KR20100036658A - 산화 아연 나노 패턴 형성방법 - Google Patents

산화 아연 나노 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

산화 아연 나노 패턴 형성방법이 개시된다. 산화 아연 나노 패턴은 기판 상에 유기물 패턴들을 형성하고, 유기물 패턴들 사이에 금속 패턴들을 형성하고, 유기물 패턴들을 선택적으로 제거한 후, 금속 패턴들 사이에 산화아연 패턴들을 형성하고, 금속 패턴들을 선택적으로 제거하여 형성될 수 있다.
나노 패턴, 산화아연, 임프린트, 이빔

Description

산화 아연 나노 패턴 형성방법{METHOD OF FORMING ZnO NANO PATTERN}
본 발명은 산화아연을 포함하는 나노 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
전자 산업이 발달하면서, 고용량 및 고속의 전자장치가 요구되고 있다. 고용량 및 고속의 전자장치를 생산하기 위해, 고집적도의 반도체 소자가 요구된다.
반도체 소자의 집적도를 향상시키기 위해, 반도체 소자의 디자인 룰이 감소되고 있다. 반도체 소자의 디자인 룰에 맞는 패턴을 형성하기 위해, 향상된 패터닝 기술이 요구된다. 그러나, 미세한 패턴을 형성하고자 할수록, 공정 비용은 증가하며, 공정조건은 까다로워진다.
본 발명의 기술적 과제는 단순한 공정에 의하면서도 미세한 패턴을 형성할 수 있는 산화 아연 나노 패턴 형성방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 산화 아연 나노 패턴 형성방법은 기판 상에 유기물 패턴들을 형성하는 단계, 상기 유기물 패턴들 사이에 금속 패턴들을 형성하는 단 계, 상기 유기물 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계, 상기 금속 패턴들 사이에 산화아연 패턴들을 형성하는 단계 및 상기 금속 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 금속 패턴들을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 상기 유기물 패턴들보다 낮은 높이의 금속막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 금속 패턴들을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 상기 유기물 패턴들보다 낮은 높이의 알루미늄막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 금속 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계는 상기 금속 패턴들을 리프트 오프시키는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 금속 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계는 상기 기판을 수산화나트륨 수용액에 딥핑하는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 금속 패턴들 사이에 상기 산화아연 패턴들을 형성하는 단계는 상기 금속 패턴들 사이에 산화아연 시드층을 형성하도록 상기 기판을 시드 용액에 담그는 단계 및 상기 산화아연 시드층으로부터 산화아연층이 형성되도록 상기 기판을 전구체 용액에 담그는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 유기물 패턴들을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 유기물질막을 형성하는 단계, 상기 유기물질막 상에 식각 마스크를 형성하는 단계 및 상기 식각 마스크에 의해 노출된 상기 유기물질막을 식각하여 상기 식각 마스크보다 좁은 폭을 갖는 상기 유기물 패턴들을 형성하는 단계를 포함할 수 있 다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 식각 마스크를 형성하는 단계는 나노 임프린트 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 유기물 패턴들을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 유기물질막을 형성하는 단계 및 상기 유기물질막에 대해 전자빔 리소그래피를 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 유기물 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계는 상기 유기물 패턴들을 리프트 오프(lift-off) 시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 알루미늄 패턴을 주형패턴으로 이용하여 산화아연 패턴이 형성되므로, 고온 공정이 가능하여, 공정 온도 등의 제약이 적을 수 있다. 알루미늄 패턴이 용이하게 제거될 수 있으므로 공정이 단순화될 수 있다. 또한, 고가인 촉매의 사용없이 산화아연 패턴이 형성될 수 있으므로 공정 비용이 감소될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 산화아연 패턴을 형성하기 위한 주형패턴을 형성하기 위해 사용되는 유기물질 패턴의 폭을 원하는 선폭으로 감소시킬 수 있으므로, 나노 사이즈의 선폭을 갖는 산화아연 패턴이 용이하게 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 산화아연 패턴이 형성될 영역에 이빔 공정에 의해 나노 사이즈 선폭의 유기물질 패턴이 형성되어, 나노 사이즈의 산화아연 패턴이 용이하게 형성될 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 설명한다. 본 발명의 목적(들), 특징(들) 및 장점(들)은 첨부된 도면과 관련된 이하의 실시 예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에서 동일한 기능을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기하였다.
