KR20100064465A - 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

생산성 및 표시 품질을 향상시킨 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법이 개시된다. 액정 표시 패널은 복수의 화소 영역들에 형성된 화소 전극을 포함하는 표시 기판, 표시 기판과 대향하는 대향 기판 및 표시 기판과 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들을 포함하는 액정층을 포함하고, 표시 기판 및 대향 기판 중 어느 하나는 제1 배향부 및 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 포함하는 제1 배향막을 포함한다. 이에 따라, 화소 전극의 패턴 없이 액정층을 멀티 도메인으로 분할할 수 있어 광시야각을 확보함으로써 표시 품질을 향상시킬 수 있고, 공정을 단순화시킴으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.
패턴리스(patternless), 광시야각, 멀티도메인, 도트, 수직배향, 수평배향

Description

액정 표시 패널 및 이의 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수직 배향 모드의 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시패널은 각 화소 영역을 구동하기 위한 스위칭 소자들이 형성된 표시 기판과, 상기 어레이 기판과 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 개재되어 형성된 액정층을 포함한다. 상기 액정표시패널은 상기 액정층에 전압을 인가하여 광의 투과율을 제어하는 방식으로 화상을 표시한다.
상기 표시 기판을 제조하는 공정은, 베이스 기판 상에 신호를 인가하는 신호 라인, 상기 신호 라인과 연결된 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 형성하고, 상기 신호 라인 및 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 베이스 기판 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하며, 상기 화소 전극을 포함하는 베이스 기판 상에 배향막을 형성하는 단계 등을 포함한다.
한편, 액정표시장치의 동작 모드 중에서 VA 모드(Vertical alignment mode)의 액정표시장치의 일종인 PVA 모드(Patterned Vertical Alignment mode)는, 패터닝된 투명 전극을 이용하여 액정 분자들을 서로 다른 방향으로 배열시켜 멀티 도메인을 형성함으로써 액정표시장치의 시야각을 향상시킬 수 있다. 이때, 상기 PVA 모드의 액정표시장치를 제조하기 위해서는 상기 패터닝된 투명 전극을 형성하는 공정이 수반되어야 하고, 투과율의 향상에 제한을 받는 문제점이 있다.
최근에는, 상기와 같은 문제점을 해결하고자, 화소 전극 또는 공통 전극인 투명 전극을 패터닝하지 않고 상기 투명 전극 상에 형성되는 배향막의 표면의 방향성을 제어하여 상기 액정 분자들을 서로 다른 방향으로 배열시킴으로써, 상기 PVA 모드와 동일하게 멀티 도메인을 형성함으로써 액정표시장치의 시야각을 향상시키고자 하고 있다. 상기 배향막은 일반적으로 자외선 조사를 통해 배향 물질이 경사각을 갖도록 하고, 상기 배향막의 서로 다른 도메인 형성 영역들에 형성된 배향 물질의 경사각은 각각 서로 다른 방향을 가질 수 있다.
그러나, 상기 배향막이 상기 도메인 형성 영역들로 나뉘어지더라도 상기 액정층에 인가되는 전압, 장시간의 액정표시장치의 사용 등에 의해서 상기 배향 물질의 경사각이 원상태로 복귀됨으로써 상기 도메인 형성 영역들이 서로 구분될 수 없게 된다. 이는, 상기 배향막이 상기 액정 분자들을 서로 다른 방향으로 배열시키지 못하는 원인이 되어 광시야각을 구현할 수 없으므로, 표시 품질을 저하시킬 수 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 액정층의 멀티 도메인을 형성하여 시야각을 향상시키고, 투과율을 향상시킨 액정 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 액정 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 액정 표시 패널은 표시 기판, 대향 기판 및 액정층을 포함한다. 상기 표시 기판은 복수의 화소 영역들에 형성된 화소 전극들을 포함한다. 상기 대향 기판은 상기 표시 기판과 대향한다. 상기 액정층은 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들을 포함한다. 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 어느 하나는 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 포함하는 제1 배향막을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 다른 하나는 상기 제1 배향막과 대향하는 면의 전체에 형성된 제2 배향막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 배향부는 상기 표시 기판 또는 상기 대향 기판과 평행한 선경사각을 갖고, 상기 제2 배향부는 상기 표시 기판 또는 상기 대향 기판과 수직한 선경사각을 가질 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 상기 제1 배향부는 상기 제2 배향부 상에 형성되고, 적어도 하나의 홀(hole)을 가질 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 어느 하나는 상기 제1 배향막 하부에 형성된 수평 배향막을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 배향부는 도트형으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 액정층은 상기 액정 분자들의 방향성을 제어하는 카이랄 도펀트(chiral dopant)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 배향부는, 상기 제1 배향부와 인접한 다른 제1 배향부와 100㎛ 내지 400㎛로 이격될 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법의 표시 기판을 형성하는 단계에서, 복수의 화소 영역들 각각에 형성된 화소 전극들 상에 형성되고 각 화소 영역과 대응하는 영역에 형성된 적어도 하나의 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 포함하는 제1 배향막을 형성한다. 