기로 한다.Meanwhile, sealing grooves 230a recessed from the surface are formed on both outer walls of the lower transfer module chamber 230 to which the pair of side transfer module chambers 240 and 250 are coupled. The sealing groove 230a is inserted between the lower transfer module chamber 230 and the side transfer module chambers 240 and 250 to insert a sealing member 510 to maintain the airtight inside the transfer module chamber 200. More details will be described later.

한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)와 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350) 상호 간의 기판의 인출입을 위하여 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측에 각각 결합되는 구성이다.The pair of side transfer module chambers 240 and 250 may be formed in the lower transfer module chamber 230 to withdraw the substrate between the transfer module chamber 200 and the process module chambers 310, 320, 330, 340 and 350. It is a configuration that is coupled to both sides.

본 실시예의 경우, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는 각각 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측에 결합되며, 이에 따라 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 전체적인 부피를 줄일 수 있게 된다.In the present embodiment, the pair of side transfer module chambers 240 and 250 are coupled to both sides of the lower transfer module chamber 230, respectively, so that the overall volume of the side transfer module chambers 240 and 250 can be reduced. do.

다만, 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는 일체형이 아닌 두 개 또는 그 이상으로 분리되어 구성될 수도 있으며(미도시), 본 발명의 권리범위는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 구성방법에 의하여 제한되지 않는다.However, according to another embodiment of the present invention, the pair of side transfer module chambers 240 and 250 may be configured as two or more parts which are not integrated (not shown). It is not limited by the configuration method of the pair of side transfer module chambers 240 and 250.

도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는 각 변을 따라 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340, 350)가 결합되는 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)와, 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)의 하측에 일체로 마련되는 곡선면부(244, 254)를 포함한다.As shown in FIGS. 3 and 5, the side transfer module chambers 240 and 250 may include a process module chamber coupling part 242 to which the process module chambers 310, 320, 330, 340 and 350 are coupled along each side. 252 and curved surface portions 244 and 254 integrally provided under the process module chamber coupling portions 242 and 252.

프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)는 각각 삼각 단면 형상을 갖도록 제작되어, 각 변을 따라 총 4개의 프로세스 모듈 챔버(310, 320, 330, 340)가 결합되며, 곡선면부(244, 254)는 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내에서 기판 핸들링 로봇(500)이 회전하기 위한 회전공간을 마련하는 부분이다.The process module chamber coupling parts 242 and 252 are manufactured to have a triangular cross-sectional shape, respectively, so that a total of four process module chambers 310, 320, 330, and 340 are coupled along each side, and curved surface parts 244 and 254. Is a portion that provides a rotation space for the substrate handling robot 500 to rotate in the transfer module chamber 200.

프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)의 각 변에는 각각 슬롯 포트(241, 251)가 형성되며, 전술한 바와 마찬가지로 슬롯 포트(241, 251)는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 두 개의 슬롯 포트(232, 233) 중 상측에 형성되는 슬롯 포트(232)와 실질적으로 동일한 높이에 형성된다.Slot ports 241 and 251 are formed at each side of the process module chamber coupling parts 242 and 252, respectively. As described above, the slot ports 241 and 251 are two slot ports of the lower transfer module chamber 230. It is formed at substantially the same height as the slot port 232 formed on the upper side of the (232, 233).

한편, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)는 각각 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)의 강도를 보강하기 위한 보강부(260)를 포함한다.Meanwhile, the pair of side transfer module chambers 240 and 250 include reinforcement parts 260 for reinforcing the strength of the side transfer module chambers 240 and 250, respectively.

보강부(260)는, 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)의 상면과, 곡선면부(244, 254)의 외주면으로부터 돌출되도록 다수 개가 마련된다. 또한, 프로세스 모듈 챔버 결합부(242, 252)와 곡선면부(244, 254)에 각각 마련된 보강부(260)는 상호 실질적으로 동축적으로 마련됨으로써 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 가해지는 진공압에 대하여 효율적으로 저항할 수 있는 강성을 갖도록 한다.The reinforcement part 260 is provided in plurality so as to protrude from the upper surfaces of the process module chamber coupling parts 242 and 252 and the outer peripheral surfaces of the curved surface parts 244 and 254. In addition, the reinforcement parts 260 provided in the process module chamber coupling parts 242 and 252 and the curved surface parts 244 and 254, respectively, are provided substantially coaxially with each other, so that the stiffness applied to the side transfer module chambers 240 and 250 is increased. It should have rigidity that can effectively resist the pneumatic pressure.

