KR20100073584A - Probe equipment of semiconductor inspection equipment - Google Patents

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KR20100073584A
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정경주
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    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
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Abstract

PURPOSE: A probe device in a semiconductor inspecting machine is provided to improve the transmission of electric signal by attaching detachable nonvolatile storage memory on the upper side of a probe card. CONSTITUTION: A prober(110) outputs up/down signal. The prober vertically and horizontally transfers an electrostatic chuck. Needles(160) are formed on the lower side of a probe card(140) in order to perform an electrical test by contacting a wafer. A counter is formed on the upper side of the probe card in order to count the number of touch down numbers between the needles and the wafer. The counter is composed of a nonvolatile memory which is detachable from the probe card. An automatic testing machine outputs electric test signal to the probe card.

Description

반도체 검사 장치의 프로버 장치{PROBE EQUIPMENT OF SEMICONDUCTOR INSPECTION EQUIPMENT}PROBE EQUIPMENT OF SEMICONDUCTOR INSPECTION EQUIPMENT}

본 발명은 반도체 검사 장치의 프로버 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a prober device of a semiconductor inspection device.

일반적으로 반도체 디바이스(device)는 웨이퍼(wafer) 상에 패턴(pattern)을 형성시키는 패브리케이션(fabrication) 공정과 패턴이 형성된 웨이퍼를 각각의 칩(chip)으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다. 그리고 패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼를 구성하고 있는 각각의 칩의 전기적 특성을 검사하는 이디에스(EDS: Electrical Die Sorting. 이하 EDS라 지칭함.)라는 공정이 있는데, 이 EDS 공정은 웨이퍼를 구성하고 있는 칩들 중에서도 불량 칩을 판별하기 위하여 수행하는 공정으로, 웨이퍼를 구성하고 있는 각 칩의 양 및 불량품을 선별하는 것 이외에도, 불량 칩 중에서 수리 가능한 칩을 수리하거나, 패브리케이션 공정에서의 문제점을 조기에 피드백(feedback)하기 위해서 또는 불량 칩의 조기제거로 조립 및 검사에서의 원가절감을 위해서 수행된다. 위와 같은 EDS 공정의 기본 요소로는 테스터 시스템(tester system), 프로브 시스템(prober system), 프로브 카드(probe card), 테스터 프로그램(tester program) 등을 들 수 있으며, 그 중에서 프로브 카드(probe card)는 아주 가는 니들(needle)을 인쇄회로 기판에 고정시켜 놓은 것으로 테스터에서 발생한 신호가 퍼포먼스(performance) 기판을 통해 프로브 카드의 니들까지 전달되고, 이 니들이 웨이퍼 내 칩(chip)의 패드에 접촉되어 디바이스 내부의 회로에 전기 신호가 전달되도록 한다. In general, semiconductor devices are manufactured through a fabrication process of forming a pattern on a wafer and an assembly process of assembling the wafer on which the pattern is formed into each chip. do. Between the fabrication process and the assembly process, there is a process called Electrical Die Sorting (EDS), which inspects the electrical characteristics of each chip constituting the wafer. This process is performed to determine the defective chip among the chips, and in addition to selecting the quantity and defective products of each chip constituting the wafer, repairing a repairable chip among the defective chips or early problem in the fabrication process. To reduce the cost of assembly and inspection with feedback or early removal of defective chips. Basic elements of the above EDS process include a tester system, a probe system, a probe card, a tester program, and the like. Is a very thin needle fixed to a printed circuit board. The signal generated by the tester is transmitted through the performance board to the needle of the probe card, and the needle contacts the pad of the chip in the wafer. Allow electrical signals to be delivered to internal circuitry.

