KR102296072B1 - Display device - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 위에 위치하는 색변환 패널을 포함하고, 상기 색변환 패널은 색변환 매개층, 및 산란체와 상기 산란체에 흡착된 염료 및 안료 중 적어도 하나를 포함하는 산란층을 포함한다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel and a color conversion panel positioned on the display panel, wherein the color conversion panel includes a color conversion media layer, a scatterer, and a dye adsorbed to the scatterer; and a scattering layer including at least one of the pigments.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 배치되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.A liquid crystal display device is one of the most widely used flat panel display devices at present. It consists of two display panels on which electrodes are disposed and a liquid crystal layer interposed therebetween. A display device that controls the amount of transmitted light.

액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 전기장 생성 전극이 두 표시판에 각각 구비되어 있는 구조이다. 이 중에서도, 하나의 표시판(이하 '박막 트랜지스터 표시판'이라 한다)에는 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 행렬의 형태로 배열되어 있고, 다른 표시판(이하 '공통 전극 표시판'이라 한다)에는 적색, 녹색 및 청색의 색 필터가 배치되어 있고 그 전면을 공통 전극이 덮고 있는 구조가 주류이다.Among the liquid crystal display devices, currently mainly used is a structure in which an electric field generating electrode is provided on two display panels, respectively. Among them, a plurality of thin film transistors and pixel electrodes are arranged in a matrix on one display panel (hereinafter referred to as a 'thin film transistor display panel'), and red, green, A structure in which a blue color filter is disposed and a common electrode is covered over its front surface is the mainstream.

하지만, 이러한 액정 표시 장치는 편광판과 색필터에서 광 손실이 발생한다. 이러한 광 손실을 줄이고 고효율의 액정 표시 장치를 구현하기 위하여 색변환 재료를 포함하는 PL-액정 표시 장치(Photo-Luminescent LCD)가 제안되고 있다.However, in such a liquid crystal display, light loss occurs in the polarizing plate and the color filter. In order to reduce the light loss and realize a high-efficiency liquid crystal display, a PL-liquid crystal display device including a color conversion material (Photo-Luminescent LCD) has been proposed.

PL-액정 표시 장치는 색필터 대신 색변환 매개체(Color Conversion Media, CCM)을 사용하는데, 광원으로부터 발광한 광이 색변환 매개체에 공급될 때, 광원으로부터 발광한 광의 일부가 경사 방향으로 확산되어 인접한 화소에 공급될 수 있다. 이러한 현상을 광학적 크로스-토크라 칭하며, 이에 따라 색 재현성이 떨어지는 문제점이 발생한다.A PL-LCD device uses a color conversion media (CCM) instead of a color filter. may be supplied to the pixel. This phenomenon is called optical cross-talk, and accordingly, a problem of poor color reproducibility occurs.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 색변환 패널의 혼색을 방지하고 출광 효율을 증대시켜 명암비가 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY The technical problem to be solved by the present invention is to provide a display device with an improved contrast ratio by preventing color mixing of a color conversion panel and increasing light output efficiency.

이러한 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 위에 위치하는 색변환 패널을 포함하고, 상기 색변환 패널은, 색변환 매개층, 및 산란체와 상기 산란체에 흡착된 염료 및 안료 중 적어도 하나를 포함하는 산란층을 포함한다. In order to solve the above problems, a display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel and a color conversion panel positioned on the display panel, wherein the color conversion panel includes a color conversion media layer, a scatterer, and the and a scattering layer including at least one of a dye and a pigment adsorbed to the scatterer.

상기 색변환 매개층은 형광체 및 퀀텀닷 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The color conversion media layer may include at least one of a phosphor and a quantum dot.

상기 색변환 매개층은 감광성 수지를 포함하며, 상기 형광체 및 상기 퀀텀닷 중 적어도 어느 하나는 상기 감광성 수지에 분산되어 있을 수 있다. The color conversion media layer may include a photosensitive resin, and at least one of the phosphor and the quantum dots may be dispersed in the photosensitive resin.

상기 산란체는 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 및 ITO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The scatterer may include at least one of TiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , In 2 O 3 , ZnO, SnO 2 , Sb 2 O 3 , and ITO.

상기 산란층의 밀도는 상기 색변환 매개층의 밀도보다 클 수 있다. The density of the scattering layer may be greater than the density of the color conversion media layer.

상기 산란층의 굴절률은 약 1.5 이상일 수 있다. The refractive index of the scattering layer may be about 1.5 or more.

상기 색변환 매개층은 적색 색변환 매개층, 녹색 색변환 매개층 및 투명층을 포함할 수 있다. The color conversion media layer may include a red color conversion media layer, a green color conversion media layer, and a transparent layer.

인접한 상기 적색 색변환 매개층, 상기 녹색 색변환 매개층 및 상기 투명층 사이에 위치하는 차광 부재를 더 포함할 수 있다. It may further include a light blocking member positioned between the adjacent red color conversion media layer, the green color conversion media layer, and the transparent layer.

상기 투명층은 상기 형광체 및 상기 퀀텀닷을 포함하지 않을 수 있다. The transparent layer may not include the phosphor and the quantum dots.

상기 투명층 위에 위치하는 상기 산란층은 상기 염료 및 안료를 포함하지 않을 수 있다. The scattering layer positioned on the transparent layer may not include the dye and the pigment.

상기 염료 및 안료는 청색 광을 흡수할 수 있다. The dyes and pigments can absorb blue light.

상기 표시 패널 및 상기 색변환 패널에 광을 공급하는 라이트 어셈블리를 더 포함할 수 있다. A light assembly for supplying light to the display panel and the color conversion panel may be further included.

상기 라이트 어셈블리는 발광 다이오드일 수 있다. The light assembly may be a light emitting diode.

상기 발광 다이오드는 자외선 또는 청색광과 같이 특정 파장 대역을 방출할 수 있다. The light emitting diode may emit a specific wavelength band, such as ultraviolet or blue light.

상기 표시 패널은 상기 라이트 어셈블리와 상기 색변환 패널 사이에 위치할 수 있다. The display panel may be positioned between the light assembly and the color conversion panel.

상기 표시 패널은 액정 패널 및 상기 액정 패널의 양 면에 위치하는 편광판을 더 포함할 수 있다. The display panel may further include a liquid crystal panel and polarizing plates positioned on both surfaces of the liquid crystal panel.

상기 액정 패널은 제1 절연 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 상기 제1 절연 기판과 이격되어 마주하는 제2 절연 기판, 상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 공통 전극, 및 상기 화소 전극 및 공통 전극 사이에 위치하는 액정층을 포함할 수 있다. The liquid crystal panel includes a thin film transistor positioned on a first insulating substrate, a pixel electrode connected to the thin film transistor, a second insulating substrate spaced apart from and facing the first insulating substrate, a common electrode positioned on the second insulating substrate, and the A liquid crystal layer positioned between the pixel electrode and the common electrode may be included.

상기 액정 패널은 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 상기 화소 전극과 마주하며 위치하는 지붕층, 및 상기 화소 전극과 상기 지붕층 사이에 위치하는 복수의 미세 공간을 채우는 액정층을 포함할 수 있다.The liquid crystal panel includes an insulating substrate, a thin film transistor positioned on the insulating substrate, a pixel electrode connected to the thin film transistor, a roof layer positioned to face the pixel electrode, and a plurality of microstructures positioned between the pixel electrode and the roof layer. It may include a liquid crystal layer filling the space.

본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치는 향상된 색재현율 및 명암비를 통해 보다 나은 표시 품질을 제공하고 퀀텀닷을 통해 광시야각을 제공할 수 있다.The display device according to an embodiment of the present invention may provide better display quality through improved color gamut and contrast ratio, and may provide a wide viewing angle through quantum dots.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 적색 색변환 매개층의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 녹색 색변환 매개층의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명층의 단면도이다.
도 6, 도 7, 도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 11은 도 10의 XI-XI'에 따라 자른 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 화소를 나타낸 평면도이고, 도 13는 도 12의 XIII-XIII'에 따라 자른 단면도이다.
도 14 내지 도 15는 본 발명의 실시예 및 비교예에 대한 색 좌표 이미지이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.
2 is a cross-sectional view of a color conversion panel according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a red color conversion media layer according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a green color conversion media layer according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a transparent layer according to an embodiment of the present invention.
6, 7, 8 and 9 are cross-sectional views according to a manufacturing process of a color conversion panel according to an embodiment of the present invention.
10 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment.
11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI' of FIG. 10 .
12 is a plan view illustrating a pixel of a display device according to an exemplary embodiment, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII′ of FIG. 12 .
14 to 15 are color coordinate images for Examples and Comparative Examples of the present invention.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.With reference to the accompanying drawings, the embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In order to clearly express various layers and regions in the drawings, the thicknesses are enlarged. Throughout the specification, like reference numerals are assigned to similar parts. When a part, such as a layer, film, region, plate, etc., is "on" another part, it includes not only the case where it is "directly on" another part, but also the case where there is another part in between. Conversely, when we say that a part is "just above" another part, we mean that there is no other part in the middle.

이하에서는 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 적색 색변환 매개층의 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 녹색 색변환 매개층의 단면도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명층의 단면도이다. Hereinafter, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5 . 1 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a color conversion panel according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a red color according to an embodiment of the present invention A cross-sectional view of a conversion media layer, FIG. 4 is a cross-sectional view of a green color conversion media layer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view of a transparent layer according to an embodiment of the present invention.

