KR102324078B1 - Color conversion panel, display device including the same and manufacturing method of the color conversion panel - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 절연 기판, 상기 제1 절연 기판 상에 위치하며 서로 다른 색의 광을 방출하는 제1 색변환 매개층, 제2 색변환 매개층 및 제3 색변환 매개층, 상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층 및 상기 제3 색변환 매개층 사이에 위치하는 차광 부재, 상기 제1 절연기판 상에 위치하며 상기 제1 색변환 매개층 및 상기 제2 색변환 매개층과 중첩되게 위치하는 청색광 컷팅 필터, 상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층, 상기 제3 색변환 매개층 및 상기 차광 부재 위에 위치하는 밴드 패스 필터를 포함하는 색변환 패널을 제공한다.According to an embodiment of the present invention, a first insulating substrate, a first color conversion media layer disposed on the first insulating substrate and emitting light of different colors, a second color conversion media layer, and a third color conversion media layer, a light blocking member positioned between the first color conversion media layer, the second color conversion media layer and the third color conversion media layer, the first color conversion media layer and the first color conversion media layer positioned on the first insulating substrate a blue light cutting filter positioned to overlap a second color conversion media layer, the first color conversion media layer, the second color conversion media layer, the third color conversion media layer, and a band pass filter positioned on the light blocking member; A color conversion panel is provided.

Description

색변환 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 색변환 패널의 제조 방법{COLOR CONVERSION PANEL, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD OF THE COLOR CONVERSION PANEL}Color conversion panel, display device including same, and method of manufacturing color conversion panel

본 발명은 색변환 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 색변환 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a color conversion panel, a display device including the same, and a method of manufacturing the color conversion panel.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어진다.A liquid crystal display device is one of the most widely used flat panel display devices at present, and includes two display panels on which electric field generating electrodes such as a pixel electrode and a common electrode are formed and a liquid crystal layer interposed therebetween.

전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.An electric field is generated in the liquid crystal layer by applying a voltage to the electric field generating electrode, and an image is displayed by determining the alignment of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer and controlling the polarization of incident light.

하지만, 이러한 액정 표시 장치는 편광판과 색필터에서 광 손실이 발생하기 때문에, 이러한 광 손실을 줄이고 고효율의 액정 표시 장치를 구현하기 위하여 색변환 재료를 포함하는 PL-액정 표시 장치(Photo-Luminescent LCD)가 제안되고 있다.However, since light loss occurs in the polarizing plate and the color filter in such a liquid crystal display, a PL-liquid crystal display including a color conversion material (Photo-Luminescent LCD) to reduce the light loss and realize a high-efficiency liquid crystal display. is being proposed

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 색변환 패널의 혼색을 방지하여 색순도가 개선된 색변환 패널 및 표시 장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a color conversion panel and a display device having improved color purity by preventing color mixing of the color conversion panel.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 색변환 패널의 제조 공정을 단순화하여 비용 및 시간이 절감될 수 있는 색변환 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.In addition, the technical problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a color conversion panel that can reduce cost and time by simplifying the manufacturing process of the color conversion panel.

이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일실시예에 따르면, 제1 절연 기판, 상기 제1 절연 기판 상에 위치하며 서로 다른 색의 광을 방출하는 제1 색변환 매개층, 제2 색변환 매개층 및 제3 색변환 매개층, 상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층 및 상기 제3 색변환 매개층 중 서로 이웃하는 색변환 매개층 사이에 위치하는 차광 부재, 상기 제1 절연 기판 및 상기 색변환 매개층 사이에 위치하며, 상기 제1 색변환 매개층 및 상기 제2 색변환 매개층과 중첩되는 청색광 컷팅 필터, 및 상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층, 상기 제3 색변환 매개층 및 상기 차광 부재 위에 위치하는 밴드 패스 필터를 포함하는 색변환 패널을 제공한다.According to an embodiment of the present invention, in order to solve the above problems, a first insulating substrate, a first color conversion media layer and a second color conversion media layer positioned on the first insulating substrate and emitting light of different colors and a third color conversion media layer, the first color conversion media layer, the second color conversion media layer, and a light blocking member positioned between adjacent color conversion media layers among the third color conversion media layers, the first insulation A blue light cutting filter positioned between the substrate and the color conversion media layer and overlapping the first color conversion media layer and the second color conversion media layer, and the first color conversion media layer and the second color conversion media layer , to provide a color conversion panel including a band pass filter positioned on the third color conversion media layer and the light blocking member.

상기 청색광 컷팅 필터 및 상기 밴드 패스 필터는 서로 상이한 굴절률을 가지는 적어도 두 종류 이상의 무기물을 포함하는 단일층 또는 상기 두 종류 이상의 무기물이 적층된 복수층일 수 있다.The blue light cutting filter and the band pass filter may be a single layer including at least two kinds of inorganic materials having different refractive indices or a plurality of layers in which the two or more kinds of inorganic materials are stacked.

상기 무기물은 SiOx 및 SiNx을 포함할 수 있다.The inorganic material may include SiOx and SiNx.

상기 청색광 컷팅 필터는 3 내지 20층이 적층된 복수층이고, 상기 밴드 패스 필터는 20 내지 40층이 적층된 복수층일 수 있다.The blue light cutting filter may be a plurality of layers in which 3 to 20 layers are stacked, and the band pass filter may be a plurality of layers in which 20 to 40 layers are stacked.

상기 청색광 컷팅 필터의 최상부층 및 최하부층은 SiOx를 포함하고, 상기 밴드 패스 필터의 최상부층 및 최하부층은 SiNx를 포함할 수 있다.The uppermost and lowermost layers of the blue light cutting filter may include SiOx, and the uppermost and lowermost layers of the band pass filter may include SiNx.

상기 청색광 컷팅 필터 및 상기 밴드 패스 필터 각각의 두께는 1 내지 10㎛일 수 있다.Each of the blue light cutting filter and the band pass filter may have a thickness of 1 to 10 μm.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 표시 패널, 및 상기 표시 패널 위에 위치하는 색변환 패널을 포함하고, 상기 색변환 패널은, 상기 표시 패널 위에 위치하는 밴드 패스 필터, 상기 밴드 패스 필터 위에 위치하는 서로 다른 색의 광을 방출하는 제1 색변환 매개층, 제2 색변환 매개층 및 제3 색변환 매개층, 상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층 및 상기 제3 색변환 매개층 중 서로 이웃하는 색변환 매개층 사이에 위치하는 차광 부재, 상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층, 상기 제3 색변환, 및 상기 차광 부재 위에 위치하는 제1 절연 기판, 및 상기 색변환 매개층 및 상기 제1 절연 기판 사이에 위치하며, 상기 제1 색변환 매개층 및 상기 제2 색변환 매개층과 중첩되는 청색광 컷팅 필터를 포함하는 표시 장치를 제공한다.Also, according to another embodiment of the present invention, a display panel and a color conversion panel disposed on the display panel, wherein the color conversion panel includes a band pass filter positioned on the display panel and a band pass filter positioned on the band pass filter a first color conversion media layer, a second color conversion media layer and a third color conversion media layer, the first color conversion media layer, the second color conversion media layer, and the third color A light blocking member positioned between adjacent color conversion media layers among the conversion media layers, the first color conversion media layer, the second color conversion media layer, the third color conversion, and a first insulating member positioned on the light blocking member A display device comprising: a substrate; and a blue light cutting filter positioned between the color conversion media layer and the first insulating substrate and overlapping the first color conversion media layer and the second color conversion media layer.

상기 표시 패널은, 제2 절연 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함할 수 있다.The display panel may include a thin film transistor positioned on a second insulating substrate and a pixel electrode connected to the thin film transistor.

상기 제2 절연 기판과 이격되어 마주하는 제3 절연 기판, 상기 제3 절연 기판 상에 위치하는 공통 전극, 및 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 사이에 위치하는 액정층을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a third insulating substrate facing the second insulating substrate and spaced apart from the second insulating substrate, a common electrode positioned on the third insulating substrate, and a liquid crystal layer positioned between the pixel electrode and the common electrode.

상기 제2 절연 기판과 마주하는 지붕층, 상기 지붕층 상에 위치하는 공통 전극, 상기 제2 절연 기판과 상기 지붕층에 의해 구획되는 미세 공간, 및 상기 미세 공간을 채우는 액정층을 더 포함할 수 있다.It may further include a roof layer facing the second insulating substrate, a common electrode positioned on the roof layer, a microcavity partitioned by the second insulating substrate and the roof layer, and a liquid crystal layer filling the microcavity. have.

상기 화소 전극 위에 위치하는 유기 발광 부재, 및 상기 유기 발광 부재 위에 형성된 공통 전극을 더 포함할 수 있다.It may further include an organic light emitting member positioned on the pixel electrode, and a common electrode formed on the organic light emitting member.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 절연 기판 위에 차광 부재를 형성하는 단계, 상기 제1 절연 기판 위에 청색광 컷팅 필터를 형성하는 단계, 상기 차광 부재 사이에 위치하는 제1 색변환 매개층, 제2 색변환 매개층 및 제3 색변환 매개층을 순차적으로 형성하는 단계, 및 상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층, 상기 제3 색변환 매개층 및 상기 차광 부재를 포함하는 상기 제1 절연 기판 전면에 밴드 패스 필터를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 청색광 컷팅 필터는 상기 제1 색변환 매개층 및 상기 제2 색변환 매개층과 중첩하는 색변환 패널의 제조 방법을 제공한다.Further, according to another embodiment of the present invention, the steps of forming a light blocking member on a first insulating substrate, forming a blue light cutting filter on the first insulating substrate, and a first color conversion medium positioned between the light blocking members sequentially forming a layer, a second color conversion media layer, and a third color conversion media layer, and the first color conversion media layer, the second color conversion media layer, the third color conversion media layer, and the light blocking member A method of manufacturing a color conversion panel comprising the step of forming a band pass filter on the entire surface of the first insulating substrate comprising a, wherein the blue light cutting filter overlaps the first color conversion media layer and the second color conversion media layer provides

이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치는 색변환 패널의 혼색을 방지할 수 있고, 이에 따라 색순도가 개선될 수 있다.As described above, the color conversion panel and the display device including the same according to an embodiment of the present invention can prevent color mixing of the color conversion panel, and thus color purity can be improved.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 제조 방법에 따르면, 색변환 패널의 제조 공정을 단순화하여 비용 및 시간이 절감될 수 있다.In addition, according to the method of manufacturing a color conversion panel according to an embodiment of the present invention, the manufacturing process of the color conversion panel may be simplified, thereby reducing cost and time.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV 선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이다.
도 6은 도 5의 VI-VI 선을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이다.
도 8은 도 7의 VIII-VIII 선을 따라 자른 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 제조 공정을 순서대로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a color conversion panel according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.
3 is a plan view of a plurality of pixels in a liquid crystal display according to an exemplary embodiment.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3 .
5 is a plan view of a plurality of pixels in a liquid crystal display according to an exemplary embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG. 5 .
7 is a plan view of a plurality of pixels in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII of FIG. 7 .
9 to 11 are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of a color conversion panel according to an embodiment of the present invention.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.With reference to the accompanying drawings, the embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In order to clearly express various layers and regions in the drawings, the thicknesses are enlarged. Throughout the specification, like reference numerals are assigned to similar parts. When a part, such as a layer, film, region, plate, etc., is "on" another part, it includes not only the case where it is "directly on" another part, but also the case where there is another part in between. Conversely, when we say that a part is "just above" another part, we mean that there is no other part in the middle.