이후, 인가된 전기 신호로부터 체크되는 신호에 의해서 불량을 판단하게 된다. 이런 프로브 카드의 니들은 웨이퍼에 접촉되는 터치다운 카운트(touch down count) 횟수에 따라서 수명이 판단된다. 그러나 기존의 프로브 카드는 전기적 신호를 받을 수 없기 때문에 터치다운을 자체적으로 카운트 할 수 없다. 따라서 새로운 프로브 카드가 양산에 사용된 이후 터치다운을 얼마나 진행하였는지 알 수 없으며, 특정 수량의 웨이퍼를 테스트하는 동안 얼마만큼의 터치다운을 하였는지 알 수가 없다. 또한 니들은 칩의 패드와 마찰을 통해 전기적 신호를 칩 내부로 전달하는 역할을 한다. 이러한 마찰은 니들 상부의 직경 및 길이의 마모를 가져온다. 이런 마모는 테스터로부터 생기는 전기적 신호를 칩에 전달하는데 방해하는 요소가 되어 정확한 테스트를 어렵게 하고 제품 품질을 떨어뜨린다. 이러한 이유로 적정 수준에서 니들을 교체함은 제품의 신뢰성 및 품질에 중요한 요소가 된다. Then, the failure is determined by the signal checked from the applied electrical signal. The needle of such a probe card is judged for its life according to the number of touch down counts in contact with the wafer. However, conventional probe cards cannot receive electrical signals, so the touchdown cannot count itself. Therefore, it is impossible to know how much the touchdown has been performed since the new probe card was used for mass production, and how much touchdown was performed while testing a specific quantity of wafers. Needles also play a role in transferring electrical signals into the chip through friction with the pads on the chip. This friction results in wear of the diameter and length of the needle top. This wear interferes with the transmission of electrical signals from the tester to the chip, making accurate testing difficult and reducing product quality. For this reason, replacing the needle at an appropriate level is an important factor in the reliability and quality of the product.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 전기 신호를 받을 수 없는 프로브 카드를 개선하기 위한 반도체 검사 장치의 프 로버 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a probe device of a semiconductor inspection device for improving a probe card that cannot receive an electric signal.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체 검사 장치의 프로버 장치는 업ㆍ다운 신호를 출력하며, 웨이퍼가 안착된 정전척을 동서남북 방향 및 상하 방향으로 이동시키는 프로버와, 하부에는 상기 웨이퍼에 접촉되어 전기적 테스트를 수행하는 니들과, 상부에는 상기 니들이 상기 웨이퍼에 접촉되는 터치다운 횟수를 카운트하는 카운터가 형성된 프로브 카드와, 상기 프로브 카드에 전기적 테스트 신호를 출력하고 감지하는 자동 시험 장치를 포함하고, 상기 카운터는 상기 프로브 카드로부터 탈부착이 가능한 비휘발성 메모리로 구성되고, 상기 프로버의 업ㆍ다운 신호를 감지할 수 있다. In order to achieve the above object, a prober device of a semiconductor inspection apparatus according to the present invention outputs an up / down signal, a prober for moving an electrostatic chuck on which a wafer is seated in the north-west, north-west, and up-down directions, and a lower portion of the prober. A probe card having a needle in contact with and performing an electrical test, a counter card having a counter for counting the number of touchdowns in which the needle contacts the wafer, and an automatic test device for outputting and detecting an electrical test signal to the probe card; The counter is configured of a nonvolatile memory that can be attached and detached from the probe card, and can detect an up / down signal of the prober.

이때, 상기 프로버 및 상기 자동 시험 장치는 통신 제어부가 내장되어 있어, 상기 프로버 및 상기 자동 시험 장치 사이의 업ㆍ다운 신호를 서로 교환할 수 있다. At this time, the prober and the automatic test apparatus have a built-in communication control unit, and the up / down signals between the prober and the automatic test apparatus can be exchanged with each other.

