KR20100060973A - Space transformer, probe card having space transformer, and method for manufacturing space transformer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 공간 변환기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체 웨이퍼 등의 피검사체를 검사할 수 있는 프로브 카드에 사용되는 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a space transducer, and more particularly, to a space transducer used for a probe card capable of inspecting an object to be inspected, such as a semiconductor wafer, a probe card including a space transducer, and a manufacturing method of a space transducer.
일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼(wafer) 상에 회로 패턴 및 검사를 위한 접촉 패드를 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과 회로 패턴 및 접촉 패드가 형성된 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.In general, semiconductor devices have a fabrication process of forming contact pads for circuit patterns and inspections on a wafer, and an assembly process of assembling wafers having circuit patterns and contact pads into respective semiconductor chips. It is manufactured through.
패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드에 전기 신호를 인가하여 웨이퍼의 전기적 특성을 검사하는 검사 공정이 수행된다. 이 검사 공정은 웨이퍼의 불량을 검사하여 어셈블리 공정 시 불량이 발생한 웨이퍼의 일 부분을 제거하기 위해 수행하는 공정이다.An inspection process is performed between the fabrication process and the assembly process to inspect the electrical characteristics of the wafer by applying an electrical signal to the contact pads formed on the wafer. This inspection process is performed to inspect a defect of a wafer and to remove a portion of a wafer in which a defect occurs during an assembly process.
검사 공정 시에는 웨이퍼에 전기적 신호를 인가하는 테스터라고 하는 검사 장비와 웨이퍼와 테스터 사이의 인터페이스 기능을 수행하는 프로브 카드라는 검사 장비가 주로 이용된다. 이 중에서 프로브 카드는 테스터로부터 인가되는 전기 신호를 수신하는 인쇄 회로 기판 및 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 복수개의 프로브를 포함한다.In the inspection process, inspection equipment called a tester for applying an electrical signal to a wafer and probe equipment for performing an interface function between the wafer and the tester are mainly used. Among them, the probe card includes a printed circuit board that receives an electrical signal applied from a tester and a plurality of probes in contact with contact pads formed on the wafer.
최근에, 고집적 반도체 칩의 수요가 증가함에 따라서, 패브리케이션 공정에 의해 웨이퍼에 형성되는 회로 패턴이 고집적하게 되며, 이에 의해, 이웃하는 접촉 패드간의 간격, 즉 피치(pitch)가 매우 좁게 형성되고 있다. In recent years, as the demand for highly integrated semiconductor chips increases, circuit patterns formed on the wafer by the fabrication process become highly integrated, whereby the spacing between adjacent contact pads, that is, the pitch, is very narrow. .
이러한 미세 피치의 접촉 패드를 검사하기 위해, 프로브 카드의 프로브와 인쇄 회로 기판 사이에 피치 변환의 기능을 수행하는 공간 변환기(space transformer)가 사용되고 있다.In order to inspect such fine pitch contact pads, a space transformer is used that performs the function of pitch conversion between the probe of the probe card and the printed circuit board.
이하, 도 1을 참조하여 종래의 프로브 카드를 설명한다.Hereinafter, a conventional probe card will be described with reference to FIG. 1.
도 1은 공간 변환기를 구비한 종래의 프로브 카드의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional probe card with a space transducer.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 프로브 카드(10)는 인쇄 회로 기판(11), 인터포져(12), 공간 변환기(13) 및 프로브(14)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a
인쇄 회로 기판(11)은 검사 공정을 위해 형성된 회로 패턴(미도시) 및 기판 패드(11a)를 포함하며, 테스터(도시하지 않음)로부터 인가된 전기 신호를 수신하여 프로브(14)로 전달하는 기능을 수행한다.The printed
인터포저(12)는 인쇄 회로 기판(11)의 기판 패드(11a)에 접속되어 인쇄 회로 기판(11)과 공간 변환기(13) 사이를 전기적으로 연결하는 기능을 수행한다.The
공간 변환기(13)는 하면에 형성되어 있으며 서로 마주하는 제 1 단자(13a)간 거리(피치)가 상면에 형성되어 있으며 서로 마주하는 제 2 단자(13b)간 거리(피치)보다 좁게 형성되어, 피치 변환의 기능을 수행한다.The
또한, 공간 변환기(13)는 도전 패턴이 형성된 세라믹 기판 복수개를 소결(sintering) 공정을 이용해 상호 접합하여 복수층의 세라믹 기판을 포함하는 다층 세라믹 기판(MLC, multi layer ceramic substrate)으로 이루어져 있으며, 각 층에 형성된 도전 패턴에 의해 인쇄 회로 기판(11)으로부터 받은 전기 신호를 프로브(14)로 전달한다.In addition, the
프로브(14)는 공간 변환기(13)의 제 2 단자(13b)에 직접 접속되어 있다.The
이와 같이, 종래의 공간 변환기(13)는 도전 패턴을 가진 복수층의 세라믹 기판으로 이루어지기 때문에, 제조 비용이 상승하며 이로 인해 프로브 카드(10)의 제조 비용이 상승하는 요인으로 작용하는 문제점이 있었다.As described above, since the
또한, 종래의 공간 변환기(13)는 도전 패턴을 가지는 세라믹 기판을 복수개 형성한 후, 각 세라믹 기판을 소결 공정을 이용해 접합하여 제조하기 때문에, 제조 시간이 오래 걸리는 동시에 제조 수율이 낮은 문제점이 있었다.In addition, since the
또한, 종래의 공간 변환기(13)는 각 세라믹 기판을 접합하는 소결 공정에서 소결 공정 시의 고온 환경에 의해 각 세라믹 기판이 뒤틀리는 등의 변형을 일으키거나 각 세라믹 기판에 형성된 도전 패턴이 뒤틀리는 등의 변형을 일으키는 불량에 의해 공간 변환기(13)의 자체 평탄도에 불량이 발생하여 공간 변환기(13)에 접속 되어 있는 프로브(14)의 평탄도에 불량이 발생하는 문제점이 있었다.In the
또한, 종래의 공간 변환기(13)는 소결 공정에 의해 각 세라믹 기판을 접합하 기 때문에, 대면적의 반도체 웨이퍼 등의 대면적 피검사체를 검사하기 위해 공간 변환기(13)의 크기가 커져 각 층에 위치하는 세라믹 기판이 대면적으로 커질 경우, 소결 공정으로는 이웃하는 대면적의 세라믹 기판의 중심 영역을 접합하기 어렵기 때문에 대면적의 세라믹 기판을 상호 접합하기 어려운 문제점이 있었다.In addition, since the
본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 제조 비용을 절감할 수 있는 있는 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.One embodiment of the present invention is to solve the above-described problems, it is an object of the present invention to provide a space transducer, a probe card including a space transducer and a method of manufacturing a space transducer that can reduce the manufacturing cost.
