KR101182424B1 - 태양 전지 및 태양전지 제조방법 - Google Patents

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Abstract

태양전지 및 태양전지 제조방법을 개시한다. 태양전지는 기판; 및 기판의 하부에 형성되고, Si 또는 SiGe 으로 구성되어 서로 다른 게르마늄 조성비율을 갖는 복수의 반도체층들을 포함하는 광흡수층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 게르마늄 조성의 급격한 변화에 의해 야기될 수 있는 스트레스 및 결정결함을 최소화하고, 보다 효율적인 광흡수가 가능하게 한다.
태양전지, 실리콘, 게르마늄, p-형 반도체, i-형 반도체, n-형 반도체

Description

태양 전지 및 태양전지 제조방법{Solar cell and solar cell manufacturing method}
본 발명은 태양전지 및 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 특히, 실리콘-게르마늄(SiGe) 박막 태양전지에 있어 게르마늄의 조성비율을 서서히 변화하도록 광흡수층을 구성함으로써, 스트레스 및 결정결함을 최소화한 태양전지에 관한 것이다.
본 발명은 지식경제부 및 정보통신진흥연구원의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2008-F-025-01, 과제명: 전기적 점프(Current Jump)를 이용한 신소자 기술].
지구상의 화석연료가 고갈되어가고 있고, 또한 화석연료의 사용으로 인해 지구환경의 오염이 심각해지고 있다.
이에 따라, 에너지 문제는 지구 상에서 급히 해결해야 할 가장 중요한 문제로 대두되고 있다. 이에 따라 화석연료를 대체할 수 있는 청정한 신 재생 에너지에 대한 요구가 절실해지고 있는데 가장 유망한 것이 바로 태양광이다. 태양광은 태양과 지구가 존재하는 한 지속적으로 공급되며, 또한 대기오염을 일으키지 않는 가장 이상적인 재생 에너지이다.
태양전지는 태양광을 흡수하여 전기로 바꾸는 전지를 말하는데, 이러한 태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지가 있으며, 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하 태양전지라 한다)를 일컫는다.
이러한, 태양전지는 정공에 의해 전도가 발생하는 p-형 반도체와 전자에 의해 전도가 발생하는 n-형 반도체를 접합시켜 빛에 의하여 전자와 정공 전하가 생성되어 전류가 흐르게 되면서 광기전력(photovoltaic effect)이 발생되는 원리를 이용하여 전력을 획득한다.
하지만 아직까지 태양전지에 의한 에너지 생산 단가는 화력, 수력, 원자력 발전에 비해 훨씬 높아서, 생산 단가가 낮고 쉽게 설치 가능하며, 차지하는 면적 대비 고효율의 생산이 가능해야 한다는 숙제를 안고 있다.
현재 가장 많이 생산 판매되고 있는 태양전지는 벌크형 실리콘 태양전지인데, 현재 태양전지 시장의 90% 가량을 차지하고 있다. 그러나 벌크형 실리콘 태양전지는 Si 소재의 공급 부족이 예상되고, 또한 보다 저가의 태양전지가 요구됨에 따라 박막 태양전지의 개발이 가속화되고 있는 추세이다.　
2007년 현재 박막 태양전지 시장은 전체 태양전지 시장의 11.6% 수준이며, 그 종류로는 유리, 금속 등의 기판 위에 Si 박막을 채용한 Si 박막태양전지, CuInGaSe (CIGS)계, CdTe계 박막 태양전지, 염료감응형 태양전지, 유기물 박막태양 전지 등이 있으며, 2010년경 시장 점유율은 비정질 Si 박막 태양전지가 무기물계 박막 태양전지 시장의 57.5%, CdTe계가 24.4%, CIS/CIGS계가 18.1% 정도를 차지할 것으로 예상되고 있다.
박막 태양전지는 Si 기판 상에 제조하는 벌크형 실리콘 태양전지에 비해 매우 적은 량 사용되므로 재료비 부담이 적어서, 비정질 실리콘 태양전지의 Si 사용량은 벌크형 Si의 1/100 수준이며, 또한 기판의 대형화를 통해 제조비용을 줄이는 것이 가능하다.
