KR20100074617A - Negative photosensitive resin composition for forming a barrier rib of pdp - Google Patents

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최형섭
최용석
문성배
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A negative photoresist resin composition for forming a PDP barrier rib, and a plasma display panel(PDP) including the barrier rib are provided to remove an unnecessary laminating process, and to prevent the reduction of the production efficiency. CONSTITUTION: A negative photoresist resin composition for forming a PDP barrier rib is capable of forming the barrier rib at the coating thickness of 5~10 micrometers. The negative photoresist resin composition contains 50~60wt% of modified epoxy acrylate resin marked with chemical formula 1, 10~20wt% of radical polymerization initiator containing more than one photopolymerization initiator, 10~20wt% of monomer with a radical polymerizable double bond within a molecule, 1~2wt% of antifoaming agent, 1~2wt% of leveling agent, and 10~30wt% of solvent.

Description

PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물{NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR FORMING A BARRIER RIB OF PDP}Negative photosensitive resin composition for PD partition formation {NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR FORMING A BARRIER RIB OF PDP}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 후면판의 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to an intaglio-type photosensitive resin composition for forming partition walls of a plasma display panel (PDP) back plate.

비진공상태의 기체 분위기에서 공간적으로 분리된 두 접점간에 어느 이상의 전위차가 인가되면 방전이 발생되는데, 플라즈마 표시 소자는 이러한 기체 방전 현상을 화상 표시에 응용한 평판 표시 소자이다. 현재 일반적으로 사용되고 있는 플라즈마 디스플레이 패널은 반사형 교류 구동 플라즈마 디스플레이 패널로서, 후면 기판 구조의 경우 격벽 위에 형광체층이 형성되어 있다.When at least one potential difference is applied between two spatially separated contacts in a non-vacuum gas atmosphere, a discharge is generated. The plasma display device is a flat panel display device in which such a gas discharge phenomenon is applied to image display. The plasma display panel which is generally used at present is a reflective AC drive plasma display panel. In the case of a back substrate structure, a phosphor layer is formed on a partition wall.

플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 후면판의 격벽층을 형성하기 위한 제조방법으로는 유리기판 위에 유색재료를 소정의 두께로 도포 및 건조하고 그 위에 내샌드블라스트성을 가진 마스크를 패턴상으로 형성한 뒤 샌드블라스트(sandblast) 가공을 행하여 격벽 이외의 부분을 제거하고 소성하여 원하는 격벽을 형성하는 샌드블라스트법과 포토레지스트 또는 DFR 필름을 이용하여 도포, 노광, 현상 및 에칭공정을 수행하여 격벽을 형성하는 에칭법이 있으며, 또한 감광성 고분자수지와 격벽 용 모유리와 골재 역할을 하는 필러(filler)재료를 포함하는 페이스트를 혼합하여 노광, 현상하여 격벽을 직접 형성하는 방법등이 있다.As a manufacturing method for forming the partition layer of the back panel of the plasma display panel (PDP), a colored material is applied and dried to a predetermined thickness on a glass substrate, and a sandblast resistant mask is formed on the pattern and then sanded. Sandblasting is performed by blasting to remove parts other than partitions and firing to form desired partitions, and etching is performed by coating, exposing, developing and etching processes using photoresist or DFR film. In addition, there is a method of directly forming a partition by exposing and developing a paste containing a photosensitive polymer resin, a filler for the partition wall and a filler material serving as an aggregate.

통상적으로 에칭법에 의하여 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 후면판을 제조하는 방법을 기술하면 다음과 같다.In general, a method of manufacturing a plasma display panel (PDP) back plate by an etching method is described as follows.

후면 글라스기판에 전극용 페이스트를 전극제판 위에 올려 놓고 스퀴지로 전극패턴인쇄를 실시하여 전극패턴을 형성하고, 이를 120∼150℃의 온도로 5∼10분정도 건조시킨 후, 500∼600℃로 10분 정도 소성을 행한다. 이어, 상기 소성체에 유전체용 페이스트를 유전체제판 위에 올려놓고 스퀴지로 유전체 전면인쇄를 실시하여 유전체층을 형성하고, 이를 120∼150℃의 온도로 5∼10분정도 건조시킨 후, 550∼580℃로 10분정도 소성을 행한다. 그후, 유전체층 위에 격벽용 페이스트를 격벽제판 위에 올려놓고 스퀴지로 격벽전면인쇄를 실시하여 격벽층을 형성하고, 이를 120∼150℃의 온도로 5∼10분 정도 건조시킨후, 다시 형성된 격벽층 위에 격벽전면인쇄공정과 건조공정을 8∼10회 정도 실시한 후 포토레지스트를 상기 건조체 위에 코팅하여 노광 및 현상을 실시한 뒤 에칭공정을 통하여 격벽층을 형성한다. 그리고, 포토레지스트를 제거하고, 이어 550∼600℃로 10분정도 소성을 행하여 격벽을 완성한다.Place the electrode paste on the back glass substrate on the electrode plate and print the electrode pattern with squeegee to form the electrode pattern, and then dry it for 5 to 10 minutes at a temperature of 120 to 150 ℃, and then to 10 to 500 to 600 ℃. Firing for about minutes. Subsequently, a dielectric paste was placed on the dielectric plate on the fired body and the entire surface was printed with a squeegee to form a dielectric layer. The dielectric layer was dried at a temperature of 120 to 150 ° C. for about 5 to 10 minutes, and then to 550 to 580 ° C. Firing is performed for about 10 minutes. Subsequently, the partition paste is placed on the partition plate on the dielectric layer and the front surface of the partition is printed by squeegee to form a partition layer. The partition layer is dried at a temperature of 120 to 150 ° C. for 5 to 10 minutes, and then the partition wall is formed on the partition wall layer. After performing the front printing process and the drying process about 8 to 10 times, the photoresist is coated on the dried body to perform exposure and development, and then a barrier layer is formed through an etching process. Then, the photoresist is removed and then calcined at 550 to 600 ° C. for about 10 minutes to complete the partition wall.