또한, 상기 카운터는 케이블로 상기 프로버에 내장되어 있는 통신 제어부와 전기적으로 연결되어 있어 업ㆍ다운 신호를 받을 수 있다. In addition, the counter is electrically connected to a communication control unit built in the prober by a cable, so that the counter can receive an up / down signal.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 검사 장치의 프로버 장치는 탈부착이 가능한 비휘발성 저장 메모리를 프로브 카드 상부에 부착함으로써, 전기 신호를 받을 수 있는 프로브 카드를 포함한 반도체 검사 장치의 프로버 장치를 구성 할 수 있다. As described above, the prober device of the semiconductor inspection apparatus according to the present invention attaches a removable nonvolatile storage memory to the upper portion of the probe card, thereby providing a prober device of the semiconductor inspection apparatus including a probe card capable of receiving an electrical signal. Can be configured.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

여기서, 명세서 전체를 통하여 유사한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. Here, parts having similar configurations and operations throughout the specification are denoted by the same reference numerals.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 장치의 프로버 장치의 단면도가 도시되어 있다. 1 and 2, there is shown a cross-sectional view of a prober device of a semiconductor inspection device according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 1을 참조하면, 반도체 검사 장치의 프로버 장치가 다운(down)된 모습이 도시되어 있다. 도 1 에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 검사 장치의 프로버 장치(100)는 프로버(prober)(110), 프로브 카드(probe card)(140), 자동 시험 장치(170)를 포함한다. First, referring to FIG. 1, a state in which a prober device of a semiconductor inspection apparatus is down is illustrated. As shown in FIG. 1, the prober device 100 of the semiconductor test apparatus includes a prober 110, a probe card 140, and an automatic test device 170.

상기 프로버(110)는 업ㆍ다운 신호를 출력하여 웨이퍼(130)가 안착된 정전척(120)을 동서남북 방향 및 상하 방향으로 이동시키는 역할을 한다. 이때, 상기 프로버(110)는 정전척(120) 및 업ㆍ다운 신호를 서로 교환 할 수 있는 통신 제어부(111)로 구성된다. 상기 정전척(120) 상부에는 웨이퍼(130)가 놓여 지며, 이를 고정시킬 수 있다. 이런 상기 정전척(120)의 이동에 의해 상기 웨이퍼(130)가 상기 프로버(110) 상부에 위치한 상기 프로브 카드(140)의 니들(160)과 접촉(contact)될 수 있다. 또한, 상기 프로버(110) 내부에 위치한 상기 통신 제어부(111)는 상기 프로버(110)의 업ㆍ다운 신호를 상기 프로브 카드(140) 및 상기 프로브 카드(140) 상부에 위치한 상기 자동 시험 장치(170)와 서로 교환 할 수 있는 역할을 한다. The prober 110 outputs an up / down signal to move the electrostatic chuck 120 on which the wafer 130 is seated in the north-west, north-west, and vertical directions. At this time, the prober 110 is constituted by the electrostatic chuck 120 and the communication control unit 111 that can exchange the up and down signals with each other. The wafer 130 is placed on the electrostatic chuck 120, and may be fixed thereto. By the movement of the electrostatic chuck 120, the wafer 130 may be in contact with the needle 160 of the probe card 140 positioned on the prober 110. In addition, the communication control unit 111 located inside the prober 110 transmits an up / down signal of the prober 110 to the probe card 140 and the automatic test device located above the probe card 140. It plays a role that can exchange with 170.

상기 프로브 카드(140)는 회로기판, 하부에는 상기 웨이퍼(130)에 접촉되어 전기적 테스트를 수행하는 상기 니들(160) 및 상부에는 상기 니들(160)이 상기 웨이퍼(130)에 접촉 되는 터치다운 횟수를 카운트(count)하는 카운터(counter)(150)로 구성된다. The probe card 140 is a circuit board, the needle 160 in contact with the wafer 130 at the bottom to perform an electrical test, and the number of touchdowns in which the needle 160 is in contact with the wafer 130 at the top. It consists of a counter (150) to count (count).

여기서, 상기 회로기판(미도시)은 상기 자동 시험 장치(170)에서 보내진 신호를 각각의 상기 니들(160)에 전달한다. Here, the circuit board (not shown) transmits a signal sent from the automatic test device 170 to each of the needle 160.

