KR20100110883A - 디스플레이 백라이팅용 조명 장치 및 그러한 조명 장치를 포함한 디스플레이 - Google Patents

디스플레이 백라이팅용 조명 장치 및 그러한 조명 장치를 포함한 디스플레이 Download PDF

Info

Publication number
KR20100110883A
KR20100110883A KR1020107019174A KR20107019174A KR20100110883A KR 20100110883 A KR20100110883 A KR 20100110883A KR 1020107019174 A KR1020107019174 A KR 1020107019174A KR 20107019174 A KR20107019174 A KR 20107019174A KR 20100110883 A KR20100110883 A KR 20100110883A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radiation
region
wavelength
semiconductor body
wavelength converting
Prior art date
Application number
KR1020107019174A
Other languages
English (en)
Inventor
버카드 위스만
마르쿠스 제일러
허버트 부루너
휴버트 오트
루드위그 프로츠
조르그 스트라우스
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20100110883A publication Critical patent/KR20100110883A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

디스플레이의 백라이트용 조명 장치(1)가 개시된다. 조명 장치는: 제1파장 영역의 전자기 복사를 생성하기에 적합한 적어도 하나의 반도체 몸체(3), 상기 반도체 몸체의 방출 방향(8)에서 상기 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)보다 뒤에 배치되며 상기 제1파장 영역의 복사를 상기 제1파장 영역과는 다른 제2파장 영역의 복사로 변환하기에 적합한 제1파장 변환 물질(30), 및 상기 반도체 몸체의 방출 방향(8)에서 상기 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)보다 뒤에 배치되며 상기 제1파장 영역의 복사를 상기 제1 및 제2파장 영역과는 다른 제3파장 영역의 복사로 변환하기에 적합한 제2파장 변환 물질(31)을 포함한다. 또한, 그러한 조명 장치(1)를 포함한 디스플레이도 기술된다.

Description

디스플레이 백라이팅용 조명 장치 및 그러한 조명 장치를 포함한 디스플레이{LIGHTING DEVICE FOR BACK-LIGHTING A DISPLAY AND A DISPLAY WITH ONE SUCH LIGHTING DEVICE}
본 발명은 디스플레이 백라이트용 조명 장치 및 상기와 같은 조명 장치를 포함한 디스플레이에 관한 것이다.
디스플레이용 조명 장치는 예를 들면 문헌 DE 10 2004 046696.3에 기술되어 있다.
본 발명의 과제는, 개선된 디스플레이 백라이트용 조명 장치를 제공하는 것이다.
상기 과제는 특허 청구 범위 제1항의 특징을 포함한 조명 장치 및 특허 청구 범위 제14항의 특징을 포함한 디스플레이에 의하여 해결된다.
상기와 같은 디스플레이 백라이트용 조명 장치는, 특히:
제1파장 영역의 전자기 복사를 생성하기에 적합한 적어도 하나의 반도체 몸체,
상기 반도체 몸체의 방출 방향에서 상기 반도체 몸체의 복사 방출 전방측보다 뒤에 배치되며 상기 제1파장 영역의 복사를 상기 제1파장 영역과는 다른 제2파장 영역의 복사로 변환하기에 적합한 제1파장 변환 물질, 및
상기 반도체 몸체의 방출 방향에서 상기 반도체 몸체의 복사 방출 전방측보다 뒤에 배치되며 상기 제1파장 영역의 복사를 상기 제1 및 제2파장 영역과는 다른 제3파장 영역의 복사로 변환하기에 적합한 제2파장 변환 물질을 포함한다.
조명 장치는 광원으로서 적어도 하나의 반도체 몸체를 포함한다. 반도체 몸체는 예를 들면 종래에 사용되는 냉음극 형광 램프(CCFL)에 비해, 진동에 대해 덜 민감하고, 실질적으로 자유롭게 조광할 수 있으며, 신속한 스위칭 시간이 가능하다는 이점을 제공한다. 또한, 반도체 몸체는 냉음극 형광 램프에 비해 수은 또는 납과 같은 유해한 중금속 비율이 매우 낮거나 전혀 포함하지 않는다.
더욱 바람직하게는, 반도체 몸체 및 두 파장 변환 물질은, 반도체 몸체로부터 생성된 제1파장 영역의 복사가 적어도 부분적으로 제1 및 제2파장 변환 물질에 도달하여, 제1파장 영역의 복사가 두 파장 변환 물질에 의해 제2 및 제3파장 영역의 복사로 변환되도록 배치된다.
반도체 몸체로부터 방출되는 제1파장 영역의 복사는 제1파장 변환 물질에 의해 바람직하게는 부분적으로 상기 제1파장 영역과는 다른 제2파장 영역의 복사로 변환되고, 제2파장 변환 물질에 의해 마찬가지로 바람직하게는 부분적으로 제1 및 제2파장 영역과는 다른 제3파장 영역의 복사로 변환되는 반면, 제1파장 영역의 복사의 또 다른 부분은 변환되지 않는다. 이 경우, 조명 장치는 혼합 복사를 방출하며, 상기 혼합 복사는 제1파장 영역의 변환되지 않은 복사뿐만 아니라 제2 및 제3파장 영역의 변환된 복사를 포함한다.
제1 및/또는 제2파장 변환 물질은 예를 들면 파장 변환 기능의 층에 포함될 수 있다. 더욱 바람직하게는, 제1 및/또는 제2파장 변환 물질을 포함한 파장 변환층은 반도체 몸체의 복사 방출 전방측상에 직접 접촉하며 도포된다. 이는, 파장 변환층이 반도체 몸체의 복사 방출 전방측과 공통의 경계면을 포함함을 의미한다. 파장 변환층이 반도체 몸체의 복사 방출 전방측에 배치되면, 일반적으로, 반도체 몸체는 조명 장치의 크기에 비해 실질적으로 점복사원을 나타내며, 상기 점복사원은 특정한 색 위치를 가진 복사, 바람직하게는 CIE 표색계의 백색 영역에서 색 위치를 가진 복사를 방출한다. 그러한 점복사원의 복사는, 특히, 광학 부재에 커플링되기에 적합하다.
또한, 파장 변환 물질 중 적어도 하나, 그러나 바람직하게는 두 파장 변환 물질을 포함하는 파장 변환층은 조명 장치의 다른 위치에 배치되되, 반도체 몸체의 복사가 파장 변환층을 투과하도록 배치될 수 있다. 파장 변환층은 예를 들면 반도체 몸체를 향한 조명 장치의 덮개판의 후방측에 배치될 수 있다. 덮개판은 예를 들면 확산판을 가리킬 수 있다.
반도체 몸체는 소자 하우징에 실장될 수 있다. 소자 하우징은 예를 들면 반도체 몸체가 고정되어 있는 리세스(recess)를 포함한다. 적합한 소자 하우징은 예를 들면 문헌 WO 02/084749 A2에 기술되어 있으며, 그 공개 내용은 이와 관련하여 참조로 포함된다. 반도체 몸체가 소자 하우징에 실장되면, 반도체 몸체 및 소자 하우징은 조명 장치에 포함된 광전 소자의 일부이다.
조명 장치의 다른 실시예에 따르면, 제1 및/또는 제2파장 변환 물질은 매트릭스 물질에 매립된다. 매트릭스 물질은 예를 들면 실리콘 및/또는 에폭시를 포함할 수 있거나, 상기 물질들 중 적어도 하나로 구성될 수 있다.
적어도 하나의 파장 변환 물질을 포함한 매트릭스 물질은 파장 변환층으로서 또는 몰딩부로서 형성될 수 있다.
조명 장치의 일 실시예에 따르면, 파장 변환층의 두께는 20 ㎛이상 200 ㎛이하이다.
파장 변환층의 제조를 위해, 적어도 하나의 파장 변환 물질을 포함한 매트릭스 물질은 예를 들면 광전 소자의 내부 또는 조명 장치의 내부의 층으로서 형성된 후, 경화될 수 있다. 바람직하게는, 그러한 파장 변환층의 두께는 20 ㎛이상 40 ㎛이하이다.