우선 도 1 내지 도 2를 참조하여 간략하게 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 살펴보면, 표시 장치는 색변환 패널(30), 표시 패널(10) 및 라이트 어셈블리(500)를 포함한다. First, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIGS. 1 and 2 . The display device includes a color conversion panel 30 , a display panel 10 , and a light assembly 500 .

우선 표시 패널(10)은 영상을 나타내는 액정 패널(50) 및 액정 패널(50)의 양 면에 위치하는 편광판(12, 22)을 포함할 수 있다. 액정 패널(50)의 양면에 라이트 어셈블리(500)에서 입사되는 빛을 편광시키기 위한 제1 편광판(12) 및 제2 편광판(22)이 위치한다. 액정 패널(50)은 이하에서 도 10 내지 도 13을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. First, the display panel 10 may include a liquid crystal panel 50 displaying an image and polarizing plates 12 and 22 positioned on both surfaces of the liquid crystal panel 50 . A first polarizing plate 12 and a second polarizing plate 22 for polarizing light incident from the light assembly 500 are positioned on both sides of the liquid crystal panel 50 . The liquid crystal panel 50 will be described in more detail below with reference to FIGS. 10 to 13 .

라이트 어셈블리(500)은 제1 편광판(12) 아래에 위치하며 광을 발생하는 광원 및 상기 광을 수신하고 수신된 광을 표시 패널(10) 및 색변환 패널(30) 방향으로 가이드하는 도광판(미도시)을 포함할 수 있다. The light assembly 500 is located under the first polarizing plate 12 and includes a light source that generates light, a light guide plate that receives the light and guides the received light toward the display panel 10 and the color conversion panel 30 (not shown). city) may be included.

본 발명의 일례로써, 라이트 어셈블리(500)은 적어도 하나의 발광 다이오드(light emitting diode)를 포함할 수 있으며 일례로써 청색 발광 다이오드일 수 있다. 본 발명에 따른 광원은 도광판의 적어도 하나의 측면에 배치되는 에지형 라이트 어셈블리이거나, 라이트 어셈블리(500)의 광원이 도광판(미도시)의 직하부에 위치하는 직하형일 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니다. As an example of the present invention, the light assembly 500 may include at least one light emitting diode, and may be, for example, a blue light emitting diode. The light source according to the present invention may be an edge-type light assembly disposed on at least one side of the light guide plate, or a direct-type light source in which the light source of the light assembly 500 is positioned directly below the light guide plate (not shown). However, the present invention is not limited thereto.

본 발명의 실시예에 따른 색변환 패널(30)은 표시 패널(10) 위에 위치할 수 있으며, 보다 구체적으로는 제2 편광판(22) 위에 위치하며 접촉할 수 있다. The color conversion panel 30 according to the embodiment of the present invention may be positioned on the display panel 10 , and more specifically, may be positioned on and in contact with the second polarizing plate 22 .

도 2에 도시된 바와 같이 색변환 패널(30)은 기판(310) 위에 위치하는 복수의 색변환 매개층(330, 330R, 330G, 330W) 및 복수의 색변환 매개층(330, 330R, 330G, 330W) 사이에 위치하는 차광 부재(320)를 포함한다. 2, the color conversion panel 30 includes a plurality of color conversion media layers 330, 330R, 330G, 330W and a plurality of color conversion media layers 330, 330R, 330G, which are positioned on the substrate 310. 330W) and a light blocking member 320 positioned between them.

차광 부재(320)는 적색 색변환 매개층(330R), 녹색 색변환 매개층(330G) 및 투명층(330W)이 배치되는 영역을 구획하며, 적색 색변환 매개층(330R), 녹색 색변환 매개층(330G) 및 투명층(330W)은 차광 부재(320) 사이에 위치한다.The light blocking member 320 partitions an area in which the red color conversion media layer 330R, the green color conversion media layer 330G, and the transparent layer 330W are disposed, the red color conversion media layer 330R, and the green color conversion media layer The 330G and the transparent layer 330W are positioned between the light blocking member 320 .

적색 색변환 매개층(330R)은 라이트 어셈블리(500)에서 공급된 청색광을 적색으로 변환한다. 이를 위해 적색 색변환 매개층(330R)은 적색 형광체를 포함할 수 있으며, 적색 형광체는 (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, 카즌(CaAlSiN3), CaMoO4, Eu2Si5N8 중 적어도 하나의 물질일 수 있다.The red color conversion media layer 330R converts the blue light supplied from the light assembly 500 into red. To this end, the red color conversion media layer 330R may include a red phosphor, and the red phosphor may include (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8 , Cazen (CaAlSiN 3 ), It may be at least one of CaMoO 4 and Eu 2 Si 5 N 8 .

녹색 색변환 매개층(330G)은 라이트 어셈블리(500)에서 공급된 청색광을 녹색으로 변환한다. 녹색 색변환 매개층(330G)은 녹색 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 녹색 형광체는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, BAM, 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON, (Sr1 - xBax)Si2O2N2 중 적어도 하나의 물질일 수 있다. 이때 상기 x는 0 내지 1 사이의 임의의 수일 수 있다. The green color conversion media layer 330G converts the blue light supplied from the light assembly 500 into green. The green color conversion media layer 330G may include a green phosphor, wherein the green phosphor is yttrium aluminum garnet (YAG), (Ca, Sr, Ba) 2 SiO 4 , SrGa 2 S 4 , BAM, alpha sialon (α-SiAlON), beta sialon (β-SiAlON), Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 , Tb 3 Al 5 O 12 , BaSiO 4 , CaAlSiON, (Sr 1 - x Ba x )Si 2 O It may be at least one material of 2 N 2 . In this case, x may be any number between 0 and 1.

또한, 적색 색변환 매개층(330R) 및 녹색 색변환 매개층(330G)은 형광체 대신 색을 변환하는 퀀텀닷(Quantum Dot)을 포함할 수 있다. 퀀텀닷(Quantum Dot)은 II-VI족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.In addition, the red color conversion media layer 330R and the green color conversion media layer 330G may include quantum dots that convert colors instead of phosphors. The quantum dot may be selected from a group II-VI compound, a group IV-VI compound, a group IV element, a group IV compound, and combinations thereof.

II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다. Group II-VI compounds include diatomic compounds selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgZnTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnS, MgZnTe, MgZnS and mixtures thereof bovine compounds; and HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof. The group III-V compound is a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; and quaternary compounds selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. The group IV-VI compound is a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; and a quaternary compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. The group IV element may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof. The group IV compound may be a di-element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 퀀텀닷이 다른 퀀텀닷을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.In this case, the binary compound, the ternary compound, or the quaternary compound may be present in the particle at a uniform concentration, or may be present in the same particle as the concentration distribution is partially divided into different states. Also, one quantum dot may have a core/shell structure surrounding another quantum dot. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of the element present in the shell decreases toward the center.

퀀텀닷은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있다. 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 퀀텀닷을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다. A quantum dot may have a full width of half maximum (FWHM) of an emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, and more preferably about 30 nm or less. In this range, color purity and color reproducibility can be improved. In addition, since the light emitted through the quantum dot is emitted in all directions, a wide viewing angle may be improved.

또한, 퀀텀닷의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.In addition, the shape of the quantum dot is not particularly limited to a shape generally used in the art, but more specifically, spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanoparticles, nanotubes. , nanowires, nanofibers, nanoplatelets, and the like can be used.

투명층(330W)은 투명 폴리머로 이루어져 있으며, 라이트 어셈블리(500)에서 공급된 청색광이 투과하며 청색을 나타낸다. 청색을 출광하는 영역에 투명층(330W)은 별도의 형광체 또는 퀀텀닷 없이 입사된 청색을 그대로 출광할 수 있다. The transparent layer 330W is made of a transparent polymer, and the blue light supplied from the light assembly 500 transmits and exhibits blue color. The transparent layer 330W in the region emitting blue light may emit the incident blue light as it is without a separate phosphor or quantum dot.

이때 적색 색변환 매개층, 녹색 색변환 매개층 및 투명층의 재질은 감광성 수지일 수 있으며, 이에 따라 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다. In this case, the material of the red color conversion media layer, the green color conversion media layer, and the transparent layer may be a photosensitive resin, and thus may be formed through a photolithography process.

다음 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널(30)은 기판(310) 위에 위치하는 산란층(340)을 더 포함한다. 산란층(340)은 산란체(345)와 산란체(345)에 흡착된 안료 및 염료(347R, 347G) 중 적어도 하나를 포함한다. Next, as shown in FIG. 2 , the color conversion panel 30 according to an embodiment of the present invention further includes a scattering layer 340 positioned on the substrate 310 . The scattering layer 340 includes a scatterer 345 and at least one of pigments and dyes 347R and 347G adsorbed to the scatterer 345 .

산란층(340)은 색변환 패널(30)의 제조 공정 중에 색변환 매개층(330)과 상 분리되어 형성된다. 산란층(340)은 색변환 매개층(330)과 상분리되기 위해 보다 큰 밀도를 가지거나 서로 다른 특성을 가지도록 표면 처리될 수 있다. The scattering layer 340 is formed to be phase-separated from the color conversion media layer 330 during the manufacturing process of the color conversion panel 30 . The scattering layer 340 may be surface-treated to have a higher density or different characteristics to be phase-separated from the color conversion media layer 330 .

