JP2009276526A - Photosensitive resin composition and flexible printed wiring board using the same - Google Patents

Photosensitive resin composition and flexible printed wiring board using the same Download PDF

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Toshiaki Nagasawa
俊明 長澤
Yusuke Kida
祐介 貴田
Hideaki Takahashi
秀明 高橋
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin composition having flame retardancy and low warpage properties in forming into the coverlay of an FPC, without deteriorating flexibility and bendability, wherein it is difficult for the conventional photosensitive resin compositions to have advantages. <P>SOLUTION: The photosensitive resin composition includes a component (A), a component (B) and a component (C). The component (A) is a soluble polyimide, the component (B) is a quinonediazide compound, and a specific compound having an isocyanuric acid ring is used as the component (C), so that the photosensitive resin composition, having flame retardancy and low warpage properties in forming into the coverlay of an FPC without deteriorating flexibility and bendability, is provided. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、フレキシブルプリント配線板のカバーレイに好適な感光性樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブルプリント配線板に関する。   The present invention relates to a photosensitive resin composition suitable for a coverlay of a flexible printed wiring board and a flexible printed wiring board using the same.

近年、伸長著しいフレキシブルプリント配線板(以下、FPCと省略する)においては、柔軟性、屈曲性に優れる素材が基材、カバーレイとして求められている。FPCのカバーレイには、微細加工に優れる感光性を持つことが望まれている。しかし感光性を付与すると、FPCのカバーレイとした時の難燃性、低反り性などの特徴が損なわれる。   In recent years, flexible printed wiring boards (hereinafter abbreviated as “FPC”), which are remarkably elongated, have been demanded as materials having excellent flexibility and flexibility as base materials and coverlays. FPC coverlays are desired to have excellent photosensitivity for microfabrication. However, when photosensitivity is imparted, characteristics such as flame retardancy and low warpage when used as an FPC coverlay are impaired.

反り低減の為、シロキサン骨格を導入したポリイミドを用い、可塑性及び感光性を付与するため反応性希釈剤である(メタ)アクリレートなどのモノマーを併用したネガ型の感光性カバーレイが提案されている(例えば、特許文献1)。しかしながら、シロキサン骨格を導入すると、ポリイミド樹脂は難燃性を低下させる恐れがある。また(メタ)アクリレートなどのモノマーの使用も難燃性の低下が懸念され、さらには該モノマーが重合、架橋する事で柔軟性、屈曲性を損なう可能性がある。
特開2003−140339号公報
In order to reduce warpage, negative photosensitive coverlays have been proposed that use a polyimide with a siloxane skeleton and use a monomer such as (meth) acrylate which is a reactive diluent to impart plasticity and photosensitivity. (For example, patent document 1). However, when a siloxane skeleton is introduced, the polyimide resin may reduce flame retardancy. Also, the use of a monomer such as (meth) acrylate is concerned about a decrease in flame retardancy, and further, the monomer may be polymerized and crosslinked to impair flexibility and flexibility.
JP 2003-140339 A

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、従来の感光性樹脂組成物では困難であった、柔軟性や屈曲性を損なうことなく、FPCのカバーレイとした時の難燃性、低反り性を併せ持つ感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and has a flame retardancy when it is used as an FPC coverlay and low without impairing flexibility and flexibility, which has been difficult with conventional photosensitive resin compositions. It aims at providing the photosensitive resin composition which has curvature property.

本発明の感光性樹脂組成物は、(A)成分、(B)成分及び(C)成分を含有する感光性樹脂組成物であって、前記(A)成分が可溶性ポリイミドであり、前記(B)成分がキノンジアジド化合物であり、前記(C)成分が式(1)に示すイソシアヌル酸環を有する化合物であることを特徴とする。

Figure 2009276526
(式中Rはエチレングリコール鎖及び/又はプロピレングリコール鎖を含む有機基である。複数のRはそれぞれ同一でも異なっていても良い。) The photosensitive resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition containing the component (A), the component (B) and the component (C), wherein the component (A) is a soluble polyimide, ) Component is a quinonediazide compound, and the component (C) is a compound having an isocyanuric acid ring represented by the formula (1).
Figure 2009276526
(In the formula, R 1 is an organic group containing an ethylene glycol chain and / or a propylene glycol chain. The plurality of R 1 may be the same or different.)

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記(A)成分がシロキサン骨格を有する可溶性ポリイミドであることが好ましい。   In the photosensitive resin composition of the present invention, the component (A) is preferably a soluble polyimide having a siloxane skeleton.

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記(A)成分がカルボキシル基及び/又は水酸基を有する可溶性ポリイミドであることが好ましい。   In the photosensitive resin composition of the present invention, the component (A) is preferably a soluble polyimide having a carboxyl group and / or a hydroxyl group.

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記(B)成分がナフトキノンジアジド化合物であることが好ましい。   In the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable that the said (B) component is a naphthoquinone diazide compound.

本発明の感光性樹脂組成物においては、前記(C)成分のRが式(2)に示す有機基であることが好ましい。

Figure 2009276526
(式中Rは下記式(3)又は式(4)であり、RはH、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基から選ばれる有機基である。nは1〜10であり、mは1又は2であり、Lは1〜10である。)
Figure 2009276526
Figure 2009276526
In the photosensitive resin composition of the present invention, it is preferable that R 1 of the component (C) is an organic group represented by the formula (2).
Figure 2009276526
(In the formula, R 2 is the following formula (3) or formula (4), and R 3 is an organic group selected from H, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, and isobutyl group. 10 and m is 1 or 2, and L is 1 to 10.)
Figure 2009276526
Figure 2009276526

本発明の感光性樹脂組成物においては、(D)成分として、リン系の難燃剤を含有することが好ましく、(D)成分が環状ホスファゼン化合物を含有することがより好ましい。   In the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable to contain a phosphorus-type flame retardant as (D) component, and it is more preferable that (D) component contains a cyclic phosphazene compound.

本発明のフィルムは、上記感光性樹脂組成物を含有することを特徴とする。   The film of this invention contains the said photosensitive resin composition, It is characterized by the above-mentioned.

本発明の積層フィルムは、キャリアフィルムと、前記キャリアフィルム上に設けられた上記フィルムと、を具備することを特徴とする。   The laminated film of the present invention comprises a carrier film and the film provided on the carrier film.

本発明の積層フィルムにおいては、前記フィルム上に形成されたカバーフィルムを具備することが好ましい。   In the laminated | multilayer film of this invention, it is preferable to comprise the cover film formed on the said film.

本発明の感光性インクは、上記感光性樹脂組成物を含有することを特徴とする。   The photosensitive ink of the present invention contains the photosensitive resin composition.

本発明のフレキシブルプリント配線板は、配線を有する基材と、前記配線を覆うように前記基材上に形成され、上記感光性樹脂組成物を用い構成されたカバーレイと、を具備することを特徴とする。   The flexible printed wiring board of the present invention comprises: a base material having wiring; and a coverlay formed on the base material so as to cover the wiring and configured using the photosensitive resin composition. Features.

本発明のフレキシブルプリント配線板においては、前記カバーレイが上記フィルム又は積層フィルムを用いて積層されたカバーレイであることが好ましい。   In the flexible printed wiring board of this invention, it is preferable that the said coverlay is a coverlay laminated | stacked using the said film or laminated film.

本発明のフレキシブルプリント配線板においては、前記カバーレイが上記感光性インクを用いて形成されたカバーレイであることが好ましい。   In the flexible printed wiring board of the present invention, it is preferable that the coverlay is a coverlay formed using the photosensitive ink.

本発明の感光性樹脂組成物は、(A)成分、(B)成分及び(C)成分を含有する感光性樹脂組成物であって、前記(A)成分が可溶性ポリイミドであり、前記(B)成分がキノンジアジド化合物であり、前記(C)成分が上記式(1)に示すイソシアヌル酸環を有する化合物であるので、柔軟性や屈曲性を損なうことなく、FPCのカバーレイとした時の難燃性、低反り性、を併せ持つ感光性樹脂組成物を提供することができる。   The photosensitive resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition containing the component (A), the component (B) and the component (C), wherein the component (A) is a soluble polyimide, ) Component is a quinonediazide compound, and the component (C) is a compound having an isocyanuric acid ring represented by the above formula (1), it is difficult to obtain an FPC coverlay without impairing flexibility and flexibility. A photosensitive resin composition having both flammability and low warpage can be provided.

本発明者らは、イソシアヌル酸骨格を有する特定の化合物が柔軟性や屈曲性を損なうことなく難燃性と低反り性とを併せ持つことを見出し、本発明を完成するに至った。   The present inventors have found that a specific compound having an isocyanuric acid skeleton has both flame retardancy and low warpage without impairing flexibility and flexibility, and have completed the present invention.

具体的に説明すると、本発明の感光性樹脂組成物における(C)成分は、その構造中にドライフィルムの反り改善効果を発現し得る有機基と、難燃性を発現し得る窒素含有の環構造とを含む。このため、(A)成分の可溶性ポリイミドと組み合わせた際にポリイミドのもつ柔軟性や屈曲性を損なうことない。よって(B)成分のキノンジアジド化合物のごとき感光剤と組み合わせると難燃性と低反り性を併せ持つ感光性樹脂組成物を発現することができる。   Specifically, the component (C) in the photosensitive resin composition of the present invention includes an organic group capable of exhibiting a warp improving effect of a dry film in its structure and a nitrogen-containing ring capable of exhibiting flame retardancy. Including structure. For this reason, when combined with the soluble polyimide of the component (A), the flexibility and flexibility of the polyimide are not impaired. Therefore, when combined with a photosensitizer such as the quinonediazide compound of component (B), a photosensitive resin composition having both flame retardancy and low warpage can be expressed.

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明の骨子は、(A)成分:可溶性ポリイミドと、(B)成分:キノンジアジド化合物と、(C)成分:イソシアヌル酸環を有する特定の化合物と、を組み合わせて配合してなる感光性樹脂組成物により、ポジ型の感光性ドライフィルム又は感光性インク、及び、該組成物を用いたカバーレイを具備した、反りが少なく難燃性を有するフレキシブルプリント配線板を提供することである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
The gist of the present invention is a photosensitive resin composition comprising a combination of (A) component: soluble polyimide, (B) component: quinonediazide compound, and (C) component: a specific compound having an isocyanuric acid ring. It is an object of the present invention to provide a flexible printed wiring board which has a positive type photosensitive dry film or photosensitive ink and a cover lay using the composition and which has a low warpage and flame retardancy.

まず、(A)成分について説明する。
本発明の感光性樹脂組成物に用いられる(A)成分は、有機溶剤に可溶である樹脂を用いる。このような樹脂として、屈曲性に優れるポリイミドが好ましい。
First, the component (A) will be described.
The component (A) used in the photosensitive resin composition of the present invention uses a resin that is soluble in an organic solvent. As such a resin, polyimide having excellent flexibility is preferable.

ポリイミドとしては(B)成分及び(C)成分及び/又はその他の添加剤と溶液中で調合可能である溶媒に可溶な、可溶性ポリイミドが好ましい。   The polyimide is preferably a soluble polyimide that is soluble in the component (B) and the component (C) and / or other additives and a solvent that can be prepared in a solution.

可溶性ポリイミドとは、有機溶剤に可溶なポリイミドを意味する。有機溶剤としては、例えばN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチスルホキシド、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、又はこれらの有機溶剤とトルエンの混合溶媒などが挙げられる。本発明において可溶性とは、具体的にはN−メチル−2−ピロリドン若しくはγ−ブチロラクトンに少なくとも5質量%以上、好ましくは10質量%以上溶解することを意味する。   A soluble polyimide means a polyimide soluble in an organic solvent. Examples of the organic solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, γ-butyrolactone, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, or an organic solvent and toluene. Examples thereof include mixed solvents. In the present invention, the term “soluble” specifically means that it is dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone or γ-butyrolactone at least 5 mass%, preferably 10 mass% or more.

可溶性ポリイミドの構造に特に制限はないが、フィルムにした際の伸度、柔軟性、屈曲性などの機械物性、反り改善効果を考慮すると、シロキサン骨格を有することが好ましい。反り改善効果は、(C)成分の配合により達成されるが、シロキサン骨格を有することによる低弾性率化と低Tg化とによりさらに向上するものと考えられる。   The structure of the soluble polyimide is not particularly limited, but it is preferable to have a siloxane skeleton in consideration of mechanical properties such as elongation, flexibility and flexibility when formed into a film, and a warp improving effect. The warp improving effect is achieved by blending the component (C), but is considered to be further improved by lowering the elastic modulus and lowering Tg by having a siloxane skeleton.