또는, 파장 변환층은 소형판으로서 별도 제조될 수 있다. 상기와 같은 소형판도 마찬가지로, 적어도 하나의 파장 변환 물질의 입자가 삽입된 매트릭스 물질을 포함하거나, 가령 세라믹으로서 형성될 수 있다. 바람직하게는, 소형판으로서 별도 제조된 파장 변환층의 두께는 20 ㎛이상 200 ㎛이하이다.
조명 장치의 다른 실시예에 따르면, 제1 및/또는 제2파장 변환 물질은 몰딩부에 매립된다. 몰딩부는 예를 들면 소자 하우징의 리세스에 삽입될 수 있다. 일반적으로, 몰딩부는 반도체 몸체를 덮는다.
또한, 두 파장 변환 물질 중 하나는 파장 변환층에, 다른 파장 변환 물질은 몰딩부에 포함될 수 있다.
또한, 두 파장 변환 물질은 2개의 서로 다른 파장 변환층에 삽입될 수 있다. 제1파장 변환 물질은 예를 들면 제1파장 변환층에 삽입되는 반면, 제2파장 변환 물질은 제2파장 변환층에 삽입된다. 두 파장 변환층들 중 하나는 예를 들면 반도체 몸체의 복사 방출 전방측에 직접 접촉하며 도포될 수 있는 반면, 제2파장 변환층은 제1파장 변환층상에 직접 접촉하며 도포되고, 즉 제2파장 변환층은 제1파장 변환층과 공통의 경계면을 형성한다.
조명 장치의 다른 실시예에 따르면, 반도체 몸체는 제1파장 영역의 복사를 방출하며, 상기 제1파장 영역은 청색 스펙트럼 영역으로부터의 복사를 포함한다.
바람직하게는, 청색 스펙트럼 영역의 복사를 포함하는 반도체 몸체는 질화물 화합물 반도체 물질계이다.
질화물 화합물 반도체 물질은 질소를 포함한 화합물 반도체 물질로, 예를 들면 0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1인 InxAlyGa1 -x- yN계로 구성된 물질이 있다. 본 경우에, 질화물 화합물 반도체 물질계 복사 방출 반도체 몸체군에는, 특히, 반도체 몸체의 에피택시얼 성장된 반도체 층 시퀀스가 질화물 화합물 반도체 물질로 구성된 물질을 함유한 적어도 하나의 개별층을 포함하는 반도체 몸체가 속한다.
조명 장치의 다른 실시예에 따르면, 제2파장 영역은 녹색 스펙트럼 영역의 복사를 포함한다. 바람직하게는, 제1파장 변환 물질은 제1파장 영역의 복사를 녹색 스펙트럼 영역의 복사로 변환한다. 더욱 바람직하게는, 상기 실시예에서 제1파장 영역은 청색 스펙트럼 영역의 복사를 포함한다.
조명 장치의 다른 실시예에 따르면, 제1파장 변환 물질은 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트를 포함하거나, 이 물질로 구성된다. 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트는, 특히 청색 스펙트럼 영역의 복사를 녹색 스펙트럼 영역의 복사로 변환하기에 적합하다.
바람직하게는, 조명 장치의 다른 실시예에 따르면, 제3파장 영역은 적색 스펙트럼 영역으로부터의 복사를 포함한다. 따라서 매우 바람직하게는, 제2파장 변환 물질은 제1파장 영역의 복사를 적색 스펙트럼 영역의 복사로 변환한다. 더욱 바람직하게는, 상기 실시예에서, 제1파장 영역은 다시 청색 스펙트럼 영역의 복사를 포함한다.
조명 장치의 다른 실시예에 따르면, 제2파장 변환 물질은 유로퓸 도핑된 규소질화물을 포함하거나, 그 물질로 구성된다. 유로퓸 도핑된 규소질화물은 특히 청색 스펙트럼 영역의 복사를 적색 스펙트럼 영역의 복사로 변환하기에 적합하다.
조명 장치의 다른 실시예에 따르면, 상기 조명 장치는 제1파장 변환 물질로서 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트를, 제2파장 변환 물질로서 유로퓸 도핑된 규소질화물을 포함하고, 이때 바람직하게는, 두 파장 변환 물질의 상호간 비율은 (질량비와 관련하여) 0.8이상 1.2이하이다. 더욱 바람직하게는, 두 파장 변환 물질의 상호간 비율은 (질량비와 관련하여 마찬가지로) 0.9이상 1.1이하이다.
또한, 제1 및/또는 제2파장 변환 물질은 희토류의 금속으로 도핑된 가닛, 희토류의 금속으로 도핑된 알칼리토설피드, 희토류의 금속으로 도핑된 티오갈레이트, 희토류의 금속으로 도핑된 알루미네이트, 희토류의 금속으로 도핑된 오르토실리케이트, 희토류의 금속으로 도핑된 클로로실리케이트, 희토류의 금속으로 도핑된 알칼리토규소질화물, 희토류의 금속으로 도핑된 질산화물, 희토류의 금속으로 도핑된 알루미늄질산화물로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 조명 장치는 CIE 표색계의 백색 영역에서 색 위치를 가지는 혼합 복사를 방출한다. 매우 바람직하게는, 백색 혼합 복사는 청색 스펙트럼 영역의 복사를 포함하는 제1파장 영역의 복사, 녹색 복사를 포함하는 제2파장 영역의 복사 및 적색 복사를 포함하는 제3파장 영역의 복사를 포함한다.
다른 실시예에 따르면, 반도체 몸체, 제1파장 변환 물질 및 제2파장 변환 물질상에 걸쳐 광학 부재가 배치된다. 반도체 몸체는 예를 들면 소자 하우징의 리세스에 배치될 수 있고, 복사 방출 전방측에서 파장 변환층을 구비할 수 있으며, 상기 파장 변환층은 제1 및 제2파장 변환 물질을 포함한다. 반면, 광학 부재는 리세스상에 걸쳐 소자 하우징상에 고정된다. 이 경우, 광학 부재는 광전 소자의 일부이다. 광학 부재는 일반적으로 빔 형성 역할을 한다. 더욱 바람직하게는, 본 경우에, 광학 부재는 조명 장치의 가능한 한 균일한 방출 특성을 얻기 위해 빔 확산 역할을 한다. 상기 균일한 방출 특성은 일반적으로 디스플레이의 백라이트에 필요하다. 특히, 일반적으로, 조명 장치의 균일한 방출 특성은 조명 장치의 낮은 설치 깊이에 기여하여 유리하다.
광학 부재로서 예를 들면 렌즈가 사용될 수 있다.
더욱 바람직하게는, 복사 출사면을 포함한 광학 부재가 사용되고, 상기 복사 출사면은 오목한 곡면 부분 영역 및 광학축에 대해 간격을 두어 상기 오목한 부분 영역을 적어도 부분적으로 둘러싸는 볼록한 곡면 부분 영역을 포함하고, 이때 광학 부재의 광학축은 오목한 곡면 부분 영역을 관통한다. 그러한 광학 부재를 포함한 조명 장치는 예를 들면 문헌 WO 2006/089523에 기술되어 있고, 그 공개 내용은 이와 관련하여 참조로 포함된다.
유리하게는, 상기와 같은 광학 부재는, 특히, 광전 소자의 방출 특성을 확산시키기에 적합하며, 즉 반도체 몸체 또는 파장 변환층으로부터 반도체 몸체의 전방측으로 방출된 복사를 큰 입체각에 걸쳐 분포시키기에 적합하다.
일 실시예에 따르면, 조명 장치는 복수 개의 반도체 몸체 또는 반도체 몸체를 포함한 광전 소자를 포함한다. 이때, 모든 또는 일부의 반도체 몸체 또는 광전 소자는, 본 경우에 반도체 몸체 또는 광전 소자를 대해 기술한 특징을 가질 수 있다.
조명 장치가 복수 개의 반도체 몸체 또는 광전 소자를 포함하면, 바람직하게는, 상기 조명 장치는 동일한 종류의 스펙트럼을 포함하거나 파장이 동일한 복사를 방출한다.
