KR20100036370A - Method for evaluating supporting body for multilayer film - Google Patents

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샤오리 두
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Abstract

Disclosed is a multilayer film obtained by forming an adhesive film containing an adhesive composition on the surface of a supporting body. This multilayer film is characterized in that the supporting body has a surface having a residual adhesion ratio Cof not less than 80%.

Description

적층 필름용 지지체의 평가 방법{METHOD FOR EVALUATING SUPPORTING BODY FOR MULTILAYER FILM}Evaluation method of support for laminated films {METHOD FOR EVALUATING SUPPORTING BODY FOR MULTILAYER FILM}

본 발명은, 적층 필름 및 그의 제조 방법, 적층 필름용 지지체의 선별 방법, 및 적층 필름용 지지체의 평가 방법에 관한 것이다.This invention relates to a laminated | multilayer film and its manufacturing method, the selection method of the support for laminated films, and the evaluation method of the support for laminated films.

반도체 및 액정 디스플레이 등의 정밀 전자 기기의 분야에서, 전자 재료를 기판 등에 고정하여 회로 접속을 행하기 위해 각종 접착제가 사용되고 있다. 이들 분야에서는 반도체칩이나 회로의 고밀도화 및 고정밀화가 진행되고 있기 때문에, 이들을 접착ㆍ고정하는 접착제에도 높은 접착력 및 신뢰성이 요구되고 있다.BACKGROUND ART In the field of precision electronic devices such as semiconductors and liquid crystal displays, various adhesives are used to fix circuits by fixing electronic materials to substrates and the like. In these fields, since high density and high precision of semiconductor chips and circuits are being advanced, high adhesive strength and reliability are required for adhesives for bonding and fixing them.

예를 들면, 액정 디스플레이와 TCP(테이프 캐리어 패키지)의 접속, FPC(연성 인쇄 회로)와 TCP의 접속 또는 FPC와 인쇄 배선판의 접속에는, 접착제 중에 도전성 입자를 분산시킨 이방 도전성 접착제가 사용되고 있다. 이것은, 회로 접속을 보다 확실하게 행하는 것을 의도하고 있다. 또한, 반도체 실리콘칩을 기판에 실장하는 경우, 종래의 와이어 본딩 대신에 반도체 실리콘칩을 페이스 다운으로 기판에 직접 실장하는 소위 플립칩 실장이 행해지고 있다. 이 경우에도, 이방 도전성 접착제의 적용이 개시되고 있다.For example, the anisotropic conductive adhesive which disperse | distributed electroconductive particle in the adhesive agent is used for the connection of a liquid crystal display and TCP (tape carrier package), the connection of FPC (flexible printed circuit) and TCP, or the connection of an FPC and a printed wiring board. This intends to perform circuit connection more reliably. In addition, when mounting a semiconductor silicon chip on a board | substrate, what is called flip chip mounting which mounts a semiconductor silicon chip directly to a board | substrate directly face-down instead of the conventional wire bonding is performed. Also in this case, application of the anisotropic conductive adhesive is disclosed.

상술한 접착제로서 전자 재료용의 접착 필름을 사용하는 경우, 사용 전의 접착 필름은, 통상적으로 그 주요면의 적어도 한쪽에 지지체를 구비하여 적층 필름을 구성하고 있다. 지지체는, 그 표면 위에 설치된 접착 필름을 용이하게 제거할 수 있도록, 상기 표면이 박리 처리제에 의해 피복되어 있는 경우가 많다. 또한, 이 박리 처리제는, 피착물을 지지체로부터 박리하기 쉽게 하기 위해, 박리 처리제 성분의 일부나, 박리 처리제의 성분에 포함되는 저분자량 성분이 의도적으로 피착물측에 전사되도록 설계되어 있다. 이에 따라, 지지체로부터의 피착물의 경박리를 실현하고 있지만, 이로 인해 접착 필름의 표면에 박리 처리제의 일부가 이행된다. 이러한 박리 처리제의 일부(이물질)는, 실장 후의 접속 신뢰성의 저하를 발생시키는 경우가 있다.When using the adhesive film for electronic materials as the adhesive agent mentioned above, the adhesive film before use normally comprises the support body in at least one of the main surface, and comprises the laminated | multilayer film. The surface of the support is often covered with a peeling treatment agent so that the adhesive film provided on the surface can be easily removed. In addition, in order to make peeling of a to-be-adhered substance easy to peel from a support body, this peeling treatment agent is designed so that one part of a peeling agent component and the low molecular weight component contained in the component of a peeling treatment agent are intentionally transferred to the to-be-adhered body side. Thereby, although the light peeling of the to-be-adhered body from a support body is implement | achieved, a part of peeling agent transfers to the surface of an adhesive film by this. A part (foreign material) of such a peeling treatment agent may generate the fall of the connection reliability after mounting.

대표적인 박리 처리제로서, 실리콘 수지제의 박리 처리제가 널리 알려져 있다. 이 박리 처리제로 피복된 지지체를 사용한 적층 필름은, 그 박리 처리제가 접착 필름측으로 특히 용이하게 이행된다(예를 들면, 특허문헌 1, 2 참조). 따라서, 특허문헌 3에 기재된 바와 같이, 실리콘 수지를 포함하지 않는 지지체(박리 필름)를 사용하는 대책이 고려된다.As a typical peeling treatment agent, a peeling treatment agent made of a silicone resin is widely known. As for the laminated | multilayer film using the support body coat | covered with this peeling agent, this peeling agent moves especially easily to the adhesive film side (for example, refer patent document 1, 2). Therefore, as described in patent document 3, the countermeasure using the support body (peel film) which does not contain a silicone resin is considered.

일본 특허 공개 제2001-123130호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2001-123130 일본 특허 공개 제2002-331614호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2002-331614 일본 특허 공개 제2001-171033호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2001-171033

그러나, 실리콘 수지를 포함하지 않는 지지체도, 상술한 바와 같이 박리 처리제 성분의 일부나, 박리 처리제 성분에 포함되는 저분자량 성분을 전사함으로써 경박리를 실현하고 있다. 따라서, 이와 같은 지지체를 사용한 경우에도, 접속 신뢰성의 저하를 발생시킨다.However, the support which does not contain a silicone resin also realizes light peeling by transferring a part of peeling agent component and the low molecular weight component contained in a peeling agent component as mentioned above. Therefore, even when such a support body is used, the fall of connection reliability arises.

따라서, 본 발명은 지지체의 표면 위에 접착 필름을 적층하여 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 접착 필름이 충분한 접속 신뢰성을 갖는 적층 필름 및 그의 제조 방법, 적층 필름용 지지체의 선별 방법, 및 적층 필름용 지지체의 평가 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, this invention is a laminated | multilayer film formed by laminating | stacking an adhesive film on the surface of a support body, Comprising: The laminated | multilayer film which the said adhesive film has sufficient connection reliability, its manufacturing method, the selection method of the support for laminated films, and evaluation of the support for laminated films It is an object to provide a method.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 지지체의 표면 위에 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 형성하여 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 지지체는 그 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상인 적층 필름을 제공한다.To achieve the above object, the present invention provides a laminated film obtained by forming an adhesive film containing an adhesive composition on the surface of the support, the support provides a residual adhesion rate of C 5 are laminated more than 80% of the film of the surface thereof.

여기서, 지지체 표면의 "잔류 접착률 C5"는 하기와 같이 하여 도출되는 수치이다. 즉, 우선 표준 시료인 점착 테이프(31B 테이프)와 소정의 금속판간의 박리 강도를 측정하여, 이것을 기준 박리 강도 A로 한다. 이어서, 상기 점착 테이프를 측정 대상인 지지체에 접착한 후 박리하고, 마찬가지로 소정의 금속판과의 사이의 박리 강도를 측정하는 절차를 5회 반복하여, 5회째의 박리 강도를 B5로 한다. 상술한 박리 강도 A 및 B5로부터, 하기 수학식 1로 표시되는 잔류 접착률 C5를 도출한다.Here, "residual adhesion rate C 5 " of the support surface is a numerical value derived as follows. That is, the peeling strength between the adhesive tape 31B tape which is a standard sample, and a predetermined metal plate is first measured, and this is set as reference peeling strength A. FIG. Next, the adhesive tape is adhered to the support to be measured and then peeled off. Similarly, the procedure of measuring the peel strength with a predetermined metal plate is repeated five times, and the fifth peel strength is set to B 5 . From the peeling strengths A and B 5 mentioned above, the residual adhesion rate C 5 represented by following formula (1) is derived.

Figure pat00001
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상술한 특허문헌 2에도 "잔류 접착률"이라는 용어가 기재되어 있다. 그러나, 특허문헌 2에 기재된 "잔류 접착률"은, 본 발명에서 규정하는 잔류 접착률 C5에 대하여 측정 방법이 동일하지 않다. 또한, 특허문헌 2에서는, 측정하는 박리 강도가 1회째라는 점도 본 발명과 상이하다. 이것은 후술하는 바와 같이 중요한 의미를 갖는다. 이에 대하여, 도 1 내지 3을 참조하면서 보다 상세히 설명한다.The term "residual adhesion rate" is also described in patent document 2 mentioned above. However, the "residual adhesion rate" described in Patent Literature 2 is not the same as the measurement method with respect to the residual adhesion rate C 5 defined in the present invention. In addition, in patent document 2, the peeling strength to measure is also 1st time different from this invention. This has an important meaning as described later. This will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 3.

[1] 우선, 적층 필름을 구성하는 지지체 (8), 폭 25 ㎜의 아크릴폼 양면 접합 테이프 (4), 유리판 (3), 폭 10 ㎜의 31B 테이프 (2)(닛또 덴꼬사 제조), 및 스테인리스강(SUS)판 (1)을 준비한다. 이어서, 유리판 (3)의 표면을 톨루엔, 아세톤, 메탄올 등의 각종 용제를 사용하여 세정하여, 그 표면 위에 부착된 유기 성분 및 무기 성분을 제거한다. 계속해서, 세정 후의 유리판 (3)의 표면에, 길이 60 ㎜로 절단한 아크릴폼 양면 접합 테이프 (4)를 질량 2 ㎏의 고무롤을 사용하여 접착한다.[1] First, the support 8 constituting the laminated film, the acrylic foam double-sided bonding tape 4 having a width of 25 mm, the glass plate 3, the 31B tape 2 having a width of 10 mm (manufactured by Nitto Denko Corp.), and A stainless steel (SUS) plate 1 is prepared. Next, the surface of the glass plate 3 is wash | cleaned using various solvents, such as toluene, acetone, and methanol, and the organic component and inorganic component which adhered on the surface are removed. Subsequently, the acrylic foam double-sided bonding tape 4 cut | disconnected to length 60mm is adhere | attached on the surface of the glass plate 3 after washing | cleaning using the rubber roll of 2 mass.

[2] 이어서, 아크릴폼 양면 접합 테이프 (4)의 박리 기재를 박리하여 접착면을 노출시킨다. 또한, 아크릴폼 양면 접합 테이프 (4)의 상기 접착면의 중앙부 위에, 20 ㎜×55 ㎜의 직사각형 막상으로 절단한 지지체 (8)을 그 한쪽의 주요면 전체가 놓이도록 하여 배치한다.[2] Next, the release substrate of the acrylic foam double-sided bonding tape 4 is peeled off to expose the adhesive surface. Moreover, the support body 8 cut | disconnected in the rectangular membrane shape of 20 mm x 55 mm is arrange | positioned so that the whole main surface of one may be placed on the center part of the said adhesive surface of the acrylic foam double-sided bonding tape 4.

[3] 이어서, 지지체 (8)의 표면에, 새로 길이 70 ㎜로 절단한 31B 테이프 (2)를 질량 2 ㎏의 고무 롤을 사용하여 주름이 발생하지 않도록 접착하여, 도 1(a)의 모식 정면도 및 도 2의 모식 평면도에 도시한 바와 같이 구성한다. 계속해서, 지지체 (8)의 표면에 접착된 31B 테이프 (2)에 대하여, 인장 시험기에 의해 도 1(b)의 모식 정면도에 도시한 바와 같이 하여 50 ㎜/분의 인장 속도로 180° 박리를 행한다. 이렇게 하여 박리된 31B 테이프 (6)을 얻는다.[3] Next, the 31B tape 2 newly cut to a length of 70 mm was adhered to the surface of the support 8 to prevent wrinkles from occurring using a rubber roll having a mass of 2 kg. It is comprised as shown to the front view and the schematic top view of FIG. Subsequently, with respect to the 31B tape 2 adhered to the surface of the support 8, a 180 ° peeling was performed at a tensile speed of 50 mm / min with a tensile tester as shown in the schematic front view of FIG. 1 (b). Do it. In this way, the 31B tape 6 which peeled is obtained.

[4] 잔류 접착률 C5만을 측정하는 경우에는, 상기 (3)의 조작을 5회 반복한다. 이때, 지지체 (8)의 표면에 접착하는 31B 테이프 (2)는, 사정을 감안하여 새로 절단한 것을 사용한다.[4] When only the residual adhesion rate C 5 is measured, the operation of (3) is repeated five times. At this time, the 31B tape 2 adhere | attached on the surface of the support body 8 uses the thing cut | disconnected newly in consideration of circumstances.