한국공개특허공보 제2002-0058939호는 감광성 수지의 도포, 노광, 현상 및 박막 공정 없이 소성 이후 가공을 행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면기판의 제조방법을 개시하고 있고, 한국공개특허공보 제2001-0113340호 및 제2001-0113341 호는 후면기판 위에 유색재료를 도포, 소성하고, 그 위에 내에칭성을 가지는 마스크를 패턴상으로 형성한 뒤, 산계 액체 조합물로 선택적으로 에칭하여 격벽을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널 후면기판용 유색재료에 대하여 기재하고 있다. 그러나 상기 발명들은 모두 비결정성 모유리를 주성분으로 하는 격벽재료로 되어 있어서, 에칭 속도가 상대적으로 느리고 긴 시간 동안의 에칭이 요구되어 감광성 수지에 크랙이 발생하기도 하며, 생산 수율면에서도 많은 문제점을 야기하고 있다. 따라서, 감광성 수지의 코팅 막두께를 높임으로써 긴 에칭 시간에 대한 내크랙성 향상을 꾀하는 방법이 실시되고 있다. 그러나, 이러한 방법은 과다한 코팅 두께로 인한 생산효율 저하 및 가격 경쟁력 저하의 문제를 야기한다.Korean Laid-Open Patent Publication No. 2002-0058939 discloses a method for manufacturing a back substrate of a plasma display panel which is processed after firing without the photosensitive resin coating, exposure, development, and thin film processing, and Korean Laid-Open Patent Publication No. 2001-0113340 No. 2001-0113341 discloses a plasma display panel in which a colored material is coated and baked on a back substrate, a mask having resistance to etching is formed in a pattern, and then selectively etched with an acid-based liquid combination to form a partition wall. It describes the colored material for the rear substrate. However, all of the above inventions are made of a barrier material mainly composed of amorphous mother glass, so that the etching rate is relatively slow and etching is required for a long time, causing cracks in the photosensitive resin, and also causing many problems in terms of production yield. Doing. Therefore, the method of improving crack resistance with respect to a long etching time is performed by raising the coating film thickness of the photosensitive resin. However, this method leads to problems of lower production efficiency and lower price competitiveness due to excessive coating thickness.

본 발명은, 종래의 DFR이나 다른 양각형 감광성 수지 등을 이용할 때 야기되는 과다한 막 두께로 인한 생산효율 저하 및 가격 경쟁력 저하를 개선하기 위한 것으로서, 변성 에폭시아크릴레이트 수지를 함유하여 낮은 막 두께로 코팅을 해도 내에칭성이 뛰어나기 때문에, 고감도, 고해상성의 양호한 패턴을 형성하는 PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 현재 사용중인 PDP 디바이스(Device)에 있어서 저가의 양산 설비로 접근 가능한 113 피치(Pitch) 이하의 격벽 형성에 더 큰 효과를 발휘하는 음각형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to improve the production efficiency and lower the price competitiveness due to the excessive film thickness caused by using conventional DFR or other embossed photosensitive resin, etc., it is coated with a low film thickness containing a modified epoxy acrylate resin It is an object of the present invention to provide an intaglio-type photosensitive resin composition for forming a PDP partition wall which is excellent in etch resistance even if it forms a high-sensitivity and high resolution pattern. In particular, it is an object of the present invention to provide an intaglio-type photosensitive resin composition which has a greater effect on the formation of partition walls of 113 pitches or less accessible to low-cost mass production equipment in current PDP devices.

본 발명은 5㎛~10㎛의 코팅 두께에서 113㎛ 피치(Pitch) 이하의 격벽 형성이 가능한 PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물을 제공한다.The present invention provides an intaglio-type photosensitive resin composition for forming PDP barrier ribs capable of forming barrier ribs having a pitch of 113 µm or less at a coating thickness of 5 µm to 10 µm.

상기 PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물은, The negative photosensitive resin composition for PDP partition wall formation,

(A) 하기의 화학식 1로 표시되는 변성 에폭시아크릴레이트 수지; (A) modified epoxy acrylate resin represented by the following formula (1);

(B) 1종 이상의 광중합개시제 및 광중합개시 보조제를 포함하는 라디칼 중합개시제; (B) a radical polymerization initiator comprising at least one photoinitiator and a photoinitiator adjuvant;

(C) 분자내에 라디칼 중합성 이중결합을 갖는 단량체; (C) a monomer having a radical polymerizable double bond in the molecule;

(D) 소포제; (D) antifoams;

(E) 레벨링제; 및 (E) leveling agents; And

(F) 용제를 포함한다. (F) It contains a solvent.

Figure 112008088714831-PAT00001
Figure 112008088714831-PAT00001

상기 식에서, R1은 H 또는 CH3이고, n은 1~7의 정수이다.Wherein R 1 is H or CH 3 and n is an integer from 1 to 7.

