KR100707878B1 - Vertical probe card - Google Patents

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KR100707878B1
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김정규
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Abstract

본 발명은 수직형 프로브 카드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 8"~12" 웨이퍼를 한번에 검사할 수 있는 프로브 카드에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical probe card, and more particularly, to a probe card capable of inspecting 8 "to 12" wafers at a time.

본 발명에 따른 수직형 프로브 카드는, 웨이퍼와 같은 형상의 메인 본체에 형성된 다수의 장착홀에 프로브 블록바가 각각 장착되되,In the vertical probe card according to the present invention, the probe block bars are respectively mounted in a plurality of mounting holes formed in the main body having a wafer-like shape.

상기 장착홀에 상측 프로브 블록과 하측 프로브 블록이 개재되고, 상기 상측 프로브 블록과 하측 프로브 블록이 수직으로 불일치한 위치에 삽입구멍이 각각 형성되어 웨이퍼의 전극 패드에 하단부가 수직으로 접촉되는 프로브가 삽입 지지되며, 상기 상측 프로브 블록이 메인 본체 상면에 위치된 커버에 의해 고정되는 구조로 상기 프로브 블록바가 이루어지며,An upper probe block and a lower probe block are interposed in the mounting hole, and insertion holes are formed at positions where the upper probe block and the lower probe block are vertically inconsistent, and a probe having a lower end vertically contacting the electrode pad of the wafer is inserted. Is supported, the probe block bar is made of a structure in which the upper probe block is fixed by a cover located on the upper surface of the main body,

상기 커버와 상측 프로브 블록의 상면에는 프로브의 상단부와 전기적으로 연결되어 프로브에 검사신호를 공급하는 PCB가 위치되는 것을 특징으로 한다.The upper surface of the cover and the upper probe block is characterized in that the PCB is electrically connected to the upper end of the probe to supply a test signal to the probe.

수직형 프로브 카드, 이중 절곡, 웨이퍼 Vertical probe card, double bent, wafer

Description

수직형 프로브 카드 {Vertical Probe Card}Vertical Probe Card {Vertical Probe Card}

도 1은 종래기술에 의한 외팔보 형태의 프로브 카드를 나타낸 단면도,1 is a cross-sectional view showing a cantilever probe card according to the prior art,

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 수직형 프로브 카드의 평면도,2 is a plan view of a vertical probe card according to an embodiment of the present invention;

도 3은 도 2의 A-A'선 단면도,3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2;

도 4는 도 2에 나타낸 프로브의 확대도.4 is an enlarged view of the probe shown in FIG. 2;

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10: 프로브 카드 12: 체결부재10: probe card 12: fastening member

14: 프로브 블록바 16: 장착홀14: Probe block bar 16: Mounting hole

20: PCB 30: 상측 프로브 블록20: PCB 30: upper probe block

34,44: 삽입구멍 40: 하측 프로브 블록 34, 44: insertion hole 40: lower probe block

50: 커버 60: 메인 본체 50: cover 60: main body

70: 프로브 80: 웨이퍼 70: probe 80: wafer

92: 제1공간 94: 제2공간92: first space 94: second space

본 발명은 수직형 프로브 카드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 8"~12" 웨 이퍼를 한번에 검사할 수 있는 프로브 카드에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical probe card, and more particularly to a probe card capable of inspecting 8 "-12" wafers at a time.

일반적으로, 메모리 소자, 비메모리 소자 또는 로직 소자와 같은 반도체 집적회로 소자(Semiconductor Integrated Circuit Device)를 제조하는 공정에서는 칩들을 웨이퍼에 제조한 후 상기 웨이퍼의 칩들을 각각의 칩으로 절단하기 전에 각 칩들이 양호 또는 불량인 지를 결정하기 위해 웨이퍼 테스트를 수행한다.In general, in the process of manufacturing a semiconductor integrated circuit device such as a memory device, a non-memory device, or a logic device, each chip is manufactured on a wafer, and then each chip is cut before the chips of the wafer are cut into each chip. Wafer tests are performed to determine if they are good or bad.

즉, 웨이퍼 상태로 제조가 완료된 반도체 칩은 액정 표시소자(LCD: Liquid Crystal Display)나 피디피(PDP: Plasma Display Panel)를 구성하는 반도체 패키지(Package)로 조립되기 이전에 그 전기적 특성을 검사하는 전기적 다이 분류(EDS: Electrical Die Sorting, 이하 'EDS'라 칭함) 검사를 하게 된다.In other words, the semiconductor chip manufactured in a wafer state is an electrical tester that inspects electrical characteristics before assembling into a semiconductor package constituting a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP). Electrical Die Sorting (EDS) (hereinafter referred to as "EDS") inspection is performed.

