KR20100124009A - 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법 - Google Patents

유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100124009A
KR20100124009A KR1020090043038A KR20090043038A KR20100124009A KR 20100124009 A KR20100124009 A KR 20100124009A KR 1020090043038 A KR1020090043038 A KR 1020090043038A KR 20090043038 A KR20090043038 A KR 20090043038A KR 20100124009 A KR20100124009 A KR 20100124009A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
maintained
moisture barrier
seconds
layer
Prior art date
Application number
KR1020090043038A
Other languages
English (en)
Inventor
구송림
김경민
송갑득
Original Assignee
주식회사 동아테크윈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동아테크윈 filed Critical 주식회사 동아테크윈
Priority to KR1020090043038A priority Critical patent/KR20100124009A/ko
Publication of KR20100124009A publication Critical patent/KR20100124009A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법에 관한 것으로, 발광소자의 1차 보호 및 투습 방지막으로 사용하고 있는 SiNx(제1 투습 방지막)와, 상기 SiNx 보다 투습 방지 효율이 우수한 SiON/Si로 제2 투습 방지막을 형성함으로써 후속 공정 진행이 용이하도록 하고, 또한 외부에서 발광소자 내부로 침투하는 수분이나 산소를 억제시켜 유기 전계 발광 소자의 특성이 크게 향상되도록 한 것이다.
또한 본 발명은 메탈 캔(sus Can) 또는 유리 캔(Glass Can)으로 봉지시킬 필요없이 제1, 제2 투습방지막으로 봉지되므로 수분이나 산소 침투가 완벽히 차단될 뿐 아니라, 소자의 전체 두께가 얇아지고 제조원가가 절감되며, 발광면적이 수축(또는 축소)되는 현상이 방지된다.
유기 전계 발광 소자, 투습 방지막, 수분, 산소, 침투억제, SiON/Si, 유기층

Description

유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법{HOW TO WATERPROOF FROM THE OLED}
본 발명은 유기 전계 발광 소자(또는 플렉시블 디스플레이 소자)의 투습 방지막 처리 방법에 관한 것으로, 상세하게는 유기 전계 발광 소자의 보호 및 투습 방지막으로 사용하고 있는 SiNx(제1 투습 방지막)와, SiNx 보다 투습 방지 효율이 우수한 SiON/Si로 제2 투습 방지막을 형성함으로써 후속 공정 진행이 용이하도록 하고, 또한 외부에서 소자 내부로 침투하는 수분이나 산소를 억제시켜 디스플레이 소자의 특성이 크게 향상되도록 한 것이다.
일반적으로 차세대 평판 디스플레이로 기대되고 있는 유기 전계 발광 소자는 OLED(Organic Light Emitting Diode 또는 Organic Electroluminescent Display)로도 불리며, 자체 발광 특성과 함께 시야각이 넓고, 고선명, 고화질, 고속응답성 등의 장점을 갖고 있어 소형 디스플레이에 많이 적용되고 있다.
유기 전계 발광 소자는 기판상에 양극(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 운송층(eletron transfer layer), 전자 주입층(eletron injection layer), 음극(cathode)이 순서대로 적층되어 형성된다. 양극으로는 면저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용되고, 발광층으로 사용되는 유기층질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이다. 음극으로는 Al 금속막이 사용된다.
또한, 유기 박막은 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지막이 필요하다. 이 봉합하는 공정 중에 봉지막과 기판을 붙이기 위하여 프릿 글래스(frit glass) 및 여러 종류의 밀봉제(sealant) 등이 쓰이고 있다. 이러한 재료를 스핀코터, 스크린 프린터, 디스펜서를 이용하여 봉지막 위에 도포를 하고 상ㆍ하판을 붙이는 과정에 자외선(UV) 혹은 열을 가함으로서 완전한 밀폐효과를 얻어내고 있다.
또한, 유기 박막 형성 방법에는 진공증착법(Vacuum Deposition Method), 스퍼터링(sputtering)법, 이온빔 증착(Ion-beam Deposition)법, Pulsed-laser 증착법, 분자선 증착법, 화학기상증착법, 스핀코터(spin coater) 등이 있으며, 진공증착법이 많이 사용되고 있다.
