KR20100056321A - 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버 - Google Patents
다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100056321A KR20100056321A KR1020080115437A KR20080115437A KR20100056321A KR 20100056321 A KR20100056321 A KR 20100056321A KR 1020080115437 A KR1020080115437 A KR 1020080115437A KR 20080115437 A KR20080115437 A KR 20080115437A KR 20100056321 A KR20100056321 A KR 20100056321A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plasma processing
- plasma
- electrode
- microwaves
- microwave
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32311—Circuits specially adapted for controlling the microwave discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버는 플라즈마가 발생되는 공간을 한정하는 챔버 몸체, 마이크로웨이브를 공급받아 구동되는 복수개의 다분할 전극과 상기 다분할 전극이 장착되는 전극 장착 부재를 포함하는 다분할 전극 어셈블리, 및 상기 다분할 전극으로 공급되는 마이크로웨이브를 발생하기 위한 마이크로웨이브 발생원을 포함한다. 본 발명의 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 장치에 의하면, 복수개의 다분할 전극을 이용하여 대면적으로 확장이 용이하며 복수개의 다분할 전극으로 공급되는 마이크로웨이브의 전력 비율을 가변적으로 제어할 수 있어서 플라즈마 발생 효율을 높일 수 있다.
마이크로웨이브, 플라즈마, 다분할 전극
Description
본 발명은 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버에 관한 것으로, 구체적으로는 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 양이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 집적 회로 장치, 액정 디스플레이, 태양 전지등과 같은 장치를 제조하기 위한 여러 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
플라즈마를 발생시키기 위한 방법으로서, 가속입자를 원자 혹은 분자에 충돌시킴으로서 이온화시키기도 하지만, 산업적으로 응용되고 있는 플라즈마는 주로 외부에서 전기장을 인가하여 가스방전을 유도함으로써 이온화 되면서도 전체적으로 중성인 부나 혹은 원자들로 구성되어 있다. 플라즈마 종류는 이러한 전기장 인가방식에 있어서 사용되는 주파수에 따라 여러 가지가 있으며 그 중 하나가 마이크로 웨이브(Microwave) 플라즈마이다. 마이크로웨이브 플라즈마는 손쉽게 활성입자(Free radicals)를 대량 발생시킬 수 있고 플라즈마 속의 전자들은 중성입자들과 상호 작용하여 중성입자들을 들뜬 에너지 상태로 만들기 때문에 매우 효율적인 화학반응을 유도할 수 있는 것으로 알려져 있다.
최근 반도체 제조 산업에서는 반도체 소자의 초미세화, 반도체 회로를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판이나 유리 기판 또는 플라스틱 기판과 같은 피처리 기판의 대형화 그리고 새로운 처리 대상 물질의 개발되고 있는 등과 같은 여러 요인으로 인하여 더욱 향상된 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다. 특히, 대면적의 피처리 기판에 대한 우수한 처리 능력을 갖는 향상된 플라즈마 소스 및 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다.
피처리 기판의 대형화는 전체적인 생산 설비의 대형화를 야기하게 된다. 생산 설비의 대형화는 전체적인 설비 면적을 증가시켜 결과적으로 생산비를 증가시키는 요인이 된다. 그럼으로 가급적 설비 면적을 최소화 할 수 있는 플라즈마 반응기 및 플라즈마 처리 시스템이 요구되고 있다. 특히, 반도체 제조 공정에서는 단위 면적당 생산성이 최종 재품의 가격에 영향을 미치는 중요한 요인의 하나로 작용한다.