또한, 본 발명은 상기 조성물을 사용하여 형성된 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.In addition, the present invention provides a plasma display panel comprising a partition wall formed using the composition.

본 발명의PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물은 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성시 DFR또는 양각형 광경화성 수지를 사용하는 경우 필수적으로 수행되는 라미네이트 공정이 불필요하여 전력소비 및 설비의 설치면적 면에서 경제적이며, 특히 과다한 코팅 두께로 인한 생산효율 저하 및 가격 경쟁력 저하 문제가 없으며, 내에칭성을 갖는 10㎛정도의 얇은 코팅막을 사용함으로써 고감도, 고해상성의 양호한 패턴을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 보존 안정성이 우수하고 격벽 형 성의 제작 원가 절감 효과가 매우 크다. The intaglio-type photosensitive resin composition for forming PDP barrier ribs of the present invention is economical in terms of power consumption and installation area because it does not require a lamination process that is essentially performed when DFR or an embossed photocurable resin is used for barrier rib formation of a plasma display panel. In particular, there is no problem of deterioration in production efficiency and price competitiveness due to excessive coating thickness, and the use of a thin coating film having a etch resistance of about 10 μm enables not only to form a good pattern of high sensitivity and high resolution, but also storage stability. Excellent cost savings for the formation of bulkheads.

특히, 본 발명의PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물은 현재 사용중인 PDP 디바이스(Device)에 있어서 저가의 양산 설비로 접근 가능한 113 피치(Pitch) 이하의 격벽 형성에 더 큰 효과를 발휘한다.In particular, the negative photosensitive resin composition for forming a PDP partition wall of the present invention has a greater effect on the formation of a partition pitch of 113 pitch or less that is accessible to low-cost mass production equipment in PDP devices currently in use.

본 발명은 5㎛~10㎛의 코팅 두께에서 113㎛ 피치(Pitch) 이하의 격벽 형성이 가능한 PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to an intaglio-type photosensitive resin composition for forming PDP barrier ribs capable of forming barrier ribs of 113 µm or less in a coating thickness of 5 µm to 10 µm.

상기 PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물은,The negative photosensitive resin composition for PDP partition wall formation,

(A) 하기의 화학식 1로 표시되는 변성 에폭시아크릴레이트 수지; (A) modified epoxy acrylate resin represented by the following formula (1);

(B) 1종 이상의 광중합개시제 및 광중합개시 보조제를 포함하는 라디칼 중합개시제; (B) a radical polymerization initiator comprising at least one photoinitiator and a photoinitiator adjuvant;

(C) 분자내에 라디칼 중합성 이중결합을 갖는 단량체; (C) a monomer having a radical polymerizable double bond in the molecule;

(D) 소포제; (D) antifoams;

(E) 레벨링제; 및 (E) leveling agents; And

(F) 용제를 포함한다.(F) It contains a solvent.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112008088714831-PAT00002
Figure 112008088714831-PAT00002

상기 식에서, R1은 H 또는 CH3이고, n은 1~7의 정수이다.Wherein R 1 is H or CH 3 and n is an integer from 1 to 7.

상기에서 피치(Pitch)라 함은 하나의 격벽과 다른 격벽 사이의 거리를 의미한다. 격벽 사이의 거리가 작을수록 일정 면적에 많은 양의 픽셀을 구현할 수 있으므로 고휘도 디스플레이의 구현이 가능해진다.In the above description, the pitch means a distance between one partition wall and another partition wall. As the distance between the partition walls is smaller, a larger amount of pixels can be realized in a predetermined area, thereby enabling a high brightness display.

상기 PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여,The negative photosensitive resin composition for PDP partition wall formation, with respect to the total weight of the composition,

(A) 하기의 화학식 1로 표시되는 변성 에폭시아크릴레이트 수지 50~60중량%;(A) 50 to 60% by weight of modified epoxy acrylate resin represented by the following formula (1);

(B) 1종 이상의 광중합개시제 및 광중합개시 보조제를 포함하는 라디칼 중합개시제 10~20중량%; (B) 10 to 20% by weight of a radical polymerization initiator comprising at least one photoinitiator and a photoinitiator adjuvant;

(C) 분자내에 라디칼 중합성 이중결합을 갖는 단량체 10~20중량%;(C) 10 to 20% by weight of a monomer having a radical polymerizable double bond in the molecule;

(D) 소포제 1~2중량%; (D) 1-2 wt% of antifoaming agent;

(E) 레벨링제 1~2중량%; 및(E) 1-2 wt% leveling agent; And

(F) 용제10~30 중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다. (F) It is characterized by containing 10-30 weight% of solvents.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기에 기재된 (a) 및 (b) 단계를 포함하는 제조방법에 의하여 얻을 수 있다.Compound represented by the formula (1) can be obtained by a manufacturing method comprising the steps (a) and (b) described below.