이하, 도 1을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널에 대해서 상세하게 설명한다. Hereinafter, a color conversion panel according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1 .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a color conversion panel according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 색변환 패널(30)은 제1 절연 기판(310) 위에 위치하는 청색광 컷팅 필터(blue cut filter)(322)를 포함한다. 청색광 컷팅 필터(322)는 제1 색변환 매개층(340R) 및 제2 색변환 매개층(340G)과 중첩될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the color conversion panel 30 includes a blue cut filter 322 positioned on the first insulating substrate 310 . The blue light cutting filter 322 may overlap the first color conversion media layer 340R and the second color conversion media layer 340G.

청색광 컷팅 필터(322)는 제1 색변환 매개층(340R) 및 제2 색변환 매개층(340G) 아래에 각각 위치할 수 있다. 즉, 제1 색변환 매개층(340R)과 중첩하는 청색광 컷팅 필터(322) 및 제2 색변환 매개층(340G)과 중첩하는 청색광 컷팅 필터(322)는 서로 독립적으로 형성될 수 있다.The blue light cutting filter 322 may be positioned under the first color conversion media layer 340R and the second color conversion media layer 340G, respectively. That is, the blue light cutting filter 322 overlapping the first color conversion media layer 340R and the blue light cutting filter 322 overlapping the second color conversion media layer 340G may be formed independently of each other.

청색광 컷팅 필터(322)는 하기 도 3에서 설명할 백라이트 어셈블리(500)로부터 발광되는 청색광이 제1 색변환 매개층(340R) 및 제2 색변환 매개층(340G)을 통과하여 적색(R) 및 녹색(G)의 컬러를 구현하는 과정에서 혼색이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In the blue light cutting filter 322 , the blue light emitted from the backlight assembly 500 to be described with reference to FIG. 3 passes through the first color conversion media layer 340R and the second color conversion media layer 340G to produce red (R) and It is possible to prevent color mixture from occurring in the process of implementing the color of green (G).

즉, 청색광 컷팅 필터(322)는 400 내지 500nm의 파장대의 빛을 흡수하기 때문에, 400 내지 500nm의 파장대를 갖는 청색광을 차단할 수 있다. 이때, 청색광 컷팅 필터(322)의 투과율은 450nm의 파장에서 5% 이하, 535nm에서 80% 이상 및 650nm에서 90% 이상일 수 있다.That is, since the blue light cutting filter 322 absorbs light in a wavelength range of 400 to 500 nm, it is possible to block blue light having a wavelength in a wavelength range of 400 to 500 nm. In this case, the transmittance of the blue light cutting filter 322 may be 5% or less at a wavelength of 450 nm, 80% or more at 535 nm, and 90% or more at 650 nm.

청색광 컷팅 필터(322)는 고굴절률 및 저굴절률을 가지는 무기물을 단일층에 포함할 수 있고, 고굴절률 및 저굴절률을 가지는 무기물이 반복적으로 적층된 복수층으로 형성될 수 있다. 청색광 컷팅 필터(322)가 복수층으로 형성될 경우 3층~ 20층으로 적층될 수 있다.The blue light cutting filter 322 may include an inorganic material having a high refractive index and a low refractive index in a single layer, and may be formed as a plurality of layers in which an inorganic material having a high refractive index and a low refractive index is repeatedly stacked. When the blue light cutting filter 322 is formed in multiple layers, it may be stacked in 3 to 20 layers.

청색광 컷팅 필터(322)의 총 두께는 1~ 10㎛일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 1~ 3㎛일 수 있다. 이는 청색광 컷팅 필터(322)가 1㎛ 미만일 경우 백라이트 어셈블리(backlight assembly)로부터 발생되는 청색광의 차단 효과가 미비할 수 있으며, 10㎛ 초과인 경우 두께가 너무 두꺼워져 광 투과율 저하가 발생할 수 있기 때문이다.The total thickness of the blue light cutting filter 322 may be 1 to 10 μm, and more preferably, 1 to 3 μm. This is because, when the blue light cutting filter 322 is less than 1 μm, the blocking effect of blue light generated from the backlight assembly may be insignificant. .

청색광 컷팅 필터(322)의 고굴절률 및 저굴절률을 가지는 무기물로서 SiOx 및 SiNx을 포함할 수 있고, 청색광 컷팅 필터(322)이 복수층으로 형성될 경우의 최상부층 및 최하부층은 SiOx일 수 있으나, 이에 제한되지 않고 청색광을 차단하기 위한 어떠한 물질도 가능할 수 있는데, 예를 들어 BiO2, ZnO, Ce2O3 중 어느 하나의 물질과 CaCO3, ZrO2, TiO2, Ar2O3 중 어느 하나의 물질이 혼합되어 이루어질 수 있다.As an inorganic material having a high refractive index and a low refractive index of the blue light cutting filter 322, SiOx and SiNx may be included. Without being limited thereto, any material for blocking blue light may be possible, for example, any one of BiO 2 , ZnO, Ce 2 O 3 and CaCO 3 , ZrO 2 , TiO 2 , Ar 2 O 3 Any one of of materials may be mixed.

다음으로, 제1 절연 기판(310) 및 청색광 컷팅 필터(322) 위에 제1 내지 제3 색변환 매개층(340R, 340G, 340B)이 위치한다.Next, first to third color conversion media layers 340R, 340G, and 340B are positioned on the first insulating substrate 310 and the blue light cutting filter 322 .

여기서 제1 색변환 매개층(340R)은 적색변환 매개층일 수 있고, 제2 색변환 매개층(340G)은 녹색변환 매개층일 수 있고, 제3 색변환 매개층(340B)은 청색변환 매개층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Here, the first color conversion media layer 340R may be a red conversion media layer, the second color conversion media layer 340G may be a green conversion media layer, and the third color conversion media layer 340B may be a blue conversion media layer. However, the present invention is not limited thereto.

제1 색변환 매개층(340R)은 백라이트 어셈블리로부터 공급되는 청색광을 적색으로 변환할 수 있다. 제1 색변환 매개층(340R)은 적색 형광체를 포함할 수 있으며, 적색 형광체는 (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, 카즌(CaAlSiN3), CaMoO4, Eu2Si5N8 중 적어도 하나의 물질일 수 있다.The first color conversion media layer 340R may convert blue light supplied from the backlight assembly into red. The first color conversion media layer 340R may include a red phosphor, and the red phosphor is (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8 , Cazen (CaAlSiN 3 ), CaMoO 4 , and may be at least one of Eu 2 Si 5 N 8 .

제2 색변환 매개층(340G)은 백라이트 어셈블리로부터 공급되는 청색광을 녹색으로 변환할 수 있다. 제2 색변환 매개층(340G)은 녹색 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 녹색 형광체는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, BAM, 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON, (Sr1 - xBax)Si2O2N2 중 적어도 하나의 물질일 수 있고, 상기 x는 0 내지 1 사이의 임의의 수일 수 있다.The second color conversion media layer 340G may convert blue light supplied from the backlight assembly into green. The second color conversion media layer 340G may include a green phosphor, wherein the green phosphor is yttrium aluminum garnet (YAG), (Ca, Sr, Ba) 2 SiO 4 , SrGa 2 S 4 , BAM , alpha sialon (α-SiAlON), beta sialon (β-SiAlON), Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 , Tb 3 Al 5 O 12 , BaSiO 4 , CaAlSiON, (Sr 1 - x Ba x )Si 2 It may be at least one of O 2 N 2 , and x may be any number between 0 and 1.

또한, 제1 색변환 매개층(340R) 및 제2 색변환 매개층(340G)은 색을 변환하는 퀀텀닷(Quantum Dot)을 포함할 수 있다. 퀀텀닷(Quantum Dot)은 II-VI족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.In addition, the first color conversion media layer 340R and the second color conversion media layer 340G may include quantum dots that convert colors. The quantum dot may be selected from a group II-VI compound, a group IV-VI compound, a group IV element, a group IV compound, and combinations thereof.

II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다. The group II-VI compound is a binary compound selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgZnTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnS, MgZnTe, MgZnS and mixtures thereof bovine compounds; and HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof. The group III-V compound is a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; and quaternary compounds selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. The group IV-VI compound is a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; and a quaternary compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. The group IV element may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof. The group IV compound may be a di-element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 퀀텀닷이 다른 퀀텀닷을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.In this case, the binary compound, the ternary compound, or the quaternary compound may be present in the particle at a uniform concentration, or may be present in the same particle as the concentration distribution is partially divided into different states. Also, one quantum dot may have a core/shell structure surrounding another quantum dot. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of the element present in the shell decreases toward the center.

퀀텀닷은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있다. 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 퀀텀닷을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다. A quantum dot may have a full width of half maximum (FWHM) of an emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, and more preferably about 30 nm or less. In this range, color purity and color reproducibility can be improved. In addition, since the light emitted through the quantum dot is emitted in all directions, a wide viewing angle may be improved.

또한, 퀀텀닷의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.In addition, the shape of the quantum dot is not particularly limited to a shape generally used in the art, but more specifically, spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanoparticles, nanotubes. , nanowires, nanofibers, nanoplatelets, and the like can be used.

제3 색변환 매개층(340B)은 투명 폴리머로 이루어질 수 있으며, 백라이트 어셈블리로부터 공급되는 청색광이 그대로 투과하여 청색을 나타낸다. 청색을 출광하는 영역에 해당하는 제3 색변환 매개층(340B)은 별도의 형광체 또는 퀀텀닷 없이 입사된 청색을 출광하는 물질을 포함할 수 있다.The third color conversion media layer 340B may be made of a transparent polymer, and transmit blue light supplied from the backlight assembly as it is to display blue color. The third color conversion media layer 340B corresponding to the region emitting blue light may include a material emitting blue light that is incident without a separate phosphor or quantum dot.

제3 색변환 매개층(340B)은 감광성 수지 등의 폴리머 및 TiO2 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The third color conversion media layer 340B may include at least one of a polymer such as a photosensitive resin and TiO 2 , but is not limited thereto.

제1 내지 제3 색변환 매개층(340R, 340G, 340B) 사이에는 제1 차광 부재(372)가 위치할 수 있다.A first light blocking member 372 may be positioned between the first to third color conversion media layers 340R, 340G, and 340B.

제1 차광 부재(372)는 제1 색변환 매개층(340R), 제2 색변환 매개층(340G) 및 제3 색변환 매개층(340B)이 배치되는 영역을 구획하며, 제1 색변환 매개층(340R), 제2 색변환 매개층(340G) 및 제3 색변환 매개층(340B)은 제1 차광 부재(372) 사이에 위치한다. 제1 차광 부재(372)는 인접한 색변환 매개층(340R, 304G, 340B) 사이에서 발생하는 혼색을 방지하는 역할을 한다.The first light blocking member 372 partitions an area in which the first color conversion media layer 340R, the second color conversion media layer 340G, and the third color conversion media layer 340B are disposed, and the first color conversion media layer 340B The layer 340R, the second color conversion media layer 340G, and the third color conversion media layer 340B are positioned between the first light blocking member 372 . The first light blocking member 372 serves to prevent color mixing occurring between the adjacent color conversion media layers 340R, 304G, and 340B.

