KR20100127010A - Hot plate comprising thick film heating layer by sputtered thick coating technology - Google Patents

Hot plate comprising thick film heating layer by sputtered thick coating technology Download PDF

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KR20100127010A
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김갑석
김용모
한점열
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주식회사 케이아이자이맥스
한점열
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Abstract

PURPOSE: A hot plate comprising a thick film heating layer by sputtered thick coating technology is provided to improve the adhesive force of a ceramic substrate and reduces the entire thickness by forming a thick film heating layer with high purity at over 400°C. CONSTITUTION: A hot plate comprising a thick film heating layer by sputtered thick coating technology comprises a ceramic substrate(101), a thick film heating layer(103) and a wire portion(105). The ceramic substrate duplicates or guides heat energy to a heat target. The thick film heating layer comprises a thick film. The thick film is formed on the lower base of the ceramic substrate in multiple layers. The wire portion is connected with an electric line. The wire portion supplies AC or DC to the thick film heating layer.

Description

스퍼터링 후막 제조기술에 의한 후막 발열층을 가지는 핫 플레이트{Hot Plate Comprising Thick Film Heating Layer by Sputtered Thick Coating Technology}Hot Plate Comprising Thick Film Heating Layer by Sputtered Thick Coating Technology}

본 발명은 세라믹 기판 상에 후막의 발열층이 스퍼터링 후막 제조기술에 의해 형성된 핫 플레이트에 관한 것이다. The present invention relates to a hot plate on which a heating layer of a thick film is formed on a ceramic substrate by a sputtering thick film manufacturing technique.

핫 플레이트(Hot Plate)는 가정용 주방기기에서부터 반도체 공정 등의 산업용에까지 다양한 분야에서 사용되고 있다. 예컨대, 평판 표시장치 중 하나인 액정 표시 장치를 제작하기 위해 기판 전면에 폴리이미드(Polyimide)를 코팅하여 가경화하는 공정에서 기판 표면을 소정 온도로 유지하게 하기 위해서도, 핫 플레이트가 사용될 수 있으며, 핫 플레이트의 열은 대류 및 복사 등을 통하여 액정표시장치용 기판에 열을 공급한다. Hot plates are used in various fields from home kitchen appliances to industries such as semiconductor processing. For example, a hot plate may be used to maintain the surface of the substrate at a predetermined temperature in a process of coating and curing the polyimide on the entire surface of the substrate to manufacture a liquid crystal display, which is one of the flat panel displays. The heat of the plate supplies heat to the liquid crystal display substrate through convection and radiation.

주방기기로 사용되는 핫 플레이트는 내열 유리판과, 상부에 마련된 내열 유리 가열판을 가열하는 칸탈 히터(Kanthal Heater)로 구성되어, 칸탈 히터의 발열에 의해 유리 가열판 위에 올려진 용기나 음식물에 열이 전달된다. 칸탈 히터와 가열판은 서로 이격되어 있기 때문에, 히터의 열이 간접적으로 가열판에 전도되어 열 전달 효율이 떨어지고 전력의 낭비도 크다. The hot plate used as a kitchen appliance is composed of a heat-resistant glass plate and a Kanthal Heater for heating the heat-resistant glass heating plate provided on the upper part, and heat is transferred to a container or food placed on the glass heating plate by the heat of the Kantal heater. . Since the kanthal heater and the heating plate are spaced apart from each other, the heat of the heater is indirectly conducted to the heating plate, resulting in low heat transfer efficiency and large waste of power.

다른 방법으로, 핫 플레이트는 가열판인 기판에 저항 온도 계수가 높은 물질을 직접 인쇄(Printing)하거나 도금(Plating)하여 발열층을 형성한 후, 발열층을 소정 패턴으로 에칭(Etching)하여 생성한다. Alternatively, the hot plate is formed by directly printing or plating a material having a high resistance temperature coefficient on a substrate, which is a heating plate, to form a heat generating layer, and then etching the heat generating layer in a predetermined pattern.