본 명세서에서, 도전성막, 반도체막, 또는 절연성막 등의 어떤 물질막이 다른 물질막 또는 기판상에 있다고 언급되는 경우에, 그 어떤 물질막은 다른 물질막 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 또 다른 물질막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또, 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어가 다양한 부분, 물질 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 부분이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 또한 이들 용어들은 단지 어느 소정 부분을 다른 부분과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시예에의 제 1 부분으로 언급된 것이 다른 실시예에서는 제 2 부분으로 언급될 수도 있다.
본 명세서에서 '및/또는'이라는 용어는 이 용어 앞뒤에 열거된 구성들 중 어느 하나 또는 모두를 가리키는 것으로 이해되어야 한다.
도 1 내지 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 산화 아연 나노 패턴의 형성방 법을 나타낸다.
도 1을 참조하면, 스템프(110)가 준비될 수 있다. 상기 스템프(110)는 돌출된 패턴들(110a)과 오목한 영역들(110b)을 가질 수 있고, 상기 돌출된 패턴들(110a)은 미세 패턴으로써, 닷(dot) 형태 또는 라인 형태를 가질 수 있다. 상기 돌출된 패턴들(110a)은 약 20 내지 30 nm의 직경 또는 선폭(또는 간격)을 가질 수 있다.
상기 스템프(110)는 석영으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 스템프(110)는 석영 기판 상에 포토레지스트막을 코팅하는 단계, 및 상기 포토레지스트막에 대해 전자 빔 리소그래피 공정(Electron Beam lithography)을 수행하는 단계에 의해 제작될 수 있다. 상기 전자 빔 리소그래피 공정에 의해 형성된 포토레지스트 패턴에 의해 상기 석영 기판을 식각함으로써, 상기 돌출된 패턴들(110a)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 석영 기판과 상기 포토레지스트막 간의 접착력을 향상시키도록 상기 석영 기판과 상기 포토레지스트막 사이에 접착막(예를 들면, 크롬막)이 형성될 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴(및 상기 크롬막)은 제거될 수 있다.
이와 같이 준비된 상기 스템프(110)의 표면 상에 존재하는 불순물(예를 들면, 유기물)을 제거하기 위해, 전처리 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 전처리 공정은 피라냐(piranha)(H2SO4:H2O2=3:1 부피비)와 같은 전처리 용액을 이용하여 수행될 수 있다.
기판(120) 상에 절연막(130)이 형성될 수 있다. 상기 기판(120)은 GaAs 기판, 실리콘 기판, 인듐 주석 산화물(Induim-Tin-Oxide:ITO) 기판, 유리 기판 또는 플렉서블 폴리머 기판일 수 있다. 상기 절연막(130)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 절연막(130) 상에 유기물질막으로써, 포토레지스트막(140)이 형성될 수 있다. 상기 포토레지스트막(140)은 예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA : PolyMethylMethAcrylate)를 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트막(140)은 스핑 코팅에 의해 형성될 수 있다.
상기 포토레지스트막(140) 상에 경화성 물질(150)이 디스펜싱(dispensing)될 수 있다. 상기 경화성 물질(150)은 광 경화성 물질일 수 있으며, 예를 들면, 아크릴(acrylic) 계통의 모노머 및 경화 개시제를 포함하는 혼합물일 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 스템프(110)를 상기 포토레지스트막(140) 상에 압착시킬 수 있다. 이로써, 상기 스템프(110)의 상기 돌출된 패턴들(110a)은 상기 포토레지스트막(140)과 접촉하고, 상기 오목한 영역(110b)으로 상기 경화성 물질(150)이 밀려 들어갈 수 있다. 이때, 상기 스템프(110)와 상기 경화성 물질(150)과의 접착력을 감소시키도록, 상기 스템프(110)의 표면이 처리될 수 있다. 예를 들면, 상기 스템프(110)의 표면은 트리데카플루오로-1,1,2,2, 테트라하이드로옥틸 트리클로로실란(tridecafluoro -1,1,2,2, tetrahydrooctyl trichlorosilane) (CH3-(CH2)5-CH2-CH2SiCl3)과 같은 물질로 자기 조립(self assembly) 방식에 의해 코팅될 수 있다.
