KR20100092209A - 집적회로 보호 장치 - Google Patents

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KR20100092209A KR1020090011486A KR20090011486A KR20100092209A KR 20100092209 A KR20100092209 A KR 20100092209A KR 1020090011486 A KR1020090011486 A KR 1020090011486A KR 20090011486 A KR20090011486 A KR 20090011486A KR 20100092209 A KR20100092209 A KR 20100092209A
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이정섭
최낙권
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엘지이노텍 주식회사
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    • H02M1/42—Circuits or arrangements for compensating for or adjusting power factor in converters or inverters
    • H02M1/4208—Arrangements for improving power factor of AC input

Abstract

본 발명은 교류전압을 공급받아 전력 효율을 교정하는 전력 효율 교정부와, 전력 효율 교정부와 전기적으로 연결되어 전력 효율 교정부에 의해 전력 효율이 교정된 교류전압을 공급받는 트랜스포머와, 전력 효율 교정부 및 트랜스포머와 전기적으로 연결되어 전력 효율 교정부에 공급되는 교류전압이 기준전압보다 작거나 동일할 경우 트랜스포머에 상기 교류전압을 공급하는 교류전압 공급부, 및 전력 효율 교정부 및 트랜스포머와 전기적으로 연결되어 전력 효율 교정부에 공급되는 교류전압이 기준전압보다 과전압일 경우 전력 효율 교정부의 동작을 오프하여 래치시키는 과전압 보호부를 포함하는 집적회로 보호 장치를 제공한다.
Figure P1020090011486
집적회로 보호 장치, 전력 효율 교정부, 교류전압 공급부, 과전압 보호부