여기서, 본 실시예에 따른 색변환 패널의 제1 차광 부재(372) 하부에는 청색광 컷팅 필터(322)가 형성되지 않는다.Here, the blue light cutting filter 322 is not formed under the first light blocking member 372 of the color conversion panel according to the present exemplary embodiment.

이는, 청색광 컷팅 필터(322)는 외광 반사율이 높기 때문에, 제1 차광 부재(372)가 위치하는 영역에서는 청색광 컷팅 필터(322)가 형성되지 않도록 하여 제1 차광 부재(372)가 위치한 영역에서의 외광 반사율을 감소 시킬 수 있기 때문이다.This is because the blue light cutting filter 322 has high external light reflectivity, so that the blue light cutting filter 322 is not formed in the area where the first light blocking member 372 is located, so that the first light blocking member 372 is located in the area. This is because the external light reflectance can be reduced.

다음으로, 밴드 패스 필터(350)는 제1 내지 제3 색변환 매개층(340R, 340G, 340B) 위에 위치한다. 밴드 패스 필터(350)는 제1 내지 제3 색변환 매개층(340R, 340G, 340B)과 중첩하며 색변환 매개층(340R, 340G, 340B) 사이에서 드러난 차광 부재(372) 위에도 위치한다.Next, the band pass filter 350 is positioned on the first to third color conversion media layers 340R, 340G, and 340B. The band pass filter 350 overlaps the first to third color conversion media layers 340R, 340G, and 340B and is also located on the light blocking member 372 exposed between the color conversion media layers 340R, 340G, and 340B.

즉, 밴드 패스 필터(350)는 제1 절연 기판(310) 전면에 위치한다.That is, the band pass filter 350 is positioned on the front surface of the first insulating substrate 310 .

밴드 패스 필터(350)는 백라이트 어셈블리에서 다방향으로 발산되는 광을 정면으로 반사시켜 광 효율 및 색재현율을 개선시킬 수 있다.The band pass filter 350 may improve light efficiency and color gamut by reflecting light emitted in multiple directions from the backlight assembly to the front.

밴드 패스 필터(350)는 고굴절률 및 저굴절률을 가지는 무기물을 단일층에 포함할 수 있고, 고굴절률 및 저굴절률을 가지는 무기물이 반복적으로 적층된 복수층으로 형성될 수 있다. 밴드 패스 필터(350)가 복수층으로 형성될 경우 20층~ 40층으로 적층될 수 있다.The band pass filter 350 may include an inorganic material having a high refractive index and a low refractive index in a single layer, and may be formed as a plurality of layers in which an inorganic material having a high refractive index and a low refractive index is repeatedly stacked. When the band pass filter 350 is formed in multiple layers, it may be stacked in 20 to 40 layers.

밴드 패스 필터(350)의 총 두께는 1~ 10㎛일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 1~ 3㎛일 수 있다. 이는 밴드 패스 필터(350)가 1㎛ 미만일 경우 광 효율 및 색재현율 개선 효과가 미비할 수 있으며, 10㎛ 초과인 경우 두께가 너무 두꺼워져 광 투과율 저하가 발생할 수 있기 때문이다.The total thickness of the band pass filter 350 may be 1 to 10 μm, more preferably 1 to 3 μm. This is because, when the band pass filter 350 is less than 1 μm, the effect of improving light efficiency and color gamut may be insignificant, and when the band pass filter 350 is more than 10 μm, the thickness may be too thick to cause a decrease in light transmittance.

밴드 패스 필터(350)의 고굴절률 및 저굴절률을 가지는 무기물로서 SiOx 및 SiNx을 포함할 수 있고, 밴드 패스 필터(350)이 복수층으로 형성될 경우의 최상부층 및 최하부층은 SiNx일 수 있다.The inorganic material having a high refractive index and a low refractive index of the band pass filter 350 may include SiOx and SiNx, and when the band pass filter 350 is formed in a plurality of layers, the uppermost layer and the lowermost layer may be SiNx.

이하에서는 앞서 설명한 도 1과 함께 도 2를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해서 개략적으로 설명한다. Hereinafter, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be schematically described with reference to FIG. 2 together with FIG. 1 described above.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 2을 참조하여 간략하게 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 살펴보면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 색변환 패널(30), 표시 패널(10) 및 라이트 어셈블리(500)를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 색변환 패널(30)은 전술한 도 1의 실시예에 따른 색변환 패널(30)과 동일한바, 중복되는 설명은 생략한다.Referring briefly to a display device according to an embodiment of the present invention with reference to FIG. 2 , the display device according to an embodiment of the present invention includes a color conversion panel 30 , a display panel 10 , and a light assembly 500 . include The color conversion panel 30 included in the display device according to the exemplary embodiment of the present invention is the same as the color conversion panel 30 according to the exemplary embodiment of FIG. 1 described above, and overlapping descriptions will be omitted.

색변환 패널(30)의 배면에 위치하는 표시 패널(10)은 영상을 나타내는 액정 패널(50) 및 액정 패널(50)의 양 면에 위치하는 편광판(12, 22)을 포함할 수 있다. 즉, 액정 패널(50)의 양면에 백라이트 어셈블리(500)에서 입사되는 빛을 편광시키기 위한 제1 편광판(12) 및 제2 편광판(22)이 위치한다. 제1 편광판(12)은 백라이트 어셈블리(500)와 마주할 수 있으며, 제2 편광판(22)은 색변환 패널(30)과 마주하거나 접촉할 수 있다.The display panel 10 positioned on the rear surface of the color conversion panel 30 may include a liquid crystal panel 50 displaying an image and polarizing plates 12 and 22 positioned on both surfaces of the liquid crystal panel 50 . That is, the first polarizing plate 12 and the second polarizing plate 22 for polarizing light incident from the backlight assembly 500 are positioned on both sides of the liquid crystal panel 50 . The first polarizer 12 may face the backlight assembly 500 , and the second polarizer 22 may face or contact the color conversion panel 30 .

백라이트 어셈블리(500)는 제1 편광판(12) 배면에 위치하며 광을 발생하는 광원 및 광을 수신하고 수신된 광을 표시 패널(10) 및 색변환 패널(30) 방향으로 가이드하는 도광판(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. The backlight assembly 500 is located on the rear surface of the first polarizing plate 12 , and receives a light source and light for generating light, and a light guide plate (not shown) for guiding the received light toward the display panel 10 and the color conversion panel 30 . not) may be further included.

일례로써, 백라이트 어셈블리(500)는 적어도 하나의 발광 다이오드(light emitting diode)를 포함할 수 있으며, 발광 다이오드는 청색 발광 다이오드 또는 UV 광원일 수 있다. 본 발명에 일 실시예에 따른 광원은 도광판의 적어도 하나의 측면에 배치되는 에지형 백라이트 어셈블리이거나, 백라이트 어셈블리(500)의 광원이 도광판(미도시)의 하부에 위치하는 직하형일 수 있으나, 이에 제한되지 않고 광원의 위치는 다양하게 형성될 수 있다.As an example, the backlight assembly 500 may include at least one light emitting diode, and the light emitting diode may be a blue light emitting diode or a UV light source. The light source according to an embodiment of the present invention may be an edge-type backlight assembly disposed on at least one side of the light guide plate, or a direct-type light source in which the light source of the backlight assembly 500 is positioned below the light guide plate (not shown), but is limited thereto. and the position of the light source may be formed in various ways.

이하에서는, 도 3 내지 도 4를 참고하여 전술한 표시 패널(10)의 일 실시예인 액정 표시 장치 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the above-described display panel 10 will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 4 .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이며, 도 4는 도 3의 IV-IV 선을 따라 자른 단면도이다. 3 is a plan view of a plurality of pixels in a liquid crystal display according to an exemplary embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3 .

도 3 내지 도 4에 도시된 색변환 패널(30)은 전술한 도 1의 실시예에 따른 색변환 패널(30)과 동일한바, 중복되는 설명은 생략한다.The color conversion panel 30 shown in FIGS. 3 to 4 is the same as the color conversion panel 30 according to the embodiment of FIG. 1 described above, and thus a redundant description will be omitted.

색변환 패널(30)의 배면에 위치하는 액정 패널(50)은 영상을 나타내기 위해 박막 트랜지스터 및 제2 절연 기판(110)를 포함하는 하부 표시판(100), 하부 표시판(100)과 마주하며 제3 절연 기판(210)을 포함하는 상부 표시판(200) 및 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 개재된 액정층(3)을 포함한다.The liquid crystal panel 50 located on the rear surface of the color conversion panel 30 faces the lower panel 100 including the thin film transistor and the second insulating substrate 110, the lower panel 100, and the second panel 50 to display an image. 3 The upper panel 200 including the insulating substrate 210 and the liquid crystal layer 3 interposed between the lower panel 100 and the upper panel 200 are included.

액정 패널(50)의 양면에는 각각 제1 내지 제2 편광판(12, 22)이 위치하며, 이 때 편광판(12, 22)은 코팅형 편광판, 와이어 그리드 편광판(wire grid polarizer) 중 하나 이상이 사용될 수 있다. 편광판(12, 22)은 필름 형태, 도포 형태, 부착 형태 등 다양한 방법으로 상부 표시판(200)의 일면에 위치할 수 있다.First to second polarizing plates 12 and 22 are respectively positioned on both sides of the liquid crystal panel 50 , and at this time, the polarizing plates 12 and 22 are at least one of a coated polarizing plate and a wire grid polarizer to be used. can The polarizing plates 12 and 22 may be positioned on one surface of the upper panel 200 in various methods such as a film form, an application form, an attachment form, and the like.

하부 표시판(100)이 포함하는 제2 절연 기판(110)의 위에는 다수의 화소 전극(191)이 매트릭스 형태로 위치한다.A plurality of pixel electrodes 191 are positioned in a matrix form on the second insulating substrate 110 included in the lower panel 100 .

제2 절연 기판(110) 위에는 행 방향으로 연장되며 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121), 게이트선(121) 위에 위치하는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140) 위에 위치하는 반도체층(154), 반도체층(154) 위에 위치하며 열 방향으로 연장되며 소스 전극(173)을 포함하는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175), 및 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에 위치하는 보호막(180) 및 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적 전기적으로 연결되는 화소 전극(191)이 위치한다.A gate line 121 extending in a row direction and including a gate electrode 124 on the second insulating substrate 110 , a gate insulating film 140 positioned on the gate line 121 , and a semiconductor positioned on the gate insulating film 140 . layer 154 , a data line 171 and a drain electrode 175 disposed on the semiconductor layer 154 , extending in the column direction, and including a source electrode 173 , and a data line 171 and a drain electrode 175 . A pixel electrode 191 physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the passivation layer 180 and the contact hole 185 positioned thereon is positioned.

게이트 전극(124) 위에 위치하는 반도체층(154)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)에 의해 노출된 영역에서 채널층을 형성하며, 게이트 전극(124), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터를 형성한다.The semiconductor layer 154 positioned on the gate electrode 124 forms a channel layer in a region exposed by the source electrode 173 and the drain electrode 175 , and includes the gate electrode 124 , the semiconductor layer 154 , and the source. The electrode 173 and the drain electrode 175 form one thin film transistor.

