KR20100056651A - 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극을 포함하고, 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Subfield)와, 선택적 소거 서브필드 이전에 배치되는 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Subfield)를 포함하는 프레임으로 영상을 구현하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 입력되는 영상 데이터의 로드(Load)에 따라 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 다르게 조절하는 구동부를 포함할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치{Plasma Display Apparatus}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널을 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널은 격벽으로 구획된 방전 셀(Cell) 내에 형성된 형광체 층을 포함하고, 아울러 복수의 전극(Electrode)을 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널의 전극에 구동 신호를 공급하면, 방전 셀 내에서는 공급되는 구동 신호에 의해 방전이 발생한다. 여기서, 방전 셀 내에서 구동 신호에 의해 방전이 될 때, 방전 셀 내에 충진 되어 있는 방전 가스가 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고, 이러한 진공 자외선이 방전 셀 내에 형성된 형광체를 발광시켜 가시 광을 발생시킨다. 이러한 가시 광에 의해 플라즈마 디스플레이 패널의 화면상에 영상이 표시된다.
본 발명은 한 프레임에 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Sub-Field)와 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Sub-Field)가 함께 포함되는 경우에, 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 영상 데이터의 로드(Load), 휘도 또는 평균전력레벨(Average Power Level : APL)에 따라 조절하여 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드의 구동 마진(Margin)의 차이를 보상하는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극을 포함하고, 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Subfield)와, 선택적 소거 서브필드 이전에 배치되는 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Subfield)를 포함하는 프레임으로 영상을 구현하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 입력되는 영상 데이터의 로드(Load)에 따라 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 다르게 조절하는 구동부를 포함할 수 있다.
또한, 구동부는 영상 데이터의 로드가 감소하면 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시킬 수 있다.
또한, 영상 데이터의 로드가 제 1 로드인 경우 하나의 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 제 1 개수이고, 영상 데이터의 로드가 제 1 로드보다 작은 제 2 로드인 경우 하나의 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 제 1 개수보다 많은 제 2 개수일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 다른 플라즈마 디스플레이 장치는 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Subfield)와, 선택적 소거 서브필드 이전에 배치되는 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Subfield)를 포 함하는 프레임으로 영상을 구현하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 입력되는 영상 데이터의 평균 전력 레벨(Average Power Level : APL)에 따라 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 다르게 조절하는 구동부를 포함할 수 있다.
또한, 구동부는 영상 데이터의 평균 전력 레벨이 감소하면 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시킬 수 있다.
또한, 영상 데이터의 평균 전력 레벨이 제 1 레벨(APL1)인 경우 하나의 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 제 1 개수이고, 영상 데이터의 평균 전력 레벨이 제 1 레벨보다 낮은 제 2 레벨(APL2)인 경우 하나의 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 제 1 개수보다 많은 제 2 개수일 수 있다.
본 발명에 따른 또 다른 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극을 포함하고, 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Subfield)와, 선택적 소거 서브필드 이전에 배치되는 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Subfield)를 포함하는 프레임으로 영상을 구현하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 입력되는 영상 데이터의 휘도에 따라 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 다르게 조절하는 구동부를 포함할 수 있다.
또한, 구동부는 영상 데이터의 휘도가 감소하면 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시킬 수 있다.
또한, 영상 데이터의 휘도가 제 1 휘도인 경우 하나의 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 제 1 개수이고, 영상 데이터의 휘도가 제 1 휘도보다 작은 제 2 휘도인 경우 하나의 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 제 1 개수보다 많은 제 2 개수일 수 있다.
또한, 하나의 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 최소 1개이고, 최대 2개일 수 있다.
또한, 선택적 쓰기 서브필드에서는 리셋 기간에서 스캔 전극에 리셋 신호가 공급되고, 선택적 소거 서브필드에서는 리셋 기간이 생략될 수 있다.
또한, 선택적 쓰기 서브필드는 상기 어드레스 기간에서 어드레스 전극에 데이터 신호가 공급된 방전셀을 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 온(On)시키는 서브필드이고, 선택적 소거 서브필드는 어드레스 기간에서 어드레스 전극에 데이터 신호가 공급된 방전셀을 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 오프(Off)시키는 서브필드일 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 영상 데이터의 로드(Load), 휘도 또는 평균전력레벨(Average Power Level : APL)에 따라 조절함으로써 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드의 구동 마진(Margin)의 차이를 보상할 수 있고, 이에 따라 영상의 화질을 개선할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 살펴보면, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(100)과 구동부(110)를 포함할 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 스캔 전극(Y1~Yn)과 서스테인 전극(Z1~Zn)을 포함하고, 아울러 스캔 전극 및 서스테인 전극과 교차하는 어드레스 전극(X1~Xm)을 포함할 수 있다. 아울러, 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Subfield)와, 선택적 소거 서브필드 이전에 배치되는 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Subfield)를 포함하는 프레임으로 영상을 구현할 수 있다.
구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극, 서스테인 전극 또는 어드레스 전극 중 적어도 하나로 구동신호를 공급하여, 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 화면에 영상이 구현되도록 할 수 있다. 바람직하게는, 구동부(110)는 입력되는 영상 데이터의 로드(Load)에 따라 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 다르게 조절할 수 있다.
여기, 도 1에서는 구동부(110)가 하나의 보드(Board) 형태로 이루어지는 경우만 도시하고 있지만, 본 발명에서 구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)에 형성된 전극에 따라 복수개의 보드 형태로 나누어지는 것도 가능하다. 예를 들면, 구동부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극을 구동시키는 제 1 구동부(미도시)와, 서스테인 전극을 구동시키는 제 2 구동부와, 어드레스 전극을 구동시키는 제 3 구동부(미도시)로 나누어질 수 있는 것이다.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)이 형성되는 전면 기판(201)과, 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)과 교차하는 어드레스 전극(213, X)이 형성되는 후면 기판(211)을 포함할 수 있다.