また、感光性樹脂組成物にした際の現像性の観点から、アルカリ可溶な樹脂を用いることが好ましい。可溶性ポリイミドにアルカリ可溶性を付与する目的で、可溶性ポリイミドにエステル基又はカルボキシル基及び/又は水酸基を導入することが好ましい。中でもカルボキシル基及び/又は水酸基を導入することが好ましい。   Moreover, it is preferable to use alkali-soluble resin from the viewpoint of developability when the photosensitive resin composition is used. For the purpose of imparting alkali solubility to the soluble polyimide, it is preferable to introduce an ester group, a carboxyl group and / or a hydroxyl group into the soluble polyimide. Among them, it is preferable to introduce a carboxyl group and / or a hydroxyl group.

本発明の可溶性ポリイミドは、例えば、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物を原料にして得ることができる。   The soluble polyimide of the present invention can be obtained using, for example, diamine and tetracarboxylic dianhydride as raw materials.

ジアミンとしては、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン、を用いることができる。また、カルボキシル基及び/又は水酸基を導入する目的で、カルボキシル基を有するジアミンや水酸基を有するジアミンを用いることができる。また、シロキサン骨格を導入する目的で、ジアミノシロキサンを用いることができる。   As the diamine, aromatic diamine and aliphatic diamine can be used. Further, for the purpose of introducing a carboxyl group and / or a hydroxyl group, a diamine having a carboxyl group or a diamine having a hydroxyl group can be used. Moreover, diaminosiloxane can be used for the purpose of introducing a siloxane skeleton.

芳香族ジアミンとしては、o−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルケトン、3,4’−ジアミノジフェニルケトン、4,4’−ジアミノジフェニルケトン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)プロパン、2,2−(3,4’−ジアミノジフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−(3,4’−ジアミノジフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3’−[1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン、3,4’−[1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4’−[1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)プロパン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ブタン、1,5−ビス(4−アミノフェノキシ)ヘプタンが挙げられる。   As aromatic diamines, o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′- Diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenyldifluoromethane, 4,4'-diaminodiphenyldifluoromethane, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3, 4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiph Nilketone, 3,4'-diaminodiphenylketone, 4,4'-diaminodiphenylketone, 2,2-bis (3-aminophenyl) propane, 2,2- (3,4'-diaminodiphenyl) propane, 2, 2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2- (3,4'-diaminodiphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4 -Aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 3,3 '-[1,4-phenylenebis (1-methyl) Ethylidene)] bisaniline, 3,4 ′-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4 ′-[1,4-fluoro Nylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2- Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfide, Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 1,3-bis (4- Aminophenoxy) propane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) butane, 1,5-bis (4-aminopheno) Xyl) heptane.

脂肪族ジアミンとしては、1,2−ジアミノエタン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,11−ジアミノウンデカンが挙げられる。   Examples of the aliphatic diamine include 1,2-diaminoethane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1, Examples include 8-diaminooctane, 1,9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, and 1,11-diaminoundecane.

カルボキシル基を有するジアミンとしては、3,3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,5−ジアミノ安息香酸が挙げられる。   Examples of the diamine having a carboxyl group include 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenylmethane and 3,5-diaminobenzoic acid.

水酸基を有するジアミンとしては、1,2−ジアミノ−4−ヒドロキシベンゼン、1,3−ジアミノ−5−ヒドロキシベンゼン、1,3−ジアミノ−4−ヒドロキシベンゼン、1,4−ジアミノ−6−ヒドロキシベンゼン、1,5−ジアミノ−6−ヒドロキシベンゼン、1,3−ジアミノ−4,6−ジヒドロキシベンゼン、1,2−ジアミノ−3,5−ジヒドロキシベンゼン、4−(3,5−ジアミノフェノキシ)フェノール、3−(3,5−ジアミノフェノキシ)フェノール、2−(3,5−ジアミノフェノキシ)フェノール、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)ケトン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)スルフィド、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)エーテル、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)スルホン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)メタン、4−[(2,4−ジアミノ−5−ピリミジニル)メチル]フェノール、p−(3,6−ジアミノ−s−トリアジン−2−イル)フェノール、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−アミノフェニル)ジフルオロメタン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ケトン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルフィド、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)エーテル、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ジフルオロメタンが挙げられる。   Examples of the diamine having a hydroxyl group include 1,2-diamino-4-hydroxybenzene, 1,3-diamino-5-hydroxybenzene, 1,3-diamino-4-hydroxybenzene, 1,4-diamino-6-hydroxybenzene. 1,5-diamino-6-hydroxybenzene, 1,3-diamino-4,6-dihydroxybenzene, 1,2-diamino-3,5-dihydroxybenzene, 4- (3,5-diaminophenoxy) phenol, 3- (3,5-diaminophenoxy) phenol, 2- (3,5-diaminophenoxy) phenol, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-diamino-4,4 ′ -Dihydroxybiphenyl, 2,2-bis (4-hydroxy-3-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4-hydride) Xyl-3-aminophenyl) hexafluoropropane, bis (4-hydroxy-3-aminophenyl) ketone, 2,2-bis (4-hydroxy-3-aminophenyl) sulfide, 2,2-bis (4-hydroxy) -3-aminophenyl) ether, 2,2-bis (4-hydroxy-3-aminophenyl) sulfone, 2,2-bis (4-hydroxy-3-aminophenyl) methane, 4-[(2,4- Diamino-5-pyrimidinyl) methyl] phenol, p- (3,6-diamino-s-triazin-2-yl) phenol, 2,2-bis (4-hydroxy-3-aminophenyl) difluoromethane, 2,2 -Bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropa Bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) ketone, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfide, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) ether, 2, 2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) difluoromethane Can be mentioned.

ジアミノシロキサンとしては、式(5)で示される化合物が挙げられる。

Figure 2009276526
(式(5)において、Rは2価の有機基であり、kは1〜30の整数である。Rで示される2価の有機基としては、炭化水素基、芳香族基が挙げられる。炭化水素基は、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基などである。芳香族基は、フェニレン基などである。) Examples of diaminosiloxane include a compound represented by the formula (5).
Figure 2009276526
(In Formula (5), R 4 is a divalent organic group, and k is an integer of 1 to 30. Examples of the divalent organic group represented by R 4 include a hydrocarbon group and an aromatic group. (The hydrocarbon group is an ethylene group, a propylene group, a butylene group, etc. The aromatic group is a phenylene group, etc.)

(A)成分の可溶性ポリイミドにおいて、ジアミノシロキサンに由来する部位の含有量は、すべてのジアミンに由来する部位を100mol%とした時、難燃性の観点から60mol%以下であることが好ましい。   In the soluble polyimide of component (A), the content of the site derived from diaminosiloxane is preferably 60 mol% or less from the viewpoint of flame retardancy when the site derived from all diamines is 100 mol%.

なお、これらのジアミン成分は、単独又は組み合わせて用いることができる。   These diamine components can be used alone or in combination.

好ましいジアミン成分としては、溶媒可溶性の観点より、芳香族ジアミンのなかでもエーテル基又はスルホン基をもつジアミン成分が好ましい。このようなジアミンとは、例えば、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホンである。また、アルカリ溶解性の観点よりカルボキシル基をもつジアミンが好ましい。このようなジアミンとは、例えば、3,3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノジフェニルメタンである。また、低反り性の観点よりジアミノシロキサンが好ましい。このようなジアミノシロキサンとしては、例えば、式(5)中のkが5から25であり、Rがプロピレン基であるものが好ましい。 As a preferable diamine component, a diamine component having an ether group or a sulfone group is preferable among aromatic diamines from the viewpoint of solvent solubility. Examples of such diamines include 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, and 4,4′-diaminodiphenylsulfone. In addition, a diamine having a carboxyl group is preferred from the viewpoint of alkali solubility. Such a diamine is, for example, 3,3′-dicarboxy-4,4′-diaminodiphenylmethane. Further, diaminosiloxane is preferred from the viewpoint of low warpage. As such a diaminosiloxane, for example, k in formula (5) is preferably 5 to 25 and R 4 is a propylene group.

テトラカルボン酸二無水物としては、エステル基を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物、脂環式テトラカルボン酸二無水物、脂肪族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。   Examples of the tetracarboxylic dianhydride include an aromatic tetracarboxylic dianhydride having an ester group, an alicyclic tetracarboxylic dianhydride, and an aliphatic tetracarboxylic dianhydride.

芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、3,3’4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、フェナントレン−1,8,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メチルフェニルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェニルジメチルシリル)ベンゼン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p−フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、4,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物が挙げられる。   Examples of aromatic tetracarboxylic dianhydrides include pyromellitic dianhydride, 3,3′4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride. Anhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3- Dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (2 , 3-Dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 3,4,9,10- Perylene tetraca Boronic acid dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-benzophenone tetra Carboxylic dianhydride, 2,3,2 ′, 3′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6- Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetra Carboxylic dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride Thing, 2, 3, 6, 7 Tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,8,9,10-tetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) dimethylsilane dianhydride Bis (3,4-dicarboxyphenyl) methylphenylsilane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) diphenylsilane dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenyldimethylsilyl) ) Benzene dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,3,3-tetramethyldicyclohexane dianhydride, p-phenylenebis (trimellitic acid monoester anhydride) ), 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenyl) Enoxy) phenyl] hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, 4,4-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenyl And sulfide dianhydrides.

また、エステル基を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、1,4−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリテート無水物)、1,3−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリテート無水物)、1,2−(エチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,3−(トリメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,4−(テトラメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,5−(ペンタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,6−(ヘキサメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,7−(ヘプタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,8−(オクタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,9−(ノナメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,10−(デカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,12−(ドデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,16−(ヘキサデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,18−(オクタデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,2−(フェニレン)ビス(トリメリテート無水物)、エチレングリコールビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)が挙げられる。エステル基を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物は、可溶性ポリイミド中にエステル基を導入する際に用いることができる。   Examples of aromatic tetracarboxylic dianhydrides having an ester group include 1,4-bis (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) benzenebis (trimellitate anhydride), 1,3-bis (2-hydroxyhexafluoroisopropyl). ) Benzene bis (trimellitate anhydride), 1,2- (ethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,3- (trimethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,4- (tetramethylene) bis (trimellitate anhydride) ), 1,5- (pentamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,6- (hexamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,7- (heptamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,8 -(Octamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,9- (nonamethylene) bis ( Rimerimate anhydride), 1,10- (decamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,12- (dodecamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,16- (hexadecamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,18- (octadecamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,2- (phenylene) bis (trimellitate anhydride), ethylene glycol bis (trimellitic acid monoester acid anhydride). An aromatic tetracarboxylic dianhydride having an ester group can be used when an ester group is introduced into a soluble polyimide.

脂環式テトラカルボン酸二無水物、脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,5−シクロオクタジエン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、5−カルボキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,6−トリカルボン酸−2,3:5,6−二無水物、1−カルボキシメチル−2,3,5−シクロペンタントリカルボン酸−2,6:3,5−二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、4−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−1,2−ジカルボン酸無水物、デカヒドロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス(エキソ−ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3−ジカルボン酸無水物)スルホンが挙げられる。   Examples of alicyclic tetracarboxylic dianhydrides and aliphatic tetracarboxylic dianhydrides include ethylene tetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride, 1,5-cyclo Octadiene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 5-carboxymethylbicyclo [2.2.1] heptane-2,3,6-tricarboxylic acid-2,3: 5,6-di Anhydride, 1-carboxymethyl-2,3,5-cyclopentanetricarboxylic acid-2,6: 3,5-dianhydride, bicyclo [2.2.2] oct-7-ene-2,3,5 , 6-tetracarboxylic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, tetrahydrofuran-2,3,4 , 5-Tetracarboxylic acid Anhydride, 4- (2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl) -1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, decahydronaphthalene-1,4,5,8 -Tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1, 2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, bis (exo- Bicyclo [2.2.1] heptane-2,3-dicarboxylic anhydride) sulfone.

これらのテトラカルボン酸二無水物成分は、単独又は組み合わせて用いることができる。   These tetracarboxylic dianhydride components can be used alone or in combination.

