KR20100120398A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20100120398A
KR20100120398A KR1020090039191A KR20090039191A KR20100120398A KR 20100120398 A KR20100120398 A KR 20100120398A KR 1020090039191 A KR1020090039191 A KR 1020090039191A KR 20090039191 A KR20090039191 A KR 20090039191A KR 20100120398 A KR20100120398 A KR 20100120398A
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장경호
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판이 반입되는 반입구와, 관통 형성된 센서 체결구를 갖는 반응 챔버와; 상기 센서 체결구를 통해 상기 반응 챔버와 연통되도록 일측 가장자리가 상기 반응 챔버에 결합하는 센서 하우징과; 상기 센서 하우징의 타측 가장자리 영역에 설치되어 상기 센서 체결구를 통해 상기 반응 챔버 내부로 반입되는 상기 기판을 감지하는 포지션 센서와; 상기 센서 하우징의 내부에 비활성 가스를 주입하는 가스 주입 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 가스 주입 유닛에 의해 아르곤 가스나 헬륨 가스와 같은 비활성 가스가 센서 하우징 내부로 주입되어 반응 챔버 내부의 반응 가스가 센서 하우징 내부로 유입되는 것이 차단되어, 반응 가스에 의한 포지션 센서의 감지 오류를 방지할 수 있게 된다. 또한, 포지션 센서의 불량이 제거되어 포지션 센서의 감지 결과에 대한 신뢰도가 보장됨으로써, 포지션 센서의 오류에 의한 기판 불량을 제거함과 동시에 포지션 센서의 불필요한 교체를 줄여 관리 비용을 감소시킬 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반응 챔버 내부의 반응 가스의 유입으로 인해 포지션 센서의 작동 이상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정 중에는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 공정 등과 같이 반응 챔버 내부에 반응 가스가 주입된 상태에서 공정이 진행되는 과정이 존재한다.
도 1은 종래의 인-라인(In-line) 방식의 화학 기상 증착 공정에 사용되는 기판 처리 장치의 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선에 따른 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하여 설명하면, 종래의 기판 처리 장치의 반응 챔버의 양측 벽면에는 기판이 적재된 기판 트레이(미도시)의 반입 및 반출을 위한 롤러 컨베이어가 기판 트레이의 반입 및 반출 방향을 따라 설치된다. 그리고, 롤러 컨베이어의 구동에 따라 반입구를 통해 기판 트레이가 반응 챔버 내부로 반입되고, 공정 완료 후 다시 롤러 컨베이어의 구동에 따라 반출구를 통해 기판 트레이가 반응 챔버 외부로 반출된다.
그런데, 기판 트레이가 반응 챔버 내부의 정상적인 위치에서 이탈된 상태에서 공정이 진행되는 경우, 비 정상적인 조건 하에서 공정이 진행되는 결과를 초래하여 기판의 불량이 발생할 우려가 있다.
이와 같은 불량을 방지하기 위해, 기판 트레이가 반응 챔버 내부에서 정상적인 위치에 배치 가능하도록 반응 챔버 내부에는 기판 트레이의 진입 방향을 따라 좌우 또는 상하 방향 양측에 복수 쌍의 발광부와 수광부을 갖는 포지션 센서들을 설치하는 것이 일반적이다.
도 1에서는 기판 트레이의 진입을 감지하기 위한 포지션 센서와, 기판 트레이의 반입 속도의 제어를 위한 포지션 센서, 그리고 기판 트레이의 최종 반입 위치의 결정을 위한 포지션 센서가 기판 트레이의 진입 방향을 따라 배치되는 것을 일 예로 하고 있다.
여기서, 각 포지션 센서의 발광부 및 수광부는 반응 챔버 외부의 대기 중에 위치하는데, 도 2에 도시된 바와 같이, 센서 하우징의 가장자리 외측에 설치됨으로써 반응 챔버 외부에 대기 중에 배치된다.
센서 하우징은 대략 통 형상을 가지며, 포지션 센서의 발광부 또는 수광부가 설치된 가장자리의 반대측이 반응 챔버의 외벽면과 결합된다. 여기서, 반응 챔버에는 발광부로부터 발광된 감지 광이 센서 하우징을 거쳐 반응 챔버 내부로 진행 하도록 발광부가 설치된 센서 하우징과 연통되는 센서 체결구가 형성된다. 동일하게, 반응 챔버에는 발광부로부터 발광된 감지 광이 반응 챔버 내부로 진행한 후 수광부로 전달되도록 수광부가 설치된 센서 하우징과 연통되는 센서 체결구가 형성된다.