또한, 제조 시간을 절감하는 동시에 제조 수율을 향상시킬 수 있는 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a space transducer, a probe card including a space transducer, and a method of manufacturing the space transducer, which can reduce manufacturing time and improve manufacturing yield.
또한, 자체 평탄도를 향상시킬 수 있는 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a space transducer, a probe card including the space transducer, and a method of manufacturing the space transducer which can improve the self flatness.
또한, 대면적의 피검사체를 검사하기 위해 대면적으로 형성할 수 있는 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a space transducer, a probe card including a space transducer, and a manufacturing method of the space transducer, which can be formed in a large area for inspecting a large-area subject.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면은 프로브를 포함하는 프로브 카드에 사용되는 공간 변환기에 있어서, 관통홀이 형성되어 있는 기판 본체부 및 상기 관통홀에 일부가 위치하여 상기 기판 본체부로부터 돌출되어 상기 프로브가 장착되는 상호 접속 요소를 포함하는 패턴 기판, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 상호 접속 요소와 직접 연결되는 제 1 도전 패턴, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 제 1 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층 및 상기 제 1 개구부에 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 연결되는 제 1 연결부를 포함하는 제 1 층 및 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 1 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 2 도전 패턴, 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 2 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층 및 상기 제 2 개구부에 위치하여 상기 제 2 도전 패턴과 연결되는 제 2 연결부를 포함하는 제 2 층을 포함하는 공간 변환기를 제공한다.As a technical means for achieving the above-described technical problem, the first aspect of the present invention is a space transducer for a probe card including a probe, the substrate body portion is formed in the through hole and a portion is located in the through hole A pattern substrate including an interconnecting element protruding from the substrate body portion, to which the probe is mounted, a first conductive pattern located on the pattern substrate and directly connected to the interconnecting element, A first layer including a first resin layer having a first opening that exposes at least a portion of the first conductive pattern, and a first connection part disposed in the first opening and connected to the first conductive pattern; A second conductive pattern extending in a surface direction in direct connection with the first connection portion, the second conductive pattern being positioned on the first layer A space converter including a second resin layer having a second opening to expose at least a portion of the second conductive pattern, and a second layer including a second connection portion disposed in the second opening and connected to the second conductive pattern To provide.
상기 제 2 층이 반복 형성되어 다층 도전 패턴을 포함할 수 있다.The second layer may be repeatedly formed to include a multilayer conductive pattern.
상기 상호 접속 요소 및 상기 제 2 연결부는 각각 상기 패턴 기판 및 상기 제 2 층에 복수개 형성되어 있으며, 이웃하는 상기 상호 접속 요소의 간격과 이웃하는 상기 제 2 연결부의 간격은 서로 상이할 수 있다.Each of the interconnection element and the second connection part may be formed in the pattern substrate and the second layer, respectively, and the distance between the neighboring interconnection element and the neighboring second connection part may be different from each other.
상기 패턴 기판과 상기 제 1 층 사이에 위치하는 절연층을 더 포함할 수 있다.The display device may further include an insulation layer positioned between the pattern substrate and the first layer.