好ましいテトラカルボン酸二無水物成分としては、溶媒可溶性及び低反り性の観点より、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分のなかでもエーテル基又はエステル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分が好ましい。このようなテトラカルボン酸二無水物とは例えば、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、1,2−(エチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,2−(フェニレン)ビス(トリメリテート無水物)である。   As a preferable tetracarboxylic dianhydride component, a tetracarboxylic dianhydride component having an ether group or an ester group is preferable among aromatic tetracarboxylic dianhydride components from the viewpoint of solvent solubility and low warpage. Examples of such tetracarboxylic dianhydrides include bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, and 1,2- (ethylene). Bis (trimellitic anhydride) and 1,2- (phenylene) bis (trimellitate anhydride).

本発明の可溶性ポリイミドの末端は、性能に影響を与えない構造であれば、特に限定されない。ポリイミドを製造する際に用いる酸二無水物、ジアミンに由来する末端でも良く、その他の酸無水物、アミン化合物などにより末端を封止しても良い。   The terminal of the soluble polyimide of this invention will not be specifically limited if it is a structure which does not affect performance. A terminal derived from an acid dianhydride or diamine used for producing polyimide may be used, or the terminal may be sealed with another acid anhydride or an amine compound.

本発明に係るポリイミドの数平均分子量は、難燃性、ポリイミド含有樹脂組成物の粘度、成型性の観点から、1000以上1000000以下であることが好ましい。ここで、数平均分子量とは、既知の数平均分子量のポリスチレンを標準として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定される分子量をいう。前記分子量は5000以上500000以下がより好ましく、10000以上300000以下がもっとも好ましい。
本発明に係る可溶性ポリイミドの共重合様式は、ブロック構造でもランダム構造でも良い。
The number average molecular weight of the polyimide according to the present invention is preferably from 1,000 to 1,000,000 from the viewpoints of flame retardancy, the viscosity of the polyimide-containing resin composition, and moldability. Here, the number average molecular weight means a molecular weight measured by gel permeation chromatography using polystyrene having a known number average molecular weight as a standard. The molecular weight is more preferably from 5,000 to 500,000, and most preferably from 10,000 to 300,000.
The copolymerization mode of the soluble polyimide according to the present invention may be a block structure or a random structure.

本発明に係る可溶性ポリイミドは、例えば上記ジアミンとテトラカルボン酸二無水物を適当な溶媒中で混合してポリイミド前駆体であるポリアミド酸を合成した後、その反応液を加熱してイミド化することにより得ることができる。カバーレイとした際の低反り性、アルカリ現像性を考慮するとシロキサン骨格、カルボキシル基及び又は水酸基の導入が好ましい。   The soluble polyimide according to the present invention is prepared by, for example, mixing the above diamine and tetracarboxylic dianhydride in a suitable solvent to synthesize a polyamic acid which is a polyimide precursor, and then heating the reaction solution to imidize. Can be obtained. In view of low warpage and alkali developability when used as a coverlay, introduction of a siloxane skeleton, carboxyl group and / or hydroxyl group is preferred.

本発明に係る可溶性ポリイミドは、酸二無水物とジアミンを反応させ、ポリアミド酸を合成した後に、加熱(加熱イミド化)することによって得ることができる。また酸二無水物とジアミンを反応させ、ポリアミド酸を合成し、続いて触媒を添加した後にイミド化(化学的イミド化)させることによっても、得ることができる。この中で、化学的イミド化が、より低温でイミド化を完結できる点で好ましい。   The soluble polyimide according to the present invention can be obtained by reacting an acid dianhydride and a diamine to synthesize a polyamic acid and then heating (heating imidization). It can also be obtained by reacting an acid dianhydride and a diamine to synthesize a polyamic acid and subsequently imidizing (chemical imidization) after adding a catalyst. Among these, chemical imidation is preferable in that imidization can be completed at a lower temperature.

次に、酸二無水物とジアミンを反応させてポリアミド酸を合成する方法について説明し、続いて触媒を添加した後にイミド化させる方法を例にあげて、本発明に係る可溶性ポリイミドの製造条件について説明する。   Next, a method for synthesizing a polyamic acid by reacting an acid dianhydride and a diamine will be described, followed by an example of a method of imidizing after adding a catalyst, and the production conditions of the soluble polyimide according to the present invention explain.

ポリアミド酸を製造する方法は特に限定されず、公知の方法を適用することができる。より具体的には、以下の方法により得られる。まずジアミンを重合溶媒に溶解及び/又は分散し、これに酸二無水物粉末を徐々に添加し、メカニカルスターラーを用い、0.5〜96時間好ましくは0.5〜30時間攪拌する。この際モノマー濃度は、0.5質量%以上95質量%以下、好ましくは1質量%以上90質量%以下である。このモノマー濃度範囲で重合を行うことにより、ポリアミド酸溶液を得ることができる。   The method for producing the polyamic acid is not particularly limited, and a known method can be applied. More specifically, it is obtained by the following method. First, diamine is dissolved and / or dispersed in a polymerization solvent, acid dianhydride powder is gradually added thereto, and the mixture is stirred for 0.5 to 96 hours, preferably 0.5 to 30 hours using a mechanical stirrer. In this case, the monomer concentration is 0.5% by mass or more and 95% by mass or less, preferably 1% by mass or more and 90% by mass or less. By performing polymerization in this monomer concentration range, a polyamic acid solution can be obtained.

前記ポリアミド酸の製造の際に使用される反応溶媒としては、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテルのような炭素数2以上6以下のエーテル化合物;アセトン、メチルエチルケトンのような炭素数2以上6以下のケトン化合物;ノルマルペンタン、シクロペンタン、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカリンのような炭素数5以上10以下の飽和炭化水素化合物;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリンのような炭素数6以上10以下の芳香族炭化水素化合物;酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトンのような炭素数3以上6以下のエステル化合物;クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタンのような炭素数1以上10以下の含ハロゲン化合物;アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンのような炭素数2以上10以下の含窒素化合物;ジメチルスルホキシドのような含硫黄化合物が挙げられる。これらは必要に応じて1種、あるいは2種以上の混合物であっても良い。特に好ましい溶媒としては、炭素数3以上6以下のエステル化合物、炭素数6以上10以下の芳香族炭化水素化合物、炭素数2以上10以下の含窒素化合物が挙げられる。これらは工業的な生産性、次反応への影響などを考慮して任意に選択可能である。   Examples of the reaction solvent used in the production of the polyamic acid include ether compounds having 2 to 6 carbon atoms such as dimethyl ether, diethyl ether, methyl ethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, and ethylene glycol dimethyl ether; acetone, methyl ethyl ketone, and the like. Ketone compounds having 2 to 6 carbon atoms; saturated hydrocarbon compounds having 5 to 10 carbon atoms such as normal pentane, cyclopentane, normal hexane, cyclohexane, methylcyclohexane and decalin; benzene, toluene, xylene, mesitylene, tetralin Aromatic hydrocarbon compounds having 6 to 10 carbon atoms such as: ester compounds having 3 to 6 carbon atoms such as methyl acetate, ethyl acetate, and γ-butyrolactone; chloroform, methylene chloride, 1, 2 Halogen-containing compounds having 1 to 10 carbon atoms such as dichloroethane; nitrogen-containing compounds having 2 to 10 carbon atoms such as acetonitrile, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone Compound; Sulfur-containing compounds such as dimethyl sulfoxide are exemplified. These may be one kind or a mixture of two or more kinds as necessary. Particularly preferable solvents include ester compounds having 3 to 6 carbon atoms, aromatic hydrocarbon compounds having 6 to 10 carbon atoms, and nitrogen-containing compounds having 2 to 10 carbon atoms. These can be arbitrarily selected in consideration of industrial productivity and influence on the next reaction.

ポリアミド酸製造の際の反応温度は、0℃以上250℃以下が好ましい。0℃以上あれば反応が開始され、また250℃以下であれば副反応などの影響が無い。好ましくは15℃以上220℃以下、さらに好ましくは20℃以上200℃以下である。   The reaction temperature for producing the polyamic acid is preferably 0 ° C. or higher and 250 ° C. or lower. If it is 0 degreeC or more, reaction will be started, and if it is 250 degrees C or less, there will be no influence of a side reaction. Preferably they are 15 degreeC or more and 220 degrees C or less, More preferably, they are 20 degreeC or more and 200 degrees C or less.

ポリアミド酸の反応に要する時間は、目的あるいは反応条件によって異なるが、通常は96時間以内であり、特に好適には30分から30時間の範囲で実施される。   The time required for the reaction of the polyamic acid varies depending on the purpose or reaction conditions, but is usually within 96 hours, and particularly preferably 30 minutes to 30 hours.

次に、ポリアミド酸に触媒を添加し(化学的)イミド化し、本発明に係る可溶性ポリイミドを得る方法について説明する。   Next, a method of obtaining a soluble polyimide according to the present invention by adding a catalyst to polyamic acid (chemically) to imidize will be described.

本発明に係る可溶性ポリイミドを製造する際のイミド化触媒は特に制限されないが、無水酢酸のような酸無水物、γ−バレロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−テトロン酸、γ−フタリド、γ−クマリン、γ−フタリド酸のようなラクトン化合物、ピリジン、キノリン、N−メチルモルホリン、トリエチルアミンのような三級アミンのなどが挙げられる。また、必要に応じて1種、あるいは2種以上の混合物であっても良い。この中でも特に、反応性の高さの観点からγ−バレロラクトンとピリジンの混合系が特に好ましい。   The imidization catalyst for producing the soluble polyimide according to the present invention is not particularly limited, but an acid anhydride such as acetic anhydride, γ-valerolactone, γ-butyrolactone, γ-tetronic acid, γ-phthalide, γ-coumarin. , Lactone compounds such as γ-phthalidic acid, pyridine, quinoline, N-methylmorpholine, tertiary amines such as triethylamine, and the like. Moreover, 1 type or 2 or more types of mixtures may be sufficient as needed. Among these, a mixed system of γ-valerolactone and pyridine is particularly preferable from the viewpoint of high reactivity.

イミド化触媒の添加量は、ポリアミド酸を100質量部とすると、50質量部以下が好ましく、30質量部以下がより好ましい。   The amount of the imidization catalyst added is preferably 50 parts by mass or less, and more preferably 30 parts by mass or less when the polyamic acid is 100 parts by mass.

反応溶媒としては、ポリアミド酸の製造に使用したものと同じものを用いることができる。その場合、ポリアミド酸溶液をそのまま用いることができる。また、ポリアミド酸の製造に用いたものと異なる溶媒を用いても良い。   As the reaction solvent, the same solvent as used for the production of polyamic acid can be used. In that case, the polyamic acid solution can be used as it is. Moreover, you may use the solvent different from what was used for manufacture of a polyamic acid.

反応溶媒としては、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテルのような炭素数2以上6以下のエーテル化合物;アセトン、メチルエチルケトンのような炭素数2以上6以下のケトン化合物;ノルマルペンタン、シクロペンタン、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカリンのような炭素数5以上10以下の飽和炭化水素化合物;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリンのような炭素数6以上10以下の芳香族炭化水素化合物;酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトンのような炭素数3以上6以下のエステル化合物;クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタンのような炭素数1以上10以下の含ハロゲン化合物;アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンのような炭素数2以上10以下の含窒素化合物;ジメチルスルホキシドのような含硫黄化合物が挙げられる。必要に応じて1種、あるいは2種以上の混合物であっても良い。   Examples of the reaction solvent include ether compounds having 2 to 6 carbon atoms such as dimethyl ether, diethyl ether, methyl ethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, and ethylene glycol dimethyl ether; ketones having 2 to 6 carbon atoms such as acetone and methyl ethyl ketone. Compound: saturated hydrocarbon compound having 5 to 10 carbon atoms such as normal pentane, cyclopentane, normal hexane, cyclohexane, methylcyclohexane, decalin; 6 to 10 carbon atoms such as benzene, toluene, xylene, mesitylene and tetralin Aromatic hydrocarbon compounds; ester compounds having 3 to 6 carbon atoms such as methyl acetate, ethyl acetate, and γ-butyrolactone; carbon numbers such as chloroform, methylene chloride, and 1,2-dichloroethane A halogen-containing compound having 10 to 10 carbon atoms; a nitrogen-containing compound having 2 to 10 carbon atoms such as acetonitrile, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone; like dimethyl sulfoxide A sulfur-containing compound is mentioned. If necessary, one kind or a mixture of two or more kinds may be used.