스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)이 형성된 전면 기판(201)에는 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)의 방전 전류를 제한하며 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z) 간을 절연시키는 상부 유전체 층(204)이 배치될 수 있다.
상부 유전체 층(204)이 형성된 전면 기판(201)에는 방전 조건을 용이하게 하기 위한 보호 층(205)이 형성될 수 있다. 이러한 보호 층(205)은 2차 전자 방출 계수가 높은 재질, 예컨대 산화마그네슘(MgO) 재질을 포함할 수 있다.
후면 기판(211) 상에는 어드레스 전극(213, X)이 형성되고, 이러한 어드레스 전극(213, X)이 형성된 후면 기판(211)의 상부에는 어드레스 전극(213, X)을 덮으며 어드레스 전극(213, X)을 절연시키는 하부 유전체 층(215)이 형성될 수 있다.
하부 유전체 층(215)의 상부에는 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 스트라이프 타입(Stripe Type), 웰 타입(Well Type), 델타 타입(Delta Type), 벌집 타입 등의 격벽(212)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 전면 기판(201)과 후면 기판(211)의 사이에서 적색(Red : R)광을 방출하는 제 1 방전 셀, 청색(Blue : B)광을 방출하는 제 2 방전 셀 및 녹색(Green : G)광을 방출하는 제 3 방전 셀 등이 형성될 수 있다.
한편, 방전셀에서는 어드레스 전극(213)이 스캔 전극(202) 및 서스테인 전극(203)과 교차할 수 있다. 즉, 방전셀은 어드레스 전극(213)이 스캔 전극(202) 및 서스테인 전극(203)과 교차하는 지점에 형성되는 것이다.
또한, 도 2에 도시된 격벽(212)의 구조뿐만 아니라 다양한 형상의 격벽의 구조도 가능할 것이다. 예컨대, 격벽(212)은 제 1 격벽(212b)과 제 2 격벽(212a)을 포함하고, 여기서, 제 1 격벽(212b)의 높이와 제 2 격벽(212a)의 높이가 서로 다른 차등형 격벽 구조, 제 1 격벽(212b) 또는 제 2 격벽(212a) 중 하나 이상에 배기 통로로 사용 가능한 채널(Channel)이 형성된 채널형 격벽 구조, 제 1 격벽(212b) 또는 제 2 격벽(212a) 중 하나 이상에 홈(Hollow)이 형성된 홈형 격벽 구조 등이 가능할 것이다.
여기서, 차등형 격벽 구조인 경우에는 제 1 격벽(212b)의 높이가 제 2 격벽(212a)의 높이보다 더 낮을 수 있다. 아울러, 채널형 격벽 구조인 경우에는 제 1 격벽(212b)에 채널이 형성될 수 있다.
격벽(212)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 소정의 방전 가스가 채워질 수 있다.
아울러, 격벽(212)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(214)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 적색 광을 발생시키는 제 1 형광체 층, 청색 광을 발생시키는 제 2 형광체 층 및 녹색 광을 발생시키는 제 3 형광체 층이 형성될 수 있다.
또한, 후면 기판(211) 상에 형성되는 어드레스 전극(213)은 폭이나 두께가 실질적으로 일정할 수도 있지만, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 폭이나 두께와 다를 수도 있을 것이다. 예컨대, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 그것보다 더 넓거나 두꺼울 수 있을 것이다.
스캔 전극(202), 서스테인 전극(203) 및 어드레스 전극(213) 중 적어도 하나로 소정의 신호가 공급되면 방전셀 내에서는 방전이 발생할 수 있다. 이와 같이, 방전셀 내에서 방전이 발생하게 되면, 방전셀 내에 채워진 방전 가스에 의해 자외선이 발생할 수 있고, 이러한 자외선이 형광체층(214)의 형광체 입자에 조사될 수 있다. 그러면, 자외선이 조사된 형광체 입자가 가시광선을 발산함으로써 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 화면에는 소정의 영상이 표시될 수 있는 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에서 영상의 계조를 구현하기 위한 영상 프레임(Frame)에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 살펴보면 영상의 계조(Gray Level)를 구현하기 위한 프레임은 복수의 서브필드(Subfield, SF1~SF8)를 포함할 수 있다.
아울러, 복수의 서브필드는 방전셀을 방전이 발생하지 않을 방전셀을 선택하거나 혹은 방전이 발생하는 방전셀을 선택하기 위한 어드레스 기간(Address Period) 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간(Sustain Period)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 256 계조로 영상을 표시하고자 하는 경우에 예컨대 하나의 프레임은 도 3과 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 어드레스 기간과 서스테인 기간을 포함할 수 있다.
또는, 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드는 초기화를 위한 리셋 기간을 더 포함하는 것도 가능하다.
아울러, 프레임의 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드는 서스테인 기간을 포함하지 않을 수 있다.
한편, 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 신호의 개수를 조절하여 해당 서브필드의 가중치를 설정할 수 있다. 즉, 서스테인 기간을 이용하여 각각의 서브필드에 소정의 가중치를 부여할 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드의 가중치를 20으로 설정하고, 제 2 서브필드의 가중치를 21로 설정하는 방법으로 각 서브필드의 가중치가 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가되도록 설정할 수 있다. 이와 같이 각 서브필드에서 가중치에 따라 각 서브필드의 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 신호의 개수를 조절함으로써 다양한 영상의 계조를 구현할 수 있다.