이 검사 결과에 의하여 양품의 반도체 칩은 액정표시소자나 반도체 패키지 등에 조립되어 부품으로 사용되어 질 수 있도록 진행되는 조립공정으로 보내지고, 불량으로 판별된 반도체 칩은 조립공정으로 보내지지 않고 폐기처분된다.As a result of the inspection, the semiconductor chips of good products are sent to the assembling process in which the good quality semiconductor chips are assembled into a liquid crystal display device or a semiconductor package and used as parts, and the semiconductor chips determined to be defective are disposed of without being sent to the assembly process. .

이러한 EDS는 컴퓨터에 각종 측정기기들이 내장된 검사기(tester)와 피검사체인 웨이퍼의 단위 반도체 칩을 전기적으로 접촉시킬 수 있는 프로브 카드(probe card)가 탑재된 프로버 스테이션(prober station)을 이용하여 수행하게 되며, 여기서 프로브 카드(probe card)는 반도체 소자의 제조공정 중 웨이퍼에 있는 반도체 칩의 미세 패턴(Pattern)과 전극의 특성을 검사하기 위하여 반도체 칩의 패드(pad)와 검사기(tester)를 연결하는 중간 매개체로 활용되는 수단이다.The EDS uses a prober station equipped with a probe card for electrically contacting a tester in which various measuring devices are built into a computer and a unit semiconductor chip of a wafer under test. In this case, the probe card may include a pad and a tester of the semiconductor chip to inspect the characteristics of the fine patterns and electrodes of the semiconductor chip on the wafer during the manufacturing process of the semiconductor device. It is a means used as an intermediate medium to connect.

상기 프로브 카드는 사용 목적에 따라 동시에 여러 개가 사용되며, 프로브 카드의 각각의 프로브가 반도체 칩의 패드들과 직접 접촉되어서 해당 반도체 칩의 전기적 기능에 대한 특성이 회로로 연결된 모니터나 오실로스코프 등과 같은 전자 장비 상에 나타나게 되고, 검사자가 이를 확인한 후 반도체 칩의 불량 여부를 판별하게 된다.According to the purpose of use, a plurality of probe cards are used at the same time, each probe of the probe card is in direct contact with the pads of the semiconductor chip, the electronic equipment such as a monitor or oscilloscope connected to the circuit by the characteristics of the electrical function of the semiconductor chip Appears on the screen, the inspector checks it and determines whether the semiconductor chip is defective.

이러한 프로브를 사용한 종래 외팔보(cantilever) 형태 프로브 카드의 한 예로, 도 1에 도시한 바와 같이 인쇄회로기판(1)의 개구(opening)(3)에서 텅스텐 재질의 프로브(5)가 방사상으로 배치되도록 상기 프로브(5)가 상기 인쇄회로기판(1)의 저면에 외팔보 형태로 구비된다.As an example of a conventional cantilever type probe card using such a probe, a tungsten probe 5 is radially disposed at an opening 3 of a printed circuit board 1 as shown in FIG. 1. The probe 5 is provided in the form of a cantilever on the bottom of the printed circuit board 1.

또한, 상기 인쇄회로기판(1)의 단부에 구비된 커넥터(도시 안됨)를 커넥팅하기 위한 콘택트부가 상호연결용 배선을 거쳐 상기 프로브(5)의 기저부와 연결된다.In addition, a contact portion for connecting a connector (not shown) provided at the end of the printed circuit board 1 is connected to the base of the probe 5 via interconnection wiring.

도 1의 프로브 카드는 상기 프로 부(5)를 사용하여 32개 패드를 동시에 측정할 수 있으나, 콘텍터 구성을 위한 공간에 제한이 있어 상기 웨이퍼의 전체 칩들을 한번에 모두 테스트할 수 없고 여러 번에 걸쳐 나누어 테스트하지 않으면 안 되므로 웨이퍼당 테스트 시간과 비용이 많이 소요된다.The probe card of FIG. 1 can measure 32 pads at the same time using the pro part 5, but there is a limited space for the contactor configuration, so that the entire chips of the wafer cannot be tested all at once and many times. The test must be split over, which leads to high test time and cost per wafer.

