KR20100079970A - 광원 패키지 - Google Patents

광원 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20100079970A
KR20100079970A KR1020080138578A KR20080138578A KR20100079970A KR 20100079970 A KR20100079970 A KR 20100079970A KR 1020080138578 A KR1020080138578 A KR 1020080138578A KR 20080138578 A KR20080138578 A KR 20080138578A KR 20100079970 A KR20100079970 A KR 20100079970A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light source
light emitting
lead frame
source package
emitting chip
Prior art date
Application number
KR1020080138578A
Other languages
English (en)
Inventor
윤선진
표병기
권유진
김유진
전민규
오광용
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020080138578A priority Critical patent/KR20100079970A/ko
Publication of KR20100079970A publication Critical patent/KR20100079970A/ko

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

광의 휘도 저하를 방지할 수 있는 광원 패키지는 광을 발생시키는 발광칩, 리드 프레임, 하우징, 몰딩부 및 은도금 보호층을 포함한다. 리드 프레임은 발광칩과 전기적으로 연결되어 외부로부터 인가된 구동전원을 발광칩으로 제공하고, 표면에 광을 반사시키기 위한 은 도금층을 갖는다. 하우징은 리드 프레임과 결합되어 고정시키고, 발광칩과 리드 프레임의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는다. 몰딩부는 개구부 내에 형성되어 발광칩과 리드 프레임의 일부를 커버한다. 은도금 보호층은 리드 프레임과 접촉 또는 이격되도록 리드 프레임의 상부에 배치되어 은 도금층의 산화를 방지하고, 무기물을 포함한다. 이와 같이, 은도금 보호층이 무기물로 이루어져 리드 프레임의 은 도금층의 산화를 방지함에 따라, 은 도금층의 산화로 인해 광원 패키지에서 발생되는 광의 휘도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.
은도금 보호층

Description

광원 패키지{LIGHT SOURCE PACKAGE}
본 발명은 광원 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광을 발생시키는 발광칩을 구비하는 광원 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 광원 패키지는 광을 발생시키는 발광칩, 상기 발광칩으로 구동전원을 인가하는 리드 프레임, 상기 리드 프레임과 결합되어 고정시키고 상기 발광칩과 상기 리드 프레임의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 하우징, 및 상기 개구부 내에 형성되어 상기 발광칩과 상기 리드 프레임의 일부를 커버하는 몰딩부를 포함한다. 여기서, 상기 발광칩은 상기 리드 프레임 상에 배치되어 상기 리드 프레임과 전기적으로 연결된다.
상기 리드 프레임의 표면에는 상기 발광칩에서 발생된 광을 반사시키기 위한 은 도금층이 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광칩에서 발생된 광 중 상기 리드 프레임의 표면을 향하는 광은 상기 은 도금층에서 반사되어 상기 몰딩부의 외부로 출사될 수 있다. 이와 같이 상기 발광칩에서 발생된 광의 일부가 상기 은 도금층에서 반사됨에 따라, 상기 광원 패키지는 고휘도의 광을 외부로 출사시킬 수 있다.
그러나, 상기 리드 프레임의 은 도금층은 외부의 습기 또는 공기와 접촉하면 쉽게 산화되는 성질을 갖는다. 따라서, 상기 외부의 습기 등이 상기 몰딩부와 상기 하우징 사이 공간 또는 상기 몰딩부의 내부로 침투하여 상기 은 도금층과 접촉할 경우, 상기 은 도금층은 산화될 수 있고, 그 결과 상기 은 도금층의 반사율이 감소되어 상기 광원 패키지에서 발생되는 광의 휘도가 저하될 수 있다.
따라서, 본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 리드 프레임의 은 도금층의 산화를 방지하여 광의 휘도 저하를 방지할 수 있는 광원 패키지를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 일 실시예에 의한 광원 패키지는 발광칩, 리드 프레임, 하우징, 몰딩부 및 은도금 보호층을 포함한다.
상기 발광칩은 광을 발생시킨다. 상기 리드 프레임은 상기 발광칩과 전기적으로 연결되어 외부로부터 인가된 구동전원을 상기 발광칩으로 제공하고, 표면에 광을 반사시키기 위한 은 도금층을 갖는다. 상기 하우징은 상기 리드 프레임과 결합되어 고정시키고, 상기 발광칩과 상기 리드 프레임의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는다. 상기 몰딩부는 상기 개구부 내에 형성되어 상기 발광칩과 상기 리드 프레임의 일부를 커버한다. 상기 은도금 보호층은 상기 리드 프레임과 접촉 또는 이격되도록 상기 리드 프레임의 상부에 배치되어 상기 은 도금층의 산화를 방지하고, 무기물을 포함한다. 여기서, 상기 무기물은 산화규소(SiOx) 또는 탄화규 소(SiCx)를 포함할 수 있다.
우선, 상기 은도금 보호층은 상기 몰딩부 상에 형성될 수 있다. 이때, 상기 광원 패키지는 상기 은도금 보호층 상에 배치되어 상기 하우징과 결합되는 볼록 렌즈부를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 은도금 보호층은 상기 몰딩부 및 상기 하우징 상에 걸쳐서 형성될 수 있다. 이때, 상기 몰딩부의 상부는 광을 확산시킬 수 있는 볼록 렌즈 형상을 가질 수 있다.