여기, 도 3에서는 하나의 영상 프레임이 8개의 서브필드로 이루어진 경우만으로 도시하고 설명하였지만, 이와는 다르게 하나의 영상 프레임을 이루는 서브필드의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 제 1 서브필드부터 제 12 서브필드까지의 12개의 서브필드로 하나의 영상 프레임을 구성할 수도 있고, 10개의 서브필드로 하나의 영상 프레임을 구성할 수도 있는 것이다.
또한, 여기 도 3에서는 하나의 영상 프레임에서 가중치의 크기가 증가하는 순서에 따라 서브필드들이 배열되었지만, 이와는 다르게 하나의 영상 프레임에서 서브필드들이 가중치가 감소하는 순서에 따라 배열될 수도 있고, 또는 가중치에 관 계없이 서브필드들이 배열될 수도 있는 것이다.
한편, 프레임에 포함된 복수의 서브필드 중 적어도 하나는 선택적 소거 서브필드(Selective Erase Subfield, SE)이고, 아울러 복수의 서브필드 중 적어도 하나는 선택적 쓰기 서브필드(Selective Write Subfield, SW)인 것도 가능하다.
하나의 프레임이 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드와 선택적 쓰기 서브필드를 포함하는 경우에는, 프레임의 복수의 서브필드 중 첫 번째 서브필드 또는 첫 번째 서브필드와 두 번째 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드이고, 나머지는 선택적 소거 서브필드인 것이 바람직할 수 있다.
여기서, 선택적 소거 서브필드는 어드레스 기간에서 어드레스 전극에 데이터 신호(Data)가 공급된 방전셀을 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 오프(Off)시키는 서브필드이다.
이러한 선택적 소거 서브필드는 오프시킬 방전셀을 선택하기 위한 어드레스 기간과 어드레스 기간에서 선택되지 않은 방전셀에서 서스테인 방전을 발생시키는 서스테인 기간을 포함할 수 있다.
선택적 쓰기 서브필드는 어드레스 기간에서 어드레스 전극에 데이터 신호(Data)가 공급된 방전셀을 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 온(On)시키는 서브필드이다.
이러한 선택적 쓰기 서브필드는 방전셀들을 초기화하기 위한 리셋 기간, 온시킬 방전셀을 선택하기 위한 어드레스 기간 및 어드레스 기간에서 선택된 방전셀에서 서스테인 방전을 발생시키는 서스테인 기간을 포함할 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 플라즈마 디스플레이 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 이하에서 설명될 구동신호들은 앞선 도 1의 구동부(110)가 공급하는 것일 수 있다.
먼저, 도 4a에는 복수의 프레임 중에서 임의의 제 1 프레임(Frame1)의 구성이 도시되어 있다.
도 4a를 살펴보면, 선택적 쓰기 서브필드(SW)에서는 리셋 기간(RP) 이전의 프리 리셋 기간(PRS)에서 스캔 전극(Y)에 전압이 점진적으로 하강하는 제 1 신호(S1)를 공급할 수 있다.
아울러, 프리 리셋 기간에서는 서스테인 전극(Z)에 제 1 신호(S1)와 역극성인 제 2 신호(S2)를 공급할 수 있다. 제 2 신호(S2)의 전압은 이후의 서스테인 기간에서 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호(SUS)의 최대 전압, 즉 서스테인 전압(Vs)과 실질적으로 동일할 수 있다.
이러한 프리 리셋 기간에서 스캔 전극에 제 1 신호(S1)가 공급되고, 서스테인 전극에는 제 1 신호(S1)와 중첩되는 제 2 신호(S2)가 공급되면, 방전셀 내에서는 프리 리셋 방전이 발생한다. 그러면, 방전셀 내에는 이후의 리셋 기간에서 충분히 사용가능한 수준의 벽전하(Wall Charge)가 형성될 수 있다.
선택적 쓰기 서브필드의 리셋 기간에서는 스캔 전극으로 정극성의 리셋 신호(RS)를 공급할 수 있다.
여기서, 리셋 신호(RS)는 전압이 점진적으로 상승하는 상승신호(Ramp-Up, RU)와 전압이 점진적으로 하강하는 하강신호(Ramp-Down, RD)를 포함할 수 있다.
스캔 전극으로 상승신호가 공급되면, 상승신호에 의해 방전 셀 내에는 약한 암방전(Dark Discharge), 즉 셋업 방전이 발생할 수 있다. 이 셋업 방전에 의해 방전 셀 내에는 어느 정도의 벽 전하(Wall Charge)가 쌓일 수 있다.
이후, 상승신호 이후에 상승신호와 반대 극성의 하강신호가 스캔 전극에 공급될 수 있다. 그러면, 방전 셀 내에서 미약한 소거 방전(Erase Discharge), 즉 셋다운 방전이 발생할 수 있다. 이 셋다운 방전에 의해 방전 셀 내에는 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 균일하게 잔류될 수 있다.
리셋 기간 이후의 어드레스 기간에서는 하강신호의 최저 전압보다는 높은 전압, 즉 제 2 스캔 기준 전압(Vsc2)을 갖는 제 2 스캔 기준 신호(Ybias2)가 스캔 전극에 공급될 수 있다.
아울러, 제 2 스캔 기준 전압(Vsc2)으로부터 하강하는 제 2 스캔 신호(Sc2)가 스캔 전극에 공급될 수 있다.
제 2 스캔 신호가 스캔 전극으로 공급될 때, 스캔 신호에 대응되게 어드레스 전극(X)에 제 2 데이터 신호(Dt2)가 공급될 수 있다.
제 2 스캔 신호와 제 2 데이터 신호가 공급되면, 제 2 스캔 신호와 제 2 데이터 신호 간의 전압 차와 리셋 기간에 생성된 벽 전하들에 의한 벽 전압이 더해지면서 데이터 신호가 공급되는 방전 셀 내에는 어드레스 방전, 즉 쓰기 어드레스 방전이 발생될 수 있다.