이에 따라, 발광부로부터 방출된 감지 광이 발광부 측의 센서 하우징 내부를 거쳐 센서 체결구를 통해 반응 챔버 내부로 진행되고, 수광부 측의 센서 체결구 및 센서 하우징을 거쳐 수광부에 의해 감지된다.
그런데, 반응 챔버 내부에서 공정 진행 중 반응 후 공정 가스가 배기되는 과정에서 공정 가스가 반응 챔버에 형성된 센서 체결구를 통해 센서 하우징 내부로 유입되는 경우가 발생한다.
이 경우, 센서 하우징으로 유입되는 반응 가스에 의한 오염으로 인해 발광부로부터 발광된 감지 광의 굴절 현상 등으로 센싱 오류가 발생하여 감지 결과의 신뢰도가 저하되는데, 이는 기판 트레이가 반응 챔버 내부에서 정상적인 위치에서 이탈되는 결과를 초래하여 기판 불량을 발생시키는 원인으로 작용할 수 있다.
또한, 반응 챔버 내의 공정 중 질화물을 이용한 박막을 형성하는 공정에서는 반응 잔여물로 파우더(Powder)가 발생하게 되는데, 반응 가스의 배기 과정에서 센서 하우징 내부로 파우더가 유입되어 누적되는 경우 센서 하우징의 막힘 형상이 유발되어 센싱 오류가 발생할 수 있다.
그리고, 센서 하우징의 외측 가장자리 부분은 석영 뷰포트(Viewport)를 포함하는 실링 플랜지(Sealing flange)에 의해 밀폐되는데, 석영 뷰포트(Viewport)는 기판의 세정 공정에서 사용되는 세정 가스인 불소(Fluorine) 가스에 취약하여 표면 오염으로 인해 불투명해져 감지 기능 자체의 수행이 불가능해질 우려가 있으며, 이는 포지션 센서 자체의 교체를 초래하여 관리 비용을 증가시키게 된다.
이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 포지션 센서가 설치되는 센서 하우징 내부로 반응 가스가 유입되는 것을 차단하여 포지 션 센서의 오류의 원인을 제거함으로써, 포지션 센서의 감지 결과에 대한 신뢰도를 보장하여 기판 불량을 제거함과 동시에 포지션 센서의 불필요한 교체를 줄여 관리 비용을 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 일측 벽면에 형성되어 기판이 반입되는 반입구와, 상기 기판의 반입 방향에 대향하는 양측 면에 관통 형성된 센서 체결구를 갖는 반응 챔버와; 상기 센서 체결구를 통해 상기 반응 챔버와 연통되도록 일측 가장자리가 상기 반응 챔버에 결합하는 통 형상의 센서 하우징과; 상기 센서 하우징의 타측 가장자리 영역에 설치되어 상기 센서 체결구를 통해 상기 반응 챔버 내부로 반입되는 상기 기판을 감지하는 포지션 센서와; 상기 센서 하우징의 내부에 비활성 가스를 주입하는 가스 주입 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 각 센서 하우징은 상기 비활성 가스의 주입을 위한 가스 주입구가 형성된 플랜지 연결부를 포함하며; 상기 각 가스 주입 유닛은 상기 플랜지 연결부에 결합되는 결합 플랜지부와; 상기 비활성 가스의 공급을 위한 공급 파이프가 연결되는 파이프 연결부를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 각 가스 주입 유닛의 상기 파이프 연결부와 연결되는 상기 공급 파이프는 상호 연결되어 하나의 가스 공급원으로부터 상기 비활성 가스가 공급되도록 마련될 수 있다.
그리고, 상기 센서 체결구는 상기 반응 챔버의 상기 기판의 반입 방향에 대향하는 네 면 중 상호 마주하는 양측 면에 형성될 수 있다.
