KR20100125467A - Polyimide precursor, photosensitive polyimide precursor composition, photosensitive dry film, and flexible printed circuit board using those materials - Google Patents

Polyimide precursor, photosensitive polyimide precursor composition, photosensitive dry film, and flexible printed circuit board using those materials Download PDF

Info

Publication number
KR20100125467A
KR20100125467A KR1020107024194A KR20107024194A KR20100125467A KR 20100125467 A KR20100125467 A KR 20100125467A KR 1020107024194 A KR1020107024194 A KR 1020107024194A KR 20107024194 A KR20107024194 A KR 20107024194A KR 20100125467 A KR20100125467 A KR 20100125467A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polyimide precursor
photosensitive
group
bis
carbon atoms
Prior art date
Application number
KR1020107024194A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101308811B1 (en
Inventor
구온 미야자키
다카시 하야카와
아키히로 가토
히데아키 다카하시
Original Assignee
아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 filed Critical 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤
Publication of KR20100125467A publication Critical patent/KR20100125467A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101308811B1 publication Critical patent/KR101308811B1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C08G73/105Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain with oxygen only in the diamino moiety
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C08G73/1071Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/16Polyester-imides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/281Applying non-metallic protective coatings by means of a preformed insulating foil
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393Flexible materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285Permanent coating compositions
    • H05K3/287Photosensitive compositions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

감광성 드라이 필름에 택성이 없고, 탈용제 후에 감광성 드라이 필름을 절곡하여도 감광층의 균열이 없고, 리소그래피가 양호하고, FPC 에 사용했을 경우에 베이크 후의 FPC 의 휨이 적고, 할로겐 화합물을 배합하지 않아도 난연성을 발현하는 폴리이미드 전구체, 감광성 폴리이미드 전구체 조성물, 감광성 드라이 필름 및 그들을 사용한 플렉시블 프린트 배선 기판을 제공하는 것. 본 발명의 폴리이미드 전구체는 하기 일반식 (1) 로 나타내는 산 2무수물을 함유하는 것을 특징으로 한다.

Figure pct00049

(X 는 탄소수가 3 내지 30 인 알킬렌기를 갖는 2 가의 유기기이다. R1 은 수소 원자, 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐기를 나타낸다) The photosensitive dry film has no tackiness, there is no crack in the photosensitive layer even when the photosensitive dry film is bent after the desolvent, lithography is good, and when used for FPC, the warpage of the FPC after baking is small, and no halogen compound is added. Providing a polyimide precursor, a photosensitive polyimide precursor composition, a photosensitive dry film, and a flexible printed wiring board using them which express flame retardance. The polyimide precursor of this invention contains the acid dianhydride represented by following General formula (1), It is characterized by the above-mentioned.
Figure pct00049

(X is a divalent organic group having an alkylene group having 3 to 30 carbon atoms. R 1 represents a hydrogen atom, a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group.)

Description

폴리이미드 전구체, 감광성 폴리이미드 전구체 조성물, 감광성 드라이 필름 및 그들을 사용한 플렉시블 프린트 배선 기판{POLYIMIDE PRECURSOR, PHOTOSENSITIVE POLYIMIDE PRECURSOR COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE DRY FILM, AND FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARD USING THOSE MATERIALS}Polyimide precursor, photosensitive polyimide precursor composition, photosensitive dry film, and flexible printed wiring board using them {POLYIMIDE PRECURSOR, PHOTOSENSITIVE POLYIMIDE PRECURSOR COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE DRY FILM, AND FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARD USING THOSE MATERIALS}

본 발명은 폴리이미드 전구체, 감광성 폴리이미드 전구체 조성물, 감광성 드라이 필름 및 그들을 사용한 플렉시블 프린트 배선 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a polyimide precursor, a photosensitive polyimide precursor composition, a photosensitive dry film and a flexible printed wiring board using them.

최근, 플렉시블 프린트 기판 (이하,「FPC 」라고도 한다) 이라고 하는 필름 형상의 프린트 기판이 활황을 보이고 있다. 이 기판은 배선 가공된 FCCL (Flexible Cupper Clad Laminate) 상에 폴리이미드 필름 등으로 구성되는 커버레이를 구비한 구조로 되어 있고, 주로 휴대전화, 노트북 컴퓨터, 디지털 카메라 등의 기기에 이용되고 있다. FPC 는 절곡하여도 기능을 유지하기 때문에 기기의 소형화, 경량화를 위해서는 불가결한 재료로 되어 있다. 특히 최근, 노트북 컴퓨터로 대표되는 전자기기의 소형화, 경량화가 진행되고 있고, 이와 같은 제품에 FPC 를 채용함으로써, 당해 기기의 치수 및 중량 감소, 제품 비용의 저감 그리고 설계를 단순화하는 것 등에 공헌하고 있다.In recent years, a film-shaped printed board called a flexible printed board (hereinafter also referred to as "FPC") has been booming. This board has a structure having a coverlay made of polyimide film or the like on a wired FCCL (Flexible Cupper Clad Laminate), and is mainly used in devices such as mobile phones, notebook computers, digital cameras, and the like. The FPC is indispensable for miniaturization and weight reduction because the FPC maintains its function even after bending. In particular, in recent years, miniaturization and lightening of electronic devices represented by notebook computers have been progressed, and by adopting FPC to such products, it has contributed to reducing the size and weight of the device, reducing product cost, and simplifying the design. .

이 FPC 에 구비되는 커버레이는, 주로 접착제를 구비한 폴리이미드 필름 등을 이용하고, 첩합 (貼合) 함으로써 형성한다. 그러나, FPC 의 미세화, 박막화에 따라서 첩합의 위치 정밀도에 문제를 일으키게 되었다. 그래서 자외선 등의 활성 광선을 조사함으로써 필요한 부분만을 정밀도가 양호하고 미세하게 가공 할 수 있는, 감광성 커버레이의 개발이 활발하게 이루어지기 시작하였다. 그 중에서도 드라이 필름형의 감광성 커버레이는 우수한 치수 정밀도를 발현하고, 용제의 건조 공정도 필요없다는 점에서, FPC 제조에 있어서 프로세스를 간략화할 수 있어 환경 부하가 낮은 재료로서 기대되고 있다.The coverlay provided in this FPC is formed by bonding together using the polyimide film etc. which were mainly equipped with an adhesive agent. However, as the FPC becomes smaller and thinner, a problem arises in the positional accuracy of the bonding. Therefore, the development of the photosensitive coverlay which can process only the necessary part finely and finely by irradiating active light, such as an ultraviolet-ray, began to be actively made. Among them, the dry film type photosensitive coverlay exhibits excellent dimensional accuracy and does not require a drying step of the solvent, so that the process can be simplified in FPC production and is expected as a material having low environmental load.

감광성 커버레이 재료 중에서도, 폴리이미드 전구체를 사용한 감광성 커버레이는, 폴리이미드에서 유래하는 절곡 내성, 내열성, 전기 절연성의 관점에서 우수한 커버레이로서 기대되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는 테트라카르복실산 2무수물과 디아민을 사용한 내열성 접착제가 개시되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는 폴리이미드 전구체를 사용한 필름 형성성 감광성 내열 수지 조성물, 특허문헌 3 에는 폴리아미드산을 함유하는 감광성 커버 코트재가 개시되어 있다. 또, 특허문헌 4 에는, 특정한 산 2무수물로 이루어지는 접착 필름이 개시되어 있다. 그러나, 이들 폴리이미드 전구체를 사용한 감광성 커버레이의 경우, 감광성 드라이 필름의 택성의 문제나, 감광성 드라이 필름 형성에 수반되는 탈용제에 의해 폴리이미드 전구체의 분자량이 저하되어, 얻어지는 감광성 드라이 필름을 절곡했을 때에, 감광층이 균열되어 버린다는 문제가 발생하는 경우가 있다. 나아가 폴리이미드 전구체의 분자량이 저하됨으로써, 리소그래피에 의해 패턴을 형성시킬 때, 알칼리 수용액을 사용한 현상에 있어서, 현상 시간이 안정되지 않고, 패턴의 막두께가 얇아지며, 패턴 형상이 변형되는 등의 문제가 발생한다. 또 폴리이미드 전구체로부터 폴리이미드로 변환하는 공정에서, 탈용매나, 폴리이미드 전구체의 이미드화에 수반되는 폐고리 반응에서 기인하는 응력 때문에, FPC 에 휨이 발생하는 경우가 있다. FPC 에 휨이 발생하면, FCCL 과 커버레이의 접착성 불량이나, FPC 를 구비한 전자기기의 구동 전력이 높아지는 등의 문제가 발생한다. 따라서 구리 배선 상에 커버레이를 구비한 FPC 의 휨을 개선하는 것이 요구되고 있다.Among photosensitive coverlay materials, photosensitive coverlays using polyimide precursors are expected as excellent coverlays from the viewpoints of bending resistance, heat resistance and electrical insulation derived from polyimide. For example, Patent Document 1 discloses a heat resistant adhesive agent using tetracarboxylic dianhydride and diamine. In addition, Patent Document 2 discloses a film-forming photosensitive heat resistant resin composition using a polyimide precursor, and Patent Document 3 discloses a photosensitive cover coat material containing a polyamic acid. In addition, Patent Document 4 discloses an adhesive film made of a specific acid dianhydride. However, in the case of the photosensitive coverlay using these polyimide precursors, the molecular weight of the polyimide precursor fell by the problem of the tackiness of the photosensitive dry film, and the desolvent accompanying photosensitive dry film formation, and the photosensitive dry film obtained was bent. At this time, there may be a problem that the photosensitive layer is cracked. Furthermore, when the molecular weight of a polyimide precursor falls, when developing a pattern by lithography, in image development using aqueous alkali solution, image development time is not stabilized, the film thickness of a pattern becomes thin, a pattern shape deforms, etc. Occurs. Moreover, in the process of converting a polyimide precursor into a polyimide, curvature may arise in FPC because of the stress resulting from the desolvent and the waste-ring reaction accompanying the imidation of a polyimide precursor. If warpage occurs in the FPC, problems such as poor adhesion between the FCCL and the coverlay and high driving power of the electronic device provided with the FPC will occur. Therefore, it is desired to improve the warpage of the FPC provided with the coverlay on the copper wiring.

그 외에, 커버레이는 UL 규격의 VTM 시험으로 대표되는 난연성 시험에서 난연성을 발현시킬 것이 요구되고 있다. 난연성을 발현시킬 목적에서, 원래 커버레이에 할로겐 화합물을 배합해 왔다. 그러나, 환경 보전의 관점이나 생체 독성의 관점에서 비할로겐으로 난연성을 발현시킬 것이 요망되고 있다.In addition, the coverlay is required to express flame retardancy in the flame retardancy test represented by the VTM test of UL standard. For the purpose of expressing flame retardancy, halogen compounds have been blended with the original coverlay. However, it is desired to express flame retardancy with non-halogen from the viewpoint of environmental conservation or from the viewpoint of biotoxicity.

일본 공개특허공보 2004-269622호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-269622 일본 공개특허공보 평04-18450호Japanese Patent Application Laid-Open No. 04-18450 일본 공개특허공보 평05-158237호Japanese Patent Application Laid-Open No. 05-158237 일본 공개특허공보 평10-330723호Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-330723

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로서, FPC 에 사용했을 경우에, 베이크 후의 FPC 의 휨이 적고, 절곡성이 우수한 폴리이미드 전구체, 감광성 폴리이미드 전구체 조성물, 감광성 드라이 필름 및 그들을 사용한 플렉시블 프린트 배선 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a point, and when used for FPC, the polyimide precursor, the photosensitive polyimide precursor composition, the photosensitive dry film, and the flexible printed wiring board which used the FPC after baking which were few in the bending of FPC, and were excellent in bendability The purpose is to provide.

본 발명의 폴리이미드 전구체는 하기 일반식 (1) 로 나타내는 산 2무수물을 함유하는 것을 특징으로 한다.The polyimide precursor of this invention contains the acid dianhydride represented by following General formula (1), It is characterized by the above-mentioned.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

(X 는 탄소수가 3 내지 30 인 알킬렌기를 갖는 2 가의 유기기이다. R1 은 수소 원자, 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐기를 나타낸다) (X is a divalent organic group having an alkylene group having 3 to 30 carbon atoms. R 1 represents a hydrogen atom, a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group.)

본 발명의 폴리이미드 전구체에 있어서는, 하기 일반식 (2) 로 나타내는 디아민을 함유하는 것이 바람직하다.In the polyimide precursor of this invention, it is preferable to contain the diamine represented by following General formula (2).

[화학식 2] [Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

(Y 는 탄소수가 2 내지 20 인 알킬렌기를 갖는 2 가의 유기기이다. R2 는 수소 원자, 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐기를 나타낸다) (Y is a divalent organic group having an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms. R 2 represents a hydrogen atom, a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group.)

본 발명의 폴리이미드 전구체에 있어서는, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 산 2무수물을 함유하는 것이 바람직하다.In the polyimide precursor of this invention, it is preferable to contain the acid dianhydride represented by following General formula (3).

[화학식 3] (3)

Figure pct00003
Figure pct00003

(a 는 1 내지 20 의 정수를 나타낸다. b 는 3 내지 30 의 정수를 나타낸다. R3 은 수소 원자 또는 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기를 나타낸다) (a represents an integer of 1 to 20. b represents an integer of 3 to 30. R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms)

본 발명의 폴리이미드 전구체에 있어서는, 하기 일반식 (4) 로 나타내는 디아민을 함유하는 것이 바람직하다.In the polyimide precursor of this invention, it is preferable to contain the diamine represented by following General formula (4).

[화학식 4] [Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

(Z 는 탄소수가 2 내지 20 인 알킬렌기이다. R4 는 수소 원자, 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐기를 나타낸다. c 는 2 내지 30 의 정수를 나타낸다) (Z is an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms. R 4 represents a hydrogen atom, a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group. C represents an integer of 2 to 30.)

본 발명의 폴리이미드 전구체에 있어서는, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 산 2무수물을 함유하는 것이 바람직하다.In the polyimide precursor of this invention, it is preferable to contain the acid dianhydride represented by following General formula (3).

[화학식 5] [Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

(a 는 1 내지 15 의 정수를 나타낸다. b 는 5 내지 20 의 정수를 나타낸다. R3 은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10 의 1 가의 알킬기를 나타낸다) (a represents an integer of 1 to 15. b represents an integer of 5 to 20. R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms)

본 발명의 폴리이미드 전구체에 있어서는, 상기 일반식 (4) 로 나타내는 디아민이 전체 디아민 성분 중에서 25 몰% 내지 75 몰% 인 것이 바람직하다.In the polyimide precursor of this invention, it is preferable that the diamine represented by the said General formula (4) is 25 mol%-75 mol% in all the diamine components.

본 발명의 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 상기 폴리이미드 전구체 100 질량부와, 감광제 5 ~ 30 질량부를 함유하는 것을 특징으로 한다.The photosensitive polyimide precursor composition of this invention contains 100 mass parts of said polyimide precursors, and 5-30 mass parts of photosensitizers, It is characterized by the above-mentioned.

본 발명의 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 있어서는, 상기 감광제가 퀴논디아지드 구조를 함유하는 것이 바람직하다.In the photosensitive polyimide precursor composition of this invention, it is preferable that the said photosensitive agent contains a quinonediazide structure.

본 발명의 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 있어서는, 용해 억지제로서 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.In the photosensitive polyimide precursor composition of this invention, it is preferable to contain the compound which has a phenolic hydroxyl group as a dissolution inhibiting agent.

본 발명의 감광성 드라이 필름은 상기 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 지지 필름에 도포, 탈용제하고, 이어서 커버 필름을 적층하는 것을 특징으로 한다.The photosensitive dry film of this invention is characterized by apply | coating and desolventing the said photosensitive polyimide precursor composition to a support film, and then laminating | stacking a cover film. It is characterized by the above-mentioned.

본 발명의 플렉시블 프린트 배선 기판은 상기 감광성 드라이 필름을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 한다.The flexible printed wiring board of this invention is formed using the said photosensitive dry film, It is characterized by the above-mentioned.

본 발명의 폴리이미드 전구체는 바니시에서의 중량 평균 분자량 (Mw1) 과 120 ℃ 이하에서의 탈용매 후의 중량 평균 분자량 (Mw2) 사이의 비 (Mw2/Mw1) 가 0.7 이상인 것을 특징으로 한다.The polyimide precursor of this invention is characterized by the ratio (Mw2 / Mw1) between the weight average molecular weight (Mw1) in a varnish and the weight average molecular weight (Mw2) after desolvent at 120 degrees C or less is 0.7 or more.

본 발명의 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 특정한 구조를 갖는 산 2무수물에서 얻어진 폴리이미드 전구체를 사용함으로써, FPC 에 사용했을 때에 베이크 후의 FPC 의 휨이 적고, 절곡성이 우수하다는 효과를 발휘한다.When the photosensitive polyimide precursor composition of this invention uses the polyimide precursor obtained from the acid dianhydride which has a specific structure, when it is used for FPC, there exists little curvature of FPC after baking, and shows the effect that it is excellent in bendability.

이하, 본 발명에 대하여 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated concretely.

(A) 폴리이미드 전구체(A) polyimide precursor

폴리이미드 전구체의 모노머로서 산 2무수물, 디아민이 사용된다. 폴리이미드 전구체는 가열을 수반하는 탈용제에 의해 분자량이 저하되는 것이 알려져 있으나, 분자량의 저하를 저감하는 관점에서, 폴리이미드 전구체에 사용하는 산 2무수물로는, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 산 2무수물을 사용한다. 당해 구조로 나타내는 산 2무수물이면, 단독으로 사용하여도 되고 2 종 이상 조합하여 사용하여도 된다. 탈용제 공정에서의 분자량 저하를 억제함으로써, 감광성 드라이 필름으로 했을 때의 절곡시의 균열을 방지할 수 있어 절곡성을 향상시킬 수 있다.Acid dianhydride and diamine are used as a monomer of a polyimide precursor. It is known that the molecular weight of the polyimide precursor is lowered by a desolvent accompanied by heating. However, as an acid dianhydride used for the polyimide precursor, an acid represented by the following general formula (1) is used in view of reducing the decrease in molecular weight. 2 Use anhydrides. As long as it is an acid dianhydride represented by the said structure, you may use individually or it may use in combination of 2 or more types. By suppressing the molecular weight fall in a desolvent process, the crack at the time of bending when it is set as the photosensitive dry film can be prevented, and bendability can be improved.

[화학식 6] [Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

(X 는 탄소수가 3 내지 30 인 알킬렌기를 갖는 2 가의 유기기이다. R1 은 수소 원자, 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐기를 나타낸다) (X is a divalent organic group having an alkylene group having 3 to 30 carbon atoms. R 1 represents a hydrogen atom, a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group.)

이들 중, 탈용제 공정에서의 분자량 저하를 억제하는 관점에서, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 산 2무수물을 사용하는 것이 바람직하다.Among these, it is preferable to use the acid dianhydride represented by following General formula (3) from a viewpoint of suppressing molecular weight fall in a desolvent process.