한편, 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)를 덮는 덮개(220)를 더 포함한다.Meanwhile, the chemical vapor deposition apparatus 10 according to the present exemplary embodiment further includes a cover 220 covering the upper transfer module chamber 210.

덮개(220)는 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)의 상측을 완전히 밀폐시킴으로써 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내부의 진공상태를 유지하기 위한 것이다. 도시되지는 않았지만, 덮개(220)에는 크레인의 인양 고리를 결합하기 위한 크레인 인양고리 연결부(미도시)가 마련될 수 있으며, 이에 따라 덮개(220)를 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)로부터 간편히 들어올리거나 내릴 수 있도록 한다.The cover 220 is to maintain a vacuum inside the transfer module chamber 200 by completely sealing the upper side of the upper transfer module chamber 210. Although not shown, the cover 220 may be provided with a crane lifting ring connecting portion (not shown) for coupling the lifting ring of the crane, thereby simply lifting the cover 220 from the upper transfer module chamber 210 or Allow to get off.

한편, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)와 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 사이에 각각 개재되는 실링부재(510)를 더 포함한다.3 to 5, the sealing member 510 interposed between the chemical vapor deposition lower transfer module chamber 230 and the pair of side transfer module chambers 240 and 250, respectively, according to the present embodiment. More).

실링부재(510)는 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)가 결합되는 하부 트랜 스퍼 모듈 챔버(230)의 양측 외벽에 형성되는 실링홈(230a)에 각각 삽입되어, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 전체 내부 공간의 기밀을 유지하는 부재이다.The sealing member 510 is inserted into the sealing grooves 230a formed on both outer walls of the lower transfer module chamber 230 to which the side transfer module chambers 240 and 250 are coupled, respectively, so that the whole of the transfer module chamber 200 is provided. It is a member that maintains the airtightness of the internal space.

본 실시예의 경우 실링부재(510)는 일반적인 오링(O-ring)이 사용되며, 여기서 오링은 'O'형으로 되어 판의 밀봉이나 운동부의 밀봉을 하는 기계요소를 말한다. 특히, 본 실시예의 실링부재(510)는 트랜스퍼 모듈 챔버(200)의 내부 압력과 온도를 고려하여 비톤(VITON) 또는 실리콘 등의 재질로 제작된다.In the present embodiment, the sealing member 510 is a general O-ring (O-ring) is used, where the O-ring refers to a mechanical element for sealing the plate or the moving part of the 'O' type. In particular, the sealing member 510 of the present embodiment is made of a material such as viton or silicon in consideration of the internal pressure and temperature of the transfer module chamber 200.

실링부재(510)는, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)의 양측 외벽에 형성되는 실링홈(230a)에 각각 삽입된 후 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)에 의하여 눌려지면서 전체적으로 펴지게 되어 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부의 기밀을 유지하게 된다.The sealing member 510 is inserted into the sealing grooves 230a formed on both outer walls of the lower transfer module chamber 230, and then pressed by the pair of side transfer module chambers 240 and 250 to be unfolded as a whole. The airtightness inside the transfer module chamber 200 is maintained.

다만, 본 발명의 다른 실시예에 따라 실링홈(230a)은 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 측에 형성될 수도 있으며(미도시), 비톤 또는 실리콘 이외의 재질로 마련될 수도 있다.However, according to another embodiment of the present invention, the sealing groove 230a may be formed at the side transfer module chambers 240 and 250 (not shown), and may be made of a material other than viton or silicon.

마찬가지의 방법으로 본 실시예의 트랜스퍼 모듈 챔버(200)는 덮개(220)와 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210) 사이, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230) 사이에 개재되는 실링부재(미도시)를 포함하며, 실링부재(미도시)의 삽입방법 및 기능에 관한 사항은 전술한 바와 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.In the same manner, the transfer module chamber 200 of the present embodiment may include a sealing member interposed between the cover 220 and the upper transfer module chamber 210, and between the upper transfer module chamber 210 and the lower transfer module chamber 230. (Not shown), the details of the insertion method and function of the sealing member (not shown) are the same as described above, and a detailed description thereof will be omitted.