도 1은 실리콘 태양 전지의 기술별 제조비용과 광변환효율을 제시한 것으로, 2007년 8월에 한국 에너지 기술원에서 발표한 자료이다.
도 1을 참조할 때, 박막 태양전지는 전기전환 효율이 8 % 정도로서 벌크형 Si 태양전지 (단결정 17%, 다결정 14%)에 크게 뒤져있는 실정이다.
실리콘 박막 태양전지의 전지 생산 가격을 낮추고 설치 비용을 줄이는 방법은 결국 태양전지의 광변환 효율을 향상시키는 일과 깊게 연관되어 있다. 특히 우리나라와 같이 국토면적이 좁은 경우 태양전지의 면적이 곧 비용에 해당하기 때문에 더욱 그렇다.
실리콘 박막 태양전지의 효율을 증가시키는 방법은 크게 광흡수층인 반도체 층의 결정성 등 특성을 개선하는 방법, 실리콘 광흡수층에 제3의 물질을 더하여 광흡수율을 증가시키는 방법, 그 외 전자-정공 등의 캐리어를 소비하는 계면의 결함들을 줄이는 방법 등을 생각할 수 있다.
태양광은 가장 강도가 센 가시광선을 비롯하여 자외선, 적외선을 포함하고 있는데, 태양광의 광흡수층으로 사용하고 있는 반도체 들은 거의 1 eV 이상 (파장 <1240nm) 의 밴드갭(bandgap)을 가지고 있다. 단결정 Si 은 1.1eV, GaAs는 1.43eV, CdTe는 1.49eV의 밴드갭(bandgap)을 가진다. 비정질 Si 박막은 1.4 - 1.9 eV 범위 내의 밴드갭을 가진다. 이러한 박막들은 1.4 eV 이하의 적외선 영역의 빛을 효과적으로 활용하기 어려우므로 이 보다 낮은 밴드갭(bandgap)을 가진 소재에 관심을 가지게 되는데, 대표적인 소재가 Ge (단결정의 경우 0.67eV) 이다. 이러한 이유로 Si 태양전지에 이어서 SiGe 태양전지가 관심을 끌고 있다.
구조를 변형하여 SiGe 박막 태양전지의 효율을 높이기 위한 시도로서는 Si p-n 다이오드 접합의 space charge 영역 내에 quantum well 구조를 흡수율이 우수한 active base 영역으로 도입하여 제조하는 기술이 제시되어 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 실리콘-게르마늄(SiGe) 박막 태양전지에 있어 게르마늄의 조성비율을 서서히 변화하도록 광흡수층을 구성함으로써 스트레스 및 결정결함을 최소화시킨 구조의 태양전지를 제공하는 데에 있다.
상기의 기술적 과제를 이루기 위한, 본 발명에 의한 태양전지는 기판; 및 기판의 하부에 형성되고, Si 또는 SiGe로 구성되어 서로 다른 게르마늄 조성비율을 갖는 복수의 반도체층들을 포함하는 광흡수층을 포함한다.
상기의 기술적 과제를 이루기 위한, 본 발명에 의한 태양전지 제조방법은 기판을 형성하는 단계; 기판 위에 Si 또는 SiGe으로 구성된 반도체층을 증착하는 단계; 및 이전에 증착된 반도체층의 게르마늄 조성비율과 다른 게르마늄 조성비율을 갖는 적어도 하나 이상의 반도체층을 순차적으로 증착하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 태양전지의 광흡수층의 게르마늄의 조성비율을 서서히 조절하여 결정결함 및 스트레스를 최소화하고, 보다 효율적인 광 흡수를 구현할 수 있다.
상술한 목적, 특징 및 장점들은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 더욱 분명해 질 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략하거나 간략하게 설명하는 것으로 한다.
한편 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.
도 2a 및 2b는 각각 전형적인 실리콘 박막 태양전지와 실리콘-게르마늄 박막태양전지의 구조의 일실시예를 도시한 도면이다.
