KR20100057372A - Method for fabricating vertical gan-based light emitting diode - Google Patents

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KR20100057372A
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윤철주
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최유항
조수연
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Abstract

PURPOSE: It examines laser in the interface of the sacrificial substrate and nitride base cermets semiconductor layer and the manufacturing method of the vertical type iii-nitride semiconductor light-emitting device divides the sacrificial substrate. The damage of the nitride base cermets semiconductor layer is minimized. CONSTITUTION: The sacrificial substrate(301) is prepared. The nitride base cermets semiconductor layer(310) is formed on the sacrificial substrate. The trench line(302) going through vertically the nitride base cermets semiconductor layer is formed. The p- electrode(304) is formed on the nitride base cermets semiconductor layer. The conductive board(305) is attached on the p- electrode. Laser is examined in the interface of the sacrificial substrate and nitride base cermets semiconductor layer and the sacrificial substrate separates.

Description

수직형 질화물계 발광소자의 제조방법{Method for fabricating vertical GaN-based light emitting diode}Method for fabricating vertical nitride light emitting device {Method for fabricating vertical GaN-based light emitting diode}

본 발명은 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 희생기판과 질화물계 반도체층의 분리시 질화물계 반도체층의 구조적 결함을 최소화함과 단위 발광소자 분리를 위한 트렌치 라인을 효과적으로 형성할 수 있는 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a vertical nitride-based light emitting device, and more particularly, to minimize the structural defects of the nitride-based semiconductor layer when separating the sacrificial substrate and the nitride-based semiconductor layer and to form a trench line for separating the unit light emitting device. A method of manufacturing a vertical nitride light emitting device that can be effectively formed.

일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접천이형의 에너지밴드(energy band) 구조를 갖고 있어, 청색 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 각광을 받고 있다. 특히, GaN을 이용한 청색 및 녹색 발광소자는 대화면 천연색 평판표시장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도 광원, 고해상도 출력시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다. In general, nitrides of Group III elements, such as gallium nitride (GaN) and aluminum nitride (AlN), have excellent thermal stability and have a direct transition energy band structure. I am in the limelight. In particular, blue and green light emitting devices using GaN have been utilized in various applications such as large-screen natural color flat panel display devices, traffic lights, indoor lighting, high density light sources, high resolution output systems, and optical communications.

한편, 이러한 Ⅲ족 원소의 질화물계 반도체층 특히, GaN은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하기가 어려워 유사한 결정 구조를 갖는 이종(hetero) 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종 기판으로는 육방정계의 구조를 갖는 사파이어(sapphire, Al2O3) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로 발광다이오드 구조를 제한하며, 기계적 및 화학적으로 매우 안정하여 절단 및 형상화(shaping) 등의 가공이 어렵다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종 기판 상에 질화물계 반도체층을 성장시킨 후, 이종 기판을 분리하여 발광 효율을 높이고자 하는 연구가 진행되고 있다. On the other hand, such a nitride-based semiconductor layer of the group III element, in particular, GaN is difficult to produce the same substrate to grow it, such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process on a hetero substrate having a similar crystal structure Is grown through. As a heterogeneous substrate, a sapphire (Al 2 O 3 ) substrate having a hexagonal structure is mainly used. However, since sapphire is an electrically insulator, it limits the structure of the light emitting diode and is very stable mechanically and chemically, making it difficult to process such as cutting and shaping. Accordingly, in recent years, after growing a nitride-based semiconductor layer on a dissimilar substrate such as sapphire, research has been conducted to increase luminous efficiency by separating the dissimilar substrate.

질화물계 반도체층과 사파이어 기판을 분리하는 방법으로는, 사파이어 기판과 질화물계 반도체층의 계면에 레이저(laser)를 조사하여 분리시키는 이른바, LLO(Laser Lift Off) 방법이 제시된 바 있다. LLO 방법에 대해서는 미국등록특허 US 7,250,638호(Vertical light emitting device), US 7,112,456호(Method for manufacturing GaN light emitting diodes), US 6,071,795호(Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing) 등에 기재되어 있다.As a method of separating the nitride semiconductor layer and the sapphire substrate, a so-called LLO (Laser Lift Off) method for irradiating and separating a laser (laser) at the interface between the sapphire substrate and the nitride semiconductor layer has been proposed. LLO methods are described in US Pat. No. 7,250,638 (Vertical light emitting device), US 7,112,456 (Method for manufacturing GaN light emitting diodes), US 6,071,795 (Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing) and the like. .