조명 장치가 복수 개의 반도체 몸체 또는 광전 소자를 포함하면, 바람직하게는, 조명 장치는 상기 조명 장치의 색 위치에 따라 분류된다. 즉, 반도체 몸체 또는 광전 소자로부터 방출된 복사의 색 위치는 바람직하게는 3 SDCM(standard deviation of color matching)을 포함한 맥아담 타원(MacAdam Ellipse)의 내부에 위치한다. 맥아담 타원은, 하나의 기준 색조에 대한 색조들의 간극이 인간 관찰자에 의해 동일하게 인지되는, CIE 표색계 내부의 영역이다. 맥아담 타원의 치수는 SDMC로 기술된다. 바꾸어 말하면, 반도체 몸체 또는 광전 소자로부터 방출된 복사의 색 위치는 소정의 값에 비해 3 SDMC보다 더 많이 오차가 나진 않는다.
맥아담 타원 및 SDMC는 문헌 MacAdam, D.L., Specification of small chromaticity differences, Journal of the Optical Society of America, vol. 33, no. 1, 1943. 1, 18-26쪽에 기술되어 있으며, 그 공개 내용은 이와 관련하여 참조로 포함된다.
특히, 조명 장치가 복수 개의 반도체 몸체 또는 광전 소자를 포함하고, CIE 표색계의 백색 영역에서 색 위치를 가진 혼합 복사를 방출하는 경우, 색 위치는 3 SDMC보다 더 많이 오차가 나진 않는다. 육안은 CIE 표색계의 백색 영역에서 색 위치 편차에 매우 민감하므로, 조명 장치의 복사의 색감이 매우 균일하게 얻어질 수 있다.
혼합 복사가 파장 변환층을 이용하여 반도체 몸체의 복사 방출 전방측에서 생성되면, 파장 변환층을 포함한 반도체 몸체는 바람직하게는 그 색 위치에 따라 분류되며, 이때 색 위치는 파장 변환층으로부터 방출된 혼합 복사와 관련한다.
더욱 바람직하게는, 본 명세서에 기술된 조명 장치는 백라이트용 디스플레이에 포함된다. 디스플레이는 예를 들면 액정 디스플레이(LCD 디스플레이)를 가리킬 수 있다.
바람직하게는, 디스플레이는 적어도 3개의 서로 다른 영역을 포함한 컬러 필터를 포함하며, 상기 컬러 필터는 3개의 서로 다른 파장 영역의 복사에 대해 각각 투과성으로 형성된다. 더욱 바람직하게는, 조명 장치로부터 방출된 복사의 방출 스펙트럼은 컬러 필터에 맞춰진다. 즉, 조명 장치로부터 방출된 복사의 방출 스펙트럼은 각각 하나의 피크(peak)를 가진 적어도 3개의 다양한 파장 영역을 가지며, 상기 파장 영역은 3개의 다양한 컬러 필터 영역 중 하나로부터 적어도 30%만큼 투과된다. 컬러 필터의 서로 다른 영역은 각각 투과 스펙트럼을 가지며, 상기 투과 스펙트럼은 각각 조명 장치의 방출 스펙트럼의 피크와 실질적으로 일치한다. 조명 장치의 복사의 방출 스펙트럼이 하나의 컬러 필터에 맞춰지면, 그 컬러 필터는 조명 장치로부터 방출된 복사의 매우 많은 비율을 투과시킨다. 더욱 바람직하게는, 조명 장치의 복사의 방출 스펙트럼이 맞춰지는 컬러 필터는 조명 장치로부터 방출된 복사의 적어도 40%를 투과시킨다.
더욱 바람직하게는, 제1파장 영역의 청색 복사, 제2파장 영역의 녹색 복사 및 제3파장 영역의 적색 복사를 포함한 백색 혼합 복사를 방출하는 조명 장치의 방출 스펙트럼은 적색 영역, 녹색 영역 및 청색 영역을 포함한 컬러 필터에 맞춰진다. 조명 장치의 혼합 복사의 방출 스펙트럼은 제1파장 영역의 방출 스펙트럼, 제2파장 영역의 방출 스펙트럼 및 제3파장 영역의 방출 스펙트럼으로 구성되며, 적색 스펙트럼 영역에서의 피크, 녹색 스펙트럼 영역에서의 피크 및 청색 스펙트럼 영역에서의 피크를 포함한다.
조명 장치의 방출 스펙트럼은 적색 영역, 녹색 영역 및 청색 영역을 포함한 컬러 필터에 맞춰지면, 제1양태에 따라 제3파장 영역의 적색 복사의 방출 스펙트럼은 컬러 필터의 적색 영역의 투과 스펙트럼에 맞춰진다. 즉, 제3파장 영역의 적색 복사의 적어도 55%는 컬러 필터의 적색 영역으로부터 투과된다. 또한, 제2양태에 따르면, 제2파장 영역의 녹색 복사의 방출 스펙트럼은 컬러 필터의 녹색 영역의 투과 스펙트럼에 맞춰지되, 제2파장 영역의 녹색 복사의 적어도 65%가 컬러 필터의 녹색 영역으로부터 투과되도록 맞춰진다. 마찬가지로, 제3양태에 따르면, 제1파장 영역의 청색 복사의 방출 스펙트럼은 컬러 필터의 청색 영역의 투과 스펙트럼에 맞춰지되, 제1파장 영역의 청색 복사의 적어도 55%가 컬러 필터의 청색 영역으로부터 투과되도록 맞춰진다.
백색 혼합 복사를 방출하고, 그 방출 스펙트럼이 적색, 녹색 및 청색 영역을 포함한 종래 컬러 필터에 맞춰지는 조명 장치는 예를 들면 청색 스펙트럼 영역으로부터 복사를 방출하는 반도체 몸체를 포함하고, 이때 상기 반도체 몸체의 복사 방출 전방측에는 제1 및 제2파장 변환 물질을 포함한 파장 변환층이 직접 접촉하며 도포된다.
매우 바람직하게는, 제1파장 변환 물질은 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트를 가리키며, 상기 제1파장 변환 물질은 제1파장 영역의 청색 복사의 일부를 녹색 복사로 변환하는 반면, 제1파장 영역의 청색 복사의 다른 부분은 변환되지 않은 채로 상기 파장 변환층을 투과한다.
상기 실시예에서, 매우 바람직하게는, 제2파장 변환 물질로서 유로퓸 도핑된 규소질화물이 사용되며, 상기 규소질화물은 제1파장 영역의 청색 복사의 또 다른 부분을 적색 복사로 변환하는 반면, 제1파장 영역의 또 다른 부분은 변환되지 않은 채로 상기 파장 변환층을 투과한다. 더욱 바람직하게는, 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트 및 유로퓸 도핑된 규소질화물은 (질량비와 관련하여) 0.8이상 1.2이하의 혼합비를 가진다.
이하, 본 발명의 다른 특징, 유리한 형성예 및 적합성은 도면과 관련하여 기술된 실시예로부터 도출된다.
도 1a는 일 실시예에 따른 조명 장치의 개략적 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 실시예에 따른 조명 장치를 포함한 LCD 디스플레이의 개략적 단면도이다.
도 2a는 다른 실시예에 따른 조명 장치의 개략적 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 실시예에 따른 조명 장치를 포함한 LCD 디스플레이의 개략적 단면도이다.
도 3a는 일 실시예에 따른 광전 소자의 개략적 단면도이다.
도 3b는 도 3a의 실시예에 따른 광전 소자의 개략적 사시도이다.
도 3c는 도 3a 및 3b에 따른 광전 소자의 광학 부재의 개략적 단면도 및 상기 광학 부재 내부에서의 개략적 빔 진행을 도시한 도면이다.
도 4a 및 4b는 각 실시예에 따른 반도체 몸체의 개략적 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 다른 광전 소자의 개략적 단면도이다.
도 6a는 일 실시예에 따른 반도체 몸체의 방출 스펙트럼의 그래프이다.
도 6b는 일 실시예에 따른 반도체 몸체상의 파장 변환층 및 2개의 파장 변환 물질의 방출 스펙트럼의 그래프이다.
도 6c는 반도체 몸체상의 파장 변환층 및 파장 변환 물질의 방출 스펙트럼의 그래프이다.
도 6d는 일 실시예에 따른 LCD 디스플레이용 컬러 필터의 투과 스펙트럼 그래프이다.
