KR20100085209A - 조명등용 ｌｅｄ 모듈 - Google Patents

조명등용 ｌｅｄ 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20100085209A
KR20100085209A KR1020090004381A KR20090004381A KR20100085209A KR 20100085209 A KR20100085209 A KR 20100085209A KR 1020090004381 A KR1020090004381 A KR 1020090004381A KR 20090004381 A KR20090004381 A KR 20090004381A KR 20100085209 A KR20100085209 A KR 20100085209A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
bare chip
lamp
light
layer
Prior art date
Application number
KR1020090004381A
Other languages
English (en)
Inventor
박태용
Original Assignee
박태용
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박태용 filed Critical 박태용
Priority to KR1020090004381A priority Critical patent/KR20100085209A/ko
Publication of KR20100085209A publication Critical patent/KR20100085209A/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
    • F21V19/003—Fastening of light source holders, e.g. of circuit boards or substrates holding light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/04—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings
    • F21V3/10—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings
    • F21V3/12—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings the coatings comprising photoluminescent substances
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Abstract

본 발명은 LED 베어칩이 장착되는 PCB기판의 상부에 LED 베어칩을 직접 부착하고 LED 베어칩에서 방출된 광을 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환시킬 수 있도록 LED 베어칩의 상부면에 형광체층이 도포되고 형광체층의 상부면에 도포되어 채워진 상태에서 면 전체를 발광하게 할 수 있도록 형광체층의 상부면에 에폭시수지층이 도포되어 전체 발광면이 고루 발광되는 면발광이 방사되어 눈부심을 방지할 수 있는 조명등용 LED 모듈에 관한 것이다.
조명등용, 모듈, 베어칩, 형광체층, 에폭시수지층

Description

조명등용 ＬＥＤ 모듈{LED MODULE}
본 발명은 조명등용 LED 모듈에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 LED 베어칩이 장착되는 PCB기판의 상부에 LED 베어칩을 직접 부착하고 LED 베어칩에서 방출된 광을 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환시킬 수 있도록 LED 베어칩의 상부면에 형광체층이 도포되고 형광체층의 상부면에 도포되어 채워진 상태에서 면 전체를 발광하게 할 수 있도록 형광체층의 상부면에 에폭시수지층이 도포되어 전체 발광면이 고루 발광되는 면발광이 방사되어 눈부심을 방지할 수 있는 조명등용 LED 모듈에 관한 것이다.
종래의 고밀도 평판형 LED 조명램프는 사파이어 기판위에 LED 적층 구조를 형성하고 일체형 회로를 통해 작은 체적공간상에 칩을 집적화한 조명램프 기능 수행하는 것이다. 일체형 회로는 웨이퍼상의 개별적 LED의 양 및 음 전극을 각각 금속배선으로 연결하는 것으로서 웨이퍼 상의 LED 칩 위에 형광물질을 도포하고 고밀도로 집적화 시킴으로써 고휘도 램프를 구현하는 고밀도 평판형 LED 조명램프이다.
종래의 LED는 질화물계 청색 LED에 형광 물질을 도포하여 등색을 확보함으로써 청색과 등색을 조합하여 백색을 구현할 수 있다. 또한 기존의 LED 방식은 웨이 퍼에 증착된 발광 다이오드 회로를 개별절단하여 개별적으로 분리하여 조립한 형태이며 기존의 LED를 증착한 웨이퍼를 개별절단을 하지 않고 웨이퍼로 백색전등의 기능을 수행하게 하는 방식으로 사용된다.
도 1은 종래의 연질 비닐관과 같은 투명커버 내부에 LED 램프를 내장, 배열한 구조의 개략도이며, 도 2는 알루미늄메인프레임과 같은 메인프레임(50) 내부에 LED(114) 램프를 내장, 배열한 구조의 개략도이다. 도 1에서 도시한 바와 같이 종래의 LED 램프는 기다란 PCB기판(10) 위에 1열로 일정한 간격을 두고 LED(114) 램프를 장착하여 장착된 PCB기판(10)을 연질의 비닐관에 내장한 구조이다. 종래의 LED 램프는 형광등이나 네온을 이용한 조명장치보다 전기적으로 안전하고 에너지 절감효가가 뛰어나지만 비닐관에 개별적으로 LED(114) 램프를 내장하는데 따르는 그 제조 비용이 높고, 램프가 개별적으로 산개해 있으므로 고밀도로 집적화된 LED보다 조도가 낮으며, 도 6과 같이 점발광으로 인하여 눈부심이 심한 문제점이 있다.
