KR20100061081A - Light emitting diode including phosphor and method for fabricating the same - Google Patents

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KR20100061081A KR1020080119962A KR20080119962A KR20100061081A KR 20100061081 A KR20100061081 A KR 20100061081A KR 1020080119962 A KR1020080119962 A KR 1020080119962A KR 20080119962 A KR20080119962 A KR 20080119962A KR 20100061081 A KR20100061081 A KR 20100061081A
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Abstract

PURPOSE: A light emitting diode including a fluorescent substance and a manufacturing method thereof are provided to shorten device manufacturing time by forming a sidewall fluorescence pattern layer and an upper side fluorescent layer on a single wafer. CONSTITUTION: A light-emitting structure includes a clad layer(22), an active layer(24), and a second clad layer(26). A sidewall fluorescence pattern layer(29) is arranged on the side of the light-emitting structure. An upper side fluorescence pattern layer is arranged on a light emitting part of the light-emitting structure. The upper side fluorescence pattern layer is separated from the sidewall fluorescence pattern layer. The sidewall fluorescence pattern layer is a mixture of a photoresist and the fluorescent substance.

Description

형광체를 포함하는 발광다이오드 및 그의 제조방법{Light emitting diode including phosphor and method for fabricating the same}Light emitting diode including phosphor and manufacturing method thereof

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 형광체를 포함하는 발광다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode comprising a phosphor and a method of manufacturing the same.

발광 다이오드(Light emitting diode; LED)는 화합물 반도체의 PN 접합 다이오드에 순방향 전류가 흐를 때 빛을 발하는 현상을 이용한 소자로서, 디스플레이 소자의 광원으로 주로 이용되고 있다. A light emitting diode (LED) is a device using a phenomenon of emitting light when a forward current flows through a PN junction diode of a compound semiconductor, and is mainly used as a light source of a display device.

발광 다이오드는 다양한 파장을 얻기 위해 형광체가 이용된다. 그러나, 형광체의 불균일한 형성으로 인해 색온도 산포가 불균일한 문제점이 있다. 그 중에서도 발광다이오드의 측면에 균일한 형광체 형성이 어려워 광변환 효율이 떨어지는 단점이 있다. In the light emitting diode, phosphors are used to obtain various wavelengths. However, there is a problem that the color temperature distribution is nonuniform due to the nonuniform formation of the phosphor. In particular, it is difficult to form a uniform phosphor on the side of the light emitting diode, which has a disadvantage in that light conversion efficiency is lowered.

또한, 종래에는 이러한 형광체 형성이 패키지 공정에서 이루어져 형광체를 포함하는 발광 다이오드를 제조하는데 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다. In addition, conventionally, such a phosphor is formed in a package process, and thus there is a problem in that it takes a long time to manufacture a light emitting diode including a phosphor.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 과제는 색온도 산포가 전체적으로 균일한 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는데 있다. DISCLOSURE OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above problems is to provide a light emitting diode and a method of manufacturing the same uniform color temperature distribution as a whole.

상술한 제1 목적을 달성하기 위한 본 과제는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체, 상기 발광 구조체의 측면 상에 배치된 측면 형광 패턴층 및 상기 발광 구조체의 광방출면 상에 배치되고 상기 측면 형광 패턴층과 분리된 상부 형광 패턴층을 포함하는 발광 다이오드를 제공한다. The present invention for achieving the above-described first object is a light emitting structure having a first cladding layer, an active layer and a second cladding layer, a side fluorescent pattern layer disposed on the side of the light emitting structure and the light emitting surface of the light emitting structure Provided is a light emitting diode comprising an upper fluorescent pattern layer disposed on and separated from the side fluorescent pattern layer.

상기 측면 형광 패턴층은 형광체 및 포토레지스트의 혼합물일 수 있다. 상기 형광체는 메틸실리케이트, 에틸 실리케이트, 마그네슘알루미늄 실리케이트, 알루미늄 실리케이트, YAG:Ce, TbYAG:Ce, GdYAG:Ce, GdTbYAG:Ce 또는 TAG:Ce일 수 있다. The side fluorescent pattern layer may be a mixture of phosphor and photoresist. The phosphor may be methyl silicate, ethyl silicate, magnesium aluminum silicate, aluminum silicate, YAG: Ce, TbYAG: Ce, GdYAG: Ce, GdTbYAG: Ce or TAG: Ce.