또한, 종래 외팔보 형태의 프로브 카드는 손상 및 마모로 인한 프로브의 교체가 쉽지 않은 문제점이 있었다.In addition, the conventional cantilever-type probe card has a problem that it is not easy to replace the probe due to damage and wear.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 절연체에 웨이퍼 상에 형성된 칩의 테스트 패드와 1:1로 드릴에 의한 삽입구멍을 가공 후 프로브를 삽입함으로써 어떠한 형태의 웨이퍼도 한번에 테스트할 수 있고 웨이퍼당 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있는 수직형 프로브 카드를 제공하는 데 그 목적이 있 다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and can test any type of wafer at a time by inserting a probe after machining an insertion hole by a drill 1: 1 with a test pad of a chip formed on a wafer in an insulator. The aim is to provide a vertical probe card that can reduce test time and cost per wafer.

본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 칩 패드에 프로브가 수직으로 콘택트 됨으로써 칩 패드의 손상을 최소화할 수 있고 손상 및 마모로 인한 프로브의 교체를 누구나 손쉽게 교체할 수 있는 수직형 프로브 카드를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a vertical probe card which can minimize the damage of the chip pad by contacting the probe vertically to the chip pad of the wafer, and anyone can easily replace the probe due to damage and wear. .

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 수직형 프로브 카드는, 웨이퍼와 같은 형상의 메인 본체에 형성된 다수의 장착홀에 바가 각각 장착되되,Vertical probe card according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, the bar is mounted in each of a plurality of mounting holes formed in the main body of the wafer-like shape,

상기 상측 프로브 블록과 하측 프로브 블록이 개재되고, 상기 상측 프로브 블록과 하측 프로브 블록의 수직으로 불일치한 위치에 삽입구멍이 각각 형성되어 웨이퍼의 전극 패드에 하단부가 수직으로 접촉되는 프로브가 삽입 지지되며, 상기 상측 프로브 블록이 메인 본체 상면에 위치된 커버에 의해 고정되어 상기 프로브 블록바가 이루어지며,The upper probe block and the lower probe block are interposed therebetween, and insertion holes are formed at vertically inconsistent positions of the upper probe block and the lower probe block so that a probe having a lower end vertically contacting the electrode pad of the wafer is inserted and supported. The upper probe block is fixed by a cover located on an upper surface of the main body to form the probe block bar.

상기 커버와 상측 프로브 블록의 상면에는 프로브의 상단부와 전기적으로 연결되어 프로브에 검사신호를 공급하는 PCB가 위치되는 것을 특징으로 한다.The upper surface of the cover and the upper probe block is characterized in that the PCB is electrically connected to the upper end of the probe to supply a test signal to the probe.

이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참고로 그 구성 및 작용을 설명하기로 한다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 수직형 프로브 카드의 평면도이고, 도 3은 도 2의 A-A'선 단면도이다.2 is a plan view of a vertical probe card according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2.

도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 수직형 프로브 카드(10)는 PCB(20), 상측 프로브 블록(30), 하측 프로브 블록(40), 메인 본체(60), 프로브(70) 및 커버(50)를 포함하여 구성된다.As shown, the vertical probe card 10 according to the present invention is a PCB 20, the upper probe block 30, the lower probe block 40, the main body 60, the probe 70 and the cover 50 It is configured to include).

머신어블 세라믹 또는 엔지니어링 플라스틱 소재의 절연체로 이루어지는 메인 본체(60)에 장착홀(16)이 형성되고 이 장착홀(16)에는 프로브 블록바(14)가 장착되어 체결부재(12)에 의해 메인 본체(60)와 체결된다.A mounting hole 16 is formed in the main body 60 made of an insulator made of machineable ceramic or engineering plastic material, and the mounting block 16 is equipped with a probe block bar 14 and the main body by the fastening member 12. 60 is fastened.

상기 PCB(20)는 프로브(70)로 검사신호를 공급하며, 프로브(70)로 공급되는 검사신호를 제어하기 위한 집적회로(IC)가 실장된다.The PCB 20 supplies an inspection signal to the probe 70, and an integrated circuit (IC) for controlling the inspection signal supplied to the probe 70 is mounted.