(a) 반응촉매로서, 트리페닐포스핀, 트리에틸아민, 벤질디메틸아민, 메틸트리에틸암모늄 클로라이드, 크롬 옥타노에이트 및 지르코늄 옥타노에이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 반응혼합물 총 중량에 대해 0.1~1중량%로 사용하여, 90~110℃의 유기용매 중에서 하기 화학식 2의 에폭시 화합물과 하기 화학식 3의 아크릴산을, 에폭시기 1당량에 대해 아크릴산 0.8~1.2몰, 바람직하게는 1몰의 반응비로 반응시켜 하기 화학식 4의 에폭시 아크릴레이트를 얻는 단계:(a) As the reaction catalyst, at least one selected from the group consisting of triphenylphosphine, triethylamine, benzyldimethylamine, methyltriethylammonium chloride, chromium octanoate and zirconium octanoate, is used for the total weight of the reaction mixture. Using 0.1 to 1% by weight, the epoxy compound of the formula (2) and the acrylic acid of the formula (3) in an organic solvent at 90 to 110 ℃, with a reaction ratio of 0.8 to 1.2 moles of acrylic acid, preferably 1 mole per 1 equivalent of the epoxy group Reacting to obtain an epoxy acrylate of the following formula (4):

Figure 112008088714831-PAT00003
Figure 112008088714831-PAT00003

상기 식에서, R1은 H 또는 CH3이고, n은 1~7의 정수이다.Wherein R 1 is H or CH 3 and n is an integer from 1 to 7.

Figure 112008088714831-PAT00004
Figure 112008088714831-PAT00004

Figure 112008088714831-PAT00005
Figure 112008088714831-PAT00005

상기 식에서, R1은 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다.In the formula, R1 is as defined in formula (2).

(b) 100~110℃의 온도에서, (a)단계 반응생성물(화학식 4)과 하기 화학식 5의 테트라히드로프탈산 무수물을, 화학식 4의 히드록시기 1당량에 대해 프탈산 무수물 0.8~1.2몰, 바람직하게는 1몰의 반응비로 반응시켜 프탈산 잔기가 말단 또는 측쇄에 도입된 상기 화학식 1의 화합물을 얻는 단계.(b) 0.8 to 1.2 moles of phthalic anhydride, preferably 1% reaction product (Formula 4) and tetrahydrophthalic anhydride of formula (5) below with respect to 1 equivalent of the hydroxy group of formula (4) Reacting at a reaction ratio of 1 mole to obtain a compound of Formula 1, wherein a phthalic acid residue is introduced at the terminal or side chain.

Figure 112008088714831-PAT00006
Figure 112008088714831-PAT00006

이하에서 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 음각형 감광성 수지 조성물은 다양한 종류의 코팅방법으로 코팅을 한 후 알칼리 현상액에 의하여 고속으로 현상이 가능한 특징을 갖는다.The negative photosensitive resin composition of the present invention has a feature that can be developed at high speed by an alkaline developer after coating with various kinds of coating methods.

(A) 화학식 1로 표시되는 변성 에폭시아크릴레이트 수지(A) Modified epoxy acrylate resin represented by the formula (1)

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법에 있어서, 상기 화학식 2의 에폭시 화합물로는 예컨대, 에폭시 페놀 노보락 수지(식중에서 R1이 H인 경우) 또는 에폭시 크레졸 노보락 수지(식중에서 R1이 CH3인 경우)로서, 에폭시 당량이 200~230이고 연화점이 75~85℃인 것을 사용할 수 있다. 구체적인 예로, YDCN-500-90P(국도 화학 에폭시), N-680(LG화학 제조), EOCN-103S(NIPPON KAYAKU 제조) 또는 ECN-1280(시바 가이기 제조)을 들 수 있다. 또한, 사용되는 유기용매로는, 예컨대, 부틸카비톨 아세테이트(Butyl carbitol acetate), 메틸에틸케톤, 시클로헥사논(Cyclohenanone), 톨루엔, 디프로필렌글리콜 디메틸에테르, 에틸아세테이트, 부틸셀로솔브 아세테이트, 석유에테르 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다. 사용량은 (A)성분 총 중량에 대하여 5~30중량%이다. In the method for preparing a compound represented by Chemical Formula 1, the epoxy compound of Chemical Formula 2 may include, for example, an epoxy phenol novolak resin (when R1 is H) or an epoxy cresol novolak resin (wherein R1 is CH 3). Is an epoxy equivalent of 200 to 230 and a softening point of 75 to 85 ° C. Specific examples include YDCN-500-90P (National Chemical Epoxy), N-680 (manufactured by LG Chemical), EOCN-103S (manufactured by NIPPON KAYAKU), or ECN-1280 (manufactured by Shiva-Geigi). As the organic solvent used, for example, butyl carbitol acetate, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, toluene, dipropylene glycol dimethyl ether, ethyl acetate, butyl cellosolve acetate, petroleum Ether and the like, and these may be used alone or in combination of two or more. The usage-amount is 5-30 weight% with respect to the total weight of (A) component.

또한, 사용되는 중합 금지제로는 예컨대, 메틸에틸 히드로퀴논, 히드로퀴논, 메틸히드로퀴논, 카테콜(Catechol), 피로갈롤(Pyrogallol) 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다. 사용량은 (A)성분 총 중량에 대해 100~400ppm, 바람직하게는 200ppm이다.In addition, the polymerization inhibitor used may include, for example, methylethyl hydroquinone, hydroquinone, methylhydroquinone, catechol, pyrogallol, and the like, which may be used alone or in combination of two or more. . The usage-amount is 100-400 ppm with respect to the total weight of (A) component, Preferably it is 200 ppm.

본 발명의 조성물에서 상기 화학식 1로 표시되는 변성 에폭시아크릴레이트 수지는 음각형 감광성 수지 조성물 총 중량에 대하여 50~60 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. In the composition of the present invention, the modified epoxy acrylate resin represented by Formula 1 is preferably included in an amount of 50 to 60% by weight based on the total weight of the negative photosensitive resin composition.