도 3 및 4를 참조하면, 상기 결과물에 자외선(Ultra-Violet:UV)이 조사될 수 있다. 상기 자외선이 상기 스템프(110)를 투과하여 상기 경화성 물질(150)에 조사될 수 있다. 이로써, 상기 경화성 물질(150)이 경화되어 제1 폭(W1)을 갖는 식각 마스크(155)가 형성될 수 있다. 이후, 상기 스템프(110)가 상기 기판(120)으로부터 제거될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 식각 마스크(155)를 이용하여, 상기 식각 마스크(155) 사이에 노출된 상기 포토레지스트막(140)이 제거될 수 있다. 이때, 상기 식각 마스크(155) 사이에 잔류할 수 있는 경화성 물질의 잔류물이 함께 제거될 수 있다. 상기 포토레지스트막(140)은 건식 식각 공정에 의해 제거될 수 있다. 상기 식각 공정에 의해 상기 절연막(130) 상에 포토레지스트 패턴들(145)이 형성될 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴들(145)은 상기 제1 폭(W1)보다 작은 제2 폭(W2)를 가질 수 있다.
상기 건식 식각 공정은 유도결합플라즈마(Inductively Coupled Plasma:ICP) 식각 공정일 수 있다. 이때, 파워는 약 50W의 RF(Radio Frequency)이고, 압력은 약 30 mtorr, 산소(O2)의 유량은 약 20 sccm 일 수 있다. 산소 분위기에서, 상기 포토레지스트막(140)의 상부면이 식각되고 이어서 노출된 측면이 식각되어 상기 식각 마스크(155)보다 좁은 폭을 갖는 상기 포토레지스트 패턴들(145)이 형성될 수 있다. 플라즈마 처리시간은 상기 포토레지스트막(140)의 잔존 두께에 따라 조절될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 결과물 상에 금속막(160)이 형성될 수 있다. 상기 금속막(160)은, 예를 들면, 알루미늄막일 수 있다. 상기 금속막(160)은 상기 포토레지스트 패턴들(145)보다 얇은 두께로 형성될 수 있다. 상기 알루미늄막은 약 10-6 torr이하의 진공에서 열증착(thermal deposigion)될 수 있다. 이때, 그림자 효과(shadow effect)에 의해, 상기 알루미늄막은 상기 절연막(130)과 상기 식각 마스크(155) 상에 불연속적으로 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴들(145) 및 상기 식각 마스크(155)가 선택적으로 제거되어, 상기 절연막(130) 상에 금속 패턴들(165)이 형성될 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴들(145)은 리프트 오프(lift-off) 방식으로 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 결과물은 상기 포토레지스트 패턴들(145)을 용해시킬 수 있는 용액(예를 들면, 아세톤)에 침지된 후, 초음파 처리될 수 있다. 결과적으로, 상기 포토레지스트 패턴들(145)이 제거되면서 상기 포토레지스트 패턴들(145) 상의 상기 식각 마스크(155)가 상기 기판(120)으로부터 제거될 수 있다.
상기 금속 패턴들(165)은 상기 포토레지스트 패턴들(145)의 폭만큼 이격되어 배치될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 금속 패턴들(165)을 주형(template)으로 이용하여, 상기 결과물 상에 제1 코팅액을 이용하여 시드층(170)이 형성될 수 있다. 상기 제1 코팅액은 상기 결과물 상에 스핀 코팅될 수 있다. 이후, 상기 제1 코팅액에 의해 형성된 코팅막 내의 유기 용매를 제거하기 위해, 어닐링 공정이 수행될 수 있다. 상기 시드층(170)의 두께는 상기 스핀 코팅 및 상기 어닐링 공정을 반복하여 조절될 수 있다. 상기 시드층(170)은 상기 절연막(130)과 상기 금속 패턴들(165) 상에 불연속적으로 형성될 수 있다.
상기 제1 코팅액은 초산아연(Zinc acetate dehydrate) 용액일 수 있다. 상기 제1 코팅액을 제조하기 위해, 유기 용액에 초산아연이 혼합될 수 있다. 상기 유기용매는 메탄올(methanol)과 2-메톡시 에탄올(2-methoxyethanol)의 혼합액(예를 들면, methanol: 2-methoxyethanol=1:1 부피비)일 수 있다. 상기 시드층(170)의 코팅성을 고려하여, 상기 초산아연 용액은 약 0.1 내지 1 M일 수 있다.