상기 프로브 블록바(14)는 상기 메인 본체(60)에 형성된 장착홀(16)에 상측 프로브 블록(30)과 하측 프로브 블록(40)이 개재되고 메인 본체(60)의 상부에 위치한 커버(50)에 의해 고정되는 구조이다.The probe block bar 14 includes a cover 50 positioned at an upper portion of the main body 60 with an upper probe block 30 and a lower probe block 40 interposed between the mounting holes 16 formed in the main body 60. It is fixed by).

상기 상측 프로브 블록(30)과 하측 프로브 블록(40) 및 커버(50)는 메인 본체(60)와 같이 세라믹 또는 엔지니어링 플라스틱 소재의 절연체로 이루어진다.The upper probe block 30, the lower probe block 40, and the cover 50 are made of an insulator made of ceramic or engineering plastic material, such as the main body 60.

상기 상측 프로브 블록(30)은 PCB(20)의 하부에 위치하며 상부의 양측에 삽입구멍(34)이 형성되어 삽입구멍(34)에 프로브(70)의 상부가 삽입 지지된 상태에서 상부의 PCB(20)와 전기적으로 연결된다.The upper probe block 30 is positioned below the PCB 20, and insertion holes 34 are formed at both sides of the upper part, so that the upper part of the probe 70 is inserted into and supported in the insertion hole 34. Electrically connected with 20.

상기 상측 프로브 블록(30)의 하부에 위치하는 하측 프로브 블록(40)은 양측에 삽입구멍(44)이 형성되고, 이 삽입구멍(44)에 프로브(70)의 하부가 삽입 지지된다.The lower probe block 40 positioned below the upper probe block 30 has insertion holes 44 formed at both sides thereof, and the lower portion of the probe 70 is inserted into and supported by the insertion hole 44.

이때 상측 프로브 블록(30)의 삽입구멍(34)은 하측 프로브 블록(40)의 삽입구멍(44)보다 내측에 형성되어 삽입구멍(34,44)에 삽입되는 프로브(70)는 상부의 내측에서 하부의 외측으로 절곡된 상태가 되어야 한다.At this time, the insertion hole 34 of the upper probe block 30 is formed inside the insertion hole 44 of the lower probe block 40 so that the probe 70 inserted into the insertion holes 34 and 44 is located at the inside of the upper part. It should be bent to the outside of the lower part.

이와 같이 상기 메인 본체(60)에 형성된 장착홀(16)에 프로브(70)가 삽입된 상측 프로브 블록(30)과 하측 프로브 블록(40)이 개재되고, 상기 하측 프로브 블록(40)이 메인 본체(30)의 내면과 접촉한 상태에서, 상기 상측 프로브 블록(30)이 커버(50)에 의해 내측으로 가압되어 고정된다.Thus, the upper probe block 30 and the lower probe block 40 in which the probe 70 is inserted are inserted into the mounting holes 16 formed in the main body 60, and the lower probe block 40 is the main body. In the state of contact with the inner surface of the 30, the upper probe block 30 is pressed inward by the cover 50 is fixed.

이때 하측 프로브 블록(40)을 기준으로 제1공간(92)과 제2공간(94)이 형성되는데, 제1공간(92)에는 프로브(70)의 상부 및 절곡된 부위가, 제2공간(94)에는 프로브(70)의 하부가 위치되며, 상측 프로브 블록(30) 및 커버(50)의 상부에는 프로브(70)에 검사신호를 공급하는 PCB(20)가 위치된다.In this case, a first space 92 and a second space 94 are formed based on the lower probe block 40. In the first space 92, upper and bent portions of the probe 70 are formed in the second space ( The lower portion of the probe 70 is located at 94, and the upper side of the upper probe block 30 and the cover 50 is a PCB 20 for supplying a test signal to the probe 70.

상기 제1공간(92)과 제2공간(4)에 폴리에틸렌 필름과 같은 절연체의 지지필름(미도시)을 개재하고 이 지지필름에 삽입구멍을 형성하여 프로브를 삽입해서 지지할 수도 있다.In the first space 92 and the second space 4, a support film (not shown) of an insulator such as a polyethylene film may be interposed, and an insertion hole may be formed in the support film to insert and support the probe.

상기 프로브 카드(10)의 하부에는 피검사체인 웨이퍼(80)가 위치되어 웨이퍼(80)의 단위 반도체 칩과 프로브(70)의 하단부가 전기적으로 접촉된다.The wafer 80, which is a test object, is positioned under the probe card 10 so that the unit semiconductor chip of the wafer 80 and the lower end of the probe 70 are electrically contacted with each other.

