KR20100100270A - 지지 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이송 장치 - Google Patents

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KR20100100270A
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blade
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최명호
박진성
박명하
장지숙
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주식회사 코미코
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Abstract

지지 유닛은 이송 블레이드 및 다수의 지지핀들을 포함한다. 이송 블레이드는 웨이퍼를 이송시키기 위하여 웨이퍼의 하부에 배치된다. 지지핀들은 이송 블레이드의 상부면에 체결되어 웨이퍼를 지지하며, 웨이퍼의 스크래치(scratch) 불량을 방지하기 위하여 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진다. 따라서, 스크래치로 인한 웨이퍼 불량률을 감소시킬 수 있다.

Description

지지 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이송 장치{SUPPORTING UNIT AND APPARATUS FOR TRANSFERRING A WAFER INCLUDING THE SAME}
본 발명은 지지 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이송 장치에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼를 지지하는 지지 유닛 및 이를 포함하여 상기 웨이퍼를 이송하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 실리콘 재질의 웨이퍼 상에 전기적인 회로 패턴을 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 회로 패턴이 형성된 웨이퍼의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 검사한 웨이퍼를 절단하여 다수의 칩들을 형성한 후 이 칩들 각각을 리드 프레임과 같이 에폭시 수지로 개별 봉지하는 패키징 공정을 수행하여 제조된다.
상기 회로 패턴은 상기 웨이퍼에 박막을 증착시키는 공정과, 상기 박막 상에 사용자가 원하는 포토레지스트를 패터닝하는 공정과, 상기 패터닝된 포토레지스트의 형상에 대응되도록 상기 박막을 식각하는 공정과, 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하는 공정과, 상기 공정들 사이에서 상기 웨이퍼를 세정하는 공정 등을 수행하여 형성된다.
여기서, 상기의 회로 패턴을 형성하기 위한 공정들은 웨이퍼 이송 장치를 통해 상기 공정들을 수행하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버들로 상기 웨이퍼를 이송하면서 진행된다.
상기 웨이퍼 이송 장치는 구동력을 발생하는 구동 몸체, 상기 구동 몸체와 연결되고 각 공정 챔버의 입구를 통해 상기 웨이퍼를 상기 공정 챔버의 내부로 이동하는 이송암 및 상기 이송암의 단부에 장착되어 상기 웨이퍼의 이면을 지지하는 지지 유닛을 포함한다.
그러나, 상기 지지 유닛은 상기 웨이퍼의 재질인 실리콘보다 경도가 높은 아노다이징(Anodizing) 처리된 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 나이트라이드(TiN) 등의 재질로 이루어져 있으므로, 상기 웨이퍼를 이송하는 도중 상기 웨이퍼의 지지면에 스크래치(Scratch) 불량이 발생시키는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 스크래치 불량을 방지할 수 있는 지지 유닛을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 지지 유닛을 포함하는 웨이퍼 이송 장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 지지 유닛은 이송 블레이드 및 다수의 지지핀들을 포함한다.
상기 이송 블레이드는 웨이퍼를 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼의 하부에 배치된다. 상기 지지핀들은 상기 이송 블레이드의 상부면에 체결되어 상기 웨이퍼를 지지하며, 상기 웨이퍼의 스크래치(scratch) 불량을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진다.
상기 지지핀들은 실리콘 재질의 상기 웨이퍼보다 낮은 경도를 갖는 이트리아(Y2O3) 재질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 이송 블레이드는 상부면에 상기 지지핀들이 삽입되는 핀 삽입홀들을 갖고, 각 핀 삽입홀 안쪽에는 각 지지핀을 상기 이송 블레이드에 접착시키기 위한 접착 물질이 도포될 수 있다.
이에, 각 지지핀은 상기 핀 삽입홀에 삽입될 때 상기 핀 삽입홀 내에 잔존하 는 에어를 수용하기 위하여 중심 부위에 에어홀을 가질 수 있다.
또한, 각 지지핀은 각 핀 삽입홀에 나사산들을 통해 체결될 수 있다.
또한, 각 지지핀은 각 핀 삽입홀을 관통하여 상기 이송 블레이드의 하부면에서 너트를 통해 체결될 수 있다.
한편, 각 지지핀은 상기 이송 블레이드와의 사이에 열압착으로부터 생성된 상변이층을 통하여 체결될 수 있다.
여기서, 상기 지지핀이 이트리아(Y2O3) 재질로 이루어지고, 상기 이송 블레이드가 알루미나(Al2O3) 재질로 이루어질 경우, 상기 상변이층은 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet) 재질로 생성될 수 있다.
또한, 상기 이송 블레이드는 상부면에 돌기들을 갖고, 각 지지핀은 각 돌기가 삽입되는 돌기 삽입홀을 갖고, 상기 돌기는 상기 돌기 삽입홀에 나사산들을 통해 체결될 수 있다.
이에, 상기 돌기 삽입홀의 안쪽에는 상기 돌기를 상기 지지핀에 접착시키기 위한 접착 물질이 도포될 수 있다.