이 중, US 7,112,456호에 기재된 LLO 방법을 살펴보면, 도 1에 도시한 바와 같이 사파이어 기판 상에 질화물계 반도체층을 적층한 다음, 상기 질화물계 반도체층(102)을 포토리소그래피 공정 및 건식 유도결합플라즈마(Dry-Inductive Coupled Plasma) 공정을 통해 패터닝하여 트렌치(103)를 형성한 상태에서(도 1의 (a) 참조), 사파이어 기판(101)과 질화물계 반도체층(102)의 계면에 레이저를 조사하여 분 리(도 1의 (b) 참조)하는 기술을 제시하고 있다. 또한, US 7,250,638호에 기재된 LLO 방법을 살펴보면, 도 2에 도시한 바와 같이 사파이어 기판(201) 상에 질화물계 반도체층(202) 및 p-전극(203)을 형성한 다음, 포토리소그래피 공정을 통해 포토 마스크(204)를 형성하고 이를 식각 마스크로 이용하여 상기 질화물계 반도체층(202)과 p-전극(203)을 전부 관통하고 상기 사파이어 기판(201)의 일부 두께가 파여진 트렌치(205)를 형성한 후(도 2의 (a) 참조), 상기 트렌치(205)에 포토레지스트(206)를 채운 상태에서 질화물계 반도체층(202)과 사파이어 기판(201)의 계면에 레이저를 조사하여 분리(도 2의 (b) 참조)하는 기술을 제시하고 있다. Among these, in the LLO method described in US 7,112,456, a nitride based semiconductor layer is laminated on a sapphire substrate as shown in FIG. 1, and then the nitride based semiconductor layer 102 is subjected to a photolithography process and a dry inductively coupled plasma. The laser is irradiated to the interface between the sapphire substrate 101 and the nitride-based semiconductor layer 102 in the state where the trench 103 is formed by patterning through a dry-inductive coupled plasma process (see FIG. 1A). The separation (see Fig. 1 (b)) is presented. In addition, referring to the LLO method described in US 7,250,638, as shown in FIG. 2, the nitride-based semiconductor layer 202 and the p-electrode 203 are formed on the sapphire substrate 201 and then subjected to a photolithography process. A trench 205 having a photomask 204 formed therein and used as an etch mask to penetrate all of the nitride based semiconductor layer 202 and the p-electrode 203 and have a partial thickness of the sapphire substrate 201 is formed. After the formation (see FIG. 2A), the trench 205 is filled with the photoresist 206 and irradiated with a laser to separate the interface between the nitride semiconductor layer 202 and the sapphire substrate 201 ( (B) of FIG. 2) is presented.

그러나, 이상 설명한 바와 같은 미국등록특허 기술은 트렌치 형성을 위해 필수적으로 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 거쳐야 하며, 이와 같은 포토 및 식각 공정으로 인해 질화물계 반도체층이 열화되고 이후의 LLO 공정시 균열의 원인으로 작용되는 문제점이 있다. However, the U.S. patented technology as described above is required to undergo a photolithography process and an etching process to form trenches, and the photo-etching process degrades the nitride-based semiconductor layer and causes cracks in subsequent LLO processes. There is a problem that acts.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 기판과 질화물계 반도체층의 분리시 질화물계 반도체층의 구조적 결함을 최소화함과 단위 발광소자 분리를 위한 트렌치 라인을 효과적으로 형성할 수 있는 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, the vertical separation to minimize the structural defects of the nitride-based semiconductor layer when separating the substrate and the nitride-based semiconductor layer and to form a trench line for separating the unit light emitting device effectively It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a nitride-based light emitting device.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법은 희생기판을 준비하는 단계와, 상기 희생기판 상에 질화물계 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 질화물계 반도체층을 수직 관통하고 상기 희생기판의 일부 두께가 파여지는 트렌치 라인을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 트렌치 라인은 상기 질화물계 반도체층 상에 레이저를 조사하여 형성하거나 다이아몬드 커팅기를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다. A method of manufacturing a vertical nitride light emitting device according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of preparing a sacrificial substrate, forming a nitride-based semiconductor layer on the sacrificial substrate and vertical to the nitride-based semiconductor layer And forming a trench line through which a portion of the sacrificial substrate is excavated, wherein the trench line is formed by irradiating a laser on the nitride based semiconductor layer or by using a diamond cutter. do.