또한, 본 발명의 제 2 측면은 프로브를 포함하는 프로브 카드에 사용되는 공간 변환기의 제조 방법에 있어서, (a) 기판을 마련하는 단계, (b) 상기 기판 상에, 제 1 도전 패턴, 상기 기판 상에 위치하며 상기 제 1 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층 및 상기 제 1 개구부에 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 연결되는 제 1 연결부를 포함하는 제 1 층을 형성하는 단계, (c) 상기 제 1 층 상에, 상기 제 1 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 2 도전 패턴, 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 2 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층 및 상기 제 2 개구부에 위치하여 상기 제 2 도전 패턴과 연결되는 제 2 연결부를 포함하는 제 2 층을 형성하는 단계 및 (d) 상기 기판으로부터, 상기 제 1 도전 패턴과 대응하는 관통홀이 형성되어 있는 기판 본체부 및 상기 관통홀에 일부가 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 직접 연결되어 있으며 상기 기판 본체부로부터 돌출되어 상기 프로브가 장착되는 상호 접속 요소를 포함하는 패턴 기판을 형성하는 단계를 포함하는 공간 변환기의 제조 방법을 제공한다.In addition, a second aspect of the present invention provides a method of manufacturing a space transducer for a probe card including a probe, the method comprising the steps of: (a) providing a substrate; (b) a first conductive pattern on the substrate; A first layer including a first resin layer formed on the first resin layer and exposing at least a portion of the first conductive pattern, and a first connection part disposed on the first opening and connected to the first conductive pattern; Forming (c) a second conductive pattern directly connected to the first connecting portion and extending in a plane direction on the first layer, and at least a portion of the second conductive pattern positioned on the first layer; Forming a second layer comprising a second resin layer having an exposed second opening and a second connecting portion positioned in the second opening and connected to the second conductive pattern; and (d) from the substrate, One A substrate main body portion having a through hole corresponding to the previous pattern, and an interconnection element positioned at a portion of the through hole and directly connected to the first conductive pattern and protruding from the substrate main body portion to mount the probe; It provides a method of manufacturing a space converter comprising the step of forming a patterned substrate.
다층 도전 패턴을 형성하도록 상기 (c)단계를 반복 수행할 수 있다.Step (c) may be repeated to form a multilayer conductive pattern.
상기 (c)단계 및 상기 (d)단계 각각에서, 상기 제 2 연결부 및 상기 상호 접속 요소는 각각 상기 제 2 층 및 상기 패턴 기판에 복수개 형성되어 있으며, 이웃하는 상기 제 2 연결부의 간격과 이웃하는 상기 상호 접속 요소의 간격은 서로 상이할 수 있다.In each of the steps (c) and (d), a plurality of the second connection parts and the interconnection elements are formed in the second layer and the pattern substrate, respectively, and are adjacent to the gap between the adjacent second connection parts. The spacing of the interconnection elements can be different from each other.
상기 기판과 상기 제 1 층 사이에 위치하도록 상기 기판 상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming an insulating layer on the substrate to be positioned between the substrate and the first layer.
상기 (b)단계는 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계, 상기 제 1 도전층 상에 상기 제 1 도전 패턴과 대응하는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 1 도전층을 식각하여 상기 제 1 도전 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 제 1 수지막을 형성하는 단계, 상기 제 1 수지막 상에 상기 제 1 개구부와 대응하는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 1 수지막을 식각하여 상기 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층을 형성하는 단계, 상기 제 1 개구부에 제 1 도전성 물질을 채우는 단계 및 상기 제 1 수지층 상에 위치하는 부분을 제거하여 상기 제 1 연결부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In the step (b), forming a first conductive layer on the substrate, forming a first photoresist pattern corresponding to the first conductive pattern on the first conductive layer, the first photoresist pattern Etching the first conductive layer to form the first conductive pattern by using a mask, forming a first resin film on the substrate, and forming a first resin film on the first resin film. Forming a second photoresist pattern, etching the first resin film using the second photoresist pattern as a mask to form a first resin layer having the first opening, and forming a first conductive layer in the first opening The method may include filling the material and forming the first connection part by removing a portion positioned on the first resin layer.
상기 (c)단계는 상기 제 1 층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계, 상기 제 2 도전층 상에 상기 제 2 도전 패턴과 대응하는 제 3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 3 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 2 도전층을 식각하여 상기 제 2 도전 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 층 상에 제 2 수지막을 형성하는 단계, 상기 제 2 수지막 상에 상기 제 2 개구부와 대응하는 제 4 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 4 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 2 수지막을 식각하여 상기 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층을 형성하는 단계, 상기 제 2 개구부에 제 2 도전성 물질을 채우는 단계 및 상기 제 2 수지층 상에 위치하는 부분을 제거하여 상기 제 2 연결부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Step (c) is a step of forming a second conductive layer on the first layer, forming a third photoresist pattern corresponding to the second conductive pattern on the second conductive layer, the third photo Etching the second conductive layer to form the second conductive pattern by using a resist pattern as a mask, forming a second resin film on the first layer, and forming the second opening on the second resin film. Forming a fourth photoresist pattern corresponding to and forming a second resin layer having the second opening by etching the second resin film using the fourth photoresist pattern as a mask. The method may include filling the second conductive material with the second conductive material and removing the portion positioned on the second resin layer to form the second connection portion.
상기 (d)단계는 상기 제 1 층과 대향하는 상기 기판 상에 상기 관통홀과 대응하는 제 5 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 5 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 기판을 식각하여 상기 제 1 도전 패턴을 노출시키는 상기 관통홀을 형성하는 단계, 상기 관통홀에 제 3 도전성 물질을 채우는 단계, 상기 제 1 층과 대향하는 상기 기판 상에 위치하는 부분을 제거하여 상기 상호 접속 요소를 형성하는 단계 및 상기 기판의 두께가 얇아지도록 상기 기판을 식각하여 상기 기판 본체부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In the step (d), forming a fifth photoresist pattern corresponding to the through hole on the substrate facing the first layer, and etching the substrate by using the fifth photoresist pattern as a mask. Forming the through hole exposing a first conductive pattern, filling a third conductive material in the through hole, and removing a portion located on the substrate facing the first layer to form the interconnect element. And etching the substrate so that the thickness of the substrate becomes thin.