두 번째로, 상기 광원 패키지는 상기 몰딩부 상에 배치되어 상기 하우징과 결합되는 볼록 렌즈부를 더 포함할 수 있고, 상기 은도금 보호층은 상기 볼록 렌즈부 및 상기 하우징 상에 걸쳐서 형성될 수 있다.
세 번째로, 상기 은도금 보호층은 상기 하우징 및 상기 몰딩부 사이에 형성되어, 상기 발광칩 및 상기 리드 프레임의 일부를 덮을 수 있다. 이때, 상기 광원 패키지는 상기 은도금 보호층 및 상기 몰딩부 사이에 형성되어, 상기 은도금 보호층과 상기 몰딩부 사이의 접착성을 향상시킬 수 있는 프라이머층을 더 포함할 수 있다.
네 번째로, 상기 은도금 보호층은 상기 리드 프레임의 은 도금층의 표면에 코팅되어 형성될 수 있다.
한편, 상기 몰딩부 내부에는 상기 발광칩에서 발생된 광의 파장을 변경시키는 복수의 형광입자들이 배치되어 있을 수 있다. 이와 다르게, 상기 광원 패키지는 상기 발광칩의 상면에 형성되어, 상기 발광칩에서 발생된 광의 파장으로 변경시키는 형광부를 더 포함할 수 있다.
상기 리드 프레임은 서로 이격되어 전기적으로 분리된 제1 및 제2 리드단자들을 포함할 수 있다. 상기 하우징은 상기 리드 프레임의 하부에 배치되어 상기 리드 프레임을 고정시키는 하부 하우징, 및 상기 리드 프레임의 상부에 배치되고 상기 개구부를 갖도록 상기 발광칩의 외곽을 따라 형성된 상부 하우징을 포함할 수 있다.
한편, 상기 광원 패키지는 상부면이 상기 개구부를 통해 노출되도록 상기 하우징에 의해 감싸지고, 상기 발광칩이 상기 상부면에 배치되며, 상기 발광칩에서 발생된 열을 외부로 방출시킬 수 있는 슬러그를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 은도금 보호층은 상기 하우징 및 상기 몰딩부 사이에 형성되어, 상기 발광칩, 상기 슬러그의 상부면 및 상기 리드 프레임의 일부를 덮을 수 있다.
상기 슬러그의 상부면에는 상기 발광칩을 수납하기 위한 칩 수납홈이 형성되고, 상기 발광칩에서 발생된 광의 파장을 변경시키기 위한 형광부가 상기 발광칩을 덮도록 상기 칩 수납홈 내에 형성될 수 있다. 이때, 상기 은도금 보호층은 상기 하우징 및 상기 몰딩부 사이에 형성되어, 상기 형광부 및 상기 리드 프레임의 일부를 덮을 수 있다.
본 발명의 광원 패키지에 따르면, 무기물을 포함하는 은도금 보호층이 리드 프레임과 접촉 또는 이격되도록 상기 리드 프레임의 상부에 배치됨에 따라, 상기 리드 프레임의 은 도금층이 산화되는 것이 방지되어 광원 패키지에서 발생되는 광의 휘도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요 소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있으며, 막(층)이 다른 막(층) 또는 기판 상에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 다른 막(층) 또는 기판 상에 직접 형성되거나 그들 사이에 추가적인 막(층)이 개재될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
<광원 패키지의 실시예 1>
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 의한 광원 패키지는 발광칩(100), 리드 프레임(200), 하우징(300), 몰딩부(400) 및 은도금 보호층(500)을 포함한다.
상기 발광칩(100)은 외부의 구동전원에 의해 광을 발생시킨다. 구체적으로, 상기 발광칩(100)은 광을 발생시키는 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 이때, 상기 발광 다이오드는 백색광을 발생시키는 백색 발광 다이오드일 수 있지만, 청색광을 발생시키는 청색 발광 다이오드일 수 있다.
상기 리드 프레임(200)은 상기 발광칩(100)과 전기적으로 연결되어, 외부의 인쇄회로기판(미도시)로부터 인가된 상기 구동전원을 상기 발광칩(100)으로 제공한다. 구체적으로, 상기 리드 프레임(200)은 서로 이격되어 전기적으로 분리된 제1 및 제2 리드단자들(210, 220)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 리드단자(210)의 길이는 상기 제2 리드단자(220)의 길이보다 길게 형성될 수 있다.
한편, 상기 발광칩(200)은 상기 제1 리드단자(210)의 상면 상에 배치되어 상기 제1 리드단자(210)와 전기적으로 연결될 수 있고, 칩 연결선(110)을 통해 상기 제2 리드단자(210)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 리드 프레임(200), 즉 상기 제1 및 제2 리드단자들(210, 220) 각각은 전기가 통할 수 있는 금속 플레이트 및 상기 금속 플레이트의 표면에 형성된 은 도금층을 포함한다. 상기 금속 플레이트는 일례로, 구리(Cu)로 이루어질 수 있고, 상기 은 도금층은 상기 발광칩(100)에서 발생되어 상기 리드 프레임(200) 측으로 향하는 광을 반사시킬 수 있다.