상술한 제2 목적을 달성하기 위한 본 과제는 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체를 형성하는 단계, 상기 발광 구조체의 측면 상에 측면 형광 패턴층을 형성하는 단계 및 상기 발광 구조체의 광방출면 상에 상부 형광 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다. The present invention for achieving the above-described second object is to form a light emitting structure having a first cladding layer, an active layer and a second cladding layer on a substrate, forming a side fluorescent pattern layer on the side of the light emitting structure It provides a light emitting diode manufacturing method comprising the step and forming an upper fluorescent pattern layer on the light emitting surface of the light emitting structure.

상기 측면 형광 패턴층을 형성하는 단계는 상기 발광 구조체 상에 형광층을 형성하는 단계 및 상기 형광층을 에치백하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 형광층은 스핀코팅을 사용하여 형성할 수 있다. 상기 상부 형광 패턴층은 도팅법 또는 스 핀코팅을 사용하여 형성할 수 있다. The forming of the side fluorescent pattern layer may include forming a fluorescent layer on the light emitting structure and etching back the fluorescent layer. The fluorescent layer may be formed using spin coating. The upper fluorescent pattern layer may be formed using a dotting method or spin coating.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 발광 다이오드는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체의 측면 상에 측면 형광 패턴층을 형성한 후, 상부 형광층을 형성할 수 있다. As described above, the light emitting diode according to the present invention may form a side fluorescent pattern layer on the side of the light emitting structure including the first cladding layer, the active layer, and the second cladding layer, and then form an upper fluorescent layer.

그 결과, 측면광을 포함하여도 발광다이오드의 색온도 산포가 전체적으로 균일할 수 있다. 또한, 단일 웨이퍼 상에서 상기 측면 형광 패턴층 형성이 가능하여 소자 제조 시간이 단축될 수 있다. As a result, even when the side light is included, the color temperature distribution of the light emitting diode may be uniform throughout. In addition, the side fluorescent pattern layer may be formed on a single wafer, thereby reducing device manufacturing time.

첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 이하, 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다. With reference to the accompanying drawings, it will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. Hereinafter, the same reference numerals are used for the same components in the drawings, and duplicate descriptions of the same components are omitted.

도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 나타내는 개략도들이다. 1A to 1G are schematic views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 1a를 참조하면, 기판(10) 상에 차례로 제1 클래드층(22), 활성층(24) 및 제2 클래드층(26)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 1A, the first clad layer 22, the active layer 24, and the second clad layer 26 may be sequentially formed on the substrate 10.

상기 기판(10)은 Al2O3(사파이어), SiC, ZnO, Si, GaAs, LiAl2O3, InP, BN, AlN 또는 GaN 기판일 수 있다. 바람직하게는 상기 기판(10)은 Al2O3 기판일 수 있다.The substrate 10 may be an Al 2 O 3 (sapphire), SiC, ZnO, Si, GaAs, LiAl 2 O 3 , InP, BN, AlN or GaN substrate. Preferably, the substrate 10 may be an Al 2 O 3 substrate.

상기 제1 클래드층(22)은 제1형 불순물 예를들어, n형 불순물이 주입된 반도체층일 수 있다. 상기 제1 클래드층(22)은 Al, Ga 또는 In등의 불순물이 주입된 질화물계, 또는 산화아연계 반도체층일 수 있다. The first clad layer 22 may be a semiconductor layer into which first type impurities, for example, n type impurities, are implanted. The first cladding layer 22 may be a nitride-based or zinc oxide-based semiconductor layer into which impurities such as Al, Ga, or In are implanted.

상기 활성층(24)은 양자점 구조 또는 다중양자우물 구조(Multi Quantum Well Structure)를 가질 수 있다. 상기 활성층(24)이 질화물계층인 경우에 상기 질화물계층은 InGaN층 또는/및 GaN층일 수 있으며, 상기 활성층(14)인 산화아연계층인 경우에 상기 산화아연계층은 ZnMgO층 또는 ZnCdO층일 수 있다. The active layer 24 may have a quantum dot structure or a multi quantum well structure. In the case where the active layer 24 is a nitride layer, the nitride layer may be an InGaN layer and / or a GaN layer. In the case of the active layer 14, the zinc oxide layer may be a ZnMgO layer or a ZnCdO layer.