상기 기판 상에 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층이 형성된 기판이 상측에 위치하도록 상기 기판을 뒤집는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include overturning the substrate such that the substrate on which the first layer and the second layer are formed is positioned on the substrate.
또한, 본 발명의 제 3 측면은 프로브를 포함하는 프로브 카드에 있어서, 관통홀이 형성되어 있는 기판 본체부 및 상기 관통홀에 일부가 위치하여 상기 기판 본체부로부터 돌출되어 상기 프로브가 장착되어 있는 상호 접속 요소를 포함하는 패턴 기판, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 상호 접속 요소와 직접 연결되는 제 1 도전 패턴, 상기 패턴 기판 상에 위치하며 상기 제 1 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 1 개구부가 형성된 제 1 수지층 및 상기 제 1 개구부에 위치하여 상기 제 1 도전 패턴과 연결되는 제 1 연결부를 포함하는 제 1 층 및 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 1 연결부와 직접 연결되어 면 방향으로 연장되어 있는 제 2 도전 패턴, 상기 제 1 층 상에 위치하며 상기 제 2 도전 패턴의 일부 이상을 노출시키는 제 2 개구부가 형성된 제 2 수지층 및 상기 제 2 개구부에 위치하여 상기 제 2 도전 패턴과 연결되는 제 2 연결부를 포함하는 제 2 층을 포함하는 공간 변환기 및 상기 공간 변환기를 사이에 두고 상기 프로브와 대향하고 있으며, 상기 제 2 연결부와 연결되어 있는 단자를 포함하는 인쇄 회로 기판을 포함하는 프로브 카드를 제공한다.In addition, a third aspect of the present invention provides a probe card including a probe, comprising: a substrate main body having a through hole formed therein; A pattern substrate including a connection element, a first conductive pattern on the pattern substrate and directly connected to the interconnect element, a first opening on the pattern substrate and exposing at least a portion of the first conductive pattern A first layer including a formed first resin layer and a first connecting portion positioned in the first opening and connected to the first conductive pattern, and positioned on the first layer and directly connected to the first connecting portion in a plane direction; An extended second conductive pattern, a second opening formed on the first layer and having a second opening exposing at least a portion of the second conductive pattern; A space transducer including a resin layer and a second layer disposed in the second opening and including a second connection portion connected to the second conductive pattern, and the space transducer to face the probe; Provided is a probe card including a printed circuit board including a terminal connected to a connection portion.
상기 공간 변환기는 상기 제 2 층이 반복 형성되어 다층 도전 패턴을 포함할 수 있다.The space converter may include a multilayer conductive pattern by repeatedly forming the second layer.
상기 상호 접속 요소 및 상기 제 2 연결부는 각각 상기 패턴 기판 및 상기 제 2 층에 복수개 형성되어 있으며, 이웃하는 상기 상호 접속 요소의 간격과 이웃 하는 상기 제 2 연결부의 간격은 서로 상이할 수 있다.The interconnection element and the second connection part may be formed in plural on the pattern substrate and the second layer, respectively, and the distance between the neighboring interconnection element and the neighboring second connection portion may be different from each other.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 하나에 의하면, 각 층이 수지층을 포함하여 형성되기 때문에, 제조 비용이 절감되는 기술적 효과가 있다.According to one of the problem solving means of this invention mentioned above, since each layer is formed including a resin layer, there exists a technical effect that manufacturing cost is reduced.
또한, 각 층이 별도의 접합 공정이 수행되지 않고 접합되기 때문에, 제조 시간이 절감되는 동시에 제조 수율이 향상되는 기술적 효과가 있다.In addition, since each layer is bonded without performing a separate bonding process, there is a technical effect that the production time is reduced and the production yield is improved.
또한, 각 층이 별도의 접합 공정을 수행하지 않기 때문에, 자체 평탄도가 향상되는 기술적 효과가 있다.In addition, since each layer does not perform a separate bonding process, there is a technical effect of improving its flatness.