산란체(345)의 재질은 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 및 ITO 중 어느 하나일 수 있으며, 이에 제한되지 않고 입사되는 광을 산란시키는 어떠한 물질도 가능하다. 산란체(345)는 입사되는 광을 산란시켜 색변환 패널(30)을 통과하는 광의 출광량을 증가시키거나 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 만든다. The material of the scatterer 345 may be any one of TiO2, ZrO 2 , Al 2 O 3 , In 2 O 3 , ZnO, SnO 2 , Sb 2 O 3 and ITO, but is not limited thereto, and scatters incident light. Any material that makes it possible is possible. The scatterer 345 scatters incident light to increase the amount of light emitted through the color conversion panel 30 or to make the front luminance and the side luminance uniform.

본 발명의 일 실시예에 따른 산란체(345)는 약 1.5 이상의 굴절률을 가진다. 이러한 굴절률을 가지는 산란체(345)를 포함하는 산란층(340)은 출광되는 광의 일부를 다시 색변환 매개층(330R, 330G)으로 향하게 하여 출광 효율을 높일 수 있다. 즉, 산란층(340)은 입사되는 청색을 산란시켜 보다 향상된 광효율을 가지도록 더 많은 광을 제공할 수 있다. The scatterer 345 according to an embodiment of the present invention has a refractive index of about 1.5 or more. The scattering layer 340 including the scattering body 345 having such a refractive index redirects a portion of the emitted light to the color conversion media layers 330R and 330G to increase light output efficiency. That is, the scattering layer 340 may provide more light to have improved light efficiency by scattering the incident blue color.

본 발명의 실시예에 따른 안료 및 염료(347R, 347G) 중 적어도 하나는 산란체(345)와 연결(또는 흡착)되어 색변환 매개층(330R, 330G)을 통과한 청색광을 흡수한다. At least one of the pigments and dyes 347R and 347G according to an embodiment of the present invention is connected (or adsorbed) to the scatterer 345 to absorb blue light passing through the color conversion media layers 330R and 330G.

안료 및 염료(347R, 347G)는 청색광을 흡수하기 위한 어떠한 물질도 가능하다. 염료 또는 안료는 색변환 매개층(330)을 통과한 청색광이 적색 색변환 매개층(330R) 또는 녹색 색변환 매개층(330G) 등에서 그대로 출광될 경우 혼색이 발생하여 표시 품질이 저하되는 것을 방지한다. Pigments and dyes 347R, 347G can be any material for absorbing blue light. The dye or pigment prevents deterioration of display quality due to color mixing when blue light passing through the color conversion media layer 330 is emitted as it is from the red color conversion media layer 330R or the green color conversion media layer 330G. .

정리하면, 본 발명의 실시예에 따른 색변환 패널(30)은 색변환 매개층(330) 및 산란층(340)을 포함한다. 색변환 매개층(330)과 산란층(340)의 구성요소는 출광하는 광의 색상에 따라 서로 다를 수 있다. 즉, 적색, 녹색 및 청색을 출광하는 영역에 따라 색변환 매개층(330) 및 산란층(340)의 구성이 일부 상이할 수 있다. 이하에서 출광하는 색상에 따른 색변환 매개층(330) 및 산란층(340)에 대해 보다 구체적으로 설명한다. In summary, the color conversion panel 30 according to the embodiment of the present invention includes a color conversion media layer 330 and a scattering layer 340 . Components of the color conversion media layer 330 and the scattering layer 340 may be different depending on the color of the emitted light. That is, the configuration of the color conversion media layer 330 and the scattering layer 340 may be partially different according to regions emitting red, green, and blue light. Hereinafter, the color conversion media layer 330 and the scattering layer 340 according to the color emitted will be described in more detail.

우선 도 3을 참조하여 적색을 출광하는 색변환 패널(30) 영역을 살펴보면, 적색 색변환 매개층(330R)은 입사되는 청색광을 적색광으로 변환하는 형광체 및 퀀텀닷(331R) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. First, looking at the region of the color conversion panel 30 that emits red light with reference to FIG. 3 , the red color conversion media layer 330R includes at least one of a phosphor and a quantum dot 331R that converts incident blue light into red light. do.

적색 색변환 매개층(330R)과 접촉하는 산란층(340R)은 적색 색변환 매개층(330R)에서 출광되는 광을 산란시키거나 형광체 또는 퀀텀닷(331R)에 의해 적색으로 변환되지 않은 청색광을 다시 적색 색변환 매개층(330R)으로 산란시킬 수 있다. 다시 적색 색변환 매개층(330R)으로 산란된 광은 형광체 또는 퀀텀닷(331R)에 의해 적색으로 변환되어 출광될 수 있다. The scattering layer 340R in contact with the red color conversion media layer 330R scatters the light emitted from the red color conversion media layer 330R or returns blue light that is not converted to red by the phosphor or quantum dot 331R. It may be scattered by the red color conversion media layer 330R. The light scattered back to the red color conversion media layer 330R may be converted into red light by a phosphor or quantum dot 331R and emitted.

또한 산란층(340R)에 위치하며 산란체(345)에 흡착된 안료 또는 염료(347R)는 적색 색변환 매개층(330R)에 위치하는 형광체 또는 퀀텀닷(331R)에 의해 적색으로 변환되지 않은 청색광을 흡수하여, 적색이 발광되는 영역에서 청색이 출광되는 것을 방지한다.In addition, the pigment or dye 347R positioned in the scattering layer 340R and adsorbed to the scattering body 345 is blue light that is not converted to red by the phosphor or quantum dot 331R positioned in the red color conversion media layer 330R. By absorbing the red light, blue light is prevented from being emitted in the area where red light is emitted.

따라서, 본 발명의 실시예에 따라 적색을 출광하는 색변환 패널은 혼색 없이 우수한 색 재현성을 가지고 산란체에 의해 향상된 출광 효율을 가질 수 있다. Accordingly, the color conversion panel emitting red light according to an embodiment of the present invention may have excellent color reproducibility without color mixing and improved light output efficiency by the scattering body.

다음, 도 4를 참조하여 녹색을 출광하는 색변환 패널(30)을 살펴본다. 우선 청색광이 입사되는 녹색 색변환 매개층(330G)은 입사되는 청색광을 녹색광으로 변환하는 형광체 또는 퀀텀닷(331G)을 포함한다. Next, with reference to FIG. 4 , the color conversion panel 30 emitting green light will be described. First, the green color conversion media layer 330G onto which blue light is incident includes a phosphor or quantum dot 331G that converts the incident blue light into green light.

녹색 색변환 매개층(330G)과 접촉하는 산란층(340G)은 녹색 색변환 매개층(330G)에서 출광되는 광을 산란하거나 형광체 또는 퀀텀닷(331G)에 의해 녹색으로 변환되지 않은 청색광을 다시 색변환 매개층(330G)으로 산란시킬 수 있다. 다시, 녹색 색변환 매개층(330G)으로 산란된 광은 형광체 또는 퀀텀닷(331G)에 의해 녹색으로 변환되어 출광될 수 있다. The scattering layer 340G in contact with the green color conversion media layer 330G scatters the light emitted from the green color conversion media layer 330G or re-colors the blue light that is not converted to green by the phosphor or quantum dot 331G. It may scatter to the conversion media layer 330G. Again, light scattered by the green color conversion media layer 330G may be converted into green light by a phosphor or quantum dot 331G and emitted.

또한, 산란층(340G)에 위치하는 산란체(345)에 흡착된 안료 또는 염료(347G)는 녹색 색변환 매개층(330G)에 위치하는 형광체 또는 퀀텀닷(331G)에 의해 녹색으로 변환되지 않은 청색광을 흡수하여, 녹색이 발광되는 영역에서 청색 광이 출광되는 것을 방지한다. In addition, the pigment or dye 347G adsorbed to the scatterer 345 positioned in the scattering layer 340G is not converted to green by the phosphor or quantum dot 331G positioned in the green color conversion media layer 330G. By absorbing blue light, it prevents the blue light from being emitted from the area where the green light is emitted.

따라서, 본 발명의 실시예에 따라 녹색을 출광하는 색변환 패널은 혼색 없이 우수한 색 재현성을 가지고 산란체에 의해 향상된 출광 효율을 가질 수 있다. Accordingly, the color conversion panel emitting green light according to an embodiment of the present invention may have excellent color reproducibility without color mixing and improved light output efficiency by the scattering body.

다음, 도 5를 참조하여 청색을 출광하는 색변환 패널(30)을 살펴본다. 청색을 출광하는 영역에 해당하는 색변환 매개층(330W)은 별도의 형광체 또는 퀀텀닷 없이 입사된 청색을 출광하는 물질(일례로써 감광성 수지 등의 폴리머)을 포함한다. Next, the color conversion panel 30 emitting blue light will be described with reference to FIG. 5 . The color conversion media layer 330W corresponding to the region emitting blue light includes a material (eg, a polymer such as a photosensitive resin) that emits light incident blue without a separate phosphor or quantum dot.

