KR20100111103A - Liquid crystal display - Google Patents

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KR20100111103A
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조돈찬
박해일
변진섭
박재병
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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: A liquid crystal display device is provided to enable a color conversion medium layer to input part of visible light, which moves from the color conversion medium layer to an assembly, to the color conversion medium layer again, thereby increasing optical efficiency. CONSTITUTION: A backlight assembly(400) supplies light of the first wavelength area toward the first substrate. A color conversion medium layer(230R,230G) converts light of the first wavelength area to light of the second wavelength area. The color conversion medium layer scatters the light of the second wavelength area. A reflective polarization layer(22) reflects the scattered light of the second wavelength area to the color conversion medium layer. A liquid crystal layer(300) is interposed between the first substrate and the second substrate.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY} [0001] LIQUID CRYSTAL DISPLAY [0002]

본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다. The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel display devices. The liquid crystal display includes two display panels on which electrodes are formed and a liquid crystal layer interposed therebetween to rearrange the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer by applying a voltage to the electrode. The display device controls the amount of light transmitted.

액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 전기장 생성 전극이 두 표시판에 각각 구비되어 있는 구조이다.　 이 중에서도, 하나의 표시판(이하 '박막트랜지스터 표시판' 이라 한다)에는 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 행렬의 형태로 배열되어 있고, 다른 표시판(이하 '공통 전극 표시판' 이라 한다)에는 적색, 녹색 및 청색의 색 필터가 형성되어 있고 그 전면을 공통 전극이 덮고 있는 구조가 주류이다. Among the liquid crystal display devices, which are currently mainly used are structures in which electric field generating electrodes are provided on two display panels, respectively. Among these, a plurality of thin film transistors and pixel electrodes are arranged in a matrix form on one display panel (hereinafter referred to as a 'thin film transistor display panel'), and red, green, and The main structure is the structure in which the blue color filter is formed and the common electrode covers the whole surface.

액정 표시 장치는 편광판과 색 필터에서 광 손실이 발생하므로, 최근에는 광 손실을 줄이고 고 효율의 액정 표시 장치를 구현하기 위하여 색 필터 대신 색 변환 재료를 적용한 광루미네선스 액정 표시 장치(Photo-Luminescent Liquid Crystal Display, PLLCD)가 제안되고 있다. Since the liquid crystal display generates light loss in the polarizing plate and the color filter, recently, a photoluminescent liquid crystal display using a color conversion material instead of the color filter to reduce the light loss and implement a high efficiency liquid crystal display (Photo-Luminescent) Liquid Crystal Display (PLLCD) has been proposed.

광루미네선스 액정 표시 장치는 색 필터 대신 색 변환 매개체(Color Conversion Media, CCM)을 사용한다. 광루미네선스 액정 표시 장치는 광원으로부터 발생되어 액정층에 의해 제어된 자외선(ultra violet, UV) 광이나 청색 광과 같은 저파장 영역의 광을 색 변환 매개체에 조사하여 입사 광과 다른 파장 영역의 광을 방출하여 영상을 표시하는 장치이다. Photoluminescence liquid crystal displays use color conversion media (CCM) instead of color filters. The photoluminescence liquid crystal display device emits light of a low wavelength region such as ultraviolet light or blue light, which is generated from a light source and controlled by a liquid crystal layer, to a color conversion medium to emit light of a wavelength range different from incident light. A device that displays an image by emitting light.

하지만, 색 변환 매개체에서 발생된 광은 모든 방향으로 진행하게 되어 일부 광이 광원측으로 제공된다. 따라서 광원쪽으로 역 진행하는 광 경로가 발생하게 되어 광 효율이 저하되는 문제점이 있다. However, the light generated by the color conversion medium travels in all directions so that some light is provided to the light source side. Therefore, there is a problem in that the optical path to the reverse direction toward the light source is generated and the light efficiency is lowered.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 액정 표시 장치의 광 효율을 향상시키고,　그 방법을 단순화하는 것이다. The problem to be solved by the present invention is to improve the light efficiency of the liquid crystal display device, and to simplify the method.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 제1 기판의 배면에 위치하는 하부 편광층, 상기 제1 기판 측으로 제1 파장 영역의 광을 공급하는 백라이트 어셈블리, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, 상기 제2 기판 위에 위치하며 상기 제1 파장 영역의 광을 제2 파장 영역의 광으로 변환하고, 상기 제2 파장 영역의 광을 산란시키는 색 변환 매개층, 상기 색 변환 매개층 위에 위치 하며, 상기 색 변환 매개층에서 산란된 제2 파장 영역의 광을 상기 색 변환 매개층 측으로 반사시키는 반사형 편광층, 상기 반사형 편광층 위에 위치하는 공통 전극, 그리고 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있는 액정층을 포함한다.In order to achieve the above technical problem, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate, a thin film transistor positioned on the first substrate, a lower polarization layer disposed on a rear surface of the first substrate, and the first substrate. A backlight assembly for supplying light of a first wavelength region to a substrate side, a second substrate facing the first substrate, and positioned on the second substrate and converting light of the first wavelength region into light of a second wavelength region, A reflective polarization layer positioned on the color conversion media layer to scatter the light of the second wavelength region, and reflecting light of the second wavelength region scattered from the color conversion media layer to the color conversion media layer; Layer, a common electrode positioned on the reflective polarizing layer, and a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate.

상기 반사형 편광층은 복수의 격자선을 포함한다. The reflective polarizing layer includes a plurality of grid lines.

상기 격자선은 스트라이프 형상일 수 있다.The grid line may have a stripe shape.

상기 격자선 주기는 약 400nm 이하일 수 있다.The grid period may be about 400 nm or less.

상기 격자선은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함한다.The grid lines include at least one of aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W), chromium (Cr), and silver (Ag).

상기 제1 파장 영역의 광은 청색 광이다.The light in the first wavelength region is blue light.

제1 파장 영역은 약 430 nm 내지 480nm를 포함한다.The first wavelength region includes about 430 nm to 480 nm.

상기 색 변환 매개층은 적색 색 변환 매개층 및 녹색 색 변환 매개층을 포함한다.The color conversion media layer includes a red color conversion media layer and a green color conversion media layer.