또한, 상기 니들(160)은 일측이 에폭시(epoxy)(141)와 접착되어 상기 프로브 카드(140)와 연결되어 있으며, 상기 니들(160)의 타측은 상기 웨이퍼(130)과 접촉(contact)될 수 있다. 여기서, 상기 에폭시(141)는 열경화성 플라스틱의 하나로 접착력이 강해서 주로 접착제, 강화 플라스틱, 주형 및 보호용 코팅 등에 주로 사용된다. 이때, 상기 니들(160)은 마주보고 있는 서로간의 간격이 점점 좁아지는 비스듬한 직선의 구조로 구성되어 있어서, 상기 웨이퍼(130)에 안정적으로 접촉될 수 있다. 상기 니들(160)의 재질로는 텅스텐, 백금 등으로 제조할 수 있으며, 금속 중에서 비교적 이물질이 적게 부착되는 물질로 구성된다. In addition, one side of the needle 160 is bonded to the epoxy 141 and is connected to the probe card 140, and the other side of the needle 160 is to be in contact with the wafer 130. Can be. In this case, the epoxy 141 is one of thermosetting plastics, and thus is mainly used for adhesives, reinforced plastics, molds, and protective coatings. At this time, the needle 160 is configured in an oblique straight line structure in which the distance between each other facing each other is gradually narrowed, it can be stably in contact with the wafer 130. The needle 160 may be made of tungsten, platinum, or the like, and may be made of a material having relatively few foreign substances attached thereto.

상기 카운터(150)는 상기 프로브 카드(140)의 상부 일측에 탈부착이 가능한 비휘발성 메모리로 구성되고, 업ㆍ다운(upㆍdown) 신호를 감지할 수 있다. 또한 상 기 카운터(150)는 상기 프로버(110) 및 상기 자동 시험 장치(170)와 케이블(180)로 전기적으로 연결되어 있어서, 서로 각각의 전기 신호를 주고받을 수 있다. 여기서, 전기 신호란 업ㆍ다운 신호일 수 있다. The counter 150 is configured as a nonvolatile memory that can be attached and detached to an upper side of the probe card 140, and can detect an up / down signal. In addition, the counter 150 is electrically connected to the prober 110, the automatic test device 170 and the cable 180, it is possible to send and receive each electrical signal. Herein, the electrical signal may be an up / down signal.

상기 자동 시험 장치(170)는 모니터(미도시) 등과 연결되어, 상기 프로브 카드(140)에 전기적 테스트 신호를 출력하고 감지할 수 있다. 다시 말해 상기 자동 시험 장치(170)에 통신 제어부(111)가 내장되어 있고, 상기 통신 제어부(111)는 상기 카운터(150)와 상기 프로버(110)의 상기 통신 제어부(111)와 케이블로 연결되어 있기 때문에 서로 각각의 전기 신호를 주고받을 수 있다.The automatic test device 170 is connected to a monitor (not shown) and the like, and outputs and detects an electrical test signal to the probe card 140. In other words, a communication control unit 111 is built in the automatic test device 170, and the communication control unit 111 is connected to the counter 150 and the communication control unit 111 of the prober 110 by a cable. It is possible to send and receive electrical signals with each other.