[화학식 7] [Formula 7]

Figure pct00007
Figure pct00007

(a 는 1 내지 20 의 정수를 나타낸다. b 는 3 내지 30 의 정수를 나타낸다. R3 은 수소 원자 또는 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기를 나타낸다) (a represents an integer of 1 to 20. b represents an integer of 3 to 30. R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms)

상기 일반식 (3) 으로 나타내는 산 2무수물 중, a 는 1 내지 15 가 바람직하고, b 는 5 내지 20 이 바람직하다. 구체적으로는, 부탄디올-비스-무수 트리멜리트산에스테르, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르, 헵탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르, 데칸디올-비스-무수트리멜리트산에스테르, 이코산디올-비스-무수트리멜리트산에스테르, 폴리프로필렌디올-비스-무수트리멜리트산에스테르, 폴리테트라메틸렌디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로도 사용하여도 되고 2 종류 이상 조합하여 사용하여도 된다.In acid dianhydride represented by the said General formula (3), 1-15 are preferable and, as for b, 5-20 are preferable. Specifically, butanediol-bis- anhydrous trimellitic acid ester, pentanediol-bis- anhydrous trimellitic acid ester, heptanediol-bis- anhydrous trimellitic acid ester, decanediol-bis-trim anhydride ester, and icosane diol -Bis- trimellitic anhydride, polypropylene diol-bis-trimellitic anhydride, polytetramethylenediol-bis-trimellitic anhydride, etc. are mentioned. These compounds may be used alone or in combination of two or more thereof.

본 발명에 관련된 폴리이미드 전구체에는, 상기 산 2무수물에 부가하여 그 밖의 산 2무수물을 사용할 수도 있다. 구체적으로는, 방향족 테트라카르복실산으로는 피로멜리트산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 2무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 2무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 2무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 2무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 2무수물, 3,3'-옥시디프탈산 2무수물, 4,4'-옥시디프탈산 2무수물, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카르복실산-1,4-페닐렌에스테르, 4-(2,5-디옥소테트라하이드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌-1,2-디카르복실산 무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실산 2무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 2무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 2무수물, 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)헥사플루오로프로판 2무수물, 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시벤조일옥시)페닐)헥사플루오로프로판 2무수물, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)비페닐 2무수물, 에틸렌디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 등을 들 수 있다.In addition to the said acid dianhydride, other acid dianhydride can also be used for the polyimide precursor which concerns on this invention. Specifically, as aromatic tetracarboxylic acid, pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyl tetracarr Acid dianhydride, 2,2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3, 3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1, 1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis ( 2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 3,3'-oxydiphthalic acid dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic acid dianhydride, 2, 2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester, 4- (2,5-di Sotetrahydrofuran-3-yl) -1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2, 3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,2 -Bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (4- (3,4-dicarboxybenzoyloxy) phenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-bis (3,4-dicarboxyphenoxy ) Biphenyl dianhydride, ethylenediol-bis- anhydride trimellitic acid ester, etc. are mentioned.

지방족 테트라카르복실산 2무수물로는, 시클로부탄테트라카르복실산 2무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 2무수물, 2,3,5,6-시클로헥산테트라카르복실산 2무수물, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-시클로 헥센-1,2-디카르복실산 2무수물, 비시클로[2,2,2]옥토-7-엔-2,3,5,6 테트라카르복실산 2무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 2무수물을 들 수 있다. 이들 산 2무수물은, 베이크 후의 휨을 저감하는 관점에서, 폴리이미드 전구체의 산 2무수물 전체량에 대하여, 0 몰% 내지 50 몰% 의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.As aliphatic tetracarboxylic dianhydride, cyclobutane tetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentane tetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-cyclohexane tetracarboxylic acid Dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, bicyclo [2,2,2] And octo-7-ene-2,3,5,6 tetracarboxylic dianhydride and 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride. It is preferable to use these acid dianhydrides in the range of 0 mol%-50 mol% with respect to the acid dianhydride whole quantity of a polyimide precursor from a viewpoint of reducing the curvature after baking.

폴리이미드 전구체에 사용하는 디아민으로는, 탈용제 공정에서의 분자량 저하를 억제하는 관점과, 탈용제 후에 감광성 드라이 필름으로 했을 때에 택성을 향상시키는 관점에서, 하기 일반식 (2) 로 나타내는 디아민을 사용하는 것이 바람직하다. 당해 구조로 나타내는 디아민이면, 단독으로 사용하여도 되고 2 종 이상 조합하여 사용하여도 된다. 하기 일반식 (2) 중, R2 는 수소 원자 또는 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기인 것이 바람직하다.As a diamine used for a polyimide precursor, the diamine represented by following General formula (2) is used from a viewpoint which suppresses molecular weight fall in a desolvent process, and a viewpoint to improve tackiness when it sets it as a photosensitive dry film after a desolvent. It is desirable to. As long as it is a diamine represented by the said structure, you may use individually or it may use in combination of 2 or more types. In the following General Formula (2), R 2 is preferably a hydrogen atom or a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

[화학식 8] [Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

(Y 는 탄소수가 2 내지 20 인 알킬렌기를 갖는 2 가의 유기기이다. R2 는 수소 원자, 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐기를 나타낸다) (Y is a divalent organic group having an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms. R 2 represents a hydrogen atom, a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group.)

구체적으로는, 디메틸렌-비스(2-아미노벤조에이트), 디메틸렌-비스(3-아미노벤조에이트), 디메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트), 트리메틸렌-비스(2-아미노벤조에이트), 트리메틸렌-비스(3-아미노벤조에이트), 트리메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트), 테트라메틸렌-비스(2-아미노벤조에이트), 테트라메틸렌-비스(3-아미노벤조에이트), 테트라메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트), 3-메틸테트라메틸렌-비스(2-아미노벤조에이트), 3-메틸테트라메틸렌-비스(3-아미노벤조에이트), 3-메틸테트라메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트), 펜타메틸렌비스(2-아미노벤조에이트), 펜타메틸렌비스(3-아미노벤조에이트), 펜타메틸렌비스(4-아미노벤조에이트), 데카메틸렌-비스(2-아미노벤조에이트), 데카메틸렌-비스(3-아미노벤조에이트), 데카메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트) 등을 들 수 있다. 이들 디아민은 단독으로 사용하여도 되고 2 종류 이상 동시에 사용하여도 된다.Specifically, dimethylene-bis (2-aminobenzoate), dimethylene-bis (3-aminobenzoate), dimethylene-bis (4-aminobenzoate), trimethylene-bis (2-aminobenzoate ), Trimethylene-bis (3-aminobenzoate), trimethylene-bis (4-aminobenzoate), tetramethylene-bis (2-aminobenzoate), tetramethylene-bis (3-aminobenzoate), Tetramethylene-bis (4-aminobenzoate), 3-methyltetramethylene-bis (2-aminobenzoate), 3-methyltetramethylene-bis (3-aminobenzoate), 3-methyltetramethylene-bis ( 4-aminobenzoate), pentamethylenebis (2-aminobenzoate), pentamethylenebis (3-aminobenzoate), pentamethylenebis (4-aminobenzoate), decamethylene-bis (2-aminobenzoate ), Decamethylene-bis (3-aminobenzoate), decamethylene-bis (4-aminobenzoate), and the like. have. These diamines may be used alone or in combination of two or more thereof.

또한 그 중에서도, 하기 일반식 (4) 로 나타내는 화합물을 사용하는 것이 탈용제 공정에서의 분자량 저하를 억제하는 관점과, 탈용제 후에 감광성 드라이 필름으로 했을 때에 택성을 향상시키는 관점에서 바람직하다.Moreover, especially, using the compound represented by following General formula (4) is preferable from a viewpoint of suppressing molecular weight fall in a desolvent process, and a viewpoint of improving tackiness, when using it as a photosensitive dry film after a desolvent.

[화학식 9] [Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

(Z 는 탄소수가 2 내지 20 인 알킬렌기이다. R4 는 수소 원자, 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐기를 나타낸다. c 는 2 내지 30 의 정수를 나타낸다) (Z is an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms. R 4 represents a hydrogen atom, a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group. C represents an integer of 2 to 30.)

구체적으로는, 폴리디메틸렌옥사이드-디-o-아미노벤조에이트), 폴리디메틸렌옥사이드-디-m-아미노벤조에이트, 폴리디메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트, 폴리트리메틸렌옥사이드-디-o-아미노벤조에이트, 폴리트리메틸렌옥사이드-디-m-아미노벤조에이트, 폴리트리메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-o-아미노벤조에이트, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-m-아미노벤조에이트, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트, 폴리-3-메틸테트라메틸렌옥사이드-디-o-아미노벤조에이트, 폴리-3-메틸테트라메틸렌옥사이드-디-m-아미노벤조에이트, 폴리-3-메틸테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트, 폴리펜타메틸렌옥사이드-디-o-아미노벤조에이트, 폴리펜타메틸렌옥사이드-디-m-아미노벤조에이트, 폴리펜타메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트, 폴리데카메틸렌옥사이드-디-o-아미노벤조에이트, 폴리데카메틸렌옥사이드-디-m-아미노벤조에이트, 폴리데카메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트, 폴리(테트라메틸렌/3-메틸테트라메틸렌에테르)글리콜비스(4-아미노벤조에이트) 등을 들 수 있다. 이들 디아민은 단독으로 사용하여도 되고 2 종류 이상 동시에 사용하여도 된다.Specifically, polydimethylene oxide-di-o-aminobenzoate), polydimethylene oxide-di-m-aminobenzoate, polydimethylene oxide-di-p-aminobenzoate, polytrimethylene oxide-di -o-aminobenzoate, polytrimethylene oxide-di-m-aminobenzoate, polytrimethylene oxide-di-p-aminobenzoate, polytetramethylene oxide-di-o-aminobenzoate, polytetramethylene oxide -Di-m-aminobenzoate, polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, poly-3-methyltetramethylene oxide-di-o-aminobenzoate, poly-3-methyltetramethylene oxide-di- m-aminobenzoate, poly-3-methyltetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, polypentamethylene oxide-di-o-aminobenzoate, polypentamethylene oxide-di-m-aminobenzoate, poly Pentamethyl Oxide-di-p-aminobenzoate, polydecamethylene oxide-di-o-aminobenzoate, polydecamethylene oxide-di-m-aminobenzoate, polydecamethylene oxide-di-p-aminobenzoate, poly (Tetramethylene / 3-methyltetramethylene ether) glycol bis (4-aminobenzoate) etc. are mentioned. These diamines may be used alone or in combination of two or more thereof.

게다가 이들 디아민의 배합량은, 베이크 후의 휨을 저감하는 관점에서, 상기 일반식 (4) 로 나타내는 디아민이 전체 디아민 성분 중에서 25 몰% 내지 75 몰% 인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the diamine represented by the said General formula (4) is 25 mol%-75 mol% in all the diamine components from a viewpoint of reducing the curvature after baking in the compounding quantity of these diamine.

특히, 상기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물과 상기 일반식 (4) 로 나타내는 화합물을 동시에 사용하는 것이 바람직하다. 상기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물과 상기 일반식 (4) 로 나타내는 화합물을 동시에 사용하는 경우, 휨의 저감, 탈용제 후, 감광성 드라이 필름으로 했을 때의 택성의 향상, 및 양호한 리소그래피 특성의 관점에서, 상기 일반식 (4) 로 나타내는 화합물의 배합량이, 디아민 전체량에 대하여 25 몰% 내지 75 몰% 인 것이 바람직하다.In particular, it is preferable to use the compound represented by the said General formula (2) and the compound represented by the said General formula (4) simultaneously. When using the compound represented by the said General formula (2) and the compound represented by the said General formula (4) simultaneously, the reduction of curvature, the improvement of the tackiness at the time of setting it as a photosensitive dry film after a solvent, and a viewpoint of favorable lithography characteristic It is preferable that the compounding quantity of the compound represented by the said General formula (4) is 25 mol%-75 mol% with respect to diamine whole quantity.

또, 상기 디아민과 그 이외의 디아민을 동시에 사용하는 것이 가능하다. 구체적으로는 1,4-디아미노벤젠, 1,3-디아미노벤젠, 2,4-디아미노톨루엔, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 3,7-디아미노디메틸벤조티오펜-5,5-디옥사이드, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-비스(4-아미노페닐)술파이드, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 1,n-비스(4-아미노페녹시)알칸, 1,3-비스(4-아미노페녹시)-2,2-디메틸프로판, 1,2-비스[2-(4-아미노페녹시)에톡시]에탄, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 5(6)-아미노-1-(4-아미노메틸)-1,3,3-트리메틸인단, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,6-디하이드록시-1,3-페닐렌디아민, 3,3'-디하이드록시-4,4'-디아미노비페닐, 1,4-비스(4-아미노페녹시)펜탄, 1,5-비스(4'-아미노페녹시)펜탄, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 하기 일반식 (5) 로 나타내는 디아미노실록산 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하여도 되고 2 종 이상 조합하여 사용하여도 된다. 이들 디아민은, 베이크 후의 휨을 저감하는 관점에서, 디아민의 총몰수에 대하여 0 몰% 내지 50 몰% 배합하는 것이 바람직하다.Moreover, it is possible to use the said diamine and other diamine simultaneously. Specifically 1,4-diaminobenzene, 1,3-diaminobenzene, 2,4-diaminotoluene, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3 , 4'-diaminodiphenylether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-bis (Trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 3,7-diaminodimethylbenzothiophen-5,5-dioxide, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-dia Minobenzophenone, 4,4'-bis (4-aminophenyl) sulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminobenzanilide, 1, n-bis (4-aminophenoxy Alkanes, 1,3-bis (4-aminophenoxy) -2,2-dimethylpropane, 1,2-bis [2- (4-aminophenoxy) ethoxy] ethane, 9,9-bis ( 4-aminophenyl) fluorene, 5 (6) -amino-1- (4-aminomethyl) -1,3,3-trimethylindane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3 -Bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4,4'-bis (4-aminophenoxy ) Biphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 3,3'-dicarboxy-4,4'- Diaminodiphenylmethane, 4,6-dihydroxy-1,3-phenylenediamine, 3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 1,4-bis (4-amino Phenoxy) pentane, 1,5-bis (4'-aminophenoxy) pentane, bis (γ-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1,4-bis (γ-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4 -Aminobutyl) tetramethyl disiloxane, bis ((gamma) -aminopropyl) tetraphenyl disiloxane, the diamino siloxane compound represented by following General formula (5), etc. are mentioned. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type. It is preferable to mix | blend these diamine with 0 mol%-50 mol% with respect to the total mole number of diamine from a viewpoint of reducing curvature after baking.

[화학식 10] [Formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

폴리이미드 전구체를 합성할 때, 필요에 따라, 단관능의 산무수물, 단관능 카르복실산, 단관능 아민을 이용하여 폴리이미드 전구체 말단을 밀봉하여도 된다.When synthesize | combining a polyimide precursor, you may seal a polyimide precursor terminal using monofunctional acid anhydride, monofunctional carboxylic acid, and monofunctional amine as needed.

또, 본 발명에 관련된 폴리이미드 전구체의 카르복실기의 일부를, 알코올 화합물 등 공지된 화합물, 및 방법을 이용하여 에스테르화하는 것도 가능하다.Moreover, it is also possible to esterify a part of carboxyl group of the polyimide precursor which concerns on this invention using well-known compounds, such as an alcohol compound, and a method.

본 발명에 관련된 폴리이미드 전구체는, (B) 감광제 및 (C) 유기 용제를 배합함으로써, 감광성 폴리이미드 전구체 조성물로 할 수 있다.The polyimide precursor which concerns on this invention can be set as the photosensitive polyimide precursor composition by mix | blending (B) photosensitive agent and (C) organic solvent.

(B) 감광제(B) photosensitizer

본 발명에 관련된 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은, 감광제로서 활성 광선을 조사함으로써 산을 발생하는 화합물이 배합된다. 당해 감광제는 활성 광선의 조사에 의해 산을 발생시키면 특별히 한정되는 것은 아니나, 그 중에서도 벤조퀴논디아지드 화합물, 나프토퀴논디아지드 화합물 등, 퀴논디아지드 구조를 함유하는 화합물인 것이 바람직하다. 예를 들어 미국 특허 제2797213호 명세서, 미국 특허 제3669658호 명세서에 기재된 것을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 페놀 화합물과 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술폰산, 또는 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폰산의 에스테르 화합물이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용하여도 되고 2 종류 이상 조합하여 사용하여도 된다.The photosensitive polyimide precursor composition which concerns on this invention mix | blends the compound which generate | occur | produces an acid by irradiating actinic light as a photosensitive agent. The photosensitive agent is not particularly limited as long as an acid is generated by irradiation with active light, but is preferably a compound containing a quinone diazide structure such as a benzoquinone diazide compound and a naphthoquinone diazide compound. For example, those described in US Pat. No. 2797213 and US Pat. No. 3669658 can be used. Especially, the ester compound of a phenol compound and 1,2-naphthoquinone-2- diazide-4-sulfonic acid, or 1,2-naphthoquinone-2- diazide-5-sulfonic acid is preferable. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more types.

본 발명에 관련된 감광제의 배합량은, 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여 5 질량부 내지 35 질량부가 바람직하고, 10 질량부 내지 30 질량부가 더욱 바람직하다. 감광제의 배합량은, 감광성의 발현, 및 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액에 대한 용해 억지의 관점에서 5 질량부 이상, 감도 및 커버레이의 인성 (靭性) 발현의 관점에서 35 질량부 이하가 바람직하다.5 mass parts-35 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of polyimide precursors, and, as for the compounding quantity of the photosensitive agent which concerns on this invention, 10 mass parts-30 mass parts are more preferable. As for the compounding quantity of a photosensitive agent, 5 mass parts or more are preferable from a viewpoint of photosensitive expression and the inhibition of dissolution to the developing solution which consists of aqueous alkali solution, and 35 mass parts or less from a viewpoint of a sensitivity and toughness expression of a coverlay.

(C) 유기 용제(C) organic solvent

본 발명에 사용하는 유기 용제에는, 예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, γ-부티로락톤, 디메틸술폭사이드를 들 수 있다. 또, 필요에 따라 이들 용제보다 저비점인 용제를 배합할 수 있다. 저비점 용제를 배합함으로써, 건조시의 발포를 억제할 수 있다. 저비점 용제로는, 구체적으로는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류, 에틸알코올, 이소프로필 알코올, n-부탄올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 또는 헥실렌글리콜 등의 알코올류, 1,4-디옥산, 트리옥산, 디에틸아세탈, 1,2-디옥소란, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라하이드로푸란, 아니솔, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류, 아세트산에틸, 벤조산메틸, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디아세테이트 등의 에스테르류, n-헵탄, n-옥탄, 시클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠 및 디에틸벤젠 등의 탄화수소류를 들 수 있다. 유기 용제의 배합량은, 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 25 질량부 내지 900 질량부가 바람직하고, 100 질량부 내지 400 질량부가 더욱 바람직하다. 배합량이 900 질량부보다 많으면 도포 후에 막두께의 유지가 곤란하게 되고, 25 질량부보다 적으면 폴리이미드 전구체가 완전히 용해되지 않는다.Examples of the organic solvent used in the present invention include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, γ-butyrolactone, and dimethyl sulfoxide. have. Moreover, the solvent which is lower boiling point than these solvent can be mix | blended as needed. By mix | blending a low boiling point solvent, foaming at the time of drying can be suppressed. Specifically as a low boiling point solvent, ketones, such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butanol, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, or hexylene Alcohols such as glycols, ethers such as 1,4-dioxane, trioxane, diethylacetal, 1,2-dioxolane, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, anisole and triethylene glycol dimethyl ether , Ethyl acetate, methyl benzoate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol diacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono Propyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate Esters such as dihydrate, propylene glycol diacetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol diacetate, n-heptane, n-octane, cyclohexane, benzene, toluene, xylene And hydrocarbons such as ethylbenzene and diethylbenzene. 25 mass parts-900 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of polyimide precursors, and, as for the compounding quantity of an organic solvent, 100 mass parts-400 mass parts are more preferable. If the blending amount is more than 900 parts by mass, it is difficult to maintain the film thickness after application, and if it is less than 25 parts by mass, the polyimide precursor is not completely dissolved.