도 9를 참조하면, 전구체 용액을 이용하여, 상기 시드층(170)으로부터 산화아연층(ZnO, zinc oxide)(175)이 성장될 수 있다. 상기 결과물은 상기 전구체 용액 내에 침지될 수 있다. 상기 전구체 용액의 온도 및 침지 시간을 조절하여, 상기 산화아연층(175)의 성장 속도 및 막질이 조절될 수 있다. 상기 산화아연층(175)은 상기 시드층(170)을 시드로하여 성장되므로, 상기 시드층(170) 상에 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 전구체 용액(Precursor solution)은 징크 나이트레이트 헥사드레이트(zinc nitrate hexadrate) 용액일 수 있다. 예를 들면, 상기 징크 나이트레이트 헥사드레이트 용액은 탈이온수(deionized water)에 징크 나이트레이트 헥사드레이트(zinc nitrate hexadrate) 및 헥사메틸렌테트라민(Hexamethylenetetramin:HMTA)을 용해시켜 준비될 수 있다. 상기 징크 나이트레이트 헥사드레이트 용액의 농도는 상기 산화아연층(175)의 성장속 도를 고려하여, 약 0.005 내지 0.05 M 일 수 있다.
상기 산화아연층(175)은 나노로드(nanorod) 또는 나노와이어(nanowire) 형태로 성장될 수 있다. 상기 절연막(130) 상에 성장된 상기 산화아연층(175)의 상부면은 상기 금속패턴들(165)의 상부면보다 낮을 수 있다.
상기 금속 패턴들(165), 예를 들면, 알루미늄 패턴을 이용하여, 상기 시드층(170) 및 상기 산화아연층(175)이 고온공정에서도 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 금속 패턴들(165)이 선택적으로 제거되어 산화아연패턴들(180)이 상기 절연막(130) 상에 형성될 수 있다. 상기 금속 패턴들(165)은 리프트 오프(lift-off) 방식으로 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 결과물은 상기 금속 패턴들(165)을 용해시킬 수 있는 용액(예를 들면, 알루미늄 패턴인 경우, 수산화 나트륨 용액)에 침지될 수 있다. 결과적으로, 상기 금속 패턴들(165)이 제거되면서 상기 금속 패턴들(165) 상의 상기 산화아연층(175)이 제거될 수 있다.
따라서, 상기 절연막(130) 상에 상기 산화아연 패턴들(180)이 상기 금속 패턴들(165)의 폭만큼 이격되어 배치될 수 있다.
이하, 도 11 내지 13을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 산화 아연 나노 패턴의 형성방법이 설명된다. 앞서 설명된 내용과 동일한 내용은 간략하게 설명되거나, 생략될 수 있다.
도 11 및 12를 참조하면, 기판(120) 상에 절연막(130)이 형성될 수 있다. 상기 기판(120)은 GaAs 기판, 실리콘 기판, 인듐 주석 산화물(Induim-Tin-Oxide:ITO) 기판, 유리 기판 또는 플렉서블 폴리머 기판일 수 있다. 상기 절연막(130)은 실리 콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 절연막(130) 상에 포토레지스트막(140)이 형성될 수 있다. 상기 포토레지스트막(140)은 예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA : PolyMethylMethAcrylate), 폴리(1-부텐 설폰)(poly(1-butene sulfone)), 또는 폴리(메틸펜텐 설폰)(poly(methylpentene sulfone))과 노볼락 수지를 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트막(140)은 스핑 코팅에 의해 형성될 수 있다.
상기 포토레지스트막(140)에 선택적으로 전자빔(electron beam)이 조사될 수 있다. 상기 전자빔에 조사된 영역(140a)의 폭(Wa)은 비조사 영역(140b)의 폭(Wb)보다 넓을 수 있다. 이후, 현상 공정이 수행되어, 선택적으로 상기 전자빔이 조사된 영역(140a)의 포토레지스트가 제거되어 포토레지스트 패턴들(145)이 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 상기 결과물 상에 금속막(160)이 형성될 수 있다. 상기 금속막(160)은, 예를 들면, 알루미늄막일 수 있다. 상기 금속막(160)은 상기 포토레지스트 패턴들(145)보다 얇은 두께로 형성될 수 있다. 상기 알루미늄막은 약 10-6 torr이하의 진공에서 열증착(thermal deposigion)될 수 있다. 이때, 그림자 효과(shadow effect)에 의해, 상기 알루미늄막은 상기 절연막(130)과 상기 포토레지스트 패턴들(145) 상에 불연속적으로 형성될 수 있다.