본 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(10)는 덮개(220)와 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210) 사이, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와 하부 트랜스퍼 모듈 챔 버(230) 사이 및 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)와 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250) 사이에 각각 실링부재(510)를 개재시킴으로써, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부의 진공압을 효율적으로 유지시킬 수 있게 된다.The chemical vapor deposition apparatus 10 according to the present embodiment includes a cover 220 and an upper transfer module chamber 210, an upper transfer module chamber 210 and a lower transfer module chamber 230, and a lower transfer module chamber ( By interposing the sealing members 510 between the 230 and the pair of side transfer module chambers 240 and 250, the vacuum pressure inside the transfer module chamber 200 can be efficiently maintained.

또한, 본 발명의 화학 기상 증착 장치(10)는, 트랜스퍼 모듈 챔버(200)를 상부 트랜스퍼 모듈 챔버(210)와, 하부 트랜스퍼 모듈 챔버(230)와, 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버(240, 250)로 나누어 구성함으로써, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 이송의 편의가 도모되며, 생산라인에 화학 기상 증착 장치(10)의 장착 및 보수 작업시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼 모듈 챔버(200) 내부 공간의 부피를 줄일 수 있도록 함으로써 펌핑 시간을 단축시켜 기판의 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있게 된다.In addition, in the chemical vapor deposition apparatus 10 of the present invention, the transfer module chamber 200 includes an upper transfer module chamber 210, a lower transfer module chamber 230, and a pair of side transfer module chambers 240 and 250. By dividing the structure into two, transfer of the transfer module chamber 200 is facilitated, and the installation and maintenance work time of the chemical vapor deposition apparatus 10 in the production line can be reduced, and the interior space of the transfer module chamber 200 can be reduced. By reducing the volume of the pump it is possible to shorten the pumping time to efficiently improve the productivity of the substrate.

앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.While specific embodiments of the invention have been described and illustrated above, it is to be understood that the invention is not limited to the described embodiments, and that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention. It is self-evident to those who have. Therefore, such modifications or variations are not to be understood individually from the technical spirit or point of view of the present invention, the modified embodiments will belong to the claims of the present invention.

도 1은 종래기술에 따른 화학 기상 증착 장치의 트랜스퍼 모듈 챔버의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a transfer module chamber of a chemical vapor deposition apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 개략적인 평면도이다.2 is a schematic plan view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 트랜스퍼 모듈 챔버의 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view of the transfer module chamber of FIG. 2.

도 4는 도 3의 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 및 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 결합 사시도이다.4 is a perspective view illustrating a coupling of the upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber of FIG. 3.

도 5는 도 3의 트랜스퍼 모듈 챔버의 결합사시도이다.FIG. 5 is a perspective view of the transfer module chamber of FIG. 3.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : 화학 기상 증착 장치 100 : 로드락 챔버10: chemical vapor deposition apparatus 100: load lock chamber

200 : 트랜스퍼 모듈 챔버 210 : 상부 트랜스퍼 모듈 챔버200: transfer module chamber 210: upper transfer module chamber

220 : 덮개 230 : 하부 트랜스퍼 모듈 챔버220: cover 230: lower transfer module chamber

240, 250 : 측부 트랜스퍼 모듈 챔버 211 : 상부 플랜지부240, 250: side transfer module chamber 211: upper flange

231 : 하부 플랜지부 400 : 체결부재231: lower flange 400: fastening member

310, 320, 330, 340, 350 : 프로세스 모듈 챔버Process module chamber: 310, 320, 330, 340, 350

Claims (13)