상기 하우징(300)은 상기 리드 프레임(200)과 결합되어 상기 리드 프레임(200)을 고정시키고, 상기 발광칩(100)과 상기 리드 프레임(200)의 일부를 노출시킨다. 상기 하우징(300)은 고분자 물질의 유기물, 예를 들어 폴리프탈아미 드(polyphthalamide : PPA) 수지로 이루어질 수 있다.
상기 하우징(300)은 하부 하우징(310) 및 상부 하우징(320)을 포함할 수 있다. 상기 하부 하우징(310)은 상기 리드 프레임(200)의 하부에 배치되어 상기 리드 프레임(200)을 고정시킬 수 있다. 일례로, 상기 리드 프레임(200)은 상기 하부 하우징의 외곽을 감싸는 형상으로 형성될 수 있다.
상기 상부 하우징(320)은 상기 리드 프레임(200)의 상부에 배치되고, 상기 발광칩(100)의 외곽을 따라 형성된다. 그 결과, 상기 상부 하우징(320)은 상기 발광칩(100)과 상기 리드 프레임(200)의 일부를 외부로 노출시키는 개구부를 갖는다. 이때, 상기 상부 하우징(320)에 의해 형성된 상기 개구부는 평면적으로 보았을 때 실질적으로 원 형상, 타원 형상, 정다각형 형상 등을 갖도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 개구부와 대응되는 상기 상부 하우징(320)의 내측면은 상기 발광칩(100)이 배치된 상기 광원 패키지의 중심에서 외곽으로 향하는 외곽방향으로 기울어지게 형성될 수 있다. 또한, 상기 상부 하우징(320)의 내측면은 상기 발광칩(100)에서 발생되어 상기 상부 하우징(320)으로 향하는 광을 반사시킬 수 있다. 이때, 상기 상부 하우징(320)의 내측면(320)에는 광을 보다 쉽게 반사시킬 수 있도록 반사층(미도시)이 코팅되어 있을 수 있다.
본 실시예에서, 상기 하부 및 상부 하우징들(310, 320)은 몰딩 공정을 통해 상기 리드 프레임(200)을 감쌈으로써 한 번에 형성될 수 있지만, 상기 하부 하우징(310)이 먼저 형성된 후, 나중에 상기 상부 하우징(320)이 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 상부 하우징(320)이 먼저 형성된 후, 나중에 상기 하부 하우 징(310)이 형성될 수 있다.
상기 몰딩부(400)는 상기 상부 하우징(320)에 의해 형성된 상기 개구부 내에 형성되어, 상기 개구부에 의해 노출된 상기 발광칩(100) 및 상기 리드 프레임(200)의 일부를 완전하게 커버할 수 있다. 상기 몰딩부(400)는 투명한 물질로 이루어지며, 일례로 에폭시 수지로 이루어질 수 있다.
상기 몰딩부(400)는 외부로 출사되는 광을 확산시킬 수 있도록 상기 리드 프레임(200)에 대하여 상측 방향으로 돌출될 수 있다. 즉, 상기 몰딩부(400)의 상부는 광을 확산시킬 수 있는 볼록 렌즈 형상을 가질 수 있다.
상기 몰딩부(400)의 내부에는 상기 발광칩(100)에서 발생된 광의 파장을 변경시키는 복수의 형광입자들(410)이 개재될 수 있다. 여기서, 상기 발광칩(100)이 청색광을 발생시키는 청색 발광 다이오드를 포함할 경우, 상기 형광입자들(410)은 상기 청색광의 일부를 적색광 및 녹색광으로 변환시키는 적색 및 녹색 형광입자들을 포함하거나, 상기 청색광의 일부를 적색광 및 녹색광으로 변환시키는 적색 및 녹색 형광체들로 구성된 황색 형광입자들을 포함할 수 있다. 이와 같이, 상기 청색광의 일부를 상기 적색광과 상기 녹색광으로 변환시켜, 백색광을 구현할 수 있다.
상기 은도금 보호층(500)은 상기 몰딩부(400) 및 상기 하우징(300) 상에 걸쳐서 형성된다. 즉, 상기 은도금 보호층(500)은 상기 몰딩부(400)의 상면과 상기 상부 하우징(320)의 상면 상에 걸쳐서 형성된다.
상기 은도금 보호층(500)은 무기물이 상기 몰딩부(400) 및 상기 하우징(300) 상에 증착되어 형성될 수 있다. 상기 무기물은 예를 들어, 산화규소(SiOx) 또는 탄화규소(SiCx)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 은도금 보호층(500)은 산화규소가 증착되어 형성된 산화 규소층이거나 탄화규소가 증착되어 형성된 탄화 규소층일 수 있다.
우선, 상기 산화 규소층은 플라즈마 화학증착법(PECVD)으로 형성될 수 있고, 모노실란(SiH4)을 중심으로 아산화질소(N2O), 산소(O2), 이산화탄소(CO2)가 적절히 배합된 상태로 증착될 수 있다. 여기서, 상기 산화 규소층을 형성하기 위한 공정조건으로, 압력은 약 0.1 ~ 5 Torr이고, RF 전력은 약 100 ~ 350 W이며, 증착될 타겟물체가 배치하게 될 스테이지는 주변보다 상대적으로 낮은 온도로 유지시킨다.