상기 변성 에폭시아크릴레이트 수지가 50 중량% 미만으로 포함되면 최종 생성물의 현상 불량의 문제가 발생할 수 있고, 60 중량%를 초과하면 합성 시 겔화(Gelation)가 발생할 수 있다.If the modified epoxy acrylate resin is included in less than 50% by weight may cause a problem of poor development of the final product, when it exceeds 60% by weight may be gelation (Gelation) during synthesis.

(B) 라디칼 중합 개시제(B) radical polymerization initiator

본 발명의 음각형 광중합성 조성물에서 사용되는 라디칼 중합 개시제는 1종 이상의 광중합개시제 및 광중합개시 보조제를 포함한다. 상기 광중합개시제는 자외선이나 가시광선과 같은 활성 광선에 노출되었을 때 라디칼을 생성하는 화합물로서, 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인벤조프로필에테르, a-아크릴벤조인 등의 벤조인계 광중합개시제; 벤조페논, p-메틸벤조페논, p-클로로벤조페논, 테트라클로로벤조페논, 아세톤벤조 등의 아릴케톤계 광중합개시제; 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논, p-디메틸아미노아세톤페논 등의 디알킬아미노아릴 케톤계 광중합개시제; 티오크산톤, 크산톤 및 2-클로로티오크산톤 등의 할로겐치환체 등의 다가카보닐계 광중합개시제; IRGACURE 907등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용할 수 있다. The radical polymerization initiator used in the negative photopolymerizable composition of the present invention includes at least one photopolymerization initiator and a photopolymerization initiator. The photoinitiator is a compound that generates radicals when exposed to active light such as ultraviolet rays or visible light. For example, benzoin-based photoinitiators such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin benzopropyl ether, and a-acrylbenzoin. ; Aryl ketone photopolymerization initiators such as benzophenone, p-methylbenzophenone, p-chlorobenzophenone, tetrachlorobenzophenone and acetone benzo; Dialkylaminoaryl ketone-based photopolymerization initiators such as 4,4'-bisdiethylaminobenzophenone and p-dimethylaminoacetonephenone; Polyvalent carbonyl photoinitiators such as halogen substituents such as thioxanthone, xanthone and 2-chlorothioxanthone; IRGACURE 907 etc. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 광중합개시 보조제는 광중합개시제의 활성을 높이고자 사용하는 것으로서, 예를 들면, 벤조 페논계, 벤조인 메틸 에테르계 또는 테트라 에틸 티우란 디설파이드계 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다. The photoinitiator adjuvant is used to increase the activity of the photopolymerization initiator, and examples thereof include benzophenone series, benzoin methyl ether series, or tetraethyl thiurane disulfide series, and these may be used alone or in combination of two or more. Can be used together.

상기 라디칼 중합 개시제의 함량은 음각형 감광성 수지 조성물 총 중량에 대하여 10~20 중량%가 바람직하다. 라디칼 중합 개시제가 10중량% 미만으로 포함되면 공정상에서 패턴형성이 되지 않거나 패턴 뜯김이 발생하고, 20 중량%를 초과하면 현상공정에서 어려움을 발생시킬 수 있다.The content of the radical polymerization initiator is preferably 10 to 20% by weight based on the total weight of the negative photosensitive resin composition. When the amount of the radical polymerization initiator is included in less than 10% by weight, no pattern formation or pattern tearing occurs in the process, and when it exceeds 20% by weight, difficulty may occur in the developing process.

(C) 분자내에 라디칼 중합성 이중결합을 갖는 단량체  (C) monomers having radically polymerizable double bonds in the molecule

상기 단량체는 경화된 레지스트 막에 내에칭성 및 내용매성을 부여하는 역할을 한다. 상기 단량체로는 예를 들면, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥시드 변성 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판프로필렌 옥시드 변성트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류; 프탈산, 아디프산, 말렌산, 이타콘산, 숙신산, 트리멜리트산, 테레프탈산 등의 다염기산과 히드록시알킬(메트)아크릴레이트와의 모노-, 디-, 트리- 또는 그 이상의 폴리에스테르 등을 들 수 있지만, 특정한 것에 한정되는 것은 아니며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다. The monomer serves to impart etching resistance and solvent resistance to the cured resist film. As said monomer, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, diethylene glycol diacrylate, trimethylol propane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacryl Latex, trimethylolpropane ethylene oxide modified triacrylate, trimethylolpropanepropylene oxide modified triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate and the respective methacrylates corresponding to the acrylates Ryu; Mono-, di-, tri- or more polyesters of polybasic acids such as phthalic acid, adipic acid, maleic acid, itaconic acid, succinic acid, trimellitic acid and terephthalic acid with hydroxyalkyl (meth) acrylates However, the present invention is not limited thereto, and these may be used alone or in combination of two or more.

이러한 라디칼 중합성 단량체 중에서도 1분자 중에 2개 이상의 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 다관능 단량체가 바람직하다. Among these radically polymerizable monomers, a polyfunctional monomer having two or more acryloyl groups or methacryloyl groups in one molecule is preferable.