[5] 이어서, 스테인리스강판 (1)의 표면을 톨루엔, 아세톤, 메탄올 등의 각종 용제를 사용하여 세정하여, 그 표면 위에 부착된 유기 성분 및 무기 성분을 제거한다. 또한, 5회째의 상기 [3]의 조작에서 얻어진 31B 테이프 (6)을, 세정 후의 스테인리스강판 (1)의 표면에 질량 2 ㎏의 고무롤을 사용하여 주름이 발생하지 않도록 접착하여, 도 1(c)의 모식 정면도에 도시한 바와 같이 구성한다.[5] Next, the surface of the stainless steel sheet 1 is washed with various solvents such as toluene, acetone and methanol to remove organic and inorganic components adhering on the surface. Further, the 31B tape 6 obtained in the fifth step of operation [3] was bonded to the surface of the cleaned stainless steel sheet 1 using a rubber roll having a mass of 2 kg to prevent wrinkles from occurring. The structure is configured as shown in the schematic front view of the step.

[6] 계속해서, 스테인리스강판 (1)에 접착된 31B 테이프 (6)에 대하여, 인장 시험기에 의해 도 1(d)의 모식 정면도에 도시한 바와 같이 하여 50 ㎜/분의 인장 속도로 180° 박리를 행한다. 이때의 박리 강도 B5를 측정하여 기록한다.[6] Subsequently, with respect to the 31B tape 6 bonded to the stainless steel sheet 1, as shown in the schematic front view of FIG. 1 (d) by a tensile tester, 180 ° at a tensile speed of 50 mm / min. Peeling is performed. The peeling strength B 5 at this time is measured and recorded.

[7] 상술한 [1] 내지 [6]의 조작과는 별도로, 31B 테이프 (2) 및 스테인리스강판 (1)을 준비한다. 또한, 스테인리스강판 (1)의 표면을 톨루엔, 아세톤, 메탄올 등의 각종 용제를 사용하여 세정하여, 그 표면 위에 부착된 유기 성분 및 무기 성분을 제거한다. 계속해서, 길이 70 ㎜로 절단한 31B 테이프 (2)를 세정 후의 스테인리스강판 (1)의 표면에, 질량 2 ㎏의 고무롤을 사용하여 주름이 발생하지 않도록 접착하여, 도 3(a)의 모식 정면도에 도시한 바와 같이 구성한다.[7] A 31B tape 2 and a stainless steel sheet 1 are prepared separately from the operations of [1] to [6] described above. In addition, the surface of the stainless steel sheet 1 is cleaned using various solvents such as toluene, acetone, methanol, and the like to remove organic and inorganic components adhering on the surface. Subsequently, the 31B tape 2 cut to a length of 70 mm was adhered to the surface of the stainless steel sheet 1 after cleaning using a rubber roll having a mass of 2 kg to prevent wrinkles from occurring, and the schematic front view of FIG. 3 (a). It is configured as shown in

[8] 그 후, 스테인리스강판 (1)에 접착된 31B 테이프 (2)에 대하여, 인장 시험기에 의해, 도 3(b)의 모식 정면도에 도시한 바와 같이 하여 50 ㎜/분의 인장 속도로 180° 박리를 행한다. 이때의 박리 강도 A를 측정하여 기록한다.[8] Thereafter, the 31B tape 2 adhered to the stainless steel sheet 1 was subjected to a tensile tester, as shown in the schematic front view of Fig. 3 (b), at a tensile speed of 50 mm / min. ° Peel off. The peeling strength A at this time is measured and recorded.

[9] 상술한 바와 같이 하여 얻어진 박리 강도 A 및 B5로부터, 상기 수학식 1에 의해 잔류 접착률 C5를 도출한다.[9] From the peel strengths A and B 5 obtained as described above, the residual adhesion rate C 5 is derived by the above expression (1).

또한, 잔류 접착률 C5는, 상기 [3]의 조작을 5회 반복한 후에 얻어지는 수치이지만, 상기 [3]의 조작을 1회 행할 때마다, 이어서 상기 [5] 및 [6]의 조작을 행하여, 박리 강도를 측정할 수도 있다. 이 경우, 상기 [3]의 조작을 n회 반복한 후, [6]의 조작에 의해 얻어지는 박리 강도를 Bn으로 하면, 대응하는 잔류 접착률 C5는 하기 수학식 2로 표시된다.The residual adhesion rate C 5 is a numerical value obtained after repeating the operation of [3] five times, but each time the operation of [3] is performed once, the operation of [5] and [6] is subsequently performed. It is also possible to measure the peel strength. In this case, after repeating the operation of [3] n times and then setting the peel strength obtained by the operation of [6] to B n , the corresponding residual adhesion rate C 5 is represented by the following formula (2).

Figure pat00002
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본 발명의 적층 필름이 충분한 접속 신뢰성을 갖는 요인은 하기와 같다고 생각된다. 단, 요인은 이것으로 한정되지 않는다.It is thought that the factor which has the sufficient connection reliability of the laminated | multilayer film of this invention is as follows. However, the factor is not limited to this.

본 발명에서 규정하는 잔류 접착률 C5가 80 % 이상인 지지체란, 박리 처리제의 전사에만 의존하지 않는 경박리 설계인 것을 의미한다. 즉, 종래의 실리콘 수지계의 박리 처리제에서는, 상술한 바와 같이 박리 처리제 성분의 일부나, 박리 처리제 성분에 포함되는 저분자량 성분을 전사함으로써 경박리를 실현하고 있다. 이러한 박리 처리제는 상기 박리 시험을 몇 번 반복하여도, 박리 처리제 성분의 일부나 박리 처리제 성분에 포함되는 저분자량 성분이 박리된다. 그 때문에, 잔류 접착률 C5는 낮은 수치 그대로이다. 한편, 경박리가 박리 처리제의 전사에만 의존하지 않는 박리 처리제에서는, 박리 시험 1회째, 2회째 중에는 동일하게 박리 처리제의 일부가 전사되거나, 박리 처리제 성분에 포함되는 저분자량 성분이 박리된다. 따라서, 1회째, 2회째에서의 잔류 접착률은 낮은 수치를 나타낸다. 그러나, 박리시험을 5회까지 반복함으로써, 이와 같은 전사 및 박리는 완료되기 때문에, 잔류 접착률 C5는 80 % 이상이 된다. 이러한 잔류 접착률 C5를 나타내는 지지체는, 실장시에서의 접착 필름으로의 이물질의 이행이 억제되어 있기 때문에, 접착 필름의 접속 신뢰성을 충분히 높일 수 있다고 추측된다.The support whose residual adhesion rate C 5 prescribed | regulated by this invention is 80% or more means that it is a light peeling design which does not depend only on the transcription | transfer of a peeling processing agent. That is, in the conventional silicone resin peeling agent, as described above, light peeling is realized by transferring a part of the peeling agent component or a low molecular weight component contained in the peeling agent component. Even if such a peeling treatment agent repeats the said peeling test several times, the low molecular weight component contained in a part of peeling agent component and peeling agent component will peel. Therefore, the residual adhesion rate C 5 remains low. On the other hand, in the peeling agent in which light peeling does not depend only on the transcription | transfer of a peeling agent, a part of peeling agent is similarly transferred in the 1st and 2nd peel test, or the low molecular weight component contained in a peeling agent component peels. Therefore, the residual adhesiveness in the 1st time and the 2nd time shows low numerical value. However, since such transfer and peeling are completed by repeating the peeling test up to five times, the residual adhesion rate C 5 becomes 80% or more. This residual adhesion rate of the support is shown the C 5, is assumed that since the implementation of the foreign matter of the adhesive film at the time of mounting is suppressed, and sufficient to increase the connection reliability of the adhesive film.

본 발명에 따른 접착제 조성물은, 도전성 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 동일한 기판 위의 회로 전극끼리의 절연 상태를 유지하면서, 회로 부재끼리 보다 안정적으로 전기적으로 접속할 수 있다.It is preferable that the adhesive composition which concerns on this invention contains electroconductive particle. Thereby, circuit members can be electrically connected more stably while maintaining the insulation state of the circuit electrodes on the same board | substrate.

본 발명은, 지지체의 표면 위에, 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름이 형성되어 이루어지는 적층 필름의 지지체를 선별하는 적층 필름용 지지체의 선별 방법으로서, 지지체의 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상인 지지체를 선별하는 방법을 제공한다. 이 지지체의 선별 방법에 따르면, 선별된 지지체의 표면 위에 접착 필름을 적층하여 이루어지는 적층 필름을 사용하여 회로 전극끼리 등을 접속할 때, 그 지지체로부터 박리하여 회로 전극 등에 끼워지는 접착 필름이 회로 전극끼리 등의 접속 신뢰성을 충분히 유지할 수 있다. The present invention provides a screening method for a laminate film support to screen the support of the laminated film formed of the adhesive film is formed which contains an adhesive composition on the surface of the support, the support is a residual adhesion rate of C 5 in the surface of the support is 80% or more It provides a method of screening. According to the selection method of this support body, when connecting circuit electrodes etc. using the laminated | multilayer film which laminated | stacks an adhesive film on the surface of the selected support body, the adhesive film peeled from the support body and inserted in a circuit electrode etc. is made into circuit electrodes, etc. The connection reliability of can fully be maintained.

본 발명은, 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상인 지지체를 선별하는 공정과, 선별 공정에서 선별된 지지체의 표면 위에, 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 형성하는 공정을 갖는 적층 필름의 제조 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은, 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상이 되도록 지지체를 형성하는 공정과, 그 지지체의 표면 위에, 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 형성하는 공정을 갖는 적층 필름의 제조 방법을 제공한다. 이들 제조 방법에 따르면, 얻어지는 적층 필름을 사용하여 회로 전극끼리 등을 접속할 때, 지지체로부터 박리되어 회로 전극 등에 끼워지는 접착 필름이 회로 전극끼리 등의 접속 신뢰성을 충분히 유지할 수 있다.The invention method of producing a laminated film and a step of the step of screening the support is a residual adhesion rate of C 5 in the surface of 80% or more, and forming an adhesive film containing an adhesive composition on the surface of the selected substrate in the screening process To provide. In addition, the present invention method of producing a laminated film having a step of forming an adhesive film containing a step of forming the support is a residual adhesion rate of C 5 of the surface is at least 80% and the adhesive composition on the surface of the support, To provide. According to these manufacturing methods, when connecting circuit electrodes etc. using the laminated | multilayer film obtained, the adhesive film which peels from a support body and fits in a circuit electrode etc. can fully maintain connection reliability, such as circuit electrodes.

본 발명은, 표준 시료인 점착 테이프와 소정의 금속판의 박리 강도를 측정하여, 이것을 기준 박리 강도 A로 하는 공정과, 상기 점착 테이프를 측정 대상인 적층 필름용 지지체에 접착한 후 박리하고, 상기 소정의 금속판과의 사이의 박리 강도를 측정하는 절차를 5회 반복하여, 5회째의 박리 강도를 B5로 하는 공정과, 상술한 박리 강도 A 및 B5로부터, 하기 수학식 1로 표시되는 잔류 접착률 C5를 도출하는 공정을 갖는 적층 필름용 지지체의 평가 방법을 제공한다.This invention measures the peeling strength of the adhesive tape which is a standard sample, and a predetermined metal plate, makes it the reference peeling strength A, and adhere | attaches the said adhesive tape to the support for laminated films used as a measurement object, and peels it, and the said predetermined | prescribed The procedure of measuring the peel strength with the metal plate is repeated five times, and the step of setting the fifth peel strength to B 5 and the residual adhesiveness expressed by the following formula (1) from the peel strengths A and B 5 described above. It provides a method of evaluating the laminated film support substrate and a step of deriving a C 5.

<수학식 1>&Quot; (1) &quot;

Figure pat00003
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이 평가 방법에 따르면, 지지체로부터 박리한 후의 접착 필름이 충분한 접속 신뢰성을 갖는지의 여부에 대하여, 충분히 적절하게 판단하는 것이 가능해진다.According to this evaluation method, it becomes possible to judge suitably adequately about whether the adhesive film after peeling from a support body has sufficient connection reliability.

본 발명에 따르면, 지지체의 표면 위에 접착 필름을 적층하여 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 접착 필름이 충분한 접속 신뢰성을 갖는 적층 필름을 제공할 수 있다.According to this invention, the laminated | multilayer film which laminates an adhesive film on the surface of a support body can provide the laminated | multilayer film with sufficient connection reliability.