또한 집합형 LED 램프는 삼원색의 발광 다이오드 램프를 적절히 배열하여 발광색을 혼합하여 백색을 구현하는 것이며 집합형 LED 램프는 집합형 LED 램프로 조도가 우수하지만 삼원색의 LED 램프를 조합한 형태이므로 선명한 백색을 구현하는 것이 어렵다. 종래의 발광 다이오드 램프는 일반 백열전구와 모양이 흡사하나 백열 전구의 빛을 발산하는 필라멘트 부분이 몇 개의 발광 다이오드 칩으로 구성된 형태이다. 종래의 발광 다이오드 램프는 백열 전구보다 조도가 약하고 LED 램프를 하나 하나씩 작은 대체 전극판에 일일이 장착해야 되므로 실질적으로 대량생산의 어려움 이 있어 현실적이지 못하다는 결점이 있다.
종래의 LED는 질화물계 반도체를 이용한 청색 발광 다이오드와 형광물을 도포한 형태의 LED이다. 이러한 개별 LED를 회로판에 배열하여 조명용으로 사용하기에는 연질의 비닐관 또는 비닐캡을 사용하기 때문에 조도가 낮아 한계가 있으므며 실용화되는데 제조비용이 놓아 휴대폰용 광원으로 사용되고 있는 실정이며 백색 광원에 해당하는 형광등이나 백열전구의 조도를 구현하기 위해서는 그 제조비용이 비효율적이다.
또한 종래의 조명등용 LED 모듈은 LED용 PCB기판(Printed Circuit Board)에 LED를 부착하기 때문에 발광면이 점발광이 방사되며 점발광으로 인하여 눈부심이 심한 문제점이 있다.
종래의 조명등용 LED 모듈은 LED용 PCB기판(Printed Circuit Board)에 LED를 부착하기 때문에 발광면이 점발광이 방사되며 점발광으로 인하여 눈부심이 심한 문제점이 있기 때문에 본 발명의 조명등용 LED 모듈은 이를 개선하고자 한 것으로서 LED용 PCB기판에 LED 베어칩(BARE CHIP)을 직접 부착하여 전체 발광면이 고루 발광되는 면발광이 방사되어 눈부심을 방지할 수 있으며, 비닐관 또는 비닐캡을 사용하지 않기 때문에 조도가 낮은 한계점을 해결하는데 그 목적이 있다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈은 LED 램프를 인쇄회로기판(Printed Circuit Board: PCB)에 조립 제작하는 경우 조명용 램프에 필요한 조도의 확보가 불가능하여 이를 효율적으로 개 선하기 위한 것이며 반도체 웨이퍼상에 배열된 칩을 금속배선으로 연결함으로써 고밀도로 집적화된 칩을 갖는 고휘도의 광원을 얻는데 그 목적이 있다.
본 발명의 조명등용 LED 모듈은 LED용 PCB기판에 LED 베어칩(BARE CHIP)을 직접 부착하여 전체 발광면이 고루 발광되는 면발광이 방사되어 눈부심을 방지할 수 있으며, LED 베어칩과 LED 베어칩이 장착되는 PCB기판으로 구성되어 있으며 LED 베어칩에서 방출된 광을 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환시킬 수 있도록 LED 베어칩의 상부면에 형광체층이 도포되고 형광체층의 상부면에 도포되어 채워진 상태에서 면 전체를 발광하게 할 수 있도록 형광체층의 상부면에 에폭시수지층이 도포된 조명등용 LED 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 조명등용 LED 모듈은 LED용 PCB기판에 LED 베어칩(BARE CHIP)을 직접 부착하여 전체 발광면이 고루 발광되는 면발광이 방사되어 눈부심을 방지할 수 있는 효과가 있고 LED 램프를 인쇄회로기판에 조립 제작하는 경우 조명용 램프에 필요한 조도의 확보가 불가능하여 이를 효율적으로 개선하기 위한 것이며 반도체 웨이퍼상에 배열된 칩을 금속배선으로 연결함으로써 고밀도로 집적화된 칩을 갖는 고휘도의 광원을 얻는 효과가 있고, 비닐관 또는 비닐캡을 사용하지 않기 때문에 조도가 낮은 한계점을 해결한 것이다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈은램프의 제작공정에서 PCB기판을 이용하고 제작하는데 따르는 공간활용도의 저하 문제를 고밀도 집적화시켜 기존의 개별 LED 칩의 광속저하를 개선 할 수 있으며 고밀도 집적화 시킴으로써 고휘도 램프를 구현할 수 있고 기존의 웨이퍼에 증착시킨 칩을 개별절단하는 작업을 거치지 않고 웨이퍼 자체가 하나의 칩이 됨으로써 램프의 제작 공정을 대폭 축소시켜 조명등용 LED 모듈의 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다. 또한 본 발명의 조명등용 LED 모듈은 LED 램프를 사용할 경우 인체에 해로운 UV-B자외선 파장이 나오지 않기 때문에 자연친화적이며 저전력 절전형 조명을 구현 할 수 있다.