다음, 도 2를 참조하면, 반도체 검사 장치의 프로버 장치가 업(up)된 모습이 도시 되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 프로버(110)가 업(up)되어서 상기 정전척(120) 상부에 안착된 상기 웨이퍼(130)의 상면이 상기 니들(160)과 접촉 될 수 있다. 이때, 상기 니들(160)이 상기 웨이퍼(130) 상면에 접촉 되는 순간, 즉, 터치다운(touch down)될 시 상기 카운터(150)에 신호를 전달하게 되고, 이 데이터는 상기 카운터(150)에 저장되어, 상기 니들(160)의 접촉 횟수를 측정할 수 있게 된다. 이에 따라 상기 니들(160)이 상기 웨이퍼(130)에 접촉 되는 횟수에 따른 상기 니들(160)의 마모 상태를 확인 할 수 있다. 다시 말해 정기적으로 상기 카운터(150)의 터치다운 횟수를 확인함으로써, 상기 니들(160)을 교체하여 상기 프로브 카드(140) 관리 기준을 제시하게 되고, 적정 수명 관리를 할 수 있게 된다. 여기서 상기 프로버(110) 내부의 상기 통신 제어부(111)가 상기 카운터(150) 및 상기 자동 시험 장치(170)의 상기 통신 제어부(111)와 상기 케이블(180)로 연결되어 있기 때문에, 업(up) 신호를 서로 교환 할 수 있게 된다. 이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 반도체 검사 장치의 프로버 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.Next, referring to FIG. 2, a state in which a prober device of the semiconductor inspection apparatus is up is illustrated. As shown in FIG. 2, the prober 110 may be up, and the upper surface of the wafer 130 seated on the electrostatic chuck 120 may contact the needle 160. At this time, when the needle 160 is in contact with the upper surface of the wafer 130, that is, when the touch down (down touch), the signal is transmitted to the counter 150, this data is sent to the counter 150 The number of contacts of the needle 160 may be measured. Accordingly, the wear state of the needle 160 may be checked according to the number of times the needle 160 contacts the wafer 130. In other words, by periodically checking the number of touchdowns of the counter 150, the needle 160 may be replaced to present a management standard of the probe card 140, and proper life management may be performed. Since the communication control unit 111 inside the prober 110 is connected to the counter control unit 150 and the communication control unit 111 of the automatic test device 170 by the cable 180, up) It is possible to exchange signals with each other. What has been described above is just one embodiment for carrying out the prober device of the semiconductor inspection apparatus according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, as claimed in the following claims. Without departing from the gist of the invention, anyone of ordinary skill in the art to which the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 반도체 검사 장치의 프로버 장치를 도시한 단면도이다.1 and 2 are cross-sectional views showing a prober device of a semiconductor inspection device according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 반도체 검사 장치의 프로버 장치100: prober device of semiconductor inspection device

110 : 프로버 120 : 정전척110: prober 120: electrostatic chuck

130 : 웨이퍼 140 : 프로브 카드130: wafer 140: probe card

150 : 카운터 160 : 니들150: counter 160: needle

170 : 자동 시험 장치 180 : 케이블170: automatic test device 180: cable

111,171 : 통신 제어부111,171: Communication control unit

Claims (3)

업ㆍ다운 신호를 출력하며, 웨이퍼가 안착된 정전척을 동서남북 방향 및 상하 방향으로 이동시키는 프로버;A prober which outputs an up-down signal and moves the electrostatic chuck on which the wafer is placed in the north-west, north-west, and up-down directions; 하부에는 상기 웨이퍼에 접촉되어 전기적 테스트를 수행하는 니들과, 상부에는 상기 니들이 상기 웨이퍼에 접촉되는 터치다운 횟수를 카운트하는 카운터가 형성된 프로브 카드; 및, A probe card formed at a lower portion of the needle for contacting the wafer to perform an electrical test, and a counter at the upper portion for counting the number of touchdowns of the needle contacting the wafer; And, 상기 프로브 카드에 전기적 테스트 신호를 출력하고 감지하는 자동 시험 장치를 포함하고,An automatic test device for outputting and detecting an electrical test signal to the probe card, 상기 카운터는 상기 프로브 카드로부터 탈부착이 가능한 비휘발성 메모리로 구성되고, 상기 프로버의 업ㆍ다운 신호를 감지하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치의 프로버 장치. And the counter comprises a nonvolatile memory that can be attached and detached from the probe card, and detects an up / down signal of the prober. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 프로버 및 상기 자동 시험 장치는The prober and the automatic test device 통신 제어부가 내장되어 있어, 상기 프로버 및 상기 자동 시험 장치 사이의 업ㆍ다운 신호를 서로 교환 할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치의 프로버 장치. A prober device of a semiconductor inspection apparatus, wherein a communication control unit is built in so that up / down signals between the prober and the automatic test device can be exchanged with each other. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 카운터는The counter 케이블로 상기 프로버에 내장되어 있는 통신 제어부와 전기적으로 연결되어 있어 업ㆍ다운 신호를 받을 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치의 프로버 장치.A prober device of a semiconductor inspection apparatus, which is electrically connected to a communication control unit built in the prober and can receive an up / down signal.
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