제2 절연 기판(110)과 마주하며 이격된 제3 절연 기판(210) 위에는 제2 차광 부재(220)가 위치한다. 제2 차광 부재(220) 위에는 평평한 면을 제공하는 평탄막(250)이 위치할 수 있으며, 이 위에 공통 전극(270)이 위치한다. 발명의 실시예에 따라 평탄막(250)은 생략될 수 있다. 공통 전극(270)은 하부 표시판(100)에 형성될 수도 있다.The second light blocking member 220 is positioned on the third insulating substrate 210 that faces the second insulating substrate 110 and is spaced apart from each other. A flat layer 250 providing a flat surface may be disposed on the second light blocking member 220 , and the common electrode 270 is disposed thereon. According to an embodiment of the present invention, the flat film 250 may be omitted. The common electrode 270 may be formed on the lower panel 100 .

공통 전압을 인가받는 공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 전계를 형성하여, 액정층(3)에 위치하는 액정 분자(31)들을 배열시킨다. The common electrode 270 to which the common voltage is applied forms an electric field with the pixel electrode 191 to arrange the liquid crystal molecules 31 positioned in the liquid crystal layer 3 .

액정층(3)은 다수의 액정 분자(31)들을 포함하고, 액정 분자(31)들은 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이의 전계에 의해서 배열 방향이 제어된다. 액정 분자들의 배열에 따라 백라이트 어셈블리(500)로부터 수신된 광의 투과율을 제어하여 영상을 표시할 수 있다.The liquid crystal layer 3 includes a plurality of liquid crystal molecules 31 , and the arrangement direction of the liquid crystal molecules 31 is controlled by an electric field between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 . An image may be displayed by controlling transmittance of light received from the backlight assembly 500 according to the arrangement of liquid crystal molecules.

색변환 패널(30)은 색변환 패널(30)의 밴드 패스 필터(350)가 표시 패널(10)의 제3 절연 기판(210)과 마주하며 배치된다.In the color conversion panel 30 , the band pass filter 350 of the color conversion panel 30 faces the third insulating substrate 210 of the display panel 10 .

이상과 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 표시 패널 위에 위치하는 색변환 패널을 통해 출광율 및 색재현성을 향상시킬 수 있다.As described above, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention can improve light output rate and color reproducibility through a color conversion panel positioned on the display panel.

이하에서는, 도 5 내지 도 6을 참고하여 전술한 표시 패널(10)의 일 실시예인 액정 표시 장치 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the aforementioned display panel 10 will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 6 .

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이고, 도 6은 도 5의 VI-VI 선을 따라 자른 단면도이다. 5 is a plan view of a plurality of pixels in a liquid crystal display according to an exemplary embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG. 5 .

도 5 내지 도 6에 도시된 색변환 패널(30)은 전술한 도 1의 실시예에 따른 색변환 패널(30)과 동일한바, 중복되는 설명은 생략한다.The color conversion panel 30 shown in FIGS. 5 to 6 is the same as the color conversion panel 30 according to the above-described embodiment of FIG. 1 , and thus overlapping descriptions will be omitted.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 표시 패널(10), 색변환 패널(30) 및 백라이트 어셈블리(500)를 포함한다. 백라이트 어셈블리(500) 위에 표시 패널(10)이 위치하고, 표시 패널(10) 위에 색변환 패널(30)이 위치할 수 있다.5 and 6 , a liquid crystal display according to an exemplary embodiment includes a display panel 10 , a color conversion panel 30 , and a backlight assembly 500 . The display panel 10 may be positioned on the backlight assembly 500 , and the color conversion panel 30 may be positioned on the display panel 10 .

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)은 액정 패널(50) 및 액정 패널(50)의 양면에 위치하는 제1 및 제2 편광판(12, 22)을 포함할 수 있다. 이때 편광판(12, 22)은 코팅형 편광판, 와이어 그리드 편광판(wire grid polarizer) 중 하나 이상이 사용될 수 있으며, 이러한 편광판(12, 22)은 필름 형태, 도포 형태, 부착 형태 등 다양한 방법으로 액정 패널(50)의 양면에 위치할 수 있다.The display panel 10 according to an embodiment of the present invention may include a liquid crystal panel 50 and first and second polarizing plates 12 and 22 positioned on both surfaces of the liquid crystal panel 50 . At this time, as the polarizers 12 and 22, one or more of a coated polarizer and a wire grid polarizer may be used. It can be located on both sides of (50).

액정 패널(50)은 제2 절연 기판(110) 위에 위치하는 복수의 게이트선(121), 복수의 감압 게이트선(123) 및 복수의 유지 전극선(131)을 포함하는 복수의 게이트 도전체를 포함한다.The liquid crystal panel 50 includes a plurality of gate conductors including a plurality of gate lines 121 , a plurality of step-down gate lines 123 , and a plurality of storage electrode lines 131 positioned on the second insulating substrate 110 . do.

게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 게이트 신호를 전달한다. 게이트 도전체는 게이트선(121)으로부터 위아래로 돌출한 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)을 더 포함하고, 감압 게이트선(123)으로부터 위로 돌출한 제3 게이트 전극(124c)을 더 포함한다. 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)은 서로 연결되어 하나의 돌출부를 이룬다. 이때, 제1, 제2, 및 제3 게이트 전극(124h, 124l, 124c)의 돌출 형태는 변경이 가능하다.The gate line 121 and the step-down gate line 123 mainly extend in a horizontal direction and transmit a gate signal. The gate conductor further includes a first gate electrode 124h and a second gate electrode 124l protruding upward and downward from the gate line 121 , and a third gate electrode 124c protruding upward from the step-down gate line 123 . ) is further included. The first gate electrode 124h and the second gate electrode 124l are connected to each other to form one protrusion. In this case, the protrusion shape of the first, second, and third gate electrodes 124h, 124l, and 124c may be changed.

유지 전극선(131)도 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 공통 전압(Vcom) 등의 정해진 전압을 전달한다. 유지 전극선(131)은 위 아래로 돌출한 유지 전극(129), 게이트선(121)과 실질적으로 수직하게 아래로 뻗은 한 쌍의 세로부(134) 및 한 쌍의 세로부(134)의 끝을 서로 연결하는 가로부(127)를 포함한다. 가로부(127)는 아래로 확장된 용량 전극(137)을 포함한다.The storage electrode line 131 also mainly extends in the horizontal direction and transmits a predetermined voltage such as the common voltage Vcom. The storage electrode line 131 includes ends of the storage electrode 129 protruding up and down, a pair of vertical portions 134 extending downward substantially perpendicular to the gate line 121 , and ends of the pair of vertical portions 134 . It includes a horizontal portion 127 that is connected to each other. The horizontal portion 127 includes a capacitive electrode 137 extending downward.

게이트 도전체(121, 123, 124h, 124l, 124c, 131) 위에는 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.A gate insulating layer 140 is positioned on the gate conductors 121 , 123 , 124h , 124l , 124c , and 131 . The gate insulating layer 140 may be made of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx). Also, the gate insulating layer 140 may be formed of a single layer or a multilayer.

게이트 절연막(140) 위에는 제1 반도체층(154h), 제2 반도체층(154l), 및 제3 반도체층(154c)이 위치한다. 제1 반도체층(154h)은 제1 게이트 전극(124h) 위에 위치할 수 있고, 제2 반도체층(154l)은 제2 게이트 전극(124l) 위에 위치할 수 있으며, 제3 반도체층(154c)은 제3 게이트 전극(124c) 위에 위치할 수 있다. 제1 반도체층(154h)과 제2 반도체층(154l)은 서로 연결될 수 있고, 제2 반도체층(154l)과 제3 반도체층(154c)도 서로 연결될 수 있다. 또한, 제1 반도체층(154h)은 데이터선(171)의 아래까지 연장되어 위치할 수도 있다. 제1 내지 제3 반도체층(154h, 154l, 154c)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등으로 이루어질 수 있다.A first semiconductor layer 154h, a second semiconductor layer 154l, and a third semiconductor layer 154c are positioned on the gate insulating layer 140 . The first semiconductor layer 154h may be positioned on the first gate electrode 124h, the second semiconductor layer 154l may be positioned on the second gate electrode 124l, and the third semiconductor layer 154c may be It may be positioned on the third gate electrode 124c. The first semiconductor layer 154h and the second semiconductor layer 154l may be connected to each other, and the second semiconductor layer 154l and the third semiconductor layer 154c may also be connected to each other. Also, the first semiconductor layer 154h may be positioned to extend below the data line 171 . The first to third semiconductor layers 154h, 154l, and 154c may be formed of amorphous silicon, polycrystalline silicon, or metal oxide.

제1 내지 제3 반도체층(154h, 154l, 154c) 위에는 각각 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(도시하지 않음)가 더 위치할 수 있다. 저항성 접촉 부재는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.An ohmic contact member (not shown) may be further positioned on the first to third semiconductor layers 154h, 154l, and 154c, respectively. The ohmic contact member may be made of a material such as silicide or n+ hydrogenated amorphous silicon doped with a high concentration of n-type impurities.

제1 내지 제3 반도체층(154h, 154l, 154c) 위에는 데이터선(data line)(171), 제1 소스 전극(173h), 제2 소스 전극(173l), 제3 소스 전극(173c), 제1 드레인 전극(175h), 제2 드레인 전극(175l), 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다.On the first to third semiconductor layers 154h, 154l, and 154c, a data line 171, a first source electrode 173h, a second source electrode 173l, a third source electrode 173c, and a second A data conductor including a first drain electrode 175h, a second drain electrode 175l, and a third drain electrode 175c is positioned.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)을 향하여 뻗으며 서로 연결되어 있는 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)을 포함한다.The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in a vertical direction to cross the gate line 121 and the step-down gate line 123 . Each data line 171 extends toward the first gate electrode 124h and the second gate electrode 124l and includes a first source electrode 173h and a second source electrode 173l connected to each other.

제1 드레인 전극(175h), 제2 드레인 전극(175l) 및 제3 드레인 전극(175c)은 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)의 막대형 끝 부분은 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)으로 일부 둘러싸여 있다. 제2 드레인 전극(175l)의 넓은 한 쪽 끝 부분은 다시 연장되어 'U'자 형태로 굽은 제3 소스 전극(173c)을 이룬다. 제3 드레인 전극(175c)의 넓은 끝 부분(177c)은 용량 전극(137)과 중첩하여 감압 축전기(Cstd)를 이루며, 막대형 끝 부분은 제3 소스 전극(173c)으로 일부 둘러싸여 있다.The first drain electrode 175h, the second drain electrode 175l, and the third drain electrode 175c include a wide end portion and a rod-shaped other end portion. The rod-shaped ends of the first drain electrode 175h and the second drain electrode 175l are partially surrounded by the first source electrode 173h and the second source electrode 173l. One wide end of the second drain electrode 175l is extended again to form the third source electrode 173c bent in a 'U' shape. The wide end 177c of the third drain electrode 175c overlaps the capacitor electrode 137 to form the step-down capacitor Cstd, and the rod-shaped end portion is partially surrounded by the third source electrode 173c.

제1 게이트 전극(124h), 제1 소스 전극(173h), 및 제1 드레인 전극(175h)은 제1 반도체층(154h)과 함께 제1 박막 트랜지스터(Qh)를 형성하고, 제2 게이트 전극(124l), 제2 소스 전극(173l), 및 제2 드레인 전극(175l)은 제2 반도체층(154l)과 함께 제2 박막 트랜지스터(Ql)를 형성하며, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c), 및 제3 드레인 전극(175c)은 제3 반도체층(154c)과 함께 제3 박막 트랜지스터(Qc)를 형성한다.The first gate electrode 124h, the first source electrode 173h, and the first drain electrode 175h form a first thin film transistor Qh together with the first semiconductor layer 154h, and the second gate electrode ( 124l), the second source electrode 173l, and the second drain electrode 175l form a second thin film transistor Ql together with the second semiconductor layer 154l, and the third gate electrode 124c and the third The source electrode 173c and the third drain electrode 175c form a third thin film transistor Qc together with the third semiconductor layer 154c.