상기 제2 클래드층(26)은 제2형 불순물 즉, p형 불순물이 주입된 반도체층일 수 있다. 상기 제2 클래드층(26)은 P, Re, Li, Na, K, Cs, Sb 또는 Pb등의 p형 불순물이 주입된 질화물계 반도체층 또는 산화아연계 반도체층일 수 있다. The second clad layer 26 may be a semiconductor layer in which a second type impurity, that is, a p type impurity is implanted. The second clad layer 26 may be a nitride based semiconductor layer or a zinc oxide based semiconductor layer into which p-type impurities such as P, Re, Li, Na, K, Cs, Sb, or Pb are implanted.

상기 제1 클래드층(22), 상기 활성층(24) 및 상기 제2 클래드층(26)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 기술 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 기술을 사용하여 형성할 수 있다.The first clad layer 22, the active layer 24, and the second clad layer 26 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique or a molecular beam epitaxy (MBE) technique.

도 1b를 참조하면, 상기 제2 클래드층(26), 상기 활성층(24) 및 제1 클래드층(22)을 차례로 패터닝하여 발광구조체들(S)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 1B, light emitting structures S may be formed by sequentially patterning the second clad layer 26, the active layer 24, and the first clad layer 22.

도 1c를 참조하면, 상기 제2 클래드층(26) 및 상기 활성층(24)의 일부를 식 각하여 상기 제1 클래드층(22)의 일부를 노출시킬 수 있다. 이때, 상기 제1 클래드층(22)의 상부 일부 또한 식각될 수도 있다. 이에 따라, 각 발광 구조체(S)는 차례로 적층된 상기 제1 클래드층(22), 상기 활성층(24) 및 상기 제2 클래드층(26)을 구비하되, 상기 활성층(24) 및 상기 제2 클래드층(26)의 일측에는 상기 제1 클래드층(22)이 노출될 수 있다. Referring to FIG. 1C, a portion of the second clad layer 26 and a portion of the active layer 24 may be etched to expose a portion of the first clad layer 22. In this case, a portion of the upper portion of the first cladding layer 22 may also be etched. Accordingly, each of the light emitting structures S includes the first cladding layer 22, the active layer 24, and the second cladding layer 26, which are sequentially stacked, and the active layer 24 and the second cladding. One side of the layer 26 may expose the first cladding layer 22.

도 1d를 참조하면, 상기 제2클래드층(26) 및 상기 노출된 제1 클래드층(22)을 덮는 형광층(28)을 형성할 수 있다. 상기 형광층(28)은 형광체 및 포토레지스트의 혼합물일 수 있다. Referring to FIG. 1D, the fluorescent layer 28 covering the second cladding layer 26 and the exposed first cladding layer 22 may be formed. The phosphor layer 28 may be a mixture of phosphor and photoresist.

상기 형광체는 실리케이트계, YAG계(yttrium aluminum garnet) 또는 TAG계(Terbium Aluminum Garnet) 물질일 수 있다. 구체적으로 상기 실리케이트계 물질은 메틸실리케이트, 에틸 실리케이트, 마그네슘알루미늄 실리케이트 또는 알루미늄 실리케이트일 수 있으며, YAG계 물질은 YAG:Ce, TbYAG:Ce, GdYAG:Ce 또는 GdTbYAG:Ce일 수 있다. 또한, TAG 물질은 TAG:Ce일 수 있다. 상기 형광층(28)은 스핀코팅을 사용하여 형성할 수 있다. The phosphor may be a silicate-based, yttrium aluminum garnet (YAG) or terbium aluminum garnet (TAG) material. Specifically, the silicate-based material may be methyl silicate, ethyl silicate, magnesium aluminum silicate or aluminum silicate, and the YAG-based material may be YAG: Ce, TbYAG: Ce, GdYAG: Ce or GdTbYAG: Ce. In addition, the TAG material may be TAG: Ce. The fluorescent layer 28 may be formed using spin coating.

상기 형광체는 상기 발광구조체(S)가 자외선광을 발생시키는 경우에는 적색, 녹색 및 청색 형광체들일 수 있으며, 상기 발광구조체(S)가 청색광을 발생시키는 경우에는 황색 형광체일 수 있다. 이에 따라 최종 구조의 발광 다이오드는 백색광을 방출할 수 있다. The phosphor may be red, green, and blue phosphors when the light emitting structure S generates ultraviolet light, and may be a yellow phosphor when the light emitting structure S generates blue light. Accordingly, the light emitting diode of the final structure may emit white light.