도 7은 도 6b의 실시예에 따른 파장 변환 물질 및 반도체 몸체를 포함한 조명 장치의 컬러 삼각형 및 도 6c의 실시예에 따른 파장 변환 물질 및 반도체 몸체를 포함한 조명 장치의 컬러 삼각형을 도시한 개략도이다.
실시예 및 도면에서 동일하거나 동일한 기능의 요소는 각각 동일한 참조 번호를 가진다. 도면에 도시된 요소는 반드시 축척에 맞는 것으로 볼 수 없다. 오히려, 예를 들면 층 두께와 같은 개별 요소는 더 나은 이해를 위해 일부 과장되어 크게 도시되어 있을 수 있다.
도 1a의 일 실시예에 따른 조명 장치(1)는 캐리어(5) 및 복수 개의 반도체 몸체(3)를 포함한다. 반도체 몸체(3)는 소자 하우징에 장착되지 않고, 복사 방출 전방측(6)에 대향된 후방측(20)에서 스트립형 캐리어 부재(13)상에 약 30 mm라는 동일한 간격(d)으로 배치된다. 반도체 몸체(3)를 포함한 스트립형 캐리어 부재(13)는 서로 평행하게 캐리어(5)상에 도포됨으로써, 반도체 몸체(3)가 규칙적 정사각형 격자(12)로 배치된다.
도 1a에 따른 실시예에서 반도체 몸체(3)는 동일한 종류로 형성된다. 특히, 반도체 몸체(3)는 동일한 종류의 스펙트럼을 가진 복사를 방출하며, 바람직하게는, 그 색 위치가 CIE 표색계의 백색 영역에 위치한다. 이를 위해, 반도체 몸체(3)는 예를 들면 전방측(6)에서 1개 또는 2개의 파장 변환층(29, 35)을 포함하고, 이는 도 4a 및 4b에 의거하여 상세히 설명되는 바와 같다.
캐리어(5)는 예를 들면 히트 싱크로서 역할하는 금속 코어 회로 기판을 가리킬 수 있다. 더욱 바람직하게는, 캐리어(5)는 적어도 반도체 몸체(3)사이에 또는 캐리어 부재(13)사이에서 반사 필름(14)으로 덮인다.
도 1b의 실시예에 따른 LCD 디스플레이는 도 1a의 실시예에 따른 조명 장치(1)를 포함한다. 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)은 조명 장치(1)의 복사 방출 전방측(7)을 향해있다.
방출 방향(8)에서 반도체 몸체(3) 다음으로, 캐리어(5)에서 약 30 mm로 측정된 간격(D)을 두어 확산판(9)이 설치된다. 바람직하게는, 확산판(9)의 두께는 1 mm이상 3 mm이하이다. 방출 방향(8)에서 확산판(9) 다음으로, 복수 개의 광학층(10) 및 액정을 포함한 LCD층(2)이 배치된다. 광학층(10)이란 예를 들면 구조화된 플라스틱층을 가리키며, 바람직하게는 150 ㎛과 300 ㎛사이의 두께를 가진다. 일반적으로, 광학층(10)의 역할은 조명 장치(1)의 복사를 집속하는 것이다. LCD층(2)에 컬러 필터(5)가 더 통합된다. 본 경우에, LCD 디스플레이의 측벽(11)은 반사성으로 형성된다.
도 1a 및 1b에 따른 조명 장치(1)는 2개의 파장 변환 물질(30, 31)을 더 포함하고, 상기 파장 변환 물질은 반도체 몸체의 방출 방향(8)에서 상기 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)보다 뒤에 배치된다. 개관상의 이유로 파장 변환 물질(30, 31)은 도 1a 및 1b에 도시되어 있지 않다.
제1파장 변환 물질(30)은 반도체 몸체(3)의 활성 영역(33)으로부터 생성된 제1파장 영역의 복사를 상기 제1파장 영역과는 다른 제2파장 영역의 복사로 변환하기에 적합한 반면, 제2파장 변환 물질(31)은 제1파장 영역의 복사를 상기 제1 및 제2파장 영역과는 다른 제3파장 영역의 복사로 변환하기에 적합하다.
파장 변환 물질(30, 31)은 예를 들면 1개 또는 2개의 파장 변환층(29, 35)에 위치하여 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)에 도포될 수 있고, 이는 도 4a 및 4b에 의거하여 상세히 설명되는 바와 같다. 또한, 하나의 파장 변환 물질(30, 31)은 파장 변환층(29, 35)에, 다른 파장 변환 물질(30, 31)은 몰딩부(32)에 포함될 수도 있다.
파장 변환 물질(30, 31)은 1개 또는 2개의 파장 변환층(29, 35)의 일부로서 다른 위치에서 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)보다 뒤에 배치되고, 예를 들면 확산판(9)상에 또는 광학층들(10) 사이에 배치될 수 있다.
도 2a에 따른 조명 장치(1)는 도 1a의 실시예에 따른 조명 장치(1)와 달리 반도체 몸체(3)를 포함하고, 상기 반도체 몸체는 광전 소자(4)의 일부이다. 본 경우에 상기 광전 소자는 발광다이오드이다. 도 2a에 따른 조명 장치(1)에서 사용될 수 있는 것과 같은 광전 소자(4)는 도 3a 내지 3c 및 5에 상세히 설명된다.
이하, 반복을 피하기 위해, 도 2a에 따른 조명 장치(1)와 도 1a에 따른 조명 장치(1) 사이의 현저한 차만 기술된다. 다른 설명이 없는 한, 도 2a에 따른 조명 장치(1)의 나머지 특징은 도 1a에 따른 조명 장치(1)의 특징과 동일하게 형성된다.
도 2a에 따른 실시예에서, 광전 소자(4)는 각각 개별 캐리어 부재(13)상에 도포된다. 캐리어 부재(13)는 캐리어(5)상에 도포되되, 광전 소자(4)가 규칙적인 정사각형 격자(12)를 형성하도록 도포된다. 광전 소자(4)는 상호 간에 약 80 mm의 간격(d)을 가진다.
도 2b의 실시예에 따른 LCD 디스플레이는 도 2a의 실시예에 따른 조명 장치(1)를 포함한다. 도 2b에 따른 LCD 디스플레이의 나머지 요소 및 특징은 도 1b에 따른 LCD 디스플레이의 경우와 실질적으로 동일하게 형성되며, 반복을 피하기 위해 이하에서 더 이상 설명하지 않는다. 도 1b에 따른 LCD 디스플레이와 달리, 도 2b에 따른 LCD 디스플레이의 확산판(9)은 캐리어(5)에 대해 더 큰 간격을 가지며, 즉 약 50 mm의 간격을 가진다.
동일한 종류의 반도체 몸체(3) 또는 동일한 종류의 반도체 몸체(3)를 포함한 광전 소자(4)를 복사원으로서 조명 장치(1)에 사용하고, 상기 복사원은 동일한 종류의 스펙트럼을 가진 복사를 방출하며, 그 색 위치는 CIE 표색계의 백색 영역에 위치하는 경우에, 유리하게는, 조명 장치(1) 또는 그러한 조명 장치(1)를 포함한 디스플레이의 높이는 줄어들 수 있는데, 다양한 색의 복사원을 포함한 조명 장치(1)와 달리 색 혼합을 위한 높이가 제공될 필요가 없기 때문이다.
예를 들면 도 2a의 조명 장치(1) 또는 도 2b의 LCD 디스플레이에 사용될 수 있는 것과 같은 광전 소자(4)는 이하에서 도 3a 내지 3c에 의거하여 상세히 설명된다.
도 3a 내지 3c의 실시예에 따른 광전 소자(4)는 리세스(19)를 포함한 소자 하우징(18)을 포함하고, 상기 리세스에 반도체 몸체(3)가 실장된다. 반도체 몸체(3)는 전방측(6)으로부터 제1파장 영역의 전자기 복사를 방출하기에 적합하다. 반도체 몸체(3)는 복사 방출 전방측(6)에 대향된 후방측(20)에서 리세스(19)의 구조화된 금속 배선(21)상에 도포되되, 반도체 몸체(3)와 금속 배선(21)간의 전기 전도 연결이 발생하도록 도포된다. 또한, 반도체 몸체(3)의 전방측(6)은 본딩 와이어(22)를 이용하여 금속 배선(21)의 다른 부분과 전기 전도적으로 연결된다. 금속 배선(21)은 상기 금속 배선의 측면에서 볼 때 각각 전기 전도적으로 소자 하우징(18)의 외부 연결 스트립(23)과 연결되며, 이때 금속 배선(21)의 구조화는 구동 중의 단락을 방지한다.