본 발명의 조성물에서 상기 분자내에 라디칼 중합성 이중결합을 갖는 단량체의 함량은 음각형 감광성 수지 조성물 총 중량에 대하여 10~20 중량%가 바람직하다. 상기 단량체가 10 중량% 미만으로 포함되면 조성물이 충분한 광경화성을 얻기 어렵게 되며, 20 중량%를 초과하면 피막의 심부에 비하여 표면부의 광경화가 빨라지기 때문에 경화 얼룩이 생기기 쉽다.In the composition of the present invention, the content of the monomer having a radical polymerizable double bond in the molecule is preferably 10 to 20% by weight based on the total weight of the negative photosensitive resin composition. When the monomer is contained in less than 10% by weight, the composition is difficult to obtain sufficient photocurability, and when it exceeds 20% by weight, the curing of the surface portion is likely to occur because the photocuring of the surface portion is faster than the deep portion of the coating.

(D) 소포제 (D) antifoam

본 발명에서 소포제는 수지 조성물의 제조시 혼화성을 용이하게 하고, 후막을 제조하는 공정에서 핀홀 발생과 막의 불균일성에 의해 발생하는 불량을 줄이기 위해 첨가한다. 그 구체적인 예로는 음이온계의 공중합체, 아랄킬 변성 폴리메틸알킬실록산계, 폴리에스테르 변성 폴리메틸알킬실록산계, 폴리실록산계, 비실리콘계 고분자 혼합물, 변성우레아 용액, 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산, 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산 공중합체 등이 있다. In the present invention, the antifoaming agent is added to facilitate miscibility in the preparation of the resin composition, and to reduce the defects caused by the pinhole generation and the nonuniformity of the film in the process of producing the thick film. Specific examples thereof include anionic copolymer, aralkyl-modified polymethylalkylsiloxane, polyester-modified polymethylalkylsiloxane, polysiloxane, non-silicone polymer mixture, modified urea solution, polyester-modified dimethylpolysiloxane, polyester-modified dimethyl Polysiloxane copolymers and the like.

본 발명의 조성물에서 상기 소포제의 함량은 음각형 감광성 수지 조성물 총 중량에 대하여 1~2중량%가 바람직하다. 상기 소포제의 함량이 1중량% 미만이면 효과를 기대하기 어렵고, 2중량%를 초과하면 현상 공정시 잔막이 남는 경우가 발생하기 쉽다.The content of the antifoaming agent in the composition of the present invention is preferably 1 to 2% by weight based on the total weight of the negative photosensitive resin composition. If the content of the antifoaming agent is less than 1% by weight, it is difficult to expect the effect. If the content of the antifoaming agent exceeds 2% by weight, a residual film is likely to be left during the development process.

(E) 레벨링제 (E) Leveling agent

본 발명에서 레벨링제는 수지 조성물의 도포시 평탄성을 확보하고 얼룩을 개선하기 위하여 사용된다. 구체적인 예로는 실리콘 타입이나 불소계 타입의 것을 사용할 수 있다. In the present invention, the leveling agent is used to secure flatness and improve staining in the application of the resin composition. As a specific example, a silicon type or a fluorine type can be used.

본 발명의 조성물에서 상기 레벨링제의 함량은 음각형 감광성 수지 조성물 총 중량에 대하여 1~2 중량%가 바람직하다. 상기 레벨링제가 1 중량% 미만으로 포함되면 코팅 시 단차가 발생하여 얼룩이발생하는 문제가 발생하고, 2 중량%를 초과하면 노광시 감도가 늦어지는 문제를 발생시킬 수 있다.The content of the leveling agent in the composition of the present invention is preferably 1 to 2% by weight based on the total weight of the negative photosensitive resin composition. If the leveling agent is included in less than 1% by weight, a problem may occur such that a step occurs when coating occurs, and when the leveling agent exceeds 2% by weight, a sensitivity may be lowered during exposure.

(F) 용제(F) solvent

본 발명에서 알칼리 가용성 노볼락 수지, 가교제 등을 용해시키는 용제로는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 에틸렌클리콜모노알킬에테르류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 프롤필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 락트산메틸, 락트산에틸 등의 락트산 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 2-헵타논, 사이클로헥사논 등의 케톤류; N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다. 이들 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.Examples of the solvent for dissolving the alkali-soluble novolak resin, the crosslinking agent and the like include ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; Ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monoethyl ether acetate; Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monoethyl ether acetate; Lactic acid esters such as methyl lactate and ethyl lactate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as methyl ethyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; Amides such as N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; Lactones, such as (gamma) -butyrolactone, etc. are mentioned. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 조성물에서 상기 용제의 함량은 음각형 감광성 수지 조성물 총 중량에 대하여 10~30 중량%가 바람직하다. 상기 용제가 10 중량% 미만으로 포함되면 급격한 점도 증가에 의한 겔화(Gelation)문제가 발생하고, 30 중량%를 초과하면 과다한 반응 시간에 따른 생산성 및 수율 저하의 문제가 발생시킬 수 있다.The content of the solvent in the composition of the present invention is preferably 10 to 30% by weight based on the total weight of the negative photosensitive resin composition. If the solvent is contained in less than 10% by weight, the problem of gelation (Gelation) due to the rapid increase in viscosity may occur, and if it exceeds 30% by weight may cause problems of productivity and yield decrease due to excessive reaction time.