상기 제2 기판과 상기 반사형 편광층 사이에 위치하는 투명층을 더 포함한다.A transparent layer is disposed between the second substrate and the reflective polarizing layer.

상기 투명층은 상기 색 변환 매개층과 동일한 층에 위치하며, 복수개의 공극 및 투명 폴리머를 포함한다.The transparent layer is located on the same layer as the color conversion media layer and includes a plurality of voids and a transparent polymer.

상기 적색 색 변환 매개층은 적색 형광체를 포함하고, 상기 녹색 색 변환 매개층은 녹색 형광체를 포함한다.The red color conversion media layer includes a red phosphor, and the green color conversion media layer includes a green phosphor.

상기 색 변환 매개층은 퀀텀닷(Quantum Dot)을 포함한다.The color conversion media layer includes a quantum dot.

상기 제1 파장 영역의 광은 자외선 광이다.The light in the first wavelength region is ultraviolet light.

상기 제1 파장 영역은 약 200 nm 내지 410nm을 포함한다.The first wavelength range includes about 200 nm to 410 nm.

상기 색 변환 매개층은 적색 색 변환 매개층, 녹색 색 변환 매개층 및 청색 색 변환 매개층을 포함한다.The color conversion media layer includes a red color conversion media layer, a green color conversion media layer, and a blue color conversion media layer.

상기 적색 색 변환 매개층은 적색 형광체를 포함하고, 상기 녹색 색 변환 매개층은 녹색 형광체를 포함하고, 상기 청색 색변환 매개층은 청색 형광체를 포함한다.The red color conversion media layer includes a red phosphor, the green color conversion media layer includes a green phosphor, and the blue color conversion media layer includes a blue phosphor.

상기 색 변환 매개층은 퀀텀닷(Quantum Dot)을 포함한다.The color conversion media layer includes a quantum dot.

상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 위치하는 하부 배향막, 그리고 상기 공통 전극 위에 위치하는 상부 배향막을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a pixel electrode connected to the thin film transistor, a lower alignment layer positioned on the pixel electrode, and an upper alignment layer positioned on the common electrode.

이와 같이 함으로써 액정 표시 장치의 광 효율을 향상시키고, 그 방법을 단순화할 수 있다. By doing in this way, the light efficiency of a liquid crystal display device can be improved and the method can be simplified.

그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.　 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.　 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.　 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

먼저 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 1 내지 도 3을 참고하여 상세하게 설명한다. First, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이고, 도2는 도 1의 액정 표시 장치를 I-I'선을 따라 자른 단면도이다. 1 is a plan view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the liquid crystal display of FIG. 1.

도 1 내지 도 2 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 이와 마주하는 공통 전극 표시판(200), 그리고 두 표시판(100, 200) 사이에 있는 액정층(300)을 포함한다. 또한 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 공통 전극 표시판(200)에 광을 공급하는 백라이트 어셈블리(400)를 포함한다. 1 to 2, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention may include a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing the thin film transistor array panel 100, and between the two display panels 100 and 200. The liquid crystal layer 300 is included. In addition, the display device includes a backlight assembly 400 that supplies light to the thin film transistor array panel 100 and the common electrode display panel 200.

여기서 백라이트 어셈블리(400)는 청색 광을 출사하며, 청색 다이오드를 포함할 수 있다. 청색 광은 약 430 nm 내지 480nm의 파장 영역을 포함할 수 있다. The backlight assembly 400 emits blue light and may include a blue diode. Blue light may include a wavelength region of about 430 nm to 480 nm.

먼저 도 1 내지 도 2를 참고로 하여 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다. First, the thin film transistor array panel 100 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

박막 트랜지스터 표시판(100)은 복수의 구조물을 포함한다.　 복수의 구조물에 대해 좀 더 상세하게 살펴 보면, 유리 또는 플라스틱 따위의 절연 물질로 만들어진 하부 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121)이 형성되어 있다.　 그 위에는 게이트 절연막(140), 복수의 반도체(154), 복수의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165), 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)이 차례로 형성되어 있다. The thin film transistor array panel 100 includes a plurality of structures. Looking at the plurality of structures in more detail, a plurality of gate lines 121 are formed on the lower substrate 110 made of an insulating material such as glass or plastic. A gate insulating layer 140, a plurality of semiconductors 154, a plurality of ohmic contacts 163 and 165, a plurality of data lines 171, and a plurality of drain electrodes 175 are sequentially formed thereon. .

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다.　 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(124)을 포함한다. The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 protruding upward.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다.　 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(173)을 포함한다.　 드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있으며 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주한다. The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124. The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and faces the source electrode 173 around the gate electrode 124.

반도체(154)는 게이트 전극(124) 위에 위치하며 그 위의 저항성 접촉 부재(163, 165)는 반도체(154)와 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에 배치되어 이 둘 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. The semiconductor 154 is positioned over the gate electrode 124 and the ohmic contacts 163 and 165 thereon are disposed between the semiconductor 154 and the data line 171 and the drain electrode 175 so as to contact the two. Lower the resistance

하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체(154)에 형성된다. One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 together with the semiconductor 154 form one thin film transistor (TFT), and a channel of the thin film transistor. ) Is formed in the semiconductor 154 between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

게이트 절연막(140), 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다.　 The passivation layer 180 is formed on the gate insulating layer 140, the data line 171, and the drain electrode 175.

보호막(180) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다.　 화소 전극(191)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄 또는 은 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있으며, 접촉구(185)를 통하여 드레인 전극(175)과 접촉한다. The pixel electrode 191 is formed on the passivation layer 180. The pixel electrode 191 may be made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), or a reflective metal such as aluminum or silver alloy. The drain electrode 175 may be formed through the contact hole 185. ).

화소 전극(191) 위에는 액정을 배향하는 하부 배향막(11) 형성되어 있으며, 하부 기판(110)의 배면에는 하부 편광층(12)이 형성되어 있다. The lower alignment layer 11 is formed on the pixel electrode 191, and the lower polarization layer 12 is formed on the rear surface of the lower substrate 110.