한편, 상기 지지핀들은 상기 웨이퍼의 에지 부위를 지지하도록 상기 이송 블레이드에 체결될 수 있다. 이에, 상기 이송 블레이드는 중심 부위에 상기 웨이퍼를 흡입하기 위한 흡입홀을 가질 수 있다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 다른 특징에 따른 지지 유닛은 이송 블레이드 및 지지판을 포함한다.
상기 이송 블레이드는 웨이퍼를 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼의 하부에 배치되며, 중앙 부위에 개구를 갖는다. 상기 지지판은 상기 개구에서 상기 이송 블레이드와 결합하고, 상기 웨이퍼를 지지하기 위하여 상부면으로부터 돌출된 다수의 돌출부들을 가지며, 상기 웨이퍼의 스크래치(scratch) 불량을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진다.
상기 지지판은 실리콘 재질의 상기 웨이퍼보다 낮은 경도를 갖는 이트리아(Y2O3) 재질을 포함할 수 있다.
한편, 상기 이송 블레이드와 상기 지지판 각각의 결합하는 부위는 상기 지지판과 평행하면서 서로 마주하는 제1 및 제2 면들과 상기 지지판과 수직하면서 서로 마주하는 제3 및 제4 면들을 갖도록 단차를 이룰 수 있다.
이에, 상기 제3 및 제4 면들은 서로 이격되고, 상기 제1 및 제2 면들은 접착 물질을 사이에 도포하여 결합될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 웨이퍼 이송 장치는 이송암, 구동 몸체 및 지지 유닛을 포함한다.
상기 이송암은 챔버의 입구를 통해 상기 챔버의 내부 및 외부에서 작동한다. 상기 구동 몸체는 상기 이송암과 결합하여 상기 이송암에 구동력을 제공한다.
상기 지지 유닛은 상기 이송암의 단부에 장착되며, 상기 이송암의 작동을 통해 웨이퍼를 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼를 지지한다.
이에, 상기 지지 유닛은 상기 이송암과 연결되며 상기 이송암의 작동을 통해 상기 웨이퍼의 하부로 이동하는 이송 블레이드 및 상기 이송 블레이드의 상부면에 체결되어 상기 웨이퍼를 지지하며 상기 웨이퍼의 스크래치(scratch) 불량을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 다수의 지지핀들을 포함한다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 다른 특징에 따른 웨이퍼 이송 장치는 이송암, 구동 몸체 및 지지 유닛을 포함한다.
상기 이송암은 챔버의 입구를 통해 상기 챔버의 내부 및 외부에서 작동한다. 상기 구동 몸체는 상기 이송암과 결합하여 상기 이송암에 구동력을 제공한다.
상기 지지 유닛은 상기 이송암의 단부에 장착되며, 상기 이송암의 작동을 통해 웨이퍼를 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼를 지지한다.
이에, 상기 지지 유닛은 상기 이송암과 연결되며 상기 이송암의 작동을 통해 상기 웨이퍼의 하부로 이동하는 이송 블레이드 및 상기 이송 블레이드의 상부면에 체결되어 상기 웨이퍼를 지지하며 상기 웨이퍼의 스크래치(scratch) 불량을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 다수의 지지핀들을 포함한다.
이러한 지지 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이송 장치에 따르면, 실리콘 재질의 웨이퍼를 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼를 지지하는 지지 유닛에서 상기 웨이퍼를 지지하는 부위를 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 구성함으로써, 상기 웨이퍼를 지지하여 이송할 때 상기 웨이퍼의 지지면에 스크래치 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 상기 웨이퍼의 불량률을 감소시킴으로써, 상기 웨이퍼를 통해 생산되는 반도체 소자의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 지지 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이송 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르 게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치(1000)는 이송 챔버(100), 구동 몸체(200), 이송암(300) 및 지지 유닛(400)을 포함한다.
상기 이송 챔버(100)는 공정 챔버(10)와 인접하게 배치된다. 상기 이송 챔버(100)와 상기 공정 챔버(10)는 서로 마주하는 측벽들의 동일한 위치에 제1 및 제2 입구(110, 12)들을 갖는다. 상기 공정 챔버(10)는 실리콘 재질의 웨이퍼(W)를 대상으로 반도체 소자 제조 공정들을 수행하기 위한 공간을 제공한다.
예를 들어, 상기 공정 챔버(10)에서는 상기 웨이퍼(W)에 박막을 증착시키는 증착 공정, 상기 박막 상에 사용자가 원하는 포토레지스트를 패터닝하는 포토리소그래피 공정, 상기 패터닝된 포토레지스트의 형상에 대응되도록 상기 박막을 식각하는 식각 공정, 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하는 스트립 공정, 상기 웨이퍼(W)의 양면을 세정하는 세정 공정 등이 이루어질 수 있다.