여기서, 상기 센서 체결구는 상기 반응 챔버의 양측 면 중 일측에 상기 기판의 반입 방향을 따라 형성된 복수의 제1 센서 체결구와, 상기 반응 챔버의 양측 면 중 타측에 상기 각 제1 센서 체결구에 대응하는 위치에 형성된 복수의 제2 센서 체결구를 포함하며; 상기 센서 하우징은 상기 복수의 제1 센서 체결구와 각각 연통되는 복수의 제1 센서 하우징과, 상기 복수의 제2 센서 체결구와 각각 연통되는 복수의 제2 센서 하우징을 포함하며; 상기 포지션 센서는 상기 복수의 제1 센서 하우징에 각각 설치되어 상기 각 제1 센서 하우징을 통해 상기 각 제1 센서 체결구 방향으로 감지 광을 방출하는 복수의 발광부와, 상기 복수의 제2 센서 하우징에 각각 설치되어 상기 각 제2 센서 체결구 및 상기 각 제2 센서 하우징을 통해 진행되는 상기 감지 광을 감지하는 복수의 수광부를 포함할 수 있다.
상기 구성에 의해 본 발명에 따르면, 가스 주입 유닛에 의해 아르곤 가스나 헬륨 가스와 같은 비활성 가스가 센서 하우징 내부로 주입되어 반응 챔버 내부의 반응 가스가 센서 하우징 내부로 유입되는 것이 차단되어, 반응 가스에 의한 포지션 센서의 감지 오류를 방지할 수 있게 된다.
또한, 포지션 센서의 불량이 제거되어 포지션 센서의 감지 결과에 대한 신뢰도가 보장됨으로써, 포지션 센서의 오류에 의한 기판 불량을 제거함과 동시에 포 지션 센서의 불필요한 교체를 줄여 관리 비용을 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치가 제공된다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다.
도 3는 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략적인 사시도이고, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 선에 따른 단면도이고, 도 5는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 선에 따른 단면의 일부를 확대 도시한 도면이다. 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 반응 챔버(10), 센서 하우징(30,40), 포지션 센서(60,61) 및 가스 주입 유닛(50)을 포함한다.
반응 챔버(10)는 공정의 대상물인 기판을 외부와 격리시켜 공정이 수행되는 진공된 밀폐 공간을 제공한다. 여기서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)가 PE-CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정에 사용되는 형태를 갖는 경우, 반응 챔버(10)의 상부에는 고주파 전원(미도시)으로부터 공급되는 고주파 전력을 이용하여 반응 챔버(10) 내에 고주파를 발생시키는 플라즈마 전극(미도시)과, 플라즈마 전극의 하부에 반응 챔버(10)의 외부로부터 유입되는 반응 가스의 분사를 위한 사워 헤드(미도시)가 배치될 수 있다.
그리고, 반응 챔버(10)를 형성하는 네 벽면 중 일측 벽면에는 다수 개의 기판이 적재된 기판 트레이(3)가 반응 챔버(10)로 반입되기 위한 반입구(11)가 형성 된다. 또한, 반응 챔버(10)를 형성하는 네 벽면 중 기판 트레이(3)의 진입 방향에 대향한 양측 벽면에는 기판의 반입 방향을 따라 복수의 롤러 컨베이어(20)가 설치되어, 기판 트레이(3)를 반입구(11)를 통해 반응 챔버(10) 내부로 반입시킨다.
여기서, 본 발명에 따른 반응 챔버(10)의 네 벽면 중 반입구(11)가 형성된 벽면과 대향한 벽면에는 공정이 완료된 기판 트레이(3)가 반응 챔버(10)의 외부로 반출되기 위한 반출구(12)가 형성될 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)에는 인-라인(In-line) 방식이 적용되어, 롤러 컨베이어(20)의 구동에 따라 반입구(11)를 통해 기판 트레이(3)가 반응 챔버(10) 내부로 반입되고, 공정 완료 후 다시 롤러 컨베이어(20)의 구동에 따라 반출구(12)를 통해 기판 트레이(3)가 반응 챔버(10) 외부로 반출된다.
또한, 본 발명에 따른 반응 챔버(10)에는 기판의 반입 방향, 즉 기판 트레이(3)의 반입 방향에 대향하는 양측 면에는 복수의 센서 체결구(13,13a)가 형성된다. 여기서, 본 발명에서는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 센서 체결구(13,13a)가 기판 트레이(3)의 반입 방향에 대향하는 양측 벽면에 형성되는 것을 예로 하고 있다.