상기 액정 표시 패널의 제조 방법의 대향 기판을 형성하는 단계에서 상기 제1 배향막과 마주하는 제2 배향막을 형성한다. 상기 표시 기판과 상기 대향 기판을 결합시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 배향막은, 상기 화소 전극들 상에 수직 배향막을 형성하고, 상기 제1 배향부와 대응하는 패턴을 포함하는 마스크를 통해 상기 수직 배향막에 이온빔을 조사하여, 상기 제1 배향부와 대응하는 영역의 상기 수직 배향막에 상기 화소 전극의 표면에 수평한 선경사각을 형성함으로써 상기 제1 배향부를 포함하는 상기 제1 배향막을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화소 전극들 상에 수직 배향막을 형성하고, 상기 제1 배향부와 대응하는 패턴을 포함하는 마스크를 통해 상기 수직 배향막에 플라즈마 또는 자외선을 조사하여, 상기 제1 배향부와 대응하는 영역의 상기 수직 배향막을 제거함으로써 상기 제1 배향부를 포함하는 상기 제1 배향막을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계는 상기 제1 배향부에 의해 노출된 상기 화소 전극의 표면에 이온빔을 조사하여 상기 화소 전극의 수평 배향을 유도하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이와 같은 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법에 따르면, 제2 배향부에 의해서 둘러싸이고, 상기 제2 배향부와 다른 배향성을 갖는 제1 배향부를 형성함으로써 액정층의 멀티 도메인을 형성할 수 있다. 상기 제1 배향부는 수평 배향막에 이온빔, 자외선 또는 플라즈마를 조사하여 패터닝함으로써 용이하게 형성할 수 있다. 이에 따라, 투과율의 저하를 최소화시키면서도 상기 액정층의 멀티 도메인을 형성할 수 있어 광시야각을 확보하여 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 화소 전극 및 공통 전극층의 별도의 패턴을 형성하는 공정을 생략할 수 있으므로 제조 공정을 단순화시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명 하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막) 또는 패턴들 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막) 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 " 하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막) 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I’라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널(500)은 표시 기판(100), 상기 표시 기판(100)과 대향하는 대향 기판(200) 및 상기 표시 기판(100)과 상기 대향 기판(200) 사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다.
상기 표시 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 게이트 라인(GL), 스토리지 전극(STE), 게이트 절연층(120), 데이터 라인(DL), 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT), 패시베이션층(140), 유기층(150), 화소 전극(PE) 및 제1 배향막(AL1)을 포함할 수 있다. 상기 표시 기판(100)은 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 데이터 라인(DL)에 의해서 단위 화소(P)가 구획되고, 상기 단위 화소(P)는 상기 박막 트랜지스터(TFT) 및 상기 화소 전극(PE)을 포함할 수 있다.
상기 제1 베이스 기판(110)은 예를 들어, 유리 기판, 소다 라임 기판, 플라스틱 기판 등일 수 있다.
상기 게이트 라인(GL)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된다. 상기 게 이트 라인(GL)은 상기 액정 표시 패널(500)의 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 복수개가 평행하게 배열될 수 있다. 상기 제2 방향(D2)은 상기 제1 방향(D1)과 수직한 방향일 수 있다. 상기 게이트 라인(GL)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 스토리지 전극(STE)은 상기 게이트 라인(GL)의 전단 게이트 라인과 연결될 수 있다. 상기 스토리지 전극(STE)은 상기 화소 전극(PE)과 중첩됨으로써, 상기 화소 전극(PE)에 인가된 전압을 충전할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 상기 스토리지 전극(STE)이 상기 전단 게이트 라인과 연결된 경우를 예를 들어 설명하였으나, 상기 스토리지 전극(STE)은 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 전단 게이트 라인과 독립하여 형성된 스토리지 배선(미도시)과 연결되어 형성될 수 있다.
상기 게이트 절연층(120)은 상기 게이트 라인(GL)을 포함하는 제1 베이스 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 상기 게이트 절연층(120)은 예를 들어, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등으로 형성될 수 있다.