이에, 상기 공정 챔버(10) 내의 상부에는 상기 웨이퍼(W)에 상기 공정들 별로 가스 또는 약액과 같은 케미컬을 제공하는 주입부(14)가 배치될 수 있다. 또한, 상기 공정 챔버(10) 내의 하부에는 상기 웨이퍼(W)를 척킹하는 웨이퍼 척(16)이 배치될 수 있다.
이때, 상기 웨이퍼 척(16)은 상기 공정들을 수행한 웨이퍼(W)를 척킹 상태로부터 해제시키기 위한 다수의 리프트 핀(17)들을 포함한다. 구체적으로, 상기 리프트 핀(17)들은 상기 웨이퍼(W)를 척킹한 상기 웨이퍼 척(16)의 척킹면으로부터 상승하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 척킹면으로 이격시킨다.
상기 구동 몸체(200)는 상기 이송 챔버(100) 내의 하부에 장착된다. 상기 구동 몸체(200)는 실린더(cylinder) 또는 모터(motor)를 포함하여 기계적인 구동력을 발생시킨다.
상기 이송암(300)은 상기 구동 몸체(200)와 연결된다. 상기 이송암(300)은 상기 구동 몸체(200)의 구동력을 통해 수평 방향으로 작동하는 제1 이송암(310) 및 수직 방향으로 작동하는 제2 이송암(320)을 포함한다.
상기 제1 이송암(310)은 상기 제1 및 제2 입구(110, 12)들을 통하여 상기 이송 챔버(100)의 내부 및 상기 공정 챔버(10)의 내부 사이에서 수평 방향으로 작동 한다. 상기 제2 이송암(320)은 상기 구동 몸체(200)와 상기 제1 이송암(310) 사이에 배치되어 수직 방향으로 작동함으로써, 상기 제1 이송암(310)을 수직 방향으로 이동시킨다.
이러한 상기 제1 이송암(310)은 중간이 관절이 구성된 로봇암 구조로 이루어지고, 상기 제2 이송암(320)은 다단 구조로 이루어져 작동할 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 및 제2 이송암(310, 320)들이 모두 다단 구조로 이루어져 작동할 수 있다.
상기 지지 유닛(400)은 상기 제1 이송암(310)의 단부에 장착된다. 상기 지지 유닛(400)은 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 이에, 상기 지지 유닛(400)은 상기 제1 이송암(310)의 작동에 의해 상기 이송 챔버(100)의 내부 및 공정 챔버(10)의 내부를 상기 제1 및 제2 입구(110, 12)들을 통하여 이동하면서 상기 웨이퍼(W)를 이송한다.
상기와 같은 구성에 있어서, 상기 웨이퍼(W)를 대상으로 공정을 진행하는 과정을 간단하게 설명하면, 우선 상기 지지 유닛(400)은 상기 제1 이송암(310)을 통해 외부로부터 상기 웨이퍼(W)를 지지하여 상기 공정 챔버(10)의 내부로 이송한다.
이어, 상기 지지 유닛(400)은 상기 제2 이송암(320)을 통해 하강하여 상기 리프트 핀(17)들에 상기 웨이퍼(W)가 지지되도록 한다. 이어, 상기 지지 유닛(400)은 상기 제1 이송암(310)을 통해 상기 이송 챔버(100)로 이동한다.
이어, 상기 리프트 핀(17)들은 하강하여 상기 웨이퍼(W)가 상기 웨이퍼 척(16)에 척킹되도록 한다. 이어, 상기 주입부(14)를 통해 상기 케미컬을 상기 웨 이퍼(W)에 제공하여 공정을 처리한다.
이어, 상기 웨이퍼(W)를 대상으로 공정이 완료되면, 상기 리프트 핀(17)들을 상승하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 웨이퍼 척(16)의 척킹면으로부터 이격시킨다. 이어, 상기 지지 유닛(400)을 상기 제1 이송암(310)을 통해 상기 웨이퍼(W)의 하부로 이동시킨다.
이어, 상기 지지 유닛(400)을 상기 제2 이송암(320)을 통해 상승하여 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 이어, 상기 지지 유닛(400)은 상기 웨이퍼(W)를 상기 제1 이송암(310)을 통해 상기 이송 챔버(100)의 내부로 이송하여 다음 공정 진행을 위해 대기한다.
이하, 도 2 내지 도 10을 참조하여 상기 지지 유닛(400)에 대한 구체적인 실시예들을 다양하게 설명하고자 한다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 이송 장치의 일 실시예에 따른 지지 유닛을 위에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ′선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 지지 유닛(400)은 이송 블레이드(410) 및 다수의 지지핀(420)들을 포함한다.
상기 이송 블레이드(410)는 상기 제1 이송암(310)과 연결된다. 상기 이송 블레이드(410)는 상기 웨이퍼(W)의 이송을 위하여 상기 웨이퍼(W)의 하부로 상기 제1 이송암(310)을 통해 이동한다.