반도체 몸체(3)의 방출 방향(8)에서 반도체 몸체(3) 다음으로, 소자 하우징(18)상에 광학 부재(24)가 도포된다. 본 경우에, 광학 부재(24)란 렌즈를 가리키며, 상기 렌즈의 경우 복사 출사면(25)은 오목한 곡면 부분 영역(26) 및 상기 오목한 부분 영역(26)을 광학축(27)에 대한 간격을 두며 적어도 부분적으로 둘러싸는 볼록한 곡면 부분 영역(28)을 포함하고, 이때 광학 부재(24)의 광학축(27)은 오목한 곡면 부분 영역(26)을 관통한다. 반도체 몸체(3)는 광학축(27)에 대해 중심을 맞추어(centered) 배치된다.
도 3a 내지 3c에 따른 소자(4)에서, 렌즈(27)는 별도로 제조되며 소자 하우징(18)상에 안착된다.
도 3a 내지 3c에 따른 광전 소자(4)의 반도체 몸체(3)는 파장 변환층(29)을 더 포함하고, 상기 파장 변환층은 2개의 파장 변환 물질(30, 31)을 포함한다. 파장 변환 물질(30, 31)은 개관상의 이유로 도 3a에 표시되지 않는다.
도 3a 내지 3c의 실시예에 따른 광전 소자(4)는 몰딩부(32)를 더 포함하고, 상기 몰딩부는 파장 변환층(29)을 포함한 반도체 몸체(3)를 둘러싸고, 본 경우에 리세스(19)를 완전히 채운다. 몰딩부(32)는 예를 들면 실리콘 또는 에폭시와 같은 매트릭스 물질을 포함한다.
도 3a 내지 3c의 광전 소자(4) 또는 도 1a에 따른 조명 장치에 사용될 수 있는 반도체 몸체(3)는 이하에서 도 4a에 따른 실시예에 의거하여 상세히 기술된다.
도 4a의 실시예에 따른 반도체 몸체(3)는 제1파장 영역의 복사를 생성하기에 적합한 활성 영역(33)을 포함한다. 활성 영역(33)은 에피택시얼 성장된 반도체 층 시퀀스의 일부이며, 바람직하게는, 복사 생성을 위해 pn 접합, 이중이종구조, 단일 양자 우물 또는 더욱 바람직하게는 다중 양자 우물 구조(MQW)를 포함한다. MQW 구조에 대한 예는 문헌 WO 01/39282, US 5,831,277, US 6,172,382 B1, US 5,684,309에 기술되어 있으며, 그 공개 내용은 참조로 포함된다.
본 경우에, 반도체 몸체(3)는 질화물 화합물 반도체 물질계이고, 청색 스펙트럼 영역의 복사를 생성하기에 적합하다. 반도체 몸체(3)는 구동 시 전방측(6)으로부터 제1파장 영역의 복사를 방출하고, 상기 제1파장 영역은 청색 복사를 포함한다.
도 4a의 실시예의 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)에 파장 변환층(29)이 직접 접촉하며 도포된다. 파장 변환층(29) 및 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)은 공통의 경계면을 형성한다.
파장 변환층(29)은 제1파장 영역의 복사를 상기 제1파장 영역과는 다른 제2파장 영역의 복사로 변환하기에 적합한 제1파장 변환 물질(30)을 포함한다. 또한, 파장 변환층(29)은 제1파장 영역의 복사를 상기 제1 및 제2파장 영역과는 다른 제3파장 영역의 복사로 변환하기에 적합한 제2파장 변환 물질(31)을 포함한다.
도 4a의 실시예에 따른 반도체 몸체(3)는 청색 스펙트럼 영역으로부터의 복사를 방출하기에 적합하다. 제1파장 영역은 청색 스펙트럼 영역의 복사를 포함한다. 청색 복사를 생성하기 위해, 예를 들면 질화물 화합물 반도체 물질계인 반도체 몸체(3)가 적합하다.
본 경우에, 제1파장 변환 물질(30)은 제1파장 영역의 청색 복사를 녹색 복사로 변환하기에 적합하다. 이 경우, 제2파장 영역은 녹색 스펙트럼 영역의 복사를 포함한다. 이를 위해, 예를 들면, 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트가 파장 변환 물질(30)로서 적합하다.
본 경우에, 제2파장 변환 물질(31)은 제1파장 영역의 청색 복사를 적색 스펙트럼 영역의 복사로 변환하기에 적합하다. 제3파장 영역은 적색 스펙트럼 영역의 복사를 포함한다. 이를 위해, 예를 들면 유로퓸 도핑된 규소질화물은 파장 변환 물질(31)로서 적합하다.
바람직하게는, 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트 및 유로퓸 도핑된 규소질화물의 상호간 비율은 (각각 질량비와 관련하여) 0.8이상 1.2이하이며, 더욱 바람직하게는 0.9이상 1.1이하이다.
본 경우에, 도 4a에 따른 반도체 몸체(3)상의 파장 변환층(29)은 제1파장 변환 물질(30)을 이용하여 제1파장 영역의 청색 복사의 일부를 제2파장 영역의 녹색 복사로 변환하고, 제2파장 변환 물질(31)을 이용하여 제1파장 영역의 청색 복사의 다른 일부를 제3파장 영역의 적색 복사로 변환하는 반면, 제1파장 영역의 청색 복사의 일부는 변환되지 않은 채로 파장 변환층(29)을 투과한다. 도 3a 내지 3c에 따른 파장 변환층(29) 또는 광전 소자(4)는 제1파장 영역의 청색 복사, 제2파장 영역의 녹색 복사 및 제3파장 영역의 적색 복사를 포함한 혼합 복사를 방출한다. 상기 광전 소자는 도 4a에 따른 반도체 몸체(3)를 포함한다. 바람직하게는, 이러한 혼합 복사의 색 위치는 CIE 표색계의 백색 영역에 위치한다.
본 경우에, 도 1에 따른 조명 장치(1)에 포함되는, 도 3a 내지 3c의 광전 소자(4)는 그 색 위치에 따라 분류된다. 즉, 파장 변환층(29)으로부터 반도체 몸체(3) 또는 광전 소자(4)로 방출되는 혼합 복사의 색 위치는 바람직하게는 3 SDCM(standard deviation of color matching)을 포함한 맥아담 타원의 내부에 위치한다. 바꾸어 말하면, 파장 변환층(29) 또는 광전 소자(4)로부터 방출된 혼합 복사의 색 위치는 소정의 값에 비해 3 SDMC보다 더 많이 오차가 나진 않는다.
도 4a의 실시예에서, 제1파장 변환 물질(30) 및 제2파장 변환 물질(31)은 매트릭스 물질(34)에 삽입된다. 매트릭스 물질(34)은 예를 들면 실리콘 및/또는 에폭시를 포함하거나, 이러한 물질 중 하나로 구성되거나, 이러한 물질의 혼합물로 구성될 수 있다.
이하, 반복을 피하기 위해, 도 4a의 실시예에 따른 반도체 몸체(3)와 도 4b의 실시예에 따른 반도체 몸체(3)사이의 차만 기술된다. 도 4b의 반도체 몸체(3)의 나머지 특징은 예를 들면 도 4a의 실시예에 따라 형성될 수 있다.
도 4b의 실시예에 따른 반도체 몸체(3)는 도 4a의 실시예에 따른 반도체 몸체(3)와 달리 2개의 별도의 파장 변환층(29, 35)을 포함하고, 상기 파장 변환층은 각각 하나의 파장 변환 물질(30, 31)을 포함한다. 두 파장 변환 물질(30, 31)은 도 4b의 실시예에서 2개의 별도 파장 변환층(29, 35)에 포함된다. 제1파장 변환 물질(30)은 제1파장 변환층(29)에 포함되고, 상기 파장 변환층은 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)상에 직접 접촉하며 도포된다. 이는, 제1파장 변환층(29)이 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)과 공통의 경계면을 형성하는 것을 의미한다. 제1파장 변환층(29)상에는 제2파장 변환 물질(31)을 포함한 제2파장 변환층(35)이 도포된다.