본 발명의 음각형 감광성 수지 조성물을 사용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 형성하는 경우, 상기 조성물의 코팅 두께가 5㎛~10㎛인 경우에도 113㎛ Pitch의 고해상도를 갖는 패턴을 형성하는 것이 가능하다. When the partition of the plasma display panel is formed using the intaglio photosensitive resin composition of the present invention, it is possible to form a pattern having a high resolution of 113 μm even when the coating thickness of the composition is 5 μm to 10 μm.

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention more specifically, but the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.

제조 실시예 1: 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조Preparation Example 1 Preparation of Compound Represented by Formula 1

질소를 주입하면서 YDCN-500-90P(에폭시 크레졸 노보락 수지, 국도 화학 에폭시 제조)210g, 부틸카비톨 아세테이트 400g 및 히드로퀴논 1g을 반응 용기에 넣고 1시간동안 80℃로 가열, 교반하여 내용물을 균일하게 혼합하였다. 여기에 트리에틸아민 1g을 첨가하고 90℃로 유지하면서 아크릴산 72g을 넣고 2~4시간 동안 반응시켰다. 아크릴산을 넣으면 에폭시 링이 열리면서 심각한 발열이 시작되고, 이때 급작스럽게 발열이 일어나면 급냉으로 식힌다.While injecting nitrogen, 210 g of YDCN-500-90P (epoxy cresol novolak resin, manufactured by Kukdo Chemical Epoxy), 400 g of butylcarbitol acetate, and 1 g of hydroquinone were placed in a reaction vessel, and heated and stirred at 80 ° C. for 1 hour to uniform contents. Mixed. 1 g of triethylamine was added thereto, and 72 g of acrylic acid was added thereto while maintaining at 90 ° C. for 2 to 4 hours. When acrylic acid is added, the epoxy ring opens, causing a serious exotherm, and when a sudden exotherm occurs, it cools rapidly.

반응이 종결되면 반응물의 온도를 상온으로 냉각시킨 후, 테트라히드로 프탈산 무수물 152g과 부틸카비톨 아세테이트 100g을 넣고 반응 온도를 100~110℃로 유지하면서 1~2시간 동안 반응 시킨 후, 1780~1850cm-1에 무수물 작용기의 흡수피크가 존재하지 않음을 확인한 후 반응물의 온도를 상온으로 급냉시켰다.After the reaction was completed, the reaction was cooled to the temperature of the reaction to room temperature, placed into a tetrahydrophthalic anhydride 152g and butyl carbitol acetate 100g while maintaining the reaction temperature at 100 ~ 110 ℃ for a few hours, 1780 ~ 1850cm - After confirming that there is no absorption peak of the anhydride functional group in 1 , the temperature of the reaction was quenched to room temperature.

실시예 1~2: PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물의 제조Examples 1-2: Preparation of the negative photosensitive resin composition for PDP partition wall formation

하기 성분들을 표시된 조성비로 혼합하여 음각형 감광성 수지 조성물을 제조하고 특성을 평가하였다.The following components were mixed at the indicated composition ratios to prepare the negative photosensitive resin composition and evaluated for properties.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 (A) 제조실시예 1의 최종 생성물(A) Final product of Preparation Example 1 5050 5555 (B) 광중합개시제(B) photopolymerization initiator 1515 1515 (C) 반응성 단량체(C) reactive monomer 2020 1010 (D) 광중합개시보조제(D) Photopolymerization Initiator 1One 22 (E) 유기용제(E) Organic Solvent 1111 1515 (F) 소포제(F) antifoam 22 22 (G) 레벨링제(G) leveling agent 1One 1One

(함량: 중량%)(Content: wt%)

<밀착성 평가><Adhesive evaluation>

격벽 형성용 모유리 페이스트가 전면 도포된 기판을 준비하였다. 상기 기판위에 실시예 1~2의 음각형 광경화성 수지 및 비교예로서 DWG-520(동우화인켐㈜ 양각형 광경화성 수지 조성물 제품)을 코팅하고, 노광 및 현상 공정을 걸쳐서 일정한 패턴을 형성시킨 후, 에칭 공정을 통하여 일정한 형상을 가지는 격벽을 형성시켰다. The board | substrate with which the mother glass paste for partition formation was apply | coated completely was prepared. After coating the engraved photocurable resin of Examples 1 and 2 and DWG-520 (product of the embossed photocurable resin composition of Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd.) on the substrate, and forming a constant pattern through the exposure and development processes, , A partition wall having a constant shape was formed through an etching process.

상기 에칭은 기존 라인에서 사용하고 있는 에칭액인 질산 0.3~0.5중량% 및 잔량의 물을 함유하는 에칭액을 사용하여 실시하였다.  스프레이식 에칭 방식의 실험장비(KDNS사 제조, 모델명: ETCHER(TFT)) 내에 제조된 에칭액을 넣고 온도를 40 ℃ 로 세팅하여 가온 한 후, 온도가 40±0.5℃에 도달하면 에칭공정을 수행하였다.  기판을 넣고 분사를 시작하여 113㎛ 피치(Pitch)가 떨어질 때까지 에칭을 실시하였다. 에칭이 종료되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 수지를 박리기(stripper)를 사용하여 제거하였다.  세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 113㎛ 피치의 격벽의 유·무 및 모양을 확인하였다. 그 결과를 표 2 에 나타냈다.   The said etching was performed using the etching liquid containing 0.3-0.5 weight% of nitric acid which is the etching liquid used by the existing line, and residual amount of water. Etching liquid prepared in a spray etching test equipment (manufactured by KDNS, model name: ETCHER (TFT)) was added and heated to 40 ° C., and then the etching process was performed when the temperature reached 40 ± 0.5 ° C. . Etching was performed until the substrate was inserted and spraying was started until the 113 탆 pitch dropped. After the etching was completed, the resultant was removed, washed with deionized water, dried using a hot air dryer, and the resin was removed using a stripper. After washing and drying, the presence, absence, and shape of the partition wall having a pitch of 113 μm were confirmed using an electron scanning microscope (SEM; manufactured by HITACHI, model name: S-4700). The results are shown in Table 2.  