즉, 상기 웨이퍼(W)는 상기 이송 블레이드(410)의 상부면에 놓여진다. 이에, 상기 이송 블레이드(410)는 상부면에 상기 웨이퍼(W)의 가이드하기 위한 가이드 홈(412)을 갖는다.
상기 이송 블레이드(410)는 내구성 향상을 위하여 비교적 경도가 높은 물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 이송 블레이드(410)는 아노다이징(Anodizing) 처리된 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 나이트라이드(TiN) 등의 재질을 포함할 수 있다. 이중, 알루미나(Al2O3)는 약 10 내지 10.5 Gpa의 경도를 갖는 실리콘보다 높은 약 11.8 내지 16.0 Gpa의 경도를 가질 수 있다.
또한, 상기 이송 블레이드(410)는 중심 부위에 놓여지는 상기 웨이퍼(W)의 움직임을 방지하기 위해 외부로부터 진공압이 제공되어 상기 웨이퍼(W)를 흡입하는 적어도 하나의 흡입홀(414)을 갖는다.
이때, 상기 웨이퍼(W)와 상기 흡입홀(414)의 사이에는 흡입력을 유지하기 위한 실링하는 오링(416)이 배치된다. 이에, 상기 오링(416)은 통상적으로 탄성을 갖는 고무와 같은 재질로 이루어져 있으므로, 흡입력에 의해 상기 웨이퍼(W)가 파손되는 것도 방지할 수 있다.
상기 지지핀(420)들은 상기 이송 블레이드(410)의 상부면에 일부가 돌출되도록 체결된다. 상기 지지핀(420)들은 상기 이송 블레이드(410)의 에지 부위에 체결된다. 상기 지지핀(420)들은 돌출된 부위를 통해서 상기 이송 블레이드(410)에 놓여지는 웨이퍼(W)를 지지한다.
상기 지지핀(420)들은 상기 웨이퍼(W)의 재질인 실리콘보다 경도가 낮은 세라믹 재질로 이루어진다. 일 예로, 실리콘의 경도가 통상적으로 약 약 10.0 내지 10.5 Gpa이므로, 상기 지지핀(420)들은 약 6 내지 6.5 Gpa의 경도를 갖는 이트리아(Y2O3) 재질을 포함할 수 있다.
이와 같이, 상기 지지핀(420)들을 상기 웨이퍼(W)보다 경도가 낮은 물질로 구성함으로써, 상기 지지 유닛(400)에 의하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 이송 챔버(100)의 내부 및 상기 공정 챔버(10)의 내부로 이송할 때 상기 웨이퍼(W)의 지지면에 스크래치(scratch) 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 지지핀(420)은 상부면을 볼록하게 구성하여 상기 웨이퍼(W)와 서로 점 접촉하도록 유도함으로써, 스크래치 불량이 발생될 수 있는 최소한의 가능성도 배제시킬 수 있다.
따라서, 상기 웨이퍼(W)의 불량률을 감소시킴으로써, 상기 웨이퍼(W)를 통해 생산되는 반도체 소자의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
이에, 도 4 내지 도 8을 추가적으로 참조하여 상기 이송 블레이드(410)와 상기 지지핀(420)들의 실시예들을 보다 더 구체적으로 설명하고자 한다.
도 4 내지 도 8은 도 3의 A부분을 확대하여 지지핀의 실시예들을 나타낸 도면들이다.
도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 지지핀(420)들 각각은 이송 블레이드(410)에 삽입되어 체결되는 구조를 갖는다.
이에, 상기 이송 블레이드(410)는 상부면에 소정의 깊이로 가공된 핀 삽입홀(418)들을 갖는다. 또한, 각 핀 삽입홀(418)의 안쪽에는 삽입되는 각 지지 핀(420)을 고정시키기 위하여 상기 지지핀(420)을 접착시키는 접착 물질(425)이 도포된다.
여기서, 상기 접착 물질(425)은 상기 이송 블레이드(410)와 상기 지지핀(420)이 모두 세라믹 재질로 이루어져 있으므로, 통상 알루미나(Al2O3) 계열, 이트리아(Y2O3) 계열, 질화 알루미늄(AlN) 계열 또는 실리콘(SiO2) 계열로 구성될 수 있다.
상기 접착 물질(425)은 최초 수분이 포함된 회반죽 상태로 도포된다. 이러한 접착 물질(425)은 시간이 경과하면서 수분이 증발하여 단단하게 굳음으로써, 상기 지지핀(420)을 상기 핀 삽입홀(418)에서 상기 이송 블레이드(410)에 접착시킨다.
또한, 상기 지지핀(420)은 상기 핀 삽입홀(418)에 삽입될 때 상기 핀 삽입홀(418) 내에 잔존하는 에어에 의해서 완전한 삽입이 불가능한 것을 방지하기 위하여 중심 부위에 에어홀(422)을 갖는다.
