KR20100118178A - Mosfet driver of motor driver for a fuel pump - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A MOSFET driver circuit is provided to simplify a circuit by removing a push-pull transistor and a bypass condenser. CONSTITUTION: A first MOSFET driving part(51) turns on and off the first MOSFET of a motor driver. The first MOSFET driving part comprises a first and second transistor, and a first resistor. A second MOSFET driving part(53) turns on and off the second MOSFET of the motor driver. The second MOSFET driving part comprises a third and fourth transistor, and a second resistor. A voltage doubling part doubles a DC driving voltage for driving the first and the second MOSFET driving part.

Description

연료 펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로{MOSFET DRIVER OF MOTOR DRIVER FOR A FUEL PUMP}MOSFET driver circuit of motor drive device for fuel pump {MOSFET DRIVER OF MOTOR DRIVER FOR A FUEL PUMP}

본 발명은 연료펌프용 모터 구동장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 연료펌프용 모터에 온/오프 스위칭 신호를 출력하도록 MOSFET을 구동하는 구동회로의 구성을 단순화할 수 있는 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로에 관한 것이다. The present invention relates to a motor driving apparatus for a fuel pump, and more particularly, to a fuel pump motor driving apparatus capable of simplifying the configuration of a driving circuit for driving a MOSFET to output an on / off switching signal to a fuel pump motor. It relates to a MOSFET driving circuit.

일반적으로 액화석유가스(Liquefied Petroleum Gas, 이하 'LPG'라 함)를 연료로 사용하는 자동차에서는 연료 펌프를 이용하여 연료탱크에 저장되어 있는 LPG 연료를 엔진에 공급한다. 이때, 자동차의 속도 등을 고려하여 연료 펌프의 회전속도를 제어함으로써 엔진에 공급되는 LPG의 양을 조절한다.In general, a vehicle using liquefied petroleum gas (LPG) as a fuel supplies an engine with LPG fuel stored in a fuel tank by using a fuel pump. At this time, the amount of LPG supplied to the engine is adjusted by controlling the rotational speed of the fuel pump in consideration of the speed of the vehicle.

최근에는 상기 액화석유가스를 액체상태에서 상기 엔진 내부로 직접 분사하는 액화석유분사(Liquefied Petroleum Injection, 이하 'LPI'라 함) 방식의 엔진이 개발되고 있다. 이러한 LPI 방식의 엔진은 액체 상태의 LPG 연료를 공기와 혼합하 여 사용하는 기존의 엔진에 비하여 엔진 출력을 10~20% 향상시키고, 오염물질의 배출을 저감할 수 있다. Recently, a liquefied petroleum injection (LPI) engine that directly injects the liquefied petroleum gas into the engine in a liquid state has been developed. These LPI engines can improve engine output by 10-20% and reduce pollutant emissions compared to conventional engines that use liquid LPG fuel mixed with air.

상기 연료 펌프를 구동시켜 주는 모터는 높은 효율과 장 수명 및 신뢰성 확보를 위하여 블러시리스 직류(Brushless Direct Current Motor, 이하 'BLDC'라 함) 모터를 이용하며, 특히 센서가 없는(sensorless) BLDC 모터를 사용하는 것이 일반적이다.The motor that drives the fuel pump uses a brushless direct current motor (BLDC) to secure high efficiency, long life, and reliability. In particular, a sensorless BLDC motor is used. It is common to use.

이러한 상기 LPG 연료를 공급하는 연료펌프를 구동시켜 주는 모터 구동장치의 구동회로에 대한 기술은 대한민국실용실안출원 제20-2008-0011881호에 잘 나타나 있다. 따라서, 본 발명과 관련된 부분만을 도 1 및 도 2에서 설명하고 그 밖의 상세한 설명은 생략한다. The technology of the driving circuit of the motor driving device for driving the fuel pump for supplying the LPG fuel is well shown in Korean Utility Model Application No. 20-2008-0011881. Therefore, only parts related to the present invention will be described in FIGS. 1 and 2 and other detailed descriptions will be omitted.

도 1에는 종래 기술에 따른 연료펌프용 모터 구동장치의 구성이 블록 구성도로 도시되어 있고, 도 2에는 도 1에 도시된 게이트 드라이버의 회로 구성이 상세 회로도로 도시되어 있다.1 is a block diagram showing a configuration of a motor driving apparatus for a fuel pump according to the prior art, and FIG. 2 is a detailed circuit diagram showing a circuit configuration of the gate driver shown in FIG.

먼저, 도 1을 참조하여 종래 기술에 따른 연료펌프용 모터 구동장치의 구성을 설명한다. First, a configuration of a motor driving apparatus for a fuel pump according to the prior art will be described with reference to FIG. 1.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 연료펌프용 모터 구동장치(1)는 인터페이스(10), MCU(20), 과전압 보호부(30), 모터 컨트롤러(40), MOSFET 구동회로(50) 및 모터 구동부(60)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the fuel pump motor driving apparatus 1 according to the related art includes an interface 10, an MCU 20, an overvoltage protection unit 30, a motor controller 40, and a MOSFET driving circuit 50. ) And the motor driver 60.