상기 데이터 라인(DL)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)으로 복수개가 평행하게 배열될 수 있다. 상기 데이터 라인(DL)은 상기 게이트 라인(GL)과 상기 게이트 절연층(120)에 의해 절연되면서 교차할 수 있다. 상기 데이터 라인(DL)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 화소 전극(PE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전 극(GE), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 액티브 패턴(AP)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인(GL)과 연결되어 상기 제1 베이스 기판(110)과 상기 게이트 절연층(120) 사이에 형성될 수 있다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 라인(DL)과 연결되어 상기 액티브 패턴(AP) 상에 형성될 수 있다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 전극(SE)과 이격되고, 상기 액티브 패턴(AP) 상에 형성될 수 있다. 상기 드레인 전극(DE)의 일단부는 상기 패시베이션층(140) 및 상기 유기층(150)에 형성된 콘택홀(CNT)을 통해 상기 화소 전극(PE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE) 상의 상기 게이트 절연층(130) 상에 형성된다. 상기 액티브 패턴(AP) 상에 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 형성될 수 있다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 절연층(130) 상에 형성된 반도체층(130a) 및 상기 반도체층(130a) 상에 형성된 오믹 콘택층(130b)을 포함할 수 있다.
상기 패시베이션층(140)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된다. 상기 패시베이션층(140)은 예를 들어, 산화 실리콘 또는 질화 실리콘 등으로 형성될 수 있다. 상기 유기층(150)은 상기 패시베이션층(140) 상에 형성된다. 상기 유기층(150)은 감광성 유기 물질로 형성될 수 있다. 상기 유기층(150)은 상기 표시 기판(100)을 평탄화시킬 수 있고, 경우에 따라 생략될 수 있다. 상기 패시베이션층(140) 및 상기 유기층(150)은 상기 드레인 전극(DE)의 일단부를 노출시키는 상기 콘택홀(CNT)을 포함한다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 유기층(150)이 형성된 제1 베이스 기판(110) 상 에 형성된다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 콘택홀(CNT)을 통해 노출된 상기 드레인 전극(DE)과 접촉하여 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 단위 화소(P)마다 각각 1개씩 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 별도의 패턴, 예를 들어 개구(opening), 없이(patternless) 상기 제1 베이스 기판(110)의 상기 단위 화소(P) 전체를 커버할 수 있도록 형성된다. 상기 화소 전극(PE)은 예를 들어, 인듐 틴 옥사이드(Indium tin oxide, ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium zinc oxide, IZO) 등으로 형성될 수 있다.
상기 제1 배향막(AL1)은 상기 화소 전극(PE)이 형성된 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된다. 상기 제1 배향막(AL1)은 제1 배향부(HP) 및 제2 배향부(VP)를 포함한다. 상기 제1 배향막(AL1)은 실질적으로는 상기 액정층(300)의 액정 분자(310)를 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 기준으로 수직하게 배향시킬 수 있고, 상기 제1 배향부(HP)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제1 배향막(AL1)은 상기 제1 배향부(HP)를 포함하는 수직 배향막일 수 있다. 상기 제2 배향부(VP)에 형성된 배향 물질은 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면과 수직한 선경사각을 가질 수 있다. 상기 제1 배향부(HP)는 상기 제2 배향부(VP)에 의해 둘러싸인다. 상기 제1 배향부(HP)에 형성된 배향 물질은, 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면에 수평한 선경사각을 가질 수 있다. 상기 제1 배향부(HP)는 상기 제1 배향막(AL1) 상에 도트(dot)형으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는, 상기 제1 배향막(AL1)이 3개의 상기 제1 배향부들(HP)을 포함하는 것을 일례로 설명하나, 상기 제1 배향부(HP)는 상기 단위 화 소(P)마다 적어도 1개가 형성될 수 있다. 서로 인접한 제1 배향부들(HP)은 서로 이격되어 형성된다. 상기 서로 인접한 제1 배향부들(HP) 사이의 거리(d)는 약 100㎛ 내지 약 400㎛일 수 있다. 상기 거리(d)가 약 400㎛를 초과하는 경우에는, 상기 액정 분자들(310)이 상기 제1 배향막(AL1)에 의해서 배향되지 않고 경사 결함(전경, disclination defect)이 발생할 수 있어 상기 액정 분자들(310)을 정상적으로 배향시킬 수 없는 문제가 있다. 또한, 상기 거리(d)가 약 100㎛ 미만인 경우에는, 상기 액정 분자들(310)이 형성하는 도메인들 간의 간섭으로 인해 상기 액정 분자들(310)을 정상적으로 배향시킬 수 없는 문제가 있다. 상기 거리(d)는 예를 들어, 약 200㎛일 수 있다. 상기 제1 배향막(AL1)에 의한 상기 액정 분자들(310)의 도메인 형성에 대해서는, 상기 대향 기판(200)의 제2 배향막(AL2)에 대해서 설명한 후, 도 3을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.