[도 1] 박리 강도 B5를 설명하기 위한 공정 정면도이다.
[도 2] 박리 강도 B5를 설명하기 위한 모식 평면도이다.
[도 3] 박리 강도 A를 설명하기 위한 공정 정면도이다.
[도 4] 본 발명에 따른 회로 부재의 접속 구조의 한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다.
[도 5] 본 발명에 따른 회로 부재를 접속하는 일련의 공정도이다.
[도 6] 본 발명에 따른 반도체 장치의 한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>
1…스테인리스강(SUS)판, 2, 6…31B 테이프, 3…유리판, 4…아크릴폼 양면 접합 테이프, 7…도전성 입자, 8…지지체, 10…회로 접속 부재, 11…절연성 물질, 20…제1 회로 부재, 21…제1 회로 기판, 22…제1 회로 전극, 30…제2 회로 부재, 31…제2 회로 기판, 32…제2 회로 전극, 40…반도체 소자 접속 부재, 50…반도체 소자, 60…기판, 61…회로 패턴, 70…밀봉재, 80…반도체 장치.
[Fig. 1] is a front view for explaining a step peel strength B 5.
[Figure 2] it is a schematic plane view illustrating the peel strength B 5.
3 is a process front view for explaining the peel strength A;
4 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a connection structure of a circuit member according to the present invention.
5 is a series of process diagrams for connecting a circuit member according to the present invention.
6 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a semiconductor device according to the present invention.
<Brief description of symbols for the main parts of the drawings>
One… Stainless steel (SUS) plate, 2, 6... 31B tape, 3... Glass plate, 4... Acrylic foam double-sided adhesive tape, 7.. Conductive particles, 8.. Support 10... . Circuit connecting member, 11.. Insulating material, 20... First circuit member, 21... First circuit board, 22... First circuit electrode, 30... Second circuit member, 31... Second circuit board, 32... Second circuit electrode, 40... Semiconductor element connection member, 50.. Semiconductor element, 60... Substrate 61... Circuit pattern, 70... Sealing material, 80... Semiconductor device.

이하, 필요에 따라 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 도면 중, 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명은 생략한다. 또한, 상하 좌우 등의 위치 관계는 특별히 언급하지 않는 한, 도면에 나타내는 위치 관계에 기초한다. 또한, 도면의 치수 비율은 도시한 비율로 한정되지 않는다. 또한, 본 명세서에서의 "(메트)아크릴산"이란 "아크릴산" 및 그에 대응하는 "메타크릴산"을 의미하고, "(메트)아크릴레이트"란 "아크릴레이트" 및 그에 대응하는 "메타크릴레이트"를 의미하고, "(메트)아크릴옥시기"란 "아크릴옥시기" 및 그에 대응하는 "메타크릴옥시기"를 의미한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described in detail, referring drawings as needed. In addition, in drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same element, and overlapping description is abbreviate | omitted. In addition, the positional relationship, such as up, down, left, and right, is based on the positional relationship shown in drawing unless there is particular notice. In addition, the dimension ratio of drawing is not limited to the ratio shown. In addition, in this specification, "(meth) acrylic acid" means "acrylic acid" and the corresponding "methacrylic acid", and "(meth) acrylate" means "acrylate" and the corresponding "methacrylate" "(Meth) acryloxy group" means "acryloxy group" and "methacryloxy group" corresponding thereto.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 적층 필름은, 지지체의 표면 위에 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름이 형성되어 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 지지체는 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상이다.The laminated film according to a preferred embodiment of the present invention is a film made of the adhesive containing an adhesive composition on the surface of the support is formed in the laminated film, the support is a residual adhesion rate of C 5 of the surface is 80% or more.

지지체는, 그 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상이면 특별히 한정되지 않는다.The support is not particularly limited as long as the residual adhesion rate C 5 on the surface thereof is 80% or more.

지지체의 구체예로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에틸렌이소프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리올레핀계 필름, 폴리아세테이트 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리페닐렌술피드 필름, 폴리아미드 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 합성 고무계 필름, 액정 중합체 필름을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라 필름 표면에 코로나 방전 처리, 앵커 코팅 처리, 대전 방지 처리 등이 실시될 수도 있다.As a specific example of a support body, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polyethylene isophthalate film, a polybutylene terephthalate film, a polyolefin type film, a polyacetate film, a polycarbonate film, a polyphenylene sulfide film, Polyamide film, ethylene-vinyl acetate copolymer film, polyvinyl chloride film, polyvinylidene chloride film, synthetic rubber film, liquid crystal polymer film. These may be subjected to corona discharge treatment, anchor coating treatment, antistatic treatment or the like on the film surface as necessary.

지지체는, 80 % 이상의 잔류 접착률 C5를 가짐과 동시에, 표면 위에 형성된 접착 필름을 용이하게 박리 제거할 수 있도록, 그 표면에 박리 처리제를 코팅하여 이루어지는 것일 수도 있다. 박리 처리제로서는, 예를 들면 실리콘 수지, 실리콘과 유기계 수지의 공중합체, 알키드 수지, 아미노알키드 수지, 장쇄 알킬기를 갖는 수지, 플루오로알킬기를 갖는 수지, 세락 수지를 들 수 있다. 이들 중에서, 박리 처리제의 지지체로부터 접착 필름으로의 이행을 보다 유효하게 방지하는 관점에서, 실리콘 수지를 주성분으로 하는 박리 처리제 이외의 박리 처리제가 바람직하다.The support may have a residual adhesion rate C 5 of 80% or more, and may be formed by coating a release treatment agent on the surface so that the adhesive film formed on the surface can be easily peeled off. Examples of the peeling treatment agent include silicone resins, copolymers of silicone and organic resins, alkyd resins, aminoalkyd resins, resins having long-chain alkyl groups, resins having fluoroalkyl groups, and cerac resins. Among them, a peeling treatment agent other than a peeling treatment agent having a silicone resin as a main component is preferable from the viewpoint of more effectively preventing the transition from the support of the peeling treatment agent to the adhesive film.

지지체의 두께는 특별히 제한되지 않는다. 단, 적층 필름의 보관이나 사용시의 편리성 등을 고려하면, 지지체의 두께는 4 내지 200 ㎛인 것이 바람직하다. 또한, 적층 필름의 재료 비용이나 생산성을 고려하면, 지지체의 두께는 15 내지 75 ㎛인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited. However, in consideration of the convenience of storage and use of the laminated film, the thickness of the support is preferably 4 to 200 m. In addition, in consideration of material cost and productivity of the laminated film, the thickness of the support is more preferably 15 to 75 µm.

지지체는, 상술한 본 발명에 따른 적층 필름용 지지체의 평가 방법에 의해 평가되고, 본 발명에 따른 적층 필름용 지지체의 선별 방법에 의해 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 지지체의 선별 방법에서는, 예를 들면 재질이나 제조 방법이 상이한 복수종의 지지체를 준비하고, 이들의 지지체 중, 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상인 것만을 선택하며, 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 미만인 지지체를 제거한다. 이와 같이 하여 선택된 지지체만을 사용하여 적층 필름을 제조하면, 접착 필름의 접속 신뢰성이 향상되고, 이 접착 필름을 사용하여 형성된 회로의 접속 구조나 반도체 장치의 수율이 충분히 높아진다.It is preferable to use the support body evaluated by the evaluation method of the support body for laminated films which concerns on this invention mentioned above, and selected by the selection method of the support body for laminated films which concerns on this invention. In the screening methods of the support, e.g., preparing a support of a plurality of the material or manufacturing method different species, and of those of the support, select a residual adhesion rate of just less than C 5, 80% of the surface, residual adhesion rate of the surface C The support whose pentavalent is less than 80% is removed. When the laminated film is manufactured using only the selected support body in this way, the connection reliability of an adhesive film improves and the connection structure of the circuit formed using this adhesive film, and the yield of a semiconductor device become high enough.

지지체의 잔류 접착률 C5를 80 % 이상으로 하기 위해서는, 예를 들면 지지체 표면에 저분자량 성분을 최대한 존재시키지 않고, 고분자량 성분을 우선적으로 존재시키거나, 박리성 처리제 성분의 분자의 일부가 탈락하기 어려워지도록 제어하는 방법을 들 수 있다. 고분자량 성분으로서는, 예를 들면 아미노알키드 수지를 들 수 있다.In order to make the residual adhesion rate C 5 of a support body into 80% or more, for example, a high molecular weight component may be preferentially present without making the low molecular weight component exist as much as possible on the surface of a support body, or a part of the molecules of a peelable treatment agent component may fall out. The method of controlling so that it may become difficult to mention may be mentioned. As a high molecular weight component, an amino alkyd resin is mentioned, for example.

접착 필름으로서는, 예를 들면 접착제 조성물을 필름상으로 성형하여 이루어지는 것이 바람직하다. 접착제 조성물은, 바람직하게는 회로 전극간 등의 전자 재료간의 접속 상태를 유지하기 위한 중합성 수지 성분 등의 중합성 화합물, 이 중합성 화합물을 경화시키기 위한 경화제인 중합 개시제, 및 접착제 조성물에 필름 형성성을 부여하기 위한 필름 형성 성분을 포함하는 것이 바람직하다.As an adhesive film, it is preferable to shape | mold an adhesive composition, for example in a film form. The adhesive composition preferably forms a film on a polymerizable compound such as a polymerizable resin component for maintaining a connected state between electronic materials such as circuit electrodes, a polymerization initiator which is a curing agent for curing the polymerizable compound, and an adhesive composition. It is preferable to include the film formation component for giving a property.

중합성 화합물은, 적층 필름을 사용할 때의 환경에 따라 설정되는 온도 범위에서 경화 가능한 열 경화성 화합물, 또는 적층 필름을 사용할 때의 환경에 따라 사용되는 빛의 조사에 의해 경화 가능한 광 경화성 화합물 등의 경화성 화합물이 바람직하다. 경화성 화합물로서는, 저온 속경화성에 유리한 라디칼 중합성 화합물이 바람직하다.The polymeric compound is curable, such as a thermosetting compound which can be cured in the temperature range set according to the environment when using a laminated film, or a photocurable compound which can be cured by irradiation of light used according to the environment when using a laminated film. Compound is preferred. As the curable compound, a radically polymerizable compound that is advantageous for low temperature fast curing is preferable.

라디칼 중합성 화합물은, 라디칼에 의해 중합하는 관능기를 갖는 화합물이다. 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴레이트 화합물, 말레이미드 화합물, 시트라콘이미드 화합물, 나드이미드 화합물을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다. 또한, 라디칼 중합성 화합물은, 단량체 또는 올리고머 중 어떠한 상태로도 사용할 수 있고, 단량체와 올리고머를 혼합하여 사용할 수도 있다.A radically polymerizable compound is a compound which has a functional group superposing | polymerizing by a radical. As a radically polymerizable compound, a (meth) acrylate compound, a maleimide compound, a citraconimide compound, a nadimide compound is mentioned, for example. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. In addition, a radically polymerizable compound can be used in any state of a monomer or an oligomer, and can also mix and use a monomer and an oligomer.

(메트)아크릴레이트 화합물로서는, 예를 들면 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디(메트)아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-((메트)아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-((메트)아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 트리스((메트)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 이소시아누르산에틸렌옥시드 변성 디(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다. 상기 (메트)아크릴레이트 화합물을 라디칼 중합시킴으로써, (메트)아크릴 수지가 얻어진다.As a (meth) acrylate compound, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, for example, Diethylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylene glycol tetra (meth) acrylate, 2-hydroxy-1,3-di (meth) acryloxypropane, 2,2 -Bis [4-((meth) acryloxymethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4-((meth) acryloxyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl (meth) acrylate tricyclo Decanyl (meth) acrylate, tris ((meth) acryloxyethyl) isocyanurate, urethane (meth) acrylate, isocyanurate ethylene oxide modified di (meth) acrylate. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. By radical polymerization of the said (meth) acrylate compound, a (meth) acrylic resin is obtained.

말레이미드 화합물은, 말레이미드기를 분자 내에 1개 이상 갖는 화합물이다. 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면 페닐말레이미드, 1-메틸-2,4-비스말레이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스말레이미드, N,N'-p-페닐렌비스말레이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸비페닐렌)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3-디에틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐술폰비스말레이미드, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-3,4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-말레이미드페녹시)페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다.A maleimide compound is a compound which has one or more maleimide groups in a molecule | numerator. As a maleimide compound, For example, phenyl maleimide, 1-methyl-2, 4-bis maleimide benzene, N, N'-m-phenylene bis maleimide, N, N'-p-phenylene bis maleimide , N, N'-4,4-biphenylenebismaleimide, N, N'-4,4- (3,3-dimethylbiphenylene) bismaleimide, N, N'-4,4- ( 3,3-dimethyldiphenylmethane) bismaleimide, N, N'-4,4- (3,3-diethyldiphenylmethane) bismaleimide, N, N'-4,4-diphenylmethanebis Maleimide, N, N'-4,4-diphenylpropanebismaleimide, N, N'-4,4-diphenyletherbismaleimide, N, N'-4,4-diphenylsulfonbismaleimide , 2,2-bis (4- (4-maleimidephenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (3-s-butyl-3,4- (4-maleimidephenoxy) phenyl) propane, 1 , 1-bis (4- (4-maleimidephenoxy) phenyl) decane, 4,4'-cyclohexylidene-bis (1- (4-maleimidephenoxy) phenoxy) -2-cyclohexylbenzene And 2,2-bis (4- (4-maleimidephenoxy) phenyl) hexafluoropropane. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