인쇄방식의 핫 플레이트는 제작이 간편하고 발열층 재료로 합금소재를 사용할 수 있으며 후막의 발열층을 생성할 수 있다는 장점이 있으나, 발열층에 불순물(무기 또는 유기 바인더)이 함유될 가능성이 매우 높고 이러한 불순물로 인해 발열특성이 저하되어 고온 사용이 불가능하고 발열층의 내구성이 좋지 못한 단점이 있다. The printing hot plate is easy to manufacture and has the advantage of using an alloying material as a heat generating layer material and generating a heat generating layer of a thick film, but it is very likely that the heat generating layer contains impurities (inorganic or organic binder) Due to these impurities, the heat generation property is lowered, which makes it impossible to use high temperature and the durability of the heat generating layer is poor.

도금에 의한 핫 플레이트는 기본적으로 후막의 발열층을 형성하기 어렵고, 균일한 발열층의 제작이 어렵다. The hot plate by plating is basically difficult to form the heat generating layer of the thick film, and it is difficult to produce a uniform heat generating layer.

본 발명의 목적은, 세라믹 기판 상에 후막의 발열층이 스퍼터링 후막 제조기술에 의해 형성된 핫 플레이트를 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a hot plate on which a heating layer of a thick film is formed by a sputtering thick film manufacturing technique on a ceramic substrate.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 핫 플레이트는, 피가열물로 열 에너지를 전도 또는 복사하는 세라믹 기판; 상기 세라믹 기판의 아랫 면에 복수 개 층의 박막이 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착되어 전체 잔류 응력이 기 설정된 범위에 포함되는 값을 가지는 후막으로 형성되고, 교류 또는 직류 전류를 입력받아 발열하여 상기 세라믹 기판을 가열하는 후막 발열층; 및 상기 후막 발열층으로부터 연장되어 형성되고 전기 도선이 연결되어, 상기 후막 발열층으로 상기 교류 또는 직류 전류를 공급하는 배선부를 포함한다.Hot plate according to the present invention for achieving the above object, a ceramic substrate for conducting or radiating thermal energy to the heated object; A plurality of layers of thin films are deposited on the lower surface of the ceramic substrate by a magnetron sputtering to form a thick film having a value in which the total residual stress is within a predetermined range. The ceramic substrate is heated by receiving an alternating current or a direct current. A thick film heating layer for heating; And a wiring part extending from the thick film heating layer and connected to an electric conductor to supply the AC or DC current to the thick film heating layer.

실시 예에 따라, 본 발명의 핫 플레이트는 상기 후막 발열층의 아랫면에 형성되어 상기 후막 발열층의 단선 및 단락을 방지하고 전기적으로 절연하기 위한 보호층을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the hot plate of the present invention may further include a protective layer formed on a lower surface of the thick film heating layer to prevent disconnection and short circuit of the thick film heating layer and to electrically insulate.

여기서, 상기 세라믹 기판은 1mm 내지 30mm의 두께로 형성되고, 상기 후막 발열층은, 5 ㎛ 내지 350 ㎛의 두께의 후막으로 형성되는 것이 바람직하다.Here, the ceramic substrate is formed to a thickness of 1mm to 30mm, the thick film heating layer is preferably formed of a thick film of 5㎛ to 350㎛ thickness.

본 발명의 핫 플레이트는 물리기상증착을 위한 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 후막 발열층을 형성함으로써, 세라믹 기판과의 접착력이 우수하고 매우 치밀한 구조로 형성되어 상대적으로 얇은 구조를 가지고도 충분한 전기적 특성을 가질 수 있다. 따라서, 본 발명의 핫 플레이트는 그 두께를 상대적으로 얇게 할 수 있다.Hot plate of the present invention by forming a thick film heating layer by a magnetron sputtering method for physical vapor deposition, it is excellent in adhesion to the ceramic substrate and formed in a very compact structure can have sufficient electrical properties even with a relatively thin structure have. Therefore, the hot plate of this invention can make thickness relatively thin.