다음으로, 공통 전극 표시판(200)에 대해 설명한다. Next, the common electrode display panel 200 will be described.

유리 또는 플라스틱 따위의 절연 물질로 만들어진 상부 기판(210) 위에 복수의 차광 부재(220)가 형성되어 있다.　 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며 빛샘을 막아준다. A plurality of light blocking members 220 are formed on the upper substrate 210 made of an insulating material such as glass or plastic. The light blocking member 220 is also called a black matrix and prevents light leakage.

상부 기판(210) 위에는 적색 색 변환 매개층(230R), 녹색 색 변환 매개층(230G)을 포함하는 색 변환 매개층(230)과 투명층(240)이 더 형성되어 있다. The color conversion media layer 230 and the transparent layer 240 including the red color conversion media layer 230R and the green color conversion media layer 230G are further formed on the upper substrate 210.

적색 색 변환 매개층(230R)은 백라이트 어셈블리(400)에서 공급된 청색 광을 적색을 나타내는 가시광으로 변환하여 발광한다.　 적색 색 변환 매개층(230R)은 적색 형광체로 이루어져 있으며, 적색 형광체로는 (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, 카즌(CaAlSiN3), CaMoO4, Eu2Si5N8 중 적어도 하나의 물질을 사용할 수 있다.　 The red color conversion media layer 230R converts blue light supplied from the backlight assembly 400 into visible light representing red and emits light. The red color conversion media layer 230R is composed of red phosphors, and the red phosphors include (Ca, Sr, Ba) S, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8 , Cazen (CaAlSiN 3 ), CaMoO 4 , At least one material of Eu 2 Si 5 N 8 may be used.

녹색 색 변환 매개층(230G)은 백라이트 어셈블리(700)에서 공급된 청색 광을 녹색을 나타내는 가시광으로 변환하여 발광한다. 녹색 색 변환 매개층(230G)은 녹색 형광체로 이루어져 있으며, 녹색 형광체로는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, BAM, 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON, (Sr1-xBax)Si2O2N2 중 적어도 하나의 물질을 사용할 수 있다. The green color conversion media layer 230G converts blue light supplied from the backlight assembly 700 into visible light representing green and emits light. The green color conversion media layer 230G is composed of green phosphors, and green phosphors include yttrium aluminum garnet (YAG), (Ca, Sr, Ba) 2 SiO 4 , SrGa 2 S 4 , BAM, and alpha. Alon (α-SiAlON), Beta sialon (β-SiAlON), Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 , Tb 3 Al 5 O 12 , BaSiO 4 , CaAlSiON, (Sr 1-x Ba x ) Si 2 O 2 N At least one of two materials may be used.

또한, 적색 색 변환 매개층(230R) 및 녹색 색 변환 매개층(230G)은 크기에 따라 색이 변화하는 퀀텀닷(Quantum Dot)으로 이루어질 수 있다. In addition, the red color conversion media layer 230R and the green color conversion media layer 230G may be formed of quantum dots whose color changes depending on the size.

퀀텀닷은 코어(core)와 코어를 둘러싸는 쉘(shell)로 이루어지며, 코어는 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, 그리고 HgTe을 포함하는 Ⅱ-Ⅳ족 반도체, PbS, PbSe, PbTe을 포함하는 Ⅳ-Ⅵ족 반도체, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, 그리고 InSb를 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진다. The quantum dot consists of a core and a shell surrounding the core, and the core is a group II-IV semiconductor including ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, and HgTe, PbS At least one of Group III-V semiconductors, including Group IV-VI semiconductors including PbSe and PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, and InSb. Made of matter.

또한, 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, 그리고 HgTe을 포함하는 Ⅱ-Ⅳ족 반도체, PbS, PbSe, PbTe을 포함하는 Ⅳ-Ⅵ족 반도체, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, 그리고 InSb를 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진다.CdSe, CdSeS, CdS, CdTe, InP, PbSe 중 적어도 하나의 물질을 사용할 수 있다.　 쉘은 CdS, ZnS, CdSe, CdSeS, ZnSe, ZnSeS, CdTe, ZnTe, PbS 중 적어도 하나의 물질을 사용할 수 있다. In addition, the shell is a group II-IV semiconductor including ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, and HgTe, group IV-VI semiconductors including PbS, PbSe, PbTe, GaN, GaP, GaAs , GaSb, InN, InP, InAs, and at least one of the group III-V semiconductors including InSb. At least one of CdSe, CdSeS, CdS, CdTe, InP, and PbSe may be used. The shell may use at least one of CdS, ZnS, CdSe, CdSeS, ZnSe, ZnSeS, CdTe, ZnTe, and PbS.

색 변환 매개층(230)에서 발생된 가시광은 모든 방향으로 발광하게 되고, 하부 방향으로 발광하는 가시광은 백라이트 어셈블리(400)측으로 제공된다. The visible light generated by the color conversion media layer 230 emits light in all directions, and the visible light emitting in the downward direction is provided toward the backlight assembly 400.

투명층(240)은 투명 폴리머(240a)로 이루어져 있으며, 복수개의 공극(240b)을 더 포함할 수 있다.　 공극(240b)의 크기는 40um 이하일 수 있다.　 백라이트 어셈블리(400)에서 공급된 청색 광이 투명층(240)의 공극(240b)에 의해 확산될 수 있 다. The transparent layer 240 is made of a transparent polymer 240a and may further include a plurality of voids 240b. The pore 240b may have a size of 40 μm or less. Blue light supplied from the backlight assembly 400 may be diffused by the gap 240b of the transparent layer 240.

또한, 투명층(240)은 복수개의 공극(240b) 대신 투명한 비즈(beads, 미도시)를 포함하는 투명 폴리머(240a)로 이루어질 수 있다. 이 때, 비즈의 크기는 40um 이하일 수 있다. In addition, the transparent layer 240 may be made of a transparent polymer 240a including transparent beads (not shown) instead of the plurality of pores 240b. At this time, the size of the beads may be 40um or less.