이와 같이 입사된 광이 그대로 출광되는 영역에서는 별도의 형광체 또는 퀀텀닷이 위치하지 않으며, 청색 광을 흡수하는 안료 및 염료 또한 위치하지 않는다. 따라서, 청색을 출광하는 색변환 패널(30)은 입광되는 광을 산란시키는 산란체(345)를 포함하는 산란층(340W)을 포함한다. 이와 같은 실시예에 따르면 색변환 매개층(330W)과 산란층(340W)이 별도의 층 구분 없이 형성될 수 있다. As such, in the region where the incident light is emitted as it is, a separate phosphor or quantum dot is not located, and a pigment and a dye absorbing blue light are also not located. Accordingly, the color conversion panel 30 emitting blue light includes a scattering layer 340W including a scattering body 345 scattering incoming light. According to this embodiment, the color conversion media layer 330W and the scattering layer 340W may be formed without separate layers.

전술한 표시 장치에 따르면, 본 발명의 일 실시예는 출광 효율이 증가되고 혼색을 방지하여 색 재현성이 향상된 색변환 패널을 제공하는바, 보다 나은 표시 품질의 표시 장치를 제공할 수 있다. According to the above-described display device, an exemplary embodiment of the present invention provides a color conversion panel with improved color reproducibility by increasing light output efficiency and preventing color mixing, thereby providing a display device with better display quality.

이하에서는 도 6 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 제조 방법에 대해 살펴본다. 도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 제조 공정에 따른 단면도이다. Hereinafter, a method of manufacturing a color conversion panel according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 9 . 6 to 9 are cross-sectional views along a manufacturing process of a color conversion panel according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 6과 같이 안료 및 염료(347) 중 적어도 어느 하나가 흡착된 상태의 산란체(345)를 준비한다. 그리고 적색 또는 녹색 형광체(또는 퀀텀닷)(331)을 포함하는 감광성 수지를 준비한다. 한편 투명층을 제조하기 위한 감광성 수지는 형광체 또는 퀀텀닷을 포함하지 않을 수 있다. First, as shown in FIG. 6 , a scattering body 345 in which at least one of a pigment and a dye 347 is adsorbed is prepared. In addition, a photosensitive resin including a red or green phosphor (or quantum dots) 331 is prepared. Meanwhile, the photosensitive resin for manufacturing the transparent layer may not include a phosphor or quantum dots.

이와 같이 준비된 감광성 수지와 안료 또는 염료가 흡착된 산란체를 분산시켜, 색변환 매개층을 제조하기 위한 감광성 수지를 준비한다. A photosensitive resin for preparing a color conversion media layer is prepared by dispersing the prepared photosensitive resin and a scattering body to which a pigment or dye is adsorbed.

다음, 도 7과 같이 차광 부재(320)가 위치하는 절연 기판(310) 위에 형광체(또는 퀀텀닷)(331) 및 안료 또는 염료(347)가 흡착된 산란체(345)가 분산된 감광성 수지를 도포한다.Next, as shown in FIG. 7 , a photosensitive resin in which a phosphor (or quantum dot) 331 and a scatterer 345 to which a pigment or dye 347 is adsorbed are dispersed on the insulating substrate 310 on which the light blocking member 320 is positioned. Apply.

그리고 나서 소정의 시간이 지면, 도 8과 같이 감광성 수지 내에 분산된 산란체(345) 및 이에 흡착된 안료 또는 염료(347)는 밀도 또는 표면 성질의 차이 등에 따라 절연 기판(310) 위로 상분리 된다. Then, after a predetermined period of time, as shown in FIG. 8 , the scatterers 345 dispersed in the photosensitive resin and the pigments or dyes 347 adsorbed thereto are phase-separated on the insulating substrate 310 according to differences in density or surface properties.

일반적인 감광성 수지의 밀도는 약 1.1 내지 1.2 g/cm3이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 산화티타늄 재질의 산란체(345)는 약 4.3g/cm3의 밀도를 가질 수 있다. 또한 일반적인 감광성 수지는 무극성이나, 안료 또는 염료가 흡착된 산란체는 극성을 가질 수 있다. 따라서 이러한 물성 차이는 시간 경과에 따른 상분리를 유발할 수 있다. A typical photosensitive resin has a density of about 1.1 to 1.2 g/cm 3 , and the scattering body 345 made of titanium oxide according to an embodiment of the present invention may have a density of about 4.3 g/cm 3 . In addition, a general photosensitive resin is non-polar, but a scatterer to which a pigment or dye is adsorbed may have a polarity. Therefore, this difference in physical properties may cause phase separation over time.

다음, 도 9와 같이 포토리소그라피(photo lithography) 법을 사용하여 차광 부재(320) 사이에 위치하는 산란층(340) 및 색변환 매개층(330)을 형성한다. 이상에서는 포토리소그라피 법을 사용하여 형성하는 색변환 매개층 및 산란층에 대해 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 프린팅(printing) 법을 사용하여 제조할 수 있음은 물론이며 어떠한 제조 방법에도 제한되지 않는다. Next, as shown in FIG. 9 , a scattering layer 340 and a color conversion media layer 330 positioned between the light blocking members 320 are formed using a photo lithography method. In the above, the color conversion media layer and the scattering layer formed using the photolithography method have been described, but the present invention is not limited thereto, and may be manufactured using a printing method, and is not limited to any manufacturing method.

이하에서는 도 10 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 11은 도 10의 XI-XI'선을 따라 자른 단면도이다. Hereinafter, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 11 . 10 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI′ of FIG. 10 .

도 10 내지 도 11을 참조하면 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 라이트 어셈블리(500), 라이트 어셈블리(500) 위에 위치하는 표시 패널(10) 및 표시 패널(10) 위에 위치하는 색변환 패널(30)을 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 라이트 어셈블리(500)와 색변환 패널(30)은 도 1을 참조하여 전술한 라이트 어셈블리 및 색변환 패널과 동일한바, 이하에서 설명을 생략한다. 10 to 11 , a display device according to an embodiment of the present invention includes a light assembly 500 , a display panel 10 positioned on the light assembly 500 , and a color conversion panel positioned on the display panel 10 ( 30). The light assembly 500 and the color conversion panel 30 according to the embodiment of the present invention are the same as the light assembly and the color conversion panel described above with reference to FIG. 1 , and thus a description thereof will be omitted.

우선, 표시 패널(10)은 영상을 나타내기 위해 박막 트랜지스터를 포함하는 하부 표시판(100), 하부 표시판(100)과 마주하는 제2 절연 기판(210)을 포함하는 상부 표시판(200) 및 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 개재된 액정층(3)을 포함하는 액정 패널(50)을 포함한다.First, the display panel 10 includes a lower panel 100 including a thin film transistor, an upper panel 200 including a second insulating substrate 210 facing the lower panel 100, and a lower panel to display an image. and a liquid crystal panel 50 including a liquid crystal layer 3 interposed between 100 and the upper panel 200 .

액정 패널(50)의 양면에는 편광판(12, 22)이 위치하며, 이때 편광판(12)은 코팅형 편광판, 와이어 그리드 편광판(wire grid polarizer) 중 하나 이상이 사용될 수 있다. 이러한 편광판(12)은 필름 형태, 도포 형태, 부착 형태 등 다양한 방법으로 상부 표시판(200)의 일면에 위치할 수 있다. 그러나 이러한 설명은 일례에 해당하는바 이에 한정되지 않는다.Polarizing plates 12 and 22 are positioned on both sides of the liquid crystal panel 50 , and at least one of a coated polarizer and a wire grid polarizer may be used as the polarizing plate 12 . The polarizing plate 12 may be positioned on one surface of the upper panel 200 in various methods such as a film form, an application form, an attachment form, and the like. However, this description corresponds to an example and is not limited thereto.

하부 표시판(100)이 포함하는 제1 절연 기판(110)의 위에는 다수의 화소 전극이 매트릭스 형태로 위치한다. A plurality of pixel electrodes are positioned in a matrix form on the first insulating substrate 110 included in the lower panel 100 .

제1 절연 기판 (110) 위에는 행 방향으로 연장되며 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121), 게이트선(121) 위에 위치하는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140) 위에 위치하는 반도체층(154), 반도체층(154) 위에 위치하며 열 방향으로 연장되며 소스 전극(173)을 포함하는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175), 및 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에 위치하는 보호막(180) 및 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적 전기적으로 연결되는 화소 전극(191)이 위치한다. A gate line 121 extending in a row direction and including a gate electrode 124 on the first insulating substrate 110 , a gate insulating layer 140 positioned on the gate line 121 , and a semiconductor positioned on the gate insulating layer 140 . layer 154 , a data line 171 and a drain electrode 175 disposed on the semiconductor layer 154 , extending in the column direction, and including a source electrode 173 , and a data line 171 and a drain electrode 175 . A pixel electrode 191 physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the passivation layer 180 and the contact hole 185 positioned thereon is positioned.

게이트 전극(124) 위에 위치하는 반도체층(154)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)에 의해 노출된 영역에서 채널층을 형성하며, 게이트 전극(124), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터를 형성한다. The semiconductor layer 154 positioned on the gate electrode 124 forms a channel layer in a region exposed by the source electrode 173 and the drain electrode 175 , and includes the gate electrode 124 , the semiconductor layer 154 , and the source. The electrode 173 and the drain electrode 175 form one thin film transistor.