본 발명의 목적은 대면적으로 확장이 용이한 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 마이크로웨이브를 효율적으로 공급할 수 있어서 플라즈마 발생 효율을 높일 수 있는 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버는: 플라즈마가 발생되는 공간을 한정하는 챔버 몸체; 마이크로웨이브를 공급받아 구동되는 복수개의 다분할 전극과 상기 다분할 전극이 장착되는 전극 장착 부재를 포함하는 다분할 전극 어셈블리; 및 상기 다분할 전극으로 공급되는 마이크로웨이브를 발생하기 위한 마이크로웨이브 발생원을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 마이크로웨이브 발생원으로부터 제공되는 마이크로웨이브를 상기 복수개의 다분할 전극으로 분할 공급하는 스위칭 회로와 상기 스위칭 회로의 스위칭 동작을 제어하는 스위칭 제어부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 스위칭 회로는 복수개의 스위칭 반도체 소자를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 다분할 전극으로 분할 공급되는 마이크로웨이브의 전력의 비율은 상기 스위칭 회로의 스위칭 동작에 따라서 가변 가능하다.
일 실시예에 있어서, 상기 챔버 몸체의 내부에 구비되며 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대로 바이어스 전원을 공급하기 위한 하나 이상 의 바이어스 전원 공급원을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 전극 장착 부재는 복수개의 가스 공급홀을 포함한다.
본 발명의 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 장치에 의하면, 복수개의 다분할 전극을 이용하여 대면적으로 확장이 용이하며 복수개의 다분할 전극으로 공급되는 마이크로웨이브의 전력 비율을 가변적으로 제어할 수 있어서 플라즈마 발생 효율을 높일 수 있다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버의 개략적인 구성도이고, 도 2는 다분할 전극 어셈블리의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버(10)는 플라즈마가 발생되는 공간을 한정하는 챔버 몸체(11)와 챔버 몸체(11)의 상부에 구성되는 다분할 전극 어셈블리(30)를 구비한다. 챔버 몸체(11)의 내부에는 피처리 기판(W)이 놓이는 기판 지지대(14)가 구비된다. 도면에는 구체적으로 도시되지는 않았으나 가스 공급원으로부터 제공되는 공정 가스는 챔버 몸체(11)의 내부로 공급되며, 진공 펌프(18)에 의해서 배기된다. 다분할 전극 어셈블리(30)는 마이크로웨이브를 공급받아 구동되는 복수개의 다분할 전극(33)과 복수개의 다분할 전극(33)이 장착되는 전극 장착 부재(31)를 포함한다. 복수개의 다분할 전극(33)은 마이크로웨이브 발생원(40)에 전기적으로 연결되어 마이크로웨이브를 공급받아 구동되어 챔버 몸체(11)의 내부에 플라즈마를 발생시킨다. 챔버 몸체(11)의 내부에 발생된 플라즈마에 의해서 피처리 기판(W)에 대한 기판 처리 공정이 이루어진다.
챔버 몸체(11)는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 제작될 수 있다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 제작될 수도 있다. 또는 탄소나노튜브가 공유 결합된 복합 금속을 사용할 수도 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 제작될 수도 있다. 이와 같이 챔버 몸체(11)는 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 어떠한 물질로도 제작될 수 있다. 챔버 몸체(11)의 구조는 피처리 기판(W)에 따라 그리고 플라즈마의 균일한 발생을 위하여 적합한 구조 예를 들어, 원형 구조나 사각형 구조 그리고 이외에도 어떠한 형태의 구조를 가질 수 있다. 피처리 기판(13)은 예를 들 어, 반도체 장치, 디스플레이 장치, 태양전지 등과 같은 다양한 장치들의 제조를 위한 웨이퍼 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판 등과 같은 기판들이다. 본 발명의 실시예에서 플라즈마 처리 챔버(10)는 대기압 이하의 저압 상태에서 피처리 기판(W)에 대한 플라즈마 처리가 이루어진다. 그러나 플라즈마 처리 챔버(10)는 대기압에서 피처리 기판을 처리하는 대기압의 플라즈마 처리 시스템에서도 사용이 가능하다.