그러면, 방전셀 내에는 서스테인 신호가 공급될 때 서스테인 방전을 발생시킬 수 있을 만큼의 충분한 양의 벽전하가 형성될 수 있다.
어드레스 기간에서 서스테인 전극(Z)의 간섭에 의해 어드레스 방전이 불안정해지는 것을 방지하기 위해 제 2 서스테인 기준 전압(Vz2)을 갖는 제 2 서스테인 기준 신호(Zbias2)가 서스테인 전극으로 공급될 수 있다.
이후, 영상 표시를 위한 서스테인 기간에서는 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나에 서스테인 신호(SUS)가 공급될 수 있다. 예를 들면, 스캔 전극과 서스테인 전극에 교번적으로 서스테인 신호가 공급될 수 있다.
이러한 서스테인 신호가 공급되면, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전 셀은 방전 셀 내의 벽 전압과 서스테인 신호의 서스테인 전압(Vs)이 더해지면서 서스테인 신호가 공급될 때 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 서스테인 방전 즉, 표시방전이 발생될 수 있다.
한편, 적어도 하나의 서브필드에서는 서스테인 기간에서 복수의 서스테인 신호가 공급되고, 복수의 서스테인 신호 중 적어도 하나의 서스테인 신호의 펄스폭은 다른 서스테인 신호의 펄스폭과 다를 수 있다. 예를 들면, 복수의 서스테인 신호 중 가장 먼저 공급되는 서스테인 신호의 펄스폭이 다른 서스테인 신호의 펄스폭보다 클 수 있다. 그러면, 서스테인 방전이 더욱 안정될 수 있다.
선택적 쓰기 서브필드(SW)와 연속되며 시간상으로 뒤에 배치되는, 즉 선택적 쓰기 서브필드를 뒤따르는 선택적 소거 서브필드(SE)에서는 리셋 기간이 생략될 수 있다. 혹은, 선택적 소거 서브필드에 리셋 기간이 구비되는 경우에는 리셋 기간에서 스캔 전극에 정극성의 리셋 신호가 공급되지 않을 수 있다. 즉, 선택적 쓰기 서브필드의 서스테인 기간에서 서스테인 신호 중 마지막 서스테인 신호가 공급된 이후부터 선택적 쓰기 서브필드를 뒤따르는 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스 기간에서 스캔 전극에 제 1 스캔 기준 전압(Vsc1)이 공급되기 이전까지의 기간에서는 스캔 전극에 정극성의 신호를 공급하지 않는 것이다.
이와 같이, 선택적 소거 서브필드에서 리셋 기간이 생략되거나 혹은 리셋 기간에서 스캔 전극에 정극성의 리셋 신호가 공급되지 않는 경우에는 불필요한 광의 발생을 줄일 수 있어서 구현되는 영상의 콘트라스트 특성을 향상시키는 것이 가능하다.
아울러, 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서는 스캔 전극에 제 1 스캔 기준 전압(Vsc1)을 갖는 제 1 스캔 기준 신호(Ybias1)가 공급되고, 제 1 스캔 기준 전압으로부터 하강하는 제 1 스캔 신호(Sc1)가 공급될 수 있다.
또한. 어드레스 전극에는 제 1 스캔 신호와 대응되는 제 1 데이터 신호(Dt1)가 공급될 수 있다.
그러면, 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 제 1 스캔 신호와 제 1 데이터 신호의 전압 차이에 의해 어드레스 방전, 즉 소거 어드레스 방전이 발생할 수 있다.
아울러, 어드레스 기간에서 서스테인 전극(Z)의 간섭에 의해 어드레스 방전이 불안정해지는 것을 방지하기 위해 제 1 서스테인 기준 전압(Vz1)을 갖는 제 1 서스테인 기준 신호(Zbias1)가 서스테인 전극으로 공급될 수 있다.
이후, 영상 표시를 위한 서스테인 기간에서는 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 적어도 하나에 서스테인 신호(SUS)가 공급될 수 있다. 예를 들면, 스캔 전극과 서스테인 전극에 교번적으로 서스테인 신호가 공급될 수 있다.
이러한 서스테인 신호가 공급되면, 소거 어드레스 방전이 발생하지 않은 방전셀 내에서 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 서스테인 방전이 발생될 수 있다.
한편, 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간을 비교하면, 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서는 서스테인 기간에서 온되는 방전셀을 선택해야 하므로, 어드레스 방전 시 충분한 양의 벽전하들이 형성되어야 한다. 따라서, 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 펄스폭은 충분히 넓거나 그 전압의 크기가 충분히 큰 것이 바람직할 수 있다.
반면에, 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서는 서스테인 기간에서 오프되는 방전셀을 선택해야 하므로, 어드레스 방전 시 충분한 양의 벽전하들이 소거되어야 한다. 따라서 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 스캔 신호의 펄스폭은 충분히 작거나 그 전압의 크기가 충분히 작은 것이 바람직할 수 있다.
따라서 도 4b와 같이 제 1 스캔 신호(Sc1)의 펄스폭(W2)은 제 2 스캔 신호(Sc2)의 펄스폭(W1)보다 작은 것이 바람직할 수 있다. 또는, 도 4c와 같이 제 1 스캔 신호(Sc1)의 전압의 크기(△V11)는 제 2 스캔 신호(Sc2)의 전압의 크기(△V10)보다 더 작은 것이 바람직할 수 있다.