도 2a를 참조하면, 본 실시예에 따른 실리콘 박막 태양전지(200)는 반사방지막(201), 투명기판(202), 투명전극(203, 207), p-형 실리콘 반도체층(204), i-형(intrinsic) 실리콘 반도체층(205), n-형 실리콘 반도체층(206) 및 금속전극(208)을 포함한다. 또한 도 2b를 참조하면, 본 실시예에 따른 실리콘-게르마늄 박막 태양전지(210)는 도 2a에 도시된 실리콘 박막 태양전지와 유사하나, p-형, i-형 및 n-형의 반도체층으로 구성된 광흡수층(214~216)이 실리콘 이외에 게르마늄을 포함할 수 있다는 차이가 있다. 서 n-SiGe (216) 층은 n-Si 층으로 대체되어 구성될 수도 있다.
실리콘 박막 태양 전지는 벌크형 실리콘 태양전지와는 달리, 광흡수층이 p-형 실리콘 반도체층(204), i-형(intrinsic) 실리콘 반도체층(205), n-형 실리콘 반도체층(206)을 포함하는 다층구조로 구성되어 있고, 이들 중 주로 i-형 반도체 층 이 주 광흡수층으로 기능한다. 이는 도 2b에 도시된 실리콘-게르마늄 박막 태양전지도 마찬가지이다.
투명기판은 대표적으로 유리기판이 사용될 수 있으며, 유리 이외에 스테인리스 스틸(stainless steel)이나 다른 금속 필름, 고분자 필름등과 같은 유연성 기판(flexible substrate)를 사용할 수 있다.
또한, 용도에 따라 세라믹 등의 다른 기판을 사용하여 구현할 수 있다.
불투명한 특성을 가진 기판을 사용할 경우에는 도 2a 및 2b에 도시된 투명기판을 사용한 구조의 역전 구조를 사용하여 구현할 수 있다.
또한, 본 실시예와 달리 투명기판(202)과 투명전극(203) 사이에 반사방지막을 삽입하거나 각 계면의 특성을 개선하기 위한 여러 종류의 버퍼층 등을 삽입하여 구성할 수도 있다.
SiGe 박막 태양전지에 있어서, Ge 조성은 SiGe 제조 조건에 따라 달라지는데, 가장 효율이 높게 얻어지는 실험 조건을 제시하는 연구 등이 진행되어 왔다. 이와 같은 선행 연구들의 경우 Ge 조성비율이 대략 20 %를 초과할 경우 오히려 효율이 감소된다는 점을 발견하였는데, 그 이유는 Ge 조성비율이 높을수록 Si 층과 계면을 이룰 때 Si과 SiGe 간의 lattice mismatch 때문에 계면을 중심으로 많은 결함이 발생하고, SiGe의 박막의 결정성이 저하됨에 따라 계면들과 결함들이 발생한 캐리어들을 포획해서 변환효율을 크게 저하시키기 때문이다.
또한, Si/SiGe 과 같은 이종접합(hetrojunction)의 경우 계면이 carrier를 소멸시키는 결함으로 작용하므로 통상적으로 n-Si/i-SiGe/p-Si 로 구성되는 SiGe 박막 태양전지에 비해 n-Si/Si-graded SiGe/p-SiGe(또는 p-Si/Si-graded SiGe/n-SiGe)　으로 만들 경우 이종접합이 없이 동종접합(homojunction)으로 제조하게 되므로 유리하다. 또한 i-SiGe/n-Si　또는 i-SiGe/p-Si 으로서 i-n 또는 i-p 계면이 형성될 경우 bandgap narrowing 현상이 일어나서 전지 효율에 대해 부정적인 영향을 주지만 동종 접합으로만 형성되게 할 경우 이러한 부정적인 영향을 제거하여 전지 효율을 높일 수 있게 된다.
도 3a은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 구조를 도시한 도면이고, 도 3b는 도 3a에 도시된 태양전지의 광흡수층을 보다 구체적으로 도시한 도면이다.