다음, 제1 절연 기판(110)과 마주하며 이격된 제2 절연 기판(210) 위에는 차광 부재(220)가 위치한다. 차광 부재(220) 위에는 평평한 면을 제공하는 평탄막(250)이 위치할 수 있으며, 이 위에 공통 전극(270)이 위치한다. 발명의 실시예에 따라 평탄막(250)은 생략될 수 있다. Next, the light blocking member 220 is positioned on the second insulating substrate 210 spaced apart from the first insulating substrate 110 . A flat layer 250 providing a flat surface may be disposed on the light blocking member 220 , and the common electrode 270 is disposed thereon. According to an embodiment of the present invention, the flat film 250 may be omitted.

공통 전압을 인가받는 공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 전계를 형성하여, 액정층(3)에 위치하는 액정 분자(31)들을 배열시킨다. The common electrode 270 to which the common voltage is applied forms an electric field with the pixel electrode 191 to arrange the liquid crystal molecules 31 positioned in the liquid crystal layer 3 .

액정층(3)은 다수의 액정 분자(31)들을 포함하고, 액정 분자(31)들은 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이의 전계에 의해서 배열 방향이 제어된다. 액정 분자들의 배열에 따라 라이트 어셈블리(500)로부터 수신된 광의 투과율을 제어하여 영상을 표시할 수 있다.The liquid crystal layer 3 includes a plurality of liquid crystal molecules 31 , and the arrangement direction of the liquid crystal molecules 31 is controlled by an electric field between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 . An image may be displayed by controlling transmittance of light received from the light assembly 500 according to the arrangement of liquid crystal molecules.

본 실시예에서는 액정 패널이 수직 전계를 이루는 액정 표시 패널을 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 수평 전계를 이루는 액정 표시 패널, 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel, PDP), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display, OLED), 표면 전도형 전자 방출 소자 표시 장치(Surface conduction Electron-emitter Display, SED), 전계방출 표시 장치(Field Emission Display, FED), 진공 형광 표시 장치(Vacuum Fluorescent Display, VFD), 전자 페이퍼(E-Paper) 등과 같은 표시 장치일 수 있다.In the present embodiment, the liquid crystal display panel in which the liquid crystal panel forms a vertical electric field has been described, but the present invention is not limited thereto, and the liquid crystal display panel, plasma display panel (PDP), and organic light emitting diode (OLED) display apparatus forming a horizontal electric field are not limited thereto. Display, OLED), Surface conduction Electron-emitter Display (SED), Field Emission Display (FED), Vacuum Fluorescent Display (VFD), Electronic paper It may be a display device such as (E-Paper).

이상과 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 출광율이 향상되고 색재현성이 향상되어 우수한 표시 품질의 표시 장치를 제공할 수 있다. As described above, the display device according to the exemplary embodiment of the present invention can provide a display device having excellent display quality by improving light output rate and color reproducibility.

이하에서는 도 12 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 화소를 나타낸 평면도이고, 도 13은 도 12의 XIII-XIII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.Hereinafter, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 to 13 . 12 is a plan view illustrating a pixel of a display device according to an exemplary embodiment, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII′ of FIG. 12 .

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(10), 색변환 패널(30) 및 라이트 어셈블리(500)를 포함한다. 라이트 어셈블리(500) 위에 표시 패널(10)이 위치하고, 표시 패널(10) 위에 색변환 패널(30)이 위치할 수 있다. A display device according to an exemplary embodiment includes a display panel 10 , a color conversion panel 30 , and a light assembly 500 . The display panel 10 may be positioned on the light assembly 500 , and the color conversion panel 30 may be positioned on the display panel 10 .

표시 패널(10)은 액정 패널(50) 및 액정 패널(50)의 양면에 위치하는 편광판(12, 22)을 포함할 수 있다. 이때 편광판(12)은 코팅형 편광판, 와이어 그리드 편광판(wire grid polarizer) 중 하나 이상이 사용될 수 있으며, 이러한 편광판(12, 22)은 필름 형태, 도포 형태, 부착 형태 등 다양한 방법으로 액정 패널(50)의 양면에 위치할 수 있다. 그러나 이러한 설명은 일례에 해당하는바 이에 한정되지 않는다.The display panel 10 may include a liquid crystal panel 50 and polarizing plates 12 and 22 positioned on both surfaces of the liquid crystal panel 50 . In this case, the polarizing plate 12 may be one or more of a coating-type polarizer and a wire grid polarizer, and these polarizers 12 and 22 may be used in various methods such as a film form, a coating form, and an attachment form, such as a liquid crystal panel 50 ) can be located on both sides of the However, this description corresponds to an example and is not limited thereto.

한편 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 색변환 패널(30) 및 라이트 어셈블리(500) 역시 전술한 실시예와 동일한바, 이하에서 구체적인 설명을 생략한다. Meanwhile, since the color conversion panel 30 and the light assembly 500 included in the display device according to an embodiment of the present invention are also the same as in the above-described embodiment, a detailed description thereof will be omitted below.

다음 도 12 및 도 13을 참고하여 보다 상세하게 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널(50)을 설명한다.Next, the liquid crystal panel 50 according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 12 and 13 .

액정 패널(50)은 절연 기판(110) 위에 위치하는 복수의 게이트선(121), 복수의 감압 게이트선(123) 및 복수의 유지 전극선(131)을 포함하는 복수의 게이트 도전체를 포함한다. The liquid crystal panel 50 includes a plurality of gate conductors including a plurality of gate lines 121 , a plurality of step-down gate lines 123 , and a plurality of storage electrode lines 131 positioned on the insulating substrate 110 .

게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 게이트 신호를 전달한다. 게이트 도전체는 게이트선(121)으로부터 위아래로 돌출한 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)을 더 포함하고, 감압 게이트선(123)으로부터 위로 돌출한 제3 게이트 전극(124c)을 더 포함한다. 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)은 서로 연결되어 하나의 돌출부를 이룬다. 이때, 제1, 제2, 및 제3 게이트 전극(124h, 124l, 124c)의 돌출 형태는 변경이 가능하다.The gate line 121 and the step-down gate line 123 mainly extend in a horizontal direction and transmit a gate signal. The gate conductor further includes a first gate electrode 124h and a second gate electrode 124l protruding upward and downward from the gate line 121 , and a third gate electrode 124c protruding upward from the step-down gate line 123 . ) is further included. The first gate electrode 124h and the second gate electrode 124l are connected to each other to form one protrusion. In this case, the protrusion shape of the first, second, and third gate electrodes 124h, 124l, and 124c may be changed.

유지 전극선(131)도 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 공통 전압(Vcom) 등의 정해진 전압을 전달한다. 유지 전극선(131)은 위 아래로 돌출한 유지 전극(129), 게이트선(121)과 실질적으로 수직하게 아래로 뻗은 한 쌍의 세로부(134) 및 한 쌍의 세로부(134)의 끝을 서로 연결하는 가로부(127)를 포함한다. 가로부(127)는 아래로 확장된 용량 전극(137)을 포함한다.The storage electrode line 131 also mainly extends in the horizontal direction and transmits a predetermined voltage such as the common voltage Vcom. The storage electrode line 131 includes ends of the storage electrode 129 protruding up and down, a pair of vertical portions 134 extending downward substantially perpendicular to the gate line 121 , and ends of the pair of vertical portions 134 . It includes a horizontal portion 127 that is connected to each other. The horizontal portion 127 includes a capacitive electrode 137 extending downward.

게이트 도전체(121, 123, 124h, 124l, 124c, 131) 위에는 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.A gate insulating layer 140 is positioned on the gate conductors 121 , 123 , 124h , 124l , 124c , and 131 . The gate insulating layer 140 may be made of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx). Also, the gate insulating layer 140 may be formed of a single layer or a multilayer.

게이트 절연막(140) 위에는 제1 반도체층(154h), 제2 반도체층(154l), 및 제3 반도체층(154c)이 위치한다. 제1 반도체층(154h)은 제1 게이트 전극(124h) 위에 위치할 수 있고, 제2 반도체층(154l)은 제2 게이트 전극(124l) 위에 위치할 수 있으며, 제3 반도체층(154c)은 제3 게이트 전극(124c) 위에 위치할 수 있다. 제1 반도체층(154h)과 제2 반도체층(154l)은 서로 연결될 수 있고, 제2 반도체층(154l)과 제3 반도체층(154c)도 서로 연결될 수 있다. 또한, 제1 반도체층(154h)은 데이터선(171)의 아래까지 연장되어 위치할 수도 있다. 제1 내지 제3 반도체층(154h, 154l, 154c)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등으로 이루어질 수 있다.A first semiconductor layer 154h, a second semiconductor layer 154l, and a third semiconductor layer 154c are positioned on the gate insulating layer 140 . The first semiconductor layer 154h may be positioned on the first gate electrode 124h, the second semiconductor layer 154l may be positioned on the second gate electrode 124l, and the third semiconductor layer 154c may be It may be positioned on the third gate electrode 124c. The first semiconductor layer 154h and the second semiconductor layer 154l may be connected to each other, and the second semiconductor layer 154l and the third semiconductor layer 154c may also be connected to each other. Also, the first semiconductor layer 154h may be positioned to extend below the data line 171 . The first to third semiconductor layers 154h, 154l, and 154c may be formed of amorphous silicon, polycrystalline silicon, or metal oxide.