도 3a 내지 3c에 의거하여 도 4a 및 4b와 관련하여 기술된 바와 같이, 도 1a에 따른 조명 장치(1)에 광원으로서 사용되기에 적합한 광전 소자(4)는 2개의 서로 다른 파장 변환 물질(30, 31)을 포함하고, 상기 파장 변환 물질은 예를 들면 하나의 공통 파장 변환층 또는 2개의 별도 파장 변환층(29, 35)에 포함될 수 있다.
또는, 파장 변환 물질(30, 31)은 반도체 몸체(3)를 둘러싸는 몰딩부(32)에 포함될 수 있다. 또한, 파장 변환 물질(30)은 파장 변환층(29)에 삽입되고, 상기 파장 변환층은 예를 들면 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)상에 배치되며, 다른 파장 변환 물질(31)은 반도체 몸체(3)를 둘러싸는 몰딩부(32)에 삽입될 수 있다.
도 3a 내지 3c에 따른 광전 소자(4)에 포함되는 렌즈(24)는 상기에 기술된 곡면 복사 출사면(25)에 의해, 광전 소자(4)의 방출 특성을 확산시키기에 적합하며, 이는 도 3c의 빔 진행에 의거하여 확인할 수 있다. 특히, 예를 들면 도 4a 및 4b에 의거하여 기술된 바와 같이, 1개 또는 2개의 파장 변환층(29, 35)을 포함한 반도체 몸체(3)는 광학 부재(24)에 마주하여 점복사원을 나타낸다. 이러한 점복사원의 복사는 광학 부재(24)를 통해 큰 입체각에 걸쳐 확산되며, 이는 도 3c의 빔 진행에서 유추할 수 있다.
도 5의 실시예에 따른 광전 소자(4)는 예비 성형된 소자 하우징(18)을 포함하고, 상기 소자 하우징에 리드프레임이 삽입된다. 리드프레임은 2개의 전기 전도 연결 스트립(23)을 포함하고, 상기 연결 스트립은 측면에서 소자 하우징(18)밖으로 돌출되며, 소자(4)의 외부 전기 접촉을 위해 제공된다.
소자 하우징(18)은 리세스(19)를 더 포함하고, 상기 리세스에 복사 방출 반도체 몸체(3)가 배치된다. 복사 방출 반도체 몸체(3)는 복사 방출 전방측(6)에 대향된 후방측(20)에서 리드프레임의 전기 연결 스트립(23)과 전기 전도적으로 연결되고, 예를 들면 땜납 또는 전기 전도 접착제를 이용한다. 또한, 반도체 몸체(3)는 전방측(6)에서 다른 전기 연결 스트립(23)과 전기 전도적으로 본딩 와이어(22)를 이용하여 연결된다.
소자 하우징(18)은 몰딩부(32)를 더 포함하고, 상기 몰딩부는 소자 하우징(18)의 리세스(19)를 채운다. 또한, 몰딩부(32)는 리세스(19)에 걸쳐 렌즈 형태로 아치를 이룬 복사 출사면(25)을 형성한다. 바꾸어 말하면, 광전 소자(4)의 몰딩부(32)는 광학 부재(24)로서 형성되고, 본 경우에 상기 광학 부재는 렌즈이다. 도 3a 내지 3c에 따른 광전 소자(4)와 달리, 광학 부재(24)는 별도로 제조되어 차후에 안착되는 것이 아니라, 광전 소자(4)에 통합된다.
도 5에 따른 반도체 몸체(3)는 박막 반도체 몸체를 가리킨다. 본 경우에, 박막 반도체 몸체는 에피택시얼 성장된 복사 생성 반도체 층 시퀀스를 포함하는 반도체 몸체(3)를 가리키고, 이때 성장 기판은 제거되거나, 또는 상기 성장 기판만으로는 박막 반도체 몸체를 더 이상 충분히 기계적으로 안정화하지 않도록 얇아진다. 더욱 바람직하게는 활성 영역(33)을 포함하는 박막 반도체 몸체의 반도체 층 시퀀스는 바람직하게는 반도체 몸체 캐리어상에 배치되며, 상기 반도체 몸체 캐리어는 반도체 몸체를 기계적으로 안정화하고, 더욱 바람직하게는 반도체 몸체의 반도체 층 시퀀스를 위한 성장 기판과 다르다. 또한 바람직하게는, 반도체 몸체 캐리어와 복사 생성 반도체 층 시퀀스 사이에 반사층이 배치되고, 상기 반사층의 역할은 반도체 층 시퀀스의 복사를 박막 반도체 몸체의 복사 방출 전방측(6)으로 유도하는 것이다. 또한 바람직하게는, 복사 생성 반도체 층 시퀀스의 두께는 20 마이크로미터이하의 범위를 가지며, 특히 10 마이크로미터의 범위를 가진다.
박막 반도체 몸체의 기본 원리는 예를 들면 문헌 I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63, 16, 1993.10.18, 2174-2176쪽에 기술되어 있으며, 그 공개 내용은 이와 관련하여 참조로 포함된다.
리세스(19)의 둘레에서 소자 하우징(18)은 그루브형 리세스(17)를 포함하고, 상기 그루부형 리세스는 리세스(19)로부터 몰딩부(32)가 바깥으로 나오는 것을 적어도 감소시키기 위해 제공된다.
반도체 몸체(3)는 질화물 화합물 반도체 물질계이다. 반도체 몸체는 활성 영역(33)을 구비한 반도체 층 시퀀스를 포함하고, 상기 활성 영역은 청색 스펙트럼 영역으로부터 복사를 방출하기 위해 제공된다. 제1파장 영역은 청색 스펙트럼 영역으로부터의 복사를 포함한다. 또한, 반도체 몸체(3)상에 1개 또는 2개의 파장 변환층(29, 35)이 위치할 수 있고, 이는 도 4a 및 4b에 의거하여 기술된 바와 같다. 또한, 두 파장 변환 물질(30, 31) 중 적어도 하나는 몰딩부(32)의 매트릭스 물질에 삽입될 수 있다.
본 경우에, 몰딩부(32)는 매트릭스 물질로서 UV 경화성 실리콘 물질을 포함한다. 또한, 몰딩부(32)가 상기에 파장 변환층(29, 35)과 관련하여 열거한 매트릭스 물질 중 하나를 포함할 수 있다.
도 6a는 질화물 화합물 반도체 물질 - 본 경우 InGaN - 계인 반도체 몸체(3)의 방출 스펙트럼을 예시적으로 도시하며, 예를 들면 상기 반도체 몸체는 도 4a 및 4b에 따른 실시예에 사용될 수 있는 것과 같다. 반도체 몸체(3)의 방출 스펙트럼은 약 400 nm과 약 500 nm사이의 파장 영역내에서 약 455 nm일 때 최대값을 가지는 피크를 포함한다. 따라서, 제1파장 영역은 약 400 nm과 약 500 nm사이의 영역을 포함하고, 청색 스펙트럼 영역의 복사를 포함한다.
도 6b는 제1파장 변환 물질(30)로서의 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트의 방출 스펙트럼 및 제2파장 변환 물질(31)로서의 유로퓸 도핑된 규소질화물의 방출 스펙트럼을 도시한다. 또한, 도 6b는 도 6a의 방출 스펙트럼을 가진 반도체 몸체(3)의 방출 스펙트럼을 도시하고, 그 복사 방출 전방측(6)은 파장 변환층(29)을 포함하며, 상기 파장 변환층은 제1파장 변환 물질(30)로서 마찬가지로 도 6b에 도시된 방출 스펙트럼을 가진 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트를 포함하고, 제2파장 변환 물질(31)로서 마찬가지로 도 6b에 도시된 방출 스펙트럼을 가진 유로퓸 도핑된 규소질화물을 포함한다. 이러한 방출 스펙트럼은 예를 들면 도 4a의 실시예에 따른 파장 변환층(29, 35) 및 반도체 몸체(3)에 의해 생성될 수 있다.