현재 유기 전계 발광 소자를 제조할 때, 수분 및 산소 등의 외부 불순물이 소자 내부로 침투하여 발광면적이 수축(또는 축소)되는 현상을 방지하기 위하여 흡습제(desiccant) 및 캔(Can), 이를테면 메탈 캔(sus Can) 또는 유리 캔(Glass Can)을 사용하여 봉지시킴으로써 수분 및 산소 등의 침투를 방지하거나 억제시키고 있다.
그러나 메탈 캔(sus Can)이나 유리 캔(Glass Can)으로 봉지시킬 경우 유기 전계 발광 소자의 두께가 두꺼워지고 제조원가가 상승하는 문제점이 있으며, 유리 캔의 경우 밀봉제(Sealant)로 유리(Glass)를 접착시키고 있으나 상기 밀봉제에서 이 물질이 발생하면서 소자의 유기층에 영향을 줄 뿐 아니라, 차세대 디바이스인 플렉시블(Flexible) 기판을 사용하는 경우 이점이 거의 없는 실정이다.
이러한 문제를 해결하기 위해 현재 캔(Can) 대신에 Thin Film 박막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 상기 Thin Film 박막을 사용할 경우 외부로부터 침투하는 수분이나 산소를 막아주는 것이 중요하므로 이에 대응하는 박막을 형성하는 것이 중요하다. 현재 1차 소자 보호 및 투습 방지막으로 사용되는 SiNx은 외부로부터 침투하는 수분이나 산소를 막아주기는 하지만 완벽하게 막아주지 못하는 문제점이 있다.
본 발명은 1차 보호 및 투습 방지막으로 사용하고 있는 SiNx(제1 투습 방지막)와, 상기 SiNx 보다 산소 및/또는 수분 침투 방지에 효과가 우수한 SiON/Si 적층 구조의 제2 투습 방지막을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자 제조후에 수분이나 산소 등의 침투를 효과적으로 억제시켜 소자의 특성을 향상시키도록 한 유기 전계 발광 소자(또는 플렉시블 디스플레이 소자)의 투습 방지막 처리 방법을 제공함에 목적이 있다.
본 발명 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법은 플라스틱(Plastic) 또는 글라스(Glass) 위에 ITO기판과 유기층 및 캐소드(Cathode)가 증착되는 단계와, 유기층을 보호하고 투습을 방지하기 위해 PECVD법으로 제1층인 SiON/Si 박막을 형성하는 단계와, 평탄화 층(Planarization Layer)으로 경화수지를 도포하고 자외선 램프(UV Lamp)로 광경화하는 단계와; 제2층인 투습 방지층으로 SiNx/Al2O3/SiNx를 형성하는 단계와, 소자 보호를 위해 다시 광경화 수지를 도포하고 자외선 램프(UV Lamp)로 경화시키는 단계를 포함한다.
또한 본 발명은, 유기층 보호 및 제1 투습 방지막은 SiNx를 증착하며, 이때 소스 가스(Source Material)로 SiH2Cl2 가스를 사용하여 0.1초 ~ 10초 동안 증착하고, 미반응 가스를 제거하기 위해 N2 가스로 0.2초 ~ 10초간 퍼지(Purge)하고, SiNx 형성시 NH3 가스에 Plasma 여기시 RF 파워를 30Watt ~ 200Watt로 2초 ~ 10초 간 유 지하고, 미반응 가스를 재차 제거하기 위해 N2 가스로 0.2초 ~ 10초간 퍼지(Purge)하고, 반응로의 압력은 0.1torr ~ 5torr로 유지하고, 반응로의 내부 히팅 온도는 100℃~ 200℃로 유지하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은, (1). SiNx 형성시 소스 가스를 0.1초 ~ 10초 동안 증착하고, (2). 미반응 가스를 제거하기 위해 N2 가스로 0.2초 ~ 10초간 퍼지(Purge)하고, (3). SiNx 형성시 NH3 가스에 Plasma 여기시 RF 파워를 30Watt ~ 200Watt로 2초 ~ 10초 간 유지하고, (4). 미반응 가스를 재차 제거하기 위해 N2 가스로 0.2초 ~ 10초간 퍼지(Purge)하고, (5). SiNx 형성시 반응로의 압력은 0.1torr ~ 5torr로 유지하고, (6). SiNx 형성시 반응로의 내부 히팅 온도는 100℃~ 200℃로 유지하는 과정을 반복적으로 실시하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은, SiON 형성시 SiNx 표면을 산소분위기에서 Plasma 여기시 RF 파워는 20Watt ~ 1kWatt 유지하며 수초간 처리하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은, 소스 가스로 SiH4 가스를 30sccm~500sccm 사용하고, 보조 가스로 He를 20sccm ~ 100sccm 사용하고, Plasma 여기시 RF 파워는 20Watt ~ 500Watt로 유지하고, 