또한, 상기 탄화 규소층도 플라즈마 화학증착법(PECVD)으로 형성될 수 있고, 트리메틸실란(trimethylsilane)이나 테라메틸실란(tetramethylsilane)을 프리커서(precursor)로, 헬륨(He), 아르곤(Ar), 암모니아(HN3), 질소(N2), 아산화질소(N2O) 등의 기체가 적절히 배합된 상태로 증착될 수 있다. 여기서, 상기 탄화 규소층을 형성하기 위한 공정조건은 상기 산화 규소층을 형성하기 위한 공정조건과 실질적으로 동일하다.
상기 은도금 보호층(500)은 플라즈마 화학증착법(PECVD)이 아니라 유리 성분을 포함하는 유기용매를 이용하여 형성될 수도 있다. 예를 들어, 유리 성분이 0.01% ~ 99%까지 포함되어 있는 유기용매를 상기 몰딩부(400) 및 상기 하우징(300) 상에 형성한다. 이후 상기 유리 성분을 포함하는 유기용매는 상온에서 상기 유기용매 성분이 증발되어 주변의 습기와 반응하여 암모니아(NH3) 기체를 형성함으로 써, 무기물인 유리 성분으로 이루어진 상기 은도금 보호층(500)이 형성될 수 있다. 여기서, 상온보다 높은 고온에서 또는 고온 고습 조건에서 상기 유리 성분을 포함하는 유기용매를 경화시킬 경우, 경화속도가 빨라져서 상기 은도금 보호층(500)이 보다 빠르게 형성될 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 무기물을 포함하는 상기 은도금 보호층(500)이 상기 몰딩부(400) 및 상기 하우징(300) 상에 걸쳐서 형성됨에 따라, 외부의 습기나 공기가 상기 몰딩부(400) 및 상기 하우징(300) 간의 사이공간이나 상기 몰딩부(400)의 내부를 통해 상기 리드 프레임의 은 도금층으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 상기 은 도금층이 상기 습기나 상기 공기에 의해 산화되는 것을 억제하여 상기 은 도금층의 광반사율이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 그 결과 상기 광원 패키지에서 발생되는 광의 휘도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.
<광원 패키지의 실시예 2>
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 의한 광원 패키지는 도 1의 형광입자들(410) 대신에 형광부(150)를 포함하는 것을 제외하면, 제1 실시예에 의한 광원 패키지와 실질적으로 동일하므로, 상기 형광부(150)를 제외한 다른 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 상기 제1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하겠다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 의한 광원 패키지는 상기 발광칩(100)의 상면에 형성되어, 상기 발광칩(100)에서 발생된 광의 파장을 변경시키는 형광부(150)를 더 포함한다.
예를 들어, 상기 발광칩(100)에서 발생된 광이 청색광이라고 할 때, 상기 형광부(150)는 상기 청색광을 백색광으로 변경시켜 출사시킬 수 있다. 이때, 상기 형광부(150)는 상기 청색광의 일부를 적색광 및 녹색광으로 변경시킬 수 있는 적색 및 녹색 형광체들을 포함할 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 무기물을 포함하는 상기 은도금 보호층(500)이 상기 몰딩부(400) 및 상기 하우징(300) 상에 걸쳐서 형성됨에 따라, 외부의 습기나 공기가 상기 몰딩부(400) 및 상기 하우징(300) 간의 사이공간이나 상기 몰딩부(400)의 내부를 통해 상기 리드 프레임의 은 도금층과 상기 형광부(150)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 그로 인해, 상기 은 도금층이 산화되거나 상기 형광부(150)가 변질되는 것을 방지할 수 있다.
<광원 패키지의 실시예 3>
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 의한 광원 패키지는 볼록 렌즈부(600)를 더 포함하는 것을 제외하면, 제2 실시예에 의한 광원 패키지와 실질적으로 동일하므로, 상기 볼록 렌즈부(600)를 제외한 다른 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 상기 제2 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하겠다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 의한 광원 패키지는 상기 몰딩부(400) 상에 배치되어 상기 하우징(300)과 결합되는 볼록 렌즈부(600)를 더 포함한다.
상기 볼록 렌즈부(600)는 상기 몰딩부(400)와 마주하고 실질적으로 평평한 하면과, 상기 하면과 대향하며 상측으로 볼록하게 돌출된 상면을 갖는다. 이때, 상기 볼록 렌즈부(600)의 하면과 접하는 상기 몰딩부(400)의 상면은 실질적으로 평평한 평면이다. 또한, 상기 몰딩부(400)는 상기 상부 하우징(320)에 의해 형성된 상기 개구부의 전 영역을 채울 수도 있지만, 상기 개구부의 일부만을 채울 수도 있다.
상기 은도금 보호층(500)은 상기 볼록 렌즈부(600) 및 상기 하우징(300) 상에 걸쳐서 형성된다. 즉, 상기 은도금 보호층(500)은 상기 볼록 렌즈부(600)의 상면과 상기 상부 하우징(310)의 상면 상에 걸쳐서 형성된다.