상기 트렌치 라인은 단위 발광소자의 영역을 정의할 수 있다. The trench line may define an area of a unit light emitting device.

상기 트렌치 라인을 형성하는 단계 이후에, 상기 질화물계 반도체층 상에 p-전극을 형성하는 단계와, 상기 p-전극 상에 도전성 기판을 부착하는 단계 및 상기 질화물계 반도체층과 희생기판의 계면에 레이저를 조사하여 희생기판을 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 트렌치 라인을 형성하는 단계 이후에, 상기 질화물계 반도체층의 일부 폭을 습식 식각하여 제거하는 단계를 더 포함할 수 있 다.After forming the trench line, forming a p-electrode on the nitride-based semiconductor layer, attaching a conductive substrate on the p-electrode, and at an interface between the nitride-based semiconductor layer and the sacrificial substrate. The method may further include separating the sacrificial substrate by irradiating a laser. In addition, after the forming of the trench line, the method may further include a step of wet etching to remove a portion of the nitride based semiconductor layer.

상기 희생기판은 사파이어(Al2O3) 기판, 실리콘(Si) 기판, GaAs 기판, MgO 기판 중 어느 하나 또는 이들 기판 중 어느 하나 상에 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중 어느 하나가 적층된 템플릿 기판으로 구성될 수 있다. The sacrificial substrate is a template substrate in which any one of GaN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN is stacked on any one of sapphire (Al 2 O 3 ) substrate, silicon (Si) substrate, GaAs substrate, MgO substrate, or any one of these substrates. It may be configured as.

본 발명에 따른 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다. The method of manufacturing the vertical nitride light emitting device according to the present invention has the following effects.

트렌치 라인의 형성시 포토 공정 및 식각 공정을 적용하지 않고 레이저 조사 또는 다이아몬드 커팅기를 통해 트렌치 라인을 형성함에 따라, 희생기판과 질화물계 반도체층의 분리시 질화물계 반도체층의 구조적 결함을 최소화함과 단위 발광소자 분리를 위한 트렌치 라인을 효과적으로 형성할 수 있다. Minimizing structural defects in the nitride based semiconductor layer when separating the sacrificial substrate and the nitride based semiconductor layer by forming the trench line through laser irradiation or a diamond cutting machine without applying a photo process and an etching process when forming the trench line. Trench lines for separating the light emitting device can be effectively formed.

본 발명에 따른 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법은 하나의 기판 상에 형성된 복수의 단위 발광소자를 각각의 단위 발광소자로 분리하기 위한 트렌치 라인을 포토리소그래피 공정 및 식각 공정의 적용 없이 형성함에 특징이 있다. The method of manufacturing a vertical nitride light emitting device according to the present invention is characterized in that a trench line for separating a plurality of unit light emitting devices formed on one substrate into respective unit light emitting devices is formed without applying a photolithography process and an etching process. There is this.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법을 상세히 설명하기로 한다. 도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시 예에 따른 수직형 질화물계 발광소자의 공정 단면도이다. Hereinafter, a method of manufacturing a vertical nitride light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 3A to 3F are cross-sectional views of a vertical nitride light emitting device according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이 희생기판(301)을 준비하고, 상기 희생기판(301) 상에 n형 반도체층(311), 활성층(312), p형 반도체층(313) 등의 질화물계 반도체층(310)을 순차적으로 에피택셜하게 성장시킨다. 상기 희생기판(301)은 전술한 바와 같이 사파이어(Al2O3) 기판, 실리콘(Si) 기판, GaAs 기판, MgO 기판 중 어느 하나 또는 이들 기판 중 어느 하나 상에 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중 어느 하나가 적층된 템플릿 기판이 사용될 수 있다. First, as shown in FIG. 3A, a sacrificial substrate 301 is prepared, and a nitride system such as an n-type semiconductor layer 311, an active layer 312, and a p-type semiconductor layer 313 is provided on the sacrificial substrate 301. The semiconductor layer 310 is sequentially grown epitaxially. The sacrificial substrate 301 may be formed of any one of GaN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN on any one of sapphire (Al 2 O 3 ) substrates, silicon (Si) substrates, GaAs substrates, MgO substrates, or any one of these substrates, as described above. A template substrate on which one is laminated may be used.