(D) 용해 억지제(D) dissolution inhibitor

본 발명에 관련된 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에는 필요에 따라 용해 억지제를 배합할 수 있다. 용해 억지제를 배합함으로써, 폴리이미드 전구체의 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액에 대한 용해를 억지할 수 있다. 본 발명에 관련된 용해 억지제란, 폴리이미드 전구체의 카르복실기나 페놀성 수산기와 수소 결합하는 화합물을 말한다. 폴리이미드 전구체의 카르복실기나 페놀성 수산기가 용해 억지제와 수소 결합함으로써 현상액으로부터 차폐되고, 또 당해 화합물의 소수성과 함께, 폴리이미드 전구체의 용해를 억지하는 것이 가능해진다.The dissolution inhibiting agent can be mix | blended with the photosensitive polyimide precursor composition which concerns on this invention as needed. By mix | blending a dissolution inhibiting agent, dissolution with respect to the developing solution which consists of aqueous alkali solution of a polyimide precursor can be suppressed. The dissolution inhibiting agent which concerns on this invention means the compound which hydrogen-bonds with the carboxyl group and phenolic hydroxyl group of a polyimide precursor. When the carboxyl group and phenolic hydroxyl group of the polyimide precursor are hydrogen-bonded with a dissolution inhibitor, it is shielded from a developing solution, and it becomes possible to suppress dissolution of a polyimide precursor with hydrophobicity of the said compound.

카르복실기나 페놀성 수산기와 수소 결합하는 기를 갖는 화합물로는, 카르복실산 화합물, 카르복실산에스테르 화합물, 아미드 화합물, 우레아 화합물 등을 들 수 있다. 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액에 대한 용해 억지 효과 및 보존 안정성의 관점에서, 하기 일반식 (6) 으로 나타내는 화합물이 바람직하고, 아미드 화합물, 우레아 화합물이 더욱 바람직하다.As a compound which has a group which carries out hydrogen bond with a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group, a carboxylic acid compound, a carboxylic ester compound, an amide compound, a urea compound, etc. are mentioned. From the viewpoint of the dissolution inhibiting effect and the storage stability of the developer composed of the aqueous alkali solution, the compound represented by the following General Formula (6) is preferable, and an amide compound and a urea compound are more preferable.

[화학식 11] [Formula 11]

Figure pct00011
Figure pct00011

(R5 및 R6 은 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자의 전부 또는 일부로 이루어지는 유기기를 나타낸다. R5 및 R6 은 동일하여도 되고 상이하여도 된다) (R 5 and R 6 represent an organic group consisting of all or part of a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom and a sulfur atom. R 5 and R 6 may be the same or different.)

아미드 화합물로는, 예를 들어, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디이소프로필포름아미드, N,N-디메틸부틸아미드, N,N-디브틸아세트아미드, N,N-디프로필아세트아미드, N,N-디부틸포름아미드, N,N-디에틸프로피온아미드, N,N-디메틸프로피온아미드, N,N'-디메톡시-N,N'-디메틸옥사미드, N-메틸-ε-카프로락탐, 4-하이드록시페닐벤즈아미드, 살리실아미드, 살리실아닐리드, 아세트아닐리드, 2'-하이드록시아세트아닐리드, 3'-하이드록시아세트아닐리드, 4'-하이드록시아세트아닐리드를 들 수 있다.As the amide compound, for example, N, N-diethylacetamide, N, N-diisopropylformamide, N, N-dimethylbutylamide, N, N-dibutyl acetamide, N, N-di Propylacetamide, N, N-dibutylformamide, N, N-diethylpropionamide, N, N-dimethylpropionamide, N, N'-dimethoxy-N, N'-dimethyloxamide, N-methyl -ε-caprolactam, 4-hydroxyphenylbenzamide, salicylamide, salicylicanilide, acetanilide, 2'-hydroxyacetanilide, 3'-hydroxyacetanilide, 4'-hydroxyacetanilide Can be.

그 중에서도, 감광층 및 당해 감광층을 베이크함으로써 얻어지는 필름의 저유리 전이점화, 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액에 대한 용해성의 제어, 고잔막률화의 관점에서, 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 바람직하고, 페놀성 수산기를 갖는 아미드 화합물이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 4-하이드록시페닐벤즈아미드, 2'-하이드록시아세트아닐리드, 3'-하이드록시아세트아닐리드, 4'-하이드록시아세트아닐리드를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하여도 되고 2 종 이상을 조합하여 사용하여도 된다.Especially, the compound which has a phenolic hydroxyl group is preferable from a viewpoint of the low glass transition point of the film obtained by baking the photosensitive layer and the said photosensitive layer, control of the solubility with respect to the developing solution which consists of aqueous alkali solution, and high residual film rate, and it is phenolic The amide compound which has a hydroxyl group is more preferable. Specifically, 4-hydroxyphenyl benzamide, 2'-hydroxyacetanilide, 3'-hydroxyacetanilide, and 4'-hydroxyacetanilide are mentioned. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

우레아 화합물로는, 예를 들어, 1,3-디메틸우레아, 테트라메틸우레아, 테트라에틸우레아, 1,3-디페닐우레아, 3-하이드록시페닐우레아를 들 수 있다. 그 중에서도, 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액에 대한 용해성의 제어, 고잔막률화, 감광층 및 당해 감광층을 베이크함으로써 얻어지는 필름의 저유리 전이점화의 관점에서, 페놀성 수산기를 함유하는 우레아 화합물이 보다 바람직하다. 구체적으로는 3-하이드록시페닐우레아를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하여도 되고 2 종 이상을 조합하여 사용하여도 된다.As a urea compound, 1, 3- dimethyl urea, tetramethyl urea, tetraethyl urea, 1, 3- diphenyl urea, 3-hydroxyphenyl urea is mentioned, for example. Especially, the urea compound containing a phenolic hydroxyl group is more preferable from a viewpoint of the control of solubility to the developing solution which consists of aqueous alkali solution, the high residual film ratio, the photosensitive layer, and the low glass transition point of the film obtained by baking this photosensitive layer. . Specifically, 3-hydroxyphenyl urea is mentioned. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

본 발명에 관련된 용해 억지제는, 아미드 화합물을 사용하는 경우, 폴리이미드 전구체의 카르복실기 및 페놀성 수산기 1 ㏖ 에 대하여 용해 억지 효과의 발현 관점에서 0.1 ㏖ 내지 2.0 ㏖ 를 배합하는 것이 바람직하고, 0.15 ㏖ 내지 1.5 ㏖ 배합하는 것이 보다 바람직하다.When using an amide compound, the dissolution inhibiting agent which concerns on this invention mix | blends 0.1 mol-2.0 mol with respect to the expression of a dissolution inhibiting effect with respect to 1 mol of carboxyl groups and phenolic hydroxyl groups of a polyimide precursor, and it is 0.15 mol It is more preferable to mix | blend-1.5 mol.

본 발명에 관련된 용해 억지제는, 우레아 화합물을 사용하는 경우, 폴리이미드 전구체의 카르복실기 및 페놀성 수산기 1 ㏖ 에 대하여 용해 억지 효과의 발현의 관점에서 0.1 ㏖ 내지 2.0 ㏖ 이 바람직하다. 용해 억지 효과 발현 및 베이크에 의해 얻어지는 수지의 인성 발현 관점에서, 0.15 ㏖ 내지 1.5 ㏖ 배합하는 것이 보다 바람직하다.When using a urea compound, the dissolution inhibiting agent which concerns on this invention has preferable 0.1 mol-2.0 mol from a viewpoint of expression of a dissolution inhibiting effect with respect to 1 mol of carboxyl groups and phenolic hydroxyl groups of a polyimide precursor. It is more preferable to mix | blend 0.15 mol-1.5 mol from a viewpoint of toughness expression of resin obtained by dissolution inhibiting effect expression and baking.

또, 아미드 화합물과 우레아 화합물의 양방을 사용하는 경우에는, 아미드 화합물과 우레아 화합물의 총량이, 용해 억지 효과의 관점에서, 폴리이미드 전구체의 카르복실기 및 페놀성 수산기 1 ㏖ 에 대하여 0.1 ㏖ 내지 1.5 ㏖ 의 범위가 바람직하다.Moreover, when using both an amide compound and a urea compound, the total amount of an amide compound and a urea compound is 0.1 mol-1.5 mol with respect to 1 mol of carboxyl groups and phenolic hydroxyl groups of a polyimide precursor from a viewpoint of a dissolution inhibiting effect. Range is preferred.

(E) 페놀 화합물(E) phenolic compounds

본 발명의 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에는 필요에 따라 페놀 화합물을 배합할 수 있다. 페놀 화합물은, 베이크 후의 필름과 기판으로 이루어지는 시트의 휨 저감 및 알칼리 수용액에 대한 용해성 제어의 관점에서, 하기 일반식 (7) 로 나타내는 화합물 및 하기 일반식 (8) 의 구조를 함유하는 페놀 화합물이다 (본원의 용해 억지제에 해당하지 않는 성분으로 한다).A phenol compound can be mix | blended with the photosensitive polyimide precursor composition of this invention as needed. A phenolic compound is a phenolic compound containing the compound represented by following General formula (7) and the structure of following General formula (8) from a viewpoint of the curvature reduction of the sheet | seat which consists of a film after baking, and a solubility control with respect to aqueous alkali solution. (We assume ingredient which does not correspond to dissolution inhibitor of this application).

[화학식 12] [Formula 12]

Figure pct00012
Figure pct00012

(R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소 원자가 1 내지 50 및 산소 원자가 0 내지 10 으로 이루어지는 유기기를 나타낸다. X 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 수산기 또는 탄소수가 1 내지 20 인 유기기를 나타낸다) (R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom or an organic group having 1 to 50 carbon atoms and an oxygen atom 0 to 10. X each independently represents a hydrogen atom or a hydroxyl group or an organic group having 1 to 20 carbon atoms)

[화학식 13] [Formula 13]

Figure pct00013
Figure pct00013

(R9 및 R11 은 각각 독립적으로 탄소수가 1 내지 6 인 유기기를 나타내고, R10 은 결합기 또는 탄소수가 1 내지 20 인 유기기를 나타낸다) (R 9 and R 11 each independently represent an organic group having 1 to 6 carbon atoms, and R 10 represents a bonding group or an organic group having 1 to 20 carbon atoms)

구체적으로는, 디하이드록시디페닐메탄, 4,4'-옥시디페놀, 1,4-비스-(3-하이드록시페녹시)-벤젠, 1,3-비스-(4-하이드록시페녹시)-벤젠, 1,5-비스-(o-하이드록시페녹시)-3-옥사펜탄, α,α'-비스-(4-하이드록시페닐)-1,4-디이소프로필벤젠 등의 2 핵체, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 트리스(하이드록시페닐)에탄, 4-{4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]-α,α-디메틸벤질}페놀 등의 3 핵체, 하기 구조식군 (a) 로 나타내는 다핵체 등을 들 수 있다. 이들 페놀 화합물은 단독으로 사용하여도 되고 2 종류 이상 조합하여 사용하여도 된다.Specifically, dihydroxy diphenylmethane, 4,4'- oxydiphenol, 1, 4-bis- (3-hydroxyphenoxy) -benzene, 1, 3-bis- (4-hydroxyphenoxy 2) such as) -benzene, 1,5-bis- (o-hydroxyphenoxy) -3-oxapentane, α, α'-bis- (4-hydroxyphenyl) -1,4-diisopropylbenzene 3 such as nucleus, tris (hydroxyphenyl) methane, tris (hydroxyphenyl) ethane, 4- {4- [1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] -α, α-dimethylbenzyl} phenol A nucleus body, the polynuclear body represented by the following structural formula group (a), etc. are mentioned. These phenolic compounds may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

[화학식 14] [Formula 14]

Figure pct00014
Figure pct00014

본 발명에 관련된 페놀 화합물의 배합량은, 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 1 질량부 내지 30 질량부가 바람직하고, 5 질량부 내지 20 질량부가 더욱 바람직하다. 배합량이 1 질량부보다 적으면 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액에 대한 용해성을 억지하는 것이 곤란해지고, 30 질량부보다 많으면 탈용제 공정 후에 얻어진 감광성 드라이 필름의 감광층이 취약해진다.1 mass part-30 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of polyimide precursors, and, as for the compounding quantity of the phenolic compound which concerns on this invention, 5 mass parts-20 mass parts are more preferable. When the blending amount is less than 1 part by mass, it is difficult to inhibit the solubility in a developer composed of an aqueous alkali solution. When the blending amount is more than 30 parts by mass, the photosensitive layer of the photosensitive dry film obtained after the desolvent process becomes weak.

(F) 가소제(F) plasticizer

본 발명에 관련된 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에는, 가소제로서 하기 일반식 (9) 로 나타내는 화합물도 바람직하게 사용할 수 있다.In the photosensitive polyimide precursor composition which concerns on this invention, the compound represented by following General formula (9) can also be used suitably as a plasticizer.

[화학식 15] [Formula 15]

Figure pct00015
Figure pct00015

(R12 내지 R14 는 에틸렌글리콜 사슬 및/또는 프로필렌글리콜 사슬을 포함하는 유기기로서, 각각 동일하여도 되고 상이하여도 된다) (R 12 to R 14 are organic groups containing an ethylene glycol chain and / or a propylene glycol chain, which may be the same as or different from each other)

구체적으로는 하기 구조식 (i), (j) 로 나타내는 화합물을 들 수 있으나, 이것에 한정된 것은 아니다. 또, 이들 화합물은 단독으로 사용하여도 되고 2 종류 이상 조합하여 사용하여도 된다.Although the compound specifically, shown by following structural formula (i) and (j) is mentioned, It is not limited to this. In addition, these compounds may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

[화학식 16] [Formula 16]

Figure pct00016
Figure pct00016

(d 는 0 이상의 정수, e 는 0 이상의 정수) (d is an integer greater than or equal to 0, e is an integer greater than or equal to 0)

본 발명에 관련된 가소제의 배합량은, 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 1 질량부 내지 30 질량부가 바람직하고, 1 질량부 내지 10 질량부가 더욱 바람직하다. 배합량이 1 질량부 이상이면 휨 저감 효과가 발현되고, 30 질량부 이하이면 현상성에 악영향을 미치지 않고 원하는 패턴이 얻어진다.1 mass part-30 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of polyimide precursors, and, as for the compounding quantity of the plasticizer which concerns on this invention, 1 mass part-10 mass parts are more preferable. If the blending amount is 1 part by mass or more, the warpage reduction effect is expressed, and if it is 30 parts by mass or less, a desired pattern is obtained without adversely affecting developability.

(G) 가교제(G) crosslinking agent

본 발명에서는, 베이크 후의 필름의 인성을 향상시키는 목적으로, 가교제를 배합할 수 있다. 가교제로는 하기 일반식 (10) 으로 나타내는 테트라카르복실산 화합물 또는 테트라카르복실산에스테르 화합물, 하기 일반식 (11) 로 나타내는 폴리이미드 전구체 또는 카르복실기 함유 폴리이미드 전구체 에스테르 화합물이 바람직하다.In this invention, a crosslinking agent can be mix | blended for the purpose of improving the toughness of the film after baking. As a crosslinking agent, the tetracarboxylic-acid compound or tetracarboxylic-acid ester compound represented by following General formula (10), and the polyimide precursor or carboxyl group-containing polyimide precursor ester compound represented by following General formula (11) are preferable.

[화학식 17] [Formula 17]

Figure pct00017
Figure pct00017

(R15 는 4 가의 유기기, R16 내지 R19 는 수소 또는 탄소수가 1 내지 20 인 1 가의 유기기로서, 각각 동일하여도 되고 상이하여도 된다) (R 15 is a tetravalent organic group, R 16 to R 19 are hydrogen or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and may be the same or different.)

[화학식 18] [Formula 18]

Figure pct00018
Figure pct00018

(R20, R22, R24 는 4 가의 유기기로서, 각각 동일하여도 되고 상이하여도 된다. R21, R23 은 2 가의 유기기로서, 각각 동일하여도 되고 상이하여도 된다. R25 내지 R32 는 수소 또는 탄소수가 1 내지 20 인 1 가의 유기기로서, 각각 동일하여도 되고 상이하여도 된다. g 는 0 내지 100 의 정수이다) (R 20, R 22, R 24 is also even and, different from the same respectively as the tetravalent organic group. R 21, R 23 is also even and, different from the same respectively as the divalent organic group. R 25 To R 32 are hydrogen or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, which may be the same or different, respectively, g is an integer of 0 to 100)

본 발명에 관련된 가교제의 배합량은, 폴리이미드 전구체의 나머지 아미노기의 몰수에 대하여, 가교 효과의 발현 관점에서 0.1 ㏖ 내지 1.5 ㏖ 이 바람직하고, 0.5 ㏖ 내지 1.1 ㏖ 이 보다 바람직하다. 나머지 아미노기의 양은 고속 액체 크로마토그래피를 이용하여 산출할 수 있다.0.1 mol-1.5 mol are preferable, and, as for the compounding quantity of the crosslinking agent which concerns on this invention from the viewpoint of the expression of a crosslinking effect with respect to the mole number of the remaining amino group of a polyimide precursor, 0.5 mol-1.1 mol are more preferable. The amount of remaining amino groups can be calculated using high performance liquid chromatography.

(H) 열 염기 발생제(H) thermal base generator

본 발명에 관련된 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은, 필요에 따라 열 염기 발생제를 함유할 수 있다. 열 염기 발생제란 가열함으로써 염기를 발생시키는 화합물이다. 예를 들어, 아민 등의 염기 화합물의 아미노기와 술폰산 등의 산으로 염 구조를 만들고, 디카보네이트 화합물에 의해 보호하고, 산클로라이드 화합물에 의해 보호함으로써 얻어진다. 이로써, 실온에서는 염기성을 발현하지 않고 안정되며, 가열에 의해 탈보호하고, 염기를 발생시키는 열 염기 발생제로 할 수 있다. 또 당해 열 염기 발생제를 배합함으로써, 폴리이미드 전구체의 베이크의 온도를 비교적 저온으로 할 수도 있다.The photosensitive polyimide precursor composition which concerns on this invention can contain a thermal base generator as needed. A thermal base generator is a compound which generates a base by heating. For example, it is obtained by making a salt structure with the amino group of base compounds, such as an amine, and acids, such as a sulfonic acid, protecting by a dicarbonate compound and protecting by an acid chloride compound. Thereby, at room temperature, it is stable without expressing basicity, and it can be set as the thermal base generator which deprotects by heating and produces | generates a base. Moreover, the temperature of baking of a polyimide precursor can also be made comparatively low by mix | blending the said thermal base generator.