즉, 상기 핀 삽입홀(418)에 잔존하는 에어는 상기 에어홀(422)로 수용됨으로써, 상기 지지핀(420)이 상기 핀 삽입홀(418)에 완전하게 삽입되도록 할 수 있다. 또한, 상기 에어홀(422)은 상기 지지핀(420)에 소정의 탄성을 제공함으로써, 상기 핀 삽입홀(418)로의 삽입을 보다 용이하게 할 수 있다.
이와 같이, 상기 이송 블레이드(410)에는 상기 핀 삽입홀(418)들과 상기 지지핀(420)들 각각에는 상기 에어홀(422)을 단순한 가공 공정을 통해 구성함으로써, 상기 지지핀(420)들을 상기 핀 삽입홀(418)들에 체결할 수 있다.
도 5를 참조하면, 다른 실시예에 따른 지지핀(433)들 각각은 이송 블레이드(430)의 핀 삽입홀(431)들에 나사 방식에 따라 체결된다.
즉, 각 지지핀(433)은 외주면을 따라 제1 나사산(434)을 갖고, 상기 이송 블레이드(430)는 각 핀 삽입홀(431) 안쪽의 내주면을 따라 상기 제1 나사산(434)과 맞물리는 제2 나사산(432)을 갖는다.
이때, 상기 핀 삽입홀(431)의 안쪽에는 나사 체결되면서 삽입되는 지지핀(433)을 보다 확실하게 고정시키기 위하여 세라믹 재질로 이루어진 접착 물질(436)이 도포될 수 있다.
한편, 상기 지지핀(433)은 상기 핀 삽입홀(431)로부터 돌출된 머리 부분(435)이 상기 핀 삽입홀(431)의 내경보다 더 크게 구성될 수 있다. 이럴 경우, 상기 머리 부분(435)이 상기 지지핀(433)이 상기 핀 삽입홀(431)에 삽입될 때 스토퍼(stopper) 역할을 수행할 수 있다.
이에, 상기 지지핀(433)들의 길이가 모두 다르게 형성하여도 상기 머리 부분(435)의 길이만 동일하게 가공한다면서 상기 웨이퍼(W)를 수평하게 지지할 수 있다.
이와 같이, 상기 지지핀(433)들이 상기 이송 블레이드(430)의 핀 삽입홀(431)들에 보다 강한 결합력을 보이는 나사 방식에 따라 체결시킴으로써, 상기 지지핀(433)들이 상기 핀 삽입홀(431)로부터 분리될 가능성을 최대한 배제시킬 수 있다.
도 6을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 지지핀(443)들 각각은 이송 블레이 드(440)를 관통하도록 가공된 핀 삽입홀(441)들을 관통하여 상기 이송 블레이드(440)의 하부면에서 너트(446)들을 통해 나사 체결된다.
즉, 각 지지핀(443)은 상기 이송 블레이드(440)의 하부면으로부터 돌출된 부위에 제3 나사산(444)을 갖고, 각 너트(446)는 상기 제3 나사산(444)에 맞물리는 제4 나사산(447)을 갖는다.
각 너트(446)는 각 지지핀(443)의 각 핀 삽입홀(441)을 관통하여 상기 이송 블레이드(440)의 하부면으로부터 돌출된 부위를 외부로부터 보호하기 위하여 캡(cap) 형태로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 너트(446)는 안쪽에 상기 지지핀(443)의 돌출된 부위를 수용하는 수용홈(448)을 갖는다. 이에, 상기 제4 나사산(447)은 상기 수용홈(448)의 안쪽에 가공된다.
또한, 상기 수용홈(448)의 안쪽에는 핀 삽입홀(441)의 안쪽에는 나사 체결되면서 삽입되는 상기 지지핀(443)을 보다 확실하게 고정시키기 위하여 세라믹 재질로 이루어진 접착 물질(449)이 도포될 수 있다.
한편, 상기 너트(446)는 상기 웨이퍼(W)를 대상으로 하는 공정이 고온 상태에서 이루어질 경우 열팽창에 따른 파손을 방지하기 위하여 상기 지지핀(443) 및 상기 이송 블레이드(440)와 유사한 열팽창률을 갖는 재질로 이루어질 필요성이 있다.
예를 들어, 상기 너트(446)는 상기 지지핀(443) 및 상기 이송 블레이드(440)와 같이 세라믹 재질로 이루어질 수 있으며, 특히 이트리아(Y2O3) 또는 알루미 나(Al2O3)로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 이송 블레이드(440)의 핀 삽입홀(441)의 안쪽에 단차(442)를 갖도록 카운터 보링(counter boring) 가공을 하고, 상기 지지핀(443)은 상기 단차(442)에 걸리도록 머리 부분(445a)을 단부에 상기 제3 나사산(444)이 가공된 몸통 부분(445b)보다 큰 외경을 갖도록 가공한다.
이로써, 상기 지지핀(443)을 상기 핀 삽입홀(441)에 삽입할 때 일정 부위만 상기 이송 블레이드(440)의 하부면으로 돌출되도록 할 수 있다. 이와 달리, 단순히 상기 지지핀(443)의 상기 이송 블레이드(440)의 상부면으로 돌출된 부위 만큼만을 상기 머리 부분(445a)으로 함으로써, 상기 머리 부분(445a)이 상기 이송 블레이드(440)의 상부면에 걸리도록 할 수도 있다.
이와 같이, 상기 지지핀(443)들을 상기 이송 블레이드(440)의 핀 삽입홀(441)들에 체결할 때 상기 너트(446)들을 통해 간접적으로 나사 체결시킴으로써, 상기 지지핀(443)들이 직접적인 나사 체결에 의해 손상될 가능성을 배제시킬 수 있다.
도 7을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 지지핀(453)들 각각은 이송 블레이드(450)의 상부면에 고온 상태에서 열압착을 통해 부착되어 체결된다.
예를 들어, 각 지지핀(453)이 이트리아(Y2O3) 재질로 이루어지고, 상기 이송 블레이드(450)가 알루미나(Al2O3)로 이루어져 있을 경우, 상기 지지핀(453)을 상기 이송 블레이드(450)의 상부면에 고온 상태에서 열압착하게 되면 그 접합 부위가 일 부 용융되어 상변이층(455)이 생성된다.
이때, 상기 열압착을 위한 온도는 약 900℃ 미만일 경우에는 접합 부위가 용융되지 않으므로 바람직하지 않고, 약 1100℃를 초과할 경우에는 접합 부위를 포함한 상기 지지핀(453)과 상기 이송 블레이드(450)의 대부분이 용융되므로 바람직하지 않다. 따라서, 상기 열압착을 위한 온도는 약 900℃ 내지 1100℃의 범위에서 설정될 수 있다.
이러한 상변이층(455)은 이트리아(Y2O3) 및 알루미나(Al2O3)의 중간적 성질을 갖는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet; YAG) 재질로 생성될 수 있다.
이에, 상기 지지핀(453)은 상기 상변이층(455)의 강한 결합력을 통해 상기 이송 블레이드(450)의 상부면에 부착되어 체결될 수 있다. 특히, 상기 지지핀(453)들의 개수가 많아질 경우에 상기 지지핀(453)들을 상기 이송 블레이드(450)의 상부면에 한번에 배치시켜 고온에서 열압착시킴으로써, 보다 효율적으로 상기 지지핀(453)들을 체결시킬 수 있다.
또한, 상대적으로 고가인 이트리아(Y2O3) 재질의 상기 지지핀(453)들을 상기 이송 블레이드(450)의 상부면으로부터 돌출된 부위만큼 가공함으로써, 제조 원가를 절감할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
도 8을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 지지핀(463)들 각각은 이송 블레이드(460)의 상부면으로부터 돌출된 부위만큼 가공하여 상기 이송 블레이드(460)의 상부면에 나사 체결된다.
이를 위하여, 상기 이송 블레이드(460)는 상부면의 상기 지지핀(463)들이 체결되는 부위들 각각에 외주면을 따라 제5 나사산(462)이 가공된 돌기(461)들을 갖고, 각 지지핀(463)은 각 돌기(461)와 마주보는 면에 상기 돌기(461)가 삽입되며 내주면을 따라 상기 제5 나사산(462)과 맞물리는 제6 나사산(465)이 가공된 돌기 삽입홀(464)을 갖는다.
이때, 상기 돌기 삽입홀(464)의 안쪽에는 나사 체결되면서 삽입되는 상기 돌기(461)를 보다 확실하게 고정시키기 위하여 세라믹 재질로 이루어진 접착 물질(467)이 도포될 수 있다.
이와 같이, 상기 지지핀(463)들 각각을 최소의 부피로 제작하여 제조 원가를 절감시킴과 동시에, 간단한 나사 체결 방식에 따라 상기 이송 블레이드(460)의 상부면에 체결시킬 수 있다.
도 9는 도 1에 도시된 웨이퍼 이송 장치의 다른 실시예에 따른 지지 유닛을 절단하여 일부를 분해한 단면도이고, 도 10은 도 9의 B부분을 확대한 도면이다.
도 1, 도 9 및 도 10을 참조하면, 다른 실시예에 따른 지지 유닛(500)은 이송 블레이드(510) 및 지지판(520)을 포함한다.
상기 이송 블레이드(510)는 상기 제1 이송암(310)과 연결되며, 상기 웨이퍼(W)의 이송을 위하여 상기 웨이퍼(W)의 하부로 이동한다. 상기 이송 블레이드(510)는 상부면에 놓여지는 상기 웨이퍼(W)를 가이드하기 위한 가이드홈(512)을 갖는다.
상기 이송 블레이드(510)는 중앙 부위에 개구(514)를 갖는 프레임 구조를 갖는다. 상기 개구(514)는 실질적으로 상기 웨이퍼(W)가 놓여지는 대부분의 영역을 포함하여 형성된다.
상기 지지판(520)은 상기 개구(514)에서 상기 이송 블레이드(510)와 결합한다. 상기 지지판(520)은 상부면에 상기 이송 블레이드(510)의 상부면에 놓여지는 웨이퍼(W)를 지지하기 위하여 돌출된 다수의 돌출부(522)들을 갖는다.
상기 지지판(520)은 상기 웨이퍼(W)의 재질인 실리콘보다 경도가 낮은 세라믹 재질로 이루어진다. 일 예로, 상기 지지판(520)은 이트리아(Y2O3) 재질을 포함할 수 있다.
이와 같이, 상기 지지판(520)을 상기 웨이퍼(W)보다 낮은 경도를 갖는 재질로 구성함으로써, 상기 웨이퍼(W)를 이송할 때 상기 웨이퍼(W)의 지지면에 스크래치(scratch) 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 이송 블레이드(510)와 상기 지지판(520) 각각은 서로 결합하는 부위는 상기 지지판(520)과 평행하면서 서로 마주하는 제1 및 제2 면(516, 524)들과 상기 지지판(520)과 수직하면서 서로 마주하는 제3 및 제4 면(518, 526)들을 갖도록 단차를 이룬다.
상기 제1 및 제2 면(516, 524)들의 사이에는 상기 지지판(520)을 상기 이송 블레이드(510)에 부착시키기 위하여 접착 물질(525)이 도포된다. 여기서, 상기 접착 물질(525)은 상기 이송 블레이드(510)와 상기 지지판(520)과 같이 세라믹 재질 로 이루어질 수 있다.
상기 제3 및 제4 면(518, 526)들은 상기 지지판(520)이 수평 방향으로 소정 움직임이 가능하도록 서로 이격된 구조를 갖는다. 즉, 상기 제3 및 제4 면(518, 526)들 사이에는 에어 갭(air gap)이 형성된다. 이는, 상대적으로 고가인 이트리아(Y2O3) 재질의 지지판(520)과 함께 상기 웨이퍼(W)를 외부 충격으로부터 보호하기 위해서이다.
구체적으로, 상기 웨이퍼(W)를 지지한 지지판(520)이 부착된 이송 블레이드(510)가 상기 이송 챔버(100)의 제1 입구(110) 또는 상기 공정 챔버(10)의 제2 입구(12)에 부딪힐 경우, 상기 이송 블레이드(510)가 파손되어도 상기 지지판(520)과 상기 웨이퍼(W)는 상기 지지판(520)의 수평 방향으로의 소정 움직임에 의해 그 파손을 방지할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은 지지 유닛의 웨이퍼를 지지하는 부위를 상기 웨이퍼보가 경도가 낮은 물질로 구성함으로써, 상기 웨이퍼에 스크래치(scratch) 불량이 발생 되는 것을 방지하면서 상기 웨이퍼를 이송하는 이송 장치에 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 이송 장치의 일 실시예에 따른 지지 유닛을 위에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ′선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4 내지 도 8은 도 3의 A부분을 확대하여 지지핀의 실시예들을 나타낸 도면들이다.
도 9는 도 1에 도시된 웨이퍼 이송 장치의 다른 실시예에 따른 지지 유닛을 절단하여 일부를 분해한 단면도이다.
도 10은 도 9의 B부분을 확대한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
W : 웨이퍼 10 : 공정 챔버
12 : 제2 입구 100 : 이송 챔버
110 : 제1 입구 200 : 구동 몸체
300 : 이송암 400, 500 : 지지 유닛
410, 430, 440, 450, 460, 510 : 이송 블레이드
420, 433, 443, 453, 463 : 지지핀
425, 436, 449, 467, 525 : 접착 물질
431, 441 : 핀 삽입홀 514 : 개구
520 : 지지판 522 : 돌출부
1000 : 웨이퍼 이송 장치

Claims (17)

  1. 웨이퍼를 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼의 하부에 배치되는 이송 블레이드; 및
    상기 이송 블레이드의 상부면에 체결되어 상기 웨이퍼를 지지하며, 상기 웨이퍼의 스크래치(scratch) 불량을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 다수의 지지핀들을 포함하는 지지 유닛.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지핀들은 이트리아(Y2O3) 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이송 블레이드는 상부면에 상기 지지핀들 각각이 삽입되는 삽입홀들을 갖는 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  4. 제3항에 있어서, 각 삽입홀의 안쪽에는 각 지지핀을 상기 이송 블레이드에 접착시키기 위한 접착 물질이 도포된 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  5. 제3항에 있어서, 각 지지핀은 상기 삽입홀에 삽입될 때 상기 삽입홀 내에 잔존하는 에어를 수용하기 위하여 중심 부위에 에어홀을 갖는 것을 특징으로 하는 지 지 유닛.