Description

집적회로 보호 장치{Apparatus for protecting integrated circuit}
실시예는 집적회로 보호 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 집적회로(Integrated Circuit; IC)는 기판 상에 트랜지스터,다이오드,축전기,저항등 서로 독립된 회로소자들을 내부적으로 서로 연결해 전기회로 내에서 특정한 기능을 수행하도록 한 회로소자들의 집합체였었다.
그러나, 집적회로(Integrated Circuit; IC)는 과전압을 공급받아 동작할 경우, 회로소자들이 파괴되거나 대기전력이 상승하는 문제점이 발생하였다.
실시예에 따른 집적회로 보호 장치는 과전압이 공급될 경우에 보조 회로없이 회로소자들을 보호하면서 대기전력의 상승을 억제할 수가 있어 회로 설계비용을 줄일 수가 있다.
실시예에 따른 집적회로 보호 장치는 교류전압을 공급받아 전력 효율을 교정하는 전력 효율 교정부와, 전력 효율 교정부와 전기적으로 연결되어 전력 효율 교 정부에 의해 전력 효율이 교정된 교류전압을 공급받는 트랜스포머와, 전력 효율 교정부 및 트랜스포머와 전기적으로 연결되어 전력 효율 교정부에 공급되는 교류전압이 기준전압보다 작거나 동일할 경우 트랜스포머에 상기 교류전압을 공급하는 교류전압 공급부, 및 전력 효율 교정부 및 트랜스포머와 전기적으로 연결되어 전력 효율 교정부에 공급되는 교류전압이 기준전압보다 과전압일 경우 전력 효율 교정부의 동작을 오프하여 래치시키는 과전압 보호부를 포함한다.
실시예에 따른 집적회로 보호 장치는 과전압이 공급될 경우에 보조 회로없이 회로소자들을 보호하면서 대기전력의 상승을 억제할 수가 있어 회로 설계비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 집적회로 보호 장치의 등가 회로도를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 집적회로 보호 장치(100)는 전력 효율 교정부(102), 트랜스포머(104), 교류전압 공급부(106), 과전압 보호부(108)등을 포함한다.
전력 효율 교정부(102)는 교류전압을 공급받아 전력 효율을 교정하도록 제공 되고, 트랜스포머(104)는 전력 효율 교정부(102)와 전기적으로 연결되어 전력 효율 교정부(102)에 의해 전력 효율이 교정된 교류전압을 공급받도록 제공된다.
이때, 전력 효율 교정부(102)는 Resonant control IC(102a), 전원 전압원(VCC1), 적어도 하나의 저항(R1 내지 R9), 적어도 하나의 캐패시터(C1 내지 C8), 제 1 스위칭 소자(Q1)를 포함할 수가 있다.
즉, Resonant control IC(102a)는 전원 전압원(VCC1), 적어도 하나의 저항(R1 내지 R9), 적어도 하나의 캐패시터(C1 내지 C8), 제 1 스위칭 소자(Q1)와 전기적으로 각각 연결된다.
이러한, Resonant control IC(102a)는 제 1 스위칭 소자(Q1)의 선택적인 스위칭과 전원 전압원(VCC1), 적어도 하나의 저항(R1 내지 R9), 적어도 하나의 캐패시터(C1 내지 C8)에 의해 전력 효율을 교정하게 된다.
이때, 제 1 스위칭 소자(Q1)는 BJT(Bipolar Junction Transistor)를 포함할 수가 있다.
교류전압 공급부(106)는 전력 효율 교정부(102) 및 트랜스포머(104)와 전기적으로 연결되어 전력 효율 교정부(102)에 공급되는 교류전압이 기준전압보다 작거나 동일할 경우, 트랜스포머(104)에 교류전압을 공급하도록 제공된다.
이때, 교류전압 공급부(106)는 적어도 하나의 다이오드(D1 내지 D3), 적어도 하나의 저항(R10 내지 R15), 적어도 하나의 캐패시터(C9), 제 1 제너 다이오드(ZD1), 제 2 스위칭 소자(Q2)를 포함할 수가 있다.
즉, 교류전압 공급부(106)는 적어도 하나의 다이오드(D1 내지 D3), 적어도 하나의 저항(R10 내지 R15), 적어도 하나의 캐패시터(C9, C10), 제 1 제너 다이오드(ZD1)를 통해 저장되어 트랩된 교류전압을 Resonant control IC(102a)에 설정된 기준전압과 비교하고, 저장되어 트랩된 교류전압이 기준전압보다 작거나 동일할 경우 제 2 스위칭 소자(Q2)를 턴온(Turn On)하여 트랜스포머(104)에 교류전압을 공급하게 된다.
이때, 제 2 스위칭 소자(Q2)는 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)을 포함할 수가 있다.
과전압 보호부(108)는 전력 효율 교정부(102) 및 트랜스포머(104)와 전기적으로 연결되어 전력 효율 교정부(102)에 공급되는 교류전압이 기준전압보다 과전압일 경우, 전력 효율 교정부(102)의 동작을 오프하여 래치시키도록 제공된다.
이때, 과전압 보호부(108)는 Bead(108a), 적어도 하나의 다이오드(D4 내지 D6), 적어도 하나의 저항(R16 내지 R26), 적어도 하나의 캐패시터(C11 내지 C13), 제 2 제너 다이오드(ZD2), 제 3 스위칭 소자(Q3)를 포함할 수가 있다.
즉, 과전압 보호부(108)는 적어도 하나의 다이오드(D4), 적어도 하나의 저항(R16 내지 R19), 적어도 하나의 캐패시터(C11, C12), 제 2 제너 다이오드(ZD2)를 통해 저장되어 트랩된 교류전압을 Resonant control IC(102a)에 설정된 기준전압과 비교하고, 저장되어 트랩된 교류전압이 기준전압보다 과전압일 경우 제 3 스위칭 소자(Q3)를 턴오프(Turn Off)하여 트랩된 교류전압을 적어도 하나의 저항(R20 내지 R26)과 적어도 하나의 다이오드(D5, D6)에 인가함으로써, 전력 효율 교정부(102)인 Resonant control IC(102a)의 동작을 오프하여 래치시키게 된다.
여기서, Bead(108a)는 과전압을 차단하면서, 과전압에 해당하는 고주파 신호의 전자파를 차폐하게 된다.
이때, 제 3 스위칭 소자(Q3)는 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)을 포함할 수가 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 집적회로 보호 장치(100)는 전력 효율 교정부(102), 트랜스포머(104), 교류전압 공급부(106), 과전압 보호부(108)를 포함하므로, 과전압이 공급될 경우에 보조 회로없이 회로소자들을 보호하면서 대기전력의 상승을 억제할 수가 있어 회로 설계비용을 줄일 수가 있게 된다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 집적회로 보호 장치의 등가 회로도를 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 설명 *
100 : 집적회로 보호 장치 102 : 전력 효율 교정부
102a : Resonant control IC 104 : 트랜스포머
106 : 교류전압 공급부 108 : 과전압 보호부
108a : Bead