이와 같이, 투명 폴리머(240a)에 복수개의 공극(240b) 또는 투명한 비즈(beads)를 포함하는 투명층(240)을 형성하여 적색 색 변환 매개층(230R) 및 녹색 색 변환 매개층(230G)과 단차를 제거하고, 직사 투과 광인 청색 광을 확산시킴으로써, 시야각 문제를 해결할 수 있다. As such, the transparent layer 240 including the plurality of voids 240b or the transparent beads 240 is formed in the transparent polymer 240a to form a step with the red color conversion media layer 230R and the green color conversion media layer 230G. The problem of viewing angle can be solved by removing and diffusing the blue light which is the direct transmission light.

또한, 투명층(240)은 복수개의 공극(240b) 또는 투명한 비즈(beads)를 포함하지 않고, 투명한 폴리머(240a)만으로 이루어질 수 있으며, 투명층(240)이 생략될 수도 있다. In addition, the transparent layer 240 does not include a plurality of pores 240b or transparent beads, but may be made of only the transparent polymer 240a, and the transparent layer 240 may be omitted.

다음으로, 색 변환 매개층(230) 및 투명층(240) 위에는 평탄화층(250)이 형성될 수 있다. Next, the planarization layer 250 may be formed on the color conversion media layer 230 and the transparent layer 240.

평탄화층(250)은 색 변환 매개층(230), 투명층(240) 및 차광 부재(220)의 단차를 보상하여 평탄한 표면을 제공한다. 평탄화층(250)은 색 변환 매개층(230) 및 투명층(240)을 보호할 수 있도록 충분한 경도를 갖고, 광투과율이 우수한 아크릴 수지, 폴리아미드 수지 또는 폴리카보네이트 수지 등을 포함할 수 있다.　 또한 평탄화층(250)은 생략될 수 있다. The planarization layer 250 compensates for the step difference between the color conversion media layer 230, the transparent layer 240, and the light blocking member 220 to provide a flat surface. The planarization layer 250 may include an acrylic resin, a polyamide resin, a polycarbonate resin, or the like having sufficient hardness to protect the color conversion media layer 230 and the transparent layer 240 and having excellent light transmittance. In addition, the planarization layer 250 may be omitted.

평탄화층(250) 위에는 반사형 편광층(22)이 형성되어 있다. The reflective polarization layer 22 is formed on the planarization layer 250.

반사형 편광층(22)은 격자선(22a, wire grid)들을 포함할 수 있다. 여기서, 격자선(22a)들은 스트라이프 형상을 가지며, 도전성 메탈, 예를 들어, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 및 은(Ag) 등으로 이루어질 수 있다. The reflective polarizing layer 22 may include wire grids 22a. Here, the lattice lines 22a have a stripe shape and include a conductive metal such as aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W), chromium (Cr), and the like. Silver (Ag) or the like.

이때, 격자선(22a)은 인접한 격자선(22a)의 간격(d), 폭(w), 높이(h) 및 격자선 주기(p)를 갖게 된다. 여기서, 격자선 주기(p)는 격자선(22a)의 간격(d)와 폭(w)를 더한 값이다. 이러한 격자선 주기(p)는 입사되는 광의 파장보다 작아야 하며, 약 200 nm 이하일 수 있다. 또한 격자선의 높이(h)는 약 100 nm이상일 수 있다. 격자선(22a)의 간격(d), 폭(w), 주기(p), 또는 높이(h)에 대해서는 요구되는 광학 특성에 따라서 다양하게 형성할 수 있다.At this time, the grid lines 22a have a spacing d, a width w, a height h, and a grid line period p of the adjacent grid lines 22a. Here, the grating line period p is a value obtained by adding the interval d and the width w of the grating line 22a. This grid period p should be smaller than the wavelength of incident light and may be about 200 nm or less. Also, the height h of the grid lines may be about 100 nm or more. The spacing d, the width w, the period p, or the height h of the grating line 22a can be formed in various ways depending on the required optical properties.

반사형 편광층(22) 위에는 절연층(23)이 형성되어 있다. The insulating layer 23 is formed on the reflective polarizing layer 22.

절연층(23)은 반사형 편광층(22)을 커버하며, 평탄한 표면을 제공한다. 절연층(23)은 격자선 패턴을 보호할 수 있도록 충분한 경도를 갖고, 광투과율 및 전기 절연성이 우수한 아크릴 수지, 폴리아미드 수지 또는 폴리카보네이트 수지 등을 포함할 수 있다.　 또한 절연층(23)은 생략될 수 있다. The insulating layer 23 covers the reflective polarizing layer 22 and provides a flat surface. The insulating layer 23 may include an acrylic resin, a polyamide resin, a polycarbonate resin, or the like having sufficient hardness to protect the grid pattern and excellent light transmittance and electrical insulation. In addition, the insulating layer 23 may be omitted.

절연층(23) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있으며, 공통 전극(270) 위에는 상부 배향막(21)이 형성되어 있다. The common electrode 270 is formed on the insulating layer 23, and the upper alignment layer 21 is formed on the common electrode 270.

다음으로, 백라이트 어셈블리(400)로부터 출사된 광이 색 변환 매개체층(230)에서 산란 및 발광되기까지의 광 경로에 대하여 도 2를 참고하여 설명한다. Next, the light path from the backlight assembly 400 to the light scattering and the light emission from the color conversion medium layer 230 will be described with reference to FIG. 2.

백라이트 어셈블리에서 출사되어 박막 트랜지스터 기판(100)의 배면에 입사하는 광은 하부 편광층(12)에 의해 편광된다. 화소전극(191)을 투과한 편광은 액 정층(300)에 의해 편광 방향이 제어된다. 예를 들어, TN 액정의 경우, 액정 분자들이 트위스트된 상태인지 여부에 따라 상기 편광의 편광축이 회전하거나 그대로 유지된다. Light emitted from the backlight assembly and incident on the rear surface of the thin film transistor substrate 100 is polarized by the lower polarization layer 12. The polarization direction transmitted through the pixel electrode 191 is controlled by the liquid crystal layer 300. For example, in the case of a TN liquid crystal, the polarization axis of the polarization is rotated or maintained according to whether the liquid crystal molecules are in a twisted state.