열 염기 발생제로는, 구체적으로는 U-CAT (등록상표) SA810, U-CAT SA831, U-CAT SA841, U-CAT SA851 (이상, 상품명 산아프로사 제조), N-(이소프로폭시카르보닐)-2,6-디메틸피페리딘, N-(tert-부톡시카르보닐)-2,6-디메틸피페리딘, N-(벤질옥시카르보닐)-2,6-디메틸피페리딘, 방향족 디아민의 아미노기를 2탄산디부틸로 보호한 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 보존 안정성, 탈용제에 의한 분자량 안정성, 알칼리 용해성, 이온 마이그레이션성의 관점에서, N-(이소프로폭시카르보닐)-2,6-디메틸피페리딘, N-(tert-부톡시카르보닐)-2,6-디메틸피페리딘, N-(벤질옥시카르보닐)-2,6-디메틸피페리딘, 4,4-디아미노디페닐에테르의 아미노기를 2 탄산디부틸로 보호한 화합물, 3,4'-디아미노디페닐에테르의 아미노기를 2 탄산디부틸로 보호한 화합물, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠의 아미노기를 2 탄산디부틸로 보호한 화합물, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠의 아미노기를 2 탄산디부틸로 보호한 화합물, 트리메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트) 의 아미노기를 2 탄산디부틸로 보호한 화합물, 1,4-비스(4-아미노페녹시)펜탄의 아미노기를 2 탄산디부틸로 보호한 화합물이 바람직하다. 당해 화합물은 예를 들어, Chmistry Letters Vol.34, No.10 (2005) 에 기재된 공지된 방법에 의해 합성할 수 있다.Specifically as a thermal base generating agent, U-CAT (trademark) SA810, U-CAT SA831, U-CAT SA841, U-CAT SA851 (above, brand name San Apro Corporation), N- (isopropoxycarbonyl ) -2,6-dimethylpiperidine, N- (tert-butoxycarbonyl) -2,6-dimethylpiperidine, N- (benzyloxycarbonyl) -2,6-dimethylpiperidine, aromatic The compound etc. which protected the amino group of diamine with dibutyl dicarbonate are mentioned. Among them, N- (isopropoxycarbonyl) -2,6-dimethylpiperidine, N- (tert) from the viewpoint of the storage stability of the photosensitive polyimide precursor composition, molecular weight stability by desolvent, alkali solubility, and ion migration properties. Amino group of -butoxycarbonyl) -2,6-dimethylpiperidine, N- (benzyloxycarbonyl) -2,6-dimethylpiperidine, 4,4-diaminodiphenylether dibutyl dicarbonate The compound protected with the compound, the compound which protected the amino group of 3,4'- diamino diphenyl ether with dibutyl dicarbonate, and the amino group of 1, 3-bis (3-aminophenoxy) benzene protected by dibutyl dicarbonate. Compound, The compound which protected the amino group of 1, 3-bis (4-aminophenoxy) benzene with dibutyl dicarbonate, The compound which protected the amino group of trimethylene-bis (4-amino benzoate) with dibutyl dicarbonate, Preference is given to compounds in which the amino group of 1,4-bis (4-aminophenoxy) pentane is protected with dibutyl dicarbonate. The compound can be synthesized, for example, by the known method described in Chmistry Letters Vol. 34, No. 10 (2005).

본 발명에 관련된 열 염기 발생제의 배합량은, 이미드화의 촉진 및 현상 성능의 관점에서, 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여 0.5 질량부 내지 30 질량부가 바람직하고, 0.5 질량부 내지 20 질량부가 보다 바람직하다.From the viewpoint of the promotion of imidization and the development performance, the blending amount of the thermal base generator according to the present invention is preferably 0.5 parts by mass to 30 parts by mass, more preferably 0.5 parts by mass to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor. Do.

(I) 인산에스테르 화합물(I) Phosphate Ester Compound

본 발명에 관련된 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에는, 필요에 따라 인산에스테르 화합물을 배합할 수 있다. 이들 화합물은, 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 대하여 난연제나 용해 보조제나 가소제로서 작용한다.A phosphate ester compound can be mix | blended with the photosensitive polyimide precursor composition which concerns on this invention as needed. These compounds act as a flame retardant, a dissolution aid, or a plasticizer with respect to the photosensitive polyimide precursor composition.

인산에스테르 화합물로는, 하기 일반식 (12), 하기 일반식 (13) 또는 하기 일반식 (14) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 사용한다.As the phosphate ester compound, at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following general formula (12), the following general formula (13) or the following general formula (14) is used.

[화학식 19] [Formula 19]

Figure pct00019
Figure pct00019

(R33 내지 R35 는 탄소수 1 이상의 유기기를 나타내고, 각각 동일하여도 되고 상이하여도 된다) (R 33 to R 35 represent an organic group having 1 or more carbon atoms, and may be the same or different, respectively.)

[화학식 20] [Formula 20]

Figure pct00020
Figure pct00020

(R36 내지 R39 는 탄소수가 1 이상인 유기기를 나타내고, 각각 동일하여도 되고 상이하여도 된다) (R 36 to R 39 represent an organic group having 1 or more carbon atoms, and may be the same or different from each other.)

[화학식 21] [Formula 21]

Figure pct00021
Figure pct00021

(식 중 R40 은 수소 또는 1 가의 유기기이다) (Wherein R 40 is hydrogen or a monovalent organic group)

감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 난연성이나 가소성을 개선하는 것을 고려하면, 상기 일반식 (12) 중의 R33 내지 R35 또는 상기 일반식 (13) 중의 R36 내지 R39 가 메틸기, 에틸기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 부톡시에틸기, 페닐기, 크레질기, 크실레닐기, 아미노페닐기에서 선택되는 유기기인 것이 바람직하다.In consideration of improving the flame retardancy and plasticity of the photosensitive polyimide precursor composition, R 33 to R 35 in General Formula (12) or R 36 to R 39 in General Formula (13) are a methyl group, an ethyl group, a butyl group, or 2 It is preferable that it is an organic group chosen from an ethylhexyl group, butoxyethyl group, a phenyl group, a cresyl group, a xylenyl group, and an aminophenyl group.

또, 마찬가지로 열안정성과 감광성 드라이 필름의 휨 개선 효과를 고려하면, 상기 일반식 (14) 중의 R40 이 수소, 디하이드록시페닐기, 디부틸하이드록시벤질기, (메트)아크릴레이트 함유 유기기에서 선택되는 유기기인 것이 바람직하다. 게다가 수지 바니시와의 상용성이나 감광성 드라이 필름화했을 때의 휨 개선 효과를 고려할 경우에 R40 은 수소가 바람직하다.In addition, considering the thermal stability and the warpage improvement effect of the photosensitive dry film, R 40 in the general formula (14) is a hydrogen, a dihydroxyphenyl group, a dibutylhydroxybenzyl group, a (meth) acrylate-containing organic group. It is preferable that it is an organic group chosen. In addition, considering that the effect of improving the bending when the screen compatible or photosensitive dry film of the resin varnish and R 40 is preferably hydrogen.

이들 인산에스테르 화합물은 단독으로도 배합할 수 있고 2 종 이상 조합하여 배합할 수도 있다. 이들 인산에스테르 화합물의 배합량은 1 질량부 내지 30 질량부가 바람직하고, 1 질량부 내지 20 질량부가 더욱 바람직하다. 배합량이 1 질량부 이상이면 가소성을 발현하고, 30 질량부 이하이면 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 활성 광선을 조사하지 않는 부분이, 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액에 잘 침식되지 않게 되어 양호한 선상 (線像) 을 얻을 수 있다.These phosphate ester compounds can be mix | blended individually or in combination of 2 or more types. 1 mass part-30 mass parts are preferable, and, as for the compounding quantity of these phosphate ester compounds, 1 mass part-20 mass parts are more preferable. If the blending amount is 1 part by mass or more, plasticity is expressed, and when the blending amount is 30 parts by mass or less, the portion which does not irradiate the actinic light of the photosensitive polyimide precursor composition does not erode well to the developing solution composed of an aqueous alkali solution, thereby providing a good linearity. You can get it.

(J) 유기 인 화합물(J) organophosphorus compounds

본 발명에 관련된 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에는, 하기 일반식 (15) 로 나타내는 유기 인 화합물을 배합할 수 있다. 당해 유기 인 화합물을 배합함으로써, 베이크에 의해 얻어진 수지 패턴에 난연성을 부여할 수 있다.The organophosphorus compound represented by following General formula (15) can be mix | blended with the photosensitive polyimide precursor composition which concerns on this invention. By mix | blending the said organic phosphorus compound, flame retardance can be provided to the resin pattern obtained by baking.

[화학식 22] [Formula 22]

Figure pct00022
Figure pct00022

(R41 은 유기기를 나타낸다. h 는 1 내지 50 의 정수를 나타낸다) (R 41 represents an organic group. H represents an integer of 1 to 50)

이들 유기 인 화합물의 배합량은 1 질량부 내지 30 질량부가 바람직하고 3 질량부 내지 25 질량부가 더욱 바람직하다. 배합량이 1 질량부 이상이면 난연성을 발현하고, 30 질량부 이하이면 베이크 후에 얻어지는 수지 패턴이 강인해진다.1 mass part-30 mass parts are preferable, and, as for the compounding quantity of these organophosphorus compounds, 3 mass parts-25 mass parts are more preferable. If the blending amount is at least 1 part by mass, flame retardancy is expressed, and if it is at most 30 parts by mass, the resin pattern obtained after baking is tough.

(K) 그 밖의 성분(K) other ingredients

본 발명에 관련된 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에는, 필요에 따라서 이미다졸 화합물, 트리아졸 화합물, 테트라졸 화합물, 술파이드 화합물을 배합할 수 있다. 이들 화합물을 배합함으로써, 구리 기판과의 접착성을 개선할 수 있다.An imidazole compound, a triazole compound, a tetrazole compound, and a sulfide compound can be mix | blended with the photosensitive polyimide precursor composition which concerns on this invention as needed. By mix | blending these compounds, adhesiveness with a copper substrate can be improved.

이들 화합물의 배합량은 0.1 질량부 내지 10 질량부가 바람직하고, 0.1 질량부 내지 5 질량부가 더욱 바람직하다. 배합량이 0.1 질량부 이상이면 접착성의 개선 효과가 발현되고, 10 질량부 이하이면 현상성에 악영향을 미치지 않아 양호한 선상을 얻을 수 있다.0.1 mass part-10 mass parts are preferable, and, as for the compounding quantity of these compounds, 0.1 mass part-5 mass parts are more preferable. If the compounding quantity is 0.1 mass part or more, the adhesive improvement effect will be expressed, and if it is 10 mass parts or less, it will not adversely affect developability and can obtain favorable linear form.

본 발명에 관련된 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에는, 지지 필름과의 젖음성을 향상시키는 목적으로, 필요에 따라 에탄올, 2-프로판올, 에틸렌글리콜 등의 알코올류, 락트산에틸, 벤조산메틸, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트 등의 에스테르류, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류, n-부틸에테르, 테트라하이드로푸란, 디옥산 등의 에테르류, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류를 배합할 수 있다.In the photosensitive polyimide precursor composition which concerns on this invention, alcohol, such as ethanol, 2-propanol, ethylene glycol, ethyl lactate, methyl benzoate, ethylene glycol monopropyl ether acetate as needed for the purpose of improving the wettability with a support film. Esters such as methyl, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, ethers such as n-butyl ether, tetrahydrofuran and dioxane, glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether and propylene glycol monoethyl ether It can mix.

본 발명의 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 커버레이로서 사용할 수 있다. 커버레이란, 실리콘 웨이퍼, 동장 (銅張) 적층판, FPC 등의 위에 형성된 배선을 보호하는 보호막을 말한다.The photosensitive polyimide precursor composition of this invention can be used as a coverlay. A coverlay is a protective film which protects the wiring formed on a silicon wafer, a copper clad laminated board, FPC, etc.

(감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 조합 (調合)) (Combination of Photosensitive Polyimide Precursor Composition)

본 발명에 관련된 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은, 적당한 용기 내에 상기 폴리이미드 전구체 및 여러 가지의 화합물을 배합하고, 믹스 로터, 논버블링 니더, 교반 날개를 구비한 쓰리 원 모터 등에 의하여 완전히 용해될 때까지 교반 함으로써 얻어진다.The photosensitive polyimide precursor composition which concerns on this invention mix | blends the said polyimide precursor and various compounds in a suitable container, until it melt | dissolves completely by the mixing rotor, the non-bubbling kneader, the three-one motor with a stirring blade, etc. It is obtained by stirring.

(수지 패턴의 제조) (Manufacture of Resin Patterns)

본 발명에서는, 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 이용하여 감광성 드라이 필름을 제작하여 수지 패턴을 형성시킬 수 있다. 당해 수지 패턴은 이하의 공정에서 형성할 수 있다.In this invention, a photosensitive dry film can be produced using the photosensitive polyimide precursor composition, and a resin pattern can be formed. The said resin pattern can be formed in the following process.

(1) 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 필름 기재에 도포하고, 이어서 탈용제하여 감광성 드라이 필름을 만드는 공정(1) Process of apply | coating photosensitive polyimide precursor composition to a film base material, and then desolventing to make a photosensitive dry film.

감광성 드라이 필름은 지지 필름 (필름 기재) 에 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 도포하고, 용매를 건조시켜 감광층을 형성함으로써 얻어진다. 지지 필름으로는 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리알릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 에틸렌/시클로데센 공중합체 등을 사용할 수 있다. 이들 지지 필름에는, 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 젖음성이나, 당해 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에서 얻어지는 감광층의 박리성을 제어하는 목적에서 표면 처리를 실시하는 것이 가능하다. 표면 처리 방법으로는, 코로나 처리, 프레임 처리, 플라스마 처리, 실리콘이나 알키드 수지나 올레핀 수지 등을 사용한 표면 개질 등을 들 수 있다. 또 캐리어 필름의 두께는, 도포성, 부착성, 롤성, 강인성, 비용 등을 고려하여 통상 15 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 15 ㎛ 내지 75 ㎛ 이다.The photosensitive dry film is obtained by apply | coating the photosensitive polyimide precursor composition to a support film (film base material), drying a solvent, and forming a photosensitive layer. As the support film, low density polyethylene, high density polyethylene, polypropylene, polyester, polycarbonate, polyallylate, polyacrylonitrile, ethylene / cyclodecene copolymer and the like can be used. These supporting films can be subjected to surface treatment for the purpose of controlling the wettability of the photosensitive polyimide precursor composition and the peelability of the photosensitive layer obtained from the photosensitive polyimide precursor composition. As a surface treatment method, surface modification using a corona treatment, a frame treatment, a plasma treatment, silicone, an alkyd resin, an olefin resin, etc. are mentioned. The thickness of the carrier film is usually 15 µm to 100 µm, preferably 15 µm to 75 µm in consideration of applicability, adhesion, rollability, toughness, cost, and the like.

감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 도포는, 상기 지지 필름에 리버스 롤 코터나 그라비아 롤 코터, 콤마 코터, 립 코터, 슬롯 다이 코터 등 공지된 방법을 이용하여 실시할 수 있다.Application | coating of the photosensitive polyimide precursor composition can be performed to the said support film using well-known methods, such as a reverse roll coater, a gravure roll coater, a comma coater, a lip coater, and a slot die coater.

탈용제는 용제의 건조 (열풍 건조나 원적외선, 근적외선을 사용한 건조기) 에 의해 실시할 수가 있다. 건조 온도는 분자량 저하를 억지하는 관점에서 온도 50 ℃ 내지 120 ℃ 가 바람직하고, 감광제의 안정성 관점에서 50 ℃ 내지 110 ℃ 가 더욱 바람직하다. 탈용제에 의해 얻어진 감광층의 막두께는, 5 ㎛ 내지 100 ㎛ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 이다. 막두께는, 절연 신뢰성의 관점에서 5 ㎛ 이상이 바람직하고, 양호한 선상을 얻는다는 관점에서 100 ㎛ 이하가 바람직하다. 여기서, 폴리이미드 전구체 바니시에서의 중량 평균 분자량 (Mw1) 과 120 ℃ 이하에서의 탈용매 후의 중량 평균 분자량 (Mw2) 사이의 비 (Mw2/Mw1) 가 0.7 이상이면, 탈용제 후의 감광성 드라이 필름을 절곡하여도 감광층의 균열이 없다는 효과를 발휘한다.A desolvent can be performed by drying a solvent (dryer using hot air drying, far infrared rays, and near infrared rays). From a viewpoint of suppressing molecular weight fall, a drying temperature has preferable temperature of 50 degreeC-120 degreeC, and 50 degreeC-110 degreeC is further more preferable from the viewpoint of stability of a photosensitive agent. As for the film thickness of the photosensitive layer obtained by the desolvent, 5 micrometers-100 micrometers are preferable, More preferably, they are 5 micrometers-50 micrometers. As for a film thickness, 5 micrometers or more are preferable from a viewpoint of insulation reliability, and 100 micrometers or less are preferable from a viewpoint of obtaining a favorable linear form. Here, when the ratio (Mw2 / Mw1) between the weight average molecular weight (Mw1) in a polyimide precursor varnish and the weight average molecular weight (Mw2) after desolvation at 120 degrees C or less is 0.7 or more, the photosensitive dry film after a solvent will be bent. Even if the photosensitive layer is not cracked, it is effective.

또, 감광성 드라이 필름에 커버 필름을 적층시켜, 감광성 적층 필름으로 할 수 있다. 커버 필름을 적층시킴으로써, 감광층이 지지 필름에 접착되는 것을 방지할 수 있다. 커버 필름으로는, 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리알릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 에틸렌/시클로데센 공중합체를 사용할 수 있다.Moreover, a cover film is laminated | stacked on the photosensitive dry film, and it can be set as a photosensitive laminated film. By laminating the cover film, the photosensitive layer can be prevented from adhering to the support film. As the cover film, low density polyethylene, high density polyethylene, polypropylene, polyester, polycarbonate, polyallylate, polyacrylonitrile, ethylene / cyclodecene copolymer can be used.

(2) 감광성 드라이 필름을, 패턴을 배치한 기판 상에 압착하여 감광층을 형성하는 공정(2) Process of crimping | stacking a photosensitive dry film on the board | substrate which arrange | positioned the pattern, and forming a photosensitive layer.

감광성 드라이 필름을 FPC 등의 회로가 형성된 면 (패턴을 배치한 기판 상) 에 중첩시키고, 평면 라미네이트나 롤 라미네이트, 진공 프레스 등의 공지된 방법에 의하여 40 ℃ 내지 130 ℃, 바람직하게는 60 ℃ 내지 120 ℃ 로 가열하면서, 0.2 ㎫ 내지 5 ㎫ 의 압력으로 라미네이트 (압착) 함으로써 감광층을 적층할 수 있다.The photosensitive dry film is superposed on a surface (on a substrate on which a pattern is arranged) on which a circuit such as an FPC is formed, and it is 40 ° C to 130 ° C, preferably 60 ° C to 60 ° C by a known method such as planar laminate, roll laminate, or vacuum press. The photosensitive layer can be laminated by laminating (pressing) at a pressure of 0.2 MPa to 5 MPa while heating at 120 ° C.