여기서, 모터 구동부(60)는 연료펌프를 구동시키는 모터(M)로 구동 신호를 전달하기 위한 스위칭 역할을 수행하기 위하여, 3상 풀 브리지(3-Phase Full Bridge) 방식으로 이루어진다. 상기 모터 구동부(60)에는 24V의 구동전원을 사용하는 대형 차량의 모터(M)를 구동하기 위한 구동신호가 입력되는 하이측(HIGH SIDE)에 P채널 MOSFET이 구비된다. 그리고, 12V의 구동전원을 사용하는 승용 차량에 적용된 모터를 구동하기 위한 구동신호가 입력되는 로우측(LOW SIDE)에 N채널 MOSFET이 구비된다. 이와 같은 상기 MOSFET 구동회로(50)는 상기 MOSFET 소자에 각각 제어 신호를 전달하기 위해 아래에서 설명될 구동회로(Gate Driver IC)를 구비한다.Here, the motor driving unit 60 is formed in a three-phase full bridge method to perform a switching role for transmitting a driving signal to the motor M driving the fuel pump. The motor driver 60 includes a P-channel MOSFET on a high side to which a driving signal for driving a motor M of a large vehicle using a driving power of 24V is input. In addition, an N-channel MOSFET is provided on a low side to which a driving signal for driving a motor applied to a passenger vehicle using a 12V driving power source is input. The MOSFET driving circuit 50 includes a driver circuit (Gate Driver IC) which will be described below in order to transmit a control signal to each of the MOSFET devices.

모터 컨트롤러(40)는 상기 모터 구동부(60)에서 측정한 모터(M)의 현재 속도를 입력받아 MCU(20)에 전달한다. The motor controller 40 receives the current speed of the motor M measured by the motor driver 60 and transmits the current speed to the MCU 20.

그러면, MCU(20)는 전달된 현재 속도와 목표 속도의 오차를 산출하고, 산출된 오차를 근거로 비례적분 제어(Proportional Integral Control)를 실시한다. 또한, 상기 MCU(20)는 산출한 오차에 대한 제어 신호를 모터 컨트롤러(40)로 출력하여 모터(M)로 피드백 신호가 전달되도록 한다.Then, the MCU 20 calculates an error between the transmitted current speed and the target speed, and performs proportional integral control based on the calculated error. In addition, the MCU 20 outputs a control signal for the calculated error to the motor controller 40 to transmit a feedback signal to the motor M. FIG.

이에 따라, 상기 연료펌프용 모터 구동장치(1)는 상기 모터(M)의 현재 속도와 목표 속도의 오차가 최소화되도록 제어하고, 차량의 상태에 따라 연료가 엔진으로 적절히 공급될 수 있도록 제어한다.Accordingly, the fuel pump motor driving apparatus 1 controls the error of the current speed and the target speed of the motor M to be minimized, and controls the fuel to be properly supplied to the engine according to the state of the vehicle.

다음, MOSFET 구동회로(50)는 상기 하이측(HIGH SIDE) 신호에 따라 N채널 MOSFET을 구동하는 제 1MOSFET 구동부(51), 상기 로우측(LOW SIDE) 신호에 따라 N채널 MOSFET을 구동하는 제 2MOSFET 구동부(53) 및 상기 제 1MOSFET 구동부(51, 53)에 24V로 배가된 전원을 공급하는 전압배가부(55)를 포함한다.Next, the MOSFET driving circuit 50 may include a first MOSFET driver 51 for driving an N-channel MOSFET according to the high side signal, and a second MOSFET for driving an N-channel MOSFET according to the low side signal. And a voltage multiplier 55 for supplying a power multiplied by 24V to the driver 53 and the first MOSFET drivers 51 and 53.

다음, 도 2를 참조하여 상기 MOSFET 구동회로(50)의 구성을 설명한다. Next, a configuration of the MOSFET driving circuit 50 will be described with reference to FIG. 2.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제 1MOSFET 구동부(51)는 상기 전압배가부(55)에서 24V로 승압된 배가전압(VCC2)을 입력받고, 상기 제 2MOSFET 구동부(53)는 12V의 직류구동전압(VCC)을 입력받는다. 여기서, 상기 제 1MOSFET 구동부(51)는 하이측(HIGH SIDE) 신호가 입력되고, 상기 제 2MOSFET 구동부(53)는 로우측(LOW SIDE) 신호가 입력되며, 각각의 신호에 따라 모터 구동부(60)를 온/오프 제어하게 된다.As shown in FIG. 2, the first MOSFET driver 51 receives a multiplier voltage VCC2 boosted to 24V from the voltage multiplier 55, and the second MOSFET driver 53 receives a DC driving voltage of 12V. Receive (VCC) input. Here, a high side signal is input to the first MOSFET driver 51, a low side signal is input to the second MOSFET driver 53, and the motor driver 60 is input according to each signal. Control on / off.

우선, 상기 로우측(LOW SIDE) 신호가 입력되는 제 1트랜지스터(Q5)를 보면, 상기 제 1트랜지스터(Q5)의 베이스에 5V가 인가되고, 상기 제 1트랜지스터(Q5)의 컬렉터를 통해 전원(VCC)에 의한 전류가 흘러 컬렉터-에미터 간이 도통된다. 그러면, 상기 제 1트랜지스터(Q5)의 에미터로 상기 5V에서 베이스-에미터 간 임계전압인 0.7V를 뺀 약 4.3V가 걸리게 된다. 따라서, 저항(R8)에 의해 제 1트랜지스터(Q5)의 에미터로 전류가 흐르게 된다. 그리고, 제 2트랜지스터(Q6)의 에미터는 일정 전압이 걸려 저항(R6)에 의해 전류가 흐르게 된다. 따라서, 제 3트랜지스터(Q7)은 턴 온 되고, 제 4트랜지스터(Q8)는 턴 오프 됨으로써, N채널 제 2MOSFET(63)의 게이트에 전압(VCC)이 인가된다.First, when looking at the first transistor Q5 to which the low side signal is input, 5V is applied to the base of the first transistor Q5, and power is supplied through the collector of the first transistor Q5. Current flows through the collector and emitter. Then, the emitter of the first transistor Q5 takes about 4.3V minus 0.7V, which is the threshold voltage between the base and the emitter. Therefore, current flows to the emitter of the first transistor Q5 by the resistor R8. The emitter of the second transistor Q6 receives a constant voltage so that a current flows through the resistor R6. Accordingly, the third transistor Q7 is turned on and the fourth transistor Q8 is turned off, so that the voltage VCC is applied to the gate of the N-channel second MOSFET 63.