본 실시예에 따른 실리콘-게르마늄 박막 태양전지(300)는 반사방지막(301), 투명기판(302), 투명전극(303, 307), p-형 실리콘 반도체층(304), i-형(intrinsic) 실리콘-게르마늄 반도체층(305), n-형 실리콘-게르마늄 반도체층(306) 및 금속전극(308)을 포함한다
실리콘-게르마늄 박막 태양전지(300)의 광흡수층은 p-형 실리콘 반도체층(304), i-형(intrinsic) 실리콘-게르마늄 반도체층(305), n-형 실리콘-게르마늄 반도체층(306)을 포함하게 되는데, 본 실시예에 따른 광흡수층은 태양광이 입사하는 방향을 기준으로 가장 가까운 부분의 SiGe 층의 Ge 조성비율이 가장 낮고(Sia1Ge(1-a1)), 가장 먼 부분의 Ge 조성비율이 가장 높도록(Sia4Ge(1-a4)) 구성된다. 또한 a1은 1이 될 수 있어서 (Sia1Ge(1-a1)) 영역은 Si 영역이 될 수 있다. 즉 a1>a2>a3>a4의 순서로 조성이 점진적으로 변하도록 구성되어야 한다. 여기서 a1, a2, a3, a4 등의 표현은 해당 지역 층의 평균적인 조성비율을 의미하며, 이 층이 4개의 층으로 구성되었다는 것을 의미하지 않는다.
즉, 이러한 Ge 조성비율의 변화는 투명기판(즉, 태양광이 입사하는 방향)을 기준으로 보았을 때, 투명기판과의 거리(즉, 태양광이 입사하는 거리)가 증가할수록, Ge 조성비율이 증가하는 양상을 갖게 된다.
본 실시예에 따를 때, Ge 조성비율이 가장 적은 부분의 밴드갭이 가장 크고 Ge 조성비율이 클수록 밴드갭이 작아져서 밴드갭이 서서히 줄어들게 된다. 이러한 구조의 장점은 Ge 조성비율이 서로 다른 박막을 여러 층 다층으로 제작하는 경우에 비해 계면이 없으므로 캐리어를 포획 소모할 가능성이 크게 줄어든다는 점이다. 이와 같은 점진적이고 연속적인 조성기울기를 가지는 SiGe 층은 도 3a에 도시된 단일 접합(single junction)구조의 태양전지 이외에도 이중 접합(double junction), 삼중접합(triple junction) 태양전지 등의 다중 접합 태양전지에 모두 사용될 수 있다.
여기에서의 다중접합 구조란, p-형의 반도체층; n-형의 반도체층; 및 p-형의 반도체층과 n-형의 반도체층 사이에 위치하는 i-형의 반도체층을 포함하는 p-i-n-단위구조가 반복적으로 배열되어 형성된 구조를 가리킨다.
도 4는 도 3a 및 3b에 도시된 태양전지의 밴드갭을 도시한 도면이다. 도 4를 참조하면, 밴드갭의 크기는 Eg(Si)>Eg(a1)>Eg(a2)>Eg(a3)>Eg(a4)>Eg(b1)의 순서로 점점 작아지도록 형성된다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 불투명기판을 사용한 경우의 태양전지의 구조를 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양전지는 도 3b 에 도시된 구조의 역전 구조, 즉 불투명 기판(501) 위에 반사막(502), 금속 전극(503), n-형의 SiGe 반도체층(504), i-형의 SiGe 반도체층(505), p-형의 Si 반도체층(506), 투명전극(507), 및 패턴된 금속전극(508) 순으로 형성된 구조를 갖는다.
여기에서 p-형의 Si 반도체층(506)은 i형의 SiGe 반도체층(505)의 게르마늄 조성비율보다 낮은 게르마늄 조성비율을 갖는 p-형의 SiGe 반도체층으로 대체될 수 있으며, 또한 i-형의 SiGe 반도체층(505) 역시 도 3b에 도시된 것과 같이 조성이 점진적으로 변하는 형태로 구현될 수 있다.