본 발명은 한개 또는 다수개의 LED 베어칩(10); 상기 LED 베어칩(10)이 장착되는 PCB기판(10); 상기 LED 베어칩(10)에서 방출된 광을 상기 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환시킬 수 있도록 LED 베어칩(10)의 상부면에 도포된 형광체층(20); 및 상기 형광체층(20)의 상부면에 도포되어 채워진 상태에서 면 전체를 발광하게 할 수 있도록 형광체층(20)의 상부면에 도포된 에폭시수지층(30)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 조명등용 LED 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 조명등용 LED 모듈에 있어서 PCB기판은 LED 베어칩이 안착되는 내부공간을 갖도록 메인프레임(50)의 내부에 장착되어 있는 것을 특징으로 한다.
종래의 조명등용 LED 모듈은 LED용 PCB기판(10)에 LED(20)를 부착하기 때문에 발광면이 점발광이 방사되며 점발광으로 인하여 눈부심이 심한 문제점이 있는 반면, 본 발명의 조명등용 LED 모듈은 LED용 PCB기판(10)에 LED 베어칩(BARE CHIP)(40)을 직접 부착하여 전체 발광면이 고루 발광되는 면발광이 방사되어 눈부심을 방지할 수 있는 것이다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈은 PCB기판(10)에 LED 베어칩(BARE CHIP)(40)을 직접 부착하고 LED 베어칩(10)에서 방출된 광을 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환시키는 형광체층(20)을 LED 베어칩(10)의 상부면에 코팅한 후 형광체층(20)의 상부면에 에폭시수지층(30)을 도포하여 채워진 상태로 면 전체를 발광하게 하는 것이다.
본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 LED 베어칩(10)은 메인프레임(50)과 같은 패키지하우징의 내부공간에 장착하는 것이 바람직하며 메인프레임(50)은 알루미늄 메인프레임이 바람직하다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 LED 베어칩(10)은 알루미늄 메인프레임과 같은 패키지하우징의 내부공간에 안착된 서브마운트 위에 배치하는 것이 바람직하다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 알루미늄 메인프레임과 같은 패키지 하우징은 LED 베어칩(10)에서 방출되는 광을 상부로 반사시키는 내부
반사면을 가지며 전체적인 크기는 조명등용 LED 모듈이 사용되는 용도에 알맞은 사양으로 결정할 수 있다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 패키지하우징의 하부에는 제1리드프레임과 제2리드프레임이 마련되어 있고 제1리드프레임과 제2리드프레임은 LED 베어칩(10)의 n 전극 및 p 전극에 각각 전기적으로 연결되어 LED 베어칩(10)이 광을 방출하도록 전압이 인가되어 있다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 LED 베어칩(10)은 p형반도체층, 활성층, n형반도체층을 포함하는
구조로서 이의 상세한 구조는 당업자에게 널리 알려져 있는 것이다.
본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 메인프레임(50)과 같은 패키지하우징의 내부공간은 LED 베어칩(10)과 서브마운트를 전체적으로 덮는 에폭시수지층(30)으로 채워질 수 있다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 에폭시수지층(30)은 베어칩(10) 을 보호하며 베어칩(10)의 굴절률과 베어칩(10) 외부의 굴절률과의 차이를 줄이기 위한 것이다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 에폭시수지층(30)의 굴절률이 베어칩(10)의 굴절률과 가까운 값이 될수록 베어칩(10)과 에폭시수지층(30)과의 경계면에서 전반사가 줄어들어 베어칩(10)의 외부로 방출되는 광이 많아지게 된다.