반대로, 상기 로우측(LOW SIDE) 신호가 입력되지 않는 경우, 상기 제 1트랜지스터(Q5)의 베이스에 0V가 인가되고, 상기 제 1트랜지스터(Q5)의 컬렉터에 걸리는 전압은 직류구동전원(VCC)이 인가된다. 그리고, 제 2트랜지스터(Q6)의 베이스에 전원이 걸리게 되므로, 제 2트랜지스터(Q6)는 턴 오프되거나 오프 상태를 유지하고, 이에 따라 제 2트랜지스터(Q6)의 컬렉터 전압은 0V가 된다. 따라서, NPN 형의 제 3트랜지스터(Q7)는 베이스로 인가되는 전압이 0V 이기 때문에 오프되고, PNP 형인 제 4트랜지스터(Q8)는 베이스로 인가되는 전압이 0V 이기 때문에 온 됨에 따라 N채널 제 2MOSFET(63)의 게이트로 0V가 인가된다.On the contrary, when the low side signal is not input, 0 V is applied to the base of the first transistor Q5, and the voltage applied to the collector of the first transistor Q5 is DC driving power supply VCC. Is applied. Since power is applied to the base of the second transistor Q6, the second transistor Q6 is turned off or maintained off, and thus the collector voltage of the second transistor Q6 becomes 0V. Accordingly, the NPN type third transistor Q7 is turned off because the voltage applied to the base is 0V, and the PNP type fourth transistor Q8 is turned on because the voltage applied to the base is 0V. 0V is applied to the gate of 63).

이어, 하이측(HIGH SIDE) 신호가 입력되는 제 5트랜지스터(Q1)를 보면, 하이측(HIGH SIDE) 신호가 입력되지 않는 경우, 제 5트랜지스터(Q1)의 베이스로 5V가 인가되면, 제 5트랜지스터(Q1)의 에미터에는 약 4.3V가 인가되며, 에미터에 연결된 저항(미도시)에 의해 에미터에 전류가 흐르게 된다. 그리고, 상기 제 5트랜지스터(Q1)의 컬렉터에는 저항(R1)에 의해 전압이 걸리게 되고, 제 6트랜지스터(Q2)의 에미터에 걸리는 전류는 저항(R2)에 의해 형성된다. 이에 따라, NPN 형인 제 7트랜지스터(Q3)는 온 되고, PNP 형인 제 8트랜지스터(Q4)는 오프되며, 상기 N채널 제 1MOSFET(61)의 게이트로 상기 제 8트랜지스터(Q4)의 에미터 전압이 인가된다.Next, when the fifth transistor Q1 to which the high side signal is input is viewed, when the high side signal is not input, when 5 V is applied to the base of the fifth transistor Q1, the fifth transistor Q1 is input. About 4.3V is applied to the emitter of the transistor Q1, and a current flows to the emitter by a resistor (not shown) connected to the emitter. A voltage is applied to the collector of the fifth transistor Q1 by the resistor R1, and a current applied to the emitter of the sixth transistor Q2 is formed by the resistor R2. Accordingly, the seventh transistor Q3 of the NPN type is turned on, the eighth transistor Q4 of the PNP type is turned off, and the emitter voltage of the eighth transistor Q4 is set to the gate of the N-channel first MOSFET 61. Is approved.

반대로, 하이측(HIGH SIDE) 신호가 입력되는 경우, 상기 제 5트랜지스터(Q1)의 베이스 및 에미터로 5V가 인가되고, 상기 제 5트랜지스터(Q1)의 컬렉터 전압은 상기 전압배가부(55)로부터 인가되는 VCC2가 되므로, 상기 제 6트랜지스터(Q2)는 오프된다. 그리고, 상기 제 6트랜지스터(Q2)의 컬렉터 전압은 상기 제 8트랜지스터(Q4)와 동일하므로, 상기 제 7트랜지스터(Q3)는 온 되고, 상기 제 8트랜지스터(Q4)는 오프되어 상기 N채널 제 1MOSFET(61)의 게이트 단에는 상기 제 8트랜지스터(Q4)의 컬렉터 전압이 인가된다.On the contrary, when a high side signal is input, 5 V is applied to the base and the emitter of the fifth transistor Q1, and the collector voltage of the fifth transistor Q1 is the voltage multiplier 55. Since VCC2 is applied from, the sixth transistor Q2 is turned off. Since the collector voltage of the sixth transistor Q2 is the same as that of the eighth transistor Q4, the seventh transistor Q3 is turned on, and the eighth transistor Q4 is turned off to form the N-channel first MOSFET. The collector voltage of the eighth transistor Q4 is applied to the gate terminal of 61.