상기 대향 기판(200)은 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 차광 패턴(220), 컬러필터(230), 오버코팅층(240), 공통 전극층(250) 및 제2 배향막(AL2)을 포함할 수 있다.
상기 제2 베이스 기판(210)은 상기 제1 베이스 기판(110)과 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 제2 베이스 기판(210)은 상기 제1 베이스 기판(110)과 대향하여 배치될 수 있다.
상기 차광 패턴(220)은 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된다. 구체적으로, 상기 차광 패턴(220)은 상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 상기 제1 베이스 기판(110)과 대응하는 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성될 수 있다.
상기 컬러필터(230)는 상기 차광 패턴(220)이 형성된 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된다. 상기 컬러필터(230)는 상기 차광 패턴(220)과 일부가 중첩될 수 있다. 상기 컬러필터(230)는 상기 제2 베이스 기판(210)의 단위 화소(P)에 형성된다. 상기 컬러필터(230)는 상기 화소 전극(PE)이 형성된 제1 베이스 기판(110)과 대응하는 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성될 수 있다. 상기 컬러필터(230)는 예를 들어, 레드, 그린 또는 블루를 나타낼 수 있다.
상기 오버 코팅층(240)은 상기 차광 패턴(220) 및 상기 컬러필터(230)가 형성된 제2 베이스 기판(210) 상에 형성되고, 상기 대향 기판(200)을 평탄화시킬 수 있다. 상기 오버 코팅층(240)은 경우에 따라 생략될 수 있다.
상기 공통 전극층(250)은 상기 오버 코팅층(240)이 형성된 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된다. 상기 공통 전극층(250)은 상기 화소 전극(PE)으로부터 전압을 제공받는다. 상기 공통 전극층(250)은 상기 대향 기판(200)의 전면에 형성된다. 상기 공통 전극층(240)은 별도의 패턴, 예를 들어 개구(opening), 없이(patternless) 상기 제2 베이스 기판(210)의 상기 단위 화소(P) 전체를 커버할 수 있도록 형성된다. 상기 공통 전극층(250)을 형성하는 물질의 예로서는, ITO, IZO 등을 들 수 있다.
상기 제2 배향막(AL2)은 상기 공통 전극층(250)이 형성된 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된다. 상기 제2 배향막(AL2)은 실질적으로 통상의 수직 배향막일 수 있다. 상기 제2 배향막(AL2)을 형성하는 배향 물질은, 상기 제2 베이스 기 판(210)의 표면과 수직한 선경사각을 가질 수 있다. 상기 제2 배향막(AL2)은 상기 대향 기판(200)의 전면에 형성될 수 있다. 상기 제2 배향막(AL2)은 상기 공통 전극층(250)의 전면을 커버할 수 있다.
상기 액정층(300)은 상기 표시 기판(100) 및 상기 대향 기판(200) 사이에 개재되어 형성된다. 상기 액정층(300)은 상기 제1 배향막(AL1)과 상기 제2 배향막(AL2) 사이에 개재된 복수개의 액정 분자(310)들을 포함한다. 상기 액정층(300)을 구성하는 상기 액정 분자(310)들의 집합은, 음의 유전율 이방성을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 액정 분자(310)들은 상기 제1 배향막(AL1) 및 상기 제2 배향막(AL2)에 의해, 각 액정 분자(310)의 장축이 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 기준으로 상기 표면과 수직하게 배열될 수 있다. 구체적으로, 상기 액정 분자(310)들은 상기 제1 배향막(AL1)의 상기 제2 배향부(VP)와 상기 제2 배향막(AL2) 사이에서는 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면과 수직하게 배열될 수 있다. 상기 액정 분자(310)들은, 상기 제2 배향부(VP)에서 상기 제1 배향부(HP)로 가까워질수록 상기 제1 배향부(HP)에 의해서 경사각을 갖도록 배열된다. 상기 액정 분자(310)들은, 상기 제1 배향부(HP)와 제2 배향부(VP)의 경계 영역에서 경사각을 갖도록 배열될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 제1 배향막의 제1 배향부를 확대하여 도시한 확대 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제1 배향막(AL1)의 상기 제2 배향부(VP)와, 상기 제2 배향막(AL2)은 상기 제1 배향막(AL1) 및/또는 상기 제2 배향막(AL2)을 구성하는 배향 물질의 수직성에 의해 각각 그 표면이 상기 수직성을 가지게 된다. 이하, 설명의 편의를 위해 상기 배향 물질의 수직성을 갖는 부분을 상기 배향 물질의 수직 발현부로 지칭하여 설명하기로 한다. 즉, 상기 수직 발현부는 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 기준으로 약 85°내지 약 90°의 선경사각을 가질 수 있다.