또한, 본 발명의 핫 플레이트는 후막 발열층을 마그네트론 스퍼터링 방식에 의해 증착 형성하므로, 후막 발열층의 사이즈에 제약이 없고 대형 사이즈로 제작될 수 있다. In addition, the hot plate of the present invention is formed by depositing a thick film heating layer by a magnetron sputtering method, there is no restriction on the size of the thick film heating layer can be manufactured in a large size.

도전성 페이스트(Paste)를 도포하여 제작되는 후막 발열층이 그 불순물로 인해 저항이 증가하고 발열특성이 저하되어 고온 사용이 불가능한 것에 반해, 본 발명의 핫 플레이트는 순도 높은 후막 발열층을 형성할 수 있으므로, 400℃ 이상의 고온 발열을 가능하게 한다. Since the thick film heating layer manufactured by applying the conductive paste may increase resistance and deteriorate the heat generation characteristics due to its impurities, the hot plate of the present invention may form a high purity thick film heating layer. And high temperature heat generation of 400 ° C or higher.

이하 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비 점착성 코팅 막을 구비한 핫 플레이트의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a hot plate with a non-tacky coating film according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 핫 플레이트(100)는 세라믹 기판(101)과, 세라믹 기판(101)의 아랫면에 형성된 후막 발열층(103)과, 후막 발열층(103)으로부터 연장되어 후막 발열층(103)에 전기 에너지를 공급하기 위한 배선부(105)를 포함한 다. 이외에도, 핫 플레이트(100)는 교류 또는 직류 전원과 배선부(105)를 연결하여 전기 에너지를 공급하는 전기 도선(110)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the hot plate 100 of the present invention extends from the ceramic substrate 101, the thick film heating layer 103 formed on the bottom surface of the ceramic substrate 101, and the thick film heating layer 103 to generate thick film heat. And a wiring portion 105 for supplying electrical energy to the layer 103. In addition, the hot plate 100 may include an electrical conductor 110 for supplying electrical energy by connecting the AC or DC power supply and the wiring unit 105.

세라믹 기판(101)은 800℃ 이상의 고온에서 견딜 수 있고 온도변화에도 깨어지지 않는 내열충격성을 가지는 것이 바람직하며, 후막 발열층(103)에서 발생하는 열을 안정적으로 흡수하여 전도 또는 복사에 의한 방식으로 피가열물에게 전달한다.The ceramic substrate 101 preferably has a thermal shock resistance that can withstand high temperatures of 800 ° C. or higher and does not break even with temperature changes. Deliver to heated object.

세라믹 기판(101)은 산화알루미늄(Al2O3), 사파이어, 질화알루미늄(AlN), 산화실리콘(SiO2) 및 석영(Quartz) 중 선택된 물질 또는 이들의 혼합물이 바람직하나 이에 한정되지 아니하며, 1mm 내지 30mm의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 세라믹 재질의 기판(210)은 내열충격성 및 방열 특성이 우수하는 열의 배출에 탁월한 성능을 보인다. 또한, 세라믹 기판(101)은 높은 원적외선 방사 특성을 가진 재료로 마련될 수도 있다. The ceramic substrate 101 is preferably selected from aluminum oxide (Al 2 O 3 ), sapphire, aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ) and quartz (Quartz) or a mixture thereof, but is not limited thereto. It is preferably formed to a thickness of 30mm. The ceramic substrate 210 exhibits excellent performance in discharging heat having excellent thermal shock resistance and heat dissipation characteristics. In addition, the ceramic substrate 101 may be made of a material having high far-infrared radiation characteristics.