도 13과 도 7을 다시 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴들(145)이 선택적으로 제거되어, 상기 절연막(130) 상에 금속 패턴들(165)이 형성될 수 있다. 상기 포 토레지스트 패턴들(145)은 리프트 오프(lift-off) 방식으로 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 결과물은 상기 포토레지스트 패턴들(145)을 용해시킬 수 있는 용액(예를 들면, 아세톤)에 침지된 후, 초음파 처리될 수 있다. 결과적으로, 상기 포토레지스트 패턴들(145)이 제거되면서 상기 포토레지스트 패턴들(145) 상에 위치한 상기 금속막(160)이 선택적으로 제거될 수 있다.
상기 금속 패턴들(165)은 상기 포토레지스트 패턴들(145)의 폭만큼 이격되어 배치될 수 있다.
이후, 도 8 내지 10의 단계들이 수행될 수 있다.
산화아연막은 약 3.37eV의 밴드 갭을 가지고, 높은 엑시톤 결합 에너지(exciton binding energy)를 가져 우수한 광학적 특성을 가지므로, 다양한 응용분야에 사용될 수 있다. 예를 들면, 산화아연막은 레이저 소스, 기체 센서, 및 솔라 셀 등에 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예에서 형성된 산화 아연 나노 패턴에 의해 고성능의 응용품이 제조될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1 내지 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 산화 아연 나노 패턴의 형성방법을 나타낸 개략도들이다.
도 11 내지 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 산화 아연 나노 패턴의 형성방법의 일부 단계들를 나타낸 개략도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 스템프 110a : 돌출된 패턴들
110b : 오목한 영역 120 : 기판
130 : 절연막 140 : 포토레지스트막
145 : 포토레지스트 패턴 150 : 경화성 물질
155 : 식각 마스크 160 : 금속막
165 : 금속패턴 170 : 시드층
175 : 산화아연막 180 : 산화아연 패턴
140a : 조사 영역 140b : 비조사 영역

Claims (10)

  1. 기판 상에 유기물 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 유기물 패턴들 사이에 금속 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 유기물 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계;
    상기 금속 패턴들 사이에 산화아연 패턴들을 형성하는 단계; 및
    상기 금속 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 패턴들을 형성하는 단계는:
    상기 기판 상에 상기 유기물 패턴들보다 낮은 높이의 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 패턴들을 형성하는 단계는:
    상기 기판 상에 상기 유기물 패턴들보다 낮은 높이의 알루미늄막을 형성하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계는:
    상기 금속 패턴들을 리프트 오프시키는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 금속 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계는:
    상기 기판을 수산화나트륨 수용액에 딥핑하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 패턴들 사이에 상기 산화아연 패턴들을 형성하는 단계는:
    상기 금속 패턴들 사이에 산화아연 시드층을 형성하도록 상기 기판을 시드 용액에 담그는 단계; 및
    상기 산화아연 시드층으로부터 산화아연층이 형성되도록 상기 기판을 전구체 용액에 담그는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기물 패턴들을 형성하는 단계는:
    상기 기판 상에 유기물질막을 형성하는 단계;
    상기 유기물질막 상에 식각 마스크를 형성하는 단계; 및
    상기 식각 마스크에 의해 노출된 상기 유기물질막을 식각하여 상기 식각 마스크보다 좁은 폭을 갖는 상기 유기물 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 식각 마스크를 형성하는 단계는 나노 임프린트 공정을 수행하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기물 패턴들을 형성하는 단계는:
    상기 기판 상에 유기물질막을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물질막에 대해 전자빔 리소그래피를 수행하는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기물 패턴들을 선택적으로 제거하는 단계는:
    상기 유기물 패턴들을 리프트 오프(lift-off) 시키는 단계를 포함하는 산화 아연 나노 패턴 형성방법.
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