액정층(300)을 투과한 편광은 공통전극(270)을 경유하여 반사형 편광층(22)에서 입사된다. 여기서, 반사형 편광층(22)은 액정을 통과한 편광의 방향과 일치하는 편광이 투과된다. 반사형 편광층(22)을 투과한 편광은 색 변환 매개층(230)에 입사하여 적색, 녹색을 나타내는 가시광으로 발현되고, 모든 방향으로 산란된다. 즉, 색 변환 매개층(230)을 투과한 광의 일부는 상부 기판(210)을 통해 출사되고, 일부는 백라이트 어셈블리(400)측으로 역 진행한다. 또한 색 변환 매개층에서 발현된 가시광은 편광이 깨어진다.The polarized light transmitted through the liquid crystal layer 300 is incident on the reflective polarization layer 22 via the common electrode 270. Here, the reflective polarization layer 22 transmits polarized light corresponding to the direction of polarized light passing through the liquid crystal. The polarized light transmitted through the reflective polarizing layer 22 is incident on the color conversion media layer 230 and is expressed as visible light representing red and green, and scattered in all directions. That is, part of the light transmitted through the color conversion media layer 230 is emitted through the upper substrate 210, and part of the light passes backward toward the backlight assembly 400. In addition, the polarized light is broken in the visible light expressed in the color conversion media layer.

이 때, 반사형 편광층(22)은 백라이트 어셈블리(400)측으로 역 진행하는 가시광의 일부를 다시 색 변환 매개층(230)측으로 반사시킨다. 예를들어, 반사형 편광층(22)이 다수의 격자선(22a)을 포함하는 경우 S파를 색 변환 매개층(230)측으로 반사시킬 수 있다. 따라서 반사형 편광층(22)은 색 변환 매개층(230)에서 백라이트 어셈블리(400) 측으로 역 진행하는 가시광의 일부를 다시 색 변환 매개층(230)으로 입사시킴으로써 화상 표시에 기여하고,　광효율이 증가할 수 있다. At this time, the reflective polarizing layer 22 reflects a part of the visible light which is propagated back to the backlight assembly 400 to the color conversion media layer 230. For example, when the reflective polarization layer 22 includes a plurality of grid lines 22a, the S-wave may be reflected toward the color conversion media layer 230. Accordingly, the reflective polarizing layer 22 contributes to the image display by injecting a part of the visible light traveling backward from the color conversion media layer 230 toward the backlight assembly 400 to the color conversion media layer 230, 　 The light efficiency can be increased.

또한 반사형 편광층(22)을 투과하여 투명층(240)에 입사한 청색 광은 공극(240b)에서 확산되어 상부 기판(210)을 통해 출사된다.In addition, blue light transmitted through the reflective polarization layer 22 and incident on the transparent layer 240 is diffused through the gap 240b and is emitted through the upper substrate 210.

그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 공통 전극 표시판(200)의 제조 방법에 대하여 도 3내지 도9를 참고하여 설명한다. Next, a method of manufacturing the common electrode display panel 200 according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 9.

먼저 도 3에 도시한 바와 같이, 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220)를 형성한다. First, as shown in FIG. 3, the light blocking member 220 is formed on the insulating substrate 210.

이어서, 도 4에 도시한 바와 같이, 복수 개의 감광막 수지(241b)와 투명 폴리머(241a)를 혼합한 물질을 기판(210) 위에 도포한 다음, 적색 및 녹색 화소 부분은 마스크(30)를 사용하여 가리고, 청색 화소 부분에만 자외선을 조사하여, 청색 화소 부분의 감광막 수지(241b)와 투명 폴리머(241a)를 혼합한 물질을 경화시킨다.　 이 때, 감광막 수지(241b)의 크기는 40um 이하일 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 4, a material in which the plurality of photoresist resins 241b and the transparent polymer 241a are mixed is applied onto the substrate 210, and then the red and green pixel portions are formed using the mask 30. The ultraviolet rays are irradiated to only the blue pixel portion to cure a material in which the photosensitive film resin 241b and the transparent polymer 241a of the blue pixel portion are mixed. At this time, the size of the photoresist resin 241b may be 40 μm or less.

이어서, 도 5에 도시한 바와 같이, 적색 및 녹색 화소 부분의 감광막 수지(241b)와 투명 폴리머(241a)를 혼합한 물질을 현상하여 제거하고, 감광막 수지(241b)를 용매에 녹여 공극(240b)을 형성함으로써, 복수 개의 공극(240b)을 포함하는 투명 폴리머(240a)로 이루어진 투명층(240)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 5, a material in which the photosensitive film resin 241b and the transparent polymer 241a of the red and green pixel portions are mixed and developed is removed, and the photosensitive film resin 241b is dissolved in a solvent to form a void 240b. By forming a, a transparent layer 240 made of a transparent polymer 240a including a plurality of voids 240b.

또한, 투명층(240)은 40um 이하의 복수개의 투명한 비즈(beads)와 투명 폴리머의 혼합 물질을 위에 도포한 다음, 적색 및 녹색 화소 부분은 마스크(30)를 사용하여 가리고, 청색 화소 부분에만 자외선을 조사하여, 청색 화소 부분의 투명한 비즈(beads)와 투명 폴리머(241a)를 혼합한 물질을 경화시킨다.　 이어서, 적색 및 녹색 화소 부분의 감광막 수지(241b)와 투명 폴리머(241a)를 혼합한 물질을 현상하여 제거하여 형성할 수 있다. In addition, the transparent layer 240 is coated with a mixed material of a plurality of transparent beads and a transparent polymer of 40um or less, and then the red and green pixel portions are covered using the mask 30, and only the blue pixel portions are exposed to ultraviolet rays. Irradiation cures a material in which transparent beads of the blue pixel portion and the transparent polymer 241a are mixed. Subsequently, a material in which the photosensitive film resin 241b and the transparent polymer 241a of the red and green pixel portions are mixed may be developed and removed.