반응로의 압력은 0.1torr ~ 3torr로 유지하고, 반응로의 내부 히팅 온도는 50℃ ~ 200℃로 유지하는 조건에서 Si를 증착하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은, 평탄화층인 소자 보호막은 광경화 수지(Urethan,epoxy)를 스핀코터(Spin Coator)나 스크린 프린터(Screen Printer)로 도포하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에서, SiNx 형성은 PECVD 또는 PEALD 법으로 진행하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에서, 스포터(Sputter) 또는 PECVD, PEALD 방법으로 Al2O3를 증착하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은, 평탄화층 및 소자 보호막은 광경화 수지(Urethan,epoxy)를 자외선(UV)으로 경화시키는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은, SiON 및 Si 증착을 인-시투(In-situ)로 실시하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은, SiNx 증착시 PEALD 법 대신 PECVD법으로 증착하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은, 상기 특징들을 플렉시블(Flexible) 디스플레이의 투습 방지막으로 사용하는 것을 그 특징으로 한다.
또한 본 발명은, 박막 형성 및 플라즈마 처리는 롤 코터(Roll Coater)에서 실시하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 1차 소자 보호 및 투습 방지막으로 사용된 SiNx(제1 투습 방지막) 과, 상기 SiNx 보다 투습 방지 효율이 우수한 SiON/Si로 제2 투습 방지막을 형성함으로써 후속 공정 진행이 용이하고, 외부에서 소자 내부로 침투하는 수분이나 산소의 침투를 억제함으로써 유기 전계 발광 소자의 특성이 크게 향상되는 효과가 있다.
또한 본 발명은 메탈 캔(sus Can) 또는 유리 캔(Glass Can)으로 봉지시킬 필요없이 제1, 제2 투습방지막으로 봉지되므로 수분이나 산소 침투가 완벽히 차단될 뿐 아니라, 소자의 전체 두께가 얇아지고 제조원가가 절감되며, 발광면적이 수축(또는 축소)되는 현상이 방지되는 등의 효과가 있는 매우 유용한 발명이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 첨부한 도면에 따라 상세히 설명하고자 한다. 본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어 도면들 중 동일한 구성 요소들은 가능한 한 동일 부호로 기재하고, 관련된 공지구성이나 기능에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지가 모호해지지 않도록 생략한다.
첨부한 도면은 본 발명 실시 예에 따른 유기 전계 발광 소자의 구성도로, 제2 투습 방지막을 구현하기 위한 SiON/Si 형성 방법은 다음과 같다.
먼저 플라스틱(Plastic) 또는 유리(Glass) 위에 ITO가 증착된 기판(10)이 제 공되는 단계;
상기 ITO기판(10) 위에 유기층 형성을 위하여 패턴(Isolation 및 Separator)을 형성하는 단계;
상기 패턴 위에 유기층 및 캐소드(Cathode)(20)를 증착하는 단계;
상기 유기층 및 캐소드(20) 위에 제1 투습 방지막(30)으로 SiNx를 증착시켜 유기층 및 캐소드(20)를 보호하고 투습을 방지하는 단계;
상기 제1 투습 방지막(30) 위에 광경화 수지를 스핀코터(Spin Coator)나 스크린 프린터(Screen Printer)로 도포한 후 자외선(UV)으로 경화시켜 소자를 보호하는 평탄화 층(40) 형성 단계;
상기 평탄화 층(40) 위에 제2 투습 방지막으로 SiN/Al2O3/SiN를 적층 및 형성하는 단계;
상기 제2 투습 방지막 위에 광경화 수지를 스핀코터(Spin Coator)나 스크린 프린터(Screen Printer)로 도포한 후 자외선(UV)으로 경화시켜 소자를 보호하는 보호층(80) 형성 단계; 로 된다.
상기 유기층은 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/발광층(EML)/전자 수송층(ETL)/전자주입층(EIL)이 차례로 증착되는 층구조를 가지며, 그 상부에 캐소드(Cathode)가 증착된다. 상기 캐소드는 원할한 전자 공급을 위하여 일함수가 낮은 금속, 예컨대 AL로 증착된다.