제1 내지 제3 반도체층(154h, 154l, 154c) 위에는 각각 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(도시하지 않음)가 더 위치할 수 있다. 저항성 접촉 부재는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.An ohmic contact member (not shown) may be further positioned on the first to third semiconductor layers 154h, 154l, and 154c, respectively. The ohmic contact member may be made of a material such as silicide or n+ hydrogenated amorphous silicon doped with a high concentration of n-type impurities.

제1 내지 제3 반도체층(154h, 154l, 154c) 위에는 데이터선(data line)(171), 제1 소스 전극(173h), 제2 소스 전극(173l), 제3 소스 전극(173c), 제1 드레인 전극(175h), 제2 드레인 전극(175l), 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다.On the first to third semiconductor layers 154h, 154l, and 154c, a data line 171, a first source electrode 173h, a second source electrode 173l, a third source electrode 173c, and a second A data conductor including a first drain electrode 175h, a second drain electrode 175l, and a third drain electrode 175c is positioned.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)을 향하여 뻗으며 서로 연결되어 있는 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)을 포함한다.The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in a vertical direction to cross the gate line 121 and the step-down gate line 123 . Each data line 171 extends toward the first gate electrode 124h and the second gate electrode 124l and includes a first source electrode 173h and a second source electrode 173l connected to each other.

제1 드레인 전극(175h), 제2 드레인 전극(175l) 및 제3 드레인 전극(175c)은 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)의 막대형 끝 부분은 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)으로 일부 둘러싸여 있다. 제2 드레인 전극(175l)의 넓은 한 쪽 끝 부분은 다시 연장되어 'U'자 형태로 굽은 제3 소스 전극(173c)을 이룬다. 제3 드레인 전극(175c)의 넓은 끝 부분(177c)은 용량 전극(137)과 중첩하여 감압 축전기(Cstd)를 이루며, 막대형 끝 부분은 제3 소스 전극(173c)으로 일부 둘러싸여 있다.The first drain electrode 175h, the second drain electrode 175l, and the third drain electrode 175c include a wide end portion and a rod-shaped other end portion. The rod-shaped ends of the first drain electrode 175h and the second drain electrode 175l are partially surrounded by the first source electrode 173h and the second source electrode 173l. One wide end of the second drain electrode 175l is extended again to form the third source electrode 173c bent in a 'U' shape. The wide end 177c of the third drain electrode 175c overlaps the capacitor electrode 137 to form the step-down capacitor Cstd, and the rod-shaped end portion is partially surrounded by the third source electrode 173c.

제1 게이트 전극(124h), 제1 소스 전극(173h), 및 제1 드레인 전극(175h)은 제1 반도체층(154h)과 함께 제1 박막 트랜지스터(Qh)를 형성하고, 제2 게이트 전극(124l), 제2 소스 전극(173l), 및 제2 드레인 전극(175l)은 제2 반도체층(154l)과 함께 제2 박막 트랜지스터(Ql)를 형성하며, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c), 및 제3 드레인 전극(175c)은 제3 반도체층(154c)과 함께 제3 박막 트랜지스터(Qc)를 형성한다.The first gate electrode 124h, the first source electrode 173h, and the first drain electrode 175h form a first thin film transistor Qh together with the first semiconductor layer 154h, and the second gate electrode ( 124l), the second source electrode 173l, and the second drain electrode 175l form a second thin film transistor Ql together with the second semiconductor layer 154l, and the third gate electrode 124c and the third The source electrode 173c and the third drain electrode 175c form a third thin film transistor Qc together with the third semiconductor layer 154c.

제1 반도체층(154h), 제2 반도체층(154l), 및 제3 반도체층(154c)은 서로 연결되어 선형으로 이루어질 수 있으며, 소스 전극(173h, 173l, 173c)과 드레인 전극(175h, 175l, 175c) 사이의 채널 영역을 제외하고는 데이터 도전체(171, 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c) 및 그 하부의 저항성 접촉 부재와 실질적으로 동일한 평면 모양을 가질 수 있다.The first semiconductor layer 154h, the second semiconductor layer 154l, and the third semiconductor layer 154c may be linearly connected to each other, and the source electrodes 173h, 173l, 173c and the drain electrodes 175h and 175l , 175c) may have substantially the same planar shape as the data conductors 171 , 173h , 173l , 173c , 175h , 175l , and 175c and the ohmic contact member thereunder.

제1 반도체층(154h)에는 제1 소스 전극(173h)과 제1 드레인 전극(175h) 사이에서 제1 소스 전극(173h) 및 제1 드레인 전극(175h)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있고, 제2 반도체층(154l)에는 제2 소스 전극(173l)과 제2 드레인 전극(175l) 사이에서 제2 소스 전극(173l) 및 제2 드레인 전극(175l)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있으며, 제3 반도체층(154c)에는 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이에서 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The first semiconductor layer 154h has a portion exposed between the first source electrode 173h and the first drain electrode 175h without being covered by the first source electrode 173h and the first drain electrode 175h, The second semiconductor layer 154l has a portion exposed between the second source electrode 173l and the second drain electrode 175l without being covered by the second source electrode 173l and the second drain electrode 175l, A portion of the third semiconductor layer 154c that is not covered by the third source electrode 173c and the third drain electrode 175c is exposed between the third source electrode 173c and the third drain electrode 175c.

데이터 도전체(171, 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c) 및 각 소스 전극(173h/173l/173c)과 각 드레인 전극(175h/175l/175c) 사이로 노출되어 있는 반도체층(154h, 154l, 154c) 위에는 보호막(180)이 위치한다. 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.The data conductors 171 , 173h , 173l , 173c , 175h , 175l , and 175c and the semiconductor layers 154h and 154l exposed between the source electrodes 173h / 173l / 173c and the drain electrodes 175h / 175l / 175c respectively. , 154c), the passivation layer 180 is positioned. The passivation layer 180 may be made of an organic insulating material or an inorganic insulating material, and may be formed of a single layer or multiple layers.

보호막(180) 위에는 차광 부재(220)가 위치한다. 차광 부재(220)는 화소 영역(PX)의 경계부와 박막 트랜지스터 위에 형성되어 빛샘을 방지할 수 있다. The light blocking member 220 is positioned on the passivation layer 180 . The light blocking member 220 may be formed on the boundary portion of the pixel area PX and the thin film transistor to prevent light leakage.

차광 부재(220) 위에는 제1 절연층(240)이 위치할 수 있다. 제1 절연층(240)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화산화물(SiOxNy) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제1 절연층(240)은 유기 물질로 이루어진 차광 부재(220)를 보호하는 역할을 하며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.The first insulating layer 240 may be positioned on the light blocking member 220 . The first insulating layer 240 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or silicon nitride oxide (SiOxNy). The first insulating layer 240 serves to protect the light blocking member 220 made of an organic material, and may be omitted if necessary.

제1 절연층(240), 차광 부재(220), 보호막(180)에는 제1 드레인 전극(175h)의 넓은 끝 부분과 제2 드레인 전극(175l)의 넓은 끝 부분을 각각 드러내는 복수의 제1 접촉 구멍(185h) 및 복수의 제2 접촉 구멍(185l)이 형성되어 있다.The first insulating layer 240 , the light blocking member 220 , and the passivation layer 180 have a plurality of first contacts exposing the wide end of the first drain electrode 175h and the wide end of the second drain electrode 175l, respectively. A hole 185h and a plurality of second contact holes 185l are formed.

다음 제1 절연층(240) 위에는 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다.Next, the pixel electrode 191 is positioned on the first insulating layer 240 . The pixel electrode 191 may be formed of a transparent metal material such as indium-tin oxide (ITO), indium-zinc oxide (IZO), or the like.

화소 전극(191)은 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)을 사이에 두고 서로 분리되어, 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)을 중심으로 화소 영역(PX)의 위와 아래에 배치되어 열 방향으로 이웃하는 제1 부화소 전극(191h)과 제2 부화소 전극(191l)을 포함한다. 즉, 제1 부화소 전극(191h)과 제2 부화소 전극(191l)은 제1 골짜기(V1)를 사이에 두고 분리되어 있으며, 제1 부화소 전극(191h)은 제1 부화소 영역(PXa)에 위치하고, 제2 부화소 전극(191l)은 제2 부화소 영역(PXb)에 위치한다.The pixel electrode 191 is separated from each other with the gate line 121 and the step-down gate line 123 interposed therebetween, and is disposed above and below the pixel area PX with the gate line 121 and the step-down gate line 123 as the center. It is disposed and includes a first subpixel electrode 191h and a second subpixel electrode 191l adjacent in a column direction. That is, the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are separated with the first valley V1 interposed therebetween, and the first subpixel electrode 191h is formed in the first subpixel area PXa. ), and the second subpixel electrode 1911l is positioned in the second subpixel area PXb.

제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 제1 접촉 구멍(185h) 및 제2 접촉 구멍(185l)을 통하여 각기 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)과 연결되어 있다. 따라서, 제1 박막 트랜지스터(Qh) 및 제2 박막 트랜지스터(Ql)가 온 상태일 때 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.The first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l are respectively connected to the first drain electrode 175h and the second drain electrode 175l through the first contact hole 185h and the second contact hole 185l. ) is associated with Accordingly, when the first thin film transistor Qh and the second thin film transistor Ql are in an on state, the data voltage is applied from the first drain electrode 175h and the second drain electrode 175l.