시트라콘이미드 화합물은, 시트라콘이미드기를 분자 내에 1개 이상 갖는 화합물이다. 시트라콘이미드 화합물로서는, 예를 들면 페닐시트라콘이미드, 1-메틸-2,4-비스시트라콘이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스시트라콘이미드, N,N'-p-페닐렌비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸비페닐렌)비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸디페닐메탄)비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-(3,3-디에틸디페닐메탄)비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐술폰비스시트라콘이미드, 2,2-비스(4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-3,4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-시트라콘이미드페녹시)페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다.A citraconimide compound is a compound which has one or more citraconimide groups in a molecule | numerator. As a citraconimide compound, a phenyl cytraconimide, 1-methyl-2, 4-biscitraconimide benzene, N, N'-m-phenylenebiscitraconimide, N, N ' -p-phenylenebiscitraconimide, N, N'-4,4-biphenylenebiscitraconimide, N, N'-4,4- (3,3-dimethylbiphenylene) bissheet Laconimide, N, N'-4,4- (3,3-dimethyldiphenylmethane) biscitraconimide, N, N'-4,4- (3,3-diethyldiphenylmethane) bis Citraconimide, N, N'-4,4-diphenylmethanebiscitraconimide, N, N'-4,4-diphenylpropanebiscitraconimide, N, N'-4,4- Diphenyletherbiscitraconimide, N, N'-4,4-diphenylsulfonbiscitraconimide, 2,2-bis (4- (4-citraconimidephenoxy) phenyl) propane, 2 , 2-bis (3-s-butyl-3,4- (4-citraconimidephenoxy) phenyl) propane, 1,1-bis (4- (4-citraconimidephenoxy) phenyl) decane , 4,4'-cyclohexylidene-bis (1- (4-citraconimidephenoxy) phenoxy) -2-cyclohexylbenne , 2,2-bis (4- (4-citraconimide phenoxy) phenyl) hexafluoropropane. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

나드이미드 화합물은, 나드이미드기를 분자 내에 1개 이상 갖는 화합물이다. 나드이미드 화합물로서는, 예를 들면 페닐나드이미드, 1-메틸-2,4-비스나드이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스나드이미드, N,N'-p-페닐렌비스나드이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스나드이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸비페닐렌)비스나드이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸디페닐메탄)비스나드이미드, N,N'-4,4-(3,3-디에틸디페닐메탄)비스나드이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스나드이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스나드이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스나드이미드, N,N'-4,4-디페닐술폰비스나드이미드, 2,2-비스(4-(4-나드이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-3,4-(4-나드이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-나드이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-나드이미드페녹시)페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-나드이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다.A nadimide compound is a compound which has one or more nadimide groups in a molecule | numerator. As a nadimide compound, a phenyl nimide, 1-methyl- 2, 4- bis nimide benzene, N, N'-m- phenylene bis nimide, N, N'-p- phenylene bis nimide, for example , N, N'-4,4-biphenylenebisnamidide, N, N'-4,4- (3,3-dimethylbiphenylene) bisnamidide, N, N'-4,4- ( 3,3-dimethyldiphenylmethane) bisnamidide, N, N'-4,4- (3,3-diethyldiphenylmethane) bisnamidimide, N, N'-4,4-diphenylmethanebis Nadimide, N, N'-4,4-diphenylpropanebisnamidide, N, N'-4,4-diphenyletherbisnamidimide, N, N'-4,4-diphenylsulfonbisnamidide , 2,2-bis (4- (4-namidimenophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (3-s-butyl-3,4- (4-namidimidephenoxy) phenyl) propane, 1 , 1-bis (4- (4-nadimidephenoxy) phenyl) decane, 4,4'-cyclohexylidene-bis (1- (4-namidimidephenoxy) phenoxy) -2-cyclohexylbenzene And 2,2-bis (4- (4-nadimidephenoxy) phenyl) hexafluoropropane. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

중합 개시제는, 상기 중합성 화합물에 의한 중합 반응을 개시할 수 있는 화합물이 바람직하고, 중합성 화합물로서 라디칼 중합성 화합물을 사용하는 경우, 중합 개시제로서 라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있다.As a polymerization initiator, the compound which can start the polymerization reaction by the said polymeric compound is preferable, and when using a radically polymerizable compound as a polymeric compound, a radical polymerization initiator can be used as a polymerization initiator.

라디칼 중합 개시제는, 광 조사 및/또는 가열에 의해 라디칼을 발생하는 화합물이면 특별히 제한은 없다. 이러한 라디칼 중합 개시제로서는, 150 내지 750 ㎚의 광 조사 및/또는 80 내지 200 ℃의 가열에 의해 라디칼을 발생하는 화합물이 바람직하고, 구체적으로는 과산화물, 아조 화합물 등이 바람직하다. 이들은 목적으로 하는 접속 온도, 접속 시간, 보존 안정성 등을 고려하여 선택된다.The radical polymerization initiator is not particularly limited as long as it is a compound that generates radicals by light irradiation and / or heating. As such a radical polymerization initiator, the compound which generate | occur | produces a radical by light irradiation of 150-750 nm and / or heating of 80-200 degreeC is preferable, and a peroxide, an azo compound, etc. are specifically preferable. These are selected in consideration of the target connection temperature, connection time, storage stability, and the like.

과산화물로서는, 고반응성과 보존 안정성의 면에서 유기 과산화물이 바람직하다. 동일한 관점에서 유기 과산화물 중에서는, 반감기 10 시간의 온도가 40 ℃ 이상, 반감기 1분의 온도가 200 ℃ 이하인 유기 과산화물이 바람직하고, 반감기 10 시간의 온도가 50 ℃ 이상, 반감기 1분의 온도가 180 ℃ 이하인 유기 과산화물이 특히 바람직하다. 또한, 접속 시간을 10초 이하로 하는 경우, 충분한 반응률을 얻기 위한 라디칼 중합 개시제의 배합량은, 접착제 조성물의 고형분 전량을 기준으로서 0.1 내지 20 질량%가 바람직하고, 2 내지 15 질량%가 특히 바람직하다.As a peroxide, organic peroxide is preferable at the point of high reactivity and storage stability. From the same point of view, among organic peroxides, organic peroxides having a temperature of 10 hours for a half life of 40 ° C. or more and 200 ° C. or less for a half life of 1 minute are preferable, and a temperature of 50 hours or more for a half life of 10 hours and a temperature of 1 minute for a half life of 180 degrees. Particular preference is given to organic peroxides which are no greater than ° C. In addition, when making connection time into 10 second or less, 0.1-20 mass% is preferable on the basis of solid content whole quantity of an adhesive composition, and, as for the compounding quantity of the radical polymerization initiator for obtaining sufficient reaction rate, 2-15 mass% is especially preferable. .

유기 과산화물로서는, 구체적으로 디아실퍼옥시드, 퍼옥시디카르보네이트, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥시드, 히드로퍼옥시드, 실릴퍼옥시드를 들 수 있다. 이 중에서도 퍼옥시에스테르, 디알킬퍼옥시드, 히드로퍼옥시드, 실릴퍼옥시드는, 개시제 중의 염소 이온이나 유기산의 농도가 5000 ppm 이하이며, 가열 분해 후에 발생하는 유기산이 적고, 회로 부재의 회로 전극 등, 금속 부재의 부식을 보다 억제할 수 있기 때문에 특히 바람직하다.Specific examples of the organic peroxide include diacyl peroxide, peroxydicarbonate, peroxy ester, peroxy ketal, dialkyl peroxide, hydroperoxide and silyl peroxide. Among these, peroxyesters, dialkylperoxides, hydroperoxides and silylperoxides have a concentration of chlorine ions or organic acids in the initiator of 5000 ppm or less, less organic acids generated after thermal decomposition, such as circuit electrodes of circuit members, It is especially preferable because corrosion of a metal member can be suppressed more.

디아실퍼옥시드로서는, 예를 들면 이소부틸퍼옥시드, 2,4-디클로로벤조일퍼옥시드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥시드, 옥타노일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드, 스테아로일퍼옥시드, 숙시닉퍼옥시드, 벤조일퍼옥시톨루엔, 벤조일퍼옥시드를 들 수 있다.Examples of the diacyl peroxide include isobutyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, octanoyl peroxide, lauroyl peroxide and stearoyl peroxane. Seed, succinic peroxide, benzoyl peroxy toluene, and benzoyl peroxide are mentioned.

퍼옥시디카르보네이트로서는, 예를 들면 디-n-프로필퍼옥시디카르보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카르보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트, 디-2-에톡시메톡시퍼옥시디카르보네이트, 디(2-에틸헥실퍼옥시)디카르보네이트, 디메톡시부틸퍼옥시디카르보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시부틸퍼옥시)디카르보네이트를 들 수 있다.As peroxy dicarbonate, di-n-propyl peroxy dicarbonate, diisopropyl peroxy dicarbonate, bis (4-t- butylcyclohexyl) peroxy dicarbonate, di-2-, for example Ethoxy methoxy peroxy dicarbonate, di (2-ethylhexyl peroxy) dicarbonate, dimethoxy butyl peroxy dicarbonate, di (3-methyl-3- methoxy butyl peroxy) dicarbonate Can be.

퍼옥시에스테르로서는, 예를 들면 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, t-헥실퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카르보네이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시아세테이트, n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트를 들 수 있다.As peroxy ester, for example, cumyl peroxy neodecanoate, 1,1,3,3- tetramethylbutyl peroxy neodecanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethyl peroxy neodecanoate, t-hexyl peroxy neodecanoate, t-butyl peroxy pivalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxy-2 Ethyl hexanonate, t-butylperoxy isobutylate, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, t-hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxy-3, 5,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxylaurate, 2,5-dimethyl-2,5-di (m-toluylperoxy) hexane, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxy-2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexylper When there may be mentioned a benzoate, t- butyl peroxy acetate, n- butyl-4,4-bis (t- butylperoxy) valerate.

퍼옥시케탈로서는, 예를 들면 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)데칸을 들 수 있다.As peroxy ketal, for example, 1,1-bis (t-hexyl peroxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexyl peroxy) cyclohexane, 1,1- Bis (t-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1- (t-butylperoxy) cyclododecane and 2,2-bis (t-butylperoxy) decane have.

디알킬퍼옥시드로서는, 예를 들면 α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, t-부틸쿠밀퍼옥시드를 들 수 있다.As the dialkyl peroxide, for example, α, α'-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, dicumylperoxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) Hexane and t-butyl cumyl peroxide.

히드로퍼옥시드로서는, 예를 들면 디이소프로필벤젠히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드를 들 수 있다.As hydroperoxide, diisopropyl benzene hydroperoxide and cumene hydroperoxide are mentioned, for example.

실릴퍼옥시드로서는, t-부틸트리메틸실릴퍼옥시드, 비스(t-부틸)디메틸실릴퍼옥시드, t-부틸트리비닐실릴퍼옥시드, 비스(t-부틸)디비닐실릴퍼옥시드, 트리스(t-부틸)비닐실릴퍼옥시드, t-부틸트리알릴실릴퍼옥시드, 비스(t-부틸)디알릴실릴퍼옥시드, 트리스(t-부틸)알릴실릴퍼옥시드를 들 수 있다.As a silyl peroxide, t-butyl trimethyl silyl peroxide, bis (t-butyl) dimethyl silyl peroxide, t-butyl tri vinyl silyl peroxide, bis (t-butyl) divinyl silyl peroxide, tris (t-butyl) ) Vinyl silyl peroxide, t-butyltriallyl silyl peroxide, bis (t-butyl) diallyl silyl peroxide, and tris (t-butyl) allyl silyl peroxide.

이들 라디칼 중합 개시제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있고, 분해 촉진제, 억제제 등을 혼합하여 사용할 수도 있다.These radical polymerization initiators may be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types, and may be used in mixture of a decomposition promoter, an inhibitor, etc.

또한, 이들 라디칼 중합 개시제를 폴리우레탄계, 폴리에스테르계의 고분자 물질 등으로 피복하여 마이크로 캡슐화한 것은, 가용 시간이 연장되기 때문에 바람직하다.In addition, it is preferable to coat these radical polymerization initiators with a polyurethane-based, polyester-based high molecular material, and the like and microencapsulate them because their pot life is extended.

또한, 접착 필름이 회로 접속 재료에 사용되는 경우에는, 회로 부재의 회로 전극의 부식을 억제하기 위해, 라디칼 중합 개시제 중에 함유되는 염소 이온이나 유기산의 농도는 5000 ppm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 가열 분해 후에 발생하는 유기산이 적은 라디칼 중합 개시제가 보다 바람직하다. 또한, 접착 필름의 경화 후의 안정성이 향상되기 때문에, 실온(25 ℃) 및 상압하에 24 시간 동안 개방 방치한 후 20 질량% 이상의 질량 유지율을 갖는 것이 바람직하다.In addition, when an adhesive film is used for a circuit connection material, in order to suppress corrosion of the circuit electrode of a circuit member, it is preferable that the density | concentration of the chlorine ion and organic acid contained in a radical polymerization initiator is 5000 ppm or less. Moreover, the radical polymerization initiator with few organic acids generated after thermal decomposition is more preferable. Moreover, since stability after hardening of an adhesive film improves, it is preferable to have a mass retention rate of 20 mass% or more after opening to stand for 24 hours at room temperature (25 degreeC) and normal pressure.

또한, 필요에 따라, 접착제 조성물은 히드로퀴논, 메틸에테르히드로퀴논 등의 라디칼 중합 금지제를 경화성이 손상되지 않는 범위에서 함유할 수도 있다.Moreover, as needed, an adhesive composition may contain radical polymerization inhibitors, such as hydroquinone and methyl ether hydroquinone, in the range in which sclerosis | hardenability is not impaired.