이 때에도, 도 3a 및 도 3b에 도시된 실시예와 마찬가지로, 광흡수층은 태양광이 입사하는 방향을 기준으로 가장 가까운 부분의 SiGe 층의 Ge 조성비율이 가장 낮고, 가장 먼 부분의 Ge 조성비율이 가장 높도록 구성된다. 따라서, n형의 SiGe 반도체층(504)는 i형의 SiGe 반도체층(505) 중 가장 게르마늄 조성이 높은 영역과 동일하거나 더 높은 게르마늄 조성비율을 갖는다.
즉, 도 3a 및 도 3b에 도시된 실시예의 경우에는 기판과의 거리가 증가함에 따라 Ge 조성비율이 증가하도록 구성되는 반면에, 도 5에 도시된 실시예의 경우에는 기판의 위치가 태양광이 입사하는 방향을 기준으로 봤을 때 반대로 변경됨에 따라, 기판과의 거리가 증가함에 따라 Ge 조성비율이 감소하도록 구성된다.
도 6a는 일반적인 실리콘-게르마늄 삼중접합 박막 태양전지의 구조를 도시한 도면이고, 도 6b는 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘-게르마늄 삼중접합 박막 태양전지의 구조를 도시한 도면이다.
즉, 도 6b는 도 6a에 도시된 실리콘-게르마늄 삼중접합 박막 태양전지에 조성비율을 서서히 증가하는 형태의 조성기울기를 가지는 실리콘-게르마늄(SiGe)층을 적용한 실시예이다.
도 6b를 참조하면, 태양전지의 광흡수층을 구성하는 각 박막들의 조성을 점차적으로 Si으로부터 SiGe으로 변화하도록 제작할 수 있다. 이 때 p-type(p-), intrinsic (i-), n-type(n-) 박막들이 모두 Ge 조성이 다른 SiGe 박막으로 제조할 수도 있는데, 그 경우에도 역시 광 입사방향에서 가장 가까운 박막의 Ge 조성이 가장 작고, 가장 깊은 곳에 형성된 박막의 Ge 조성이 가장 크도록 제조하면 된다.
도 6b와 같은 실리콘-게르마늄 이중접합 또는 그 이상의 다중접합 박막 태양전지의 경우에는 태양광 입사 방향에서 가까운 쪽일수록 Ge 조성이 작은 박막이 위치하고 태양광 입사방향에서 먼 쪽에 Ge 조성비율이 더 큰 SiGe 박막이 위치하도록 구성하면 된다.
예컨대, 도 6b와 같이 i-SiGe 층부터 Ge 조성기울기를 가지도록 구성한다면, a1은 1 일수도 있다. 즉 해당 층의 처음에는 Si 만으로 막이 만들어지다가 Ge을 첨가하기 시작하는데, a1>a2가 되도록 구성하고 그 다음 n-SiGe 층도 Ge 조성기울기를 가지거나 또는 단일 조성의 SiGe 층으로 구성할 수 있는데, 적어도 a2>b1이 되어야 하고, 연이어 제조되는 p- Sib2Ge(1-b2)도 n-Sib1Ge(1-b1) 층과 같은 조성으로서 단 일조성이거나 Ge 조성이 더 많은 층으로서 연속적 Ge 기울기를 가지는 층으로 구성한다. b1≥b2 를 만족하여야 한다. 그 다음 i-SiGe 층은 역시 a3>a4 가 되도록 구성하고, 그 다음 n-Sib3Ge(1-b3) 층은 단일 조성의 SiGe이거나 Ge 조성기울기를 가지는 SiGe 층으로 구성되며, b1≥b2>b3 의 조건을 만족한다.
본 실시예를 변형하여, p-Si/i-Si/n-Si//p-Si/i-Si/n-Si//p-Si/i-SiGe(graded)/n-SiGe 등과 같이 Ge의 연속적인 조성기울기를 가지는 박막을 한 층만 포함할 수도 있고, p-Si/i-SiGe(graded)/n-SiGe//p-SiGe/i-SiGe(graded)/n-SiGe//p-SiGe/i-SiGe(graded)/n-SiGe 과 같이 여러 층을 갖도록 구성할 수도 있다.