또한, 각 층이 별도의 접합 공정을 수행하지 않기 때문에, 대면적의 피검사체를 검사하기 위해 대면적으로 형성할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, since each layer does not perform a separate bonding process, there is a technical effect that can be formed in a large area for inspecting a large-area subject.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재와 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a member is located “on” another member, this includes not only when one member is in contact with another member but also when another member exists between the two members. In addition, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless otherwise stated.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기 및 이를 포함하는 프로브 카드에 대하여 설명한다.Hereinafter, a space converter and a probe card including the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기 및 이를 포함하는 프로브 카드의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a space converter and a probe card including the same according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드(1000)는 인쇄 회로 기판(100), 인터포져(200), 공간 변환기(300) 및 프로브(400)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the
인쇄 회로 기판(100)은 대략 원판 형상으로 형성되며, 검사 공정을 위한 프로브 회로 패턴(미도시) 및 프로브 회로 패턴(미도시)과 연결되어 있는 단자(110)를 포함한다. 인쇄 회로 기판(100)은 검사 공정을 위한 컴퓨터와 연결되어 있을 수 있다. 프로브 회로 패턴(미도시)은 인쇄 회로 기판(100)의 하면에 형성된 단자(110)와 연결되어 있다. 단자(110)에는 인터포져(200)가 접속되어 있다.The printed
인터포져(200)는 인쇄 회로 기판(100)과 공간 변환기(300) 사이의 연결을 수행하는 역할을 하며, 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)와 후술할 공간 변환기(300)의 제 2 연결부(343) 사이를 연결한다. 인터포져(200)를 사이에 두고 인쇄 회로 기판(100)과 대향하여 공간 변환기(300)가 위치하고 있다.The
공간 변환기(300)는 패턴 기판(310), 절연층(320), 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)을 포함한다.The
패턴 기판(310)은 프로브(400)와 대향하고 있으며, 기판 본체부(311) 및 상호 접속 요소(312)를 포함한다.The
기판 본체부(311)는 양면 연마된 실리콘 웨이퍼(Doble Side Polishing Si wafer)로부터 형성될 수 있으며, 프로브(400)에 대응하여 기판 본체부(311)를 관통 형성되어 있는 관통홀(311a)을 포함한다. 관통홀(311a)에는 상호 접속 요소(312)의 일부가 위치하고 있으며, 프로브(400)와 대향하는 기판 본체부(311)의 일면은 상호 접속 요소(312)의 외부로 노출되어 있는 단부와 단차를 이루고 있다. The substrate
상호 접속 요소(312)는 관통홀(311a)에 일부가 위치하여 기판 본체부(311)로부터 프로브(400) 방향으로 돌출되어 있다. 돌출되어 있는 상호 접속 요소(312)의 일 단부에는 프로브(400)가 장착되며, 상호 접속 요소(312)의 타 단부는 제 1 층(330)의 제 1 도전 패턴(331)과 연결된다. 패턴 기판(310) 상에는 절연층(320)이 위치하고 있다.The
절연층(320)은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등으로 형성되며, 제 1 층(330)과 패턴 기판(310) 사이의 단락을 방지하는 층으로서의 역할을 한다. 절연층(320)을 사이에 두고 패턴 기판(310) 상에는 제 1 층(330)이 위치하고 있다.The insulating
제 1 층(330)은 패턴 기판(310)과 제 2 층(340) 사이에 위치하여 패턴 기판(310) 및 제 2 층(340)과 접착되어 있으며, 제 1 도전 패턴(331), 제 1 수지층(332) 및 제 1 연결부(333)를 포함한다.The
제 1 도전 패턴(331)은 티타늄(Ti) 및 구리(Cu) 등의 도전성 물질로 이루어져 있으며, 면 방향으로 연장되어 있다. 제 1 도전 패턴(331)은 상호 접속 요소(312) 및 제 1 연결부(333)와 직접 연결되어 상호 접속 요소(312)와 제 1 연결부(333) 사이를 전기적으로 연결하는 동시에 제 1 연결부(333)로부터 상호 접속 요 소(312)까지 피치(pitch) 변환의 기능을 수행한다.The first
여기서, 피치란 이웃하는 상호 접속 요소(312)간의 간격 및 이웃하는 제 1 연결부(333)간의 간격을 말한다.The pitch here refers to the spacing between neighboring
제 1 수지층(332)은 제 1 도전 패턴(331)을 사이에 두고 패턴 기판(310) 상에 위치하고 있으며, 제 1 도전 패턴(331)의 일부를 노출시키는 제 1 개구부(332a)를 포함한다. 제 1 개구부(332a) 내에는 제 1 연결부(333)가 위치하고 있다.The
제 1 연결부(333)는 제 1 개구부(332a) 내에 위치하여 제 1 도전 패턴(331) 및 제 2 층(340)의 제 2 도전 패턴(341)과 직접 연결되어 있다. 제 1 연결부(333)는 프로브(400)가 장착되어 있는 상호 접속 요소(312)와 전기적으로 연결되어 있다.The
제 2 층(340)은 제 1 층(330) 상에 위치하여 제 1 층(330)에 접착되어 있으며, 제 2 도전 패턴(341), 제 2 수지층(342) 및 제 2 연결부(343)를 포함한다.The
제 2 도전 패턴(341)은 티타늄 및 구리 등의 도전성 물질로 이루어져 있으며, 면 방향으로 연장되어 있다. 제 2 도전 패턴(341)은 제 1 연결부(333) 및 제 2 연결부(343)와 직접 연결되어 제 1 연결부(333)와 제 2 연결부(343) 사이를 전기적으로 연결하는 동시에 제 2 연결부(343)로부터 제 1 연결부(333)까지 피치 변환의 기능을 수행한다.The second
여기서, 피치란 이웃하는 제 2 연결부(343)간의 간격 및 이웃하는 제 2 연결부(343)간의 간격을 말한다.Here, the pitch refers to the distance between the neighboring second connecting
제 2 수지층(342)은 제 2 도전 패턴(341)을 사이에 두고 제 1 층(330) 상에 위치하고 있으며, 제 2 도전 패턴(341)의 일부를 노출시키는 제 2 개구부(342a)를 포함한다. 제 2 개구부(342a) 내에는 제 2 연결부(343)가 위치하고 있다.The