特に好ましい溶媒としては炭素数3以上6以下のエステル化合物、炭素数6以上10以下の芳香族炭化水素化合物、炭素数2以上10以下の含窒素化合物が挙げられる。これらは工業的な生産性、次反応への影響などを考慮して任意に選択可能である。   Particularly preferable solvents include ester compounds having 3 to 6 carbon atoms, aromatic hydrocarbon compounds having 6 to 10 carbon atoms, and nitrogen-containing compounds having 2 to 10 carbon atoms. These can be arbitrarily selected in consideration of industrial productivity and influence on the next reaction.

本発明に係る可溶性ポリイミドの製造においては、反応温度は15℃以上250℃以下で実施することが好ましい。15℃以上あれば反応が開始され、また250℃以下であれば触媒の失活が無い。好ましくは20℃以上220℃以下、さらに好ましくは20℃以上200℃以下である。   In the production of the soluble polyimide according to the present invention, the reaction temperature is preferably 15 ° C. or more and 250 ° C. or less. If it is 15 degreeC or more, reaction will be started, and if it is 250 degrees C or less, there will be no deactivation of a catalyst. Preferably they are 20 degreeC or more and 220 degrees C or less, More preferably, they are 20 degreeC or more and 200 degrees C or less.

反応に要する時間は、目的あるいは反応条件によって異なるが、通常は96時間以内であり、特に好適には30分から30時間の範囲で実施される。   The time required for the reaction varies depending on the purpose or reaction conditions, but is usually within 96 hours, particularly preferably in the range of 30 minutes to 30 hours.

イミド化反応に伴い生成する水は、水と共沸する溶剤、例えばトルエンやキシレンと共に反応系外に取り除くことができる。   The water produced by the imidation reaction can be removed from the reaction system together with a solvent azeotropic with water, such as toluene and xylene.

得られた反応液はそのままポリイミドワニスとして本発明の感光性樹脂組成物の調合に用いることができる。   The obtained reaction liquid can be used as it is for preparing the photosensitive resin composition of the present invention as a polyimide varnish.

また製造終了後にポリイミドを回収する場合は、反応溶液中の溶媒を減圧留去することで行うことができる。   Moreover, when recovering a polyimide after completion | finish of manufacture, it can carry out by depressurizingly distilling the solvent in a reaction solution.

ポリイミドを精製する場合は、ポリイミドの精製方法として、反応溶液中の不溶解な酸二無水物及びジアミンが残る場合、それらを減圧濾過、加圧濾過などで除去する方法が挙げられる。また、反応溶液を貧溶媒に加え析出させる、いわゆる再沈精製法を実施することができる。更に特別に高純度なポリイミドが必要な場合は、二酸化炭素超臨界法による抽出法も可能である。回収もしくは精製したポリイミドを用いても、前記可溶性ポリイミドが均一に溶解及び/又は分散し得る溶媒とを含む樹脂組成物を得ることができる。   When purifying polyimide, as a method for purifying polyimide, when insoluble acid dianhydride and diamine remain in the reaction solution, a method of removing them by vacuum filtration, pressure filtration or the like can be mentioned. In addition, a so-called reprecipitation purification method in which the reaction solution is precipitated by adding it to a poor solvent can be carried out. Furthermore, when a particularly high-purity polyimide is required, an extraction method using a carbon dioxide supercritical method is also possible. Even when the recovered or purified polyimide is used, a resin composition containing a solvent in which the soluble polyimide can be uniformly dissolved and / or dispersed can be obtained.

ポリイミドを含有する樹脂組成物を構成する溶媒は、本発明に係る可溶性ポリイミドを均一に溶解及び/又は分散させ得るものであれば限定されない。このような溶媒として、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルアセテートのような炭素数2以上6以下のエーテル化合物;アセトン、メチルエチルケトンのような炭素数2以上6以下のケトン化合物;ノルマルペンタン、シクロペンタン、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカリンのような炭素数5以上10以下の飽和炭化水素化合物;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリンのような炭素数6以上10以下の芳香族炭化水素化合物;酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトンのような炭素数3以上6以下のエステル化合物;クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタンのような炭素数1以上10以下の含塩素化合物;アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンのような炭素数2以上10以下の含窒素化合物;ジメチルスルホキシドのような含硫黄化合物などが挙げられる。また、必要に応じて、1種、あるいは2種以上の混合物であっても良い。ポリイミドの溶解性の観点から、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドが好ましい。   The solvent which comprises the resin composition containing a polyimide will not be limited if the soluble polyimide which concerns on this invention can be melt | dissolved and / or disperse | distributed uniformly. Examples of such solvents include ether compounds having 2 to 6 carbon atoms such as dimethyl ether, diethyl ether, methyl ethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, and propylene glycol monomethyl acetate; 2 or more carbon atoms such as acetone and methyl ethyl ketone. 6 or less ketone compounds; saturated hydrocarbon compounds having 5 to 10 carbon atoms such as normal pentane, cyclopentane, normal hexane, cyclohexane, methylcyclohexane and decalin; carbon numbers such as benzene, toluene, xylene, mesitylene and tetralin Aromatic hydrocarbon compound having 6 to 10 carbon atoms; ester compound having 3 to 6 carbon atoms such as methyl acetate, ethyl acetate, and γ-butyrolactone; chloroform, methylene chloride Chlorine-containing compounds having 1 to 10 carbon atoms such as 1,2-dichloroethane; 2 to 10 carbon atoms such as acetonitrile, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone Examples thereof include the following nitrogen-containing compounds; sulfur-containing compounds such as dimethyl sulfoxide. Moreover, 1 type or 2 or more types of mixtures may be sufficient as needed. From the viewpoint of the solubility of the polyimide, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylformamide, and N, N-dimethylacetamide are preferable.

可溶性ポリイミドと溶媒とからなる樹脂組成物における可溶性ポリイミドの濃度は、樹脂成型体が製造される濃度であれば、特に制限されない。作製する樹脂成型体の膜厚の観点からポリイミドの濃度が1質量%以上、樹脂成型体の膜厚の均一性から可溶性ポリイミドの濃度が90質量%以下であることが好ましい。得られる樹脂成型体の膜厚の観点から、2質量%以上80質量%以下がより好ましい。   The density | concentration of the soluble polyimide in the resin composition which consists of a soluble polyimide and a solvent will not be restrict | limited especially if the resin molding is a density | concentration manufactured. It is preferable that the concentration of polyimide is 1% by mass or more from the viewpoint of the film thickness of the resin molded body to be produced, and the concentration of soluble polyimide is 90% by mass or less from the uniformity of the film thickness of the resin molded body. From the viewpoint of the film thickness of the obtained resin molded body, it is more preferably 2% by mass or more and 80% by mass or less.

次に(B)成分について説明する。
本発明で使用される感光剤としては、光照射により構造が変化し、溶媒に対する溶解性が変化するものなどが挙げられる。このような化合物としては、キノンジアジド構造を含有する化合物などが挙げられる。
Next, the component (B) will be described.
Examples of the photosensitive agent used in the present invention include those whose structure changes due to light irradiation and whose solubility in a solvent changes. Examples of such a compound include compounds containing a quinonediazide structure.

キノンジアジド化合物としては、例えば、1,2−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル類、1,2−ベンゾキノンジアジドスルホン酸アミド類、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類が挙げられる。この中で、溶解抑止能の観点から、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類が好ましい。   Examples of the quinone diazide compound include 1,2-benzoquinone diazide sulfonic acid esters, 1,2-benzoquinone diazide sulfonic acid amides, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid amides. Is mentioned. Among these, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters are preferable from the viewpoint of dissolution inhibiting ability.

1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとしては、スルホン酸基の置換位置が4位の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルと5位の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルがあり、いずれを用いても良いが、低反り性の観点から1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルが好ましい。   As 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester at the 4-position of the sulfonic acid group and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid ester at the 5-position Any of these may be used, but 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester is preferred from the viewpoint of low warpage.

1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは、フェノール性水酸基を有する化合物を原料として用い、スルホン酸でエステル化して得ることができる。例えば、フェノール性水酸基の官能基数1molに対して1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸もしくはその酸塩化物もしくはそのスルホン酸塩、又は5位の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸もしくはその酸塩化物もしくはそのスルホン酸塩を、アセトンなど適当な溶剤中で混合することによって得ることができる。このとき、トリエチルアミンなど塩基性の触媒を用いても良い。スルホン酸によるエステル化率としては、0.60以上0.98以下が溶解抑止能と露光後のアルカリ溶解性の観点から好ましい。   1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester can be obtained by esterifying with sulfonic acid using a compound having a phenolic hydroxyl group as a raw material. For example, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid or its acid chloride or its sulfonate, or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid at the 5-position or 1 mol of the functional group of the phenolic hydroxyl group The acid chloride or its sulfonate can be obtained by mixing in a suitable solvent such as acetone. At this time, a basic catalyst such as triethylamine may be used. The esterification rate with sulfonic acid is preferably 0.60 or more and 0.98 or less from the viewpoint of dissolution inhibiting ability and alkali solubility after exposure.

1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類としては、1官能フェノール類、2官能フェノール類、トリヒドロキシベンゾフェノン類、テトラヒドロキシベンゾフェノン類、ペンタヒドロキシベンゾフェノン類、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン類、(ポリヒドロキシフェニル)アルカン類の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類が挙げられる。   Examples of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid esters include monofunctional phenols, bifunctional phenols, trihydroxybenzophenones, tetrahydroxybenzophenones, pentahydroxybenzophenones, hexahydroxybenzophenones, and (polyhydroxyphenyl) alkanes. 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters.

1官能フェノール類の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類としては、フェニル−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、フェニル−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、o−メチルフェニル−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、o−メチルフェニル−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、m−メチルフェニル−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、m−メチルフェニル−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、p−メチルフェニル−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、p−メチルフェニル−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、などが挙げられる。   Monofunctional phenols such as 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters include phenyl-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, phenyl-1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid ester, o- Methylphenyl-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, o-methylphenyl-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, m-methylphenyl-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid Ester, m-methylphenyl-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, p-methylphenyl-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, p-methylphenyl-1,2-naphthoquinonediazide- 5-sulfonic acid ester, etc.

2官能フェノール類の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類としては、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2’−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2’−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどが挙げられる。   As 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters of bifunctional phenols, 4,4′-dihydroxydiphenyl sulfone-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, 4,4′-dihydroxydiphenyl sulfone-1 , 2-Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 4,4′-dihydroxydiphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 4,4′-dihydroxydiphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5 Sulfonic acid ester, 2,2 '-(4-hydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2'-(4-hydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide- 5-sulfonic acid ester etc. are mentioned.

トリヒドロキシベンゾフェノン類の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類としては、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどが挙げられる。   Examples of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters of trihydroxybenzophenones include 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4-trihydroxybenzophenone -1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,4,6-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,4,6-trihydroxybenzophenone-1,2 -Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester etc. are mentioned.

テトラヒドロキシベンゾフェノン類の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類としては、2,2’,4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2’,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2’,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,2’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,2’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどが挙げられる。   Examples of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters of tetrahydroxybenzophenones include 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2 ′, 4,3′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2 , 2 ′, 4,3′-Tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid Ester, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone -1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,2′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,2′-tetra Hydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3 4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and the like.

ペンタヒドロキシベンゾフェノン類の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類としては、2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどが挙げられる。   Examples of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters of pentahydroxybenzophenones include 2,3,4,2 ′, 6′-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, 2,3 , 4,2 ′, 6′-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and the like.

ヘキサヒドロキシベンゾフェノン類の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類としては、2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどが挙げられる。   Examples of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters of hexahydroxybenzophenones include 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone -1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, and the like.

(ポリヒドロキシフェニル)アルカン類の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類としては、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2’−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2’−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘキサノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘキサノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどが挙げられる。   Examples of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters of (polyhydroxyphenyl) alkanes include bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,4 -Dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, bis (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (p-hydroxyphenyl) methane- 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,1,1-tri (p -Hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-s Phosphonate, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonate, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane-1,2-naphtho Quinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2′-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2′-bis (2,3 , 4-Trihydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane-1,2 -Naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3- Phenylpropane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol-1, 2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol-1,2-naphthoquinonediazide— 5-sulfonic acid ester, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxy) Phenyl) -2-hydroxyphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester 3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindene-5,6,7,5 ′, 6 ′, 7′-hexanol-1,2-naphthoquinonediazide-4- Sulfonic acid ester, 3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindene-5,6,7,5 ′, 6 ′, 7′-hexanol-1,2-naphthoquinonediazide— 5-sulfonic acid ester, 2,2,4-trimethyl-7,2 ′, 4′-trihydroxyflavan-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2,4-trimethyl-7,2 Examples include ', 4'-trihydroxyflavan-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester.