유로퓸 도핑된 클로로실리케이트의 방출 스펙트럼은 약 460 nm과 약 630 nm사이의 파장 영역내에서 약 510 nm일 때 최대값을 가지는 피크를 포함한다. 따라서, 유료퓸 도핑된 클로로실리케이트로부터 방출된 제2파장 영역은 약 460 nm과 약 630 nm사이의 파장 영역을 포함하며, 녹색 스펙트럼 영역의 복사를 포함한다.
유로퓸 도핑된 규소질화물의 방출 스펙트럼은 약 550 nm과 약 780 nm의 파장 영역내에서 약 600 nm일 때 최대값을 가지는 피크를 포함한다. 따라서, 유로품 도핑된 규소질화물로부터 방출된 제3파장 영역은 약 550 nm과 약 780 nm사이의 파장 영역을 포함하며, 적색 스펙트럼 영역의 복사를 포함한다.
도 6a의 방출 스펙트럼을 가진 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)상에서 도 6b의 방출 스펙트럼을 가진 두 파장 변환 물질(30, 31)을 포함한 파장 변환층(29, 35)은 제1파장 영역의 변환되지 않은 청색 복사, 제2파장 영역의 변환된 녹색 복사, 및 제3파장 영역의 변환된 적색 복사를 포함한 혼합 복사를 방출한다.
마찬가지로, 도 6b에 도시된 혼합 복사의 방출 스펙트럼은 약 400 nm과 약 500 nm사이의 청색 스펙트럼 영역에서 약 455 nm일 때 최대값을 가지는 피크를 포함하고, 상기 피크는 반도체 몸체로부터 생성된 제1파장 영역의 청색 복사의 비율을 포함하고, 상기 청색 복사는 두 파장 변환 물질에 의해 변환되지 않는다. 또한, 혼합 복사의 방출 스펙트럼은 약 460 nm과 약 630 nm사이의 녹색 스펙트럼 영역에서 약 510 nm일 때 최대값을 가진 피크를 포함하고, 상기 피크는 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트에 의해 변환된 제2파장 영역의 복사를 포함한다. 약 550 nm과 약 780 nm 사이에서, 방출 스펙트럼은 약 600 nm일 때 최대값을 가지는 다른 피크를 포함하며, 상기 피크는 유로퓸 도핑된 규소질화물에 의해 변환된 제3파장 영역의 적색 복사를 포함한다.
도 6c는 도 6a의 방출 스펙트럼을 가진 반도체 몸체상에서 파장 변환층의 방출 스펙트럼을 비교용으로 도시하며, 이때 상기 파장 변환층은 단일의 파장 변환 물질만을 포함하고, 본 발명에 따라 제공되는 바와 같은 2개의 다양한 파장 변환 물질을 포함하지 않는다. 파장 변환 물질은 본 경우에 YAG:Ce인데, 그 방출 스펙트럼도 마찬가지로 도 6c에 도시되어 있으며, 상기 파장 변환 물질은 청색 스펙트럼 영역의 복사를 황색 스펙트럼 영역의 복사로 변환하기에 적합하다. 이러한 파장 변환 물질의 방출 스펙트럼은 약 460 nm과 약 730 nm사이의 황색 스펙트럼 영역에서 약 550 nm일 때 최대값을 가지는 피크를 포함한다.
도 6d는 제1실시예에 따른 컬러 필터(15)의 투과 스펙트럼을 도시하며, 상기 컬러 필터는 적색 영역, 녹색 영역 및 청색 영역을 포함한다. 바람직하게는, 상기 컬러 필터는 LCD 디스플레이용이다. 이러한 컬러 필터(15)는 예를 들면 1b 및 2b의 실시예에 따른 디스플레이의 LCD층(2)에 통합될 수 있다. 청색 영역의 투과 스펙트럼은 약 390 nm과 약 540 nm사이의 청색 스펙트럼 영역에서 약 450 nm일 때 최대값을 가지는 피크를 포함한다. 녹색 영역의 투과 스펙트럼은 약 450 nm과 630 nm사이의 녹색 스펙트럼 영역에서 약 530 nm일 때 최대값을 가지는 피크를 포함하는 반면, 적색 영역의 투과 스펙트럼은 약 570 nm과 약 700 nm사이의 적색 스펙트럼 영역에서 약 600 nm과 약 630 nm사이의 평탄역(plateau) 범위를 가지는 피크를 포함한다.
도 6b의 혼합 복사의 방출 스펙트럼, 도 6c의 혼합 복사의 방출 스펙트럼 및 도 6d의 컬러 필터(15)의 투과 스펙트럼의 비교는, 컬러 필터(15)가 도 6c의 혼합 복사에 비해 도 6a의 혼합 복사의 현저히 더 많은 비율을 투과시키는 것을 시사하는데, 상기 도 6a의 혼합 복사는 2개의 파장 변환 물질(30, 31)을 이용하여 생성되고, 상기 도 6c의 혼합 복사는 1개의 파장 변환 물질만을 이용하여 생성된다.
도 6b의 방출 스펙트럼을 가진 혼합 복사는 도 6d의 투과 스펙트럼을 가진 컬러 필터의 적색 영역에 맞춰지되, 제3파장 영역의 적색 복사의 적어도 55%가 컬러 필터의 적색 영역으로부터 투과되도록 맞춰진다. 또한, 컬러 필터의 녹색 영역은 제2파장 영역의 녹색 복사의 적어도 65%를 투과시키고, 청색 영역은 제1파장 영역의 청색 복사의 55%를 투과시킨다. 도 6b의 방출 스펙트럼을 가진 혼합 복사는 도 6d의 투과 스펙트럼을 가진 컬러 필터에 맞춰진다.
도 7은 도 6b의 실시예에 따른 파장 변환 물질(30, 31) 및 반도체 몸체(3)를 포함한 조명 장치(1)의 컬러 삼각형(실선), 그리고 도 6c에 따른 파장 변환 물질 및 반도체 몸체를 포함한 조명 장치의 컬러 삼각형(파선)을 도시한다. 두 컬러 삼각형의 비교를 통해, 2개의 파장 변환 물질을 사용하면 1개의 파장 변환 물질만을 사용하는 경우보다 큰 컬러 삼각형을 얻을 수 있다는 이점을 알 수 있다.
본 특허 출원은 두 개의 독일 특허 출원 10 2008 006975.2 및 10 2008 029191.9의 우선권을 청구하며, 그 공개 내용은 각각 참조로 포함된다.
본 발명은 실시예에 의거한 설명에 의하여 한정되지 않는다. 오히려, 본 발명은 각 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하고, 이는 특히 특허 청구 범위에서 특징들의 각 조합을 포함하며, 비록 이러한 특징 또는 이러한 조합이 그 자체로 명백하게 특허 청구 범위 또는 실시예에 기술되지 않더라도 그러하다.