따라서, 상기 하이측(HIGH SIDE) 신호와 로우측(LOW SIDE) 신호에 따라 상기 모터 구동부(60)의 N채널 MOSFET(61, 63)이 턴 온/턴 오프 됨으로써, 모터 구동 부(60)를 통하여 연료펌프용 모터(M)로 제어된 전압이 공급되도록 동작한다.Accordingly, the N-channel MOSFETs 61 and 63 of the motor driver 60 are turned on / off according to the high side signal and the low side signal, thereby turning the motor driver 60 off. It is operated to supply a controlled voltage to the fuel pump motor (M) through.

하지만, 상기한 바와 같은 종래의 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the MOSFET driving circuit of the conventional fuel pump motor driving apparatus as described above has the following problems.

먼저, 푸시-풀(push-pull) 회로를 구성하는 제 3및 제 4트랜지스터(Q7, Q8)와 제 7및 제 8트랜지스터에서(Q3, Q4)는 온/오프 시간차에 의해 노이즈전류가 발생된다. First, in the third and fourth transistors Q7 and Q8 and the seventh and eighth transistors Q3 and Q4 constituting the push-pull circuit, a noise current is generated by the on / off time difference. .

그리고, 상기 제 4및 제 8트랜지스터(Q8, Q4)는 상기 MOSFET의 게이트 전압을 완전하게 제거할 수 없는 한계가 있다. In addition, the fourth and eighth transistors Q8 and Q4 have a limit in that the gate voltage of the MOSFET cannot be completely removed.

또한, 상기 MOSFET의 게이트 단에 형성된 바이패스 경로에의 콘덴서(C4, C6)는 게이트 스위칭 신호 기울기를 완만하게 형성되게 함에 따라, 상기 MOSFET의 수명을 감소시키고, 저항(R8)과 같이 불필요한 소자들이 구비되어 회로의 제작비용이 증가되는 문제점이 있다. In addition, the capacitors C4 and C6 in the bypass path formed at the gate end of the MOSFET form a gentle slope of the gate switching signal, thereby reducing the lifetime of the MOSFET and reducing unnecessary elements such as the resistor R8. There is a problem that the manufacturing cost of the circuit is increased.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 연료펌프용 모터를 구동하는 MOSFET 구동회로의 구성을 단순화하면서도 동작특성을 개선할 수 있는 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로를 제공하는 것이다. The present invention is to solve the problems described above, an object of the present invention is to simplify the configuration of the MOSFET drive circuit for driving a motor for a fuel pump while driving the MOSFET drive circuit of the fuel pump motor drive device that can improve the operating characteristics To provide.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 차속에 따라 연료펌프용 모터를 구동시키는 제어 신호를 출력하는 모터 컨트롤러의 제어 신호에 의해 모터 구동부의 MOSFET을 제어하기 위한 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로에 있어서, 상기 모터 구동부의 제 1MOSFET을 턴 온/턴 오프시키는 제 1MOSFET 구동부, 상기 모터 구동부의 제 2MOSFET을 턴 온/턴 오프시키는 제 2MOSFET 구동부 및 직류구동전압의 전압레벨을 배가시켜 상기 제 1MOSFET 구동부로 인가하는 전압배가부를 포함하고, 상기 제 1MOSFET 구동부는 제 1 및 제 2트랜지스터와 제 1저항을 포함하고, 제 2MOSFET 구동부는 제 3 및 제 4트랜지스터와 제 2저항을 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the present invention provides a fuel for controlling the MOSFET of the motor drive unit by the control signal of the motor controller for outputting a control signal for driving the fuel pump motor in accordance with the vehicle speed A MOSFET driving circuit of a motor driving apparatus for a pump, comprising: a first MOSFET driving unit for turning on and off a first MOSFET of the motor driving unit, a second MOSFET driving unit for turning on and off a second MOSFET of the motor driving unit, and a DC driving voltage; A voltage multiplier for multiplying a voltage level to be applied to the first MOSFET driver, wherein the first MOSFET driver includes first and second transistors and a first resistor, and the second MOSFET driver includes third and fourth transistors and a second resistor. Includes resistance.

상기 제 1트랜지스터는 에미터단에 하이측(HIGH SIDE) 신호가 입력되고 베이스단에 소자구동전압이 인가되며, 상기 제 2트랜지스터는 상기 제 1트랜지스터의 컬렉터단과 상기 전압배가부로부터 배가된 전원의 입력단 사이에 베이스단이 연결 되고, 상기 제 1트랜지스터의 컬렉터단과 제 2트랜지스터의 에미터단에는 상기 배가된 전원이 인가되는 것을 특징으로 한다.The first transistor receives a high side signal at an emitter terminal, a device driving voltage is applied to a base terminal, and the second transistor is an input terminal of a power doubled from the collector terminal of the first transistor and the voltage multiplier. The base terminal is connected between the multiplier and the collector terminal of the first transistor and the emitter terminal of the second transistor are characterized in that the doubled power is applied.

상기 제 1저항은 상기 제 2트랜지스터의 컬렉터단과 상기 제 1MOSFET의 게이트단 사이에 구비되는 것을 특징으로 한다.The first resistor may be provided between the collector terminal of the second transistor and the gate terminal of the first MOSFET.

상기 제 3트랜지스터는 베이스단에 로우측(LOW SIDE) 신호가 입력되고 컬렉터단에 직류구동전압이 인가되며, 상기 제 4트랜지스터는 상기 제 3트랜지스터의 컬렉터단과 상기 직류구동전압의 입력단 사이에 베이스단이 연결되고, 상기 제 3트랜지스터의 컬렉터단과 제 4트랜지스터의 에미터에는 상기 직류구동전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.The third transistor has a low side signal input to a base end and a DC driving voltage is applied to a collector end, and the fourth transistor has a base end between a collector end of the third transistor and an input end of the DC driving voltage. The DC driving voltage is applied to the collector terminal of the third transistor and the emitter of the fourth transistor.