접착제 조성물은, 라디칼 중합성 화합물 이외의 열경화성 수지를 중합성 화합물로서 포함할 수도 있다. 이러한 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지로서는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 할로겐화될 수도 있고, 수소 첨가될 수도 있다. 이들 에폭시 수지는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용한다.An adhesive composition may also contain thermosetting resins other than a radically polymerizable compound as a polymeric compound. An epoxy resin is mentioned as such a thermosetting resin. Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, bisphenol A novolac epoxy resin, and bisphenol F novolac epoxy resin. And alicyclic epoxy resins, glycidyl ester epoxy resins, glycidylamine epoxy resins, hydantoin epoxy resins, isocyanurate epoxy resins and aliphatic chain epoxy resins. These epoxy resins may be halogenated or hydrogenated. These epoxy resins are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

또한, 상기 에폭시 수지의 경화제로서는, 통상적인 에폭시 수지의 경화제로서 사용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산 무수물계 경화제, 이미다졸계 경화제, 디시안디아미드 등을 들 수 있다. 또한, 경화 촉진제로서 통상적으로 사용되고 있는 3급 아민류, 유기인계 화합물을 적절하게 사용할 수도 있다.Moreover, what is used as a hardening | curing agent of a normal epoxy resin can be used as a hardening | curing agent of the said epoxy resin. Specifically, an amine hardening | curing agent, a phenol type hardening | curing agent, an acid anhydride type hardening | curing agent, an imidazole series hardening | curing agent, dicyandiamide, etc. are mentioned. Moreover, the tertiary amines and organophosphorus compounds which are normally used as a hardening accelerator can also be used suitably.

또한, 에폭시 수지를 반응시키는 방법으로서, 상기 경화제를 사용하는 것 이외에 술포늄염, 요오도늄염 등을 사용하여, 양이온 중합시킬 수도 있다.Moreover, as a method of making an epoxy resin react, it can also carry out cation polymerization using a sulfonium salt, an iodonium salt, etc. other than using the said hardening | curing agent.

필름 형성 성분은, 접착 필름의 필름 형성성을 보다 양호하게 하는 성분이며, 접착성 및/또는 경화시의 응력 완화성을 향상시킬 수도 있다. 필름 형성 성분으로서는, 필름 형성성의 고분자를 들 수 있다. 필름 형성성의 고분자로서는, 예를 들면 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐포르말 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 크실렌 수지, 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지, 요소 수지를 들 수 있다.A film formation component is a component which makes the film formability of an adhesive film more favorable, and can also improve the adhesiveness and / or the stress relaxation property at the time of hardening. Examples of the film forming component include film-forming polymers. Examples of the film-forming polymer include polyvinyl butyral resin, polyvinyl formal resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, xylene resin, phenoxy resin, polyurethane resin, and urea resin. .

필름 형성 성분은, 그 중량 평균 분자량이 10000 내지 10000000인 것이 바람직하다. 또한, 이들 고분자를 라디칼 중합성의 관능기로 변성한 것도 사용할 수 있다. 이에 따라, 접착 필름의 내열성이 향상된다.It is preferable that the weight average molecular weights of a film formation component are 10000-10 million. Moreover, what modified | denatured these polymers with the radically polymerizable functional group can also be used. Thereby, the heat resistance of an adhesive film improves.

필름 형성 성분의 접착제 조성물 중의 배합 비율은, 접착제 조성물의 총량에 대하여 2 내지 80 질량%인 것이 바람직하고, 5 내지 70 질량%인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 60 질량%인 것이 특히 바람직하다. 필름 형성 성분의 배합 비율이 2 질량% 미만이면, 응력 완화성이나 접착성이 저하되는 경향이 있고, 80 질량%를 초과하면, 유동성이 저하되는 경향이 있다.It is preferable that it is 2-80 mass% with respect to the total amount of an adhesive composition, as for the compounding ratio of the film formation component of a film formation component, it is more preferable that it is 5-70 mass%, and it is especially preferable that it is 10-60 mass%. When the blending ratio of the film forming component is less than 2% by mass, the stress relaxation property and the adhesiveness tend to be lowered, and when it exceeds 80% by mass, the fluidity tends to be lowered.

본 발명의 접착제 조성물은 도전성 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 접착 필름을 회로 전극 등의 접속에 사용한 경우, 더욱 우수한 접속 신뢰성을 갖는 것이 가능해지고, 이방 도전성을 나타내게 된다. 도전성 입자는, 전기적 접속이 가능해지는 도전성을 갖고 있으면 특별히 한정되지 않는다. 도전성 입자로서는, 예를 들면 Au, Ag, Ni, Cu, Co 및 땜납 등의 합금을 포함하는 금속 입자, 및 카본을 들 수 있다. 또한, 도전성 입자가 비도전성의 유리, 세라믹, 플라스틱 등의 핵이 되는 입자를, 상기 금속 등의 도전성 물질을 포함하는 막, 또는 상기 금속 등의 도전성 물질을 포함하는 입자로 피복한 다층인 것일 수도 있다. 피복하는 막의 두께는, 보다 확실한 도전성을 얻기 위해서 10 ㎚ 이상인 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive composition of this invention contains electroconductive particle. Thereby, when an adhesive film is used for connection of circuit electrodes etc., it becomes possible to have more excellent connection reliability, and to show anisotropic conductivity. Electroconductive particle will not be specifically limited if it has electroconductivity by which electrical connection is possible. As electroconductive particle, the metal particle containing alloys, such as Au, Ag, Ni, Cu, Co, and solder, and carbon are mentioned, for example. In addition, the conductive particles may be a multi-layer coating of particles which become nuclei such as non-conductive glass, ceramics, and plastics with a film containing a conductive material such as the metal or particles containing a conductive material such as the metal. have. It is preferable that the thickness of the film | membrane to coat is 10 nm or more in order to acquire more reliable electroconductivity.

이러한 다층의 도전성 입자, 또는 열용융성의 금속 입자를 도전성 입자로서 사용한 경우, 이 도전성 입자는 가열 가압에 의해 변형되는 변형성을 갖는다. 그 때문에, 이러한 도전성 입자를 함유하는 접착제 조성물을 사용하여 회로간을 접속할 때, 회로와 도전성 입자의 접촉 면적이 증가되어, 복수의 전극간의 두께의 변동을 흡수할 수 있기 때문에, 신뢰성 향상의 관점에서 바람직하다.When such a multilayer electroconductive particle or heat meltable metal particle is used as electroconductive particle, this electroconductive particle has a deformation | transformation which is deformed by heat pressurization. Therefore, when connecting between circuits using the adhesive composition containing such electroconductive particle, the contact area of a circuit and electroconductive particle increases and can absorb the fluctuation of the thickness between a some electrode, From a viewpoint of reliability improvement desirable.

또한, 도전성 입자의 표면을 추가로 수지막 등으로 피복한 미립자는, 미립자간의 접촉에 기인하는 단락을 한층 더 억제할 수 있다. 따라서, 전극 회로간의 절연성이 향상되기 때문에, 적절하게 이것을 단독으로 또는 도전성 입자와 혼합하여 접착제 조성물에 배합할 수도 있다.Moreover, the microparticles | fine-particles which coat | covered the surface of electroconductive particle further with the resin film etc. can further suppress the short circuit resulting from the contact between microparticles | fine-particles. Therefore, since the insulation property between electrode circuits improves, it can also be mix | blended with an adhesive composition individually or in mixture with electroconductive particle suitably.

접착제 조성물 중의 도전성 입자의 함유 비율은 0.1 내지 30 부피%인 것이 바람직하고, 0.1 내지 20 부피%인 것이 보다 바람직하고, 0.1 내지 10 부피%인 것이 특히 바람직하다. 도전성 입자의 함유 비율이 0.1 부피부 미만이면, 접착제 조성물의 경화물이 도전성에 있어 열화되는 경향이 있고, 30 부피부를 초과하면 접착제 조성물을 회로간 접속에 사용한 경우, 절연시키고자 하는 회로간의 단락이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 동일한 관점에서, 도전성 입자의 함유 비율은 열가소성 수지 100 질량부에 대하여, 0.5 내지 30 질량부인 것이 바람직하다.It is preferable that the content rate of the electroconductive particle in an adhesive composition is 0.1-30 volume%, It is more preferable that it is 0.1-20 volume%, It is especially preferable that it is 0.1-10 volume%. If the content ratio of the conductive particles is less than 0.1 parts by volume, the cured product of the adhesive composition tends to deteriorate in conductivity, and if it exceeds 30 parts by volume, the short circuit between the circuits to be insulated is used when the adhesive composition is used for the connection between circuits. This tends to be easy to occur. Moreover, it is preferable that the content rate of electroconductive particle is 0.5-30 mass parts with respect to 100 mass parts of thermoplastic resins from a same viewpoint.

또한, 도전성 입자의 함유 비율은, 23 ℃에서의 경화 전의 접착제 조성물 중의 각 성분의 부피에 기초하여 결정된다. 각 성분의 부피는, 비중을 이용하여 질량으로부터 부피로 환산할 수도 있다. 또한, 메스실린더 등에 그 성분을 용해하거나 팽윤시키지 않고, 그 성분을 보다 습윤하게 하는 적당한 용매(물, 알코올 등)를 주입한 용기에, 그 성분을 투입하여 증가된 부피를 그 부피로서 구할 수도 있다.In addition, the content rate of electroconductive particle is determined based on the volume of each component in the adhesive composition before hardening at 23 degreeC. The volume of each component can also be converted from a mass into a volume using specific gravity. In addition, an increased volume can be obtained as the volume by injecting the component into a container into which a suitable solvent (water, alcohol, etc.) for moistening the component is added, without dissolving or swelling the component in a measuring cylinder or the like. .

또한, 본 발명의 접착제 조성물은, 접착 필름의 접착성을 더욱 개선하는 목적으로 커플링제를 함유할 수도 있다. 커플링제로서는, 예를 들면 트리메톡시실란메타크릴레이트, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 알콕시실란을 들 수 있다.Moreover, the adhesive composition of this invention may contain a coupling agent for the purpose of further improving the adhesiveness of an adhesive film. As a coupling agent, alkoxysilanes, such as a trimethoxysilane methacrylate and (gamma)-glycidoxy propyl trimethoxysilane, are mentioned, for example.

본 발명에 따른 접착제 조성물에는, 이외에 필요에 따라 충전제, 연화제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 커플링제 등을 본 발명의 과제를 해결할 수 있는 범위에서 첨가할 수도 있다.In addition to the adhesive composition which concerns on this invention, a filler, a softener, an anti-aging agent, a coloring agent, a flame retardant, a coupling agent, etc. can also be added as needed in the range which can solve the subject of this invention.

본 발명에 따른 접착 필름은, 전자 재료용의 접착 필름으로서 바람직하게 사용된다.The adhesive film which concerns on this invention is used suitably as an adhesive film for electronic materials.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 적층 필름의 제조 방법은, 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상인 지지체를 선별하는 제1 공정과, 선별 공정에서 선별된 지지체의 표면 위에, 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 형성하는 제2 공정을 갖는 것이다. 제1 공정에서, 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상인 지지체를 선별하는 방법은, 상술한 지지체의 선별 방법을 이용할 수 있다.A production method of the multilayer film according to a preferred embodiment of the present invention includes a first step of selecting a support is a residual adhesion rate of C 5 in the surface of 80% or more and, on the surface of a support selected from the screening step, which contains an adhesive composition It has a 2nd process of forming an adhesive film. In the first step, the method for screening the support is a residual adhesion rate of not less than 80% C 5 of the surface is, it is possible to use a selection method for the above-mentioned support.

제2 공정에서, 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 지지체 위에 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 하기의 방법을 들 수 있다. 우선, 상술한 각 성분을 혼합하여 얻어지는 접착제 조성물에 필요에 따라 용제 등을 첨가하여 얻어지는 용액을 지지체 위에 도포하여 도막을 형성한다. 이어서, 용제의 제거 등을 거쳐서, 도막을 고체 또는 반고체상으로 하여 접착 필름이 얻어진다. 또는, 접착제 조성물을 가열하여 유동성을 확보한 후 용제를 첨가하여 용액을 얻고, 이 용액을 상술한 바와 동일하게 처리하여 접착 필름을 형성할 수도 있다.As a method of forming the adhesive film containing an adhesive composition on a support body in a 2nd process, the following method is mentioned, for example. First, the solution obtained by adding a solvent etc. to the adhesive composition obtained by mixing each above-mentioned component as needed is apply | coated on a support body, and a coating film is formed. Subsequently, an adhesive film is obtained by making a coating film solid or semisolid through removal of a solvent, etc. Alternatively, after the adhesive composition is heated to ensure fluidity, a solvent may be added to obtain a solution, and the solution may be treated in the same manner as described above to form an adhesive film.