한편, 도 3에서는 상기 발광칩(100)의 상면에 상기 형광부(150)가 배치되는 것으로 도시하였으나, 이와 다르게 상기 형광부(150) 대신에 상기 몰딩부(400) 내에 도 1에서의 형광입자들(410)이 배치될 수도 있다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 무기물을 포함하는 상기 은도금 보호층(500)이 상기 볼록 렌즈부(600) 및 상기 하우징(300) 상에 걸쳐서 형성됨에 따라, 외부의 습기나 공기가 상기 볼록 렌즈부(600) 및 상기 몰딩부(400)를 통해 상기 리드 프레임의 은 도금층과 상기 형광부(150)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
<광원 패키지의 실시예 4>
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 의한 광원 패키지는 은도금 보호층(500)의 형성위치를 제외하면, 제3 실시예에 의한 광원 패키지와 실질적으로 동일하므로, 상기 은도금 보호층(500)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 상기 제3 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하겠다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 의한 은도금 보호층(500)은 상기 몰딩부(400)와 상기 볼록 렌즈부(600) 사이에 형성될 수 있다.
상기 은도금 보호층(500)은 상기 볼록 렌즈부(600)가 배치되기 전에 상기 몰딩부(400)의 상면에 증착되어 형성될 수 있다. 이후, 상기 볼록 렌즈부(600)는 상기 은도금 보호층(500) 상에 형성되어 상기 상부 하우징(320)과 결합될 수 있다. 여기서, 상기 은도금 보호층(500)은 도 4와 같이 상기 몰딩부(400)의 상면에만 형성되는 것이 아니라, 상기 개구부와 대응되는 상기 상부 하우징(320)의 내측면에도 형성될 수 있다.
한편, 도 4에서는 도 3과 달리 상기 몰딩부(400) 내에 복수의 형광입자들(410)이 배치되는 것으로 도시하였으나, 이와 다르게 상기 형광입자들(410) 대신에 상기 발광칩(100)의 상면에 도 3에서의 형광부(150)가 배치될 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 무기물을 포함하는 상기 은도금 보호층(500)이 상기 몰딩부(400) 및 상기 볼록 렌즈부(600) 사이에 형성됨에 따라, 상기 볼록 렌즈부(600)를 통해 인가된 외부의 습기나 공기가 상기 몰딩부(400)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
<광원 패키지의 실시예 5>
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 의한 광원 패키지는 은도금 보호층(500)의 형성위치를 제외하면, 제2 실시예에 의한 광원 패키지와 실질적으로 동일하므로, 상기 은도금 보호층(500)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 상기 제2 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하겠다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 의한 은도금 보호층(500)은 상기 하우징(300) 및 상기 몰딩부(400) 사이에 형성되어, 상기 발광칩(100) 및 상기 리드 프레임(200)의 일부를 덮는다.
상기 은도금 보호층(500)은 상기 몰딩부(400)가 형성되기 전에, 상기 상부 하우징(320), 상기 발광칩(100) 및 상기 리드 프레임(200)의 일부 상에 증착되어 형성될 수 있다. 그 결과, 상기 은도금 보호층(500)은 상기 개구부에 의해 노출된 상기 발광칩(100)과 상기 리드 프레임(200)의 일부를 덮도록 형성되고, 상기 개구부와 대응되는 상기 상부 하우징(320)의 내측면에도 형성될 수 있다. 이후, 상기 몰딩부(400)는 상기 개구부 내에 개재되어 상기 은도금 보호층(500) 상에 형성될 수 있다.
한편, 상기 몰딩부(400)의 상부는 도 5와 같이 볼록 렌즈형상을 가질 수 있지만, 이와 다르게 도 3과 같이 상기 몰딩부(400) 상에 별도의 볼록 렌즈부(600)가 더 배치될 수 있다. 또한, 도 5에서는 상기 발광칩(100)의 상면에 상기 형광 부(150)가 배치되는 것으로 도시하였으나, 이와 다르게 상기 형광부(150) 대신에 상기 몰딩부(400) 내에 도 1에서의 형광입자들(410)이 배치될 수도 있다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 무기물을 포함하는 상기 은도금 보호층(500)이 상기 리드 프레임(200)의 일부 및 상기 형광부(150)를 직접 덮도록 형성됨에 따라, 상기 몰딩부(400)를 통해 인가된 외부의 습기나 공기가 상기 리드 프레임(200)의 은 도금층과 상기 형광부(150)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
<광원 패키지의 실시예 6>
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 의한 광원 패키지는 프라이머층(510)을 더 포함하는 것을 제외하면, 제5 실시예에 의한 광원 패키지와 실질적으로 동일하므로, 상기 프라이머층(510)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 상기 제5 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하겠다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 의한 광원 패키지는 상기 은도금 보호층(500) 및 상기 몰딩부(400) 사이에 형성된 프라이머층(primer layer, 510)을 더 포함한다.
상기 프라이머층(510)은 상기 몰딩부(400)를 형성하기 전에 상기 은도금 보호층(500) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 프라이머층(510)은 상기 은도금 보호층(500)의 표면을 프라이머 처리함으로써 형성될 수 있다. 상기 프라이머 처리는 접착에 적합하지 않은 표면을 접착에 적합한 표면으로 개질하는 표면처리를 의미한다. 따라서, 상기 프라이머층(510)은 상기 몰딩부(400)가 이후 공정에서 형성될 때, 상기 은도금 보호층(500)과 상기 몰딩부(400) 사이의 접착성을 향상시킬 수 있다.