Claims (9)

  1. 교류전압을 공급받아 전력 효율을 교정하는 전력 효율 교정부와;
    상기 전력 효율 교정부와 전기적으로 연결되어 상기 전력 효율 교정부에 의해 전력 효율이 교정된 교류전압을 공급받는 트랜스포머와;
    상기 전력 효율 교정부 및 상기 트랜스포머와 전기적으로 연결되어 상기 전력 효율 교정부에 공급되는 상기 교류전압이 기준전압보다 작거나 동일할 경우, 상기 트랜스포머에 상기 교류전압을 공급하는 교류전압 공급부; 및
    상기 전력 효율 교정부 및 상기 트랜스포머와 전기적으로 연결되어 상기 전력 효율 교정부에 공급되는 상기 교류전압이 기준전압보다 과전압일 경우, 상기 전력 효율 교정부의 동작을 오프하여 래치시키는 과전압 보호부를 포함하는 집적회로 보호 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전력 효율 교정부는 Resonant control IC, 전원 전압원, 적어도 하나의 저항, 적어도 하나의 캐패시터, 제 1 스위칭 소자를 포함하는 집적회로 보호 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 스위칭 소자는 BJT(Bipolar Junction Transistor)를 포함하는 집적회로 보호 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 교류전압 공급부는 적어도 하나의 다이오드, 적어도 하나의 저항, 적어도 하나의 캐패시터, 제 1 제너 다이오드, 제 2 스위칭 소자를 포함하는 집적회로 보호 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 2 스위칭 소자는 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)을 포함하는 집적회로 보호 장치.
  6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 교류전압 공급부는,
    상기 적어도 하나의 다이오드, 상기 적어도 하나의 저항, 상기 적어도 하나의 캐패시터, 상기 제 1 제너 다이오드를 통해 저장되어 트랩된 교류전압을 상기 기준전압과 비교하고, 상기 저장되어 트랩된 교류전압이 상기 기준전압보다 작거나 동일할 경우 상기 제 2 스위칭 소자를 턴온(Turn On)하여 상기 트랜스포머에 상기 교류전압을 공급하는 집적회로 보호 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 과전압 보호부는 적어도 하나의 다이오드, 적어도 하나의 저항, 적어도 하나의 캐패시터, 제 2 제너 다이오드, 제 3 스위칭 소자를 포함하는 집적회로 보호 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 3 스위칭 소자는 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)을 포함하는 집적회로 보호 장치.
  9. 제 7항 또는 제 8항에 있어서,
    상기 과전압 보호부는,
    상기 적어도 하나의 다이오드, 상기 적어도 하나의 저항, 상기 적어도 하나의 캐패시터, 상기 제 2 제너 다이오드를 통해 저장되어 트랩된 교류전압을 상기 기준전압과 비교하고, 상기 저장되어 트랩된 교류전압이 상기 기준전압보다 과전압일 경우 상기 제 3 스위칭 소자를 턴오프(Turn Off)하고 상기 전력 효율 교정부의 동작을 오프하여 래치시키는 집적회로 보호 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101033699B1 (ko) * 2010-11-08 2011-05-09 정영철 누전차단기의 고주파 오동작 방지 회로
KR20220117539A (ko) * 2021-02-17 2022-08-24 엘지이노텍 주식회사 전류 센싱 장치

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