상기 제1 배향부(HP)는, 상기 배향 물질의 상기 수직 발현부가 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면으로 소정 각도로 기울어져, 상기 제2 배향부(VP)에 배치된 수직 발현부에 비해 상대적으로 낮은 선경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 배향부(HP)는, 상기 수직 발현부가 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 기준으로 약 0°내지 약 10°의 선경사각을 가질 수 있다. 상기 제1 배향부(HP)는 상기 제2 배향부(VP)의 상기 배향 물질과 실질적으로 동일한 배향 물질로 형성되나, 상기 배향 물질의 수직 발현부가 외부의 에너지를 받아 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 향하여 소정 각도 기울어짐에 따라 형성될 수 있다.
상기 제1 배향막(AL1)의 상기 제1 배향부(HP)에 의해서, 상기 제1 배향막(AL1)과 상기 제2 배향막(AL2) 사이에 개재되고 상기 제1 배향부(HP)와 인접한 상기 액정 분자(310)들은 상기 제1 베이스 기판(110)을 기준으로 수직하게 배열되지 않고, 상기 제1 배향부(HP)를 중심으로 하여 소정 각도 기울어져 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 배향부(HP)와 제2 배향부(VP)의 경계 영역에서, 상기 액정 분자(310)들은 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면과 수직하지 않고 소정 각도로 경사져 배열될 수 있다. 입체적으로 볼 때, 상기 액정 분자(310)들은 상기 제1 배향 부(HP)를 꼭지점으로 하여 상기 제2 배향막(AL2)을 향해 퍼져나가는 고깔 형상 또는 원뿔 형상으로 배열될 수 있다. 이에 따라, 상기 액정층(300)은 상기 제1 배향부(HP)에 의해서 상기 액정 분자(310)들이 방향성을 갖는 복수개의 도메인들을 포함할 수 있다. 즉, 상기 화소 전극(PE) 및/또는 상기 공통 전극층(250)의 패턴 없이도 상기 제1 배향막(AL1)의 상기 제1 배향부(HP)에 의해서 복수개의 도메인들을 형성할 수 있다.
상기 액정층(300)은 상기 액정 분자(310)들의 방향성을 제어할 수 있는 카이랄 도펀트(chiral dopant, 320)를 더 포함할 수 있다. 상기 카이랄 도펀트는 상기 제1 배향부(HP)와 인접하게 배치된 상기 액정 분자(310)가 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 기준으로 경사지게 누울 수 있고, 누워있는 상태로 안정하게 유지될 수 있도록 제어할 수 있다.
도 4 내지 도 6은 도 2에 도시된 액정 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 상기 게이트 라인(GL), 상기 스토리지 전극(STE) 및 상기 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 게이트 금속층은 예를 들어, 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 상기 게이트 패턴을 형성할 수 있다.
상기 게이트 패턴을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 게이트 절연층(120)을 형성할 수 있다. 상기 게이트 절연층(120)이 형성된 상기 제1 베이 스 기판(110) 상에 실리콘층(미도시) 및 비정질 실리콘층(미도시)을 형성하고, 상기 실리콘층 및 상기 비정질 실리콘층을 패터닝하여 상기 액티브 패턴(AP)을 형성한다.
상기 액티브 패턴(AP)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 데이터 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 데이터 금속층을 패터닝하여 상기 데이터 라인(DL), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 포함하는 소스 패턴을 형성할 수 있다.
상기 소스 패턴을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 패시베이션층(140) 및 상기 유기층(150)을 순차적으로 형성하고, 상기 패시베이션층(140) 및 상기 유기층(150)을 패터닝하여 상기 드레인 전극(DE)의 일단부를 노출시키는 상기 콘택홀(CNT)을 형성할 수 있다.
이어서, 상기 콘택홀(CNT)이 형성된 상기 패시베이션층(140) 및 상기 유기층(150)을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 투명 전극층(미도시)을 형성한다. 상기 투명 전극층은 상기 콘택홀(CNT)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 콘택할 수 있다. 상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 화소 전극(PE)을 형성한다.