이와 같은 조성기울기를 가지는 SiGe 박막은 디지털 화학증착법, 상압/감압 화학증착법, 플라즈마 화학증착법 등의 방법으로 증착할 수 있다. 이러한 방법 이외의 박막 증착법도 조성기울기를 가지는 박막의 증착에 이용할 수 있다.
본 실시예에서의 기판은 유리(glass) 이외에도, 금속판(metal plate), 금속박(metal foil), 중합체(polymer), 세라믹(ceramic) 기판 등을 모두 사용할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 박막태양전지에 있어서, 조성기울기를 가지는 실리콘-게르마늄 박막을 제조하는 방법의 흐름을 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 전극을 포함한 기판을 로딩하고(S701), 기판 위에 실리콘 또는 실리콘-게르마늄(SiGe)로 구성된 반도체층을 증착한다(S702).
이전에 증착된 반도체층의 게르마늄 조성비율과 다른 한 게르마늄 조성비율 을 갖는 적어도 하나 이상의 반도체층을 순차적으로 증착하여(S703) 광흡수층을 형성한다. 여기에서 광흡수층은 기판 위에 증착된 반도체층과 순차적으로 증착된 적어도 하나 이상의 반도체층을 포함하는 개념을 가리킨다.
본 실시예에 따르면, 기판이 가시광선 영역의 빛을 투과시키는 투명기판인 경우에는, 이전에 증착된 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높은 게르마늄 조성비율을 갖는 적어도 하나 이상의 반도체층을 순차적으로 증착할 수 있다.
본 실시예에 따른 실리콘-게르마늄 반도체층(박막)은 게르마늄의 조성비율이 조성기울기에 따라 연속적으로 변화하는 특성을 갖도록 제작된다.
예컨대, 반응기체 중에서 Si의 전구체인 SiH4와, Ge의 전구체인 GeH4의 상대적인 조성비율을 서서히 변화시켜 SiGe 박막 내의 Ge 조성비율이 점차 증가하거나 점차 감소하도록 박막을 제조할 수 있다.
이러한 제조방법은 일 예일 뿐이며 기타 다른 제조방법을 적용하여 이러한 방법으로 조성기울기를 가지는 SiGe 박막을 증착한 후 박막을 연이어 증착하는데, 일정한 SiGe 조성을 가지도록 할 경우 SiH4와 GeH4 반응기체의 상대량을 일정하게 유지하고, 조성 기울기를 가지도록 할 경우에는 위에 증착한 SiGe 박막과는 다른 SiGe 조성을 가지도록 증착한다. 여기서 SiH4와 GeH4는 전구체의 대표적인 일례로 제시한 것이며, 다른 종류의 Si, Ge 전구체들에도 같은 방법으로 적용된다.
본 실시예에 따르면, 기판이 가시광선 영역의 빛을 투과시키지 않는 불투명기판인 경우에는, 이전에 증착된 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 낮은 게르마늄 조성비율을 갖는 적어도 하나 이상의 반도체층을 순차적으로 증착할 수 있다.
본 실시예에 따른 순차적 증착 방법으로는 디지털 화학증착법, 상압 화학증착법, 감압 화학증착법, 플라즈마 화학증착법, Hot-wire 등을 이용하여 전구체를 분해하는 열분해 화학 증착법 등을 사용할 수 있다.
이처럼, SiGe 박막 태양전지에서 광흡수층의 Ge 량을 서서히 조절하는 방법, 즉 점진적인 조성기울기를 가지는 구조를 사용하면, 결정 결함과 스트레스를 최소화할 수 있다. 점진적인 조성기울기를 가지도록 SiGe층을 제조할 경우에는 Ge 조성의 급격한 변화에 의해 야기될 수 있는 스트레스를 완화할 수 있어서 결정 결함을 최소화할 수 있으며, Ge 조성이 증가함에 따라 광흡수 깊이가 얕아지므로 보다 효율적인 광흡수가 이루어질 수 있다. 광의 이용을 효과적으로 하기 위해서는 밴드갭이 큰 소재 박막을 광 입사 방향에 가까운 쪽으로 밴드갭이 작은 소재 박막을 광입사 반대 방향으로 배치하면 된다.