본 발명의 적층 필름은, 지지체 및 그 표면 위에 형성된 접착 필름의 2층을 포함하는 적층 필름일 수도 있다. 또는, 지지체의 표면 위에, 조성 및/또는 제조 방법이 서로 동일하거나 상이한 2층 이상의 접착 필름을 설치하여 이루어지는 적층 필름일 수도 있다. 이 경우, 적층 필름은 상술한 바와 같이 하여 지지체의 표면 위에 형성된 접착 필름의 지지체와는 반대측의 표면 위에, 추가로 접착 필름을 상술한 바와 같이 하여 형성함으로써 얻어진다. 또한, 적층 필름은 각각의 지지체 표면 위에 형성된 접착 필름을 라미네이터 등을 사용하여 서로 중첩시킴으로써 얻어진다.The laminated | multilayer film of this invention may be a laminated | multilayer film containing two layers of a support body and the adhesive film formed on the surface. Or the laminated | multilayer film formed by providing 2 or more layers of adhesive films with the same or different composition and / or a manufacturing method on the surface of a support body may be sufficient. In this case, a laminated film is obtained by forming an adhesive film further as mentioned above on the surface on the opposite side to the support body of the adhesive film formed on the surface of a support body as mentioned above. In addition, a laminated film is obtained by superimposing the adhesive films formed on the surface of each support body with a laminator etc., respectively.

이어서, 본 발명의 적층 필름을 사용한 회로 부재의 접속 구조의 제조 방법에 대하여 바람직한 실시 형태를 설명한다. 도 4는, 이 제조 방법에 의해 얻어지는 회로 부재의 접속 구조의 한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 이 회로 부재의 접속 구조는 서로 대향하는 제1 회로 부재 (20) 및 제2 회로 부재 (30)을 구비하고 있고, 제1 회로 부재 (20)과 제2 회로 부재 (30)의 사이에는, 이들을 접속하는 회로 접속 부재 (10)이 설치되어 있다.Next, preferable embodiment is demonstrated about the manufacturing method of the connection structure of the circuit member using the laminated | multilayer film of this invention. 4 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a connection structure of a circuit member obtained by this manufacturing method. As shown in FIG. 4, the connection structure of this circuit member is provided with the 1st circuit member 20 and the 2nd circuit member 30 which mutually oppose, and the 1st circuit member 20 and the 2nd circuit member Between the 30, the circuit connection member 10 which connects these is provided.

제1 회로 부재 (20)은 회로 기판(제1 회로 기판) (21)과, 회로 기판 (21)의 주요면 (21a) 위에 형성되는 회로 전극(제1 회로 전극) (22)를 구비하고 있다. 한편, 제2 회로 부재 (30)은 회로 기판(제2 회로 기판) (31)과, 회로 기판 (31)의 주요면 (31a) 위에 형성되는 회로 전극(제2 회로 전극) (32)를 구비하고 있다. 또한, 회로 기판 (21), (31)로서는, 반도체, 유리, 세라믹 등의 무기물, 폴리이미드, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리에테르술폰 등의 유기물, 이들 무기물이나 유기물을 복합화한 재료(예를 들면 유리/폴리에폭시 수지)를 포함하는 것을 들 수 있다.The first circuit member 20 includes a circuit board (first circuit board) 21 and a circuit electrode (first circuit electrode) 22 formed on the main surface 21a of the circuit board 21. . On the other hand, the second circuit member 30 includes a circuit board (second circuit board) 31 and a circuit electrode (second circuit electrode) 32 formed on the main surface 31a of the circuit board 31. Doing. In addition, as the circuit boards 21 and 31, organic substances, such as an inorganic substance, such as a semiconductor, glass, and a ceramic, a polyimide, polycarbonate, polyester, and a polyether sulfone, the material which combined these inorganic substances and organic substance (for example, For example, glass / polyepoxy resin) can be mentioned.

제1 및 제2 회로 부재 (20), (30)으로서는, 전기적 접속을 필요로 하는 전극이 형성되어 있는 것이면 특별히 제한은 없다. 구체적으로는, 액정 디스플레이에 사용되고 있는 ITO 등으로 전극이 형성되어 있는 유리 기판 또는 플라스틱 기판, 인쇄 배선판, 세라믹 배선판, 연성 배선판을 들 수 있고, 이들은 필요에 따라 조합하여 사용된다.There is no restriction | limiting in particular as the 1st and 2nd circuit members 20 and 30 as long as the electrode which requires an electrical connection is formed. Specifically, a glass substrate or a plastic substrate, a printed wiring board, a ceramic wiring board, a flexible wiring board, on which electrodes are formed of ITO or the like used in a liquid crystal display, may be used, and these may be used in combination as necessary.

회로 접속 부재 (10)은, 절연성 물질 (11) 및 도전성 입자 (7)을 함유하고 있다. 도전성 입자 (7)은, 대향하는 회로 전극 (22)와 회로 전극 (32)의 사이 뿐만 아니라, 주요면 (21a), (31a) 사이에도 배치되어 있다. 회로 부재의 접속 구조에서는, 회로 전극 (22), (32)가 도전성 입자 (7)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 도전성 입자 (7)이 회로 전극 (22), (32)의 양방에 직접 접촉하고 있다.The circuit connection member 10 contains the insulating material 11 and the electroconductive particle 7. The electroconductive particle 7 is arrange | positioned not only between the opposing circuit electrode 22 and the circuit electrode 32, but also between the main surfaces 21a and 31a. In the connection structure of a circuit member, the circuit electrodes 22 and 32 are electrically connected through the electroconductive particle 7. In other words, the conductive particles 7 are in direct contact with both the circuit electrodes 22 and 32.

여기서, 도전성 입자 (7)은, 상술한 접착제 조성물에 함유될 수도 있는 도전성 입자에 상당한다.Here, the electroconductive particle 7 is corresponded to the electroconductive particle which may be contained in the adhesive composition mentioned above.

이 회로 부재의 접속 구조에서는, 상술한 바와 같이 대향하는 회로 전극 (22)와 회로 전극 (32)가 도전성 입자 (7)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 회로 전극 (22), (32)간의 접속 저항이 충분히 감소된다. 따라서, 회로 전극 (22), (32)간의 전류의 흐름을 원활하게 할 수 있고, 회로가 갖는 기능을 충분히 발휘할 수 있다. 또한, 회로 접속 부재 (10)이 도전성 입자 (7)을 함유하지 않은 경우에는, 회로 전극 (22)와 회로 전극 (32)가 직접 접촉함으로써, 전기적으로 접속된다.In the connection structure of this circuit member, the opposing circuit electrode 22 and the circuit electrode 32 are electrically connected through the electroconductive particle 7 as mentioned above. For this reason, the connection resistance between the circuit electrodes 22 and 32 is reduced sufficiently. Therefore, the flow of the electric current between the circuit electrodes 22 and 32 can be made smooth, and the function which a circuit has can fully be exhibited. In addition, when the circuit connection member 10 does not contain the electroconductive particle 7, the circuit electrode 22 and the circuit electrode 32 directly contact, and are electrically connected.

회로 접속 부재 (10)은 후술하는 바와 같이, 상기 접착 필름의 경화물에 의해 구성되어 있다. 따라서, 회로 부재 (20) 또는 (30)에 대한 회로 접속 부재 (10)의 접속 신뢰성이 충분히 높아진다.The circuit connection member 10 is comprised by the hardened | cured material of the said adhesive film as mentioned later. Therefore, the connection reliability of the circuit connection member 10 with respect to the circuit member 20 or 30 becomes high enough.

본 발명에 따른 회로 부재의 접속 구조의 제조 방법에서는, 우선 상술한 제1 회로 부재 (20)과, 필름상 회로 접속 재료 (40)을 준비한다(도 5(a) 참조). 필름상 회로 접속 재료 (40)은 상술한 접착 필름이고, 준비된 단계에서는, 본 발명에 따른 지지체 (1)의 표면 위에 형성되어 적층 필름 (100)을 이루고 있다. 또한, 여기서의 필름상 회로 접속 재료 (40)은, 도전성 입자 (7)을 함유하고 있다. 필름상 회로 접속 재료 (40)은, 통상적으로 권심에 권회되어 있는 상태로부터 인출되어, 필요한 길이로 절단된다.In the manufacturing method of the circuit member connection structure which concerns on this invention, the 1st circuit member 20 mentioned above and the film-form circuit connection material 40 are prepared first (refer FIG. 5 (a)). The film-form circuit connection material 40 is the adhesive film mentioned above, and in the stage prepared, it is formed on the surface of the support body 1 which concerns on this invention, and comprises the laminated | multilayer film 100. As shown in FIG. In addition, the film-form circuit connection material 40 here contains the electroconductive particle 7. The film-form circuit connection material 40 is normally taken out from the state wound by the core, and cut | disconnected to the required length.

이어서, 필름상 회로 접속 재료 (40)을 제1 회로 부재 (20)의 회로 전극 (22)가 형성되어 있는 면 위에 놓는다. 이때, 필름상 회로 접속 재료 (40)은 지지체 (1) 위에 설치되어 있기 때문에, 필름상 회로 접속 재료 (40)측을 제1 회로 부재 (20)을 향하도록 하여, 제1 회로 부재 (20) 위에 놓는다. 회로 접속 재료가 필름상이면, 제1 회로 부재 (20)과 제2 회로 부재 (30) 사이에 필름상 회로 접속 재료 (40)을 용이하게 개재시킬 수 있고, 제1 회로 부재 (20)과 제2 회로 부재 (30)의 접속 작업을 용이하게 행할 수 있다.Next, the film-form circuit connection material 40 is put on the surface in which the circuit electrode 22 of the 1st circuit member 20 is formed. At this time, since the film-form circuit connection material 40 is provided on the support body 1, the 1st circuit member 20 is made so that the film-form circuit connection material 40 side may face the 1st circuit member 20. FIG. Put on If a circuit connection material is a film form, the film-form circuit connection material 40 can be easily interposed between the 1st circuit member 20 and the 2nd circuit member 30, and the 1st circuit member 20 and the 2nd The connection work of the circuit member 30 can be performed easily.

또한, 도 5(a)의 화살표 A 및 B 방향으로 가압하여, 필름상 회로 접속 재료 (40)을 제1 회로 부재 (20)에 임시 고정(임시 접속)한다. 이때, 가열하면서 가압할 수도 있다. 단, 가열 온도는 필름상 회로 접속 재료 (40) 중의 접착제 조성물이 경화되지 않는 온도로 한다.Moreover, it pressurizes in the arrow A and B direction of FIG. 5 (a), and temporarily fixes (temporary connection) the film-form circuit connection material 40 to the 1st circuit member 20. FIG. At this time, it may pressurize while heating. However, heating temperature shall be temperature which does not harden the adhesive composition in the film-form circuit connection material 40. FIG.

이어서, 필름상 회로 접속 재료 (40)으로부터 지지체 (1)을 박리한다(도 5(b) 참조). 이때, 지지체 (1)은 본 발명에 따른 지지체이기 때문에, 지지체 (1)로부터 필름상 회로 접속 재료 (40)으로의 박리 처리제의 이행 등, 지지체 (1)과 필름상 회로 접속 재료 (40)이 적층되어 있는 것에 기인하는 접속 신뢰성의 저하 요인을 충분히 억제할 수 있다.Next, the support body 1 is peeled from the film-form circuit connection material 40 (refer FIG. 5 (b)). At this time, since the support body 1 is a support body concerning this invention, the support body 1 and the film-form circuit connection material 40, such as transfer of the peeling processing agent from the support body 1 to the film-form circuit connection material 40, The deterioration factor of the connection reliability resulting from being laminated can be fully suppressed.

계속해서, 필름상 회로 접속 재료 (40)에 활성 광선을 조사한다. 이어서, 도 5(c)에 도시한 바와 같이, 제2 회로 부재 (30)을 제2 회로 전극을 제1 회로 부재 (20)을 향하도록 하여 필름상 회로 접속 재료 (40) 위에 놓는다.Subsequently, actinic light is irradiated to the film-form circuit connection material 40. Subsequently, as shown in FIG. 5C, the second circuit member 30 is placed on the film-form circuit connection material 40 with the second circuit electrode facing the first circuit member 20.

또한, 필름상 회로 접속 재료 (40)을 가열하면서, 도 5(c)의 화살표 A 및 B 방향으로 제1 및 제2 회로 부재 (20), (30)을 통해 가압한다. 이때의 가열 온도는, 본 발명의 접착제 조성물이 경화 가능한 온도로 한다. 이렇게 하여, 필름상 회로 접속 재료 (40)이 경화 처리되고, 본 접속이 행해져, 도 4에 도시한 바와 같은 회로 부재의 접속 구조가 얻어진다. 또한, 접속의 조건은 사용하는 용도, 접착제 조성물, 회로 부재에 따라 적절하게 선택된다.Moreover, while heating the film-form circuit connection material 40, it presses through the 1st and 2nd circuit members 20 and 30 in the arrow A and B direction of FIG.5 (c). The heating temperature at this time is made into the temperature which the adhesive composition of this invention can harden. In this way, the film-form circuit connection material 40 is hardened | cured and this connection is performed and the connection structure of the circuit member as shown in FIG. 4 is obtained. In addition, the conditions of a connection are suitably selected according to the use, adhesive composition, and circuit member to be used.

예를 들면, 가열 온도는 90 내지 250 ℃, 압력은 일반적으로 피착체에 대하여 0.1 내지 10 MPa, 가열 및 가압에 필요로 되는 시간(접속 시간)은 1초 내지 10분인 것이 바람직하다.For example, it is preferable that heating temperature is 90-250 degreeC, pressure is 0.1-10 MPa with respect to a to-be-adhered body, and the time (connection time) required for heating and pressurization is 1 second-10 minutes.