제1 반도체층(154h), 제2 반도체층(154l), 및 제3 반도체층(154c)은 서로 연결되어 선형으로 이루어질 수 있으며, 소스 전극(173h, 173l, 173c)과 드레인 전극(175h, 175l, 175c) 사이의 채널 영역을 제외하고는 데이터 도전체(171, 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c) 및 그 하부의 저항성 접촉 부재와 실질적으로 동일한 평면 모양을 가질 수 있다.The first semiconductor layer 154h, the second semiconductor layer 154l, and the third semiconductor layer 154c may be linearly connected to each other, and the source electrodes 173h, 173l, 173c and the drain electrodes 175h and 175l , 175c) may have substantially the same planar shape as the data conductors 171 , 173h , 173l , 173c , 175h , 175l , and 175c and the ohmic contact member thereunder.

제1 반도체층(154h)에는 제1 소스 전극(173h)과 제1 드레인 전극(175h) 사이에서 제1 소스 전극(173h) 및 제1 드레인 전극(175h)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있고, 제2 반도체층(154l)에는 제2 소스 전극(173l)과 제2 드레인 전극(175l) 사이에서 제2 소스 전극(173l) 및 제2 드레인 전극(175l)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있으며, 제3 반도체층(154c)에는 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이에서 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The first semiconductor layer 154h has a portion exposed between the first source electrode 173h and the first drain electrode 175h without being covered by the first source electrode 173h and the first drain electrode 175h, The second semiconductor layer 154l has a portion exposed between the second source electrode 173l and the second drain electrode 175l without being covered by the second source electrode 173l and the second drain electrode 175l, A portion of the third semiconductor layer 154c that is not covered by the third source electrode 173c and the third drain electrode 175c is exposed between the third source electrode 173c and the third drain electrode 175c.

데이터 도전체(171, 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c) 및 각 소스 전극(173h, 173l, 173c)과 각 드레인 전극(175h, 175l, 175c) 사이로 노출되어 있는 반도체층(154h, 154l, 154c) 위에는 보호막(180)이 위치한다. 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.The data conductors 171 , 173h , 173l , 173c , 175h , 175l , 175c , and the semiconductor layers 154h and 154l exposed between the source electrodes 173h , 173l , 173c and the drain electrodes 175h , 175l and 175c respectively. , 154c), the passivation layer 180 is positioned. The passivation layer 180 may be made of an organic insulating material or an inorganic insulating material, and may be formed of a single layer or multiple layers.

보호막(180) 위에는 제2 차광 부재(220)가 위치한다. 제2 차광 부재(220)는 화소 영역(PX)의 경계부와 박막 트랜지스터 위에 형성되어 빛샘을 방지할 수 있다.The second light blocking member 220 is positioned on the passivation layer 180 . The second light blocking member 220 may be formed on the boundary portion of the pixel area PX and the thin film transistor to prevent light leakage.

제2 차광 부재(220) 위에는 제1 절연층(240)이 위치할 수 있다. 제1 절연층(240)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화산화물(SiOxNy) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제1 절연층(240)은 유기 물질로 이루어진 차광 부재(220)를 보호하는 역할을 하며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.The first insulating layer 240 may be positioned on the second light blocking member 220 . The first insulating layer 240 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or silicon nitride oxide (SiOxNy). The first insulating layer 240 serves to protect the light blocking member 220 made of an organic material, and may be omitted if necessary.

제1 절연층(240), 제2 차광 부재(220), 보호막(180)에는 제1 드레인 전극(175h)의 넓은 끝 부분과 제2 드레인 전극(175l)의 넓은 끝 부분을 각각 드러내는 복수의 제1 접촉 구멍(185h) 및 복수의 제2 접촉 구멍(185l)이 형성되어 있다.On the first insulating layer 240 , the second light blocking member 220 , and the passivation layer 180 , a plurality of third electrodes exposing the wide end of the first drain electrode 175h and the wide end of the second drain electrode 175l, respectively. A first contact hole 185h and a plurality of second contact holes 185l are formed.

제1 절연층(240) 위에는 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다.A pixel electrode 191 is positioned on the first insulating layer 240 . The pixel electrode 191 may be formed of a transparent metal material such as indium-tin oxide (ITO), indium-zinc oxide (IZO), or the like.

화소 전극(191)은 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)을 사이에 두고 서로 분리되어, 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)을 중심으로 화소 영역(PX)의 위와 아래에 배치되어 열 방향으로 이웃하는 제1 부화소 전극(191h)과 제2 부화소 전극(191l)을 포함한다. 즉, 제1 부화소 전극(191h)과 제2 부화소 전극(191l)은 액정 주입구 영역(V1)를 사이에 두고 분리되어 있으며, 제1 부화소 전극(191h)은 제1 부화소 영역(PXa)에 위치하고, 제2 부화소 전극(191l)은 제2 부화소 영역(PXb)에 위치한다.The pixel electrode 191 is separated from each other with the gate line 121 and the step-down gate line 123 interposed therebetween, and is disposed above and below the pixel area PX with the gate line 121 and the step-down gate line 123 as the center. It is disposed and includes a first subpixel electrode 191h and a second subpixel electrode 191l adjacent in a column direction. That is, the first sub-pixel electrode 191h and the second sub-pixel electrode 191l are separated with the liquid crystal injection hole region V1 interposed therebetween, and the first sub-pixel electrode 191h is the first sub-pixel region PXa. ), and the second subpixel electrode 1911l is positioned in the second subpixel area PXb.

제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 제1 접촉 구멍(185h) 및 제2 접촉 구멍(185l)을 통하여 각기 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)과 연결되어 있다. 따라서, 제1 박막 트랜지스터(Qh) 및 제2 박막 트랜지스터(Ql)가 온 상태일 때 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.The first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are respectively connected to the first drain electrode 175h and the second drain electrode 175l through the first contact hole 185h and the second contact hole 185l. ) is associated with Accordingly, when the first thin film transistor Qh and the second thin film transistor Ql are in an on state, the data voltage is applied from the first drain electrode 175h and the second drain electrode 175l.

제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l) 각각의 전체적인 모양은 사각형이며 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l) 각각은 가로 줄기부(193h, 193l), 가로 줄기부(193h, 193l)와 교차하는 세로 줄기부(192h, 192l)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한, 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 각각 복수의 미세 가지부(194h, 194l), 부화소 전극(191h, 191l)의 가장자리 변에서 아래 또는 위로 돌출된 돌출부(197h, 197l)를 포함한다.The overall shape of each of the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l is a rectangle, and the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l have horizontal stem portions 193h and 193l, respectively. ), and a cross-shaped stem consisting of vertical stem portions 192h and 192l intersecting the horizontal stem portions 193h and 193l. In addition, the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l have a plurality of minute branches 194h and 194l, respectively, and protrusions protruding downward or upward from edge sides of the subpixel electrodes 191h and 191l, respectively. (197h, 197l).

화소 전극(191)은 가로 줄기부(193h, 193l)와 세로 줄기부(192h, 192l)에 의해 4개의 부영역으로 나뉘어진다. 미세 가지부(194h, 194l)는 가로 줄기부(193h, 193l) 및 세로 줄기부(192h, 192l)로부터 비스듬하게 뻗어 있으며 그 뻗는 방향은 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(193h, 193l)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룰 수 있다. 또한 이웃하는 두 부영역의 미세 가지부(194h, 194l)가 뻗어 있는 방향은 서로 직교할 수 있다.The pixel electrode 191 is divided into four subregions by horizontal stem portions 193h and 193l and vertical stem portions 192h and 192l. The minute branches 194h and 194l extend obliquely from the horizontal stems 193h and 193l and the vertical stems 192h and 192l, and the extending direction is the gate line 121 or the horizontal stems 193h and 193l. An angle of approximately 45 degrees or 135 degrees may be achieved. Also, the extending directions of the minute branches 194h and 194l of the two neighboring subregions may be orthogonal to each other.

지금까지 설명한 화소 영역의 배치 형태, 박막 트랜지스터의 구조 및 화소 전극의 형상은 하나의 예에 불과하며, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 다양한 변형이 가능하다. 또한 상기에서 설명한 보호층 및 절연층은 이에 제한되지 않고 생략 또는 추가될 수 있다.The arrangement of the pixel region, the structure of the thin film transistor, and the shape of the pixel electrode described so far are only examples, and the present invention is not limited thereto and various modifications are possible. In addition, the protective layer and the insulating layer described above are not limited thereto, and may be omitted or added.

이어, 화소 전극(191)으로부터 일정한 거리를 가지고 이격되도록 공통 전극(270)이 위치한다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에는 미세 공간(microcavity, 305)이 형성되어 있다. 미세 공간(305)의 폭과 넓이는 표시 장치의 크기 및 해상도에 따라 다양하게 변경될 수 있다.Next, the common electrode 270 is positioned to be spaced apart from the pixel electrode 191 at a predetermined distance. A microcavity 305 is formed between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 . The width and width of the microcavity 305 may be variously changed according to the size and resolution of the display device.

공통 전극(270)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 공통 전극(270)에는 일정한 전압이 인가될 수 있고, 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 전계가 형성될 수 있다.The common electrode 270 may be made of a transparent metal material such as indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO). A constant voltage may be applied to the common electrode 270 , and an electric field may be formed between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 .

또한, 화소 전극(191) 위에는 제1 배향막(11)이 위치한다. 제1 배향막(11)과 마주보도록 공통 전극(270) 아래에는 제2 배향막(21)이 위치한다.Also, the first alignment layer 11 is positioned on the pixel electrode 191 . The second alignment layer 21 is positioned under the common electrode 270 to face the first alignment layer 11 .

제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)은 수직 배향막으로 이루어질 수 있고, 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane), 폴리 이미드(Polyimide) 등의 배향 물질로 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 배향막(11, 21)은 화소 영역(PX)의 가장자리에서 서로 연결될 수 있다.The first alignment layer 11 and the second alignment layer 21 may be formed of a vertical alignment layer, and may be formed of an alignment material such as polyamic acid, polysiloxane, or polyimide. The first and second alignment layers 11 and 21 may be connected to each other at the edge of the pixel area PX.

화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 위치한 미세 공간(305) 내에는 액정 분자(31)들로 이루어진 액정층이 위치한다. 액정 분자(31)들은 음의 유전율 이방성 또는 양의 유전율 이방성을 가지며, 전계가 인가되지 않은 상태에서 제2 절연 기판(110)에 수직한 방향으로 서 있을 수 있다. 즉, 수직 배향이 이루어질 수 있다.A liquid crystal layer made of liquid crystal molecules 31 is positioned in the microcavity 305 positioned between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 . The liquid crystal molecules 31 have negative dielectric anisotropy or positive dielectric anisotropy, and may stand in a direction perpendicular to the second insulating substrate 110 in a state where no electric field is applied. That is, vertical alignment may be achieved.