상기 제 2저항은 상기 제 4트랜지스터의 컬렉터단과 상기 제 2MOSFET의 게이트단 사이에 구비되는 것을 특징으로 한다.The second resistor may be provided between the collector terminal of the fourth transistor and the gate terminal of the second MOSFET.

상술한 바와 같이, 본 발명은 노이즈 전류를 발생시키고, MOSFET의 게이트 전압을 잔존시키는 푸시-풀 트랜지스터를 제거하여 동작 특성을 향상시킴으로써, 제품의 정밀한 제어를 수행할 수 있다.As described above, the present invention can perform precise control of the product by removing the push-pull transistor which generates a noise current and retains the gate voltage of the MOSFET, thereby improving operating characteristics.

그리고, 푸시-풀 트랜지스터와 저항 등의 불필요한 소자들을 제거하여 회로 구성을 단순화하고 MOSFET의 수명을 연장시킬 수 있으므로, 회로 구성에 소요되는 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. In addition, since unnecessary elements such as push-pull transistors and resistors can be removed, the circuit configuration can be simplified and the life of the MOSFET can be extended, thereby reducing the cost of the circuit configuration.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a MOSFET driving circuit of a motor driving apparatus for a fuel pump according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3에는 본 발명의 바람직한 실시 예에 의한 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로의 구성이 상세회로도로 도시되어 있다. 3 is a detailed circuit diagram of a MOSFET driving circuit of a fuel pump motor driving apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예에서는 종래 기술과 동일한 부분은 동일한 부호를 부여하고, 그 반복 설명은 생략하기로 한다. In the exemplary embodiment of the present invention, the same parts as in the prior art are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof will be omitted.

본 발명에 의한 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로(50)는 하이측(HIGH SIDE) N채널 MOSFET을 구동하는 제 1MOSFET 구동부(51)와, LOW SIED N채널 MOSFET을 구동하는 제 2MOSFET 구동부(53)가 구비된다. 본 실시 예에서, 상기 제 1 및 제 2MOSFET 구동부(51, 53)는 단일 칩으로 구성된 게이트 드라이버 집적회로(Integrated Circuit, 이하 'IC'라 함)가 아니라, 개별 트랜지스터 회로로 구성됨에 따라 연료펌프용 모터 구동장치의 개별 단가가 절감된다. 그리고, 상기 제 1및 제 2MOSFET 구동부(51, 53)의 개별 트랜지스터 회로를 구동하기 위한 직류구동전압을 배가시켜 주는 전압배가부(55)가 구비된다. 즉, 상기 전압배가부(55)가 12V의 전압을 24V로 승압시켜 줌에 따라, 상기 MOSFET 구동회로(50)는 12V 전압 기반의 승용 차량 시스템뿐만 아니라 24V 전압 기반의 대형 상용 차량 시스템에도 적용될 수 있다. 상기 전압배가부(55)의 구성에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다. The MOSFET driving circuit 50 of the fuel pump motor driving apparatus according to the present invention includes a first MOSFET driving unit 51 for driving a high side N-channel MOSFET, and a second MOSFET driving unit for driving a LOW SIED N-channel MOSFET ( 53). In the present exemplary embodiment, the first and second MOSFET drivers 51 and 53 are not gate driver integrated circuits (ICs) configured as single chips, but individual transistor circuits. The individual unit cost of the motor drive is reduced. A voltage multiplier 55 is provided to double the DC driving voltage for driving the individual transistor circuits of the first and second MOSFET drivers 51 and 53. That is, as the voltage doubling unit 55 boosts the voltage of 12V to 24V, the MOSFET driving circuit 50 may be applied to a large commercial vehicle system based on a 24V voltage as well as a passenger vehicle system based on a 12V voltage. have. Detailed description of the configuration of the voltage multiplier 55 will be omitted.

이어, 도 3을 참조하여 제 1 및 제 2MOSFET 구동부(51, 53)의 구성을 상세하게 설명한다. Next, the configuration of the first and second MOSFET drivers 51 and 53 will be described in detail with reference to FIG. 3.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1MOSFET 구동부(51)는 상기 전압배가 부(55)로부터 24V로 승압된 배가전압(VCC2)을 인가받고, 상기 제 2MOSFET 구동부(53)는 12V의 직류구동전압(VCC)을 인가받는다.As shown in FIG. 3, the first MOSFET driver 51 receives a double voltage VCC2 of which the voltage double is boosted from the unit 55 to 24V, and the second MOSFET driver 53 is a DC driving voltage of 12V. (VCC) is authorized.

그리고, 상기 제 1MOSFET 구동부(51)는 하이측(HIGH SIDE) 신호를 입력받고, 상기 제 2MOSFET 구동부(53)는 로우측(LOW SIDE) 신호를 입력받으며, 상기 제 1 및 제 2MOSFET 구동부(51, 53)는 각각 상기 입력되는 신호에 따라 모터 구동부(60)의 제 1 및 제 2MOSFET(61, 63)을 온/오프 제어한다. In addition, the first MOSFET driver 51 receives a high side signal, the second MOSFET driver 53 receives a low side signal, and the first and second MOSFET drivers 51, 53 respectively controls on / off of the first and second MOSFETs 61 and 63 of the motor driver 60 according to the input signal.