상기에서 SiON은 SiN 증착과 SiNx를 산화시키기 위하여 산소 분위기에서의 플라즈마(Plasma) 처리를 포함하며, 상기 SiON이 형성되면 Si가 증착되며, 이는 ITO기판(10) 처리에도 사용되거나 사용될 수 있다.
상기 Si는 산소와 반응하여 SiO2를 형성하지만 어느 정도 반응을 하고 나면 더 이상 반응을 하지 않아 투습에 매우 효과적이다. SiON의 역할은 Si이 산소 또는 수분과 반응하여 SiO2를 형성하고 침투해 온 수분이나 산소가 있더라도 미리 반응시켜 SiON을 형성한 박막과 반응할 수 있는 사이트(Site)를 제거하므로 유기 전계 발광 소자의 유기층에 영향을 줄이는 역할을 한다.
본 발명에서 SiNx를 증착할 때 PEALD법을 이용할 수 있으며, 그 방법은,
a). SiH2Cl2 가스를 0.1초 ~ 10초 동안 증착하고,
b). 미반응 가스를 제거하기 위해 N2 가스로 0.2초 ~ 10초간 퍼지(Purge)하고,
c). NH3 가스로 Plasma 여기시 RF 파워를 30Watt ~ 200Watt로 유지한 후 0.2초 ~ 10초간 처리하고,
d). 다시 미반응 가스를 제거하기 위해 N2 가스로 0.2초 ~ 10초간 퍼 지(Purge)하고,
e). 반응로의 압력은 0.1torr ~ 5torr로 유지하고,
f). 이때 반응로의 내부 히팅온도는 100℃~ 200℃로 유지하는 조건으로 SiNx을 증착하거나, 반응로의 내부 히팅온도는 100℃~ 200℃로 유지하면서 상기 a) ~ e)를 소정회수 반복적으로 실시하여 SiNx을 적층 증착한다.
본 발명에서 제1 투습 방지막(30)으로 SiON을 형성하고 Si 증착하는 과정은 다음과 같다.
a). SiNx 표면을 산화시키기 위해 산소 분위기에서 Plasma 여기시 RF 파워를 20Watt ~ 1kWatt로 유지하여 수초간 처리하여 SiON을 형성하고, 이어서 Si 증착은 반응가스인 N2 또는 NH3 대신 He를 사용하여 다음과 같은 조건으로 증착한다.
b). 소스 가스로 SiH4 가스를 30sccm ~ 500sccm 사용하고,
c). 보조 가스로 He 가스를 20sccm ~ 100sccm 유지하고,
d). Plasma 여기시 RF 파워는 20Watt ~ 500Watt로 유지하고,
e). 반응로의 압력은 0.1torr ~ 3torr로 유지하고,
f). 반응로의 내부 히팅 온도는 50℃ ~ 200℃로 유지하는 조건으로 소정시간 증착한다.
도 4 및 도 5에서 (50)은 제2 투습 방지막을 형성하는 SiN 층이고, (60)은 제2 투습 방지막을 형성하는 Al2O3 층이고, (70)은 제2 투습 방지막을 형성하는 SiN 층이다.
상기 제2 투습 방지막을 형성하는 SiN/Al2O3/SiN 적층 형성하는 방법은 다음과 같다.
먼저, SiN 층(50)(70) 증착은 PEALD법을 이용하여 상기에서 기술한 조건과 동일하게 진행된다.
즉,
a). SiH2Cl2 가스를 0.1초 ~ 10초 동안 증착한다.
b). 미반응 가스를 제거하기 위해 N2 가스로 0.2초 ~ 10초간 퍼지(Purge)한다.
c). NH3 가스로 Plasma 여기시 RF 파워를 30Watt ~ 200Watt로 유지한 후, 0.2초 ~ 10초간 처리한다.
d). 다시 미반응 가스를 제거하기 위해 N2 가스로 0.2초 ~ 10초간 퍼지(Purge)한다.
e). 이때 반응로의 압력은 0.1torr ~ 5torr로 유지한다.
f). 이때 반응로의 내부 히팅온도는 100℃~ 200℃로 유지한다.
h). 상기 a) ~ e)를 소정회수 반복적으로 실시하여 SiN 막을 증착 형성한다.