기판을 핸들링하는 기판 핸들링 로봇이 내부에 마련되는 트랜스퍼 모듈 챔버;A transfer module chamber in which a substrate handling robot for handling a substrate is provided; 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 일측에 연결되어 기판이 출입되는 적어도 하나의 로드락 챔버; 및At least one load lock chamber connected to one side of the transfer module chamber to allow a substrate to enter and exit the substrate; And 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 타측에 연결되어 기판에 대한 실질적인 증착 공정이 진행되는 다수의 프로세스 모듈 챔버를 포함하며,A plurality of process module chambers connected to the other side of the transfer module chamber to perform a substantial deposition process on the substrate, 상기 트랜스퍼 모듈 챔버는,The transfer module chamber, 상부 트랜스퍼 모듈 챔버;An upper transfer module chamber; 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 하측에 결합되는 하부 트랜스퍼 모듈 챔버; 및A lower transfer module chamber coupled to the lower side of the upper transfer module chamber; And 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 및 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버 중 적어도 어느 하나의 양측부에 각각 결합되는 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a pair of side transfer module chambers coupled to both sides of at least one of the upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버는,The upper transfer module chamber, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 하측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 상부 플랜지부를 포함하며,An upper flange portion protruding inward from a lower inner wall of the upper transfer module chamber, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버는,The lower transfer module chamber, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측 내벽으로부터 내측 방향으로 돌출되는 하부 플랜지부를 포함하고,A lower flange part protruding in an inward direction from an upper inner wall of the lower transfer module chamber, 상기 상부 플랜지부 및 상기 하부 플랜지부는 체결부재에 의하여 상호 결합되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And the upper flange portion and the lower flange portion are coupled to each other by a fastening member. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버는 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 좌우측에 각각 결합되며,The pair of side transfer module chambers are respectively coupled to the left and right sides of the lower transfer module chamber, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버와 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 사이에는 각각 실링부재가 개재되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a sealing member is interposed between the lower transfer module chamber and the pair of side transfer module chambers. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버가 결합되는 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 양측 외벽에는 각각 실링홈이 형성되며,Sealing grooves are formed on both outer walls of the lower transfer module chamber to which the pair of side transfer module chambers are coupled. 상기 실링부재는 상기 실링홈에 삽입되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And the sealing member is inserted into the sealing groove. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버와 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 사이에는 실링부재가 개재되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a sealing member interposed between the upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 하측 둘레 또는 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측 둘레를 따라서는 실링홈이 형성되며,A sealing groove is formed along a lower circumference of the upper transfer module chamber or an upper circumference of the lower transfer module chamber. 상기 실링부재는 상기 실링홈에 삽입되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And the sealing member is inserted into the sealing groove. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측을 덮도록 마련되는 덮개를 더 포함하며,Further comprising a cover provided to cover the upper side of the upper transfer module chamber, 상기 덮개와 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 사이에는 실링부재가 개재되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a sealing member is interposed between the cover and the upper transfer module chamber. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상측 둘레 또는 상기 덮개의 하측 둘레를 따라서는 실링홈이 형성되며,A sealing groove is formed along an upper circumference of the upper transfer module chamber or a lower circumference of the cover. 상기 실링부재는 상기 실링홈에 삽입되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And the sealing member is inserted into the sealing groove. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 좌우측에는 각각 개구가 형성되며,Openings are formed in left and right sides of the lower transfer module chamber, 상기 개구는,The opening is 사각 형상 단면으로 형성되는 제1 개구; 및A first opening formed in a rectangular cross section; And 상기 제1 개구의 하단 중앙부에서 상기 제1 개구의 폭보다 작은 폭을 가지고 하방으로 연장되는 제2 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a second opening extending downwardly at a lower end central portion of the first opening and having a width smaller than the width of the first opening. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버 및 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버에는 각각,The upper transfer module chamber and the lower transfer module chamber, respectively, 증착 대상이 되는 기판이 인입되거나 증착이 완료된 기판이 취출되기 위한 적어도 하나의 슬롯 포트가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And at least one slot port is formed to allow the substrate to be deposited to be introduced or to remove the substrate from which deposition is completed. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 상부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상기 적어도 하나의 슬롯 포트는 하나의 슬롯 포트이고,The at least one slot port of the upper transfer module chamber is one slot port, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상기 적어도 하나의 슬롯 포트는 두 개의 슬롯 포트이며,The at least one slot port of the lower transfer module chamber is two slot ports, 상기 하부 트랜스퍼 모듈 챔버의 상기 두 개의 슬롯 포트 중 상측에 위치한 슬롯 포트는 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버에 각각 형성된 슬롯 포트와 실질적으로 동일한 높이에 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a slot port located at an upper side of the two slot ports of the lower transfer module chamber is formed at substantially the same height as slot ports respectively formed in the pair of side transfer module chambers. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 트랜스퍼 모듈 챔버는 평면 투영 시 6각형 구조를 가지며,The transfer module chamber has a hexagonal structure in planar projection, 상기 적어도 하나의 로드락 챔버와 상기 다수의 프로세스 모듈 챔버는 6각형 구조의 상기 트랜스퍼 모듈 챔버의 각 변에 인접하게 배치되어 상기 트랜스퍼 모듈 챔버와 연결되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And the at least one load lock chamber and the plurality of process module chambers are disposed adjacent to each side of the transfer module chamber having a hexagonal structure and connected to the transfer module chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버는 각각,The pair of side transfer module chambers, respectively, 상기 한 쌍의 측부 트랜스퍼 모듈 챔버의 강도를 보강하는 보강부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a reinforcement for reinforcing the strength of the pair of side transfer module chambers.
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