또는, 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 벽전하를 소거시키는 어드레스 방전, 즉 소거 어드레스 방전을 발생시키고, 선택적 쓰기 서브필드의 어드레 스 기간에서는 벽전하를 형성하는 어드레스 방전, 즉 쓰기 어드레스 방전을 발생시키기 위해 제 2 스캔 기준 전압(Vsc2)을 제 1 스캔 기준 전압(Vsc1)보다 더 낮게 하는 것도 가능하다.
또는, 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 어드레스 전극으로 공급되는 데이터 신호를 선택적 쓰기 서브필드의 어드레스 기간에서 어드레스 전극으로 공급되는 데이터 신호에 비해, 그 펄스폭이 충분히 작거나 그 전압의 크기가 충분히 작게 하는 방법도 가능할 수 있다.
한편, 선택적 소거 서브필드의 어드레스 기간에서 스캔 전극과 서스테인 전극간에 강방전이 발생하는 것을 방지하고, 벽전하를 보다 균일하게 소거하기 위하여 서스테인 전극에 제 2 서스테인 기준 신호(Zbias2)보다 전압이 더 낮은 제 1 서스테인 기준 신호(Zbias1)를 공급할 수 있다.
제 2 서스테인 기준 신호(Zbias2)의 전압(Vzb2)은 그라운드 레벨(GND)보다는 높고, 서스테인 기간에서 스캔 전극 및 서스테인 전극 중 적어도 하나로 공급되는 서스테인 신호(SUS)의 전압(Vs)보다는 낮을 수 있다. 아울러, 제 1 서스테인 기준 신호(Zbias1)의 전압은 제 2 서스테인 기준 신호(Zbias2)의 전압(Vzb2)보다 낮을 수 있다.
도 5는 영상 데이터의 로드에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 살펴보면, 입력되는 영상 데이터의 로드(Load)에 따라 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드(SW)의 개수를 다르게 조절할 수 있다.
바람직하게는, 입력되는 영상 데이터의 로드가 감소하면 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시킬 수 있다. 예컨대, (b)와 같이 영상 데이터의 로드가 상대적으로 작은 제 2 로드인 제 2 프레임(Frame2)에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 (a)와 같이 영상 데이터의 로드가 제 2 로드보다 큰 제 1 로드인 제 1 프레임(Frame1)에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수 보다 많을 수 있다. 여기서, (a)의 경우에는 제 1 프레임에 포함된 복수의 서브필드 중 제 1 서브필드(SF1)만이 선택적 쓰기 서브필드(SW)이고 나머지 서브필드는 선택적 소거 서브필드이며, (b)의 경우에는 제 2 프레임에 포함된 복수의 서브필드 중 제 1, 2 서브필드(SF1, SF2)가 선택적 쓰기 서브필드이고 나머지 서브필드는 선택적 소거 서브필드이다.
한 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수가 복수개인 경우 복수의 서브필드 중 배치순서가 빠른 순서의 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드일 수 있다.
아울러, 한 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수가 1개인 경우에는 복수의 서브필드 중 배치순서가 가장 빠른 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드일 수 있다.
이와 같이, 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 작은 경우에 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시키는 이유에 대해 살펴보면 아래와 같다.
프레임이 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드와 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드를 포함하는 경우에는 선택적 쓰기 서브필드에서 턴-온(Turn-On)된 서브필 드를 선택적 소거 서브필드에서 소거하는 방식으로 영상의 계조를 구현하기 때문에 영상의 콘트라스트(Contrast) 특성을 향상시키는 것이 가능하다.
그러나 선택적 소거 서브필드에서는 추가적인 어드레스 방전 없이 이전 서브필드의 서스테인 기간에서 형성된 벽전하를 이용하여 서스테인 방전을 발생시켜야 한다. 만약, 선택적 소거 서브필드에서 어드레스 방전이 발생한다면 서스테인 방전은 발생하지 않는 것은 자명하다.
즉, 선택적 소거 서브필드에서는 이전 서브필드의 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생한 이후에 어드레스 기간이 지난 다음에야 서스테인 방전이 발생될 수 있다. 따라서 선택적 소거 서브필드에서는 방전이 발생하지 않은 상태를 유지하는 대기 기간이 상대적으로 길어질 수 있으며 이러한 대기 기간에 방전셀 내에서 벽전하가 소멸됨으로써 벽전하의 부족으로 인해 구동 마진(Margin)이 감소할 수 있다.
아울러, 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 작은 경우에는 한 프레임 내에서 발생하는 방전의 횟수가 상대적으로 적기 때문에 방전셀 내에 잔존하는 Priming Particle의 양이 상대적으로 적다.
이에 따라, 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 작은 경우에는 선택적 소거 서브필드에서 벽전하의 부족이 더욱 심화될 수 있으며, 이에 따라 어드레스 기간에서 어드레스 방전이 발생하지 않은 방전셀이 이후의 서스테인 기간에서 턴-온되지 못할 수 있다. 이에 따라 영상의 화질이 악화될 수 있다. 이러한 현상은 벽전하의 부족으로 인한 구동 마진의 감소에 기인할 수 있다.
구동 마진의 과도한 감소를 방지하기 위해 따라서 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 작은 경우에 한 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시키게 되면, 한 프레임 내에서 리셋 방전이 발생하는 서브필드의 개수를 증가시킬 수 있다. 그러면, 방전셀 내에서의 벽전하의 분포는 더욱 균일해질 수 있으며, 아울러 벽전하의 양이 충분히 확보될 수 있어서 구동 마진이 충분히 높은 수준을 유지할 수 있다.
이에 따라, 선택적 소거 서브필드에서 대기 기간, 즉 어드레스 기간에서 벽전하가 어느 정도 소멸되더라도 이후의 서스테인 기간에서 안정적으로 서스테인 방전이 발생할 수 있기 때문에 영상의 화질의 악화를 방지할 수 있는 것이다.