이하에서는 반응 챔버(10)의 양측 면 중 일측에 기판 트레이(3)의 반입 방향을 따라 형성된 센서 체결구(13,13a)를 제1 센서 체결구(13a)라 하고, 반응 챔버(10)의 양측 면 중 타측에 기판 트레이(3)의 반입 방향을 따라 형성된 센서 체결구(13,13a)를 제2 센서 체결구(13)라 정의하여 설명한다.
각 센서 하우징(30,40)은 제1 센서 체결구(13a) 및 제2 센서 체결구(13)를 통해 반응 챔버(10)와 연통되도록 일측 가장자리가 반응 챔버(10)의 외측면과 결합된다. 여기서, 센서 하우징(30,40)은 포지션 센서(60,61)가 반응 챔버(10) 내부로 반입되는 기판 트레이(3)를 감지할 수 있도록 내부가 빈 통 형상을 갖는다.
이하에서는, 복수의 제1 센서 체결구(13a)와 각각 연통되는 센서 하우징(30,40)을 제1 센서 하우징(30)이라 정의하고, 복수의 제2 센서 체결구(13)와 각각 연통되는 센서 하우징(30,40)을 제2 센서 하우징(40)이라 정의하여 설명한다.
한편, 포지션 센서(60,61)는 제1 센서 하우징(30) 및 제2 센서 하우징(40)의 타측 가장자리 영역, 즉 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(10)를 기준으로 센서 하우징(30,40)의 외측 가장자리 영역에 설치된다. 그리고, 포지션 센서(60,61)는 센서 하우징(30,40)의 내부 공간 및 반응 챔버(10)에 형성된 센서 체결구(13,13a)를 통해 반응 챔버(10) 내부로 반입되는 기판을 감지하게 된다.
여기서, 각 포지션 센서(60,61)는 제1 센서 하우징(30)에 각각 설치되어 제1 센서 하우징(30)을 통해 제1 센서 체결구(13a) 방향으로 감지 광을 방출하는 발광부(60)와, 제1 센서 하우징(30)에 각각 설치되어 제1 센서 체결구(13a) 및 제2 센서 하우징(40)을 통해 진행되는 감지 광을 감지하는 수광부(61)를 포함할 수 있다.
여기서, 발광부(60)는 직진성을 갖는 적외선 빔 형태의 감지 광을 방출하는 적외선 발광소자(미도시)를 포함하여 구성될 수 있으며, 수광부(61)는 적외선 발광소자로부터 방출된 적외선 빔을 감지할 수 있는 적외선 수신소자(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.
이에 따라, 발광부(60)로부터 방출된 감지 광이 반응 챔버(10) 내부를 통과하는 과정에서 기판이 적재된 기판 트레이(3)가 진입되어 감지 광을 차단하게 되면, 수광부(61)가 이를 감지하여 기판 트레이(3)의 진입을 감지하게 된다.
한편, 가스 주입 유닛(50)은 센서 하우징(30,40)의 내부에 비활성 가스를 주입한다. 여기서, 가스 주입 유닛(50)을 통해 주입되는 비활성 가스로는 헬륨 가스 또는 아르곤 가스를 일 예로 한다. 이외에도, 반응 챔버(10) 내부에 유입되더라도 반응 가스나 플라즈마 환경 등, 반응 챔버(10) 내부의 공정 진행에 영향을 미치지 않은 다른 형태의 비활성 가스가 적용 가능함은 물론이다.
여기서, 본 발명에 따른 가스 주입 유닛(50)은, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 결합 플랜지부(51)와 파이프 연결부(53)를 포함할 수 있다.
결합 플랜지부(51)는 센서 하우징(30,40)에 마련된 플랜지 연결부(31b)와 결합된다. 여기서, 센서 하우징(30,40)의 플랜지 연결부(31b)에는 가스 주입 유닛(50)과 센서 하우징(30,40) 내부가 연통되어 가스 주입 유닛(50)으로부터 센서 하우징(30,40) 내부에 비활성 가스가 주입 가능하도록 관통 형성된 가스 주입구(31c)가 형성된다.
그리고, 결합 플랜지부(51)와 플랜지 연결부(31b)는 가스 주입 유닛(50) 및 센서 하우징(30,40)의 내부가 외부로부터 밀폐되도록 상호 결합되는 구성, 예컨대 실링 부재(미도시)를 사이에 두고 볼트 결합을 통해 상호 결합될 수 있으며, 이외에도 밀폐 가능한 다양한 형태로 상호 결합되는 구성, 예를 들어 용접을 통한 결합 구성을 가질 수 있음은 물론이다.