다음은, 스포터(Sputter)로 Al2O3 층(60) 증착은 다음과 같이 실시한다.
a). 소스 타겟(Source Targer)으로 Al2O3을 사용한다.
b). 불활성 가스로 Ar 30sccm ~ 500sccm 사용한다.
c). Plasma 여기시 RF 파워는 100Watt ~ 2kWatt로 유지한다.
d). 반응로의 압력은 0.1torr ~ 10torr로 유지한다.
e). 반응로의 내부 히팅 온도는 50℃ ~ 100℃로 유지한다.
본 발명은 플라스틱(Plastic) 기판 사용시 투습 방지막을 사용하거나, 봉지 공정으로 박막을 이용하는 디스플레이 기판이나 제품에서 사용할 수 있다.
본 발명은 기존의 1차 소자 보호 및 투습 방지막으로 사용한 SiNx(제1 투습 방지막)보다 투습 방지 효과과 우수한 SiON/Si로 제2 투습 방지막을 형성함으로써 후속 공정 진행 및 외부에서 소자 내부로 수분이나 산소가 침투하는 것을 억제함으로써 유기 전계 발광 소자의 특성이 크게 향상된다.
상기 SiON은 Si이 산소 또는 수분과 반응하여 SiO2를 형성하고 침투해 온 산소등을 미리 반응시켜 SiON을 형성한 박막과 반응할 수 있는 사이트(Site)가 제거되므로 소자의 유기층이 축소시키거나 유기층에 영향을 줄이는 역할을 하게된다.
이상과 같이 설명한 본 발명은 본 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하며, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 자명한 것이다.
도 1 : 본 발명에서 ITO기판 위에 유기층 및 캐소드가 증착된 상태도.
도 2 : 본 발명에서 ITO기판 위에 제1 투습 방지막이 증착된 상태도.
도 3 : 본 발명에서 제1 투습 방지막 위에 평탄화 층이 형성된 상태도.
도 4 : 본 발명에서 평탄화 층 위에 제2 투습 방지막이 증착된 상태도.
도 5 : 본 발명에서 제1 투습 방지막 위에 보호층이 형성된 상태도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
(10)--ITO기판
(20)--유기층 및 캐소드
(30)--제1 투습 방지막
(40)--평탄화 층
(50)--제2 투습 방지막의 SiN 층
(60)--제2 투습 방지막의 Al2O3 층
(70)--제2 투습 방지막의 SiN 층
(80)--보호층

Claims (9)

  1. 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법에 있어서;
    ITO기판 위에 유기층 및 캐소드(Cathode)를 증착하는 단계;
    상기 유기층 및 캐소드 위에 제1 투습 방지막으로 SiNx를 증착시켜 유기층 및 캐소드를 보호하고 투습을 방지하는 단계;
    상기 제1 투습 방지막 위에 광경화 수지를 도포한 후 자외선으로 경화시켜 소자를 보호하는 평탄화 층 형성 단계;
    상기 평탄화 층 위에 제2 투습 방지막으로 SiN/Al2O3/SiN를 적층 및 형성하는 단계;
    상기 제2 투습 방지막 위에 광경화 수지를 도포한 후 자외선(UV)으로 경화시켜 소자를 보호하는 보호층 형성 단계;
    로 된 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서; 제1, 제2 투습 방지막의 SiNx 증착은,
    a). SiH2Cl2 가스를 0.1초 ~ 10초 동안 증착하고,
    b). 미반응 가스를 제거하기 위해 N2 가스로 0.2초 ~ 10초간 퍼지(Purge)하고,
    c). NH3 가스로 Plasma 여기시 RF 파워를 30Watt ~ 200Watt로 유지한 후 0.2 초 ~ 10초간 처리하고,
    d). 다시 미반응 가스를 제거하기 위해 N2 가스로 0.2초 ~ 10초간 퍼지(Purge)하고,
    e). 반응로의 압력은 0.1torr ~ 5torr로 유지하고,
    f). 반응로의 내부 히팅온도는 100℃~ 200℃로 유지하여 SiNx를 증착하도록 함을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서; 반응로의 내부 히팅온도는 100℃~ 200℃로 유지하면서 a) ~ e)를 소정회수 반복 실시하여 SiNx를 적층 증착하도록 함을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서; SiON/Si 증착 방법은,
    SiNx 표면을 산화시키기 위해 산소 분위기에서 Plasma 여기시 RF 파워를 20Watt ~ 1kWatt로 유지하여 수초간 처리하여 SiON을 형성하고, Si 증착은 반응가스인 He를 사용하여 증착하도록 함을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법.