본 발명의 조명등용 LED 모듈은 비닐관 또는 비닐캡과 같은 투명커버(118, 118-1)을 사용하지 않기 때문에 조도가 낮은 한계점을 해결한 것이다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 에폭시수지층(30)은 패키지하우징의 내부공간을 전체적으로 채우며 형성될 수도 있으나, 내부공간의 일부에 베어칩(10)을 덮는 정도로만 형성될 수 있고 0.01 내지 10mm 코팅하는 것이 바람직하다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 에폭시수지층(30)은 형광물질을 함유하여 이루어진 층으로 제조할 수 있으며 에폭시수지층과 같은 레진계열의 물질에 형광물질이 혼합되어 이루어진다.
본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 형광체층(20)에 입사된 광은 형광물질에 에너지를 전달하고 에너지가 낮은 광, 즉 긴 파장의 광으로 색상이 변환되어 방출되게 된다. 이 때, 형광물질이 혼합된 농도는 일정하지 않으며 위치에 따라 다르게 형성된다. 또한, 본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 형광체층의 두께는 0.1 내지 100mm 코팅하는 것이 바람직하고 위치에 따라 다르게 형성되며 구체적인 농도분포나 두께분포는 베어칩(bare chip) 상태, 형광체층이 도포되기 전 단계의 베어칩(10)에서 방출되는 광의 방사패턴에 의해 결정된다. 이는 형광체층의 각 위치에 입사되는 광파워의 구체적인 강도 차이를 고려하여 형광체층의 농도와 두께를 결정함으로써 형광전환효율(Phosphor conversion efficiency, PCE)을 높이기 위한 것이다. 형광전환효율은 형광체층에 의해 변환되어 출사되는 광량을 형광체층을 도포하기 전 발광칩에서 출사되는 광량에 대한 비율로 나타낸 것으로, 형광체층의 형광전환효율이 높아지면 LED 모듈의 휘도 특성도 개선된다. 베어칩(10)에서 방출되는 광의 방사패턴은 베어칩(10)의 구조에 따라 다를 뿐만 아니라 패키지하우징에 따라 다르다. 패키지하우징에 따라 내부공간의 크기나 내부반사면이 조금씩 다르게 형성될 수 있고, 이에 의해 방사패턴이 영향을 받기 때문이다. 따라서, 형광체층의 농도나 두께는 형광체층이 도포되기 전 단계에서 방사패턴을 측정한 후 이를 고려하여 결정되게 되며, 광파워가 높은 곳은 광파워가 낮은 곳보다 상대적으로 농도를 높게 또는 두께를 크게 한다.
본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 형광체층(20)은 형광물체가 에너지를 흡수하여 또 다른 파장의 빛을 방출하는 것으로 가시광선 영역의 파장대인 360 ~ 830 ㎛의 파장을 발광한다. 본 발명의 조명등용 LED 모듈에서 형광체는 일반적으로 형광모체와 활성이온으로 구성되어 전도대와 충만대 사이의 불연속적 에너지 준위를 만들어 에너지를 변환하는 것이다. 여기서 활성이온의 역할은 발광과정에 에너지 준위를 결정하여 발광색을 결정하여 발광효율에 영향을 미친다. 형광체를 크게 나누면 스토크 천이과정(Stoke`s shift Process)과 반 스토크 천이과정(Anti-Stoke`s Process)으로 나눌 수 있다. 전자는 일반적인 형광체로 높은 에너지에 의해 형광체를 여기한 후 낮은 에너지로 발광하는 것이고, 후자는 이와는 반대로 낮은 에너지를 흡수하여 더욱 높은 에너지 상태로 방출하는 것이나 주로 전자의 경우 사용된다. 또한 형광체 도포에 있어서 주가 되는 형광 물체인 Y3Al5O12, (Y00.8 Gd0.2)3Al5O12을 제조하는 과정은 고순도 Y2O3, Al2O3, Gd2O3와 활성제인 Bi2O3, Ceo2를 아세톤에서 50분간 환합하고 혼합된 분말을 직경 12 mm인 원형 mold에 50분간 아세톤에서 환합한다. 위의 과정을 통해 제조된 시편을 대기 분위기에서 승온속도 5℃/min 으로 하여 1200℃에서 2시간과 1300℃에서 3시간 유지하여 소성한다.