파이프 연결부(53)는 비활성 가스의 공급을 위한 공급 파이프(도 3 참조)가 연결된다. 여기서, 공급 파이프와 파이프 연결부(53)의 결합 구성은 나사 결합, 용접 등과 같이 다양한 형태가 적용 가능함은 물론이다. 또한, 각 가스 주입 유닛(50)의 파이프 연결부(53)와 연결되는 공급 파이프는, 도 3에 도시된 바와 같이 하나의 가스 공급원(미도시)으로부터의 비활성 가스가 공급 가능하도록 상호 연결될 수 있다.
상기와 같은 구성에 따라, 반응 챔버(10) 내부에서의 공정 진행 중, 특히 반응 가스를 배기시키는 공정의 진행 중에, 가스 주입 유닛(50)을 통해 센서 하우징(30,40) 내부로 비활성 가스를 지속적으로 주입시킴으로써, 반응 챔버(10) 내부의 반응 가스가 센서 하우징(30,40) 내부로 유입되는 것이 차단된다.
이에 따라, 종래의 기판 처리 장치(1)에서 반응 가스가 센서 하우징(30,40) 내부로 유입되고, 유입된 반응 가스에 의한 포지션 센서(60,61)의 오염 등으로 인한 감지 오류를 방지할 수 있게 된다. 그리고, 포지션 센서(60,61)의 불량이 제거되어 포지션 센서(60,61)의 감지 결과에 대한 신뢰도가 보장됨으로써, 포지션 센서(60,61)의 오류에 의한 기판 불량을 제거함과 동시에 포지션 센서(60,61)의 불필요한 교체를 줄여 관리 비용을 감소시킬 수 있게 된다.
이하에서는, 도 3 및 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 센서 하우징(30,40)의 구성에 대해 설명한다.
본 발명에 따른 센서 하우징(30,40)은 포지션 센서(60,61)를 반응 챔버(10)로부터 이격시키는 통 형상을 가지며 가스 주입 유닛(50)과 연통되는 상술한 플랜 지 연결부(31b)가 마련된 하우징 파이프(31,41)와, 하우징 파이프(31,41)의 일측 가장자리에 마련되어 반응 챔버(10)와 결합되는 챔버 결합부(32,42)와, 하우징 파이프(31,41)의 타측 가장자리에 마련되어 하우징 파이프(31,41)를 밀폐하는 밀폐 유닛(33,43)을 포함할 수 있다.
챔버 결합부(32,42)는 하우징 파이프(31,41)의 일측 가장자리로부터 반경 방향 외측으로 연장 형성되어, 하우징 파이프(31,41)와 반응 챔버(10)의 센서 체결구(13,13a)가 연통되도록 반응 챔버(10)의 외측면에 결합된다. 여기서, 챔버 결합부(32,42)와 반응 챔버(10) 간의 결합은 밀폐가 가능한 다양한 형태로 마련될 수 있다.
그리고, 밀폐 유닛(33,43)은 밀폐를 위한 오링(O-ring) 부재(33a), 석영 뷰포트(Viewport)가 부착된 뷰포트 플랜지(33b), 그리고, 오링(O-ring) 부재(33a), 뷰포트 플랜지(33b) 및 하우징 파이프(31,41)의 타측에 형성된 플랜지(31a)를 수용 및 결합시켜 하우징 파이프(31,41)의 타측 가장자리 영역의 밀폐를 보장하는 플랜지 클램프(33c)를 포함할 수 있다.
여기서, 포지션 센서(60,61)의 발광부(60) 또는 수광부(61)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 센서 지지 유닛(70,71)을 통해 센서 하우징(30,40)의 밀폐 유닛(33,43)과 소정 간격 이격된 상태로 센서 하우징(30,40)에 설치된다. 센서 지지 유닛(70,71)은 포지션 센서(60,61)의 발광부(60) 또는 수광부(61)가 결합되어 지지되는 지지 부재(70)와, 지지 부재(70)를 센서 하우징(30,40)에 고정시키기 위한 U 자형 너트(71)를 포함할 수 있으며, 지지 부재(70)와 U자형 너트(71)의 볼트 결합 을 통해 센서 하우징(30,40)에 고정되어 포지션 센서(60,61)의 발광부(60) 또는 수광부(61)를 지지할 수 있다.