제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l) 각각의 전체적인 모양은 사각형이며 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l) 각각은 가로 줄기부(193h, 193l), 가로 줄기부(193h, 193l)와 교차하는 세로 줄기부(192h, 192l)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한, 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 각각 복수의 미세 가지부(194h, 194l), 부화소 전극(191h, 191l)의 가장자리 변에서 아래 또는 위로 돌출된 돌출부(197h, 197l)를 포함한다.The overall shape of each of the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l is a rectangle, and the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l have horizontal stem portions 193h and 193l, respectively. ), and a cross-shaped stem consisting of vertical stem portions 192h and 192l intersecting the horizontal stem portions 193h and 193l. In addition, the first subpixel electrode 191h and the second subpixel electrode 191l have a plurality of minute branches 194h and 194l, respectively, and protrusions protruding downward or upward from edge sides of the subpixel electrodes 191h and 191l, respectively. (197h, 197l).

화소 전극(191)은 가로 줄기부(193h, 193l)와 세로 줄기부(192h, 192l)에 의해 4개의 부영역으로 나뉘어진다. 미세 가지부(194h, 194l)는 가로 줄기부(193h, 193l) 및 세로 줄기부(192h, 192l)로부터 비스듬하게 뻗어 있으며 그 뻗는 방향은 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(193h, 193l)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룰 수 있다. 또한 이웃하는 두 부영역의 미세 가지부(194h, 194l)가 뻗어 있는 방향은 서로 직교할 수 있다.The pixel electrode 191 is divided into four subregions by horizontal stem portions 193h and 193l and vertical stem portions 192h and 192l. The minute branches 194h and 194l extend obliquely from the horizontal stems 193h and 193l and the vertical stems 192h and 192l, and the extending direction is the gate line 121 or the horizontal stems 193h and 193l. An angle of approximately 45 degrees or 135 degrees may be achieved. Also, the extending directions of the minute branches 194h and 194l of the two neighboring subregions may be orthogonal to each other.

상기에서 설명한 화소 영역의 배치 형태, 박막 트랜지스터의 구조 및 화소 전극의 형상은 하나의 예에 불과하며, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 다양한 변형이 가능하다.The arrangement of the pixel region, the structure of the thin film transistor, and the shape of the pixel electrode described above are only examples, and the present invention is not limited thereto and various modifications are possible.

이어, 화소 전극(191)으로부터 일정한 거리를 가지고 이격되도록 공통 전극(270)이 위치한다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에는 미세 공간(microcavity, 105)이 형성되어 있다. 즉, 미세 공간(105)은 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)에 의해 둘러싸여 있다. 미세 공간(105)의 폭과 넓이는 표시 장치의 크기 및 해상도에 따라 다양하게 변경될 수 있다.Next, the common electrode 270 is positioned to be spaced apart from the pixel electrode 191 at a predetermined distance. A microcavity 105 is formed between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 . That is, the microcavity 105 is surrounded by the pixel electrode 191 and the common electrode 270 . The width and width of the microcavity 105 may be variously changed according to the size and resolution of the display device.

공통 전극(270)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 공통 전극(270)에는 일정한 전압이 인가될 수 있고, 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 전계가 형성될 수 있다.The common electrode 270 may be made of a transparent metal material such as indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO). A constant voltage may be applied to the common electrode 270 , and an electric field may be formed between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 .

또한 화소 전극(191) 위에는 제1 배향막(11)이 위치한다. 제1 배향막(11)과 마주보도록 공통 전극(270) 아래에는 제2 배향막(21)이 위치한다.Also, the first alignment layer 11 is positioned on the pixel electrode 191 . The second alignment layer 21 is positioned under the common electrode 270 to face the first alignment layer 11 .

제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)은 수직 배향막으로 이루어질 수 있고, 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane), 폴리 이미드(Polyimide) 등의 배향 물질로 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 배향막(11, 21)은 화소 영역(PX)의 가장자리에서 서로 연결될 수 있다.The first alignment layer 11 and the second alignment layer 21 may be formed of a vertical alignment layer, and may be formed of an alignment material such as polyamic acid, polysiloxane, or polyimide. The first and second alignment layers 11 and 21 may be connected to each other at the edge of the pixel area PX.

화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 위치한 미세 공간(105) 내에는 액정 분자(31)들로 이루어진 액정층이 위치한다. 액정 분자(31)들은 음의 유전율 이방성을 가지며, 전계가 인가되지 않은 상태에서 절연 기판(110)에 수직한 방향으로 서 있을 수 있다. 즉, 수직 배향이 이루어질 수 있다.A liquid crystal layer made of liquid crystal molecules 31 is positioned in the microcavity 105 positioned between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 . The liquid crystal molecules 31 have negative dielectric anisotropy, and may stand in a direction perpendicular to the insulating substrate 110 in a state where no electric field is applied. That is, vertical alignment may be achieved.

데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 미세 공간(105) 내에 위치한 액정 분자(31)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자(31)의 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.The first sub-pixel electrode 191h and the second sub-pixel electrode 1911l to which the data voltage is applied generate an electric field together with the common electrode 270 to be positioned in the microcavity 105 between the two electrodes 191 and 270 . The direction of the liquid crystal molecules 31 is determined. The luminance of light passing through the liquid crystal layer varies according to the determined direction of the liquid crystal molecules 31 .

공통 전극(270) 위에는 지붕층(106)이 위치한다. 지붕층(106)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 지붕층(106)의 아래에는 미세 공간(105)이 형성되어 있고, 지붕층(106)은 경화 공정에 의해 단단해져 미세 공간(105)의 형상을 유지할 수 있다. 즉, 지붕층(106)은 화소 전극(191)과 미세 공간(105)을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있다.A roof layer 106 is positioned on the common electrode 270 . The roof layer 106 may be made of an organic material. A microcavity 105 is formed under the roof layer 106 , and the roof layer 106 may be hardened by a curing process to maintain the shape of the microcavity 105 . That is, the roof layer 106 is formed to be spaced apart from the pixel electrode 191 with the microcavity 105 interposed therebetween.

지붕층(106)은 화소 행을 따라 각 화소 영역(PX) 및 제2 골짜기(V2)에 형성되며, 제1 골짜기(V1)에는 형성되지 않는다. 즉, 지붕층(106)은 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb) 사이에는 형성되지 않는다. 각 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb)에서는 각 지붕층(106)의 아래에 미세 공간(105)이 형성되어 있다. 제2 골짜기(V2)에서는 지붕층(106)의 아래에 미세 공간(105)이 형성되지 않으며, 기판(110)에 부착되도록 형성되어 있다. 따라서, 제2 골짜기(V2)에 위치하는 지붕층(106)의 두께가 각 제1 부화소 영역(PXa) 및 제2 부화소 영역(PXb)에 위치하는 지붕층(106)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 미세 공간(105)의 상부면 및 양측면은 지붕층(106)에 의해 덮여 있는 형태로 이루어지게 된다.The roof layer 106 is formed in each pixel area PX and the second valley V2 along the pixel row, but is not formed in the first valley V1 . That is, the roof layer 106 is not formed between the first subpixel area PXa and the second subpixel area PXb. In each of the first sub-pixel area PXa and the second sub-pixel area PXb , the microcavity 105 is formed under each roof layer 106 . In the second valley V2 , the microcavity 105 is not formed under the roof layer 106 , but is formed to be attached to the substrate 110 . Accordingly, the thickness of the roof layer 106 positioned in the second valley V2 is thicker than the thickness of the roof layer 106 positioned in each of the first sub-pixel area PXa and the second sub-pixel area PXb. can be The upper surface and both sides of the microcavity 105 are covered by the roof layer 106 .

공통 전극(270) 및 지붕층(106)에는 미세 공간(105)의 일부를 노출시키는 입구부(307)가 형성되어 있다. 입구부(307)는 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb)의 가장자리에 서로 마주보도록 형성될 수 있다. 즉, 입구부(307)는 제1 부화소 영역(PXa)의 하측 변, 제2 부화소 영역(PXb)의 상측 변에 대응하여 미세 공간(105)의 측면을 노출시키도록 형성될 수 있다. 입구부(307)에 의해 미세 공간(105)이 노출되어 있으므로, 입구부(307)를 통해 미세 공간(105) 내부로 배향액 또는 액정 물질 등을 주입할 수 있다.An inlet 307 exposing a portion of the microcavity 105 is formed in the common electrode 270 and the roof layer 106 . The inlet 307 may be formed at edges of the first subpixel area PXa and the second subpixel area PXb to face each other. That is, the inlet 307 may be formed to expose a side surface of the microcavity 105 corresponding to the lower side of the first subpixel area PXa and the upper side of the second subpixel area PXb. Since the microcavity 105 is exposed by the inlet 307 , an aligning agent or a liquid crystal material may be injected into the microcavity 105 through the inlet 307 .

지붕층(106) 위에 덮개층(108)이 위치할 수 있다. A covering layer 108 may be positioned over the roof layer 106 .