본 실시 예에서는 제 1 및 제 2MOSFET 구동부(51, 53)에 각각 2개의 트랜지스터를 이용하여 게이트 드라이버 IC와 같은 기능을 하는 구동회로를 구현한다. In this embodiment, two transistors are respectively used in the first and second MOSFET drivers 51 and 53 to implement a driving circuit having the same function as a gate driver IC.

먼저, 제 1MOSFET 구동부(51)의 구성을 살펴보면, 에미터단에 상기 하이측(HIGH SIDE) 신호가 입력되고, 베이스단에 5V의 소자구동전압이 인가되는 제 1트랜지스터(Q11)가 구비된다. 그리고, 상기 제 1트랜지스터(Q11)의 컬렉터단과 상기 전압배가부(55)로부터 24V로 승압된 배가전압(VCC2)의 입력단 사이에 베이스단이 연결되는 제 2트랜지스터(Q12)가 구비된다. First, referring to the configuration of the first MOSFET driver 51, the high side signal is input to the emitter terminal and a first transistor Q11 is applied to the base terminal to which the device driving voltage of 5V is applied. A second transistor Q12 is connected between a collector terminal of the first transistor Q11 and an input terminal of a double voltage VCC2 boosted to 24V from the voltage doubler 55.

상기 배가전압(VCC2)의 입력단과 상기 제 1트랜지스터(Q11)의 컬렉터단 사이와, 제 2트랜지스터(Q12)의 에미터단 사이에는 각각 제 1저항(R11)과 제 2저항(R12)이 서로 병렬로 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(Q12)의 컬렉터단과 제 1MOSFET(63)의 게이트단 사이에는 제 3저항(R13)이 구비된다. The first resistor R11 and the second resistor R12 are parallel to each other between the input terminal of the double voltage VCC2 and the collector terminal of the first transistor Q11 and the emitter terminal of the second transistor Q12. Is connected to. A third resistor R13 is provided between the collector terminal of the second transistor Q12 and the gate terminal of the first MOSFET 63.

다음, 제 2MOSFET 구동부(53)의 구성을 살펴보면, 베이스단에 상기 로우측(LOW SIDE) 신호가 입력되고, 컬렉터단에 12V의 직류구동전압(VCC)이 인가되는 제 3트랜지스터(Q21)가 구비된다. 그리고, 베이스단이 상기 제 3트랜지스터(Q21)의 컬렉터단과 연결되고, 에미터단에 상기 직류구동전압(VCC)이 인가되는 제 4트랜지스터(Q22)가 구비된다. Next, referring to the configuration of the second MOSFET driver 53, a third transistor Q21 having a low side signal input to a base terminal and a 12 V DC driving voltage VCC applied to a collector terminal is provided. do. The base terminal is connected to the collector terminal of the third transistor Q21, and the fourth transistor Q22 to which the DC driving voltage VCC is applied is provided at the emitter terminal.

상기 직류구동전압(VCC)의 입력단과 제 3트랜지스터(Q21)의 컬렉터단 사이와, 제 4트랜지스터(Q22)의 에미터단 사이에는 각각 제 4저항(R14)과 제 5저항(R15)이 서로 병렬로 접속된다. 그리고, 제 4트랜지스터(Q22)의 컬렉터단과 제 2MOSFET(63)의 게이트단 사이에는 제 6저항(R16)이 구비된다. A fourth resistor R14 and a fifth resistor R15 are parallel to each other between the input terminal of the DC driving voltage VCC and the collector terminal of the third transistor Q21 and the emitter terminal of the fourth transistor Q22, respectively. Is connected to. A sixth resistor R16 is provided between the collector terminal of the fourth transistor Q22 and the gate terminal of the second MOSFET 63.

이어, 상기 모터 구동부(60)의 구성을 간략하게 설명하면, 상기 모터 구동부(60)에는 상기 직류구동전압(VCC)의 입력단과 기저전위라인(GND) 사이에 제 1 및 제 2MOSFET(61, 63)이 구비된다. 상기 제 1 및 제 2MOSFET(61, 63)는 상기 제 1 및 제 2MOSFET 구동부(51, 53)로부터 출력되는 신호에 따라 모터(M)의 구동을 제어하는 온/오프 구동신호를 출력한다. Next, the configuration of the motor driver 60 will be briefly described. The motor driver 60 may include first and second MOSFETs 61 and 63 between an input terminal of the DC driving voltage VCC and a ground potential line GND. ) Is provided. The first and second MOSFETs 61 and 63 output on / off driving signals for controlling the driving of the motor M according to signals output from the first and second MOSFET drivers 51 and 53.

이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 바람직한 실시 예에 의한 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로의 작용을 설명한다. Hereinafter, the operation of the MOSFET driving circuit of the motor driving apparatus for the fuel pump according to the preferred embodiment of the present invention having the configuration as described above.

우선, 제 1MOSFET 구동부(51)의 동작을 살펴본다. First, the operation of the first MOSFET driver 51 will be described.