(B)成分としては、低そり性、現像性を考慮すると、式(6)で示される化合物が好ましい。

Figure 2009276526
(式中Qはそれぞれ独立に水素又は式(7)又は式(8)から選ばれる1価の有機基である。ただし、複数のQのうち少なくとも一つは式(7)又は式(8)から選ばれる有機基である。)
Figure 2009276526
Figure 2009276526
As the component (B), a compound represented by the formula (6) is preferable in consideration of low warpage and developability.
Figure 2009276526
(In the formula, each Q is independently hydrogen or a monovalent organic group selected from the formula (7) or the formula (8). However, at least one of the plural Qs is the formula (7) or the formula (8). An organic group selected from
Figure 2009276526
Figure 2009276526

(B)成分は、(A)成分100質量部に対して15質量部以上30質量部以下であることが好ましい。この範囲において、難燃性及び感光性が良好である。   The component (B) is preferably 15 parts by mass or more and 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the component (A). In this range, flame retardancy and photosensitivity are good.

次に(C)成分について説明する。
(C)成分は式(1)で示される、エチレングリコール鎖及び/又はプロピレングリコール鎖を含む有機基を有しイソシアヌル酸環有する化合物である。このような化合物でも式(2)に示す特定のRを有する化合物が、難燃性と低反り性の観点より好ましい。

Figure 2009276526
(式中Rはエチレングリコール鎖及び/又はプロピレングリコール鎖を含む有機基である。複数のRはそれぞれ同一でも異なっていても良い。)
Figure 2009276526
(式中Rは下記式(3)又は式(4)に示される有機基であり、RはH、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基から選ばれる有機基である。nは1から10であり、mは1又は2であり、Lは1から10である。) Next, the component (C) will be described.
Component (C) is a compound represented by formula (1) having an organic group containing an ethylene glycol chain and / or a propylene glycol chain and an isocyanuric acid ring. Even such a compound is preferably a compound having a specific R 1 represented by the formula (2) from the viewpoint of flame retardancy and low warpage.
Figure 2009276526
(In the formula, R 1 is an organic group containing an ethylene glycol chain and / or a propylene glycol chain. The plurality of R 1 may be the same or different.)
Figure 2009276526
(Wherein R 2 is an organic group represented by the following formula (3) or formula (4), and R 3 is an organic group selected from H, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, and isobutyl group) N is 1 to 10, m is 1 or 2, and L is 1 to 10.)

nは1から10の数である。分布がある場合はその平均値を表す。nが大きいほど可塑化効果が高く低反りが発現しやすくなる。Lは1から10の数である。分布がある場合はその平均値を表す。Lが大きいほどアルカリ現像液への溶解性が高くなり、Lが小さいほどアルカリ現像液への溶解抑止能が高くなる。mは1から2の数である。分布がある場合はその平均値を表す。mが1に近いほうが低反り効果が高い。   n is a number from 1 to 10. If there is a distribution, it represents the average value. As n is larger, the plasticizing effect is higher and low warpage is more likely to occur. L is a number from 1 to 10. If there is a distribution, it represents the average value. The larger L is, the higher the solubility in an alkaline developer is, and the smaller L is, the higher the ability to inhibit dissolution in an alkaline developer. m is a number from 1 to 2. If there is a distribution, it represents the average value. When m is close to 1, the low warping effect is high.

は式(3)又は式(4)に示される有機基であり、柔軟性の観点より式(3)が好ましい。RはHである場合アルカリ溶解性高く、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基などアルキル基になるとアルカリ溶解抑止効果が発現する。

Figure 2009276526
Figure 2009276526
R 2 is an organic group represented by Formula (3) or Formula (4), and Formula (3) is preferable from the viewpoint of flexibility. When R 3 is H, the alkali solubility is high, and when it becomes an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, or an isobutyl group, an alkali dissolution inhibiting effect is exhibited.
Figure 2009276526
Figure 2009276526

これらを考慮するとnは2から8が好ましく、Lは2から8が好ましく、mは1から1.5が好ましく、Rは式(3)が好ましく、Rはメチル基が好ましい。 Considering these, n is preferably 2 to 8, L is preferably 2 to 8, m is preferably 1 to 1.5, R 2 is preferably formula (3), and R 3 is preferably a methyl group.

また式(1)に示される化合物中に複数あるRはそれぞれ同じでも異なっていても良い。例えば式(2)中のn、m、L、R、Rがそれぞれ異なるRを同一分子内に有していても良い。また式(1)に示される化合物を複数併用しても良い。 A plurality of R 1 s in the compound represented by formula (1) may be the same or different. For example, n, m, L, R 2 and R 3 in formula (2) may have different R 1 s in the same molecule. A plurality of compounds represented by formula (1) may be used in combination.

好ましい(C)成分としては、例えばRに式(9)に示される構造を持つ化合物が挙げられる。

Figure 2009276526
(式中n’は2から8であり、L’は2から8である。) Preferred examples of the component (C) include compounds having a structure represented by the formula (9) for R 1 .
Figure 2009276526
(Where n ′ is from 2 to 8, and L ′ is from 2 to 8.)

(C)成分は、(A)成分100質量部に対して2質量部以上20質量部以下であることが好ましい。さらに好ましくは3質量部以上10質量部以下である。この範囲において、難燃性及び低反り性が良好である。   (C) It is preferable that a component is 2 to 20 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component. More preferably, they are 3 to 10 mass parts. In this range, flame retardancy and low warpage are good.

次に(D)成分について説明する。
本発明の感光性樹脂組成物は(D)成分の添加によって更に難燃性を高めることができる。(D)成分はリン系の難燃剤が好ましく、なかでもリン酸エステル化合物及び、又はホスファゼン化合物が、該組成物の柔軟性、屈曲性の観点より好ましい。リン酸エステル化合物もしくはホスファゼン化合物の中でも、耐熱安定性の観点より環状ホスファゼン化合物が更に好ましい。
Next, the component (D) will be described.
The photosensitive resin composition of the present invention can be further improved in flame retardancy by adding component (D). The component (D) is preferably a phosphorus-based flame retardant, and among them, a phosphate ester compound and / or a phosphazene compound are preferable from the viewpoint of flexibility and flexibility of the composition. Among the phosphate ester compounds or phosphazene compounds, cyclic phosphazene compounds are more preferable from the viewpoint of heat stability.

リン酸エステル化合物としては芳香族リン酸エステル、アルキルリン酸エステル又はアルコキシリン酸エステルが好ましい。   As the phosphate ester compound, an aromatic phosphate ester, an alkyl phosphate ester or an alkoxy phosphate ester is preferable.

芳香族リン酸エステルとしては、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、トリイソプロピルフェニルホスフェート、レゾルシノールビス(ジフェニルホスフェート)(以下、「RDP」ともいう。)などが挙げられる。   Examples of the aromatic phosphate include triphenyl phosphate, tricresyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, triisopropylphenyl phosphate, resorcinol bis (diphenyl phosphate) (hereinafter also referred to as “RDP”), and the like.

アルキルリン酸エステルとしては、例えば、トリエチルホスフェート、トリプロピルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリイソブチルホスフェート(以下、「TIBP」ともいう。)、などが挙げられる。   Examples of the alkyl phosphate ester include triethyl phosphate, tripropyl phosphate, tributyl phosphate, triisobutyl phosphate (hereinafter also referred to as “TIBP”), and the like.

アルコキシリン酸エステルとしてはトリス(ブトキシエチル)ホスフェート、トリス(ブトキシブチル)ホスフェート(以下、「TBXP」ともいう。)、トリス(2−エチルヘキシル)ホスフェートなどが挙げられる。   Examples of the alkoxyphosphate include tris (butoxyethyl) phosphate, tris (butoxybutyl) phosphate (hereinafter also referred to as “TBXP”), tris (2-ethylhexyl) phosphate, and the like.

ホスファゼン化合物としては、耐熱安定性の観点より環状化合物が好ましい。例えば式(10)で示される化合物の中から選ばれる化合物が好ましい。

Figure 2009276526
(式中、xはそれぞれ3から5の数である。)
これらの(D)成分は単独又は組み合わせて用いることができる。 As the phosphazene compound, a cyclic compound is preferable from the viewpoint of heat stability. For example, a compound selected from the compounds represented by formula (10) is preferable.
Figure 2009276526
(Wherein x is a number from 3 to 5, respectively)
These components (D) can be used alone or in combination.

本発明の感光性樹脂組成物には、本発明の効果を逸脱しない量的、質的範囲内で、既に公知である添加剤を必要に応じて添加することができる。具体的に添加剤としては、密着性向上剤、界面活性剤、酸化防止剤、紫外線防止剤、光安定剤、可塑剤、ワックス類、充填剤、顔料、染料、発泡剤、消泡剤、脱水剤、帯電防止剤、抗菌剤、防カビ剤、レベリング剤、分散剤、エチレン性不飽和化合物などが挙げられる。   In the photosensitive resin composition of the present invention, additives that are already known can be added as necessary within a quantitative and qualitative range that does not depart from the effects of the present invention. Specific additives include adhesion improvers, surfactants, antioxidants, UV inhibitors, light stabilizers, plasticizers, waxes, fillers, pigments, dyes, foaming agents, antifoaming agents, dehydration Agents, antistatic agents, antibacterial agents, antifungal agents, leveling agents, dispersants, ethylenically unsaturated compounds and the like.

密着性向上剤としては、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、スルフィド化合物が挙げられるが、好ましくは2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、イミダゾールシランなどのケイ素含有イミダゾールが挙げられる。イミダゾールシランとしては例えば、日鉱金属株式会社製のIM−1000が好ましい。   Examples of the adhesion improver include imidazole compounds, triazole compounds, tetrazole compounds, and sulfide compounds, preferably 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, and 2-ethyl-4-methylimidazole. 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1 Examples include silicon-containing imidazoles such as -cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and imidazolesilane. As the imidazole silane, for example, IM-1000 manufactured by Nikko Metal Co., Ltd. is preferable.

本発明の感光性樹脂組成物は感光性フィルム又は感光性インクに好適に用いることができる。感光性フィルム又は感光性インクを製造するという観点からは、感光性樹脂組成物における可溶性ポリイミドの濃度は、1質量%以上90質量%以下が好ましい。可溶性ポリイミドの濃度は、カバーレイとした際のカバーレイ膜厚の観点から1質量%以上が好ましく、感光性樹脂組成物の粘度、膜厚の均一性の観点から90質量%以下が好ましい。得られるカバーレイ膜厚の観点から、2質量%以上80質量%以下がより好ましい。   The photosensitive resin composition of the present invention can be suitably used for a photosensitive film or a photosensitive ink. From the viewpoint of producing a photosensitive film or photosensitive ink, the concentration of soluble polyimide in the photosensitive resin composition is preferably 1% by mass or more and 90% by mass or less. The concentration of the soluble polyimide is preferably 1% by mass or more from the viewpoint of the coverlay film thickness when used as a coverlay, and preferably 90% by mass or less from the viewpoint of the viscosity and film thickness uniformity of the photosensitive resin composition. From the viewpoint of the coverlay film thickness to be obtained, 2% by mass or more and 80% by mass or less is more preferable.

本発明の感光性樹脂組成物は感光性フィルムに好適に用いることができる。
まず、本発明に係る感光性樹脂組成物を基材にコートし感光性ドライフィルムを作成する。前記基材としては、感光性ドライフィルム形成の際に損傷しない基材であれば、限定されない。このような基材はキャリアフィルムとして用いられる。キャリアフィルムとしては、耐熱性樹脂、ポリエチレンテレフタレートフィルムや金属フィルムが挙げられる。取扱いの良さから、耐熱性樹脂及び、基板圧着後の剥離性の観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましい。
The photosensitive resin composition of this invention can be used suitably for a photosensitive film.
First, the photosensitive resin composition according to the present invention is coated on a substrate to prepare a photosensitive dry film. The substrate is not limited as long as it is a substrate that is not damaged during the formation of the photosensitive dry film. Such a substrate is used as a carrier film. Examples of the carrier film include a heat resistant resin, a polyethylene terephthalate film, and a metal film. From the viewpoint of easy handling, a polyethylene terephthalate film is particularly preferable from the viewpoint of heat resistance resin and releasability after pressure bonding to the substrate.