이 때 감광성 드라이 필름이 커버 필름을 적층한 감광성 적층 필름인 경우에 라미네이트 전에 커버 필름을 박리한다. 라미네이트 가능 온도를 40 ℃ 이상으로 함으로써 라미네이트 전의 위치 맞춤시에 택으로 인하여 시간이 걸리지 않게 되고, 130 ℃ 이하로 함으로써 감광제의 분해가 진행하지 않아 라미네이트할 수 있게 된다. 또한, 라미네이트 가능 온도란, 기포 잔류 등의 문제가 없이 패턴에 대한 매립을 충분히 할 수 있음과 동시에, 감광성 폴리이미드 전구체 조성물이 지나치게 흘러 패턴 외에 흘러나가지 않을 점도로 감광층을 제어할 수 있는 온도를 의미한다.At this time, when the photosensitive dry film is a photosensitive laminated film which laminated | stacked the cover film, a cover film is peeled off before lamination. By setting the laminating temperature to 40 ° C or higher, it takes no time due to the tack during the alignment before the lamination. When the laminating temperature is set to 130 ° C or lower, decomposition of the photosensitive agent does not proceed and the lamination can be performed. In addition, the laminating temperature means a temperature at which the photosensitive layer can be controlled at a viscosity at which the filling of the pattern can be sufficiently filled without problems such as bubble residue and the photosensitive polyimide precursor composition is excessively flowed to flow out of the pattern. it means.

또, 감광층의 유리 전이점 (이하 Tg) 을 라미네이트 온도보다 낮게 함으로써, 감광성 드라이 필름의 라미네이트를 바람직하게 실시할 수 있다. 감광층을 라미네이트한 후에 지지 필름은 박리하여도 되고 박리하지 않아도 된다. 라미네이트 후에 지지 필름을 박리하지 않은 경우에는 노광 공정 후에 박리한다.Moreover, lamination of the photosensitive dry film can be performed suitably by making glass transition point (hereinafter Tg) of a photosensitive layer lower than lamination temperature. After laminating the photosensitive layer, the supporting film may or may not be peeled off. When a support film is not peeled off after lamination, it peels after an exposure process.

(3) 감광층에 활성 광선을 조사하는 공정(3) Process of irradiating actinic light to photosensitive layer

감광층은 미세 구멍이나 미세 폭의 라인을 형성하기 위하여 임의의 패턴이 그려진 포토마스크를 통해 노광된다. 노광량은, 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 조성에 따라서 상이한데, 통상 100 mJ/㎠ ~ 3,000 mJ/㎠ 이다. 이 때 사용되는 활성 광선으로는, 예를 들어 X 선, 전자선, 자외선, 가시광선 등을 들 수 있다. 활성 광선의 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프 등을 사용할 수 있다. 본 발명에서는 수은등의 i 선 (365 ㎚), h 선 (405 ㎚), g 선 (436 ㎚) 을 사용하는 것이 바람직하다. 활성 광선을 조사하는 방법으로는 밀착 노광, 투영 노광의 어느 것이어도 된다.The photosensitive layer is exposed through a photomask on which an arbitrary pattern is drawn to form fine pores or fine width lines. Although exposure amount changes with the composition of the photosensitive polyimide precursor composition, it is 100 mJ / cm <2> -3,000 mJ / cm <2> normally. Examples of the active light used at this time include X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible rays, and the like. As a light source of active light, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a halogen lamp, etc. can be used. In this invention, it is preferable to use the i line | wire (365 nm), h line | wire (405 nm), and g line | wire (436 nm), such as a mercury lamp. As a method of irradiating an actinic light, any of a close exposure and a projection exposure may be sufficient.

(4) 알칼리 수용액에 의해 현상하는 공정(4) Process to develop by aqueous alkali solution

노광 후, 현상액을 이용하여 침지법, 스프레이법 등의 공지된 방법으로 현상을 실시하여 선상을 얻을 수 있다. 현상액으로는, 수산화나트륨 수용액, 수산화칼륨 수용액, 탄산나트륨 수용액, 탄산칼륨 수용액, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액 등의 알칼리 수용액을 사용할 수 있다. 또 본 공정에서는 현상액을 가열하면서 현상하는 것이 바람직하다. 현상 온도를 관리함으로써, 현상 시간을 컨트롤할 수 있어, 얻어지는 선상의 형상을 유지할 수 있다. 이들 관점에서 현상액의 온도는, 20 ℃ ~ 60 ℃ 가 바람직하고, 25 ℃ ~ 50 ℃ 가 더욱 바람직하다.After exposure, image development can be performed by a well-known method, such as an immersion method and a spray method, using a developing solution, and a linear form can be obtained. As a developing solution, alkaline aqueous solutions, such as aqueous sodium hydroxide solution, potassium hydroxide aqueous solution, sodium carbonate aqueous solution, potassium carbonate aqueous solution, and tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, can be used. Moreover, in this process, it is preferable to develop, heating a developing solution. By managing development temperature, development time can be controlled and the linear shape obtained can be maintained. From these viewpoints, 20 degreeC-60 degreeC is preferable and 25 degreeC-50 degreeC of the temperature of a developing solution is more preferable.

(5) 물 및 산성 수용액으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 용매에 의해 린스하는 공정(5) Rinsing with at least one solvent selected from the group consisting of water and acidic aqueous solution

현상 후에는 침지법, 스프레이법 등의 공지된 방법에 의하여 세정한다. 린스액으로는 물이나 물에 유기 용제를 첨가한 것을 사용할 수 있다. 본 공정에서는 린스액을 적절한 온도로 유지하는 것이 바람직하다. 이로써 현상 후에 기판이나 수지 상의 잔류물을 없앨 수 있다. 린스액의 온도로는 잔류물 제거의 관점에서 15 ℃ ~ 60 ℃ 가 바람직하고, 20 ℃ ~ 50 ℃ 가 더욱 바람직하다. 린스액에 의한 세정 후, 무기산 수용액 또는 유기산 수용액에 의해 세정을 실시하여도 된다. 무기산 수용액으로는, 구체적으로는 염산 수용액, 황산 수용액, 인산 수용액, 붕산 수용액을 들 수 있다. 유기산 수용액으로는, 구체적으로는 포름산 수용액, 아세트산 수용액, 시트르산 수용액, 락트산 수용액 등을 들 수 있다. 무기산 수용액 또는 유기산 수용액을 사용하는 세정 시간은, 세정 효율의 관점에서, 5 초 내지 120 초가 바람직하고, 10 초 내지 60 초가 더욱 바람직하다. 산성 수용액으로 린스하는 경우, 그 후에 물로 산성 수용액을 씻어내는 것이 바람직하다.After image development, it washes by well-known methods, such as an immersion method and a spray method. As a rinse liquid, what added the organic solvent to water or water can be used. In this step, it is preferable to maintain the rinse liquid at an appropriate temperature. This makes it possible to eliminate residues on the substrate or the resin after development. As temperature of a rinse liquid, 15 degreeC-60 degreeC is preferable from a viewpoint of residue removal, and 20 degreeC-50 degreeC are more preferable. After washing with a rinse liquid, the inorganic acid aqueous solution or the organic acid aqueous solution may be washed. Specific examples of the inorganic acid aqueous solution include hydrochloric acid aqueous solution, sulfuric acid aqueous solution, phosphoric acid aqueous solution and boric acid aqueous solution. Specific examples of the organic acid aqueous solution include formic acid aqueous solution, acetic acid aqueous solution, citric acid aqueous solution, and lactic acid aqueous solution. From the viewpoint of the cleaning efficiency, the cleaning time using the inorganic acid aqueous solution or the organic acid aqueous solution is preferably 5 seconds to 120 seconds, and more preferably 10 seconds to 60 seconds. When rinsing with an acidic aqueous solution, it is preferable to rinse the acidic aqueous solution with water after that.

(6) 감광층 전체에 활성 광선을 조사하는 공정(6) Process of irradiating actinic light to the whole photosensitive layer

린스 공정 후, 얻어진 선상의 전체 면에 활성 광선을 조사하여도 된다. 본 공정에 의해 감광제를 분해시킴으로써, 그 후의 큐어 공정에서 걸리는 시간을 단축시킬 수 있다. 나아가, 큐어 공정 후에 얻어지는 수지 패턴의 광선투과율을 높일 수 있다.You may irradiate an active light beam to the whole linear surface obtained after a rinse process. By decomposing a photosensitive agent by this process, the time taken in a subsequent curing process can be shortened. Furthermore, the light transmittance of the resin pattern obtained after a curing process can be raised.

또, 본 공정에 의하여 감광제 유래의 기판과 감광층 간에 걸리는 잔류 응력을 저감할 수 있어 수지 패턴 제조 공정에서 얻어지는 FPC 나 다층 프린트 배선판의 휨을 저감하여 내절성 (耐折性) 을 높일 수 있다. 본 공정에서 조사하는 노광량은, 사용하는 감광제의 종류나 감광층의 막두께에 따라서 상이한데, 통상 100 mJ/㎠ 내지 3,000 mJ/㎠ 이다. 예를 들어 감광제에 나프토퀴논디아지드 화합물을 이용하여 감광층의 막두께가 25 ㎛ 인 경우, 감광제의 광 분해 관점에서 500 mJ/㎠ 이상이 바람직하다. 이 때 사용되는 활성 광선으로는, 예를 들어 X선, 전자선, 자외선, 가시광선 등을 들 수 있다. 활성 광선의 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프 등을 사용할 수 있다. 이 중에서도 수은등의 i 선 (365 ㎚), h 선 (405 ㎚), g 선 (436 ㎚) 을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 필요에 따라, 가열하면서 활성 광선을 조사할 수 있다. 작업성의 관점에서 가열 온도는 30 ℃ 내지 130 ℃ 가 바람직하고, 40 ℃ 내지 100 ℃ 가 더욱 바람직하다.Moreover, by this process, the residual stress applied between the photosensitive agent-derived board | substrate and the photosensitive layer can be reduced, the curvature of the FPC obtained by a resin pattern manufacturing process, or a multilayer printed wiring board can be reduced, and a corrosion resistance can be improved. Although the exposure amount irradiated by this process changes with kinds of the photosensitive agent to be used, and the film thickness of the photosensitive layer, it is 100 mJ / cm <2> -3,000 mJ / cm <2> normally. For example, when the film thickness of a photosensitive layer is 25 micrometers using a naphthoquinone diazide compound as a photosensitive agent, 500 mJ / cm <2> or more is preferable from a photolysis viewpoint of a photosensitive agent. Examples of the active light used at this time include X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible rays, and the like. As a light source of active light, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a halogen lamp, etc. can be used. Among these, it is preferable to use i line | wire (365 nm), h line | wire (405 nm), and g line | wire (436 nm), such as a mercury lamp. Moreover, actinic light can be irradiated as needed while heating. From a viewpoint of workability, 30 degreeC-130 degreeC is preferable and 40 degreeC-100 degreeC are more preferable.

(7) 100 내지 400 ℃ 에서 베이크하는 공정(7) Baking at 100 to 400 ° C

상기 공정에 의해 얻어진 선상에, 베이크를 실시함으로써 수지 패턴이 형성된다. 베이크는 100 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도에서 5 분 내지 5 시간, 연속적 또는 단계적으로 행해진다. 그리고, 가공품이 완성된다. FPC 의 경우, 배선의 산화 방지 관점에서 100 ℃ 내지 200 ℃ 의 온도 범위에서 큐어하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하여 얻어지는 가공품으로는 FPC, 다층 프린트 배선판 등을 들 수 있다.The resin pattern is formed by baking on the line obtained by the said process. Bake is carried out continuously or stepwise for 5 minutes to 5 hours at a temperature of 100 ° C to 400 ° C. Then, the finished product is completed. In the case of FPC, it is preferable to cure in the temperature range of 100 to 200 degreeC from the oxidation prevention viewpoint of wiring. As the processed product obtained in this way, an FPC, a multilayer printed wiring board, etc. may be mentioned.

실시예 Example

이하에서, 본 발명을 실시예에 따라서 구체적으로 설명하지만, 이들 예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely according to an Example, it is not limited at all by these examples.

(폴리이미드 전구체의 합성) Synthesis of Polyimide Precursor

합성예 1 폴리이미드 전구체 (i) 의 합성Synthesis Example 1 Synthesis of Polyimide Precursor (i)

3 구 세퍼러블 플라스크에 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 6.4 g, γ-부티로락톤 62 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (i) 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (i) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (i) 용액의 고형분 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.6.4 g of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene and 62 g of γ-butyrolactone were put into a three-neck separable flask and stirred until a homogeneous solution was obtained. Next, 10 g of pentanediol bis-trim anhydride ester was added, and the mixture was stirred for 1 hour while cooling with ice, and then at room temperature for 6 hours. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (i) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (i), solid content of a solution of the polyimide precursor (i), and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 2 폴리이미드 전구체 (ii) 의 합성Synthesis Example 2 Synthesis of Polyimide Precursor (ii)

3 구 세퍼러블 플라스크에 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 4.8 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 6.8 g, γ-부티로락톤 82 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (ii) 를 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (ii) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (ii) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 4.8 g of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 6.8 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 82 g of γ-butyrolactone were added thereto. Stir until. Next, 10 g of pentanediol bis-trim anhydride ester was added, and the mixture was stirred for 1 hour while cooling with ice, and then at room temperature for 6 hours. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (ii) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (ii), solid content of the solution of the polyimide precursor (ii), and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 3 폴리이미드 전구체 (iii) 의 합성Synthesis Example 3 Synthesis of Polyimide Precursor (iii)

3 구 세퍼러블 플라스크에 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 9.7 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 13.7 g, γ-부티로락톤 168.8 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 데칸디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 11.5 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (iii) 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (iii) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (iii) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 9.7 g of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 13.7 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate and 168.8 g of γ-butyrolactone were added. Stir until. Next, 10 g of pentanediol-bis-trimellinate anhydride and 11.5 g of decanediol-bis-trimellitate anhydride were added, and it stirred at room temperature for 1 hour, and 6 hours after cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (iii) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (iii), solid content of the solution of the polyimide precursor (iii), and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 4 폴리이미드 전구체 (iv) 의 합성Synthesis Example 4 Synthesis of Polyimide Precursor (iv)

3 구 세퍼러블 플라스크에 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 8.8 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 12.4 g, γ-부티로락톤 99.7 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 데칸디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 11.5 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (iv) 를 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (iv) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (iv) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 8.8 g of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 12.4 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 99.7 g of γ-butyrolactone were added. Stir until. Next, 10 g of pentanediol-bis-trimellinate anhydride and 11.5 g of decanediol-bis-trimellitate anhydride were added, and it stirred at room temperature for 1 hour, and 6 hours after cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (iv) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (iv), solid content of the polyimide precursor (iv) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 5 폴리이미드 전구체 (v) 의 합성Synthesis Example 5 Synthesis of Polyimide Precursor (v)

3 구 세퍼러블 플라스크에 트리메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트) 10.0 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 13.1 g, γ-부티로락톤 104.1 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 데칸디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 11.5 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (v) 를 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (v) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (v) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 10.0 g of trimethylene-bis (4-aminobenzoate), 13.1 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate and 104.1 g of γ-butyrolactone were added to obtain a homogeneous solution. Stir until. Next, 10 g of pentanediol-bis-trimellinate anhydride and 11.5 g of decanediol-bis-trimellitate anhydride were added, and it stirred at room temperature for 1 hour, and 6 hours after cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (v) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (v), solid content of the polyimide precursor (v) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 6 폴리이미드 전구체 (vi) 의 합성Synthesis Example 6 Synthesis of Polyimide Precursor (vi)

3 구 세퍼러블 플라스크에 트리메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트) 9.8 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 12.9 g, γ-부티로락톤 103.1 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 데칸디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 11.5 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (vi) 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (vi) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (vi) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 9.8 g of trimethylene-bis (4-aminobenzoate), 12.9 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 103.1 g of γ-butyrolactone were added to form a homogeneous solution. Stir until. Next, 10 g of pentanediol-bis-trimellinate anhydride and 11.5 g of decanediol-bis-trimellitate anhydride were added, and it stirred at room temperature for 1 hour, and 6 hours after cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (vi) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (vi), solid content of the solution of the polyimide precursor (vi), and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 7 폴리이미드 전구체 (vii) 의 합성Synthesis Example 7 Synthesis of Polyimide Precursor (vii)

3 구 세퍼러블 플라스크에 트리메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트) 9.5 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 12.4 g, γ-부티로락톤 101.0 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 데칸디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 11.5 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (vii) 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (vii) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (vii) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 9.5 g of trimethylene-bis (4-aminobenzoate), 12.4 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 101.0 g of γ-butyrolactone were added to obtain a homogeneous solution. Stir until. Next, 10 g of pentanediol-bis-trimellinate anhydride and 11.5 g of decanediol-bis-trimellitate anhydride were added, and it stirred at room temperature for 1 hour, and 6 hours after cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (vii) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (vii), solid content of the solution of the polyimide precursor (vii), and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 8 폴리이미드 전구체 (viii) 의 합성Synthesis Example 8 Synthesis of Polyimide Precursor (viii)

3 구 세퍼러블 플라스크에 트리메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트) 9.1 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 15.4 g, γ-부티로락톤 107.3 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 데칸디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 11.5 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (viii) 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (viii) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (viii) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 9.1 g of trimethylene-bis (4-aminobenzoate), 15.4 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 107.3 g of γ-butyrolactone were added to obtain a homogeneous solution. Stir until. Next, 10 g of pentanediol-bis-trimellinate anhydride and 11.5 g of decanediol-bis-trimellitate anhydride were added, and it stirred at room temperature for 1 hour, and 6 hours after cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (viii) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (viii), solid content of the solution of the polyimide precursor (viii), and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 9 폴리이미드 전구체 (ix) 의 합성Synthesis Example 9 Synthesis of Polyimide Precursor (ix)

3 구 세퍼러블 플라스크에 트리메틸렌-비스(3-아미노벤조에이트) 9.8 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 12.9 g, γ-부티로락톤 103.1 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 데칸디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 11.5 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (ix) 를 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (ix) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (ix) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 9.8 g of trimethylene-bis (3-aminobenzoate), 12.9 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 103.1 g of γ-butyrolactone were added to form a homogeneous solution. Stir until. Next, 10 g of pentanediol-bis-trimellinate anhydride and 11.5 g of decanediol-bis-trimellitate anhydride were added, and it stirred at room temperature for 1 hour, and 6 hours after cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (ix) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (ix), solid content of the polyimide precursor (ix) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 10 폴리이미드 전구체 (x) 의 합성Synthesis Example 10 Synthesis of Polyimide Precursor (x)