반면에, 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 큰 경우에는 한 프레임 내에서 발생하는 방전의 횟수가 상대적으로 많을 수 있기 때문에 방전셀 내에 잔존하는 Priming Particle의 양도 상대적으로 많을 수 있으며, 이에 따라 선택적 소거 서브필드에서 대기 기간, 즉 어드레스 기간에서 벽전하가 어느 정도 소멸되더라도 이후의 서스테인 기간에서 안정적으로 서스테인 방전이 발생할 수 있다.
따라서 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 큰 경우에는 한 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시키기 않아도 무방하다.
만약, 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 큰 경우에도 불필요하게 한 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시킨다면 선택적 쓰기 서브필드의 리셋 기간에서 발생하는 광의 양이 증가함으로써 콘트라스트 특성이 오히려 악화될 수 있다.
아울러, 선택적 쓰기 서브필드의 리셋 기간에서 발생하는 광의 양을 최소화하기 위해 입력되는 영상 데이터의 로드가 계속해서 감소하더라도 하나의 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 최소 1개에서 최대 2개까지로 제한하는 것이 바람직할 수 있다.
도 6은 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 큰 경우에서의 동작의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 살펴보면, 도 5에서 설명한 바와 같이 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 작은 경우에는 한 프레임에 선택적 쓰기 서브필드의 개수가 적어도 2개로 설정될 수 있다.
예컨대, 도 6의 경우와 같이 한 프레임에 포함된 복수의 서브필드 중 제 1, 2 서브필드(SF1, SF2)가 선택적 쓰기 서브필드인 경우, 제 1 서브필드에서는 리셋 기간에서 제 1 리셋 신호(RS1)가 스캔 전극에 공급될 수 있고, 제 2 서브필드에서는 리셋 기간에서 제 1 리셋 신호(RS1)보다 최대 전압이 더 낮은 제 2 리셋 신호(RS2)가 스캔 전극에 공급될 수 있다. 즉, 제 1 리셋 신호(RS1)의 최대 전압(Vmax1)은 제 2 리셋 신호(RS2)의 최대 전압(Vmax2)보다 높은 것이다.
아울러, 제 1 리셋 신호(RS1)의 최저 전압(Vmin1)은 제 2 리셋 신호(RS2)의 최저 전압(Vmin2)과 실질적으로 동일할 수 있다.
아울러, 제 1 서브필드에는 리셋 기간(RP)이전에 프리 리셋 기간(PRP)이 포함될 수 있으며, 제 2 서브필드에서는 프리 리셋 기간이 포함되지 않을 수 있다.
이울러, 제 1 리셋 신호는 서로 다른 전압 변화율로 점진적으로 하강하는 제 1 하강신호(RD1)와 제 2 하강신호(RD2)를 포함할 수 있고, 제 2 리셋 신호는 하나의 하강신호(RD)를 포함할 수 있다.
도 7 내지 도 8은 계조의 구현방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 여기, 도 7 내지 도 8에서 X표시는 데이터 신호가 공급되지 않는 것을 의미하며, ○표시는 데이터 신호가 공급되는 것을 의미한다. 아울러, 제 1 서브필드의 가중치는 20 이고, 제 2 서브필드의 가중치를 21로 설정하는 방법으로 각 서브필드의 가중치가 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가되도록 각 서브필드의 가중치를 설정하는 것으로 가정한다.
먼저, 도 7을 살펴보면 한 프레임에서 선택적 쓰기 서브필드(SF1[SW])의 개수가 1개인 경우, 즉 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 큰 경우의 계조 구현방법의 일례가 도시되어 있다.
도 7과 같이, 하나의 프레임은 총 8개의 서브필드(SF1~SF8)로 이루어지고, 여기서 제 1 서브필드는 선택적 쓰기 서브필드이고, 제 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 서브필드는 선택적 소거 서브필드인 것으로 가정하자.
이러한 경우, 계조 0을 구현하기 위해서는 모든 서브필드를 오프시킨다.
계조 1을 구현하기 위해서는 제 1 서브필드를 온시키고, 나머지 서브필드를 오프시키면 된다. 이러한 경우에는 선택적 소거 서브필드인 제 2 서브필드부터 모두 오프되어야 하기 때문에 제 2 서브필드의 어드레스 기간에서 어드레스 전극에 데이터 신호를 공급하여 소거 어드레스 방전을 발생시키는 것이다.
또한, 계조 3을 구현하기 위해서는 제 1, 2 서브필드를 온시키고, 계조 7을 구현하기 위해서는 제 1, 2, 3 서브필드를 온시키고, 계조 15를 구현하기 위해서는 제 1, 2, 3, 4 서브필드를 온시키면 된다. 이러한 경우에는 선택적 소거 서브필드인 제 2 서브필드는 온 되어야 하고, 제 3 서브필드부터는 모두 오프되어야 하기 때문에 제 2 서브필드에서는 데이터 신호를 공급하지 않고 제 3 서브필드에서 데이터 신호를 공급하여 소거 어드레스 방전을 발생시키는 것이다.
또한, 계조 31을 구현하기 위해서는 제 1, 2, 3, 4, 5 서브필드를 온시키고, 계조 63을 구현하기 위해서는 제 1~6 서브필드를 온시키고, 계조 127을 구현하기 위해서는 제 1~7 서브필드를 온시키고, 계조 255를 구현하기 위해서는 모든 서브필드를 온시키면 된다.
이러한 방식으로 총 9가지의 계조를 구현하는 것이 가능하다.
이와 같이, 프레임이 선택적 소거 서브필드(제 2~8 서브필드)를 포함하는 경우에는 배치된 순서대로 차례로 선택하는 증분 코딩 방식으로 코딩이 가능하다.