이어서, 도 6에 도시한 바와 같이, 적색 색 변환 매개층(230R) 및 녹색 색 변환 매개층(230G)를 형성한다.　 적색 색 변화 매개층(230R)은 (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, 카즌(CaAlSiN3), CaMoO4, Eu2Si5N8 중 하나의 물질을 사용하여 형성하고, 녹색 색 변환 매개층(230G)는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, BAM, 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON, (Sr1-xBax)Si2O2N2 중 적어도 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 6, a red color conversion media layer 230R and a green color conversion media layer 230G are formed. The red color change media layer 230R is formed of one of (Ca, Sr, Ba) S, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8 , Cazen (CaAlSiN 3 ), CaMoO 4 , Eu 2 Si 5 N 8 The green color conversion media layer 230G is formed of yttrium aluminum garnet (YAG), (Ca, Sr, Ba) 2 SiO 4 , SrGa 2 S 4 , BAM, and alpha sialon (α-). SiAlON), beta sialon (β-SiAlON), at least one of Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 , Tb 3 Al 5 O 12 , BaSiO 4 , CaAlSiON, (Sr 1-x Ba x ) Si 2 O 2 N 2 It can be formed using the material of.

또한, 적색 색 변환 매개층(230R) 및 녹색 색 변환 매개층(230G)은 크기에 따라 색이 변화하는 양자점(Quantum Dot)으로 형성할 수 있다. In addition, the red color conversion media layer 230R and the green color conversion media layer 230G may be formed of quantum dots whose color changes with size.

양자점은 코어(core)와 코어를 둘러싸는 쉘(shell)로 이루어지며, 코어는 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, 그리고 HgTe을 포함하는 Ⅱ-Ⅳ족 반도체, PbS, PbSe, PbTe을 포함하는 Ⅳ-Ⅵ족 반도체, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, 그리고 InSb를 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성한다. A quantum dot is composed of a core and a shell surrounding the core, and the core is a group II-IV semiconductor including ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, and HgTe, PbS, At least one of Group IV-VI semiconductors including PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, and InSb To form.

또한, 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, 그리고 HgTe을 포함하는 Ⅱ-Ⅳ족 반도체, PbS, PbSe, PbTe을 포함하는 Ⅳ-Ⅵ족 반도체, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, 그리고 InSb를 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성한다.CdSe, CdSeS, CdS, CdTe, InP, PbSe 중 적어도 하나의 물질을 사용하여 형성하고.　 쉘은 CdS, ZnS, CdSe, CdSeS, ZnSe, ZnSeS, CdTe, ZnTe, PbS 중 적어도 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다. In addition, the shell is a group II-IV semiconductor including ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, and HgTe, group IV-VI semiconductors including PbS, PbSe, PbTe, GaN, GaP, GaAs And GaSb, InN, InP, InAs, and at least one of the Group III-V semiconductors including InSb. Formed using at least one of CdSe, CdSeS, CdS, CdTe, InP, PbSe . The shell may be formed using at least one of CdS, ZnS, CdSe, CdSeS, ZnSe, ZnSeS, CdTe, ZnTe, PbS.

여기서, 투명층(240)은 생략되고, 적색 색 변환 매개층(230R) 및 녹색 색 변 환 매개층(230G)만 형성할 수도 있다. The transparent layer 240 may be omitted, and only the red color conversion media layer 230R and the green color conversion media layer 230G may be formed.

이어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 적색 색 변환 매개층(230R), 녹색 색 변환 매개층(230G) 및 투명층(240) 위에 평탄화층(250)을 형성하고, 평탄화층(250) 위에 도전성 메탈층(310)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 7, the planarization layer 250 is formed on the red color conversion media layer 230R, the green color conversion media layer 230G, and the transparent layer 240, and the conductive metal is formed on the planarization layer 250. Form layer 310.

도전성 메탈층(310)은 예들 들어, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 및 은(Ag) 등을 포함할 수 있다. The conductive metal layer 310 may include, for example, aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W), chromium (Cr), silver (Ag), or the like. .

다음, 도전성 메탈층(310) 상에 포토 레지스트층(311)을 형성하고, 격자선 패턴(22a)에 대응하는 패턴이 형성된 마스크(300)를 사용하여 포토레지스트층(311)을 노광한다.　 Next, the photoresist layer 311 is formed on the conductive metal layer 310, and the photoresist layer 311 is exposed using the mask 300 on which the pattern corresponding to the grating pattern 22a is formed.

이후, 도 8에 도시한 바와 같이, 노광된 포토 레지스트층(311)을 현상하여, 격자선 패턴(22a)에 대응하는 부분이 잔존하는 포토 레지스트 패턴(31)을 형성하고, 식각 공정을 통하여 포토레지스트 패턴(31)을 제거한 하여 복수의 격자선(22a)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 8, the exposed photoresist layer 311 is developed to form a photoresist pattern 31 in which a portion corresponding to the grid line pattern 22a remains, and the photo is subjected to an etching process. The resist pattern 31 is removed to form a plurality of grid lines 22a.

이후, 도 9에 도시한 바와 같이, 절연층(23) 및 공통 전극(270) 및 상부 배향막(21)을 순차적으로 형성한다. Thereafter, as shown in FIG. 9, the insulating layer 23, the common electrode 270, and the upper alignment layer 21 are sequentially formed.

여기서, 격자선 주기(p)는 약 200 nm 이하일 수 있다Here, the grating line period p may be about 200 nm or less.

본 발명의 한 실시예에 따른 반사형 편광층(22)은 스트라이프 형상의 격자선들로 구성되어 있지만 본 발명의 한 실시예에 한정되지 않고, 다양한 형상을 가질 수 있다. The reflective polarizing layer 22 according to the exemplary embodiment of the present invention is composed of stripe-shaped grid lines, but is not limited to the exemplary embodiment of the present invention, and may have various shapes.

다음, 도 10 내지 도 11을 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표 시 장치를 설명한다. Next, a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 11.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이고, 도11은 의 액정 표시 장치를 I-I'선을 따라 자른 단면도이다. 10 is a plan view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the liquid crystal display of FIG.