3 구 세퍼러블 플라스크에 트리메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트) 9.8 g, 폴리(테트라메틸렌/3-메틸테트라메틸렌에테르)글리콜비스(4-아미노벤조에이트) 12.9 g, γ-부티로락톤 103.1 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 데칸디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 11.5 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (x) 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (x) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (x) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.9.8 g of trimethylene-bis (4-aminobenzoate), 12.9 g of poly (tetramethylene / 3-methyltetramethylene ether) glycol bis (4-aminobenzoate) in a three-neck separable flask, 103.1 g was added and stirred until it became a homogeneous solution. Next, 10 g of pentanediol-bis-trimellinate anhydride and 11.5 g of decanediol-bis-trimellitate anhydride were added, and it stirred at room temperature for 1 hour, and 6 hours after cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (x) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (x), solid content of the polyimide precursor (x) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 11 폴리이미드 전구체 (xi) 의 합성Synthesis Example 11 Synthesis of Polyimide Precursor (xi)

3 구 세퍼러블 플라스크에 트리메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트) 10.1 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 13.3 g, γ-부티로락톤 105.7 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 부탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 데칸디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 11.9 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (xi) 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (xi) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (xi) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 10.1 g of trimethylene-bis (4-aminobenzoate), 13.3 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 105.7 g of γ-butyrolactone were added to form a homogeneous solution. Stir until. Next, 10 g of butanediol-bis-trim anhydride esters and 11.9 g of decandiol-bis-trim anhydride ester were added, and the mixture was stirred for 1 hour while cooling with ice, and then at room temperature for 6 hours. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (xi) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (xi), solid content of the polyimide precursor (xi) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 12 폴리이미드 전구체 (xii) 의 합성Synthesis Example 12 Synthesis of Polyimide Precursor (xii)

3 구 세퍼러블 플라스크에 트리메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트) 9.8 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 12.9 g, γ-부티로락톤 110.4 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 이코산디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 14.6 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (xii) 를 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (xii) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (xii) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 9.8 g of trimethylene-bis (4-aminobenzoate), 12.9 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 110.4 g of γ-butyrolactone were added to obtain a homogeneous solution. Stir until. Next, 10 g of pentanediol-bis-trim anhydride esters and 14.6 g of dioxane-bis-trim anhydride ester were added, and the mixture was stirred for 1 hour while cooling with ice, and then at room temperature for 6 hours. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (xii) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (xii), solid content of the polyimide precursor (xii) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 13 폴리이미드 전구체 (xiii) 의 합성Synthesis Example 13 Synthesis of Polyimide Precursor (xiii)

3 구 세퍼러블 플라스크에 트리메틸렌-비스(4-아미노벤조에이트) 9.8 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 12.9 g, γ-부티로락톤 123.9 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 펜탄디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 10 g, 폴리프로필렌디올-비스-무수트리멜리트산에스테르 20.4 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (xiii) 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (xiii) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (xiii) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 9.8 g of trimethylene-bis (4-aminobenzoate), 12.9 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 123.9 g of γ-butyrolactone were added to form a homogeneous solution. Stir until. Next, 10 g of pentanediol-bis-trim anhydride esters and 20.4 g of polypropylenediol-bis-trim anhydride esters were added, and the mixture was stirred for 1 hour while cooling with ice, and then at room temperature for 6 hours. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (xiii) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (xiii), the solid content of the polyimide precursor (xiii) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 14 폴리이미드 전구체 (xiv) 의 합성Synthesis Example 14 Synthesis of Polyimide Precursor (xiv)

3 구 세퍼러블 플라스크에 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 9.4 g, γ-부티로락톤 73 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 10 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (xiv) 를 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (xiv) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (xiv) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 9.4 g of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene and 73 g of γ-butyrolactone were added and stirred until a homogeneous solution was obtained. Next, 10 g of 4,4'- oxydiphthalic acid dianhydrides were added, and it stirred for 1 hour, and 6 hours at room temperature, ice-cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (xiv) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (xiv), solid content of the polyimide precursor (xiv) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 15 폴리이미드 전구체 (xv) 의 합성Synthesis Example 15 Synthesis of Polyimide Precursor (xv)

3 구 세퍼러블 플라스크에 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 7.1 g, γ-부티로락톤 64.3 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 에틸렌디올-비스-트리멜리트산에스테르 10 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (xv) 를 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (xv) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (xv) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.7.1 g of 1, 3-bis (3-aminophenoxy) benzene and 64.3 g of (gamma) -butyrolactone were put into the three neck separable flask, and it stirred until it became a homogeneous solution. Next, 10 g of ethylenediol-bis- trimellitic acid ester was added, and it stirred for 1 hour, and 6 hours at room temperature, ice-cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (xv) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (xv), the solid content of the polyimide precursor (xv) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 16 폴리이미드 전구체 (xvi) 의 합성Synthesis Example 16 Synthesis of Polyimide Precursor (xvi)

3 구 세퍼러블 플라스크에 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 2.7 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 26.3 g, γ-부티로락톤 91.0 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 10 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (xvi) 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (xvi) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (xvi) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.Into a three-neck separable flask, 2.7 g of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 26.3 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 91.0 g of γ-butyrolactone were added. Stir until. Next, 10 g of 4,4'- oxydiphthalic acid dianhydrides were added, and it stirred for 1 hour, and 6 hours at room temperature, ice-cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (xvi) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (xvi), the solid content of the polyimide precursor (xvi) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

합성예 17 폴리이미드 전구체 (xvii) 의 합성Synthesis Example 17 Synthesis of Polyimide Precursor (xvii)

3 구 세퍼러블 플라스크에 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 2.0 g, 폴리테트라메틸렌옥사이드-디-p-아미노벤조에이트 19.9 g, γ-부티로락톤 74.4 g 을 넣고, 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 다음으로, 에틸렌디올-비스-트리멜리트산에스테르 10 g 을 첨가하고, 빙랭하면서 1 시간, 그 후 실온에서 6 시간 교반하였다. 다음으로 생성물을 5 ㎛ 의 필터로 가압 여과함으로써 폴리이미드 전구체 (xvii) 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 전구체 (xvii) 의 산 2무수물과 디아민의 몰비, 폴리이미드 전구체 (xvii) 용액의 고형분, 및 중량 평균 분자량을 표 1 에 나타낸다.2.0 g of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 19.9 g of polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, and 74.4 g of γ-butyrolactone were added to a three-neck separable flask. Stir until. Next, 10 g of ethylenediol-bis- trimellitic acid ester was added, and it stirred for 1 hour, and 6 hours at room temperature, ice-cooling. Next, the product was filtered under pressure with the filter of 5 micrometers, and the polyimide precursor (xvii) was obtained. The molar ratio of the acid dianhydride and diamine of the obtained polyimide precursor (xvii), the solid content of the polyimide precursor (xvii) solution, and a weight average molecular weight are shown in Table 1.

(감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 조합) (Combination of Photosensitive Polyimide Precursor Composition)

처음에 소정량의 폴리이미드 전구체를 유리병 등의 용기에 나누어 넣는다. 다음으로, 감광제나 용해 억지제 등의 첨가제를 소정량 배합하여 믹스 로터 등에 의해 균일해질 때까지 교반한다. 이들 조작에 의해 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 얻을 수 있다.First, a predetermined amount of polyimide precursor is divided into containers such as glass bottles. Next, a predetermined amount of additives such as a photosensitizer or a dissolution inhibiting agent is blended and stirred until uniform with a mix rotor or the like. By these operations, the photosensitive polyimide precursor composition can be obtained.

(중량 평균 분자량의 측정) (Measurement of Weight Average Molecular Weight)

1 : 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량 측정1: Measurement of the weight average molecular weight of the polyimide precursor

합성된 폴리이미드 전구체 0.01 g 을 정밀 천칭에 의해 계측하고, 10 g 의 디메틸포름아미드 (와코 쥰야쿠 공업사 제조) 에 용해시켰다. 이 용액을 10 ㎛ 의 필터에 통과시켜 여과하고, TSK-GEL SUPER HM-H (상품명 토소사 제조) 를 구비한 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (닛폰 분광사 제조) 에 의해 분자량을 측정하였다.0.01 g of the synthesized polyimide precursor was measured by precision balance, and dissolved in 10 g of dimethylformamide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). The solution was passed through a 10 μm filter to filter, and the molecular weight was measured by gel permeation chromatography (manufactured by Nippon Spectroscopy) equipped with TSK-GEL SUPER HM-H (trade name manufactured by Tosoh Corporation).

2 : 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 중량 평균 분자량 측정2: Measurement of the weight average molecular weight of the photosensitive polyimide precursor composition

도포 : 진공 흡착 및 가열할 수 있는 도포대 (마츠키 과학사 제조) 에 폴리에스테르 필름 (유니치카사 제조) 을 탑재하고 진공 흡착시킴으로써, 그 폴리에스테르 필름을 첩부 (貼付) 하였다. 그 폴리에스테르 필름 상에, 갭이 67.5 ㎛ 인 어플리케이터 (마츠키 과학사 제조) 를 사용하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 도포하였다.Application | coating: The polyester film was affixed by mounting a polyester film (made by Unichika Co., Ltd.) on the coating table (made by Matsuki Scientific Co., Ltd.) which can be vacuum-sorption and heated, and vacuum-adsorption. On this polyester film, the photosensitive polyimide precursor composition was apply | coated using the applicator (made by Matsuki Scientific) whose gap is 67.5 micrometers.

탈용제 : 건조기 (SPH-201, 에스펙크사 제조) 로, 95 ℃ 에서 30 분의 조건에서 탈용제를 실시하였다.Desolvent: The desolvent was performed on the conditions of 30 minutes at 95 degreeC with the dryer (SPH-201, the product made by ESPEC Co., Ltd.).

분자량 측정 : 탈용제 후에 얻어진 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 0.01 g 을 정밀 천칭에 의해 계측하고, 10 g 의 디메틸포름아미드 (와코 쥰야쿠 공업사 제조) 에 용해시켰다. 이 용액을 10 ㎛ 의 필터에 통과시켜 여과하고, TSK-GEL SUPER HM-H (상품명 토소사 제조) 를 구비한 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (닛폰 분광사 제조) 에 의해 분자량을 측정하였다.Molecular weight measurement: 0.01 g of the photosensitive polyimide precursor composition obtained after the solvent removal was measured by precise balance, and dissolved in 10 g of dimethylformamide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). The solution was passed through a 10 μm filter to filter, and the molecular weight was measured by gel permeation chromatography (manufactured by Nippon Spectroscopy) equipped with TSK-GEL SUPER HM-H (trade name manufactured by Tosoh Corporation).

분자량비의 산출 : 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 바니시의 중량 평균 분자량 M1, 탈용제 후의 당해 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 중량 평균 분자량 M2 로 했을 때, 분자량비를 이하의 식 1 에 의해 산출하였다.Calculation of molecular weight ratio: When the weight average molecular weight M1 of the photosensitive polyimide precursor composition varnish and the weight average molecular weight M2 of the said photosensitive polyimide precursor composition after a solvent were made, the molecular weight ratio was computed by the following formula (1).

분자량비 = M2/M1Molecular weight ratio = M2 / M1

(절곡시험) (Bending test)

도포 : 진공 흡착 및 가열할 수 있는 도포대 (마츠키 과학사 제조) 에 폴리에스테르 필름 (유니치카사 제조) 을 탑재하고 진공 흡착시킴으로써, 그 폴리에스테르 필름을 첩부하였다. 그 폴리에스테르 필름 상에, 갭이 100 ㎛ 인 어플리케이터 (마츠키 과학사 제조) 를 사용하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 도포하였다.Coating: The polyester film was affixed by mounting a polyester film (manufactured by Unichika Co., Ltd.) on a coating table (manufactured by Matsuki Scientific Co., Ltd.) capable of vacuum adsorption and heating and vacuum adsorption. On this polyester film, the photosensitive polyimide precursor composition was apply | coated using the applicator (made by Matsuki Scientific) whose gap is 100 micrometers.

탈용제 : 건조기 (SPH-201, 에스펙크사 제조) 로, 95 ℃ 에서 30 분의 조건에서 탈용제를 실시하였다.Desolvent: The desolvent was performed on the conditions of 30 minutes at 95 degreeC with the dryer (SPH-201, the product made by ESPEC Co., Ltd.).

절곡시험 : 탈용제 후에 얻어진 필름을 180 도로 절곡하고 (주름 절곡), 감광층의 균열, 박리를 육안으로 관찰하였다. 균열, 박리가 없는 경우를 ○, 균열, 박리가 있는 경우를 × 로 하였다.Bending test: The film obtained after the desolvent was bent 180 degrees (wrinkling bent), and cracking and peeling of the photosensitive layer were visually observed. (Circle) and the case where there exists a crack and peeling were made into the case where there was no crack and peeling.

(휨 평가) (Bending evaluation)

도포 : 진공 흡착 및 가열할 수 있는 도포대 (마츠키 과학사 제조) 에 폴리에스테르 필름 (유니치카사 제조) 을 탑재하고 진공 흡착시킴으로써, 그 폴리에스테르 필름을 첩부하였다. 그 폴리에스테르 필름 상에, 갭이 67.5 ㎛ 인 어플리케이터 (마츠키 과학사 제조) 를 사용하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 도포하였다.Coating: The polyester film was affixed by mounting a polyester film (manufactured by Unichika Co., Ltd.) on a coating table (manufactured by Matsuki Scientific Co., Ltd.) capable of vacuum adsorption and heating and vacuum adsorption. On this polyester film, the photosensitive polyimide precursor composition was apply | coated using the applicator (made by Matsuki Scientific) whose gap is 67.5 micrometers.

탈용제 : 건조기 (SPH-201, 에스펙크사 제조) 로, 95 ℃ 에서 30 분의 조건에서 탈용제를 실시하였다.Desolvent: The desolvent was performed on the conditions of 30 minutes at 95 degreeC with the dryer (SPH-201, the product made by ESPEC).

진공 프레스 : 기재에 폴리이미드 필름 (Kapton EN-100 상품명 토오레·듀퐁사 제조) 을 이용하고, 진공 프레스기 (SA-501 테스터 산업사 제조) 에 의하여 탈용제 공정에서 얻어진 감광성 드라이 필름을 프레스 온도 100 ℃, 프레스 압력 0.5 ㎫, 진공도 15 ㎪, 프레스 시간 1 분의 조건에서 진공 프레스를 실시하였다.Vacuum press: The photosensitive dry film obtained by the desolvent process by the vacuum press machine (made by SA-501 tester industry company) using the polyimide film (made by Kapton EN-100 brand Toray DuPont) for a base material is press temperature 100 degreeC The vacuum press was performed on the conditions of the press pressure of 0.5 Mpa, the vacuum degree of 15 Pa, and the press time 1 minute.

베이크 : 건조기 (SPH-201 에스펙크사 제조) 를 이용하여, 표 5 에 나타내는 조건에서 큐어를 실시하였다.Bake: Curing was carried out under the conditions shown in Table 5 using a dryer (manufactured by SPH-201 Espek Co., Ltd.).

휨의 측정 : 베이크 후에 얻어진 필름을 길이 5 ㎝, 폭 5 ㎝ 로 잘라내고, 정전기를 없앤 후에 필름의 휨을, 자를 이용하여 측정하였다.Measurement of warpage: The film obtained after baking was cut out to 5 cm in length and 5 cm in width, and the warpage of the film was measured using a ruler after removing static electricity.

(실시예 1) (Example 1)

폴리이미드 전구체와 감광제로 이루어지는 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 평가Evaluation of the photosensitive polyimide precursor composition which consists of a polyimide precursor and a photosensitive agent

합성예 1 내지 3 에서 얻은 폴리이미드 전구체 용액 10 g, 감광제로서 폴리이미드 전구체 고형분에 대하여 20 질량부의 퀴논디아지드 화합물 (식 16) 0.42 g 을 표 2 에 나타내는 비율로 혼합하여 20 ㏄ 유리병에 넣고, 믹스 로터 (MR-5 아즈완사 제조) 에 의해 균일해질 때까지 교반하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 (1 내지 3) 을 얻었다. 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.10 g of the polyimide precursor solution obtained in Synthesis Examples 1 to 3 and 0.42 g of 20 parts by mass of the quinonediazide compound (Formula 16) were mixed with the polyimide precursor solid as a photosensitive agent in a ratio of 20 to a glass bottle. It stirred until it became uniform by the mix rotor (made by MR-5 Azwan company), and obtained the photosensitive polyimide precursor composition (1-3). Table 2 shows the results of the evaluation.

[화학식 23] (23)

Figure pct00023
Figure pct00023

(실시예 2) (Example 2)

용해 억지제에 3'-하이드록시아세트아닐리드를 사용한 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 평가Evaluation of the photosensitive polyimide precursor composition using 3'-hydroxyacetanilide as a dissolution inhibitor

합성예 1 내지 3 에서 얻은 폴리이미드 전구체 용액 10 g, 감광제로서 폴리이미드 전구체 고형분에 대하여 20 질량부의 퀴논디아지드 화합물 (식 16) 0.42 g, 폴리이미드 전구체에 대하여 12.5 질량부의 3'-하이드록시아세트아닐리드 0.26 g 을 표 3 에서 나타내는 비율로 혼합하여 20 ㏄ 유리병에 넣고, 믹스 로터 (MR-5 아즈완사 제조) 에 의해 균일해질 때까지 교반하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 (4 내지 6) 을 얻었다. 평가 결과를 표 3 에 나타낸다.10 g of the polyimide precursor solution obtained in Synthesis Examples 1 to 3, 0.42 g of 20 parts by mass of the quinonediazide compound (Formula 16) with respect to the polyimide precursor solids as the photosensitizer, and 12.5 parts by mass of 3'-hydroxyacetic acid with respect to the polyimide precursor 0.26 g of anilide was mixed in the ratio shown in Table 3, it put into the 20 kPa glass bottle, and it stirred until it became uniform by the mix rotor (MR-5 Azwan company make), and obtained the photosensitive polyimide precursor composition (4-6). Table 3 shows the results of the evaluation.

(실시예 3) (Example 3)

페놀 화합물을 사용한 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 평가Evaluation of the Photosensitive Polyimide Precursor Composition Using a Phenolic Compound

합성예 1 내지 3 에서 얻은 폴리이미드 전구체 용액 10 g, 감광제로서 폴리이미드 전구체 고형분에 대하여 20 질량부의 상기 일반식 (16) 으로 나타내는 퀴논디아지드 화합물 0.42 g, 폴리이미드 전구체에 대하여 20 질량부의 하기 일반식 (17) 로 나타내는 페놀 화합물 0.42 g 을 표 4 에 나타내는 비율로 혼합하여 20 ㏄ 유리병에 넣고, 믹스 로터 (MR-5 아즈완사 제조) 에 의해 균일해질 때까지 교반하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 (7 내지 9) 을 얻었다. 평가 결과를 표 4 에 나타낸다.10 parts by mass of the polyimide precursor solution obtained in Synthesis Examples 1 to 3, 0.42 g of the quinonediazide compound represented by the above general formula (16) based on 20 parts by mass of the polyimide precursor solid as the photosensitizer, and 20 parts by mass of the following general 0.42 g of the phenolic compound represented by the formula (17) was mixed in the ratio shown in Table 4, placed in a 20 kPa glass bottle, stirred until uniform by a mixing rotor (manufactured by MR-5 Azwan Corporation), and the photosensitive polyimide precursor composition ( 7 to 9) was obtained. The evaluation results are shown in Table 4.