도 4는 도 2에 나타낸 프로브의 확대도이다.4 is an enlarged view of the probe shown in FIG. 2.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 프로브(70)는 60㎛ 이하의 극세선을 이중으로 절곡하여, 상부의 수직부(72)와 중간의 절곡부(74))와 하부의 수직부(76)로 분리되게 구성하고, 이때 절곡되는 각도(θ)는 90~150°인 것이 바람직하다.As shown in FIG. 4, the probe 70 according to the present invention bends a fine line of 60 μm or less in double, so that the upper vertical portion 72 and the middle bent portion 74 and the lower vertical portion are bent. It is configured to be separated into (76), wherein the angle (θ) bent at this time is preferably 90 ~ 150 °.

상기 세라믹이나 엔지니어링 플라스틱 등의 절연체 즉, 하측 프로브 블록(40)에는 피검사체인 웨이퍼(80)에 형성된 전극 패드와 같은 위치와 동일한 위치가 되도록 드릴링을 하여 삽입구멍(44)을 천공하고, 이 삽입구멍(44)에 프로브(70)를 삽입하여 웨이퍼(80)의 검사를 수행하게 된다.The insulator such as ceramic or engineering plastic, that is, the lower probe block 40 is drilled to be in the same position as that of the electrode pad formed on the wafer 80 to be inspected, and the insertion hole 44 is drilled. The probe 70 is inserted into the hole 44 to inspect the wafer 80.

결국, 상기 프로브(70)는 이중으로 절곡되어 상부의 수직부(72)는 프로브(70)의 상단부가 PCB(20)와 전기적으로 연결된 후 상측 프로브 블록(30)에 삽입되어 지지되고, 중간의 절곡부(74)는 제1공간(92)에 위치하며, 하부의 수직부(76)는 하측 프로브 블록(40)에 삽입된 후 제2공간(94)으로 돌출된다.As a result, the probe 70 is bent in double so that the vertical portion 72 of the upper portion is inserted into the upper probe block 30 after the upper end of the probe 70 is electrically connected to the PCB 20 and is supported. The bent portion 74 is located in the first space 92, and the lower vertical portion 76 protrudes into the second space 94 after being inserted into the lower probe block 40.

상기한 프로브 카드(10)의 구성에서, 피검사체인 웨이퍼(80)가 상승하거나 프로브 카드(10)가 하강하여 웨이퍼(80)의 전극 패드에 프로브 카드(10)의 프로브(70)가 수직으로 콘택트 된다.In the configuration of the probe card 10 described above, the probe 80 of the probe card 10 is perpendicular to the electrode pad of the wafer 80 because the wafer 80 to be inspected is raised or the probe card 10 is lowered. Contact is made.

상기 프로브 카드(10)에 구비된 복수의 프로브(70) 사이에 높이의 차이가 발생하거나 상기 웨이퍼(10)에 형성된 전극 패드 자체의 두께 차이가 일정하지 않을 경우 일부의 프로브(70)가 전극 패드에 접촉되지 못한다.When a difference in height occurs between the plurality of probes 70 provided in the probe card 10 or a thickness difference between the electrode pads formed on the wafer 10 is not constant, some of the probes 70 may be electrode pads. Cannot be contacted.

이를 방지하기 위해 웨이퍼(80)가 상기 프로브 카드(10)의 프로브(70)를 가압하게 하고, 상기 이중으로 절곡된 프로브(70)가 가압에 의해 변형되어 프로브(70)가 웨이퍼(10)에 완전히 접촉되는 것에 의해 해당 반도체 칩의 전기적 기능에 대한 특성을 검사할 수 있다.In order to prevent this, the wafer 80 causes the probe 70 of the probe card 10 to be pressed, and the double bent probe 70 is deformed by pressing so that the probe 70 is applied to the wafer 10. By being in full contact, the characteristics of the electrical function of the semiconductor chip can be examined.

이상의 검사에서 상기 하측 프로브 블록(30)에 피검사체인 웨이퍼(80)에 형성된 전극 패드와 같은 위치에 1:1 드릴링을 하여 삽입구멍(44)을 천공하고 이 삽입구멍(44)에 프로브(70)를 삽입하여 웨이퍼(80)의 검사를 수행함으로써 어떠한 형 태의 웨이퍼(80)도 한번에 테스트할 수 있고 웨이퍼당 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있다.In the above inspection, the lower probe block 30 drills the insertion hole 44 at the same position as the electrode pad formed on the wafer 80 to be inspected and drills the insertion hole 44, and the probe 70 is inserted into the insertion hole 44. By inspecting the wafer 80 by inserting the wafer 80, any type of wafer 80 can be tested at a time, and test time and cost per wafer can be reduced.