후막 발열층(103)은 세라믹 기판(101)의 면에 저항 온도 계수가 높은 전기 전도체 후막을 마그네트론 스퍼터링에 의해 형성한 다음, 반도체 공정에 사용되는 에칭방법을 사용하여 전기 전도체 후막을 원하는 저항의 패턴으로 식각하여 형성한다. 후막 발열층(103)은 소정의 전기적 저항값을 가지는 전기적 경로를 형성함으로써, 배선부(105)를 통해 공급되는 전기 에너지에 의해 발열하게 됨으로써, 소위 '발열패턴'이라고도 불린다. 후막 발열층의 소재는 저항 온도계수가 높은 다양한 전기 전도성 물질을 사용할 수 있으며 니크롬(NiCr), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 망 간(Mangan), 망가닌(Manganin), 콘스탄탄(Constantan) 등이 바람직하며, 5 ㎛ 내지 350 ㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. The thick film heating layer 103 is formed on the surface of the ceramic substrate 101 by a magnetron sputtering to form an electrical conductor thick film having a high resistance temperature coefficient, and then pattern the resistance of the electrical conductor thick film using an etching method used in a semiconductor process. It is formed by etching. The thick film heating layer 103 forms an electrical path having a predetermined electrical resistance value, thereby generating heat by the electric energy supplied through the wiring part 105, and thus, is also called a “heating pattern”. As the material of the thick film heating layer, various electrically conductive materials having high resistance temperature coefficients can be used, and nickel chromium (NiCr), tungsten (W), nickel (Ni), manganese (Mangan), manganin (Constantan), etc. It is preferable, and it is preferable to form in thickness of 5 micrometers-350 micrometers.

여기서, 전기 전도체 후막은 물리기상증착을 위한 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering) 방법에 의해 증착될 수 있으며, 출원인의 다른 특허발명 제885664호에 기재된 후막형성방법에 의해 가능하다. Herein, the electrical conductor thick film may be deposited by a magnettron sputtering method for physical vapor deposition, and may be possible by the thick film forming method described in the Applicant's Patent Application No. 885664.

특허 제885664에 의하면, 전기 전도체 후막은 압축잔류응력을 가지는 제1박막과 인장잔류응력을 가지는 제2박막을 기판 상에 교번적으로 반복 증착함으로써 제1박막과 제2 박막이 서로 상쇄되도록 하여, 기판과 후막 전체의 응력이 전체적으로 용인 가능한 범위 내로 제어됨으로서 형성될 수 있다. According to Patent 885664, the electrical conductor thick film allows the first thin film and the second thin film to cancel each other by alternately repeatedly depositing the first thin film having the compressive residual stress and the second thin film having the tensile residual stress on the substrate. It can be formed by controlling the stresses of the substrate and the entire thick film as a whole within an acceptable range.

압축잔류응력을 가지는 제1박막을 형성하는 스퍼터 증착원은 직류 전원을 사용하고 인장잔류응력을 가지는 제2박막을 형성하는 스퍼터 증착원은 교류 또는 직류 펄스 전원을 사용함으로써, 그 플라즈마의 플럭스(Flux)를 제어하여 형성된다.The sputter deposition source that forms the first thin film having the compressive residual stress uses a direct current power source, and the sputter deposition source that forms the second thin film having a tensile residual stress uses an alternating current or a direct current pulse power source. Is formed by controlling.

스퍼터링된 전기 전도체 후막은 기판(101)과의 높은 접착력을 가지고 매우 치밀한 구조로 형성됨으로써, 상대적으로 얇은 구조를 가지고도 충분한 전기적 특성을 가질 수 있고, 결과적으로 얇은 후막 발열층(103) 및 핫 플레이트(100)를 가능하게 한다. 또한, 후막 발열층(103)은 마그네트론 스퍼터링에 의해 형성되므로 대형 사이즈로 제작될 수 있으며, 결국 대형 사이즈의 핫 플레이트(100)를 가능하게 한다. The sputtered electrical conductor thick film has a high adhesion with the substrate 101 and is formed in a very dense structure, thereby having sufficient electrical properties even with a relatively thin structure, and consequently, the thin thick film heating layer 103 and the hot plate. Enable 100. In addition, since the thick film heating layer 103 is formed by magnetron sputtering, the thick film heating layer 103 may be manufactured in a large size, thereby enabling the hot plate 100 of a large size.