이 구조의 장점은 Ge 량이 다른 박막을 복수 개의 층을 가진 다층구조으로 제작하는 경우에 비해 계면이 존재하지 않으므로 캐리어를 포획 소모할 가능성이 크게 줄어든다는 점이다. 이와 같은 점진적인 조성기울기를 가지는 SiGe 층은 단일 접합(single junction) 태양전지뿐만 아니라, 이중 접합(double junction), 삼중접합(triple junction) 태양전지 등의 다중 접합 태양전지에도 활용될 수 있다.
본 실시예에 따른 광흡수층은 연속적인 조성기울기를 갖도록 구성할 수 있을 뿐만 아니라, 제조의 편의상 Ge의 조성비율에 있어서 불연속적인 간격을 갖는 많은 층들을 연이어 증착시킴으로써 구성할 수 있다, 이러한 경우에도 계면이 선명 하게 존재하지 못하므로 결과적으로 연속적인 조성기울기를 갖는 광흡수층과 동일한 효과를 도출할 수 있기 때문이다.
이상과 같이 본 발명은 양호한 실시예에 근거하여 설명하였지만, 이러한 실시예는 이 발명을 제한하려는 것이 아니라 예시하려는 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자라면 이 발명의 기술사상을 벗어남이 없이 위 실시예에 대한 다양한 변화나 변경 또는 조정이 가능함이 자명할 것이다. 그러므로, 이 발명의 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 한정될 것이며, 위와 같은 변화예나 변경예 또는 조정예를 모두 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실리콘 태양 전지의 기술별 제조비용과 광변환효율을 제시한 도면이다.
도 2a 및 2b는 각각 전형적인 실리콘 박막 태양전지와 실리콘-게르마늄 박막태양전지의 구조의 일실시예를 도시한 도면이다.
도 3a은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 구조를 도시한 도면이다.
도 3b는 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 광흡수층을 보다 구체적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지의 밴드갭을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 불투명기판을 사용한 경우의 태양전지의 구조를 도시한 도면이다.
도 6a는 일반적인 실리콘-게르마늄 삼중접합 박막 태양전지의 구조를 도시한 도면이다.
도 6b는 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘-게르마늄 삼중접합 박막 태양전지의 구조를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 박막태양전지에 있어서, 조성기울기를 가지는 실리콘-게르마늄 박막을 제조하는 방법의 흐름을 도시한 도면이다.

Claims (13)

  1. 기판; 및
    상기 기판의 하부에 형성되고, Si 또는 SiGe로 구성되어 서로 다른 게르마늄 조성비율을 갖는 복수의 반도체층들을 포함하는 광흡수층을 포함하고,
    상기 광흡수층의 게르마늄조성비율은 상기 기판과의 거리에 따라 단조증가 또는 단조감소하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광흡수층은 상기 게르마늄 조성비율이 0인 반도체층을 적어도 한 층 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판이 가시광선 영역의 빛을 투과시키는 투명기판인 경우에는,
    상기 광흡수층의 게르마늄조성비율은 상기 기판과의 거리가 증가함에 따라 증가하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광흡수층은
    상기 기판에 인접한 p-형 반도체층;
    상기 p-형 반도체층의 하부에 형성되어 상기 p-형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높은 게르마늄 조성비율을 갖는 i-형 반도체층; 및
    상기 i-형 반도체층의 하부에 형성되어 상기 i-형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높은 게르마늄 조성비율을 갖는 n-형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 i-형 반도체층은 상기 p-형 반도체층과의 거리가 증가함에 따라 증가하는 게르마늄 조성비율을 갖는 복수개의 SiGe층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판이 가시광선 영역의 빛을 투과시키지 않는 불투명기판인 경우에는,
    상기 광흡수층의 게르마늄 조성비율은 상기 기판과의 거리가 증가함에 따라 감소하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 광흡수층은
    상기 기판에 인접한 n-형 반도체층;
    상기 n-형 반도체층의 상부에 형성되어 상기 n-형 반도체층의 게르마늄 조성 비율보다 낮은 게르마늄 조성비율을 갖는 i-형 반도체층; 및