또한, 가열 및 가압하는 장치는 특별히 한정되지 않지만, 생산성이나 편리성을 고려하면, 히터가 내장된 가압 헤드를 구비하는 가압 가열 장치인 것이 바람직하다.In addition, the apparatus for heating and pressurizing is not particularly limited, but considering productivity and convenience, it is preferable that the apparatus is a pressurized heating apparatus having a pressurized head with a built-in heater.

상술한 바와 같이 하여 회로 부재의 접속 구조를 제조하면, 얻어지는 회로 부재의 접속 구조에서 접속 신뢰성이 향상되기 때문에, 회로 부재의 접속 구조의 수율이 충분히 높아진다.When the connection structure of a circuit member is manufactured as mentioned above, since the connection reliability improves in the connection structure of the circuit member obtained, the yield of the connection structure of a circuit member becomes high enough.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명의 별도의 실시 형태에 따른 적층 필름의 제조 방법은, 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상이 되도록 지지체를 형성하는 공정과, 그 지지체의 표면 위에 접착제 조성물을 함유하는 접착 필름을 형성하는 공정을 갖는 것이다. 지지체를 형성하는 공정에서는, 상술한 지지체의 선별 방법에 따라 선택된 표면의 잔류 접착률 C5가 80 % 이상인 지지체와 실질적으로 동일한 조성 및 제조 방법으로 지지체를 형성할 수 있다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this. For example, the production method of the multilayer film according to another embodiment of the invention, the step of forming the support is a residual adhesion rate of C 5 of the surface is at least 80% and, containing an adhesive composition on the surface of the support It has a process of forming an adhesive film. In the step of forming the support, the support can be formed by a composition and a manufacturing method substantially the same as the support having a residual adhesion rate C 5 of the surface selected according to the above-described screening method for the support.

또한, 회로 부재의 접속 구조의 제조 방법에서, 가열 및 가압에 의한 경화 처리의 후, 추가로 빛, 초음파 및/또는 전자파를 사용한 경화 처리를 행할 수도 있다.Moreover, in the manufacturing method of the connection structure of a circuit member, after hardening process by heating and pressurization, hardening process using light, an ultrasonic wave, and / or an electromagnetic wave can also be performed.

또한, 본 발명의 별도의 실시 형태에서, 접착 필름이 반도체 장치에서의 반도체 소자와 회로 패턴을 접속하는 반도체 접속 부재의 재료로서 사용될 수도 있다.Moreover, in another embodiment of this invention, an adhesive film may be used as a material of the semiconductor connection member which connects a semiconductor element and a circuit pattern in a semiconductor device.

도 6은, 이 반도체 장치의 한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 반도체 장치 (80)은, 반도체 소자 (50)과 반도체의 지지 부재가 되는 기판 (60)을 구비하고 있고, 반도체 소자 (50) 및 기판 (60)의 사이에는, 이들을 전기적으로 접속하는 반도체 소자 접속 부재 (40)이 설치되어 있다. 또한, 반도체 소자 접속 부재 (40)은 기판 (60)의 주요면 (60a) 위에 적층되고, 반도체 소자 (50)은 추가로 그 반도체 소자 접속 부재 (40) 위에 적층되어 있다.6 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of this semiconductor device. As shown in FIG. 6, the semiconductor device 80 of this embodiment is provided with the semiconductor element 50 and the board | substrate 60 used as a support member of a semiconductor, and the semiconductor element 50 and the board | substrate 60 are shown. The semiconductor element connection member 40 which electrically connects these is provided in between. In addition, the semiconductor element connection member 40 is laminated | stacked on the main surface 60a of the board | substrate 60, and the semiconductor element 50 is further laminated | stacked on the semiconductor element connection member 40. FIG.

기판 (60)은 회로 패턴 (61)을 구비하고 있고, 회로 패턴 (61)은 기판 (60)의 주요면 (60a) 위에서 반도체 접속 부재 (40)을 통해 또는 직접적으로 반도체 소자 (50)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 이들은 밀봉재 (70)에 의해 밀봉되어, 반도체 장치 (80)이 형성된다.The substrate 60 has a circuit pattern 61, which is electrically connected to the semiconductor element 50 via the semiconductor connecting member 40 or directly on the main surface 60a of the substrate 60. Is connected. Moreover, these are sealed by the sealing material 70, and the semiconductor device 80 is formed.

반도체 소자 (50)의 재료로서는 특별히 제한되지 않지만, 실리콘, 게르마늄의 4족의 반도체 소자, GaAs, InP, GaP, InGaAs 등의 III-V족 화합물 반도체 소자, HgTe, HgCdTe, CdMnTe 등의 II-VI족 화합물 반도체 소자, CuInSe(CIS) 등의 다양한 것을 사용할 수 있다.Although it does not restrict | limit especially as a material of the semiconductor element 50, II-VI compound semiconductor elements, such as group IV-V semiconductor elements, such as silicon and germanium, GaAs, InP, GaP, InGaAs, HgTe, HgCdTe, CdMnTe, etc. Various things, such as a group compound semiconductor element and CuInSe (CIS), can be used.

반도체 소자 접속 부재 (40)은, 절연성 물질 (11) 및 도전성 입자 (7)을 함유하고 있고, 본 발명의 접착 필름의 경화물이다. 도전성 입자 (7)은, 반도체 소자 (50)과 회로 패턴 (61)의 사이 뿐만 아니라, 반도체 소자 (50)과 주요면 (60a)의 사이에도 배치되어 있다. 본 실시 형태의 반도체 장치 (80)에서는, 반도체 소자 (50)과 회로 패턴 (61)이 도전성 입자 (7)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 반도체 소자 (50) 및 회로 패턴 (61)간의 접속 저항이 충분히 감소된다. 따라서, 반도체 소자 (50) 및 회로 패턴 (61)간의 전류의 흐름을 원활하게 할 수 있어, 반도체가 갖는 기능을 충분히 발휘할 수 있다. 또한, 이 도전성 입자 (7)을 상술한 배합 비율로 함으로써 전기적인 접속의 이방성을 나타내는 것도 가능하다.The semiconductor element connection member 40 contains the insulating material 11 and the electroconductive particle 7, and is a hardened | cured material of the adhesive film of this invention. The electroconductive particle 7 is arrange | positioned not only between the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61, but also between the semiconductor element 50 and the main surface 60a. In the semiconductor device 80 of this embodiment, the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61 are electrically connected through the electroconductive particle 7. For this reason, the connection resistance between the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61 is fully reduced. Therefore, the flow of the electric current between the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61 can be made smooth, and the function which a semiconductor has can fully be exhibited. Moreover, it is also possible to show the anisotropy of electrical connection by making this electroconductive particle 7 into the compounding ratio mentioned above.

반도체 소자 접속 부재 (40)은, 본 발명에 따른 접착 필름의 경화물에 의해 구성되어 있기 때문에, 반도체 소자 (50) 및 회로 패턴 (61)간의 접속 신뢰성이 향상됨과 동시에, 반도체 장치 (80)의 수율도 충분히 높아진다.Since the semiconductor element connection member 40 is comprised by the hardened | cured material of the adhesive film which concerns on this invention, the connection reliability between the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61 improves, and the semiconductor device 80 of the semiconductor device 80 Yield is also high enough.

[실시예]EXAMPLE

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되지 않는다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention still in detail, this invention is not limited to these Examples.

[지지체의 준비][Preparation of Support]

기재 필름으로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, "PET"라고 표기함) 필름을 준비하였다. 이와는 별도로, 아미노알키드 수지(히타치 가세이 폴리머사 제조, 상품명 "TA31-209")와 산성 촉매(히타치 가세이 폴리머사 제조, 상품명 "드라이어 900")를 고형분의 질량비 100:1 내지 100:5의 비율로 혼합하고, 용제로 희석하여 용액을 얻었다. 얻어진 용액을 상기 PET 필름의 한쪽 면에 코팅하고, 용매를 휘발시킴으로써, #1 내지 #6의 지지체용 기재를 제조하였다. 또한, 지지체용 기재 #7로서 데이진사 제조, 상품명 "AH3", 지지체용 기재 #8로서 데이진사 제조, 상품명 "UH2"를 준비하였다.As the base film, a polyethylene terephthalate (hereinafter referred to as "PET") film was prepared. Separately, aminoalkyd resin (manufactured by Hitachi Kasei Polymer Co., Ltd., trade name "TA31-209") and an acid catalyst (manufactured by Hitachi Kasei Polymer Co., Ltd., trade name "dryer 900") are used in a ratio of 100: 1 to 100: 5 mass ratio of solids. It mixed and diluted with the solvent and obtained the solution. The obtained solution was coated on one side of the PET film and the solvent was volatilized to prepare substrates for the supports of # 1 to # 6. Furthermore, Dayjin Co., Ltd. make, brand name "AH3" as the base material for support body # 8, Dayjin Co. make and brand name "UH2" were prepared as base material # 8 for support bodies.

지지체용 기재 #1 내지 8의 두께를 측정하였다. 또한, 지지체용 기재 #1 내지 8 표면의 잔류 접착률 C5를 상술한 바와 같이 하여 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The thickness of the substrates # 1 to 8 for the support was measured. In addition, the residual adhesion rate C 5 on the surfaces of the substrates # 1 to 8 for the support was measured as described above. The results are shown in Table 1.

Figure pat00004
Figure pat00004

(실시예 1)(Example 1)

우선, 고형분의 중량으로 필름 형성 성분인 플루오렌-비페닐형 페녹시 수지40 g, 마찬가지로 비스페놀 A형 페녹시 수지 10 g, 중합성 화합물인 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 10 g, 마찬가지로 우레탄아크릴레이트 10 g, 커플링제인 트리메톡시실란메타크릴레이트 10 g, 및 중합 개시제인 n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트 3 g을 배합하였다. 여기에, 추가로 도전성 입자를 40 g 배합 분산시켜, 제1 접착제 조성물을 얻었다. 도전성 입자는, 폴리스티렌을 핵으로 하는 입자의 표면에 두께 0.2 ㎛의 니켈층 및 두께 0.04 ㎛의 금층을 이 순서대로 형성시키고, 추가로 그 표면에 폴리비닐알코올을 포함하는 층을 형성시켜 얻었다. 이 도전성 입자의 평균 입경은 4 ㎛였다.First, 40 g of fluorene-biphenyl type phenoxy resin which is a film formation component by the weight of solid content, 10 g of bisphenol-A phenoxy resins, and 10 g of tris (acryloxyethyl) isocyanurate which are polymeric compounds similarly 10 g of urethane acrylate, 10 g of trimethoxysilane methacrylate as a coupling agent, and 3 g of n-butyl-4,4-bis (t-butylperoxy) valerate as a polymerization initiator were blended. 40 g of compound electroconductive particles were further disperse | distributed here and the 1st adhesive composition was obtained. The electroconductive particle formed the nickel layer of thickness 0.2micrometer, and the gold layer of thickness 0.04micrometer in this order on the surface of the particle | grains which make polystyrene the nucleus, and formed the layer containing polyvinyl alcohol on the surface further. The average particle diameter of this electroconductive particle was 4 micrometers.

이어서, 지지체용 기재 #1의 표면 위에, 도공 장치를 사용하여 상기 제1 접착제 조성물을 도포하여 도막을 얻었다. 이 도막을 70 ℃에서 5분간 열풍에 의해 건조하여, 접착 필름의 두께가 25 ㎛인 제1 중간 적층체를 얻었다.Next, the said 1st adhesive composition was apply | coated using the coating apparatus on the surface of the base material # 1 for support bodies, and the coating film was obtained. This coating film was dried by hot air for 5 minutes at 70 degreeC, and the 1st intermediate | middle laminated body whose thickness of an adhesive film is 25 micrometers was obtained.

이어서, 고형분의 중량으로 필름 형성 성분인 플루오렌-비페닐형 페녹시 수지 40 g, 마찬가지로 비스페놀 A형 페녹시 수지 10 g, 중합성 화합물인 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 10 g, 마찬가지로 우레탄아크릴레이트 10 g, 커플링제인 트리메톡시실란메타크릴레이트 10 g, 및 중합 개시제인 n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트 3 g을 배합하여 제2 접착제 조성물을 얻었다.Subsequently, 40 g of fluorene-biphenyl type phenoxy resin which is a film formation component by the weight of solid content, 10 g of bisphenol-A phenoxy resins, and 10 g of tris (acryloxyethyl) isocyanurate which are polymeric compounds similarly 10 g of urethane acrylates, 10 g of trimethoxysilane methacrylate as a coupling agent, and 3 g of n-butyl-4,4-bis (t-butylperoxy) valerate as a polymerization initiator are blended to form a second adhesive composition. Got.

이어서, 지지체용 기재 #2의 표면 위에, 도공 장치를 사용하여 상기 제2 접착제 조성물을 도포하여 도막을 얻었다. 이 도막을 70 ℃에서 5분간 열풍에 의해 건조하여, 접착 필름의 두께가 25 ㎛인 제2 중간 적층체를 얻었다.Next, the said 2nd adhesive composition was apply | coated using the coating apparatus on the surface of the base material # 2 for support bodies, and the coating film was obtained. This coating film was dried by hot air for 5 minutes at 70 degreeC, and the 2nd intermediate | middle laminated body whose thickness of an adhesive film is 25 micrometers was obtained.