  5. 청구항 4에 있어서; Si 증착 방법은,
    b). 소스 가스로 SiH4 가스를 30sccm ~ 500sccm 사용하고,
    c). 보조 가스로 He 가스를 20sccm ~ 100sccm 사용하고,
    d). Plasma 여기시 RF 파워는 20Watt ~ 500Watt로 유지하고,
    e). 반응로의 압력은 0.1torr ~ 3torr로 유지하고,
    f). 반응로의 내부 히팅 온도는 50℃ ~ 200℃로 유지하는 조건으로 증착하도록 함을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서; 제2 투습 방지막을 형성하는 Al2O3 증착은,
    a). 소스 타겟(Source Targer)으로 Al2O3을 사용하고,
    b). 불활성 가스로 Ar 30sccm ~ 500sccm로 유지하고,
    c). Plasma 여기시 RF 파워는 100Watt ~ 2kWatt로 유지하고,
    d). 반응로의 압력은 0.1torr ~ 10torr로 유지하고,
    e). 반응로의 내부 히팅 온도는 50℃ ~ 100℃로 유지하는 조건으로 소정시간 증착하도록 함을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서; 광경화 수지는 스핀코터(Spin Coator)나 스크린 프린터(Screen Printer) 중 어느 하나로 도포하도록 함을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서; ITO기판은 플라스틱(Plastic) 또는 유리(Glass) 중 어느 하나이고, 그 위에 ITO가 증착되고, 그 위에 패턴이 형성된 것임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서; SiNx 증착은 PEALD법을 이용함을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법.
KR1020090043038A 2009-05-18 2009-05-18 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법 KR20100124009A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090043038A KR20100124009A (ko) 2009-05-18 2009-05-18 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090043038A KR20100124009A (ko) 2009-05-18 2009-05-18 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100124009A true KR20100124009A (ko) 2010-11-26

Family

ID=43408375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090043038A KR20100124009A (ko) 2009-05-18 2009-05-18 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100124009A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150049990A (ko) * 2013-10-31 2015-05-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
US10069106B2 (en) 2014-12-30 2018-09-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus with a flexible film and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150049990A (ko) * 2013-10-31 2015-05-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
US10069106B2 (en) 2014-12-30 2018-09-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus with a flexible film and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9252388B2 (en) Organic light emitting diode (OLED) display
US10910590B2 (en) Hermetically sealed isolated OLED pixels
US6710542B2 (en) Organic light emitting device with improved moisture seal
KR101108166B1 (ko) 실리콘 산화물막과 실리콘 리치 실리콘 질화물막을 포함하는 배리어층을 포함하는 유기 발광 장치
KR101089715B1 (ko) 다층 박막형 봉지막 및 이의 제조방법
KR101117726B1 (ko) 플렉서블 디스플레이용 기판, 이를 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US20120068169A1 (en) Organic el display device and method for manufacturing the same
JP2013101984A (ja) 有機発光装置の製造方法及び有機発光装置
US8373343B2 (en) Optoelectric devices
JP4508219B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子の封止方法
US8530928B2 (en) Encapsulated optoelectronic component and method for the production thereof
KR20100124012A (ko) 플렉시블 디스플레이의 기판 처리 방법
JP2013251191A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI673860B (zh) 製造有機發光顯示設備之方法
US9153794B2 (en) Thin film encapsulation of organic light emitting diodes
KR20110101518A (ko) 투습방지기능을 구비한 플렉서블 기판과 플렉서블 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100428447B1 (ko) 산소 및 수분의 침투를 방지할 수 있는 유기 이엘 패널 및그의 제조방법
JP2013187019A (ja) 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
WO2012063445A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR20080024382A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20100124009A (ko) 유기 전계 발광 소자의 투습 방지막 처리 방법
KR20100124010A (ko) 플렉시블 디스플레이의 투습 방지막 처리 방법
KR101827854B1 (ko) 패시베이션 필름 및 이의 제조 방법과, 이를 포함하는 표시 장치
KR20100124017A (ko) 플렉시블 오엘이디 디스플레이의 제조방법
KR20100124019A (ko) 플렉시블 오엘이디 디스플레이 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application