또한, 상기 질화물계 반도체층(310)은 금속유기화학증착법(MOCVD : Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 또는 분자빔에피택셜법(MBE : Molecular Beam Epitaxy) 등을 통해 형성할 수 있으며, 상기 n형 반도체층(311)의 적층 전에 버퍼층을 더 형성할 수 있으며, 상기 p형 반도체층(313) 상에 전자차단층(electron blocking layer) 등을 더 형성할 수도 있다. In addition, the nitride-based semiconductor layer 310 may be formed through a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or a molecular beam epitaxy (MBE), the n-type semiconductor layer A buffer layer may be further formed before stacking 311, and an electron blocking layer or the like may be further formed on the p-type semiconductor layer 313.

상기 희생기판(301) 상에 질화물계 반도체층(310)이 형성된 상태에서, 도 3b에 도시한 바와 같이 상기 질화물계 반도체층(310)을 수직 관통하고 상기 희생기판(301)의 일부 두께가 파여지는 트렌치 라인(302)을 형성한다. 이 때, 상기 트렌치 라인(302)은 레이저 조사 또는 다이아몬드 커팅기(diamond cutter)를 통해 형성될 수 있다. 또한, 상기 트렌치 라인(302)은 스크라이브 라인의 역할 및 후속의 LLO 공정시 질소 가스의 이동 통로의 역할을 수행한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 트렌치 라인(302)을 나타낸 SEM 사진이며, 도 4에 도시한 바와 같이 희생기판(301) 및 질화물계 반도체층(310)에 트렌치 라인(302)이 형성되어 있음을 확인할 수 있다. In the state where the nitride based semiconductor layer 310 is formed on the sacrificial substrate 301, as shown in FIG. 3B, the nitride based semiconductor layer 310 is vertically penetrated and a part of the sacrificial substrate 301 is dug up. The paper forms trench lines 302. In this case, the trench line 302 may be formed through laser irradiation or a diamond cutter. The trench line 302 also acts as a scribe line and as a passage for nitrogen gas in subsequent LLO processes. 4 is a SEM photograph showing a trench line 302 manufactured according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the trench line 302 is formed on the sacrificial substrate 301 and the nitride based semiconductor layer 310. It can be confirmed that this is formed.

상기 트렌치 라인(302) 형성시 레이저 조사 또는 다이아몬드 커팅에 따른 불순물이 트렌치 라인(302) 사이에 잔존할 수 있는데, 이와 같은 불순물 제거를 위해 상기 질화물계 반도체층(310)의 일부 폭을 습식 식각하여 제거할 수도 있다. Impurities due to laser irradiation or diamond cutting may remain between the trench lines 302 when the trench lines 302 are formed, and a wet width of the nitride based semiconductor layer 310 is wet-etched to remove such impurities. You can also remove it.