실시예 1: 조명등용 LED 모듈 제작방법
조명등용 LED 모듈은 사파이어 기판 위에 유기금속화합물 화학 기상증착방법(MOCVD)을 이용하여 제일 먼저 560℃의 온도에서 GaN 완충층을 300Å 두께로 증착한다. 이 GaN 완충층은 1100℃의 고온에서 성장하는 GaN 에피층의 성장시 발생하는 박막형성 자유에너지(nucleation free energy)를 낮추므로써 에피층 성장시 3차원적인 성장보다는 2차원적인 횡방향 결정성장을 촉진시켜 전위 및 결합경계 등의 결함밀도가 낮은 GaN 에피층을 성장시키는 역할을 한다. 사파이어 기판위에 GaN 완충층을 성장시킨 후 순차적으로 그 위에 Si 도핑된 N-GaN층을 1100℃의 온도에서 2.5 ~ 4㎛의 두께로 성장시키고, 다시 그 위에 도핑이 되지 않은 GaN층을 1100℃에서 100~150Å으로 성장한다. 또한, 상기 층 위에 청색 발광 활성층으로 InGaN/GaN 다중 양자 우물 구조(Multi Quantum Well structure)를 790℃에서 20/80Å 두께로 4~5주기로 성장시키며, 그 위에 Mg이 도핑된 GaN을 1000~2000Å두께로 1100℃에서 성장한다. 또한 자색 LED 구조를 실시예로 하는 경우, InGaN/GaN 양자 우물구조 대신 AlGaN/GaN 양자우물구조를 성장시킴으로써 형광물질과의 색변환에 따른 연색성을 높일 수 있다. 상기의 박막을 증착한 다음 포토마스크를 이용하여 포토 공정을 수행한 다음 N-GaN층이 표면에 노출되도록 플라즈마 식각 공정을 수행하게 된다. 또한, 이러한 식각 공정을 완성한 다음 P-GaN층 위에 Ni/Au 금속 박막층을 전자빔 금속 증착장비를 이용하여 60/80Å의 투명 금속 박막층을 형성하고, 그 위에 P형 전극을 Ni/Au 금속으로 증착 형성한다. 한편, N형 전극은 Ti/Al 금속으로 증착 형성한다.
실시예 2: LED 조명램프의 칩 제조방법
사파이어 기판 위에 발광 다이오드 광소자용 다층 박막을 증착하기 위하여 사파이어 기판 위에 존재하는 유기물 잔사, 산화물 잔사, 금속 오염, 먼지 등을 제거 하기 위하여 세정공정을 수행한다. 사파이어 기판의 세정 공정 이후 MOCVD장비를 이용하여 사파이어기판 위에 GaN계 에피박막을 성장한다. 이러한 GaN계 청색 LED 박막 구조를 성장시킨 다음, P-GaN층을 550℃에서 열처리하여 전기적으로 활성화 시킨 다음, N형의 금속 배선을 형성하기 위하여 먼저 SiO2 마스크 패턴층을 형성하고 플라즈마 식각 공정을 통해 N-GaN층을 노출시킨다. 에피식각된 기판에 먼저 SiO2 마스크 막을 제거한 다음 P-GaN표면에 투명전극 Ni/Au금속층을 60/80Å 두께로 증착시킨다. 그리고 포토레지스트로 한정시킨 노출된 N전극 접촉층에 전자빔증착 공정을 통해 Ti/Al 금속을 0.1/4~5㎛의 두께로 증착한다. 포토 공정으로 N형 금속 전극 배선을 패턴화 한 다음 SiO2 절연막으로 N형 배선을 절연시킨다. 여기서 N형 금속 배선을 하기 위해 식각을 하는 이유는 사파이어기판이 절연체이기 때문에 배면 접촉이 곤란하므로 한 쪽 측면을 식각하여 N형 금속을 증착시킨다. P형 금속 배선을 형성하기 위하여 먼저 P-GaN/투명 전극층의 절연막을 제거하여 노출시킨다. 이어서 전자빔 금속증착공정을 통해 Ni/Au 금속막을 0.1/4-5㎛ 두께로 형성한다. 다시 개별 소자의 P형 전극부와 배선부분을 포토공정을 통해 패턴화한 다음, 절연막을 증착한다. 또한, 램프의 전압 인가 부분인 P형 및 N형 전극패드(bump)부의 절연막을 패턴화하여 제거함으로써 청색 발광 램프를 제작할 수 있으며 최종적으로 상기 램프 위에 형광체층을 도포하여 고밀도 평판형 LED 조명램프를 제작할 수 있다.