Claims (15)

  1. 디스플레이의 백라이트용 조명 장치(1)에 있어서,
    제1파장 영역의 전자기 복사를 생성하기에 적합한 적어도 하나의 반도체 몸체(3);
    상기 반도체 몸체의 방출 방향(8)에서 상기 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)보다 뒤에 배치되며, 상기 제1파장 영역의 복사를 상기 제1파장 영역과는 다른 제2파장 영역의 복사로 변환하기에 적합한 제1파장 변환 물질(30); 및
    상기 반도체 몸체의 방출 방향(8)에서 상기 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)보다 뒤에 배치되며, 상기 제1파장 영역의 복사를 상기 제1 파장 영역 및 상기 제2파장 영역과는 다른 제3파장 영역의 복사로 변환하기에 적합한 제2파장 변환 물질(31)을 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1파장 변환 물질 및/또는 상기 제2파장 변환 물질(31, 31)은 파장 변환층(29, 35)에 포함되고, 상기 파장 변환층은 상기 반도체 몸체(3)의 복사 방출 전방측(6)에 직접 접촉하며 도포되는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제1파장 변환 물질 및/또는 상기 제2파장 변환 물질(29, 35)은 몰딩부(32)에 포함되는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1파장 영역은 청색 스펙트럼 영역의 복사를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2파장 영역은 녹색 스펙트럼 영역의 복사를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1파장 변환 물질(30)은 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3파장 영역은 적색 스펙트럼 영역으로부터의 복사를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제2파장 변환 물질(31)은 유로퓸 도핑된 규소질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조명 장치는 상기 제1파장 변환 물질(30)로서 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트를, 상기 제2파장 변환 물질(31)로서 유로퓸 도핑된 규소질화물을 포함하며, 이때 상기 유로퓸 도핑된 클로로실리케이트 대 상기 유로퓸 도핑된 규소질화물의 비율은 0.8이상 1.2이하인 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조명 장치는 CIE 표색계의 백색 영역에서 색 위치를 가지는 복사를 방출하며, 그 방출 스펙트럼은 적색 영역, 녹색 영역 및 청색 영역을 포함한 컬러 필터의 투과 스펙트럼에 맞춰지는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(3), 상기 제1파장 변환 물질(30), 및 상기 제2파장 변환 물질(31)상에 걸쳐서, 광학 부재(24)가 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 광학 부재(24)의 복사 출사면(25)은 오목 곡면 부분 영역(26), 및 상기 오목 부분 영역(26)을 광학축(27)과 간격을 두어 적어도 국부적으로 둘러싸는 볼록 곡면 부분 영역(28)을 포함하고, 이때 상기 광학 부재(24)의 광학축(27)은 상기 오목 곡면 부분 영역(26)을 관통하는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  13. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
    색 위치에 따라 분류되는 복수 개의 반도체 몸체(3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치(1).
  14. 청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 따른 조명 장치(1)를 백라이트용으로 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 디스플레이는 적색 영역, 녹색 영역 및 청색 영역을 가진 컬러 필터를 포함하고, 이때 상기 조명 장치(1)의 방출 스펙트럼은 상기 컬러 필터의 투과 스펙트럼에 맞춰지는 것을 특징으로 하는 디스플레이.
KR1020107019174A 2008-01-31 2009-01-16 디스플레이 백라이팅용 조명 장치 및 그러한 조명 장치를 포함한 디스플레이 KR20100110883A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008006975 2008-01-31
DE102008006975.2 2008-01-31
DE102008029191A DE102008029191A1 (de) 2008-01-31 2008-06-19 Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung eines Displays sowie ein Display mit einer solchen Beleuchtungseinrichtung
DE102008029191.9 2008-06-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100110883A true KR20100110883A (ko) 2010-10-13

Family

ID=40822270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107019174A KR20100110883A (ko) 2008-01-31 2009-01-16 디스플레이 백라이팅용 조명 장치 및 그러한 조명 장치를 포함한 디스플레이

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110141716A1 (ko)
EP (1) EP2238503A1 (ko)
JP (1) JP2011511445A (ko)
KR (1) KR20100110883A (ko)
CN (1) CN102099733A (ko)
DE (1) DE102008029191A1 (ko)
WO (1) WO2009094976A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160053977A1 (en) 2008-09-24 2016-02-25 B/E Aerospace, Inc. Flexible led lighting element
WO2011025175A2 (en) * 2009-08-27 2011-03-03 Lg Electronics Inc. Backlight unit and display device
EP2470948A4 (en) * 2009-08-27 2013-06-26 Lg Electronics Inc OPTICAL ASSEMBLY, BACKLIGHT BLOCK, AND DISPLAY DEVICE
EP2767144B1 (en) 2011-10-12 2017-01-11 B/E Aerospace, Inc. Methods, apparatus and articles of manufacture to calibrate lighting units
US20130334545A1 (en) * 2012-06-13 2013-12-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Surface light source and display device
US9991428B2 (en) 2013-05-17 2018-06-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for the production thereof
CN104006334A (zh) * 2014-05-20 2014-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种背光模组及显示装置
KR20160062803A (ko) * 2014-11-25 2016-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
DE102017102467A1 (de) * 2017-02-08 2018-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Betreiben einer lichtemittierenden Vorrichtung
CN110034226A (zh) * 2019-04-03 2019-07-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Led器件及显示装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1414381A (en) * 1973-01-01 1975-11-19 Gen Electric Co Ltd Luminescent materials
US5684309A (en) 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
CN1964093B (zh) 1997-01-09 2012-06-27 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元器件
US5831277A (en) 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
DE19955747A1 (de) 1999-11-19 2001-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur
DE10026435A1 (de) * 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
US6504179B1 (en) * 2000-05-29 2003-01-07 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluhlampen Mbh Led-based white-emitting illumination unit
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
DE10117889A1 (de) 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
KR100616513B1 (ko) * 2003-11-01 2006-08-29 삼성전기주식회사 적색형광체, 그 제조방법, 이를 이용한 적색 ｌｅｄ소자,백색 ｌｅｄ 소자 및 능동 발광형 액정 디스플레이 소자
DE102004046696A1 (de) 2004-05-24 2005-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Montage eines Oberflächenleuchtsystems und Oberflächenleuchtsystem
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
US7267787B2 (en) * 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
DE102004038199A1 (de) * 2004-08-05 2006-03-16 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED mit niedriger Farbtemperatur
DE102005020908A1 (de) * 2005-02-28 2006-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
US8269410B2 (en) * 2005-03-18 2012-09-18 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
US7791561B2 (en) * 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
US7309151B2 (en) * 2005-04-11 2007-12-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting panel
WO2006126567A1 (ja) * 2005-05-24 2006-11-30 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその利用
US20060268537A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Makoto Kurihara Phosphor film, lighting device using the same, and display device
US7847302B2 (en) * 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
JP2007204730A (ja) * 2005-09-06 2007-08-16 Sharp Corp 蛍光体及び発光装置
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
US20070139957A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Honeywell International, Inc. LED backlight system for LCD displays
US8004002B2 (en) * 2006-01-04 2011-08-23 Rohm Co., Ltd. Thin-light emitting diode lamp, and method of manufacturing the same
US7682850B2 (en) * 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
US7830434B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-09 Intematix Corporation Semiconductor color image sensor responsive at shorter wavelengths
JP2010090231A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Canon Inc 画像表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20110141716A1 (en) 2011-06-16
JP2011511445A (ja) 2011-04-07
CN102099733A (zh) 2011-06-15
EP2238503A1 (de) 2010-10-13
WO2009094976A1 (de) 2009-08-06
DE102008029191A1 (de) 2009-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102469529B1 (ko) 반도체 발광장치
KR20100110883A (ko) 디스플레이 백라이팅용 조명 장치 및 그러한 조명 장치를 포함한 디스플레이
EP3296811B1 (en) Light emitting device
KR101629654B1 (ko) 발광소자 패키지, 백라이트 유닛, 디스플레이 장치 및 조명장치
JP6512321B2 (ja) 発光装置
JP6519311B2 (ja) 発光装置
JP4230777B2 (ja) 発光装置及び車両用表示装置
TWI817708B (zh) 光源
US7719012B2 (en) Light-emitting device and image reading apparatus
JP6668996B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP4876760B2 (ja) 発光装置および白色変換シート
KR20070092677A (ko) 조명 장치 및 이를 구비한 표시 장치
JP2009506557A (ja) オプトエレクトロニクスデバイス
TW201211460A (en) Light emitting device package, light source module, backlight unit, display apparatus, television set, and illumination apparatus
KR20120088273A (ko) 백라이트 유닛 및 그 제조 방법
US20080123023A1 (en) White light unit, backlight unit and liquid crystal display device using the same
KR20120021731A (ko) 양자점을 사용한 백라이트 유닛용 부재 및 그 제조 방법
CN111430526B (zh) 半导体光源
JP2019079873A (ja) 発光モジュールおよび集積型発光モジュール
JP2011159832A (ja) 半導体発光装置
TW201109589A (en) Remote wavelength converting material configuration for lighting
JP2003249112A (ja) 面状発光装置及びそれを用いたディスプレイ装置
KR20170033972A (ko) 광원 장치 및 그를 포함하는 백라이트 유닛
JP2019062116A (ja) 発光装置
KR20120053412A (ko) Ｌｅｄ 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid