KR20100096747A - 태양전지 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양전지는 비정질 실리콘(Amorphous Silicon, a-Si)층을 포함하는 태양전지에 있어서, 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도는 7.48×1022/cm2 ~ 9.4×1022/cm2일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 비정질 실리콘층을 포함하는 태양전지의 제조방법은 수소 가스(H2)와 실란 가스(SiH4)의 비율이 15:1 ~ 30:1인 분위기에서 비정질 실리콘층을 증착할 수 있다.

Description

태양전지 및 그의 제조방법{Solar Cell and Method for Manufacturing thereof}
본 발명은 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지(Solar Cell)는 빛을 전기로 변환하는 소자로서, p-n접합을 포함한다.
일반적으로 외부에서 광이 입사되면, 입사되는 광에 의해 태양전지의 반도체 내부에서 전자와 정공의 쌍이 형성되고, 내부에서 발생한 전기장에 의해 전자는 n형 반도체로 이동하고, 정공은 p형 반도체로 이동함으로써 전력을 생산할 수 있다.
태양전지는 사용되는 재료에 따라 크게 실리콘 계, 화합물 계, 유기물 계 태양전지로 구분할 수 있다.
아울러, 실리콘 계 태양전지는 반도체의 상(Phase)에 따라 결정 실리콘(Crystalline Silicon, C-Si) 태양전지와 비정질 실리콘(Amorphous Silicon, A-Si) 태양전지로 구분될 수 있다.
한편, 비정질 실리콘 태양전지와 같이 비정질 실리콘 재질을 사용하는 태양전지는 그 두께는 얇아질 수 있으나, 효율이 낮은 문제점이 있다.
본 발명은 비정질 실리콘(Amorphous Silicon, A-Si)층의 Si-Si 결합(Si-Si bond)의 밀도를 조절하여 효율의 감소를 억제하는 태양전지 및 그의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 태양전지는 비정질 실리콘(Amorphous Silicon, A-Si)층을 포함하는 태양전지에 있어서, 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도는 7.48×1022/cm2 ~ 9.4×1022/cm2일 수 있다.
또한, 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도는 7.8×1022/cm2 ~ 9×1022/cm2일 수 있다.
또한, 비정질 실리콘층 내부의 Si-H 결합의 밀도는 Si-Si 결합의 밀도보다 낮을 수 있다.
또한, 비정질 실리콘층 내부의 Si-H 결합의 밀도는 불포화 결합(Dangling Bond)의 밀도보다 높을 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지는 기판과, 기판에 배치되는 제 1 전극과, 제 2 전극 및 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치되며, 비정질 실리콘층을 포함하는 광전변환부를 포함할 수 있다.
또한, 광전변환부는 적어도 1층의 p-i-n 구조의 비정질 실리콘 광전변환부를 포함할 수 있다.
또한, 광전변환부는 비정질 실리콘 재질의 광전변환부와 미세 결정 실리콘 재질의 광전변환부를 포함할 수 있다.
또한, 비정질 실리콘 재질의 광전변환부와 미세 결정 실리콘 재질의 광전변환부의 사이에는 투명전극층이 더 배치될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 비정질 실리콘층을 포함하는 태양전지의 제조방법은 수소 가스(H2)와 실란 가스(SiH4)의 비율이 15:1 ~ 30:1인 분위기에서 비정질 실리콘층을 증착할 수 있다.
또한, 수소 가스(H2)와 실란 가스(SiH4)의 비율이 17:1 ~ 28:1인 분위기에서 비정질 실리콘층을 증착할 수 있다.
본 발명에 따른 태양전지 및 그의 제조방법은 비정질 실리콘층의 내부에서 Si-Si 결합의 밀도를 조절함으로써 광전 변환 효율의 감소를 향상시키는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 태양전지 및 그의 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지의 일례에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 살펴보면, 본 발명에 따른 태양전지는 기판(100), 기판(100)의 상부 에 배치되는 전면전극(110), 전면전극(110)의 상부에 배치되는 광전변환부(120)와 그리드(Grid) 전극(130), 광전변환부(120)의 상부에 배치되는 후면전극(140)을 포함할 수 있다.
여기서, 전면전극(110)은 기판(100)에 배치되고, 외부로부터 입사되는 광으로 전력을 생산하는 광전변환부(120)는 전면전극(110)과 후면전극(140)의 사이에 배치되며, 아울러 광전변환부(120)는 비정질 실리콘층을 포함할 수 있다. 여기서, 전면전극(110)을 제 1 전극(First Electrode)라 하고, 후면전극(140)을 제 2 전극(Second Electrode)라 하는 것도 가능하다.
기판(100)은 다른 기능성층들이 배치될 수 있는 공간을 마련할 수 있다. 아울러, 기판(100)은 입사되는 광(Light)이 광전변환부(120)에 보다 효과적으로 도달하도록 하기 위해 실질적으로 투명한 재질, 예컨대 유리 또는 플라스틱 재질로 이루어질 수 있다.
전면전극(110)은 입사되는 광의 투과율을 높이기 위해 실질적으로 투명하면서도 전기 전도성을 갖는 재질을 포함하는 것이 가능하다.
그리드 전극(130)은 광전변환부(120)의 광전변환 효율의 저하를 방지하기 위해 전면전극(110)의 상부에서 광전변환부(120)가 배치되지 않는 다른 부분에 배치될 수 있다.
후면전극(140)은 광전변환부(120)가 발생시킨 전력의 회수 효율을 높이기 위해 전기 전도성이 우수한 금속 재질을 포함할 수 있다.
광전변환부(120)는 외부로부터 입사되는 광을 전기로 변환할 수 있다.
이를 위해, 광전변환부(120)는 p형 비정질 실리콘층(121)과 n형 비정질 실리콘층(123)을 포함하며, 아울러 p형 비정질 실리콘층(121)과 n형 비정질 실리콘층(123)의 사이에 i형 비정질 실리콘층(122)을 더 포함할 수 있다.
이러한 구조에서, p형 비정질 실리콘층(121)으로 광이 입사되면 i형 비정질 실리콘층(122)의 내부에서는 상대적으로 높은 도핑 농도를 갖는 p형 비정질 실리콘층(121)과 n형 비정질 실리콘층(123)에 의해 공핍(depletion)이 형성되고, 이에 따라 전기장이 형성될 수 있다.
그리고 입사되는 광에 의해 i형 비정질 실리콘층(122)의 내부에서 생성된 전자-정공쌍은 내부 전기장에 의한 드리프트(Drift)에 의해 n형 비정질 실리콘층(123)과 p형 비정질 실리콘층(121)으로 이동함으로써 전력이 생산될 수 있다.
한편, 본 발명에 적용될 수 있는 태양전지는 비정질 실리콘층을 포함하는 것을 제외하고는 특별히 제한되지 않는다.
예를 들면, 도 1에서는 p형 비정질 실리콘층(121), i형 비정질 실리콘층(122), n형 비정질 실리콘층(123)이 차례로 적층된 pin 타입 태양전지의 일례만을 도시하고 있지만, pin-pin 타입도 적용될 수 있는 것이다.
또는, 비정질 실리콘층 이외에 미세결정(Micro-Crystalline) 실리콘층을 더 포함하는 경우도 가능하다.
또는, 광전 변환 효율을 높이기 위해 광전변환부(120)에 texturing을 형성하는 경우도 가능할 수 있다.
도 2는 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도에 대해 설명하기 위한 도 면이다.
도 2에는 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도와 효율의 관계에 대한 데이터가 도시되어 있다.
도 2를 살펴보면, 비정질 실리콘층을 포함하는 태양전지의 효율을 향상시키기 위해 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도를 7.48×1022/cm2 ~ 9.4×1022/cm2가 되도록 조절하는 것이 바람직할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 7.8×1022/cm2 ~ 9×1022/cm2가 되도록 조절할 수 있다.
비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도가 7.48×1022/cm2 ~ 7.6×1022/cm2에서는 효율이 대략 7.0%~7.4%로서 높은 수준인 것을 알 수 있다.
또한, 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도가 대략 9.2×1022/cm2 ~ 9.4×1022/cm2인 경우에는 효율이 대략 6.8%~7.4%로서 높은 수준인 것을 알 수 있다.
이를 고려하면, 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도를 7.48×1022/cm2 ~ 9.4×1022/cm2가 되도록 조절하는 것이 비정질 실리콘층을 포함하는 태양전지의 효율을 향상시키는데 바람직할 수 있다는 것을 알 수 있다.
아울러, 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도가 대략 7.8×1022/cm2 ~ 9×1022/cm2인 경우에는 효율이 대략 8.4%~9.4%로서 충분히 높은 수준인 것을 알 수 있다.
이를 고려하면, 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도를 7.8×1022/cm2 ~ 9×1022/cm2가 되도록 조절하는 것이 비정질 실리콘층을 포함하는 태양전지의 효율을 향상시키는데 더욱 바람직할 수 있다는 것을 알 수 있다.
한편, 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도가 대략 5.4×1022/cm2 ~ 7.2×1022/cm2인 경우에는 효율이 대략 1.5%~3.5%정도로 매우 낮은 수준인 것을 알 수 있다.
이러한 경우에는, 비정질 실리콘층 내부에서 Si-Si 결합의 개수가 과도하게 적기 때문에 Si 입자들 중 Si-Si 결합을 이루지 않는 Si 입자들이 다수 존재하게 된다. 이와 같이, Si 입자들 중 Si-Si 결합을 이루지 않는 Si 입자들은 Si-Dangling bond 또는 Si-H bond를 형성하게 되는데, 이러한 Si-Dangling bond 또는 Si-H bond들은 비정질 실리콘층 내에서 과도하게 많은 경우에 결함(Defect)으로 작용할 수 있기 때문에, 태양전지의 효율이 저하될 수 있는 것이다.
또한, 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도가 대략 9.6×1022/cm2이상인 경우에는 효율이 대략 3.5%정도로 매우 낮은 수준인 것을 알 수 있다.
이러한 경우에는, 비정질 실리콘층 내부에서 Si-Si 결합의 개수가 과도하게 많기 때문에, 오히려 비정질 실리콘층 내부에서 수소(H) 입자의 양이 과도하게 적 을 수 있다.
비정질 실리콘층 내부에서 수소(H)는 태양전지의 효율을 결정하는 변수 중 하나로서 그 양이 과도하게 적은 경우에는 오히려 태양전지의 효율이 낮아질 수 있다.
아울러, 태양전지의 효율을 고려하면 비정질 실리콘층 내부에서 수소의 양이 과도하게 적은 경우는 바람직하지 않으며, Si-Si 결합의 개수는 충분히 많아야 한다. 또한, 비정질 실리콘층 내부에서 결함인 불포화 결합(Dangling Bond)의 개수는 작은 것이 유리하다.
아울러, 비정질 실리콘층 내부에서 수소는 Si 입자와 결합하여 Si-H bond를 형성할 수 있다. 또한, 비정질 실리콘층 내부에서 불포화 결합은 Si 입자와 결합하여 Si-Dangling bond를 형성할 수 있다.
따라서 태양전지의 효율을 고려하면, 비정질 실리콘층 내부에서 Si-H 결합의 밀도는 Si-Si 결합의 밀도보다 낮은 것이 바람직할 수 있으며, 아울러 Si-H 결합의 밀도는 불포화 결합(Dangling Bond)의 밀도보다 높은 것이 바람직할 수 있다.
다음, 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법에 대해 도 3을 첨부하여 설명한다.
도 3은 수소 가스와 실란 가스의 비율에 따른 Si-Si 결합의 밀도에 대해 설명하기 위한 도면이다.
본 발명에 따른 태양전지에서 비정질 실리콘층은 플라즈마 화학증착(PECVD) 공법을 이용하여 제조될 수 있는데, 이때 소스 가스(Source Gas)로서 수소(H2)가스와 실란(SiH4)가스가 사용될 수 있다.
아울러, 소스 가스로 사용되는 수소(H2)가스와 실란(SiH4)가스의 비율을 조절함으로써 비정질 실리콘층 내부에 포함되는 Si-Si 결합의 밀도를 조절할 수 있다.
자세하게는, 도 3의 경우와 같이 수소(H2)가스와 실란(SiH4)가스의 비율(H2/SiH4)이 대략 40~50인 경우 증착되는 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도는 대략 5.6×1022/cm2 ~ 6.57×1022/cm2인 것을 알 수 있다.
이러한 경우는 앞선 도 2에서 살펴보면 바와 같이, 비정질 실리콘층 내부에서 Si-Si 결합의 밀도가 과도하게 낮아서 효율이 낮은 경우이다.
또한, 수소(H2)가스와 실란(SiH4)가스의 비율(H2/SiH4)이 대략 2인 경우 증착되는 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도는 대략 10.2×1022/cm2인 것을 알 수 있다.
이러한 경우는, 비정질 실리콘층 내부에서 Si-Si 결합의 밀도가 과도하게 높아서 효율이 낮은 경우이다.
반면에, 수소(H2)가스와 실란(SiH4)가스의 비율(H2/SiH4)이 대략 15~30인 경우 증착되는 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도는 대략 7.50×1022/cm2인 ~ 9.18×1022/cm2인 것을 알 수 있다.
이러한 경우는 태양전지의 효율이 높은 수준인 것을 도 2에서 알 수 있다.
또한, 수소(H2)가스와 실란(SiH4)가스의 비율(H2/SiH4)이 대략 17~28인 경우 증착되는 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도는 대략 7.81×1022/cm2인 ~ 8.99×1022/cm2인 것을 알 수 있다.
이러한 경우는, 도 2에서와 같이 태양전지의 효율이 충분히 높은 수준이다.
이를 고려하면, 비정질 실리콘층의 제조 공정 시 수소 가스(H2)와 실란 가스(SiH4)의 비율이 15:1 ~ 30:1인 분위기에서 비정질 실리콘층을 증착하는 것이 바람직할 수 있고, 더욱 바람직하게는 수소 가스(H2)와 실란 가스(SiH4)의 비율이 17:1 ~ 28:1인 분위기에서 비정질 실리콘층을 증착하는 것이 유리할 수 있다.
이상에서는 소스 가스로서 수소 가스(H2)와 실란 가스(SiH4)를 사용하는 PECVD 공법만을 예로 들어 설명하였지만, 수소 가스(H2)와 실란 가스(SiH4)를 사용하여 비정질 실리콘층을 형성하는 공법이라면 어떠한 방법이라도 적용할 수 있을 것이다. 예컨대, Photo-CVD, 열선 CVD 공법 등도 적용될 수 있을 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 태양전지의 또 다른 구조의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 4에는 비정질 실리콘층(421, 422, 423)을 포함하는 또 다른 구조의 태양 전지의 일례가 도시되어 있다.
도 4와 같이, 본 발명에 따른 태양전지는 기판(400), 기판(400)의 상부에 배치되는 후면전극(440), 후면전극(440)의 상부에 배치되는 광전변환부(420), 광전변환부(420)의 상부에 배치되는 전면 전극(410), 전면 전극(410)에 배치되는 그리드(Grid) 전극(430)을 포함할 수 있다.
이러한 구조의 태양전지에서는 광전변환부(420)는 기판(400)과 가까운 순서로 n형 비정질 실리콘층(423), i형 비정질 실리콘층(422), p형 비정질 실리콘층(421)을 차례로 포함할 수 있다.
아울러, 기판(400)과 반대 방향에 배치되는 전면 전극(410) 쪽에서 광이 입사되면, 광전변환부(420)에서 입사되는 광을 전력으로 변환시킬 수 있다.
이와 같이, 도 4와 같은 구조에서는 전면 전극(410) 쪽에서 광이 입사되기 때문에 기판(400)이 실질적으로 투명할 필요는 없다. 이에 따라 유리 재질, 플라스틱 재질 이외에 불투명한 금속 재질의 기판(400)을 사용하는 것도 가능할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지는 투과하는 광을 후면에서 반사할 수 있는 반사층(미도시)을 더 구비하는 것도 가능할 수 있다.
상기와 같이, 본 발명에 따른 태양전지는 적어도 1층의 p-i-n 구조의 비정질 실리콘 광전변환부를 포함할 수 있다. 앞선 도 1과 도 4에서는 광전변환부가 p-i-n구조의 비정질 실리콘 광전변환부인 경우를 설명하였다.
도 5 내지 도 7은 복수의 광전변환부를 포함하는 구조의 일례를 설명하기 위 한 도면이다.
먼저, 도 5를 살펴보면 본 발명에 따른 태양전지(10)는 제 1 p형 비정질 실리콘층(501)과 제 1 n형 비정질 실리콘층(503)을 포함하며, 아울러 제 1 p형 비정질 실리콘층(501)과 제 1 n형 비정질 실리콘층(503)의 사이에 구비된 제 1 i형 비정질 실리콘층(502)을 포함하는 제 1 광전변환부(500) 및 제 2 p형 비정질 실리콘층(511)과 제 2 n형 비정질 실리콘층(513)을 포함하며, 아울러 제 2 p형 비정질 실리콘층(511)과 제 2 n형 비정질 실리콘층(513)의 사이에 구비된 제 2 i형 비정질 실리콘층(512)을 포함하는 제 2 광전변환부(510)를 포함할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 태양전지(10)는 p-i-n 구조의 비정질 실리콘 광전변환부(도 5에서는 제 1, 2 광전변환부)를 복수개 포함할 수 있는 것이다. 아울러, 도시하지는 않았지만 본 발명에 따른 태양전지(10)는 p-i-n 구조의 비정질 실리콘 광전변환부를 3개 이상 포함하는 것도 가능할 수 있다.
이와 같이, p-i-n 비정질 실리콘 구조의 제 1 광전변환부(500)와 제 2 광전변환부(510)를 포함하면, 광의 흡수율을 높일 수 있고, 이에 따라 광전변환 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지(10)는 도 6의 경우와 같이 비정질 실리콘 재질의 제 1 광전변환부(500)와 미세 결정 실리콘(nc-Si) 재질의 제 2 광전변환부(510)를 포함할 수 있다.
제 1 광전변환부(500)는 p형 비정질 실리콘층(501), n형 비정질 실리콘층(503) 및 i형 비정질 실리콘층(502)을 포함할 수 있고, 제 2 광전변환부(510)는 p형 미세 결정 실리콘층(511)과 n형 미세 결정 실리콘층(513) 및 i형 미세결정 실리콘층(512)을 포함할 수 있다.
미세 결정 실리콘 재질의 제 2 광전변환부(510)는 결정 실리콘 재질과 비정질 실리콘 재질의 중간적인 성질을 갖는다. 이에 따라, 제 2 광전변환부(510)는 제 1 광전변환부(500)에 비해 상대적으로 낮은 밴드갭 전압을 가질 수 있다.
제 1 광전변환부(500)는 상대적으로 단파장 대역의 광을 흡수하여 전력을 생산할 수 있고, 제 2 광전변환부(510)는 상대적으로 장파장 대역의 광을 흡수하여 전력을 생산할 수 있다.
따라서 도 6의 경우와 같이 비정질 실리콘 재질의 제 1 광전변환부(500)와 미세 결정 실리콘(nc-Si) 재질의 제 2 광전변환부(510)를 함께 포함하게 되면, 광 흡수 대역을 넓힐 수 있고, 이에 따라 광전변환 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지(10)는 도 7의 경우와 같이 비정질 실리콘 재질의 제 1 광전변환부(500)와 미세 결정 실리콘 재질의 제 2 광전변환부(510)의 사이에 구비된 투명전극층(700)을 더 포함할 수 있다.
이러한 투명전극층(700)은 ITO와 같은 실질적으로 투명하면서도 전기 전도성을 갖는 재질로 구성될 수 있다.
이와 같이, 비정질 실리콘 재질의 제 1 광전변환부(500)와 미세 결정 실리콘 재질의 제 2 광전변환부(510)의 사이에 투명전극층(700)을 구비하게 되면, 제 1 광전변환부(500)와 제 2 광전변환부(510)의 사이에 영역에서 전기 저항을 줄일 수 있어서 광전변환 효율을 높일 수 있다.
상기와 같이, 본 발명이 적용될 수 있는 태양전지는 비정질 실리콘층을 포함하는 것이라면 무엇이든지 해당될 수 있다. 예컨대, 비정질 실리콘 단일 접합 태양전지, 비정질/미세결정 실리콘 이종 접합 태양전지, 다중 접합 실리콘 태양전지 등에서 적용될 수 있는 것이다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지의 일례에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도에 대해 설명하기 위한 도면.
도 3은 수소 가스와 실란 가스의 비율에 따른 Si-Si 결합의 밀도에 대해 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 태양전지의 또 다른 구조의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 5 내지 도 7은 복수의 광전변환부를 포함하는 구조의 일례를 설명하기 위한 도면.

Claims (10)

  1. 비정질 실리콘(Amorphous Silicon, A-Si)층을 포함하는 태양전지에 있어서,
    상기 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도는 7.48×1022/cm2 ~ 9.4×1022/cm2인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 비정질 실리콘층 내부의 Si-Si 결합의 밀도는 7.8×1022/cm2 ~ 9×1022/cm2인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 비정질 실리콘층 내부의 Si-H 결합의 밀도는 상기 Si-Si 결합의 밀도보다 낮은 것을 특징으로 하는 태양전지.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 비정질 실리콘층 내부의 Si-H 결합의 밀도는 불포화 결합(Dangling Bond)의 밀도보다 높은 것을 특징으로 하는 태양전지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    기판;
    상기 기판에 배치되는 제 1 전극;
    제 2 전극; 및
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되며, 상기 비정질 실리콘층을 포함하는 광전변환부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 광전변환부는 적어도 1층의 p-i-n 구조의 비정질 실리콘 광전변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 광전변환부는 비정질 실리콘 재질의 광전변환부와 미세 결정 실리콘 재질의 광전변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  8. 제 7 항에 있어서,
    비정질 실리콘 재질의 광전변환부와 상기 미세 결정 실리콘 재질의 광전변환부의 사이에는 투명전극층이 더 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  9. 청구항 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 비정질 실리콘(Amorphous Silicon, A-Si)층을 포함하는 태양전지의 제조방법에 있어서,
    수소 가스(H2)와 실란 가스(SiH4)의 비율이 15:1 ~ 30:1인 분위기에서 상기 비정질 실리콘층을 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 수소 가스(H2)와 상기 실란 가스(SiH4)의 비율이 17:1 ~ 28:1인 분위기에서 상기 비정질 실리콘층을 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
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