마그네트론 스퍼터링에 의해 형성된 전기 전도체 후막은 에칭 공정에 의해 소정의 패턴으로 식각됨으로써 후막 발열층(103)을 형성한다. 에칭은 통상의 반도 체 공정을 통해 이루어진다. 에칭에 의해 전기 전도체 후막은 후막 발열층(103) 뿐만 아니라 배선부(105)로 형성될 수 있다. 결국, 후막 발열층(103)은 다층의 전기 전도층이 된다. 후막 발열층(103)의 형상(패턴)에 대해서는 아래에서 다시 설명한다.The electrically conductive thick film formed by magnetron sputtering is etched in a predetermined pattern by an etching process to form the thick film heating layer 103. Etching is done through conventional semiconductor processes. By etching, the electric conductor thick film may be formed of the wiring portion 105 as well as the thick film heating layer 103. As a result, the thick film heating layer 103 becomes a multilayer electrically conductive layer. The shape (pattern) of the thick film heating layer 103 will be described again below.

배선부(105)는 2개가 마련되어 외부의 교류 또는 직류 전원의 단자나 도선(110)에 연결되고, 후막 발열층(103)은 배선부(105)를 통해 발열에 사용되는 전기를 공급받는다.Two wiring units 105 are provided and connected to a terminal or conductive wire 110 of an external AC or DC power supply, and the thick film heating layer 103 receives electricity used for heat generation through the wiring unit 105.

배선부(105)는 은(Ag)과 같이 전기 전도성이 뛰어난 물질을 후막 발열층(103)과 마찬가지로 앞서 설명된 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 형성하며, 후막 발열층(103)에서 연장된 형태나 후막 발열층(103) 상에 형성된다. 배선부(150)는 후막 발열층(103)에서 연장됨으로써 후막 발열층(103)이 형성하는 하나의 전기적 경로의 양 끝단에 해당한다. 배선부(105)의 형성은, 반드시 마그네트론 스퍼터링에 의할 필요없으며 은(Ag), 구리(Cu)의 금속 페이스트(Paste)와 같은 전기 전도체 물질을 스크린 인쇄 등의 방법으로 도포하여 형성할 수 있다. The wiring portion 105 is formed of a material having excellent electrical conductivity such as silver (Ag) by using the magnetron sputtering described above, similarly to the thick film heating layer 103, and extending from the thick film heating layer 103 or thick film heating. Formed on layer 103. The wiring unit 150 extends from the thick film heating layer 103 to correspond to both ends of one electrical path formed by the thick film heating layer 103. The wiring portion 105 is not necessarily formed by magnetron sputtering, and may be formed by applying an electrical conductor material such as a metal paste of silver (Ag) or copper (Cu) by screen printing or the like. .

배선부(105)의 외면에는 납땜 등의 방법으로 전기 도선(110)이 전기적으로 연결 부착되어, 교류 또는 직류 전원에 연결된 전기 도선(110)을 통해 전송되는 전기 에너지(전류)를 후막 발열층(103)에 공급한다. 배선부(105)는 강도가 낮은 은(Ag)으로 형성함으로써, 발열 패턴을 형성하기 어려운 협소한 곳이라도 좁은 폭으로 최소화시켜 형성할 수 있도록 하며, 고온에서 전류부하를 최소화할 수 있다. 또한, 은(Ag)은 강도가 낮아 전기 도선(110)의 단자와의 밀착성이 향상되어 전류가 원활하게 흐를 수 있게 한다.Electrical conductors 110 are electrically connected to the outer surface of the wiring unit 105 by soldering or the like, so that electrical energy (current) transmitted through the electrical conductors 110 connected to an AC or DC power source may be formed in a thick film heating layer ( 103). Since the wiring part 105 is formed of silver (Ag) having low strength, the wiring part 105 may be formed to be narrowly narrowed even in a narrow place where it is difficult to form a heating pattern, and the current load may be minimized at a high temperature. In addition, silver (Ag) has a low strength to improve the adhesion to the terminal of the electrical conductor 110, so that the current can flow smoothly.