하이측(HIGH SIDE) 신호가 제 1트랜지스터(Q11)의 에미터단에 입력되는 경우, 제 1트랜지스터(Q11)의 베이스단과 컬렉터단에는 각각 5V의 소자구동전압(VDD)과 24V의 배가전압(VCC2)이 상시 입력되므로, 제 1트랜지스터(Q11)의 컬렉터와 에미터가 도통되지 않는다. 따라서, 제 2트랜지스터(Q12)의 베이스단과 에미터단에는 모두 상기 배가전압이 인가되므로, 제 2트랜지스터(Q12)가 턴 오프 되거나 오프 상태를 유지한다. 이에 따라, 제 1MOSFET(61)은 모터(M)의 구동을 중지시키는 오프 구동신호를 출력한다. When the high side signal is input to the emitter terminal of the first transistor Q11, the device driving voltage VDD and the double voltage of 24 V are applied to the base terminal and the collector terminal of the first transistor Q11, respectively. ) Is always input, so that the collector and emitter of the first transistor Q11 do not conduct. Therefore, since the double voltage is applied to both the base terminal and the emitter terminal of the second transistor Q12, the second transistor Q12 is turned off or remains off. Accordingly, the first MOSFET 61 outputs an off drive signal for stopping the driving of the motor M. FIG.

반면, 상기 하이측(HIGH SIDE) 신호의 미입력시, 제 1트랜지스터(Q11)의 컬렉터와 에미터가 도통되면서 제 1트랜지터(Q11)의 에미터에는 상기 5V의 배가전압(VCC2)에서 베이스-에미터간 임계전압(0.7V)을 뺀 약 4.3V의 전압이 걸리게 된다. 따라서, 제 1트랜지스터(Q11)가 온 됨에 따라, 제 2트랜지스터(Q12)의 에미터와 컬렉터가 도통되어 제 2트랜지스터(Q12)가 온 된다. 이에 따라, 게이트에 제 3저항(R13)을 거쳐 상기 배가전압(VCC2)을 전달받은 제 1MOSFET(61)은 모터(M)를 구동시키도록 온 구동신호를 출력한다. On the other hand, when the HIGH SIDE signal is not input, the collector and the emitter of the first transistor Q11 become conductive so that the emitter of the first transistor Q11 is connected to the base- at the double voltage VCC2 of 5V. It takes about 4.3V minus the threshold voltage (0.7V) between emitters. Accordingly, as the first transistor Q11 is turned on, the emitter and the collector of the second transistor Q12 are turned on so that the second transistor Q12 is turned on. Accordingly, the first MOSFET 61 receiving the doubled voltage VCC2 through the third resistor R13 to the gate outputs an on driving signal to drive the motor M. Referring to FIG.

다음, 제 2MOSFET 구동부(53)의 동작을 살펴본다. Next, the operation of the second MOSFET driver 53 will be described.

로우측(LOW SIDE) 신호가 제 3트랜지스터(Q21)의 베이스단에 입력되는 경우, 제 3트랜지스터(Q21)의 컬렉터단에는 12V의 직류구동전압(VCC)이 상시 입력되므로, 제 3트랜지스터(Q21)의 컬렉터와 에미터가 도통된다. 따라서, 제 4트랜지스터(Q22)의 에미터와 컬렉터가 도통되어 제 4트랜지스터(Q22)가 온 된다. 이에 따라, 제 2MOSFET(63)은 모터(M)를 구동시키기 위한 온 구동신호를 출력한다. When the low side signal is input to the base terminal of the third transistor Q21, since the 12 V DC driving voltage VCC is constantly input to the collector terminal of the third transistor Q21, the third transistor Q21 ) Collector and emitter are conducting. Accordingly, the emitter and the collector of the fourth transistor Q22 are conducted so that the fourth transistor Q22 is turned on. Accordingly, the second MOSFET 63 outputs an on drive signal for driving the motor M. As shown in FIG.

반면, 상기 로우측(LOW SIDE) 신호의 미입력시, 제 3트랜지스터(Q21)의 컬렉터와 에미터가 도통되지 않으면서 제 4트랜지스터(Q22)의 베이스단과 에미터단에는 상기 직류구동전압(VCC)이 걸리게 된다. 따라서, 제 4트랜지스터(Q22)는 턴 오프되거나 오프 상태를 유지하게 되어 제 4트랜지스터(Q22)의 컬렉터 전압이 0V가 됨에 따라 제 2MOSFET(63)의 게이트에도 0V가 인가된다. 결국, 제 2MOSFET(63)은 모터(M)의 구동을 중지시키기 위한 오프 구동신호를 출력한다. On the other hand, when the low side signal is not input, the DC driving voltage VCC is applied to the base terminal and the emitter terminal of the fourth transistor Q22 without conducting the collector and emitter of the third transistor Q21. I get caught. Therefore, as the fourth transistor Q22 is turned off or remains off, the collector voltage of the fourth transistor Q22 becomes 0V, so that 0V is also applied to the gate of the second MOSFET 63. As a result, the second MOSFET 63 outputs an off driving signal for stopping the driving of the motor M. FIG.

상기한 바와 같은 과정을 통하여, 본 발명은 기존에 구성되는 푸시-풀 트랜지스터를 제거하여 회로 구성은 단순화함으로써, 푸시-풀 트랜지스터의 동작 시간차에 의한 노이즈 전류의 발생을 방지하고, MOSFET의 게이트 전압을 완전히 제거할 수 있다. 또한, 게이트에 인가되는 구동신호의 기울기를 완만하게 만드는 바이패스 콘덴서를 제거하여 제 1 및 제 2MOSFET의 수명을 연장할 수 있다. Through the above process, the present invention eliminates the conventional push-pull transistors and simplifies the circuit configuration, thereby preventing the generation of noise current due to the operation time difference of the push-pull transistors, and reducing the gate voltage of the MOSFET. Can be removed completely In addition, it is possible to extend the lifespan of the first and second MOSFETs by removing the bypass capacitor which makes the slope of the driving signal applied to the gate gentle.