다음, 도 8에는 한 프레임에서 선택적 쓰기 서브필드(SF1[SW], SF2[SW])의 개수가 2개인 경우, 즉 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 작은 경우의 계조 구현방법의 일례가 도시되어 있다.
도 8과 같이, 하나의 프레임은 총 8개의 서브필드(SF1~SF8)로 이루어지고, 여기서 제 1, 2 서브필드는 선택적 쓰기 서브필드이고, 제 3, 4, 5, 6, 7, 8 서브필드는 선택적 소거 서브필드인 것으로 가정하자.
이러한 경우, 계조 1을 구현하기 위해서는 제 1 서브필드를 온시키고, 나머 지 서브필드를 오프시키면 된다.
또한, 계조 2를 구현하기 위해서는 제 2 서브필드를 온시키고, 계조 3을 구현하기 위해서는 제 1 서브필드와 제 2 서브필드를 온시키고, 계조 6을 구현하기 위해서는 제 2 서브필드와 제 3 서브필드를 온시키면 된다.
또한, 계조 7을 구현하기 위해서는 제 1, 2, 3 서브필드를 온시키고, 계조 14를 구현하기 위해서는 제 2, 3, 4 서브필드를 온시키면 된다.
이러한 방식으로 총 16가지의 계조를 구현하는 것이 가능할 수 있다.
도 9는 영상 데이터의 휘도에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 이하에서는 이상에서 상세히 설명한 내용에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.
도 9를 살펴보면, 입력되는 영상 데이터의 휘도에 따라 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드(SW)의 개수를 다르게 조절할 수 있다.
바람직하게는, 입력되는 영상 데이터의 휘도가 감소하면 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시킬 수 있다. 예컨대, (b)와 같이 영상 데이터의 휘도가 상대적으로 작은 제 2 휘도인 제 2 프레임(Frame2)에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 (a)와 같이 영상 데이터의 휘도가 제 2 휘도보다 큰 제 1 휘도인 제 1 프레임(Frame1)에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수 보다 많을 수 있다.
입력되는 영상 데이터의 휘도는 그 영상 데이터의 평균전력레벨(Average Power Level : APL) 및 서브필드 맵핑(Sub-Field Mapping)된 데이터를 이용하여 계 산할 수 있다.
따라서 영상 데이터가 입력되면 우선적으로 그 영상 데이터의 평균전력레벨 및 서브필드 맵핑 데이터를 이용하여 휘도를 계산하고, 이후 계산된 휘도값에 따라 하나의 프레임에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절할 수 있다.
입력되는 영상 데이터의 휘도가 낮다는 것은 한 프레임 내에서 발생하는 방전의 횟수가 더 적다는 것을 의미할 수 있다. 따라서 영상 데이터의 휘도가 낮다는 것은 영상 데이터의 로드가 작다는 것과 의미가 실질적으로 동일할 수 있다.
따라서 영상 데이터의 휘도에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법은 영상 데이터의 로드에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법과 실질적으로 동일할 수 있다.
여기서, 실질적으로 동일하다는 것은 영상 데이터의 휘도에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법이 영상 데이터의 로드에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법과 100% 동일하다는 것은 아니고, 서로 다른 변수를 사용하더라도 동일한 처리 과정으로 동일한 결과를 획득할 수 있다는 것을 의미할 수 있다.
도 10은 평균전력레벨에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 10을 살펴보면, 평균전력레벨(Average Power Level : APL)은 전력소모를 고려하여 서스테인 신호의 개수를 조절하는 방법일 수 있다. 자세하게는, 전력소모가 증가하는 방향에서는 계조 당 서스테인 신호의 개수를 줄이고, 전력소모가 감소하는 방향에서는 계조 당 서스테인 신호의 개수를 증가시킬 수 있다.
예를 들어, (a)와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 화면상에서 상대적으로 작은 면적의 부분에 영상이 표시되는 경우(이러한 경우는 APL은 상대적으로 낮을 수 있다)에는 전력소모가 상대적으로 적을 수 있기 때문에 계조 당 서스테인 신호의 개수를 상대적으로 많게 할 수 있다. 그러면, 영상의 전체 휘도를 증가시킬 수 있다.
이와는 다르게, (b)와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 화면상에서 상대적으로 넓은 면적의 부분에 영상이 표시되는 경우(이러한 경우는 APL이 상대적으로 높은 경우일 수 있다)에는 전력소모가 상대적으로 많을 수 있기 때문에 계조 당 서스테인 신호의 개수를 상대적으로 적게 할 수 있다. 그러면 전력소모가 과도하게 증가하는 것을 방지할 수 있다.
그 일례로, 평균전력레벨이 a 레벨인 경우, 이 경우에서의 계조 당 서스테인 신호의 개수는 N개이다.
또한, 평균전력레벨이 a 레벨보다 높은 b 레벨인 경우, 이에 따른 계조 당 서스테인 신호의 개수는 N개 보다는 적은 M개일 수 있다.
이에 따라, 평균전력레벨이 b 레벨인 경우에 한 프레임에 할당되는 서스테인 신호의 총 개수는 평균전력레벨이 a 레벨인 경우에 한 프레임에 할당되는 서스테인 신호의 총 개수에 비해 더 적을 수 있다.
도 11은 영상 데이터의 평균전럭레벨에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 이하에서는 이상에서 상세히 설명한 내용에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.
도 11을 살펴보면, 입력되는 영상 데이터의 평균전력레벨에 따라 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드(SW)의 개수를 다르게 조절할 수 있다.