<실시 예><Example>

실시 예에 따라, 본 발명의 핫 플레이트(100)는 후막 발열층(103)의 아랫면에 형성되어 후막 발열층(103)의 단선 및 전기적 단락을 방지하고, 외부와의 전기적 절연을 위한 보호층(107)을 더 구비할 수 있다.According to the embodiment, the hot plate 100 of the present invention is formed on the lower surface of the thick film heating layer 103 to prevent disconnection and electrical short circuit of the thick film heating layer 103, and a protective layer for electrical insulation with the outside ( 107) may be further provided.

보호층(107)은 높은 절연특성을 가지고, 절연저항이나 내전압 특성이 우수한 세라믹 소재로 형성되는 것이 바람직하다. 보호층(107)은 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 앞서 설명된 마그네트론 스퍼터링 방법은 그 일 예가 된다.The protective layer 107 is preferably formed of a ceramic material having high insulation characteristics and excellent in insulation resistance and withstand voltage characteristics. The protective layer 107 may be formed in various ways, and the magnetron sputtering method described above is an example.

또 다른 실시 예에 따라, 도 1의 핫 플레이트(100)는 판상(板狀)의 세라믹 기판(101)을 도시하고 있으나, 세라믹 기판(101)의 형태는 그 단면이 사각형 또는 원형이 관(또는 그 일부)과 같이 후막 발열층(103)을 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착 형성할 수 있는 형태이면 가능하다. 이에 따라, 피가열물이 핫 플레이트의 내부에 위치할 수 있을 것이며, 그 외주면에 보호층 등이 마련될 수 있다.According to another embodiment, the hot plate 100 of FIG. 1 illustrates a plate-shaped ceramic substrate 101, but the shape of the ceramic substrate 101 is a tube (or a cross section of a square or a circle). As long as the thick film heating layer 103 can be formed by vapor deposition by magnetron sputtering. Accordingly, the heated object may be located inside the hot plate, and a protective layer or the like may be provided on the outer circumferential surface thereof.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 핫 플레이트의 제조방법의 설명에 제공되는 흐름도로서, 이하에서는 도 1 및 도 2를 참조하여, 핫 플레이트(100)의 제조방법을 설명한다.FIG. 2 is a flowchart provided to explain a method of manufacturing a hot plate according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a method of manufacturing the hot plate 100 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

먼저, 세라믹 기판(101)의 일 면에 물리기상증착되는 전기 전도체 후막을 형성한다. 앞서 설명한 바와 같이, 전기 전도체 후막은 압축잔류응력을 가지는 제1박 막과 인장잔류응력을 가지는 제2박막을 교번적으로 반복 증착함으로써 형성된다(S201).First, an electrical conductor thick film is formed on one surface of the ceramic substrate 101 by physical vapor deposition. As described above, the thick electric conductor film is formed by alternately repeatedly depositing the first thin film having the compressive residual stress and the second thin film having the tensile residual stress (S201).

전기 전도체 후막을 소정의 전기 저항을 가지는 패턴으로 에칭하여 후막 발열층(103) 및 배선부(105)를 형성함으로써 핫 플레이트가 제조된다(S203).The hot plate is manufactured by etching the electrical conductor thick film in a pattern having a predetermined electrical resistance to form the thick film heating layer 103 and the wiring portion 105 (S203).

부가적으로, 후막 발열층(103)의 패턴보호 및 절연을 위해, 후막 발열층(103)의 아래 면에 보호층(107)을 형성할 수 있다(S205).In addition, in order to protect and insulate the thick film heating layer 103, a protective layer 107 may be formed on the bottom surface of the thick film heating layer 103 (S205).

도 2의 과정을 통해 형성된 핫 플레이트(100)의 후막 발열층(103) 및 배선부(105)의 일 예가 도 3에 도시되어 있다. 도 3은 후막 발열층 및 배선부의 일 예를 도시한 도면이다. An example of the thick film heating layer 103 and the wiring part 105 of the hot plate 100 formed through the process of FIG. 2 is illustrated in FIG. 3. 3 is a diagram illustrating an example of a thick film heating layer and a wiring unit.