제 2 연결부(343)는 제 2 개구부(342a) 내에 위치하여 제 2 도전 패턴(341) 및 인터포져(200)와 직접 연결되어 있다. 제 2 연결부(343)는 프로브(400)가 장착되어 있는 상호 접속 요소(312) 및 인터포져(200)와 전기적으로 연결되어 있다.The
이상과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기(300)는 인쇄 회로 기판(100)의 프로브 회로 패턴(미도시)과 연결되어 제 2 연결부(343)로부터 상호 접속 요소(312)까지의 피치 변환을 수행한다. 다시 말해, 이웃하는 상호 접속 요소(312)의 간격, 이웃하는 제 1 연결부(333)의 간격 및 이웃하는 제 2 연결부(343)의 간격은 서로 상이하다.As described above, the
다른 실시예에서, 공간 변환기(300)는 제 2 층(340)이 복수개 형성되어 제 N 층을 포함할 수 있으며, 제 1 층(330) 내지 제 N 층의 조합에 의해 다층 도전 패턴을 포함하여 피치 변환의 기능을 수행할 수 있다.In another embodiment, the
프로브(400)는 상호 접속 요소(312)에 장착되어 공간 변환기(300)를 통해 인쇄 회로 기판(100)의 프로브 회로 패턴(미도시)과 연결되어 있으며, 검사 공정 시 반도체 웨이퍼 등의 피검사체에 형성된 접촉 패드와 접촉하여 인쇄 회로 기판(100)으로부터 공간 변환기(300)를 거친 전기 신호를 피검사체의 접촉 패드에 전달하거나, 피검사체를 거친 상기 전기 신호를 전달받는 역할을 한다.The
다른 실시예에서, 인터포져(200) 없이 공간 변환기(300)의 상호 접속 요소(312)가 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)와 직접 연결되어 상호 접속 요소(312) 에 의해 공간 변환기(300)와 인쇄 회로 기판(100)간의 연결이 수행될 수 있으며, 이 경우 상호 접속 요소(312)는 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)와 대응하여 위치하며, 제 2 연결부(343)는 프로브(400)와 대응하여 위치한다. 즉, 상호 접속 요소(312)는 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)와 접속되며 제 2 연결부(343)에 프로브(400)가 장착된다.In another embodiment, the
이하, 도 3 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a space converter according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 15.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기의 제조 방법을 나타낸 순서도이며, 도 4 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a space converter according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 4 to 15 are views illustrating a method of manufacturing a space converter according to an embodiment of the present invention.
우선, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(710)을 마련한다(S100).First, as illustrated in FIGS. 3 and 4, a
구체적으로, 구체적으로, 양면 연마된 실리콘 웨이퍼와 같이 양면이 연마된 절연성 기판(710)을 마련한다.Specifically, an insulating
다음, 기판(710) 상에 절연층(320)을 형성한다(S200).Next, an insulating
구체적으로, 기판(710)을 질소 환경 또는 산소 환경에 노출시켜 기판(710) 상에 산화 실리콘 또는 질화 실리콘 등의 절연성 재료로 이루어진 절연층(320)을 형성한다.Specifically, the
다음, 도 4 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 층(330)을 형성한다(S300).Next, as shown in FIGS. 4 to 8, the
이하, 제 1 층(330)을 형성하는 공정을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the process of forming the
우선, 도 4에 도시된 바와 같이, 절연층(320)을 사이에 두고 기판(710) 상에 스퍼터링(sputtering) 공정 등을 이용하여 구리 및 티타늄 중 하나 이상 등으로 이루어진 제 1 도전층(720)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4, the first
다음, 제 1 도전층(720) 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층을 형성하고, 포토레지스트층 상에 후에 형성될 제 1 도전 패턴(331)과 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 포토레지스트층에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층을 노광한다. 노광 후 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트층을 현상하여 제 1 도전 패턴(331)과 대응하는 제 1 포토레지스트 패턴(730)을 형성한다. 이 때, 제 1 도전 패턴(331)으로 형성될 부분이 제 1 포토레지스트 패턴(730)에 의해 가려진다.Next, after forming a photoresist layer made of a photoresist material on the first
다음, 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트 패턴(730)을 마스크로 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용해 제 1 도전층(720)을 식각하여 제 1 도전층(720)으로부터 제 1 도전 패턴(331)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5, the first
다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트 패턴(730)을 에슁(ashing) 공정 또는 리프트 오프(lift off) 공정을 이용하여 제거한 후, 제 1 도전 패턴(331)을 사이에 두도록 기판(710) 상에 제 1 수지막(740)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6, after the
다음, 제 1 수지막(740) 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층을 형성하고, 포토레지스트층 상에 후에 형성될 제 1 개구부(332a)와 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 포토레지스트층에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층을 노광한다. 노광 후 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트층을 현상하여 제 1 개구부(332a)와 대응하는 제 2 포토레지스트 패 턴(750)을 형성한다. 이 때, 제 1 개구부(332a)로 형성될 부분이 제 2 포토레지스트 패턴(750)에 의해 노출된다.Next, a photoresist layer made of a photoresist material is formed on the