제1 중간 적층체 및 제2 중간 적층체는 서로의 접착 필름을 중첩하고, 각각의 지지체용 기재에 이들 접착 필름을 끼우도록 하며, 라미네이터를 사용하여 40 ℃, 0.5 ㎜/분, 무가압의 조건으로 접합하여, 적층 필름을 얻었다.The first intermediate laminate and the second intermediate laminate superimpose the adhesive films on each other, and sandwich the adhesive films on the respective substrates for the support, and use a laminator at 40 ° C., 0.5 mm / min, and no pressure. It bonded together and obtained the laminated | multilayer film.

(실시예 2)(Example 2)

지지체용 기재 #1 대신에 지지체용 기재 #3을 사용하고, 지지체용 기재 #2 대신에 지지체용 기재 #4를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 적층 필름을 얻었다.A laminated film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the support substrate # 3 was used instead of the support substrate # 1, and the support substrate # 4 was used instead of the support substrate # 2.

(실시예 3)(Example 3)

지지체용 기재 #1 대신에 지지체용 기재 #5를 사용하고, 지지체용 기재 #2 대신에 지지체용 기재 #6을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 적층 필름을 얻었다.A laminated film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the support substrate # 5 was used instead of the support substrate # 1, and the support substrate # 6 was used instead of the support substrate # 2.

(실시예 4)(Example 4)

우선, 고형분의 중량으로 필름 형성 성분인 플루오렌-비페닐형 페녹시 수지10 g, 마찬가지로 비스페놀 A형 페녹시 수지 30 g, 중합성 화합물인 페놀 노볼락형 에폭시 수지 20 g, 커플링제인 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 5 g, 및 경화제인 이미다졸계 경화제 40 g을 배합하였다. 여기에, 추가로 실시예 1에서 사용한 것과 마찬가지로 도전성 입자를 40 g 배합 분산시켜, 제1 접착제 조성물을 얻었다.First, 10 g of fluorene-biphenyl type phenoxy resin which is a film formation component by weight of solid content, 30 g of bisphenol-A phenoxy resins, 20 g of phenol novolak-type epoxy resins which are polymeric compounds, and gamma- which are coupling agents 5 g of glycidoxy propyl trimethoxysilane and 40 g of imidazole series hardening | curing agents which are hardening | curing agents were mix | blended. Here, 40g compound-dispersion of electroconductive particle was carried out similarly to using in Example 1, and the 1st adhesive composition was obtained.

이어서, 지지체용 기재 #1의 표면 위에, 도공 장치를 사용하여 상기 제1 접착제 조성물을 도포하여 도막을 얻었다. 이 도막을 70 ℃에서 5분간 열풍에 의해 건조하여, 접착 필름의 두께가 12 ㎛인 제1 중간 적층체를 얻었다.Next, the said 1st adhesive composition was apply | coated using the coating apparatus on the surface of the base material # 1 for support bodies, and the coating film was obtained. This coating film was dried by hot air for 5 minutes at 70 degreeC, and the 1st intermediate | middle laminated body whose thickness of an adhesive film is 12 micrometers was obtained.

이어서, 고형분의 중량으로 필름 형성 성분인 플루오렌-비페닐형 페녹시 수지 10 g, 마찬가지로 비스페놀 A형 페녹시 수지 30 g, 중합성 화합물인 페놀 노볼락형 에폭시 수지 20 g, 커플링제인 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 5 g, 및 경화제인 이미다졸계 경화제 40 g을 배합하여 제2 접착제 조성물을 얻었다.Subsequently, 10 g of fluorene-biphenyl type phenoxy resin which is a film formation component, 30 g of bisphenol-A phenoxy resins, 20 g of phenol novolak-type epoxy resins which are polymeric compounds, and the coupling agent (gamma)- 5 g of glycidoxy propyl trimethoxysilane and 40 g of imidazole series hardening | curing agents which are hardening | curing agents were mix | blended and the 2nd adhesive composition was obtained.

이어서, 지지체용 기재 #2의 표면 위에, 도공 장치를 사용하여 상기 제2 접착제 조성물을 도포하여 도막을 얻었다. 이 도막을 70 ℃에서 5분간 열풍에 의해 건조하여, 접착 필름의 두께가 13 ㎛인 제2 중간 적층체를 얻었다.Next, the said 2nd adhesive composition was apply | coated using the coating apparatus on the surface of the base material # 2 for support bodies, and the coating film was obtained. This coating film was dried by hot air for 5 minutes at 70 degreeC, and the 2nd intermediate | middle laminated body whose thickness of an adhesive film is 13 micrometers was obtained.

제1 중간 적층체 및 제2 중간 적층체는 서로의 접착 필름을 중첩하고, 각각의 지지체용 기재에 이들 접착 필름을 끼우도록 하며, 라미네이터를 사용하여 40 ℃, 0.5 ㎜/분, 무가압의 조건으로 접합하여, 적층 필름을 얻었다.The first intermediate laminate and the second intermediate laminate superimpose the adhesive films on each other, and sandwich the adhesive films on the respective substrates for the support, and use a laminator at 40 ° C., 0.5 mm / min, and no pressure. It bonded together and obtained the laminated | multilayer film.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

지지체용 기재 #1 대신에 지지체용 기재 #7을 사용하고, 지지체용 기재 #2 대신에 지지체용 기재 #8을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 적층 필름을 얻었다.A laminated film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the support substrate # 7 was used instead of the support substrate # 1, and the support substrate # 8 was used instead of the support substrate # 2.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

지지체용 기재 #1 대신에 지지체용 기재 #7을 사용하고, 지지체용 기재 #2 대신에 지지체용 기재 #8을 사용한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여, 적층 필름을 얻었다.A laminated film was obtained in the same manner as in Example 4 except for using the support substrate # 7 instead of the support substrate # 1 and using the support substrate # 8 instead of the support substrate # 2.

[접속 저항 측정용 샘플의 제조][Production of Sample for Measurement of Connection Resistance]

회로 전극으로서 인듐-주석 산화물(이하, "ITO"라고 표기함)을 포함하는 회로(라인폭 50 ㎛, 피치 100 ㎛, 두께 250 ㎚(2500 Å㎛)가 유리 기판(코닝사 제조, 상품명 "#1737", 28 ㎜×32 ㎜×0.7 ㎜) 위에 형성된 회로 부재를 준비하였다. 이어서, 실시예 1에서 제조한 적층 필름을 2.5 ㎜×20 ㎜로 절단하였다. 계속해서, 이 적층 필름에서의 지지체용 기재 #2를 박리하고, 그에 따라 노출된 접착 필름이 상술한 회로 부재의 상기 회로 형성측의 주요면과 서로 마주보도록 하여, 적층 필름을 접착하였다. 접착의 조건은 가열 온도 90 ℃, 가압 압력 1 MPa(접착 면적당), 3초간으로 하였다.A circuit (line width 50 μm, pitch 100 μm, thickness 250 nm (2500 μm)) containing indium tin oxide (hereinafter referred to as “ITO”) as the circuit electrode is a glass substrate (manufactured by Corning Corporation, trade name “# 1737”). ", 28 mm x 32 mm x 0.7 mm) were prepared. The laminated film produced in Example 1 was cut into 2.5 mm x 20 mm. Subsequently, the base material for a support body in this laminated film The laminated film was bonded so that # 2 was peeled off and the exposed adhesive film faced each other with the main surface of the said circuit formation side of the above-mentioned circuit member. (Per adhesion area), it was set as 3 second.

이어서, 칩 크기가 1.7 ㎜×17 ㎜×0.55 ㎜, 범프 면적이 50 ㎛×50 ㎛, 범프 높이가 15 ㎛, 범프수가 358개인 금범프 전극을 배치한 IC칩을 준비하였다. 계속해서, 상기 회로 부재에 접착한 적층 필름의 지지체용 기재 #1을 박리하였다. 이어서, 지지체용 기재 #1의 박리에 의해 노출된 접착 필름과, IC칩의 금범프 전극측이 대향하고, IC칩 및 상기 회로 부재의 전극끼리 접속할 수 있도록 위치 정렬을 행하면서, 적층 필름 부착 회로 부재와 IC칩을 중첩시켰다. 또한, 가압 가열 헤드를 구비하는 가압 가열 장치를 사용하여, 이들을 IC칩측으로부터의 가열 가압에 의해 압착하여, 실시예 1에 따른 접속 저항 측정용 샘플을 얻었다. 가열 가압의 조건은 접속 온도 200 ℃, 가압 압력 80 MPa(범프의 총 면적당), 3초간으로 하였다.Subsequently, an IC chip having a gold bump electrode having a chip size of 1.7 mm x 17 mm x 0.55 mm, a bump area of 50 m x 50 m, a bump height of 15 m and a bump number of 358 was arranged. Subsequently, the base material # 1 for the support of the laminated | multilayer film bonded to the said circuit member was peeled. Subsequently, the adhesive film exposed by peeling of the base material # 1 for support bodies, and the gold bump electrode side of an IC chip oppose, and arrange | positioning so that the electrodes of an IC chip and the said circuit member may be connected, and a circuit with a laminated film The member and the IC chip were superimposed. Moreover, using the pressurization heating apparatus provided with a pressurization heating head, these were crimped | bonded by the heat press from the IC chip side, and the sample for connection resistance measurement which concerns on Example 1 was obtained. The conditions of heat pressurization were made into connection temperature 200 degreeC, pressurization pressure 80MPa (per total area of bump), and 3 seconds.

또한, 실시예 2 내지 4, 비교예 1, 2의 적층 필름을 각각 사용하여, 상술한 바와 같이 하여 각각 실시예 2 내지 4, 비교예 1, 2에 따른 접속 저항 측정용 샘플을 얻었다.Moreover, using the laminated | multilayer film of Examples 2-4 and Comparative Examples 1 and 2, respectively, the sample for connection resistance measurement which concerns on Examples 2-4 and Comparative Examples 1 and 2 was obtained as above-mentioned, respectively.

[접속 저항의 측정][Measurement of connection resistance]

얻어진 접속 저항 측정용 샘플에 대하여, 회로 부재에서의 전극 회로와 IC칩에서의 범프 전극간의 전기 저항값(접속 저항)을 4단자 측정법에 의해 디지털 멀티미터를 사용하여 측정하였다. 측정 전류는 1 mA로 하였다. 측정은, 접속 저항 측정용 샘플 제조 직후(초기), 및 이 샘플을 열 사이클 조건에 노출시킨 후(사이클 후)에 행하였다. 또한, 열 사이클은 ESPEC사 제조 냉열 충격 시험 장치(상품명 "TSA-41L-A")를 사용하였다. 또한, 열 사이클 조건은, -40 ℃에서 15분간의 유지와 100 ℃에서 15분간의 유지를 1000회 반복하는 조건으로 하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.About the obtained connection resistance measurement sample, the electric resistance value (connection resistance) between the electrode circuit in a circuit member and the bump electrode in an IC chip was measured using the digital multimeter by the 4-terminal measuring method. The measurement current was 1 mA. The measurement was performed immediately after the sample preparation for connection resistance measurement (initial stage) and after exposing this sample to thermal cycling conditions (after a cycle). In addition, the heat cycle used the cold heat shock test apparatus (brand name "TSA-41L-A") by the ESPEC company. In addition, the heat cycle conditions were made into the conditions which hold 1000 minutes of holding | maintenance for 15 minutes at -40 degreeC, and holding | maintenance for 15 minutes at 100 degreeC. The results are shown in Table 2.

Figure pat00005
Figure pat00005

본 발명에 따르면, 지지체의 표면 위에 접착 필름을 적층하여 이루어지는 적층 필름으로서, 상기 접착 필름이 충분한 접속 신뢰성을 갖는 적층 필름을 제공할 수 있다.According to this invention, the laminated | multilayer film which laminates an adhesive film on the surface of a support body can provide the laminated | multilayer film with sufficient connection reliability.

Claims (1)

표준 시료인 점착 테이프와 소정의 금속판의 박리 강도를 측정하여, 이것을 기준 박리 강도 A로 하는 공정과, 상기 점착 테이프를 측정 대상인 적층 필름용 지지체에 접착한 후 박리하고, 상기 소정의 금속판과의 사이의 박리 강도를 측정하는 절차를 5회 반복하여, 5회째의 박리 강도를 B5로 하는 공정과, 상기 박리 강도 A 및 B5로부터 하기 수학식 1로 표시되는 잔류 접착률 C5를 도출하는 공정을 갖는 적층 필름용 지지체의 평가 방법.
<수학식 1>
Figure pat00006
The peeling strength of the adhesive tape which is a standard sample, and a predetermined metal plate is measured, and it peels after sticking the adhesive tape to the support body for laminated films which is a measurement object, and making it the reference peeling strength A, and between said predetermined metal plate. Repeating the procedure for measuring the peel strength of 5 times, the step of setting the fifth peel strength to B 5 and the step of deriving the residual adhesion rate C 5 represented by the following formula (1) from the peel strengths A and B 5: Evaluation method of the support for laminated films which have.
<Equation 1>
Figure pat00006
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