한편, 도 6에는 상기 몰딩부(400)의 상부에 별도의 볼록 렌즈부(600)가 배치되는 것으로 도시하였으나, 상기 몰딩부(400)의 상부가 도 5와 같이 볼록 렌즈형상을 가질 수 있다. 또한, 도 6에서는 상기 발광칩(100)의 상면에 상기 형광부(150)가 배치되는 것으로 도시하였으나, 이와 다르게 상기 형광부(150) 대신에 상기 몰딩부(400) 내에 도 1에서의 형광입자들(410)이 배치될 수도 있다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 무기물을 포함하는 상기 은도금 보호층(500)이 상기 리드 프레임(200)의 일부 및 상기 형광부(150)를 직접 덮도록 형성되고, 상기 은도금 보호층(500) 상에 상기 프라이머층(510)이 형성됨에 따라, 상기 은도금 보호층(500)과 상기 몰딩부(400) 사이의 접착성을 보다 향상시킬 수 있다.
<광원 패키지의 실시예 7>
도 7은 본 발명의 제7 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 의한 광원 패키지는 은도금 보호층(500)의 형성위치를 제외하면, 제1 실시예에 의한 광원 패키지와 실질적으로 동일하므로, 상기 은도금 보호층(500)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 상기 제1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하겠다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 의한 은도금 보호층(500)은 상기 리드 프레 임(300)의 은 도금층의 표면에 코팅되어 형성된다. 여기서, 상기 은도금 보호층(500)은 상기 리드 프레임(300)의 표면 전부에 형성될 수 있지만, 도 7과 같이 상기 리드 프레임(300)의 상면에만 형성될 수도 있다.
한편, 도 7에는 상기 몰딩부(400)의 상부가 볼록 렌즈형상을 갖는 것으로 도시하였으나, 이와 다르게 상기 몰딩부(400)의 상부에 도 3과 같이 별도의 볼록 렌즈부(600)가 더 배치될 수도 있다. 또한, 도 7에서는 상기 몰딩부(400) 내에 복수의 형광입자들(410)이 배치되는 것으로 도시하였으나, 이와 다르게 상기 발광칩(100)의 상면에 도 2와 같이 형광부(150)가 더 배치될 수도 있다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 무기물을 포함하는 상기 은도금 보호층(500)이 상기 리드 프레임(200)의 은 도금층 상에 직접 형성됨에 따라, 외부의 습기나 공기에 의해 상기 은 도금층이 산화되는 것을 억제할 수 있다.
<광원 패키지의 실시예 8>
도 8은 본 발명의 제8 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 의한 광원 패키지는 슬러그(700)를 제외하면, 제5 실시예에 의한 광원 패키지와 실질적으로 동일하므로, 상기 슬러그(700)에 관련된 사항을 제외한 나머지 설명은 생략하기로 하고, 상기 제5 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하겠다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에 의한 광원 패키지는 발광칩(100)의 하부에 배치된 슬러그(700)을 더 포함한다.
상기 슬러그(700)는 상부면이 노출되도록 하우징(300)에 의해 감싸진다. 즉, 상기 슬러그(700)의 상부면은 상기 하우징(300)에 의해 형성된 개구부를 통해 노출되고, 상기 슬러그(700)의 상부면에는 광을 발생시키는 발광칩(100)이 배치된다.
상기 슬러그(700)의 상부면에는 상기 발광칩(100)을 수용하기 위한 칩 수용홀(710)이 형성될 수 있다. 여기서, 상기 슬러그(700)의 상부면은 그 자체로 상기 발광칩(100)에서 발생된 광을 반사시킬 수 있는 반사면으로 이용될 수 있지만, 이와 다르게 상기 슬러그(700)의 상부면 상에 별도의 반사층(미도시)이 형성될 수도 있다.
상기 슬러그(700)는 열을 잘 전달할 수 있는 금속물질, 예를 들어 구리, 은 등으로 이루어질 수 있다. 그 결과, 상기 슬러그(700)는 상기 발광칩(100)에서 발생된 열을 외부로 쉽게 방출시킬 수 있다. 여기서, 상기 발광칩(100)에서 발생된 열을 보다 효과적으로 방출시키기 위해 상기 상부면과 대향하는 상기 슬러그(700)의 하부면이 외부로 노출되는 것이 바람직하다. 한편, 상기 슬러그(700)는 상기 하우징(300)과의 결합력을 높이기 위한 적어도 하나의 결합돌기(720)를 포함할 수 있다.
리드 프레임(200), 즉 제1 및 제2 리드단자들(210, 220)은 상기 슬러그(700)과 이격되어 배치되어 전기적으로 분리되고, 상기 하우징(300)에 의해 감싸진다. 상기 제1 및 제2 리드단자들(210, 220)은 한 쌍의 칩 연결선들(110)에 의해 각각 상기 발광칩(100)과 전기적으로 연결된다.