상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 수직 배향막(160)을 형성한다. 상기 수직 배향막(160)은 상기 제1 배향막(AL1)을 형성하기 위해 1차적으로 성막시키는 막으로, 실질적으로는 통상의 수직 배향막일 수 있다. 즉, 상기 수직 배향막(160)은 상기 배향 물질을 포함하고, 상기 배향 물질의 수직 발현부에 의해 상기 수직 배향막(160)의 표면은 상기 액정 분자(310)들을 수직하게 배향시킬 수 있는 수직성을 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 수직 배향막(160)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 마스크(MASK)를 배치하고, 상기 마스크(MASK)의 상부에서 이온빔(ion beam)을 조사하여 상기 제1 배향부(HP)를 형성한다. 상기 제1 배향부(HP)의 형성으로, 상기 제1 배향부(HP)를 제외한 상기 수직 배향막(160)의 나머지 부분들은 상기 제2 배향부(VP)로 정의될 수 있다. 즉, 상기 수직 배향막(160)에 이온빔을 조사하여 상기 제1 배향부(HP)가 형성됨으로써 상기 제1 배향막(AL1)이 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 마스크(MASK)는 상기 제1 배향부(HP)와 대응하는 영역으로 상기 이온빔을 투과시키는 개구부(10) 및 상기 제1 배향부(HP)를 제외한 다른 영역으로의 상기 이온빔의 투과를 차단하는 차단부(20)를 포함한다. 상기 마스크(MASK)를 상기 수직 배향막(160) 상에 배치시키고, 상기 이온빔을 조사하면 상기 개구부(10)를 통해 상기 이온빔이 상기 수직 배향막(160)에 도달함으로써 상기 배향 물질의 수직 발현부가 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 향해 경사지게 되어, 상기 제1 배향부(HP)가 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 기판(100)이 제조될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 대향 기판(200)은 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 차광 패턴(220), 상기 컬러필터(230), 상기 오버코팅층(240), 상기 공통 전극층(250) 및 상기 제2 배향막(AL2)을 순차적으로 형성함으로써, 제조될 수 있다. 상기 제2 배향막(AL2)은 실질적으로 상기 수직 배향막(160)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 제2 배향막(AL2)은 실질적으로 통상의 수직 배향막일 수 있다.
이상에서 살펴본 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 배향부(HP)를 형성함으로써 상기 액정층(300)의 멀티 도메인을 형성할 수 있다. 상기 화소 전극(PE) 및/또는 상기 공통 전극층(250)의 패터닝이 생략되므로 투과율의 저하를 최소화시킬 수 있다. 따라서, 광시야각을 확보하여 상기 액정 표시 패널(500)의 표시 품질을 향상시키는 동시에, 제조 공정을 단순화시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는, 상기 표시 기판(100)에 상기 제1 배향부(HP) 및 상기 제2 배향부(VP)를 포함하는 상기 제1 배향막(AL1)이 형성되고, 상기 대향 기판(200)에 상기 제1 배향막(AL1)과 대향하는 면의 전체에 형성된 상기 제2 배향막(AL2)이 형성된 것을 일례로 들어 설명하였으나, 상기 표시 기판(100)의 상기 화소 전극(PE) 상에 상기 제2 배향막(AL2)이 형성되고, 상기 대향 기판(200)의 상기 공통 전극(250) 상에 상기 제1 배향막(AL1)이 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널의 단면도이다.
도 7에서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널은 제1 배향막의 제1 배향부의 형태를 제외하고는 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널은 화소 전극(PE) 상에 형성된 제1 배향막(AL1)을 포함하는 표시 기판(100), 제2 배향막(AL2)을 포함하는 대향 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 제1 배향막(AL1)은 제1 배향부(HP) 및 제2 배향부(VP)를 포함한다. 상 기 제1 배향부(HP)는 상기 제1 배향막(AL1)의 일부가 제거된 홀(hole)로 형성될 수 있다. 상기 제1 배향부(HP)에 의해서, 상기 제1 배향막(AL1)의 하부에 형성된 상기 화소 전극(PE)이 노출될 수 있다. 상기 제1 배향부(HP)는 상기 액정층(300)의 액정 분자(310)들을 수직하게 배향시킬 수 있는 부분이 제거되어 형성되는 것이므로, 상기 제2 배향부(VP)의 수직성에 비해 상대적으로 수평성을 가질 수 있다. 이와 같이, 상기 제1 배향부(HP)를 형성함으로써 상기 액정층(300)의 멀티 도메인을 형성할 수 있다.
한편, 상기 제1 배향부(HP)에 의해 노출되는 상기 화소 전극(PE)의 표면은, 상기 화소 전극(PE)을 형성하는 물질들, 예를 들어, ITO, IZO 등에 의해서 상기 제2 배향부(VP)의 수직성에 비해 상대적으로 수평성을 가질 수 있다. 다만, 상기 화소 전극(PE)의 표면의 수평성을 강화하기 위해서, 상기 화소 전극(PE)에 이온빔을 조사하여 상기 화소 전극(PE)의 수평 배향을 유도시킬 수 있다.