도 1은 종래의 연질비닐관 투명커버 내에 LED 조명램프를 배열한 분해사시도.
도 2는 종래의 LED 조명램프를 나타낸 사시도.
도 3은 종래의 LED 조명램프를 나타낸 사시도.
도 4는 종래의 LED 조명램프를 나타낸 평면도.
도 5는 종래의 LED 조명램프를 나타낸 단면도.
도 6은 종래의 LED 조명램프에서 점발광으로 인한 눈부심을 나타낸 단면도.
도 7은 종래의 LED 조명램프에서 점발광으로 인한 눈부심을 나타낸 단면도.
도 8은 본 발명의 LED 조명램프를 나타낸 사시도.
도 9는 본 발명의 LED 조명램프를 나타낸 평면도.
도 10은 본 발명의 LED 조명램프를 나타낸 단면도.
도 11은 본 발명의 LED 조명램프에서 면발광으로 인한 눈부심 방지를 나타낸 단면도.
도 12는 본 발명의 LED 조명램프에서 면발광으로 인한 눈부심 방지를 나타낸 단면도.
도 13은 본 발명의 LED 조명램프를 나타낸 사시도.
도 14는 본 발명의 LED 조명램프를 메인프레임의 내부에 장착한 상태를 나타낸 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10: PCB기판 20: LED 베어칩
30: 형광체층 40: 에폭시수지층
50: 메인프레임 114: LED
118, 118-1: 투명커버

Claims (2)

  1. 한개 또는 다수개의 LED 베어칩(10); 상기 LED 베어칩(10)이 장착되는 PCB기판(10); 상기 LED 베어칩(10)에서 방출된 광을 상기 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환시킬 수 있도록 LED 베어칩(10)의 상부면에 도포된 형광체층(20); 및 상기 형광체층(20)의 상부면에 도포되어 채워진 상태에서 면 전체를 발광하게 할 수 있도록 형광체층(20)의상부면에 도포된 에폭시수지층(30)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 조명등용 LED 모듈.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 PCB기판은 LED 베어칩이 안착되는 내부공간을 갖도록 메인프레임(50)의 내부에 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 조명등용 LED 모듈.
KR1020090004381A 2009-01-20 2009-01-20 조명등용 ｌｅｄ 모듈 KR20100085209A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090004381A KR20100085209A (ko) 2009-01-20 2009-01-20 조명등용 ｌｅｄ 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090004381A KR20100085209A (ko) 2009-01-20 2009-01-20 조명등용 ｌｅｄ 모듈

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100085209A true KR20100085209A (ko) 2010-07-29

Family

ID=42644151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090004381A KR20100085209A (ko) 2009-01-20 2009-01-20 조명등용 ｌｅｄ 모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100085209A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101974354B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
JP2016082231A (ja) 発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置
JP2013093584A (ja) 発光素子
JP2013026616A (ja) 発光素子
CN109075232A (zh) 半导体元件封装
CN101378103A (zh) 白光发光装置及其制作方法
JP2014045192A (ja) 発光素子
JP2013098561A (ja) 発光素子
TWI441351B (zh) 白色發光二極體晶片及其製造方法
KR102145208B1 (ko) 발광소자 패키지 제조방법
KR20160098580A (ko) 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
JP6212989B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR20160059706A (ko) 발광 소자 패키지 및 그 패키지를 포함하는 조명 장치
WO2018132962A1 (en) Multiple led light source lens design in an integrated package
KR20140101130A (ko) 발광소자
US11527682B2 (en) LED lighting apparatus having improved color lendering and LED filament
KR102471271B1 (ko) 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
JP2014160742A (ja) 発光装置
CN108321149B (zh) 发光二极管封装件与发光二极管显示器
KR101659359B1 (ko) 발광 소자
KR20160069598A (ko) 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법
KR102501878B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20100085209A (ko) 조명등용 ｌｅｄ 모듈
KR101913712B1 (ko) 발광 소자
KR20190038105A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application