    상기 i-형 반도체층의 상부에 형성되어 상기 i-형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 낮은 게르마늄 조성비율을 갖는 p-형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광흡수층은 p-형 반도체층; n-형 반도체층; 및 상기 p-형 반도체층과 상기 n-형 반도체층 사이에 형성되는 i-형 반도체층을 포함하는 p-i-n-단위구조를 적어도 하나 이상 포함하고,
    상기 i형 반도체층은 동일한 p-i-n-단위 구조에 포함된 p형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높고, 상기 동일한 p-i-n-단위구조에 포함된 n형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 낮은 게르마늄 조성비율을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 p-i-n 단위구조는 상기 기판에 인접한 제1단위구조 및 상기 제1단위구조의 하부에 형성된 제2단위구조를 포함하고, 상기 기판은 가시광선 영역의 빛을 투과시키는 투명기판인 경우에는,
    상기 제2단위구조의 i-형 반도체층의 게르마늄 조성비율이 제1단위구조의 i-형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높은 것을 특징으로 하는 태양전지.
  10. 기판을 형성하는 단계; 및
    상기 기판 위에 Si 또는 SiGe으로 구성된 반도체층을 증착하는 단계; 및
    이전에 증착된 반도체층의 게르마늄 조성비율과 다른 게르마늄 조성비율을 갖는 적어도 하나 이상의 반도체층을 순차적으로 증착하여 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 광흡수층의 게르마늄조성비율은 상기 기판과의 거리에 따라 단조증가 또는 단조감소하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 광흡수층 형성단계는
    상기 기판이 가시광선 영역의 빛을 투과시키는 투명기판인 경우에는,
    상기 이전에 증착된 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높은 게르마늄 조성비율을 갖는 적어도 하나 이상의 반도체층을 순차적으로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 광흡수층 형성단계는
    상기 기판이 가시광선 영역의 빛을 투과시키지 않는 불투명기판인 경우에는,
    상기 이전에 증착된 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 낮은 게르마늄 조성 비율을 갖는 적어도 하나 이상의 반도체층을 순차적으로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 광흡수층 형성단계는 디지털 화학증착법, 상압 화학증착법, 감압 화학증착법, 플라즈마 화학증착법, 열분해 화학 증착법 중에서 적어도 하나 이상의 방법을 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100957679B1 (ko) * 2008-12-15 2010-05-12 주식회사 효성 박막형 태양전지
KR20120012555A (ko) * 2010-08-02 2012-02-10 광주과학기술원 점진적으로 굴절률이 변하는 실리콘 다층 무반사막 및 그 제조방법 및 이를 구비하는 태양전지 및 그 제조방법
CN114690278B (zh) * 2022-04-20 2023-12-01 华中科技大学 一种用于高光谱-激光隐身的多层薄膜

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61234575A (ja) 1985-04-10 1986-10-18 Mitsubishi Electric Corp アモルフアス太陽電池
JPS633471A (ja) 1986-06-23 1988-01-08 Sumitomo Electric Ind Ltd タンデム構造太陽電池
JP2006216624A (ja) 2005-02-01 2006-08-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池及び太陽電池の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61234575A (ja) 1985-04-10 1986-10-18 Mitsubishi Electric Corp アモルフアス太陽電池
JPS633471A (ja) 1986-06-23 1988-01-08 Sumitomo Electric Ind Ltd タンデム構造太陽電池
JP2006216624A (ja) 2005-02-01 2006-08-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池及び太陽電池の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102204479B1 (ko) 2020-01-08 2021-01-19 창원대학교 산학협력단 용접 방법

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