상기 대향 기판(200)은 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 차광 패턴(220)을 포함한다. 상기 차광 패턴(220)은 상기 표시 기판(100)의 게이트 라인(GL, 도 1 참조), 데이터 라인(DL) 및 박막 트랜지스터(TFT)와 대응하는 제2 베이스 기판(210)의 영역 및 상기 제1 배향부(HP)와 대응하는 제2 베이스 기판(210)의 영역에 형성될 수 있다. 상기 제1 배향부(HP)와 대응하는 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 차광 패턴(220)이 형성됨으로써, 상기 제1 배향부(HP)와 인접한 영역에서 발생할 수 있는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
이하에서는, 도 4 및 도 8을 참조하여 도 7에 도시된 표시 기판의 제조하는 방법을 설명하기로 한다.
도 7에 도시된 표시 기판을 제조하는 공정은, 도 4에서 설명한 게이트 패턴, 게이트 절연층, 액티브 패턴, 소스 패턴, 패시베이션층, 유기층, 화소 전극 및 수직 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 다만, 도 7에 도시된 표시 기판은 상기 화소 전극을 형성한 후, 상기 수직 배향막을 형성하기 이전에 상기 화소 전극의 표면을 이온빔 처리하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 배향막을 형성하는 단계에 있어서 차이가 있으므로 중복되는 구체적인 설명은 생략하고, 상기와 같은 차이가 있는 단계들에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다.
도 8은 도 7에 도시된 표시 기판을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 패턴, 게이트 절연층(120), 액티브 패턴(AP), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 소스 패턴, 패시베이션층(140) 및 유기층(150)이 형성된 제1 베이스 기판(110) 상에 화소 전극(PE)을 형성한다.
상기 화소 전극(PE)이 형성된 제1 베이스 기판(110)의 상부에서, 상기 화소 전극(PE)을 향해 이온빔(ion beam)을 조사한다. 상기 화소 전극(PE)에 이온빔을 조사하여 상기 화소 전극(PE)이 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 기준으로 수평하도록 수평 배향을 유도할 수 있다.
도 8 및 도 4를 참조하면, 상기 이온빔이 조사된 상기 화소 전극(PE) 상에 수직 배향막(160)을 형성하고, 상기 수직 배향막(160)이 형성된 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 배향부(HP)와 대응하는 패턴을 포함하는 마스크(미도시)를 배치한다. 상기 마스크의 상부에서 상기 수직 배향막(160)이 형성된 제1 베이스 기판(110)을 향해 자외선을 조사한다. 상기 자외선에 의해서, 상기 수직 배향막(160)을 구성하는 배향 물질이 에싱(ashing)되어 상기 제1 배향부(HP)를 형성할 수 있다. 이와 달리, 자외선 대신 플라즈마를 가하여 상기 제1 배향부(HP)를 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 수직 배향막(160)의 일부가 제거됨으로써 홀(hole) 형상의 상기 제1 배향부(HP)가 형성될 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널의 단면도이다.
도 9에서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널은 표시 기판이 수평 배향막을 더 포함하고, 대향 기판의 차광 패턴이 제1 배향막의 제1 배향부와 대응하는 영역에 형성되지 않은 것을 제외하고는 도 7에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널은 화소 전극(PE), 상기 화소 전극(PE) 상에 형성된 수평 배향막(170) 및 상기 수평 배향막(170) 상에 형성된 제1 배향막(AL1)을 포함하는 표시 기판(100), 제2 배향막(AL2)을 포함하는 대향 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 수평 배향막(170)은 상기 화소 전극(PE)이 형성된 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된다. 상기 수평 배향막(170)은, 상기 수평 배향막(170)을 구성 하는 배향 물질이 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면에 수평한 선경사각을 갖는다. 상기 수평 배향막(170)은 상기 제1 배향막(AL1)의 홀(hole) 형상의 제1 배향부(HP)에 의해 노출될 수 있다. 상기 제1 배향부(HP)를 통해 노출되는 상기 수평 배향막(170)의 형성은, 상기 제1 배향부(HP)가 상기 액정층(300)의 액정 분자들을 상기 제1 배향부(HP)와 제2 배향부(VP)의 경계 영역에서 경사지도록 배열시킴에 있어서 용이할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법은, 상기 수평 배향막(170)을 상기 화소 전극(PE)이 형성된 제1 베이스 기판(110) 상에 더 형성하는 것을 제외하고는 도 8에서 설명한 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 구체적인 설명은 생략한다.