산화 실리콘(SiOx) 등과 같은 무기물을 포함하는 은도금 보호층(500)은 상기 하우징(300) 및 몰딩부(400) 사이에 형성되어, 상기 발광칩(100), 상기 슬러그(700)의 상부면 및 상기 리드 프레임(200)의 일부를 덮도록 형성된다. 예를 들어, 상기 은도금 보호층(500)는 상기 몰딩부(400)가 형성되기 전에 플라즈마 증착법을 이용하여, 상기 상부 하우징(320)의 내측면, 상기 발광칩(100), 상기 슬러그(700)의 상부면 및 상기 리드 프레임(200)의 일부 상에 증착되어 형성될 수 있다. 한편, 본 실시예에서, 상기 몰딩부(400) 내에는 상기 발광칩(100)에서 발생된 광의 파장을 변경시킬 수 있는 복수의 형광물질들(410)이 개재될 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 상기 은도금 보호층(500)이 상기 리드 프레임(200)의 은 도금층 및 상기 슬러그(700)의 상부면 상에 형성됨에 따라, 외부의 습기나 공기에 의해 상기 리드 프레임(200)의 은 도금층 및 상기 슬러그(700)의 상부면이 산화되는 것을 억제할 수 있다.
<광원 패키지의 실시예 9>
도 9는 본 발명의 제9 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 의한 광원 패키지는 형광부(150)를 더 포함하는 것을 제외하면, 제8 실시예에 의한 광원 패키지와 실질적으로 동일하므로, 상기 형광부(150)에 관련된 사항을 제외한 나머지 설명은 생략하기로 하고, 상기 제8 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하겠다.
도 9를 참조하면, 본 실시예에 의한 광원 패키지는 발광칩(100)을 덮도록 슬 러그(700)의 상부면에 형성된 형광부(150)를 더 포함한다. 즉, 상기 형광부(150)는 상기발광칩(100)을 덮도록 상기 슬러그(700)의 상부면의 칩 수납홈(710) 내에 형성되어, 상기 발광칩(100)에서 발생된 광의 파장을 변경시켜 출사시킬 수 있다.
한편, 산화 실리콘(SiOx) 등과 같은 무기물을 포함하는 은도금 보호층(500)은 상기 하우징(300) 및 몰딩부(400) 사이에 형성되어, 상기 형광부(150) 및 상기 리드 프레임(200)의 일부를 덮도록 형성된다. 상기 은도금 보호층(500)은 외부로부터 침투된 습기나 공기에 의해 상기 리드 프레임(200)의 은 도금층이 산화되는 것을 억제할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제7 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제8 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제9 실시예에 따른 광원 패키지를 도시한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 발광칩 110 : 칩 연결선
150 : 형광부 200 : 리드 프레임
210 : 제1 리드단자 220 : 제2 리드단자
300 : 하우징 310 : 하부 하우징
320 : 상부 하우징 400 : 몰딩부
410 : 형광입자 500 : 은도금 보호층
510 : 프라이머층 600 : 볼록 렌즈부
700 : 슬러그 710 : 칩 수납홈
720 : 결합돌기

Claims (18)

  1. 광을 발생시키는 발광칩;
    상기 발광칩과 전기적으로 연결되어 외부로부터 인가된 구동전원을 상기 발광칩으로 제공하고, 표면에 광을 반사시키기 위한 은 도금층을 갖는 리드 프레임;
    상기 리드 프레임과 결합되어 고정시키고, 상기 발광칩과 상기 리드 프레임의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 하우징;
    상기 개구부 내에 형성되어 상기 발광칩과 상기 리드 프레임의 일부를 커버하는 몰딩부; 및
    상기 리드 프레임과 접촉 또는 이격되도록 상기 리드 프레임의 상부에 배치되어 상기 은 도금층의 산화를 방지하고, 무기물을 포함하는 은도금 보호층을 포함하는 광원 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 무기물은
    산화규소(SiOx) 또는 탄화규소(SiCx)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 은도금 보호층은
    상기 몰딩부 상에 형성된 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  4. 제3항에 있어서, 상기 은도금 보호층 상에 배치되어 상기 하우징과 결합되는 볼록 렌즈부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  5. 제3항에 있어서, 상기 은도금 보호층은
    상기 몰딩부 및 상기 하우징 상에 걸쳐서 형성된 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 몰딩부의 상부는
    광을 확산시킬 수 있는 볼록 렌즈 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 몰딩부 상에 배치되어 상기 하우징과 결합되는 볼록 렌즈부를 더 포함하고,
    상기 은도금 보호층은 상기 볼록 렌즈부 및 상기 하우징 상에 걸쳐서 형성된 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  8. 제1항에 있어서, 상기 은도금 보호층은
    상기 하우징 및 상기 몰딩부 사이에 형성되어, 상기 발광칩 및 상기 리드 프레임의 일부를 덮는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  9. 제8항에 있어서, 상기 은도금 보호층 및 상기 몰딩부 사이에 형성되어, 상기 은도금 보호층과 상기 몰딩부 사이의 접착성을 향상시킬 수 있는 프라이머층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  10. 제1항에 있어서, 상기 은도금 보호층은
    상기 리드 프레임의 은 도금층의 표면에 코팅되어 형성된 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  11. 제1항에 있어서, 상기 몰딩부 내부에는
    상기 발광칩에서 발생된 광의 파장을 변경시키는 복수의 형광입자들이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  12. 제1항에 있어서, 상기 발광칩의 상면에 형성되어, 상기 발광칩에서 발생된 광의 파장을 변경시키는 형광부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  13. 제1항에 있어서, 상기 리드 프레임은
    서로 이격되어 전기적으로 분리된 제1 및 제2 리드단자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  14. 제1항에 있어서, 상기 하우징은
    상기 리드 프레임의 하부에 배치되어 상기 리드 프레임을 고정시키는 하부 하우징; 및
    상기 리드 프레임의 상부에 배치되고, 상기 개구부를 갖도록 상기 발광칩의 외곽을 따라 형성된 상부 하우징을 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  15. 제1항에 있어서, 상부면이 상기 개구부를 통해 노출되도록 상기 하우징에 의해 감싸지고, 상기 발광칩이 상기 상부면에 배치되며, 상기 발광칩에서 발생된 열을 외부로 방출시킬 수 있는 슬러그를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  16. 제15항에 있어서, 상기 은도금 보호층은