도 10 내지 도 11에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 이와 마주하는 공통 전극 표시판(200), 그리고 두 표시판(100, 200) 사이에 있는 액정층(300)을 포함한다. 또한 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 공통 전극 표시판(200)에 광을 공급하는 백라이트 어셈블리(400)를 포함한다. 10 to 11, a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention may include a thin film transistor array panel 100, a common electrode panel 200 facing the same, and two display panels 100 and 200. And a liquid crystal layer 300. In addition, the display device includes a backlight assembly 400 that supplies light to the thin film transistor array panel 100 and the common electrode display panel 200.

여기서 백라이트 어셈블리(400)는 자외선(ultra viloet, UV) 광을 출사한다. 자외선 광은 약 200 nm 내지 410 nm의 파장 영역을 갖고, 특히 약 380 nm 내지 410 nm 파장 영역을 갖는 근자외선(near UV) 광일 수 있다. Herein, the backlight assembly 400 emits ultraviolet (UV) light. Ultraviolet light may be near UV light having a wavelength region of about 200 nm to 410 nm, in particular having a wavelength region of about 380 nm to 410 nm.

또한 격자선 주기(p)는 입사되는 광의 파장보다 작아야 하며, 약 200 nm 이하일 수 있다. 또한 격자선(22a)의 높이(h)는 약 100 nm이상일 수 있다. 격자선(22a)의 간격(d), 폭(w), 주기(p), 또는 높이(h)에 대해서는 요구되는 광학 특성에 따라서 다양하게 형성할 수 있다.In addition, the grating line period p should be smaller than the wavelength of incident light and may be about 200 nm or less. In addition, the height h of the grating line 22a may be about 100 nm or more. The spacing d, the width w, the period p, or the height h of the grating line 22a can be formed in various ways depending on the required optical properties.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 청색 색 변환 매개층(230B)를 더 포함한다. In addition, the liquid crystal display according to another exemplary embodiment may further include a blue color conversion media layer 230B.

여기서, 청색 색 변환 매개층(230B)은 백라이트 어셈블리(400)에서 공급된 자외선 광을 청색으로 변환한다.　 청색 색 변환 매개층(230B)은 청색 형광체로 이 루어져 있으며, 청색 형광체로는 3(Ba, Mg, Eu, Mn)O.8Al2O3 를 사용할 수 있다.　 Here, the blue color conversion media layer 230B converts the ultraviolet light supplied from the backlight assembly 400 to blue. The blue color conversion media layer 230B is composed of a blue phosphor, and 3 (Ba, Mg, Eu, Mn) 0.8 Al 2 O 3 may be used as the blue phosphor.

또한 청색 색 변환 매개층(230B)은 크기에 따라 색이 변화하는 양자점(Quantum Dot)으로 형성할 수 있다. In addition, the blue color conversion media layer 230B may be formed of a quantum dot whose color changes with size.

양자점은 코어(core)와 코어를 둘러싸는 쉘(shell)로 이루어지며, 코어는 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, 그리고 HgTe을 포함하는 Ⅱ-Ⅳ족 반도체, PbS, PbSe, PbTe을 포함하는 Ⅳ-Ⅵ족 반도체, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, 그리고 InSb를 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성한다. A quantum dot is composed of a core and a shell surrounding the core, and the core is a group II-IV semiconductor including ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, and HgTe, PbS, At least one of Group IV-VI semiconductors including PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, and InSb To form.

또한, 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, 그리고 HgTe을 포함하는 Ⅱ-Ⅳ족 반도체, PbS, PbSe, PbTe을 포함하는 Ⅳ-Ⅵ족 반도체, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, 그리고 InSb를 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성한다.CdSe, CdSeS, CdS, CdTe, InP, PbSe 중 적어도 하나의 물질을 사용하여 형성하고.　 쉘은 CdS, ZnS, CdSe, CdSeS, ZnSe, ZnSeS, CdTe, ZnTe, PbS 중 적어도 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다. In addition, the shell is a group II-IV semiconductor including ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, and HgTe, group IV-VI semiconductors including PbS, PbSe, PbTe, GaN, GaP, GaAs And GaSb, InN, InP, InAs, and at least one of the Group III-V semiconductors including InSb. Formed using at least one of CdSe, CdSeS, CdS, CdTe, InP, PbSe . The shell may be formed using at least one of CdS, ZnS, CdSe, CdSeS, ZnSe, ZnSeS, CdTe, ZnTe, PbS.

반사형 편광층(22)은 백라이트 어셈블리(400)로부터 발생되어 하부 편광층(12) 및 액정층(300)을 통과한 자외선 광을 투과시키고, 반사형 편광층(22)을 투과한 자외선 광은 적색 색 변환 매개층(230R), 녹색 색 변환 매개층(230G) 및 청색 색 변환 매개층(230B)에서 적색, 녹색 및 청색의 가시광으로 발광 및 산란된다.　 또한 반사형 편광층(22)은 적색 색 변환 매개층(230R), 녹색 색 변환 매개층(230G) 및 청색 색 변환 매개층(230B)에서 산란된 광 중에서 광원측으로 역행하는 적색, 녹색 및 청색의 광을 적색 색 변환 매개층(230R), 녹색 색 변환 매개층(230G) 및 청색 색 변환 매개층(230B)으로 각각 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있다.The reflective polarization layer 22 is transmitted from the backlight assembly 400 and passes through the lower polarization layer 12 and the liquid crystal layer 300, and the ultraviolet light transmitted through the reflective polarization layer 22 is The red color conversion media layer 230R, the green color conversion media layer 230G, and the blue color conversion media layer 230B emit and scatter light with visible light of red, green, and blue colors. In addition, the reflective polarizing layer 22 is formed of red, green, and blue light that are returned to the light source side among the light scattered by the red color conversion media layer 230R, the green color conversion media layer 230G, and the blue color conversion media layer 230B. Light may be reflected to the red color conversion media layer 230R, the green color conversion media layer 230G, and the blue color conversion media layer 230B, respectively, to increase the light efficiency.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이다. 1 is a plan view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 액정 표시 장치를 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 1 taken along the line II ′. FIG.

도 3 내지 도 9는 본 발명의 한 실시예에 공통 전극 표시판의 제조 방법을 차례로 도시한 단면도이다.3 to 9 are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a common electrode display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 10는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이다. 10 is a plan view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 11은 도 10의 액정 표시 장치를 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 11 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 10 taken along the line II ′. FIG.