상기에서는, 상기 표시 기판(100)에 상기 제1 배향부(HP) 및 상기 제2 배향부(VP)를 포함하는 상기 제1 배향막(AL1)이 형성되고, 상기 대향 기판(200)에 상기 제1 배향막(AL1)과 대향하는 면의 전체에 형성된 상기 제2 배향막(AL2)이 형성된 것을 일례로 들어 설명하였으나, 상기 표시 기판(100)의 상기 화소 전극(PE) 상에 상기 제2 배향막(AL2)이 형성되고, 상기 대향 기판(200)의 상기 공통 전극(250) 상에 상기 제1 배향막(AL1)이 형성될 수 있다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 표시 기판의 제1 배향막에, 제2 배향부와 다른 배향성을 가지고 제2 배향부에 의해서 둘러싸인 제1 배향부를 형성함 으로써 액정층의 멀티 도메인을 형성할 수 있다. 상기 제1 배향부는 수평 배향막에 이온빔, 자외선 또는 플라즈마를 조사하여 패터닝함으로써 용이하게 형성할 수 있다. 이에 따라, 투과율의 저하를 최소화시키면서도 상기 액정층의 멀티 도메인을 형성할 수 있어 광시야각을 확보하여 표시 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 화소 전극 및 공통 전극층의 별도의 패턴을 형성하는 공정을 생략할 수 있으므로 제조 공정을 단순화시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I’라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제1 배향막의 수평 배향부를 확대하여 도시한 확대 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 도 2에 도시된 액정 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널의 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 표시 기판을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
500: 표시 패널 100: 표시 기판
200: 대향 기판 300: 액정층
AL1, AL2: 제1, 제2 배향막 VP: 수직 배향부
HP: 수평 배향부 310: 액정 분자
320: 카이랄 도펀트 160: 수직 배향막
170: 수평 배향막 220: 차광 패턴

Claims (17)

  1. 복수의 화소 영역들에 형성된 화소 전극들을 포함하는 표시 기판;
    상기 표시 기판과 대향하는 대향 기판; 및
    상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들을 포함하는 액정층을 포함하고,
    상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 어느 하나는 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 갖는 제1 배향막을 포함하는 액정 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 다른 하나는,
    상기 제1 배향막과 대향하는 면의 전체에 형성된 제2 배향막을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 배향부는 상기 표시 기판 또는 상기 대향 기판의 표면과 평행한 선경사각을 갖고,
    상기 제2 배향부는 상기 표시 기판 또는 상기 대향 기판의 표면과 수직한 선경사각을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 배향부는
    상기 제2 배향부 상에 형성되고, 적어도 하나의 홀(hole)을 갖는 것을 특징 으로 하는 액정 표시 패널.
  5. 제4항에 있어서, 상기 표시 기판 또는 상기 대향 기판은,
    상기 제1 배향막 하부에 형성된 수평 배향막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 배향부는 도트(dot)형인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  7. 제1항에 있어서, 상기 화소 전극은
    각 화소 영역의 전면을 커버하도록 패턴없이(patternless) 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  8. 제7항에 있어서, 상기 대향 기판은
    상기 대향 기판의 전면에 형성된 공통 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  9. 제1항에 있어서, 상기 액정층은
    상기 액정 분자들의 방향성을 제어하는 카이랄 도펀트(chiral dopant)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  10. 제1항에 있어서, 상기 대향 기판은,
    상기 대향 기판의 상기 제1 배향부와 대응하는 영역에 형성된 차광 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1 배향부는,
    상기 제1 배향부와 인접한 다른 제1 배향부와 100㎛ 내지 400㎛로 이격된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  12. 복수의 화소 영역들 각각에 형성된 화소 전극들 상에 형성되고 각 화소 영역과 대응하는 영역에 형성된 적어도 하나의 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 포함하는 제1 배향막을 포함하는 표시 기판을 형성하는 단계;
    상기 제1 배향막과 마주하는 제2 배향막을 포함하는 대향 기판을 형성하는 단계; 및
    상기 표시 기판과 상기 대향 기판을 결합시키는 단계를 포함하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계는
    상기 화소 전극들 상에 수직 배향막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 배향부와 대응하는 패턴을 포함하는 마스크를 통해 상기 수직 배향 막에 이온빔을 조사하여, 상기 제1 배향부와 대응하는 영역의 상기 수직 배향막에 상기 화소 전극의 표면에 수평한 선경사각을 형성함으로써 상기 제1 배향부를 포함하는 상기 제1 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계는
    상기 화소 전극들 상에 수직 배향막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 배향부와 대응하는 패턴을 포함하는 마스크를 통해 상기 수직 배향막에 플라즈마 또는 자외선을 조사하여, 상기 제1 배향부와 대응하는 영역의 상기 수직 배향막을 제거함으로써 상기 제1 배향부를 포함하는 상기 제1 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계는
    상기 화소 전극과 상기 제1 배향막 사이에 수평 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계는
    상기 제1 배향부에 의해 노출된 상기 화소 전극의 표면에 이온빔을 조사하여 상기 화소 전극의 수평 배향을 유도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 대향 기판을 형성하는 단계는
    상기 제1 배향부와 대응하는 영역에 차광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
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