한편, 상기 질화물계 반도체층(310) 및 희생기판(301)에 트렌치 라인(302)이 형성된 상태에서, 도 3c에 도시한 바와 같이 상기 질화물계 반도체층(310) 상에 투명전극(303) 및 p-전극(304)을 순차적으로 적층, 형성한다. 여기서, 상기 투명전극(303) 대신에 반사전극을 형성할 수도 있다. Meanwhile, in the state where the trench lines 302 are formed in the nitride based semiconductor layer 310 and the sacrificial substrate 301, as shown in FIG. 3C, the transparent electrode 303 and the nitride based semiconductor layer 310 are formed on the nitride based semiconductor layer 310. The p-electrodes 304 are sequentially stacked and formed. The reflective electrode may be formed instead of the transparent electrode 303.

이어, 도 3d에 도시한 바와 같이 상기 p-전극(304) 상에 도전성 기판(305)을 부착시킨다. 상기 도전성 기판(305)으로는 실리콘(Si) 기판, 게르마늄(Ge) 기판, GaAs 기판 중 어느 하나가 사용될 수 있으며, 전기전도를 위해 불순물이 도핑되어 있다. 또한, 상기 도전성 기판(305) 상에는 도전성 접착층(도시하지 않음)이 구비되며, 상기 도전성 접착층이 상기 p-전극(304)에 부착됨으로 인해 상기 도전성 기판(305)과 상기 p-전극(304)이 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 도전성 접착층으로는 Au-Sn, Au-Ag, Pb-Sn 합금 중 어느 하나가 이용될 수 있다. Next, as illustrated in FIG. 3D, a conductive substrate 305 is attached to the p-electrode 304. As the conductive substrate 305, any one of a silicon (Si) substrate, a germanium (Ge) substrate, and a GaAs substrate may be used, and impurities are doped for electrical conduction. In addition, a conductive adhesive layer (not shown) is provided on the conductive substrate 305, and the conductive substrate 305 and the p-electrode 304 are attached to each other by attaching the conductive adhesive layer to the p-electrode 304. Electrically connected. Here, any one of Au-Sn, Au-Ag, and Pb-Sn alloy may be used as the conductive adhesive layer.

그런 다음, LLO(Laser Lift Off) 공정이 진행된다. 구체적으로, 도 3e에 도시한 바와 같이 상기 질화물계 반도체층(310)과 희생기판(301)의 계면 상에 레이저를 조사하여 상기 질화물계 반도체층(310)으로부터 상기 희생기판(301)을 분리시킨다. 이 때, 질화물계 반도체층(310)을 GaN으로 구성하는 경우 레이저 조사에 의해 GaN이 갈륨(Ga)과 질소 가스(N2)로 분해되는데, 발생된 질소 가스(N2)는 높은 압력을 갖고 있어 질화물계 반도체층(310)의 균열을 유발하는 인자로 작용하는 바 이를 효과적으로 배출해야 한다. 본 발명에 있어서, 상기 희생기판(301) 및 질화물계 반도체층(310)에 형성된 트렌치 라인(302)이 상기 질소 가스의 배출 통로의 역할을 수행하며, 이에 따라 질화물계 반도체층(310)의 손상을 최소화할 수 있게 된다. Then, a laser lift off (LLO) process is performed. Specifically, as shown in FIG. 3E, the sacrificial substrate 301 is separated from the nitride based semiconductor layer 310 by irradiating a laser on an interface between the nitride based semiconductor layer 310 and the sacrificial substrate 301. . In this case, when the nitride-based semiconductor layer 310 is composed of GaN, GaN is decomposed into gallium (Ga) and nitrogen gas (N 2 ) by laser irradiation. The generated nitrogen gas (N 2 ) has a high pressure. This acts as a factor inducing cracking of the nitride based semiconductor layer 310 and should be effectively discharged. In the present invention, the trench line 302 formed in the sacrificial substrate 301 and the nitride based semiconductor layer 310 serves as a discharge passage of the nitrogen gas, thereby damaging the nitride based semiconductor layer 310. Can be minimized.

LLO 공정을 통해 희생기판(301)이 분리된 상태에서, 도 3f에 도시한 바와 같이 상기 n형 반도체층(311) 상에 n-전극(306)을 형성하고, 상기 트렌치 라인(302)을 따라 상기 도전성 기판(305)을 분리하면 복수의 단위 발광소자의 제조가 완료된다. With the sacrificial substrate 301 separated through the LLO process, an n-electrode 306 is formed on the n-type semiconductor layer 311 as shown in FIG. 3F and along the trench line 302. When the conductive substrate 305 is separated, the manufacturing of the plurality of unit light emitting devices is completed.