도 1e를 참조하면, 상기 형광층(28)을 에치백(etch back)하여 상기 제1 클래드층(22), 제2 클래드층(26) 및 기판(10)의 일부를 노출시킬 수 있다. 상기 에치백 은 CF4, C2F6, CHF3 등의 식각가스를 이용하여 수행할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 클래드층(22), 상기 활성층(24) 및 제2 클래드층(26)를 구비하는 발광 구조체(S)의 측면 상에 측면 형광 패턴층들(29)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 1E, the fluorescent layer 28 may be etched back to expose the first cladding layer 22, the second cladding layer 26, and a portion of the substrate 10. The etch back may be performed using an etching gas such as CF 4, C 2 F 6, or CHF 3. Accordingly, side fluorescent pattern layers 29 may be formed on side surfaces of the light emitting structure S including the first clad layer 22, the active layer 24, and the second clad layer 26. .

그러나, 상기 측면 형광 패턴층들(29)을 형성하는 것은 이에 한정되지 않고, 상기 형광층(28)을 포토리소그라피법 등을 사용하여 패터닝하여 형성할 수도 있다.However, the side surface fluorescent pattern layers 29 are not limited thereto, and the fluorescent layer 28 may be formed by patterning the photoluminescent method.

도 1f를 참조하면, 상기 발광 구조체(S)의 기판(10)이 상부면을 향하도록 회전시킨 후, 상기 기판(10) 상에 상부 형광층(42)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 상부 형광층(42)은 상기 발광 구조체(S)의 광방출면 상에 배치될 수 있다. 상기 상부 형광층(42)은 스핀코팅을 사용하여 형성할 수 있다. Referring to FIG. 1F, after the substrate 10 of the light emitting structure S is rotated to face the upper surface, the upper fluorescent layer 42 may be formed on the substrate 10. In this case, the upper fluorescent layer 42 may be disposed on the light emitting surface of the light emitting structure (S). The upper fluorescent layer 42 may be formed using spin coating.

이 경우에, 상기 제2 클래드층(26) 상에 반사층(미도시)이 위치할 수 있다. 상기 반사방지층을 구비함으로써 상기 광방출면은 기판(10) 쪽을 향할 수 있다. In this case, a reflective layer (not shown) may be located on the second clad layer 26. By providing the anti-reflection layer, the light emitting surface may face the substrate 10.

도 1g를 참조하면, 상기 상부 형광층(42) 및 기판(10)을 스크라이브 레인(SL)을 따라 절단하여 단위 발광다이오드(UC1)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 1G, the upper fluorescent layer 42 and the substrate 10 may be cut along the scribe lane SL to form a unit light emitting diode UC1.

상기 단위 발광다이오드(UC1)는 제1 클래드층(22), 활성층(24) 및 제2 클래드층(26)을 구비하는 발광 구조체(S), 상기 발광 구조체(S)의 측면 상에 배치된 측면 형광 패턴층(29) 및 상기 발광 구조체(S)의 광방출면 상에 배치되고 상기 측면 형광 패턴층과 분리된 상부 형광 패턴층(42)을 포함할 수 있다.The unit light emitting diode UC1 includes a light emitting structure S including a first cladding layer 22, an active layer 24, and a second cladding layer 26, and a side surface disposed on a side surface of the light emitting structure S. The fluorescent pattern layer 29 and the upper fluorescent pattern layer 42 disposed on the light emitting surface of the light emitting structure S and separated from the side fluorescent pattern layer may be included.

상술한 바와 같이 상기 측면 형광 패턴층(26)을 상기 발광 구조체(S)의 측면 상에 형성함으로써, 상기 발광 구조체(S)의 측면 상에 형성된 형광 물질막의 두께와 상기 발광 구조체(S)의 광방출면 상에 형성된 형광 물질막 두께의 균일도를 향 상시킬 수 있다. 따라서, 상기 발광 구조체(S)의 측면으로 방출되는 광의 색변환 정도와 상부면으로 방출되는 광의 색변화 정도가 균일하게되어, 발광다이오드의 색온도 산포가 전체적으로 균일해질 수 있다. By forming the side fluorescent pattern layer 26 on the side of the light emitting structure S as described above, the thickness of the fluorescent material film formed on the side of the light emitting structure S and the light of the light emitting structure S The uniformity of the thickness of the fluorescent material film formed on the emission surface can be improved. Therefore, the degree of color conversion of light emitted to the side of the light emitting structure S and the degree of color change of light emitted to the upper surface are uniform, so that the color temperature distribution of the light emitting diode may be uniform.