A/B/C/D/E/F/GA / B / C / D / E / F / G 코팅 두께Coating thickness 113 피치가 떨어지는 시간113 pitch fall time 실시예1Example 1 50/15/20/1/11/2/150/15/20/1/11/2/1 10㎛10 탆 5분 30초5 minutes 30 seconds 실시예2Example 2 55/15/10/2/15/2/155/15/10/2/15/2/1 10㎛10 탆 6분6 minutes 비교예Comparative example DWG-520(동우화인켐㈜, 양각형 광경화성 수지 조성물 제품)DWG-520 (Dongwoo Fine Chem, Inc., embossed photocurable resin composition product) 25㎛25 μm 2분2 minutes

※113 피치(pith)가 떨어지는 시간: 113㎛ 피치의 음각형 감광성 수지가 완전히 떨어지는데 걸리는 시간※ Time when 113 pitch falls: Time that it takes for the negative photosensitive resin of 113㎛ pitch to fall completely

도 1은 상기 비교예의 양각형 광경화성 수지 조성물을 사용하여 형성된 격벽의 전자주사현미경(SEM) 사진이다.1 is an electron scanning microscope (SEM) photograph of a partition wall formed using the embossed photocurable resin composition of the comparative example.

도 2는 상기 실시예 2에서 제조된 음각형 광경화성 수지 조성물을 사용하여 형성된 격벽의 전자주사현미경(SEM) 사진이다.FIG. 2 is an electron scanning microscope (SEM) photograph of a partition wall formed using the negative photocurable resin composition prepared in Example 2. FIG.

Claims (4)

5㎛~10㎛의 코팅 두께에서 113㎛ 피치(Pitch) 이하의 격벽 형성이 가능한 PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물.An intaglio-type photosensitive resin composition for forming PDP barrier ribs capable of forming a barrier rib of 113 µm or less at a coating thickness of 5 µm to 10 µm. 청구항 1에 있어서, 상기 PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물은 조성물 총 중량에 대하여,The intaglio-type photosensitive resin composition for forming a PDP barrier rib according to claim 1, based on the total weight of the composition, (A) 하기의 화학식 1로 표시되는 변성 에폭시아크릴레이트 수지 50~60중량%;(A) 50 to 60% by weight of modified epoxy acrylate resin represented by the following formula (1); (B) 1종 이상의 광중합개시제 및 광중합개시 보조제를 포함하는 라디칼 중합개시제 10~20중량%;(B) 10 to 20% by weight of a radical polymerization initiator comprising at least one photoinitiator and a photoinitiator adjuvant; (C) 분자내에 라디칼 중합성 이중결합을 갖는 단량체 10~20중량%;(C) 10 to 20% by weight of a monomer having a radical polymerizable double bond in the molecule; (D) 소포제 1~2중량%;(D) 1-2 wt% of antifoaming agent; (E) 레벨링제 1~2중량%; 및(E) 1-2 wt% leveling agent; And (F) 용제 10~30 중량%(F) 10-30 wt% of solvent 를 포함하는 것을 특징으로 하는 PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물:An intaglio-type photosensitive resin composition for forming a PDP partition wall comprising: [화학식 1][Formula 1]
Figure 112008088714831-PAT00007
Figure 112008088714831-PAT00007
상기 식에서, R1은 H 또는 CH3이고, n은 1~7의 정수이다.Wherein R 1 is H or CH 3 and n is an integer from 1 to 7.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 분자내에 라디칼 중합성 이중결합을 갖는 단량체가 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥시드 변성 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판프로필렌 옥시드 변성트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류; 프탈산, 아디프산, 말렌산, 이타콘산, 숙신산, 트리멜리트산, 테레프탈산, 및 히드록시알킬(메트)아크릴레이트와의 모노-, 디-, 트리- 또는 그 이상의 폴리에스테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 PDP 격벽 형성용 음각형 감광 성 수지 조성물.The monomer according to claim 1 or 2, wherein the monomer having a radical polymerizable double bond in the molecule is 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, diethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, Pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, trimethylolpropane ethylene oxide modified triacrylate, trimethylolpropanepropylene oxide modified triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylic Methacrylates corresponding to the rate and the acrylate; Selected from the group consisting of mono-, di-, tri- or more polyesters with phthalic acid, adipic acid, maleic acid, itaconic acid, succinic acid, trimellitic acid, terephthalic acid, and hydroxyalkyl (meth) acrylates An intaglio type photosensitive resin composition for forming a PDP partition wall, characterized in that it is composed of one or more kinds. 청구항 1 또는 청구항 2의 PDP 격벽 형성용 음각형 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.A plasma display panel comprising a partition wall formed using the negative photosensitive resin composition for PDP partition wall formation of claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US11644750B2 (en) * 2018-12-19 2023-05-09 Jiangsu Aisen Semiconductor Material Co., Ltd. Negative photoresist used for semiconductor encapsulation process

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