  6. 제3항에 있어서, 각 지지핀은 각 삽입홀에 나사산들을 통해 체결되는 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  7. 제3항에 있어서, 각 지지핀은 각 삽입홀을 관통하여 상기 이송 블레이드의 하부면에서 너트를 통해 나사 체결되는 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  8. 제1항에 있어서, 각 지지핀은 상기 이송 블레이드와의 사이에서 열압착을 통하여 생성된 상변이층에 의해서 체결되는 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  9. 제8항에 있어서, 상기 지지핀이 이트리아(Y2O3) 재질로 이루어지고, 상기 이송 블레이드가 알루미나(Al2O3) 재질로 이루어질 경우, 상기 상변이층은 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet) 재질로 생성되는 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  10. 제1항에 있어서, 상기 이송 블레이드는 상부면에 돌기들을 갖고, 각 지지핀은 각 돌기가 삽입되는 삽입홀을 갖고, 상기 돌기는 상기 삽입홀에 나사산들을 통해 체결되는 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  11. 제10항에 있어서, 상기 삽입홀의 안쪽에는 상기 돌기를 상기 지지핀에 접착시키기 위한 접착 물질이 도포된 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  12. 제1항에 있어서, 상기 지지핀들은 상기 이송 블레이드의 에지 부위에체결되고, 상기 이송 블레이드는 중심 부위에 상기 웨이퍼를 흡입하기 위한 흡입홀을 갖는 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  13. 웨이퍼를 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼의 하부에 배치되며, 중앙 부위에 개구를 갖는 이송 블레이드; 및
    상기 개구에서 상기 이송 블레이드와 결합하고, 상기 웨이퍼를 지지하기 위하여 상부면으로부터 돌출된 다수의 돌출부들을 가지며, 상기 웨이퍼의 스크래치(scratch) 불량을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 지지판을 포함하는 지지 유닛.
  14. 제13항에 있어서, 상기 지지판은 이트리아(Y2O3) 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  15. 제13항에 있어서, 상기 이송 블레이드와 상기 지지판 각각의 결합하는 부위는 상기 지지판과 평행하면서 서로 마주하는 제1 및 제2 면들과 상기 지지판과 수 직하면서 서로 마주하는 제3 및 제4 면들을 갖도록 단차를 이루며,
    상기 제3 및 제4 면들은 서로 이격되고, 상기 제1 및 제2 면들은 접착 물질을 사이에 도포하여 결합되는 것을 특징으로 하는 지지 유닛.
  16. 챔버의 입구를 통해 상기 챔버의 내부 및 외부에서 작동하는 이송암;
    상기 이송암과 결합하여 상기 이송암에 구동력을 제공하는 구동 몸체; 및
    상기 이송암의 단부에 장착되며, 상기 이송암의 작동을 통해 웨이퍼를 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼를 지지하는 지지 유닛을 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 이송암과 연결되며, 상기 이송암의 작동을 통해 상기 웨이퍼의 하부로 이동하는 이송 블레이드; 및
    상기 이송 블레이드의 상부면에 체결되어 상기 웨이퍼를 지지하며, 상기 웨이퍼의 스크래치(scratch) 불량을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 다수의 지지핀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.
  17. 챔버의 입구를 통해 상기 챔버의 내부 및 외부에서 작동하는 이송암;
    상기 이송암과 결합하여 상기 이송암에 구동력을 제공하는 구동 몸체; 및
    상기 이송암의 단부에 장착되며, 상기 이송암의 작동을 통해 웨이퍼를 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼를 지지하는 지지 유닛을 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 이송암과 연결되며, 상기 이송암의 작동을 통해 상기 웨이퍼의 하부로 이동하는 이송 블레이드; 및
    상기 개구에서 상기 이송 블레이드와 결합하고, 상기 웨이퍼를 지지하기 위하여 상부면으로부터 돌출된 다수의 돌출부들을 가지며, 상기 웨이퍼의 스크래치(scratch) 불량을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 지지판을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치.
KR1020090019054A 2009-03-06 2009-03-06 지지 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이송 장치 KR20100100270A (ko)

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KR1020090019054A KR20100100270A (ko) 2009-03-06 2009-03-06 지지 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이송 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101500949B1 (ko) * 2013-05-20 2015-03-10 주식회사 비아트론 유리 기판의 이송 모듈
CN104900559A (zh) * 2014-03-03 2015-09-09 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 承载装置、反应腔室和半导体加工设备
WO2018171169A1 (zh) * 2017-03-23 2018-09-27 京东方科技集团股份有限公司 基板上下料系统、基板上料方法及基板下料方法
WO2019140848A1 (zh) * 2018-01-16 2019-07-25 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 Cigs玻璃基板的传输系统和控制cigs玻璃基板翻转的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101500949B1 (ko) * 2013-05-20 2015-03-10 주식회사 비아트론 유리 기판의 이송 모듈
CN104900559A (zh) * 2014-03-03 2015-09-09 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 承载装置、反应腔室和半导体加工设备
WO2018171169A1 (zh) * 2017-03-23 2018-09-27 京东方科技集团股份有限公司 基板上下料系统、基板上料方法及基板下料方法
WO2019140848A1 (zh) * 2018-01-16 2019-07-25 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 Cigs玻璃基板的传输系统和控制cigs玻璃基板翻转的方法

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