<도면 부호의 설명>&Lt; Description of reference numerals &

100: 박막 트랜지스터 표시판 100: thin film transistor array panel

110, 210: 기판 121: 게이트선110 and 210: substrate 121: gate line

124: 게이트 전극 171: 데이터선124: gate electrode 171: data line

175: 드레인 전극 191: 화소 전극175: drain electrode 191: pixel electrode

200: 공통 전극 표시판 220: 차광 부재200: common electrode display panel 220: light blocking member

230R, 230G, 230B: 색 변환 매개층 230R, 230G, 230B: color conversion media layer

240: 투명층 270: 공통 전극 240: transparent layer 270: common electrode

22: 반사형 편광층 300: 액정층22: reflective polarizing layer 300: liquid crystal layer

Claims (18)

제1 기판, First substrate, 상기 제1 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, A thin film transistor positioned on the first substrate, 상기 제1 기판의 배면에 위치하는 하부 편광층, A lower polarization layer positioned on the rear surface of the first substrate, 상기 제1 기판 측으로 제1 파장 영역의 광을 공급하는 백라이트 어셈블리, A backlight assembly supplying light of a first wavelength region to the first substrate; 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, A second substrate facing the first substrate, 상기 제2 기판 위에 위치하며 상기 제1 파장 영역의 광을 제2 파장 영역의 광으로 변환하고, 상기 제2 파장 영역의 광을 산란시키는 색 변환 매개층, A color conversion media layer positioned on the second substrate and converting light in the first wavelength region into light in a second wavelength region and scattering light in the second wavelength region; 상기 색 변환 매개층 위에 위치하며, 상기 색 변환 매개층에서 산란된 제2 파장 영역의 광을 상기 색 변환 매개층 측으로 반사시키는 반사형 편광층, A reflection type polarizing layer positioned on the color conversion media layer and reflecting light of a second wavelength region scattered from the color conversion media layer to the color conversion media layer; 상기 반사형 편광층 위에 위치하는 공통 전극, 그리고 A common electrode on the reflective polarization layer, and 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있는 액정층을 포함하는 액정 표시 장치. And a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate. 제1 항에서,In claim 1, 상기 반사형 편광층은 복수의 격자선을 포함하는 액정 표시 장치.The reflective polarization layer includes a plurality of grid lines. 제2 항에서,In claim 2, 상기 격자선은 스트라이프 형상인 액정 표시 장치.The grid lines have a stripe shape. 제2 항에서,In claim 2, 상기 격자선의 주기는 약 200 nm 이하인 액정 표시 장치.The period of the grid line is about 200 nm or less. 제4 항에서,In claim 4, 상기 격자선은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치. The grating line includes at least one of aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W), chromium (Cr), and silver (Ag). 제1 항에서,In claim 1, 상기 제1 파장 영역의 광은 청색 광인 액정 표시 장치.The light of the first wavelength region is blue light. 제6 항에서,In claim 6, 제1 파장 영역은 약 430 nm 내지 480nm를 포함하는 액정 표시 장치. The first wavelength region includes about 430 nm to 480 nm. 제6 항에서,In claim 6, 상기 색 변환 매개층은 적색 색 변환 매개층 및 녹색 색 변환 매개층을 포함하는 액정 표시 장치. The color conversion media layer includes a red color conversion media layer and a green color conversion media layer. 제8 항에서,In claim 8, 상기 제2 기판과 상기 반사형 편광층 사이에 위치하는 투명층을 더 포함하는 액정 표시 장치. And a transparent layer positioned between the second substrate and the reflective polarization layer. 제9 항에서,In claim 9, 상기 투명층은 상기 색 변환 매개층과 동일한 층에 위치하며, 복수개의 공극 및 투명 폴리머를 포함하는 액정 표시 장치. The transparent layer is positioned on the same layer as the color conversion media layer, the liquid crystal display device comprising a plurality of voids and a transparent polymer. 제8 항에서, In claim 8, 상기 적색 색 변환 매개층은 적색 형광체를 포함하고, 상기 녹색 색 변환 매개층은 녹색 형광체를 포함하는 액정 표시 장치. The red color conversion media layer comprises a red phosphor, and the green color conversion media layer comprises a green phosphor. 제6항에서, In claim 6, 상기 색 변환 매개층은 퀀텀닷(Quantum Dot)을 포함하는 액정 표시 장치. The color conversion media layer includes a quantum dot. 제1 항에서,In claim 1, 상기 제1 파장 영역의 광은 자외선 광인 액정 표시 장치.The light of the first wavelength region is ultraviolet light. 제13 항에서,In claim 13, 상기 제1 파장 영역은 약 200 nm 내지 410nm을 포함하는 액정 표시 장치. The first wavelength region includes about 200 nm to 410 nm. 제13항에서,The method of claim 13, 상기 색 변환 매개층은 적색 색 변환 매개층, 녹색 색 변환 매개층 및 청색 색 변환 매개층을 포함하는 액정 표시 장치. The color conversion media layer includes a red color conversion media layer, a green color conversion media layer, and a blue color conversion media layer. 제15 항에서,The method of claim 15, 상기 적색 색 변환 매개층은 적색 형광체를 포함하고, 상기 녹색 색 변환 매개층은 녹색 형광체를 포함하고, 상기 청색 색변환 매개층은 청색 형광체를 포함하는 액정 표시 장치. And the red color conversion media layer comprises a red phosphor, the green color conversion media layer comprises a green phosphor, and the blue color conversion media layer comprises a blue phosphor. 제13항에서, The method of claim 13, 상기 색 변환 매개층은 퀀텀닷(Quantum Dot)을 포함하는 액정 표시 장치. The color conversion media layer includes a quantum dot. 제1항에서,In claim 1, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, A pixel electrode connected to the thin film transistor, 상기 화소 전극 위에 위치하는 하부 배향막, 그리고A lower alignment layer on the pixel electrode, and 상기 공통 전극 위에 위치하는 상부 배향막을 더 포함하는 액정 표시 장치. And a top alignment layer positioned on the common electrode.
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