플라즈마 처리 챔버(10)의 내부에는 피처리 기판(W)을 지지하기 위한 기판 지지대(14)가 구비된다. 기판 지지대(12)는 바이어스 전원 공급원(20, 21)에 연결되어 바이어스 된다. 예를 들어, 서로 다른 무선 주파수 전원을 공급하는 두 개의 바이어스 전원 공급원(20, 21)이 공통 임피던스 정합기(22)(또는 각각의 임피던스 정합기)를 통하여 기판 지지대(14)에 전기적으로 연결된다. 기판 지지대(14)의 이중 바이어스 구조는 플라즈마 처리 챔버(10)의 내부에 플라즈마 발생을 용이하게 하고, 플라즈마 이온 에너지 조절을 더욱 개선시켜 공정 생산력을 향상 시킬 수 있다. 또는 단일 바이어스 구조로 변형 실시할 수도 있다. 또는 기판 지지대(14)는 바이어스 전원의 공급 없이 제로 퍼텐셜(zero potential)을 갖는 구조로 변형 실시될 수도 있다. 그리고 기판 지지대(14)는 정전척을 포함할 수 있다. 또는 기판 지지대(14)는 히터를 포함할 수 있다. 기본적으로 기판 지지대(14)는 고정형 또는 수직으로 승하강이 가능한 구조로 구성된다. 또는 기판 지지대(14)는 평행하게 선형 또는 회전 이동 가능한 구조를 갖는다. 이러한 이동 가능한 구조에서 기판 지지대(14)를 선형 또는 회전 이동하기 위한 구동 메커니즘을 포함할 수 있다. 챔버 몸체(11)의 하부에 가스의 균일한 배기를 위하여 배기 배플(미도시)이 구성될 수 있다.
챔버 몸체(11)의 내부로 공정 가스를 공급하기 위한 구조는 예를 들어, 다분할 전극 어셈블리(30)를 통하여 공급되는 구조를 가질 수 있다. 이를 위하여, 전극 장착 부재(31)에는 복수개의 가스 공급홀(32)을 구비할 수 있다. 복수개의 가습 공급홀(32)은 복수개의 다분할 전극(33) 사이에 배치되는 구조일 수 있다. 가스 공급 구조는 하나의 가스 공급 채널로 구성되거나, 둘 이상의 독립된 서로 다른 가스 공급 채널로 구성될 수도 있다. 서로 다른 가스를 독립적으로 분리 공급하여 플라즈마 처리의 효율을 높일 수 있다.
도 3은 다분할 전극 어셈블리로 마이크로웨이브를 분할 공급하기 위한 스위칭 회로의 회로도이다.
도 3을 참조하여, 복수개의 다분할 전극(33)으로 마이크로웨이브를 분배 공급하기 위하여 스위칭 회로(41)와 스위칭 제어부(41)가 구비된다. 스위칭 회로(41)는 복수개의 스위칭 반도체 소자로 구성될 수 있으며, 스위칭 제어부(41)의 제어 신호에 따라서 구동되어 복수개의 다분할 전극(33)으로 분할 공급되는 마이크로웨이브의 전력의 비율이 가변 가능하다. 전력 비율을 제어함으로서 챔버 몸체(11)의 내부에 보다 균일한 대면적의 플라즈마를 발생할 수 있으며 플라즈마 이온에너지에 대한 제어 능력을 높일 수 있다.
이상에서 설명된 본 발명의 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버는 반도체 집적 회로의 제조, 평판 디스플레이 제조, 태양전지의 제조와 같은 다양한 종류의 반도체 장치의 제조에 매우 유용하게 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버의 개략적인 구성도이다.
도 2는 다분할 전극 어셈블리의 평면도이다.
도 3은 다분할 전극 어셈블리로 마이크로웨이브를 분할 공급하기 위한 스위칭 회로의 회로도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 플라즈마 처리 챔버 11: 챔버 몸체
14: 기판 지지대 18: 진공 펌프
20, 21: 바이어스 전원 22: 임피던스 정합기
30: 다분할 전극 어셈블리 31: 전극 장착 부재
32: 가스 유입구 33: 다분할 전극
40: 마이크로웨이브 발생원 41: 스위칭 회로
42: 스위칭 제어부 W: 피처리 기판
Claims (6)
- 플라즈마가 발생되는 공간을 한정하는 챔버 몸체;마이크로웨이브를 공급받아 구동되는 복수개의 다분할 전극과 상기 다분할 전극이 장착되는 전극 장착 부재를 포함하는 다분할 전극 어셈블리; 및상기 다분할 전극으로 공급되는 마이크로웨이브를 발생하기 위한 마이크로웨이브 발생원을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버.