コート方法としては、バーコート、ローラーコート、ダイコート、ブレードコート、ディップコート、ドクターナイフ、スプレーコート、フローコート、スピンコート、スリットコート、はけ塗り、などが例示できる。コート後、必要に応じてオーブン、ホットプレートなどにより加熱処理を行い、溶剤を乾燥させ、キャリアフィルムと感光性フィルムとを有する積層フィルムとする。   Examples of the coating method include bar coating, roller coating, die coating, blade coating, dip coating, doctor knife, spray coating, flow coating, spin coating, slit coating, and brush coating. After coating, if necessary, heat treatment is performed with an oven, a hot plate, etc., and the solvent is dried to form a laminated film having a carrier film and a photosensitive film.

また、感光性フィルム上に、任意の防汚用や保護用のカバーフィルムを少なくとも一層設けて積層フィルムとしても良い。本発明に係る積層フィルムにおいて、カバーフィルムとしては、低密度ポリエチレンなどが挙げられる。   Moreover, it is good also as a laminated | multilayer film by providing at least one layer of arbitrary antifouling and protective cover films on a photosensitive film. In the laminated film according to the present invention, examples of the cover film include low density polyethylene.

次いで、本発明の感光性ドライフィルムを、配線を有する基材に、前記配線を覆うように圧着し、任意の基材上にカバーレイを形成することができる。   Next, the photosensitive dry film of the present invention can be pressure-bonded to a substrate having wiring so as to cover the wiring, thereby forming a coverlay on an arbitrary substrate.

本発明の感光性樹脂組成物は感光性インクに好適に用いることができる。感光性インクとして用いる場合は、任意の基材上にスクリーン印刷にて塗布後乾燥して任意の基材上にカバーレイ形成する事ができる。スクリーン印刷法とは公知の印刷法で、パターンを形成したスクリーン上にスキージ等を用いてインクを通過させて印刷する方法である。   The photosensitive resin composition of this invention can be used suitably for photosensitive ink. When used as a photosensitive ink, a coverlay can be formed on an arbitrary base material by applying it by screen printing on an arbitrary base material and then drying it. The screen printing method is a known printing method in which ink is passed through a screen on which a pattern is formed using a squeegee or the like.

上記方法によって形成された任意の基材上に形成されたカバーレイは、少なくとも露光、アルカリ現像の工程を経て、焼成などの処理が施される。   The cover lay formed on the arbitrary base material formed by the above method is subjected to a treatment such as baking through at least exposure and alkali development steps.

本発明に係るプリント配線板における配線を有する任意の基材としては、ガラスエポキシ基板、ガラスマレイミド基板などのような硬質基材、あるいはポリイミドフィルムなどのフレキシブルな基板などが挙げられる。この中で、折り曲げ可能の観点からフレキシブルな基板が好ましい。   Examples of an arbitrary base material having wiring in the printed wiring board according to the present invention include a hard base material such as a glass epoxy substrate and a glass maleimide substrate, or a flexible substrate such as a polyimide film. Among these, a flexible substrate is preferable from the viewpoint of bendability.

カバーレイの形成方法としては、感光性フィルムを用いる場合は、前記配線を有する基材の配線側と本発明の感光性フィルムを接触させた状態で、熱プレス、熱ラミネート、熱真空プレス、熱真空ラミネートなどを行う方法などが挙げられる。この中で、配線間への感光性フィルムの埋め込みの観点から、熱真空プレス、熱真空ラミネートが好ましい。前記配線を有する基材上に感光性フィルムを積層する際の加熱温度は、感光性フィルムが基材に密着し得る温度であれば限定されない。基材への密着の観点や感光性フィルムの分解や副反応の観点から、30℃以上400℃以下が好ましい。より好ましくは、50℃以上150℃以下である。   As a method for forming the coverlay, when a photosensitive film is used, with the wiring side of the substrate having the wiring and the photosensitive film of the present invention in contact with each other, heat pressing, heat laminating, heat vacuum pressing, heat The method of performing vacuum lamination etc. is mentioned. Among these, from the viewpoint of embedding the photosensitive film between the wirings, a heat vacuum press or a heat vacuum laminate is preferable. The heating temperature when laminating the photosensitive film on the substrate having the wiring is not limited as long as the photosensitive film can be in close contact with the substrate. From the viewpoint of adhesion to the substrate, from the viewpoint of decomposition of the photosensitive film and side reactions, 30 ° C. or more and 400 ° C. or less are preferable. More preferably, it is 50 degreeC or more and 150 degrees C or less.

なお、感光性インクを用いる場合は前述したスクリーン印刷法が好適に用いられる。   In addition, when using photosensitive ink, the screen printing method mentioned above is used suitably.

本発明に係るカバーレイは、光照射後、光照射部位をアルカリ現像にて溶解することにより、ポジ型のフォトリソグラフィーが可能である。この場合において、光照射に用いる光源は、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、蛍光灯、タングステンランプ、アルゴンレーザー、ヘリウムカドミウムレーザーなどが挙げられる。この中で、高圧水銀灯、超高圧水銀灯が好ましい。   The cover lay according to the present invention can be subjected to positive photolithography by dissolving the light irradiated portion by alkali development after the light irradiation. In this case, examples of the light source used for light irradiation include a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a low pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, a fluorescent lamp, a tungsten lamp, an argon laser, and a helium cadmium laser. Among these, a high pressure mercury lamp and an ultrahigh pressure mercury lamp are preferable.

現像に用いるアルカリ水溶液としては、光照射部位を溶解し得る溶液であれば限定されない。このような溶液として、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液などが挙げられる。現像性の観点から、炭酸ナトリウム水溶液及び水酸化ナトリウム水溶液が好ましい。現像方法としては、スプレー現像、浸漬現像、パドル現像などが挙げられる。   The aqueous alkali solution used for development is not limited as long as it is a solution capable of dissolving the light irradiation site. Examples of such a solution include a sodium carbonate aqueous solution, a potassium carbonate aqueous solution, a sodium hydroxide aqueous solution, a potassium hydroxide aqueous solution, and a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. From the viewpoint of developability, an aqueous sodium carbonate solution and an aqueous sodium hydroxide solution are preferred. Examples of the development method include spray development, immersion development, and paddle development.

本発明に係るカバーレイは、光照射後、アルカリ現像にてポジ型のフォトリソグラフィーを行った後、必要に応じ再度光照射(以下、「後露光」と表記する)を施すことができる。後露光に用いる光源としては、先の光照射と同様のものを用いることができる。本発明に係るカバーレイは、後露光を施すことにより、更に基板の反りやめっき耐性が改善する。   The cover lay according to the present invention can be subjected to light irradiation (hereinafter referred to as “post-exposure”) again if necessary after performing positive photolithography by alkali development after light irradiation. As the light source used for the post-exposure, the same light source as that used in the previous light irradiation can be used. The coverlay according to the present invention is further improved in substrate warpage and plating resistance by post-exposure.

次いで、本発明のカバーレイを形成したプリント配線板を必要に応じて焼成することによりカバーレイを具備するプリント配線板を形成する。焼成は、溶媒の除去の観点や副反応や分解などの観点から、30℃以上400℃以下の温度で実施することが好ましい。より好ましくは、100℃以上300℃以下である。   Next, the printed wiring board on which the cover lay of the present invention is formed is fired as necessary to form a printed wiring board having the cover lay. Firing is preferably performed at a temperature of 30 ° C. or higher and 400 ° C. or lower from the viewpoint of solvent removal, side reaction, decomposition, or the like. More preferably, it is 100 degreeC or more and 300 degrees C or less.

前記焼成における反応雰囲気は、空気雰囲気下でも不活性ガス雰囲気下でも実施可能である。前記プリント配線板の製造において、前記焼成に要する時間は、反応条件によって異なるが、通常は24時間以内であり、特に好適には1時間から8時間の範囲で実施される。   The reaction atmosphere in the firing can be carried out in an air atmosphere or an inert gas atmosphere. In the production of the printed wiring board, the time required for the firing varies depending on the reaction conditions, but is usually within 24 hours, particularly preferably in the range of 1 to 8 hours.

本発明に係る感光性樹脂組成物は、カバーレイとして反りが充分に抑制され、かつ現像性も良好であり、硬化体とした際に耐薬品性を示すことから、エレクトロニクス分野で各種電子機器の操作パネルなどに使用されるプリント配線板や回路基板の保護層形成、積層基板の絶縁層形成、半導体装置に使用されるシリコンウエハ、半導体チップ、半導体装置周辺の部材、半導体搭載用基板、放熱板、リードピン、半導体自身などの保護や絶縁及び接着に使用するための電子部品への膜形成用途に利用される。   The photosensitive resin composition according to the present invention sufficiently suppresses warpage as a coverlay, has good developability, and exhibits chemical resistance when used as a cured product. Protective layer formation for printed wiring boards and circuit boards used for operation panels, etc., insulating layer formation for laminated substrates, silicon wafers used for semiconductor devices, semiconductor chips, semiconductor device peripheral members, semiconductor mounting substrates, heat sinks It is used for film formation on electronic parts for use in protection, insulation and adhesion of lead pins and semiconductors themselves.

次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
<合成例使用試薬>
合成例において、用いた試薬であるシリコーンジアミン(KF−8010)(信越化学工業社製)、3,3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン(以下、「MBAA」ともいう。)(和歌山精化社製)、オキシジフタル酸二無水物(以下、「ODPA」ともいう。)(和光純薬工業社製)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(以下、「APB」ともいう。)(三井化学社製)、エチレングリコールビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)(以下、「TMEG」ともいう。)(新日本理化社製)、1、5−ビス(4−アミノフェノキシ)アルカン(和歌山精化社製)(以下「DA5MG」ともいう。)、トルエン(和光純薬工業社製、有機合成用)、γ−ブチロラクトン(和光純薬工業社製、特級)、ピリジン(和光純薬工業社製、有機合成用)、γ−バレロラクトン(和光純薬工業社製、一級)、は特別な精製を実施せずに反応に用いた。
Next, examples performed for clarifying the effects of the present invention will be described.
<Reagents for synthesis examples>
In the synthesis examples, silicone diamine (KF-8010) (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 3,3′-dicarboxy-4,4′-diaminodiphenylmethane (hereinafter also referred to as “MBAA”), which is the reagent used. Wakayama Seika Co., Ltd.), oxydiphthalic dianhydride (hereinafter also referred to as “ODPA”) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (hereinafter referred to as “APB”) (Mitsui Chemicals Co., Ltd.), ethylene glycol bis (trimellitic acid monoester anhydride) (hereinafter also referred to as “TMEG”) (manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd.), 1,5-bis (4-amino) Phenoxy) alkane (Wakayama Seika Co., Ltd.) (hereinafter also referred to as “DA5MG”), toluene (Wako Pure Chemical Industries, for organic synthesis), γ-butyrolactone (Wako Pure Chemical Industries, special grade), pyri Down (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., for organic synthesis), .gamma.-valerolactone (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., first grade), was used for the reaction without carrying out any special purification.

<配合例使用試薬>
(B)成分として、式(11)にて示される化合物を用いた。これをB−1とする。

Figure 2009276526
(式中、Qの約97%が式(8)でありそれ以外が水素である。) <Reagents for formulation examples>
As the component (B), a compound represented by the formula (11) was used. This is B-1.
Figure 2009276526
(In the formula, about 97% of Q is the formula (8) and the others are hydrogen.)

(C)成分として、式(12)、式(13)に示される化合物を用いた。それぞれC−1、C−2とする。

Figure 2009276526
Figure 2009276526
(C) As a component, the compound shown by Formula (12) and Formula (13) was used. Let C-1 and C-2 respectively.
Figure 2009276526
Figure 2009276526

(D)成分としてTBXP(大八化学社製)、TIBP(味の素ファインテクノ社製)、RDP(味の素ファインテクノ社製)、ラビトルFP−100(伏見製薬社製)、ラビトルFP−300(伏見製薬社製)を用いた。   As component (D), TBXP (manufactured by Daihachi Chemical Co., Ltd.), TIBP (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.), RDP (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.), Ravitor FP-100 (manufactured by Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd.), Ravitor FP-300 (Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd.) Used).