전술한 실시예에서는 제1 센서 체결구(13a) 및 제2 센서 체결구(13)가 반응 챔버(10)의 양측 벽면에 형성되는 것을 일 예로 하여 설명하였다. 이외에도, 제1 센서 체결구(13a) 및 제2 센서 체결구(13)는 반응 챔버(10)의 상부면 및 하부면에 형성될 수 있음은 물론이다. 즉, 1 센서 체결구(13a) 및 제2 센서 체결구(13)는 기판의 반입 방향에 대향하는 반응 챔버(10)의 네 면 중 상호 마주하는 양측 면에 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 센서 하우징(30) 및 제2 센서 하우징(40), 그리고 포지션 센서(60,61) 또한 제1 센서 체결구(13a) 및 제2 센서 체결구(13)의 형성 위치에 따라 그 설치 위치가 변경된다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 별명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
도 1은 종래의 인-라인(In-line) 방식의 화학 기상 증착 공정에 사용되는 기판 처리 장치의 개략적인 사시도이고,
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 선에 따른 단면의 일부를 도시한 도면이고,
도 3는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 사시도이고,
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 선에 따른 단면도이고,
도 5는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 선에 따른 단면의 일부를 확대 도시한 도면이다.
<도면의 주요 번호에 대한 설명>
1 : 기판 처리 장치 10 : 반응 챔버
11 : 반입구 12 : 반출구
13 : 제2 센서 체결구 13a : 제1 센서 체결구
20 : 롤러 컨베이어 30 : 제1 센서 하우징
40 : 제2 센서 하우징 50 : 가스 주입 유닛
51 : 결합 플랜지부 52 : 파이프 연결부
60 : 발광부 61 : 수광부

Claims (5)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판이 반입되는 반입구와, 관통 형성된 센서 체결구를 갖는 반응 챔버와;
    상기 센서 체결구를 통해 상기 반응 챔버와 연통되도록 일측 가장자리가 상기 반응 챔버에 결합하는 센서 하우징과;
    상기 센서 하우징의 타측 가장자리 영역에 설치되어 상기 센서 체결구를 통해 상기 반응 챔버 내부로 반입되는 상기 기판을 감지하는 포지션 센서와;
    상기 센서 하우징의 내부에 비활성 가스를 주입하는 가스 주입 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 각 센서 하우징은 상기 비활성 가스의 주입을 위한 가스 주입구가 형성된 플랜지 연결부를 포함하며;
    상기 각 가스 주입 유닛은,
    상기 플랜지 연결부에 결합되는 결합 플랜지부와;
    상기 비활성 가스의 공급을 위한 공급 파이프가 연결되는 파이프 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 각 가스 주입 유닛의 상기 파이프 연결부와 연결되는 상기 공급 파이프는 상호 연결되어 하나의 가스 공급원으로부터 상기 비활성 가스가 공급되도록 마련되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 센서 체결구는 상기 반응 챔버의 상기 기판의 반입 방향에 대향하는 네 면 중 상호 마주하는 양측 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 센서 체결구는,
    상기 반응 챔버의 양측 면 중 일측에 상기 기판의 반입 방향을 따라 형성된 복수의 제1 센서 체결구와,
    상기 반응 챔버의 양측 면 중 타측에 상기 각 제1 센서 체결구에 대응하는 위치에 형성된 복수의 제2 센서 체결구를 포함하며;
    상기 센서 하우징은,
    상기 복수의 제1 센서 체결구와 각각 연통되는 복수의 제1 센서 하우징과,
    상기 복수의 제2 센서 체결구와 각각 연통되는 복수의 제2 센서 하우징을 포함하며;
    상기 포지션 센서는,
    상기 복수의 제1 센서 하우징에 각각 설치되어 상기 각 제1 센서 하우징을 통해 상기 각 제1 센서 체결구 방향으로 감지 광을 방출하는 복수의 발광부와,
    상기 복수의 제2 센서 하우징에 각각 설치되어 상기 각 제2 센서 체결구 및 상기 각 제2 센서 하우징을 통해 진행되는 상기 감지 광을 감지하는 복수의 수광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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