또한, 상기 단일 웨이퍼 상에서 상기 측면 형광 패턴층(29) 및 상부 형광층(42)을 형성하는 경우에는 소자 제조시간이 단축될 수 있는 효과가 있다. In addition, when the side fluorescent pattern layer 29 and the upper fluorescent layer 42 are formed on the single wafer, device manufacturing time may be shortened.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 나타내는 개략도들이다. 2A and 2B are schematic views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 도 1a 내지 도 1e를 참조하여 설명한 결과물 상에 상부 형광층(42)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 2A, an upper fluorescent layer 42 may be formed on the resultant described with reference to FIGS. 1A through 1E.

상기 상부 형광층(42)은 도팅법을 사용하여 형성할 수 있다. 상기 도팅법을 사용하여 상부 형광층(42)을 형성하는 경우에, 상기 형광층(42)은 형광체 및 용매가 혼합되어 있을 수 있다. 따라서, 상기 용매를 제거하기 위해 별도의 열처리가 수행될 수 있다. The upper fluorescent layer 42 may be formed using a dotting method. When the upper fluorescent layer 42 is formed using the dotting method, the fluorescent layer 42 may be a mixture of phosphor and a solvent. Therefore, a separate heat treatment may be performed to remove the solvent.

도 2b를 참조하면, 상기 기판(10)을 스크라이브 레인(SL)을 따라 절단하여 단위 발광다이오드(UC2)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 2B, the substrate 10 may be cut along the scribe lane SL to form a unit light emitting diode UC2.

상기 단위 발광다이오드(UC2)는 기판(10) 상에 제1 클래드층(22), 활성층(24) 및 제2 클래드층(26)을 구비하는 발광 구조체(S), 상기 발광 구조체(S)의 측면 상에 배치된 측면 형광 패턴층(29) 및 상기 발광 구조체(S)의 광방출면 상에 배치되고, 상기 측면 형광 패턴층(29)과 분리된 상부 형광층(42)을 포함할 수 있 다. 이때, 상기 광방출방향은 제1 클래드층(22)으로부터 제2 클래드층(26)으로 향하는 방향일 수 있다. The unit light emitting diode UC2 includes a light emitting structure S including a first cladding layer 22, an active layer 24, and a second cladding layer 26 on a substrate 10. It may include a side fluorescent pattern layer 29 disposed on a side surface and an upper fluorescent layer 42 disposed on the light emitting surface of the light emitting structure S and separated from the side fluorescent pattern layer 29. All. In this case, the light emission direction may be a direction from the first cladding layer 22 to the second cladding layer 26.

도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 나타내는 개략도들이다. 3A to 3B are schematic views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to still another embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 도 1a 내지 도 1e를 참조하여 설명한 결과물의 기판(10)을 스크라이브 레인(SL)을 따라 절단하여 단위 발광다이오드(UC3)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 3A, a unit light emitting diode UC3 may be formed by cutting the substrate 10 of the resultant substrate described with reference to FIGS. 1A through 1E along the scribe lane SL.

즉, 상기 단위 발광다이오드(UC3)는 기판(10) 상에 제1 클래드층(22), 활성층(24) 및 제2 클래드층(26)을 구비하는 발광 구조체(S), 상기 발광 구조체(S)의 측면에 배치된 측면 형광 패턴층(29)을 포함할 수 있다. That is, the unit light emitting diode UC3 includes a light emitting structure S including a first cladding layer 22, an active layer 24, and a second cladding layer 26 on the substrate 10, and the light emitting structure S. It may include a side fluorescent pattern layer 29 disposed on the side of the).

도 3b를 참조하면, 패키지 기판(50) 상에 상기 단위 발광다이오드(UC3)를 배치시킬 수 있다. 상기 패키지 기판(50)은 인쇄회로기판 또는 리드 프레임 기판일 수 있다. Referring to FIG. 3B, the unit light emitting diode UC3 may be disposed on the package substrate 50. The package substrate 50 may be a printed circuit board or a lead frame substrate.