또한, 프로브(70)의 손상 및 마모로 인해 프로브(70)의 교체가 필요한 경우에 장착홀(16)에 프로브 블록바(14)를 이탈시킴으로써 누구나 손쉽게 프로브(70)를 교체할 수 있는 것이다.In addition, when the probe 70 needs to be replaced due to damage and wear of the probe 70, anyone can easily replace the probe 70 by detaching the probe block bar 14 from the mounting hole 16.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 절연체에 웨이퍼 상에 형성된 칩의 테스트 전극 패드와 1:1로 드릴에 의한 삽입구멍을 가공 후 프로브를 삽입함으로써 어떠한 형태의 웨이퍼도 한번에 테스트할 수 있고 웨이퍼당 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있다.As described above, according to the present invention, any type of wafer can be tested at one time by inserting a probe after machining an insertion hole formed by a drill 1: 1 with the test electrode pad of the chip formed on the wafer in the insulator. Reduce test time and costs.

또한, 웨이퍼의 전극 패드에 프로브가 수직으로 콘택트 됨으로써 칩 패드의 손상을 최소화할 수 있고 손상 및 마모로 인한 프로브의 교체를 누구나 손쉽게 교체할 수 있다.In addition, since the probe is vertically contacted with the electrode pad of the wafer, damage of the chip pad can be minimized and anyone can easily replace the probe due to damage and wear.

Claims (3)

웨이퍼와 같은 형상의 메인 본체(60)에 형성된 다수의 장착홀(16)에 프로브 블록바(14)가 각각 장착되되, Probe block bars 14 are each mounted in a plurality of mounting holes 16 formed in the main body 60 of the wafer-like shape, 상기 장착홀(16)에 상측 프로브 블록(30)과 하측 프로브 블록(40)이 개재되고, 상기 상측 프로브 블록(30)과 하측 프로브 블록(40)에는 삽입구멍(34)(44)이 각각 형성되어 웨이퍼(80)의 전극 패드에 하단부가 수직으로 접촉되는 프로브(70)가 삽입 지지되며, 상기 상측 프로브 블록(30)이 메인 본체(60) 상면에 위치된 커버(50)에 의해 고정되는 구조로 상기 프로브 블록바(14)가 이루어지며,An upper probe block 30 and a lower probe block 40 are interposed in the mounting hole 16, and insertion holes 34 and 44 are formed in the upper probe block 30 and the lower probe block 40, respectively. And a probe 70 having a lower end vertically contacted with an electrode pad of the wafer 80 is inserted and supported, and the upper probe block 30 is fixed by a cover 50 positioned on an upper surface of the main body 60. As the probe block bar 14 is made, 상기 커버(50)와 상측 프로브 블록(30)의 상면에는 프로브(70)의 상단부와 전기적으로 연결되어 프로브(70)에 검사신호를 공급하는 PCB(20)가 위치되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드.Vertical probes, characterized in that the upper surface of the cover 50 and the upper probe block 30 is a PCB 20 electrically connected to the upper end of the probe 70 to supply a test signal to the probe 70 Card. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프로브(70)는 극세선을 이중으로 절곡하여 상부의 수직부(72)와 중간의 절곡부(74)와 하부의 수직부(76)로 분리되게 구성하되, 그 절곡되는 각도는 90~150°인 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드.The probe 70 is configured to be bent into a micro fine line in a double to be separated into a vertical portion 72 of the upper portion, a bending portion 74 and the vertical portion 76 of the lower portion, the bending angle is 90 ~ 150 Vertical probe card, characterized in that °. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 하측 프로브 블록(40)에 형성하는 삽입구멍(44)은 웨이퍼(80)의 전극 패드와 동일한 위치가 되도록 드릴링을 하고 이 삽입구멍(44)에 프로브(70)의 하부를 삽입하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드.The insertion hole 44 formed in the lower probe block 40 is drilled to be in the same position as the electrode pad of the wafer 80 and the lower portion of the probe 70 is inserted into the insertion hole 44. Vertical probe card.
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