다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 2 포토레지스트 패턴(750)을 마스크로 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용해 제 1 수지막(740)을 식각하여 제 1 수지막(740)으로부터 제 1 개구부(332a)가 형성된 제 1 수지층(332)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7, the
다음, 제 1 도전 패턴(331)을 이용한 도금 공정 또는 도포 장치를 이용한 페이스팅(pasting) 공정 또는 스퍼터링 공정을 이용하여 제 1 개구부(332a)에 제 1 도전성 물질(760)을 채운다. 이때, 제 1 도전성 물질(760)이 제 1 개구부(332a) 상에도 형성될 수 있다.Next, the first
다음, 도 8에 도시된 바와 같이, 기계적 연마 공정 또는 화학적 연마 공정을 이용하여 제 1 수지층(332) 상에 위치하는 부분인 제 1 도전성 물질(760)의 일부 및 제 2 포토레지스트 패턴(750)을 제 1 수지층(332)으로부터 제거하여 제 1 연결부(333)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 8, a portion of the first
이상과 같은 공정에 의해 제 1 층(330)이 형성된다.The
다음, 도 8 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 제 2 층(340)을 형성한다(S400).Next, as shown in FIGS. 8 to 11, the
이하, 제 2 층(340)을 형성하는 공정을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the process of forming the
우선, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 층(330) 상에 스퍼터링 공정을 이용하여 구리 및 티타늄 중 하나 이상 등으로 이루어진 제 2 도전층(770)을 형성한다.First, as shown in FIG. 8, a second
다음, 제 2 도전층(770) 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층 을 형성하고, 포토레지스트층 상에 후에 형성될 제 2 도전 패턴(341)과 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 포토레지스트층에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층을 노광한다. 노광 후 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트층을 현상하여 제 2 도전 패턴(341)과 대응하는 제 3 포토레지스트 패턴(780)을 형성한다. 이 때, 제 2 도전 패턴(341)으로 형성될 부분이 제 3 포토레지스트 패턴(780)에 의해 가려진다.Next, after forming a photoresist layer made of a photoresist material on the second
다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 제 3 포토레지스트 패턴(780)을 마스크로 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용해 제 2 도전층(770)을 식각하여 제 2 도전층(770)으로부터 제 2 도전 패턴(341)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 9, the second
다음, 제 3 포토레지스트 패턴(780)을 에슁 공정 또는 리프트 오프 공정을 이용하여 제거한 후, 제 2 도전 패턴(341)을 사이에 두도록 제 1 층(330) 상에 제 2 수지막(790)을 형성한다.Next, after the
다음, 제 2 수지막(790) 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층을 형성하고, 포토레지스트층 상에 후에 형성될 제 2 개구부(342a)와 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 포토레지스트층에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층을 노광한다. 노광 후 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트층을 현상하여 제 2 개구부(342a)와 대응하는 제 4 포토레지스트 패턴(810)을 형성한다. 이 때, 제 2 개구부(342a)로 형성될 부분이 제 4 포토레지스트 패턴(810)에 의해 노출된다.Next, a photoresist layer made of a photoresist material is formed on the
다음, 도 10에 도시된 바와 같이, 제 4 포토레지스트 패턴(810)을 마스크로 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용해 제 2 수지막(790)을 식각하여 제 2 수지막(790)으로부터 제 2 개구부(342a)가 형성된 제 2 수지층(342)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 10, the
다음, 제 1 도전 패턴(331) 제 1 연결부(333) 및 제 2 도전 패턴(341)을 이용한 도금 공정 또는 도포 장치를 이용한 페이스팅 공정 또는 스퍼터링 공정을 이용하여 제 2 개구부(342a)에 제 2 도전성 물질(820)을 채운다. 이때, 제 2 도전성 물질(820)이 제 2 개구부(342a) 상에도 형성될 수 있다.Next, the
다음, 도 11에 도시된 바와 같이, 기계적 연마 공정 또는 화학적 연마 공정을 이용하여 제 2 수지층(342) 상에 위치하는 부분인 제 2 도전성 물질(820)의 일부 및 제 4 포토레지스트 패턴(810)을 제 2 수지층(342)으로부터 제거하여 제 2 연결부(343)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 11, a portion of the second
이상과 같은 공정에 의해 제 2 층(340)이 형성된다.The
다른 실시예에서, 공간 변환기(300)가 제 2 층(340)이 복수개 형성되어 제 1 층(330) 내지 제 N 층을 포함하여 제 1 층(330) 내지 제 N 층의 조합에 의해 다층 도전 패턴을 포함하도록 제 2 층(340)을 형성하는 공정을 반복 수행할 수 있다.In another embodiment, the
다음, 도 12에 도시된 바와 같이, 기판(710)을 뒤집는다(S500).Next, as shown in FIG. 12, the
구체적으로, 기판(710)이 상측에 위치하도록 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)이 상측에 형성된 기판(710)을 뒤집는다.Specifically, the
다음, 도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 패턴 기판(310)을 형성한다(S600).Next, as shown in FIGS. 12 to 15, the
이하, 패턴 기판(310)을 형성하는 공정을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the process of forming the