- 제1항에 있어서,상기 마이크로웨이브 발생원으로부터 제공되는 마이크로웨이브를 상기 복수개의 다분할 전극으로 분할 공급하는 스위칭 회로와상기 스위칭 회로의 스위칭 동작을 제어하는 스위칭 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버.
- 제2항에 있어서,상기 스위칭 회로는 복수개의 스위칭 반도체 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버.
- 제2항에 있어서,상기 복수개의 다분할 전극으로 분할 공급되는 마이크로웨이브의 전력의 비율은 상기 스위칭 회로의 스위칭 동작에 따라서 가변 가능한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버.
- 제1항에 있어서,상기 챔버 몸체의 내부에 구비되며 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대; 및상기 기판 지지대로 바이어스 전원을 공급하기 위한 하나 이상의 바이어스 전원 공급원을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버.
- 제1항에 있어서,상기 전극 장착 부재는 복수개의 가스 공급홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080115437A KR101533711B1 (ko) | 2008-11-19 | 2008-11-19 | 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080115437A KR101533711B1 (ko) | 2008-11-19 | 2008-11-19 | 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100056321A true KR20100056321A (ko) | 2010-05-27 |
| KR101533711B1 KR101533711B1 (ko) | 2015-07-06 |
Family
ID=42280493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080115437A KR101533711B1 (ko) | 2008-11-19 | 2008-11-19 | 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101533711B1 (ko) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09312271A (ja) * | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法 |
| JP3586197B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2004-11-10 | シャープ株式会社 | 薄膜形成用プラズマ成膜装置 |
| KR100886240B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2009-03-02 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 다중 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기 및 이를위한 다중 안테나 구동 시스템 |
-
2008
- 2008-11-19 KR KR1020080115437A patent/KR101533711B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101533711B1 (ko) | 2015-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI751637B (zh) | 用於循環與選擇性材料移除與蝕刻的處理腔室 | |
| KR101495940B1 (ko) | 단일 평면 안테나를 갖는 유도성 커플링된 듀얼 구역 프로세싱 챔버 | |
| US6664737B1 (en) | Dielectric barrier discharge apparatus and process for treating a substrate | |
| US6216632B1 (en) | Plasma processing system | |
| JP5377749B2 (ja) | プラズマ生成装置 | |
| KR101200726B1 (ko) | 상하 다중 분할 전극이 구비된 플라즈마 반응기 | |
| CN105555001A (zh) | 一种常压辉光等离子体装置 | |
| KR100803825B1 (ko) | 플라즈마 식각 시스템 | |
| KR101167952B1 (ko) | 대면적의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 반응기 | |
| KR101585891B1 (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
| JP2009123906A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR101533711B1 (ko) | 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버 | |
| KR100271767B1 (ko) | 플라즈마를 이용하는 반도체장치 제조설비 | |
| KR101138609B1 (ko) | 효율적인 라디칼 생성을 위한 플라즈마 발생장치 | |
| KR101173643B1 (ko) | 다중 플라즈마 발생 영역을 갖는 플라즈마 반응기 | |
| KR20110090132A (ko) | 가변형 용량 결합 전극을 구비한 플라즈마 반응기 | |
| KR100921635B1 (ko) | 플라즈마 기판 처리 장치 | |
| CN205160898U (zh) | 一种常压辉光等离子体装置 | |
| KR101002260B1 (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
| US20240128053A1 (en) | Multi-channel pulse rf power supply apparatus | |
| KR20110027900A (ko) | 플라즈마 발생장치 및 기판 처리장치 | |
| KR101139824B1 (ko) | 대면적의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 반응기 | |
| KR101272101B1 (ko) | 상압 플라즈마 헤더 | |
| KR100581858B1 (ko) | 유도결합형 플라즈마 처리장치 | |
| TWI851944B (zh) | 用於循環與選擇性材料移除與蝕刻的處理腔室 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180622 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190621 Year of fee payment: 5 |