添加剤として、IM−1000(日鉱金属株式会社製)、クレゾールノボラック型エポキシアクリレート(新中村化学工業株式会社製:NKオリゴ EA7420/PGMAC 数平均分子量約3200/固形分70%、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート30%、重合禁止剤含有)(以下NKオリゴと表記)、ポリエチレングリコール600(和光純薬工業社製)(以下PEGと表記する)を用いた。   As additives, IM-1000 (manufactured by Nikko Metal Co., Ltd.), cresol novolac type epoxy acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd .: NK Oligo EA7420 / PGMAC number average molecular weight about 3200 / solid content 70%, propylene glycol monomethyl ether acetate 30%, containing a polymerization inhibitor) (hereinafter referred to as NK oligo), polyethylene glycol 600 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (hereinafter referred to as PEG) were used.

<数平均分子量測定>
数平均分子量の測定法であるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)は、下記の条件により測定を行った。溶媒としてN,N−ジメチルホルムアミド(和光純薬工業社製、高速液体クロマトグラフ用)を用い、測定前に24.8mmol/Lの臭化リチウム一水和物(和光純薬工業社製、純度99.5%)及び63.2mmol/Lのリン酸(和光純薬工業社製、高速液体クロマトグラフ用)を加えたものを使用した。
カラム:Shodex KD−806M(昭和電工社製)
流速:1.0mL/分
カラム温度:40℃
ポンプ:PU−2080Plus(JASCO社製)
検出器:RI−2031Plus(RI:示差屈折計、JASCO社製)
UV―2075Plus(UV−VIS:紫外可視吸光計、JASCO社製)
<Number average molecular weight measurement>
Gel permeation chromatography (GPC), which is a method for measuring the number average molecular weight, was measured under the following conditions. Using N, N-dimethylformamide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., for high performance liquid chromatograph) as a solvent, 24.8 mmol / L lithium bromide monohydrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., purity before measurement) 99.5%) and 63.2 mmol / L phosphoric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., for high performance liquid chromatograph) were used.
Column: Shodex KD-806M (manufactured by Showa Denko KK)
Flow rate: 1.0 mL / min Column temperature: 40 ° C
Pump: PU-2080 Plus (manufactured by JASCO)
Detector: RI-2031Plus (RI: differential refractometer, manufactured by JASCO)
UV-2075 Plus (UV-VIS: UV-Visible Absorber, manufactured by JASCO)

また、前記分子量を算出するための検量線は、スタンダードポリスチレン(東ソー社製)を用いて作成した。   Moreover, the calibration curve for calculating the molecular weight was prepared using standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation).

<ドライフィルム製造方法>
本発明における感光性樹脂組成物のコート方法は、FILMCOATER(TESTER SANGYO社製、PI1210)を用いるドクターブレード法により、行った。易剥離PETフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム社製、DIAFOIL、T100H25)に前記感光性樹脂組成物を滴下し、クリアランスを調整しコートを行った。コートした前記フィルムを、乾燥器(ESPEC社製、SPHH−10l)を用いて95℃で30分間乾燥することにより、感光性ドライフィルムを得た。
<Dry film manufacturing method>
The coating method of the photosensitive resin composition in the present invention was performed by a doctor blade method using FILMCOATER (manufactured by TESTER SANGYO, PI1210). The photosensitive resin composition was dropped onto an easily peelable PET film (Mitsubishi Chemical Polyester Film Co., Ltd., DIAFOIL, T100H25) to adjust the clearance and coat. The coated film was dried at 95 ° C. for 30 minutes using a dryer (SPHH-10L, manufactured by ESPEC) to obtain a photosensitive dry film.

<フィルム積層条件>
本発明におけるフィルム積層は、真空プレス機(名機製作所製)を用いて行った。プレス温度120℃、プレス圧1.1MPa、プレス時間1分間にて行った。
<Film lamination conditions>
Film lamination in the present invention was performed using a vacuum press machine (manufactured by Meiki Seisakusho). The press temperature was 120 ° C., the press pressure was 1.1 MPa, and the press time was 1 minute.

<膜厚測定>
膜厚測定は、膜厚計(Mitutoyo社製、ID−C112B)を用いて行った。
各評価に用いたドライフィルムの膜厚は何れも12μm−15μmであった。
<Film thickness measurement>
The film thickness was measured using a film thickness meter (ID-C112B, manufactured by Mitutoyo).
The film thickness of the dry film used for each evaluation was 12 μm to 15 μm.

<フォトリソグラフィー評価>
フォトリソグラフィー評価は、銅張積層板上に、感光性ドライフィルム(感光層の厚さ約15μm)を用いて、上記の積層条件でラミネートした後に、ポジ型マスクを用いて照射量1.3J/cmにて露光を行い、続いて1%水酸化ナトリウム水溶液をスプレーし次いで水をスプレーすることで現像処理を行った。現像後、酸リンス及び水洗を行い、エアブローで乾燥後にパターンを光学顕微鏡にて評価することにより行った。100μm径の円形パターンが形成可能なものを○とし、形成できなかったものを×とした。
<Photolithographic evaluation>
Photolithographic evaluation is performed by laminating a copper-clad laminate with a photosensitive dry film (photosensitive layer thickness of about 15 μm) under the above-mentioned lamination conditions, and using a positive mask to apply a dose of 1.3 J / L. Exposure was performed at cm 2 , followed by development by spraying with a 1% aqueous sodium hydroxide solution and then water. After development, acid rinsing and water washing were performed, and the pattern was evaluated with an optical microscope after drying with air blow. The case where a circular pattern having a diameter of 100 μm could be formed was indicated by “◯”, and the case where the circular pattern could not be formed was indicated by “X”.

必要に応じ現像後のサンプルに後露光を施した。後露光はマスクを用いずに照射量2.0J/cm2にて露光を行った。 If necessary, post-exposure was performed on the developed sample. Post-exposure was performed with a dose of 2.0 J / cm 2 without using a mask.

<難燃性試験>
難燃性試験は以下の手順で行った。前述のコート方法によって、カプトン(登録商標)フィルムの片面に感光性樹脂組成物をコートし、95℃で30分間乾燥し、次いで反対の面に感光性樹脂組成物をコートし、95℃で30分間乾燥させることにより、カプトンフィルムの両面に感光性樹脂組成物をコートした後、アルカリ現像工程を想定し、擬似的にアルカリ現像液に晒し、表2に示す条件で後露光、焼成を行いサンプルを作成した。このサンプルフィルムを20cm×5cmに切り取り、UL94 VTM試験により難燃性の評価を行った。各試料の残炎時間が10秒以下で、かつ12.5cmの標線まで燃焼しなかったサンプルを○と評価し、各試料の残炎時間が10秒以上あるいは12.5cmの標線まで燃焼したサンプルを×と評価した。
<Flame retardance test>
The flame retardancy test was performed according to the following procedure. The photosensitive resin composition is coated on one side of a Kapton (registered trademark) film by the above-mentioned coating method, dried at 95 ° C. for 30 minutes, and then coated on the opposite side with the photosensitive resin composition, and 30% at 95 ° C. After coating the photosensitive resin composition on both sides of the Kapton film by drying for a minute, assuming an alkali development step, the sample is pseudo-exposed to an alkali developer and subjected to post-exposure and baking under the conditions shown in Table 2. It was created. This sample film was cut into 20 cm × 5 cm, and the flame retardancy was evaluated by UL94 VTM test. Samples whose afterflame time of each sample was 10 seconds or less and did not burn to the 12.5 cm mark were evaluated as ◯, and the afterflame time of each sample was burned to the mark of 10 seconds or more or 12.5 cm The sample was evaluated as x.

<反り評価>
反りの評価は、カプトン上に感光性ドライフィルムを上記の積層条件で積層し、アルカリ現像工程を想定し、擬似的にアルカリ現像液に晒し、表2に示す条件で後露光、焼成を行いサンプルを作成し、50mm×50mmの大きさに切り出し、水平な面に静置した際、裾部分の浮きが10mm以下の場合を○とし、10mmより大きい場合を×とした。
<Evaluation of warpage>
The evaluation of the warp was carried out by laminating a photosensitive dry film on Kapton under the above laminating conditions, assuming an alkali development step, pseudo exposure to an alkali developer, and performing post-exposure and baking under the conditions shown in Table 2. Was cut out to a size of 50 mm × 50 mm and allowed to stand on a horizontal surface, the case where the hem portion floated was 10 mm or less was marked as ◯, and the case where it was larger than 10 mm was marked as x.

<屈曲性評価>
銅張積層板上に、感光性ドライフィルム(感光層の厚さ約15μm)を用いて、上記の積層条件でラミネートした後にアルカリ現像工程を想定し、擬似的にアルカリ現像液に晒し、表2に示す条件で後露光、焼成を行いサンプルを作成したサンプルをはぜ折りし、クラック若しくは剥離が発生せず10回以上はぜ折りが可能であったものを○とし、9回以下のものを×とした。
<Flexibility evaluation>
Using a photosensitive dry film (thickness of photosensitive layer: about 15 μm) on a copper clad laminate, assuming an alkali development step after laminating under the above lamination conditions, it is exposed to an alkaline developer in a pseudo manner. Samples prepared by post-exposure and baking under the conditions shown in Fig. 6 are folded and the samples that can be folded 10 times or more without cracking or peeling off are marked with ◯, and those with 9 times or less X.

<めっき耐性評価>
前記の方法で製造した感光性ドライフィルムを、銅張積層板に前記積層条件にてラミネートした後に、400μm径の円形パターンのあるポジ型マスクを介しフォトリソグラフィー評価と同様に露光、現像後、400μm径の円形パターンを形成した。表2に示す条件で後露光、焼成を行いサンプルを作成し、下記条件にてすずめっき耐性評価を行った。
脱脂:サンプルを、酸性脱脂液(FRクリーナー)に30℃にて5分間浸漬。
水洗:サンプルを室温にて1分間精製水に浸漬。
ソフトエッチ:サンプルを10質量%過硫酸ナトリウム水溶液に室温にて30秒間浸漬。
水洗:サンプルを室温にて1分間精製水に浸漬。
酸処理:サンプルを10vol%硫酸水溶液に室温にて30秒間浸漬。
水洗:サンプルを室温にて1分間精製水に浸漬。
すずめっき:サンプルをすずめっき液(ローム・アンド・ハース電子材料社製、LT−34)に80℃にて5分間浸漬。
水洗:サンプルを50℃にて1分間精製水に浸漬。
<Plating resistance evaluation>
The photosensitive dry film produced by the above method is laminated on a copper-clad laminate under the above lamination conditions, and then exposed and developed in the same manner as photolithography evaluation through a positive mask having a 400 μm diameter circular pattern, and then 400 μm. A circular pattern of diameter was formed. Samples were prepared by post-exposure and firing under the conditions shown in Table 2, and tin plating resistance was evaluated under the following conditions.
Degreasing: The sample was immersed in an acidic degreasing solution (FR cleaner) at 30 ° C. for 5 minutes.
Water washing: The sample was immersed in purified water for 1 minute at room temperature.
Soft etch: A sample was immersed in a 10% by mass aqueous sodium persulfate solution at room temperature for 30 seconds.
Water washing: The sample was immersed in purified water for 1 minute at room temperature.
Acid treatment: The sample was immersed in a 10 vol% sulfuric acid aqueous solution at room temperature for 30 seconds.
Water washing: The sample was immersed in purified water for 1 minute at room temperature.
Tin plating: The sample was immersed in a tin plating solution (Rohm and Haas Electronic Materials, LT-34) at 80 ° C. for 5 minutes.
Water washing: The sample was immersed in purified water at 50 ° C. for 1 minute.

試験後に、円孔からのめっき液の顕著な染み込みや膨れ、剥がれが無いものを◎、パターンの淵から薬液の染み込みが0〜10μm程度のものを○、10μm〜30μmの染み込みが見られるもの及び、30μm以上のめっき液の染み込みや膨れ、剥がれ等が観察されたものを×とした。   After the test, the plating solution from the circular hole does not soak, swell, or peel off, ◎, the soak of the chemical solution from the pattern wrinkle is about 0 to 10 μm, and the case where the soaking of 10 μm to 30 μm is seen and In addition, a case where penetration, swelling, peeling, or the like of a plating solution of 30 μm or more was observed was evaluated as x.