    상기 하우징 및 상기 몰딩부 사이에 형성되어, 상기 발광칩, 상기 슬러그의 상부면 및 상기 리드 프레임의 일부를 덮는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  17. 제15항에 있어서, 상기 슬러그의 상부면에는 상기 발광칩을 수납하기 위한 칩 수납홈이 형성되고,
    상기 발광칩에서 발생된 광의 파장을 변경시키기 위한 형광부가 상기 발광칩을 덮도록 상기 칩 수납홈 내에 형성된 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
  18. 제17항에 있어서, 상기 은도금 보호층은
    상기 하우징 및 상기 몰딩부 사이에 형성되어, 상기 형광부 및 상기 리드 프레임의 일부를 덮는 것을 특징으로 하는 광원 패키지.
KR1020080138578A 2008-12-31 2008-12-31 광원 패키지 KR20100079970A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080138578A KR20100079970A (ko) 2008-12-31 2008-12-31 광원 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080138578A KR20100079970A (ko) 2008-12-31 2008-12-31 광원 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100079970A true KR20100079970A (ko) 2010-07-08

Family

ID=42640993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080138578A KR20100079970A (ko) 2008-12-31 2008-12-31 광원 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100079970A (ko)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456798A (zh) * 2010-10-20 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
WO2013013154A2 (en) * 2011-07-21 2013-01-24 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
WO2013101385A1 (en) * 2011-12-01 2013-07-04 Cree, Inc. Light emitting devices and components having excellent chemical resistance and related methods
KR20150006240A (ko) * 2013-07-08 2015-01-16 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
CN111837245A (zh) * 2017-10-19 2020-10-27 亮锐有限责任公司 发光器件封装

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456798A (zh) * 2010-10-20 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
WO2013013154A2 (en) * 2011-07-21 2013-01-24 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
WO2013013154A3 (en) * 2011-07-21 2013-04-04 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
CN103782402A (zh) * 2011-07-21 2014-05-07 克利公司 用于改进的化学抗性的发光体器件封装、部件和方法、以及相关方法
US11563156B2 (en) 2011-07-21 2023-01-24 Creeled, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US10490712B2 (en) 2011-07-21 2019-11-26 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
WO2013101385A1 (en) * 2011-12-01 2013-07-04 Cree, Inc. Light emitting devices and components having excellent chemical resistance and related methods
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
KR20150006240A (ko) * 2013-07-08 2015-01-16 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN111837245A (zh) * 2017-10-19 2020-10-27 亮锐有限责任公司 发光器件封装

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20100079970A (ko) 광원 패키지
US7582496B2 (en) LED package using Si substrate and fabricating method thereof
JP5198058B2 (ja) 縁部が気密封止された有機電子パッケージ及びその製造方法
US10490712B2 (en) Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
KR100941129B1 (ko) 발광장치 및 그의 제조방법
US8206999B2 (en) Chip-type LED and method for manufacturing the same
US8222811B2 (en) Electroluminescent display, illumination or indicating device, and its fabrication process
US20170250317A1 (en) Photoelectric semiconductor device
TWI389268B (zh) 半導體組件用之載體、半導體組件及載體之製造方法
JP5374876B2 (ja) 発光装置
JP2012504304A (ja) 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法
US11322664B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
US8987708B2 (en) Optoelectronic component
CN101276873A (zh) 发光元件及其制造方法
US7976908B2 (en) High throughput processes and systems for barrier film deposition and/or encapsulation of optoelectronic devices
US10840413B2 (en) Optoelectronic device and method of producing an optoelectronic device
CN107683533A (zh) 光电子器件和用于制造光电子器件的方法
US11081630B2 (en) Light emitting device package with a coating layer
KR20100077498A (ko) 광원 패키지 및 이의 제조방법
CN111584741B (zh) 显示基板、显示装置及其封装方法
US20240023409A1 (en) Display panel and method of manufacturing the same
CN111917002B (zh) 光源装置
TWI404186B (zh) 半導體組件用之電連接導體、半導體組件以及電連接導體之製造方法
KR20090082975A (ko) Led 램프
KR20150114264A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그것의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application