본 발명의 권리범위는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다. The scope of the present invention is not limited to the embodiments described above, but is defined by the claims, and various changes and modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the claims. It is self evident.

도 1은 종래 기술에 따른 연료펌프용 모터 구동장치의 구성을 보인 블록 구성도.1 is a block diagram showing the configuration of a motor driving apparatus for a fuel pump according to the prior art.

도 2는 도 1에 도시된 게이트 드라이버의 회로 구성을 보인 상세 회로도.FIG. 2 is a detailed circuit diagram showing a circuit configuration of the gate driver shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 의한 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로의 구성을 보인 상세회로도.3 is a detailed circuit diagram showing the configuration of a MOSFET driving circuit of a motor driving apparatus for a fuel pump according to a preferred embodiment of the present invention.

《도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명》`` Explanation of symbols for main parts of drawings ''

1: 연료펌프용 모터 구동장치 10: 인터페이스1: Motor drive device for fuel pump 10: Interface

20: MCU 30: 과전압 보호부20: MCU 30: overvoltage protection

40: 모터 컨트롤러 50: MOSFET 구동부40: motor controller 50: MOSFET driver

51: 제1 MOSFET 구동부 53: 제2 MOSFET 구동부51: first MOSFET driver 53: second MOSFET driver

55: 전압배가부 60: 모터 구동부55: voltage multiplier 60: motor drive unit

61: 제1 MOSFET 63: 제2 MOSFET61: first MOSFET 63: second MOSFET

Q: 트랜지스터 R: 저항Q: transistor R: resistance

C: 콘덴서 M: 모터C: condenser M: motor

Claims (5)

차속에 따라 연료펌프용 모터를 구동시키는 제어 신호를 출력하는 모터 컨트롤러의 제어 신호에 의해 모터 구동부의 MOSFET을 제어하기 위한 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로에 있어서,In the MOSFET drive circuit of the fuel pump motor drive device for controlling the MOSFET of the motor drive unit by the control signal of the motor controller for outputting a control signal for driving the fuel pump motor in accordance with the vehicle speed, 상기 모터 구동부의 제 1MOSFET을 턴 온/턴 오프시키는 제 1MOSFET 구동부,A first MOSFET driver for turning on / off a first MOSFET of the motor driver; 상기 모터 구동부의 제 2MOSFET을 턴 온/턴 오프시키는 제 2MOSFET 구동부 및 A second MOSFET driver for turning on / off a second MOSFET of the motor driver; 직류구동전압의 전압레벨을 배가시켜 상기 제 1MOSFET 구동부로 인가하는 전압배가부를 포함하고, A voltage multiplier configured to double the voltage level of the DC driving voltage and apply the multiplied voltage level to the first MOSFET driver; 상기 제 1MOSFET 구동부는 제 1 및 제 2트랜지스터와 제 1저항을 포함하고, 제 2MOSFET 구동부는 제 3 및 제 4트랜지스터와 제 2저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로.Wherein the first MOSFET driver includes first and second transistors and a first resistor, and the second MOSFET driver includes third and fourth transistors and a second resistor. . 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1트랜지스터는 에미터단에 하이측(HIGH SIDE) 신호가 입력되고 베이스단에 소자구동전압이 인가되며,In the first transistor, a high side signal is input to an emitter terminal and a device driving voltage is applied to a base terminal. 상기 제 2트랜지스터는 상기 제 1트랜지스터의 컬렉터단과 상기 전압배가부로부터 배가된 전원의 입력단 사이에 베이스단이 연결되고,The second transistor has a base terminal coupled between the collector terminal of the first transistor and the input terminal of the power doubled from the voltage multiplier, 상기 제 1트랜지스터의 컬렉터단과 제 2트랜지스터의 에미터단에는 상기 배가된 전원이 인가되는 것을 특징으로 하는 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로.The MOSFET driving circuit of the motor driving apparatus for a fuel pump, characterized in that the doubled power is applied to the collector stage of the first transistor and the emitter stage of the second transistor. 제 2항에 있어서, 상기 제 1저항은 The method of claim 2, wherein the first resistor is 상기 제 2트랜지스터의 컬렉터단과 상기 제 1MOSFET의 게이트단 사이에 구비되는 것을 특징으로 하는 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로. And a MOSFET driving circuit provided between the collector terminal of the second transistor and the gate terminal of the first MOSFET. 제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 제 3트랜지스터는 베이스단에 로우측(LOW SIDE) 신호가 입력되고 컬렉터단에 직류구동전압이 인가되며,In the third transistor, a low side signal is input to the base terminal and a DC driving voltage is applied to the collector terminal. 상기 제 4트랜지스터는 상기 제 3트랜지스터의 컬렉터단과 상기 직류구동전압의 입력단 사이에 베이스단이 연결되고,The fourth transistor has a base terminal connected between the collector terminal of the third transistor and the input terminal of the DC driving voltage, 상기 제 3트랜지스터의 컬렉터단과 제 4트랜지스터의 에미터에는 상기 직류구동전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로.And a direct current driving voltage is applied to the collector stage of the third transistor and the emitter of the fourth transistor. 제 4항에 있어서, 상기 제 2저항은The method of claim 4, wherein the second resistor is 상기 제 4트랜지스터의 컬렉터단과 상기 제 2MOSFET의 게이트단 사이에 구비되는 것을 특징으로 하는 연료펌프용 모터 구동장치의 MOSFET 구동회로.And a MOSFET driving circuit provided between the collector terminal of the fourth transistor and the gate terminal of the second MOSFET.
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