도 1은 종래 기술에 따른 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 참고도. 1 is a reference diagram for explaining a method of manufacturing a vertical nitride-based light emitting device according to the prior art.

도 2는 종래의 다른 기술에 따른 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 참고도. 2 is a reference diagram for explaining a method of manufacturing a vertical nitride light emitting device according to another conventional technology.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 질화물계 발광소자의 공정 단면도이다. 3A to 3F are cross-sectional views of a vertical nitride light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 트렌치 라인을 나타낸 SEM 사진.Figure 4 is a SEM photograph showing a trench line prepared according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 설명>Description of the main parts of the drawing

301 : 희생기판 302 : 트렌치 라인301: sacrificial substrate 302: trench line

303 : 투명전극 304 : p-전극303 transparent electrode 304 p-electrode

305 : 도전성 기판 306 : n-전극305: conductive substrate 306: n-electrode

310 : 질화물계 반도체층 311 : n형 반도체층310: nitride semiconductor layer 311: n-type semiconductor layer

312 : 활성층 313 : p형 반도체층312 active layer 313 p-type semiconductor layer

Claims (5)

희생기판을 준비하는 단계;Preparing a sacrificial substrate; 상기 희생기판 상에 질화물계 반도체층을 형성하는 단계; 및Forming a nitride based semiconductor layer on the sacrificial substrate; And 상기 질화물계 반도체층을 수직 관통하고 상기 희생기판의 일부 두께가 파여지는 트렌치 라인을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, And forming a trench line that vertically penetrates the nitride-based semiconductor layer and has a portion of the sacrificial substrate formed therein. 상기 트렌치 라인은 상기 질화물계 반도체층 상에 레이저를 조사하여 형성하거나 다이아몬드 커팅기를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법. The trench line may be formed by irradiating a laser on the nitride-based semiconductor layer or by using a diamond cutter. 제 1 항에 있어서, 상기 트렌치 라인은 단위 발광소자의 영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법. The method of claim 1, wherein the trench line defines a region of a unit light emitting device. 제 1 항에 있어서, 상기 트렌치 라인을 형성하는 단계 이후에, The method of claim 1, wherein after forming the trench lines, 상기 질화물계 반도체층 상에 p-전극을 형성하는 단계;Forming a p-electrode on the nitride based semiconductor layer; 상기 p-전극 상에 도전성 기판을 부착하는 단계; 및Attaching a conductive substrate on the p-electrode; And 상기 질화물계 반도체층과 희생기판의 계면에 레이저를 조사하여 희생기판을 분리하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발 광소자의 제조방법. And separating the sacrificial substrate by irradiating a laser to an interface between the nitride based semiconductor layer and the sacrificial substrate, the method of manufacturing a vertical nitride light emitting device. 제 1 항에 있어서, 상기 희생기판은 사파이어(Al2O3) 기판, 실리콘(Si) 기판, GaAs 기판, MgO 기판 중 어느 하나 또는 이들 기판 중 어느 하나 상에 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중 어느 하나가 적층된 템플릿 기판인 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법. The method of claim 1, wherein the sacrificial substrate is any one of GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN on any one of sapphire (Al 2 O 3 ) substrate, silicon (Si) substrate, GaAs substrate, MgO substrate or any one of these substrates A method of manufacturing a vertical nitride light emitting device, characterized in that one is a laminated template substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 트렌치 라인을 형성하는 단계 이후에, The method of claim 1, wherein after forming the trench lines, 상기 질화물계 반도체층의 일부 폭을 습식 식각하여 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체층의 제조방법. And wet-etching and removing a portion of the nitride-based semiconductor layer by a width of the nitride-based semiconductor layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2014042461A1 (en) * 2012-09-14 2014-03-20 일진엘이디(주) High-luminance nitride light-emitting device and method for manufacturing same

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