도 3에 도시된 후막 발열층(103)은 전기 전도체 후막을 에칭공정에 의해 식각하여 형성한 것으로, 전체가 연결부위 없이 하나의 전기적 폐회로(Closed Circuit)를 형성한다. 배선부(105)에는 전원부(미도시)에 연결된 전기 도선(110)이 납땜 등에 의해 연결된다. The thick film heating layer 103 illustrated in FIG. 3 is formed by etching an electrically conductive thick film by an etching process, and forms an electrical closed circuit without a connecting portion as a whole. The electrical conductor 110 connected to the power supply unit (not shown) is connected to the wiring unit 105 by soldering or the like.

앞서 설명한 바와 같이, 후막 발열층(103) 및 배선부(105)는 제1박막과 제2박막을 교번적으로 반복 증착함으로써 형성되는 다층막의 구조를 가진다. As described above, the thick film heating layer 103 and the wiring portion 105 have a structure of a multilayer film formed by alternately repeatedly depositing the first thin film and the second thin film.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.Although the above has been illustrated and described with respect to preferred embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above-described specific embodiments, it is usually in the technical field to which the invention belongs without departing from the spirit of the invention claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or the prospect of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 핫 플레이트의 단면도,1 is a cross-sectional view of a hot plate according to an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 핫 플레이트의 제조방법의 설명에 제공되는 흐름도, 그리고2 is a flow chart provided in the description of a method for manufacturing a hot plate according to an embodiment of the present invention, and

도 3은 후막 발열층 및 배선부의 일 예를 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating an example of a thick film heating layer and a wiring unit.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호**** Symbols for Main Parts of Drawings **

100: 핫 플레이트 101: 세라믹 기판100: hot plate 101: ceramic substrate

103: 후막 발열층 105: 배선부103: thick film heating layer 105: wiring portion

107: 보호층 110: 전기 도선 107: protective layer 110: electrical lead

Claims (3)

피가열물로 열 에너지를 전도 또는 복사하는 세라믹 기판; A ceramic substrate for conducting or radiating thermal energy to the object to be heated; 상기 세라믹 기판의 아랫 면에 복수 개 층의 박막이 마그네트론 스퍼터링되어 전체 잔류 응력이 기 설정된 범위에 포함되는 값을 가지는 후막으로 형성되고, 교류 또는 직류 전류를 입력받아 발열하여 상기 세라믹 기판을 가열하는 후막 발열층; 및The thin film of a plurality of layers on the bottom surface of the ceramic substrate is formed of a thick film having a value in which the magnetron sputtered so that the total residual stress is within a predetermined range, and heats the ceramic substrate by heating by receiving an alternating current or direct current. Heating layer; And 상기 후막 발열층으로부터 연장되어 형성되고 전기 도선이 연결되어, 상기 후막 발열층으로 상기 교류 또는 직류 전류를 공급하는 배선부를 포함하는 것을 특징으로 하는 핫 플레이트.And a wiring part extending from the thick film heating layer and connected to an electric conductor to supply the AC or DC current to the thick film heating layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 후막 발열층의 아랫면에 형성되어 상기 후막 발열층의 단선 및 단락을 방지하고 전기적으로 절연하기 위한 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 핫 플레이트.And a protective layer formed on a lower surface of the thick film heating layer to prevent disconnection and short circuit of the thick film heating layer and to electrically insulate the thin film heating layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세라믹 기판은 1mm 내지 30mm의 두께로 형성되고,The ceramic substrate is formed to a thickness of 1mm to 30mm, 상기 후막 발열층은, 5 ㎛ 내지 350 ㎛의 두께의 후막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 핫 플레이트.The thick film heating layer is formed of a thick film having a thickness of 5 ㎛ to 350 ㎛.
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