상기 단위 발광다이오드(UC3) 및 패키지 기판(50) 상에 상부 형광층(42)을 형성할 수 있다. 상기 상부 형광층(42)은 도팅법을 사용하여 형성할 수 있다.An upper fluorescent layer 42 may be formed on the unit light emitting diode UC3 and the package substrate 50. The upper fluorescent layer 42 may be formed using a dotting method.

상기 측면 형광 패턴층(26)을 상기 발광 구조체(S)의 측면 상에 형성함으로써, 상기 발광 구조체(S)의 측면 상에 형성된 형광 물질막의 두께와 상기 발광 구조체(S)의 상부면 상에 형성된 형광 물질막의 두께의 균일도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 발광 구조체(S)의 측면으로 방출되는 광의 색변환 정도와 상부면으로 방출되는 광의 색변화 정도가 균일하게되어, 발광다이오드의 색온도 산포가 전체적으로 균일해질 수 있다. By forming the side fluorescent pattern layer 26 on the side of the light emitting structure (S), the thickness of the fluorescent material film formed on the side of the light emitting structure (S) and formed on the upper surface of the light emitting structure (S) The uniformity of the thickness of the fluorescent material film can be improved. Therefore, the degree of color conversion of light emitted to the side of the light emitting structure S and the degree of color change of light emitted to the upper surface are uniform, so that the color temperature distribution of the light emitting diode may be uniform.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 나타내는 개략도들이다. 1A to 1G are schematic views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 나타내는 개략도들이다. 2A and 2B are schematic views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 나타내는 개략도들이다. 3A to 3B are schematic views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to still another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10: 기판 22: 제1 클래드층10: substrate 22: first clad layer

24: 활성층 26: 제2 클래드층24: active layer 26: second clad layer

29: 측면 형광 패턴층 42: 상부 형광층29: side fluorescent pattern layer 42: upper fluorescent layer

50: 패키지 기판 50: package substrate

Claims (7)

제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체;A light emitting structure comprising a first clad layer, an active layer, and a second clad layer; 상기 발광 구조체의 측면 상에 배치된 측면 형광 패턴층; 및 A side fluorescent pattern layer disposed on a side of the light emitting structure; And 상기 발광 구조체의 광방출면 상에 배치되고 상기 측면 형광 패턴층과 분리된 상부 형광 패턴층을 포함하는 발광 다이오드. And an upper fluorescent pattern layer disposed on the light emitting surface of the light emitting structure and separated from the side fluorescent pattern layer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 측면 형광 패턴층은 형광체 및 포토레지스트의 혼합물인 발광 다이오드. And the side fluorescent pattern layer is a mixture of phosphor and photoresist. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 형광체는 메틸실리케이트, 에틸 실리케이트, 마그네슘알루미늄 실리케이트, 알루미늄 실리케이트, YAG:Ce, TbYAG:Ce, GdYAG:Ce, GdTbYAG:Ce 또는 TAG:Ce인 발광 다이오드. The phosphor is methyl silicate, ethyl silicate, magnesium aluminum silicate, aluminum silicate, YAG: Ce, TbYAG: Ce, GdYAG: Ce, GdTbYAG: Ce or TAG: Ce. 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체를 형성하는 단계;Forming a light emitting structure having a first clad layer, an active layer, and a second clad layer on the substrate; 상기 발광 구조체의 측면 상에 측면 형광 패턴층을 형성하는 단계; 및Forming a side fluorescent pattern layer on a side of the light emitting structure; And 상기 발광 구조체의 광방출면 상에 상부 형광 패턴층을 형성하는 단계를 포 함하는 발광 다이오드 제조방법. And forming an upper fluorescent pattern layer on the light emitting surface of the light emitting structure. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 측면 형광 패턴층을 형성하는 단계는 상기 발광 구조체 상에 형광층을 형성하는 단계; 및 상기 형광층을 에치백하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법. The forming of the side fluorescent pattern layer may include forming a fluorescent layer on the light emitting structure; And etching back the fluorescent layer. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 형광층은 스핀코팅을 사용하여 형성하는 발광 다이오드 제조방법. The fluorescent layer is formed using a spin coating light emitting diode manufacturing method. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 상부 형광 패턴층은 도팅법을 사용하여 형성하는 발광 다이오드 제조방법. The upper fluorescent pattern layer is formed using a dotting method.
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