데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 미세 공간(305) 내에 위치한 액정 분자(31)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자(31)의 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.The first sub-pixel electrode 191h and the second sub-pixel electrode 191l to which the data voltage is applied generate an electric field together with the common electrode 270 to be positioned in the microcavity 305 between the two electrodes 191 and 270 . The direction of the liquid crystal molecules 31 is determined. The luminance of light passing through the liquid crystal layer varies according to the determined direction of the liquid crystal molecules 31 .

공통 전극(270) 위에는 지붕층(370)이 위치한다. 지붕층(370)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 지붕층(370)의 아래에는 미세 공간(305)이 형성되어 있고, 지붕층(370)은 경화 공정에 의해 단단해져 미세 공간(305)의 형상을 유지할 수 있다. 즉, 지붕층(370)은 화소 전극(191)과 미세 공간(305)을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있다.A roof layer 370 is positioned on the common electrode 270 . The roof layer 370 may be made of an organic material. A microcavity 305 is formed under the roof layer 370 , and the roof layer 370 may be hardened by a curing process to maintain the shape of the microcavity 305 . That is, the roof layer 370 is formed to be spaced apart from the pixel electrode 191 with the microcavity 305 interposed therebetween.

지붕층(370)은 화소 행을 따라 각 화소 영역(PX) 및 격벽부(V2)에 형성되며, 액정 주입구 형성 영역(V1)에는 형성되지 않는다. 즉, 지붕층(370)은 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb) 사이에는 형성되지 않는다. 각 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb)에서는 각 지붕층(370)의 아래에 미세 공간(305)이 형성되어 있다. 격벽부(V2)에서는 지붕층(370)의 아래에 미세 공간(305)이 형성되지 않으며, 지붕층(370)은 아래로 돌출되어 격벽부(V2)를 형성하고, 이러한 격벽부(V2)는 서로 이웃하는 미세 공간을 구획할 수 있다. 따라서, 격벽부(V2)에 위치하는 지붕층(370)의 두께가 각 제1 부화소 영역(PXa) 및 제2 부화소 영역(PXb)에 위치하는 지붕층(370)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 미세 공간(305)의 상부면 및 양측면은 지붕층(370)에 의해 덮여 있는 형태로 이루어지게 된다.The roof layer 370 is formed in each pixel area PX and the partition wall portion V2 along the pixel row, but is not formed in the liquid crystal injection hole formation area V1 . That is, the roof layer 370 is not formed between the first subpixel area PXa and the second subpixel area PXb. In each of the first subpixel area PXa and the second subpixel area PXb , a microcavity 305 is formed under each roof layer 370 . In the partition wall part V2, the microcavity 305 is not formed under the roof layer 370, and the roof layer 370 protrudes downward to form the partition wall part V2, and the partition wall part V2 is It is possible to partition microcavities adjacent to each other. Therefore, the thickness of the roof layer 370 positioned in the partition wall part V2 is not to be thicker than the thickness of the roof layer 370 positioned in each of the first sub-pixel area PXa and the second sub-pixel area PXb. can The upper surface and both sides of the microcavity 305 are covered by the roof layer 370 .

공통 전극(270) 및 지붕층(370)에는 미세 공간(305)의 일부를 노출시키는 입구부(307)가 형성되어 있다. 입구부(307)는 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb)의 가장자리에 서로 마주보도록 형성될 수 있다. 즉, 입구부(307)는 제1 부화소 영역(PXa)의 하측 변, 제2 부화소 영역(PXb)의 상측 변에 대응하여 미세 공간(305)의 측면을 노출시키도록 형성될 수 있다. 입구부(307)에 의해 미세 공간(305)이 노출되어 있으므로, 입구부(307)를 통해 미세 공간(305) 내부로 배향액 또는 액정 물질 등을 주입할 수 있다.An inlet 307 exposing a portion of the microcavity 305 is formed in the common electrode 270 and the roof layer 370 . The inlet 307 may be formed at edges of the first subpixel area PXa and the second subpixel area PXb to face each other. That is, the inlet 307 may be formed to expose a side surface of the microcavity 305 corresponding to a lower side of the first subpixel area PXa and an upper side of the second subpixel area PXb. Since the microcavity 305 is exposed by the inlet 307 , an aligning agent or a liquid crystal material may be injected into the microcavity 305 through the inlet 307 .

지붕층(370) 위에는 덮개층(390)이 위치할 수 있다. 덮개층(390)은 액정 물질 및 배향 물질이 주입되는 액정 주입구 형성 영역(V1)에 형성되는 입구부(307)를 덮도록 형성된다. 즉, 덮개층(390)은 미세 공간(305)의 내부에 형성되어 있는 액정 분자(31)가 외부로 나오지 않도록 미세 공간(305)을 밀봉할 수 있다. 덮개층(390)은 액정 분자(31)과 접촉하게 되므로, 액정 분자(31)과 반응하지 않는 물질로 형성할 수 있다.A cover layer 390 may be positioned on the roof layer 370 . The capping layer 390 is formed to cover the inlet 307 formed in the liquid crystal injection hole forming region V1 into which the liquid crystal material and the alignment material are injected. That is, the capping layer 390 may seal the microcavity 305 so that the liquid crystal molecules 31 formed inside the microcavity 305 do not come out. Since the capping layer 390 comes into contact with the liquid crystal molecules 31 , it may be formed of a material that does not react with the liquid crystal molecules 31 .

덮개층(390)은 이중막, 삼중막 등과 같이 다중막으로 이루어질 수도 있다. 이중막은 서로 다른 물질로 이루어진 두 개의 층으로 이루어져 있다. 삼중막은 세 개의 층으로 이루어지고, 서로 인접하는 층의 물질이 서로 다르다. 예를 들면, 덮개층(390)은 유기 절연 물질로 이루어진 층과 무기 절연 물질로 이루어진 층을 포함할 수 있다.The capping layer 390 may be formed of a multilayer such as a double layer or a triple layer. The bilayer consists of two layers of different materials. The triple film consists of three layers, and the materials of the adjacent layers are different from each other. For example, the cover layer 390 may include a layer made of an organic insulating material and a layer made of an inorganic insulating material.

색변환 패널(30)은 색변환 패널(30)의 밴드 패스 필터(350)가 표시 패널(10)의 덮개층(390)과 마주하며 배치된다.In the color conversion panel 30 , the band pass filter 350 of the color conversion panel 30 faces the cover layer 390 of the display panel 10 .

이상과 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 출광율이 향상되고 색재현성이 향상되어 우수한 표시 품질을 제공할 수 있다.As described above, the display device according to the exemplary embodiment of the present invention can provide excellent display quality by improving light output rate and improved color reproducibility.

이하에서는, 도 7 내지 도 8을 참고하여 전술한 표시 패널(10)의 일 실시예인 유기 발광 표시 장치 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display as an exemplary embodiment of the aforementioned display panel 10 will be described in detail with reference to FIGS. 7 to 8 .

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이고, 도 8은 도 7의 VIII-VIII 선을 따라 자른 단면도이다.7 is a plan view of a plurality of pixels in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII of FIG. 7 .

도 7 내지 도 8에 도시된 색변환 패널(30)은 전술한 도 1의 실시예에 따른 색변환 패널(30)과 동일한바, 중복되는 설명은 생략한다The color conversion panel 30 shown in FIGS. 7 to 8 is the same as the color conversion panel 30 according to the embodiment of FIG. 1 described above, and overlapping descriptions will be omitted.

도 7 및 도 8을 참고하면, 제2 절연 기판(110) 위에 제1 게이트 전극(control electrode)(124a)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 제2 게이트 전극(124b)을 포함하는 복수의 게이트 도전체(gate conductor)가 형성되어 있다.7 and 8 , a plurality of gate lines 121 including a first gate electrode 124a and a plurality of second gate electrodes 124b are included on the second insulating substrate 110 . A plurality of gate conductors are formed.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다.The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction.

제1 게이트 전극(124a)은 게이트선(121)으로부터 위로 뻗어 있으며, 제2 게이트 전극(124b)은 게이트선(121)과 분리되어 있으며, 아래 방향으로 뻗다가 오른 쪽으로 잠시 방향을 바꾸었다가 위로 길게 뻗은 유지 전극(storage electrode)(127)을 포함한다.The first gate electrode 124a extends upward from the gate line 121 , and the second gate electrode 124b is separated from the gate line 121 , extends downward, then briefly changes direction to the right and then upward. and an elongated storage electrode 127 .

게이트 도전체(121, 124a, 124b)는 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.The gate conductors 121, 124a, and 124b are formed of an aluminum-based metal such as aluminum (Al) or an aluminum alloy, a silver-based metal such as silver (Ag) or a silver alloy, a copper-based metal such as copper (Cu) or a copper alloy, and molybdenum (Mo). ) or a molybdenum-based metal such as a molybdenum alloy, chromium (Cr), tantalum (Ta), and titanium (Ti). However, they may have a multilayer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties.

게이트 도전체(121, 124a, 124b) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate conductors 121 , 124a , and 124b .

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있다. 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)는 각각 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b) 위에 위치한다.A plurality of first and second semiconductors 154a and 154b made of hydrogenated amorphous silicon (a-Si is abbreviated as a-Si) or polysilicon are formed on the gate insulating layer 140 , have. The first and second semiconductors 154a and 154b are respectively positioned on the first and second gate electrodes 124a and 124b.

제1 및 제2 반도체(154a, 154b) 위에는 각각 복수 쌍의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다.A plurality of pairs of ohmic contacts 163 and 165 are formed on the first and second semiconductors 154a and 154b, respectively. The ohmic contact members 163 and 165 may be made of a material such as n+ hydrogenated amorphous silicon doped with an n-type impurity such as phosphorus in a high concentration, or may be made of silicide.

저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(171)과 복수의 구동 전압선(172)과 복수의 제1 및 제2 드레인 전극(drain electrode)(175a, 175b)을 포함하는 복수의 데이터 도전체(data conductor)가 형성되어 있다.A plurality of data lines 171 , a plurality of driving voltage lines 172 , and a plurality of first and second drain electrodes 175a and 175b are formed on the ohmic contact members 163 and 165 and the gate insulating layer 140 . A plurality of data conductors including

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 게이트 전극(124a)을 향하여 뻗은 복수의 제1 소스 전극(source electrode)(173a)을 포함한다.The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in a vertical direction to cross the gate line 121 . Each data line 171 includes a plurality of first source electrodes 173a extending toward the first gate electrode 124a.

구동 전압선(172)은 구동 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 구동 전압선(172)은 제2 게이트 전극(124b)을 향하여 뻗은 복수의 제2 소스 전극(173b)을 포함한다. 구동 전압선(172)은 유지 전극(127)과 중첩하며, 서로 연결될 수 있다.The driving voltage line 172 transmits a driving voltage and mainly extends in a vertical direction to cross the gate line 121 . Each driving voltage line 172 includes a plurality of second source electrodes 173b extending toward the second gate electrode 124b. The driving voltage line 172 may overlap the storage electrode 127 and may be connected to each other.

제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과도 분리되어 있다. 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a)은 제1 게이트 전극(124a)을 중심으로 서로 마주하고, 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b)은 제2 게이트 전극(124b)을 중심으로 서로 마주한다.The first and second drain electrodes 175a and 175b are separated from each other and also from the data line 171 and the driving voltage line 172 . The first source electrode 173a and the first drain electrode 175a face each other with the first gate electrode 124a as the center, and the second source electrode 173b and the second drain electrode 175b are the second gate electrodes. They face each other around (124b).