덮개층(108)은 미세 공간(105)의 일부를 외부로 노출시키는 입구부(307)를 덮도록 위치한다. 즉, 덮개층(108)은 미세 공간(105)의 내부에 형성되어 있는 액정 분자(31)가 외부로 나오지 않도록 미세 공간(105)을 밀봉할 수 있다. 덮개층(108)은 액정 분자(31)과 접촉하게 되므로, 액정 분자(31)과 반응하지 않는 물질로 이루어진다. The capping layer 108 is positioned to cover the inlet 307 exposing a part of the microcavity 105 to the outside. That is, the capping layer 108 may seal the microcavity 105 so that the liquid crystal molecules 31 formed inside the microcavity 105 do not come out. Since the capping layer 108 comes into contact with the liquid crystal molecules 31 , it is made of a material that does not react with the liquid crystal molecules 31 .

덮개층(108)은 이중막, 삼중막 등과 같이 다중막으로 이루어질 수도 있다. 이중막은 서로 다른 물질로 이루어진 두 개의 층으로 이루어져 있다. 삼중막은 세 개의 층으로 이루어지고, 서로 인접하는 층의 물질이 서로 다르다. 예를 들면, 덮개층(108)은 유기 절연 물질로 이루어진 층과 무기 절연 물질로 이루어진 층을 포함할 수 있다.The capping layer 108 may be formed of a multilayer such as a double layer, a triple layer, or the like. The bilayer consists of two layers of different materials. The triple film consists of three layers, and the materials of the adjacent layers are different from each other. For example, the capping layer 108 may include a layer made of an organic insulating material and a layer made of an inorganic insulating material.

이상과 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 출광율이 향상되고 색재현성이 향상되어 우수한 표시 품질의 표시 장치를 제공할 수 있음은 물론 한 장의 기판을 사용하여 제조 공정 및 구조 등을 단순화할 수 있다. As described above, the display device according to another exemplary embodiment of the present invention can provide a display device with excellent display quality due to improved light output rate and improved color reproducibility, and also simplifies the manufacturing process and structure by using a single substrate. can do.

이하에서는 도 14 내지 도 15를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 색 재현성에 대해 살펴본다. 도 14 내지 도 15는 본 발명의 실시예 및 비교예에 대한 색 좌표 이미지이다. Hereinafter, color reproducibility of a display device according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 14 to 15 . 14 to 15 are color coordinate images for Examples and Comparative Examples of the present invention.

우선 도 14는 비교예로써, 적색 색변환 매개층에 대해 청색 다이오드 광원을 투과시킨 경우에 대한 색 좌표 이미지이다. 이를 살펴보면, 적색 색변환 매개층의 중심 부분에서는 청색 광(파장 400nm 대)이 투과하여 청색이 시인되는 것을 확인할 수 있다. 즉, 비교예에서는 청색 광의 혼색이 발생하여 색 재현율이 낮아진다. First, as a comparative example, FIG. 14 is a color coordinate image for a case in which a blue diode light source is transmitted through a red color conversion media layer. Looking at this, it can be confirmed that blue light (wavelength 400 nm range) is transmitted through the central portion of the red color conversion media layer, and thus blue is visually recognized. That is, in the comparative example, blue light is mixed and the color reproducibility is lowered.

다음, 도 15는 본 발명에 따른 실시예로써, 적색 색변환 매개층에 대해 청색 다이오드 광원을 투과시킨 경우에 대한 색 좌표 이미지이다. 이를 살펴보면 적색 색변환 매개층의 중심 부분에서도 청색이 거의 시인되지 않음을 알 수 있다(파장 600nm 후반대). 이는 색 좌표 이미지를 통해서도 색 재현율이 향상되었음을 알 수 있다. Next, FIG. 15 is a color coordinate image of a case in which a blue diode light source is transmitted through a red color conversion media layer as an embodiment according to the present invention. Looking at this, it can be seen that blue is hardly recognized even in the central portion of the red color conversion media layer (wavelength of the latter half of 600 nm). It can be seen that the color gamut is also improved through the color coordinate image.

이하 표 1을 참조하여 보다 상세하게 살펴본다. See Table 1 below in more detail.

구분division 산란층scattering layer 출광율light emission rate 증가율rate of increase 비교예(산란층 없음)Comparative example (no scattering layer) -- 11 %11% -- 실시예 (산란층 있음)Example (with scattering layer) 10 vol%10 vol% 18%18% 166%166% 20 vol%20 vol% 19%19% 167%167%

비교예는 산란층을 포함하지 않으며, 이에 따른 출광율이 약 11%로 나타났다. 반면, 본 발명의 실시예에 따라 산란층을 포함하는 색변환 매개층은 출광율이 각각 18% 및 19%로 나타났다. 즉, 산란층을 포함하지 않는 비교예 대비 출광율이 향상됨을 알 수 있다. 또한, 비교예 대비 증가율을 확인한 결과, 각각 약 66% 및 67% 정도 출광율이 향상되었음을 확인하였다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 출광율이 향상되고 색재현성이 향상되어, 우수한 표시 품질의 표시 장치를 제공할 수 있음을 확인하였다. Comparative Example did not include a scattering layer, and thus the light output rate was about 11%. On the other hand, the light emission rate of the color conversion media layer including the scattering layer according to the embodiment of the present invention was 18% and 19%, respectively. That is, it can be seen that the light output rate is improved compared to the comparative example in which the scattering layer is not included. In addition, as a result of confirming the increase rate compared to the comparative example, it was confirmed that the light output rate was improved by about 66% and 67%, respectively. Accordingly, it was confirmed that the display device according to the exemplary embodiment of the present invention can provide a display device having excellent display quality by improving light output rate and color reproducibility.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiment of the present invention has been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements by those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims are also provided. is within the scope of the

10 : 표시 패널 12, 22 : 편광판
30 : 색변환 패널 310 : 기판
330 : 색변환 매개층 340 : 산란층
10: display panel 12, 22: polarizing plate
30: color conversion panel 310: substrate
330: color conversion media layer 340: scattering layer

Claims (18)

표시 패널, 및
상기 표시 패널 위에 위치하는 색변환 패널을 포함하고,
상기 색변환 패널은,
색변환 매개층, 및
산란체와 상기 산란체에 흡착된 안료 및 염료 중 적어도 하나를 포함하는 산란층을 포함하고,
상기 안료 및 염료 중 적어도 하나는 상기 산란체의 표면의 일부를 덮도록 흡착된 표시 장치.
display panel, and
A color conversion panel positioned on the display panel,
The color conversion panel,
a color conversion media layer, and
a scattering body and a scattering layer comprising at least one of a pigment and a dye adsorbed to the scattering body;
At least one of the pigment and the dye is adsorbed to cover a portion of a surface of the scatterer.
제1항에서,
상기 색변환 매개층은 형광체 및 퀀텀닷 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
In claim 1,
The color conversion media layer includes at least one of a phosphor and a quantum dot.
제2항에서,
상기 색변환 매개층은 감광성 수지를 포함하며,
상기 형광체 및 상기 퀀텀닷 중 적어도 어느 하나는 상기 감광성 수지에 분산되어 있는 표시 장치.
In claim 2,
The color conversion media layer includes a photosensitive resin,
At least one of the phosphor and the quantum dots is dispersed in the photosensitive resin.
제1항에서,
상기 산란체는 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 및 ITO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
In claim 1,
The scatterer includes at least one of TiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , In 2 O 3 , ZnO, SnO 2 , Sb 2 O 3 , and ITO.
제1항에서,
상기 산란층의 밀도는 상기 색변환 매개층의 밀도보다 큰 표시 장치.
In claim 1,
a density of the scattering layer is greater than a density of the color conversion media layer.
제1항에서,
상기 산란층의 굴절률은 1.5 이상인 표시 장치.
In claim 1,
The scattering layer has a refractive index of 1.5 or more.
제2항에서,
상기 색변환 매개층은 적색 색변환 매개층, 녹색 색변환 매개층 및 투명층을 포함하는 표시 장치.
In claim 2,
The color conversion media layer includes a red color conversion media layer, a green color conversion media layer, and a transparent layer.
제7항에서,
인접한 상기 적색 색변환 매개층, 상기 녹색 색변환 매개층 및 상기 투명층 사이에 위치하는 차광 부재를 더 포함하는 표시 장치.
In claim 7,
The display device further comprising a light blocking member positioned between the adjacent red color conversion media layer, the green color conversion media layer, and the transparent layer.
제8항에서,
상기 투명층은 상기 형광체 및 상기 퀀텀닷을 포함하지 않는 표시 장치.
In claim 8,
The transparent layer does not include the phosphor and the quantum dots.
제7항에서,
상기 투명층 위에 위치하는 상기 산란층은 상기 염료 및 상기 안료를 포함하지 않는 표시 장치.
In claim 7,
The scattering layer disposed on the transparent layer does not include the dye and the pigment.
제1항에서,
상기 염료 및 상기 안료는 청색 광을 흡수하는 표시 장치.
In claim 1,
The dye and the pigment absorb blue light.
제1항에서,
상기 색변환 패널에 광을 공급하는 발광 다이오드를 더 포함하는 표시 장치.
In claim 1,
The display device further comprising a light emitting diode for supplying light to the color conversion panel.
삭제delete 제12항에서,
상기 발광 다이오드는 자외선 또는 청색광과 같이 특정 파장 대역을 방출하는 표시 장치.
In claim 12,
The light emitting diode is a display device that emits a specific wavelength band, such as ultraviolet light or blue light.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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