[화학식 24] [Formula 24]

Figure pct00024
Figure pct00024

(비교예 1) (Comparative Example 1)

합성예 14 내지 15 에서 얻은 폴리이미드 전구체 용액 10 g 을 사용하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 표 2 에 나타내는 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 (10 내지 11) 을 얻었다. 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.Photosensitive polyimide precursor compositions (10 to 11) shown in Table 2 were obtained in the same manner as in Example 1 except that 10 g of the polyimide precursor solution obtained in Synthesis Examples 14 to 15 was used. Table 2 shows the results of the evaluation.

(비교예 2) (Comparative Example 2)

합성예 14 내지 15 에서 얻은 폴리이미드 전구체 용액 10 g 을 사용하는 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 하여 표 3 에 나타내는 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 (12 내지 13) 을 얻었다. 평가 결과를 표 3 에 나타낸다.Photosensitive polyimide precursor compositions (12 to 13) shown in Table 3 were obtained in the same manner as in Example 2, except that 10 g of the polyimide precursor solution obtained in Synthesis Examples 14 to 15 was used. Table 3 shows the results of the evaluation.

(비교예 3) (Comparative Example 3)

합성예 14 내지 15 에서 얻은 폴리이미드 전구체 용액 10 g 을 사용하는 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여표 4 에 나타내는 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 (14 내지 15) 을 얻었다. 평가 결과를 표 4 에 나타낸다.Photosensitive polyimide precursor compositions (14 to 15) shown in Table 4 were obtained in the same manner as in Example 3, except that 10 g of the polyimide precursor solution obtained in Synthesis Examples 14 to 15 was used. The evaluation results are shown in Table 4.

감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 플렉시블 프린트 배선판의 커버 필름 등에 사용하는 경우, 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액에서의 리소그래피에 의해 원하는 패턴을 얻을 필요가 있다. 또, 당해 조성물의 분자량이 시간 경과적으로 변화하지 않는 것 외에도, 택성이 우수할 것, 베이크 후에 커버 필름을 적층한 적층체가 휘지 않을 것, 굴곡시켜도 박리, 균열이 발생하지 않을 것, 적층체가 타지 않을 것 등의 성능이 요구된다.When using the photosensitive polyimide precursor composition for the cover film of a flexible printed wiring board, etc., it is necessary to obtain a desired pattern by lithography in the developing solution which consists of aqueous alkali solution. In addition to the fact that the molecular weight of the composition does not change over time, the tackiness is excellent, the laminate laminated with the cover film after baking is not bent, the peeling and cracking does not occur even if it is bent, and the laminate is burnt. Performance is required.

(감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 성능 평가) (Performance Evaluation of Photosensitive Polyimide Precursor Composition)

1) 재료 안정성의 평가1) Evaluation of Material Stability

도포 : 진공 흡착 및 가열할 수 있는 도포대 (마츠키 과학사 제조) 에 폴리에스테르 필름 (유니치카사 제조) 을 탑재하고 진공 흡착시킴으로써, 그 폴리에스테르 필름을 첩부하였다. 그 폴리에스테르 필름 상에, 갭이 67.5 ㎛ 인 어플리케이터 (마츠키 과학사 제조) 를 사용하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 도포하였다.Coating: The polyester film was affixed by mounting a polyester film (manufactured by Unichika Co., Ltd.) on a coating table (manufactured by Matsuki Scientific Co., Ltd.) capable of vacuum adsorption and heating and vacuum adsorption. On this polyester film, the photosensitive polyimide precursor composition was apply | coated using the applicator (made by Matsuki Scientific) whose gap is 67.5 micrometers.

탈용제 : 건조기 (SPH-201, 에스펙크사 제조) 로, 95 ℃ 에서 30 분의 조건에서 탈용제를 실시하였다.Desolvent: The desolvent was performed on the conditions of 30 minutes at 95 degreeC with the dryer (SPH-201, the product made by ESPEC Co., Ltd.).

분자량 측정 : 탈용제 후에 얻어진 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 0.01 g 을 정밀 천칭에 의해 계측하고, 10 g 의 디메틸포름아미드 (와코 쥰야쿠 공업사 제조) 에 용해시켰다. 이 용액을 10 ㎛ 의 필터에 통과시켜 여과하고, TSK-GEL SUPER HM-H (상품명 토소사 제조) 를 구비한 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (닛폰 분광사 제조) 에 의해 분자량을 측정하였다.Molecular weight measurement: 0.01 g of the photosensitive polyimide precursor composition obtained after the solvent removal was measured by precise balance, and dissolved in 10 g of dimethylformamide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). The solution was passed through a 10 μm filter to filter, and the molecular weight was measured by gel permeation chromatography (manufactured by Nippon Spectroscopy) equipped with TSK-GEL SUPER HM-H (trade name manufactured by Tosoh Corporation).

분자량비의 산출 : 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 바니시의 중량 평균 분자량 M1, 탈용제 후의 당해 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 중량 평균 분자량 M2 로 했을 때, 분자량비를 이하의 식 1 에 의해 산출하였다.Calculation of molecular weight ratio: When the weight average molecular weight M1 of the photosensitive polyimide precursor composition varnish and the weight average molecular weight M2 of the said photosensitive polyimide precursor composition after a solvent were made, the molecular weight ratio was computed by the following formula (1).

분자량비 = M2/M1Molecular weight ratio = M2 / M1

2 : 리소그래피 성능 평가2: lithography performance evaluation

도포 : 진공 흡착 및 가열할 수 있는 도포대 (마츠키 과학사 제조) 에 폴리에스테르 필름 (유니치카사 제조) 을 탑재하고 진공 흡착시킴으로써, 그 폴리에스테르 필름을 첩부하였다. 그 폴리에스테르 필름 상에, 갭이 67.5 ㎛ 인 어플리케이터 (마츠키 과학사 제조) 를 사용하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 도포하였다.Coating: The polyester film was affixed by mounting a polyester film (manufactured by Unichika Co., Ltd.) on a coating table (manufactured by Matsuki Scientific Co., Ltd.) capable of vacuum adsorption and heating and vacuum adsorption. On this polyester film, the photosensitive polyimide precursor composition was apply | coated using the applicator (made by Matsuki Scientific) whose gap is 67.5 micrometers.

탈용제 : 건조기 (SPH-201, 에스펙크사 제조) 로, 95 ℃ 에서 30 분의 조건에서 탈용제를 실시하였다.Desolvent: The desolvent was performed on the conditions of 30 minutes at 95 degreeC with the dryer (SPH-201, the product made by ESPEC).

진공 프레스 : 처음에 15 wt % 의 과황산나트륨 수용액에 의해 FCCL 를 세정하였다. 다음으로, 진공 프레스기 (SA-501 테스터 산업사 제조) 에 의하여 탈용제 공정에서 얻어진 감광성 드라이 필름을 프레스 온도 100 ℃, 프레스 압력 0.5 ㎫, 진공도 15 ㎪, 프레스 시간 1 분의 조건에서 진공 프레스를 실시하였다.Vacuum press: The FCCL was first washed with 15 wt% aqueous sodium persulfate solution. Next, a vacuum press was performed on the photosensitive dry film obtained by the desolvent process by the vacuum press machine (SA-501 tester industry make) on the conditions of press temperature of 100 degreeC, press pressure of 0.5 Mpa, vacuum degree of 15 Pa, and press time of 1 minute. .

활성 광선 조사 : 진공 프레스 공정에서 얻어진 적층체의 지지 필름을 박리하고, 초고압 수은등 (HMW-201 KB 오크사 제조) 을 사용하여 노광량 1.5 J/㎠ 의 조건에서 자외선을 조사하였다.Active light irradiation: The support film of the laminated body obtained by the vacuum press process was peeled, and the ultraviolet-ray was irradiated on the conditions of exposure amount 1.5 J / cm <2> using the ultrahigh pressure mercury lamp (made by HMW-201KB Oak company).

리소그래피 : 스프레이형의 현상기에 의하여 현상액에 1 wt % 탄산나트륨 수용액을 이용하여 현상 온도 30 ℃, 스프레이 압력 0.18 ㎫ 의 조건에서, UV조사 부분이 완전히 용해될 때까지의 시간 (이하 브레이크 포인트로 기재한다) 을 계측하였다. 다음으로 브레이크 포인트의 1.2 배의 현상 시간으로 현상을 실시하였다. 현상 후, 스프레이식 세정기에 의해서 증류수로 현상 시간 × 1/3 의 세정을 실시하고, 추가로 0.2 wt % 황산 수용액으로 30 초의 세정을 실시하였다.Lithography: Time until the UV irradiation part is completely dissolved under the conditions of a developing temperature of 30 ° C. and a spray pressure of 0.18 MPa using a 1 wt% aqueous sodium carbonate solution in a developer by a spray type developer (hereinafter referred to as break point). Was measured. Next, development was performed at a developing time 1.2 times that of the break point. After the development, washing with distilled water for developing time x 1/3 was carried out with a spray washer, followed by further washing for 30 seconds with an aqueous 0.2 wt% sulfuric acid solution.

리소그래피 성능 : 리소그래피 성능을 현상 시간, 잔막률 및 패턴 형상에 의해 판단하였다.Lithography Performance: Lithography performance was judged by development time, residual film rate, and pattern shape.

현상 시간 : 현상 시간이 90 초 이하인 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 ○, 90 초를 초과한 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 × 로 표기하였다.Developing time: (circle) and the photosensitive polyimide precursor composition which exceeded 90 second for the photosensitive polyimide precursor composition whose developing time is 90 second or less were described with x.

잔막률 측정 : 현상 전의 감광층의 막두께를 T1, 현상 후의 감광층의 막두께를 T2 로 하여 이하의 수식에 의해 산출하였다.Residual film ratio measurement: The film thickness of the photosensitive layer before image development was computed by the following formula | equation, making T1 and the film thickness of the photosensitive layer after image development T2.

잔막률 = T2/T1 × 100 ( % ) Residual rate = T2 / T1 × 100 (%)

패턴 형상 : 리소그래피 후의 패턴을 광학 현미경 (ECLIPS LV100 니콘사 제조) 을 이용하여 명(明) 시야, 100 배의 조건에서 100 ㎛ 써클 패턴의 형상을 관찰하였다. 패턴의 형상을 유지하고 있는 것을 ○, 무너져 버린 것을 × 로 표기하였다.Pattern shape: The pattern after lithography observed the shape of the 100 micrometer circle pattern on the light visual field and the conditions of 100 times using the optical microscope (made by ECLIPS LV100 Nikon Corporation). (Circle) and the thing which fell apart that hold | maintained the shape of a pattern were described with x.

3 : 감광성 드라이 필름의 택성 평가3: Tackiness Evaluation of Photosensitive Dry Film

도포 : 진공 흡착 및 가열할 수 있는 도포대 (마츠키 과학사 제조) 에 폴리에스테르 필름 (유니치카사 제조) 을 탑재하고 진공 흡착시킴으로써, 그 폴리에스테르 필름을 첩부하였다. 그 폴리에스테르 필름 상에, 갭이 67.5 ㎛ 인 어플리케이터 (마츠키 과학사 제조) 를 사용하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 도포하였다.Coating: The polyester film was affixed by mounting a polyester film (manufactured by Unichika Co., Ltd.) on a coating table (manufactured by Matsuki Scientific Co., Ltd.) capable of vacuum adsorption and heating and vacuum adsorption. On this polyester film, the photosensitive polyimide precursor composition was apply | coated using the applicator (made by Matsuki Scientific) whose gap is 67.5 micrometers.

탈용제 : 건조기 (SPH-201, 에스펙크사 제조) 로, 95 ℃ 에서 30 분의 조건에서 탈용제를 실시하였다.Desolvent: The desolvent was performed on the conditions of 30 minutes at 95 degreeC with the dryer (SPH-201, the product made by ESPEC).

택성 평가 : 탈용제 후의 감광층의 택 유무를 촉진 (觸診) 에 의하여 평가하였다. 지문이 묻은 것을 ×, 지문이 묻지 않은 것을 ○ 로 표기하였다.Tackiness evaluation: The presence or absence of the tack of the photosensitive layer after a desolvent was evaluated by acceleration (vi). The thing with a fingerprint and x and the thing with no fingerprint were described as (circle).

4 : 내절성 평가4: resistance evaluation

큐어 : 리소그래피 후에, 건조기 (SPH-201 에스펙크사 제조) 를 이용하여 표 5 에 나타내는 조건에서 큐어를 실시하였다.Cure: After lithography, a cure was performed under the conditions shown in Table 5 using a dryer (manufactured by SPH-201 Espek Co., Ltd.).

절곡시험 : 큐어 후에 얻어진 필름을 180 도로 절곡하고 (주름 절곡), 커버 필름의 균열, 박리를 육안으로 관찰하였다. 균열, 박리가 없는 경우를 ○, 균열, 박리가 있는 경우를 × 로 하였다.Bending test: The film obtained after curing was bent at 180 degrees (wrinkling bend), and cracking and peeling of the cover film were visually observed. (Circle) and the case where there exists a crack and peeling were made into the case where there was no crack and peeling.

5 : 휨 평가5: warpage evaluation

도포 : 진공 흡착 및 가열할 수 있는 도포대 (마츠키 과학사 제조) 에 폴리에스테르 필름 (유니치카사 제조) 을 탑재하고 진공 흡착시킴으로써, 그 폴리에스테르 필름을 첩부하였다. 그 폴리에스테르 필름 상에, 갭이 67.5 ㎛ 인 어플리케이터 (마츠키 과학사 제조) 를 사용하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 도포하였다.Coating: The polyester film was affixed by mounting a polyester film (manufactured by Unichika Co., Ltd.) on a coating table (manufactured by Matsuki Scientific Co., Ltd.) capable of vacuum adsorption and heating and vacuum adsorption. On this polyester film, the photosensitive polyimide precursor composition was apply | coated using the applicator (made by Matsuki Scientific) whose gap is 67.5 micrometers.

탈용제 : 건조기 (SPH-201, 에스펙크사 제조) 로, 95 ℃ 에서 30 분의 조건에서 탈용제를 실시하였다.Desolvent: The desolvent was performed on the conditions of 30 minutes at 95 degreeC with the dryer (SPH-201, the product made by ESPEC).

진공 프레스 : 기재에 폴리이미드 필름 (Kapton EN-100 상품명 토오레·듀퐁사 제조) 을 이용하고, 진공 프레스기 (SA-501 테스터 산업사 제조) 에 의하여 탈용제 공정에서 얻어진 감광성 드라이 필름을 프레스 온도 100 ℃, 프레스 압력 0.5 ㎫, 진공도 15 ㎪, 프레스 시간 1 분의 조건에서 진공 프레스를 실시하였다.Vacuum press: The photosensitive dry film obtained by the desolvent process by the vacuum press machine (made by SA-501 tester industry company) using the polyimide film (made by Kapton EN-100 brand Toray DuPont) for a base material is press temperature 100 degreeC The vacuum press was performed on the conditions of the press pressure of 0.5 Mpa, the vacuum degree of 15 Pa, and a press time of 1 minute.

베이크 : 건조기 (SPH-201 에스펙크사 제조) 를 이용하여, 표 5 에 나타내는 조건에서 큐어를 실시하였다.Bake: Curing was carried out under the conditions shown in Table 5 using a dryer (manufactured by SPH-201 Espek Co., Ltd.).

휨의 측정 : 베이크 후에 얻어진 필름을 길이 5 ㎝, 폭 5 ㎝ 로 잘라내고, 정전기를 없앤 후에 필름의 휨을, 자를 이용하여 측정하였다.Measurement of warpage: The film obtained after baking was cut out to 5 cm in length and 5 cm in width, and the warpage of the film was measured using a ruler after removing static electricity.

6 : 난연성 평가6: flame retardancy evaluation

도포, 탈용제까지는 휨의 평가와 동일하게 실시하였다.Application | coating and the removal solvent were performed similarly to evaluation of curvature.

진공 프레스 : 기재에 폴리이미드 필름 (Kapton EN-100 상품명 토오레·듀퐁사 제조) 을 이용하고, 진공 프레스기 (SA-501 테스터 산업사 제조) 에 의하여 탈용제 공정에서 얻어진 감광성 드라이 필름을 프레스 온도 100 ℃, 프레스 압력 0.5 ㎫, 진공도 15 ㎪, 프레스 시간 1 분의 조건에서, 폴리이미드 필름의 양면에 진공 프레스를 실시하였다.Vacuum press: The photosensitive dry film obtained by the desolvent process by the vacuum press machine (made by SA-501 tester industry company) using the polyimide film (made by Kapton EN-100 brand Toray DuPont) for a base material is press temperature 100 degreeC. The vacuum press was performed on both surfaces of the polyimide film on the conditions of the press pressure of 0.5 Mpa, the vacuum degree of 15 Pa, and a press time of 1 minute.

베이크 : 건조기 (SPH-201 에스펙크사 제조) 를 이용하여, 표 5 에 나타내는 조건에서 큐어를 실시하였다.Bake: Curing was carried out under the conditions shown in Table 5 using a dryer (manufactured by SPH-201 Espek Co., Ltd.).

난연성 시험 : 베이크 공정에서 얻어진 필름을 폭 1 ㎝, 길이 5 ㎝ 로 잘라냈다. 다음으로 시험편의 일단에 불을 붙여 불이 번지며 타는 과정을 육안으로 관찰하였다. 도중에 불이 꺼진 시료를 ○, 모두 타 버린 시료를 × 로 하였다.Flame retardancy test: The film obtained by the baking process was cut out to 1 cm in width and 5 cm in length. Next, one end of the test piece was set on fire and the fire spread and the burning process was visually observed. (Circle) and the sample which burnt out the sample which turned off the fire on the way were made into x.

(실시예 4 ~ 실시예 22) (Example 4 to Example 22)

합성예 2 내지 합성예 13 에서 얻은 폴리이미드 전구체 용액 10 g 에 대하여, 여러 가지의 첨가제를 표 6-1 에 나타내는 비율로 혼합하여 20 ㏄ 유리병에 넣고, 믹스 로터 (MR-5 아즈완사 제조) 에 의해 균일해질 때까지 교반하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 (16 내지 34) 을 얻었다. 이들 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 평가 결과를 표 7-1 에 나타낸다.To 10 g of the polyimide precursor solution obtained in Synthesis Example 2 to Synthesis Example 13, various additives were mixed at the ratios shown in Table 6-1, placed in a 20 kPa glass bottle, and mixed with a rotor (manufactured by MR-5 Azwan Corporation). It stirred until it became uniform by and obtained the photosensitive polyimide precursor composition (16-34). The evaluation results of these photosensitive polyimide precursor compositions are shown in Table 7-1.