데이터 도전체(171, 172, 173a, 173b, 175a, 175b)는 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. The data conductors 171 , 172 , 173a , 173b , 175a , and 175b are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium or an alloy thereof, and a refractory metal film (not shown) and low-resistance conductive material. It may have a multilayer structure including a film (not shown).

반도체(154a, 154b)에는 소스 전극(173a, 173b)과 드레인 전극(175a, 175b) 사이에서 노출된 부분이 있다.The semiconductors 154a and 154b have an exposed portion between the source electrodes 173a and 173b and the drain electrodes 175a and 175b.

데이터 도전체(171, 172, 173a, 173b, 175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물, 유기 절연물, 저유전율 절연물 따위로 만들어진다.A passivation layer 180 is formed on the data conductors 171 , 172 , 173a , 173b , 175a , and 175b and the exposed portions of the semiconductors 154a and 154b . The passivation layer 180 is made of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide, an organic insulating material, or a low dielectric constant insulating material.

보호막(180)에는 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(185a, 185b)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 제2 게이트 전극(124b)을 드러내는 접촉 구멍(184)이 형성되어 있다.A plurality of contact holes 185a and 185b exposing the first and second drain electrodes 175a and 175b, respectively, are formed in the passivation layer 180 , and a second contact hole is formed in the passivation layer 180 and the gate insulating layer 140 . 2 A contact hole 184 exposing the gate electrode 124b is formed.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191) 및 복수의 연결 부재(connecting member)(85)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.A plurality of pixel electrodes 191 and a plurality of connecting members 85 are formed on the passivation layer 180 . They may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, or a reflective metal such as aluminum, silver or an alloy thereof.

화소 전극(191)은 접촉 구멍(185b)을 통하여 제2 드레인 전극(175b)과 물리적·전기적으로 연결되어 있으며, 연결 부재(85)는 접촉 구멍(184, 185a)을 통하여 제2 게이트 전극(124b) 및 제1 드레인 전극(175a)과 연결되어 있다.The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the second drain electrode 175b through the contact hole 185b, and the connecting member 85 is connected to the second gate electrode 124b through the contact hole 184 and 185a. ) and the first drain electrode 175a.

보호막(180) 위에는 격벽(partition)(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의하며 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어진다. 격벽(361)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(361)은 차광 부재의 역할을 할 수 있다.A partition 361 is formed on the passivation layer 180 . The barrier rib 361 surrounds the edge of the pixel electrode 191 like a bank to define an opening 365 and is made of an organic insulating material or an inorganic insulating material. The barrier rib 361 may also be made of a photosensitive material including a black pigment. In this case, the barrier rib 361 may serve as a light blocking member.

격벽(361)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365) 내에는 유기 발광 부재(organic light emitting member)(370)가 형성되어 있다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 유기 발광 부재(470)는 청색의 빛을 내는 유기 물질만으로 만들어진다. An organic light emitting member 370 is formed in the opening 365 above the pixel electrode 191 defined by the barrier rib 361 . The organic light emitting member 470 of the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment is made of only an organic material emitting blue light.

일반적인 유기 발광 표시 장치의 경우 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질을 모두 포함하지만, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 경우 유기 발광 표시 장치 상부면에 색변환 패널(30)이 위치하여 적색, 녹색, 청색의 각 색을 표현할 수 있기 때문에 청색의 빛을 내는 유기 물질만을 포함할 수 있다.In the case of a general organic light emitting display device, all organic materials that uniquely emit light of any one primary color, such as red, green, and blue, are included. Since the color conversion panel 30 is positioned on the upper surface of the display device to express each color of red, green, and blue, it may include only an organic material emitting blue light.

유기 발광 부재(470)는 빛을 내는 발광층(emitting layer)(도시하지 않음) 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)(도시하지 않음)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer)(도시하지 않음) 및 정공 수송층(hole transport layer)(도시하지 않음)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injecting layer)(도시하지 않음) 및 정공 주입층(hole injecting layer)(도시하지 않음) 등이 있다.The organic light emitting member 470 may have a multi-layered structure including, in addition to an emitting layer (not shown) emitting light, an auxiliary layer (not shown) for improving the luminous efficiency of the emitting layer. The auxiliary layer includes an electron transport layer (not shown) and a hole transport layer (not shown) for balancing electrons and holes, and an electron injection layer (not shown) for enhancing electron and hole injection. and an electron injecting layer (not shown) and a hole injecting layer (not shown).

유기 발광 부재(470) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 공통 전압을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 금속 또는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어진다.A common electrode 270 is formed on the organic light emitting member 470 . The common electrode 270 receives a common voltage and is made of a reflective metal including calcium (Ca), barium (Ba), magnesium (Mg), aluminum, silver, or the like, or a transparent conductive material such as ITO or IZO.

이러한 유기 발광 표시 장치에서, 게이트선(121)에 연결되어 있는 제1 게이트 전극(124a), 데이터선(171)에 연결되어 있는 제1 소스 전극(173a) 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 반도체(154a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)(Qs)를 이루며, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)의 채널(channel)은 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이의 제1 반도체(154a)에 형성된다. 제1 드레인 전극(175a)에 연결되어 있는 제2 게이트 전극(124b), 구동 전압선(172)에 연결되어 있는 제2 소스 전극(173b) 및 화소 전극(191)에 연결되어 있는 제2 드레인 전극(175b)은 제2 반도체(154b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)(Qd)를 이루며, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널은 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이의 제2 반도체(154b)에 형성된다. 화소 전극(191), 유기 발광 부재(470) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드(anode), 공통 전극(270)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드가 된다. 서로 중첩하는 유지 전극(127)과 구동 전압선(172)은 유지 축전기(storage capacitor)(Cst)를 이룬다.In such an organic light emitting diode display, the first gate electrode 124a connected to the gate line 121 , the first source electrode 173a connected to the data line 171 , and the first drain electrode 175a are connected to the first The first semiconductor 154a forms a switching TFT Qs, and a channel of the switching thin film transistor Qs is formed between the first source electrode 173a and the first drain electrode 175a. 1 is formed on the semiconductor 154a. The second gate electrode 124b connected to the first drain electrode 175a, the second source electrode 173b connected to the driving voltage line 172, and the second drain electrode 191 connected to the pixel electrode 191 ( 175b together with the second semiconductor 154b constitutes a driving TFT Qd, and a channel of the driving TFT Qd is formed between the second source electrode 173b and the second drain electrode 175b. It is formed in the second semiconductor 154b. The pixel electrode 191 , the organic light emitting member 470 , and the common electrode 270 form an organic light emitting diode, and the pixel electrode 191 serves as an anode and the common electrode 270 serves as a cathode, or vice versa. The electrode 191 serves as a cathode, and the common electrode 270 serves as an anode. The storage electrode 127 and the driving voltage line 172 overlapping each other form a storage capacitor Cst.

이러한 유기 발광 표시 장치는 제2 절연 기판(110)의 위쪽 또는 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시할 수 있다. Such an organic light emitting display device may display an image by emitting light upward or downward of the second insulating substrate 110 .

색변환 패널(30)은 색변환 패널(30)의 밴드 패스 필터(350)가 표시 패널(10)의 공통 전극(270)과 마주하며 배치된다.In the color conversion panel 30 , the band pass filter 350 of the color conversion panel 30 faces the common electrode 270 of the display panel 10 .

이상과 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 출광율이 향상되고 색재현성이 향상되어 우수한 표시 품질을 제공할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention can provide excellent display quality by improving light output rate and improved color reproducibility.

그러면, 이하에서는 도 9 내지 도 11을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 제조 방법을 살펴본다.Then, a method of manufacturing a color conversion panel according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 9 to 11 .

도 9 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 제조 공정을 순서대로 나타낸 단면도이다.9 to 11 are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of a color conversion panel according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 절연 기판(310) 위에 제1 내지 제3 색변환 매개층(340R, 340G, 340B)을 구획하는 제1 차광 부재(372)를 제1 마스크를 사용하여 형성한다.First, as shown in FIG. 9 , a first light blocking member 372 partitioning the first to third color conversion media layers 340R, 340G, and 340B is formed on the first insulating substrate 310 using a first mask. to form

다음, 청색광 컷팅 물질층(322)을 전면적으로 도포한 후, 제2 마스크를 사용하여 제1 절연 기판(310) 위에 위치하는 청색광 컷팅 필터(322)를 형성한다.Next, after the blue light cutting material layer 322 is completely coated, a blue light cutting filter 322 positioned on the first insulating substrate 310 is formed using a second mask.

제1 차광 부재(372)를 먼저 형성한 후, 제1 차광 부재(372) 사이 영역에만 청색광 컷팅 필터(322)를 형성한다. 즉, 청색광 컷팅 필터(322)를 먼저 형성한 후 제1 차광 부재(372)를 형성하는 경우와는 다르게, 본 실시예에 따른 제조 방법에 따르면 제1 차광 부재(372) 하부에는 청색광 컷팅 필터(322)가 형성되지 않는다.After the first light blocking member 372 is first formed, the blue light cutting filter 322 is formed only in the area between the first light blocking members 372 . That is, unlike the case where the first light blocking member 372 is formed after the blue light cutting filter 322 is formed first, according to the manufacturing method according to the present embodiment, the blue light cutting filter ( 322) is not formed.

청색광 컷팅 필터(322)는 외광 반사율이 높은데, 제1 차광 부재(372)가 위치하는 영역에서는 청색광 컷팅 필터(322)가 형성되지 않도록 하여 제1 차광 부재(372)가 위치한 영역에서의 외광 반사율을 감소 시킬 수 있다.The blue light cutting filter 322 has a high reflectance of external light, and the blue light cutting filter 322 is not formed in the area where the first light blocking member 372 is located, so that the reflectance of external light in the area where the first light blocking member 372 is located is reduced. can be reduced

이 때, 청색광 컷팅 필터(322)는 이후 형성될 제1 색변환 매개층(340R) 및 제2 색변환 매개층(340G)에 대응되는 위치에만 형성하며, 제3 색변환 매개층(340B)과 대응되는 위치에는 형성하지 않는다.At this time, the blue light cutting filter 322 is formed only at positions corresponding to the first color conversion media layer 340R and the second color conversion media layer 340G to be formed later, and the third color conversion media layer 340B and It is not formed in the corresponding position.

이후 도 10에 도시된 바와 같이, 제3 마스크를 사용하여 청색광 컷팅 필터(322)가 형성되지 않은 위치에 제3 색변환 매개층(340B)을 형성하고, 제4 및 제5 마스크를 사용하여 서로 이격된 청색광 컷팅 필터(322) 위에 위치하는 제1 색변환 매개층(340R) 및 제2 색변환 매개층(340G)을 각각 순차적으로 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 10 , a third color conversion media layer 340B is formed at a position where the blue light cutting filter 322 is not formed using a third mask, and the fourth and fifth masks are used to form a third color conversion media layer. A first color conversion media layer 340R and a second color conversion media layer 340G positioned on the spaced apart blue light cutting filter 322 are sequentially formed, respectively.

제1 내지 제3 색변환 매개층(340R, 340G, 340B)의 형성 순서는 다양하게 변형 가능하다.The formation order of the first to third color conversion media layers 340R, 340G, and 340B may be variously modified.