우선, 도 12에 도시된 바와 같이, 기판(710)을 사이에 두고 제 1 층(330)과 대향하는 기판(710)의 일면 상에 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층을 형성하고, 포토레지스트층 상에 후에 형성될 관통홀(311a)과 대응하는 이미지를 가진 마스크를 정렬한 후, 상기 마스크를 통해 포토레지스트층에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층을 노광한다. 노광 후 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트층을 현상하여 관통홀(311a)과 대응하는 제 5 포토레지스트 패턴(910)을 형성한다. 이 때, 관통홀(311a)로 형성될 부분이 제 5 포토레지스트 패턴(910)에 의해 노출된다.First, as shown in FIG. 12, a photoresist layer made of a photoresist material is formed on one surface of the
다음, 도 13에 도시된 바와 같이, 제 5 포토레지스트 패턴(910)을 마스크로 이용한 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 이용해 기판(710) 및 절연층(320)이 관통되도록 기판(710) 및 절연층(320)을 식각하여 제 1 층(330)의 제 1 도전 패턴(331)을 노출시키는 관통홀(311a)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 13, the
다음, 제 1 도전 패턴(331)을 이용한 도금 공정 또는 도포 장치를 이용한 페이스팅 공정 또는 스퍼터링 공정을 이용하여 관통홀(311a)에 제 3 도전성 물질(920)을 채운다. 이때, 제 3 도전성 물질(920)이 관통홀(311a) 상에도 형성될 수 있다.Next, the third
다음, 도 14에 도시된 바와 같이, 기계적 연마 공정 또는 화학적 연마 공정을 이용하여 제 1 층(330)과 대향하는 기판(710) 상에 위치하는 부분인 제 3 도전성 물질(920)의 일부 및 제 5 포토레지스트 패턴(910)을 기판(710)으로부터 제거하여 상호 접속 요소(312)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 14, a portion and a third portion of the third
다음, 도 15에 도시된 바와 같이, 식각액을 이용한 디핑(dipping) 공정 등의 습식 식각 공정을 이용하여 기판(710)의 두께가 얇아지도록 기판(710)을 식각하여 기판(710)으로부터 기판 본체부(311)를 형성한다. 기판 본체부(311)의 형성에 의해 상호 접속 요소(312)가 기판 본체부(311)로부터 돌출되게 된다.Next, as shown in FIG. 15, the
이상과 같은 공정에 의해 패턴 기판(310)이 형성되는 동시에 패턴 기판(310), 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)을 포함하는 본 발명의 일 실싱예에 따른 공간 변환기(300)가 제조된다.The
상술한 공정에 의해 제조된 공간 변환기(300)의 상호 접속 요소(312)에 프로브(400)가 장착되고 제 2 연결부(343)에 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)가 연결되거나, 또는 공간 변환기(300)의 상호 접속 요소(312)에 인쇄 회로 기판(100)의 단자(110)가 접속되고 제 2 연결부(343)에 프로브(400)가 장착될 수 있다.The
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기, 프로브 카드 및 공간 변환기의 제조 방법은 공간 변환기(300)의 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)이 도전 패턴 및 수지층으로 이루어지기 때문에, 각 층이 세라믹 기판으로 형성되는 공간 변환기에 비해 제조 비용이 절감된다.As described above, in the method of manufacturing the space transducer, the probe card, and the space transducer according to the exemplary embodiment of the present invention, the
또한, 공간 변환기(300)의 패턴 기판(310), 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)이 별도의 접합 공정이 수행되지 않고 접합되기 때문에, 각 층이 세라믹 기판으로 형성되는 공간 변환기에 비해 제조 시간이 절감되는 동시에 제조 수율이 향상된다.In addition, since the
또한, 공간 변환기(300)의 패턴 기판(310), 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)이 별도의 접합 공정을 수행하지 않고 접합되며, 패턴 기판(310)이 양면이 평탄하게 연마된 실리콘 웨이퍼로부터 형성되기 때문에, 공간 변환기(300)의 자체 평탄도가 향상되어 상호 접속 요소(312) 또는 제 2 연결부(343)에 접속되는 프로브(400)의 평탄도가 향상된다.In addition, the
또한, 공간 변환기(300)의 패턴 기판(310), 제 1 층(330) 및 제 2 층(340)이 별도의 접합 공정을 수행하지 않고 접합되기 때문에, 대면적의 피검사체를 검사하기 위해 대면적으로 공간 변환기(300)를 형성할 수 있다.In addition, since the
또한, 공간 변환기(300)가 자체적으로 프로브(400)가 장착되거나 인쇄 회로 기판(100)과의 연결을 위한 인터포져(200)로서의 역할을 수행할 수 있는 상호 접속 요소(312)를 포함하기 때문에, 인쇄 회로 기판(100)과 공간 변환기(300)의 접속을 위한 별도의 인터포져 또는 프로브(400)가 장착되기 위한 별도의 상호 접속 요소가 필요치 않으며, 이에 따라 프로브 카드(1000)의 제조 비용이 절감된다.In addition, because the
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되 는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are included in the scope of the present invention. Should be.
도 1은 공간 변환기를 구비한 종래의 프로브 카드의 단면도이고,1 is a cross-sectional view of a conventional probe card with a space transducer,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기 및 이를 포함하는 프로브 카드의 단면도이고,2 is a cross-sectional view of a space converter and a probe card including the same according to an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기의 제조 방법을 나타낸 순서도이며,3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a space converter according to an embodiment of the present invention.
도 4 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 변환기의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.4 to 15 are views for explaining a method of manufacturing a space converter according to an embodiment of the present invention.
Claims (15)
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