(비교예 4 ~ 비교예 7) (Comparative Example 4-Comparative Example 7)

합성예 16 내지 합성예 17 에서 얻은 폴리이미드 전구체 용액 10 g 에 대하여, 여러 가지의 첨가제를 표 6-2 에 나타내는 비율로 혼합하여 20 ㏄ 유리병에 넣고, 믹스 로터 (MR-5 아즈완사 제조) 에 의해 균일해질 때까지 교반하여 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 (35 내지 38) 을 얻었다. 이들 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 평가 결과를 표 7-2 에 나타낸다.To 10 g of the polyimide precursor solution obtained in Synthesis Example 16 to Synthesis Example 17, various additives were mixed at the ratio shown in Table 6-2, placed in a 20 kPa glass bottle, and mixed with a rotor (manufactured by MR-5 Azwan). It stirred until it became uniform by and obtained the photosensitive polyimide precursor composition (35-38). The evaluation results of these photosensitive polyimide precursor compositions are shown in Table 7-2.

또한, 실시예 4 ~ 실시예 22 및, 비교예 4 ~ 비교예 7 에 있어서는, 하기 식 (18) ~ 식 (27) 의 화합물을 첨가제로서 사용하였다.In addition, in Example 4-Example 22 and Comparative Examples 4-7, the compound of following formula (18)-formula (27) was used as an additive.

용해 억지제 1Dissolution Inhibitors 1

[화학식 25] [Formula 25]

Figure pct00025
Figure pct00025

용해 억지제 2Melt Inhibitor 2

[화학식 26] [Formula 26]

Figure pct00026
Figure pct00026

[화학식 27] [Formula 27]

Figure pct00027
Figure pct00027

[화학식 28] [Formula 28]

Figure pct00028
Figure pct00028

난연제Flame retardant

[화학식 29] [Formula 29]

Figure pct00029
Figure pct00029

[화학식 30] [Formula 30]

Figure pct00030
Figure pct00030

[화학식 31] [Formula 31]

Figure pct00031
Figure pct00031

열 염기 발생제Thermal base generator

[화학식 32] [Formula 32]

Figure pct00032
Figure pct00032

[화학식 33] [Formula 33]

Figure pct00033
Figure pct00033

[화학식 34] [Formula 34]

Figure pct00034
Figure pct00034

[표 1]TABLE 1

Figure pct00035
Figure pct00035

[표 2]TABLE 2

Figure pct00036
Figure pct00036

[표 3][Table 3]

Figure pct00037
Figure pct00037

[표 4][Table 4]

Figure pct00038
Figure pct00038

[표 5]TABLE 5

Figure pct00039
Figure pct00039

[표 6-1]Table 6-1

Figure pct00040
Figure pct00040

[표 6-2]Table 6-2

Figure pct00041
Figure pct00041

[표 7-1]Table 7-1

Figure pct00042
Figure pct00042

[표 7-2]Table 7-2

Figure pct00043
Figure pct00043

표 2 ~ 표 4 에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 관련된 폴리이미드 전구체를 사용한 실시예 1 ~ 실시예 3 은, 분자량의 저하 (M2/M1) 가 없는 것을 나타내고 있다. 또, 주름 절곡 강도도 양호하였다. 이 결과는 본 발명에 관련된 산 2무수물을 사용함으로써, 탈용제시의 폴리이미드 전구체의 분해가 억제되고, 분자량 저하가 억제되었기 때문으로 생각할 수 있다. 한편, 그 밖의 산 2무수물을 사용한 비교예 1 ~ 비교예 3 은, 분자량이 저하됨과 함께 주름 절곡 강도가 저하되어 있는 것을 알 수 있다.As shown in Table 2-Table 4, Example 1-Example 3 using the polyimide precursor which concerns on this invention have shown that there is no fall (M2 / M1) of molecular weight. Moreover, the wrinkle bending strength was also favorable. This result is considered to be because the decomposition of the polyimide precursor at the time of the desolvent was suppressed, and the molecular weight fall was suppressed by using the acid dianhydride which concerns on this invention. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3 using other acid dianhydrides, it is found that while the molecular weight is lowered, the wrinkle bending strength is lowered.

또, 표 7-1, 표 7-2 에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 관련된 폴리이미드 전구체 조성물을 사용한 실시예 4 ~ 실시예 22 는, 잔막률이 양호한 것을 나타낸다. 특히, 실시예 8 에서는, 용해 억지제를 첨가하지 않고, 잔막률 90 % 로 되어 있다. 이들 결과는, 본 발명에 관련된 산 2무수물을 사용함으로써, 현상 공정에서의 폴리이미드 전구체의 분해가 억제되었기 때문으로 생각할 수 있다. 실시예 4 ~ 실시예 22 는 택성도 양호한 것을 나타내고 있다. 한편, 그 밖의 산 2무수물을 사용한 어떠한 조건에서도, 잔막률이 저하되고, 택성이 열등한 것을 나타내고 있다.Moreover, as shown in Table 7-1 and Table 7-2, Example 4-Example 22 using the polyimide precursor composition which concerns on this invention show that a residual film rate is favorable. In particular, in Example 8, the residual film ratio is 90% without adding the dissolution inhibiting agent. These results are considered to be because decomposition of the polyimide precursor in the image development process was suppressed by using the acid dianhydride which concerns on this invention. Example 4-Example 22 show that tackiness is also favorable. On the other hand, under any conditions using other acid dianhydrides, the residual film rate is lowered, indicating that the tackiness is inferior.

본 발명의 폴리이미드 전구체는 반도체 장치의 표면 보호막, 층간 절연막, 및 재배선용 절연막, 범프 구조를 갖는 장치의 보호막, 다층 회로의 층간 절연막, 플렉시블 동장판의 커버 코트, 그리고 액정 배향막 등으로서 바람직하게 이용할 수 있다.The polyimide precursor of the present invention can be suitably used as a surface protective film, an interlayer insulating film, and a redistribution insulating film of a semiconductor device, a protective film of a device having a bump structure, an interlayer insulating film of a multilayer circuit, a cover coat of a flexible copper plate, and a liquid crystal alignment film. Can be.

Claims (12)

하기 일반식 (1) 로 나타내는 산 2무수물을 함유하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.
[화학식 1]
Figure pct00044

(X 는 탄소수가 3 내지 30 인 알킬렌기를 갖는 2 가의 유기기이다. R1 은 수소 원자, 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐기를 나타낸다)
An acid dianhydride represented by the following general formula (1) is contained, The polyimide precursor characterized by the above-mentioned.
[Formula 1]
Figure pct00044

(X is a divalent organic group having an alkylene group having 3 to 30 carbon atoms. R 1 represents a hydrogen atom, a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group.)
제 1 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가 하기 일반식 (2) 로 나타내는 디아민을 함유하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.
[화학식 2]
Figure pct00045

(Y 는 탄소수가 2 내지 20 인 알킬렌기를 갖는 2 가의 유기기이다. R2 는 수소 원자, 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐기를 나타낸다)
The method of claim 1,
Said polyimide precursor contains the diamine represented by following General formula (2), The polyimide precursor characterized by the above-mentioned.
(2)
Figure pct00045

(Y is a divalent organic group having an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms. R 2 represents a hydrogen atom, a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group.)
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 산 2무수물을 함유하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.
[화학식 3]
Figure pct00046

(a 는 1 내지 20 의 정수를 나타낸다. b 는 3 내지 30 의 정수를 나타낸다. R3 은 수소 원자 또는 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기를 나타낸다)
The method according to claim 1 or 2,
The said polyimide precursor contains the acid dianhydride represented by following General formula (3), The polyimide precursor characterized by the above-mentioned.
(3)
Figure pct00046

(a represents an integer of 1 to 20. b represents an integer of 3 to 30. R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms)
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가 하기 일반식 (4) 로 나타내는 디아민을 함유하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.
[화학식 4]
Figure pct00047

(Z 는 탄소수가 2 내지 20 인 알킬렌기이다. R4 는 수소 원자, 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐기를 나타낸다. c 는 2 내지 30 의 정수를 나타낸다)
The method according to claim 1 or 2,
The said polyimide precursor contains the diamine represented by following General formula (4), The polyimide precursor characterized by the above-mentioned.
[Chemical Formula 4]
Figure pct00047

(Z is an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms. R 4 represents a hydrogen atom, a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen group. C represents an integer of 2 to 30.)
제 2 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 산 2무수물을 함유하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.
[화학식 5]
Figure pct00048

(a 는 1 내지 15 의 정수를 나타낸다. b 는 5 내지 20 의 정수를 나타낸다. R3 은 수소 원자 또는 탄소수가 1 내지 10 인 1 가의 알킬기를 나타낸다)
The method of claim 2,
The said polyimide precursor contains the acid dianhydride represented by following General formula (3), The polyimide precursor characterized by the above-mentioned.
[Chemical Formula 5]
Figure pct00048

(a represents an integer of 1 to 15. b represents an integer of 5 to 20. R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms)
제 4 항에 있어서,
상기 일반식 (4) 로 나타내는 디아민이 전체 디아민 성분 중에서 25 몰% 내지 75 몰% 인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.
The method of claim 4, wherein
The diamine represented by the said General formula (4) is 25 mol%-75 mol% in all the diamine components, The polyimide precursor characterized by the above-mentioned.
제 1 항 또는 제 2 항 혹은 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드 전구체 100 질량부와, 감광제 5 질량부 ~ 35 질량부를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광성 폴리이미드 전구체 조성물.100 mass parts of polyimide precursors as described in any one of Claim 1, 2, or 5, and 5 mass parts-35 mass parts of photosensitizers, The photosensitive polyimide precursor composition characterized by the above-mentioned. 제 7 항에 있어서,
상기 감광제가 퀴논디아지드 구조를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 폴리이미드 전구체 조성물.
The method of claim 7, wherein
The photosensitive polyimide precursor composition, wherein the photosensitive agent contains a quinonediazide structure.
제 7 항에 있어서,
페놀성 수산기를 갖는 용해 억지제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 폴리이미드 전구체 조성물.
The method of claim 7, wherein
A photosensitive polyimide precursor composition comprising a dissolution inhibiting agent having a phenolic hydroxyl group.
제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 폴리이미드 전구체 조성물을 지지 필름에 도포, 탈용제하고, 이어서 커버 필름을 적층함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 감광성 드라이 필름.The photosensitive dry film obtained by apply | coating the photosensitive polyimide precursor composition of any one of Claims 7-9 to a support film, desolvent, and then laminating | stacking a cover film. 제 10 항에 기재된 감광성 드라이 필름을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 플렉시블 프린트 배선 기판.It formed using the photosensitive dry film of Claim 10, The flexible printed wiring board characterized by the above-mentioned. 바니시에서의 중량 평균 분자량 (Mw1) 과 120 ℃ 이하에서의 탈용매 후의 중량 평균 분자량 (Mw2) 사이의 비 (Mw2/Mw1) 가 0.7 이상인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.The ratio (Mw2 / Mw1) between the weight average molecular weight (Mw1) in a varnish and the weight average molecular weight (Mw2) after desolvent at 120 degrees C or less is 0.7 or more, The polyimide precursor characterized by the above-mentioned.
KR1020107024194A 2008-05-09 2009-04-24 Polyimide precursor, photosensitive polyimide precursor composition, photosensitive dry film, and flexible printed circuit board using those materials KR101308811B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008124016 2008-05-09
JPJP-P-2008-124016 2008-05-09
PCT/JP2009/058159 WO2009136557A1 (en) 2008-05-09 2009-04-24 Polyimide precursor, photosensitive polyimide precursor composition, photosensitive dry film, and flexible printed circuit board using those materials

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100125467A true KR20100125467A (en) 2010-11-30
KR101308811B1 KR101308811B1 (en) 2013-09-13

Family

ID=41264612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107024194A KR101308811B1 (en) 2008-05-09 2009-04-24 Polyimide precursor, photosensitive polyimide precursor composition, photosensitive dry film, and flexible printed circuit board using those materials

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP5417323B2 (en)
KR (1) KR101308811B1 (en)
CN (1) CN102015835A (en)
TW (1) TWI384015B (en)
WO (1) WO2009136557A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140037836A (en) * 2011-03-31 2014-03-27 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 Liquid crystal aligning agent and liquid crystal alignment film using same
KR20190066591A (en) * 2017-12-05 2019-06-13 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Novel tetracarboxylic dianhydride, polyimide resin and method for producing the same, photosensitive resin compositions, patterning process, method for forming cured film, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic parts

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011059089A1 (en) * 2009-11-16 2011-05-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Polyimide precursor and photosensitive resin composition containing the polyimide precursor
WO2011135887A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Photosensitive resin composition
JP5691657B2 (en) * 2011-03-04 2015-04-01 日油株式会社 Photosensitive resin composition and use thereof
JP5751025B2 (en) * 2011-05-31 2015-07-22 住友ベークライト株式会社 Positive photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, semiconductor device, and display device
JP5748638B2 (en) * 2011-11-04 2015-07-15 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Polyimide precursor or polyimide and photosensitive resin composition
TWI486335B (en) * 2011-12-29 2015-06-01 Eternal Materials Co Ltd Base generator
JP5884551B2 (en) * 2012-02-27 2016-03-15 日油株式会社 Photosensitive resin composition and use thereof
JP6343989B2 (en) * 2013-03-21 2018-06-20 東洋紡株式会社 Transparent polyesterimide resin film, and resin and resin composition used therefor
TWI671343B (en) * 2014-06-27 2019-09-11 日商富士軟片股份有限公司 Thermosetting resin composition, cured film, method for producing cured film, and semiconductor device
JP2016080803A (en) * 2014-10-14 2016-05-16 太陽インキ製造株式会社 Dry film and flexible printed wiring board
CN110462514B (en) * 2017-03-29 2023-12-15 富士胶片株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device
KR102402138B1 (en) * 2017-11-28 2022-05-25 아사히 가세이 가부시키가이샤 Negative photosensitive resin composition, manufacturing method thereof, and manufacturing method of cured relief pattern
JP6958332B2 (en) * 2017-12-20 2021-11-02 Hdマイクロシステムズ株式会社 Photosensitive resin composition, manufacturing method of pattern cured film, cured film, interlayer insulating film, cover coat layer, surface protective film and electronic components
CN110857332B (en) * 2018-08-22 2022-10-21 臻鼎科技股份有限公司 Polymer resin, polymer resin composition and copper-clad plate
KR20220015327A (en) 2020-07-30 2022-02-08 주식회사 엘지화학 Binder resin, positive-type photosensitive resin composition, insulating film and semiconductor device
WO2022039028A1 (en) * 2020-08-17 2022-02-24 東レ株式会社 Photosensitive resin composition, cured product, display device, semiconductor device and method for producing cured product
CN116789590B (en) * 2023-06-25 2024-02-02 波米科技有限公司 Diamine compound containing piperidine group, and preparation method and application thereof

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08100061A (en) * 1994-09-28 1996-04-16 Hitachi Chem Co Ltd Block copolymer, its production, liquid crystal orientation material, liquid crystal orientation film, substrate sandwiched with liquid crystal sandwiched, and liquid crystal display element
JP3777021B2 (en) * 1997-05-28 2006-05-24 日立化成工業株式会社 Adhesive film
JP2005134742A (en) * 2003-10-31 2005-05-26 Nitto Denko Corp Photoresist and method for forming image by using the same
JP2006206756A (en) * 2005-01-28 2006-08-10 Sony Chem Corp Polyimide compound and flexible wiring board
WO2007029614A1 (en) * 2005-09-05 2007-03-15 Asahi Kasei Emd Corporation Positive photosensitive resin composition
JP2007169585A (en) * 2005-09-20 2007-07-05 Manac Inc Polyesterimide having low liner thermal expansion coefficient and precursor thereof, and method for producing them
JP2007217476A (en) * 2006-02-14 2007-08-30 Kaneka Corp Novel polyimide resin
JP2008156425A (en) * 2006-12-21 2008-07-10 Asahi Kasei Corp Polyimide and photosensitive resin composition using the same
CN101606103A (en) * 2007-02-09 2009-12-16 索尼化学&信息部件株式会社 Photosensitive polyimide resin composition
JP4957583B2 (en) * 2007-02-22 2012-06-20 新日本理化株式会社 Solvent-soluble polyimide copolymer and polyimide varnish containing the same
JP5065853B2 (en) * 2007-10-26 2012-11-07 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Photosensitive polyamic acid composition and photosensitive dry film
JP5068629B2 (en) * 2007-10-26 2012-11-07 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive dry film, photosensitive laminated film, and coverlay using the same
JP2009109592A (en) * 2007-10-26 2009-05-21 Asahi Kasei Corp Photosensitive resin composition, photosensitive dry film, photosensitive laminated film and coverlay using those

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140037836A (en) * 2011-03-31 2014-03-27 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 Liquid crystal aligning agent and liquid crystal alignment film using same
KR20190066591A (en) * 2017-12-05 2019-06-13 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Novel tetracarboxylic dianhydride, polyimide resin and method for producing the same, photosensitive resin compositions, patterning process, method for forming cured film, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic parts
US10919918B2 (en) 2017-12-05 2021-02-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Tetracarboxylic dianhydride, polyimide resin and method for producing the same, photosensitive resin compositions, patterning process, method for forming cured film, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic parts

Also Published As

Publication number Publication date
JP5417323B2 (en) 2014-02-12
JPWO2009136557A1 (en) 2011-09-08
TW201006867A (en) 2010-02-16
JP2013241607A (en) 2013-12-05
TWI384015B (en) 2013-02-01
KR101308811B1 (en) 2013-09-13
CN102015835A (en) 2011-04-13
WO2009136557A1 (en) 2009-11-12
JP5603977B2 (en) 2014-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101308811B1 (en) Polyimide precursor, photosensitive polyimide precursor composition, photosensitive dry film, and flexible printed circuit board using those materials
JP5497312B2 (en) Flexible printed circuit board
US20100035182A1 (en) Photosensitive resin composition
JPWO2009054487A1 (en) Polyimide precursor and photosensitive resin composition containing polyimide precursor
KR20080095305A (en) Photosensitive resin composition and photosensitive film
WO2008065905A1 (en) Photosensitive resin composition, and flexible print circuit board using the same
JP5485802B2 (en) Polyimide precursor, photosensitive resin composition, and tetracarboxylic dianhydride
JP2008156425A (en) Polyimide and photosensitive resin composition using the same
KR102597875B1 (en) Positive photosensitive resin composition, dry film, cured product, and printed wiring board
JP2011242531A (en) Photosensitive resin composition and photosensitive film using the same
JP2019101440A (en) Positive photosensitive resin composition, cured film, semiconductor device and production method of relief pattern in cured film
EP1705204B1 (en) Photosensitive resin and a method of preparing the same
JP5179843B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive film using the same
JP5068629B2 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive dry film, photosensitive laminated film, and coverlay using the same
JP5065853B2 (en) Photosensitive polyamic acid composition and photosensitive dry film
JP2009276526A (en) Photosensitive resin composition and flexible printed wiring board using the same
JP2009282513A (en) Photosensitive resin composition and photosensitive film using the same
JP5354443B2 (en) Polyimide ink composition, protective film, and flexible printed wiring board
JP5571431B2 (en) Photosensitive resin composition
JP5390964B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive film using the same
JP5319103B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive film using the same
JP2011209521A (en) Positive photosensitive resin composition
JP5179844B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive film using the same
JP5218888B2 (en) Curable composition containing polyimidesiloxane, and cured product of the curable composition
JP2009109592A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive dry film, photosensitive laminated film and coverlay using those

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160818

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170823

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180816

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190819

Year of fee payment: 7