다음으로, 도 11에 도시된 바와 같이 제1 절연 기판(310), 제1 차광 부재(372) 및 제 1 내지 제3 색변환 매개층(340R, 340G, 340B) 위에 밴드 패스 필터(350)를 전면적으로 형성하여 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널(30)을 완성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 11 , a band pass filter 350 is formed on the first insulating substrate 310 , the first light blocking member 372 , and the first to third color conversion media layers 340R, 340G, and 340B. It is possible to complete the color conversion panel 30 according to an embodiment of the present invention by forming the whole.

이상 전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 제조 방법은 5매 마스크를 사용하여 색변환 패널을 제조하는바, 제조 공정을 단순화할 수 있어 색변환 패널의 제조 비용 및 제조 시간을 절감할 수 있다.As described above, in the method of manufacturing a color conversion panel according to an embodiment of the present invention, the color conversion panel is manufactured using a 5-sheet mask, and thus the manufacturing process can be simplified, thereby reducing the manufacturing cost and manufacturing of the color conversion panel. You can save time.

이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치는 색변환 패널의 혼색을 방지할 수 있고, 이에 따라 색순도가 개선될 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 제조 방법에 따르면, 색변환 패널의 제조 공정을 단순화하여 비용 및 시간이 절감될 수 있다.As described above, the color conversion panel and the display device including the same according to an embodiment of the present invention can prevent color mixing of the color conversion panel, and thus color purity can be improved. According to the method of manufacturing the color conversion panel according to the invention, the manufacturing process of the color conversion panel can be simplified, thereby reducing cost and time.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiment of the present invention has been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements by those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims are also provided. is within the scope of the

10: 표시 패널 12, 22: 편광판
30: 색변환 패널 310: 제1 절연 기판
11: 제1 배향막 21: 제2 배향막
110: 제2 절연 기판 121: 게이트선
124: 게이트 전극 131: 유지 전극선
140: 게이트 절연막 171: 데이터선
191: 화소 전극 220: 제2 차광 부재
390: 덮개막 270: 공통 전극
300: 희생층 305: 미세 공간 307: 입구부 31: 액정 분자
10: 표시 패널 30: 색 변환 패널
372: 제1 차광 부재 310: 제1 절연 기판
210: 제3 절연 기판 470: 유기 발광 부재
340R, 340G, 340B: 색 변환 매개층10: display panel 12, 22: polarizing plate
30: color conversion panel 310: first insulating substrate
11: first alignment layer 21: second alignment layer
110: second insulating substrate 121: gate line
124: gate electrode 131: storage electrode line
140: gate insulating layer 171: data line
191: pixel electrode 220: second light blocking member
390: overcoat 270: common electrode
DESCRIPTION OF SYMBOLS 300: sacrificial layer 305: microcavity 307: entrance part 31: liquid crystal molecules
10: display panel 30: color conversion panel
372: first light blocking member 310: first insulating substrate
210: third insulating substrate 470: organic light emitting member
340R, 340G, 340B: color conversion media layer

Claims (20)

제1 절연 기판,
상기 제1 절연 기판 상에 위치하며 서로 다른 색의 광을 방출하는 제1 색변환 매개층, 제2 색변환 매개층 및 제3 색변환 매개층,
상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층 및 상기 제3 색변환 매개층 중 서로 이웃하는 색변환 매개층 사이에 위치하는 차광 부재,
상기 제1 절연 기판 및 상기 색변환 매개층 사이에 위치하며, 상기 제1 색변환 매개층 및 상기 제2 색변환 매개층과 중첩되는 청색광 컷팅 필터, 및
상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층, 상기 제3 색변환 매개층 및 상기 차광 부재 위에 위치하는 밴드 패스 필터를 포함하고,
상기 밴드 패스 필터는 20 내지 40층이 적층된 복수층이며, 상기 밴드 패스 필터의 최상부층 및 최하부층은 SiNx를 포함하고,
상기 밴드 패스 필터는 상기 제 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층 및 상기 제3 색변환 매개층, 그리고 상기 차광 부재와 접촉하는 색변환 패널.a first insulating substrate;
a first color conversion media layer, a second color conversion media layer, and a third color conversion media layer positioned on the first insulating substrate and emitting light of different colors;
a light blocking member positioned between adjacent color conversion media layers among the first color conversion media layer, the second color conversion media layer, and the third color conversion media layer;
a blue light cutting filter positioned between the first insulating substrate and the color conversion media layer and overlapping the first color conversion media layer and the second color conversion media layer; and
a band pass filter positioned on the first color conversion media layer, the second color conversion media layer, the third color conversion media layer, and the light blocking member;
The band pass filter is a plurality of layers in which 20 to 40 layers are stacked, and the uppermost layer and the lowermost layer of the band pass filter include SiNx,
The band pass filter is in contact with the first color conversion media layer, the second color conversion media layer and the third color conversion media layer, and the light blocking member. 제1 항에서,
상기 밴드 패스 필터는 서로 상이한 굴절률을 가지는 적어도 두 종류 이상의 무기물을 포함하는 단일층 또는 상기 두 종류 이상의 무기물이 적층된 복수층인 색변환 패널.In claim 1,
The band pass filter is a color conversion panel comprising a single layer including at least two kinds of inorganic materials having different refractive indices or a plurality of layers in which the two or more kinds of inorganic materials are stacked. 제2항에서,
상기 무기물은 SiOx 및 SiNx을 포함하는 색변환 패널.In claim 2,
The inorganic material is a color conversion panel comprising SiOx and SiNx. 삭제delete 삭제delete 제1항에서,
상기 청색광 컷팅 필터 및 상기 밴드 패스 필터 각각의 두께는 1 내지 10㎛인 색변환 패널.In claim 1,
A color conversion panel having a thickness of 1 to 10 μm, respectively, of the blue light cutting filter and the band pass filter. 표시 패널, 및
상기 표시 패널 위에 위치하는 색변환 패널을 포함하고,
상기 색변환 패널은,
상기 표시 패널 위에 위치하는 밴드 패스 필터,
상기 밴드 패스 필터 위에 위치하는 서로 다른 색의 광을 방출하는 제1 색변환 매개층, 제2 색변환 매개층 및 제3 색변환 매개층,
상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층 및 상기 제3 색변환 매개층 중 서로 이웃하는 색변환 매개층 사이에 위치하는 차광 부재,
상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층, 상기 제3 색변환, 및 상기 차광 부재 위에 위치하는 제1 절연 기판, 및
상기 색변환 매개층 및 상기 제1 절연 기판 사이에 위치하며, 상기 제1 색변환 매개층 및 상기 제2 색변환 매개층과 중첩되는 청색광 컷팅 필터를 포함하고,
상기 밴드 패스 필터는 20 내지 40층이 적층된 복수층이며, 상기 밴드 패스 필터의 최상부층 및 최하부층은 SiNx를 포함하고,
상기 밴드 패스 필터는 상기 제 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층 및 상기 제3 색변환 매개층, 그리고 상기 차광 부재와 접촉하는 표시 장치.display panel, and
A color conversion panel positioned on the display panel,
The color conversion panel,
a band pass filter positioned on the display panel;
a first color conversion media layer, a second color conversion media layer, and a third color conversion media layer emitting light of different colors positioned on the band pass filter;
a light blocking member positioned between adjacent color conversion media layers among the first color conversion media layer, the second color conversion media layer, and the third color conversion media layer;
a first insulating substrate positioned on the first color conversion media layer, the second color conversion media layer, the third color conversion, and the light blocking member; and
a blue light cutting filter positioned between the color conversion media layer and the first insulating substrate and overlapping the first color conversion media layer and the second color conversion media layer;
The band pass filter is a plurality of layers in which 20 to 40 layers are stacked, and the uppermost layer and the lowermost layer of the band pass filter include SiNx,
The band pass filter is in contact with the first color conversion media layer, the second color conversion media layer and the third color conversion media layer, and the light blocking member. 제7항에서,
상기 밴드 패스 필터는 SiOx 및 SiNx가 적층된 복수층인 표시 장치.In claim 7,
The band pass filter is a display device including a plurality of layers in which SiOx and SiNx are stacked. 삭제delete 삭제delete 제7항에서,
상기 표시 패널은,
제2 절연 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터,
상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하는 표시 장치.In claim 7,
The display panel is
a thin film transistor positioned on a second insulating substrate;
and a pixel electrode connected to the thin film transistor. 삭제delete 삭제delete 제11항에서,
상기 화소 전극 위에 위치하는 유기 발광 부재, 및
상기 유기 발광 부재 위에 형성된 공통 전극을 더 포함하는 표시 장치.In claim 11,
an organic light emitting member positioned on the pixel electrode; and
and a common electrode formed on the organic light emitting member. 제1 절연 기판 위에 차광 부재를 형성하는 단계,
상기 제1 절연 기판 위에 청색광 컷팅 필터를 형성하는 단계,
상기 차광 부재 사이에 위치하는 제1 색변환 매개층, 제2 색변환 매개층 및 제3 색변환 매개층을 순차적으로 형성하는 단계, 및
상기 제1 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층, 상기 제3 색변환 매개층 및 상기 차광 부재를 포함하는 상기 제1 절연 기판 전면에 밴드 패스 필터를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 청색광 컷팅 필터는 상기 제1 색변환 매개층 및 상기 제2 색변환 매개층과 중첩하고,
상기 밴드 패스 필터는 20 내지 40층이 적층된 복수층이며, 상기 밴드 패스 필터의 최상부층 및 최하부층은 SiNx를 포함하고,
상기 밴드 패스 필터는 상기 제 색변환 매개층, 상기 제2 색변환 매개층 및 상기 제3 색변환 매개층, 그리고 상기 차광 부재와 접촉하는 색변환 패널의 제조 방법.forming a light blocking member on the first insulating substrate;
forming a blue light cutting filter on the first insulating substrate;
Sequentially forming a first color conversion media layer, a second color conversion media layer, and a third color conversion media layer positioned between the light blocking member, and
forming a band pass filter on the entire surface of the first insulating substrate including the first color conversion media layer, the second color conversion media layer, the third color conversion media layer, and the light blocking member;
The blue light cutting filter overlaps the first color conversion media layer and the second color conversion media layer,
The band pass filter is a plurality of layers in which 20 to 40 layers are stacked, and the uppermost layer and the lowermost layer of the band pass filter include SiNx,
The band pass filter is in contact with the first color conversion media layer, the second color conversion media layer and the third color conversion media layer, and the light blocking member. 제15 항에서,
상기 밴드 패스 필터는 서로 상이한 굴절율을 가지는 적어도 두 종류 이상의 무기물을 포함하는 단일층 또는 상기 두 종류 이상의 무기물이 적층된 복수층으로 형성하는 색변환 패널의 제조 방법.In claim 15,
The band pass filter is a method of manufacturing a color conversion panel in which a single layer including at least two kinds of inorganic materials having different refractive indices or a plurality of layers in which the two or more kinds of inorganic materials are stacked. 제16항에서,
상기 무기물은 SiOx 및 SiNx을 포함하는 색변환 패널의 제조 방법.17. In claim 16,
The inorganic material is a method of manufacturing a color conversion panel comprising SiOx and SiNx. 삭제delete 삭제delete 제15항에서,
상기 청색광 컷팅 필터 및 상기 밴드 패스 필터 각각의 두께는 1 내지 10㎛으로 형성하는 색변환 패널의 제조 방법.In claim 15,
A method of manufacturing a color conversion panel to form a thickness of each of the blue light cutting filter and the band pass filter is 1 to 10㎛.
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