바람직하게는, 입력되는 영상 데이터의 평균전력레벨이 감소하면 하나의 프레임에 포함되는 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시킬 수 있다. 예컨대, (b)와 같이 영상 데이터의 평균전력레벨이 상대적으로 낮은 제 2 레벨(APL2)인 제 2 프레임(Frame2)에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 (a)와 같이 영상 데이터의 평균전력레벨이 제 2 레벨(APL2)보다 높은 제 1 레벨(APL1)인 제 1 프레임(Frame1)에 포함된 선택적 쓰기 서브필드의 개수 보다 많을 수 있다.
입력되는 영상 데이터의 평균전력레벨이 낮다는 것은 한 프레임 내에서 발생하는 방전의 횟수가 더 적다는 것을 의미할 수 있다. 따라서 영상 데이터의 평균전력레벨이 낮다는 것은 영상 데이터의 로드 또는 휘도가 작다는 것과 의미가 실질적으로 동일할 수 있다.
따라서 영상 데이터의 평균전력레벨에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법은 영상 데이터의 로드 또는 휘도에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법과 실질적으로 동일할 수 있다.
여기서, 실질적으로 동일하다는 것은 영상 데이터의 평균전력레벨에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법이 영상 데이터의 로드 또는 휘도에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법과 100% 동일하다는 것은 아니고, 서로 다른 변수를 사용하더라도 동일한 처리 과정으로 동일한 결과를 획득할 수 있다는 것을 의미할 수 있다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해 설명하기 위한 도면.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대해 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치에서 영상의 계조를 구현하기 위한 영상 프레임(Frame)에 대해 설명하기 위한 도면.
도 4a 내지 도 4c는 플라즈마 디스플레이 장치의 동작의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 5는 영상 데이터의 로드에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 6은 입력되는 영상 데이터의 로드가 상대적으로 큰 경우에서의 동작의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 7 내지 도 8은 계조의 구현방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 9는 영상 데이터의 휘도에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 10은 평균전력레벨에 대해 설명하기 위한 도면.
도 11은 영상 데이터의 평균전력레벨에 따라 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 조절하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면.

Claims (12)

  1. 스캔 전극을 포함하고, 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Subfield)와, 상기 선택적 소거 서브필드 이전에 배치되는 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Subfield)를 포함하는 프레임으로 영상을 구현하는 플라즈마 디스플레이 패널; 및
    입력되는 영상 데이터의 로드(Load)에 따라 하나의 상기 프레임에 포함되는 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 다르게 조절하는 구동부;
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동부는
    상기 영상 데이터의 로드가 감소하면 하나의 상기 프레임에 포함되는 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시키는 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 영상 데이터의 로드가 제 1 로드인 경우 하나의 상기 프레임에 포함된 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 제 1 개수이고,
    상기 영상 데이터의 로드가 제 1 로드보다 작은 제 2 로드인 경우 하나의 상기 프레임에 포함된 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 상기 제 1 개수보다 많은 제 2 개수인 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Subfield)와, 상기 선택적 소거 서브필드 이전에 배치되는 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Subfield)를 포함하는 프레임으로 영상을 구현하는 플라즈마 디스플레이 패널; 및
    입력되는 영상 데이터의 평균 전력 레벨(Average Power Level : APL)에 따라 하나의 상기 프레임에 포함되는 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 다르게 조절하는 구동부;
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 구동부는
    상기 영상 데이터의 평균 전력 레벨이 감소하면 하나의 상기 프레임에 포함되는 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시키는 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 영상 데이터의 평균 전력 레벨이 제 1 레벨(APL1)인 경우 하나의 상기 프레임에 포함된 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 제 1 개수이고,
    상기 영상 데이터의 평균 전력 레벨이 제 1 레벨보다 낮은 제 2 레벨(APL2) 인 경우 하나의 상기 프레임에 포함된 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 상기 제 1 개수보다 많은 제 2 개수인 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 스캔 전극을 포함하고, 적어도 하나의 선택적 소거 서브필드(Selective Erasing Subfield)와, 상기 선택적 소거 서브필드 이전에 배치되는 적어도 하나의 선택적 쓰기 서브필드(Selective Writing Subfield)를 포함하는 프레임으로 영상을 구현하는 플라즈마 디스플레이 패널; 및
    입력되는 영상 데이터의 휘도에 따라 하나의 상기 프레임에 포함되는 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 다르게 조절하는 구동부;
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 구동부는
    상기 영상 데이터의 휘도가 감소하면 하나의 상기 프레임에 포함되는 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수를 증가시키는 플라즈마 디스플레이 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 영상 데이터의 휘도가 제 1 휘도인 경우 하나의 상기 프레임에 포함된 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 제 1 개수이고,
    상기 영상 데이터의 휘도가 제 1 휘도보다 작은 제 2 휘도인 경우 하나의 상 기 프레임에 포함된 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 상기 제 1 개수보다 많은 제 2 개수인 플라즈마 디스플레이 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나의 상기 프레임에 포함된 상기 선택적 쓰기 서브필드의 개수는 최소 1개이고, 최대 2개인 플라즈마 디스플레이 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 선택적 쓰기 서브필드에서는 리셋 기간에서 상기 스캔 전극에 리셋 신호가 공급되고,
    상기 선택적 소거 서브필드에서는 리셋 기간이 생략되는 플라즈마 디스플레이 장치,
  12. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 선택적 쓰기 서브필드는 상기 어드레스 기간에서 상기 어드레스 전극에 데이터 신호가 공급된 방전셀을 상기 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 온(On)시키는 서브필드이고,
    상기 선택적 소거 서브필드는 상기 어드레스 기간에서 상기 어드레스 전극에 데이터 신호가 공급된 방전셀을 상기 어드레스 기간 이후의 서스테인 기간에서 오프(Off)시키는 서브필드인 플라즈마 디스플레이 장치.
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