<(A)成分合成例>
[合成例1]
窒素雰囲気下、セパラブルフラスコに、MBAA(22.50mmol)及びODPA(59.96mmol)、γ―ブチロラクトン(120mL)を入れ、室温で2時間撹拌した。続いて、トルエン(30mL)、ピリジン(34.13mmol)、γ―バレロラクトン(22.47mmol)を加え、ディーンシュタルク装置及び還流器をつけ、180℃で2時間加熱撹拌した。120℃まで冷却した後に、シリコーンジアミン(KF−8010、52.50mmol)及びDA5MG(14.98mmol)を加え、10分間撹拌した後に、ODPA(29.98mmol)を加え、120℃で2時間加熱撹拌した。続いて、トルエン(10mL)を加え、180℃で2時間加熱撹拌した。140℃まで冷却し、ポリマー固形分濃度30質量%となるようにγ―ブチロラクトンを加え、室温まで冷却することにより、ポリイミドのγ―ブチロラクトン溶液を得た。ポリイミド中シロキサン構造に由来する部位の質量(%)は約53質量%であった。これをポリマー1とする。
<(A) Component synthesis example>
[Synthesis Example 1]
Under a nitrogen atmosphere, MBAA (22.50 mmol), ODPA (59.96 mmol), and γ-butyrolactone (120 mL) were placed in a separable flask and stirred at room temperature for 2 hours. Subsequently, toluene (30 mL), pyridine (34.13 mmol), and γ-valerolactone (22.47 mmol) were added, and a Dean-Stark apparatus and a reflux were attached, followed by heating and stirring at 180 ° C. for 2 hours. After cooling to 120 ° C., silicone diamine (KF-8010, 52.50 mmol) and DA5MG (14.98 mmol) were added and stirred for 10 minutes, then ODPA (29.98 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at 120 ° C. for 2 hours. did. Subsequently, toluene (10 mL) was added, and the mixture was heated and stirred at 180 ° C. for 2 hours. The mixture was cooled to 140 ° C., γ-butyrolactone was added so that the polymer solid concentration was 30% by mass, and the mixture was cooled to room temperature to obtain a γ-butyrolactone solution of polyimide. The mass (%) of the site derived from the siloxane structure in the polyimide was about 53% by mass. This is polymer 1.

[合成例2]
窒素雰囲気下、セパラブルフラスコに、シリコーンジアミン(KF−8010、15.0mmol)、γ−ブチロラクトン(100mL)を入れ、続いてODPA(20.0mmol)を加え、23℃で2時間撹拌した。続いて、トルエン(15mL)、ピリジン(11.38mmol)、γ−バレロラクトン(7.49mmol)を加え、ディーンシュタルク装置及び還流器をつけ、180℃で2時間加熱撹拌した。120℃まで冷却した後に、MBAA(10.0mmol)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(3.0mmol)を加え、10分間撹拌した後に、エチレンビス(トリメリテ−ト)二無水物(8.6mmol)を加え、120℃で2時間加熱撹拌した。続いて、トルエン(5mL)を加え、180℃で2時間加熱撹拌した。140℃まで冷却し、ポリマー固形分濃度25質量%となるようにγ−ブチロラクトンを加え、室温まで冷却することにより、ポリイミドのγ−ブチロラクトン溶液を得た。ポリイミド中シロキサン構造に由来する部位の質量(%)は約50質量%であった。これをポリマー2とする。
[Synthesis Example 2]
Under a nitrogen atmosphere, silicone diamine (KF-8010, 15.0 mmol) and γ-butyrolactone (100 mL) were added to a separable flask, followed by ODPA (20.0 mmol), and the mixture was stirred at 23 ° C. for 2 hours. Subsequently, toluene (15 mL), pyridine (11.38 mmol), and γ-valerolactone (7.49 mmol) were added, and a Dean Stark apparatus and a reflux were attached, and the mixture was heated and stirred at 180 ° C. for 2 hours. After cooling to 120 ° C., MBAA (10.0 mmol) and 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (3.0 mmol) were added, and after stirring for 10 minutes, ethylene bis (trimellitate) dianhydride (8.6 mmol) was added, and the mixture was stirred with heating at 120 ° C. for 2 hours. Subsequently, toluene (5 mL) was added, and the mixture was stirred with heating at 180 ° C. for 2 hours. It cooled to 140 degreeC, (gamma) -butyrolactone was added so that it might become polymer solid content concentration 25 mass%, and the γ-butyrolactone solution of polyimide was obtained by cooling to room temperature. The mass (%) of the part derived from the siloxane structure in the polyimide was about 50% by mass. This is polymer 2.

[合成例3]
窒素雰囲気下、セパラブルフラスコに、シリコーンジアミン(15.0mmol)、γ−ブチロラクトン(100mL)を入れ、続いてエチレンビス(トリメリテ−ト)二無水物(20.0mmol)を加え、23℃で2時間撹拌した。続いて、トルエン(15mL)、ピリジン(11.38mmol)、γ−バレロラクトン(7.49mmol)を加え、ディーンシュタルク装置及び還流器をつけ、180℃で2時間加熱撹拌した。120℃まで冷却した後に、MBAA(10.0mmol)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(3.0mmol)を加え、10分間撹拌した後に、ODPA(8.6mmol)を加え、120℃で2時間加熱撹拌した。続いて、トルエン(5mL)を加え、180℃で2時間加熱撹拌した。140℃まで冷却し、ポリマー固形分濃度25質量%となるようにγ−ブチロラクトンを加え、室温まで冷却することにより、ポリイミドのγ―ブチロラクトン溶液を得た。ポリイミド中シロキサン構造に由来する部位の質量(%)は約48質量%であった。これをポリマー3とする。
[Synthesis Example 3]
Under a nitrogen atmosphere, a separable flask was charged with silicone diamine (15.0 mmol) and γ-butyrolactone (100 mL), followed by addition of ethylene bis (trimellitate) dianhydride (20.0 mmol). Stir for hours. Subsequently, toluene (15 mL), pyridine (11.38 mmol), and γ-valerolactone (7.49 mmol) were added, and a Dean Stark apparatus and a reflux were attached, and the mixture was heated and stirred at 180 ° C. for 2 hours. After cooling to 120 ° C., MBAA (10.0 mmol) and 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (3.0 mmol) were added, and after stirring for 10 minutes, ODPA (8.6 mmol) was added. The mixture was stirred with heating at ° C for 2 hours. Subsequently, toluene (5 mL) was added, and the mixture was stirred with heating at 180 ° C. for 2 hours. The solution was cooled to 140 ° C., γ-butyrolactone was added so that the polymer solid content concentration was 25% by mass, and the mixture was cooled to room temperature to obtain a γ-butyrolactone solution of polyimide. The mass (%) of the site derived from the siloxane structure in the polyimide was about 48% by mass. This is polymer 3.

[配合例]
表1に従い配合を行った。ポリマーはポリマー成分の質量が表1の部数になるようにポリマーワニスの状態で配合した。

Figure 2009276526
[Composition example]
Formulation was performed according to Table 1. The polymer was blended in the state of a polymer varnish so that the mass of the polymer component was the number of parts in Table 1.
Figure 2009276526

[サンプル調整例]
表2の条件にて後露光及び焼成を行い各種サンプルを調整した。

Figure 2009276526
[Sample adjustment example]
Various samples were prepared by post-exposure and baking under the conditions shown in Table 2.
Figure 2009276526

[評価例]
上記記載の条件にて、フォトリソグラフィー、難燃性、反り、屈曲性、めっき耐性の評価を行った。結果は表3に示す。

Figure 2009276526
[Evaluation example]
Under the conditions described above, photolithography, flame retardancy, warpage, flexibility, and plating resistance were evaluated. The results are shown in Table 3.
Figure 2009276526

表3から明らかなように本発明の感光性樹脂組成物は、柔軟性や屈曲性を損なうことなく、FPCのカバーレイとした時の難燃性、低反り性、を併せ持つ感光性樹脂組成物を提供することが可能である。   As is apparent from Table 3, the photosensitive resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition having both flame retardancy and low warpage when used as an FPC coverlay without impairing flexibility and flexibility. Can be provided.

Claims (14)

(A)成分、(B)成分及び(C)成分を含有する感光性樹脂組成物であって、前記(A)成分が可溶性ポリイミドであり、前記(B)成分がキノンジアジド化合物であり、前記(C)成分が式(1)に示すイソシアヌル酸環を有する化合物であることを特徴とする感光性樹脂組成物。
Figure 2009276526
(式中Rはエチレングリコール鎖及び/又はプロピレングリコール鎖を含む有機基である。複数のRはそれぞれ同一でも異なっていても良い。)
A photosensitive resin composition containing a component (A), a component (B) and a component (C), wherein the component (A) is a soluble polyimide, the component (B) is a quinonediazide compound, C) A photosensitive resin composition, wherein the component is a compound having an isocyanuric acid ring represented by formula (1).
Figure 2009276526
(In the formula, R 1 is an organic group containing an ethylene glycol chain and / or a propylene glycol chain. The plurality of R 1 may be the same or different.)
前記(A)成分がシロキサン骨格を有する可溶性ポリイミドであることを特徴とする請求項1記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the component (A) is a soluble polyimide having a siloxane skeleton. 前記(A)成分がカルボキシル基及び/又は水酸基を有する可溶性ポリイミドであることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the component (A) is a soluble polyimide having a carboxyl group and / or a hydroxyl group. 前記(B)成分がナフトキノンジアジド化合物であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。   The said (B) component is a naphthoquinone diazide compound, The photosensitive resin composition in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記(C)成分のRが式(2)に示す有機基であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2009276526
(式中Rは下記式(3)又は式(4)であり、RはH、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基から選ばれる有機基である。nは1〜10であり、mは1又は2であり、Lは1〜10である。)
Figure 2009276526
Figure 2009276526
The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein R 1 of the component (C) is an organic group represented by the formula (2).
Figure 2009276526
(In the formula, R 2 is the following formula (3) or formula (4), and R 3 is an organic group selected from H, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, and isobutyl group. 10 and m is 1 or 2, and L is 1 to 10.)
Figure 2009276526
Figure 2009276526
(D)成分として、リン系の難燃剤を含有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to claim 1, comprising a phosphorus-based flame retardant as component (D). 前記(D)成分が環状ホスファゼン化合物を含有することを特徴とする請求項6記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to claim 6, wherein the component (D) contains a cyclic phosphazene compound. 請求項1から請求項7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を含有することを特徴とするフィルム。   A film comprising the photosensitive resin composition according to claim 1. キャリアフィルムと、前記キャリアフィルム上に設けられた請求項8記載のフィルムと、を具備することを特徴とする積層フィルム。   A laminated film comprising: a carrier film; and the film according to claim 8 provided on the carrier film. 前記フィルム上に形成されたカバーフィルムを具備することを特徴とする請求項9記載の積層フィルム。   The laminated film according to claim 9, further comprising a cover film formed on the film. 請求項1から請求項7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を含有することを特徴とする感光性インク。   A photosensitive ink comprising the photosensitive resin composition according to claim 1. 配線を有する基材と、前記配線を覆うように前記基材上に形成され、請求項1から請求項7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を用い構成されたカバーレイと、を具備することを特徴とするフレキシブルプリント配線板。   A substrate having wiring and a cover lay formed on the substrate so as to cover the wiring and configured using the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7. A flexible printed wiring board characterized by: 前記カバーレイが請求項8から請求項10のいずれかに記載のフィルム又は積層フィルムを用いて積層されたカバーレイであることを特徴とするフレキシブルプリント配線板。   A flexible printed wiring board, wherein the coverlay is a coverlay laminated using the film or laminated film according to any one of claims 8 to 10. 前記カバーレイが請求項11に記載の感光性インクを用いて形成されたカバーレイであることを特徴とするフレキシブルプリント配線板。   A flexible printed wiring board, wherein the cover lay is a cover lay formed using the photosensitive ink according to claim 11.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012037794A (en) * 2010-08-10 2012-02-23 Konica Minolta Business Technologies Inc Fixation belt heater
JP2012234030A (en) * 2011-04-28 2012-11-29 Kaneka Corp Positive photosensitive resin composition
JP2016086174A (en) * 2012-08-08 2016-05-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Flexible printed wiring board
JP2020020978A (en) * 2018-08-01 2020-02-06 旭化成株式会社 Photosensitive resin composition and photosensitive resin laminate including the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012037794A (en) * 2010-08-10 2012-02-23 Konica Minolta Business Technologies Inc Fixation belt heater
JP2012234030A (en) * 2011-04-28 2012-11-29 Kaneka Corp Positive photosensitive resin composition
JP2016086174A (en) * 2012-08-08 2016-05-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Flexible printed wiring board
JP2020020978A (en) * 2018-08-01 2020-02-06 旭化成株式会社 Photosensitive resin composition and photosensitive resin laminate including the same
JP7076329B2 (en) 2018-08-01 2022-05-27 旭化成株式会社 Photosensitive resin composition and photosensitive resin laminate using it

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